KR102198127B1 - Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 - Google Patents
Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102198127B1 KR102198127B1 KR1020197023233A KR20197023233A KR102198127B1 KR 102198127 B1 KR102198127 B1 KR 102198127B1 KR 1020197023233 A KR1020197023233 A KR 1020197023233A KR 20197023233 A KR20197023233 A KR 20197023233A KR 102198127 B1 KR102198127 B1 KR 102198127B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- single crystal
- pulling
- seed
- polycrystal
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
도 2는 다른 시각에서 도 1의 용융 장치를 도시한 것이다.
도 3a 내지 도 3f는, 바람직한 일 실시예에서 본 발명의 방법의 다양한 단계를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b는, 바람직한 일 실시예에서 본 발명의 방법의 시간에 따른 시퀀스(sequence)를 도시한 것이다.
도 5는 도 1의 다결정의 하위 단부의 상세도를 도시한 것이다.
Claims (13)
- 전자기 용융 장치(300)를 이용하여 다결정(100)을 용융시키고 이후 다결정(100)을 재결정화시키는 FZ법에 의한 단결정(150)의 인상 방법으로서,
제1 단계(P1)에 있어서, 다결정(100)을 용융 장치(300)를 향해 이동시키고 용융 장치(300)를 이용하여 다결정(100)의 하위 단부를 용융시켜 액적(120)을 형성하는 과정;
제2 단계(P2)에 있어서, 다결정(100)의 하위 단부에 있는 액적(120)에 단결정질 시드(140)를 부착시키는 과정;
단결정질 시드(140)의 상위 단부로부터 시작하여 단결정질 시드(140)를 용융시키는 과정;
제1 단계(P1) 동안 그리고 제2 단계(P2) 동안, 상기 액적(120), 상기 시드(140) 및 상기 다결정(100) 중 하나 이상을 포함하는, 사용되는 결정 재료의 기하학적 치수(d, h), 온도, 또는 기하학적 치수(d, h) 및 온도에 의존하여 용융 장치(300)의 파워(P)를 적어도 일시적으로 사전 결정하는 과정;
제1 단계(P1) 동안, 제2 시점(t2)에서 액적(120)의 사전에 정해진 기하학적 치수(h, d)를 달성한 이후에 용융 장치(300)의 파워(P)를 줄이는 과정으로서, 상기 사전에 정해진 기하학적 치수는 액적의 형태에 맞춰진 이등변 삼각형에 기초하여 사전에 결정되며, 액적의 최하위점은 상기 이등변 삼각형의 꼭지점으로서 사용되고, 액상 재료와 고체 재료 사이의 상 경계는 상기 이등변 삼각형의 밑변으로서 사용되는 것인 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 단계(P1) 동안, 제1 시점(t1)에서 다결정(100)의 사전에 정해진 온도를 달성하기 전에는 용융 장치(300)의 파워(P)를 증가시키고, 다결정(100)의 상기 사전에 정해진 온도를 달성한 이후에는 용융 장치(300)의 파워(P)를 일정하게 유지하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제2항에 있어서,
상기 파워의 일정하게 유지되는 값을 저장하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제2 단계(P2) 동안, 제3 시점(t3)에서 단결정질 시드(140)의 사전에 정해진 온도를 달성한 이후에 용융 장치(300)의 파워(P)를 감소시키는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 사용되는 결정 재료의 휘도, 스펙트럼, 또는 휘도 및 스펙트럼에 기초하여, 사용되는 결정 재료의 온도를 결정하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
용융 장치(300) 위에 배치되는 카메라(351)를 이용하여, 상기 사용되는 결정 재료의 온도, 기하학적 치수, 또는 온도 및 기하학적 치수를 결정하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
용융 장치(300) 아래에 배치되는 카메라(352)를 이용하여, 상기 단결정질 시드(140)의 온도를 결정하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
제3 단계(P3)에서, 다결정(100)과 시드(140)의 하위 섹션 사이에, 시드(140)의 직경(dI)보다 작은 직경(dD)을 갖는 씬 넥 섹션(thin neck section; 130)을 형성하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - 제8항에 있어서,
제4 단계(P4)에서, 상기 씬 넥 섹션(130)과 상기 다결정(100) 사이에 단결정의 원추형 섹션(135)을 형성하는 과정
을 포함하는 단결정의 인상 방법. - FZ법에 의한 단결정(150)의 인상을 위한 장치로서,
용융 장치(300);
기하학적 치수를 포착하고 온도를 결정하기 위한 카메라;
연산 유닛
을 포함하고, 상기 연산 유닛은, 카메라를 구동시키고 해당 이미지를 평가하도록 그리고 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 따른 단결정의 인상 방법의 과정들을 실행하도록 마련되는 것인 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017202420.8 | 2017-02-15 | ||
DE102017202420.8A DE102017202420A1 (de) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls nach dem FZ-Verfahren |
PCT/EP2018/053481 WO2018149798A1 (de) | 2017-02-15 | 2018-02-13 | Verfahren und anlage zum ziehen eines einkristalls nach dem fz-verfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190104384A KR20190104384A (ko) | 2019-09-09 |
KR102198127B1 true KR102198127B1 (ko) | 2021-01-05 |
Family
ID=61223908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197023233A KR102198127B1 (ko) | 2017-02-15 | 2018-02-13 | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10988856B2 (ko) |
EP (1) | EP3583247B1 (ko) |
JP (1) | JP6900512B2 (ko) |
KR (1) | KR102198127B1 (ko) |
CN (1) | CN110291230B (ko) |
DE (1) | DE102017202420A1 (ko) |
DK (1) | DK3583247T3 (ko) |
TW (1) | TWI664325B (ko) |
WO (1) | WO2018149798A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022149310A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-06 | Tdk株式会社 | 結晶製造方法、結晶製造装置、及び単結晶 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044380A (ja) | 1998-07-28 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 浮遊溶融帯域制御装置及び制御方法 |
JP2011157239A (ja) | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Toyota Motor Corp | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶のインゴット |
DE102010040464A1 (de) | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines versetzungsfreien einkristallinen Stabes aus Silicium |
WO2014033212A1 (de) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Modellprädiktive regelung des zonenschmelz-verfahrens |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337004A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-17 | 極東開発工業株式会社 | 塵芥収集車の制御装置 |
JP3601280B2 (ja) | 1997-12-25 | 2004-12-15 | 信越半導体株式会社 | Fz法による半導体単結晶の製造方法 |
KR20100016121A (ko) | 2007-04-13 | 2010-02-12 | 톱실 시미컨덕터 머티리얼즈 에이/에스 | 단결정 제조 방법 및 장치 |
JP2010076979A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Sumco Techxiv株式会社 | Fz法半導体単結晶製造時の測量方法、測量システム、fz法半導体単結晶製造時の制御方法、制御システム |
CN101525764B (zh) | 2009-04-16 | 2010-12-08 | 峨嵋半导体材料研究所 | 一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法 |
JP2011037640A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Canon Machinery Inc | 単結晶育成装置及び単結晶育成方法 |
DE102009052745A1 (de) | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat |
CN102220629B (zh) * | 2011-07-25 | 2013-02-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种采用直径法控制区熔晶体自动生长方法及系统 |
JP5768764B2 (ja) | 2012-05-30 | 2015-08-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶棒の製造方法 |
DE102012022965B4 (de) | 2012-11-19 | 2018-12-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben |
CN103436951A (zh) | 2013-08-27 | 2013-12-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种区熔硅单晶的拉制方法 |
JP6318938B2 (ja) | 2014-07-17 | 2018-05-09 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
-
2017
- 2017-02-15 DE DE102017202420.8A patent/DE102017202420A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-02-05 TW TW107104041A patent/TWI664325B/zh active
- 2018-02-13 EP EP18705135.4A patent/EP3583247B1/de active Active
- 2018-02-13 JP JP2019565057A patent/JP6900512B2/ja active Active
- 2018-02-13 US US16/473,401 patent/US10988856B2/en active Active
- 2018-02-13 KR KR1020197023233A patent/KR102198127B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-13 CN CN201880011568.XA patent/CN110291230B/zh active Active
- 2018-02-13 WO PCT/EP2018/053481 patent/WO2018149798A1/de unknown
- 2018-02-13 DK DK18705135.4T patent/DK3583247T3/da active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044380A (ja) | 1998-07-28 | 2000-02-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 浮遊溶融帯域制御装置及び制御方法 |
JP2011157239A (ja) | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Toyota Motor Corp | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶のインゴット |
DE102010040464A1 (de) | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines versetzungsfreien einkristallinen Stabes aus Silicium |
WO2014033212A1 (de) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Modellprädiktive regelung des zonenschmelz-verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK3583247T3 (da) | 2020-11-30 |
TWI664325B (zh) | 2019-07-01 |
JP6900512B2 (ja) | 2021-07-07 |
CN110291230B (zh) | 2021-09-03 |
JP2020507554A (ja) | 2020-03-12 |
CN110291230A (zh) | 2019-09-27 |
EP3583247B1 (de) | 2020-09-09 |
EP3583247A1 (de) | 2019-12-25 |
US10988856B2 (en) | 2021-04-27 |
US20200149183A1 (en) | 2020-05-14 |
TW201831740A (zh) | 2018-09-01 |
DE102017202420A1 (de) | 2018-08-16 |
WO2018149798A1 (de) | 2018-08-23 |
KR20190104384A (ko) | 2019-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8454746B2 (en) | Method for producing a single crystal composed of silicon using molten granules | |
KR102198127B1 (ko) | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 | |
KR20150107241A (ko) | 잉곳 제조 방법 및 잉곳 제조 장치 | |
CN110291231B (zh) | 通过fz法提拉单晶的方法和设备 | |
US8834627B2 (en) | Method for producing a single crystal composed of silicon by remelting granules | |
KR102271787B1 (ko) | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 | |
KR101496249B1 (ko) | 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 방법 | |
JP2007131482A (ja) | 半導体結晶の製造方法及び半導体結晶の製造装置 | |
KR101600378B1 (ko) | 결정성장장치 | |
JP6988461B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
KR20160012511A (ko) | 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치 | |
JPS6287482A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP2003342096A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JP2018002517A (ja) | 種結晶保持ジグ及びこれを用いた結晶育成装置 | |
JPH08253387A (ja) | 単結晶製造方法 | |
JP2004161559A (ja) | 化合物半導体製造装置 | |
JPS62278186A (ja) | 半導体単結晶の製造方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20190807 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190808 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200928 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20201228 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20201228 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231214 Start annual number: 4 End annual number: 4 |