CN109417024B - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。在将作为基板的晶圆(W)载置于热板(23)来进行加热处理时，利用检测模块(11)来检测晶圆(W)的变形，所述热板(23)具备沿周向设定的多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进行温度控制。而且，基于该检测结果，利用检测模块(11)来调整晶圆(W)的周向上的朝向，之后将该晶圆(W)搬送到加热模块(12)来进行规定的加热处理。因而，即使晶圆(W)发生相对于与该晶圆(W)的中心轴正交的面的高度在周向上不同的变形，也能够抑制晶圆(W)中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域间的边界。因此，容易使加热控制区域的温度控制反映到晶圆温度中，从而能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及一种将基板载置于载置部来进行加热处理的技术。
背景技术
在半导体制造工艺中，在基板、例如半导体晶圆(以下称作“晶圆”)形成涂布膜之后，将晶圆载于设置有加热器的载置台来进行加热处理。为了提高晶圆面内的加热处理的均匀性，期望载置于载置台的晶圆与载置台表面之间的距离一致。另外，由于存储单元的多层化，产生了加热处理前的晶圆变形为特异的形状的例子。所谓特异的形状并不是指晶圆变形为同心圆状的凸型、凹型，而是指与晶圆的中心轴正交的面的高度在周向上不同的形状，例如鞍型形状。在今后，层叠化会进一步发展，预测晶圆的变形量(翘曲量)会比目前大。因此，在进行加热处理时，晶圆与载置台表面之间的距离不一样，具有晶圆温度的面内均匀性变差的担忧。
进行加热处理的加热模块构成为，将晶圆的被加热区域分割为多个被加热区域，针对各分割区域分别设置加热器，对各加热器独立地进行发热控制。作为调整加热器的控制系统的参数的方法，已知如专利文献1所记载那样的方法，在该方法中，进行控制以使在多个测量点测量载置台(热板)的温度时所得的各测量温度与各目标温度一致。然而，在晶圆与载置台表面之间的距离在周向上不同的情况下，例如若载置台表面与晶圆之间的距离大的部位载置于多个分割区域间的边界，则即使控制加热器也难以使加热器的热传递到晶圆，因此难以将加热器的热反映到晶圆温度中。因而，为了进行面内均匀性良好的加热处理，需要进一步的改善。
专利文献1：日本专利第4391518号
发明内容
发明要解决的问题
本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。
用于解决问题的方案
因此，本发明的基板处理装置将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及调整部，其基于与基板的变形有关的信息，来调整相对于多个所述加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。
另外，本发明的基板处理方法的特征在于，包括以下工序：检测基板的变形，该基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同；使用沿载置部的周向设定的多个加热控制区域，基于通过所述检测基板的变形的工序得到的检测结果，来调整相对于所述多个加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，各加热控制区域用于对载置于载置部的基板进行加热，且各加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及在调整了所述基板的周向上的相对朝向的状态下对基板进行加热处理。
并且，本发明的存储介质存储有在将基板载置于载置部来进行加热处理的基板处理装置中使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于，所述计算机程序中编入有步骤组，以实施本发明的基板处理方法。
发明的效果
本发明在将基板载置于具备多个加热控制区域的载置部来进行加热处理时，基于关于基板的变形的检测结果来调整相对于多个加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，其中，沿载置部的周向设定有多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进行温度控制。因而，即使基板发生相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同的变形，也能够抑制基板中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域间的边界。因此，能够将加热控制区域的温度控制容易地反映到基板温度中，能够改善基板面内的加热处理的均匀性。
附图说明
图1是表示基板的变形的一例的立体图。
图2是表示基板处理装置的第一实施方式的结构图。
图3是表示设置于基板处理装置的加热模块的纵剖截面图。
图4是表示设置于加热模块的热板的俯视图。
图5是表示设置于基板处理装置的检测模块的纵剖截面图。
图6是表示设置于基板处理装置的控制部的结构图。
图7是表示第一实施方式的基板处理方法的流程图。
图8是表示基板的在周向上的位置与距离(变形量)之间的关系的特性图。
图9是用于说明本发明的作用的概要俯视图。
图10是表示晶圆的翘曲量(变形量)、晶圆温度以及校正温度之间的关系的特性图。
图11是表示基板处理装置的第二实施方式的热板的俯视图。
图12是表示基板处理装置的第二实施方式的热板的概要俯视图。
图13是表示第二实施方式的基板处理方法的流程图。
图14是表示应用了基板处理装置的涂布显影装置的概要立体图。
图15是表示涂布显影装置的俯视图。
具体实施方式
(第一实施方式)
参照图1～图10来说明本发明的基板处理装置的第一实施方式。如图1所示，本发明的作为基板处理的对象的晶圆W变形为相对于与晶圆W的中心轴正交的面的高度在周向上不同的形状。图1的(a)示出无变形(无翘曲)的晶圆W，例如将该晶圆W的表面设为与晶圆W的中心轴C正交的水平面A。图1的(b)为变形的一例，例如示出变形为相对于水平面A的高度低的区域与相对于水平面A的高度高的区域沿周向交替地排列的形状、比如说鞍型形状的状态。由于存储单元的多层次化，晶圆W在加热处理之前变形为鞍型形状的例子有增加的趋势。
如图2所示，本发明的基板处理装置1具备：加热模块11，其将晶圆W载置于载置部来进行加热处理；检测模块12；搬送机构13，其在检测模块12与加热模块11之间搬送晶圆W；以及控制部14。该例的检测模块12兼作后述的调整部以及用于检测晶圆W的周向上的变形的检测部。另外，在该例中，检测部相当于获取与基板的变形有关的信息的变形信息获取部的一个方式。
搬送机构13例如构成为保持晶圆W的背面侧的保持构件131升降自如、进退自如、在水平方向上移动自如。
图3为表示加热模块11的一例的纵剖侧视图。加热模块11具备壳体21，图中22为设置于壳体21的晶圆W的搬送口。图中23为表面被加热的水平的热板，并且兼作晶圆W的载置部。图中24为设置于热板23的表面的多个支承销，晶圆W被载置在支承销24上，以从热板23的表面稍微浮起的状态被加热。
图中25为用于载置加热后的晶圆W并对该晶圆W进行冷却的冷却板，通过移动机构26在图3所示的热板23的外侧的待机位置与热板23上的位置之间水平地移动，来实现搬送机构13与热板23之间的交接。具体地说，搬送机构13相对于图3所示的待机位置处的冷却板25进行升降，在该搬送机构13与冷却板25之间进行晶圆W的交接。另外，当冷却板25移动到热板23的上方侧时，通过相配合地进行设置于热板23的未图示的升降销的升降和冷却板25的移动，来在冷却板25与热板23之间进行晶圆W的交接。
参照图4的俯视图来进一步详细地说明热板23。在俯视观察时，在热板23且互不相同的区域中埋设有各加热器31～35。在图4中，作为一例，示出在五个区域设置各加热器31～35的结构，设置各加热器31～35的区域相当于加热控制区域H1～H5。换言之，以将热板23的表面分割为五个加热控制区域H1～H5的方式进行了设定，且针对每个加热控制区域H1～H5设置加热器31～35，各加热控制区域H1～H5被相独立进行温度控制。此外，为了便于图示，将加热器31～35以与加热控制区域H1～H5相同的大小示出。
在该例中，将沿热板23的周向的四个区域分配为各加热控制区域H1～H4，并且将热板23的中央区域分配为加热控制区域H5。例如周向上的四个加热控制区域H1～H4被设定为在周向上的长度相一致。另外，针对热板23的上述的每个加热控制区域H1～H5设置有检测加热器31～35的温度并且输出检测信号的温度传感器41～45。
接着，参照图5来说明检测模块12的一例。该例的检测模块12如已述的那样兼作调整部和检测部，调整部基于关于晶圆W的变形的检测结果，来调整相对于多个加热控制区域H1～H4的在周向上的排列的、晶圆W的周向上的朝向。检测模块12具备壳体51，图中52是设置于壳体51的晶圆W的搬送口。图中53例如是保持晶圆W的背面中央部的水平的保持部，在俯视观察时，该保持部例如形成为比晶圆W小。
保持部53经由旋转轴541而与旋转机构54连接，构成为以保持着晶圆W的状态绕铅垂轴旋转自如。保持部53和旋转机构54为如下机构：在将晶圆W载置于加热模块11的热板(载置部)23之前，基于关于晶圆W的变形的检测结果来调整晶圆W的朝向。在该例中，在保持部53的表面设置有多个支承销531，晶圆W以载置在支承销531上的状态被保持，通过相配合地进行保持部53的升降和搬送机构13的移动，来在保持部53与搬送机构13之间进行晶圆W的交接。另外，关于保持部53，也可以不设置支承销531，例如由将晶圆W直接载置于保持部53的表面并对该晶圆W进行吸附保持的旋转吸盘构成。
在检测模块12中，例如通过在与晶圆W正交的方向上沿晶圆W的周向测量距晶圆W的距离，来检测晶圆W的周向上的变形，检测模块12构成距离测量部。因此，检测模块12具备距离传感器55，该距离传感器55包括利用激光束来检测距测量对象的距离的激光位移计，并且检测模块12构成为对被保持部53保持的晶圆W的背面周缘部输出激光束。而且，一边使保持着晶圆W的保持部53旋转，一边利用距离传感器55测量该距离传感器55到晶圆W的距离，由此在与晶圆W正交的方向上沿晶圆W的周向测量距离传感器55与晶圆W之间的距离L。
通过这样，在检测模块12中获取晶圆W的周缘区域的在周向上的距离的测量结果来作为变形的检测结果，基于该检测结果来调整相对于加热模块11中的多个加热控制区域H1～H4的在周向上的排列的、晶圆W的周向上的朝向。具体而言，将利用距离传感器55检测变形所得的检测结果输出到控制部14，该控制部14基于该检测结果，输出用于调整晶圆W的周向上的朝向的控制信号以及用于调整加热控制区域H1～H5的各加热器31～35的温度的控制信号。
如图6所示，控制部14具备分别连接于总线61的CPU 62、存储器(存储部)63、输入部64、朝向调整部65、温度调整部66。另外，该总线61与距离传感器55及温度传感器41～45分别连接。通过CPU 62来进行用于执行后述的热处理工序的流程的各种运算。输入部64由鼠标、键盘、触摸面板等构成，设置为供装置的用户进行各种操作以推进热处理工序的流程。朝向调整部65、温度调整部66例如分别由计算机程序构成，并且编入有步骤组以使能够执行后述的流程。该程序被从硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等记录介质安装到控制部14中。
接下来，参照图7的流程图来说明晶圆W的加热处理。首先，将晶圆W搬入到检测模块12并载置于保持部53。接着，一边使保持部53旋转一边利用距离传感器55在与晶圆W正交的方向上沿晶圆W的周向测量该距离传感器55与晶圆W之间的距离L，检测晶圆W的变形和晶圆W的位置(切口N的位置)，将检测结果输出到控制部14(步骤S1)。图8示意性地示出关于晶圆W的变形的检测结果，横轴表示晶圆W的周向上的位置，纵轴示出与晶圆W之间的距离L来作为变形量。
在图8中，纵轴的L0为距水平面A(参照图1，无翘曲的晶圆的表面)的距离，大于距离L0的距离表示向远离热板23的方向朝上翘曲的状态，Lmax为朝上翘曲时的最大的变形量(翘曲量)。另外，小于距离L0的距离表示向靠近热板23的方向朝下翘曲的状态，Lmin表示朝下翘曲时的最大的变形量。另外，在切口位置，激光束不会被晶圆W反射，因此成为波形中断的状态，根据该波形被中断的位置来掌握切口位置。下面，以晶圆W的变形量的最大值为Lmax的情况为例继续进行说明。
在控制部14中，基于检测结果，将用于利用朝向调整部65来调整晶圆W的周向上的朝向的控制信号输出到检测模块12(步骤S2)，并且将用于利用温度调整部66来调整各加热控制区域H1～H5的各加热器31～35的温度的控制信号输出到加热模块11(步骤S3)。在朝向调整部65中，调整晶圆W的朝向，以使晶圆变形最大的部位例如不会被配置于在周向上邻接的加热控制区域H1～H4间的边界。
利用搬送机构13将被检测模块12检测出变形的晶圆W搬送到加热模块11，对于无翘曲的晶圆W，例如如图9的(a)所示那样将晶圆W以热板23的中心线B与切口N的位置对齐的方式交接到热板23。热板23的中心线B例如为将某个加热控制区域(在此例中为H1)的周向上的中心位置与热板23的中心231连结的线。
另一方面，针对有翘曲的晶圆W，由检测模块12基于图8所示的检测结果来进行朝向的调整，以使变形量最大的位置P1不在加热控制区域间的边界部的上方接近该边界部。在该例中，通过旋转机构54使晶圆W逆时针旋转角度θ度，以使周向上的位置P1例如与中心线B重合(参照图9的(b))。通过这样，如后述那样利用搬送机构13将调整朝向后的晶圆W以周向上的位置P1例如与加热控制区域H3的周向上的中心重合的方式交接到加热模块11的热板23上(参照图9的(c))。
另一方面，在温度调整部66中，例如关于加热控制区域H3，基于晶圆W的变形量获取校正温度来进行温度控制。在图10中示出晶圆W的翘曲量(变形量)与热处理时的晶圆温度之间的关系的一例。横轴为晶圆W的翘曲量，左纵轴为加热处理时的晶圆温度，右纵轴为校正温度，◆为晶圆温度的标示，■为校正温度的标示。图10中的晶圆W的翘曲量是指，在晶圆向远离热板23的方向朝上翘曲的情况下距该晶圆表面(图1的水平面A)的距离与在热板23上载置无翘曲的晶圆时的距该晶圆表面(图1的水平面A)的距离之差。也就是说，在图8中为波形的山型部分的距离L与距离L0之差，图10中的翘曲量100μm表示相对于无翘曲的晶圆W朝上翘曲100μm。
当晶圆W朝上翘曲时，由于远离热板23而不易被热板23传热，在热板23的温度相同的情况下，晶圆W的温度变得比晶圆不翘曲的情况下的温度低。本发明的发明人掌握了晶圆W的翘曲量与加热处理时的晶圆温度之间具有相关性。通过预先获取该相关性，根据晶圆W的翘曲量求出加热处理时的晶圆温度，基于此获取校正温度。通过预先进行评价试验来获取晶圆翘曲量与校正温度的相关数据。
使用图10来说明温度控制的一例。例如，当将翘曲量为0时的晶圆温度设为目标温度(250℃)时，翘曲量为100μm时的晶圆温度为247.5℃，因此将同与目标温度之差相当的温度2.5℃设为校正温度。而且，为了使晶圆温度上升与该校正温度相应的量，通过将该校正温度与加热器33的设定温度相加，来对加热控制区域H3进行温度控制。并且，基于温度传感器41～45的检测值，将各加热控制区域H1～H5的加热器31～35控制为设定温度。因此，关于加热控制区域H3，将基于温度传感器43的检测值得到的温度的校正值与根据翘曲量求出的校正温度相加减，来对加热器33进行温度控制。另一方面，关于加热控制区域H1、H2、H4、H5，例如基于温度传感器41、42、44、45的检测值进行温度控制，以使加热器31、32、34、35成为设定温度。
接下来，利用搬送机构13将在检测模块12中调整了朝向的晶圆W搬送到加热模块11，并且交接到热板23(步骤S4)。由此，如图9的(c)所示，将晶圆W以周向上的位置P1与热板23的中心线B重合的方式载置于热板23。之后，例如在各加热控制区域H1～H5的温度控制完成的状态下开始晶圆W的热处理(步骤S5)。经由冷却板25将像这样进行了规定时间的热处理的晶圆W交接到搬送机构13，并从加热模块11向其它未图示的模块搬送。
根据上述的实施方式，基于关于晶圆W的变形的检测结果，通过使晶圆W旋转来调整相对于热板23的加热控制区域H1～H4的在周向上的排列的、晶圆W的周向上的朝向。因而，即使晶圆W变形为如相对于与晶圆W的中心轴正交的面的高度在周向上不同这样的特异的形状，也能够抑制晶圆W中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域H1～H4间的边界，从而能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。
也就是说，加热控制区域间的边界处没有埋设加热器31～34，因此相比于埋设有加热器的区域，呈难以向晶圆传热的状态。因此，当将晶圆W的变形量大的部位配置在该加热控制区域间的边界时，晶圆W的该部位的温度变得比其它区域低，晶圆温度的面内均匀性差。因而，当如本发明那样将变形量大的区域配置在远离加热控制区域间的边界的位置时，容易使加热控制区域的温度控制反映到晶圆温度中，能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。另外，如已述的那样，将晶圆中的变形量大的位置P1配置于加热控制区域H3的周向上的中心区域，当想要基于该晶圆W的变形量对加热控制区域H3进行温度控制时，能够按照晶圆W的变形量进行恰当的加热控制。由此，结果是在晶圆面内能够确保良好的加热处理的均匀性。
在以上，以晶圆W的最大变形量为Lmax的情况为例进行了说明，但由于晶圆W被载置在支承销24上，因此有时也向靠近热板23的方向朝下翘曲。例如，根据图8的检测结果对晶圆W的最大变形量为Lmin的情况进行说明。在该情况下，相比于无翘曲的晶圆W更靠近热板23，因此容易被热板23传热，在热板23的温度相同的情况下，晶圆的温度变得比晶圆不翘曲的情况下的温度高。因此，基于预先获取到的晶圆W的翘曲量与热处理时的晶圆温度的相关数据，根据晶圆W的翘曲量求出晶圆温度，将该晶圆温度与晶圆W的目标温度的温度差作为校正温度，例如从加热器33的设定温度减去该校正温度来进行温度控制。
另外，在晶圆W变形为鞍型形状时，多数情况下大致如图8那样，比水平面低的部位与比水平面高的部位交替出现，低的部位和高的部位分别位于将晶圆W沿周向分割出的四个区域中。因而，调整晶圆W的朝向以使例如变形量最大的位置P1与中心线B对齐，将晶圆W分割为与加热控制区域H1～H4对应四个周缘区域S1～S4。而且，也可以基于晶圆W的周缘区域S1～S4的变形量(翘曲量)对各加热控制区域H1～H4进行温度控制。例如，关于晶圆W的各个周缘区域S1～S4，求出变形量的最大值，基于该最大值获取校正温度，将加热器31～34的设定温度与该校正温度相加减来对加热控制区域H1～H4进行温度控制。在该情况下，针对晶圆W的大的范围，按照其变形量对加热控制区域H1～H4进行温度控制，因此关于热处理时的晶圆温度能够确保更良好的面内均匀性。
但是，关于加热控制区域，无需一定基于对应的晶圆W的变形量来进行温度控制。例如在晶圆W变形为鞍型形状的情况下，如已述的那样，比水平面低的部位和比水平面高的部交替出现，因此事先评价晶圆W的变形量，交替地设定温度被控制为比设定温度高的第一加热控制区域和温度被控制为比设定温度低的第二加热控制区域。而且，也可以在检测模块中基于关于晶圆W的变形的检测结果来调整晶圆W的朝向，以使朝上变形的晶圆W的周缘区域与第一加热控制区域对应，朝下变形的晶圆W的周缘区域与第二加热控制区域对应。
(第二实施方式)
接下来，参照图11～图13来说明本发明的基板处理装置的第二实施方式。该实施方式与第一实施方式不同之处在于，基于关于晶圆W的变形的检测结果调整的不是晶圆W的朝向，而是加热控制区域的排列。因此，调整部由调整加热控制区域的在周向上的排列的机构构成。如图11所示，在俯视观察时，在该例中的加热模块11的热板7且互不相同的区域埋设有构成加热机构的加热器71～79。在图11中，作为一例，示出在九个区域分别设置加热器71～79的结构，设置各加热器71～79的区域分别相当于加热区Z1～Z9。像这样，热板7的表面被分割为九个加热区Z1～Z9，构成为各加热区Z1～Z9被加热器71～79相独立地进行温度控制。此外，为了便于图示，将加热器71～79以与加热区Z1～Z9相同的大小示出。
在该例中，将沿热板7的周向的八个区域分别分配为加热区Z1～Z8，并且将中央区域分配为加热区Z9。例如将周向上的八个加热区Z1～Z8设定为周向上的长度相一致。另外，加热模块11具备用于从多个加热器中选择加热器的组合的开关部。在该例中，例如具备用于从彼此邻接的三个加热器71、72、78中选择邻接的两个加热器的组合(71与72)、(71与78)的开关部81以及用于从邻接的三个加热器72、73、74中选择邻接的两个加热器的组合(72与73)、(73与74)的开关部82。另外，具备用于从邻接的三个加热器74、75、76中选择邻接的两个加热器的组合(74与75)、(75与76)的开关部83以及用于从邻接的三个加热器76、77、78中选择邻接的两个加热器的组合(76与77)、(77与78)的开关部84。85、86、87、88分别为电力供给部。
这些开关部81～84构成为，根据来自控制部14的控制信号在第一组合与第二组合之间进行切换。第一组合是选择加热器(71与78)、加热器(72与73)、加热器(74与75)、加热器(76与77)的组合，第二组合是选择加热器(71与72)、加热器(73与74)、加热器(75与76)、加热器(77与78)的组合。
当选择第一组合时，例如图12的(a)所示，设定加热区Z1、Z8合并而成的控制区域H11、加热区Z2、Z3合并而成的加热控制区域H12、加热区Z4、Z5合并而成的加热控制区域H13、加热区Z6、Z7合并而成的加热控制区域H14。当选择第二组合时，如图12的(b)所示，设定加热区Z1、Z2合并而成的加热控制区域H11、加热区Z3、Z4合并而成的加热控制区域H12、加热区Z5、Z6合并而成的加热控制区域H13、加热区域Z7、Z8合并而成的加热控制区域H14。在图12的(a)、(b)中，均在中央区域通过加热区Z9来设定加热控制区域H15。
另外，在热板7，例如在加热区Z1与加热区Z2之间、加热区Z3与加热区Z4之间、加热区Z5与加热区Z6之间、加热区Z7与加热区Z8之间、以及加热区Z9分别设置有温度传感器91～95。设置为，温度传感器91用于进行加热控制区域H11的温度控制，温度传感器92用于进行加热控制区域H12的温度控制，温度传感器93用于进行加热控制区域H13的温度控制，温度传感器94用于进行加热控制区域H14的温度控制，温度传感器95用于进行加热控制区域H15的温度控制。
该例的调整部包括多个加热器71～78以及用于从多个加热器71～78中选择与加热控制区域H11～H14对应的加热器的组合的开关部81～84，这些加热器及开关部相当于基于晶圆W的变形的检测结果来调整加热控制区域H11～H14的在周向上的排列的机构。另外，控制部14具备未图示的排列调整部来代替第一实施方式的朝向调整部65。该排列调整部构成为，基于关于晶圆W的变形的检测结果，将调整四个加热控制区域H11～H14的在周向上的排列的控制信号输出到加热模块11。像这样，在该例中，检测模块12作为检测部和距离测量部来发挥功能，加热模块11作为调整部发挥功能。其它结构与第一实施方式相同，对相同的构成构件标注相同的标记，省略说明。
接下来，参照图13的流程图来说明该例中的晶圆W的加热处理。首先，将晶圆W搬入到检测模块12并载置于保持部53，如已述的那样，利用距离传感器55来检测晶圆W的变形和晶圆W的切口位置(步骤S11)。在控制部14中，基于检测结果，将利用排列调整部来选择加热器71～78的组合的控制信号输出到加热模块(步骤S12)，并且将用于利用温度调整部66来调整各加热控制区域H1～H5的各加热器71～79的温度的控制信号输出到加热模块11(步骤S13)。
例如，在排列调整部中，基于图8的检测结果关于加热器的组合选择第一组合或第二组合并切换开关部81～84，以使变形量最大(在此为Lmax)的周向上的位置P1不在加热控制区域间的边界部的上方接近该边界部。例如，在该例中，例如选择位置P1与离配置位置P1的加热控制区域的中心线近的加热器的组合。
另一方面，在温度调整部66中，例如在配置晶圆W的位置P1的加热控制区域(例如H11)中，基于晶圆的翘曲量与晶圆温度的相关数据，根据晶圆W的翘曲量(Lmax-L0)获取校正温度来进行温度控制。例如与第一实施方式同样地，将基于温度传感器91的检测值得到的温度的校正值与根据翘曲量求出的校正温度相加来进行加热器71、72的温度控制。在其它加热控制区域(例如H12～H15)中，根据基于温度传感器92～95的检测值得到的温度的校正值来进行温度控制，以使加热器73～79成为设定温度。在该例中，针对设置在相同的加热控制区域中的两个加热器，利用对应的温度传感器91～94进行控制，以使这两个加热器的温度彼此相同。
接着，利用搬送机构13将晶圆W从检测模块12搬送到加热模块11，并且交接到热板7(步骤S14)。之后，例如在对各加热控制区域H11～H15进行了温度控制的状态下开始晶圆W的热处理(步骤S15)。之后，利用搬送机构13将进行了规定时间的热处理的晶圆W从加热模块11向其它未图示的模块搬送。
根据上述的实施方式，基于关于晶圆W的变形的检测结果来调整热板7的加热控制区域H11～H14的在周向上的排列，由此调整相对于加热控制区域H11～H14的、晶圆W的周向上的相对朝向。因而，与第一实施方式同样地，即使在晶圆W发生变形而使得晶圆与热板表面之间的距离不一样的情况下，也能够抑制晶圆W中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域H11～H14间的边界，从而能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。另外，关于载置晶圆W的变形量大的部位的加热控制区域，根据基于对应的晶圆W的周缘区域的变形量(翘曲量)求出的校正温度来进行温度控制，因此关于热处理时的晶圆温度能够确保良好的面内均匀性。
接下来，参照图14的概要立体图和图15的俯视图来说明将本发明的基板处理装置应用于涂布显影装置100中的例子。涂布显影装置100具备载置块D1、处理块D2、接口块D3以及曝光装置D4，将晶圆W从在载置块D1的载置台101载置的载置体102取出并交接到处理块D2。处理块D2具备相互层叠的单位块E1、E2、E3各两个。单位块E1为对晶圆W涂布用于形成防反射膜的药液以及对涂布该药液后的晶圆W进行加热处理的块，单位块E2对晶圆W涂布抗蚀剂以及对涂布该抗蚀剂后的晶圆W进行加热处理的块。单位块E3是在被曝光装置D4曝光后进行加热处理(PEB)以及对加热处理后的晶圆W供给显影液的块。
针对各块D1～D3分别设置有晶圆W的搬送机构，将载置体102内的晶圆W按载置块D1→单位块E1→单位块E2→接口块D3→曝光装置D4→接口块D3→单位块E3的顺序进行搬送，并进行上述的各处理。通过这样，形成有抗蚀图案的晶圆W被搬送到载置块D1，并被送回载置体102。
图15是表示单位块E3的俯视图。在沿前后方向延伸的晶圆W的搬送路径103的左右中的一侧，多个模块配置成架状，例如在此处设置多个进行PEB的、本发明的加热模块11，并且设置本发明的检测模块12。在搬送路径的左右中的另一侧设置有向晶圆W供给显影液的显影模块104。
图15中的13为用于在显影模块104、加热模块11、检测模块12以及接口块D3之间搬送晶圆W的搬送机构。借助接口块D3的交接臂105和交接模块106将曝光后的晶圆W搬入到处理块D2。然后，利用搬送机构13搬送到检测模块12，在检测晶圆W的变形之后，搬送到多个加热模块11中的任一个加热模块11。
然后，基于检测模块12的检测结果来调整搬送晶圆W的加热模块11的加热控制区域与晶圆W的相对朝向，并且对加热控制区域进行温度控制。接着，将晶圆W从检测模块12搬送到对应的加热模块11来进行PEB。通过这样，在各加热模块11中，即使例如晶圆W变形为鞍型形状也能够在晶圆W的面内以良好的均匀性进行热处理，因此形成的抗蚀图案的均匀性变高。利用搬送机构13将进行PEB后的晶圆W搬送到显影模块104来进行显影处理。在对显影处理后的晶圆W进行加热处理后，借助交接模块107、交接臂108、109将晶圆W送回载置块D1的载置体102。
上述的涂布显影装置100的单位块E2设置抗蚀剂涂布模块来代替显影模块104，除此之外可以与单位块E3同样地构成为具备检测模块12和加热模块11。关于被抗蚀剂涂布模块涂布了抗蚀剂的晶圆W，在利用检测模块12检测变形之后，基于该检测的结果来调整晶圆W与加热控制区域的相对朝向。接着，将晶圆W搬送到加热模块11来进行加热处理，使所涂布的抗蚀剂干燥而形成抗蚀膜。由此，即使在晶圆W变形为例如鞍型形状的情况下，也能够在晶圆W的面内以高均匀性形成抗蚀膜，从而能够使晶圆W的面内的CD的均匀性提高。
另外，关于单位块E1也是，设置用于形成防反射膜的药液涂布模块来代替显影模块104，除此之外可以呈与单位块E3同样的结构。在该情况下也是，利用检测模块12检测晶圆W的变形，基于该检测的结果来调整晶圆W与加热控制区域的相对朝向，接着，将晶圆W搬送到加热模块11来实施规定的加热处理。
在以上，本发明的基板处理装置无需一定具备用于检测基板的变形的检测部，该变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。例如，也可以在与基板处理装置相分别的装置设置检测部，利用由该检测部检测出的基板的变形的检测结果，通过调整部来调整基板与加热控制区域的在周向上的相对朝向。在该情况下，例如设置于基板处理装置的控制部在线地获取从该基板处理装置的外部发送的与基板的变形有关的信息，基于该信息向例如搬送机构13或用于调整加热控制区域的排列的调整机构输出控制信号。关于从基板处理装置的外部发送的与基板变形有关的信息，例如从检测基板的变形的检测部或具备该检测部的其它装置或上位计算机发送。在该例中，控制部相当于获取与基板的变形有关的信息的变形信息获取部。
在像这样将检测部设置于与基板处理装置相分别的装置时，在第一实施方式中，将图5所示的检测模块设为不设置距离传感器的结构，将该检测模块设置为调整基板的朝向的调整部。另外，在第二实施方式中，无需设置图5所示的检测模块。
另外，检测部不限于图5所示的结构，例如可以为在基板的上方侧设置在与基板正交的方向上测量距基板的距离并且在水平方向上相对于基板移动自如的距离传感器。例如也可以以相对于基板在纵向和横向上相对地移动自如的方式设置距离传感器，由此不仅针对基板的周缘区域测量距基板的距离，还针对基板的中央区域测量距基板的距离，并基于该检测结果求出加热控制区域的校正温度来进行温度控制。并且，翘曲量不限于上述的例子，也可以基于热板23表面与晶圆W之间的距离来获取，还可以根据图8中的距离L与Lmin(晶圆的最低高度位置)之差来获取。并且，也可以应用于并非借助支承销将晶圆载置于热板而是将晶圆直接载置于热板表面的结构中。
此外，以在载置体收纳有多张晶圆的状态将晶圆搬入到基板处理装置，但例如也可以将关于构成作为载置体单位的晶圆群的晶圆组的最先的晶圆获取到的变形信息应用于该晶圆组中所包括的后续的晶圆。
附图标记说明
W：晶圆；11：加热模块；12：检测模块；13：搬送机构；14：控制部；23、7：热板；31～35、71～79：加热器；41～45、91～95：温度传感器；H1～H5、H11～H15：加热控制区域；Z1～Z9：加热区；100：涂布显影装置。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：
加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及
调整部，其基于与基板的变形有关的信息，通过调整基板的周向上的朝向或者多个所述加热控制区域的排列，以使得所述基板的变形最大的部位不被配置于在周向上邻接的加热控制区域的边界处，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具备变形信息获取部，所述变形信息获取部获取所述与基板的变形有关的信息。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述变形信息获取部为用于检测所述基板的变形的检测部。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载置部兼作热板，被沿周向配置的多个加热器进行加热。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述调整部为在将基板载置于载置部之前基于所述与基板的变形有关的信息来调整该基板的朝向的机构。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述调整部为基于所述与基板的变形有关的信息来调整多个所述加热控制区域的在周向上的排列的机构。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述调整部包括：多个加热机构，所述多个加热机构沿载置部的周向配置；以及开关部，其从所述多个加热机构中选择与各加热控制区域对应的加热机构的组合。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述信息为由距离测量部测量出的测量结果，所述距离测量部在与基板正交的方向上沿基板的周向测量距基板的距离。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：
检测部，其用于检测所述基板的周向上的变形；以及
控制部，其基于所述检测部的检测结果来输出用于调整所述基板的周向上的相对朝向的控制信号。
10.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：
检测基板的变形，该基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同；
使用沿载置部的周向设定的多个加热控制区域，基于通过所述检测基板的变形的工序得到的检测结果，通过调整基板的周向上的朝向或者多个所述加热控制区域的排列，以使得所述基板的变形最大的部位不被配置于在周向上邻接的加热控制区域的边界处，各加热控制区域用于对载置于载置部的基板进行加热，且各加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及
在调整了所述基板的周向上的相对朝向的状态下对基板进行加热处理。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
调整所述基板的周向上的相对朝向的工序为在将基板载置于载置部之前基于所述检测结果来调整该基板的朝向的工序。
12.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
调整所述基板的周向上的相对朝向的工序为基于所述检测结果来调整所述多个加热控制区域的在周向上的排列的工序。
13.一种存储介质，存储有在将基板载置于载置部来进行加热处理的基板处理装置中使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于，
所述计算机程序中编入有步骤组，以实施根据权利要求10所记载的基板处理方法。
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