JP2011157239A - シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶のインゴット - Google Patents
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Abstract
【解決方法】チョクラルスキー法(CZ法)により、リンを添加した多結晶シリコンの融液12を原料として、インゴット1の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Vを増加させてインゴットを形成する工程を備える。また、フローティングゾーン法(FZ法)により、形成されたインゴット1の引き上げの終端A2から引き上げの初端A1に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット2を生成する工程を備える。
【選択図】図4
Description
(特徴1)インゴット1aの製造工程では、引き上げ工程の前半において、融液温度Tおよび引き上げ速度VPが一定とされ、結晶成長速度Vが一定とされる。
また、引き上げ工程の後半では、結晶成長速度Vが一定割合で増加するように、融液温度Tおよび引き上げ速度VPが変更される。
(特徴2)インゴット1bの製造工程では、引き上げ工程の全般に渡って、結晶成長速度Vが非線形に上昇するように、融液温度Tおよび引き上げ速度VPが制御される。
Keff=K0/(K0+(1−K0)exp(−δ×V/D1))・・・式(1)
ここでK0は偏析係数、δは拡散境界層厚さ(mm)、Vは結晶成長速度(mm/min)、D1はメルト中の拡散係数(cm2/s)、ηはメルト粘度(mPa・s)、dはメルト密度(g/cm3)である。またωは、坩堝10の回転数とインゴット1の回転数との間の相対回転数(rpm)である。
δ=1.6×D11/3×η1/6×ω−1/3×d−1/6・・・式(2)
そして結晶中の不純物濃度Cs(g)は、下式(3)により求められる。
Cs(g)=Keff×Cs(0)×(1−g)Keff−1・・・式(3)
ここでK0は偏析係数、Cs(0)は融液中の初期不純物濃度(cm−3)、gは固化率(%)である。
12 融液
A1 初端
A2 終端
T 融液温度
V 結晶成長速度
ω 回転数
VP 引き上げ速度
VD 引き下げ速度
Claims (9)
- シリコン単結晶の製造方法であって、
チョクラルスキー法(CZ法)により、不純物を添加した多結晶シリコンの融液を原料として、インゴットの引き上げが進むことに応じて結晶成長速度を増加させてインゴットを形成する工程と、
フローティングゾーン法(FZ法)により、形成されたインゴットの引き上げの終端から引き上げの初端に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させる工程と
を備えることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - インゴットを形成する工程は、インゴットの引き上げが進むことに応じて、融液の温度を低下させる
ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - インゴットを形成する工程は、インゴットの引き上げが進むことに応じて、インゴットの引き上げ速度を低下させる
ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - インゴットを形成する工程は、インゴットの引き上げが進むことに応じて、融液を充填している坩堝とインゴットとの間の相対回転速度を大きくする
ことを特徴とする請求項2または3に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - インゴットを形成する工程で形成されたインゴットの形状は、初端から終端に向けて径が増加する形状である
ことを特徴とする請求項1ないし4の何れか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - インゴットを再結晶化させる工程は、ゾーニングを行う部分のインゴットの径が小さくなることに応じてゾーニングの速度を遅くする
ことを特徴とする請求項1ないし5の何れか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - インゴットを再結晶化させる工程は、ゾーニングを行う部分のインゴットの径が小さくなることに応じて、インゴットのゾーニング部分に印加する総エネルギー量が減少すると共に、インゴットのゾーニング部分に印加される単位体積当りのエネルギー量が増加するようにエネルギーを印加する
ことを特徴請求項1ないし6の何れか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記不純物はリンであることを特徴とする請求項1ないし7の何れか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 不純物を添加した多結晶シリコンの融液を原料としてチョクラルスキー法(CZ法)で製造されるシリコン単結晶のインゴットであって、
引き上げの初端から引き上げの終端に向かって径が増加する形状を有している
ことを特徴とするシリコン単結晶のインゴット。
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