KR102361960B1 - 인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판 - Google Patents

인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판 Download PDF

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    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
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Abstract

본 발명은 인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판에 관한 것이다.
본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법은 기판을 준비한 후 상기 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100); 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트층에 식각부 및 비식각부로 구분된 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계(S200); 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급하여 식각하는 에칭 단계(S300); 상기 식각된 기판을 세척한 후 건조하는 세척 및 건조 단계(S400); 및 상기 건조된 기판을 표면처리하여 인쇄판을 제조하는 표면처리 단계(S500)를 포함한다.
상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법은 표면 균일성이 우수하여 우수한 인쇄 특성을 구현할 수 있고 인쇄판을 표면 처리하여 제조함으로써 내스크래치성, 내오염성, 내구성 등 물성이 우수한 인쇄판을 제조할 수 있다.

Description

인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판{MANUFACTURING METHOD OF PRINTING PLATE AND PRINTING PLATE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은 인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표면 균일성이 우수하여 우수한 인쇄 특성을 구현할 수 있고 인쇄판을 표면 처리하여 제조함으로써 내스크래치성, 내오염성, 내구성 등 물성이 우수한 인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판에 관한 것이다.
인쇄판은 신문, 잡지 등과 같은 동일 내용을 대량으로 인쇄하고자 할 때 인쇄하고자 하는 내용의 이미지 또는 텍스트 등의 정보에 대응하는 형태로 요철이 형성된 판을 말한다.
이러한 인쇄판을 제작하기 위하여 종래의 판화 필름(film)을 사용하는 CTF(computer to film) 방식과, 직접 레이저(laser) 빔(beam)을 조사하여 이미지를 형성하는 CTP(computer to plate) 방식이 사용되고 있다.
상기 CTF 방식은 제작하고자 하는 인쇄판의 패턴에 대응되게 필름을 미리 제작한 다음, 필름을 광경화성 감광막이 금속판 위에 형성된 인쇄원판(PS판; Presensitized plate) 위에 정렬시킨 상태에서 노광하고, 노광된 부분을 현상액으로 현상 및 세척하여 제작하는 방식을 의미하고, 상기 CTP 방식은 지지체 상의 광경화성 감광막에 직접 레이저(laser) 빔(beam)을 조사하고, 레이저 빔이 조사된 부분을 현상액으로 현상 및 세척하여 제작하는 방식을 의미한다.
이러한 인쇄판들은 제조하는 방법이 매우 정교하고, 복잡하며, 제조단가가 높기 때문에, 판의 취급 중의 스크래치나 오염으로 인한 불량을 최소화할 필요가 있었다. 그러나 CTF 방식에 의한 필름이나, CTP 방식에 의한 판과 같은 인쇄판은 모든 인쇄공정을 마친 후, 인쇄 결과물의 확인을 통해서만 상기한 불량을 확인할 수밖에 없는 불편함이 있었고, 이 경우, 이미 진행된 불량 인쇄물의 대량 인쇄로 인한 작업 손실이 발생하는 문제점이 있었다.
또한, 이러한 경우 불량이 존재하는 인쇄판의 한 부분 한 부분을 작업자가 직접 찾아내어야 하고, 판크리너용 조성물을 이용하여 조심스럽게 세정해야 하는 불편함이 있었다. 또한, 판크리너용 조성물을 너무 많이 사용하거나, 물리적으로 강하게 인쇄판을 문지르는 경우 인쇄판이 아예 손상되어, 최종 인쇄물에 망점 손실과 같은 새로운 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
국내등록특허 제10-1056520호(2011년 08월 05일 등록) 국내등록특허 제10-1632588호(2016년 06월 16일 등록) 국내공개특허 제10-2014-0030948호(2014년 03월 12일 공개)
본 발명은 표면 균일성이 우수하여 우수한 인쇄 특성을 구현할 수 있고 인쇄판을 표면 처리하여 제조함으로써 내스크래치성, 내오염성, 내구성 등 물성이 우수한 인쇄판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인쇄판을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법은 기판을 준비한 후 상기 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100); 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트층에 식각부 및 비식각부로 구분된 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계(S200); 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급하여 식각하는 에칭 단계(S300); 상기 식각된 기판을 세척한 후 건조하는 세척 및 건조 단계(S400); 및 상기 건조된 기판을 표면처리하여 인쇄판을 제조하는 표면처리 단계(S500)를 포함한다.
상기 에칭 단계(S300)에서는 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급한 후 28 내지 32℃의 온도에서 30 내지 70분 동안 식각함으로써 수행될 수 있다.
상기 에칭액은 질산, 인산, 인산염화합물, 아세트산암모늄(Ammonium acetate), 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride), 말산(Malic acid), 글리콜 에테르 화합물, 벤조트리아졸, 과황산염, 정전기 방지용 첨가제, 분산제 및 탈이온수를 포함할 수 있다.
상기 에칭액은 질산 20 내지 30 중량부, 인산 30 내지 40 중량부, 인산염화합물 5 내지 10 중량부, 아세트산암모늄(Ammonium acetate) 10 내지 15 중량부, 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride) 4 내지 8 중량부, 말산(Malic acid) 10 내지 20 중량부, 글리콜 에테르 화합물 1 내지 5 중량부, 벤조트리아졸 2 내지 4 중량부, 과황산염 1 내지 5 중량부, 정전기 방지용 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부, 분산제 0.1 내지 1 중량부 및 탈이온수 40 내지 60 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기한 방법으로 제조된 인쇄판을 포함한다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법은 표면 균일성이 우수하여 우수한 인쇄 특성을 구현할 수 있고 인쇄판을 표면 처리하여 제조함으로써 내스크래치성, 내오염성, 내구성 등 물성이 우수한 인쇄판을 제조할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 실시예는, 구체적으로 언급되지 않은 다양한 효과를 제공할 수 있다는 것이 충분히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 실시예 1에 따른 에칭 후 알루미늄 합금의 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이다.
도 3은 비교예 1에 따른 에칭 후 알루미늄 합금의 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이다.
도 4는 실시예 1에 따른 표면처리 후 인쇄판 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이다.
도 5는 비교예 2에 따른 인쇄판 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법은 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100), 패턴 형성 단계(S200), 에칭 단계(S300), 세척 및 건조 단계(S400), 및 표면처리 단계(S500)를 포함한다.
1. 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100)
상기 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100)는 기판을 준비한 후 상기 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계이다.
상기 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100)에서 상기 기판으로는 인쇄판에 사용되는 다양한 종류의 공지된 기판이 이용될 수 있는데, 예를 들어, 상기 기판으로는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속판, 롤 모양의 스테인레스 스틸(stainless steel)판이나, 스테인레스 스틸, 니켈, 합금, 기타금속, 폴리머 등을 일정한 길이로 절단한 판재, 절단된 판재를 용접에 의한 실린더형 박판, 전주(electro forming)에 의하여 형성된 박판 또는 전주에 의하여 형성된 실린더형 박판 등을 사용 목적에 맞게 선정하여 적용할 수 있다.
예를 들어, 상기 구리(Cu) 함유 금속판으로는 구리(Cu)/티타늄(Ti) 금속판, 구리(Cu)/니켈(Ni) 금속판, 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속판 등을 예로 들 수 있다.
또한, 상기 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100)에서 상기 포토레지스트층은 스핀코팅(spin coating), 롤코팅(roll coating), 침지법, 흘림법, 스프레이법, 인쇄방법 등 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있고, 포토레지스트의 선택은 조성, 해상도 및 에칭 두께와 같은 조건을 고려하여 선택할 수 있다.
2. 패턴 형성 단계(S200)
상기 패턴 형성 단계(S200)는 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트층에 식각부 및 비식각부로 구분된 패턴을 형성하는 단계이다.
예를 들어, 상기 패턴 형성 단계(S200)에서 상기 패턴은 일정한 패턴을 갖는 포토마스크를 적재한 다음 자외선광 또는 레이저광에 노광시킨 후 현상하여 진행하고, 상기 식각부 및 비식각부의 구분은 포토레지스트의 특성이 포지티브인지 네거티브인지에 따라 즉, 에칭액에 대해 부식을 방지하는 지의 여부에 따라 결정될 수 있다
상기 패턴 형성 단계(S200)에서 상기 패턴을 형성하는 구성은 공지의 기술인바 설명의 편의 및 본 발명의 기술적 사상의 명확성을 위하여 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
3. 에칭 단계(S300)
상기 에칭 단계(S300)는 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급하여 식각하는 단계이다.
상기 에칭 단계(S300)에서는 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급한 후 28 내지 32℃의 온도에서 30 내지 70분 동안 식각함으로써 수행될 수 있다.
또한, 상기 에칭 단계(S300)에서 상기 에칭액은 질산, 인산, 인산염화합물, 아세트산암모늄(Ammonium acetate), 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride), 말산(Malic acid), 글리콜 에테르 화합물, 벤조트리아졸, 과황산염, 정전기 방지용 첨가제, 분산제 및 탈이온수를 포함한다.
또한, 상기 에칭액은 질산 20 내지 30 중량부, 인산 30 내지 40 중량부, 인산염화합물 5 내지 10 중량부, 아세트산암모늄(Ammonium acetate) 10 내지 15 중량부, 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride) 4 내지 8 중량부, 말산(Malic acid) 10 내지 20 중량부, 글리콜 에테르 화합물 1 내지 5 중량부, 벤조트리아졸 2 내지 4 중량부, 과황산염 1 내지 5 중량부, 정전기 방지용 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부, 분산제 0.1 내지 1 중량부 및 탈이온수 40 내지 60 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있다.
상기 질산, 인산, 말산은 기판 표면을 미크론적으로 부식시키기 위하여 포함될 수 있는데, 상기 질산은 에칭액 전체 함량 중에서 20 내지 30 중량부의 중량 비율로 포함되고, 인산은 에칭액 전체 함량 중에서 30 내지 40 중량부의 중량 비율로 포함되며, 상기 말산은 10 내지 20 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있는데, 상기 질산, 인산 및 말산이 상기한 하한 범위 미만으로 포함되는 경우에는 기판 표면이 충분히 부식되기 어려운 문제가 발생할 수 있고, 상기한 상한 범위를 초과하여 포함되는 경우에는 기판 표면이 과부식되는 문제가 발생할 수 있다.
상기 인산염 화합물은 기판 표면이 과부식되는 것을 방지하고 에칭이 균일하게 진행되도록 에칭 속도를 조절하기 위하여 첨가될 수 있는데, 상기 인산염 화합물로는 제1 인산나트륨(NaH2PO4), 제2 인산나트륨(Na2HPO4), 제3 인산나트륨(Na3PO4), 제1 인산칼륨(KH2PO4), 제2 인산칼륨(K2HPO4), 제1 인산암모늄((NH4)H2PO4), 제2 인산암모늄((NH4)2HPO4) 및 제3 인산암모늄((NH4)3PO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 인산염 화합물은 에칭액 전체 함량 중에서 5 내지 10 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있는데, 상기 인산염 화합물이 5 중량부 미만으로 포함되는 경우에는 기판 표면의 에칭 속도 조절제로서의 역할을 충분히 수행하기 어려운 문제가 있고, 10 중량부를 초과하여 포함되는 경우에는 에칭 속도를 저하시켜 기판 표면의 부식을 어렵게 할 수 있다.
상기 아세트산암모늄, 불화수소암모늄은 기판 표면을 에칭할 때, 기판 표면의 에칭 속도가 저하되지 않고, 에칭액이 안정적으로 유지될 수 있도록 하기 위하여 포함될 수 있다.
상기 아세트산암모늄은 에칭액 전체 함량 중에서 10 내지 15 중량부의 중량 비율로 포함되고, 상기 불화수소암모늄은 4 내지 8 중량부의 중량 비율로 포함될 수 잇는데, 상기 아세트산암모늄과 불화수소암모늄의 함량이 상기한 하한 범위 미만으로 포함되는 경우에는 식각 속도 조절의 효과가 미미하고, 상기한 상한 범위를 초과하여 포함되는 경우에는 더 이상의 효과의 증가가 현저하지 않고, 이외의 조성물의 상대적인 함량이 적어 에칭액의 안정성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.
상기 글리콜 에테르 화합물은 기판 표면의 계면에 침투성을 향상시킴으로써, 언더컷을 감소시키고 균일한 에칭이 일어나도록 할 수 있는데, 상기 글리콜 에테르 화합물은 에틸렌 글리콜 에테르류, 디에틸렌 글리콜 에테르류 및 프로필렌 글리콜 에테르류로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 에틸렌 글리콜 에테르류는 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸아세테이트 및 에틸 비닐에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있고, 상기 디에틸렌 글리콜 에테르류는 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있으며, 상기 프로필렌 글리콜 에테르류는 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 벤조트리아졸은 기판 표면의 부식 속도를 조절하는 역할을 수행할 수 있는데, 상기 벤조트리아졸은 에칭액 전체 함량 중에서 2 내지 4 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있다.
상기 벤조트리아졸이 2 중량부 미만으로 포함되는 경우에는 기판 표면의 에칭 속도를 충분히 조절하기 어려워 과부식이 발생할 수 있고, 4 중량부를 초과하는 경우에는 기판 표면의 에칭 속도가 저하되어 에칭 시간이 길어져 생산성을 저하시킬 수 있다.
상기 과황산염은 기판 표면을 에칭하는 산화제로 사용되는 물질로, 상기 과황산염은 에칭이 용이하게 수행될 수 있도록 할 수 있는데, 상기 과황산염으로는 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 또는 과황산칼륨(K2O2S8) 중에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 과황산염은 에칭액 전체 함량 중에서 1 내지 5 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있는데, 상기 과황산염이 1 중량부 미만으로 포함되는 경우에는 과황산염의 함량이 적어 산화제로서 충분히 기능하지 못하는 문제가 발생할 수 있고, 5 중량부를 초과하여 포함되는 경우에는 과황산염의 상대적 함량이 과도하여 기판 표면의 과부식이 발생할 수 있다.
상기 정전기 방지용 첨가제로는 폴리(2,3-디하이드로티에노-1,4-디옥신)-폴리(스티렌설포네이트)[Poly(2,3-dihydrothieno-1,4-dioxin)-poly(styrenesulfonate)]가 사용될 수 있는데, 상기 정전기 방지용 첨가제는 짙은 청색 액체로서, pH는 1.7 내지 2.3이고, 인화점 100℃ 이상이며, 증기밀도는 0.98±0.1(25℃)일 수 있다.
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상기 분산제는 에칭액 조성물의 분산성이 우수하고 안정성이 뛰어난 물질을 사용할 수 있는데, 상기 분산제로는 하기의 [화학식 1]으로 나타내는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112021124346490-pat00001
여기서, X 및 X'는 수소원자 또는 벤조일아미노기이며, Z는 수소원자이고, R1 내지 R4는 같거나 다를 수 있고 메틸기 또는 에틸기이며, n 및 m은 2 또는 3을 의미한다.
구체적으로, 상기 분산제는 하기의 [화학식 2]로 나타낼 수 있는 분산제를 사용할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112021124346490-pat00002
상기 탈이온수는 물속의 이온이 제거된 것으로, 상기 탈이온수는 비저항값이 18MΩ·cm 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
4. 세척 및 건조 단계(S400)
상기 세척 및 건조 단계(S400)는 상기 식각된 기판을 세척한 후 건조하는 단계이다.
상기 세척 및 건조 단계(S400)에서는 상기 에칭액이 공급되어 식각된 기판을 탈이온수로 세척한 후 건조함으로써 일정한 형태의 패턴이 형성된 기판을 형성할 수 있다.
5. 표면처리 단계(S500)
상기 표면처리 단계(S500)는 상기 건조된 기판을 표면처리하여 인쇄판을 제조하는 단계이다.
상기 표면처리 단계(S500)에서는 상기 건조된 기판을 표면처리함으로써 내스크래치성, 내오염성, 내식성, 내마모성 등의 물성이 향상된 인쇄판을 제조할 수 있는데, 상기 표면처리 단계(S500)에서 상기 표면처리는 상기 건조된 기판에 표면처리 조성물을 분사하여 상기 기판 상에 표면보호층을 형성함으로써 진행될 수 있다.
예를 들어, 상기 표면처리 단계(S500)에서 상기 표면처리 조성물은 상기 건조된 기판을 열처리하여 일정한 두께로 질화층을 형성하는 조성물로, 상기 표면처리 조성물은 암모니아(NH3)가 사용될 수 있다.
즉, 상기 표면처리 조성물은 암모니아(NH3)로 이루어진 반응 가스를 일정한 온도로 가열한 후 일정 시간 동안 상기 건조된 기판에 분사함으로써 표면보호층을 형성할 수 있는데, 예를 들어, 공지된 반응 챔버를 이용하여 암모니아(NH3)로 이루어진 반응 가스를 550 내지 650℃로 가열한 후, 상기 가열된 반응 가스를 600 내지 800m/s의 분사 속도로 상기 건조된 기판에 분사함으로써 표면보호층을 형성할 수 있다.
이때, 상기 암모니아(NH3)로 이루어진 반응 가스는 2NH3 ⇔ 3H2 + 2N의 반응이 일어나며, 그 결과 질소 원자가 상기 건조된 기판의 표면에서 질화 과정을 일으켜 표면보호층을 형성함으로써 내스크래치성, 내오염성, 내식성, 내마모성 등의 물성이 향상된 인쇄판을 형성할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 인쇄판의 제조방법에 대한 실시예 및 비교예를 들어 더욱 구체적으로 설명하기로 한다.
< 실시예 1 >
먼저, 기판으로 알루미늄 합금을 준비한 후 상기 기판 상에 포토레지스트층을 형성하였고, 노광하여 일정한 패턴이 형성되도록 하였다.
다음으로, 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급하여 30℃ 온도에서 50분 동안 식각하였고, 상기 식각된 기판을 탈이온수로 세척한 후 건조하였다.
이어서, 상기 건조된 기판에 표면처리 조성물을 분사하여 상기 기판 상에 표면보호층을 형성함으로써 인쇄판을 제조하였다.
이때, 상기 에칭액은 질산 25 중량부, 인산 35 중량부, 인산염화합물 8 중량부, 아세트산암모늄(Ammonium acetate) 12 중량부, 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride) 6 중량부, 말산(Malic acid) 15 중량부, 글리콜 에테르 화합물 3 중량부, 벤조트리아졸 3 중량부, 과황산염 3 중량부, 정전기 방지용 첨가제 1 중량부, 분산제 0.5 중량부 및 탈이온수 50 중량부의 중량 비율로 포함되었다.
< 실시예 2 >
실시예 1과 동일한 방법으로 인쇄판을 제조하였는데, 실시예 2에서 에칭액은 질산 28 중량부, 인산 31 중량부, 인산염화합물 6 중량부, 아세트산암모늄(Ammonium acetate) 14 중량부, 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride) 5 중량부, 말산(Malic acid) 19 중량부, 글리콜 에테르 화합물 2 중량부, 벤조트리아졸 4 중량부, 과황산염 4 중량부, 정전기 방지용 첨가제 1.4 중량부, 분산제 0.2 중량부 및 탈이온수 55 중량부의 중량 비율로 포함되었다.
< 실시예 3 >
실시예 1과 동일한 방법으로 인쇄판을 제조하였는데, 실시예 3에서 에칭액은 질산 21 중량부, 인산 38 중량부, 인산염화합물 9 중량부, 아세트산암모늄(Ammonium acetate) 11 중량부, 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride) 7 중량부, 말산(Malic acid) 12 중량부, 글리콜 에테르 화합물 5 중량부, 벤조트리아졸 2 중량부, 과황산염 2 중량부, 정전기 방지용 첨가제 0.6 중량부, 분산제 0.9 중량부 및 탈이온수 45 중량부의 중량 비율로 포함되었다.
< 비교예 1 >
실시예 1과 동일한 방법으로 인쇄판을 제조하였는데, 비교예 1에서는 에칭액으로 질산, 인산, 말산, 과황산염, 정전기 방지용 첨가제 및 탈이온수를 이용하였다.
< 비교예 2 >
실시예 2와 동일한 방법으로 인쇄판을 제조하였는데, 비교예 2에서는 에칭액으로 질산, 인산염화합물, 아세트산암모늄, 불화수소암모늄, 과황산염, 분산제 및 탈이온수를 이용하였고, 또한, 실시예 1과 달리 건조된 기판 상에 표면처리하여 표면보호층을 형성하지 않고 인쇄층을 제조하였다.
1. 식각 특성 관찰 시험
실시예 1과 비교예 1에 따른 기판의 식각 특성을 관찰하였다.
도 2는 실시예 1에 따른 에칭 후 알루미늄 합금의 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이고, 도 3은 비교예 1에 따른 에칭 후 알루미늄 합금의 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 실시예 1에 따른 에칭 후 알루미늄 합금의 표면이 균일하고 품질이 우수함으로 확인할 수 있다.
2. 인쇄판 표면 특성 관찰 시험
실시예 1과 비교예 2에 따른 인쇄판 표면의 특성을 관찰하였다.
도 4는 실시예 1에 따른 표면처리 후 인쇄판 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이고, 도 5는 비교예 2에 따른 인쇄판 표면을 전자현미경(500배)으로 촬영한 사진이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예 1에 따른 표면처리 후 인쇄판 표면의 표면이 균일하고 품질이 우수함으로 확인할 수 있다.
3. 인쇄판 손상 여부
상기 실시예 1 내지 3과 비교예 1, 2에 따른 인쇄판의 에칭 후 인쇄판 손상 여부를 관찰하였고, 그 결과를 하기의 [표 1]에 나타내었다.
구분 인쇄판 손상 여부
실시예 1 손상 없음
실시예 2 손상 없음
실시예 3 손상 없음
비교예 1 손상 없음
비교예 2 손상 없음
상기 [표 1]을 참조하면, 상기 실시예 1 내지 3과 비교예 1, 2에 따른 인쇄판의 에칭 후 인쇄판의 손상은 없음을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (4)

  1. 기판을 준비한 후 상기 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 기판 상에 포토레지스트층 형성 단계(S100);
    상기 기판 상에 형성된 포토레지스트층에 식각부 및 비식각부로 구분된 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계(S200);
    상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급하여 식각하는 에칭 단계(S300);
    상기 식각된 기판을 세척한 후 건조하는 세척 및 건조 단계(S400); 및
    상기 건조된 기판을 표면처리하여 인쇄판을 제조하는 표면처리 단계(S500)를 포함하되,
    상기 에칭 단계(S300)에서는 상기 패턴이 형성된 기판에 에칭액을 공급한 후 28 내지 32℃의 온도에서 30 내지 70분 동안 식각함으로써 수행되고,
    상기 에칭액은 질산, 인산, 인산염화합물, 아세트산암모늄(Ammonium acetate), 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride), 말산(Malic acid), 글리콜 에테르 화합물, 벤조트리아졸, 과황산염, 정전기 방지용 첨가제, 분산제 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 에칭액은 질산 20 내지 30 중량부, 인산 30 내지 40 중량부, 인산염화합물 5 내지 10 중량부, 아세트산암모늄(Ammonium acetate) 10 내지 15 중량부, 불화수소암모늄(Ammonium bifluoride) 4 내지 8 중량부, 말산(Malic acid) 10 내지 20 중량부, 글리콜 에테르 화합물 1 내지 5 중량부, 벤조트리아졸 2 내지 4 중량부, 과황산염 1 내지 5 중량부, 정전기 방지용 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부, 분산제 0.1 내지 1 중량부 및 탈이온수 40 내지 60 중량부의 중량 비율로 포함된 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조방법.
  4. 삭제
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