KR102194803B1 - Light emitting device package - Google Patents

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    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Abstract

실시예는 캐비티 및 캐비티의 바닥에 형성된 적어도 하나의 리세스부를 포함하는 몸체; 적어도 하나의 리세스부에 배치된 발광 소자; 적어도 하나의 리세스부에서 패키지 몸체부의 두께 방향과 다른 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 금속부 및 제2 금속부; 및 발광 소자와 제1 금속부 및 제2 금속부 사이에 배치된 솔더부;를 포함하며, 캐비티는 리세스부가 배치된 제1 바닥면; 및 제1 바닥면에 인접하는 제2 바닥면;을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공하며, 솔더부가 리세스부 외곽으로 돌출되지 않아 발광 소자 외곽부에서 광 특성을 개선하여 발광 효율을 높일 수 있다.The embodiment includes a body including a cavity and at least one recess formed in the bottom of the cavity; A light emitting element disposed in at least one recess; A first metal part and a second metal part spaced apart from each other in a horizontal direction different from the thickness direction of the package body part in at least one recess part; And a solder portion disposed between the light emitting element and the first metal portion and the second metal portion, wherein the cavity includes a first bottom surface having a recess portion disposed thereon; And a second bottom surface adjacent to the first bottom surface, and since the solder portion does not protrude outside the recess portion, light characteristics may be improved at the outer portion of the light emitting device, thereby increasing luminous efficiency.

Description

발광 소자 패키지 {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시예는 플립칩 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a flip chip light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드 (Light Emitting Diode)나 레이저다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색광선도 구현이 가능하며 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light-emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or Group 2-6 compound are developed in various colors such as red, green, blue and ultraviolet light through the development of thin film growth technology and device materials. It is possible to implement white light with good efficiency by using fluorescent materials or by combining colors, and has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Have.

따라서, 광통신수단의 송신모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광다이오드 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 백색 발광다이오드 조명장치, 자동차 헤드라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있으며, 최근에는 발광소자 패키지가 플립칩 본딩 구조로 개발 및 제조되고 있다.Therefore, a light-emitting diode backlight that replaces the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) that constitutes the transmission module of the optical communication means, the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display device, and a white light-emitting diode that can replace fluorescent or incandescent bulbs. Applications are being expanded to lighting devices, automobile headlights, and traffic lights, and recently, light emitting device packages have been developed and manufactured in a flip-chip bonding structure.

플립칩 본딩 구조의 발광 소자 패키지의 경우 발광 소자에 구비된 전극 패드와 패키지 기판 사이에 솔더층을 형성하여 전기적으로 연결되도록 제조된다.In the case of a light emitting device package having a flip chip bonding structure, a solder layer is formed between an electrode pad provided in the light emitting device and a package substrate to be electrically connected.

플립칩 본딩 구조의 발광 소자 패키지에서 솔더층은 솔더 페이스트를 기판과 발광 소자 사이에 도포하여 형성될 수 있다. 솔더 페이스트의 양이 충분하여야 발광 소자와 기판 사이의 부착력이 좋아져 인장력 실험(Shear Force Test) 값의 산포가 작게 나타나게 되어 안정적인 패키지를 구현할 수 있으나, 솔더 페이스트 양이 과도하게 많아질 경우 발광 소자 외측으로 솔더페이스트가 흘러나와 페이스트 잔사 등에 의하여 발광 소자 외곽부에서 광손실이 발생하게 되며 이로 인하여 발광 소자 패키지의 광특성을 저하시키는 문제가 발생할 수 있다.In a light emitting device package having a flip chip bonding structure, a solder layer may be formed by applying a solder paste between the substrate and the light emitting device. When the amount of solder paste is sufficient, the adhesion between the light emitting device and the substrate is improved, so that the distribution of the shear force test value appears small, so that a stable package can be implemented. Solder paste flows out, causing light loss at the outer portion of the light emitting device due to paste residues, etc., which may cause a problem of deteriorating optical characteristics of the light emitting device package.

실시예는 발광 소자 패키지의 광특성을 향상시키고자 한다.The embodiment is to improve the optical characteristics of a light emitting device package.

실시예는 캐비티 및 상기 캐비티의 바닥에 형성된 적어도 하나의 리세스부를 포함하는 몸체; 상기 적어도 하나의 리세스부에 배치된 발광 소자; 상기 적어도 하나의 리세스부에서 상기 몸체의 두께 방향과 다른 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 금속부 및 제2 금속부; 및 상기 발광 소자와 상기 제1 금속부 및 제2 금속부 사이에 배치된 솔더부;를 포함하며, 상기 캐비티는 상기 리세스부가 배치된 제1 바닥면; 및 상기 제1 바닥면에 인접하는 제2 바닥면;을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다. An embodiment includes a body including a cavity and at least one recess formed in the bottom of the cavity; A light emitting device disposed in the at least one recess; A first metal part and a second metal part spaced apart from each other in a horizontal direction different from the thickness direction of the body in the at least one recess part; And a solder portion disposed between the light emitting device and the first and second metal portions, wherein the cavity includes a first bottom surface on which the recess portion is disposed; It provides a light emitting device package including; and a second bottom surface adjacent to the first bottom surface.

상기 리세스부의 수평 방향으로의 제1 폭은 발광 소자의 수평 방향으로의 제2 폭의 0.9배 이상 1.1배 이하일 수 있다.The first width in the horizontal direction of the recess may be 0.9 times or more and 1.1 times or less of the second width in the horizontal direction of the light emitting device.

상기 제1 금속부 및 상기 제2 금속부는 두께 방향으로 몸체를 관통하고 상기 제1 바닥면에 노출될 수 있다.The first metal part and the second metal part may penetrate the body in a thickness direction and may be exposed to the first bottom surface.

상기 제1 바닥면과 상기 제2 바닥면의 경계로부터 상기 제1 및 제2 금속부는 수평방향으로 이격되어 노출될 수 있으며, 제1 바닥면과 제2 바닥면의 경계와 노출된 상기 제1 및 제2 금속부는 접하게 형성될 수도 있다.The first and second metal parts may be horizontally spaced apart from the boundary between the first floor and the second floor to be exposed, and the first and second metal parts exposed to the boundary between the first and second floor surfaces may be The second metal part may be formed in contact with it.

제1 및 제2 전극부 사이에 배치된 제1 바닥면의 제1 영역은 제1 및 제2 금속부를 노출한 제1 바닥면의 제2 영역보다 돌출되어 형성될 수 있다.The first region of the first bottom surface disposed between the first and second electrode portions may be formed to protrude from the second region of the first bottom surface exposing the first and second metal portions.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 캐비티 바닥에 리세스부를 포함하여 솔더부 형성시 리세스부를 벗어나 발광 소자 외곽부위로 돌출되는 것을 방지하여 패키지의 광 손실을 줄일 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a recess at the bottom of the cavity to prevent protruding from the recess to the outer portion of the light emitting device when forming the solder part, thereby reducing light loss of the package.

도 1은 발광 소자 패키지의 일 실시예의 평면도를 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 실시예의 단면도를 나타낸 도면이고,
도 3은 발광 소자의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 발광 소자 패키지의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광 소자 패키지의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광 소자 패키지의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광 소자 패키지가 배치된 영상표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 발광 소자 패키지가 배치된 조명 장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a plan view of an embodiment of a light emitting device package,
2 is a view showing a cross-sectional view of the embodiment of FIG. 1,
3 is a view showing an embodiment of a light emitting device,
4 is a view showing another embodiment of a light emitting device package,
5 is a view showing another embodiment of a light emitting device package,
6 is a view showing another embodiment of a light emitting device package,
7 is a diagram showing an embodiment of an image display device in which a light emitting device package is disposed,
8 is a diagram illustrating an embodiment of a lighting device in which a light emitting device package is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element may be included.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. Thus, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 구조를 나타낸 평면도이다. 도 1은 발광 소자 패키지를 상부면에서 도시한 것이며, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지를 A-A` 라인을 따라 절단한 단면도이다.1 is a plan view showing the structure of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. 1 is a top view of a light emitting device package, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package shown in FIG. 1 taken along line A-A′.

도 2를 참조하면 발광소자 패키지는 몸체(130), 발광 소자(120), 제1 금속부(110a)와 제2 금속부(110b) 및 솔더부(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting device package may include a body 130, a light emitting device 120, a first metal part 110a and a second metal part 110b, and a solder part 150.

몸체(130)는 캐비티(140) 및 상기 캐비티의 바닥에 형성된 적어도 하나의 리세스부(160)를 포함할 수 있다.The body 130 may include a cavity 140 and at least one recess portion 160 formed at the bottom of the cavity.

몸체(130)는 실리콘 재질 또는 합성수지 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 열경화성 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 열경화성 수지는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC:Epoxy Molding Compound)일 수 있으며, 열경화성 수지가 적용될 경우, 쪼개짐 등의 파손을 억제할 수 있어 몸체(130)의 열변형, 접착력 저하 및 황변(yellowing)을 효과적으로 감소시킬 수 있다.The body 130 may be formed of a silicone material or a synthetic resin material, and may be formed of a thermosetting resin. For example, the thermosetting resin may be an epoxy molding compound (EMC), and when a thermosetting resin is applied, damage such as splitting can be suppressed, so that the body 130 is thermally deformed, adhesion decreases, and yellowing ) Can be effectively reduced.

몸체(130)가 백색의 실리콘 또는 백색의 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)로 형성되는 경우 발광 소자(120)에서 생성된 빛의 반사율을 높여 광량이 향상될 수 있다.When the body 130 is formed of white silicon or white epoxy molding compound (EMC), the amount of light may be improved by increasing the reflectance of light generated by the light emitting device 120.

몸체(130)에는 바닥과 측부를 가지는 캐비티(140)가 형성될 수 있으며, 몸체(130)는 캐비티(140) 측부와 바닥 일부를 형성하는 제1 영역(130a)과 제1 금속부(110a)와 제2 금속부(110b) 사이에 형성된 제2 영역(130b)을 포함할 수 있다.The body 130 may have a cavity 140 having a bottom and a side portion, and the body 130 includes a first region 130a and a first metal portion 110a forming a side portion and a portion of the bottom of the cavity 140 It may include a second region 130b formed between the and the second metal portion 110b.

캐비티(140)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다.The shape of the cavity 140 viewed from above may be a circle, an ellipse, or a polygon (eg, a square).

캐비티(140)의 모서리는 곡선일 수 있으며, 측부는 캐비티의 바닥면과 수직이거나 경사를 이룰 수 있다. 캐비티(140)의 측부는 반사면의 역할을 하여 발광 소자(120)에서 생성된 빛을 반사시켜 발광소자 패키지의 상면을 향하게 할 수 있다. 캐비티(140)의 하부면에 별도의 반사부재(미도시)가 더 배치되어 발광소자로부터 생성된 빛을 반사시켜 광효율을 더 향상시킬 수도 있으며 이에 한정하지 않는다.The corners of the cavity 140 may be curved, and the side may be perpendicular or inclined to the bottom surface of the cavity. The side portion of the cavity 140 may serve as a reflective surface to reflect light generated by the light emitting device 120 so as to face the upper surface of the light emitting device package. A separate reflective member (not shown) may be further disposed on the lower surface of the cavity 140 to reflect light generated from the light emitting device to further improve light efficiency, but is not limited thereto.

몸체(130)에 형성된 캐비티(140)의 바닥면에는 적어도 하나의 리세스부(160)를 포함할 수 있으며, 리세스부(160)는 캐비티(140)의 중앙에 배치될 수 있다.At least one recessed portion 160 may be included on the bottom surface of the cavity 140 formed in the body 130, and the recessed portion 160 may be disposed at the center of the cavity 140.

리세스부(160)에는 발광 소자(120)가 배치될 수 있으며, 발광 소자(120)는 리세스부(160)의 상부에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed in the recessed part 160, and the light emitting device 120 may be disposed above the recessed part 160.

도 3은 발광 소자의 일 실시예를 나타낸 도면이다.3 is a view showing an embodiment of a light emitting device.

도 3을 참조하면, 발광 소자(120)는 기판(10), 제1 도전형 반도체층(22), 활성층(24), 제2 도전형 반도체층(26), 제1 전극(42) 및 제2 전극(44)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 120 includes a substrate 10, a first conductivity type semiconductor layer 22, an active layer 24, a second conductivity type semiconductor layer 26, a first electrode 42, and a It may include two electrodes 44.

발광 소자(120)에서 기판(10)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있고, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(10)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은 광추출 효율을 높이기 위하여 표면이 요철을 포함할 수 있다.In the light emitting device 120, the substrate 10 may be formed of a material suitable for growth of a semiconductor material, a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 10 may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 . In addition, the surface of the substrate 10 may include irregularities in order to increase light extraction efficiency.

기판(10)과 도전형 반도체층(22, 26) 사이에는 버퍼층(미도시)이 배치될 수 있다. 버퍼층(미도시)은 도전형 반도체층(22, 26)과 기판(10) 재료 간의 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이를 완화하기 위하여 배치될 수 있다. 버퍼층(비도시)은 3-5족 또는 2-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.A buffer layer (not shown) may be disposed between the substrate 10 and the conductive semiconductor layers 22 and 26. A buffer layer (not shown) may be disposed to mitigate differences in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the conductive semiconductor layers 22 and 26 and the material of the substrate 10. The buffer layer (not shown) may be a compound semiconductor of Group 3-5 or Group 2-6, and may include, for example, at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, and AlInN.

제1 도전형 반도체층(22)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. ?-?족, ?-?족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑 될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(22)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1 도전형 반도체층(22)은 InxAlyGa(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있거나, 제1 도전형 반도체층(22)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 22 may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented as a compound semiconductor such as ?-? group or ?-? group, and a first conductivity type dopant may be doped. When the first conductivity-type semiconductor layer 22 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto. The first conductivity type semiconductor layer 22 includes a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga (1-xy) N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1) Alternatively, the first conductivity type semiconductor layer 22 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP. I can.

활성층(24)은 제1 도전형 반도체층(22)을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층(26)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(24)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(24)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 24 is energy determined by an energy band inherent to a material forming the active layer when electrons injected through the first conductivity type semiconductor layer 22 and holes injected through the second conductivity type semiconductor layer 26 meet each other. It is a layer that emits light with The active layer 24 is one of a double hetero junction structure, a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. It may be formed of at least any one. For example, in the active layer 24, trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) may be injected to form a multiple quantum well structure. It is not limited thereto.

활성층(24)의 우물층/장벽층은 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer/barrier layer of the active layer 24 is, for example, any of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP. It may be formed in one or more pair structures, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than that of the barrier layer.

활성층(24)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층의 장벽층이나 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed above or/and below the active layer 24. The conductive cladding layer may be formed of a semiconductor having a wider band gap than the barrier layer or the band gap of the active layer. For example, the conductive cladding layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, or a superlattice structure. In addition, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

활성층(24) 상에는 제2 도전형 반도체층(26)이 배치된다. 제2 도전형 반도체층(26)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 3-5족, 2-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(26)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.A second conductivity type semiconductor layer 26 is disposed on the active layer 24. The second conductivity type semiconductor layer 26 may be formed of a semiconductor compound. It may be implemented with a compound semiconductor such as Group 3-5 and Group 2-6, and may be doped with a second conductivity type dopant. For example, it may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1). When the second conductivity-type semiconductor layer 26 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like.

상기 발광 소자(120)에 있어서, 메사 식각에 의하여 발광 소자(120) 상부의 제2 도전형 반도체층(26)과 활성층(24) 및 제1 도전형 반도체층(22)의 일부분을 식각하여 제1 도전형 반도체층(22)의 일부가 노출되게 할 수 있다.In the light-emitting device 120, a portion of the second conductive type semiconductor layer 26, the active layer 24, and the first conductive type semiconductor layer 22 on the light emitting device 120 is etched by mesa etching. A part of the 1 conductive semiconductor layer 22 may be exposed.

발광 소자(120)는 일 면에 복수의 전극(42, 44)을 포함할 수 있다. 복수의 전극(42, 44)은 제1 전극(42) 및 제2 전극(44)일 수 있다. 제1 전극(42)과 제2 전극(44)은 발광 소자(120)의 양측에 각각 위치할 수 있고, 이 중 제1 전극(42)은 메사 구조로 식각된 제1 도전형 반도체층(22) 상에 배치될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(26) 상에는 제2 전극(44)이 배치될 수 있다.The light-emitting device 120 may include a plurality of electrodes 42 and 44 on one surface. The plurality of electrodes 42 and 44 may be the first electrode 42 and the second electrode 44. The first electrode 42 and the second electrode 44 may be respectively positioned on both sides of the light emitting device 120, of which the first electrode 42 is a first conductive semiconductor layer 22 etched in a mesa structure. ) May be disposed, and the second electrode 44 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 26.

발광 소자(120)의 제2 도전형 반도체층(26) 상에는 투명 도전층(30)이 더 배치되어 제2 전극 패드(44)로부터 제2 도전형 반도체층(26)으로 넓은 면적에 고르게 전류가 공급되게 할 수 있다. 투명 도전층(30)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO(Zinc Oxide), IrOx(Iridium Oxide), RuOx(Ruthenium Oxide), NiO(Nickel Oxide), RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au(Gold) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.A transparent conductive layer 30 is further disposed on the second conductive type semiconductor layer 26 of the light-emitting element 120 so that current is evenly distributed over a large area from the second electrode pad 44 to the second conductive type semiconductor layer 26. Can be supplied. The transparent conductive layer 30 is, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide), IAZO (Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), It may be formed by including at least one of ZnO (Zinc Oxide), IrOx (Iridium Oxide), RuOx (Ruthenium Oxide), NiO (Nickel Oxide), RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au (Gold).

발광 소자(120)의 제1 전극(42) 및 제2 전극(44)은 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b) 상에 위치한 솔더부(150)에 각각 접할 수 있다.The first electrode 42 and the second electrode 44 of the light emitting device 120 may contact the solder portions 150 positioned on the first metal portion 110a and the second metal portion 110b, respectively.

발광 소자(120)는 수평형, 수직형 또는 플립칩 형일 수 있다.The light emitting element 120 may be a horizontal type, a vertical type, or a flip chip type.

도 2에 도시된 바와 같이 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 리세스부(160)에서 몸체(130)의 두께 방향과 다른 수평 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.As shown in FIG. 2, the first metal part 110a and the second metal part 110b may be spaced apart from each other in a horizontal direction different from the thickness direction of the body 130 in the recess part 160.

제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 금속 기판을 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 금속부(110a, 110b) 상에 배치되는 발광 소자(120)를 지지하는 한편 발광 소자(120)로 전기적 신호를 전달할 수 있다. 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The first metal part 110a and the second metal part 110b may include a metal substrate, and support the light emitting device 120 disposed on the first and second metal parts 110a and 110b. Electrical signals may be transmitted to the light-emitting device 120. The first metal part 110a and the second metal part 110b may be formed of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), titanium (Ti), etc. It may be formed of, but is not limited thereto.

제1 금속부(110a)와 제2 금속부(110b)는 수평 방향으로 0.1mm 이상 이격되어 배치될 수 있다. 서로 이격된 거리(d2)가 0.1mm보다 작을 경우에는 각 금속부(110) 상에 형성된 솔더부(150)가 서로 인접하게되어 전기적 쇼트가 발생할 수 있다.The first metal part 110a and the second metal part 110b may be spaced apart by 0.1 mm or more in the horizontal direction. When the distance d2 spaced apart from each other is less than 0.1 mm, the solder portions 150 formed on each metal portion 110 are adjacent to each other, and an electrical short may occur.

제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 발광 소자(120)로부터 발생되는 열을 외부로 방출할 수 있으며, 발광 소자(120)에서 생성된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다. 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b) 상에 별도의 반사부재(미도시)가 더 배치되어 발광 소자(120)에서 생성된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수도 있으며 이에 한정하지 않는다. The first metal part 110a and the second metal part 110b may emit heat generated from the light emitting device 120 to the outside, and reflect light generated from the light emitting device 120 to increase light efficiency. I can. A separate reflective member (not shown) is further disposed on the first metal part 110a and the second metal part 110b to reflect light generated by the light emitting device 120 to increase light efficiency, but limited to this I never do that.

발광 소자(120)와 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b) 사이에 솔더부(150)가 배치될 수 있다.A solder portion 150 may be disposed between the light emitting device 120 and the first metal portion 110a and the second metal portion 110b.

솔더부(150)는 발광 소자(120)와 제1 및 제2 금속부(110a, 110b)와의 접합 기능 및 외부 회로와 전기적으로 연결하는 기능을 할 수 있다. 솔더부(150)는 제1 높이(h2)를 가질 수 있다.The solder unit 150 may perform a function of bonding the light-emitting element 120 to the first and second metal parts 110a and 110b and a function of electrically connecting an external circuit. The solder part 150 may have a first height h2.

솔더부(150)는 솔더 페이스트(paste)를 포함할 수 있으며, 솔더 페이스트는 용제인 플럭스(flux) 및 도전성 파우더 입자를 포함할 수 있다. 솔더부(150)가 형성된 제1 높이(h2)는 솔더 페이스트의 점도와 플럭스 함유량에 따라 변화될 수 있으며, 30㎛ 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있고, 바람직하게는 30㎛ 내지 50㎛의 두께로 형성될 수 있다.The solder unit 150 may include a solder paste, and the solder paste may include flux as a solvent and conductive powder particles. The first height h2 at which the solder part 150 is formed may vary depending on the viscosity and flux content of the solder paste, may be formed to a thickness of 30 μm to 100 μm, and preferably 30 μm to 50 μm. It can be formed in thickness.

솔더부(150)는 금속부(110a, 110b)와 발광 소자(120)를 상호 접합하게 하는 것으로서, 용제인 플럭스가 제거된 후의 두께가 30㎛ 내지 50㎛일 때 가장 양호한 접착력을 가질 수 있다. 솔더부(150)의 두께가 30㎛ 보다 적은 두께로 형성될 경우 필요한 수준의 접착력을 얻을 수 없고, 100㎛보다 높은 두께로 형성될 경우 솔더 페이스트 도포 후 리플로우(reflow) 공정 진행시 발광 소자(120)의 고정 위치가 틀어질 수 있는 문제가 발생할 수 있다.The solder part 150 bonds the metal parts 110a and 110b to the light emitting element 120, and may have the best adhesion when the thickness after the flux, which is a solvent, is removed is 30 µm to 50 µm. When the thickness of the solder part 150 is formed to a thickness less than 30 μm, the necessary level of adhesion cannot be obtained, and when formed to a thickness higher than 100 μm, a light emitting device ( There may be a problem that the fixed position of 120) may be distorted.

도 2를 참조하면 리세스부(160)의 깊이(h1)는 30㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. Referring to FIG. 2, the depth h1 of the recess portion 160 may be 30 μm to 100 μm.

리세스부(160)의 깊이(h1)가 30㎛ 보다 작을 경우 솔더부(150) 형성시 솔더 페이스트가 발광 소자 외곽으로 흐르는 것을 막아주는 효과를 기대할 수 없으며, 100㎛보다 커질 경우 리세스부(160)의 깊이(h1)가 형성된 솔더부(150)의 높이(h2)보다 커질 수 있어 솔더부(150)가 발광 소자(120)와 제1 및 제2 금속부(110)를 연결시킬 수 없게 된다.When the depth h1 of the recess 160 is less than 30 μm, the effect of preventing the solder paste from flowing to the outside of the light emitting device when forming the solder 150 cannot be expected. When it is larger than 100 μm, the recess ( The depth h1 of 160 may be greater than the height h2 of the formed solder part 150 so that the solder part 150 cannot connect the light emitting device 120 and the first and second metal parts 110. do.

리레스부(160)의 수평방향의 폭인 제1 폭(w1-a, w1-b)은 발광 소자(120)의 수평 방향의 폭인 제2 폭(w2)의 0.9 배 이상 1.1배 이하일 수 있다.The first widths w1-a and w1-b, which are the widths in the horizontal direction of the release part 160, may be 0.9 times or more and 1.1 times or less of the second width w2, which is the width of the light emitting element 120 in the horizontal direction.

도 2를 참조하면, 리세스부(160)는 수평 방향으로의 폭인 제1 폭(w1-a)이 발광 소자(120)의 수평 방향으로의 폭인 제2 폭(w2)보다 작을 수 있으며, 제1 폭(w1-a)은 제2 폭(w2)의 최소 0.9배 이상일 수 있다.Referring to FIG. 2, a first width w1-a of the recess 160 may be smaller than a second width w2 of the light emitting device 120 in the horizontal direction, The first width w1-a may be at least 0.9 times the second width w2.

리세스부(160)의 제1 폭(w1-a)을 발광 소자(120)의 제2 폭(w2)보다 작게 하는 실시예의 경우에 있어서, 제1 폭(w1-a)이 제2 폭(w2)의 0.9배 보다 작아질 경우 발광 소자(120)와 비교하여 상대적으로 솔더부(150)의 단면적이 줄어 들어 발광 소자(120)를 제1 및 제2 전극부(110)에 연결하는 접착 강도가 약해질 수 있다.In the case of an embodiment in which the first width w1-a of the recess portion 160 is smaller than the second width w2 of the light emitting element 120, the first width w1-a is the second width ( When it is smaller than 0.9 times of w2), the cross-sectional area of the solder part 150 is relatively reduced compared to the light-emitting device 120, and the adhesive strength of connecting the light-emitting device 120 to the first and second electrode parts 110 Can weaken.

도 4 내지 도 6은 발광 소자 패키지의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.4 to 6 are views illustrating other embodiments of a light emitting device package. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.

도 4에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 실시예에서는 리세스부(160)의 제1 폭(w1-b)은 발광 소자(120)의 제2 폭(w2)보다 클 수 있으며, 제1 폭(w1-b)은 제2 폭(w2)의 최대 1.1배 이하일 수 있다.In another embodiment of the light emitting device package shown in FIG. 4, the first width w1-b of the recess 160 may be greater than the second width w2 of the light emitting device 120, and the first width ( w1-b) may be up to 1.1 times or less of the second width w2.

리세스부(160)의 제1 폭(w1-b)을 발광 소자(120)의 제2 폭(w2)보다 크게 하는 경우에 있어서, 제1 폭(w1-b)이 제2 폭(w2)의 1.1배 보다 커질 경우 발광 소자(120)의 외곽부에 노출되는 솔더부(150)의 면적이 넓어져 광효율이 저하될 수 있다.When the first width (w1-b) of the recess portion 160 is larger than the second width (w2) of the light-emitting element 120, the first width (w1-b) is the second width (w2) When the size is greater than 1.1 times of, the area of the solder part 150 exposed to the outer portion of the light emitting device 120 increases, and thus the light efficiency may decrease.

도면에 도시되지는 않았으나, 발광 소자 패키지의 실시예에서 발광 소자(120)의 측부 가장 자리로부터 발광 소자(120)의 두께 방향으로 연장되는 제1 가상 수직선은 리세스부(160)의 경계로부터 두께 방향으로 연장되는 제2 가상 수직선과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(120)와 리세스부(160)의 수평방향의 폭은 동일할 수 있다.Although not shown in the drawing, in the embodiment of the light-emitting device package, the first virtual vertical line extending from the side edge of the light-emitting device 120 in the thickness direction of the light-emitting device 120 is a thickness from the boundary of the recess 160 It may overlap with the second virtual vertical line extending in the direction. For example, the width of the light emitting device 120 and the recess 160 in the horizontal direction may be the same.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 캐비티(140)는 리세스부(160)가 배치된 제1 바닥면(145a)과 상기 제1 바닥면에 인접하는 제2 바닥면(145b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 바닥면(145a)은 리세스부(160)의 바닥면일 수 있다.4 and 5, the cavity 140 may include a first bottom surface 145a on which the recess 160 is disposed and a second bottom surface 145b adjacent to the first bottom surface. I can. For example, the first bottom surface 145a may be a bottom surface of the recess 160.

제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 두께 방향으로 몸체(130)를 관통하고 제1 바닥면(145a)의 일부에 노출되어 형성될 수 있다. 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 서로 이격되어 전기적으로 분리되어 노출될 수 있다. 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 몸체(130)의 제2 영역(130b)에 의하여 서로 분리되어 배치될 수 있다.The first metal part 110a and the second metal part 110b may be formed by penetrating the body 130 in the thickness direction and being exposed to a part of the first bottom surface 145a. The first metal part 110a and the second metal part 110b may be separated from each other to be electrically separated and exposed. The first metal part 110a and the second metal part 110b may be disposed to be separated from each other by the second region 130b of the body 130.

도 4에 도시된 실시예를 참조하면, 제1 바닥면(145a)과 제2 바닥면(145b)의 경계로부터 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 수평 방향으로 이격되어 노출될 수 있다. Referring to the embodiment shown in FIG. 4, the first metal part 110a and the second metal part 110b are horizontally spaced apart from the boundary between the first floor surface 145a and the second floor surface 145b. It can be exposed.

예를 들어, 도 4에 도시된 실시예의 리세스부(160)는 제1 바닥면(145a)과 제2 바닥면(145b) 사이의 단차에 의하여 형성되며, 형성된 단차는 캐비티(140) 바닥면 중 몸체(130) 영역에서 형성될 수 있다.For example, the recess portion 160 of the embodiment shown in FIG. 4 is formed by a step difference between the first bottom surface 145a and the second bottom surface 145b, and the formed step is the bottom surface of the cavity 140 It may be formed in the middle body 130 area.

몸체(130)에 형성되는 단차는 몸체(130)의 제1 영역(130a) 중 캐비티 (140)의 제2 바닥면(145b)에 해당하는 영역을 더 높게 사출하여 제조하는 방법으로 형성될 수 있다.The step formed in the body 130 may be formed by injecting a higher portion of the first region 130a of the body 130 corresponding to the second bottom surface 145b of the cavity 140 to be manufactured. .

도 5에 도시된 발광 소자 패키지의 다른 실시예에서, 제1 바닥면(145a)과 제2 바닥면(145b)의 경계와 노출된 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)는 접하도록 형성될 수 있다.In another embodiment of the light emitting device package shown in FIG. 5, the boundary between the first bottom surface 145a and the second bottom surface 145b and the exposed first and second metal portions 110a and 110b are It can be formed to contact.

예를 들어, 몸체(130)의 제1 영역(130a)에 인접한 제1 금속부(110a)의 측부는 제1 바닥면(145a)과 제2 바닥면(145b)의 경계와 접하도록 형성될 수 있다. 즉, 도5의 실시예의 리세스부(160)를 형성하는 제1 바닥면(145a)과 제2 바닥면(145b) 사이의 단차는 몸체(130)의 제1 영역(130a)과 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b)가 접하는 면에서 형성될 수 있다. For example, a side portion of the first metal portion 110a adjacent to the first region 130a of the body 130 may be formed to contact the boundary between the first bottom surface 145a and the second bottom surface 145b. have. That is, the step difference between the first bottom surface 145a and the second bottom surface 145b forming the recess 160 of the embodiment of FIG. 5 is the first region 130a of the body 130 and the first metal The portion 110a and the second metal portion 110b may be formed on a contact surface.

제1 바닥면(145a)과 제2 바닥면(145b) 사이의 단차에 의하여 형성된 리세스부(160)는 제1 바닥면(145a)에 해당하는 제1 및 제2 금속부(110)와 패키지 몸체부의 제2 영역(130b)을 제2 바닥면(145b)보다 낮게 제조하여 형성할 수 있다.The recessed portion 160 formed by the step between the first bottom surface 145a and the second bottom surface 145b includes the first and second metal portions 110 and the package corresponding to the first bottom surface 145a. The second region 130b of the body portion may be formed to be lower than the second bottom surface 145b.

도 6은 발광 소자 패키지의 다른 실시예를 나타낸 도면으로 캐비티(140)의 제1 바닥면(145a)은 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b) 사이에 배치되는 패키지 몸체부의 제2 영역(130b)에 해당하는 제1 영역(145a-1)과 제1 영역을 제외한 나머지 제2 영역(145a-2)을 포함할 수 있다. 제1 바닥면의 제1 영역(145a-1)은 제2 영역(145a-2) 보다 돌출되어 형성될 수 있다. 6 is a view showing another embodiment of the light emitting device package. The first bottom surface 145a of the cavity 140 is a first metal part 110a and a second metal part 110b. A first area 145a-1 corresponding to the second area 130b and a second area 145a-2 other than the first area may be included. The first region 145a-1 of the first bottom surface may be formed to protrude from the second region 145a-2.

예를 들어, 제1 영역(145a-1)이 제2 영역(145a-2)에 비하여 돌출된 높이(h3)는 30㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. 돌출된 높이(h3)가 30㎛ 보다 작을 경우 제1 금속부(110a) 및 제2 금속부(110b) 상에 각각 형성된 솔더부(150)들을 분리하는 효과가 저하될 수 있으며, 높이(h3)가 100㎛ 보다 커질 경우 발광 소자(120)에서 발광된 빛을 산란하거나 흡수하여 광 효율이 저하될 수 있다.For example, the protruding height h3 of the first region 145a-1 compared to the second region 145a-2 may be 30 μm to 100 μm. When the protruding height h3 is less than 30 μm, the effect of separating the solder portions 150 respectively formed on the first metal portion 110a and the second metal portion 110b may be reduced, and the height h3 When is greater than 100 μm, light efficiency may be reduced by scattering or absorbing light emitted from the light-emitting device 120.

실시예들의 발광 소자 패키지는 플립칩 본딩 구조를 가질 수 있다.The light emitting device package of the embodiments may have a flip chip bonding structure.

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일 실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, an image display device and a lighting device will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 7은 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating an embodiment of an image display device including a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown, the image display device 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflector 520 on the bottom cover 510, and light emitted from the light source module disposed in front of the reflector 520. The first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 and the second prism sheet 560 are disposed in front of the light guide plate 540 to guide the image display device in front of the light guide plate 540. It includes a panel 570 disposed in front and a color filter 580 disposed in the entirety of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)는 상술한 실시예들에 따를 수 있다.The light source module includes a light emitting device package 535 on the circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 535 may follow the above-described embodiments.

실시예의 발광 소자 패키지를 포함하는 경우 발광 소자 패키지의 캐비티 내에 형성된 리세스부에 의하여 발광 소자 외곽부에서의 솔더부 돌출을 방지할 수 있으며, 이로 인하여 솔더부 돌출에 따른 발광 저하 현상이나 황변현상(yellowing)을 방지할 수 있어 발광 소자 패키지의 광 특성을 개선할 수 있다. In the case of including the light emitting device package of the embodiment, the protrusion of the solder part from the outer part of the light emitting device can be prevented by the recess formed in the cavity of the light emitting device package, and thus, a light emission reduction phenomenon or a yellowing phenomenon due to the protrusion of the solder part ( Yellowing) can be prevented, and thus the optical characteristics of the light emitting device package can be improved.

따라서, 실시예의 발광 소자 패키지의 경우 발광 소자 외곽부를 포함한 전면에서 균일한 발광을 얻을 수 있으며, 이로 인하여 영상 표시 장치의 광원 모듈에서 개선된 광효율을 기대할 수 있다.Accordingly, in the case of the light emitting device package of the embodiment, uniform light emission can be obtained from the entire surface including the outer portion of the light emitting device, and thus, improved light efficiency can be expected in the light source module of the image display device.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 may accommodate components in the image display device 500. The reflector 520 may be provided as a separate component as shown in this drawing, or may be provided in a form coated with a material having high reflectivity on the rear surface of the light guide plate 540 or the front surface of the bottom cover 510.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflective plate 520 may be made of a material that has high reflectivity and can be used in an ultra-thin type, and may use PolyEthylene Terephtalate (PET).

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전 영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. The light guide plate 540 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the liquid crystal display.

따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타아크릴레이트 (PolyMethylMethAcrylate ; PMMA), 폴리카보네이트 (PolyCarbonate ; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance, and may be formed of polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE). In addition, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide type display device may be implemented.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed of a light-transmitting and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be repeatedly provided in a stripe type with floors and valleys as shown.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley on one side of the support film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley on one side of the support film in the first prism sheet 550. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 form an optical sheet, and the optical sheet is formed of a different combination, for example, a micro lens array, or a diffusion sheet and a micro lens array. It may be made of a combination or a combination of a single prism sheet and a micro lens array.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The panel 570 may include a liquid crystal display. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices that require a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The panel 570 is in a state in which a liquid crystal is placed between the glass bodies and polarizing plates are placed on both glass bodies in order to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate characteristic between a liquid and a solid, and the liquid crystal, which is an organic molecule having fluidity like a liquid, has a state that is regularly arranged like a crystal, and the molecular arrangement is changed by an external electric field. Display an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and uses a transistor as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 to transmit light projected from the panel 570 and transmit only red, green, and blue light for each pixel, so that an image can be expressed.

도 8은 발광소자가 배치된 조명장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.8 is a diagram showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a radiator 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800.

또한, 실시예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하여, 발광 소자 패키지의 캐비티에 형성된 리세스부로 인하여 발광 소자와 연결되는 솔더부가 발광 소자 외곽부로 돌출되는 것을 방지하여 광 효율을 개선할 수 있다. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 1300 and the holder 1500. The light source module 1200 includes the light emitting device package according to the above-described embodiments, and prevents the solder portion connected to the light emitting device from protruding to the outer portion of the light emitting device due to the recess formed in the cavity of the light emitting device package, thereby improving light efficiency. It can be improved.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 has a shape of a bulb or a hemisphere, is hollow, and may be provided in an open shape. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the radiator 1400. The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the radiator 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is to sufficiently scatter and diffuse light from the light source module 1200 to emit it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, or may be opaque. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the radiator 1400. Accordingly, heat from the light source module 1200 is conducted to the radiator 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the radiator 1400 and has guide grooves 1310 into which a plurality of light emitting device packages 1210 and a connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate and the connector 1250 of the light emitting device package 1210.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 1100 and returning toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 1400 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 1230 and the radiator 1400. The radiator 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 blocks the receiving groove 1719 of the insulating part 1710 of the inner case 1700. Accordingly, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating unit 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is accommodated in the storage groove 1919 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(Electro Static discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A number of components may be disposed on one surface of the base 1650. A number of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip that controls the driving of the light source module 1200, and an ESD for protecting the light source module 1200. (Electro Static discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 1670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the extension part 1670, and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 1800.

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with the power supply unit 1600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 1600 to be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

110a: 제1 전극부 110b: 제2 전극부
120: 발광 소자 130: 몸체
140: 캐비티 145a: 제1 바닥부
145b: 제2 바닥부 150: 솔더부
160: 리세스부 500 : 영상표시장치110a: first electrode portion 110b: second electrode portion
120: light-emitting element 130: body
140: cavity 145a: first bottom portion
145b: second bottom portion 150: solder portion
160: recess 500: image display device

Claims (9)

캐비티 및 상기 캐비티의 바닥에 형성된 적어도 하나의 리세스부를 포함하는 몸체;
상기 적어도 하나의 리세스부 상에 배치된 발광 소자;
상기 적어도 하나의 리세스부에서 상기 몸체의 두께 방향과 다른 수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 제1 금속부 및 제2 금속부; 및
상기 발광 소자의 하단부와 상기 제1 금속부의 상면 및 제2 금속부의 상면 사이에 배치된 솔더부;를 포함하며,
상기 캐비티는 상기 리세스부가 배치된 제1 바닥면; 및 상기 제1 바닥면에 인접하는 제2 바닥면을 포함하고,
상기 제2 바닥면은 상기 제1 금속부 및 상기 제2 금속부의 상면보다 높게 형성되고,
상기 제1 금속부 및 상기 제2 금속부는 상기 두께 방향으로 상기 몸체를 관통하고 상기 제1 바닥면에 노출된 발광 소자 패키지. A body including a cavity and at least one recess formed in the bottom of the cavity;
A light emitting device disposed on the at least one recess portion;
A first metal part and a second metal part spaced apart from each other in a horizontal direction different from the thickness direction of the body in the at least one recess part; And
Includes; a solder portion disposed between the lower end of the light emitting device and the upper surface of the first metal portion and the upper surface of the second metal portion, and
The cavity may include a first bottom surface on which the recess portion is disposed; And a second floor surface adjacent to the first floor surface,
The second bottom surface is formed higher than the upper surface of the first metal part and the second metal part,
The first metal part and the second metal part penetrate the body in the thickness direction and are exposed to the first bottom surface. 제 1항에 있어서, 상기 리세스부의 상기 수평 방향으로의 제1 폭은 상기 발광 소자의 상기 수평 방향으로의 제2 폭의 0.9배 이상 1.1배 이하인 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the first width of the recess portion in the horizontal direction is 0.9 times or more and 1.1 times or less of the second width of the light emitting device in the horizontal direction. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 제1 바닥면과 상기 제2 바닥면의 경계로부터 상기 제1 및 제2 금속부는 상기 수평 방향으로 이격되어 노출된 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the first and second metal portions are spaced apart from the boundary between the first and second bottom surfaces and are exposed in the horizontal direction. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 바닥면과 상기 제2 바닥면의 경계와 상기 노출된 상기 제1 및 제2 금속부는 접하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein a boundary between the first bottom surface and the second bottom surface and the exposed first and second metal parts are in contact with each other. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극부 사이에 배치된 상기 제1 바닥면의 제1 영역은 상기 제1 및 제2 금속부를 노출한 상기 제1 바닥면의 제2 영역보다 높게 돌출되어 형성된 발광 소자 패키지. The method of claim 1, wherein the first area of the first bottom surface disposed between the first and second electrode parts protrudes higher than the second area of the first bottom surface exposing the first and second metal parts. And formed light emitting device package. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2019088701A1 (en) * 2017-11-01 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 Light-emitting device package and light source apparatus
KR102523782B1 (en) * 2018-04-06 2023-04-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device package and light source unit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000357763A (en) * 1999-04-13 2000-12-26 Nec Corp High-frequency circuit board
JP2006093632A (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor light emitting device
JP2007242739A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc Light-emitting element storage package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000357763A (en) * 1999-04-13 2000-12-26 Nec Corp High-frequency circuit board
JP2006093632A (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor light emitting device
JP2007242739A (en) * 2006-03-06 2007-09-20 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc Light-emitting element storage package

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