KR102328076B1 - 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법 및 상기 방법을 수행하기 위한 고형 바디 - Google Patents

Abstract

본 발명은 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법 및 상기 방법을 수행하는 역할을 하기 위한 전기 전도성 고형 바디에 관한 발명이고, 이는 고정요소 (2)에 의한, 전류 발생기의 양극(positive pole)에 부품 (1)의 결합을 포함하며, 사이 공간 (5)을 점유하는 기체 환경을 갖는 용기 (3) 내에 포함되고 전기 전도성인, 용기 (3)을 직접 통해 또는 음극으로서 작용하는 고리를 통해, 전류 발생기의 음극(negative pole(음극(cathode))과 전기적으로 접촉하는 자유 고형 바디의 입자 (4)와의 마찰을 겪는다. 고형 바디는 포화 레벨 아래인 전해질 액체를 보유하기 위해 다공성 및 친화성을 갖는 입자 (4)이고, 전기 전도도를 갖는다.

Description

자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법 및 상기 방법을 수행하기 위한 고형 바디

본 명세서의 제목에서 명시된 것과 같이, 본 발명은 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법 및 또한 상기 방법을 수행하는 역할을 하기 위한 전기 전도성 고형 바디를 나타내고, 이는 그 후 상세히 공개될 이점 및 신규성의 특성을 제공하고, 이는 본 출원의 분야에서 현재 공지된 것에 대항하여 현저한 개선을 의미한다.

본 발명의 목적은, 입자를 의미하는, 소형-크기의 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 기반으로 금속 부품, 예를 들어 치과 인공삽입물을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법을 구체적으로 나타내고, 이는 상기 고형 바디가 전기 전도성이고 기체 환경 내로 함께 배치된다는 것에서 본질적으로 구별되고, 금속 부품이 배열되고 그래서 전력 공급, 예를 들어 DC 발생기 및, 바람직하게는 운동을 갖는, 고형 바디 (입자) 의 세트의 양극(positive pole) 에 연결되고 그래서 전력 공급의 음극(negative pole)과 전기적으로 접촉하고, 상기 고형 바디는 본 발명의 제2 특징이고, 내부적으로 전해질 액체의 양을 유지할 수 있는 입자로 이루어져 그들을 전기 전도성으로 전환시키는 전기 전도도를 갖는다.

본 발명의 출원의 분야는 금속 부품, 예를 들어 스테인리스 강의 치과 인공삽입물을 버니싱하고 연마하는 것, 특히 입자에 의하여 전해연마하는 방법을 포함하는 산업의 분야이다.

최신 기술에 관련하여, 자유 고형 바디 (입자)을 갖는 수단에서 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 상이한 시스템이 공지된다는 것이 언급될 것이다.

따라서, 오래 전부터, 상이한 기하학적 구조 및 크기를 갖고 처리될 물질보다 단단한, 임의의 지지체 상에 고정되지 않은 입자를 사용하는 것에 의해 기계적 마멸이 발생하는 매우 다양한 장치가 사용되어왔다.

부품과 입자 사이에 그들이 생성하는 상대적인 운동 덕분에, 상기 장치는 처리될 부품 상에 입자의 마찰을 생성한다.

이들 소자는, 예를 들어, 회전식 용기 (드럼), 진동식 용기 또는 입자 블래스터로 이루어진다.

하지만, 상기 언급된 것과 같은, 직접 기계적 마멸을 기반으로 한 모든 시스템은 거의 반반하지 않은 부분에 영향을 미치는 심각한 결함을 갖고, 마멸 수단 (입자)에 의해 부품 상에 가해진 압력 및 침식된 물질의 양 사이에 주어진 비례가 존재하기 때문에, 부품의 돌출 면적은 많은 경우에서, 과도한 마모 및 라운딩 오프를 견딘다는 것을 의미한다.

게다가, 많은 경우에서, 상기 시스템 내에서 활동하는 전반적인 기계적 에너지는, 과도한 스트레스에 대한 스트로크 및 변형으로 인해 부품을 손상시키는 원인이다.

반면에, 기계적 마멸을 기반으로 하는 시스템은, 금속 부품에 플라스틱 변형을 갖는 표면을 생성하고, 이를 수행할 때, 많은 경우에서, 물질의 표면 층의 오염으로 인한 처리의 부적합성을 결정하는 무시할 수 없을 정도의 양의 이물질을 불가피하게 막는다.

마찬가지로, 갈바니 처리에 의한 연마 시스템이, 처리될 금속 부품이 전해질 액체 내로 및 양극(anode)과 같은 고체 입자 없이 침지되는 것으로 공지되어있고, 이는 전해연마로서 공지되어있다.

상기 방법은, 상기 공개된 배타적 기계적 마멸 방법의 표면 오염이 없는 표면을 제조하는 이점을 갖는다.

이제, 달성되는 수 미크론 이상의 거칠기에서의 레벨링 효과는, 많은 경우에서, 불충분하고 그러므로 상기 처리는 대부분 이전의 기계적 마멸 방법의 마무리로서 사용된다.

게다가, 처리될 금속 부품이, 전해질 액체 내에서 자유롭게 움직이는 고형 바디 (입자)을 함유하는 전해질 액체 내로 침전되는 갈바니 방법이 존재한다.

상기 방법을 위해 개발된 전해질은 입자 없는 갈바니 방법의 경우에서 보다 더 두꺼운 양극 층을 생성하고, 그래서 함유된 입자가 기계적으로 양극 층과 상호작용을 할 때, 1밀리미터까지의 효율적 평활화가 거칠기 상에 발생한다.

하지만, 또한 다른 하나와 같은 경우에서, 지금까지 사용된 갈바니 방법은, 많은 경우에서, 처리될 금속의 구조 및 결정질 조성물과 관련된 핀홀 또는 계단식 표면의 형태에서의 결함을 생성하고, 많은 경우에서, 그들의 사용은 남아 있고, 그들의 조성물 (합금) 및 몰딩 처리 및 형성 때문에 용납할 수 없는 방식에서 상기 결함을 보여주지 않고 처리될 수 있다는 것이 경험적으로 증명된 부품에 제한된다.

따라서 본 발명의 목적은 효율적이고 상기 공개된 결점 및 문제를 피하는 금속 부품을 위한 개선된 평활화 및 연마 시스템을 개발하는 것이고, 적어도 출원인은, 청구된 것과 같은 이러한 유형의 임의의 다른 유사한 방법 또는 동일한 특성을 갖는 발명의 존재를 알지 못한다는 것이 명시될 것이다.

자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법 및 본 발명이 제시하는 상기 방법을 수행하기 위한 전기 전도성 고형 바디는, 이들이 구현될 때, 상기 언급된 목적이 만족스럽게 달성되기 때문에, 그러므로 본 출원의 분야 이내에서 신규성으로서 구성되고, 이를 가능하게 만들고 구별하는 특성화된 세부사항은 본 명세서에 첨부된 최종 청구항 내에 편리하게 포함된다.

구체적으로, 상기 명시된 것과 같이, 본 발명이 제시하는 것은, 한편으로는, 혁신적인 방법으로, 기체 환경 내 전기 전도성이고, 반면에, 상기 고형 바디는, 전기 전도도를 가질 수 있는 전해질 액체의 양을 보유하기 위해 다공성 및 친화성을 갖는 다양한 형태를 갖는 입자로 이루어진 자유 고형 바디 (입자)로 수행된, 이온 수송을 기반으로, 금속 부품, 예를 들어 치과 인공삽입물을 위한 금속 부품을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법이지만, 이것은 제한을 의미하지 않는다.

더욱 구체적으로, 본 발명의 방법은 다음의 단계를 제공한다:

- 처리될 부품은 전류 발생기의 양극(positive pole) (양극(anode))에 연결된다.

- 이들이 고정된 이후, 처리될 부품은 기체 환경, 예를 들어 대기 내에서 음전하로 대전된 전기 전도성 자유 고형 바디로 구성된 한 세트의 입자와 마찰되었다.

입자와 부품의 마찰은, 예를 들어 기체에 의해 수행된 또는 원심분리 메커니즘으로부터 방출된 입자의 스트림에 의하여, 또는 러시, 와인더 또는 부품의 표면 상에 입자를 움직이고 누를 수 있는 임의의 다른 적합한 수행 요소를 갖는 시스템에 의하여 수행될 수 있다.

바람직한 구체예에서, 서로 및 전류 발생기의 음극(negative pole) (음극(cathode))과 접촉하는 한 세트의 입자를 갖는 용기 이내에 부품이 도입된다. 이 상황에서, 부품은 입자의 세트에 관련하여, 예를 들어 다음 원 운동으로 움직인다.

그러한 전기 전도성 자유 고형 바디를 구성하는 입자에 관해, 입자는 처리될 부품의 거칠기를 평활화하기에 적합한 다양한 형태 및 크기를 갖고, 이는 게다가 제거될 거칠기보다 크다.

게다가, 입자는 전해질 액체의 양을 보유하기 위해 다공성 및 친화성을 갖추고 있고, 그래서 입자는 그들을 전기 전도성으로 만드는 전기 전도도를 갖는다.

입자에 의해 보유된 전해질 액체의 양은 항상 포화 레벨 아래이고 그래서 입자의 표면 상에 유리 액체를 남기는 것을 명백히 피할 수 있다는 것이 언급될 것이다.

바람직하게는, 연마하는 것을 위한 전해질 액체의 조성물, 예를 들어, 스테인리스 강은 H2O: 90 - 99% HF: 10-1%이다.

이러한 방식으로, 연마될 부품을 문지를 때, 입자는 금속의 제거가 이온 형태에서 발생하는 양각된 면적을 매우 정확하게 결정한다.

주요 이점은, 자유 고형 바디를 갖는 전해질 액체를 함유하는 방법과 달리, 표면의 불균일한 공격으로 인한 효과 생성 없이 본 발명이 제시하는 방법이 임의의 금속 합금을 사실상 평활화 및 연마할 수 있다는 것이다.

선행하는 단락에서 명시된 것과 같이, 종종, 자유 고형 바디를 갖는 전해질을 사용할 때, 핀홀 및 계단이 처리된 부품의 표면 상에 나타나고, 이것은 결정질 구조의 상이한 면적 사이의 조성물 및 특성의 고유한 차이의 반영이다.

본 발명의 방법에서, 전해질 액체로 대전된 입자는 대부분의 처리될 부품을 문지른다. 방법의 정상 상태에서, 항상, 입자의 전기적 상황의 다양성이 존재한다.

따라서, 극단적인 경우에서, 부품 및 음극(cathode) 사이의, 다른 입자와의 직접 접촉에 의해 전기 "가교"처럼 행동하는, 입자의 경우가 존재한다.

이 경우에서, 부품과 접촉하는 입자는 부품의 표면의 면적을 젖게 만들고 전기-침식 효과를 발휘하는 주어진 전해질 액체의 양을 방출한다.

이 전기-침식 (염)의 생성물은 상기 면적 내에 국부적으로 존재한다.

또 다른 극단적인 경우에서, 분리된 방식으로 부품의 표면과 접촉하고 다른 입자와 접촉하지 않고 최대 시간 이후 입자가 존재한다.

이 경우에서, 부품과 접촉하는 입자는, 다른 입자에 의해 제조된 이전 전기-침식 작용의 나머지 (염)을 흡수한다.

그리고, 추가의 또 다른 극단적인 경우에서, 상대적인 이동 속도, 부분-입자, 충분히 높고 동시에 충분한 전기 전압을 적용하는 것을 사용하여 작동할 때, 현저하게 많은 입자가 분리된 방식으로 부품의 표면 상에 영향을 주고, 동시에, 충분한 전기 전하를 제공하여 효율적 전기-침식을 유발하는 가능성이 최대화되는 방법일 것이다.

게다가, 이들 3개의 극단적인 경우 사이에 무한한 다양성의 중간체 경우 또한 존재한다.

그러므로, 방법의 높은 효율 및 정확도가, 정상 상태에서의 부품과 입자의 접촉의 신속한 연속에 의해 설명된다.

방법의 안정한 거동을 고정하기 위해 필요한 이온 수송, 양극(anode)-음극(cathode)은 상기 입자를 통한 확산을 통해 발생한다.

게다가, 주어진 규모까지, 양극(anode)-음극(cathode) 수송 또한 이온 수송에 기여하는 입자의 세트로 발생할 수 있다.

명백히, 방법은 상이한 치수 규모에서 훨씬 평활하게 하거나 연마하는 관련 능력을 또한 보여준다.

이와 같이, 예를 들어, 0.3 내지 0.8 mm 범위인 지름 및 1 내지 3 m/sec의 연마될 부품에 대한 입자의 세트의 평균 탄젠트 속력을 갖는 구형 입자에 대해서, mm² 규모에서 얻어지고, 이것은, 처리될 부품의 노출된 표면의 각각의 평방 밀리미터 상에, 수 나노미터의 거칠기가 거의 없는 경면 마무리를 의미한다. 상기 구형 입자는 바람직하게는 설폰화 스티렌-디비닐벤젠 공중합체이고 마이크로포러스 구조를 갖는다.

차례차례, 센티미터 떨어진 면적 사이의 제거된 금속의 양을 평가하여, 많은 동질성이 감지될 수 있다.

이것은, 접촉이 매우 큰 범위의 상황 사이에서 발생 (접촉)하는데도 불구하고, 본 발명의 방법이, 주어진 규모까지 아주 많은 접촉 (각각의 입자의)의 작용을 평탄화 또는 평준화하기 위한 능력을 갖추고 있다는 것을 의미한다.

본 발명의 방법이, 전압, 탄젠트 속력의 평균, 전해질 액체의 함량, 상기 전해질 액체의 전도도 및 화학적 조성물, 입자 사이의 백분율 비 및 주변 기체를 의미하는, 개입하는 모든 요소의 매개변수를 조절하는 것을 가능하게 한다는 것을 유념하는 것은 또한 매우 중요하다.

그러한 조절을 적합하게 및 명백히 수행할 때, 센티미터 치수 규모에서, 더욱 숨겨진 부분에 대하여 비교적 노출된 및 돌출 부분 상에 전기-부식 효과를 제한하는 것이 달성된다.

돌출 부분에서의, 입자의 로컬 평균 탄젠트 속력은 숨겨진 부분에서보다 더 높다.

그리고, 언급된 매개변수가 적절한 절차에 따라 조절되기 때문에, 돌출 면적에서의 개별 접촉 (각각의 입자의)의 시간의 평균이 숨겨진 면적에서의 접촉의 시간의 평균 아래이고, 이는 숨겨진 면적에서 달성되는 것보다 돌출 면적에서 더 낮은 전기-침식 수율을 생산한다.

이것은, 부품의 금속의 이온 수송을 위해서, 첫 번째로 접촉의 각각의 면적은 시간 및 방법을 요구하는 주어진 임계점 값까지 분극되어야 하고, 적절한 절차에 따라 조절될 수 있기 때문에, 이번에는 분극에 대한 필요가 센티미터 치수 규모에서 결과를 동일하게 한다는 의미에서 작용하는 것을 가능하게 한다는 사실 때문이다.

돌출 부분에서의 개별 접촉에 관한 낮은 수율은 시간의 단위에 의한 및 표면의 단위에 의한 더 높은 수의 접촉에 의해 균형을 이룬다.

그러므로, 자유 고형 바디 및 상기 방법을 수행하기 위한 전기 전도성 고형 바디에 의하여 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하는 것에 대해 공개된 방법은, 설계된 목적에 대한 지금까지 공지되지 않은 특성을 갖는 혁신 안에서 이루어지고, 이는 그들의 실용적인 유용성과 함께, 적용된 배타적 특권을 얻기 위한 충분한 기초를 제공한다고 추론된다.

상기 서술을 보완하고 본 발명의 특성을 가장 잘 이해하도록 돕기 위하여, 본 명세서에 대해 예시를 위한 및 목적을 제한하지 않는 한 장의 도면이 명세서의 필수적인 부분으로서 첨부되어있고 다음에 도시되어있다:
도 1.- 도면은, 본 발명의 목적인 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법에 개입하는 주요 요소의 도식적인 개략도를 보여주고;
도 2.- 도면은 본 발명에 따라, 방법이 나타내는, 다공성 배열 및 전기 전도성으로 만드는 전해질 액체를 유지하기 위한 능력을 관찰할 수 있는, 고형 바디를 형성하는 입자의 도식적인 개략도를 보여주고;
도 3.- 도면은 처리될 부품의 거친 표면 부분, 및 방법에서 사용된 입자가 가질 수 있는 가능한 형태의 몇몇 예시, 및 상징적으로 볼 수 있는 그들 사이의 크기 차이 및 거칠기의 크기의 도식적인 개략도를 보여주고; 및 마지막으로
도 4 및 5.- 도 4는 입자의 그룹이 양극(anode) 및 음극(cathode) 사이의 직접 접촉의 전기 가교를 형성하는 경우이고, 도 5는 입자가 부품의 표면을 개별적으로 브러싱하는 또 다른 경우인, 방법의 각각의 순간을 도시하는, 도 1에 도시된 것과 유사한 스케치를 각각 보여준다.

언급된 도면을 보고 도면 내 차용된 넘버링에 따라서, 본 발명의 방법의 바람직한 구체예에서, 도 1에서 화살표 선에 의하여 도시된, 축에 대한 및 평면 상의 궤도 운동을 수행할 수 있고, 동시에, 궤도에 수직인 평면 상에 직선 및 교대 변위 운동을 수행할 수 있는, 장치의 이동 암 (보여지지 않음) 상에, 또한 금속인, 훅, 클립, 죠 또는 다른 것으로 이루어진 고정 요소 (2) 에 의하여 처리될 금속 부품 (1)을 고정하는 방법을 볼 수 있다.

한 세트의 전기 전도성 입자 (4) 및 그들 사이에 존재하는 사이 환경의 공간 (5)을 점유하는 대기 또는 임의의 다른 기체를 함유하는 장치의 용기 (3) 내에, 이렇게 고정된 및 언급된 궤도를 갖는 교대 선형 변위 운동이 비활성화된 부품 (1)을 상부에 의해 도입하고, 그래서 부품 (1)은 상기 입자 (4)의 세트에 의해 완전히 덮인 채 남아 있다.

바람직하게는, 용기 (3) 의 형태는 폐쇄된 하부 또는 바닥, 및 개방된 상부를 갖는 실린더의 형태이다.

임의의 경우에서, 금속 때문에 직접 또는 그 효과에 대해 제공된 고리를 통해, 음극(cathode)으로서 작용하는 상기 발생기의 음극(negative pole)에 용기 (3)을 연결하면서, 장치 내 제공된 전류 발생기 (보여지지 않음)의 양극(anode) 또는 양극(positive pole) 에 고정 요소 (2)를 연결한다.

논리적으로, 용기 (3)을 형성하는 실린더에 장치를 단단히 고정하고 그래서 부품 (1)의 고정 요소 (2)의 궤도 운동 및 교대 선형 변위를 활성화시킬 때 변위를 피한다.

마지막으로, 보여지지 않은 장치의 상기 암, 및 입자 (4)를 함유하는 용기 (3)의 크기에 의해 제공된 고정 요소 (2)의 운동의 진폭은, 어떠한 경우에도 처리될 부품 (1) 또는 상기 고정 요소 (2)의 임의의 전도성 부분이 용기의 벽 또는, 적절한 경우, 음극(cathode)으로서 작용하는 고리에 직접 접촉하는 것이 가능하지 않다는 것을 언급할 것이다.

도 2를 고려하면, 본 발명에 따른 방법의 유리 전기 전도성 고형 바디를 구성하는 입자 (4)가 전기 전도도를 갖기 위한 전해질 액체의 양을 보유하기 위해 다공성 및 친화성을 갖는 고형 바디이고, 입자 (4)에 의해 항상 포화 레벨 아래로 상기 전해질 액체의 양을 보유하고, 그래서 유리 액체의 존재는 입자의 표면 상에서 명백히 회피되는 방법을 볼 수 있다.

바람직하게는, 연마하는 것을 위한 전해질 액체의 조성물, 예를 들어 스테인리스 강은 H2O: 90 - 99% HF: 10-1%이다.

반면에, 도 3의 예시로써 보여진 것과 같이, 입자 (4)는, 다양한 형태 및 크기를 갖고, 처리될 부품 (1)의 거칠기를 평활화하기에 적합하고 바람직하게는 상기 표면으로부터 제거될 거칠기보다 큰 몸체이다.

마지막으로, 도 4 및 5에서, 부품 (1)을 평활하게 하거나 연마하는 것이 전기 전도성 입자 (4) 및 처리될 부품 (1)의 표면 사이의 접촉을 통해 달성되는 것, 입자 (4)의 그룹은, 금속 부품 (1) 및 음극(cathode)과 접촉한 고정 요소 (2)를 통해 양극(anode) 사이의 직접 접촉의 전기 가교를 구성하는 경우를 보여주는 도 4, 용기 (3) 및 도 5를 통해, 선행하는 단락에서 설명된 것과 같이, 입자 (4)가 부품 (1)의 표면을 개별적으로 브러싱하는 경우에 의해 방법의 극단적인 경우의 두 예시가 도시되었다.

충분히 개시된 본 발명의 본성뿐만 아니라 그것을 시행하기 위한 방식은, 본 업계의 숙련가가 본 발명으로부터 발생하는 본 발명의 중요성 및 이점을 이해하기 위하여 임의의 긴 설명을 연장하는 것이 필요하지 않다고 여겨지고, 본 발명의 본질 내에서, 본 발명의 근본적인 원리가 변경, 변화 또는 개질되지 않는다면, 명시된 세부사항 예를 들어 목적에서 구별되고, 요구되는 보호가 확장될 다른 구체예에서 구현될 수 있는 것이 명시된다.

Claims (11)

1. 다음의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전류 발생기의 양극(positive pole) (양극(anode))에 처리될 부품 (1)을 결합시키는 것을 포함하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법:
   
   - 기체 환경 내에서 음전하로 대전된 전기 전도성 자유 고형 바디로 구성된 한 세트의 입자 (4)와 부품 (1)의 마찰 단계, 여기서 입자 (4)는 전기 전도도를 갖기 위한 전해질 액체의 양을 보유하기 위해 다공성 및 친화성을 가짐.
2. 제1항에 있어서, 다음의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법:
   
   - 용기 (3) 내에, 한 세트의 입자 (4)와 마찰하는 부품 (1)을 도입하는 단계, 한 세트의 입자 (4)는 용기 (3) 내에 포함되고 전류 발생기의 음극(negative pole) (음극(cathode))에 전기적으로 접촉함.
3. 제2항에 있어서, 전류 발생기의 음극(negative pole)과 입자 (4)의 전기 접촉은, 발생기의 상기 음극(negative pole) 에 직접 연결될 때 음극(cathode)으로서 작용하는 용기 (3)를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법.
4. 제2항에 있어서, 전류 발생기의 음극(negative pole)과 입자 (4)의 전기 접촉은 용기 (3) 내에 제공된 음극(cathode)으로서 작용하는 고리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법.
5. 제2항에 있어서, 처리될 부품 (1) 및 입자 (4) 사이의 마찰은 상기 부품 (1)의 운동에 의해 결정되고, 상기 부품 (1)의 운동은 용기 (3) 내에 고정되어있는 고정 요소 (2)가 결합되어있는 장치가 생성하는 작용에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법.
6. 제5항에 있어서, 장치에 의해 수행되는 운동은 축에 대한 및 평면 상의 궤도 운동 및, 동시에, 궤도에 수직인 평면 상의 직선 및 교대 운동인 것을 특징으로 하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법.
7. 제2항에 있어서, 용기 (3) 내의 입자 (4) 사이에 존재하는 사이 공간 (5)을 점유하는 기체 환경은 대기인 것을 특징으로 하는, 자유 고형 바디에 의한 이온 수송을 통해 금속을 평활하게 하거나 연마하기 위한 방법.
   
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