JPH08253387A - 単結晶製造方法 - Google Patents
単結晶製造方法Info
- Publication number
- JPH08253387A JPH08253387A JP5568595A JP5568595A JPH08253387A JP H08253387 A JPH08253387 A JP H08253387A JP 5568595 A JP5568595 A JP 5568595A JP 5568595 A JP5568595 A JP 5568595A JP H08253387 A JPH08253387 A JP H08253387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- crystal
- single crystal
- taper
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【構成】 引き上げ法による酸化物単結晶の製造におい
て、融液側に向かって徐々に開いた形状のテーパー部を
有するパイプを用いることにより多結晶化を抑制し、単
結晶を製造する。 【効果】 引き上げ法による単結晶の製造において、目
的としない結晶核の生成を抑えることができることか
ら、単結晶製造の再現性、また単結晶の品質が向上す
る。また、従来の製造装置をそのまま流用することがで
きるため、設備費等がかからない。
て、融液側に向かって徐々に開いた形状のテーパー部を
有するパイプを用いることにより多結晶化を抑制し、単
結晶を製造する。 【効果】 引き上げ法による単結晶の製造において、目
的としない結晶核の生成を抑えることができることか
ら、単結晶製造の再現性、また単結晶の品質が向上す
る。また、従来の製造装置をそのまま流用することがで
きるため、設備費等がかからない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、単結晶の製造方法に
関するものである。さらに詳しくは、この発明は、レー
ザー素子、波長変換素子等の非線形光学材料として有用
な酸化物単結晶等の新しい製造方法に関するものであ
る。
関するものである。さらに詳しくは、この発明は、レー
ザー素子、波長変換素子等の非線形光学材料として有用
な酸化物単結晶等の新しい製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、単結晶の引き上げ
法による製造には様々な工夫がなされてきているが、酸
化物単結晶の製造方法としては、いずれも満足できるも
のとはなっていないのが実情である。このような状況に
おいて、細い直胴パイプ内部に種結晶を装着して融液に
浸し、相転移温度以下の低温部で種結晶と接触させ、引
き上げ法によって相転移を有する結晶の低温相単結晶を
製造する方法や、細い直胴パイプ内部で核生成させて多
結晶とし、結晶が成長する間に生成した多結晶を単結晶
化させ、引き上げ法によって単結晶を製造する方法がこ
の発明の発明者らによって提案されている。
法による製造には様々な工夫がなされてきているが、酸
化物単結晶の製造方法としては、いずれも満足できるも
のとはなっていないのが実情である。このような状況に
おいて、細い直胴パイプ内部に種結晶を装着して融液に
浸し、相転移温度以下の低温部で種結晶と接触させ、引
き上げ法によって相転移を有する結晶の低温相単結晶を
製造する方法や、細い直胴パイプ内部で核生成させて多
結晶とし、結晶が成長する間に生成した多結晶を単結晶
化させ、引き上げ法によって単結晶を製造する方法がこ
の発明の発明者らによって提案されている。
【０００３】これらのパイプを用いた方法は、これまで
にない良質の単結晶を与えるものとして注目されてい
る。しかしながら、一方で、これらの方法の場合には、
直胴のパイプを用いるために、結晶の肩形成時における
温度制御が難しく、パイプ外周部にパイプ内部とは異な
る方位を持つ結晶核が生成し、その結晶核の成長の抑制
が難しいために、最終的に多結晶が生成しやすい等の問
題があった。
にない良質の単結晶を与えるものとして注目されてい
る。しかしながら、一方で、これらの方法の場合には、
直胴のパイプを用いるために、結晶の肩形成時における
温度制御が難しく、パイプ外周部にパイプ内部とは異な
る方位を持つ結晶核が生成し、その結晶核の成長の抑制
が難しいために、最終的に多結晶が生成しやすい等の問
題があった。
【０００４】そこでこの発明は、以上通りの事情を鑑み
てなされたものであり、直胴パイプを用いた引き上げ法
による単結晶の製造方法の特徴を生かしつつ、パイプ外
周部における結晶核の生成を抑制し、さらに偶発的に発
生した結晶核の成長を抑えることで、さらに高品質な単
結晶を製造することのできる、新しい方法を提供するこ
とを目的としている。
てなされたものであり、直胴パイプを用いた引き上げ法
による単結晶の製造方法の特徴を生かしつつ、パイプ外
周部における結晶核の生成を抑制し、さらに偶発的に発
生した結晶核の成長を抑えることで、さらに高品質な単
結晶を製造することのできる、新しい方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、引き上げ法による単結晶の製造
において、その下端部が融液側に向かって徐々に開いた
テーパー形状を有するパイプの内部に種結晶を装着し、
相転移温度以下に過冷却した低温融液と種結晶とを接触
させ、相転移を有する結晶の低温相単結晶をパイプ内部
で作成し、引き続いて所定の大きさの単結晶を製造する
ことを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。
を解決するものとして、引き上げ法による単結晶の製造
において、その下端部が融液側に向かって徐々に開いた
テーパー形状を有するパイプの内部に種結晶を装着し、
相転移温度以下に過冷却した低温融液と種結晶とを接触
させ、相転移を有する結晶の低温相単結晶をパイプ内部
で作成し、引き続いて所定の大きさの単結晶を製造する
ことを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。
【０００６】また、この発明は、上記方法において、テ
ーパーを有するパイプ内部に種結晶をあらかじめ装着せ
ずに、最初に晶出した多結晶をパイプ内部で成長させて
単結晶化することにより、単結晶を作成する方法をも提
供し、さらにはテーパーの開口部の直径が所定の単結晶
の直径の半分以下であること等をそれらの一つの態様と
してもいる。
ーパーを有するパイプ内部に種結晶をあらかじめ装着せ
ずに、最初に晶出した多結晶をパイプ内部で成長させて
単結晶化することにより、単結晶を作成する方法をも提
供し、さらにはテーパーの開口部の直径が所定の単結晶
の直径の半分以下であること等をそれらの一つの態様と
してもいる。
【０００７】
【作用】この発明は、上記の通り、融液側に向かって徐
々に開いたテーパー形状のパイプを用いて、目的とする
所定の大きさの単結晶を製造するものであるが、下端部
のテーパー形状によって、融液面からパイプ開口部が離
れたときの、結晶の直径が大きくなるために、温度制御
性が向上し、パイプ外周部での核生成を抑制することが
できる。
々に開いたテーパー形状のパイプを用いて、目的とする
所定の大きさの単結晶を製造するものであるが、下端部
のテーパー形状によって、融液面からパイプ開口部が離
れたときの、結晶の直径が大きくなるために、温度制御
性が向上し、パイプ外周部での核生成を抑制することが
できる。
【０００８】パイプテーパー形状部では、完全にカバー
されたフルカバー状のパイプではなく、短冊状、または
ワイヤー状のパイプでもよい。この場合には、融液が表
面張力により保持されるために結晶直径は増大して結晶
化し、パイプ外周部での核生成を抑制し、さらに転位の
発生も抑制することができる。他方、フルカバー状のパ
イプでは、万が一パイプ外周部で生成した結晶の成長を
カバー部で抑制することができるという特徴がある。
されたフルカバー状のパイプではなく、短冊状、または
ワイヤー状のパイプでもよい。この場合には、融液が表
面張力により保持されるために結晶直径は増大して結晶
化し、パイプ外周部での核生成を抑制し、さらに転位の
発生も抑制することができる。他方、フルカバー状のパ
イプでは、万が一パイプ外周部で生成した結晶の成長を
カバー部で抑制することができるという特徴がある。
【０００９】また、フルカバー状のパイプの場合、結晶
とパイプとの接触面積が大きいため、接触界面で転位が
発生する恐れがあるが、これはテーパーを有するパイプ
の直径を目的とする結晶直径より小さくすることにより
肩の形成時に除外することができる。以下、実施例を示
してさらに詳しく酸化物単結晶の製造方法について説明
する。
とパイプとの接触面積が大きいため、接触界面で転位が
発生する恐れがあるが、これはテーパーを有するパイプ
の直径を目的とする結晶直径より小さくすることにより
肩の形成時に除外することができる。以下、実施例を示
してさらに詳しく酸化物単結晶の製造方法について説明
する。
【００１０】
【実施例】実施例１ 添付した図面の図１は、フルカバー状のテーパーを有す
るパイプを用いた単結晶の製造装置の概略図である。図
１に示したように、高周波加熱引き上げ装置において、
直径、高さともに５０ｍｍの白金製ルツボ中（１）で５
０ｇのＢａＢ2 Ｏ4 を大気中で融解し（融点：１０９５
℃）、直胴部の直径が２ｍｍ、肉厚０．１ｍｍ、長さ５
０ｍｍの白金製パイプ（２）に開口部分の直径が２０ｍ
ｍ、テーパー角３０°のフルカバー状のテーパー（３）
を設け、引上軸にパイプ（２）上部を取付け、２０ｒｐ
ｍで回転させながら融液（４）に上方から浸し、テーパ
ー（３）まで完全に埋没させる。
るパイプを用いた単結晶の製造装置の概略図である。図
１に示したように、高周波加熱引き上げ装置において、
直径、高さともに５０ｍｍの白金製ルツボ中（１）で５
０ｇのＢａＢ2 Ｏ4 を大気中で融解し（融点：１０９５
℃）、直胴部の直径が２ｍｍ、肉厚０．１ｍｍ、長さ５
０ｍｍの白金製パイプ（２）に開口部分の直径が２０ｍ
ｍ、テーパー角３０°のフルカバー状のテーパー（３）
を設け、引上軸にパイプ（２）上部を取付け、２０ｒｐ
ｍで回転させながら融液（４）に上方から浸し、テーパ
ー（３）まで完全に埋没させる。
【００１１】図１に示したように、白金製パイプ（２）
内部には、直径１．５ｍｍ、長さ９ｍｍの種結晶（５）
が装着してある。白金は、ＢａＢ2 Ｏ4 と反応せず、良
く濡れるために、パイプ材料として適している。融液
（４）は白金製パイプ（２）内部を毛管現象により約１
０ｍｍ上昇し、相転移温度（９２５℃）以下の過冷却状
態において白金製パイプ（２）内部の種結晶部（５）と
接触し単結晶化が始まる。
内部には、直径１．５ｍｍ、長さ９ｍｍの種結晶（５）
が装着してある。白金は、ＢａＢ2 Ｏ4 と反応せず、良
く濡れるために、パイプ材料として適している。融液
（４）は白金製パイプ（２）内部を毛管現象により約１
０ｍｍ上昇し、相転移温度（９２５℃）以下の過冷却状
態において白金製パイプ（２）内部の種結晶部（５）と
接触し単結晶化が始まる。
【００１２】パイプを２０ｒｐｍで回転させながら上方
へ２ｍｍ／ｈで引き上げるにつれて、単結晶（６）と融
液（４）との界面は白金製パイプ（２）内部からテーパ
ー（３）開口部へと移動する。引き続いてこの単結晶
（６）を種結晶として用いて結晶成長を継続させる。こ
の時パイプ外周部においてパイプ内部の結晶と方位の異
なる結晶が生成するが、フルカバー状のテーパー（３）
部分において、結晶の成長が抑制される。白金製パイプ
（２）内部において、単結晶（６）はパイプ形状にした
がい成長し、最終的に結晶化した単結晶はテーパー
（３）の開口部から離れて、通常の引き上げ法と同じよ
うに単結晶化が進行し、直径２０ｍｍ、長さ５０ｍｍの
単結晶が製造できた。
へ２ｍｍ／ｈで引き上げるにつれて、単結晶（６）と融
液（４）との界面は白金製パイプ（２）内部からテーパ
ー（３）開口部へと移動する。引き続いてこの単結晶
（６）を種結晶として用いて結晶成長を継続させる。こ
の時パイプ外周部においてパイプ内部の結晶と方位の異
なる結晶が生成するが、フルカバー状のテーパー（３）
部分において、結晶の成長が抑制される。白金製パイプ
（２）内部において、単結晶（６）はパイプ形状にした
がい成長し、最終的に結晶化した単結晶はテーパー
（３）の開口部から離れて、通常の引き上げ法と同じよ
うに単結晶化が進行し、直径２０ｍｍ、長さ５０ｍｍの
単結晶が製造できた。
【００１３】なお、図２は、テーパー部が分割された短
冊状のテーパー（７）、ワイヤー状のテーパー（８）を
有するパイプを示したものである。短冊状の場合は、そ
の幅約１ｍｍの短冊が、端部間隔約２ｍｍ程度になるよ
うにした。また、ワイヤー状の場合には、ワイヤー径
０．５ｍｍ、端部間隔２ｍｍとなるようにした。
冊状のテーパー（７）、ワイヤー状のテーパー（８）を
有するパイプを示したものである。短冊状の場合は、そ
の幅約１ｍｍの短冊が、端部間隔約２ｍｍ程度になるよ
うにした。また、ワイヤー状の場合には、ワイヤー径
０．５ｍｍ、端部間隔２ｍｍとなるようにした。
【００１４】このような短冊状のテーパー（７）、ワイ
ヤー状のテーパー（８）を有するパイプを用いることに
よっても、単結晶育成時の肩形成を容易にでき、パイプ
外周部での結晶核生成を抑制することができた。実施例２ 上記の実施例１と同様な方法で、白金製パイプ（２）内
部に種結晶（５）を装着せずに単結晶を製造したとこ
ろ、パイプ内部での成長中に多結晶は単結晶化する。こ
の時パイプ外周部においてパイプ内部の結晶と方位の異
なる結晶が生成するが、パイプのテーパー部においてこ
の結晶は成長が抑制される。単結晶はパイプ形状に従っ
た形状でもって成長する。最終的に、通常の引き上げ法
と同じように単結晶化が進行し、直径２０ｍｍ、長さ５
０ｍｍの単結晶が製造できた。実施例３ 上記の実施例１と同様な方法で、開口部分の直径が１０
ｍｍであるフルカバー状のテーパー（３）に装着して単
結晶を製造した。
ヤー状のテーパー（８）を有するパイプを用いることに
よっても、単結晶育成時の肩形成を容易にでき、パイプ
外周部での結晶核生成を抑制することができた。実施例２ 上記の実施例１と同様な方法で、白金製パイプ（２）内
部に種結晶（５）を装着せずに単結晶を製造したとこ
ろ、パイプ内部での成長中に多結晶は単結晶化する。こ
の時パイプ外周部においてパイプ内部の結晶と方位の異
なる結晶が生成するが、パイプのテーパー部においてこ
の結晶は成長が抑制される。単結晶はパイプ形状に従っ
た形状でもって成長する。最終的に、通常の引き上げ法
と同じように単結晶化が進行し、直径２０ｍｍ、長さ５
０ｍｍの単結晶が製造できた。実施例３ 上記の実施例１と同様な方法で、開口部分の直径が１０
ｍｍであるフルカバー状のテーパー（３）に装着して単
結晶を製造した。
【００１５】白金パイプ内部には直径１．５ｍｍ、長さ
３ｍｍの種結晶を装着してある。融液は白金パイプ中を
毛管現象により約１０ｍｍ上昇し、相転移温度（９２５
℃）以下の過冷却状態においてパイプ内部の種結晶部よ
り単結晶化が始まる。パイプを上方へ２０ｒｐｍで回転
させながら２ｍｍ／ｈで引き上げるにつれて結晶と融液
との界面はパイプ内部を下方へと移動する。引き続いて
この単結晶を種結晶として用いて結晶成長を継続させ
る。この時パイプ外周部においてパイプ内部の結晶と方
位の異なる結晶が生成するが、パイプのフルカバーテー
パー部においてこの結晶は成長が抑制される。単結晶は
パイプ形状にしたがった形状でもって成長する。最終的
に結晶化した単結晶はパイプ端から離れて、肩の形成を
継続させることができ、通常の引き上げ法と同じように
単結晶化が進行して直径２０ｍｍ、長さ５０ｍｍの単結
晶が製造できた。テーパー最終部の直径が目的とする単
結晶の半分であるため、パイプ内面から発生した転位を
最終的に除去することができ、高品質の単結晶を製造す
ることができた。
３ｍｍの種結晶を装着してある。融液は白金パイプ中を
毛管現象により約１０ｍｍ上昇し、相転移温度（９２５
℃）以下の過冷却状態においてパイプ内部の種結晶部よ
り単結晶化が始まる。パイプを上方へ２０ｒｐｍで回転
させながら２ｍｍ／ｈで引き上げるにつれて結晶と融液
との界面はパイプ内部を下方へと移動する。引き続いて
この単結晶を種結晶として用いて結晶成長を継続させ
る。この時パイプ外周部においてパイプ内部の結晶と方
位の異なる結晶が生成するが、パイプのフルカバーテー
パー部においてこの結晶は成長が抑制される。単結晶は
パイプ形状にしたがった形状でもって成長する。最終的
に結晶化した単結晶はパイプ端から離れて、肩の形成を
継続させることができ、通常の引き上げ法と同じように
単結晶化が進行して直径２０ｍｍ、長さ５０ｍｍの単結
晶が製造できた。テーパー最終部の直径が目的とする単
結晶の半分であるため、パイプ内面から発生した転位を
最終的に除去することができ、高品質の単結晶を製造す
ることができた。
【００１６】
【発明の効果】この発明により、以上詳しく説明したと
おり、引き上げ法による単結晶の製造方法において、目
的としない結晶核の生成を抑えることができることか
ら、単結晶製造の再現性、また単結晶の品質が向上す
る。また、従来の製造装置をそのまま流用することがで
きるため、設備費等がかからない。
おり、引き上げ法による単結晶の製造方法において、目
的としない結晶核の生成を抑えることができることか
ら、単結晶製造の再現性、また単結晶の品質が向上す
る。また、従来の製造装置をそのまま流用することがで
きるため、設備費等がかからない。
【図１】フルカバー状のテーパーを有するパイプを用い
た単結晶の製造装置の概略図である。
た単結晶の製造装置の概略図である。
【図２】（ａ）（ｂ）は、各々、短冊状、並びにワイヤ
ー状のテーパーを有するパイプを示した図である。
ー状のテーパーを有するパイプを示した図である。
１ 白金製ルツボ ２ 白金製パイプ ３ フルカバー状のテーパー ４ 融液 ５ 種結晶 ６ 単結晶 ７ 短冊状のテーパー ８ ワイヤー状のテーパー
Claims (4)
- 【請求項１】 引き上げ法による単結晶の製造におい
て、その下端部が融液側に向かって徐々に開いたテーパ
ー形状を有するパイプの内部に種結晶を装着し、相転移
温度以下に過冷却した低温融液と種結晶とを接触させ、
相転移を有する結晶の低温相単結晶をパイプ内部で作成
し、引き続いて所定の大きさの単結晶を製造することを
特徴とする単結晶製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法において、テーパーを有
するパイプ内部に種結晶をあらかじめ装着せずに、最初
に晶出した多結晶をパイプ内部で成長させて単結晶化す
ることにより、単結晶を作成することを特徴とする単結
晶製造方法。 - 【請求項３】 テーパーの開口部の直径が所定の単結晶
の直径の半分以下である請求項１または２の単結晶製造
方法。 - 【請求項４】 テーパー部が、短冊状、またはワイヤー
状パイプである請求項１ないし３のいずれかの単結晶製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5568595A JP2692732B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5568595A JP2692732B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 単結晶製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253387A true JPH08253387A (ja) | 1996-10-01 |
| JP2692732B2 JP2692732B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=13005765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5568595A Expired - Lifetime JP2692732B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 単結晶製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692732B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103147119A (zh) * | 2013-03-21 | 2013-06-12 | 北京雷生强式科技有限责任公司 | 一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备 |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP5568595A patent/JP2692732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103147119A (zh) * | 2013-03-21 | 2013-06-12 | 北京雷生强式科技有限责任公司 | 一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备 |
| CN103147119B (zh) * | 2013-03-21 | 2015-09-16 | 北京雷生强式科技有限责任公司 | 一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692732B2 (ja) | 1997-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2833478B2 (ja) | シリコン単結晶成長方法 | |
| JP2692732B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPS5825078B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2006232570A (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JP2810975B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0236052B2 (ja) | ||
| JP2833432B2 (ja) | シリコン単結晶の成長方法 | |
| JP4413055B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
| JP2834558B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JPH09309791A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2535773B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法とその装置 | |
| JPH06239686A (ja) | 化合物半導体結晶成長用縦型容器 | |
| JP2783624B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0948697A (ja) | リチウムトリボレート単結晶の製造方法 | |
| JPS5938189B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0725533B2 (ja) | シリコン多結晶インゴツトの製造方法 | |
| JP2001158693A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPH05117072A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH09249480A (ja) | 結晶作製方法 | |
| JPH0699228B2 (ja) | 単結晶の引上方法 | |
| JPH0410213B2 (ja) | ||
| JPS63310789A (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPH05139884A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0410214B2 (ja) | ||
| JPH05319972A (ja) | 単結晶製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |