KR102384836B1

KR102384836B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR102384836B1
Application number: KR1020170156459A
Authority: KR
Inventors: 나오토 츠지; 다쿠야 스구리; 요조 이케도
Original assignee: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date: 2016-12-06
Filing date: 2017-11-22
Publication date: 2022-04-08
Also published as: US10435789B2; KR20180064977A; JP7023666B2; CN108155081A; US20180158709A1; JP2018093179A

Abstract

기판 처리 장치는 하부 전극, 상부 전극, 상기 상부 전극에 연결되고 제1 주파수의 AC 전력을 공급하는 제1 AC 전원, 상기 상부 전극에 연결되고 상기 제1 주파수 보다 낮은 제2 주파수의 AC 전력을 공급하는 제2 AC 전원, 상기 하부 전극에 제공된 내부 전극, 상기 내부 전극에 연결된 필터 회로, 그리고 상기 필터 회로를 통해 상기 내부 전극에 연결된 DC 전원을 포함한다. 상기 필터 회로는 상기 제2 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제1 주파수의 AC 전력에 대해 낮은 임피던스를 갖는 제1 필터 회로, 그리고 상기 제1 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제2 주파수의 AC 전력에 대해 낮은 임피던스를 갖는 제2 필터 회로를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 {Substrate treatment apparatus}

본 발명은 박막 형성과 같은 기판 처리에 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

US5366585는 플라즈마 처리 반응 챔버를 구비한 박막 형성 장치를 개시한다.

하부 전극과 상부 전극 사이에 원료 가스를 공급하는 동안 상부 전극에 AC 전력을 공급함으로써 하부 전극과 상부 전극 사이에 플라즈마를 발생시키고, 그리고 하부 전극 상의 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치들이 있다. 그러한 기판 처리 장치는 정전 척(electrostatic chuck)을 사용하여 기판을 하부 전극에 고정시키기 위해 하부 전극에 전압을 인가하는 고전압 DC 전원을 필요로 한다. 그러나, 상술된 AC 전력이 고전압 DC 전원을 손상시킬 수 있는 문제점이 있다.

본 발명은 상술된 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 정전 척 DC 전원을 AC 전력으로부터 보호할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 특징 및 이점은 다음과 같이 요약될 수 있다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 처리 장치는, 유전체로 이루어진 하부 전극, 상기 하부 전극에 대향하는 상부 전극, 상기 상부 전극에 연결되고 제1 주파수의 AC 전력을 공급하는 제1 AC 전원, 상기 상부 전극에 연결되고 상기 제1 주파수 보다 낮은 제2 주파수의 AC 전력을 공급하는 제2 AC 전원, 상기 하부 전극에 제공된 내부 전극, 상기 내부 전극에 연결된 필터 회로, 그리고 상기 필터 회로를 통해 상기 내부 전극에 연결된 DC 전원으로서, 상기 DC 전원은 정전 척(electrostatic chuck)을 위해 제공되는, DC 전원을 포함하며, 상기 필터 회로는, 상기 제2 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제1 주파수의 AC 전력에 대해서는 낮은 임피던스를 갖는 제1 필터 회로; 및 상기 제1 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제2 주파수의 AC 전력에 대해서는 낮은 임피던스를 갖는 제2 필터 회로를 포함한다.

본 발명의 다른 그리고 추가적인 목적들, 특징들 및 이점들이 이하의 설명에서 더 충분히 나타날 것이다.

도 1은 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 필터 회로의 회로도이다.
도 3은 도 1의 구성을 간단히 표현한 도면이다.
도 4는 커패시터의 임피던스가 커패시턴스에 따라 어떻게 변하는지를 나타내는 표이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 필터 회로를 도시하는 도면이다.
도 6은 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다.
도 7은 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다.
도 8은 변형예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이다. 동일하거나 상응하는 구성요소들에는 동일한 참조번호가 할당되며, 반복 설명은 생략될 수 있다.

제1 실시예

도 1은 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 기판 처리 장치는 챔버(12)를 구비한다. 상기 챔버(12) 내에는 유전체로 이루어진 하부 전극(14) 및 하부 전극(14)에 대향하는 상부 전극(16)이 제공된다. 예를 들어, 하부 전극(14)의 물질은 AIN과 같은 세라믹일 수 있다. 상기 상부 전극(16)은 슬릿(16a)을 구비한다. 원료 가스(material gas)는 상기 슬릿(16a)을 통해 상기 하부 전극(14)과 상기 상부 전극(16) 사이에 공급된다.

배기 덕트(20)는 O 링을 통해 상기 챔버(12) 및 상기 상부 전극(16)에 고정된다. 상기 배기 덕트(20)는 상기 상부 전극(16)과 상기 하부 전극(14) 사이의 공간을 둘러싼다. 상기 상부 전극(16)과 상기 하부 전극(14) 사이에 공급되고 기판 처리를 위해 사용되는 가스는 상기 배기 덕트(20)를 통해 밖으로 배출된다.

제1 AC 전원(22) 및 제2 AC 전원(24)은 상기 상부 전극(16)에 연결되어 있다. 상기 제1 AC 전원(22)은 제1 주파수의 AC 전력을 공급한다. 상기 제2 AC 전원(24)은 상기 제1 주파수 보다 낮은 제2 주파수의 AC 전력을 공급한다. 상기 제1 주파수는 예를 들어 1 MHz 내지 30 MHz의 주파수 범위를 가질 수 있다. 이 주파수 대역을 "HRF(high radio frequency)"라고 한다. 상기 제1 실시예에 따른 제1 AC 전원(22)은 13.56 MHz의 AC 전력을 공급한다. 상기 제2 주파수는 100 kHz 내지 1000 kHz의 주파수 범위를 가질 수 있다. 이 주파수 대역을 "LRF(low radio frequency)"라고 한다. 상기 제1 실시예의 상기 제2 AC 전원(24)은 430 kHz의 AC 전력을 공급한다.

상기 하부 전극(14)은 지지부(26)에 의해 지지된다. 상기 하부 전극(14) 및 상기 지지부(26)는 서셉터 내에 통합된다. 또한, 상기 하부 전극(14)은 "그라운드 기판 전극(ground substrate electrode)"라 지칭될 수 있다. 히터(28)는 상기 하부 전극(14)에 내장된다. 상기 히터(28)는 예를 들어 평면도로 볼 때 나선형으로 제공된다. 상기 히터(28)는 상기 지지부(26)를 통과하는 전선을 통해 전원(29)에 연결된다. 상기 전원(29)은 상기 히터(28)에 전류를 공급하며, 이에 의해 상기 하부 전극(14)이 가열되고, 상기 하부 전극(14) 상의 기판 또한 가열된다.

상기 하부 전극(14)에 내부 전극(30)이 제공된다. 상기 내부 전극(30)은 예를 들어 평면도로 볼 때 망 형상(mesh shape)으로 형성된 금속이다. 상기 내부 전극(30)의 재료는 예를 들어 W이다. 상기 내부 전극(30)은 상기 지지부(26)를 통과하는 전선을 통해 필터 회로(32)에 연결된다. 상기 내부 전극(30)은 상기 필터 회로(32)를 통해 DC 전원(34)에 연결된다. 상기 DC 전원(34)은 정전 척(electrostatic chuck)을 제공하기 위해 상기 내부 전극(30)에 전압을 인가한다.

도 2는 필터 회로(32)의 회로도이다. 상기 필터 회로(32)는 내부 전극(30)과 그라운드를 연결하는 커패시터(32a)를 포함한다. 상기 커패시터(32a)를 "제1 필터 회로"라 한다. 상기 제1 필터 회로는 주로 상기 제1 AC 전원(22)으로부터 공급되는 제1 주파수의 AC 전력을 전달하기 위해 제공된다.

상기 필터 회로(32)는 인덕터(32b) 및 커패시터(32c)를 구비한다. 상기 내부 전극(30) 및 상기 커패시터(32a)를 연결하는 전선은 상기 인덕터(32b) 및 상기 커패시터(32c)를 통해 그라운드에 연결된다. 상기 커패시터(32c)와 상기 인덕터(32b)의 직렬 회로는 상기 내부 전극(30)과 그라운드를 연결한다. 상기 커패시터(32c)와 상기 인덕터(32b)를 합쳐서 "제2 필터 회로"라 한다. 상기 제2 필터 회로는 주로 상기 제2 AC 전원(24)으로부터 공급되는 제2 주파수의 AC 전력을 전달하기 위해 제공된다.

뿐만 아니라, 상기 내부 전극(30)과 상기 DC 전원(34) 사이에 저항(32d)이 연결된다. 상기 저항(32d)은 상기 제1 주파수 또는 상기 제2 주파수의 AC 전력이 상기 DC 전원(34)에 인가되는 것을 방지하기 위해 제공된다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예에서, 상술된 바와 같이 상기 제1 필터 회로 및 상기 제2 필터 회로가 제공되기 때문에, AC 전력이 상기 DC 전원(34)에 인가될 가능성이 없다. 따라서, 상기 저항(32d)은 예비적으로(preliminarily) 제공되고, 생략될 수 있다.

(기판 처리 장치의 동작)

기판 처리 동안의 기판 처리 장치의 동작이 설명될 것이다. 도 3은 기판 처리 동안의 동작을 이해하기 쉽게 설명하기 위해 도 1의 구성을 간단히 표현한 도면이다. 기판(50)이 상기 하부 전극(14) 상에 배치된 상태에서 처리가 시작된다. 상기 기판(50)은 예를 들어 Si 웨이퍼이다. 상기 기판(50)은 필요에 따라 상기 히터(28)에 의해 미리 정해진 온도로 가열된다. 상기 상부 전극(16)과 상기 하부 전극(14) 사이에 원료 가스를 공급하면서 상기 제1 AC 전원(22) 및 상기 제2 AC 전원(24)을 사용하여 상기 상부 전극(16)에 AC 전력이 공급된다. 상기 상부 전극(16)에 상기 제1 주파수의 AC 전력과 상기 제2 주파수의 AC 전력을 중첩하여 인가함으로써, 상기 상부 전극(16) 및 상기 하부 전극(14) 사이에 플라즈마(52)가 생성된다. 이 상태에서 상기 DC 전원(34)이 상기 내부 전극(30)에 전압을 인가한다면, 상기 하부 전극(14)은 분극되며, 정전 척이 제공될 수 있다. 즉, 상기 하부 전극(14) 상의 기판(50)은 상기 하부 전극(14)에 정전기적으로 끌어당겨진다. 본 발명의 제1 실시예에서 오직 하나의 내부 전극(30)만이 존재하기 때문에, 플라즈마가 발생될 때만 정전 척을 제공하는 것이 가능하다.

예를 들어, 이 기판 처리 장치를 사용하여 상기 기판(50)에 플라즈마 CVD가 실시되면, 상기 기판(50)은 휘어질 수 있다. 상기 기판(50)의 휘어짐은 상기 기판(50)이 고온 서셉터로 이송될 때 상기 서셉터와 상기 기판 간의 온도 차이에 기인하는 것으로 가정된다. 특히, 3D-NAND 메모리 제조 단계에서 상기 기판(50)이 상당히 휘어지는 문제가 있다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 상기 기판(50)은 상기 하부 전극(14)에 정전기적으로 끌어당겨지므로, 상기 기판(50)의 휘어짐을 억제하면서 상기 기판(50)을 상기 하부 전극(14)에 고정시킬 수 있다.

뿐만 아니라, 상기 커패시터(32a)를 포함하는 상기 제1 필터 회로는 상기 제1 주파수의 AC 전력을 전달할 수 있으며, 상기 인덕터(32b) 및 상기 커패시터(32c)를 포함하는 상기 제2 필터 회로는 상기 제2 주파수의 AC 전력을 전달할 수 있다. 예를 들어, 430 kHZ의 AC 전력에 대해 계산된 1.3699 mH의 인덕턴스 L을 갖는 인덕터(32b) 및 100 pF의 커패시턴스를 갖는 커패시터(32c)를 포함하는 제2 필터 회로의 임피던스는 약 0.123458 Ω이다. 이 계산에서, AC 전력의 위상은 -90° 로 간주된다. 뿐만 아니라, 상기 제1 필터 회로의 커패시터(32a)의 커패시턴스가 25000 pF로 간주될 때, 13.56 MHz의 AC 전력에 대한 임피던스는 0.5 Ω로 작다. 이 예에서, 430 kHz에 대응하는 접합 커패시턴스(joint capacitance)는 2.5 Ω이다.

(비교예)

여기서, 제2 필터 회로가 제공되지 않고 오직 제1 필터 회로만이 제공되는 비교예가 고려될 것이다. 비교예의 기판 처리 장치는 도 1의 기판 처리 장치와 실질적으로 동일하지만, 도 2의 인덕터(32b)와 커패시터(32c)가 생략된다는 점에서 도 1의 기판 처리 장치와 상이하다. 비교예의 경우, 상기 제1 필터 회로는 제1 주파수의 AC 전력 및 제2 주파수의 AC 전력 모두에 대해 낮은 임피던스를 가질 필요가 있다. 이러한 제1 필터 회로는 상기 제1 필터 회로의 커패시터의 커패시턴스를 증가시킴으로써 구현될 수 있다.

도 4는 비교예의 제1 필터로서 제공된 커패시터의 임피던스가 커패시턴스에 따라 어떻게 변하는지를 나타낸 표이다. 예를 들어, 커패시터의 커패시턴스가 2500 pF x 5 인 것으로 간주될 때, 13.56 MHz에서의 AC 전력에 대한 임피던스는 0.9 Ω로 양호한 반면, 430 kHz에서의 AC 전력에 대응하는 임피던스는 30 Ω로 높다. 그러나, 커패시터의 커패시턴스가 2500 pF x 10 로 증가된다면, 13.56 MHz에서의 AC 전력에 대한 임피던스는 0.5 Ω가 되며, 430 kHz에서의 AC 전력에 대응하는 임피던스는 15 Ω가 된다. 따라서, 커패시터(32a)의 커패시턴스가 상당히 증가되면, 상기 제1 주파수의 AC 전력과 상기 제2 주파수의 AC 전력 모두에 대해 상대적으로 낮은 임피던스가 제공될 수 있다. 그러나, 커패시터의 커패시턴스를 상당히 증가시키는 것은 장치의 크기를 증가시키므로 바람직하지 않다.

(제1 실시예에 따른 기판 처리 장치)

본 발명의 제1 실시예는 그라운드에 HRF 및 LRF의 AC 전력을 전달할 수 있는 필터 회로를 제공한다. 따라서, 비교예의 경우에서와 같이, 커패시터의 크기를 증가시키지 않으면서 제1 주파수의 AC 전력 및 제2 주파수의 AC 전력을 접지하는 필터로서 기능하는 필터 회로(32)를 제공할 수 있다. 상기 필터 회로(32)를 제공함으로써, 상기 상부 전극(16) 및 상기 하부 전극(14) 사이에 정상적으로 방전을 발생시킬 수 있고, 또한 정전 척을 위해 제공된 DC 전원(34)을 AC 전력으로부터 보호할 수도 있다.

(변형예)

본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치는 그 특징을 잃지 않고 다양한 방식으로 변형될 수 있다. 상기 제1 필터 회로로서 커패시터(32a)를 제공함으로써, 상당히 간단한 구성으로 예를 들어 약 13.56 MHz의 제1 주파수의 AC 전력을 전달할 수 있다. 그러나, 제1 필터 회로의 구성은 그것이 상기 제2 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제1 주파수의 AC 전력에 대해 낮은 임피던스를 갖는 한 특별히 한정되지 않는다.

제2 필터 회로가 L과 C로 구성되지만, 상기 제2 필터 회로는 그것이 제1 주파수의 AC 전력에 비해 제2 주파수의 AC 전력에 대해서 낮은 임피던스가 되는 회로라면 특별히 한정되지 않는다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 처리 내용(treatment contents)은 그것들이 플라즈마 처리를 동반하는 한 특별히 제한되지 않는다. 상기 기판 처리 장치는 플라즈마 CVD 장치로서 사용될 수 있으며, 또는 플라즈마 에칭 장치로서 사용될 수 있다. 이러한 변형예들은 이하의 실시예들에 따른 기판 처리 장치들에 적용될 수 있다. 이하의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 상기 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치와 공통점이 많으므로, 제1 실시예와 다른 점을 중심으로 설명할 것이다.

제2 실시예

도 5는 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 필터 회로(70)를 나타내는 도면이다. 상기 필터 회로(70)는 커패시터(32e) 및 인덕터(32f)의 병렬 회로로 구성된 제3 회로를 구비한다. 상기 제3 필터 회로는 상기 제1 필터 회로인 커패시터(32a)와 상기 내부 전극(30)을 연결하는 경로를 피함으로써, 상기 내부 전극(30) 및 DC 전원(34) 사이에 제공된다. 즉, 상기 제3 필터 회로는 상기 내부 전극(30)과 상기 커패시터(32a)를 연결하는 전선으로부터 분기된 전선에 연결된다.

상기 제3 필터 회로는 상기 제2 주파수의 AC 전력에 대하여 낮은 임피던스가 되도록 형성되며, 상기 제1 주파수의 AC 전력에 대하여 높은 임피던스가 되도록 형성된다. 즉, 상기 제3 필터 회로는 고주파 차단필터(high-cut filter)로서 기능한다. 커패시터(32e)의 커패시턴스가 100 pF이고 인덕터(32f)의 인덕턴스 L가 1.3776 μH인 경우를 가정한다. 이 경우, 13.56 MHz의 AC 전력에 대한 제3 필터 회로의 임피던스는 2E + 7 Ω이다. AC 전력의 위상은 -90 °로 간주된다. 430 kHz의 AC 전력에 대한 제3 필터 회로의 임피던스는 3.72570 Ω이다. AC 전력의 위상은 90°로 간주된다. 상기 제2 필터 회로의 인덕터(32b)의 인덕턴스 L이 1.3699 mH로 간주되고 상기 커패시터(32c)의 커패시턴스가 100 pF로 간주될 때, 430 kHz의 AC 전력에 대한 제2 필터의 임피던스는 0.123458 Ω로 설정될 수 있다. 이 경우 430 kHz에 대한 접합 커패시턴스(joint capacitance)는 3.0 Ω이다.

따라서, 상기 제3 필터 회로는 상기 제1 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제2 주파수의 AC 전력에 대해서 낮은 임피던스를 갖게 된다. 상기 제3 필터 회로가 상기 제1 주파수의 AC 전력을 차단하기 때문에, AC 전력이 DC 전원(34)을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.

제3 실시예

도 6은 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. AC 전원(80)은 상기 상부 전극(16)의 내부 전극(16b)에 AC 전력을 공급한다. 상기 DC 전원(34)은 상기 필터 회로(32)를 통해 상기 내부 전극(30)에 연결된다. 상기 내부 전극(30)은 상기 하부 전극(14) 내에 제공된다. 상기 DC 전원(34)은 상기 내부 전극(30)에 전압을 인가하며, 이로써 정전 척을 제공한다.

스위치(82)는 내부 전극(30)과 그라운드 간의 연결 또는 차단을 스위칭할 수 있다. 상기 스위치(82)는 상기 기판에 처리가 가해지는 기간 동안 상기 내부 전극(30)을 그라운드에 연결하며, 그리고 다른 기간들 동안 상기 내부 전극(30)이 그라운드로부터 분리되게 한다. 따라서, 플라즈마가 생성되고 상기 기판에 처리가 가해지는 기간 동안, 상기 상부 전극(16)에 인가되는 AC 전력은 상기 필터 회로(32) 및 상기 스위치(82) 모두를 통해 그라운드로 흐른다. 뿐만 아니라, 이 기간 동안 상기 내부 전극(30)에 DC 전원(34)이 인가되며, 이로써 정전 척을 제공할 수 잇다.

제4 실시예

지금까지 설명된 실시예들에서, 하부 전극(14)은 오직 하나의 내부 전극만을 포함하지만, 제4 실시예에 따른 하부 전극(14)은 두 개의 내부 전극들을 포함한다. 도 7은 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다. 상기 상부 전극(16) 내의 내부 전극(16b)은 접지된다. 상기 하부 전극(14)은 두 개의 내부 전극들(30a, 30b)을 구비한다. AC 전원(40)으로부터 두 개의 내부 전극들(30a, 30b)에 AC 전력이 공급되어 플라즈마를 발생시킨다. DC 전원(72) 및 DC 전원(74)으로부터 두 개의 내부 전극들(30a, 30b)에 각각 DC 전력이 공급된다. AC 전원(40)과 DC 전원(72) 사이에 하나의 필터 회로(32)가 제공된다. 그리고 AC 전원(40)과 DC 전원(74) 사이에 다른 필터 회로(32)가 제공된다.

차단 커패시터(90)와 스위치(62)의 병렬 회로는 AC 전력 공급 경로에 배치된다. 스위치(62)가 폐쇄될 때, AC 전력이 DC 전원들(72, 74)에 인가되는 것을 필터 회로(32)가 방지하면서, 내부 전극들(30a, 30b)에 AC 전력이 공급된다. DC 전원(72)으로부터 내부 전극(30a)에 전압이 공급되며, 그리고 DC 전원(74)으로부터 내부 전극(30b)에 전압이 공급된다. 이로써, 상기 상부 전극(16)과 상기 하부 전극(14) 사이에 플라즈마를 발생시키면서 정전 척을 사용하여 기판(50)을 고정할 수 있다. 상기 스위치(62)를 개방함으로써, 상기 차단 커패시터(90)는 상기 AC 전원(40)을 상기 DC 전원들(72, 74)로부터 분리한다.

도 8은 변형예에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 도면이다. 이 구성은 AC 전원(42)이 상기 상부 전극(16)의 내부 전극(16b)에 AC 전력을 공급한다는 점에서 도 7의 구성과 상이하다. 따라서, 플라즈마는 두 개의 AC 전원들에 의해 생성될 수 있다. 지금까지 설명된 실시예들은 적절하게 조합하여 사용될 수도 있음을 주목한다.

본 발명은 다수의 AC 전력원들 각각에 대해 낮은 임피던스 회로를 제공하며, 이로써, 상기 다수의 AC 전력원들을 낮은 임피던스의 그라운드에 연결한다. 따라서 정전 척 DC 전원을 AC 전력으로부터 보호할 수 있다.

분명히 전술한 교시들을 고려하여 본 발명의 많은 변형 및 변경들이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 이전에서 구체적으로 설명된 것이 아니라 첨부된 청구범위 내에서 실행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.

Claims

기판 처리 장치에 있어서,
유전체로 이루어진 하부 전극;
상기 하부 전극에 대향하는 상부 전극;
상기 상부 전극에 연결되고 제1 주파수의 AC 전력을 공급하는 제1 AC 전원;
상기 상부 전극에 연결되고 상기 제1 주파수 보다 낮은 제2 주파수의 AC 전력을 공급하는 제2 AC 전원;
상기 하부 전극에 제공된 내부 전극;
상기 내부 전극에 연결된 필터 회로; 및
상기 필터 회로를 통해 상기 내부 전극에 연결된 DC 전원으로서, 상기 DC 전원은 정전 척(electrostatic chuck)을 위해 제공되는, DC 전원을 포함하며,
상기 필터 회로는 :
상기 제2 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제1 주파수의 AC 전력에 대해 낮은 임피던스를 갖는 제1 필터 회로; 및
상기 제1 주파수의 AC 전력에 비해 상기 제2 주파수의 AC 전력에 대해 낮은 임피던스를 갖는 제2 필터 회로를 포함하고,
상기 제1 필터 회로, 상기 제2 필터 회로, 및 상기 DC 전원은 상기 내부 전극 및 접지 사이에 병렬로 연결되고,
상기 내부 전극과 상기 DC 전원은 어떤 캐패시터나 어떤 인덕터를 경유하지 않고 상호 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 필터 회로는 상기 내부 전극과 그라운드를 연결하는 커패시터를 포함하며, 그리고
상기 제2 필터 회로는 상기 내부 전극과 상기 그라운드를 연결하는 커패시터와 인덕터의 직렬 회로를 포함하는, 기판 처리 장치.
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 주파수는 13.56 MHz이며, 그리고
상기 제2 주파수는 100 kHz 내지 1000 kHz인, 기판 처리 장치.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 하부 전극에 제공되고 상기 하부 전극을 가열하는 히터를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
청구항 2에 있어서,
상기 상부 전극에 상기 제1 주파수의 AC 전력과 상기 제2 주파수의 AC 전력을 인가함으로써 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 플라즈마가 생성되며,
상기 DC 전원은 상기 내부 전극에 전압을 인가하며, 상기 하부 전극 상의 기판은 상기 하부 전극에 정전기적으로 끌어당겨지는, 기판 처리 장치.