KR102304247B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판의 면내에서의 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그 둘레 방향을 따라 복수 설정됨과 더불어, 각각 독립적으로 온도 제어되는 복수의 가열 제어 영역을 구비한 열판(23)에 기판인 웨이퍼(W)를 배치하여 가열 처리함에 있어서, 검출 모듈(11)로써 웨이퍼(W)의 변형을 검출한다. 그리고, 이 검출 결과에 기초하여 검출 모듈(11)로써 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 방향을 조정하고 나서, 가열 모듈(12)로 반송하여, 소정의 가열 처리를 행한다. 따라서, 웨이퍼(W)가, 그 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이하게 변형되어도, 웨이퍼(W)에 있어서 변형량이 큰 영역이, 복수의 가열 제어 영역 사이의 경계에 배치되는 것이 억제된다. 이 때문에, 가열 제어 영역의 온도 제어가 웨이퍼 온도에 반영되기 쉽고, 웨이퍼면 내에서의 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기억 매체
본 발명은, 기판을 배치부에 배치하여 가열 처리하는 기술에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스에 있어서는, 기판 예컨대 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)에 도포막을 형성한 후에, 히터가 설치되어 있는 배치대에 웨이퍼를 올려놓고 가열 처리가 행해진다. 웨이퍼 면내에서 가열 처리의 균일성을 향상시키기 위해서는, 배치대에 배치되는 웨이퍼와 배치대 표면과의 거리를 맞추는 것이 바람직하다. 그런데, 메모리 셀의 다층화에 의해, 가열 처리 전의 웨이퍼가 특이한 형상으로 변형되는 예가 발생하고 있다. 특이한 형상이란, 웨이퍼가 동심원형으로 볼록형이나 오목형으로 변형되는 것이 아니라, 웨이퍼의 중심축과 직교하는 면의 높이가 둘레 방향에서 상이한 형상 예컨대 안장형(Saddle-shaped) 형상이다. 금후 더욱 적층화가 진행되어, 현행 이상으로 웨이퍼의 변형량(휨량)이 커지는 것이 예상된다. 이 때문에, 가열 처리시에 웨이퍼와 배치대 표면과의 거리가 똑같아지지 않아, 웨이퍼 온도의 면내 균일성이 악화될 염려가 있다.
가열 처리를 행하는 가열 모듈은, 웨이퍼의 피가열 영역을 복수로 분할하고, 각 분할 영역에 히터를 설치하여, 각 히터를 독립적으로 발열 제어하도록 구성되어 있다. 히터의 제어계의 파라미터의 조정 수법으로는, 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 배치대(열판)의 온도를 복수의 계측점에서 계측했을 때의 각 계측 온도가, 각 목표 온도에 일치하도록 제어하는 수법이 알려져 있다. 그러나, 웨이퍼와 배치대 표면과의 거리가 둘레 방향에서 상이한 경우에, 예컨대 배치대 표면과 웨이퍼와의 거리가 큰 부위가 복수의 분할 영역 사이의 경계에 배치되면, 히터를 제어하더라도, 히터의 열이 웨이퍼에 전열되기 어렵기 때문에, 웨이퍼 온도에 반영되기 어렵다. 따라서, 면내 균일성이 양호한 가열 처리를 행하기 위해서는, 한층 더 개선이 필요하다.
특허문헌 1 : 일본 특허 제4391518호
본 발명은 이러한 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판의 면내에서, 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
이 때문에, 본 발명의 기판 처리 장치는,
기판을 배치부에 배치하여 가열 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 배치부에 배치된 기판을 가열하기 위해 배치부의 둘레 방향을 따라 복수 설정되고, 각각 독립적으로 온도 제어되는 가열 제어 영역과,
기판의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이한 기판의 변형에 관한 정보에 기초하여, 상기 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열에 대한 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하는 조정부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 기판 처리 방법은,
기판의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이한 기판의 변형을 검출하는 공정과,
배치부에 배치된 기판을 가열하기 위해 배치부의 둘레 방향을 따라 복수 설정되고, 각각 독립적으로 온도 제어되는 가열 제어 영역을 이용하여, 상기 기판의 변형을 검출하는 공정에서 얻어진 검출 결과에 기초하여, 상기 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열에 대한 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하는 공정과,
상기 기판의 둘레 방향의 상대적 방향이 조정된 상태에서 기판을 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 기억 매체는,
기판을 배치부에 배치하여 가열 처리하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 본 발명의 기판 처리 방법을 실시하도록 단계군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 그 둘레 방향을 따라 복수 설정됨과 더불어, 각각 독립적으로 온도 제어되는 복수의 가열 제어 영역을 구비한 배치부에 기판을 배치하여 가열 처리함에 있어서, 기판의 변형의 검출 결과에 기초하여, 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열에 대한 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하고 있다. 따라서, 기판이, 그 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이하게 변형되어도, 기판에 있어서 변형량이 큰 영역이, 복수의 가열 제어 영역 사이의 경계에 배치되는 것이 억제된다. 이 때문에, 가열 제어 영역의 온도 제어가 기판 온도에 반영되기 쉬워, 기판 면내에서의 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있다.
도 1은 기판의 변형의 일례를 나타낸 사시도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 제1 실시형태를 나타낸 구성도이다.
도 3은 기판 처리 장치에 설치되는 가열 모듈을 나타낸 종단 측면도이다.
도 4는 가열 모듈에 설치되는 열판을 나타낸 평면도이다.
도 5는 기판 처리 장치에 설치되는 검출 모듈을 나타낸 종단 측면도이다.
도 6은 기판 처리 장치에 설치되는 제어부를 나타낸 구성도이다.
도 7은 제1 실시형태의 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 기판의 둘레 방향의 위치와 거리(변형량)와의 관계를 나타낸 특성도이다.
도 9는 본 발명의 작용을 설명하기 위한 개략 평면도이다.
도 10은 웨이퍼의 휨량(변형량)과 웨이퍼 온도와 보정 온도와의 관계를 나타낸 특성도이다.
도 11은 기판 처리 장치의 제2 실시형태의 열판을 나타낸 평면도이다.
도 12는 기판 처리 장치의 제2 실시형태의 열판을 나타낸 개략 평면도이다.
도 13은 제2 실시형태의 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 14는 기판 처리 장치를 적용한 도포, 현상 장치를 나타낸 개략 사시도이다.
도 15는 도포, 현상 장치를 나타낸 평면도이다.
(제1 실시형태)
본 발명의 기판 처리 장치의 제1 실시형태에 대해서, 도 1∼도 10을 참조하면서 설명한다. 본 발명의 기판 처리의 대상이 되는 웨이퍼(W)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이한 형상으로 변형된 것이다. 도 1의 (a)는 변형이 없는(휨이 없는) 웨이퍼(W)를 나타내고 있고, 예컨대 이 웨이퍼(W)의 표면을, 웨이퍼(W)의 중심축 C와 직교하는 수평면 A로 한다. 도 1의 (b)는 변형의 일례로서, 예컨대 수평면 A에 대한 높이가 낮은 영역과 높은 영역이 둘레 방향으로 교대로 늘어서도록, 말하자면 안장형 형상으로 변형된 상태를 나타내고 있다. 메모리 셀의 다적층화에 의해, 웨이퍼(W)가 가열 처리 전에 안장형 형상으로 변형되는 예가 증가하는 경향이 있다.
본 발명의 기판 처리 장치(1)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 배치부에 배치하여 가열 처리하는 가열 모듈(11)과, 검출 모듈(12)과, 검출 모듈(12)과 가열 모듈(11) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(13)와, 제어부(14)를 구비하고 있다. 이 예의 검출 모듈(12)은, 후술하는 조정부와, 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 변형을 검출하기 위한 검출부를 겸용하는 것이다. 또한 이 예에서는 검출부는, 기판의 변형에 관한 정보를 취득하는 변형 정보 취득부의 일 양태에 상당한다.
반송 기구(13)는, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면측을 유지하는 유지 부재(131)가 승강 가능, 진퇴 가능, 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
도 3은 가열 모듈(11)의 일례를 나타낸 종단 측면도이다. 가열 모듈(11)은 케이스(21)를 구비하고 있고, 도면 중 부호 22는 케이스(21)에 설치되는 웨이퍼(W)의 반송구이다. 도면 중 부호 23은 표면이 가열되는 수평한 열판으로서, 웨이퍼(W)의 배치부를 겸용하고 있다. 도면 중 부호 24는 열판(23)의 표면에 복수 설치되는 지지핀으로서, 웨이퍼(W)는 지지핀(24) 상에 배치되고, 열판(23)의 표면으로부터 약간 부유한 상태에서 가열된다.
도면 중 부호 25는, 가열 후의 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각하기 위한 냉각 플레이트로서, 이동 기구(26)에 의해 도 3에 도시된 열판(23)의 외측의 대기 위치와 열판(23) 위와의 사이에서 수평으로 이동하고, 반송 기구(13)와 열판(23)의 전달을 중개한다. 구체적으로는, 도 3에 도시된 대기 위치에 있어서의 냉각 플레이트(25)에 대하여 반송 기구(13)가 승강하여, 이 반송 기구(13)와 냉각 플레이트(25) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 냉각 플레이트(25)가 열판(23)의 상방측으로 이동하면, 열판(23)에 설치되는 도시하지 않은 승강핀의 승강과 냉각 플레이트(25)의 이동과의 협동에 의해, 이들 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.
열판(23)에 대해서, 도 4의 평면도를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 열판(23)에는, 평면에서 보아 서로 상이한 영역에 각각 히터(31∼35)가 매설되어 있다. 도 4에서는 일례로서, 5개의 영역에 각각 히터(31∼35)가 설치되는 구성을 나타내고 있고, 각 히터(31∼35)가 설치되는 영역이 가열 제어 영역(H1∼H5)에 상당한다. 바꿔 말하면, 열판(23)의 표면이 5개의 가열 제어 영역(H1∼H5)으로 분할되도록 설정되어 있고, 가열 제어 영역(H1∼H5)마다 히터(31∼35)가 설치되며, 각 가열 제어 영역(H1∼H5)의 온도가 각각 독립적으로 제어되도록 구성되어 있다. 또한, 히터(31∼35)는 도시의 편의상, 가열 제어 영역(H1∼H5)과 동일한 크기로 나타내고 있다.
이 예에서는, 열판(23)의 둘레 방향을 따라 4개의 영역이 각각 가열 제어 영역(H1∼H4)에 할당됨과 더불어, 열판(23)의 중앙 영역이 가열 제어 영역(H5)으로서 할당되고 있다. 예컨대 둘레 방향의 4개의 가열 제어 영역(H1∼H4)은, 둘레 방향의 길이가 서로 맞춰지도록 설정된다. 또한, 열판(23)에는 상기한 가열 제어 영역(H1∼H5)마다, 히터(31∼35)의 온도를 검출하여 검출 신호를 출력하는 온도 센서(41∼45)가 설치되어 있다.
계속해서, 검출 모듈(12)의 일례에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다. 이 예의 검출 모듈(12)은, 이미 설명한 바와 같이 조정부와 검출부를 겸용하고 있고, 조정부는, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여, 복수의 가열 제어 영역(H1∼H4)의 둘레 방향의 배열에 대한 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 방향을 조정하는 것이다. 검출 모듈(12)은 케이스(51)를 구비하고 있고, 도면 중 부호 52는 케이스(51)에 설치되는 웨이퍼(W)의 반송구이다. 도면 중 부호 53은 예컨대 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 유지하는 수평한 유지부이며, 예컨대 평면적으로 보아 웨이퍼(W)보다도 작게 형성되어 있다.
유지부(53)는 회전축(541)을 통해 회전 기구(54)에 접속되고, 웨이퍼(W)를 유지한 상태에서 수직축 둘레로 회전 가능하게 구성되어 있다. 유지부(53) 및 회전 기구(54)는, 웨이퍼(W)를 가열 모듈(11)의 열판(배치부)(23)에 배치하기 전에, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여 웨이퍼(W)의 방향을 조정하는 기구이다. 이 예에서는, 유지부(53)의 표면에는 지지핀(531)이 복수 설치되어 있고, 웨이퍼(W)는 지지핀(531) 상에 배치된 상태에서 유지되며, 유지부(53)의 승강과 반송 기구(13)의 이동과의 협동에 의해, 이들 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한, 유지부(53)는 지지핀(531)을 설치하지 않고, 예컨대 유지부(53)의 표면에 웨이퍼(W)를 직접 배치하여 흡착 유지하는 스핀척에 의해 구성하여도 좋다.
검출 모듈(12)에 있어서, 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 변형의 검출은, 예컨대 웨이퍼(W)와 직교하는 방향에 있어서의 웨이퍼(W)와의 거리를 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 측정함으로써 행해지고 있고, 검출 모듈(12)은 거리 측정부를 이루는 것이다. 이 때문에, 검출 모듈(12)은, 레이저광을 이용하여 측정 대상과의 거리를 검출하는 레이저 변위계로 이루어진 거리 센서(55)를 구비하고, 유지부(53)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 레이저광을 출력하도록 구성되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)를 유지한 유지부(53)를 회전시키면서, 거리 센서(55)에 의해 웨이퍼(W)까지의 거리를 측정함으로써, 웨이퍼(W)와 직교하는 방향에 있어서의 거리 센서(55)와 웨이퍼(W)와의 거리(L)가 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 측정된다.
이렇게 해서, 검출 모듈(12)에 있어서, 웨이퍼(W)의 주연부 영역에 있어서의 둘레 방향의 거리의 측정 결과가, 변형의 검출 결과로서 취득되고, 이 검출 결과에 기초하여, 가열 모듈(11)에 있어서의 복수의 가열 제어 영역(H1∼H4)의 둘레 방향의 배열에 대한 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 방향이 조정된다. 구체적으로는, 거리 센서(55)에 의한 변형의 검출 결과는 제어부(14)에 출력되고, 이 제어부(14)는 이 검출 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 방향을 조정하기 위한 제어 신호와, 가열 제어 영역(H1∼H5)의 각 히터(31∼35)의 온도를 조정하기 위한 제어 신호를 출력한다.
제어부(14)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 버스(61)에 각각 접속된 CPU(62), 메모리(기억부)(63), 입력부(64), 방향 조정부(65), 온도 조정부(66)를 구비하고 있다. 또한, 이 버스(61)에는, 거리 센서(55) 및 온도 센서(41∼45)가 각각 접속되어 있다. CPU(62)에 의해 후술하는 열처리 공정의 플로우를 실행하기 위한 각종 연산이 행해진다. 입력부(64)는 마우스나 키보드나 터치 패널 등에 의해 구성되며, 열처리 공정의 플로우를 진행시키기 위해서, 장치의 사용자가 각종 조작을 행하도록 설치되어 있다. 방향 조정부(65), 온도 조정부(66)는, 각각 예컨대 컴퓨터 프로그램에 의해 구성되어 있고, 후술하는 플로우를 실행할 수 있도록 단계군이 짜여져 있다. 이 프로그램은, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억 매체로부터 제어부(14)에 인스톨된다.
계속해서, 도 7의 흐름도를 참조하여, 웨이퍼(W)의 가열 처리에 대해서 설명한다. 우선, 웨이퍼(W)를 검출 모듈(12)에 반입하여 유지부(53)에 배치한다. 계속해서, 유지부(53)를 회전시키면서, 거리 센서(55)에 의해, 웨이퍼(W)와 직교하는 방향에 있어서의 웨이퍼(W)와의 거리(L)를 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 측정하고, 웨이퍼(W)의 변형과 웨이퍼(W)의 위치(노치(N)의 위치)를 검출하여, 검출 결과를 제어부(14)에 출력한다(단계 S1). 도 8은 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과를 모식적으로 나타낸 것으로, 횡축이 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 위치, 종축이 변형량으로서 웨이퍼(W)와의 거리(L)를 나타내고 있다.
도 8에 있어서, 종축의 L0은 수평면 A(도 1 참조, 휨이 없는 웨이퍼의 표면)까지의 거리이며, 거리 L0보다도 큰 거리는, 열판(23)으로부터 멀어지는 방향으로 위로 휜 상태를 나타내고, Lmax는, 위로 휘었을 때의 최대의 변형량(휨량)이다. 또한, 거리 L0보다도 작은 거리는, 열판(23)에 가까워지는 방향으로 아래로 휜 상태를 나타내고, Lmin은, 아래로 휘었을 때의 최대의 변형량이다. 또한 노치 위치에서는 레이저광이 웨이퍼(W)에 의해 반사되지 않기 때문에, 파형이 중간에서 끊어진 상태가 되고, 이 파형이 중간에서 끊어진 위치에 의해 노치 위치를 파악한다. 이하, 웨이퍼(W)의 변형량의 최대치가 Lmax인 경우를 예로 들어 설명을 계속한다.
제어부(14)에서는, 검출 결과에 기초하여, 방향 조정부(65)로써 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 방향을 조정하기 위한 제어 신호를 검출 모듈(12)에 출력함(단계 S2)과 더불어, 온도 조정부(66)로써 가열 모듈(11)에 각 가열 제어 영역(H1∼H5)의 각 히터(31∼35)의 온도를 조정하기 위한 제어 신호를 출력한다(단계 S3). 방향 조정부(65)에서는, 예컨대 둘레 방향에 인접한 가열 제어 영역(H1∼H4) 사이의 경계에, 웨이퍼 변형의 최대 부위가 배치되지 않도록, 웨이퍼(W)의 방향을 조정한다.
검출 모듈(12)로써 변형이 검출된 웨이퍼(W)는 반송 기구(13)에 의해 가열 모듈(11)로 반송하지만, 휨이 없는 웨이퍼(W)에 대해서는, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 예컨대 열판(23)의 중심선(B)과 노치(N)의 위치를 맞추도록, 웨이퍼(W)를 열판(23)에 전달한다. 열판(23)의 중심선(B)은, 예컨대 어느 가열 제어 영역(이 예에서는 H1)의 둘레 방향의 중심 위치와 열판(23)의 중심(231)을 연결하는 선이다.
한편, 휨이 있는 웨이퍼(W)에 대해서는, 도 8에 도시된 검출 결과에 기초하여, 변형량이 최대인 위치(P1)가, 가열 제어 영역 사이의 경계부에 도달하지 않도록, 검출 모듈(12)로써 방향의 조정을 행한다. 이 예에서는, 둘레 방향의 위치(P1)가 예컨대 중심선(B)에 맞춰지도록, 각도(θ)만큼 반시계 방향으로 회전 기구(54)에 의해 회전시킨다(도 9의 (b) 참조). 이렇게 해서, 후술하는 바와 같이, 방향 조정 후의 웨이퍼(W)는 반송 기구(13)에 의해 가열 모듈(11)의 열판(23) 상에, 둘레 방향의 위치(P1)가 예컨대 가열 제어 영역(H3)의 둘레 방향의 중심에 맞춰지도록 전달되게 된다(도 9의 (c) 참조).
한편, 온도 조정부(66)에서는, 예컨대 가열 제어 영역(H3)에 대해서는, 웨이퍼(W)의 변형량에 기초하여 보정 온도를 취득하여 온도 제어를 행한다. 도 10에 웨이퍼(W)의 휨량(변형량)과 열처리시의 웨이퍼 온도와의 관계의 일례를 나타낸다. 횡축은 웨이퍼(W)의 휨량, 좌측 종축은 가열 처리시의 웨이퍼 온도, 우측 종축은 보정 온도이며, ◆는 웨이퍼 온도의 플롯, ■은 보정 온도의 플롯이다. 도 10에 있어서의 웨이퍼(W)의 휨량은, 열판(23)으로부터 멀어지는 방향으로 위로 휜 경우에 있어서, 열판(23)에 휨이 없는 웨이퍼를 배치했을 때의 상기 웨이퍼 표면(도 1의 수평면 A)과의 거리의 차분이다. 즉 도 8에 있어서, 파형의 산형 부분의 거리 L과 거리 L0과의 차분이며, 도 10에 있어서의 휨량 100 ㎛는, 휨이 없는 웨이퍼(W)보다도 100 ㎛만큼, 위로 휘는 것을 나타내고 있다.
웨이퍼(W)가 위로 휘면, 열판(23)으로부터 멀어지기 때문에, 열판(23)으로부터 전열되기 어렵고, 열판(23)의 온도가 동일한 경우에는, 웨이퍼(W)가 휘지 않는 경우보다도 웨이퍼(W)의 온도가 낮아진다. 본 발명자는, 웨이퍼(W)의 휨량과 가열 처리시의 웨이퍼 온도 사이에는 상관관계가 있는 것을 파악하고 있다. 미리 이 상관관계를 취득함으로써, 웨이퍼(W)의 휨량으로부터 가열 처리시의 웨이퍼 온도를 구하고, 이것에 기초하여 보정 온도를 얻는다. 웨이퍼 휨량과 보정 온도의 상관 데이터는, 미리 평가 시험을 행함으로써 취득해 둔다.
온도 제어의 일례를 도 10을 이용하여 설명한다. 예컨대 휨량이 0일 때의 웨이퍼 온도를 목표 온도(250℃)로 하면, 휨량이 100 ㎛일 때의 웨이퍼 온도는 247.5℃이기 때문에, 목표 온도와의 차분에 상당하는 온도 2.5℃를 보정 온도로 한다. 그리고, 이 보정 온도만큼, 웨이퍼 온도를 상승시키기 위해서, 상기 보정 온도를 히터(33)의 설정 온도에 가산함으로써, 가열 제어 영역(H3)의 온도 제어를 행한다. 또한, 각 가열 제어 영역(H1∼H5)의 히터(31∼35)를 온도 센서(41∼45)의 검출값에 기초하여, 설정 온도가 되도록 제어한다. 이 때문에, 가열 제어 영역(H3)에 대해서는, 온도 센서(43)의 검출값에 기초한 온도의 보정값에, 휨량으로부터 구한 보정 온도를 가감하여 히터(33)의 온도 제어를 행한다. 한편, 가열 제어 영역(H1, H2, H4, H5)에 대해서는, 예컨대 온도 센서(41, 42, 44, 45)의 검출값에 기초하여, 히터(31, 32, 34, 35)가 설정 온도가 되도록, 온도 제어를 행한다.
계속해서, 검출 모듈(12)에 있어서 방향이 조정된 웨이퍼(W)를 반송 기구(13)에 의해 가열 모듈(11)로 반송하여, 열판(23)에 전달한다(단계 S4). 이에 따라, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)는, 둘레 방향의 위치(P1)가 열판(23)의 중심선(B)에 맞춰지도록 열판(23)에 배치된다. 그리고 나서, 예컨대 각 가열 제어 영역(H1∼H5)의 온도 제어가 완료된 상태에서 웨이퍼(W)의 열처리를 시작한다(단계 S5). 이렇게 해서 소정 시간 열처리를 행한 웨이퍼(W)를, 냉각 플레이트(25)를 통해 반송 기구(13)에 전달하고, 가열 모듈(11)로부터 다른 도시하지 않은 모듈로 반송한다.
전술한 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여, 열판(23)의 가열 제어 영역(H1∼H4)의 둘레 방향의 배열에 대한 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 방향을 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 조정하고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이하게 특이한 형상으로 변형되어 있었다고 해도, 웨이퍼(W)에 있어서 변형량이 큰 영역이, 복수의 가열 제어 영역(H1∼H4) 사이의 경계에 배치되는 것이 억제되어, 웨이퍼 면내에서의 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있다.
즉, 가열 제어 영역 사이의 경계는 히터(31∼34)가 매설되어 있지 않기 때문에, 히터가 매설되어 있는 영역에 비하면, 웨이퍼에의 전열이 어려운 상태이다. 이 때문에, 이 가열 제어 영역 사이의 경계에, 웨이퍼(W)의 변형량이 큰 부위가 배치되면, 웨이퍼(W)에 있어서의 상기 부위의 온도가 다른 영역에 비해 낮아지고, 웨이퍼 온도의 면내 균일성이 악화되어 버린다. 따라서, 본 발명과 같이 변형량이 큰 영역을 가열 제어 영역 사이의 경계에서 멀어진 위치에 배치하면, 가열 제어 영역의 온도 제어가 웨이퍼 온도에 반영되기 쉬워, 웨이퍼 면내에서의 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있다. 또한, 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼에 있어서 변형량이 큰 위치(P1)를 가열 제어 영역(H3)의 둘레 방향의 중심 영역에 배치하고, 이 웨이퍼(W)의 변형량에 기초하여, 가열 제어 영역(H3)의 온도 제어를 행하도록 하면, 웨이퍼(W)의 변형량에 맞춰 적절한 가열 제어를 행할 수 있다. 이에 따라, 결과적으로 웨이퍼 면내에 대해서, 양호한 가열 처리의 균일성이 확보된다.
이상에 있어서, 웨이퍼(W)의 최대의 변형량이 Lmax인 경우를 예로 들어 설명하였지만, 웨이퍼(W)는 지지핀(24) 상에 배치되어 있기 때문에, 열판(23)에 가까워지는 방향으로 아래로 휘는 경우도 있다. 예컨대, 도 8의 검출 결과에 의해, 웨이퍼(W)의 최대의 변형량이 Lmin인 경우에 대해서 설명한다. 이 경우에는, 휨이 없는 웨이퍼(W)보다도 열판(23)에 가까워지기 때문에, 열판(23)으로부터 전열되기 쉽고, 열판(23)의 온도가 동일한 경우에는, 웨이퍼(W)가 휘지 않는 경우보다도 웨이퍼(W)의 온도가 높아진다. 이 때문에, 미리 취득한 웨이퍼(W)의 휨량과 열처리시의 웨이퍼 온도와의 상관 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 휨량으로부터 웨이퍼 온도를 구하고, 이 웨이퍼 온도와 웨이퍼(W)의 목표 온도와의 차분 온도를 보정 온도로 하여, 예컨대 히터(33)의 설정 온도에 감산하여 온도 제어를 행한다.
또한, 웨이퍼(W)가 안장형 형상으로 변형될 때에는, 대략 도 8과 같이 수평면으로부터 낮아지는 부위와 높아지는 부위가 교대로 나타내고, 웨이퍼(W)를 둘레 방향으로 4분할하는 영역에, 낮아지는 부위와 높아지는 부위가 각각 위치하는 경우가 많다. 따라서, 예컨대 최대의 변형량의 위치(P1)를 중심선(B)에 맞추도록 웨이퍼(W)의 방향의 조정을 행하여, 웨이퍼(W)를 가열 제어 영역(H1∼H4)에 대응하도록 4개의 주연부 영역(S1∼S4)으로 분할한다. 그리고, 각 가열 제어 영역(H1∼H4)을, 웨이퍼(W)의 주연부 영역(S1∼S4)의 변형량(휨량)에 기초하여, 온도 제어하도록 하여도 좋다. 예컨대 웨이퍼(W)의 주연부 영역(S1∼S4)의 각각에 있어서, 변형량의 최대치를 구하고, 이것에 기초하여 보정 온도를 취득하며, 히터(31∼34)의 설정 온도에 가감하여 가열 제어 영역(H1∼H4)의 온도 제어를 행한다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 넓은 범위에 대하여, 그 변형량에 맞춰 가열 제어 영역(H1∼H4)이 온도 제어되기 때문에, 열처리시의 웨이퍼 온도에 대해서 한층 더 양호한 면내 균일성을 확보할 수 있다.
단, 가열 제어 영역은 반드시 대응하는 웨이퍼(W)의 변형량에 기초하여 온도 제어할 필요는 없다. 예컨대 웨이퍼(W)가 안장형으로 변형되는 경우에는, 이미 설명한 바와 같이 수평면으로부터 낮아지는 부위와 높아지는 부위가 교대로 나타나기 때문에, 미리 웨이퍼(W)의 변형량을 평가해 두고, 설정 온도보다도 높게 온도 제어되는 제1 가열 제어 영역과, 설정 온도보다도 낮게 온도 제어되는 제2 가열 제어 영역을 교대로 설정한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여, 위로 변형되는 웨이퍼(W)의 주연부 영역과 제1 가열 제어 영역이 대응하고, 아래로 변형되는 웨이퍼(W)의 주연부 영역과 제2 가열 제어 영역이 대응하도록, 검출 모듈에 있어서 웨이퍼(W)의 방향을 조정하도록 하여도 좋다.
(제2 실시형태)
계속해서, 본 발명의 기판 처리 장치의 제2 실시형태에 대해서, 도 11∼도 13을 참조하여 설명한다. 이 실시형태가 제1 실시형태와 상이한 점은, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)의 방향을 조정하는 것이 아니라, 가열 제어 영역의 배열을 조정하는 것이다. 이 때문에, 조정부는 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열을 조정하는 기구에 의해 구성된다. 이 예에 있어서의 가열 모듈(11)의 열판(7)에는, 도 11에 도시된 바와 같이, 평면에서 보아 서로 상이한 영역에 각각 가열 기구를 이루는 히터(71∼79)가 매설되어 있다. 도 11에서는 일례로서, 9개의 영역에 각각 히터(71∼79)가 설치되는 구성을 나타내고 있고, 각 히터(71∼79)가 설치되는 영역이 각각 가열존(Z1∼Z9)에 상당한다. 이렇게 해서, 열판(7)의 표면이 9개의 가열존(Z1∼Z9)으로 분할되고, 각 가열존(Z1∼Z9)이 히터(71∼79)에 의해 독립적으로 온도 제어되도록 구성되어 있다. 또한, 히터(71∼79)는 도시의 편의상, 가열존(Z1∼Z9)과 동일한 크기로 나타내고 있다.
이 예에서는, 열판(7)의 둘레 방향을 따라 8개의 영역을 각각 가열존(Z1∼Z8)에 할당함과 더불어, 중앙 영역을 가열존(Z9)으로서 할당하고 있다. 예컨대 둘레 방향의 8개의 가열존(Z1∼Z8)은, 둘레 방향의 길이가 서로 맞춰지도록 설정된다. 또한, 가열 모듈(11)은, 복수의 히터 중에서 히터의 조합을 선택하는 스위치부를 구비하고 있다. 이 예에서는, 예컨대 서로 인접한 3개의 히터(71, 72, 78) 중에서 인접한 2개의 히터의 조합 (71과 72), (71과 78)을 선택하는 스위치부(81)와, 서로 인접한 3개의 히터(72, 73, 74) 중에서 인접한 2개의 히터의 조합 (72와 73), (73과 74)를 선택하는 스위치부(82)를 구비하고 있다. 또한, 서로 인접한 3개의 히터(74, 75, 76) 중에서 인접한 2개의 히터의 조합 (74와 75), (75와 76)을 선택하는 스위치부(83)와, 서로 인접한 3개의 히터(76, 77, 78) 중에서 인접한 2개의 히터의 조합 (76과 77), (77과 78)을 선택하는 스위치부(84)를 구비하고 있다. 도면 부호 85, 86, 87, 88은 각각 전력 공급부이다.
이들 스위치부(81∼84)는, 제어부(14)로부터의 제어 신호에 의해, 제1 조합과 제2 조합 사이에서 전환하도록 구성되어 있다. 제1 조합은, 히터(71과 78), 히터(72와 73), 히터(74와 75), 히터(76과 77)의 조합을 선택하는 것이고, 제2 조합은, 히터(71과 72), 히터(73과 74), 히터(75와 76), 히터(77과 78)의 조합을 선택하는 것이다.
제1 조합을 선택하면, 예컨대 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 가열존(Z1, Z8)을 맞춘 가열 제어 영역(H11), 가열존(Z2, Z3)을 맞춘 가열 제어 영역(H12), 가열존(Z4, Z5)을 맞춘 가열 제어 영역(H13), 가열존(Z6, Z7)을 맞춘 가열 제어 영역(H14)이 설정된다. 제2 조합을 선택하면, 예컨대 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 가열존(Z1, Z2)을 맞춘 가열 제어 영역(H11), 가열존(Z3, Z4)을 맞춘 가열 제어 영역(H12), 가열존(Z5, Z6)을 맞춘 가열 제어 영역(H13), 가열존(Z7, Z8)을 맞춘 가열 제어 영역(H14)이 설정된다. 도 12의 (a), (b)에 있어서, 모두 중앙 영역은 가열존(Z9)에 의해 가열 제어 영역(H15)이 설정된다.
또한, 열판(7)에는, 예컨대 가열존(Z1)과 가열존(Z2) 사이, 가열존(Z3)과 가열존(Z4) 사이, 가열존(Z5)과 가열존(Z6) 사이, 가열존(Z7)과 가열존(Z8) 사이, 및 가열존(Z9)에 각각 온도 센서(91∼95)가 설치되어 있다. 온도 센서(91)는 가열 제어 영역(H11), 온도 센서(92)는 가열 제어 영역(H12), 온도 센서(93)는 가열 제어 영역(H13), 온도 센서(94)는 가열 제어 영역(H14), 온도 센서(95)는 가열 제어 영역(H15)의 각각의 온도 제어를 행하기 위해서 설치된다.
이 예의 조정부는, 복수의 히터(71∼78)와, 복수의 히터(71∼78) 중에서 가열 제어 영역(H11∼H14)에 대응하는 히터의 조합을 선택하는 스위치부(81∼84)를 포함하는 것으로서, 이들이 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여 가열 제어 영역(H11∼H14)의 둘레 방향의 배열을 조정하는 기구에 상당한다. 또한, 제어부(14)는, 제1 실시형태의 방향 조정부(65) 대신에, 도시하지 않은 배열 조정부를 구비하고 있다. 이 배열 조정부는, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여, 4개의 가열 제어 영역(H11∼H14)의 둘레 방향의 배열을 조정하는 제어 신호를 가열 모듈(11)에 출력하도록 구성되어 있다. 이와 같이, 이 예에 있어서는 검출 모듈(12)은 검출부 및 거리 측정부로서 기능하고, 가열 모듈(11)이 조정부로서 기능하고 있다. 그 밖의 구성은 제1 실시형태와 마찬가지로, 동일한 구성 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
계속해서, 도 13의 흐름도를 참조하여, 이 예에 있어서의 웨이퍼(W)의 가열 처리에 대해서 설명한다. 우선, 웨이퍼(W)를 검출 모듈(12)에 반입하여 유지부(53)에 배치하고, 거리 센서(55)에 의해, 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 변형과 웨이퍼(W)의 노치 위치를 검출한다(단계 S11). 제어부(14)에서는, 검출 결과에 기초하여, 배열 조정부에서 히터(71∼78)의 조합을 선택하는 제어 신호를 가열 모듈(11)에 출력함(단계 S12)과 더불어, 온도 조정부(66)로써 가열 모듈(11)에 각 가열 제어 영역(H1∼H5)의 각 히터(71∼79)의 온도를 조정하기 위한 제어 신호를 출력한다(단계 S13).
예컨대 배열 조정부에서는, 도 8의 검출 결과에 기초하여, 최대의 변형량(여기서는 Lmax)이 되는 둘레 방향의 위치(P1)가 가열 제어 영역 사이의 경계부에 도달하지 않도록, 히터의 조합에 대해서 제1 조합 또는 제2 조합 중 어느 한쪽을 선택하고, 스위치부(81∼84)를 전환한다. 예컨대 이 예에서는, 예컨대 위치(P1)가, 배치되는 가열 제어 영역의 중심선에 가까워지는 쪽의 히터의 조합이 선택된다.
한편, 온도 조정부(66)에서는, 예컨대 웨이퍼의 위치(P1)가 배치되는 가열 제어 영역(예컨대 H11)에 있어서, 웨이퍼의 휨량과 웨이퍼 온도와의 상관 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 휨량(Lmax-L0)으로부터 보정 온도를 취득하여 온도 제어를 행한다. 예컨대 제1 실시형태와 마찬가지로, 온도 센서(91)의 검출값에 기초한 온도의 보정값에, 휨량으로부터 구한 보정 온도를 가산하여 히터(71, 72)의 온도 제어를 행한다. 다른 가열 제어 영역(예컨대 H12∼H15)에 있어서는, 온도 센서(92∼95)의 검출값에 기초한 온도의 보정값에 의해, 히터(73∼79)가 설정 온도가 되도록 온도 제어를 행한다. 이 예에서는, 동일한 가열 제어 영역에 설치된 2개의 히터를, 대응하는 온도 센서(91∼94)에 의해, 서로 동일한 온도가 되도록 제어한다.
계속해서, 검출 모듈(12)로부터 반송 기구(13)에 의해 웨이퍼(W)를 가열 모듈(11)로 반송하여, 열판(7)에 전달한다(단계 S14). 그리고 나서, 예컨대 각 가열 제어 영역(H11∼H15)의 온도 제어가 행해진 상태에서 웨이퍼(W)의 열처리를 시작한다(단계 S15). 이 후 소정 시간 열처리를 행한 웨이퍼(W)를, 반송 기구(13)에 의해, 가열 모듈(11)로부터 다른 도시하지 않은 모듈로 반송한다.
전술한 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 변형의 검출 결과에 기초하여, 열판(7)의 가열 제어 영역(H11∼H14)의 둘레 방향의 배열을 조정함으로써, 가열 제어 영역(H11∼H14)에 대한 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하고 있다. 따라서, 제1 실시형태와 마찬가지로, 웨이퍼(W)가 변형되어, 웨이퍼와 열판 표면과의 거리가 똑같지 않은 경우여도, 웨이퍼(W)에 있어서 변형량이 큰 영역이, 복수의 가열 제어 영역(H11∼H14) 사이의 경계에 배치되는 것이 억제되어, 웨이퍼 면내에서의 가열 처리의 균일성을 개선할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 변형량이 큰 부위가 배치되는 가열 제어 영역에 대해서는, 대응하는 웨이퍼(W)의 주연부 영역의 변형량(휨량)에 기초하여 구한 보정 온도에 의해 온도 제어되어 있기 때문에, 열처리시의 웨이퍼 온도에 대해서 양호한 면내 균일성을 확보할 수 있다.
계속해서, 본 발명의 기판 처리 장치를 도포, 현상 장치(100)에 적용한 예에 대해서, 도 14의 개략 사시도 및 도 15의 평면도를 참조하면서 설명한다. 도포, 현상 장치(100)는, 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)와, 인터페이스 블록(D3)과, 노광 장치(D4)를 구비하고, 캐리어 블록(D1)의 배치대(101)에 배치된 캐리어(102)로부터 웨이퍼(W)가 꺼내어져 처리 블록(D2)에 전달된다. 처리 블록(D2)은, 서로 적층된 단위 블록(E1, E2, E3)을 2개씩 구비하고 있다. 단위 블록(E1)은 웨이퍼(W)에의 반사 방지막 형성용 약액의 도포와, 상기 약액 도포 후의 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 블록, 단위 블록(E2)은, 웨이퍼(W)에의 레지스트 도포와, 상기 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 블록이다. 단위 블록(E3)은, 노광 장치(D4)에 의해 노광된 후의 가열 처리(PEB)와, 가열 처리 후의 웨이퍼(W)에의 현상액의 공급을 행하는 블록이다.
각 블록(D1∼D3)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구가 각각 설치되어 있고, 캐리어(102) 내의 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(D1)→단위 블록(E1)→단위 블록(E2)→인터페이스 블록(D3)→노광 장치(D4)→인터페이스 블록(D3)→단위 블록(E3)의 순으로 반송되어, 상기한 각 처리가 행해진다. 이렇게 해서, 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(D1)으로 반송되어, 캐리어(102)로 되돌려진다.
도 15는 단위 블록(E3)을 나타낸 평면도이다. 전후 방향으로 신장되는 웨이퍼(W)의 반송로(103)의 좌우의 한쪽 측에는, 복수의 모듈이 선반형으로 배치되어 있고, 예컨대 여기에 PEB를 행하는 본 발명의 가열 모듈(11)이 다수 설치됨과 더불어, 본 발명의 검출 모듈(12)이 설치된다. 반송로(103)의 좌우의 다른쪽 측에는, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하는 현상 모듈(104)이 설치되어 있다.
도 15 중 부호 13은, 현상 모듈(104)과, 가열 모듈(11)과, 검출 모듈(12)과, 인터페이스 블록(D3) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 기구이다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(D3)의 전달 아암(105) 및 전달 모듈(106)을 통해 처리 블록(D2)으로 반입된다. 그리고, 반송 기구(13)에 의해, 검출 모듈(12)로 반송되어, 웨이퍼(W)의 변형이 검출된 후, 다수의 가열 모듈(11) 중 어느 하나로 웨이퍼(W)가 반송된다.
그리고, 검출 모듈(12)의 검출 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)가 반송되는 가열 모듈(11)의 가열 제어 영역과 웨이퍼(W)와의 상대적 방향이 조정됨과 더불어, 가열 제어 영역의 온도 제어가 행해진다. 계속해서, 웨이퍼(W)가 검출 모듈(12)로부터 대응하는 가열 모듈(11)로 반송되어, PEB가 행해진다. 이렇게 해서, 각 가열 모듈(11)에서는, 예컨대 웨이퍼(W)가 안장형 형상으로 변형되어 있었다고 해도, 웨이퍼(W)의 면내에서 양호한 균일성으로 열처리가 행해지기 때문에, 형성되는 레지스트 패턴의 균일성이 높아진다. PEB 후의 웨이퍼(W)는 반송 기구(13)에 의해, 현상 모듈(104)로써 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 현상 처리 후의 웨이퍼(W)는 가열 처리 후, 전달 모듈(107), 전달 아암(108, 109)을 통해, 캐리어 블록(D1)의 캐리어(102)로 되돌려진다.
상기한 도포, 현상 장치(100)의 단위 블록(E2)은, 현상 모듈(104) 대신에 레지스트 도포 모듈이 설치되는 것을 제외하고, 단위 블록(E3)과 동일하게, 검출 모듈(12) 및 가열 모듈(11)을 구비하도록 구성하여도 좋다. 레지스트 도포 모듈로 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)는, 검출 모듈(12)로써 변형이 검출된 후, 이 검출 결과에 기초하여 웨이퍼(W)와 가열 제어 영역의 상대적 방향이 조정된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(11)로 반송되어 가열 처리되고, 도포된 레지스트가 건조되어 레지스트막이 형성된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 예컨대 안장형으로 변형된 경우여도, 웨이퍼(W)의 면내에서 균일성 높게 레지스트막을 형성할 수 있어, 웨이퍼(W)의 면내에서 CD의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 단위 블록(E1)에 대해서도 현상 모듈(104) 대신에 반사 방지막 형성용 약액 도포 모듈이 설치되는 것을 제외하고, 단위 블록(E3)과 동일하게 구성하도록 하여도 좋다. 이 경우에 있어서도, 검출 모듈(12)로써 웨이퍼(W)의 변형을 검출하고, 이 검출 결과에 기초하여 웨이퍼(W)와 가열 제어 영역의 상대적 방향이 조정되며, 계속해서 웨이퍼(W)가 가열 모듈(11)로 반송되어, 소정의 가열 처리가 실시된다.
이상에 있어서, 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이한 기판의 변형을 검출하기 위한 검출부를 반드시 구비할 필요는 없다. 예컨대 기판 처리 장치와는 별도의 장치에 검출부를 설치하고, 이 검출부에서 검출된 기판의 변형의 검출 결과를 이용하여, 조정부에서 기판과 가열 제어 영역의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 예컨대 기판 처리 장치에 설치되어 있는 제어부가, 상기 기판 처리 장치 밖에서 보내지는 기판의 변형에 관한 정보를 온라인으로 취득하고, 이 정보에 기초하여 예컨대 반송 기구(13) 혹은 가열 제어 영역의 배열을 조정하기 위한 조정 기구에 제어 신호를 출력하게 된다. 기판 처리 장치 밖에서 보내지는 기판의 변형에 관한 정보는, 예컨대 기판의 변형을 검출하는 검출부로부터, 또는 상기 검출부를 구비한 별도의 장치로부터, 혹은 상위 컴퓨터로부터 보내진다. 이 예에 있어서는, 제어부는, 기판의 변형에 관한 정보를 취득하는 변형 정보 취득부에 상당한다.
이와 같이 검출부를 기판 처리 장치와는 별도의 장치에 설치한 경우에는, 제1 실시형태에서는, 도 5에 도시된 검출 모듈은 거리 센서를 설치하지 않는 구성으로 하고, 상기 검출 모듈은 기판의 방향을 조정하는 조정부로서 설치된다. 또한, 제2 실시형태에서는, 도 5에 도시된 검출 모듈을 설치할 필요는 없다.
또한, 검출부는 도 5에 도시된 구성에 한정되지 않고, 예컨대 기판의 상방측에, 기판과 직교하는 방향에 있어서의 기판과의 거리를 측정함과 더불어, 기판과 상대적으로 수평 방향으로 이동 가능한 거리 센서를 설치하는 구성이어도 좋다. 예컨대 거리 센서를 기판에 대하여 상대적으로 종횡으로 이동 가능하게 설치함으로써, 기판의 주연부 영역뿐만 아니라, 기판의 중앙 영역에 대해서도 기판과의 거리를 측정하고, 이 검출 결과에 기초하여, 가열 제어 영역의 보정 온도를 구하여 온도 제어하도록 하여도 좋다. 또한, 휨량은, 전술한 예에 한정되지 않고, 열판(23) 표면과 웨이퍼(W)와의 거리에 기초하여 취득하여도 좋고, 예컨대 도 8에 있어서, 거리 L과 Lmin(웨이퍼의 가장 낮은 높이 위치)과의 차분에 의해 취득하여도 좋다. 게다가 또, 열판에 지지핀을 통해 웨이퍼를 배치하는 것이 아니라, 열판 표면에 직접 웨이퍼를 배치하는 구성에도 적용할 수 있다.
또한, 웨이퍼는, 캐리어에 복수 장 수납되어 기판 처리 장치에 반입되지만, 예컨대 캐리어 단위인 웨이퍼군을 이루는 로트의 선두 웨이퍼에 대해서 취득한 변형 정보를, 상기 로트에 포함되는 후속 웨이퍼에 대해서 적용하여도 좋다.
W : 웨이퍼 11 : 가열 모듈
12 : 검출 모듈 13 : 반송 기구
14 : 제어부 23, 7 : 열판
31∼35, 71∼79 : 히터 41∼45, 91∼95 : 온도 센서
H1∼H5, H11∼H15 : 가열 제어 영역 Z1∼Z9 : 가열존
100 : 도포, 현상 장치

Claims (13)

  1. 기판을 배치부에 배치하여 가열 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 배치부에 배치된 기판을 가열하기 위해 배치부의 둘레 방향을 따라 복수 설정되고, 각각 독립적으로 온도 제어되는 복수의 가열 제어 영역과,
    기판의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이한 기판의 변형에 관한 정보에 기초하여, 상기 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열에 대한 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하는 조정부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 변형에 관한 정보를 취득하는 변형 정보 취득부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 변형 정보 취득부는, 상기 기판의 변형을 검출하기 위한 검출부인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배치부는, 둘레 방향으로 배치된 복수의 히터에 의해 가열되는 열판을 겸용하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 조정부는, 기판을 배치부에 배치하기 전에, 상기 기판의 변형에 관한 정보에 기초하여 상기 기판의 방향을 조정하는 기구인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 조정부는, 상기 기판의 변형에 관한 정보에 기초하여 상기 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열을 조정하는 기구인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 조정부는, 배치부의 둘레 방향을 따라 배치된 복수의 가열 기구와, 상기 복수의 가열 기구 중에서 각 가열 제어 영역에 대응하는 가열 기구의 조합을 선택하는 스위치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 정보는, 기판과 직교하는 방향에 있어서의 기판과의 거리를 기판의 둘레 방향을 따라 측정하는 거리 측정부에 의해 측정된 측정 결과인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 둘레 방향의 변형을 검출하기 위한 검출부와,
    상기 검출부의 검출 결과에 기초하여 상기 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 기판 처리 방법에 있어서,
    기판의 중심축과 직교하는 면에 대한 높이가 둘레 방향에서 상이한 기판의 변형을 검출하는 공정과,
    배치부에 배치된 기판을 가열하기 위해 배치부의 둘레 방향을 따라 복수 설정되고, 각각 독립적으로 온도 제어되는 복수의 가열 제어 영역을 이용하여, 상기 기판의 변형을 검출하는 공정에서 얻어진 검출 결과에 기초하여, 상기 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열에 대한 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하는 공정과,
    상기 기판의 둘레 방향의 상대적 방향이 조정된 상태에서 기판을 가열 처리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하는 공정은, 기판을 배치부에 배치하기 전에, 상기 검출 결과에 기초하여 상기 기판의 방향을 조정하는 공정인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 기판의 둘레 방향의 상대적 방향을 조정하는 공정은, 상기 검출 결과에 기초하여 상기 복수의 가열 제어 영역의 둘레 방향의 배열을 조정하는 공정인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 기판을 배치부에 배치하여 가열 처리하는 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항에 기재된 기판 처리 방법을 실시하도록 단계군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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