JP2019096689A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
励起する。最後に、この再励起による発光の一部が、他方の主面から出射し、発光装置の発光量増加に寄与する。
図1は、本発明の第1実施形態として示す発光装置10gの断面図である。なお、符号に含まれる「g」はプロジェクターの緑色光用光源であることを意味している。図1に示すように、発光装置10gは、複数のLED12と、LED12の発光面に近接して配置される板状の蛍光体11とを備えている。蛍光体11は、下面が平坦な入射面11b(一方の主面)、上面が平坦な出射面11c(他方の主面)であり、側面11aが鏡面となっている。ここで鏡面とは、大判の蛍光体(板)から蛍光体11を切り出した状態の側面11aを、研磨剤などで平滑に加工処理し、鏡のように光沢のある表面に仕上げられたものである。さらに、発光装置10gは、回路基板15を備えている。回路基板15上にはLED12がフリップチップ実装される。LED12の発光面は、蛍光体11の入射面11bと透明接着剤14で接着している。
は、鏡面となるように手作業で磨かれたものであり、Raが0.31μm、Rz(PV値、Peak−to−Valley)が3.9μmであった。図3は、比較例の発光装置に含まれる蛍光体21の側面21aの写真である(比較例の発光装置の断面は、図1と同じであることから、その断面図を省略し、比較例の発光装置を「発光装置20g」という。符号「20g」は、図示されていない)。蛍光体21は、ダイシングブレードで切断しただけの側面21a(粗面)を備えている。側面21aは、Raが0.29μm、Rz(PV値)が8.5μmであった。なお、蛍光体21は、側面11a、21aの違いを除いて蛍光体11と同じものである。機械研磨面であれば、Raを0.23μm、Rz(PV値)を1.5μm程度にできる。Raは、平均化が行われるので、粗面と鏡面の区別がつけられなかった。
gより発光効率が低くなる。なお、プロジェクターの緑色光源は、色再現性を高めるため最終的な発光スペクトルを555nm周辺の狭い帯域に制限する必要があり、これからも、発光装置21gは発光装置10gよりも有効性が低い。
図8により本発明の第2実施形態として示す発光装置80gについて説明する。図8は、発光装置80gの断面図である。図8に示すように、発光装置80gは、図1に示す発光装置10gに対し、蛍光体11の側面に金属からなる反射層81が設けられている点のみ異なる。
なる。
11、21…蛍光体、
11a、21a…側面、
11b、21b…入射面、
11c、21c…出射面、
12…LED、
13…バンプ電極、
14…透明接着剤、
15…回路基板、
61、62…発光スペクトル、
70…プロジェクター、
71r、71g、71b…反射鏡、
73r、73g、73b…液晶パネル、
74…ダイクロイックプリズム、
75…投影レンズ、
81…反射層、
L1、L2…光線。
Claims (3)
- LEDと、前記LEDの発光面に近接して配置される板状の蛍光体とを備える発光装置において、前記蛍光体は、側面が鏡面であることを特徴とする発光装置。
- 回路基板を備え、前記回路基板上に前記LEDがフリップチップ実装されるとともに、前記蛍光体と前記LEDとの間に透明接着剤が配されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記蛍光体の前記側面の外側に反射層が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050148110A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-07-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a luminescence diode chip |
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