KR102258312B1 - 정전식 클램프를 제조하는 방법, 정전식 클램프 및 정전식 클램프 시스템 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정전식 클램프를 제조하는 방법, 정전식 클램프 및 정전식 클램프 시스템을 제공한다. 일 실시예에서, 정전식 클램프를 제조하는 방법은 절연체 바디를 형성하는 단계, 절연체 바디위에 전극을 형성하는 단계, 및 전극 위에 층 스택을 증착하는 단계를 포함하고, 층 스택은 원자 층 증착 (ALD)을 이용하여 증착된 알루미늄 옥사이드 층을 포함한다.
Description
본 실시예들은 기판 프로세싱에 관한 것으로 보다 상세하게는, 기판들을 보유하기 위한 정전식 클램프들에 관한 것이다.
기판 홀더들 예컨대 정전식 클램프들은 반도체 제조, 솔라 셀 제조, 및 다른 컴포넌트들의 프로세싱을 포함하는 많은 제조 프로세스들에 폭넓게 사용된다. 많은 기판 홀더들은 희망하는 온도에서 기판을 프로세싱하기 위해 기판 가열 뿐만 아니라 기판 냉각을 제공한다. 정전식 클램프들은 상승된 온도, 예컨대 400 ℃ 또는 그 이상에서 동작될 때 다수의 상이한 고장 메커니즘들을 나타낸다. 하나는, 정전식 클램프의 유전체 부분에 존재하는 금속성 엘리먼트들이 유전체 부분에서 침출되어 인접한 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼로 도입될 때 바람직하지 않은 금속 오염이 일어날 수 있다.
다른 고장 메커니즘은 정전식 클램프의 클램핑 전극내 금속 재료가 이동하게 될 때의 전기적이동(electromigration)을 포함한다. 이것은 클램프 전류에 증가로 이어질 수 있고, 궁극적으로는 기판에 인가되는 클램핑 힘을 축소시킬 수 있다.
본 출원은 본 개선들이 요구되는 이런 저런 사항들에 대한 것이다.
이 요약은 이하의 상세한 설명에서 추가로 설명되는 엄선한 개념들을 간략화된 형태로 소개하기 위해 제공된다. 이 요약은 청구된 내용의 주요 특징들 또는 핵심 특징들을 식별하도록 의도되지 않으며, 또한 청구된 내용의 범위를 결정하는데 보조수단으로서 의도되지도 않는다.
일 실시예에서, 정전식 클램프를 제조하는 방법은 절연체 바디를 형성하는 단계, 상기 절연체 바디 위에 전극을 형성하는 단계, 및 상기 전극 위에 층 스택을 증착하는 단계를 포함하되, 상기 층 스택은 원자 층 증착 (ALD)을 이용하여 증착된 알루미늄 옥사이드 층을 포함한다.
다른 실시예에서, 정전식 클램프는 절연체 바디, 상기 절연체 바디 위에 배치된 전극, 및 10 마이크로미터 또는 그 미만의 두께를 갖는 비정질 알루미늄 옥사이드 층 및 적어도 하나의 추가 절연체 층을 포함하는 층 스택(layer stack)을 포함한다.
추가 실시예에서, 정전식 클램프 시스템은 절연체 바디, 상기 절연체 바디 위에 배치된 금속 재료를 포함하는 전극, 100 마이크로미터보다 작은 총 두께의 절연 재료를 포함하고, 10 마이크로미터 또는 그 미만의 두께를 갖는 비정질 알루미늄 옥사이드 층을 포함하는 층 스택; 및 상기 절연체 바디를 가열하도록 구성된 히터를 포함할 수 있고, 상기 정전식 클램프는 상기 층 스택을 통과하여 상기 금속 재료의 확산없이 500℃ 또는 더 큰 온도에서 동작하도록 구성된다.
도 1 은 본 개시의 실시예들에 따른 정전식 클램프 시스템을 도시한다;
도 2a는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 조립된 정전식 클램프 부분의 측부 단면도를 도시한다;
도 2b는 본 개시의 다양한 추가 실시예들에 따른 조립된 정전식 클램프 부분의 측부 단면도를 도시한다;
도 3a는 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석(secondary ion mass spectroscopy analysis)의 결과들을 도시한다;
도 3b는 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3c는 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3d는 추가의 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3e는 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3f는 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3g는 추가의 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3h는 제어 샘플의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3i는 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다; 및
도 4 는 대표적인 프로세스 플로우이다.
도 2a는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 조립된 정전식 클램프 부분의 측부 단면도를 도시한다;
도 2b는 본 개시의 다양한 추가 실시예들에 따른 조립된 정전식 클램프 부분의 측부 단면도를 도시한다;
도 3a는 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석(secondary ion mass spectroscopy analysis)의 결과들을 도시한다;
도 3b는 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3c는 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3d는 추가의 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3e는 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3f는 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3g는 추가의 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3h는 제어 샘플의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다;
도 3i는 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다; 및
도 4 는 대표적인 프로세스 플로우이다.
본 실시예들은 최근 정전식 클램프들에서 발견되는 다수의 이슈들을 다루는 확산 방지 정전식 클램프를 제공한다. 본 실시예들에서, 확산 방지 층 스택(diffusion resistant layer stack)은 정전식 클램프의 전극과 정전식 클램프에 의해 보유되는 기판 사이에 제공된다. 확산 방지 층 스택은 동작 동안 다른식으로는 기판을 오염시킬 수 있는 정전식 클램프로부터의 금속 침출(leaching)을 억제할 수 있다. 확산 방지 층 스택은 동작 동안 클램핑 금속 전극에 유도된 전기적이동 때문에 발생할 수 있는 정전식 클램프의 클램핑 힘의 축소를 또한 방지할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 확산 방지의 층 스택(layer stack)는 적어도 하나의 층일 수 있고, 특정 실시예들에서 층 스택은 다수의 층들로 만들어진다. 층 스택은 정전식 클램프와 기판 사이의 전기장 생성을 지원하기 위해서 전기적으로 절연일 수 있다. 일부 실시예들에서, 층 스택의 각각의 층은 전기적으로 절연이다. 일부 실시예들에서, 층 스택의 적어도 하나의 층은 원자 층 증착 (ALD)에 의해 형성될 수 있다. 원자 층 증착 (“ALD 층”)에 의해 형성된 적어도 하나의 층은 정전식 클램프에 존재할 수 있는 금속들에 대한 증강된 확산 저항력을 제공할 수 있다. 본 실시예들에 따른 확산 방지 ALD 층을 위한 적절한 재료는 알루미늄 옥사이드 (Al2O3)를 포함한다.
원자 층 증착 (ALD)은 화학적 기상 증착 (CVD)에 관련된 증착 방법이다. ALD에서, 재료의 고정된 양을 증착시키는 완전한 단일의 전체 증착 사이클에 대하여 개별 전구체들을 이용하여 다수의 별개의 반응들 (예컨대 두개의 별개의 반응들의 경우에서 하프-사이클들)은 순착적으로 수행된다. 이원 화합물 예컨대 알루미늄 옥사이드의 증착동안 형성될 층은 두개의 상이한 하프-사이클들의 반복에 의해 증착된다. 각각의 하프-사이클 후에, 제 1 전구체에 의해 공급된 반응 종들의 고정된 양은 기판 표면 위에 잔존한다. 이상적으로는, 반드시는 아니지만, 제 1 종들의 단일 단일층(monolayer)이 제 1 하프 사이클 후에 생성될 수 있다. 제 1 종들의 단일층의 각각의 종들은 다음 하프 사이클에 공급되는 제 2 전구체의 종들과 반응될 수 있다. 각각의 하프-사이클에서, 반응 종들 공급에 후속하여, 증착 재료의 임의의 반응되지 않은 종들을 제거하기 위한 퍼지(purge)가 수행될 수 있다. 한 사이클에서 반응된 총 재료의 양은 따라서 각각의 반응물질의 단일층에 동등할 수 있다. 이런식으로, 각각의 사이클은 임의의 다른 사이클과 동일한 재료의 양을 생성할 수 있다. 따라서, 넓은 프로세스 윈도우내에서, 층의 총 두께는 단지 수행된 사이클들의 수에 의존한다. 게다가, 이런 층의 마이크로구조는 층 A, 층 B, 층 A, 층 B, 및 등등과 같은 컴포넌트 재료의 교번하는 단일층들에 의해 특징지어질 수 있다.
이제 도면들로 가서, 도 1에는 본 개시의 실시예들에 따라 배열된 정전식 클램프 시스템 (100)가 도시된다. 정전식 클램프 시스템 (100)는 프로세싱을 위한 기판 (104)을 보유하고 지지하기 위한 정전식 클램프 (102)를 포함한다. 정전식 클램프 시스템 (100)는 전극 (108)에 전압을 인가하도록 구성된 전압 서플라이 (106)를 포함한다. 결과로서, 기판 (104)을 클램핑할 수 있는 전기장 E가 생성된다. 비록 정전식 클램프 (102)가 단일 전극을 갖는 것으로 예시되었지만, 정전식 클램프 (102)는 일부 실시예들에서 다수의 전극들을 포함할 수 있고, 상이한 실시예들에서 DC 전압 또는 AC 전압을 갖는 통상의 정전식 클램프들에서처럼 동작할 수 있다.
정전식 클램프 (102)는 일부 실시예들에서 금속 재료일 수 있는 베이스(base) (110)를 포함한다. 다양한 실시예들에서, 베이스 (110)는 히터 (112)를 포함할 수 있다. 히터 (112)는 프로세싱 동안에 정전식 클램프 (102)를 따라서 기판 (104)을 가열하도록 디자인된다. 일부 실시예들에서, 히터는 400 ℃ 또는 더 큰, 500 ℃ 또는 더 큰 예컨대 600 ℃, 또는 800℃의 기판 온도를 생성하도록 디자인될 수 있다. 다른 실시예들에서 정전식 클램프 (102)는 정전식 클램프에 외부에 있거나 또는 정전식 클램프에 부착된 히터에 의해 가열될 수 있다.
비록 도 1에 도시되지 않았지만, 정전식 클램프 시스템 (100)는 통상의 정전식 클램프들에서 처럼 기판 (104)과 정전식 클램프 사이에 열 전도를 제공하기 위해서 정전식 클램프 (102)내에 가스 분배 시스템 (미도시)으로 가스를 전달하는 가스 소스를 포함할 수 있다.
정전식 클램프 (102)는 베이스에 인접한 절연체 바디 (114)를 또한 포함한다. 일부 실시예들에서, 절연체 바디(insulator body)는 알루미나(alumina)로 제조된다. 적어도 하나의 절연체 층을 포함할 수 있는 층 스택(layer stack) (116)이 절연체 바디 (114)의 적어도 일부 위에 배치된다. 층 스택은 또한 전극 (108)을 커버할 수 있어서 전극 (108)은 도시된 바와 같이 절연체 바디 (114)와 층 스택 (116) 사이에 배치된다. 정전식 클램프 시스템 (100)의 동작동안, 전극 (108)에 의해 발생된 전기장 E 및 히터 (112)에 의해 발생된 고온의 조합은 전극 (108)으로부터 금속 종들의 확산을 강요하는 힘을 발휘시킬 수 있다. 금속 종들이 이 이동을 방지하거나 또는 낮추기 위해서, 층 스택 (116)은 증강된 확산 저항력을 제공하는 적어도 하나의 층을 포함한다. 이하에서 설명될 특정 실시예들에서, 적어도 하나의 층은 원자 층 증착(atomic layer deposition)에 의해 형성된다.
도 2a는 일 실시예에 따른 정전식 클램프 (102)의 부분 (120)의 클로즈업 뷰를 도시한다. 이 실시예에서, 층 스택 (116)은 다수의 층들을 포함한다. 예시된 바와 같이 층 (202)은 전극 (108) 및 절연체 바디 (114)의 부분 위에 배치된다. 추가의 층, 층 (204)은 층 (202)위에 배치되고, 추가의 층, 층 (206)은 층 (204)위에 배치되고 기판 (104)에 인접한다. 기판 (104)을 지지하는 역할을 하는 표면 특징부(feature)들 (208)이 층 (206) 위에 형성될 수 있고, 이면 가스(backside gas)가 기판 (104)과 정전식 클램프 (102) 사이에 제공될 수 있는 영역들을 추가로 정의할 수 있다.
다양한 실시예들에서 층 (202), 층 (204), 및 층 (206)은 절연체(insulator)들이다. 일부 실시예들에서, 층 (202)은 ALD에 의해 형성되고 통상의 정전식 클램프들에 비하여 전극 (108)으로부터의 재료의 확산에 대한 증강된 저항력을 제공한다. 특정 실시예들에서, 층 (202)은 ALD에 의해 형성되지만 층 (204) 및 층 (206)은 다른 프로세스들, 예컨대 물리적 기상 증착 (PVD), 화학적 기상 증착 (CVD), 또는 플라즈마 증강된 화학적 기상 증착 (PECVD)에 의해 형성된다. 그러나, 실시예들은 이 상황에 제한되지 않는다. 일부 실시예들에서, 층 스택 (116)의 총 두께는 40 마이크로미터 내지 200 마이크로미터일 수 있다.
일부 실시예들에서 층 (202)은 ALD에 의해 형성된 Al2O3 층이다. 특별히, 층 (202)은 0.5 마이크로미터 (500 나노미터들) 내지 10 마이크로미터 범위에 두께를 갖는 Al2O3 층 (또한 본 출원에서 “알루미늄 옥사이드(aluminum oxide)”로 언급되는)일 수 있다. 다양한 실시예들에서, ALD에 의해 형성된 알루미늄 옥사이드 층은 증착된 대로의 비정질 층(amorphous layer)일 수 있다. 언급된 바와 같이, ALD에 의해 형성된 비정질 알루미늄 옥사이드 층의 특성은 층을 통한 종들의 확산에 대한 저항력이 있는 핀홀이 없는(pinhole-free) 마이크로구조를 포함할 수 있다. 게다가, 알루미늄 옥사이드 층은 정전식 클램프들에 대하여 사용되는 통상의 사용 온도에서, 예컨대 800℃ 또는 그 이하에서의 비정질을 유지할 수 있다. 실시예들은 이 상황에 제한되지 않는다. 일부 실시예들에서, ALD에 의해 형성된 Al2O3 층의 추가 특징은 Al2O3 층내에 알루미늄 및 산소외에 추가 원소들의 부존재이며, 추가의 원소들은 다른 기술들 예컨대 통상의 화학적 기상 증착 또는 물리적 기상 증착에 의해 성장된 Al2O3 층들에서 발견될 수 있다.
정전식 클램프 (102)에서, ALD에 의해 형성된 Al2O3 재료로 구성된 층 (202)의 실시예는 다수의 목적들을 제공할 수 있다. 첫번째로, 층 (202)은 전극 (108)으로부터의 하지의(underlying) 금속의 삼출(out-diffusion)을 방지하는 확산 장벽(diffusion barrier)으로서 역할을 한다. 두번째로, 층 (202)은 정전식 클램프 애플리케이션에서 적절하게 수행하기 위해 유전체에 요구되는 전압 격리 애자(voltage standoff)의 실질적 부분을 제공하는 고 유전 세기 코팅(high dielectric strength coating)으로서 역할을 한다. 일부 구현예들에서, 전압 서플라이 예컨대 전압 서플라이 (106)는 전극 (108)(뿐만 아니라 미도시인 다른 전극들) 위에 200 내지 1000 볼트의 전압을 생성할 수 있다. 예시된 바와 같이, (유전체) 층 스택 (116)은 1000 V 전위에 있을 수 있는 전극 (108)과 기판 (104)사이에 삽입된다. ALD 증착된 Al2O3에 대한 유전 세기(dielectric strength)는 마이크로미터당 1000 V 만큼 높게 보고되었다. 따라서, ALD-증착된 Al2O3 층의 두께, 층 (202)이 1 마이크로미터 또는 그 이상인 실시예들에서, 층 (202)은 심지어 총 두께가 150 내지 200 마이크로미터까지의 범위에 이를 수 있는 층 (204) 및 층 (206)의 유전 세기의 고려없이 1000V까지의 전압들에 대한 유전체 파괴(dielectric strength)에 대한 충분한 저항력을 제공할 수 있다.
추가의 실시예들에서, 층 (202)은 ALD에 의해 형성된 Al2O3 층이지만, 층 (204)은 PVD에 의해 형성된 알루미늄 산화질화물 (ALON) 층이고, 층 (206)은 PECVD에 의해 형성된 실리콘 나이트라이드 층이다. 다른 실시예들에서, 개별적으로, PVD에 의해 형성된 ALON 층 및 PECVD에 의해 형성된 실리콘 나이트라이드일 수 있는 층 (204) 및 층 (206)은 일련의 층들, 층 (204), 층, (206), 층 (204), 층 (206), 및 등을 형성하기 위해 반복적으로 증착될 수 있다. 다시 말해서 알루미늄 산화질화물 층일 수 있는 층 (204) 및 실리콘 나이트라이드 층일 수 있는 층 (206)은 층 (202)위에 형성된 상층 스택(overlayer stack)인 것으로 간주될 수 있다. 이 상층 스택은 이어 희망하는 양까지 층 스택의 총 두께를 빌드업(buildup)하기 위해 적어도 두번 증착될 수 있다. 이것은 층 스택 (116)의 총 두께를 100-200 마이크로미터까지 빌드업하기에 유용할 수 있고, 각각의 개별 층의 두께는 훨씬 작아서, 예컨대 일 마이크로미터 또는 10 마이크로미터의 크기이다. 실시예들은 이 상황에 제한되지 않는다. PVD ALON의 사용은 고 유전 상수, 예컨대 9의 값 초과를 유지하면서 층 스택 (116)의 전체 유전 세기를 증가시키기 위해서 유전체 두께를 추가할 수 있다. 추가하여, PVD ALON의 사용은 고 순도 (>99.95%)를 유지할 수 있다. 실리콘 나이트라이드 층의 사용은 건식 에칭 프로세싱에 의해 패턴화가능한 컨택 표면을 제공할 수 있어서, 기판 (104)이 정전식 클램프 (102)로 당겨질 때 가스 시일(gas seal)들로서 역할을 할 수 있는 표면 특징부들 (208) 뿐만 아니라 다른 특징부들 (미도시)에 의해 예시된 바와 같이 양각(embossment)들의 생성을 가능하게 한다. 추가하여, PECVD 실리콘 나이트라이드와 같은 실리콘 나이트라이드 층의 사용은 기판 (104)을 마주하는 초 고 순도 표면 (>99.995%)을 제공한다.
추가 실시예들에서, 다수의 층들 대신에, 단일 절연체 층이 층 (202)의 상부에 배열될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 100 마이크로미터보다 작은 두께를 갖는 단일 절연체 층이 1 마이크로미터의 두께를 갖고 ALD에 의해 형성된 알루미늄 옥사이드로 구성된 층 (202) 위에 배치될 수 있다. 추가 실시예들에서, 층 (202)은 1 마이크로미터의 두께를 갖는 ALD에 의해 형성된 알루미늄 옥사이드로 구성될 수 있고, 기판 (104)에 인접한 최외측 층으로서 배열될 수 있고, 반면에 적어도 하나의 절연체 층이 층 (202)과 전극 (108)사이에 배치된다. 예를 들어, 적어도 하나의 절연체 층은 50 내지 200 마이크로미터의 두께를 가질 수 있고 정전식 클램프들에서 사용되는 임의의 통상의 절연체 재료로 구성될 수 있다. 이 구성의 장점은 층 (202)이 전극 (108)으로부터의 원치않는 종들의 확산 방지 뿐만아니라, 전극 위에 정전식 클램프의 절연체 층들의 두께의 대부분을 형성하기 위해 사용되는 통상의 절연체 재료로부터의 확산을 방지하는데 효율적일 수 있다는 것이다.
일부 실시예들에서, 층 스택 (116)은 모노리식(monolithic) 유전체 재료를 사용하는 통상의 정전식 클램프들 보다 더 낮은 유전 세기 조건들하에서 그리고 더 낮은 전압 조건들하에서 정전식 클램프 (102)의 동작을 가능하게 할 수 있다. 예를 들어 정전식 클램프 (102)의 특정 실시예들에서, 층 스택 (116)은 75 마이크로미터 또는 그 미만의 두께, 예컨대 40 과 75 마이크로미터 사이의 두께를 가질 수 있고, 정전식 클램프 (102)는 500 V AC보다 작은 전압 서플라이 (106)로부터 인가된 전압하에서 동작할 수 있다. 도 2b는 층 스택 (116)이 층 (222)로서 도시된 비정질 알루미늄 옥사이드의 층으로 구성된 정전식 클램프 (102)의 일 변형예를 도시한다. 층 (222)은 전극 (108) 바로 위에 형성된 상층 스택 (224)의 상단위에 배치된다. 층 (222)은 예를 들어, ALD에 의해 형성될 수 있고 일부 경우들에서는 0.5 마이크로미터 내지 5 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 실시예들은 이 상황에 제한되지 않는다. 상층 스택 (224)은 알루미늄 옥사이드외에 절연체 재료, 예컨대 실리콘 나이트라이드 또는 알루미늄 산화질화물의 하나 초과의 층으로 구성될 수 있는 절연체이다. 상층 스택 (224)은 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착, 플라즈마 증강 물리적 기상 증착, 또는 다른 기술에 의해 증착될 수 있다. 일 특정 예에서, 층 (222)의 두께는 1 마이크로미터 내지 2 마이크로미터 범위에 이를 수 있다. 이 범위의 두께를 가정하고 층 (222)이 ALD에 의해 증착된 알루미늄 옥사이드로 형성될 수 있다는 것을 가정하면, 층 (222)은 적어도 1000 V가 층 (222)을 가로질러 인가될 때 까지 파괴(breakdown)에 저항할 수 있다. 이 예에서 상층 스택 (224)의 존재는 파괴에 대한 추가 저항력을 첨가할 수 있어서 층 스택 (116)은 1000 V보다 더 크게 층 스택 (116)을 가로질러 인가될 때까지 파괴되지 않는다. ALD를 이용하여 알루미늄 옥사이드의 일 마이크론 두께 층을 제공하는 장점은 정전식 클램프 (102)가 매우 두꺼운 층 스택을 형성하지 않고서 1000 V 이상의 전압들에서 동작될 수 있다는 것이다. 예를 들어, 상층 스택 (224)이 알루미늄 산화질화물 또는 실리콘 나이트라이드 또는 둘의 조합으로 구성되면, 100 마이크로미터보다 작은, 예컨대 40 내지 75 마이크로미터의 총 두께를 갖는 층 스택 (116)이 형성될 수 있다. 이 총 두께는 기판들의 적절한 클램핑을 위해 필요한 정전 용량을 생성하기에 충분할 수 있고 동시에 1000 V 또는 그 이상까지의 전압들에 대한 유전체 파괴에 대한 저항력을 제공할 수 있다. 동시에 이들 정전식 클램프 특성들은 통상의 물리적 기상 증착 또는 화학적 기상 증착 프로세스들에 비하여 소정의 층 두께를 증착하기 위해 상대적으로 더 큰 시간과 비용을 수반할 수 있는 프로세스인 ALD을 이용하여 매우 두꺼운 층을 증착해야함이 없이 실현될 수 있다.
추가 실시예들에서, 전극 (108)은 ALD에 의해 형성될 수 있고, 특정 실시예들에서 백금 전극 (Pt)일 수 있다. 이런 전극은 일부 실시예들에서 알루미나일 수 있는 절연체 바디 (114)의 이면(back side)으로 비아 전도(via conduction)를 제공할 뿐만 아니라 고온에서 정전식 클램프 (102)의 동작과 호환 가능한 전극 층을 제공할 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 의해 예증된 실시예들은 전극 위에 플라즈마 스프레이된 층(plasma sprayed layer)을 증착함으로써 또는 고체 절연체를 전극으로 본딩함으로써 전극 위해 절연층을 형성함으로써 흔히 제조되는 통상의 정전식 클램프들과는 다르다. 그러나, 절연 층을 제조하는 이들 방법들은 특별히 정전식 클램프가 상승된 온도에서, 예컨대 400 ℃ 또는 그 이상에서 동작될 때 전극 금속 재료의 확산에 부적절한 저항력을 제공하는 정전식 클램프 구조로 귀결될 수 있다. 이것은 통상의 정전식 클램프들에 형성된 이런 절연 층을 통한 확산으로 이어질 수 있는 이런 재료들에서의 결함들 또는 다른 비-이상적인 특징부들의 결과일 수 있다.
그에 반해서, 본 발명자들은 정전식 클램프내 전극의 커버층(cover layer)으로서 ALD-증착된 Al2O3 층의 사용이 통상적으로 증착된 층들에 비하여 확산 장벽 특성들을 크게 개선시킨다는 것을 발견했다. 상이한 실시예들에서, 전극들로부터의 종들의 삼출을 억제할 수 있는 ALD-증착된 Al2O3 층은 클램프 전극들위에 바로 증착될 수 있거나 또는 클램프 전극들 위에 바로 형성된 절연체 층(들)의 상부위에 증착될 수 있다. 후자의 경우에, ALD-증착된 Al2O3은 전극 종들로부터의 삼출(out-diffusion) 억제 뿐만 아니라 절연체 층(들)에 존재할 수 있는 금속 또는 다른 오염 물질들의 삼출을 억제할 수 있다.
특별히, 이런 ALD-증착된 Al2O3 층들은 결함(defect)들이 없다는 것 그리고 얇은 영역들은 통상적으로 증착된 층들보다 10의 몇승배까지 더 나은 확산 장벽 특성들로 이어진다는 것이 관측되었다. 예를 들어, 본 발명자들은 전극이 ALD을 이용하여 제조된 Al2O3 층으로 커버된 정전식 클램프들에서는, Zn, Cu, 및 Pb를 포함하는 금속 오염이 확산 장벽 없이 제조된 정전식 클램프에 비하여 대략 10의 3승배만큼 축소된다는 것을 발견하였다. 게다가, 금속 오염은 전극이 다른 증착된 확산 장벽 층들 예컨대 Si3N4, SiO2, 등으로 커버된 정전식 클램프들에 비하여 10의 2승배만큼 축소되는데, 이런 층들은 상기에서 논의된 통상의 박막 증착 기술들에 의해 증착된다.
따라서, 다양한 실시예들은 정전식 클램프의 고온 동작을 가능하게 하기 위해서 ALD에 의해 증착된 비정질 알루미나 층을 사용할 수 있다. 특별히, 비정질 알루미나 층은 정전식 클램프의 클램핑 표면과 전극사이에 층 스택에 배치될 수 있어서 정전식 클램프는 층 스택을 통과하는 전극의 금속 재료의 확산 없이 500℃ 또는 더 큰 온도에서 동작될 수 있다. 상기에서 언급한 바와 같이, 이런 확산은 정전식 클램프에 의해 보유될 수 있는 기판들의 오염으로 이어질 수 있고 추가적으로 클램핑 특성들 예컨대 정전식 클램프에 의해 발휘될 수 있는 클램핑 힘, 뿐만 아니라 층 스택의 유전 세기의 저하로 이어질 수 있다.
금속 오염 물질들의 확산을 방지함에 있어 ALD을 이용하여 제조된 Al2O3 층의 유효성을 연구하기 위해서, 일련의 상이한 후보 확산 장벽 층 스택들이 유리 절연체 기판들 위에 증착되었다. 유리 절연체 기판들은 통상의 정전식 클램프들에서 발견될 수 있는 알려진 절연체 재료로 만들어졌다. 유리 절연체 기판들은 1x1017/cm3 내지 1x1018/cm3의 범위에 농도를 갖는 구리 및 철 불순물의 로우 레벨들을 갖는 것으로 알려져 있다. 유리 절연체 기판들 위에 증착된 확산 장벽 층 스택들은 ALD을 이용하여 제조된 Al2O3의 200-300 nm 두께 층, ALD을 이용하여 제조된 Ta2O5의 200 nm 두께 층 및 PECVD에 의해 제조된 실리콘 나이트라이드의 200 nm 또는 2 마이크로미터 두께 층의 상이한 조합들을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함한다. Al2O3 층을 갖는 전체 층 스택들에서, Al2O3 층은 기판에 인접하여 형성되었고, 반면에 실리콘 나이트라이드 층을 갖는 전체 층 스택들에서, 실리콘 나이트라이드 층은 공기와 계면을 형성하는 최외측 층이다.
표 1은 이런식으로 형성된 확산 장벽 층들 스택들의 매트릭스의 개요를 제공한다. 조성물의 분석은 유리 기판들 위에 층 스택들의 제조 및 550 ℃에서 24 동안의 가열에 의한 층 스택들의 처리 후에 수행되었다. 조성물 분석은 이차 이온 질량 분광학 (SIMS)에 의해 수행되었고, 이는 오브젝트(object)의 표면으로부터 깊이의 함수로서 오브젝트내 상이한 원소들의 조성물 프로파일링을 수행하는 기술이며, 여기서 오브젝트는 기판, 층, 또는 층들의 그룹일 수 있다.
SIMS 분석의 결과들이 도면들 3a 내지 도 3i에 도시되고 다음과 같이 요약될 수 있다. 특히, 비록 탄탈륨 옥사이드 및 알루미늄 옥사이드 층들의 공칭의 두께는 200 nm이었지만, SIMS 분석의 결과들은 각각의 이들 층들이 300 nm에 가까운 두께를 갖는 것을 시사한다. 그러나, 그럼에도 불구하고 이런 층들은 표 1에서 “200 nm 두께”, 또는 이하의 논의에서 “공칭의 200 nm 두께”으로 지칭될 수 있다. 추가의 층들과 함께 또는 추가의 층들 없이 ALD에 의해 형성된 Al2O3 층을 포함하는 층 스택들이 제조되었을 때, 구리 및 철 확산이 억제되었다. 다시 말해서, 층 스택내 구리 또는 철 신호의 양이 하지의 기판에서의 구리 또는 철 신호의 양에 비하여 크게 축소되었다. ALD Al2O3 층이 층 스택에 존재하지 않을 때, 2 마이크로미터 두께 실리콘 나이트라이드 층은 철 확산 억제에 효율적이었지만 그러나 구리 확산 억제에는 효율적이지 않아서, 실리콘 나이트라이드 층에 구리 농도는 기판내 구리 농도에 필적할만 했다. ALD을 이용하여 제조된 Ta2O5의 단일 공칭의 200 nm 두께 층의 사용은 구리 또는 철 확산을 억제하는데 효율적이지 않았다. 2 마이크로미터 두께 실리콘 나이트라이드 층 및 Ta2O5의 200 nm 두께 층이 이중층은 구리 확산 억제에 효율적이지 않았다.
도 3h는 기판에 존재하는 구리 및 철의 레벨을 표시한는 제어 (기판) 샘플의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. 이 도면은 임의의 확산 장벽 층없이 기판에 실리콘 (커브 (478)), 알루미늄 (커브 (472)), 철 (커브 (474)) 및 구리 (커브 (476))에 대한 신호 레벨들을 나타낸다.
도 3a로 가서 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 단일 200-300 nm 두께 층으로 구성된 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들이 도시되고, 여기서 300 nm보다 더 큰 깊이에 존재하는 알루미늄 및 실리콘 신호는 기판을 나타낸다. 예시된 바와 같이, 유리 절연체 기판으로부터의 구리 및 철 확산이 방지된다. 상이한 원소들에 대하여, 데이터는 소정의 원소에 대한 농도로서 또는 원 신호 카운트(raw signal count)들로 도시된다. 특별히, 커브 (402)는 ALD을 이용하여 제조된 Al2O3 층과 하지의 유리 기판 사이의 계면을 나타내는 대략 0.3 마이크로미터의 깊이에서 신호 레벨이 떨어지는 알루미늄을 나타낸다. 하지의 유리 기판내 알루미늄 신호는 프로세싱 전에 유리 기판내 알루미늄의 농도를 나타낼 수 있다. 또한 도시된 바와 같이, 유리 기판은 실리콘 (커브 (408)), 구리 (커브 (406)), 철 (커브 (404)), 및 탄탈륨(커브 (409))를 포함한다. 기판내 구리 및 철 농도는 기판내 이들 금속 원소들의 백만 분의 10(ten-parts-per million) 범위의 상대 원자 농도를 나타내는 임의 농도를 표시하는 기판내 1x1018의 범위에 있다. 0.3 마이크로미터 깊이보다 작은 영역에서 측정된 구리 및 철 농도는 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3 층내에서의 그것들의 개별적인 농도를 나타낸다. 예시된 바와 같이 구리 및 철 둘 모두에 대한 농도는 이들 원소들의 대략 감지 한계치들에 상응할 수 있는 1x1016의 범위에 있고, ALD를 이용하여 제조된 Al2O3 층으로의 구리의 또는 철의 확산이 거의 없거나 또는 없음을 나타낸다.
도 3b는 ALD를 이용하여 제조된 Ta2O5의 공칭의 200 nm 두께 층으로 구성된 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. 이 경우에서, 구리 및 철은 Ta2O5의 공칭의 200 nm 두께 층을 통과하여 확산된다. 커브 (419)는 ALD를 이용하여 제조된 Ta2O5 층과 실리콘 (커브 (418)), 구리 (커브 (416)), 철 (커브 (414)), 및 알루미늄 (커브 (412))를 포함하는 하지의 유리 기판사이의 계면을 나타내는 대략 0.3 마이크로미터의 깊이에서 신호 레벨이 떨어지는 탄탈륨을 나타낸다. 예시된 바와 같이, 깊이가 0.3 마이크로미터보다 작을 때 신호들에 의해 표시된 탄탈륨 옥사이드 층내의 구리 및 철의 농도는 0.3 마이크로미터보다 더 큰 깊이들에 대한 신호들에 의해 표시된 기판내 구리 및 철의 개별 농도와 거의 비슷하다. 이것은 탄탈륨 옥사이드 층이 550 ℃에서 24 hrs동안 프로세싱 후에 기판으로부터의 구리 및 철 확산을 억제하지 못한다는 것을 예시한다.
도 3c는 PECVD에 의해 제조된 실리콘 나이트라이드의 단일 200 nm 두께 층으로 구성된 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. 이 예에서, 실리콘 나이트라이드 층에 존재하는 실리콘은 실리콘 나이트라이드 층과 기판 사이의 계면에 해당하는 0.2 마이크로미터의 깊이에서 떨어지는 커브 (428)에 의해 표시된다. 구리 (커브 (426))는 더 낮은 정도의 철 (커브 (424))와 마찬가지로 실리콘 층을 통과하여 확산한다. 알루미늄 (커브 (422))도 또한 실리콘 나이트라이드 층내로 확산하는 것으로 보인다.
도 3d는 PECVD에 의해 제조된 실리콘 나이트라이드의 단일 2 마이크로미터 두께 층으로 구성된 추가 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시하고, 실리콘에 대하여 커브 (438) 및 질소에 대하여 커브 (439)에 의해 표시된다. 이 예에서, 구리는 장벽 층을 통과하여 확산되지만 철 확산은 억제된다. 구리 (커브 (436))는 실리콘 층 전체에서 확산되어 구리 농도의 레벨이 기판에서와 실리콘 나이트라이드 층에서 대략 같다. 2 마이크로미터보다 작은 깊이들에서 실리콘 나이트라이드 필름내 철 신호 (커브 (434))의 로우 레벨은 철 확산이 억제된 것을 보여준다. 알루미늄 (커브 (432))의 작은 양이 또한 기판 근처의 실리콘 나이트라이드 층의 적어도 하단 영역들로 확산하는 것으로 보인다. 질소(커브(439)는 실리콘 나니트라이드 층의 일부이다.
도 3e는 알루미늄 커브 (442)의 플레토(plateau) 부분 (443)에 의해 표시된 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 공칭의 200nm 두께 층으로 구성된 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. 이 층은 기판에 인접하고, 그것의 위치는 알루미늄 커브 (442)의 부분 (441) 및 실리콘 커브 (448)의 부분 (447)에 의해 표시된다. PECVD에 의해 제조된 실리콘 나이트라이드의 2 마이크로미터 두께 층은 질소 커브 (449) 및 실리콘 커브 (448)의 플레토 부분 (445)에 의해 표시된 Al2O3의 공칭의 200 nm 두께 층의 상단 위에 배치된다. 이 경우에서, 구리 (커브 (446)) 및 철 (커브 (444)) 확산은 효율적으로 억제된다.
도 3f는 커브 (452)에 의해 표시된, ALD를 이용하여 제조된 Ta2O5의 200nm 두께 층으로 구성된 또 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. PECVD에 의해 제조된 실리콘 나이트라이드의 2 마이크로미터 두께 층은 질소 커브 (459) 및 실리콘 커브 (458)에 의해 표시된 Ta2O5의 공칭의 200 nm 두께 층의 상단 위에 배치된다. 하지의 기판은 미도시된다. 이 경우에서, 철 확산 (커브 (454))은 억제되지만 그러나 구리 (커브 (456))는 층 스택 내내 확산된다.
도 3g는 실리콘 커브 (468) 및 질소 커브 (469)에 의해 표시된, ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 공칭의 200 nm 두께 층, ALD를 이용하여 제조된 Ta2O5의 200 nm 두께 층, 및 PECVD에 의해 제조된 실리콘 나이트라이드 2 마이크로미터 두께 층으로 구성된 추가의 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. SIMS 데이터는 단지 1.7 마이크로미터의 깊이까지 수집되었고, 그래서 기판에 더 가까운 알루미나 또는 탄탈륨 옥사이드 층들을 반영하지 않는다. 그러나, 구리 (커브 (466)) 및 철 (커브 (464)) 확산은 실리콘 나이트라이드 층에서의 저 카운트 레벨에 의해 입증된바와 같이 억제된다 것을 알 수 있다.
도 3i는 탄탈륨 커브 (489)의 플레토 부분 (487)에 의해 표시된 알루미늄 커브 (482)의 플레토 부분 (483)에 의해 표시된 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 공칭의 nm 두께 층 및 ALD를 이용하여 제조된 Ta2O5의 공칭의 200 nm 두께 층으로 구성된 다른 층 스택의 이차 이온 질량 분광학 분석의 결과들을 도시한다. 이들 층들은 실리콘 커브 (488)에 의해 표시된 기판 위에 배치된다. 다시 한번, 구리 및 철이 층 스택으로 확산되지 않도록 구리 (커브 (486)) 및 철 (커브 (484)) 확산은 억제된다.
도 4는 본 실시예들에 따른 정전식 클램프를 제조하기 위한 프로세스 (500)에 포함되는 대표적인 동작들을 도시한다. 블럭 (502)에서, 정전식 클램프의 절연체 바디(insulator body)가 형성된다. 절연체 바디는 베이스(base), 예컨대 금속 블럭 위에 형성될 수 있다. 베이스는 히터를 포함하거나 또는 정전식 클램프를 가열하기 위해 사용되는 히터에 결합될 수 있다. 일부 경우들에서 절연체 바디는 세라믹 예컨대 알루미나로 구성될 수 있다. 블럭 (504)에서, 전극이 절연체 바디위에 형성된다. 일부 예들에서, 전극은 금속 재료 예컨대 텅스텐, 몰리브덴, 또는 백금으로 구성될 수 있다. 실시예들은 이 상황에 제한되지 않는다. 일부 변형예들에서, 전극은 절연체 바디 위에 배열된 다수의 전극들일 수 있다. 블럭 (506)에서, 비정질 알루미늄 옥사이드 층이 전극 위에 원자 층 증착에 의해 증착된다. 일부 실시예들에서, 알루미늄 옥사이드 층은 500 nm 내지 10 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 알루미늄 옥사이드 층은 전극(들) 뿐만 아니라 전극에 의해 커버되지 않은 절연체 바디의 노출된 부분들을 캡슐화(encapsulate)하는 등도포성의 방식(conformal manner)으로 증착될 수 있다.
블럭 (508)에서, 상층 스택은 비정질 알루미늄 옥사이드 층 위에 증착된다. 상층 스택은 단일 절연체 층 예컨대 실리콘 나이트라이드 또는 알루미늄 산화질화물을 포함할 수 있다. 상층 스택은 각각의 절연체 층이 앞에서 증착된 절연체 층과 다르게 연이어 증착된 다수의 절연체 층들을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 상층 스택은 40 마이크로미터와 200 마이크로미터 사이의 전체 두께를 가질 수 있다. 상층 스택은 단지 하나의 증착 프로세스 예컨대 화학적 기상 증착에 의해 준비될 수 있거나, 또는 다수의 상이한 증착 프로세스들을 이용하여 준비될 수 있다. 예를 들어, 상층 스택 부분을 형성하는 알루미늄 산화질화물 층은 물리적 기상 증착 프로세스에 의해 증착될 수 있으나 상층 스택의 다른 부분을 형성하는 실리콘 나이트라이드 층은 플라즈마 증강된 화학적 기상 증착에 의해 증착된다.
프로세스 (500)의 일 변형예에서, 블럭 (508)은 블럭 (506) 전에 수행될 수 있어서 상층 스택은 전극 상단의 바로 위에 증착되고 알루미늄 옥사이드 층은 상층 스택 상단위에 증착된다.
비록 앞서 언급한 실시예들은 상승된 온도, 예컨대 100℃ 내지 700℃의 온도에서 정전식 클램프들의 동작을 위해 배치될 수 있지만, 예를 들어, 본 실시예들은 또한 미가열된 정전식 클램프들의 동작 동안 종들의 원치않는 확산을 억제할 수 있는 것이 고려된다.
요약에서, 본 실시예들은 클램프 전극들과 클램핑될 기판사이에 배치된 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 층을 포함하는 개선된 정전식 클램프들을 제공한다. ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 층은 다양한 실시예들에서 50 내지 200 마이크로미터의 총 두께를 갖는 전기적으로 절연 재료의 층 스택의 일부를 형성할 수 있다. 상이한 실시예들에서, ALD를 이용하여 제조된 Al2O3의 층은 클램프 전극들에 인접하여 배치될 수 있고; 다른 절연체 재료의 상단위에 배치될 수 있어서, 최외측 층을 형성하거나; 또는 절연체 층들의 스택내에 배치될 수 있어서 절연체 층이 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3과 클램프 전극들사이에 배치되고, 다른 절연체 층이 ALD를 이용하여 제조된 Al2O3과 클램핑될 기판 사이에 배치된다. 클램프 전극들, 절연체 층들, 또는 다른 정전식 클램프 컴포넌트들로부터의 원치않는 종들의 확산을 방지하는 확산 장벽을 제공하는 것에 추가하여, ALD를 이용하여 제조된 Al2O3는 전압이 정전식 클램프의 동작 동안 전극들에 인가될 때 절연체 스택이 파괴되지 않도록 절연체 층들을 위한 타겟 파괴 세기(target breakdown strength)를 달성하는 것을 가능하게 할 수 있다.
본 발명은 본 명세서에 기술된 특정 실시예에 의해 그 범위가 제한되지 않는다. 오히려, 본 명세서에 기술된 이러한 실시예들에 더하여, 본 발명의 다른 다양한 실시예들 및 이에 대한 변형들이 당업자들에게 전술한 설명 및 첨부된 도면들로부터 명백해질 것이다. 그러므로, 그러한 다른 실시예들 및 변경들은 본 발명의 개시된 범위 내에 들어가도록 의도된다. 또한, 본 발명이 본 명세서에서 특정 목적을 위한 특정 환경에서의 특정 구현의 맥락에서 기술되었으나, 당업자들은 본 발명의 유용성이 그에 한정되지 한고, 본 발명이 임의의 수의 목적들을 위한 임의의 수의 환경들 내에서 유익하게 구현될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 이하에서 제시되는 청구항들은 본 명세서에 기술된 바와 같은 본 발명의 완전한 효과와 사상의 관점에서 이해되어야 할 것이다.
Claims (15)
- 정전식 클램프를 제조하는 방법에 있어서,
절연체 바디(insulator body)를 형성하는 단계;
상기 절연체 바디 상에 전극을 형성하는 단계; 및
상기 전극 위에 층 스택(layer stack)을 증착하는 단계를 포함하되, 상기 층 스택은 원자 층 증착을 이용하여 증착된 알루미늄 옥사이드 층을 포함하되,
상기 층 스택을 증착하는 단계는,
상기 전극 위에 상기 알루미늄 옥사이드 층을 증착하는 단계; 및
상기 알루미늄 옥사이드 층 위에 복수의 절연체 층을 증착하는 단계를 포함하되,
상기 복수의 절연체 층은 알루미늄 산화질화물 층(aluminum oxynitride layer) 위에 실리콘 나이트라이드 층(silicon nitride layer)을 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서, 상기 알루미늄 옥사이드 층은 500 나노미터와 10 마이크로미터 사이의 두께를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 절연체 층은 40 마이크로미터와 200 마이크로미터 사이의 두께를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서, 상기 층 스택을 증착하는 단계는:
상기 전극 위에 적어도 하나의 절연체 층을 증착하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 절연체 층은 40 마이크로미터와 200 마이크로미터 사이의 두께를 포함하는, 상기 절연체 층을 증착하는 단계; 및
상기 적어도 하나의 절연체 층 위에 상기 알루미늄 옥사이드 층을 증착하는 단계를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법. - 정전식 클램프를 제조하는 방법에 있어서,
절연체 바디(insulator body)를 형성하는 단계;
상기 절연체 바디 상에 전극을 형성하는 단계; 및
상기 전극 위에 층 스택(layer stack)을 증착하는 단계를 포함하되, 상기 층 스택은 원자 층 증착을 이용하여 증착된 알루미늄 옥사이드 층을 포함하고,
상기 층 스택을 증착하는 단계는,
상기 전극 위에 상기 알루미늄 옥사이드 층을 증착하는 단계; 및
상기 알루미늄 옥사이드 층 위에 적어도 하나의 절연체 층을 증착하는 단계를 포함하되, 상기 적어도 하나의 절연체 층은 40 마이크로미터와 200 마이크로미터 사이의 두께를 포함하고, 상기 적어도 하나의 절연체 층을 증착하는 단계는,
상기 알루미늄 옥사이드 층 위에 알루미늄 산화질화물 층을 증착하는 단계; 및
상기 알루미늄 산화질화물 층 위에 실리콘 나이트라이드 층을 증착하는 단계를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법. - 청구항 5에 있어서, 상기 알루미늄 산화질화물 층은 물리적 기상 증착에 의해 증착되고, 상기 실리콘 나이트라이드 층은 플라즈마 보조 화학적 기상 증착에 의해 증착되는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 알루미늄 산화질화물 층 및 실리콘 나이트라이드 층은 상층 스택(overlayer stack)을 구성하고, 상기 방법은 적어도 두 번 상기 상층 스택을 증착하는 단계를 더 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 1에 있어서, 40 마이크로미터 내지 75 마이크로미터의 두께에서 상기 층 스택을 증착하는 단계를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 알루미늄 옥사이드 층을 비정질 층(amorphous layer)으로 증착하는 단계를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 전극은 원자 층 증착에 의해 형성된 백금 전극인, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 5에 있어서, 40 마이크로미터 내지 75 마이크로미터의 두께에서 상기 층 스택을 증착하는 단계를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 알루미늄 옥사이드 층을 비정질 층(amorphous layer)으로 증착하는 단계를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 전극은 원자 층 증착에 의해 형성된 백금 전극인, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 알루미늄 옥사이드 층은 500 나노미터 내지 10 마이크로미터의 두께를 포함하는, 정전식 클램프를 제조하는 방법.
- 삭제
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