KR20100086201A - 실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조장치는, 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액에 시드를 디핑 후 시드를 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키 법을 이용한 실리콘 단결정 제조장치에 있어서, 상기 석영 도가니 측벽 주위에 설치되어 석영 도가니 내에 수용된 실리콘 융액을 가열하는 히터;를 포함하고, 상기 히터는 발열부의 열전도율이 110W/m.K 이하인 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 히터의 열전도율 특성을 제어함으로써 히터의 외형 디자인을 변경하지 않고도 히터의 발열 분포를 개선할 수 있다. 또한, 히터의 사용 가능 회수의 감소나 결함 발생율의 증가 없이 무결함 인상속도를 향상시킬 수 있어 무결함 단결정의 생산성을 높일 수 있다. 이에 따라, 실리콘 단결정의 제조 원가를 줄일 수 있다.

쵸크랄스키(CZ) 법, 열전도율, 히터, 고액계면, 발열 분포

Description

실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법{Apparatus and Method for manufacturing silicon single crystal ingot}

본 발명은 실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 쵸크랄스키 법을 이용한 실리콘 단결정 제조 시 실리콘 융액 내의 온도 분포를 제어하여 단결정의 품질과 생산성을 향상시킬 수 있는 실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 실리콘 단결정 잉곳은 쵸크랄스키(Czochralski, 이하 CZ라 함) 법에 의해 제조된다. CZ 법에 의하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법은, 석영 도가니에 다결정 실리콘(poly silicon)과 불순물(dopant)을 적층시키고 석영 도가니 측벽 주변에 설치된 히터에서 복사되는 열을 이용해 다결정 실리콘과 불순물을 용융시켜 실리콘 융액(melt)을 형성하고, 실리콘 단결정 잉곳의 성장 소스인 시드(seed)를 실리콘 융액의 표면에 디핑(dipping) 시키고, 시드를 따라 성장하는 성장 결정의 직경을 최대한 줄이면서 인상하는 넥킹(necking) 공정과, 성장 결정을 목적하는 결정직경까지 확장시키는 숄더링(shouldering) 공정을 거쳐, 몸체부 성장(body growth) 공정에서 시드를 천천히 인상시켜 실리콘 단결정 잉곳을 원하는 길이로 성장시킨다.

이와 같은 CZ 법에 의해서 제조된 실리콘 단결정 잉곳은 주로 반도체 디바이스의 제조에 이용된다. 최근에는 수십 나노 스케일의 회로 선폭을 갖는 반도체 디바이스의 고집적화에 따라 제조업체에서 요구하는 웨이퍼의 품질 수준이 향상되고 있다. 주요 품질 특성 인자인 산소농도는 요구 범위의 폭이 좁아지고, 산소농도 또한 과거에 비해 크게 낮아졌다. 또한, 베이컨시(vacancy) 또는 셀프-인터스티셜(self-interstitial)에 기인하는 결함이 없는 무결함 단결정 웨이퍼가 요구되고 있다.

이러한 무결함 단결정 웨이퍼는 제조 비용이 많이 소요되는 단점이 있다. 무결함 단결정 웨이퍼의 제조 비용 절감은 실리콘 단결정 잉곳 성장 시 결함 발생률의 감소 및 무결함 단결정 인상속도의 증가를 통해 이룰 수 있다. 이를 위해 실리콘 단결정 제조 장치에서 핫존의 디자인 변경이나, 공정 변수를 최적화하는 연구가 있어 왔다. 최근 핫존을 개선하는 방안으로 히터 디자인을 변경하여 단결정 품질 및 생산성을 향상시키는 방안이 시도되고 있다.

한국등록특허 제10-831044호(선행기술1) 및 한국공개특허 제2005-83602호(선행기술2)에서는 종래 CZ 법을 이용한 실리콘 단결정 제조장치에서 수평 강자기장을 인가하였을 때, 실리콘 융액 내 온도 분포가 실질적으로 회전 대칭성이 많이 약해지고 자기장 방향을 기준으로 거울 대칭 형태로 형성되는 것으로 인해 산소농도 등의 여러 가지 결정 품질이 악화되는 것을 막기 위해 특정 부위의 히터 발열량을 증가시키는 방안을 제시하고 있다.

상기 선행기술1은 히터의 특정 부위의 단면적을 변화시켜 저항을 증가시킴으로써 발열량 차이를 일으키고 이에 대응되는 실리콘 융액 내의 온도를 제어하여 무결함 품질과 산소농도를 제어할 수 있는 실리콘 단결정 제조방법을 개시하고 있다. 또한, 상기 선행기술2는 히터의 슬릿 폭을 변화시켜 저항을 증가시킴으로써 발열량 차이를 일으키고 이에 대응되는 실리콘 융액 내의 온도를 제어하는 실리콘 단결정 제조방법을 개시하고 있다.

그런데, 상기 선행기술1 및 2는 히터의 디자인을 변형하여 특정 부위의 저항을 증가시켜 발열을 집중시키는 방식이다. 따라서 히터를 장기적으로 사용하면 집중 발열이 이루어지는 히터의 특정 부위가 열화되는 문제가 발생한다. 즉 디자인 변경으로 인해 발열이 집중되는 히터의 부위는 실리콘 융액 표면에서 증발하는 Si 및 SiOx 가스와 반응하여 SiC를 형성한다. 그 결과 히터의 집중 발열 부위에는 노란색을 띄는 SiC가 증착된다. 히터에 증착된 SiC는 핫존 청소 작업을 통해 제거한다. 그런데 SiC 제거 과정에서 히터 표면까지 함께 제거되어 히터의 슬릿 폭 또는 두께가 감소한다. 이러한 현상이 계속되면 히터의 집중 발열 부위의 저항이 지속적으로 증가하여 국부 발열이 심화되고 이로 인해 SiC의 증착으로 인한 히터의 열화가 더욱 심화된다. 따라서 집중 발열을 위해 히터의 디자인을 변경하는 방법은 시간 경과에 따라 히터의 발열 특성을 변화시켜 실리콘 단결정의 품질에 악영향을 미칠 뿐만 아니라 히터의 수명을 저하시킨다는 한계를 안고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 히터의 수명을 증가시킬 수 있고 무결함 인상속도의 증가에 의해 생산성 향상이 가능하고 히터의 저항 증가를 지연시켜 결정 품질 불량을 최소화할 수 있는 실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조장치는, 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액에 시드를 디핑 후 시드를 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키 법을 이용한 실리콘 단결정 제조장치에 있어서, 상기 석영 도가니 측벽 주위에 설치되어 석영 도가니 내에 수용된 실리콘 융액을 가열하는 히터;를 포함하고, 상기 히터는 발열부의 열전도율이 110W/m.K 이하인 것을 특징으로 한다.

바람직하게, 상기 히터의 run 별 저항 증가율은 0.1% 이하의 값을 갖는다.

상기 히터의 발열부는 재질의 치밀화 정도, 밀도에 의해 열전도율이 제어된다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조방법은, 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액에 시드를 디핑 후 시드를 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키 법을 이용한 실리콘 단결정 제조방법에 있어서, 발열부의 열전도율이 110W/m.K 이하인 히터를 사용하여 상기 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액을 가열하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 히터의 열전도율 특성을 제어함으로써 히터의 외형 디자인을 변경하지 않고도 히터의 발열 분포를 개선할 수 있다. 또한, 히터의 사용 가능 회수의 감소나 결함 발생율의 증가 없이 무결함 인상속도를 향상시킬 수 있어 무결함 단결정의 생산성을 높일 수 있다. 이에 따라, 실리콘 단결정의 제조 원가를 줄일 수 있다.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자의 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 제조장치의 개략적인 구성을 도시한 장치 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조장치는, 고온으로 용융 된 실리콘 융액(M)이 수용되는 석영 도가니(10), 상기 석영 도가니(10)의 외주면을 감싸며, 석영 도가니(10)를 일정한 형태로 지지하는 도가니 하우징(20), 상기 도가니 하우징(20) 하단에 설치되어 하우징(20)과 함께 석영 도가니(10)를 회전시키는 도가니 회전수단(30), 상기 도가니 하우징(20)의 측벽으로부터 소정 거리 이격되어 석영 도가니(10)를 가열하는 히터(40), 상기 히터(40)의 외곽에 설치되어 히터(40)로부터 발생되는 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열수단(50), 종자결정인 시드(seed)를 이용하여 상기 석영 도가니(10)에 수용된 실리콘 융액(M)으로부터 단결정 잉곳(IG)을 인상하는 단결정 인상수단(60), 단결정 인상수단(60)에 의해 인상되는 단결정 잉곳(IG)의 외주면으로부터 소정 거리 이격되어 단결정 잉곳(IG)으로부터 방출되는 열을 반사하는 열실드 수단(70) 및 단결정 잉곳(IG)의 외주면을 따라 실리콘 융액(M)의 상부 표면으로 불활성 가스(예컨대, Ar 가스)를 공급하는 불활성 가스 공급수단(미도시)을 포함한다. 상술한 구성 요소들은 본 발명이 속한 기술분야에서 잘 알려진 CZ 법을 이용한 실리콘 단결정 제조장치의 통상적인 구성 요소이므로 각 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

본 발명의 실시예에서, 상기 실리콘 융액(M)은 다결정 실리콘(poly silicon)과 불순물(dopant)을 적층시키고 상기 히터(40)로부터 인가되는 열을 이용해 용융시킨 것이다. 하지만 본 발명은 융액의 종류에 의해 한정되는 것은 아니므로 CZ 법에 의해 성장시키는 반도체 단결정의 종류에 따라 융액(M)의 종류와 조성이 달라짐은 자명하다.

본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조장치는, 상술한 구성요소에서 실리콘 융 액(M)을 가열하는 히터(40)의 특성을 개선한 것에 특징이 있다.

상기 히터(40)는 외형 디자인(두께, 폭, 슬릿 구조)의 변화 없이 열이 복사되는 발열부의 열전도율이 특정 수치 이하로 조절되어 있다. 따라서 상기 히터(40)는 발열 분포가 개선되어 실리콘 융액(M)의 특정 부위에 발열을 집중시키는 것이 가능하다.

바람직하게, 상기 히터(40)의 발열부는 흑연(graphite)으로 이루어진다. 그리고 상기 발열부는 흑연의 치밀화 정도, 밀도를 조절하여 열전도율이 특정 범위 이하로 조절되어 있다.

보다 구체적으로, 상기 히터(40)의 발열부에서 발열이 집중되는 부위의 열전도율은 110W/m.K 이하인 것이 바람직하다. 상기 히터(40)의 열전도율은 110W/m.K보다 낮으면 낮을수록 바람직하다. 상기 히터(40)를 흑연으로 구성할 경우 흑연의 치밀화 정도나 밀도 등을 조절하여 70W/m.K까지 낮추는 것이 가능하다. 또한 CCM(Carbon Carbon Matrix)을 사용하여 히터(40)의 발열부를 3W/m.K까지 낮출 수 있다.

상기 히터(40)는 열전도율이 상술한 조건을 만족할 경우 Run 별 저항 증가율이 0.1% 이하의 값을 갖는다.

도 1에 도시된 히터(40)의 발열 분포를 참조하면, 히터(40)의 열전도율 제어를 통해 발열 분포가 개선되었다. 즉 발열 분포 프로파일 중 최 고온 영역의 온도가 상승하고 최 고온 지점을 중심으로 발열이 집중되는 형태로 발열 분포 프로파일이 개선되었다. 이처럼 발열 분포 프로파일이 개선되면 히터(40)로부터 발산되는 열이 고액계면 하부로 효과적으로 전달된다. 그 결과, 고액계면의 온도 구배를 증가시켜 무결함 인상속도를 향상시킬 수 있다. 고액계면의 온도 구배가 증가하면 실리콘 원자의 이동 속도가 증가되어 단결정 인상속도를 증가시키더라도 과도한 베이컨시 또는 격자간 실리콘 유입이 이루어지지 않기 때문이다.

그러면, 이하에서는 본 발명에 따른 실리콘 단결정 제조장치를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 과정을 개략적으로 설명한다.

먼저, 제조하고자 하는 실리콘 단결정 잉곳의 제원에 맞도록 석영 도가니(10)에 다결정 실리콘과 불순물을 적층시킨다. 그런 다음, 히터(40)를 가동시켜 다결정 실리콘과 불순물을 용융시켜 실리콘 융액(M)을 형성한다. 실리콘 융액(M) 형성이 완료되면, 회전수단(30)을 이용하여 석영 도가니(10)를 일정한 방향으로 회전시킨다. 그런 다음, 일정 시간이 경과하여 실리콘 융액(M)의 대류가 안정화되면, 단결정 인상수단(60)을 제어하여 시드를 실리콘 융액(M)에 디핑 시키고 서서히 회전시키면서 시드를 상부로 인상하여 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 성장시킨다. 성장 초기에는 시드의 인상속도를 조절하여 소망하는 지름이 얻어질 때까지 잉곳(IG)의 숄더를 형성하며, 숄더의 형성이 완료되면 무결함 인상속도로 잉곳(IG)의 몸체부를 성장시킨다. 몸체부의 성장이 완료되면, 인상속도를 점점 빠르게 하여 잉곳(IG)의 지름을 서서히 감소시키면서 잉곳(IG)의 하부 끝단을 실리콘 융액(M)으로부터 이탈시킴으로써 실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장을 완료한다.

실리콘 단결정 잉곳(IG)의 성장이 이루어지는 동안, 열전도율이 제어된 히 터(40)는 개선된 발열 분포 프로파일을 제공한다. 그 결과, 상기 히터(40)는 고액계면 하부 측으로 열을 집중적으로 공급할 수 있다. 이처럼 고액계면 하부로 열이 집중적으로 공급되면 고액계면의 온도 구배가 증가하여 무결함 인상속도를 상승시킬 수 있고, 이로 인해 단결정의 생산성을 향상시킬 수 있다.

<실험 예>

이하에서는 실험예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 이하의 실험예는 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 목적에서 기술하는 것이며, 본 발명이 실험예에 기재된 용어나 실험 조건 등에 의해 본 발명이 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.

비교예1

국부 발열을 위해 구조 변경을 하지 않은 통상의 히터를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 반복적으로 성장시켜 히터의 사용 가능 회수를 테스트하였다. 이 때, 매 성장 시 마다 히터의 저항 증가율과 잉곳의 무결함 인상속도를 측정하였다. 실험 결과, 히터의 사용 가능 회수는 80회 이상이고, 무결함 인상속도는 0.48mm/min이고, Run별 저항 증가율은 0.1%였다.

비교예2

국부 발열 부위의 두께를 감소시킨 히터를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 반복적으로 성장시켜 히터의 사용 가능 회수를 테스트하였다. 이때, 매 성장 시 마다 히터의 저항 증가율과 잉곳의 무결함 인상속도를 측정하였다. 실험 결과, 히터 의 사용 가능 회수는 40회 미만이고, 무결함 인상속도는 0.50mm/min이고, Run별 저항 증가율은 0.3%였다.

도 2는 비교예1 및 2에서 사용된 히터의 발열 분포 프로파일을 나타낸 도면이다.

도 2를 참조하면, 비교예1에서 사용된 히터의 발열 분포는 가우시안 분포와 유사하고, 비교예2에서 사용된 히터의 발열 분포는 국부 발열에 의해 히터 중심부의 온도가 상승하고 히터의 중심부로 발열이 집중되는 열분포임을 확인할 수 있다.

실시예1

발열부의 열전도율이 110W/m.K인 히터를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 반복적으로 성장시켜 히터의 사용 가능 회수를 테스트하였다. 이 때, 매 성장 시 마다 히터의 저항 증가율과 잉곳의 무결함 인상속도를 측정하였다. 실험 결과, 히터의 사용 가능 회수는 80회 이상이고, 무결함 인상속도는 0.5mm/min이고, Run별 저항 증가율은 0.1%이하 였다.

실시예2

발열부의 열전도율이 104W/m.K인 히터를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 반복적으로 성장시켜 히터의 사용 가능 회수를 테스트하였다. 이 때, 매 성장 시 마다 히터의 저항 증가율과 잉곳의 무결함 인상속도를 측정하였다. 실험 결과, 히터의 사용 가능 회수는 80회 이상이고, 무결함 인상속도는 0.5mm/min이고, Run별 저항 증가율은 0.1%이하 였다.

실시예3

발열부의 열전도율이 94W/m.K인 히터를 이용하여 실리콘 단결정 잉곳을 반복적으로 성장시켜 히터의 사용 가능 회수를 테스트하였다. 이 때, 매 성장 시 마다 히터의 저항 증가율과 잉곳의 무결함 인상속도를 측정하였다. 실험 결과, 히터의 사용 가능 회수는 80회 이상이고, 무결함 인상속도는 0.51mm/min이고, Run별 저항 증가율은 0.1%이하 였다.

도 3은 실시예1~3 및 비교예2에서 사용된 히터의 발열 분포 프로파일을 나타낸 도면이다.

도 3을 참조하면, 실시예1~3에서 사용되는 히터의 발열 분포는 비교예2에서 사용되는 히터에 비해 히터 중심부의 온도가 더욱 상승하고 히터 중심부를 기준으로 발열의 집중도가 더욱 향상된다는 것을 알 수 있다.

다음 표 1은 비교예1~2와 실시예1~3에서 얻은 측정 결과를 정리한 것이다.

	히터 외형	열전도율 (W/m.k)	무결함 인상속도 (mm/min)	히터 사용 가능 회수	히터 저항 변화율 (%)
비교예1	Normal	130	0.48	~ 80	< 0.1
비교예2	부분저항증가	130	0.50	< 40	~ 0.3
실시예1	Normal	110	0.50	~ 80	< 0.1
실시예2	Normal	104	0.50	~ 80	< 0.1
실시예3	Normal	93	0.51	~ 80	< 0.1

상기 표 1을 참조하면, 비교예1은 히터의 사용 가능 회수가 80회 이상이고, Run별 저항 증가율이 0.1%로 히터의 열화 문제는 발생하지 않았으나, 생산성의 지표인 무결함 인상속도가 0.48mm/min으로 생산성이 낮다.

비교예2는 무결함 인상속도가 0.50mm/min으로 생산성에 있어서는 양호함을 보이고 있으나, 히터의 사용 가능 회수가 40회 미만이고, Run별 저항 증가율이 0.3%로 히터의 열화 문제가 발생된다는 것을 알 수 있다.

실시예1~3은 히터의 사용 가능 회수가 80회 이상이고, Run별 저항 증가율이 0.1%이하이며, 무결함 인상속도가 0.50~0.51mm/min로서 비교예1~2보다 높았다.

상기와 같은 실험 결과를 통해, 본 발명에 따른 무결함 실리콘 단결정 제조장치는 히터의 외형 디자인을 변화하는 것이 아닌 열전도율을 제어하여 실리콘 융액 내의 온도 분포를 제어함으로써 무결함 인상속도의 증가는 물론이고 히터의 열화 문제를 해결할 수 있다는 것을 알 수 있다.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 단결정 제조장치의 개략적인 구성을 도시한 장치 단면도이다.

도 2는 비교예1 및 2에서 사용된 히터의 발열 분포 프로파일을 나타낸 도면이다.

도 3은 실시예1~3 및 비교예2에서 사용된 히터의 발열 분포 프로파일을 나타낸 도면이다.

<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>

M : 실리콘 융액 IG : 실리콘 단결정 잉곳

10 : 석영 도가니 20 : 도가니 하우징

30 : 도가니 회전수단 40 : 히터

50 : 단열수단 60 : 단결정 인상수단

70 : 열실드 수단

Claims (6)

1. 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액에 시드를 디핑 후 시드를 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키 법을 이용한 실리콘 단결정 제조장치에 있어서,

   상기 석영 도가니 측벽 주위에 설치되어 석영 도가니 내에 수용된 실리콘 융액을 가열하는 히터;를 포함하고,

   상기 히터는 발열부의 열전도율이 110W/m.K 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 히터의 run 별 저항 증가율은 0.1% 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 히터의 발열부는 재질의 치밀화 정도, 밀도에 의해 열전도율이 제어된 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
4. 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액에 시드를 디핑 후 시드를 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키 법을 이용한 실리 콘 단결정 제조방법에 있어서,

   발열부의 열전도율이 110W/m.K 이하인 히터를 사용하여 상기 석영 도가니에 수용된 실리콘 융액을 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
5. 제4항에 있어서,

   상기 히터의 run 별 저항 증가율은 0.1% 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
6. 제4항에 있어서,

   상기 히터의 발열부는 재질의 치밀화 정도, 밀도에 의해 열전도율이 제어된 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.

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