TWI716831B - 可切換匹配網路及電感耦合電漿處理器 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露了一種可切換匹配網路及電感耦合電漿處理器，可切換匹配網路能夠在兩個射頻偏壓頻率之間進行選擇。該匹配網路特別適用於電感耦合電漿體處理器。可切換匹配網路包括：第一匹配電路，其具有連接至第一訊號源的第一輸入埠和耦合至負載的第一輸出埠；第二匹配電路，其具有連接至第二訊號源的第二輸入埠和耦合至該負載的第二輸出埠；開關裝置，其具有第一至第三連接點，第一連接點連接至第一輸入埠，第二連接點連接至第二輸出埠；以及，可變電容器，其連接在電接地端和開關裝置的第三連接點之間。

Description

可切換匹配網路及電感耦合電漿處理器
本發明一般涉及射頻匹配網路領域，尤其涉及在電漿處理器中使用的射頻匹配網路。
在本領域中已知利用雙射頻頻率或多射頻頻率的電漿室。通常，雙頻電漿處理器接收頻率低於約15MHz的射頻偏壓功率，以及頻率較高的射頻源功率(通常為27-200MHz)。在本案的上下文中，射頻偏壓是指用於控制離子能量和離子能量分佈的射頻功率。另一方面，射頻源功率是指用於控制電漿體離子解離或電漿體密度的射頻功率。例如，在電感耦合電漿處理器中，射頻源功率被施加到天線並用於點燃和維持電漿體，而射頻偏壓功率被施加到吸盤以控制離子轟擊基板的能量。對於一些具體的例子，已知的是在例如頻率為100KHz、2MHz、2.2MHz或13.56MHz的射頻偏壓和頻率為13.56MHz、27MHz、60MHz、100MHz和更高頻率的射頻偏壓下操作電漿體蝕刻室。
通常，電漿處理器構造成具有用於射頻偏壓和源功率的一組頻率組合。然而，不同的頻率導致不同的電漿體特性，比如離子能量的分佈，因此在電漿處理器中具有在兩種不同頻率之間切換的能力是有益的，以滿足不同材料的處理需要。為了有效地施加偏壓功率，必須使用專門針對偏壓射頻電源的 工作頻率設計的射頻匹配網路。因此，在本領域中需要可選擇地以兩種不同頻率運行的、可有效切換的射頻匹配網路。
因此，本發明所要解決的問題是能夠切換射頻偏壓頻率並提供能夠將任一偏壓頻率有效地耦合至電漿體的射頻匹配網路。
本發明揭露的以下概述是為了提供對本發明一些方面和特徵的基本理解。該概述不是本發明的廣泛綜述，因此其無意於具體示出本發明的重要或關鍵要素或描繪本發明的範圍。其唯一目的是以簡化形式給出本發明的一些概念，以作為下面給出的更詳細描述的前序部分。
所公開的實施例提供了一種射頻匹配網路，其可以將兩個不同偏壓頻率中的任一個有效地耦合至電漿體。
在一些公開的實施例中，射頻匹配網路由兩個L型匹配電路製成，每個L型匹配電路由兩個臂組成，所述兩個臂一個串聯，一個並聯。並聯臂由兩個L型匹配電路共用，但是它可切換地連接至L型匹配電路之一的輸入或者連接至其他L型匹配電路的輸出。在所公開的實施例中，共用的並聯支路由可變電容器製成。此外，並聯臂連接至L型匹配電路，L型匹配電路設計用於在比並聯臂連接至輸出的L型匹配電路更高的頻率下工作。在一些特定實施例中，並聯臂連接至設計用於在13MHz下工作的L型匹配電路，而且並聯臂連接至設計用於在400KHz下工作的L型匹配電路的輸出。
在一般的方面，提供了一種可切換匹配網路，其包括：第一匹配電路，其具有耦合至第一訊號源的第一輸入埠和耦合至負載的第一輸出埠；第二匹配電路，其具有連接至第二訊號源的第二輸入埠和耦合至該負載的第二輸出埠；選擇開關，其具有基極、第一觸點和第二觸點，第一觸點連接至第一輸 入埠，第二觸點連接至第二輸出埠；可變電容器，其連接在地面和選擇開關的基極之間。
在一個實施例中，提供一種可切換地將兩個射頻偏壓功率中的一個耦合至基座的可切換匹配網路，可切換匹配網路包括：第一匹配電路，其具有連接至第一射頻偏壓電源的第一輸入埠和耦合至負載埠的第一輸出埠；第二匹配電路，其具有連接至第二射頻偏壓功率的第二輸入埠和耦合至負載埠的第二輸出埠；一側接地的可變電容器；開關裝置，其選擇性地將可變電容器連接至第一輸入埠或第二輸出埠。
所公開的實施例包括具有可切換偏壓的感應電漿處理器，其包括：真空室；源射頻電源；第一射頻偏壓電源；第二射頻偏壓電源；耦合至源電源的感應天線；基座，其位於真空室內，並經由可切換匹配網路可切換地耦合至第一射頻偏壓電源和第二射頻偏壓電源；可切換匹配網路包括：第一匹配電路，其具有連接至第一偏壓電源的第一輸入埠和耦合至基座的第一輸出埠；第二匹配電路，具有連接至第二偏壓電源的第二輸入埠和耦合至第一輸出埠的第二輸出埠；一側接地的可變電容器；和開關裝置，其將可變電容器選擇性地連接至第一輸入埠或第二輸出埠。
與現有技術相比，本發明的有益效果為：本發明專門針對工作頻率設計了一種射頻匹配網路，提供兩種不同頻率操作的、可有效切換的射頻匹配網路，可有效地施加偏壓功率，能夠切換偏壓頻率並提供能夠將任一偏壓頻率有效地耦合至電漿體的射頻匹配網路。
110:第一射頻偏壓電源
115:第二射頻偏壓電源
120、125、220、225:串聯支路
130:選擇開關
132:基極
135、335:可變電容器
140、145:耦合開關
150:第一輸入埠
155:第二輸入埠
160:第一輸出埠
165:第二輸出埠
190:陰極
235:電容器
300:真空室
302:感應天線
303:基座
304:可切換雙頻匹配盒
305:源射頻電源
310、315:射頻發生器
320:第一匹配電路
325:第二匹配電路
330、345:開關
a、b:分接頭
Cs、C-pad:電容器
Ls:電感器
In-1:第一輸入埠
In-2:第二輸入埠
Out-1:第一輸出埠
Out-2:第二輸出埠
RF-out:負載埠
SW-1、SW-2、SW-3:耦合開關
透過參考所附圖式以及下文描述的具體實施方式，本發明的其他態樣和特徵將變得明顯。應當理解，具體實施方式和所附圖式提供了由所附申請專利範圍所限定的本發明各種實施例的各種非限制性示例。
所附圖式舉例說明了本發明的實施例，並與說明書一起用於解釋和說明本發明的原理。所附圖式意在以圖示方式說明示例性實施例的主要特徵。所附圖式並不意在描繪實際實施例的每個特徵，也不意在描繪所描繪元件的相對尺寸，並且未按比例繪製。
圖1示出了根據本發明一個實施例的可切換匹配網路。
圖2示出了根據另一實施例的另一匹配網路。
圖3示出了根據本發明一個實施例的耦合至電漿處理器的可切換匹配網路系統。
現在將參考附圖描述本發明的可切換匹配網路的實施例。不同的實施例或其組合可以用於不同的應用或實現不同的益處。取決於所需獲得的結果，可以以單獨使用或與其他特徵組合的方式部分地或最全面地使用本文公開的不同特徵，從而在優勢與要求和約束之間進行取捨。因此，將參考不同的實施例突出某些益處，但不限於所公開的實施例。也就是說，本文公開的特徵不限於描述它們的實施例，而是可以與其他特徵進行“混合和匹配”並結合在其他實施例中。
所公開的實施例包括具有兩個射頻匹配電路的匹配網路，其中可變電容器經由切換裝置連接至射頻匹配電路中的任一個。如在下面的實施例中所示的，匹配網路的一個特徵在於切換裝置將可變電容器耦合至一個射頻匹配電路的輸入端，但耦合至另一射頻匹配電路的輸出端。在這個意義上，匹配網 路使用兩個不對稱的射頻匹配電路。已經發現，這種匹配網路對於將偏壓功率耦合至電感耦合電漿處理器的基座特別有效。
圖1示出了根據所公開實施例的可切換匹配網路，其利用兩個L型匹配電路。關於將兩個可用射頻偏壓功率中的一個施加到電漿處理器的基座或陰極來描述實施例。第一射頻偏壓電源110以第一頻率f1輸出射頻功率。第二射頻偏壓電源115以第二頻率f2輸出射頻功率，第二頻率f2低於第一頻率f1。例如，第一頻率f1可以是大於2MHz，或者大於10MHz，或者大於13MHz，如13.56MHz，甚至可以達到60MHz。而第二頻率f2可以選自100KHz到2MHz，例如400KHz。以這種方式，可以透過單獨的機構點燃和維持電漿體，所述單獨的機構例如為使用感應天線將源功率透過電感耦合的方式施加到電漿處理器中。然後透過選擇第一頻率f1或第二頻率f2作為偏壓功率來控制離子轟擊。本發明中的第一射頻偏壓頻率和第二射頻偏壓頻率相差巨大，至少為2MHz：100K=20倍，典型的為13.56M：400K=33倍，兩個射頻偏壓電源的頻率差距巨大，如兩個頻率相差超過20倍，可以透過選擇不同射頻偏壓電源的輸出功率實現對電漿製程步驟中電漿能量的不同控制，同時也導致第一、第二射頻偏壓電源輸入到電漿真空室中的基座(陰極)時真空室內產生相差極大的負載阻抗值，其中400K射頻偏壓電源在真空室中產生的負載阻抗約幾百歐姆，13.56MHz射頻偏壓電源在真空室中產生約幾歐姆的負載阻抗。採用現有技術中的匹配網路無法實現用一個共用可變電容，分別匹配本發明所用的兩種頻率差別極大的兩個射頻偏壓電源。
圖1示出了根據本發明一個實施例的可切換匹配網路，L型匹配電路通常具有串聯支路和並聯支路。圖1所示的匹配網路具有包括串聯支路120的第一匹配電路和包括串聯支路125的第二匹配電路。在該示例中，串聯支路120和125分別包括串聯連接的電感器和電容器。兩個匹配電路的並聯支路由共同的可變電容器135組成，可變電容器135可切換地連接至串聯支路120或串聯支路 125中的任一個。然而，並聯支路的應用是非對稱的，即當可變電容器135連接至串聯支路120時，其連接至該支路的輸入側；相反地，當可變電容器135連接至串聯支路125時，其連接至該支路的輸出側。由此可知，這種不對稱連接改善了射頻偏壓功率與電漿處理器的耦合。
在圖1的示例中，可變電容器135連接在地面和選擇開關130的基極132之間。本發明所述的開關裝置包括選擇開關130，選擇開關130包括第一連接點、第二連接點及第三連接點。其中基極132相當於第三連接點，第一觸點a相當於第一連接點，第二觸點b相當於第二連接點。選擇開關130可以在兩個分接頭之間切換。當選擇開關130切換到連接至串聯支路120的輸入側的第一分接頭a時，耦合開關145被置於斷開狀態。在這種情況下，僅接合第一匹配電路，使得將來自第一射頻偏壓電源110的偏壓功率施加到陰極190。相反地，如果選擇開關130切換到第二分接頭b，並且耦合開關145切換到閉合狀態，則接合第二匹配電路並且將來自第二射頻偏壓電源115的偏壓功率施加到陰極190。第一匹配電路連接在第一訊號源和基座之間，用於將第一射頻訊號施加到陰極上，第二匹配電路連接在第二訊號源和基座之間，用於將第二射頻訊號施加到陰極上，第一射頻偏壓電源110相當於第一訊號源，第二射頻偏壓電源115相當於第二訊號源。在這種情況下，可選地，可以增加耦合開關140並將其切換到斷開位置，如圖1虛線所示。
因此，圖1的匹配網路將可變電容器135用於第一和第二匹配電路兩者。當選擇開關130處於其第一分接頭a時，可變電容器135與串聯支路120形成L型匹配電路，其中可變電容器135連接在匹配電路的輸入側。當選擇開關130處於其第二分接頭b時，可變電容器135與串聯支路125形成L型匹配電路，其中可變電容器135連接在匹配電路的輸出側。
由於第一射頻偏壓電源110施加到陰極190時串聯支路120的輸入端阻抗高於輸出端阻抗，因此只有當可變電容器135連接到串聯支路120的輸入端時才能實現對阻抗匹配的有效調節。當頻率小於2MHz的第二射頻偏壓電源115施加到陰極190時，陰極處的負載阻抗約幾百歐姆，大於串聯支路125輸入端的阻抗，因此為了實現對射頻匹配電路的有效調節，可變電容器135要與串聯支路125的輸出端相連。本發明的射頻匹配網路利用一個共用可變電容器135可選擇地與串聯支路120和串聯支路125相連，能夠滿足對頻率相差超過20倍的射頻偏壓電源的分別匹配，可以實現在一個電漿處理器內根據不同處理製程的要求對不同頻率的射頻偏壓電源進行選擇適用。
本發明透過將不同頻率的射頻偏壓電源透過開關裝置連接到串聯支路120、串聯支路125的不同端就能夠使得一個共用可變電容器135有效地匹配兩個頻率相差極大的射頻功率，使得兩個射頻偏壓功率均能有效供應到真空室內的下電極。
圖1的實施例提供可切換的匹配網路，其包括：串聯支路120及可變電容器135，其具有連接至第一射頻偏壓電源110的第一輸入埠150和耦合至基座中陰極190即電漿真空室負載的第一輸出埠160；串聯支路125及可變電容器135，其具有連接至第二射頻偏壓電源115的第二輸入埠155和耦合至基座中陰極190即電漿真空室負載的第二輸出埠165；一個選擇開關130，其具有基極132、第一觸點(分接頭a)和第二觸點(分接頭b)，第一觸點a連接至第一輸入埠150且第二觸點b連接至第二輸出埠165；可變電容器135，其連接在電接地端和選擇開關130的基極132之間。
在所公開的實施例中，第二匹配電路配置為在100KHz至2MHz的射頻訊號下運行，並且第一匹配電路在高於第二匹配電路的頻率下運行。此外，在第二輸出埠和負載之間可以連接有耦合開關145，以在接合第一匹配電路時隔 離第二匹配電路。可選地，在第一輸出埠和負載之間可以連接有另一耦合開關140，以在接合第二匹配電路時隔離第一匹配電路。
本發明所述的選擇開關130可以是包括三個端點的開關，實現可變電容器135與第一觸點a和第二觸點b選擇性連接，也可以是有兩個開關組合而成，每個開關的一端連接到可變電容器135，另一端分別連接到第一匹配電路的輸入端和第二匹配電路的輸出埠。所以本發明的開關裝置只要能實現可變電容與兩個匹配電路之間的切換，不限於三端開關，也可以是任何形式的開關裝置。
圖2中示出了另一個實施例，其提供了用於13MHz的第一射頻偏壓功率和400KHz的第二射頻偏壓功率的匹配網路的示例。形成第一匹配電路的元件用13M標識，而形成第二匹配電路的元件用400k標識。第一匹配電路由串聯支路220和並聯電容器235形成。第二匹配電路由串聯支路225和並聯電容器235形成。在該實施例中，串聯支路220由串聯連接的電容器Cs(13M)和電感器Ls(13M)構成，而串聯支路225由串聯連接的電容器Cs(400K)和電感器Ls(400K)以及並聯電容器C-pad(400K)組成。當可變電容器235連接至第二匹配電路時，固定電容器C-pad(400K)保護並聯電容器235免受射頻大電流的影響。
為了將第一射頻偏壓電源f1(此處為13MHz)連接至第一輸出埠Out-1，將耦合開關SW-1置於閉合位置，從而將並聯電容器235連接至第一輸入埠In-1。同時，將耦合開關SW-2和SW-3置於斷開位置，從而斷開第二匹配電路。為了切換到第二射頻偏壓電源f2(此處為400KHz)，將開關SW-1置於斷開位置，從而將並聯電容器235與第一匹配電路斷開。將開關SW-2置於閉合位置，從而將並聯電容器235連接至第二輸出埠Out-2。此外，將耦合開關SW-3置於閉合位置，從而將第二匹配電路連接至第一輸出埠Out-1。
圖2中所示的實施例提供了一種可切換地將兩個射頻偏壓功率中的一個耦合至基座的可切換匹配網路，可切換匹配網路包括：串聯支路220，其 具有連接至第一射頻偏壓電源f1的第一輸入埠In-1和耦合至負載埠RF-out的第一輸出埠Out-1；串聯支路225，其具有連接至第二射頻偏壓電源f2的第二輸入埠In-2和耦合至負載埠的第二輸出埠Out-2；一側接地的可變電容器235；耦合開關SW-1、SW-2、SW-3，其選擇性地將可變電容器235連接至第一輸入埠In-1或第二輸出埠Out-2。
圖2的開關裝置包括：連接在第一輸入埠In-1和可變電容器235之間的耦合開關SW-1，以及連接在第二輸出埠Out-2和可變電容器235之間的耦合開關SW-2。與其他實施例一樣，在第二輸出埠Out-2和第一輸出埠Out-1之間可以連接有耦合開關SW-3。在第二輸入埠In-2和電接地端之間可以連接有固定電容器C-pad(400K)，以用於保護可變電容器235。
圖3示出了根據本發明一個實施例的耦合至電漿處理器的可切換匹配網路系統。電漿處理器包括真空室300，真空室300具有其上放置有晶片的基座303。透過將來自源射頻電源305的射頻功率施加到感應天線302上，將電漿體點燃並保持在真空室300內。射頻電源305的射頻頻率為f3。偏壓功率從可切換雙頻匹配盒304施加到基座303。可切換雙頻匹配盒304選擇性地施加來自射頻發生器310的訊號或來自射頻發生器315的訊號。
可切換雙頻匹配盒304的電路結構可以根據本發明描述的任何實施例來實現，並且在圖3的示例中，示出了圖1實施例的電路。開關330和345由控制器控制，所述控制器啟動開關330以連接至分接頭a和開關345以佔據第一匹配電路320的閉合位置，並控制開關330連接至分接頭b和開關345以佔據第二匹配電路325的閉合位置。如本例所示，射頻發生器310提供13MHz的訊號，而射頻發生器315提供400KHz的訊號。
如所公開的，圖3的實施例提供了一種具有可切換偏壓的電感耦合電漿處理器，其包括：真空室300；源射頻電源305；第一射頻偏壓電源310； 第二射頻偏壓電源315；耦合至源射頻偏壓電源的感應天線302；基座303，基座303中包括一個陰極與雙頻匹配盒304的輸出端電耦合，其位於真空室內並經由可切換匹配網路304可切換地耦合至第一射頻偏壓電源310和第二射頻偏壓電源315；可切換匹配網路包括：第一匹配電路320，其具有連接至第一射頻偏壓電源310的第一輸入埠和耦合至基座303的第一輸出埠；第二匹配電路325，其具有連接至第二射頻偏壓電源315的第二輸入埠和耦合至第一輸出埠的第二輸出埠；一側接地的可變電容器335；選擇開關330，其選擇性地將可變電容器連接至第一輸入埠或第二輸出埠。
本發明透過將不同頻率的射頻偏壓電源透過開關裝置連接到不同匹配電路的不同輸入端，可以實現利用一個可切換匹配網路實現對多個偏壓射頻偏壓電源的有效匹配。對於電容耦合電漿處理器，由於下電極與上方的上電極是電場耦合的，所以輸送到下電極的偏置射頻偏壓電源產生的射頻能量也同時會電耦合到上方的上電極，所以偏置射頻偏壓電源的功率在控制離子能量的同時也影響了離子濃度分佈，為了避免兩種射頻偏壓電源的互相干擾，射頻偏壓電源的頻率必須選擇的很低，比如是2MHz或以下，源射頻電源的輸出頻率通常大於27MHz。本發明應用於電感耦合電漿處理器，所以處理器中的電漿濃度只受上方源射頻電源輸出功率的影響，多個射頻偏壓電源只對離子能量產生影響而不會對上方離子濃度和氣體成分解離效果產生影響，實現了兩者的獨立控制，所以射頻偏壓電源的輸出頻率可以大於2MHz，可以採用13.56MHz甚至更高，如60MHz，實現離子能輕柔地向下轟擊。根據具體製程要求，當需要向下入射到晶圓的離子能量極高時，也需要極低的射頻偏壓電源輸出頻率，比如低於1MHz。本發明提供的可切換匹配網路可以實現兩個頻率數值相差極大的兩個射頻偏壓電源透過一個匹配電路有效供應到基座。
應當理解，本發明描述的過程和技術並非固有地與任何特定裝置相關，而是可以透過任意合適的元件組合來實現。此外，根據本發明描述的教導，可以使用各種類型的通用設備。已經結合特定示例描述了本發明，這些示例在所有方面都意為說明性而非限制性的。本領域技術人員將理解，許多不同的組合將適用於實施本發明。
此外，考慮到本發明公開的說明書和實踐，本發明的其他實施方式對於本領域技術人員而言將是明顯的。所描述實施例的各個方面和/或元件可以單獨使用或以任意組合使用。說明書和實施例僅應被認為是示例性的，本發明的真實範圍和精神由所附申請專利範圍指出。
110:第一射頻偏壓電源
115:第二射頻偏壓電源
120、125:串聯支路
130:選擇開關
132:基極
135:可變電容器
140、145:耦合開關
150:第一輸入埠
155:第二輸入埠
160:第一輸出埠
165:第二輸出埠
190:陰極
a、b:分接頭

Claims (21)

  1. 一種可切換匹配網路，其包括：一第一匹配電路，其具有連接至一第一訊號源的一第一輸入埠和耦合至一負載的一第一輸出埠；一第二匹配電路，其具有連接至一第二訊號源的一第二輸入埠和耦合至該負載的一第二輸出埠；一開關裝置，其具有一第一連接點、一第二連接點以及一第三連接點，該第一連接點連接至該第一輸入埠，該第二連接點連接至該第二輸出埠；以及一可變電容器，其連接在電接地端和該開關裝置的該第三連接點之間。
  2. 根據請求項1所述的可切換匹配網路，其中該第二匹配電路在比該第一匹配電路低的頻率下運行。
  3. 根據請求項1所述的可切換匹配網路，該第二匹配電路配置為頻率在100KHz至2MHz的射頻訊號下運行，並且該第一匹配電路在比該第二匹配電路高的頻率下運行。
  4. 根據請求項1所述的可切換匹配網路，進一步包括連接在該第二輸出埠和該負載之間的一耦合開關。
  5. 根據請求項4所述的可切換匹配網路，進一步包括連接在該第一輸出埠和該負載之間的一開關。
  6. 根據請求項1所述的可切換匹配網路，其中該第一匹配電路和該第二匹配電路中的每一個均包括串聯連接的一電容器和一電感器。
  7. 一種用於向電漿處理器的一基座提供偏壓功率的裝置，其包括： 一第一射頻偏壓電源；一第二射頻偏壓電源；一可切換匹配網路，將該第一射頻偏壓電源和該第二射頻偏壓電源中的一個可切換地耦合至該基座，該可切換匹配網路包括：一第一匹配電路，其具有連接至該第一射頻偏壓電源的一第一輸入埠和耦合至該基座的一第一輸出埠；一第二匹配電路，其具有連接至該第二射頻偏壓電源的一第二輸入埠和耦合至該基座的一第二輸出埠；一可變電容器，其一側接地；以及一開關裝置，其將該可變電容器選擇性地連接至該第一輸入埠或該第二輸出埠。
  8. 根據請求項7所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率的裝置，進一步包括連接在該第二輸出埠和該第一輸出埠之間的一耦合開關。
  9. 根據請求項8所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率的裝置，其中該開關裝置包括一選擇開關，該選擇開關具有基極、第一觸點和第二觸點，該基極連接至該可變電容器，該第一觸點可連接至該第一輸入埠，該第二觸點可連接至該第二輸出埠。
  10. 根據請求項8所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率的裝置，其中該開關裝置包括：連接在該第一輸入埠和該可變電容器之間的一第一通/斷開關，以及連接在該第二輸出埠和該可變電容器之間的一第二通/斷開關。
  11. 根據請求項8所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率 的裝置，進一步包括連接在該第二輸入埠和電接地端之間的一固定電容器。
  12. 根據請求項7所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率的裝置，其中該第一射頻偏壓電源輸出頻率比該第二射頻偏壓電源的輸出頻率高。
  13. 根據請求項12所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率的裝置，其中該第二射頻偏壓電源輸出頻率為100KHz至2MHz的訊號。
  14. 根據請求項13所述的用於向電漿處理器的該基座提供偏壓功率的裝置，其中該第一射頻偏壓電源輸出頻率為13.56MHz的訊號，該第二射頻偏壓電源輸出頻率為400KHz的訊號。
  15. 根據請求項7所述的用於向電漿處理器的基座提供偏壓功率的裝置，其中該第一匹配電路和該第二匹配電路中的每一個均包括串聯連接的一電容器和一電感器。
  16. 一種具有可切換偏壓的電感耦合電漿處理器，其包括：一真空室；一源射頻電源；一第一射頻偏壓電源；一第二射頻偏壓電源；一感應天線，其耦合至該源射頻電源；一基座，其位於該真空室內並經由一可切換匹配網路可切換地耦合至該第一射頻偏壓電源和該第二射頻偏壓電源；該可切換匹配網路包括： 一第一匹配電路，其具有連接至該第一射頻偏壓電源的一第一輸入埠和耦合至該基座的一第一輸出埠；一第二匹配電路，其具有連接至該第二射頻偏壓電源的一第二輸入埠和耦合至該第一輸出埠的一第二輸出埠；一可變電容器，其一側接地；以及，一開關裝置，其將該可變電容器選擇性地連接至該第一輸入埠或該第二輸出埠。
  17. 根據請求項16所述的感應電漿處理器，進一步包括連接在該第二輸出埠和該第一輸出埠之間的一耦合開關。
  18. 根據請求項17所述的感應電漿處理器，其中該開關裝置包括一選擇開關，該選擇開關具有一基極、一第一觸點和一第二觸點，該基極連接至該可變電容器，該第一觸點可連接至該第一輸入埠，該第二個觸點可連接至該第二輸出埠。
  19. 根據請求項17所述的感應電漿處理器，其中該開關裝置包括：連接在該第一輸入埠和該可變電容器之間的一第一通/斷開關，以及連接在該第二輸出埠和該可變電容器之間的一第二通/斷開關。
  20. 根據請求項16所述的感應電漿處理器，進一步包括連接在該第二輸入埠和電接地端之間的一固定電容器。
  21. 根據請求項16所述的感應電漿處理器，其中該第一偏壓電源輸出頻率為大於13MHz的訊號，該第二偏壓電源輸出頻率為100KHz至2MHz的訊號。
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