KR102234104B1 - 연마용 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 상변화 화합물의 연마 속도 및 연마 선택성을 향상시킬 수 있는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물과, 상변화 화합물의 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제 및 취성막 형성제의 적어도 한쪽과, 산화제를 포함하는 연마용 조성물이다.

Description

연마용 조성물 {POLISHING COMPOSITION}

본 발명은 연마용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물의 연마에 적합한 연마용 조성물에 관한 것이다.

PRAM(상변화 랜덤 액세스 메모리) 디바이스(오보닉 메모리 디바이스 또는 PCRAM 디바이스로서도 알려져 있음)에는 전자 기억 용도를 위한 절연성 비정질상과 도전성 결정성상을 전기적으로 전환할 수 있는 상변화 재료(PCM)가 이용된다. 이들 용도에 적합한 전형적인 상변화 재료에는 장주기형 주기율표의 제16족 원소(칼코게나이드, 예를 들어 Te 또는 Po) 및 제15족 원소(예를 들어, Sb)가 In, Ge, Ga, Sn 또는 Ag 등의 1종 또는 복수종의 금속 원소의 조합에서 이용된다. 특히 유용한 상변화 재료는 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔루륨(Te) 합금(GST 합금)이다. 이들 재료는 가열/냉각 속도, 온도 및 시간에 의존하여, 물리적 상태를 가역적으로 변화시킬 수 있다. 다른 유용한 합금에는 인듐안티모나이트(InSb)가 포함된다. PRAM 디바이스 중의 기억 정보는 물리적으로 상이한 상 또는 상태의 도전 특성에 따라, 손실을 최소로 하여 보존된다.

반도체 기재(예를 들어, 집적 회로)의 금속 함유 표면을 연마하는 방법으로서는, 화학적 기계적 연마(CMP)가 알려져 있다. CMP에서 사용되는 연마용 조성물은, 전형적으로는 지립, 산화제, 착화제 등을 함유하여 효과적으로 에칭을 이용하여 연마한다.

이와 같은 CMP는 상변화 재료를 사용하는 기억 디바이스를 제작하기 위해 이용할 수 있다. 그러나, 구리(Cu) 또는 텅스텐(W)과 같은 단일의 성분을 포함하는 종래의 금속층과는 달리, 연마되는 상변화 재료는 황(S), 세륨(Ce), 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 은(Ag), 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga) 등이 특정한 비율로 혼합되어 이루어지고, 많은 상변화 재료(예를 들어, GST)의 물리적 성질은 PCM 칩 중에서 이용되는 다른 재료와 비교하여 「연질」인 점 등, 종래의 금속층의 재료의 특성과 다르므로, 현행의 금속 함유 표면을 연마하기 위한 연마용 조성물을 그대로 적용하는 것은 곤란했다.

이와 같은 상황 중에서, 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물의 연마에 적합한 연마용 조성물에 대해 다양한 검토가 이루어져 있다. 예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2009-016821호 공보(미국 특허 출원 공개 제2009/001339호 명세서)에는 지립 및 질소 화합물을 포함하는 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물의 연마를 목적으로 한 연마용 조성물이 개시되어 있다. 또한, 일본 특허 출원 공개 제2009-016829호 공보(미국 특허 제8586464호 명세서)에는 지립, 철 이온 또는 철 킬레이트 착체를 포함하는 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물의 연마를 목적으로 한 연마용 조성물이 개시되어 있다.

그러나, 상기 일본 특허 출원 공개 제2009-016821호 공보(미국 특허 출원 공개 제2009/001339호 명세서) 및 일본 특허 출원 공개 제2009-016829호 공보(미국 특허 제8586464호 명세서)에 기재된 기술에서는 상변화 화합물의 연마 속도가 불충분해, 개량이 요망되고 있었다. 또한, 상기 일본 특허 출원 공개 제2009-016821호 공보(미국 특허 출원 공개 제2009/001339호 명세서) 및 일본 특허 출원 공개 제2009-016829호 공보(미국 특허 제8586464호 명세서)에 기재된 기술에서는, 절연막 등의 상변화 화합물 이외의 재료의 연마 속도도 높기 때문에, 상변화 화합물 이외의 재료의 연마 속도에 대한 상변화 화합물의 연마 속도의 비, 즉 연마 선택성이 불충분하다는 문제도 있었다.

따라서, 본 발명은 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물에 있어서, 상변화 화합물의 연마 속도 및 연마 선택성을 향상시킬 수 있는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자는 예의 연구를 거듭하였다. 그 결과, 3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물과, 상변화 화합물의 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제 및 취성막 형성제의 적어도 한쪽과, 산화제를 포함하는 연마용 조성물에 의해, 상기 과제가 해결될 수 있는 것을 발견하였다. 그리고, 상기 지견에 기초하여, 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.

즉, 본 발명은 3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물과, 상변화 화합물의 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제 및 취성막 형성제의 적어도 한쪽과, 산화제를 포함하는 연마용 조성물이다.

본 발명은 3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물과, 상변화 화합물의 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제 및 취성막 형성제의 적어도 한쪽과, 산화제를 포함하는 연마용 조성물이다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 상변화 화합물의 연마 속도 및 연마 선택성이 향상된 연마용 조성물로 된다.

본 발명의 연마용 조성물을 사용함으로써 상기와 같은 효과가 얻어지는 상세한 이유는 불분명하지만, 이하와 같은 메커니즘이 추측된다. 또한, 이하의 메커니즘에서는 상변화 화합물로서, 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔루륨(Te) 합금(이하, 간단히 GST 합금이라고도 칭함)을 예로 들어, 설명한다.

먼저, 산화제가 GST 합금에 대해 작용하고, GST 합금의 구성 성분인 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb) 및 텔루륨(Te)이 산화된다. 산화된 금속 표면에서는, 수화에 의해 표면 수산기가 더 생성된다. 이 표면 수산기에 대해, 유기 화합물 중의 히드록시기가 탈수 축합하고 결합하여, 보다 연마되기 쉬운 표면으로 되는 것이라고 생각된다. 탈수 축합은 1분자 내에 보다 많은 히드록시기를 갖는 유기 화합물에 있어서 일어나기 쉽기 때문에, 3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물의 첨가에 의해, GST 합금의 연마 속도가 상승하기 쉬운 것이라고 생각된다.

또한, 해당 유기 화합물은 지립의 전기 전도도를 올리는 작용은 없으므로, 지립의 기계적인 연마 작용을 변화시키지 않는다. 따라서, 절연막의 연마 속도는 변화되지 않고, GST 합금(상변화 화합물)의 연마 선택성이 보다 향상된 연마용 조성물로 된다.

또한, 상기 메커니즘은 추측에 의한 것이고, 본 발명은 상기 메커니즘으로 한정되는 것은 전혀 아니다.

이하, 본 발명의 연마용 조성물의 구성에 대해, 상세하게 설명한다.

[연마 대상물]

본 발명의 연마용 조성물은 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용된다. 상변화 화합물은 PRAM(상변화 랜덤 액세스 메모리) 디바이스(오보닉 메모리 디바이스 또는 PCRAM 디바이스로서도 알려져 있음)에 있어서, 전자 기억 용도를 위한 절연성 비정질상과 도전성 결정성상을 전기적으로 전환할 수 있는 재료로서 이용되는 것이다. 이와 같은 용도에 적합한 상변화 화합물로서는, 장주기형 주기율표의 제16족 원소[칼코게나이드, 예를 들어 텔루륨(Te) 또는 폴로늄(Po)] 및 제15족 원소[예를 들어, 안티몬(Sb)]와, 인듐(In), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 은(Ag) 등의 1종 또는 복수종의 금속 원소의 조합이 이용된다. 특히 유용한 상변화 화합물은 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔루륨(Te) 합금(GST 합금)이다.

연마 대상물은 상변화 화합물 이외의 재료를 포함해도 되고, 그 재료로서는, 예를 들어 TEOS(테트라에톡시실란), SiN(질화규소) 등, 절연막으로서 사용되는 규소를 함유하는 재료를 들 수 있다.

[3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물]

본 발명에 관한 연마용 조성물은 3개 이상의 히드록시기를 갖는 유기 화합물(이하, 간단히 유기 화합물이라고도 칭함)을 포함한다. 해당 유기 화합물은 상변화 화합물의 표면에 형성되는 히드록시기와 탈수 축합함으로써 결합하여, 상변화 화합물의 표면의 연마성을 향상시킨다.

당해 유기 화합물의 구체적인 예로서는, 예를 들어 폴리글리시돌, 글리세린, 폴리글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 1,3,5-펜타트리올, 에리트리톨, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 다가 알코올; 소르비톨, 소르비탄, 소르비톨글리세린 축합물, 아도니톨, 아라비톨, 크실리톨, 만니톨, 말티톨 등의 당알코올; 글루코오스, 프룩토오스, 만노오스, 인도오스, 소르보오스, 굴로오스, 탈로오스, 타가토오스, 갈락토오스, 수크로오스, 락토오스, 알로오스, 아피오스, 프시코오스, 알트로오스, 아라비노오스, 리불로오스, 리보오스, 데옥시리보오스, 푸코오스, 크실로오스, 크실룰로오스, 릭소오스, 이도오스, 트레오스, 에리트룰로오스, 에리트로오스, 람노오스, 셀로비오스, 코지비오스, 니게로오스, 소포로오스, 말토오스, 이소말토오스, 트레할로오스, 이소트레할로오스, 라미나리비오스, 겐티오비오스, 팔라티노오스, 코리오스, 세도헵툴로오스, 글리시리진, 스테비오시드, 모그로시드, 슈클로오스, 라피노오스, 겐티아노오스, 멜레지토오스, 락토스크로오스, 말토트리오스, 이소말토트리오스, 수크랄로오스, 덱스트린, 시클로덱스트린, 글루코사민, 만노사민, 갈락토사민, N-아세틸글루코사민, N-아세틸만노사민, N-아세틸갈락토사민 등의 당류; 글루쿠론산, 갈락투론산 등의 당산; 아스코르브산, 글루쿠로노락톤, 글루코노락톤; 모나틴, 모넬린, 쿠르쿨린; 전분, 글리코겐, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 카르복시메틸 전분, 메틸히드록시프로필 전분, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 셀룰로오스황산나트륨, 히드록시프로필셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 셀룰로오스, 알긴산나트륨, 알긴산프로필렌글리콜에스테르, 폴리비닐알코올 등의 수용성 중합체 등을 들 수 있다. 또한, 이들 예시 화합물의 부분 에테르화물이나 부분 에스테르화물 등의 유도체, 혹은 이들 예시 화합물의 염도 적합하다.

이들 중에서도, 글리세린, 폴리글리세린, 에리트리톨, 소르비톨, 소르비탄, 소르비톨글리세린 축합물, 크실리톨, 글루코오스, 프룩토오스, 만노오스, 갈락토오스, 수크로오스, 락토오스, 알로오스, 아피오스, 프시코오스, 리불로오스, 리보오스, 크실룰로오스, 에리트룰로오스, 에리트로오스, 말토오스, 이소말토오스, 트레할로오스, 이소트레할로오스, 락토스크로스, 말토트리오스, 이소말토트리오스, 수크랄로오스, 덱스트린, 시클로덱스트린, 글루코사민, 갈락토사민, 글루쿠론산, 갈락투론산, 아스코르브산, 글루쿠로노락톤, 글루코노락톤, 전분, 글리코겐, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 카르복시메틸 전분, 메틸히드록시프로필 전분, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 셀룰로오스, 알긴산나트륨 및 폴리비닐알코올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 글리세린, 소르비톨, 소르비탄, 소르비톨 글리세린 축합물, 크실리톨, 글루코오스, 프룩토오스, 트레할로오스, 덱스트린, 카르복시메틸셀룰로오스, 셀룰로오스 및 폴리비닐알코올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다.

이들 유기 화합물은 단독, 또는 2종 이상 혼합해도 사용할 수 있다.

연마용 조성물 중의 유기 화합물의 함유량의 하한은 0.01중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.1중량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 유기 화합물의 함유량이 많아짐에 따라, 상변화 화합물의 연마 속도 및 연마 선택성을 향상시킬 수 있다.

또한, 연마용 조성물 중의 유기 화합물 함유량 상한은 10중량％ 이하인 것이 바람직하고, 7.5중량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 유기 화합물의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물 자체의 취급을 용이하게 하고, 또한 조성물의 제조 비용을 억제할 수 있다.

[킬레이트 작용을 갖는 제, 취성막 형성제]

본 발명의 연마용 조성물은 상변화 화합물에 포함되는 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제 및 취성막 형성제의 적어도 한쪽을 포함한다. 이 제는 상변화 화합물의 표면에 작용함으로써, 연마 속도를 보다 높이는 작용을 한다.

〔킬레이트 작용을 갖는 제〕

본 발명의 연마용 조성물에는 상변화 화합물에 포함되는 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제를 함유시킬 수 있다. 당해 킬레이트 작용을 갖는 제는 상변화 화합물 표면과 착형성하고, 수용성 착체를 형성함으로써, 상변화 화합물의 표면을 화학적으로 에칭하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 연마 속도를 향상시키는 작용을 한다.

사용 가능한 킬레이트 작용을 갖는 제는, 예를 들어 유기산, 아미노산, 니트릴 화합물 및 이들 이외의 킬레이트제 등이 사용된다. 유기산의 구체예로서는, 예를 들어 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 프탈산, 말산, 타르타르산, 시트르산 등을 들 수 있다. 유기산 대신에, 또는 유기산과 조합하여, 유기산의 알칼리 금속염 등의 염을 사용해도 된다.

아미노산의 구체예로서는, 글리신, α-알라닌, β-알라닌, N-메틸글리신, N,N-디메틸글리신, 2-아미노부티르산, 노르발린, 발린, 류신, 노르류신, 이소류신, 페닐알라닌, 프롤린, 사르코신, 오르니틴, 리신, 타우린, 세린, 트레오닌, 호모세린, 티로신, 비신, 트리신, 3,5-디요오도-티로신, β-(3,4-디히드록시페닐)-알라닌, 티록신, 4-히드록시-프롤린, 시스테인, 메티오닌, 에티오닌, 라티오닌, 시스타티오닌, 시스틴, 시스테인산, 아스파라긴산, 글루탐산, S-(카르복시메틸)-시스테인, 4-아미노부티르산, 아스파라긴, 글루타민, 아자세린, 아르기닌, 카나바닌, 시트룰린, δ-히드록시-리신, 크레아틴, 히스티딘, 1-메틸-히스티딘, 3-메틸-히스티딘, 트립토판 등을 들 수 있다.

니트릴 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 아세토니트릴, 아미노아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 이소부티로니트릴, 벤조니트릴, 글루타로디니트릴, 메톡시아세토니트릴 등을 들 수 있다.

이들 이외의 킬레이트제의 구체예로서는, 이미노2아세트산, 니트릴로3아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산, 에틸렌디아민4아세트산, N,N,N-트리메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민-N,N,N',N'-테트라메틸렌술폰산, 트랜스시클로헥산디아민4아세트산, 1,2-디아미노프로판4아세트산, 글리콜에테르디아민4아세트산, 에틸렌디아민오르토히드록시페닐아세트산, 에틸렌디아민디숙신산(SS체), N-(2-카르복실레이트에틸)-L-아스파라긴산, β-알라닌디아세트산, 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카르복실산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, N,N'-비스(2-히드록시벤질)에틸렌디아민-N,N'-디아세트산, 1,2-디히드록시벤젠-4,6-디술폰산 등을 들 수 있다.

이들 킬레이트 작용을 갖는 제 중에서도, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 말레산, 프탈산, 말산, 시트르산 등의 유기산류; 글리신, 알라닌, 발린, 류신, 페닐알라닌, 프롤린, 리신, 타우린, 비신, 트리신, 시스테인, 메티오닌, 시스틴, 시스테인산, 아스파라긴산, 4-아미노부티르산, 아스파라긴, 글루타민, 아르기닌, 히스티딘, 트립토판 등의 아미노산; 아세토니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴 화합물; 이미노2아세트산, 에틸렌디아민4아세트산, N-(2-카르복실레이트에틸)-L-아스파라긴산이 특히 바람직하다.

이들 킬레이트 작용을 갖는 제는 단독, 또는 2종 이상 혼합해도 사용할 수 있다.

연마용 조성물 중의 킬레이트 작용을 갖는 제의 함유량의 하한은 0.01중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.1중량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 킬레이트 작용을 갖는 제의 함유량이 많아짐에 따라, 상변화 화합물로의 에칭 효과가 증가한다. 그 결과, 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 보다 향상된다.

한편, 연마용 조성물 중의 킬레이트 작용을 갖는 제의 함유량의 상한은 10중량％ 이하인 것이 바람직하고, 8중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 킬레이트 작용을 갖는 제의 함유량이 적어짐에 따라, 상변화 화합물에 대한 과잉의 에칭이 일어나기 어려워진다. 그 결과, 과잉의 연마를 억제할 수 있다.

〔취성막 형성제〕

본 발명의 연마용 조성물에 포함될 수 있는 취성막 형성제는 상변화 화합물 표면과 화학 결합하여 불용성의 취성막을 형성한다. 당해 취성막이라 함은, 상변화 화합물과 취성막 형성제가 화학 결합함으로써 생성하는 불용성의 막을 가리키고, 상변화 화합물 자체보다도 물러진 막이다. 여기서 말하는 화학 결합이라 함은, 공유 결합, 이온 결합, 수소 결합, 분자간력에 의한 결합 등이다. 그 취성막을 지립으로 기계적으로 연마함으로써, 높은 연마 속도가 얻어진다. 취성막 형성제의 예로서는, 포화 모노카르복실산, 인산 화합물, 아민, 암모늄 화합물 등을 들 수 있다.

포화 모노카르복실산의 예로서는, 예를 들어 아세트산, 락트산, 프로피온산, 부티르산, 글리콜산, 글루콘산, 살리실산, 이소니코틴산, 이소부티르산, 발레르산, 이소발레르산, 피발산, 히드로안젤산, 카프로산, 2-메틸펜탄산, 4-메틸펜탄산, 2,3-디메틸부탄산, 2-에틸부탄산, 2,2-디메틸부탄산, 3,3-디메틸부탄산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산을 들 수 있다. 포화 모노카르복실산의 탄소수는 2 내지 6이 바람직하고, 2 내지 4가 보다 바람직하다. 탄소수가 2 내지 6인 포화 모노카르복실산으로서는, 상변화 화합물 표면과 착형성하여 불용성의 취성막을 형성하기 쉽고, 그 결과로서 높은 연마 속도가 얻어진다는 관점에서, 아세트산, 락트산, 프로피온산, 부티르산, 글리콜산, 글루콘산, 살리실산, 이소니코틴산, 이소부티르산, 발레르산, 이소발레르산, 피발산, 히드로안젤산, 카프로산, 2-메틸펜탄산, 4-메틸펜탄산, 2,3-디메틸부탄산, 2-에틸부탄산, 2,2-디메틸부탄산 및 3,3-디메틸부탄산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물이 바람직하다. 상기 포화 모노카르복실산은 염의 형태여도 된다. 또한, 상기 포화 모노카르복실산은 단독, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

또한, 상기 인산 화합물은, 예를 들어 인산, 포스핀, 포스핀옥시드, 포스핀술피드, 디포스판 등의 화합물 및 그 할로겐화물, 포스포늄염, 포스폰산, 포스핀산 및 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 상변화 화합물 표면과 착형성하여 불용성의 취성막을 형성하기 쉽고, 그 결과로서 높은 연마 속도가 얻어진다는 관점에서, 인산, 포스핀산 및 포스폰산이 바람직하고, 보다 구체적으로는, 인산, 2-아미노에틸포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 에탄-1,1,-디포스폰산, 에탄-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스폰산(HEDP), 에탄-1-히드록시-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1,2-디카르복시-1,2-디포스폰산, 메탄히드록시포스폰산, 2-포스포노부탄-1,2-디카르복실산, 1-포스포노부탄-2,3,4-트리카르복실산, α-메틸포스포노숙신산, 페닐포스폰산 및 포스핀산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 상기 유기 인 화합물은 염의 형태여도 된다. 또한, 상기 유기 인 화합물은 단독, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

또한, 아민은 지방족 아민이어도 되고, 방향족 아민이어도 된다. 또한, 치환 아민이어도 되고, 비치환 아민이어도 된다. 그 중에서도, 알킬기, 히드록시알킬기 또는 히드록시아릴기를 갖는 아민이 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 2-에틸헥실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 이코실기 등을 들 수 있다. 히드록시알킬기 또는 히드록시아릴기의 구체예로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, 벤질알코올 또는 페놀에서 유래되는 기 등을 들 수 있다. 사용되는 아민의 구체예로서는, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 시클로헥실아민 등의 지방족 제1급 아민이나, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디-tert-부틸아민 등의 지방족 제1급 아민이나, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민 등의 지방족 제3급 아민이나, 디에틸에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 그 밖의 쇄상 아민이나, 피리딘, 피페라진 등의 환식 아민 등을 들 수 있다. 2종류 이상의 아민을 조합하여 사용해도 된다.

암모늄 화합물의 구체예로서는, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라프로필암모늄 등의 4급 암모늄 화합물이나, 수산화암모늄(암모니아수), 암모늄, 암모늄염 등을 들 수 있다. 암모늄은 암모늄 이온으로서 연마용 조성물 중에서 존재한다. 암모늄 이온은 상변화 화합물과의 사이에서 특히 용 이하게 착형성한다. 암모늄염의 산성분은 염산, 질산, 인산, 황산, 붕산 등의 무기산에서 유래되는 것이어도 된다. 또는, 포름산, 아세트산, 프로피온산 등의 지방산, 벤조산, 프탈산 등의 방향족 카르복실산, 시트르산, 옥살산, 타르타르산, 말산, 말레산, 푸마르산, 숙신산, 유기 술폰산, 유기 포스폰산 등의 그 밖의 유기산에서 유래되는 것이어도 된다. 2종류 이상의 암모늄 화합물을 조합하여 사용해도 된다.

이들 취성막 형성제 중에서도, 아세트산, 락트산, 글리콜산, 글루콘산, 프로피온산, 살리실산, 이소니코틴산, 인산, HEDP, 포스폰산, 포스핀산, 페닐포스폰산, 포스핀산, 수산화암모늄이 바람직하다.

연마용 조성물 중의 취성막 형성제의 함유량의 하한은 0.001중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.01중량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.1중량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 취성막 형성제의 함유량이 많아짐에 따라, 연마 속도가 높아지므로 바람직하다.

연마용 조성물 중의 취성막 형성제의 함유량의 상한은 10중량％ 이하인 것이 바람직하고, 8중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 취성막 형성제의 함유량이 적어짐에 따라, 제조 비용을 내릴 수 있으므로 바람직하다.

상기 킬레이트 작용을 갖는 제 및 상기 취성막 형성제는 각각 단독으로 사용해도 되고, 킬레이트 작용을 갖는 제와 취성막 형성제를 병용해도 된다. 또한, 상기의 화합물의 예시로부터 명확해진 바와 같이, 화합물의 종류에 따라서는, 1종으로 킬레이트 작용을 갖는 제와 취성막 형성제의 양쪽의 작용을 갖는 것도 있다.

[산화제]

본 발명에 관한 연마용 조성물은 산화제를 포함한다. 연마용 조성물 중에 포함되는 산화제는 상변화 화합물의 표면을 산화하는 작용을 갖고, 연마 속도를 향상시킨다.

사용 가능한 산화제는 과산화수소, 과아세트산, 과벤조산, tert-부틸히드로퍼옥시드, 과망간산칼륨, 중크롬산칼륨, 요오드산칼륨, 과요오드산칼륨, 질산, 질산철, 과염소산, 차아염소산, 페리시안화칼륨, 과황산암모늄, 오존수 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 과산화수소, 질산, 과요오드산칼륨, 차아염소산 및 오존수가 바람직하고, 과산화수소가 특히 바람직하다. 이들 산화제는, 단독, 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도 과황산염 및 과산화수소가 바람직하고, 특히 바람직한 것은 과산화수소이다.

연마용 조성물 중의 산화제의 함유량의 하한은 0.1중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.3중량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 산화제의 함유량이 많아짐에 따라, 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물의 연마 속도가 보다 향상된다.

연마용 조성물 중의 산화제의 함유량의 상한은 10중량％ 이하인 것이 바람직하고, 5중량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 산화제의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 비용을 억제할 수 있는 것에 더하여, 연마 사용 후의 연마용 조성물의 처리, 즉 폐액 처리의 부하를 경감할 수 있다. 또한, 산화제에 의한 상변화 화합물의 과잉의 산화가 일어나기 어려워져, 과도한 연마를 억제할 수 있다.

[다른 성분]

본 발명의 연마용 조성물은 필요에 따라, 물, 지립, 금속 방식제, 연마 촉진제, 계면 활성제, 옥소산, 방부제, 곰팡이 방지제, 환원제, 수용성 고분자, 난용성의 유기물을 용해하기 위한 유기 용매 등의 다른 성분을 더 포함해도 된다. 이하, 바람직한 다른 성분인 물, 지립, 금속 방식제, 계면 활성제, 방부제 및 곰팡이 방지제에 대해 설명한다.

〔물〕

본 발명의 연마용 조성물은 지립을 분산 또는 용해하기 위한 분산매 또는 용매로서 물을 포함하는 것이 바람직하다. 다른 성분의 작용을 저해하는 것을 억제한다는 관점에서, 불순물을 가능한 한 함유하지 않는 물이 바람직하고, 구체적으로는, 이온 교환 수지로 불순물 이온을 제거한 후, 필터를 통해 이물을 제거한 순수나 초순수 또는 증류수가 바람직하다.

〔지립〕

본 발명의 연마용 조성물은 지립을 함유해도 된다. 지립은 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자 중 어떤 것이어도 된다. 무기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 세리아, 티타니아 등의 금속 산화물을 포함하는 입자 및 질화규소 입자, 탄화규소 입자 및 질화붕소 입자를 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자를 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카 입자가 바람직하고, 특히 바람직한 것은 콜로이달 실리카이다.

지립은 표면 수식되어 있어도 된다. 통상의 콜로이달 실리카는 산성 조건 하에서 제타 전위의 값이 제로에 가깝기 때문에, 산성 조건 하에서는 실리카 입자끼리가 서로 전기적으로 반발하지 않고 응집을 일으키기 쉽다. 이에 비해, 산성 조건으로도 제타 전위가 비교적 큰 정 혹은 부의 값을 갖도록 표면 수식된 지립은 산성 조건 하에 있어서도 서로 강하게 반발하여 양호하게 분산되는 결과, 연마용 조성물의 보존 안정성을 향상시키게 된다. 이와 같은 표면 수식 지립은, 예를 들어 알루미늄, 티타늄 또는 지르코늄 등의 금속 또는 이들 산화물을 지립과 혼합하여 지립의 표면에 도프시킴으로써 얻을 수 있다.

혹은, 연마용 조성물 중의 표면 수식 지립은 유기산을 고정화한 실리카여도 된다. 그 중에서도 유기산을 고정화한 콜로이달 실리카를 바람직하게 사용할 수 있다. 콜로이달 실리카로의 유기산의 고정화는 콜로이달 실리카의 표면에 유기산의 관능기를 화학적으로 결합시킴으로써 행해진다. 콜로이달 실리카와 유기산을 단순히 공존시킨 것만으로는 콜로이달 실리카로의 유기산의 고정화는 행해지지 않는다. 유기산의 1종인 술폰산을 콜로이달 실리카에 고정화하는 것이면, 예를 들어 "Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups", Chem. Commun. 246-247(2003)에 기재된 방법으로 행할 수 있다. 구체적으로는, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 티올기를 갖는 실란 커플링제를 콜로이달 실리카에 커플링시킨 후에 과산화수소로 티올기를 산화함으로써, 술폰산이 표면에 고정화된 콜로이달 실리카를 얻을 수 있다. 혹은, 카르복실산을 콜로이달 실리카에 고정화하는 것이면, 예를 들어 "Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel", Chemistry Letters, 3, 228-229(2000)에 기재된 방법으로 행할 수 있다. 구체적으로는, 광반응성 2-니트로벤질에스테르를 포함하는 실란 커플링제를 콜로이달 실리카에 커플링시킨 후에 광조사함으로써, 카르복실산이 표면에 고정화된 콜로이달 실리카를 얻을 수 있다.

연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 0.1중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.5중량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1중량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 제거 속도가 향상되는 이점이 있다.

연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 또한, 20중량％ 이하인 것이 바람직하고, 15중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 재료 비용을 억제할 수 있다.

지립의 평균 1차 입자경은 5㎚ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상이다. 지립의 평균 1차 입자경이 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 제거 속도가 향상되는 유리가 있다. 또한, 지립의 평균 1차 입자경의 값은, 예를 들어 BET법으로 측정되는 지립의 비표면적에 기초하여 계산할 수 있다.

지립의 평균 1차 입자경은 또한, 100㎚ 이하인 것이 바람직하고, 90㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 80㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 지립의 평균 1차 입자경이 작아짐에 따라, 연마용 조성물을 사용하여 연마 대상물을 연마함으로써 표면 결함이 적은 연마면이 얻어지기 쉽다.

지립의 평균 2차 입자경은 150㎚ 이하인 것이 바람직하고, 120㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 100㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 지립의 평균 2차 입자경의 값은, 예를 들어 레이저광 산란법에 의해 측정할 수 있다.

지립의 평균 2차 입자경의 값을 평균 1차 입자경의 값으로 제산함으로써 얻어지는 지립의 평균 회합도는 1.2 이상인 것이 바람직하고, 1.5 이상인 것이 보다 바람직하다. 지립의 평균 회합도가 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 제거 속도가 향상되는 이점이 있다.

지립의 평균 회합도는 또한, 4 이하인 것이 바람직하고, 3 이하인 것이 보다 바람직하고, 2 이하인 것이 더욱 바람직하다. 지립의 평균 회합도가 작아짐에 따라, 표면 결함이 적은 연마면이 얻어지기 쉽다.

〔금속 방식제〕

본 발명에 관한 연마용 조성물은 금속 방식제를 포함할 수 있다. 연마용 조성물 중에 금속 방식제를 가함으로써, 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 화합물에 디싱 등의 표면 결함이 보다 발생하기 어려워진다. 또한, 그 금속 방식제는 산화제에 의한 상변화 화합물 표면의 산화를 완화함과 함께, 산화제에 의한 상변화 화합물 표면의 금속의 산화에 의해 발생하는 금속 이온과 반응하여 불용성의 착체를 생성하는 작용을 한다. 그 결과, 킬레이트 작용을 갖는 제에 의한 상변화 화합물로의 에칭을 억제할 수 있어, 과도한 연마를 억제할 수 있다.

사용 가능한 금속 방식제는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물이고, 예를 들어 하기 화학식 1로 표현되는 β-디케톤 화합물, 하기 화학식 2로 표현되는 β-케토아미드 화합물 또는 하기 화학식 3으로 표현되는 β-케토에스테르 화합물을 들 수 있다.

단, 화학식 1 중, R₁, R₂, R₃ 및 R₄는 각각 독립적으로, 수소 원자 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 히드록시에틸기 또는 치환되어 있어도 되는 아릴기이고, 이때, R₁과 R₃ 및 R₂와 R₄는 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 된다.

단, 화학식 2 중, R₅, R₆, R₇, R₈ 및 R₉는 각각 독립적으로, 수소 원자 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 히드록시에틸기 또는 치환되어 있어도 되는 아릴기이고, 이때, R₅와 R₆, R₆과 R₇, R₇과 R₉ 및 R₈과 R₉는 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 된다.

단, 화학식 3 중, R₁₀, R₁₁, R₁₂ 및 R₁₃은 각각 독립적으로, 수소 원자 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 히드록시에틸기 또는 치환되어 있어도 되는 아릴기이고, 이때, R₁₀과 R₁₁, R₁₁과 R₁₂ 및 R₁₂와 R₁₃은 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 된다.

연마용 조성물 중에 포함되는 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물이, 상기 화학식 1로 표현되는 β-디케톤 화합물인 경우, 구체적으로는 아세틸아세톤, 트리플루오로아세틸아세톤, 프로피오닐아세톤, 벤조일아세톤, 벤조일트리플루오로아세톤 또는 디벤조일메탄을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

연마용 조성물 중에 포함되는 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물이, 상기 화학식 2로 표현되는 β-케토아미드 화합물인 경우, 구체적으로는 N-메틸아세토아세트산아미드, N,N-디메틸아세토아세트산아미드, N-(2-히드록시에틸)아세토아세트산아미드, 아세토아세트산아닐리드, N-(2-메틸페닐)아세토아세트산아미드, N-(4-메톡시페닐)아세토아세트산아미드, N-(4-클로로페닐)아세토아세트산아미드 또는 3-옥소펜탄산아미드 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

연마용 조성물 중에 포함되는 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물이, 상기 화학식 3으로 표현되는 β-케토에스테르 화합물인 경우, 구체적으로는 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세토아세트산옥틸, 아세토아세트산올레일, 아세토아세트산라우릴, 아세토아세트산스테아릴, 아세토아세트산벤질, 3-옥소펜탄산메틸 또는 3-옥소펜탄산옥틸 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

연마용 조성물 중의 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물의 함유량의 상한은 10중량％ 이하인 것이 바람직하고, 8중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5중량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물의 함유량이 적어짐에 따라, 연마 속도가 향상되므로 바람직하다.

연마용 조성물 중의 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물의 함유량의 하한은 0.0001중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.001중량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.01중량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 분자 내에 함유되는 2개의 카르보닐기가 분자 내의 1위 및 3위의 탄소 원자에 결합한 화합물의 함유량이 많아짐에 따라, 에칭이 억제된다. 그 결과, 리세스의 발생을 억제할 수 있으므로 바람직하다.

그 밖에도 금속 방식제로서, 복소환 화합물을 들 수 있다. 사용 가능한 복소환 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 피롤 화합물, 피라졸 화합물, 이미다졸 화합물, 트리아졸 화합물, 테트라졸 화합물, 피리딘 화합물, 피라진 화합물, 피리다진 화합물, 피리딘 화합물, 인돌리진 화합물, 인돌 화합물, 이소인돌 화합물, 인다졸 화합물, 퓨린 화합물, 퀴놀리진 화합물, 퀴놀린 화합물, 이소퀴놀린 화합물, 나프티리딘 화합물, 프탈라진 화합물, 퀴녹살린 화합물, 퀴나졸린 화합물, 신놀린 화합물, 부테리진 화합물, 티아졸 화합물, 이소티아졸 화합물, 옥사졸 화합물, 이소옥사졸 화합물, 푸라잔 화합물 등의 질소 함유 복소환 화합물을 들 수 있다.

더욱 구체적인 예를 들면, 피라졸 화합물의 예로서는, 예를 들어 1H-피라졸, 4-니트로-3-피라졸카르복실산, 3,5-피라졸카르복실산, 3-아미노-5-페닐피라졸, 5-아미노-3-페닐피라졸, 3,4,5-트리브로모피라졸, 3-아미노피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3,5-디메틸-1-히드록시메틸피라졸, 3-메틸피라졸, 1-메틸피라졸, 3-아미노-5-메틸피라졸, 4-아미노-피라조로[3,4-d]피리미딘, 알로푸리놀, 4-클로로-1H-피라조로[3,4-D]피리미딘, 3,4-디히드록시-6-메틸피라조로(3,4-B)-피리딘, 6-메틸-1H-피라조로[3,4-b]피리딘-3-아민 등을 들 수 있다.

이미다졸 화합물의 예로서는, 예를 들어 이미다졸, 1-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸피라졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-이소프로필이미다졸, 벤즈이미다졸, 5,6-디메틸벤즈이미다졸, 2-아미노벤즈이미다졸, 2-클로로벤즈이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸, 2-(1-히드록시에틸)벤즈이미다졸, 2-히드록시벤즈이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,5-디메틸벤즈이미다졸, 5-메틸벤즈이미다졸, 5-니트로벤즈이미다졸, 1H-퓨린 등을 들 수 있다.

트리아졸 화합물의 예로서는, 예를 들어 1,2,3-트리아졸(1H-BTA), 1,2,4-트리아졸, 1-메틸-1,2,4-트리아졸, 메틸-1H-1,2,4-트리아졸-3-카르복실레이트, 1,2,4-트리아졸-3-카르복실산, 1,2,4-트리아졸-3-카르복실산메틸, 1H-1,2,4-트리아졸-3-티올, 3,5-디아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸-5-티올, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-벤질-4H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4-트리아졸, 3-니트로-1,2,4-트리아졸, 3-브로모-5-니트로-1,2,4-트리아졸, 4-(1,2,4-트리아졸-1-일)페놀, 4-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-3,5-디프로필-4H-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-3,5-디메틸-4H-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-3,5-디펩틸-4H-1,2,4-트리아졸, 5-메틸-1,2,4-트리아졸-3,4-디아민, 1H-벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 1-카르복시벤조트리아졸, 5-클로로-1H-벤조트리아졸, 5-니트로-1H-벤조트리아졸, 5-카르복시-1H-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1H-벤조트리아졸, 1-(1',2'-디카르복시에틸)벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]-5-메틸벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]-4-메틸벤조트리아졸 등을 들 수 있다.

테트라졸 화합물의 예로서는, 예를 들어 1H-테트라졸, 5-메틸테트라졸, 5-아미노테트라졸 및 5-페닐테트라졸 등을 들 수 있다.

인다졸 화합물의 예로서는, 예를 들어 1H-인다졸, 5-아미노-1H-인다졸, 5-니트로-1H-인다졸, 5-히드록시-1H-인다졸, 6-아미노-1H-인다졸, 6-니트로-1H-인다졸, 6-히드록시-1H-인다졸, 3-카르복시-5-메틸-1H-인다졸 등을 들 수 있다.

인돌 화합물의 예로서는, 예를 들어 1H-인돌, 1-메틸-1H-인돌, 2-메틸-1H-인돌, 3-메틸-1H-인돌, 4-메틸-1H-인돌, 5-메틸-1H-인돌, 6-메틸-1H-인돌, 7-메틸-1H-인돌, 4-아미노-1H-인돌, 5-아미노-1H-인돌, 6-아미노-1H-인돌, 7-아미노-1H-인돌, 4-히드록시-1H-인돌, 5-히드록시-1H-인돌, 6-히드록시-1H-인돌, 7-히드록시-1H-인돌, 4-메톡시-1H-인돌, 5-메톡시-1H-인돌, 6-메톡시-1H-인돌, 7-메톡시-1H-인돌, 4-클로로-1H-인돌, 5-클로로-1H-인돌, 6-클로로-1H-인돌, 7-클로로-1H-인돌, 4-카르복시-1H-인돌, 5-카르복시-1H-인돌, 6-카르복시-1H-인돌, 7-카르복시-1H-인돌, 4-니트로-1H-인돌, 5-니트로-1H-인돌, 6-니트로-1H-인돌, 7-니트로-1H-인돌, 4-니트릴-1H-인돌, 5-니트릴-1H-인돌, 6-니트릴-1H-인돌, 7-니트릴-1H-인돌, 2,5-디메틸-1H-인돌, 1,2-디메틸-1H-인돌, 1,3-디메틸-1H-인돌, 2,3-디메틸-1H-인돌, 5-아미노-2,3-디메틸-1H-인돌, 7-에틸-1H-인돌, 5-(아미노메틸)인돌, 2-메틸-5-아미노-1H-인돌, 3-히드록시메틸-1H-인돌, 6-이소프로필-1H-인돌, 5-클로로-2-메틸-1H-인돌 등을 들 수 있다.

이들 중에서도 바람직한 복소환 화합물은 트리아졸 화합물이고, 특히, 1H-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1H-벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]-5-메틸벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노메틸]-4-메틸벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸 및 1,2,4-트리아졸이 바람직하다. 이들 복소환 화합물은 상변화 화합물 표면으로의 화학적 또는 물리적 흡착력이 높기 때문에, 상변화 화합물 표면에 보다 견고한 보호막을 형성할 수 있다. 이는 본 발명의 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 화합물의 표면의 평탄성을 향상시키는데 있어 유리하다.

이들 중에서도 바람직한 금속 방식제는 질소 함유 5원환 화합물이고, 1H-피라졸, 1,2,4-트리아졸 및 1H-테트라졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다. 이들 화합물을 사용함으로써, 상변화 화합물의 과잉의 에칭을 억제할 수 있다.

연마용 조성물 중의 금속 방식제의 함유량의 하한은 0.001g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005g/L 이상, 더욱 바람직하게는 0.01g/L 이상이다. 또한, 연마용 조성물 중의 금속 방식제의 함유량의 상한은 10g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5g/L 이하, 더욱 바람직하게는 2g/L 이하이다. 이와 같은 범위이면, 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 화합물의 표면의 평탄성이 향상되고, 또한 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 향상된다.

〔계면 활성제〕

본 발명에 관한 연마용 조성물은 계면 활성제를 포함할 수 있다. 연마용 조성물 중에 계면 활성제를 가함으로써, 연마한 후의 상변화 화합물의 디싱을 보다 억제할 수 있다.

사용되는 계면 활성제는 음이온성 계면 활성제, 양이온성 계면 활성제, 양성 계면 활성제 및 비이온성 계면 활성제 중 어떤 것이어도 되지만, 그 중에서 음이온성 계면 활성제 및 비이온성 계면 활성제가 바람직하다. 복수 종류의 계면 활성제를 조합하여 사용해도 되고, 특히 음이온성 계면 활성제와 비이온성 계면 활성제를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.

음이온성 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌알킬에테르 아세트산, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산, 알킬에테르황산, 폴리옥시에틸렌알킬황산에스테르, 알킬황산에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬황산, 알킬황산, 알킬벤젠술폰산, 알킬인산에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르, 폴리옥시에틸렌술포숙신산, 알킬술포숙신산, 알킬나프탈렌술폰산, 알킬디페닐에테르디술폰산 및 그들의 염을 들 수 있다. 그 중에서도 폴리옥시에틸렌알킬에테르아세트산, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산염, 알킬에테르황산염 및 알킬벤젠술폰산염이 바람직하다. 이들의 바람직한 음이온성 계면 활성제는 상변화 화합물 표면으로의 화학적 또는 물리적 흡착력이 높기 때문에, 보다 견고한 보호막을 상변화 화합물 표면에 형성한다. 이는 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 화합물의 표면의 평탄성을 향상시키는데 있어 유리하다.

양이온성 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들어 알킬트리메틸암모늄염, 알킬디메틸암모늄염, 알킬벤질디메틸암모늄염 및 알킬아민염을 들 수 있다.

양성 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들어 알킬베타인 및 알킬아민옥시드를 들 수 있다.

비이온성 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌알킬에테르 등의 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 글리세린 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민 및 알킬알칸올아미드를 들 수 있다. 그 중에서도 폴리옥시알킬렌알킬에테르가 바람직하다. 폴리옥시알킬렌알킬에테르는 상변화 화합물 표면으로의 화학적 또는 물리적 흡착력이 높기 때문에, 보다 견고한 보호막을 상변화 화합물 표면에 형성한다. 이는 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의, 상변화 화합물의 표면의 평탄성을 향상시키는데 있어 유리하다.

연마용 조성물 중의 계면 활성제의 함유량은 0.001g/L 이상인 것이 바람직하고, 0.005g/L 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.01g/L 이상인 것이 더욱 바람직하다. 계면 활성제의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 화합물의 표면의 평탄성이 향상되는 이점이 있다. 연마용 조성물 중의 계면 활성제의 함유량은 또한, 10g/L 이하인 것이 바람직하고, 5g/L 이하인 것이 보다 바람직하고, 1g/L 이하인 것이 더욱 바람직하다. 계면 활성제의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 속도가 향상되는 이점이 있다.

〔옥소산〕

본 발명에 관한 연마용 조성물은 옥소산을 포함할 수 있다.

「옥소산」은 옥시산, 산소산이라고도 칭해지고, 프로톤(H⁺)으로서 해리할 수 있는 수소가 산소 원자에 결합한 산이고, 화학식 XO_n(OH)_m으로 표현된다. 전형적인 옥소산에는 금속 원소나 반금속 원자를 포함하지 않는 무기산인 황산(H₂SO₄), 질산(HNO₃), 인산(H₃PO₄) 등이 있지만, 본 형태에 관한 연마용 조성물은 옥소산으로서 「금속 원소 또는 반금속 원소를 포함한다」는 것을 포함하는 점에 특징이 있다.

본 명세서 중, 「금속 원소」란, 그 단체가 「금속 광택을 갖고, 전성, 연성이 풍부하고, 전기와 열의 전도성이 현저하다」는 금속의 성질을 나타내는 원소를 말하고, 종래 「금속 원소」로서 알려져 있는 모든 원소가 이 개념에 포함된다. 또한, 「반금속 원소」는 메탈로이드라고도 칭해지고, 금속과 비금속의 중간의 성질을 나타내는 원소이다. 반금속 원소에 대해 엄밀하게 일의적인 정의는 존재하지 않지만, 본 명세서에서는, 붕소(B), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 폴로늄(Po) 및 아스타틴(At)을 말하는 것으로 한다.

바람직한 실시 형태에 있어서, 옥소산에 포함되는 금속 원소 또는 반금속 원소는 원소의 장주기형 주기율표에 있어서의 제3족 내지 제17족에 속하는 원소인 것이 바람직하고, 이하의 원소인 것이 보다 바람직하다: B, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Tl, Pb, Bi, Po, At, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu. 옥소산에 포함되는 금속 원소로서 특히 바람직하게는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 망간(Mn), 구리(Cu), 철(Fe), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 인듐(In), 아연(Zn), 납(Pb) 또는 니오븀(Nb)이고, 가장 바람직하게는 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo)이다. 또한, 옥소산에 포함되는 반금속 원소로서 특히 바람직하게는 텔루륨(Te), 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb) 또는 규소(Si)이고, 가장 바람직하게는 텔루륨(Te)이다.

금속 원소 또는 반금속 원소를 포함하는 옥소산의 구체예에 대해 특별히 제한은 없고, 예를 들어 상술한 금속 원소 또는 반금속 원소를 포함하는 옥소산을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 테룰산(Te(OH)₆), 텅스텐산(H₂WO₄(WO₃ㆍH₂O), H₄WO₅(WO₃ㆍ2H₂O)], 몰리브덴산(MoO₃ㆍH₂O), 규텅스텐산(H₄[SiW₁₂O₄₀]), 인텅스텐산(H₃[PW₁₂O₄₀]), 메타바나듐산(HVO₃), 과망간산, 알루민산, 주석산, 게르마늄산, 규산 등을 들 수 있다. 또한, 상술한 규텅스텐산이나 인텅스텐산 등의 폴리산의 중심 원자나 금속 원자가 다른 원자로 치환되어 이루어지는 각종 폴리산이 본 형태에 있어서의 옥소산으로서 사용되어도 된다. 2종류 이상의 옥소산을 조합하여 사용해도 된다.

본 명세서 중, 「옥소산」의 개념에는 염 또는 수화물의 형태의 것도 포함되는 것으로 한다. 옥소산의 염은 상술한 옥소산으로부터 프로톤(H⁺)이 이탈한 구조를 갖는 음이온과, 적당한 양이온의 염이다. 옥소산의 염을 구성하는 양이온으로서는, 예를 들어 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속, 칼슘 등의 알칼리토류 금속, 암모늄 이온(NH₄ ⁺), 제1급 아민, 제2급 아민, 제3급 아민, 제4급 아민 등을 들 수 있다. 또한, 옥소산의 수화물에 있어서 옥소산에 수화하는 물분자의 수에 대해 특별히 제한은 없고, 종래 공지의 지견이 적절히 참조될 수 있다. 또한, 연마용 조성물이 물 등의 용매를 포함하는 경우, 옥소산(염)은 통상, 음이온 등의 이온의 형태로 존재한다. 이와 같은 경우라도, 「연마용 조성물이 옥소산을 포함한다」고 하는 점에서는 변함이 없는 것으로 한다.

본 형태에 관한 연마용 조성물 중의 옥소산의 함유량의 하한은 소량으로도 효과를 발휘하므로 특별히 한정되는 것은 아니지만, 조성물의 전체량 100중량％에 대해, 0.0001중량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.0005중량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.001중량％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 형태에 관한 연마용 조성물 중의 옥소산의 함유량의 상한도 특별히 제한되지 않지만, 제조 단가, 용해도에 의한 연마 대상물로의 잔류성이라는 관점에서는, 조성물의 전체량 100중량％에 대해, 15중량％ 이하인 것이 바람직하고, 10중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.

〔방부제 및 곰팡이 방지제〕

본 발명에서 사용되는 방부제 및 곰팡이 방지제로서는, 예를 들어 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온이나 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온 등의 이소티아졸린계 방부제, 파라옥시벤조산에스테르류 및 페녹시에탄올 등을 들 수 있다. 이들 방부제 및 곰팡이 방지제는 단독, 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.

[연마용 조성물의 pH]

본 발명의 연마용 조성물의 pH의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 1 이상인 것이 바람직하고, 2 이상인 것이 보다 바람직하다. 연마용 조성물의 pH가 커짐에 따라, 취급성이 보다 향상된다.

또한, 연마용 조성물의 pH의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 12 이하인 것이 바람직하고, 11 이하인 것이 바람직하다. 연마용 조성물의 pH가 작아짐에 따라, 지립의 용해를 방지할 수 있다.

연마용 조성물의 pH를 원하는 값으로 조정하기 위해 pH 조정제를 사용해도 된다. 사용하는 pH 조정제는 산 및 알칼리 중 어떤 것이어도 되고, 또한 무기 및 유기의 화합물 중 어떤 것이어도 된다. 또한, pH 조절제는 단독, 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 상술한 각종 첨가제로서, pH 조정 기능을 갖는 것(예를 들어, 각종 산 등)을 사용하는 경우에는, 당해 첨가제를 pH 조정제의 적어도 일부로서 이용해도 된다.

[연마용 조성물의 제조 방법]

본 발명의 연마용 조성물의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 유기 화합물, 킬레이트 작용을 갖는 제, 취성막 형성제, 산화제 및 필요에 따라 다른 성분을 수중에서 교반 혼합함으로써 얻을 수 있다.

각 성분을 혼합할 때의 온도는 특별히 제한되지 않지만, 10 내지 40℃가 바람직하고, 용해 속도를 올리기 위해 가열해도 된다. 또한, 혼합 시간도 특별히 제한되지 않는다.

[연마 방법 및 기판의 제조 방법]

상술한 바와 같이, 본 발명의 연마용 조성물은 상기에서 설명한 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물의 연마에 적절히 사용된다. 따라서, 본 발명은 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물을 본 발명의 연마용 조성물을 사용하여 연마하는 연마 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물을 상기 연마 방법으로 연마하는 공정을 포함하는, 기판의 제조 방법을 제공한다.

연마 장치로서는, 기판 등을 보유 지지하는 홀더와 회전수를 변경 가능한 모터 등이 설치되어 있고, 연마 패드(연마포)를 부착 가능한 연마 정반을 갖는 일반적인 연마 장치를 사용할 수 있다.

상기 연마 패드로서는, 일반적인 부직포, 폴리우레탄 및 다공질 불소 수지 등을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 연마 패드에는 연마액이 저류되는 홈 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하다.

단, 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물을 연마하는 연마 패드의 쇼어 D 경도의 하한은 50 이상인 것이 바람직하고, 60 이상인 것이 보다 바람직하다. 연마 패드의 쇼어 D 경도가 높을수록, 연마 패드의 기계적 작용이 커지고, 연마 속도가 향상된다. 또한, 본 발명의 연마용 조성물에 있어서는, 지립을 포함하지 않아도 높은 연마 속도를 얻을 수 있다는 이점이 있다.

또한, 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물을 연마하는 연마 패드의 경도의 상한은 쇼어 D 경도 99 이하인 것이 바람직하다. 연마 패드의 쇼어 D 경도가 낮을수록, 연마 대상물에 흠집이 생기기 어려워진다. 그와 같은 관점에서, 보다 바람직하게는, 연마 패드의 쇼어 D 경도의 상한은 95 이하이다. 또한, 쇼어 D 경도는 정의상 100 이상의 값으로는 되지 않는다. 연마 패드의 쇼어 D 경도는 쇼어 D 경도계로 측정할 수 있다.

쇼어 D 경도 50 이상의 연마 패드는 발포체와, 천, 부직포 등의 비발포체의 어떤 것이어도 되고, 연마 패드의 재질로서는 폴리우레탄, 아크릴, 폴리에스테르, 아크릴-에스테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리4-메틸펜텐, 셀룰로오스, 셀룰로오스에스테르, 나일론 및 아라미드 등의 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리이미드아미드, 폴리실록산 공중합체, 옥시란 화합물, 페놀 수지, 폴리스티렌, 폴리카르보네이트, 에폭시 수지 등의 수지를 사용할 수 있다.

연마 조건에도 특별히 제한은 없고, 예를 들어 연마 정반의 회전 속도는 10 내지 500rpm이 바람직하고, 상변화 화합물을 갖는 연마 대상물에 가해지는 압력(연마 압력)은 0.5 내지 10psi가 바람직하다. 연마 패드에 연마용 조성물을 공급하는 방법도 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 펌프 등으로 연속적으로 공급하는 방법이 채용된다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마 패드의 표면이 항상 본 발명의 연마용 조성물로 덮여 있는 것이 바람직하다.

연마 종료 후, 연마 대상물을 유수 중에서 세정하고, 스핀 드라이어 등에 의해 연마 대상물 위에 부착된 물방울을 털어 건조시킴으로써, 상변화 화합물을 포함하는 기판이 얻어진다.

본 발명의 연마용 조성물은 일액형이어도 되고, 2액형을 비롯한 다액형이어도 된다. 또한, 본 발명의 연마용 조성물은 연마용 조성물의 원액을 물 등의 희석액을 사용하여, 예를 들어 10배 이상으로 희석함으로써 조제되어도 된다.

실시예

다음에, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.

하기 표 2 내지 표 8에 기재된 조성이 되도록 각 성분을 수중에서 혼합함으로써, 실시예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 44의 연마용 조성물을 조제하였다. 하기 표 2 내지 표 8에는 각 연마용 조성물 중에 포함되는 유기 화합물, 킬레이트 작용을 갖는 제 또는 취성막 형성제의 종류와 첨가량을 나타냈다. 또한, "-"의 표기는 대응하는 첨가제를 함유하고 있지 않은 것을 나타낸다. 하기 표 2 내지 표 8의 "pH"란에는 각 연마용 조성물의 pH를 나타낸다. 또한, 하기 표 2 내지 표 8 중에는 나타나 있지 않지만, 지립은 약 60㎚의 평균 2차 입자경(평균 1차 입자경 30㎚)을 갖는 콜로이달 실리카를 사용하여, 조성물의 전체 중량에 대해 2.5중량％가 되도록 첨가되어 있다. pH는 질산 및 /또는 수산화칼륨을 사용하여, 소정의 값으로 조정하였다. 또한, 표 2 내지 표 8 중에는 도시되어 있지 않지만, 각 연마용 조성물에는 산화제로서 과산화수소가 조성물의 전체 중량에 대해 2.1중량％가 되도록 첨가되어 있다. 단, 비교예 2 및 비교예 11에서는 과산화수소를 첨가하지 않았다.

실시예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 44의 각 연마용 조성물을 사용하여, GST 합금(Ge, Sb 및 Te의 중량비는 2:2:5)을 포함하는 블랭킷 웨이퍼, TEOS를 포함하는 블랭킷 웨이퍼 및 SiN을 포함하는 블랭킷 웨이퍼를, 하기 표 1에 나타내는 조건으로 연마하였다.

하기 표 1의 조건으로 일정 시간 연마했을 때의 연마 속도에 대해, GST 합금에 대해서는, 형광 X선 분석법(XRF)으로부터 구해지는 연마 전후의 블랭킷 웨이퍼의 두께의 차를 연마 시간으로 제산함으로써 구하였다. 또한, TEOS, SiN에 대해서는 광간섭식 막 두께 측정 장치에 의해 구해지는 연마 전후의 블랭킷 웨이퍼의 두께의 차를 연마 시간으로 제산함으로써 구하였다. 그 결과를 하기 표 2 내지 표 8의 "연마 속도"의 란에 나타낸다. 또한, GST 합금의 연마 속도를 TEOS의 연마 속도로 제산한 값을 "GST/TEOS 속도비"의 란에, GST 합금의 연마 속도를 SiN의 연마 속도로 제산한 값을 "GST/SiN 속도비"의 란에 각각 나타낸다.

상기 표 2 내지 표 8로부터 명백해진 바와 같이, 실시예에 나타내는 본 발명의 연마용 조성물은 상변화 화합물인 GST 합금의 연마 속도가 높고, 또한 GST 합금의 연마 선택성도 높은 것을 알 수 있었다.

또한, 본 출원은 2013년 5월 15일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-103244호에 기초하고 있고, 그 개시 내용은 참조에 의해 전체적으로 인용되어 있다.

Claims (14)

1. 글리세린, 폴리글리세린, 에리트리톨, 소르비톨, 소르비탄, 소르비톨글리세린 축합물, 크실리톨, 글루코오스, 프룩토오스, 만노오스, 갈락토오스, 수크로오스, 락토오스, 알로오스, 아피오스, 프시코오스, 리불로오스, 리보오스, 크실룰로오스, 에리트룰로오스, 에리트로오스, 말토오스, 이소말토오스, 트레할로오스, 이소트레할로오스, 락토스크로스, 말토트리오스, 이소말토트리오스, 수크랄로오스, 덱스트린, 시클로덱스트린, 글루쿠론산, 갈락투론산, 아스코르브산, 글루쿠로노락톤, 글루코노락톤, 전분, 글리코겐, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 카르복시메틸 전분, 메틸히드록시프로필 전분, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 메틸히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 셀룰로오스, 및 알긴산나트륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 유기 화합물과,
   상변화 화합물의 적어도 하나의 성분에 대해 킬레이트 작용을 갖는 제 및 취성막 형성제의 적어도 한쪽과,
   산화제를 포함하는, 연마용 조성물.
2. 제1항에 있어서, 상변화 화합물을 포함하는 층을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는, 연마용 조성물.
3. 제2항에 있어서, 상기 상변화 화합물이 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔루륨(Te) 합금인, 연마용 조성물.
4. 삭제
5. 삭제
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 화합물이, 글리세린, 소르비톨, 소르비탄, 소르비톨글리세린 축합물, 크실리톨, 글루코오스, 프룩토오스, 트레할로오스, 덱스트린, 카르복시메틸셀룰로오스, 및 셀룰로오스로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 연마용 조성물.
7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 화합물이, 트레할로오스, 프룩토오스, 소르비톨, 글루코오스, 카르복시메틸셀룰로오스 및 덱스트린으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 연마용 조성물.
8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물의 표면을 연마하는, 연마 방법.
9. 제6항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물의 표면을 연마하는, 연마 방법.
10. 제7항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 화합물을 포함하는 연마 대상물의 표면을 연마하는, 연마 방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 제8항에 기재된 연마 방법으로 연마하는 공정을 포함하는, 상변화 화합물을 포함하는 기판의 제조 방법.
14. 제9항에 기재된 연마 방법으로 연마하는 공정을 포함하는, 상변화 화합물을 포함하는 기판의 제조 방법.