KR102231532B1 - 반복 반사를 감소시키기 위한 성형된 형광체 - Google Patents

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Abstract

사전 형성된 파장 변환 소자들은 발광 소자들에 부착되고, 내부 전반사의 반복된 발생들을 감소시키도록 성형된다. 성형된 소자들의 측면들은 파장 변환 소자의 광 추출면 위의 반사광의 입사각에서의 변화를 유도하기 위해서 경사지거나 다르게 성형될 수 있다. 사전 형성된 파장 변환 소자들은 내부 전반사의 반복된 발생들을 감소시키도록 성형되는 발광 소자들 사이의 특징들을 갖고서, 발광 소자들의 어레이 위에 연장되도록 구성될 수 있다.

Description

반복 반사를 감소시키기 위한 성형된 형광체{SHAPED PHOSPHOR TO REDUCE REPEATED REFLECTIONS}
[관련 출원에 대한 상호 참조]
본 출원은 2014년 8월 12일에 출원되고 "반복 반사를 감소시키기 위한 성형된 형광체" 제하의 국제 출원 번호 PCT/IB2014/063865의 §371 출원이고, 이는 2013년 8월 20일에 출원된 미국 가출원 제61/867,773호의 우선권을 주장한다. PCT/IB2014/063,865호 및 61/867,773호는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 발광 장치들의 분야와 관련되고, 특히 형광체 등의 파장 변환 물질을 가진 발광 장치들과 관련된다.
반도체 발광 장치들의 지금까지 사용 확대는 이러한 장치들을 위한 대단히 경쟁적인 시장을 만들어냈다. 이러한 시장에서, 성능과 가격은 종종 공급 업체 간의 제품 구별을 제공하기 위해 중요하다.
장치의 성능을 개선하기 위한 한가지 기술은 실제로 장치로부터 방출되는 생성된 광의 비율을 증가시키는 것이고, 그에 따라 장치 내에 트랩되어 결국 흡수된 광량을 상응하게 감소시키는 것이다. 장치의 측면들 위에 반사기들을 사용하는 것처럼, 광 추출면이 아닌 장치의 표면에 반사기를 사용하는 것은 광 추출면을 향하여 광의 방향을 바꾸는데 사용된 일반적인 기술이다.
도 1a-1b는 반사 측면들을 갖는 예시적인 종래 기술의 발광 장치들의 제조를 설명하고, 도 1c는 그러한 장치로부터 광의 방출을 설명한다.
도 1a에서, 일반적으로 서브마운트라고 칭하는 기판(110)은 일반적으로 솔더 범프(130)들을 통해, 외부 전력원을 발광 소자(150)에 연결하기 위한 금속 트레이스(120)들을 포함한다. 언더필 재료(underfill material)(140)는 기계적 지지체를 발광 소자(150)에 제공하고; 언더필 재료(140)는 반사형일 수 있다.
이 예에서, 파장 변환 소자(160)는 발광 소자(150)의 발광면(155) 위에 위치한다. 파장 변환 소자는 발광 소자(150)에 의해 방출된 광의 일부를 흡수하고, 상이한 파장에서 광을 방출한다. 발광 소자(150)로부터 방출된 광과 파장 변환 소자(160)에 의해 방출된 광의 혼합은 광 추출면(165)으로부터 장치를 벗어난다.
도 1b에서, 반사 물질(170)은 장치를 둘러싸도록 도포되어, 파장 변환 소자(160)의 측면들/에지들(162)을 타격하는 광이 광 추출면(165)을 향하여 방향이 바뀔 수 있다.
기판(110)은 단품화(singulate)된 장치들을 제공하기 위해 이후에 슬라이싱/다이싱될 수 있다. 선택적으로, 에폭시와 같은, 보호 물질은 장치들이 단품화되기 전후로, 발광 장치를 캡슐화하기 위해 몰딩되거나 다르게 형성될 수 있으며, 특별한 광학적 효과를 제공하기 위해 성형될 수 있다.
도 1c는 장치의 추출면(165)으로부터 광의 예시적 방출을 설명한다. 표면(165)은 파장 변환 소자(160)과 주변 매체 사이에 계면을 형성하고, 파장 변환 소자와 주변 매체의 굴절률들은 광 추출을 위한 임계각을 규정할 것이고, 이러한 임계각은 표면(165) 상의 각각의 점에서 탈출 원뿔(escape cone)(168)을 규정할 것이다. 임계각 미만인(즉, 탈출 원뿔 내의) 표면의 법선에 대한 각도로 표면을 타격하는 광(101, 102)은 표면을 통하여 탈출하게 되고; 임계각보다 큰 각도로 표면을 타격하는 광(106, 107)은 내부 전반사(TIR)를 경험하게 되고, 광 추출면(165)로부터 멀어지며 반사될 것이다. 아래에서 더 상세히 설명된 것처럼, 파장 변환 소자(160) 내에서 완전히 내부 반사광은 반복해서 완전히 내부로 반사될 가능성이 있고, 그러므로 발광 장치 내에 흡수될 가능성이 매우 크다.
그러한 광을 광 추출면을 벗어나게 하면서, 파장 변환 소자를 갖는 발광 장치 내에 흡수된 광량을 감소시키며, 그로 인해 광 추출 효율을 향상시키는 것이 유리할 것이다. 파장 변환 소자들을 가진 발광 장치들의 어레이로부터 방출된 광의 균일성을 향상시키는 것이 또한 유리할 것이다.
본 발명의 실시예에서, 이러한 관심들 중 하나 이상을 다루기 위해, 사전 형성된 파장 변환 소자들은 내부 전반사의 반복된 발생들을 감소시키도록 성형된다. 성형된 소자들의 측면들은 광 추출면 상의 반사광의 입사각에서의 변화를 유도하도록 경사지거나 또는 다르게 성형될 수 있다. 사전 형성된 파장 변환 소자들은 내부 전반사의 반복된 발생들을 감소시키도록 성형된 발광 소자들 사이의 특징들을 갖고서, 발광 소자들의 위에 연장되도록 구성될 수 있다.
광이 직선 구조 내에 내부 전반사되면, 반대(평행) 표면을 타격하는 반사광은 동일한 입사각으로 타격하게 된다. 상부 또는 하부 표면으로부터의 반사광이 직선 구조의 측면을 타격하면, 그것은 표면 상의 입사각과 직교하는 입사각으로 타격하게 된다. 측면으로부터의 반사광이 상부 또는 하부 표면을 타격할 때, 그것은 측면 상의 입사각과 직교하는 입사각으로 타격하게 된다. 그러므로, 표면에서 측면으로 그리고 나서 반대면으로 반사된 광은 제1 표면의 최초 입사각과 동일한 입사각으로 반대면을 타격하게 된다. 예시적 종래 기술의 발광 장치에서, 내부 전반사 때문에 광 추출면(165)을 벗어날 수 없는 광은 동일한 입사각으로 해당 표면(165)을 반복해서 타격하게 되고 그것이 결국 흡수될 때까지 발광 장치 내에 트랩되게 된다. 광이 표면(155)에서의 굴절 때문에, 발광 소자(150)에 다시 들어갈 때 각도의 변화가 발생할 수 있을지라도, 직선 구조들(150, 160)의 대칭 특성은 내부 전반사들을 반복하게 하는 경향이 있게 된다.
파장 변환 소자가 종래의 직교 측벽들 대신, 평행 표면들 사이에 비직교 표면을 제공하도록 성형되면, 비직교 표면으로부터 반사된 광은 동일한 입사각으로 반대 표면을 타격하지 않게 된다. 입사각이 비직교 표면으로부터 반사된 후 변경되기 때문에, 탈출 원뿔 내의 광 추출면을 결국 타격하는 반사광의 가능성은 증가되며, 그로 인해 광 추출 효율을 높인다. 대안적으로 또는 추가적으로, 입사각은 확산 반사면을 제공함으로써 변경될 수 있다.
본 발명은 하기 첨부 도면들을 참조하여 예를 드는 식으로 더욱 상세하게 설명된다:
도 1a-1b는 반사 측면들을 갖는 예시적 종래 기술의 발광 장치들의 제조를 도시하고, 도 1c는 그러한 장치로부터의 예시적 방출을 도시한다.
도 2a-2b는 성형된 파장 변환 소자들을 갖는 예시적 발광 장치들의 제조를 도시하고, 도 2c는 그러한 장치로부터의 예시적 방출을 도시한다.
도 3은 사전 형성된 파장 변환 소자의 예시적 성형을 도시한다.
도 4는 비직교 측벽들을 갖는 파장 변환 소형판들을 형성하기 위해 파장 변환 시트의 예시적 슬라이싱을 도시한다.
도 5a-5e는 발광 소자들의 어레이 위에 위치한 예시적 성형된 파장 변환 소자들을 도시한다.
도면 전체에 걸쳐서, 동일한 참조 번호들은 유사 또는 대응하는 특징들 또는 기능들을 표시한다. 도면들은 예시적 목적을 위해 포함된 것이고, 본 발명의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아니다.
하기 설명에서, 본 발명의 개념들의 철저한 이해를 제공하기 위해서, 제한이 아닌 설명 목적을 위해 특정한 아키텍처, 인터페이스들, 기술들, 등과 같은 특정 상세 사항들이 제시된다. 하지만, 본 발명이 이러한 특정 상세 사항들로부터 벗어나는 기타 실시예들에서 실시될 수도 있다는 것이 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 마찬가지로, 이러한 설명의 텍스트는 도면들에 도해된 바와 같은 예시적 실시예들과 관련된 것일 뿐이고, 명시적으로 청구항들에 포함된 제한들을 넘어서서 청구된 발명을 제한하고자 의도된 것은 아니다. 단순성 및 명료성을 위해, 널리 공지된 장치들, 회로들, 및 방법들에 대한 상세한 설명들은 불필요한 상세 사항으로 본 발명의 설명을 모호하게 하지 않기 위해서 생략된다.
상기에 기재된 바와 같이, 종래의 사전 형성된 파장 변환 소자들의 직교 특성은 내부 반사광이 동일한 입사각으로 반대면들을 타격하게 하여, 그것이 결국 흡수될 때까지 발광 장치 내의 반사광의 연속적 리사이클링으로 이어지게 한다. 본 발명의 양태들에 따르면, 사전 형성된 파장 변환 소자들은 내부 반사광의 입사각에서의 변동을 유도하기 위해서, 비직교 정반사면들을 제공하도록 성형된다. 본 발명의 다른 양태들에 따르면, 사전 형성된 파장 변환 소자들은 내부 반사광의 입사각에서의 변동을 유도하기 위해서 하나 이상의 확산 반사면들을 제공하도록 성형된다.
예시적인 실시예들에서, 달리 주목된 것을 제외하고, 반사면들은 정반사할 것으로 가정된다. 용어가 본 명세서에 사용된 것처럼, '반사면'은 표면이 발광 장치에 위치할 때 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 표면이다. 즉, 파장 변환 소자의 표면에 붙어 있는 물질은 표면에서 반사를 야기하는 반사 물질일 수 있다.
도 2a-2b는 광 추출면(265)에 비직교적인 경사진 측벽(262)들을 가진 성형된 파장 변환 소자(260)들을 갖는 예시적 발광 장치(200)들의 제조를 설명한다. 도 2a에 설명된 것과 같이, 사전 형성된 파장 변환 소자(260)들은 발광 소자(150)의 발광면(155)에 부착된다. 예를 들어, 접착제, 본딩 등의 사용을 포함하는, 임의의 부착 기술들이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 발광면(155)은 발광 소자(150)로부터의 광 추출 효율을 향상시키기 위해 조면화된다.
도 2b에 설명된 것과 같이, 반사 물질(170)은 측벽(262)들을 타격할 수 있는 광을 반사하기 위해 도포된다. 측벽(262)들이 광 추출면(265)에 비직교적이기 때문에, 반사광은 측벽(262) 상의 광의 입사각에 비직교적인 각도로 표면(265) 또는 표면(155)을 타격하게 된다.
도 2c는 발광 장치(200)로부터의 예시적 방출을 설명한다. 도 1c의 예에서와 같이, 탈출 원뿔(168) 내의 광 추출면(265)을 타격하는 광(201)은 표면(265)을 통하여 탈출하게 된다.
탈출 원뿔(168)의 외부에 있는 입사각을 가지고 광 추출면(265)을 타격하는 광(206)은 내부 전반사를 경험한다. 도 1c의 종래 기술의 예와의 대조로서, 반사광이 비직교 측벽(262)로부터 반사될 때, 그것은 추출면(265) 상의 광(206)의 입사각과 직교하는 각도로 측벽(262)을 타격하지는 않는다. 따라서, 측벽(262)으로부터 반사된 광은 원래 내부 반사된 광(206)의 입사각과는 다른 입사각으로 표면(265) 또는 표면(155)을 타격한다.
도 2c의 예에서, 정반사의 경우에, 내부 반사광(206)은 측벽(262)로부터 반사되고, 탈출 원뿔(168) 내의 추출면(265)을 타격한다. 반사광이 탈출 원뿔(168) 내의 입사각으로 표면(265)을 지금 타격하기 때문에, 그것은 광(206a)으로서 표면(265)을 통하여 탈출한다. 같은 방식으로, 측벽(262)이 표면(265)와 직교인 경우 표면(265)으로부터 내부 반사되었을 광(207)은 탈출 원뿔(168) 내의 표면(265)을 타격하고 광(207a)으로서 표면(265)을 통하여 탈출한다.
측벽(262)으로부터 반사된 광이 탈출 원뿔(168) 내의 표면(265)을 바로 타격하지 않을지라도, 측벽(262)로부터의 연속적 반사들은 광이 다음에 표면(265)을 타격할 때 광의 입사각들을 변경하게 되고, 결국 이러한 반사들 중 하나가 탈출 원뿔 내의 표면(265)을 타격하게 되고 표면(265)을 통하여 탈출한다는 것에 주목한다. 이에 반하여, 추출면(165)와 직교하는 측벽들을 가진 종래 기술의 발광 장치들은 표면(165) 상의 입사각에 중요한 변화들을 유도하지 않고, 내부 반사광이 표면(165)을 탈출할 가능성은 본질적으로 존재하지 않는다.
도 3은 사전 형성된 파장 변환 소자의 예시적 성형을 도시한다. 도 3에서, 파장 변환 소자(360)의 4개의 측벽(362)들 각각은 도 2a-2c의 예시된 측벽(262)들과 유사하게, 발광 소자(150)로부터 '멀어지며' 경사진다. 그러나, 내부 반사광의 경로의 임의의 비직교 표면의 도입이 광 추출면 상의 입사각에 변경을 유도하기 때문에, 측벽들의 기울기는 임의의 특별한 방향일 필요는 없다.
비직교 표면들을 가진 사전 형성된 형상들은 소잉(sawing), 밀링(milling), 라우팅(routing), 에칭(etching) 등을 포함하는, 임의의 다양한 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 비직교 표면들을 형성하는데 사용된 기술은 사전 형성된 파장 변환 소자를 만드는데 사용된 물질에 의존할 수 있다.
일부 실시예들에서, 내장된 파장 변환 입자들을 가진 결정질 물질의 시트가 형성되고 그 후 경사진 측벽들을 가진 '소형판들(platelets)'을 만들도록 슬라이싱될 수 있다. 종래의 톱날(saw blade)은 도 4에 설명된 것과 같이, 연귀이음된 컷(mitered cut)을 제공하도록 배향될 수 있다. 이러한 실시예에서, 톱날은 대향하는 컷들(410, 420)을 만들기 위해 2개의 각도로 배향되며, 그로 인해 소형판들(460-1, 460-2, 460-3, 460-4, 460-5)을 형성하는데, 이들 각각은 사다리꼴 프로파일을 가지고 있다.
비직교 측벽들의 도입은 개별적 발광 소자들 위에 위치한 소형판들로 제한되지 않는다. 도 5a-5e는 기판(510) 위의 발광 소자들(150a-150d)의 어레이 위에 위치한 예시적 형상의 파장 변환 소자들(560a-560e)을 도시한다. 발광 소자들의 1개의 어레이만이 설명될지라도, 기판(510)은 발광 소자들의 복수의 어레이들을 포함할 수 있다. 본 개시 내용의 목적을 위해, 용어 "어레이"는 일반적인 의미로 사용되고, 발광 소자들의 "라인" 또는 "스트립", 발광 소자들의 "링" 등을 포함하는, 발광 소자들의 임의의 정돈된 배열을 포함한다. 특히 흥미롭게도, 발광 소자들의 어레이는 서로에 대한 각각의 발광 소자의 발광면의 위치가 알려지도록 배열된다.
도 5a에 도시된 것과 같이, 단일 파장 변환 소자(560a)는 기판(510) 위에 장착된 발광 소자들(150a-150d)의 어레이의 발광면들(155a-155d) 위에 연장되도록 성형된다. 기판(510)은 서브마운트, 인쇄회로기판, 또는 다른 장착면일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(510)은 발광 소자들이 발광 소자들(150a-150d)의 웨이퍼-레벨 처리 동안 형성되거나 전사되는 웨이퍼에 해당될 수 있다. 상기에 기재된 바와 같이, 임의의 다양한 기술은 발광면들(155a-155d)에 파장 변환 소자(560a)를 부착하는데 사용될 수 있고, 표면들(155a-155d)은 발광 소자들(150a-150d)로부터의 광 추출을 개선하기 위해 조면화될 수 있다.
파장 변환 소자(560a)는 발광면들(155a-155d) 사이에 위치하고, 광 추출면(565)에 직교하지 않는 경사진 특징들(562a)을 포함한다. 반사 물질은 경사진 특징들(562a)에 의해 형성된 틈(crevice)들 내에 위치한다. 이러한 예에서, 경사진 특징들(562a)은 도 2a-2c의 측벽(262)들과 기능상 비슷하다. 발광면(565)으로부터의 내부 반사광이 반사성 경사진 특징들(562a)을 타격할 때, 변화는 추출면(565)과의 연속적 입사각에 대해 유도된다.
경사진 특징들(562a)이 각각의 발광면(155a-155d) 사이에 위치하는 것으로 설명될지라도, 다른 실시예들은 더 적은 특징, 예를 들어 모든 다른 발광면(155a-155d) 사이의 경사진 특징, 또는 센터로부터의 거리들에 의존하는 다양한 농도의 특징, 등을 가질 수 있다. 특징들의 형상과 위치는 광학적 모델들의 시뮬레이션에 기반할 수 있거나, 바람직한 광 출력 패턴을 달성하기 위한 실험들을 기반으로 할 수 있다.
다중 발광 소자들의 전반으로 확장되는 단일 형광체 요소의 사용이 이산적 요소들을 가진 발광 장치들의 어레이들보다 광 출력의 더 균등한 분포를 용이하게 한다는 것을 주목하는 것은 중요하다. 경사진 특징들의 형상과 위치는 발광 소자들 사이의 영역들로부터 벗어난 광량을 개선함으로써 이러한 균일성을 더 개선하도록 선택될 수 있다.
도 5b의 예에서, 특징(562b)들은 상부 표면(565)과 평행하지만, 표면(565)으로부터 내부로 반사된 광을 확산적으로 반사하도록 만들어진다. 특징(562b)을 타격하는 광의 입사각에 변화를 주는 것 이외에, 확산 반사들은 각각의 특징(562b) 위의 영역에서 표면(565)을 벗어나는 광의 양을 증가시키는데 도움이 될 수 있어, 표면(565)으로부터 출력된 광의 균일성을 더 개선시킨다.
이러한 예에서, 표면(562a)들은 정반사되고 그들의 기울기는 도 5a의 예에서와 같이, 내부 반사광의 입사각을 변경하는데 도움이 된다. 그러나, 본 분야의 기술자는 경사면에 대한 필요를 제거하면서, 외부 표면(562a)들이 또한 확산적으로 반사될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
도 5c에서, 파장 변환 소자(560c)는 경사진 특징(562c)들에 의해 형성된 각각의 틈 내에 반사 물질(566)을 도포하도록 선처리된다. 일부 실시예들에서, 반사 물질(566)의 층은 특징(562c)들이 형성되고 그리고 나서 특징(562c)들 사이의 편평부(561)들로부터 제거된 후 파장 변환 소자(560c)의 아래쪽에 도포된다. 다른 실시예들에서, 반사 물질(566)은 편평부(561)들을 커버하는 스텐실을 통해 도포된다. 특징(562c)들에 의해 형성된 틈들에 반사 물질(566)을 도포함으로써, 장치의 효율은 틈들 내의 하부 물질의 도포와 반사 품질에 덜 의존적이다.
도 5d에서, 파장 변환 소자(560d)는 장치로부터 광 추출 영역을 감소시키고 광의 외관상의 강도를 증가시키기 위해 소자(560d)의 주위에 대하여 경사진 벽(568)들을 포함한다.
본 분야의 기술자는 본 발명의 실시예들이 평면 벽들과 특징들로 제한되지 않는다는 것을 인식할 것이다. 도 5e에서, 파장 변환 소자(560e)는 반구상 특징(562e)들을 포함한다.
각각의 실시예들(5a-5e)에서, 특징들(562a-562e)은 특별히 성형된 비트를 이용한 밀링 또는 라우팅, 에칭, 등을 포함하는, 임의의 다양한 기술에 의해 형성될 수 있다.
본 발명이 도면들 및 상기 설명에서 상세하게 예시되고 설명되었지만, 이러한 예시 및 설명은 제한이 아닌 예시 또는 사례로 간주되어야 하고; 본 발명은 개시된 실시예들로만 한정되지는 않는다.
예를 들어, 확산 반사들뿐만 아니라 정반사를 이용하기 위해, 하나 이상의 반사면들은 정반사 및 확산 반사들의 양쪽을 제공한 표면일 수 있다. 그러한 실시예에서, 표면에 의해 제공된 정반사와 확산 반사의 비율은 장치 전반의 광 출력 균일성을 더 개선하도록 선택될 수 있다.
개시된 실시예들에 대한 다른 변형들이 도면들, 개시 내용, 및 첨부된 청구항들의 숙지로부터, 청구된 발명을 실시하는 본 분야의 기술자에 의해 이해되고 영향을 받을 수 있을 것이다. 청구항들에서, 단어 "포함하는(comprising)"은 다른 요소들 또는 단계들을 배제하지 않으며, 부정 관사 "a" 또는 "an"은 복수를 배제하지 아니한다. 단일 프로세서 또는 다른 유닛은 청구범위에 인용된 여러 항목의 기능을 충족시킬 수 있다. 특정 수단들이 상호 상이한 종속 청구항들에서 인용된다는 사실만으로 이러한 수단들의 조합이 유리하게 사용될 수 없음을 나타내지는 않는다. 청구항들 내의 임의의 참조 부호들은 범위를 한정하는 것으로서 해석해서는 안 될 것이다.

Claims (26)

  1. 발광 장치로서,
    발광 소자들 - 각 발광 소자는 발광면을 포함하고, 상기 발광면은 상기 발광면을 둘러싼 외주(outer perimeter)를 규정하는 외측 에지들을 갖고, 상기 발광 소자들은 상기 발광 소자들의 발광면들이 동일 평면 상에 있도록 배열됨 -, 및
    상기 발광 소자들의 발광면들 상에 배치된 파장 변환 소자를 포함하고, 상기 파장 변환 소자는,
    상기 발광 소자들로부터 대향하여 위치한 광 추출면, 및
    상기 발광면들에 직교하지도 평행하지도 않도록 배향된 반사면들을 포함하고, 상기 반사면들은 적어도 하나의 발광면의 외주 전체의 주위에 배열되고, 상기 발광면의 외주로부터 멀어지며 상기 파장 변환 소자의 광 추출면을 향해 연장하는, 발광 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 반사면은 정반사 코팅을 포함하는, 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 반사면은 경사진 평면 표면인, 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 반사면은 정반사성인, 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환 소자는 상기 발광 소자들을 가로질러 연장하는, 발광 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 반사면은 확산 반사성인, 발광 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환 소자는 파장 변환 입자들이 내장된 결정질 물질을 포함하는, 발광 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서, 상기 반사면들의 각각은 정반사 코팅을 포함하는, 발광 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 반사면들의 각각은 경사진 평면 표면인, 발광 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 반사면들의 각각은 정반사 코팅을 포함하는, 발광 장치.
  17. 제8항에 있어서, 적어도 하나의 반사면은 정반사성인, 발광 장치.
  18. 삭제
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