KR102265748B1 - 초고강도 나일론 원사 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초고강도(Super-high Tenacity SHT) 섬유의 특성과 관련된 것으로, 원사 제조 시 용융 온도 및 도관 체류시간을 최소화하여 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 감소된 초고강도 나일론 원사 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

초고강도 나일론 원사 및 이의 제조방법{SUPER-HIGH TENACITY NYLON YARN AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 초고강도 나일론 원사 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
나일론 66은 헥사메틸렌 디아민과 아디프산을 축중합시킴으로서 제조되는 폴리아미드로, 의료용 및 산업용섬유, 플라스틱 성형품 등에 널리 이용되고 있으며, 우수한 특성을 바탕으로 자동차 에어백용 직물, 재봉사, 산업용 로프 등 산업자재 용도로 그 수요가 광범위하게 요구되고 있는 소재이다.
순수 나일론 66 칩을 사용하여 원사를 제조하는 경우에는 헥사메틸렌 디아민과 아디프산 사이의 반응 및 여러 부반응에 의해 프리폴리머 내부에 겔상 물질(gel-like material)이 생성되어, 이후의 후속 공정에서 여러 가지 문제를 일으키게 된다. 이렇게 중합물 내부에 존재하는 겔이 고상 중합단계에서 환상 또는 3차원화 방식으로 계속 성장하게 되고 용융 및 방사단계에서 더욱 성장, 발전하는 동시에 새로운 겔이 생성되어 용융상 필라멘트 내부에 구정(spherulite)를 발생시킨다. 이러한 겔 발생이 많으면 방사 팩 및 노즐 필터에 포집되어 필터 교체 주기 단축 등의 방사 작업성을 저하시키고 일부 크기가 작은 겔은 미연신사에 포함되어 연신 공정에서 연신성, 작업성 및 원사 강도를 저하시키는 요인으로 작용한다.
한편, 고강도 나일론 66 원사 제조 시 방사성 증가 및 고연신을 위해 용융온도를 일반 원사 대비 10~20℃ 이상 증가시키며, 이로 인해 겔화의 주원인 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 높은 원사가 제조된다. 이에, 원사 내 BHMT 함량을 최소화함으로써 고강도 나일론 원사는 제조하는 기술 개발이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 초고강도 나일론 원사 제조 시 용융 온도 및 도관 체류시간을 최소화하여 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 감소된 초고강도 나일론 원사 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 초고강도 나일론 원사는 폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩을 압출기에서 용융하는 단계; 용융된 칩을 도관을 통해 방사팩으로 이송하고, 방사팩 및 방사구금을 통하여 압출하는 단계; 상기 방사구금 아래에서 냉각 후, 미연신사를 인취하는 단계; 및 상기 미연신사를 다단 연신, 열처리 및 이완을 거쳐 연신사를 권취하는 단계를 포함하여 제조되며, 상기 도관 내부의 온도는 270~300℃이고, 상기 용융된 칩의 도관 내 여과 체류시간은 120초 이하일 수 있다.
또, 상기 초고강도 나일론 원사는 강도가 10.6g/d 이상이고, 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 200ppm 이하일 수 있다.
또한, 상기 원사의 배향도는 60~70Х10-3이며, 상기 원사의 상대점도(RV)는 3.3~3.4dl/g일 수 있다.
또한, 상기 원사는 딥코드의 강력이용율이 80% 이상일 수 있다.
아울러, 상기 미연신사의 배향도는 3~6Х10-3일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 초고강도 나일론 원사의 제조방법은 나일론의 초고강도(Super-high Tenacity SHT) 섬유의 특성과 관련된 것으로 원사 제조 공정을 조절하여 원사 내 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량을 최소화할 수 있다. 이로 인하여, 나일론 원사의 강도가 증가할 수 있고, 딥 코드 제조 시 강력 이용율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하고자 한다.
일 실시예에 따른 초고강도 나일론 원사의 제조방법은 폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩을 압출기에서 용융하는 단계; 용융된 칩을 도관을 통해 방사팩으로 이송하고, 방사팩 및 방사구금을 통하여 압출하는 단계; 상기 방사구금 아래에서 냉각 후, 미연신사를 인취하는 단계; 및 상기 미연신사를 다단 연신, 열처리 및 이완을 거쳐 연신사를 권취하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 본 발명에 사용되는 폴리헥사메틸렌아디프아미드 중합물은 최소한 85몰%의 헥사메틸렌아디프아미드 반복 단위를 함유하며, 바람직하게는 헥사메틸렌아디프아미드 단위만으로 구성된다.
선택적으로, 상기 폴리헥사메틸렌아디프아미드 대신에 임의의 폴리아미드 단독중합체 및 공중합체가 사용될 수 있다. 이러한 폴리아미드는 주로 지방족이며, 폴리(헥사메틸렌 아디프아미드) (나일론 66); 폴리(e-카프로아미드) (나일론 6); 및 그들의 공중합체 등의 널리 사용되는 나일론 중합체가 사용될 수 있으나, 나일론 66을 사용하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 유리하게 사용될 수 있는 기타 나일론 중합체는 나일론 12, 나일론 46, 나일론 610 및 나일론 612 등이 있다.
나일론 66은 헥사메틸렌 디아민과 아디프산을 축중합시킴으로서 제조되는 폴리아미드일 수 있다. 이때, 하기 반응식과 같이 헥사메틸렌 디아민과 아디프산의 축중합 반응 시 부가 생성물로 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT)이 생성될 수 있다. 이러한 2가 아민기(-NH-)인 BHMT는 나일론 중합물 겔화의 주원이다.
[반응식 1]
Figure 112020006121219-pat00001
이러한 2가 아민기(-NH-)인 BHMT는 나일론 중합물 겔화의 주원이다. 2가 아민기는 탈암모니아 반응에 의해 형성되며, 이것이 주사슬 상에 곁가지를 형성하는 분기점(branching point)으로 작용하여 하기 반응식 2와 같이 말단 카르복실기와 반응하여 삼차원구조를 형성함으로써 겔화되는 것으로 알려져 있다.
[반응식 2]
Figure 112020006121219-pat00002
결론적으로, 나일론 66 용융 시 용융열에 의하여 말단 카르복실기와 반응하여 삼차원구조를 형성하는 상기 반응이 촉진되거나, 나일론 66 분자쇄가 절단되며, 이로 인하여 헥사메틸렌 디아민, 아디프산이 생성되고 반응하게 된다. 또한, 생성된 헥사메틸렌 디아민 아디프산의 반응 시 부가 생성물로 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT)이 생성되며, 하드겔이 생성되는 문제가 발생하게 된다. 이러한 하드겔로 인하여 추후 연신공정에서 연신성 및 작업성이 저하되며, 원사의 강도가 저하되는 문제가 발생하게 된다.
한편, 본 발명은 초고강도 나일론 원사 제조 시 용융 온도 및 도관 체류시간을 최소화하여 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량을 최소화하는 것을 특징으로 한다.
또한, 폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩은, 열안정성 향상을 위하여 최종 중합체 중의 구리 금속으로서의 잔존량이 50 내지 80 ppm이 되도록 하는 양으로 첨가할 수 있는데, 이 양이 50 ppm보다 적으면 방사시 열안정성이 떨어져서 열분해가 일어나고, 80 ppm보다 많으면 필요 이상의 구리 금속이 이물질로 작용하여 방사 시 문제가 된다.
이후, 압출기에서 용융된 폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩을 도관을 통해 방사팩으로 이송하고, 방사팩 및 방사구금을 통하여 압출할 수 있다. 여기서, 상기 도관 내부의 온도는 270~300℃일 수 있으며, 바람직하게는 290~300℃, 보다 바람직하게는 290~295℃일 수 있다. 또한, 상기 용융된 칩의 도관 내 여과 체류시간은 120초 이하일 수 있으며, 바람직하게는 100초 이하, 보다 바람직하게는 70초 이하일 수 있다. 이와 같이 칩 용융 시 도관 온도(용융 온도)를 감소시킴으로써 열량을 감소시키고, 도관 내 용융물의 체류시간을 감소시킴에 따라, 겔화의 주원인 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 원사 내 200ppm 이하로 최소화할 수 있다.
폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩을 팩 및 노즐을 통해 바람직하게는 270 내지 310℃의 방사온도에서, 바람직하게는 20 내지 200의 방사 드래프트비(최초 권취롤러 위에서의 선속도/노즐에서의 선속도)로 저온 용융방사함으로써 열분해에 의한 중합체의 점도의 저하를 방지할 수 있다. 방사 드래프트비가 20보다 작으면 필라멘트 단면 균일성이 나빠져 연신작업성이 현저히 떨어지고, 200을 초과하면 방사 중 필라멘트 파손이 발생하여 정상적인 원사를 생산하기 어렵게 된다.
또한, 본 발명에서는 방사구금에 있어 압출기 스크류의 L/D(길이/직경)값을 2.0 내지 6.0으로 하는 것이 바람직하다. 이때, 스크류의 L/D값이 2.0 미만이면 모노필라멘트 데니어 단면변동률이 높아지게 되어 섬유의 강력 이용율이 떨어지게 되고, L/D값이 6.0 초과면 팩의 압력 상승에 따른 공정성 저하 문제가 발생하게 된다.
이후, 용융방출사를 냉각구역을 통과시켜 급냉고화시킨다. 냉각구역에서는 냉각공기를 불어주는 방법에 따라 오픈 냉각(open quenching)법, 원형 밀폐 냉각(circular closed quenching)법 및 방사형 아웃플로우 냉각(radial outflow quenching)법 등을 적용할 수 있으며, 오픈냉각(open quenching)법이 바람직하다. 이어, 냉각구역을 통과하면서 고화된 방출사를 단사간 마찰계수를 줄임과 동시에 연신성, 열효율이 우수한 유제를 적용한 유제 부여장치에 의해 방출사에 대해 0.5 내지 1.0%로 오일링할 수 있다.
이때, 원사 방사 공정 중 고뎃 롤러 1에서 채취한 미연신사(UDY)의 배향도는 3~6Х10-3인 것이 바람직하다. 미연신사의 배향도가 낮을수록 고강도 원사 제조에 유리한 이점이 있다.
이후, 미연신사를 3 이상인 n개의 연신 고뎃 롤러를 통과시켜 다단 연신하여 권취하여 원사를 제조할 수 있다. 이때, 5개의 고뎃롤러를 통과시키는 것이 바람직하다.
구체적으로, 제1 고뎃 롤러를 통과한 사를 스핀드로(spin draw) 공법으로 제2 내지 제5 고뎃 롤러를 통과시키면서 총연신비 4.0배 이상, 바람직하기로는 4.5 내지 6.5으로 연신시킴으로써 최종 연신사를 얻을 수 있다. 연신비가 4.5 미만이면 생산성이 저하되고 원사 및 코드의 강도가 저하되며, 연신비가 6.5를 초과할 경우에는 연신작업성이 저하되고 사절이 발생하며 원사의 강력이용률이 감소할 수 있어 바람직하지 못하다.
이때, 제1 고뎃 롤러의 온도는 상온이고, 제2 고뎃 롤러의 온도는 상온 내지 90℃, 제3 고뎃 롤러의 온도는 120 내지 230℃, 제4 고뎃 롤러의 온도는 180 내지 250℃, 제5 고뎃 롤러의 온도는 상온 내지 150℃로 하는 것이 바람직하다.
또한, 제1 고뎃 롤러의 연신 속도(방사속도)는 550m/min 이상일 수 있으며, 바람직하게는 550~620m/min일 수 있다. 제n-1 고뎃 롤러, 바람직하게는 제4 고뎃 롤러의 연신 속도(권취속도)는 3,000m/min 이상일 수 있으며, 바람직하게는 3000~3500m/min일 수 있다. 이 경우, 제4 고뎃 롤러의 속도/제1 고뎃 롤러의 속도인 총 연신비는 4.8~6.4일 수 있다.
한편, 상기 다단 연신하고 권취하는 단계에서 원사에 릴렉스(relax)율을 3% 이하로 부여할 수 있다. 이때, 상기 릴렉스율은 제n-1 고뎃 롤러의 연신 속도/제n 고뎃 롤러의 연신 속도, 바람직하게는 제4 고뎃 롤러의 속도/제5 고뎃 롤러의 속도일 수 있다.
전술한 바와 같이 제조된 나일론 원사는 제조 시 용융 온도 및 도관 체류시간을 최소화함에 따라, 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 감소되어 BHMT 함량이 200ppm 이하일 수 있으며, 바람직하게는 180ppm 이하, 보다 바람직하게는 160ppm 이하일 수 있다. 이와 같이 원사 내 BHMT 함량이 최소화됨에 따라, 원사의 강도가 10.6g/d 이상, 바람직하게는 10.8g/d 이상으로 강도가 증가되며, 원사의 배향도는 60~70Х10-3이며, 상대점도(RV)는 3.3~3.4dl/g일 수 있다. 또한, 나일론 원사는 딥코드의 강력이용율이 80% 이상, 바람직하게는 85% 이상으로 향상될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
구리 금속을 각각 80ppm 포함하는 상대점도(RV) 3.4인 폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩을 압출기를 사용하여 20의 방사 드래프트비로 용융방사하였다. 이때, 중합체 도관 내부의 온도 및 용융된 칩의 도관 내 여과 체류시간은 하기 표 1에 기재된 바와 같이 조절하였다. 또한, 방사팩 내 여과 체류시간은 17초이고, 사용된 방사노즐의 L/D값을 2로 조정하였으며, 2개의 유니트를 갖는 스태틱 믹서(static mixer)를 방사팩의 중합체 도관 내에 설치하여 용융방사되는 중합체를 고르게 혼합시켰다. 이어, 방출사를 길이 600mm의 냉각구역을 통과시켜 고화시킨 다음, 방사 유제로 오일링하였다. 이후, 미연신사를 470m/분의 방사속도로 권취하고, 3단 연신시켰다. 총 연신비 6에서 8% 이완시킨 다음 권취하여 최종 연신사를 제조하였다.
[실시예 2 내지 4]
중합체 도관 내부의 온도 및 용융된 칩의 도관 내 여과 체류시간은 하기 표 1 또는 표 2에 기재된 바와 같이 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 과정을 통하여 나일론 연신사를 각각 제조하였다.
[비교예 1 내지 4]
중합체 도관 내부의 온도 및 용융된 칩의 도관 내 여과 체류시간은 하기 표 1 또는 표 2에 기재된 바와 같이 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 과정을 통하여 나일론 연신사를 각각 제조하였다.
[실험예]
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 각각 제조된 나일론 원사의 물성은 하기와 같은 방법을 이용하여 평가하였으며, 그 결과는 하기 표 2 및 표 3에 나타내었다.
1. BHMT 함량
1) Standard
① BHMT 10mg을 6N HCl 10mL에 녹여 1000ppm standard 용액을 제조하였다.
② ①의 BHMT standard 2mL를 취한 다음 6N NaOH 2mL로 중화하였다.
③ ②번 용액에 6N NaOH(saturated with KCl) 4ml + IPA 4ml 첨가하였다.
④ 상기 용액을 1분간 shaking하고 IPA(organic phase) 층을 분리하여 GC/FID로 측정하였다.
2) 시료 전처리
① 시료 1g을 6N HCl 10mL에 녹여 1000ppm standard 용액을 제조하였다.
② ①의 용액을 상온에서 cooling한 후, 6N NaOH 3mL를 첨가하여 중화하였다.
③ ②번 용액 4mL + 6N NaOH(saturated with KCl) 4ml + IPA 4ml 첨가하였다.
④ 상기 용액을 1분간 shaking하고 IPA(organic phase) 층을 분리하여 GC/FID로 측정하였다.
3) GC/FID 분석 조건
이때, 상기 GC/FID 분석 조건은 하기 표 1과 같이 조절하였다.
Instrument Agilent 8890 GC/FID
Column RTX-5 Amine
Inlet 270℃, Split mode (5:1)
Flow Rate Constant Flow 1ml
Oven 50℃ (5min 유지) → (10℃/min) → 250℃ (25min 유지), Run time 50min
Det 270℃ (30ml/min H2, 300ml/min Air)
2. 강력, 강도 및 절신
원사를 표준상태인 조건, 즉 25℃ 온도와 상대습도 65%RH 인 상태인 항온 항습실에서 24시간 방치 후, ASTM 2256 방법으로 시료를 인장 시험기를 통해 측정하였다.
3. 배향도
배향도(복굴절율)(△n)은 다음 식으로 계산한다. 리타데이션(R)은 편광현미경에 베렉컴펜세이터를 부착하여 시료에 의한 간섭 색도로부터 구한다.
△n = R/d
(여기서, d는 시료의 두께(㎜)이다.)
4. 상대점도(RV)
황산(90%)에 시료 0.1g을 농도가 0.4g/100ml 되도록 90분간 용해시킨 후 우베로데(Ubbelohde) 점도계에 옮겨 담아 30℃ 항온조에서 10분간 유지시키고, 점도계와 흡인장치(aspirator)를 이용하여 용액의 낙하 초수를 구했다. 용매의 낙하 초수도 동일한 방법으로 구한 다음, 하기 수학식에 의해 R.V.값을 계산하였다.
R.V. = 시료의 낙하 초수/용매의 낙하 초수
5. 딥코드의 강력이용율 측정
연사 후 강력: 원사 3가닥을 각각 490꼬임수/m의 상연과 하연을 부여하여 인장시험기로 강력을 측정한 후, 하기 식으로부터 강력 이용율을 계산하였다.
강력 이용율(%) = [연사강력/(원사강력 Х 3)] Х 100(%)
도관 체류시간별 평가 비교예 1 비교예 2 비교예 3 실시예 1 실시예 2
도관 조건 도관온도(℃) 300 300 300 300 300
도관 내 체류시간 (sec) 186 154 121 98 62
원사 BHMT 함량(ppm) 249 237 202 184 170
데니어(denier) 1914 1910 1910 1908 1912
강력(kgf) 20 20 20 20 21
강도(g/d) 10.3 10.5 10.6 10.6 10.8
절신(%) 20 21 19 20 20
배향도(△nХ10-3) 65.4 65.6 64.9 65.8 65.2
원사 점도(RV) 3.32 3.31 3.34 3.41 3.42
미연신사 배향도(△nХ10-3) 3.3 5.2 5.6 4.9 5.7
딥코드 강력(kgf) 46 47 49 50 54
강력이용율(%) 76 79 81 84 85
표 2를 참조하면, 실시예에 따라 제조한 나일론 원사는 제조 시 도관 내 체류시간을 감소시킴에 따라 원사 내 BHMT 함량이 200ppm 이하로 최소화된 것을 확인할 수 있었다. 이로 인하여 원사의 강도가 증가하며, 딥코드 제조 시 강력이용율 또한 증가함을 알 수 있었다.
도관 체류시간별 평가 비교예 4 실시예 3 실시예 4
도관 조건 도관온도(℃) 300 295 290
도관 내 체류시간 (sec) 120 120 120
원사 BHMT 함량(ppm) 208 187 154
데니어(denier) 1910 1914 1908
강력(kgf) 20 21 21
강도(g/d) 10.6 10.8 11.0
절신(%) 19 20 18
배향도(△nХ10-3) 64.9 65.6 63.7
원사 점도(RV) 3.34 3.38 3.44
미연신사 배향도(△nХ10-3) 5.6 5.4 5.5
딥코드 강력(kgf) 49 53 56
강력이용율(%) 81 84 89
표 3을 참조하면, 실시예에 따라 제조한 나일론 원사는 제조 시 도관 온도를 감소시킴에 따라 원사 내 BHMT 함량이 200ppm 이하로 최소화된 것을 확인할 수 있었다. 이로 인하여 원사의 강도가 증가하며, 딥코드 제조 시 강력이용율 또한 증가함을 알 수 있었다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (5)

  1. 강도가 10.6g/d 이상이고, 배향도가 60~70Х10-3이며, 상대점도(RV)는 3.38~3.44dl/g이며, 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 200ppm 이하인 초고강도 나일론 원사.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 원사는 딥코드의 강력이용율이 80% 이상인 초고강도 나일론 원사.
  4. 폴리헥사메틸렌아디프아미드 칩을 압출기에서 용융하는 단계;
    용융된 칩을 도관을 통해 방사팩으로 이송하고, 방사팩 및 방사구금을 통하여 압출하는 단계;
    상기 방사구금 아래에서 냉각 후, 미연신사를 인취하는 단계; 및
    상기 미연신사를 다단 연신, 열처리 및 이완을 거쳐 연신사를 권취하는 단계를 포함하며,
    상기 도관 내부의 온도는 270~300℃이고, 상기 용융된 칩의 도관 내 여과 체류시간은 120초 이하이고,
    상기 미연신사의 배향도는 3~6Х10-3이며, 상기 연신사 내 비스-헥사메틸렌 트리아민(bis-hexamethylene triamine, BHMT) 함량이 200ppm 이하인 초고강도 나일론 원사의 제조방법.
  5. 삭제
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