KR102318063B1 - 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102318063B1
KR102318063B1 KR1020180108645A KR20180108645A KR102318063B1 KR 102318063 B1 KR102318063 B1 KR 102318063B1 KR 1020180108645 A KR1020180108645 A KR 1020180108645A KR 20180108645 A KR20180108645 A KR 20180108645A KR 102318063 B1 KR102318063 B1 KR 102318063B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
supply
imprint
mold
gas
Prior art date
Application number
KR1020180108645A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190034089A (ko
Inventor
젠이치 하마야
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20190034089A publication Critical patent/KR20190034089A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102318063B1 publication Critical patent/KR102318063B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

충전 촉진 가스의 사용량의 저감 및 기판 상에의 패턴의 전사 불량의 저감이라는 점에서 유리한 기술을 제공한다.
몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 제1 처리를 반복하여 행하는 임프린트 방법이며, 상기 제1 처리는, 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하는 토출 공정과, 상기 임프린트재가 배치된 상기 기판 상의 영역을 상기 몰드 아래에 배치하도록 상기 기판을 이동시키는 이동 공정과, 상기 이동 공정에서의 상기 기판의 이동 경로에, 상기 몰드의 패턴에의 상기 임프린트재의 충전을 촉진시키는 가스를 공급관을 통해 공급하는 공급 공정을 포함하고, 상기 제1 처리와는 상이한 제2 처리를 상기 제1 처리간에서 행하는 경우, 상기 제2 처리의 기간 내에 상기 공급관의 내부에서 감소된 상기 가스를 보상하는 보상 공정을, 다음에 행해지는 상기 제1 처리의 상기 공급 공정 전에 행한다.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
요철의 패턴이 형성된 몰드를 사용하여, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치가, 반도체 디바이스 등의 양산용 리소그래피 장치의 하나로서 주목받고 있다. 임프린트 장치에서는, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 박리함으로써, 기판 상의 임프린트재에 몰드의 패턴을 전사할 수 있다.
임프린트 장치에서는, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키는 접촉 공정에 있어서, 몰드의 패턴 오목부에 임프린트재가 충전되지 않고 몰드와 임프린트재 사이에 기포가 잔존하는 경우가 있다. 이 경우, 기포가 잔존한 부분에 있어서, 기판 상에의 패턴의 전사 불량(결손)이 발생할 수 있다. 그 때문에, 접촉 공정 시에, 몰드와 기판 사이의 공간을, 몰드의 패턴에의 임프린트재의 충전을 촉진시키기 위한 가스(이하, 충전 촉진 가스라 칭하는 경우가 있음)로 채우는 것이 바람직하다.
특허문헌 1에는, 임프린트재를 토출한 기판을 몰드 아래로 이동시킬 때의 이동 경로에 충전 촉진 가스를 공급하는 방법이 제안되어 있다. 이에 의해, 기판의 이동과 함께 충전 촉진 가스를 몰드 아래로 이동시켜, 몰드와 기판 사이의 공간에 충전 촉진 가스를 효율적으로 유입시킬 수 있다.
일본 특허 제5828626호 공보
충전 촉진 가스로서는, 예를 들어 헬륨 가스나 PFP(펜타플루오로프로판) 가스 등이 사용될 수 있지만, 그 가스들은 매우 고가이다. 따라서, 임프린트 장치에서는, 접촉 공정마다 필요한 충전 촉진 가스의 필요량을 미리 결정하고, 결정된 필요량만큼 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급하는 것이, 해당 가스의 사용량을 저감하는 데 있어서 바람직하다. 그러나, 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급하기 위한 공급관의 내부에서는, 충전 촉진 가스를 공급하고 있지 않은 시간의 경과에 따라 공기 등이 유입되어 충전 촉진 가스가 감소될 수 있다. 이 경우, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스가 이동 경로에 공급되지 않아, 기판 상에의 패턴의 전사 불량이 발생하기 쉬워질 수 있다.
따라서, 본 발명은 충전 촉진 가스의 사용량의 저감 및 기판 상에의 패턴의 전사 불량의 저감이라는 점에서 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면으로서의 임프린트 방법은, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 제1 처리를 반복하여 행하는 임프린트 방법이며, 상기 제1 처리는, 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하는 토출 공정과, 상기 임프린트재가 배치된 상기 기판 상의 영역을 상기 몰드 아래에 배치하도록 상기 기판을 이동시키는 이동 공정과, 상기 이동 공정에서의 상기 기판의 이동 경로에, 상기 몰드의 패턴에의 상기 임프린트재의 충전을 촉진시키는 가스를 공급관을 통해 공급하는 공급 공정을 포함하고, 상기 제1 처리와는 상이한 제2 처리를 상기 제1 처리간에서 행하는 경우, 상기 제2 처리의 기간 내에 상기 공급관의 내부에서 감소된 상기 가스를 보상하는 보상 공정을, 다음에 행해지는 상기 제1 처리의 상기 공급 공정 전에 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적 또는 그 밖의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.
본 발명에 따르면, 예를 들어 충전 촉진 가스의 사용량의 저감 및 기판 상에의 패턴의 전사 불량의 저감이라는 점에서 유리한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도.
도 3은 도 2의 흐름도에 있어서의 각 공정의 타이밍 차트의 예를 도시하는 도면.
도 4는 제2 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도.
도 5는 도 4의 흐름도에 있어서의 각 공정의 타이밍 차트의 예를 도시하는 도면.
도 6은 제3 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도.
도 7은 도 6의 흐름도에 있어서의 각 공정의 타이밍 차트의 예를 도시하는 도면.
도 8은 제4 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도.
도 9는 물품의 제조 방법을 도시하는 도면.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 내지 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 이하의 실시 형태에서는, 기판의 면과 평행한 면방향(기판의 면을 따른 방향)에 있어서 서로 직교하는 2개의 방향을 X 방향 및 Y 방향이라 하고, 기판의 면에 수직인 방향(기판에 입사하는 광의 광축을 따른 방향)을 Z 방향이라 한다.
<제1 실시 형태>
임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재와 형을 접촉시키고, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 예를 들어, 임프린트 장치는, 기판 상에 임프린트재를 공급하고, 요철의 패턴이 형성된 몰드(형)를 기판 상의 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재를 경화시킨다. 그리고, 몰드와 기판의 간격을 넓혀, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 박리(이형)함으로써, 기판 상의 임프린트재에 몰드의 패턴을 전사할 수 있다. 이와 같은 일련의 처리는 「임프린트 처리」라 불리고, 기판에 있어서의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 행해진다. 즉, 1매의 기판에 있어서의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 임프린트 처리를 행하는 경우에는, 해당 1매의 기판에 있어서의 샷 영역의 수만큼 임프린트 처리가 반복하여 행해지게 된다.
임프린트재에는, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭하는 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.
경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은, 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이 중, 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시재를 적어도 함유하고, 필요에 따라서 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.
임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막형으로 부여된다. 혹은, 액체 분사 헤드에 의해, 액적형, 혹은 복수의 액적이 연결되어 생긴 섬형 또는 막형으로 되어 기판 상에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.
[임프린트 장치의 구성]
다음에, 본 발명에 관한 제1 실시 형태의 임프린트 장치(10)에 대하여 설명한다. 도 1은 제1 실시 형태의 임프린트 장치(10)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(10)는, 예를 들어 몰드(1)를 보유 지지하는 몰드 스테이지(2)(몰드 보유 지지부)와, 기판(3)을 보유 지지하여 이동 가능한 기판 스테이지(4)(기판 보유 지지부)와, 경화부(5)와, 토출부(6)(디스펜서)와, 공급부(7)와, 제어부(8)를 포함할 수 있다. 제어부(8)는 예를 들어 CPU나 메모리 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성되며, 임프린트 장치(10)의 각 부를 제어하여 임프린트 처리를 제어한다.
몰드(1)는, 통상, 석영 등 자외선을 투과시키는 것이 가능한 재료로 제작되어 있고, 기판측의 면에 있어서 기판측으로 돌출된 일부의 영역(패턴 영역(1a))에는, 기판 상의 임프린트재(9)에 전사되어야 할 요철의 패턴이 형성되어 있다. 또한, 기판(3)으로서는, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라서, 그 표면에 기판과는 다른 재료를 포함하는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판(3)으로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다. 또한, 임프린트재의 부여 전에, 필요에 따라서, 임프린트재와 기판의 밀착성을 향상시키기 위해 밀착층을 형성해도 된다.
몰드 스테이지(2)는, 예를 들어 진공 흡착 등에 의해 몰드(1)를 보유 지지하는 몰드 척과, 몰드(1)와 기판(3)의 간격을 변경시키도록 몰드(1)를 Z 방향으로 구동하는 몰드 구동부를 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 몰드 스테이지(2)는 Z 방향으로 몰드(1)를 구동하도록 구성되어 있지만, 예를 들어 XY 방향 및 θ 방향(Z축 주위의 회전 방향)으로 몰드(1)를 구동하는 기능 등을 가져도 된다.
기판 스테이지(4)는, 예를 들어 진공 흡착 등에 의해 기판(3)을 보유 지지하는 기판 척과, XY 방향으로 기판(3)을 구동하는 기판 구동부를 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 기판 구동부는, 예를 들어 리니어 모터나 평면 모터 등에 의해 XY 방향으로 기판(3)을 구동하도록 구성되어 있지만, 예를 들어 Z 방향 및 θ 방향으로 기판(3)을 구동하는 기능 등을 가져도 된다.
경화부(5)(조사부)는 몰드(1)와 기판 상의 임프린트재(9)가 접촉하고 있는 상태에서, 기판 상의 임프린트재(9)에 몰드(1)를 통해 광(예를 들어 자외선)을 조사함으로써 당해 임프린트재(9)를 경화시킨다. 또한, 토출부(6)는 기판 스테이지(4)에 의해 하방에 배치된 기판(3)을 향하여 임프린트재를 토출한다(기판 상에 임프린트재를 공급(도포)한다).
[임프린트 방법]
이하에, 본 실시 형태의 임프린트 장치(10)에 의해 행해지는 임프린트 방법에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 2의 흐름도에 나타내는 각 공정은, 제어부(8)에 의해 제어되며, 상술한 「임프린트 처리(제1 처리)」는, S14 내지 S20의 공정을 포함할 수 있다.
S10에서는, 제어부(8)는 임프린트 처리와는 상이한 처리(제2 처리)를 행할지 여부를 판정한다. 본 실시 형태에서는, 제2 처리로서, 기판(3)의 교환 처리(기판 로트의 변경도 포함함)를 예시하여 설명하지만, 예를 들어 몰드(1)의 교환, 몰드(1)의 세정, 장치 메인터넌스 등도 포함될 수 있다. 제2 처리(기판(3)의 교환 처리)를 행한다고 판정한 경우에는 S11로 진행하고, 제2 처리를 행하지 않는다고 판정한 경우에는 S14로 진행한다.
S11 내지 S13에서는, 제어부(8)는 기판 스테이지(4)에 의해 보유 지지된 기판(3)의 교환 처리를 행한다. 구체적으로는, 제어부(8)는 S11에 있어서 기판 스테이지(4)로부터 기판(3)을 언로드(반출)하고, S12에 있어서 기판 로트를 변경(교환)하고, S13에 있어서 기판 스테이지(4)에 기판(3)을 로드(반입)한다. 여기서, 장치의 기동 시 등, 기판 스테이지(4) 상에 기판(3)이 없는 경우에는, S11 내지 S12의 공정은 행해지지 않고, S13의 기판의 로드만이 행해질 수 있다.
S14에서는, 제어부(8)는 기판(3)에 있어서의 복수의 샷 영역 중, 임프린트 처리를 행할 대상의 샷 영역(이하, 대상 샷 영역이라 칭함)이 토출부(6) 아래에 배치되도록, 기판 스테이지(4)에 의해 기판(3)을 이동시킨다. S15에서는, 제어부(8)는 대상 샷 영역 상에 임프린트재(9)를 토출하도록 토출부(6)를 제어한다(토출 공정). S16에서는, 제어부(8)는 토출부(6)에 의해 임프린트재(9)가 배치된 대상 샷 영역이 몰드(1)의 패턴 영역(1a)의 하방에 배치되도록, 기판 스테이지(4)에 의해 기판(3)을 이동시킨다(이동 공정). S17에서는, 제어부(8)는 몰드(1)와 기판(3)의 간격(Z 방향)을 좁혀 목표 간격으로 되도록 몰드 스테이지(2)를 제어하여, 몰드(1)와 대상 샷 영역 상의 임프린트재(9)의 접촉 면적을 넓혀 간다(접촉 공정). S18에서는, 제어부(8)는 몰드(1)와 기판(3)의 간격을 목표 간격으로 유지하면서 소정 시간 경과시켜, 몰드(1)의 패턴 오목부에 임프린트재(9)를 충전시킨다.
S19에서는, 제어부(8)는 몰드(1)와 대상 샷 영역 상의 임프린트재(9)를 접촉시킨 상태에서, 당해 임프린트재(9)에 광(자외선)을 조사하도록 경화부(5)를 제어하여, 대상 샷 영역 상의 임프린트재(9)를 경화시킨다. S20에서는, 제어부(8)는 몰드(1)와 기판(3)의 간격(Z 방향)을 넓히도록 몰드 스테이지(2)를 제어하여, 경화된 임프린트재(9)로부터 몰드(1)를 박리(이형)한다. S21에서는, 제어부(8)는 기판 스테이지(4)에 의해 보유 지지된 기판 상에, 다음에 임프린트 처리를 행해야 할 샷 영역(이하, 다음 샷 영역)이 있는지 여부의 판정을 행한다. 해당 기판 상에 다음 샷 영역이 있는 경우에는 S10으로 진행하고, 제어부(8)는 S10에 있어서 기판(3)의 교환 공정을 행하지 않는다고 판정하고 S14로 진행한다. 한편, 해당 기판 상에 다음 샷 영역이 없는 경우에는 S22로 진행한다. S22에서는, 제어부(8)는 다음에 임프린트 처리를 행해야 할 기판(이하, 다음 기판)이 있는지 여부의 판정을 행한다. 다음 기판이 있는 경우에는 S10으로 진행하고, 제어부(8)는 S10에 있어서 기판의 교환 공정을 행한다고 판정하고 S11로 진행한다. 한편, 다음 기판이 없는 경우에는 종료한다.
[충전 촉진 가스의 공급]
일반적으로, 임프린트 장치에서는, 몰드(1)의 패턴 오목부에 임프린트재(9)가 충전되지 않고 몰드(1)와 임프린트재(9) 사이에 기포가 잔존하면, 기포가 잔존한 부분에 있어서, 기판 상에의 패턴의 전사 불량(결손)이 발생할 수 있다. 그 때문에, 임프린트 장치에서는, 접촉 공정(S17) 시, 몰드(1)와 기판(3) 사이의 공간을, 몰드(1)의 패턴 오목부에의 임프린트재(9)의 충전을 촉진시키는 가스(이하, 충전 촉진 가스라 칭함)로 채워 두는 것이 바람직하다. 충전 촉진 가스로서는, 헬륨 가스 등 분자량이 작고 몰드에 대하여 높은 투과성을 갖는 가스나, PFP(펜타플루오로프로판) 가스 등 몰드와 기판 상의 임프린트재를 접촉시켰을 때 액화(즉 응축)되는 가스가 사용될 수 있다.
본 실시 형태의 임프린트 장치(10)에는, 토출부(6)에 의해 임프린트재(9)가 배치된 대상 샷 영역이 몰드(1)의 하방에 배치되도록 기판(3)을 이동시키는 이동 경로에, 충전 촉진 가스를 공급관(7a)을 통해 공급하는 공급부(7)가 설치되어 있다. 공급부(7)는 예를 들어 몰드 스테이지(2)와 토출부(6) 사이에 배치된 분출부(7b)의 개구(분출구(7c))에 공급관(7a)을 통해 연통되어 있고, 공급관(7a)을 통해 분출구(7c)로부터 충전 촉진 가스(7d)를 분출함으로써 충전 촉진 가스(7d)를 해당 이동 경로에 공급한다. 이와 같이 이동 경로에 공급된 충전 촉진 가스는, 그 점성에 기인하여 기판(3)의 이동과 함께 이동하기 때문에, 몰드(1)와 기판(3) 사이의 좁은 공간에 있어서도 충전 촉진 가스를 효율적으로 유입시킬 수 있다.
그런데, 이와 같은 충전 촉진 가스는 매우 고가이기 때문에, 임프린트 장치에서는, 기판(3)을 이동시키고 있는 동안, 충전 촉진 가스를 이동 경로에 상시 계속해서 공급하는 것이 아니라, 접촉 공정마다 필요한 필요량만큼 이동 경로에 공급하는 것이 바람직하다. 즉, 임프린트 장치에서는, 접촉 공정마다 필요한 충전 촉진 가스의 필요량(소정량)을 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 미리 결정하고, 결정된 필요량만큼, 소정의 타이밍에 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에서는, 도 2의 흐름도에 나타내는 바와 같이, 미리 결정된 필요량(소정량)의 충전 촉진 가스를 공급관(7a)을 통해 기판(3)의 이동 경로에 공급하는 공급 공정(S23)이, S16 및 S17의 공정 기간 내에 행해질 수 있다. 제어부(8)는 기판(3)의 이동 경로에 공급하는 충전 촉진 가스의 양을, 충전 촉진 가스의 공급 개시 타이밍과 공급 종료 타이밍에 의해 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(8)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 대상 샷 영역이 분출구(7c)에 다다른 타이밍에 이동 경로에의 충전 촉진 가스의 공급을 개시한다. 그리고, 대상 샷 영역이 몰드(1)의 패턴 영역(1a)의 하방에 배치되어 기판 스테이지(4)(기판(3))의 이동이 종료된 타이밍에 충전 촉진 가스의 공급을 종료한다. 도 3은 도 2의 흐름도에 있어서의 각 공정의 타이밍 차트의 예를 도시하는 도면이며, 도 2에 도시한 각 공정의 부호는 도 3에 도시한 부호에 대응하고 있다.
[충전 촉진 가스의 보상]
이와 같이 구성된 임프린트 장치(10)에서는, 기판(3)의 이동 경로에 충전 촉진 가스를 공급하고 있지 않은 시간의 경과에 따라, 공급관(7a)의 내부로부터 충전 촉진 가스가 빠져나와 공기 등의 분위기 가스가 공급관(7a)의 내부로 유입된다. 즉, 공급관(7a)의 내부 상태(충전 촉진 가스의 농도)가 변화될 수 있다. 예를 들어, 1매의 기판에 있어서의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 임프린트 처리를 행하고 있을 때는, 공급 공정(S23)이 비교적 짧은 시간 간격으로 반복하여 행해진다. 그 때문에, 이 경우에 있어서는, 공급관(7a)의 내부로부터의 충전 촉진 가스의 누출이 거의 발생하지 않아, 공급관(7a)의 내부 상태의 변화가 허용 범위 내로 되는 것으로 알려져 있다.
한편, 기판(3)의 교환 공정(기판 로트의 변경) 등의 제2 처리가 임프린트 처리간에 행해지는 경우, 전회의 공급 공정으로부터의 경과 시간이 길어지고, 그것에 수반하여, 공급관(7a)의 내부로부터 충전 촉진 가스가 빠져나와 분위기 가스가 유입되는 양이 증가된다. 그 결과, 공급관(7a)의 내부 상태의 변화가 허용 범위 내에 들지 않게 될 수 있다. 이 경우, 기판(3)의 교환 처리 후의 최초의 공급 공정(다음에 행해지는 공급 공정)에서는, 공급관(7a)에 유입된 분위기 가스가 분출구(7c)로부터 처음 분출되기 때문에, 이동 경로에 충전 촉진 가스를 공급하는 개시 타이밍이 지연된다. 즉, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급하는 것이 곤란해져, 기판 상에의 패턴의 전사 불량이 발생하기 쉬워질 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 제2 처리의 기간 내에 공급관(7a)의 내부에서 감소된 충전 촉진 가스를 보상하도록, 공급부(7)에 의해 공급관(7a)의 내부에 충전 촉진 가스를 공급하는 보상 공정(S24)을, 다음에 행해지는 공급 공정(S23) 전에 행한다. 이 보상 공정에 의해, 공급관(7a)에 유입된 분위기 가스가 충전 촉진 가스로 치환되어, 다음에 행해지는 공급 공정에 있어서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있다.
다음에, 보상 공정의 실시 타이밍에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(3)의 교환 처리(S11 내지 S13)의 기간 내에 보상 공정(S24)이 행해질 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시한 타이밍 차트에서는, 기판 스테이지(4) 상에 기판(3)을 로드하는 S13의 공정 기간 내에 보상 공정(S24)을 행하는 예를 나타내고 있다. 그러나, 그것에 한정되는 것은 아니고, 기판 스테이지(4) 상에서 기판(3)을 언로드하는 S11의 공정이나, 기판 로트의 변경을 행하는 S12의 공정의 기간 내에 보상 공정(S24)을 행해도 된다.
보상 공정(S24)에서는, 예를 들어 공급관(7a)의 내부 체적에 대응하는 양만큼 공급관(7a)에 충전 촉진 가스를 공급해도 된다. 또한, 충전 촉진 가스를 검지하는 센서를 공급관(7a)의 단부(분출구(7c))에 마련하고, 해당 센서에 의해 충전 촉진 가스가 검지될 때까지 공급관(7a)에 충전 촉진 가스를 공급해도 된다. 어느 방법이든, 보상 공정에서는, 공급 공정(S23)에서 사용되는 충전 촉진 가스의 양보다 적은 양의 충전 촉진 가스가 사용된다. 여기서, 공급관(7a)의 내부 체적에 대응하는 양만큼 공급관(7a)에 충전 촉진 가스를 공급하는 경우, 제어부(8)는 공급부(7)로부터 공급관(7a)에 충전 촉진 가스를 공급하는 시간 Tp에 의해, 충전 촉진 가스의 공급량을 제어할 수 있다. 시간 Tp[sec]는, 공급부(7)로부터 공급관(7a)에 공급되는 충전 촉진 가스의 유량 Q[㎥/sec]와, 공급관(7a)의 길이 L[m]과, 공급관(7a)의 단면적 A[㎡]로부터, Tp=L×A/Q에 의해 구할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태의 임프린트 장치(10)에서는, 제2 처리(기판(3)의 교환 처리 중)의 기간 내에 공급관(7a)의 내부에서 감소된 충전 촉진 가스를 보상하는 보상 공정(S24)을, 해당 제2 처리의 기간 내에 행한다. 이에 의해, 공급 공정(S23)에 있어서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있어, 기판 상에의 패턴의 전사 불량(결손)을 저감할 수 있다. 또한, 제2 처리의 기간 내에 보상 공정을 행함으로써, 스루풋에의 영향을 저감할 수 있다.
<제2 실시 형태>
본 발명에 관한 제2 실시 형태의 임프린트 장치에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 제2 처리(예를 들어, 기판의 교환 처리)의 기간 내에 보상 공정(S24)을 행하는 예에 대하여 설명하였다. 제2 실시 형태에서는, 기판 상에 임프린트재를 토출하는 토출 공정의 기간 내에 보상 공정을 행하는 예에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다. 여기서, 제2 실시 형태의 임프린트 장치의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(10)와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
도 4는 제2 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 5는 도 4의 흐름도에 있어서의 각 공정의 타이밍 차트의 예를 도시하는 도면이며, 도 4에 도시한 각 공정의 부호는 도 5에 도시한 부호에 대응하고 있다. 도 4에 도시한 흐름도에 있어서, 도 2에 도시한 흐름도의 공정과 마찬가지의 공정에 대해서는 동일한 부호로 나타내었다. 또한, 도 4에 도시한 흐름도에서는, 도 2에 도시한 흐름도에 대해, S10에 있어서 제2 처리를 행한다고 판정된 후의 공정이 상이하고, 제2 처리를 행하지 않는다고 판정된 후의 공정(S14 내지 S23)은 마찬가지이다. 이하에서는, 도 2에 도시한 흐름도와 상이한 공정에 대하여 설명한다.
S11 내지 S13에서는, 제어부(8)는 도 2의 흐름도와 마찬가지로, 기판(3)의 교환 처리를 행한다. S25에서는, 제어부(8)는 S14와 마찬가지로, 대상 샷 영역이 토출부(6) 아래에 배치되도록, 기판 스테이지(4)에 의해 기판(3)을 이동시킨다. S26에서는, 제어부(8)는 S15와 마찬가지로, 대상 샷 영역 상에 임프린트재(9)를 토출하도록 토출부(6)를 제어한다(토출 공정). 또한, 제2 실시 형태에서는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 공급관(7a)의 내부에서의 충전 촉진 가스의 감소를 보상하는 보상 공정(S24)이, S26의 공정(토출 공정)의 기간 내에 행해진다.
이와 같이, 제2 실시 형태의 임프린트 장치에서는, 기판 상에 임프린트재(9)를 토출하는 토출 공정의 기간 내에 보상 공정(S24)이 행해진다. 이에 의해, 기판(3)의 교환 처리가 예기치 않은 트러블에 의해 장기간 정지된 경우라도, 해당 교환 처리 후에 보상 공정을 행할 수 있어, 공급 공정(S23)에 있어서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있다.
<제3 실시 형태>
본 발명에 관한 제3 실시 형태의 임프린트 장치에 대하여 설명한다. 제3 실시 형태에서는, 공급 공정(S23)에 연속하도록 보상 공정(S24)을 행하는 예에 대하여, 도 6 및 도 7을 참조하면서 설명한다. 여기서, 제3 실시 형태의 임프린트 장치의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(10)와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
도 6은 제3 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 7은 도 6의 흐름도에 있어서의 각 공정의 타이밍 차트의 예를 도시하는 도면이며, 도 6에 도시한 각 공정의 부호는 도 7에 도시한 부호에 대응하고 있다. 도 6에 도시한 흐름도에 있어서, 도 2 및 도 4에 도시한 흐름도의 공정과 마찬가지의 공정에 대해서는 동일한 부호로 나타내고 있다. 또한, 도 6에 도시한 흐름도에서는, 도 2에 도시한 흐름도에 비해, S10에 있어서 제2 처리를 행한다고 판정된 후의 공정이 상이하고, 제2 처리를 행하지 않는다고 판정된 후의 공정(S14 내지 S23)은 마찬가지이다. 이하에서는, 도 2에 도시한 흐름도와 상이한 공정에 대하여 설명한다.
S11 내지 S13에서는, 제어부(8)는, 도 2의 흐름도와 마찬가지로, 기판(3)의 교환 처리를 행한다. S25에서는, 제어부(8)는 S14와 마찬가지로, 대상 샷 영역이 토출부(6) 아래에 배치되도록, 기판 스테이지(4)에 의해 기판(3)을 이동시킨다. S26에서는, 제어부(8)는 S15와 마찬가지로, 대상 샷 영역 상에 임프린트재(9)를 토출하도록 토출부(6)를 제어한다(토출 공정). S27에서는, 제어부(8)는 S16과 마찬가지로, 대상 샷 영역이 몰드(1)의 패턴 영역(1a)의 하방에 배치되도록, 기판 스테이지(4)에 의해 기판(3)을 이동시킨다. S28에서는, 제어부(8)는 S17과 마찬가지로, 몰드(1)와 기판 상의 임프린트재(9)를 접촉시킨다(접촉 공정).
제3 실시 형태에서는, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 미리 결정된 필요량(소정량)의 충전 촉진 가스를 공급관을 통해 기판의 이동 경로에 공급하는 공급 공정(S23)이 S27 및 S28의 공정의 기간 내에 행해진다. 공급 공정(S23)에 있어서의 충전 촉진 가스의 공급 개시 타이밍 및 공급 종료 타이밍은, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같다. 예를 들어, 대상 샷 영역이 분출구(7c)에 다다른 타이밍에 이동 경로에의 충전 촉진 가스의 공급을 개시하고, 대상 샷 영역이 몰드(1)의 패턴 영역(1a)의 하방에 배치되어 기판(3)의 이동이 종료된 타이밍에 충전 촉진 가스의 공급을 종료한다.
또한, 제3 실시 형태에서는, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 공급관(7a)의 내부에서의 충전 촉진 가스의 감소를 보상하는 보상 공정(S24)이, S26 내지 S28의 공정의 기간 내에 있어서, 공급 공정(S23)에 연속하도록 행해진다. 공급부(7)에서는, 일반적으로 매스 플로우 컨트롤러(MFC)가 마련되고, 그 MFC의 밸브를 개폐함으로써, 공급부(7)로부터의 충전 촉진 가스의 공급이 제어된다. 즉, 제3 실시 형태에서는, 보상 공정과 공급 공정에 있어서, MFC의 밸브의 개폐를 행하지 않고, 즉, 공급부(7)로부터 공급관(7a)에의 충전 촉진 가스의 공급을 멈추지 않고, 해당 공급을 연속하여 행한다.
이와 같이, 제3 실시 형태의 임프린트 장치에서는, 공급 공정(S23)에 연속되도록 보상 공정(S24)을 행한다. 이에 의해, 공급부(7)에 마련된 MFC의 밸브의 개폐를 줄여, 해당 MFC가 고장날 가능성을 저감시킬 수 있다. 또한, 제2 실시 형태와 마찬가지로, 기판(3)의 교환 처리가 예기치 않은 트러블에 의해 장기간 정지된 경우라도, 해당 교환 처리 후에 보상 공정을 행할 수 있어, 공급 공정에 있어서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있다.
<제4 실시 형태>
본 발명에 관한 제4 실시 형태의 임프린트 장치에 대하여 설명한다. 제1 내지 3 실시 형태에서는, 기판(3)의 교환 처리 등의 정기적인 처리(제2 처리)가 행해졌을 때 보상 공정을 행하는 예에 대하여 설명하였다. 제4 실시 형태에서는, 전회의 공급 공정으로부터의 경과 시간에 기초하여 보상 공정을 행하는 예에 대하여 설명한다. 제4 실시 형태에 관한 방법에서는, 예를 들어 임프린트 장치가 예기치 않게 정지되어도, 임프린트 장치의 재가동 후에 있어서의 최초의 공급 공정에서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있다. 여기서, 제4 실시 형태의 임프린트 장치의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(10)와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
이하에, 본 실시 형태에 관한 임프린트 방법에 대하여, 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 8은 본 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 8의 흐름도에 있어서의 S32 내지 S41의 각 공정은, 도 2의 흐름도에 있어서의 S14 내지 S23의 각 공정과 마찬가지이기 때문에, 그것들의 공정의 설명을 생략한다.
S30에서는, 제어부(8)는 전회의 공급 공정으로부터의 경과 시간(즉, 공급 공정을 마지막으로 행하고 나서의 경과 시간)이 역치 이상인지 여부를 판정한다. 역치 Td는, 공급관(7a)의 길이나 단면적 등 장치 구성에 의해 결정되며, 예를 들어 공급관(7a)의 길이가 1[m]인 경우, 2분 내지 60분 사이로 설정될 수 있다. 경과 시간이 역치 Td 이상인 경우에는 S31로 진행하고, 경과 시간이 역치 Td 미만인 경우에는 S31의 공정을 행하지 않고 S32로 진행한다.
S31에서는, 제어부(8)는 공급관(7a)의 내부에 있어서의 충전 촉진 가스의 감소를 보상하도록, 공급부(7)에 의해 공급관(7a)의 내부에 충전 촉진 가스를 공급한다(보상 공정). 이 보상 공정에 의해, 공급관(7a)의 내부에 유입된 분위기 가스를 충전 촉진 가스로 치환하여, 다음에 행해지는 공급 공정에 있어서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있다. 보상 공정에서는, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 공급관(7a)의 내부 체적에 대응하는 양만큼 공급관(7a)에 충전 촉진 가스를 공급해도 된다. 이 경우, 제어부(8)는 공급부(7)로부터 공급관(7a)에 충전 촉진 가스를 공급하는 시간 Tp에 의해, 충전 촉진 가스의 공급량을 제어할 수 있다. 또한, 보상 공정에서는, 전회의 공급 공정으로부터의 경과 시간에 기초하여, 공급부(7)로부터 공급관에 공급하는 충전 촉진 가스의 공급 시간(즉, 공급량)을 결정해도 된다. 예를 들어, 경과 시간이 60분인 경우에 있어서의 충전 촉진 가스의 공급 시간을 Ta[sec]로 결정하고, 경과 시간이 2분인 경우에 있어서의 충전 촉진 가스의 공급 시간을 Ta/4[sec]로 결정해도 된다. 이와 같은 공급 시간(공급량)은 경과 시간을 변수로 하는 식이나 테이블에 의해 산출되며, 해당 식이나 테이블은, 실험이나 확산 방정식 등을 사용한 시뮬레이션 등에 의해 결정될 수 있다.
이와 같이, 제4 실시 형태의 임프린트 장치는, 전회의 공급 공정으로부터의 경과 시간이 역치 이상인 경우에 보상 공정을 행한다. 이에 의해, 예를 들어 임프린트 장치가 예기치 않게 정지되어도, 임프린트 장치의 재가동 후에 있어서의 최초의 공급 공정에서, 미리 결정된 필요량의 충전 촉진 가스를 이동 경로에 공급할 수 있다. 여기서, 본 실시 형태에서는, 대상 샷 영역을 토출부(6) 아래에 배치하도록 기판을 이동시키는 S32의 공정 전에 보상 공정(S31)을 행하였지만, 보상 공정은, 다음 공급 공정 전에 행해지면 되고, 해당 공급 공정에 연속되도록 행해져도 된다.
<물품의 제조 방법 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 관한 물품의 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는 데 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 공급(도포)된 임프린트재에 상기 임프린트 장치(임프린트 방법)를 사용하여 패턴을 형성하는 공정과, 이러한 공정에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
임프린트 장치를 사용하여 성형한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은, 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.
경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
다음에, 물품의 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적상으로 된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 모습을 나타내고 있다.
도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 임프린트용 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향하게 하여, 대향시킨다. 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형(4z)을 투과하여 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 9의 (d)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있고, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.
도 9의 (e)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)으로 된다. 도 9의 (f)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거하였지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기 실시 형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리로도 실현 가능하다.
또한, 하나 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행 가능하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론이며, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
1 : 몰드
2 : 몰드 스테이지
3 : 기판
4 : 기판 스테이지
5 : 경화부
6 : 토출부
7 : 공급부
7a : 공급관
8 : 제어부
9 : 임프린트재
10 : 임프린트 장치

Claims (12)

  1. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 제1 처리를 반복하여 행하는 임프린트 방법이며,
    상기 제1 처리는,
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하는 토출 공정과,
    상기 임프린트재가 배치된 상기 기판 상의 영역을 상기 몰드 아래에 배치하도록 상기 기판을 이동시키는 이동 공정과,
    공급부에 의해, 상기 이동 공정에서의 상기 기판의 이동 경로에, 상기 몰드의 패턴에의 상기 임프린트재의 충전을 촉진시키는 가스를, 미리 결정된 소정량만큼 공급관을 통해 공급하는 공급 공정
    을 포함하고,
    상기 제1 처리와는 상이한 제2 처리를 상기 제1 처리간에서 행하는 경우, 상기 제2 처리 기간에는 상기 공급부가 상기 공급관 내부에 상기 가스를 공급하지 않고, 상기 제2 처리의 기간 내에 상기 공급관의 내부에서 감소된 상기 가스를 보상하도록 공급부에 의해 공급관의 내부에 가스를 공급하는 보상 공정을, 다음에 행해지는 상기 제1 처리의 상기 공급 공정 전에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 처리는, 기판의 교환, 로트의 교환, 몰드의 교환 및 몰드의 세정 중 적어도 하나의 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  3. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 처리를 반복하여 행하는 임프린트 방법이며,
    상기 처리는,
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하는 토출 공정과,
    상기 임프린트재가 배치된 상기 기판 상의 영역을 상기 몰드 아래에 배치하도록 상기 기판을 이동시키는 이동 공정과,
    공급부에 의해, 상기 이동 공정에서의 상기 기판의 이동 경로에, 상기 몰드의 패턴에의 상기 임프린트재의 충전을 촉진시키는 가스를, 미리 결정된 소정량만큼 공급관을 통해 공급하는 공급 공정을 포함하고,
    상기 공급 공정을 마지막으로 행하고 나서의 경과 시간이 역치 이상인 경우, 상기 경과 시간에 상기 공급관의 내부에서 감소된 상기 가스를 보상하도록 공급부에 의해 공급관의 내부에 가스를 공급하는 보상 공정을, 다음에 행해지는 상기 처리의 상기 공급 공정 전에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보상 공정에서는, 상기 공급관에 공급해야 할 상기 가스의 양을 상기 경과 시간에 기초하여 결정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상 공정에서는, 상기 공급관의 내부 체적에 대응하는 양만큼 상기 공급관에 상기 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상 공정을 상기 공급 공정에 연속되도록 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상 공정을, 상기 이동 공정에서 상기 기판의 이동을 개시하기 전에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상 공정을, 상기 이동 공정에서 상기 기판의 이동을 개시한 후에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보상 공정을, 상기 제2 처리의 기간 내에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 공정과,
    상기 형성 공정에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 가공 공정을 포함하고,
    상기 가공 공정에서 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
  11. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 제1 처리를 반복하여 행하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하는 토출부와,
    상기 토출부에 의해 상기 임프린트재가 배치된 상기 기판 상의 영역을 상기 몰드 아래에 배치할 때의 상기 기판의 이동 경로에, 상기 몰드의 패턴에의 상기 임프린트재의 충전을 촉진시키는 가스를 공급관을 통해 공급하는 공급부와,
    상기 제1 처리에 있어서, 미리 결정된 소정량의 상기 가스를 상기 이동 경로에 공급하는 공급 공정을 행하도록 상기 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 처리와는 상이한 제2 처리를 상기 제1 처리간에서 행하는 경우, 상기 제2 처리 기간에는 상기 공급부가 상기 공급관 내부에 상기 가스를 공급하지 않도록 하고, 상기 제2 처리의 기간 내에 상기 공급관의 내부에서 감소된 상기 가스를 보상하도록 공급부에 의해 공급관의 내부에 가스를 공급하는 보상 공정을, 다음에 행해지는 상기 제1 처리의 상기 공급 공정 전에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  12. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 처리를 반복하여 행하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하는 토출부와,
    상기 토출부에 의해 상기 임프린트재가 배치된 상기 기판 상의 영역을 상기 몰드 아래에 배치할 때의 상기 기판의 이동 경로에, 상기 몰드의 패턴에의 상기 임프린트재의 충전을 촉진시키는 가스를 공급관을 통해 공급하는 공급부와,
    상기 처리에 있어서, 미리 결정된 소정량의 상기 가스를 상기 이동 경로에 공급하는 공급 공정을 행하도록 상기 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는, 전회의 상기 공급 공정으로부터의 경과 시간이 역치 이상인 경우, 상기 경과 시간에 상기 공급관의 내부에서 감소된 상기 가스를 보상하도록 공급부에 의해 공급관의 내부에 가스를 공급하는 보상 공정을, 다음에 행해지는 상기 처리의 상기 공급 공정 전에 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
KR1020180108645A 2017-09-22 2018-09-12 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 KR102318063B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-182947 2017-09-22
JP2017182947A JP7041483B2 (ja) 2017-09-22 2017-09-22 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190034089A KR20190034089A (ko) 2019-04-01
KR102318063B1 true KR102318063B1 (ko) 2021-10-27

Family

ID=66104581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180108645A KR102318063B1 (ko) 2017-09-22 2018-09-12 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7041483B2 (ko)
KR (1) KR102318063B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103817A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology インプリント方法及び装置
JP2011152766A (ja) 2010-01-28 2011-08-11 Canon Inc モールド部品の製造装置
JP2012079969A (ja) 2010-10-04 2012-04-19 Canon Inc インプリント方法
JP2013070033A (ja) 2011-09-05 2013-04-18 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2013251329A (ja) 2012-05-30 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理板の冷却方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04180567A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置の材料ガス供給システム
JPH06145991A (ja) * 1992-11-06 1994-05-27 Canon Inc プラズマを用いるｃｖｄ処理方法およびｃｖｄ装置
US8142850B2 (en) * 2006-04-03 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times
JP6445772B2 (ja) * 2014-03-17 2018-12-26 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6530653B2 (ja) * 2014-07-25 2019-06-12 キヤノン株式会社 液体吐出装置、インプリント装置および物品製造方法
JP6702672B2 (ja) * 2015-09-03 2020-06-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法及び供給装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103817A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology インプリント方法及び装置
JP2011152766A (ja) 2010-01-28 2011-08-11 Canon Inc モールド部品の製造装置
JP2012079969A (ja) 2010-10-04 2012-04-19 Canon Inc インプリント方法
JP2013070033A (ja) 2011-09-05 2013-04-18 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2013251329A (ja) 2012-05-30 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理板の冷却方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190034089A (ko) 2019-04-01
JP7041483B2 (ja) 2022-03-24
JP2019061977A (ja) 2019-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020535628A (ja) インプリント方法および装置
KR102507668B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
US20190263031A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
KR102663458B1 (ko) 성형 장치, 성형 방법 및 물품의 제조 방법
KR102274347B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR102318063B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR20180097134A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조 방법
KR20210032907A (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102308377B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR102452936B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR20200064914A (ko) 성형 장치, 성형 방법, 및 물품의 제조 방법
JP6742189B2 (ja) インプリント装置、及び物品製造方法
JP7149872B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2019117844A (ja) モールド、レプリカモールド、インプリント装置、および物品製造方法
KR102357572B1 (ko) 평탄화 방법, 평탄화 시스템 및 물품 제조 방법
JP7105643B2 (ja) 成形装置および物品製造方法
JP2019046926A (ja) インプリント装置、インプリント方法、及び、物品の製造方法
JP2019016656A (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP2024077312A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法
JP2019161020A (ja) モールド、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2020004798A (ja) インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant