KR102322400B1 - 고온 전극 연결들 - Google Patents

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Abstract

실시예들은 웨이퍼-프로세싱 토대를 위한 고온 전극 연결 어셈블리를 포함한다. 고온 전극 연결 어셈블리는 토대에 삽입된 스터드를 장착한 컵과 판 어댑터 부를 갖는 전극 막대를 포함한다. 어셈블리는 또한 외부 표면 및 전극 막대를 수용하기 위한 어퍼처를 갖는 플로팅 판을 포함한다. 플로팅 판은 전극 막대들의 측면 움직임에 저항하기 위해 토대의 내부 표면에 접촉한다. 어셈블리는 또한 플로팅 판의 외부 표면으로부터 연장하는 회전-방지 포스트와 전극 막대를 마찰있게 맞물리는 회전-방지 리테이너 링을 포함한다. 회전-방지 포스트는 플로팅 판에 관하여 전극 막대의 회전을 제한한다.

Description

고온 전극 연결들 {HIGH TEMPERATURE ELECTRODE CONNECTIONS}
관련출원들에 대한 참조
본 출원은 2012년 9월 21일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/704,423 과 2012년 11월 2일에 출원된 미국특허 출원 제 13/667,338의 이익을 주장하고, 이에 의하여 양쪽은 그들 전체가 참조에 의해 그리고 모든 목적들을 위해 포함된다.
반도체 제작에서, 실리콘 웨이퍼는 다른 제조 프로세스들 동안에 그리고 물질들이 웨이퍼 위에 증착되거나 웨이퍼로부터 제거될 경우 토대 (pedestal) 위에 위치될 수 있다. 토대는 실리콘 웨이퍼 또는 다른 적합한 엘리먼트를 수용 및 지지할 수 있고 및/또는 어떤 프로세스 조건들을 유지할 수 있는 장치를 지칭할 수 있다. 토대는, 예를 들어, 저항 열 엘리먼트, 라디오 주파수 (RF) 안테나, 그리고 열전쌍 (thermocouple), 다른 그러한 장비 또는 그들의 부조합들과 같은, 프로세스 조건들을 유지하기 위한 디바이스들을 포함할 수 있다.
외부 전극들은 디바이스들에 전기적으로 연결되는 토대 내에 삽입된 스터드들에 부착될 수 있고 그들 디바이스들에 전원을 공급할 수 있다. 이들 전극들은 토대와 접촉하기 때문에, 그들은 제작 프로세스들 동안에 높은 열적 순환을 경험할 수 있다. 또한, 전극들은 일상적인 유지보수와 취급 동안에 스터드들로의 전극들의 부착에서 높은 벤딩과 전단응력들을 볼 수 있다.
다양한 실시예들은 토대 외부의 전력 공급원들에 토대 내의 하나 이상의 디바이스들을 전기적으로 연결하기 위한 고온 전극 어셈블리에 관한 것이다. 몇몇 구현들에서, 어셈블리는 단일-조각 (single-piece) 전극 막대 (rod) 들, 회전-방지 (anti-rotation) 포스트들을 갖는 플로팅 (floating) 판, 및 회전-방지 리테이너 (retainer) 링들을 포함할 수 있다. 각 전극 막대의 끝의 스레딩된 컵은 토대 내의 디바이스들에 전기적 연결을 제공하는 스터드에 연결된다. 각 전극 막대의 중심부는 밀봉 (seal) 들처럼, 토대로부터 외부 컴포넌트들에 전도된 열적 로드 (load) 들을 줄이기 위해 상대적으로 작은 단면적을 갖는다. 전극 막대들은 플로팅 판 내의 어퍼처 (aperture) 내로 피트 (fit) 된다. 각 전극 막대들은 판을 지지하기 위한 숄더 (shoulder) 를 갖는다. 플로팅 판은 전극 막대들의 측면 움직임을 방지하면서 열정 팽창/수축 동안에 전극 막대들의 축들을 따른 움직임을 허락하기 위해 충분한 틈 (clearance) 을 갖는 토대 스템 (stem) 내부에 피트된다. 회전-방지 링은 각 전극 막대의 외부에 클램핑된다. 회전-방지 링은 전극 막대의 느슨함을 방지하기 위하여 플로팅 판에 부착된 회전-방지 포스트에 접촉한다.
몇몇 실시예들에서, 웨이퍼-프로세싱 토대를 위한 고온 전극 연결 어셈블리는 전극 막대, 및 전극 막대를 수용하기 위한 어퍼처 및 외부 표면을 갖는 플로팅 판을 포함한다. 전극 막대는 토대 내에 삽입된 스터드에 장착하기 위한 컵과 판 어댑터 부를 갖는다. 고온 전극 연결 어셈블리는 플로팅 판의 외부 표면으로부터 연장하는 회전-방지 포스트 및 회전-방지 링을 또한 포함한다. 플로팅 판은 전극 막대의 측면 움직임에 저항하기 위해 토대의 내부 표면에 접촉한다. 몇몇 경우들에서, 플로팅 판과 토대의 상대적인 움직임을 위하여 플로팅 판과 토대의 내부 표면 사이에 틈이 있다. 회전-방지 리테이너 링은 전극 막대와 마찰있게 맞물리고 (frictionally engage) 회전-방지 포스트는 플로팅 판에 관하여 전극 막대의 회전을 제한한다. 몇몇 경우들에서, 판 어댑터 부는 주변 홈을 갖고 회전-방지 리테이너 링은 홈에서 전극 막대와 맞물린다.
실시예들의 일 양태에서, 벨레빌 (Belleville) 워셔는 토대 내에 삽입된 스터드의 숄더와 전극 막대의 컵 사이에 설치된다. 일 경우에서, 벨레빌 워셔는 워셔를 사전 로딩 (preload) 하기 위해 적어도 부분적으로 평평하게 된다.
실시예들의 다른 양태에서, 플로팅 판은 회전-방지 링을 위치시키기 위한 하나 이상의 인덱스 마크들을 가질 수 있다. 일 구현에서, 제1 인덱스 마크는 워셔가 사전 로딩된 회전-방지 링의 위치를 표시할 수 있다. 다른 구현에서, 제1 인덱스 마크는 사전 로드로부터 워셔 배출의 미리 정의된 수의 정도를 표시할 수 있다.
실시예들의 다른 양태는 웨이퍼-프로세싱 토대 내에 삽입된 스터드에 장착하기 위한 컵을 갖는 고온 전극 막대를 제공한다. 전극 막대는 또한 판 어댑터 부, 컵과 판 어댑터 부 사이의 스템, 및 판 어댑터 부 내의 주변 홈을 갖는다. 주변 홈은 회전-방지 포스트와 접촉할 때 플로팅 판에 관하여 전극 막대의 회전을 제한하도록 구성된 회전-방지 리테이너 링과 마찰있게 맞물릴 수 있다. 전극 막대는 또한 플로팅 판의 축방향 움직임을 제한하기 위해 판 어댑터 부 내의 숄더를 갖는다. 몇몇 경우들에서, 전극 막대는 팔라듐 (Palladium) 도금된 스테인리스 스틸로 구성된다. 다른 경우들에서, 전극 막대는 로듐 (Rhodium) 도금된 스테인리스 스틸로 구성된다. 전극 막대는 플로팅 판 외부에서 전극 막대를 회전시키기 위한 비틈 (wrenching) 피처를 가질 수 있다. 스템 대 컵의 외부 지름들의 비율은 몇몇 경우들에서 2:1과 5:1 사이일 수 있다.
다른 양태에서, 전극 막대는 컵과 판 어댑터 부 사이의 스템을 가질 수 있다. 몇몇 경우들에서, 스템 대 컵의 외부 지름들의 비율은 2:1 과 5:1 사이이다. 판 어댑터 부는 또한 숄더를 가질 수 있다. 플로팅 판은 판 어댑터 부의 숄더와 회전-방지 링 사이의 갭 (gap) 내에 위치될 수 있다.
다른 양태에서, 실시예들은 주변 홈을 갖는 판 어댑터 부 및 컵을 갖는 고온 전극 막대를 갖는 고온 전극 연결 어셈블리를 설치하는 방법을 포함한다. 이 방법에서, 전극 막대의 컵은 웨이퍼-프로세싱 토대 내의 스터드에 장착된다. 플로팅 판은 플로팅 판 내의 어퍼처를 통해 전극 막대를 위치시키도록 위치결정된다. 전극 막대는 토대 내의 스터드의 숄더와 컵 사이에 워셔를 사전 로딩하도록 조여진다. 회전-방지적인 링은 전극 막대 주위에 주변 홈에 마찰있게 맞물린다. 워셔는 미리 정의된 수의 정도만큼 전극 막대를 느슨하게 함으로써 사전 로드로부터 부분적으로 배출된다. 회전-방지적인 링은 플로팅 판에 부착된 회전-방지 포스트와 접촉하거나 그것에 매우 가깝게 배치된다. 일 양태에서, 방법은 플로팅 판 위의 제1 인덱스 마크에 회전-방지 리테이너 링의 피처를 배향시키는 단계를 포함한다. 다른 양태에서, 방법은 회전-방지 리테이너 링이 회전-방지 포스트와 접촉하거나 그것에 매우 가깝게 있도록 전극 막대를 회전시키는 단계를 포함한다.
이들 및 다른 양태들은 도면들을 참조하여 아래에 더 설명된다.
도 1a는 개시된 실시예들에 따른, 토대 어셈블리의 컴포넌트들의 개관도를 도시한 도면이다.
도 1b는 도 1a 의 도면의 일부의 상세도를 도시한 도면이다.
도 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 및 1h는 도 1a의 토대 어셈블리의 컴포넌트들의 다른도들을 도시한 도면들이다.
도 1i 및 1j는 도 1a의 토대 어셈블리의 등축절단도들이다.
도 1k 및 1l은 도 1a의 토대 어셈블리의 단면도들이다.
도 2a는 개시된 실시예들에 따른, 토대 어셈블리의 컴포넌트들의 단면도의 선 도면이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 토대 어셈블리의 컴포넌트들의 또 다른 단면도의 선 도면이다.
도 3a는 개시된 실시예들에서 사용된 예시적인 다중-접촉 소켓의 개관도의 도면이다.
도 3b는 실시예들에 따른, 예시적인 단일-조각 전극의 개관도로 도시한 선 도면 모델이다.
도 4는 실시예들에 따른, 4개의 전극 스터드들에 연결된 4개의 전극 막대들을 갖는 토대 어셈블리의 일부의 컴포넌트들의 단면도의 선 도면이다.
도 5는 도 1a와 1b의 토대 어셈블리로부터 토대와 고온 전극 연결 어셈블리의 컴포넌트들의 분해도를 도시한다.
도 6a은 도 1a와 1b와 다른 개시된 실시예들의 토대 어셈블리의 컴포넌트들의 개관도를 도시한 도면이다.
도 6b는 회전-방지 리테이너 링들의 설치하기 전 및 워셔들을 사전 로딩한 이후의 도 6a 에 도시된 컴포넌트들의 몇몇의 말단 뷰 (end view) 를 도시한 도면이다.
도 6c는 회전-방지 리테이너 링들의 설치 후의 도 6b 에 도시된 컴포넌트들의 말단 뷰의 도면이다.
도 6d는 회전-방지 포스트들에 접촉하고 워셔들 위의 사전 로드를 줄이기 위해 막대들을 회전시킨 후의 도 6b 에 도시된 컴포넌트들의 말단 뷰의 도면이다.
다음의 설명에서, 매우 많은 구체적인 세부사항들은 제시된 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 개시된 실시예들은 이들 구체적인 세부사항들의 몇몇 또는 전부 없이 실시될 수 있다. 다른 예들에서, 잘 알려진 프로세스 동작들은 개시된 실시예들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세하게 설명되지 않았다. 개시된 실시예들이 구체적인 세부사항들을 갖는 설명되지만, 개시된 실시예들을 그들 세부사항들만으로 제한하는 것은 의도되지 않는다는 것이 이해될 것이다.
토대 어셈블리
도 1a는 개시된 실시예들에 따른, 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 개관도를 도시한 도면이다. 도 1b는 도 1a 의 도면의 일부의 확장도를 도시한 도면이다. 도 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 및 1h는 도 1a의 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 다른도들을 도시한 도면들이다. 도 1i 및 1j는 도 1a의 토대 어셈블리 (10) 의 절단도들이다. 도 1k 및 1l은 도 1a의 토대 어셈블리 (10)의 단면도들이다. 이들 도면들은 토대 (100), 토대 어댑터 (150), 고온 전극 연결 어셈블리 (200), 및 열전쌍 커넥터 어셈블리 (400) 를 포함하는 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들을 도시한다. 몇몇 더 새로운 제작 프로세스들 동안에, 웨이퍼-프로세싱 토대에서의 온도들은 20℃와 550℃ 또는 그 이상의 온도 사이에서 순환할 수 있다. 그러한 고온 순환을 견디기 위해, 토대의 컴포넌트들은 세라믹 물질들 또는, 예를 들어, 화학적 또는 플라즈마 공격에 저항있는, 반도체 프로세싱 환경들 내에서의 사용에 또한 적합한 고온 환경에서 호환성 있는 다른 물질들을 포함할 수 있다.
토대 어댑터 (150) 은 세로로 홈이 새겨진 리세스들의 방사 어레이를 갖는 실질적으로 원통형인 튜브의 형태로 방사상 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 토대 어댑터 (150) 는 토대 (100) 로의 세로로 홈이 새겨진 리세스들 내로 볼트들을 이용하여 연결될 수 있다. 고온 전극 연결 어셈블리 (200) 는 토대 어댑터 (150) 내의 판의 어퍼처들을 통하여 연장하는 4개의 전기적인 커넥터들을 포함한다. 4개의 전기적인 커넥터들은 토대 어댑터 (150) 외부에서 하나 이상의 전력 공급원들 또는 전기적인 연결들에 연결된다. 열전쌍 커넥터 어셈블리 (400) 는 여기서 9-핀 커넥터로서 도시된 전기적인 커넥터를 갖는다. 이 전기적인 커넥터는 프로세서, 또는 온도 데이터를 프로세싱하기 위해 토대 내의 열전쌍으로부터 프로세서로 온도 데이터를 갖는 하나 이상의 전기적인 신호들을 통신하는 다른 커넥터에 연결된다.
도 2a는 개시된 실시예들에 따른, 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 단면도의 선 도면이다. 도 2a의 단면도는 토대 (100) 의 중심선 축을 통해 제1 평면에 있다. 도 2b는 도 2a 에 도시된 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 다른 단면도의 선 도면이다. 이 도면은 제1 평면에 직교하고 또한 토대 (100) 의 중심선 축을 통하는 제2 평면에 있다. 도 2a 및 2b에 도시된 토대 어셈블리 (10) 는 토대 (100), 토대 어댑터 (150), 플로팅 판 어셈블리를 갖는 고온 전극 연결 어셈블리 (200) 를 포함하고, 열전쌍 커넥터 어셈블리 (400) 를 포함한다.
개시된 실시예들의 토대 (100) 는 중심선에 대하여 방사상으로 대칭적이다. 토대 (100) 는 기초 (110), 웨이퍼 지지부 (120), 및 스템 (130) 를 포함한다. 웨이퍼 지지부 (120) 는 프로세싱 동안에 웨이퍼를 수용하고 지지할 수 있는 구조 또는 구조들의 조합을 포함한다. 웨이퍼 지지부 (120) 는 관심있는 특정한 프로세싱 기술들에 적합한 임의의 크기, 형상, 및 물질 (예를 들어, 알루미늄 나이트라이드 또는 알루미나) 일 수 있다. 도 2a 및 2b 및 다른 개시된 실시예들에서, 웨이퍼 지지부 (120) 는 웨이퍼와 뒷부분 표면 (124) 을 수용하고 지지하기 위한 지지부 표면 (122) 을 포함하는 세라믹 디스크의 형상이다.
웨이퍼 지지부 (120) 는 또한 반도체 프로세싱을 도울 수 있는 디바이스(들)를 포함할 수 있다. 도 2a 및 2b 및 다른 예시들에서, 웨이퍼 지지부 (120) 는 히터 엘리먼트 (126), 제1 RF 안테나 (128(a)), 및 제2 RF 안테나 (128(b)) 를 포함한다. 히터 엘리먼트 (126), 제1 RF 안테나 (128(a)), 및 제2 RF 안테나 (128(b)) 는 도 2a 및 2b 와 다른 예시들에 도시된 바와 같이 웨이퍼 지지부 (120) 내에 삽입될 수 있거나 분리된 컴포넌트들일 수 있다. 비록 단일 히터 엘리먼트 (126) 와 두 개의 RF 안테나들 (128(a) 및 128(b)) 이 도시되지만, 더 많거나 더 적은 수들의 디바이스들이 이들 디바이스들의 다른 실시예들에서 포함될 수 있다.
히터 엘리먼트 (126) 는 열을 발생시킬 수 있는 디바이스(들)을 지칭할 수 있다. 예를 들어, 히터 엘리먼트 (126) 는 엘리먼트의 두 끝부분들 사이의 전압 차이를 이용하여 공급될 때 열을 발생시키는 저항성 가열 엘리먼트일 수 있다. 일 경우에서, 히터 엘리먼트 (126) 는 히터 엘리먼트 (126) 의 두 끝부분들이 전압 차이를 인가하기 위하여 접근할 수 있도록 웨이퍼 지지부 (120) 내에서 (예를 들어, 웨이퍼 지지부 (120) 에 걸쳐 원하는 열 분배를 생산할 S자 곡선 또는 다른 경로를 따라) 패턴처리되거나 라우팅된 금속 (예를 들어, 텅스텐) 스트립, 리본 또는 와이어를 포함하는 저항성 가열 엘리먼트일 수 있다. 몇몇 구현들에서, 웨이퍼 지지부 (120) 는 세라믹 부분일 수 있고, 히터 엘리먼트 (126) 는 제조 동안에 웨이퍼 지지부 (120) 의 층 위에 증착되고 추가적인 소결된 세라믹 물질로 씌워진 전도성의 추적 패턴에 의해 형성될 수 있다.
RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 의 각각은 토대 (100) 로부터 RF 에너지를 전송하도록 구성될 수 있고, 웨이퍼 지지부 (120) 내에 삽입된 전도성 물질의 층에 의해 제공될 수 있다. RF 에너지는 예를 들어, 토대 (100) 위에 위치된 웨이퍼 위에서 타겟 물질들의 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착 (PECVD) 과 같은, 제조 프로세스에서 사용될 수 있다. RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 의 각각은 웨이퍼 지지부 (120)의 제조 동안에 웨이퍼 지지부 (120)의 내부 표면 위에 증착되고 그 후 추가적인 세라믹 물질로 씌워진 전도성 물질의 층에 의해 제공될 수 있다.
도 2a 및 2b 및 다른 개시된 실시예들에서, 히터 엘리먼트 (126) 는 웨이퍼 지지부 (120) 내에 삽입되고, 제1 및 제2 RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 는 웨이퍼 지지부 (120) 내의 다른 층들에 있다. 다른 경우들에서, 히터 엘리먼트 (126) 와 제1 및 제2 RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 는 웨이퍼 지지부 (120) 의 다른 부분들에 위치될 수 있다.
토대 (100) 의 스템 (130) 는 웨이퍼 지지부 (120) 보다 더 작은 지름의 열 (column) 일 수 있다. 스템 (130) 는 제1 및 제2 RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 와 히터 엘리먼트(들) (126) 를 위한 전력과 신호 케이블링 또는 전기적 전도체가 내로 라우팅 되게 하도록 구성될 수 있다. 도 1 및 2 및 다른 개시된 실시예들에서, 스템 (130) 는 예를 들어, 원형의 스템 플랜지 (132) 를 갖는 플랜지 원통형 튜브같이, 일반적으로 축방향으로 대칭적인 형상이다. 스템 밀봉 (134) (예를 들어, 오링(O-ring) 밀봉 또는 다른 적합한 밀봉) 은 스템 (130) 와 토대 어댑터 (150) 사이의 인터페이스를 밀봉하는데 사용될 수 있다. 도 2a 및 2b에 도시된 바와 같은 예시들에서, 스템 (130), 웨이퍼 지지부 (120) 및 기초 (110) 는 토대 (100) 의 통합 (예를 들어, 서로 융합된) 부분들이다. 토대 (100) 의 컴포넌트들의 다른 통합들이 사용될 수 있고, 예를 들어, 분리된 컴포넌트들은 서로 볼트로 결합될 수 있다.
스템 (130), 웨이퍼 지지부 (120), 및 기초 (110) 는 관심있는 제작 프로세스들과 호환성 있는 임의의 물질로 구성될 수 있다. 일 경우에, 스템 (130) 은 더 낮은 온도들 (예를 들어, 200 과 300 도씨 사이) 에서만 적절하게 기능할 수 있는 스템 밀봉 (134) 으로의 열의 전달을 줄이기 위하여 기초 (110) 와 웨이퍼 지지부 (120) 의 물질보다 낮은 열 전도성을 갖는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 스템 (130) 와 웨이퍼 지지부 (120), 및 기초 (110) 는 온도를 웨이퍼 지지부 (120) 에서의 550도씨로부터 200-300 도씨의 범위 내의 스템 밀봉 (134) 에서의 온도로 낮추는 물질 조합 (예를 들어, 알루미늄 나이트라이드의 다른 조성들) 으로 구성될 수 있다.
하나 이상의 전극 스터드들 (140) 은 웨이퍼 지지부 (120) 내의 디바이스들 (예를 들어, 히터 엘리먼트(들) (126) 과 RF 안테나들 (128(a) 및 128(b))) 로부터 웨이퍼 지지부 (120) 외부로 전기적인 연결을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 전극 스터드들 (140) 은 웨이퍼 지지부 (120) 내에 삽입될 수도 있다. 각각의 삽입된 스터드 (140) 의 일부는 뒷부분 표면 (124) (또는 다른 표면) 으로부터 다른 전기적인 컴포넌트들에 연결되기 위해 연장할 수 있다. 도시된 예시들에서, 전극 스터드들 (140) 은 스템 (130) 의 열린 중심부 내에서 뒷부분 표면 (124) 으로부터 연장된다. 이들 예시들에서, 웨이퍼 지지부 (120) 의 외부로 연장하는 각각의 전극 스터드 (140) 의 일부는 연결 (예를 들어, 스레드된) 부분을 포함하고, 예를 들어, M5 스레드를 가질 수 있다.
전극 스터드들 (140) 은 전기적인 전도 및/또는 열적 팽창 제한들에 적합한 임의의 물질 (예를 들어, 텅스텐) 일 수 있다. 몇몇 경우들에서, 전극 스터드들 (140) 은 전극 스터드들 (140), 웨이퍼 지지부 (120), 및 전극 스터드들 (140) 이 연결된 웨이퍼 지지부 (120) 내의 컴포넌트들, 예를 들어, 히터 엘리먼트(들) (126) 와 RF 안테나들 (128(a) 및 128(b)) 사이의 인터페이스에서 열적 스트레스들을 줄이기 위해 웨이퍼 지지부 (120) 의 물질 (예를 들어, 알루미늄 나이트라이드) 의 열적 팽창의 계수 (cte) 와 대략적으로 매칭하는 텅스텐으로 구성된다. 비록 전극 스터드들 (140) 이 다른 길이들과 지름들로 구성될 수 있더라도, 도시된 예시들의 전극 스터드들 (140) 은 균일한 길이와 지름을 갖는다.
도 2a 및 2b 및 다른 도시된 실시예들에서, 웨이퍼 지지부 (120) 는 제1 전극 스터드 (140(a)), 제2 전극 스터드 (140(b)), 제3 전극 스터드 (140(c)), 및 제4 전극 스터드 (140(d)) 를 포함하는 4개의 전극 스터드들 (140) 을 갖는다. 이들 4개의 전극 스터드들 (140) 은 웨이퍼 지지부 (120) 의 뒷부분 표면 (124) 로부터 스템 (130) 의 개방된 중심부 내로 연장된다. 제1 및 제2 전극 스터드들 (140(a) 및 140(b)) 은 각각 히터 엘리먼트 (126) 의 두 끝부분들과 전기적인 연결 상태에 있다. 제3 및 제4 전극 스터드들 (140(c) 및 140(d)) 은 각각 제1 및 제2 RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 와 전기적인 연결 상태에 있다. 비록 4개의 전극 스터드들 (140) 이 도시된 실시예들에 도시되었지만, 다른 경우들에 토대 (100) 내의 대응하는 디바이스들에 연결되기에 적합한 다른 수가 사용될 수 있다. 예를 들어, 히터 엘리먼트 (126) 를 포함하지 않는 토대 (100) 에서, 제1 전극 스터드 (140(a)) 및 제2 전극 스터드 (140(b)) 는 생략될 수 있다.
토대 어셈블리 (10) 는 도 2b와 다른 도시된 예시들에 도시된 바와 같이 웨이퍼 지지부 (120) 에 삽입된 온도 감지 끝부분을 갖는 열전쌍 (410) 을 포함하는 (도 1a 및 1b에 도시된 바와 같은) 열전쌍 커넥터 어셈블리 (400) 를 또한 포함할 수 있다. 끝부분은 지지부 표면 (122) 에 또는 그 근처에 위치된다. 몇몇 구현들에서, 그러한 센서는 존재하지 않을 수 있거나, 그러한 기능은 다른 기술, 예를 들어 서미스터 또는 다른 온도 감지 디바이스들을 사용하여 제공될 수 있다. 케이블 또는 다른 전기적 커넥터는, 열전쌍 또는 다른 온도 감지 디바이스를 제어기 또는 다른 전기적 디바이스들과 연결할 수 있고, 그들은 몇몇 경우들에서 토대 어댑터 (150) 외부에 위치될 수 있다. 도 1a 및 1b에서, 9-핀 커넥터 끝부분을 갖는 전기적 커넥터는 열전쌍 (410) 에 연결된다. 전기적 커넥터는 프로세서 (예를 들어, 제어기), 또는 열전쌍 또는 다른 온도 감지 디바이스로부터 온도 데이터를 갖는 하나 이상의 전기적 신호들을 통신하기 위한 다른 커넥터에 연결될 수 있다.
토대 (100) 는 또한 어댑터 플렌지 (152) 를 갖는 토대 어댑터 (150) 를 포함할 수 있다. 토대 어댑터 (150) 는 스템 (130) 의 형상에 적응하기에 적합한 임의의 형상일 수 있다. 도 2a 및 2b 및 다른 예시들에서, 토대 어댑터 (150) 는 일반적으로 축방향으로 또는 방사상으로 대칭적인 형상, 예를 들어 (도 1a 및 1b에 도시된), 세로로 홈이 새겨진 리세스들의 방사상 어레이를 갖는 실질적으로 원통형인 튜브이다. 스템 밀봉 (134) 는 어댑터 플랜지 (152) 와 토대 스템 플랜지 (132) 사이에 위치될 수 있다. 어댑터 밀봉 (154) (예를 들어, 오링 밀봉 또는 다른 적합한 밀봉) 는 토대 어댑터 (150) 에 위치될 수 있다. 토대 스템 (130) 및 토대 어댑터 (150) 는 적어도 스템 밀봉 (134) 와 어댑터 밀봉 (154) 에서 밀봉되는 내부 공간을 형성한다. 일반적으로, 밀봉들은 진공 또는 낮은 압력 환경이 외부 상에서 유지될 수 있는 양의 압력에서 내부를 유지한다. 일 실시예에서, 가스는 토대 스템 (130) 와 토대 어댑터 (150) 의 내부 공간 내로 펌핑될 수 있으며, 예를 들어, 불활성/정화 (purge) 가스는 양의 압력을 제공하고, 프로세스 가스들이 잠재적으로 내부 공간 내로 새는 것과 컴포넌트들을 갖는 간섭하는 것을 방지하기 위해 내부 공간 내로 펌핑될 수 있다. 비록 두 밀봉들 (134, 154) 이 도시되지만, 임의의 수의 밀봉들이 사용될 수 있다.
- 고온 전극 연결 어셈블리
개시된 실시예들에서, 토대 어셈블리 (10) 는 하나 이상의 전극 막대들 (210) 을 갖는 고온 전극 연결 어셈블리 (200) (또한 전극 어셈블리 (200) 로 불려짐) 를 포함한다. 도 2a 및 2b 및 다른 도시된 예시들에서, 고온 전극 어셈블리 (200) 는 4개의 전극 막대들 (210) 을 포함한다. 전극 막대들 (210) 은 많은 예시들에서 단일-조각 구조들로서 도시되지만, 또한 분리된 조각들로 제조될 수 있고, 그 후 서로 어셈블리되거나 부착될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 전극 막대들 (140) 은 토대 스템 (130) 아래에 짧은 거리 (예를 들어, 1 인치) 로 연장하고, 따라서 유지보수 및 핸들링 동안에 의류, 사람 또는 다른 아이템들에 걸려 파손되는 것에 더 적은 경향이 있는 전극 막대들 (140) 을 만들고, 예를 들어, 전극 막대들이 토대로부터 훨씬 더 큰 정도, 예를 들어, 약 9인치까지 연장한 설계와 비교하여, 전극 막대들 (140) 에 가해진 잠재적인 벤딩 로드들을 감소시킨다.
각 전극 스터드 (140) 는 대응하는 전극 막대 (210) 를 가질 수 있다. 몇몇 구현들에서, 전극 스터드들 (140) 보다 적은 전극 막대들 (210) 이 있을 수 있다. 각 전극 막대 (210) 는 하나 이상의 전극 스터드들 (140) 과 토대 (100) 외부의 전기적인 커넥터 또는 전력 단자 사이에 전기적인 연결을 제공한다. 각 전력 단자 또는 커넥터는, 전형적으로 토대 어댑터 (150) 내부 또는 외부에 있는 전력 공급원 또는 전기적인 연결부와 연결되도록 구성된다.
개시된 실시예들에서, 고온 전극 연결 어셈블리 (200) 는 전극 막대들 (210) 의 각각과 토대 어댑터 (150) 외부의 하나 이상의 전력 공급원 또는 전기적인 연결들 사이에 전기적인 연결을 제공하는 일련의 전기적인 커넥터들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2a 및 2b 의 고온 전극 연결 어셈블리 (200) 는 토대 어댑터 (150)의 내부 공간 내에 위치되고 전극 막대들 (210) 중 하나의 끝부분을 수용하도록 각각 구성된 하나 이상의 다중-접촉 소켓들 (240) (또는 다른 커넥터들) 을 포함한다. 도 3a는 몇몇 경우들에서 사용될 수 있는 예시적인 다중-접촉 소켓 (240) 의 개관도의 도면이다. 도 2a 및 2b에서, 각각의 다중-접촉 소켓 (240)은 각각의 전극 막대 (210) 와 예를 들어, 크림프 (crimp) 소켓 (250) 사이에 전기적인 연결을 제공한다. 크림프 소켓 (250) 은 도시된 바와 같이 다중-접촉 소켓 (240) 과 납 (260) 사이에 전기적 연결을 제공할 수 있다. 납 (260) 은 크림프 소켓 (250) 과 토대 어댑터 (150) 외부에 전형적으로 위치되는, 다른 전기적 커넥터들 또는 전력 공급원 사이에 전기적 연결을 제공할 수 있다.
도 2a 및 2b 및 다른 도시된 실시예들에서, 고온 전극 어셈블리 (200) 는 4개의 납들 (260) 을 포함한다. 납들 (260) 중 2개는 히터 엘리먼트 (126) 에 전기적으로 연결될 수 있는 전극 스터드들 (140(a) 및 140(b)) 에 전기적으로 연결될 수 있는 전극 막대들 (140) 에 전기적으로 연결된 히터 납들이다. 다른 두 개 납들 (260) 은, 각각 RF 안테나 (128(a) 및 128(b)) 에 전기적으로 연결될 수 있는, 전극 스터드들 (140(c) 및 140(d)) 에 전기적으로 연결될 수 있는 전극 막대들 (210) 에 전기적으로 연결된 전극들이다.
도 3b는 개시된 실시예들의 예시적인 단일-조각 전극 (210) 의 사시도의 선 도면이다. 전극 막대 (210) 는 스템 (211), 스템 (211) 의 일 끝부분의 컵 (212), 스템 (211) 의 반대편의 끝부분의 판 어댑터 부 (216), 판 어댑터 부 (216) 내에 구축된 숄더 (218), 컵 (212) 내의 스레딩된 부 (213) (도 4 참조), 판 어댑터 부 (216) 내의 주변 홈 (214), 비틈 피처 (215), 및 끝부분 커넥터 (219) 를 포함한다. 비록 많은 구현들에서, 전체 전극 막대 (210) 가 실질적으로 축방향으로 대칭적인 부분일지라도, 컵 (212) 은 전극 스터드들 (140) 에 부착하기 위한 임의의 적합한 형상일 수 있다. 몇몇 구현들에서, 전극 막대 (210) 는 컵 (212) 또는 전극 막대 (210) 의 다른 부분들 위에 위치된 하나 이상의 플랫들 또는 다른 비틈 피처들을 가질 수 있다. 도 3b에서, 전극 막대 (210) 는 컵 (213) 으로부터 스템 (211) 의 반대편 끝부분에 위치된 비틈 피처 (215) 를 갖는다. 이 도시된 예시에서, 비틈 피처 (215) 는 전극 스터드들 (140) 에 전극 막대 (210) 를 조이거나 느슨하게 하기 위해 플로팅 판 (300) 외부에 위치될 수 있다.
전극 막대 (210) 의 물질 선택 및 특징들은 몇몇 경우들에서 토대 (100) 로부터의 열의 전달을 줄이기 위해 설계될 수 있다. 예를 들어, 전극 막대 (210) 의 스템 (211) 은 전극 스템 (211) 을 통하여 판 어댑터 부 (216) 에 그리고 토대 어댑터 (150) 내로의 열의 전달을 줄이기 위해, 도 3b에 도시된 바와 같이, 컵 (212) 과 비교하여 더 작은 단면적을 가질 수 있다. 일 경우에서, 스템 (211) 대 컵 (212) 의 외부 지름들의 비율은 약 2:1 내지 5:1 사이일 수 있다. 다른 경우에, 스템 (211) 에서 컵 (212) 의 단면적들의 비율은 약 2:1 내지 5:1 사이일 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 전극 막대들 (210) 은 팔라듐 (Pd) 도금을 갖는 316 SST로 구성된다. 다른 실시예들에서, 전극 막대들 (210) 은 로듐 (Rh) 도금을 갖는 316 SST로 구성된다. Pd 도금 또는 Rh 도금과 같은, 도금은 316 SST에 장기간 산화 저항을 제공할 수 있고, 높은 전기적 전도성을 제공한다. 316 SST는 낮은 열전도율 및 낮은 전기적 저항을 제공하고, Pd 도금 또는 Rh 도금과 화학적으로 호환성이 있다. 몇몇 구현들에서, 비록 이것은 좀더 비쌀 수 있더라도, 그러한 도금을 갖는 Ni 전극 막대들이 사용될 수 있다.
도 4는 실시예들에 따른, 4개의 전극 스터드들 (140(a), 140(b), 140(c), 및 140(d)) 에 연결된 4개의 전극 막대들 (210) 을 갖는 토대 어셈블리 (10) 의 일부의 단면도의 컴포넌트들의 단면도의 선 도면이다. 도 4에서 도시된 단면은 토대 (100) 의 중심선 축을 통한 제1 평면에 있다.
도 4에 도시된 것과 같은 실시예들에서, 하나 이상의 벨레빌 워셔들 (220) 은 전극 막대들 (212) 의 컵들 (212) 과 전극 스터드들 (140) 위의 숄더들 사이에 위치될 수 있다. 벨레빌 워셔들 (220) 은 몇몇 경우들에서 팔라듐 도금된 인코넬 718 또는 로듐 도금된 인코넬 718 로부터 만들어 질 수 있다. 예시적인 설치 동안에, 전극 막대들 (210) 은 벨레빌 워셔들이 바닥을 이룰 때까지, 즉 실질적으로 납작해질 때까지, 벨레빌 워셔들을 압축하면서, 전극 스터드들 (140) 위에 스레딩될 수 있다. 그 후, 전극 막대들 (210) 은 벨레빌 워셔들 (220) 위의 로드 중 몇몇을 배출하기 위해 미리 정의된 수의 정도들 (예를 들어, 5도, 10도, 15도, 등등) 만큼 물러나질 수 있다 (back off). 일 구현에서, 전극 막대들 (210) 은 벨레빌 워셔들 (220) 로부터 전부가 아니라 몇몇 부하를 배출하기 위해 5도 내지 15도 사이만큼 회전될 수 있다. 이 설치는, 벨레빌 워셔들 (220) 내에 유도된 사전-로드 때문에, 열적 팽창으로부터의 몇몇 플레이 (play) 가 워셔 (220) 에 의해 취해지는 것을 여전히 허용하면서 벨레빌 워셔 (220) 가 전기적 연결을 위해 신뢰할 만한 물리적 접촉을 제공할 것을 허용할 수 있다.
토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 피처들의 물질적인 선택과 설계는 토대 (100) 외부의 컴포넌트들로의 열의 전달을 줄이기 위해 토대 (100) 로부터 멀리 열전도율을 단계적으로 내릴 수 있다. 예를 들어, 스템 (130) 는 낮은 온도들 (예를 들어, 200도씨와 300도씨 사이) 에서만 적절하게 기능할 수 있는 스템 밀봉 (134) 으로의 열의 전달을 줄이기 위하여 웨이퍼 지지부 (120) 의 물질보다 낮은 열전도율을 갖는 물질로 구성될 수 있다. 일 경우에서, 스템 (130) 와 웨이퍼 지지부 (120) 는 웨이퍼 지지부 (120) 에서의 550도씨로부터 스템 밀봉 (134) 에서의 200-300도씨 범위 내의 온도까지 온도를 줄이는 물질 조합 (예를 들어, 알루미늄 나이트라이드의 다른 조성들) 으로 구성될 수 있다. 다른 예시로서, 전극 막대 (210) 의 스템 (211) 는 판 어댑터 부 (216) 로의 전극 스템 (211) 를 통한 열의 전달을 줄이기 위해 컵 (212) 과 비교하여 더 작은 단면적을 가질 수 있다. 일 경우에, 스템 (211) 대 컵 (212) 의 단면적들의 비율은 약 2:1 내지 5:1 사이일 수 있다. 전극 막대 물질의 설계와 물리적 구성은 몇몇 경우들에서 150도이하로 전극 막대 (210) 의 끝부분의 전기적 소켓에서의 온도를 줄일 수 있다.
- 플로팅 판 어셈블리
고온 전극 연결 어셈블리 (200) 는 또한 개시된 실시예들에서 플로팅 판 어셈블리를 포함할 수 있다. 플로팅 판 어셈블리는 도 2a 및 2b 및 다른 도시된 예시들에 도시된, 플로팅 판 (300), 하나 이상의 회전-방지 리테이너 링들 (310), 및 하나 이상의 회전-방지 포스트들 (320) 을 포함한다.
플로팅 판 (300) 은 대응하는 전극 막대들 (210) 을 수용하기 위한 하나 이상의 어퍼처들 및 전극 막대들 (210) 의 측면 움직임에 저항하는 토대 스템 (130) 의 내부에 접촉하는 외부 부분을 갖는 원형의 판 구조일 수 있다. 플로팅 판 (300) 은 또한 스템 (150) 와 비교하여 플로팅 판 (300) 의 회전에 저항하기 위한 토대 (100) 의 스템 (150) 의 내부 위의 반대편 플랫에 접촉할 수 있는 판의 외부 위에 회전-방지 피처 (예를 들어, 플랫) 을 포함할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 플로팅 판 (300) 은 또한 열전쌍 (410), 다른 전기적 커넥터들 (예를 들어, 케이블링), 및 다른 디바이스들을 수용하기 위한 하나 이상의 추가적인 어퍼처들을 가질 수 있다. 플로팅 판 (300) 내의 어퍼처들은 판 어댑터 부 (216) 가 작은 양의 틈으로 관통하게 하지만, 숄더 (218) 가 관통하는 것을 방지하게 하기 위해 사이징될 수 있다. 회전-방지 리테이너 링들 (310) 의 각각은 스냅 (snap) 되거나 그렇지 않으면 판 어댑터 부 (216) 내의 주변 홈 (214) 내에 배치될 수 있어서, 리테이너 링들 (310) 이 전극 막대들 (210) 의 숄더들 (218) 의 맞은편의 플로팅 판의 측면 위에 "숄더들"과 정반대로 작동하게 한다. 따라서, 플로팅 판 (300) 은 전극 막대들 (210) 의 중심선 축들을 따른 추가적인 움직임이 숄더들 (218) 에서 억제 (hold) 되거나 그렇지 않으면 토대 스템 (130) 내의 전극 막대들 (210) 에 의해 지지될 수 있다. 플로팅 판 (300) 은 플로팅 판 (300) 이 토대 스템 (130) 과 비교하여 전극 막대들 (210) 의 중심선 축들을 따라 양 방향으로 이동하게 하기 위해 토대 스템 (130) 의 내부 지름보다 조금 더 작은 지름이 되도록 사이징될 수 있다. 이 상대적인 이동은 전극 막대들 (210) 의 열적 팽창 또는 수축을 허용할 수 있다. 토대 스템 (130) 는 대응하여, 플로팅 판 (300) 의 그러한 자유로운 축방향의 움직임을 허용하도록 구성될 수 있다. 플로팅 판 (300) 은 세라믹일 수 있거나, 높은 온도를 견딜 수 있는 다른 열적으로 절연하는 물질 및/또는 전기적으로 절연하는 물질일 수 있다.
각 회전-방지 리테이너 링 (310) 은 종래의 외부 스냅 링, 또는 전극 막대들 (210) 의 판 어댑터 부 (216) 주위에 클램핑시키고 마찰이 있게 판 어댑터 부 (216) 와 맞물리도록 구성된 다른 유사한 디바이스일 수 있다. 위에 언급한 바와 같이, 각각의 판 어댑터 부 (216) 는 회전-방지 리테이너 링 (310) 을 수용하도록 사이징된 주변 홈 (214) 을 가질 수 있다. 클림팽 힘은, 회전-방지 리테이너 링들 (310) 이 판 어댑터 부들 (216) 위의 홈 (214) 내에 배치되는 때 생기는 회전-방지 리테이너 링들 (310) 의 탄성 변형에 의해 제공될 수 있다. 회전-방지 리테이너 링들 (310) 은, 예를 들어, 스냅 링의 귀 (ear) 들처럼, 리테이너 링들 (310) 의 공칭의 외부 지름으로부터 밖으로 돌출한 하나 이상의 회전-방지 피처들을 가질 수 있다. 회전-방지 피처들은 플로팅 판 (300) 에 관하여 클램핑된 회전-방지 포스트들 (320) 을 맞물릴 수 있다.
각각의 회전-방지 포스트 (320) 는 회전-방지 리테이너 링 (310) 을 위해 회전의 정지를 제공하는 플로팅 판 (300) 에 부착되거나 통합된 구조일 수 있다. 회전-방지 리테이너 링 (310) 은 회전-방지 포스트에 의해 정지될 때 전극 막대 (210) 의 회전을 방지하거나 그 회전에 저항할 수 있다. 회전-방지 포스트 (320) 에 접촉할 때, 회전-방지 리테이너 링 (310) 은 전극 막대들 (210) 의 컵들 (212) 과 전극 스터드들 (140) 사이의 스레딩된 접합부들이, 시스템의 전기적 성능에 영향을 줄 수 있는, 물러나거나 느슨해지는 것을 방지할 수 있다. 이러한 설치는 접합부들을 조이기 위해 토대 (100) 의 주기적 유지보수 사이에서 장시간 동안 허용될 수 있다.
회전-방지 리테이너 링들 (310) 은 전극 막대들 (210) 이 설치되고 벨레빌 워셔들 (220) 이 사전 로딩된 후에, 설치 및/또는 조정될 수 있다. 예를 들어, 전극 막대들 (210) 이 원하는 설치 상태에 있은 후에, 예를 들어, 벨레빌 워셔들이 완전히 압축된 이후에, 리테이너 링들 (310) 은 클램핑 힘을 약간 없애거나 줄이기 위해 약간 개방될 수 있고, 그 후 그들이 회전-방지 포스트들 (320) 에 매우 가깝거나 그것과 접촉할 때까지 전극 막대 (210) 의 중심 축에 대하여 회전될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 플로팅 판 (300) 이 선별된 전극 막대들 (210) 사이의 차등의 축방향 열적 팽창을 수용하게 하기 위해 회전-방지 리테이너 링 (310) 과 전극 막대 (210) 의 숄더 (218) 사이에 미리 정의된 사이즈 (예를 들어, .040 인치) 의 설계된 틈이 있다.
도 5는 도 1a 와 1b의 토대 어셈블리 (10) 로부터 토대 (100) 와 고온 전극 연결 어셈블리 (200) 의 컴포넌트들의 분해도를 도시한다. 이 도면은 이들 컴포넌트들이 어떤 구현들에서 어떻게 어셈블리될 수 있는지를 보여준다. 예를 들어, 전극 막대들 (210) 은 토대 스템 (150) 의 중심부 내에서 전극 스터드들 (140) 에 부착될 수 있다. 벨레빌 워셔들 (220) 은 토대 (100) 내에 삽입된 전극 스터드들 (140) 위에 숄더들과 전극 막대들 (210) 의 컵들 사이에 위치된다. 플로팅 판 (300) 은 토대 스템 (150) 내로 미끄러질 수 있다. 이 실시예에서, 플로팅 판 (300) 은 5개의 어퍼처들을 갖는다. 이들 어퍼처들 중 4개는 4개의 전극 막대들 (210) 을 수용한다. 어퍼처들 중 하나는 (도 1a에 도시된) 열전쌍 (410) 에 대한 커넥터를 수용한다. 플로팅 판 (300) 은 전극 막대들 (210) 위에 플로팅 판 (300) 의 어퍼처들을 위치시키도록 토대 스템 (150) 으로 피트될 수 있다. 전극 막대들 (210) 은 워셔들 (220) 을 사전 로딩하고 납작하게 하기 위해 조여질 수 있다. 그 후, 회전-방지 리테이너 링들 (320) 은 주변 홈들 내의 전극 막대들 (210) 의 끝부분들 주위에 부착될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 그 후, 전극 막대들 (210) 은 워셔들 (220) 로부터 사전 로드를 배출하기 위해 느슨해질 수 있다. 회전-방지 리테이너 링들 (320) 은 전극 막대들 (210) 의 회전을 느슨하게 하는 것을 정지하기 위해 회전-방지 포스트들 (310) 에 접촉하여 배치된다.
도 6a는 도 1a 및 1b 및 다른 개시된 실시예들의 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 개관도를 도시한 도면이다. 이 도면은 고온 전극 연결 어셈블리의 다른 컴포넌트들과 플로팅 판 어셈블리의 세부사항들의 몇몇을 도시한다. 이 도면에서, 플로팅 판 (300), 4개의 회전-방지 리테이너 링들 (310), 및 4개의 회전-방지 포스트들 (320) 은 플로팅 판 어셈블리의 설치 후에 도시된다. 4개의 전극 막대들 (210) 의 끝부분들과 열전쌍 (410) 은 플로팅 판 (300) 을 통해서 돌출된 것으로 도시된다.
토대 (100) 를 넘어서 연장하는 전극 막대들 (210) 의 끝부분들은 전극 막대들 (210) 상의 회전-방지 리테이너 링들 (310) 에 의해 포획되는 플로팅 판 (300) 에 의해 측면으로 고정될 수 있다. 회전-방지 리테이너 링들 (310) 은 또한 플로팅 판 (300) 상의 회전-방지 포스트들 (320) 에 대항하여 견디고 회전을 방지하거나 저항하여, 전극 막대들 (210) 이 나사로 조여지지 않을 수 있다. 도 3a에 도시된 다중-접촉 소켓 (240) 과 같은, 소켓-타입 커넥터는 전극 막대들 (210) 의 돌출한 끝부분들 위로 미끄러지기 위해 사용될 수 있고, 세라믹 튜브들 내부에서 지지될 수 있다. 예를 들어, 이들 세라믹 튜브들은 리테이너에 의해 유지될 수 있다. 전극 막대 물질과 물리적 구성은 150도씨 이하로 전기적 소켓을 유지할 수 있다.
몇몇 실시예들의 플로팅 판 (300) 은 전극 막대 (210) 를 수용하는 각각의 어퍼처와 연관된 적어도 하나의 인덱스 마크를 포함한다. 인덱스 마크는 설치 동안에 전극 막대 (210) 의 회전 및/또는 벨레빌 워셔 (220) 상의 연관된 사전 로드를 식별하기 위해 각각의 회전-방지 리테이너 링 (310) 의 피처를 위치시키는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 이들 어퍼처들의 각각 주위의 제1 인덱스 마크는 회전-방지 리테이너 링들 (310) 의 제1 위치와 연관될 수 있다. 제1 위치는 전극 막대 (210) 가 연관된 벨레빌 워셔 (220) 에 사전 로드를 제공하기에 충분하게 조여질 때, 각각의 회전-방지 리테이너 링 (310) 의 위치일 수 있다. 예를 들어, 제1 위치는 전극 막대 (210) 가 벨레빌 워셔 (220) 를 실질적으로 납작하게 하도록 조여질 때, 회전-방지 리테이너 링 (310) 의 위치일 수 있다. 회전-방지 링 (310) 의 제2 위치는 회전-방지 포스트 (310) 에 매우 가깝거나 그것과 접촉할 수 있다. 구현들에서, 제1 인덱스 마크는 또한 전극 막대 (210) 를 회전시킴으로써 사전 로드로부터 벨레빌 워셔 (220) 의 부분적 배출과 연관될 수 있다. 예를 들어, 제1 인덱스 마크는 벨레빌 워셔 (220) 로부터 사전 로드를 부분적으로 배출하기 위해 전극 막대 (210) 를 회전시키는 미리 정의된 수의 정도 (예를 들어, 0도, 5도, 10도, 15도, 등등) 를 표시할 수 있다. 추가적인 인덱스 마크들은 다른 미리 정의된 수의 정도를 지정하기 위해 사용될 수 있다.
도 6b는 회전-방지 리테이너 링들 (310) 을 설치하기 전과 워셔들 (220)을 사전 로딩한 후에 도 6a에 도시된 컴포넌트들 중 몇몇의 말단 뷰를 도시한 도면이다. 도 6c는 회전-방지 리테이너 링들 (310) 의 설치 후의 도 6b에 도시된 컴포넌트들의 말단 뷰의 도면이다. 도 6d는 회전-방지 포스트들 (320) 에 접촉하고 워셔들 (220) 위에 사전 로드를 줄이기 위해 전극 막대들 (210) 을 회전시킨 후에 도 6b에 도시된 컴포넌트들의 말단 뷰의 도면이다. 도 6b, 6c 및 6d에서, 플로팅 판 (300) 은 전극 막대들 (210) 을 수용하는 어퍼처들 주위에 일련의 4개의 인덱스 마크들을 포함한다. 이들 4개의 인덱스 마크들은 회전-방지 포스트들 (310) 에 매우 가깝거나 그것과 접촉하는 제2 위치에 대해 전극 막대들 (210) 에 대한 회전-방지 리테이너 링들 (310) 의 회전의 0, 5, 10, 및 15도에 각각 대응하는 "0°", "5°", "10°", 및 "15°"에서 제1 위치를 표시한다. 이 실시예에서, 0°의 인덱스 마크는 각각의 회전-방지 리테이너 링 (310) 이 연관된 전극 막대 (210) 의 회전적으로 느슨하게 하는 것에 저항하기 위해 연관된 회전-방지 포스트 (320) 에 매우 가깝거나 그것과 접촉하는 위치를 표시한다. 다른 실시예들에서, 더 많거나 더 적은 인덱스 마크들이 사용될 수 있다. 게다가, 인덱스 마크들은 위치들을 표시하기 위한 다른 지정들 (예를 들어, "시작" 및 "끝", "시작" 및 "정지", "제1" "제2," "제3," "제4," 등등) 을 가질 수 있다. 몇몇 구현들에서, 회전-방지 포스트 (320) 에 대한 근접 또는 그것과의 접촉을 표시하는 인덱스 마크는, 명시적으로 마크되는 대신에, 회전-방지 포스트의 효과를 제한하는 것으로부터 추론될 수 있다.
설치 동안에, 인스톨러는 설치 동안에 인덱스 마크들 중 하나 이상을 이용하여 회전-방지 리테이너 링들 (310) 위에 피처를 줄 세울 수 있다. 예를 들어, 도 6b, 6c, 및 6d의 회전-방지 링 (310) 의 플랩들 사이의 슬롯은 설치 동안에 4개의 인덱스 마크들 중 하나를 이용하여 줄 세워질 수 있다. 도 6b에서, 전극 막대들 (210) 은 회전-방지 리테이너 링들 (310) 의 설치 전에 워셔들을 사전 로딩하도록 조여지고, 예를 들어, 워셔들이 바닥을 이룰 때까지 조여진다. 도 6c에서, 회전-방지 링들 (310) 은 제1 위치의 15°의 제1 인덱스 마크에 설치된다. 15°의 제1 인덱스 마크에 회전-방지 링들 (310) 을 설치한 후에, 전극 막대들 (210) 은 도 6d에 도시된 바와 같이, 워셔 상의 사전 로드를 느슨하게 하기 위해 그리고 전극 막대들 (210) 과 함께 회전하는 회전-방지 링들 (310) 이 회전-방지 포스트들 (210) 에 접촉하거나 그것에 매우 근접할 때까지 반시계 방향으로 회전될 수 있다.
일 구현에서, 인스톨러는 벨레빌 워셔들 (220) 을 사전 로딩하기 위해 전극 막대들 (210) 을 회전시킬 수 있다. 그 후, 회전-방지 리테이너 링 (310) 은 각각의 전극 막대 (210) 의 외부 위로 클램핑될 수 있어서, 각각의 회전-방지 리테이너 링 (310) 위의 피처가 0°, 5°,10°, 및 15°의 인덱스 마크들 중 하나로 줄 세운다. 그 후, 인스톨러는 클램핑된 회전-방지 리테이너 링 (310) 위의 피처가 회전-방지 포스트 (320) 와의 접촉을 표시할 수 있는 0°의 마크와 같은, 다른 인덱스 마크로 줄 세울 때까지 각각의 전극 막대 (210) 를 느슨하게 함으로써 사전 로드로부터 벨레빌 워셔들 (220) 을 배출할 수 있다. 이 예시에서, 0°, 5°,10°, 및 15°의 인덱스 마크들의 각각은 벨레빌 워셔들 (220) 위의 사전 로드로부터 배출의 미리 정의된 수의 정도를 표시한다. 예를 들어, 만약 15°의 인덱스 마크가 회전-방지 리테이너 링 (310) 의 시작 위치로서 사용되면, 0°인덱스 마크에서의 종결 위치는 사전 로드로부터 15°의 배출을 제공할 것이다.
본 발명의 실시예들은 이전의 시스템들을 보다 하나 이상의 장점을 제공할 수 있다. 예를 들어, 실시예들은 고온 세라믹 토대 위에서 더 신뢰할 수 있는 전기적 연결들을 RF 및 AC 히터 전력 연결들 (예를 들어, 전극 스터드들 (140)) 에 제공할 수 있는 고온 전극 연결들을 갖는 고온 전극 연결 어셈블리를 포함한다. 실시예들에서, 고온 전극 연결 어셈블리와 플로팅 판 어셈블리는 주기적인 유지보수 세정 절차들 동안에 쉽고 신뢰할 수 있는 어셈블리와 디스어셈블리를 위해 설계된다.
본 발명의 실시예들은 어셈블리 동안 및 주기적 유지보수 (PM) 절차들 동안에 발생할 수 있는, 전극 스터드/전극 막대 인터페이스에서 스트레스들을 완화시킬 수 있으며, 여기서, 토대 (100) 가 매우 긴 전극 막대들, 예를 들어, 약 9-12 인치들만큼 스템의 베이스로부터 돌출한 전극 막대들을 이용한 토대 설계들과 비교할 때, 화학적 세정을 위해 제거되고 전송될 필요가 있다. 실시예들의 토대 어셈블리 (10) 의 컴포넌트들의 구체적인 장점들은 : 1) 고온 성능, 기계적 강도, 기계 가공성, 비용 및 판금-능력을 여전히 유지하면서, 낮은 열전도율과 고온에서 좋은 전기적 전도성을 위한 전극 막대들 (210) 에 대한 SST 316 Rh의 물질적 선택, 2) 그것의 전기적 성질들, 박마 (galling) 저항, 고온 산화의 부족 (노빌리티 (nobility)) 을 위한 전극 막대들 (210) 에 대한 Pd 또는 Rh 도금의 선택, 3) 차등적인 열 팽창 및 제조 변화를 허용하기 위한 전극 막대들 (210) 의 플로팅 판 규제, 4) 전극 막대들 (210) 의 회전을 방지하기 위한 회전-방지 리테이너 링들 (예를 들어, 스냅 링들), 5) 신뢰할 수 있는 전기적/RF 연결을 제공하고 주변과 550도씨 온도 사이의 순환 동안 전극 막대 (210) 내지 전극 스터드 (140) 사이의 스레딩된 연결과 연관된 차등의 열 팽창 이슈들을 완화시키기 위한 벨레빌 워셔들 (220)의 사용과 연관될 수 있다. 실시예들의 다른 구체적 장점은 강도를 증가시키기 위한 M5 스레딩된 스터드들의 사용일 수 있다. 다른 구체적 장점은 전극 막대들이 더 짧아지고, 단지 토대의 베이스를 1-2인치 넘어서 돌출한 것일 수 있다.
비록 도시된 실시예들이 어떤 컴포넌트들을 포함하더라도, 더 적은, 추가적인 또는 다른 컴포넌트들은 실시예들의 토태 어셈블리 (10) 에 포함될 수 있다. 예를 들어, 비록 도면들의 토대 어셈블리 (10) 가 4개의 전극 막대들 (210) 을 포함하더라도, 다른 실시예들의 토대 어셈블리 (10) 는 1, 2, 3, 5, 6, 7, 또는 그 이상의 전극 막대들 (210) 을 포함할 수 있다.
설치 동작
개시된 실시예들의 전극 막대들 (210) 의 설치 동안에, 전극 막대들 (210) 은 전극 스터드들 (140) (예를 들어, M5 스레드) 의 스레드에 장착하고 토대 (100) 내의 전극 스터드들 (140) 과 전극 막대들 (210) 사이에 워셔 (220) 를 갖는다. 전극 막대들 (210) 은 워셔 (220) 를 압축하고 납작하게 하기 위해 토크 (torque) 되고, 그 후, 워셔 (220) 의 장력이 연결에 대한 장력을 제공하고 양호한 전기적 접촉을 만들게 하기 위해, 예를 들어, 미리 정의된 수의 정도들 (예를 들어, 5도, 10도, 또는 15도 등등) 만큼 물러나질 수 있다. 이 절차는 또한 물질들 (토대 스터드는 텅스텐이고 전극 막대는 SST 316이다) 의 차등적인 팽창이 주변과 550도씨 사이의 순환들과 같은 높은 열적 순환 동안에 전극 스터드들 (140) 을 깨는 것을 방지할 수 있는 연결들 내의 플레이의 작은 양을 허용한다.
일 예시적인 설치 동작 동안에, 인스톨러는 토대 (100) 내의 전극 스터드들 (140) 의 스레드에 전극 막대들 (210) 을 먼저 장착할 수 있다. 벨레빌 워셔 (220) 는 각각의 전극 막대 (210) 의 컵과 토대 (100) 사이에 위치된다. 그 후, 플로팅 판 (300) 내의 어퍼처들 내로 전극 막대들 (210) 을 위치하는 동안에 플로팅 판 (300) 은 토대 (100) 의 스템 (130) 내에 위치된다. 플로팅 판 (300) 은 전극 막대들 (210) 의 숄더들 (218) 에 접촉하도록 위치될 수 있다. 그 후, 전극 막대들 (210) 의 끝부분들은 플로팅 판 (300) 외부로 돌출할 것이다. 그 후, 인스톨러는 벨레빌 워셔들 (220) 을 사전 로딩하기 위해 전극 막대들 (210) 을 조일 수 있다. 벨레빌 워셔 (220) 는 몇몇 경우들에서 납작해지도록 사전 로딩될 수 있다. 그 후, 인스톨러는 주변 홈 (214) 에서 돌출한 전극 막대 (210) 주위에 각각의 회전-방지 리테이너 링 (310) 을 위치시키고 클램핑할 수 있다. 인스톨러는 플로팅 판 (300) 위의 제1 인덱스 마크에 회전-방지 리테이너 링 (310) 위의 피처 (예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같은 플랩들 사이의 슬롯) 를 정렬시키기 위해 각각의 회전-방지 리테이너 링 (310) 을 위치시킨다. 예를 들어, 인스톨러는 15°인덱스 마크로 피처를 줄 세울 수 있다. 그 후, 인스톨러는 피처가 회전-방지 포스트 (320) 의 접촉을 표시하는 제2 인덱스 마크로 줄 세울 때까지 각각의 전극 막대 (210) 를 느슨하게 함으로써 사전 로드로부터 벨레빌 워셔들 (220) 을 배출할 수 있다. 예를 들어, 인스톨러는 0°의 인덱스 마크로 피처를 줄 세울 수 있다. 이 구현에서, (도 6b에 도시된) 0°, 5°, 10°, 및 15°의 인덱스 마크들의 각각은 벨레빌 워셔들 (220) 상의 최대 사전 로드로부터 배출의 미리 정의된 수의 정도들을 표시할 수 있다. 예를 들어, 만약 제1 인덱스 마크가 15°의 인덱스 마크이고 제2 인덱스 마크가 0°의 인덱스 마크이면, 벨레빌 워셔 (220) 의 배출의 미리 정의된 수의 정도는 15°이다.
앞에 설명된 장치/프로세스는 예를 들어, 반도체 디바이스들, 디스플레이들, LED들, 광발전 패널들 등등의 제조 또는 제작을 위한 리소그래피 패터닝 도구들 또는 프로세스들과 함께 사용될 수 있다. 전형적으로, 비록 필요하지 않을지라도, 그러한 도구들/프로세스들은 일반적인 제조 설비에서 함께 사용되거나 수행될 것이다. 필름의 리소그래피 패터닝은 전형적으로 다음의 단계들 중 몇몇 또는 모두를 포함하며, 각각의 단계는 다수의 가능한 도구들을 이용하여 인에이블된다: (1) 스핀-온 또는 스프레이-온 도구를 사용하는 워크피스, 즉, 기판 위에 포토레지스트의 도포; (2) 열 판 또는 용광로 또는 UV 경화 도구를 사용한 포토레지스트의 경화; (3) 웨이퍼 스텝퍼와 같은 도구를 이용한 가시광선 또는 UV 또는 x-ray 광에 포토레지스트를 노출; (4) 젖은 벤치와 같은 도구를 이용하여 레지스트를 선택적으로 제거하고 그에 의해 레지스트를 패턴처리하기 위해 레지스트를 현상함; (5) 드라이 또는 플라즈마-보조된 에칭 도구를 사용함으로써 하부 필름 또는 워크피스 내로 레지스트 패턴을 전사시킴; 및 (6) RF 또는 마이크로파 플라즈마 레지스트 스트립퍼와 같은 도구를 이용한 레지스트를 제거.
본 발명의 다른 양태는 여기에서 설명된 방법들을 달성하도록 구성된 장치이다. 적합한 장치는 프로세스 동작들을 달성하기 위한 하드웨어와 본 발명에 따라서 프로세스 동작들을 제어하기 위한 명령들을 갖는 시스템 제어기를 포함한다. 시스템 제어기는 전형적으로 하나 이상의 메모리 디바이스들 및 명령들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서들을 포함할 것이어서, 장치는 본 발명에 따라 방법을 수행할 것이다. 본 발명에 따라 프로세스 동작들을 제어하기 위한 명령들을 포함하는 기계-판독가능 매체는 시스템 제어기에 커플링될 수 있다.
특정한 설명된 구현들 중 임의의 구현 내의 특징들이 명백하게 서로 양립할 수 없는 것으로서 식별되지 않거나 주변의 문맥이 그들이 상호 배타적이고 서로 보완적 및/또는 지지하는 의미에서 쉽사리 결합할 수 없다는 것을 암시하지 않으면, 본 개시의 전체는 그 보완적인 구현들의 구체적인 특징들이 하나 이상의 포괄적이지만, 약간 다른 기술적인 해결책들을 제공하기 위해 선택적으로 결합될 수 있다는 것을 고려 및 계획하는 것이 또한 이해될 것이다. 따라서, 상기 설명이 오직 예시로서 주어졌다는 것과 세부사항에서의 수정들이 본 발명의 범위 내에서 이루어질 수 있다는 것은 추가적으로 인식될 것이다.

Claims (22)

  1. 웨이퍼-프로세싱 토대 (pedestal) 를 위한 전극 연결 어셈블리에 있어서,
    외부 표면, 및 전극 막대를 수용하기 위한 어퍼처 (aperture) 를 갖는 플로팅 판 (floating plate) 으로서, 상기 플로팅 판은 상기 전극 막대의 측면 움직임에 저항하기 위해 웨이퍼-프로세싱 토대의 내부 표면에 접촉하도록 구성되는, 상기 플로팅 판;
    상기 전극 막대를 마찰있게 맞물리도록 (frictionally engage) 구성된 회전-방지 리테이너 (anti-rotation retainer) 링; 및
    상기 플로팅 판의 상기 외부 표면으로부터 연장하는 회전-방지 포스트로서, 상기 회전-방지 포스트는 상기 회전-방지 포스트 및 상기 회전-방지 리테이너 링이 함께 상기 플로팅 판에 관하여 상기 전극 막대의 회전을 제한하게 구성되도록, 상기 회전-방지 리테이너 링의 회전을 제한하도록 구성되는, 상기 회전-방지 포스트를 포함하는, 전극 연결 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼-프로세싱 토대에 삽입된 스터드와 상기 전극 막대의 컵 사이에 워셔 (washer) 를 포함하고, 상기 컵은 상기 스터드에 장착되도록 구성되는, 전극 연결 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스터드는 스레딩된 부를 포함하고 상기 컵은 보완적인 스레딩된 부를 포함하는, 전극 연결 어셈블리.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 컵과 상기 스터드 사이의 상기 워셔는 납작해지는, 전극 연결 어셈블리.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 플로팅 판은 상기 회전-방지 리테이너 링을 위치시키기 위한 적어도 하나의 인덱스 마크를 가지며,
    상기 적어도 하나의 인덱스 마크는,
    (i) 상기 웨이퍼-프로세싱 토대에 삽입된 스터드의 숄더와 상기 전극 막대 사이에 워셔 상의 사전 로드 (preload); 및/또는
    (ii) 상기 웨이퍼-프로세싱 토대에 삽입된 스터드의 숄더와 상기 전극 막대 사이에 워셔 상의 사전 로드로부터 상기 워셔의 미리 정의된 수의 정도들을 표시하는, 전극 연결 어셈블리.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 회전-방지 리테이너 링은 외부 스냅 (snap) 링인, 전극 연결 어셈블리.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 회전-방지 리테이너 링은 주변 홈에서 상기 전극 막대를 마찰있게 맞물리도록 구성되는, 전극 연결 어셈블리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 플로팅 판은 상기 전극 막대의 상기 판 어댑터 부의 숄더와 상기 회전-방지 리테이너 링 사이의 갭 (gap) 에 위치되는, 전극 연결 어셈블리.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 플로팅 판과 상기 웨이퍼-프로세싱 토대 사이의 갭을 포함하고,
    상기 갭은 상기 플로팅 판과 상기 웨이퍼-프로세싱 토대 사이의 상대적인 이동을 허용하도록 구성되는, 전극 연결 어셈블리.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 플로팅 판은 회전 이동에 저항하도록 상기 웨이퍼-프로세싱 토대의 내부 표면에 접촉하도록 구성되는, 전극 연결 어셈블리.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 플로팅 판은 상기 웨이퍼-프로세싱 토대의 내부 표면 상의 반대편 플랫과 접촉하도록 구성된 플랫을 포함하는, 전극 연결 어셈블리.
  12. 플로팅 판, 회전-방지 리테이너 링, 및 회전-방지 포스트를 포함하는 웨이퍼-프로세싱 토대에 장착되도록 구성된 전극 막대에 있어서,
    웨이퍼-프로세싱 토대에 삽입된 스터드에 장착하도록 구성된 컵;
    판 어댑터 부;
    상기 컵과 상기 판 어댑터 부 사이의 스템;
    상기 판 어댑터 부 내의 홈으로서, 상기 홈은 회전-방지 리테이너 링이 회전-방지 포스트와 접촉할 때 플로팅 판에 관하여 전극 막대의 회전을 제한하도록 상기 회전-방지 리테이너 링을 마찰있게 맞물리도록 구성되는, 상기 홈; 및
    상기 판 어댑터 부 내의 숄더를 포함하고, 상기 숄더는 상기 플로팅 판의 축방향 움직임을 제한하도록 구성되는, 전극 막대.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 플로팅 판과 상기 웨이퍼-프로세싱 토대의 내부 표면 사이의 접촉에 의해 제한된 측면 움직임을 갖도록 구성되는, 전극 막대.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 홈은 주변 홈을 포함하는, 전극 막대.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 전극 막대는 팔라듐 도금된 스테인리스 스틸로 이루어진, 전극 막대.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 판 어댑터 부는 상기 플로팅 판 외부로부터 상기 전극 막대의 회전을 위해 동작가능한 비틈 피처를 포함하는, 전극 막대.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 컵 대 상기 스템의 외부 지름들의 비율은 2:1 내지 5:1인, 전극 막대.
  18. 웨이퍼-프로세싱 토대에 대한 전극 연결 어셈블리에 전극 막대를 설치하는 방법에 있어서, 상기 전극 막대는 홈을 갖는 판 어댑터 부 및 컵을 포함하고,
    상기 방법은,
    웨이퍼-프로세싱 토대에 삽입된 스터드에 전극 막대의 컵을 장착하는 단계;
    플로팅 판의 어퍼처를 통해 상기 전극 막대를 위치시키는 단계;
    상기 컵과 상기 웨이퍼-프로세싱 토대 내의 상기 스터드의 숄더 사이에 워셔를 사전 로딩하기 위해 상기 전극 막대를 조이는 단계;
    상기 전극 막대의 상기 홈 내의 회전-방지 리테이너 링을 마찰있게 맞물리는 단계;
    미리 정의된 수의 정도들만큼 상기 전극 막대를 느슨하게 함으로써 상기 워셔 상의 사전 로드를 적어도 부분적으로 배출 (release) 하는 단계; 및
    상기 플로팅 판에 부착된 회전-방지 포스트와 접촉하게 또는 가깝게 상기 회전-방지 리테이너 링을 위치시키는 단계를 포함하는, 전극 연결 어셈블리에 전극 막대를 설치하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 홈은 상기 전극 막대 주위의 주변 홈인, 전극 연결 어셈블리에 전극 막대를 설치하는 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 전극 막대 주위에서 상기 주변 홈 내의 상기 회전-방지 리테이너 링을 마찰있게 맞물리는 단계는, 상기 플로팅 판 상의 마크로 상기 회전-방지 리테이너 링 상의 피처를 정렬하는 단계를 포함하는, 전극 연결 어셈블리에 전극 막대를 설치하는 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 워셔 상의 상기 사전 로드를 적어도 부분적으로 배출하는 단계는 상기 회전-방지 포스트와 접촉하게 또는 가깝게 상기 회전-방지 리테이너 링을 배치하도록 상기 전극 막대를 회전시키는 단계를 포함하는, 전극 연결 어셈블리에 전극 막대를 설치하는 방법.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 회전-방지 리테이너 링을 위치시키는 단계는, 상기 회전-방지 포스트 및 상기 회전-방지 리테이너 링이 함께 상기 플로팅 판에 관해 상기 전극 막대의 회전을 제한하게 구성되도록, 구성되는, 전극 연결 어셈블리에 전극 막대를 설치하는 방법.
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