KR102114935B1

KR102114935B1 - Light emitting device module

Info

Publication number: KR102114935B1
Application number: KR1020140015424A
Authority: KR
Inventors: 손원진; 민봉걸
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2014-02-11
Filing date: 2014-02-11
Publication date: 2020-05-25
Also published as: KR20150094308A

Abstract

실시예는 기판; 상기 기판의 중앙 영역에 배치되는 적어도 하나의 발광소자; 상기 기판의 중앙 영역의 주변 영역에 배치된 댐; 상기 댐의 내측 영역에 배치되어 상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부; 및 상기 발광소자와 전기적으로 연결되고, 상기 댐의 내부에 매립된 구동부를 포함하는 발광소자 모듈를 제공한다.Examples include a substrate; At least one light emitting element disposed in a central region of the substrate; A dam disposed in a peripheral region of the central region of the substrate; A molding part disposed in an inner region of the dam and surrounding the light emitting element; And a driving unit electrically connected to the light emitting element and embedded in the dam.

Description

Light emitting device module {LIGHT EMITTING DEVICE MODULE}

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광소자 모듈 내의 발광소자와 구동부의 배치에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device, and more particularly, to an arrangement of a light emitting device and a driver in a light emitting device module.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.Group 3-5 compound semiconductors, such as GaN and AlGaN, are widely used for optoelectronics and electronic devices due to many advantages such as having a wide and easily adjustable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using semiconductor group 3 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors include red, green, blue, and ultraviolet light through thin film growth technology and development of device materials. Various colors can be realized, and white light with high efficiency can be realized by using fluorescent materials or combining colors, and low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps It has the advantage of affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, a white light emission that can replace a fluorescent lamp or an incandescent light bulb Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

도 1은 종래의 발광소자 모듈을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device module.

발광소자 모듈은 발광소자 패키지(LED package)와 구동부를 포함하여 이루어진다. 발광소자는 사파이어 등으로 이루어진 지지 기판 위에 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 포함하고, 지지 기판과 발광 구조물 사이에는 버퍼층이 배치될 수 있으며, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치될 수 있다.The light emitting device module includes a light emitting device package (LED package) and a driver. The light emitting device includes a light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer on a support substrate made of sapphire, and a buffer layer may be disposed between the support substrate and the light emitting structure. A first electrode and a second electrode may be disposed on the conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, respectively.

발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다.The light emitting device emits light having energy determined by an energy band unique to a material forming an active layer when electrons injected through the first conductivity type semiconductor layer and holes injected through the second conductivity type semiconductor layer meet each other.

발광소자 패키지는 상술한 발광소자가 기판에 고정되고 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결되며, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임은 구동부로부터 구동 신호를 입력받을 수 있다.In the light emitting device package, the above-described light emitting device is fixed to the substrate and is electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, and the first lead frame and the second lead frame may receive a driving signal from a driver.

여기서, 구동부는 별도의 SMPS(Switching Mode Power Supply)나 구동 회로로 이루어지며, 발광소자 패키지의 외부에 배치될 수 있다.Here, the driving unit is composed of a separate switching mode power supply (SMPS) or a driving circuit, and may be disposed outside the light emitting device package.

이러한 발광소자 모듈의 구조는 사이즈(size)가 크되, 발광소자 패키지 내에 많은 개수의 발광소자를 배치할 수 있는 장점이 있다.The structure of the light emitting device module has a large size, but has an advantage in that a large number of light emitting devices can be disposed in the light emitting device package.

실시예는 발광소자 모듈의 부피를 줄이되, 발광소자 모듈에서 방출되는 광량의 감소를 피하고자 한다.The embodiment is intended to reduce the volume of the light emitting device module, but to avoid a decrease in the amount of light emitted from the light emitting device module.

실시예는 기판; 상기 기판의 중앙 영역에 배치되는 구동부; 상기 기판의 중앙 영역의 주변 영역에 배치된 댐; 상기 구동부와 상기 댐의 사이의 영역에서 상기 기판에 배치되는 적어도 하나의 발광소자; 및 상기 댐의 내측 영역에 배치되어, 상기 구동부를 매립하는 제1 몰딩부 및 상기 발광소자를 매립하는 제2 몰딩부를 포함하는 발광소자 모듈을 제공한다.Examples include a substrate; A driving unit disposed in a central region of the substrate; A dam disposed in a peripheral region of the central region of the substrate; At least one light emitting element disposed on the substrate in an area between the driving part and the dam; And a second molding part disposed in the inner region of the dam and filling the driving part and a second molding part filling the light emitting device.

발광소자의 상부면은 상기 기판으로부터 120 마이크로 미터 내지 180 마이크로 미터의 높이에 배치될 수 있다.The upper surface of the light emitting device may be disposed at a height of 120 micrometers to 180 micrometers from the substrate.

구동 유닛의 상부면은 상기 기판으로부터 200 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터의 높이에 배치될 수 있다.The upper surface of the drive unit may be disposed at a height of 200 micrometers to 300 micrometers from the substrate.

댐의 상부면은 상기 기판으로부터 700 마이크로 미터 내지 1,000 마이크로 미터의 높이에 배치될 수 있다.The upper surface of the dam may be disposed at a height of 700 micrometers to 1,000 micrometers from the substrate.

구동부는 복수 개의 구동 유닛을 포함하고, 상기 복수 개의 구동 유닛은 상기 발광소자의 둘레에 대칭으로 배치될 수 있다.The driving unit includes a plurality of driving units, and the plurality of driving units may be symmetrically arranged around the light emitting element.

발광소자는 복수 개가 배치되고, 상기 복수 개의 발광소자는 상기 구동부의 둘레에 대칭으로 배치될 수 있다.A plurality of light emitting elements may be arranged, and the plurality of light emitting elements may be symmetrically arranged around the driving unit.

댐은 상기 발광소자를 중심으로 동심원을 이루는 영역에 배치될 수 있다.The dam may be arranged in an area concentric with the light emitting element.

댐은 상기 구동부를 중심으로 동심원을 이루는 영역에 배치될 수 있다.The dam may be disposed in an area concentric with the driving unit.

댐은 백색 실리콘을 포함할 수 있다.The dam can include white silicon.

발광소자는 청색 파장 영역의 광을 방출하고, 상기 몰딩부는 적색 광을 방출하는 제1 형광체와 녹색 광을 방출하는 제2 형광체 및 실리콘을 포함할 수 있다.The light emitting device emits light in a blue wavelength range, and the molding part may include a first phosphor emitting red light and a second phosphor emitting green light and silicon.

발광소자는 청색 파장 영역의 광을 방출하고, 상기 제1 몰딩부는 백색 실리콘을 포함하고, 상기 제2 몰딩부는 적색 광을 방출하는 제1 형광체와 녹색 광을 방출하는 제2 형광체 및 실리콘을 포함할 수 있다.The light emitting device emits light in a blue wavelength range, the first molding part includes white silicon, and the second molding part includes a first phosphor emitting red light and a second phosphor and silicon emitting green light. Can be.

실시예에 따른 발광소자 모듈은, 구동부가 댐 등의 내부에 매립되어 부피를 줄일 수 있고, 발광소자가 댐의 내측 영역에 배치되는데 고전압으로 구동되는 발광소자(High Voltage LED)를 사용하여 휘도의 감소를 예방하면서도 광원의 개수를 줄일 수 있다.In the light emitting device module according to the embodiment, the driving part may be embedded in a dam or the like to reduce the volume, and the light emitting device is disposed in the inner region of the dam, and a high voltage LED is used to drive the luminance. The number of light sources can be reduced while preventing reduction.

도 1은 종래의 발광소자 모듈을 나타낸 도면이고,
도 2a는 발광소자 모듈의 제1 실시예의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 H-H' 방향의 단면도이고,
도 3은 상술한 발광소자 모듈의 발광소자를 나타낸 도면이고,
도 4a는 발광소자 모듈의 제2 실시예의 평면도이고, 도 4b는 도 4a의 I-I' 방향의 단면도이고,
도 5a 및 도 5b는 상술한 발광소자 모듈의 구동부의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자 모듈이 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광소자 모듈이 배치된 살균장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 발광소자 모듈이 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device module,
2A is a plan view of a first embodiment of a light emitting device module, and FIG. 2B is a sectional view in the HH 'direction of FIG. 2A,
3 is a view showing a light emitting device of the above-described light emitting device module,
4A is a plan view of a second embodiment of a light emitting device module, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line II 'in FIG. 4A,
5A and 5B are views showing one embodiment of a driving unit of the light emitting device module described above,
6 is a view showing an embodiment of an image display device in which a light emitting device module is disposed,
7 is a view showing an embodiment of a sterilizing device in which a light emitting device module is disposed,
8 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device module is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of specifically realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case described as being formed on "on (up) or down (down)" (on or under) of each element, the top (top) or bottom (bottom) (on or under) includes both two elements directly contacting each other or one or more other elements formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as "on (up) or down (on or under)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

도 2a는 발광소자 모듈의 제1 실시예의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 H-H' 방향의 단면도이다.이하에서, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 발광소자 모듈의 제1 실시예를 설명한다.FIG. 2A is a plan view of a first embodiment of a light emitting device module, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the H-H 'direction of FIG. 2A. Hereinafter, a first embodiment of the light emitting device module will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

제1 실시예에 따른 발광소자 모듈(100a)은, 기판(110) 위에 발광소자(120)와 구동부(130)이 배치되고, 발광소자(120)가 몰딩부(150)에 매립되고, 구동부(130)가 댐(160)에 매립될 수 있다.In the light emitting device module 100a according to the first embodiment, the light emitting device 120 and the driving unit 130 are disposed on the substrate 110, the light emitting device 120 is embedded in the molding unit 150, and the driving unit ( 130) may be embedded in the dam 160.

기판(110)은, 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 기판(110)이 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 기판(110)의 표면에 절연층이 코팅되어 발광소자(120)나 구동부(130)들 사이의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The substrate 110 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the substrate 110 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the substrate 110 to prevent electrical short circuit between the light emitting device 120 or the driving unit 130. Can be.

발광소자(120)는 수평형 발광소자나, 수직형 발광소자 또는 플립 칩 타입의 발광소자 등일 수 있다.The light emitting device 120 may be a horizontal light emitting device, a vertical light emitting device, or a flip chip type light emitting device.

도 3은 상술한 발광소자 모듈의 발광소자를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a light-emitting element of the above-described light-emitting element module.

도 3에 도시된 발광소자(120)는 지지 기판(121)과, 버퍼층(122)과, 발광 구조물(124)과, 투명 도전층(126)과, 제1 전극(127) 및 제2 전극(128)을 포함하여 이루어진다.The light emitting device 120 shown in FIG. 3 includes a support substrate 121, a buffer layer 122, a light emitting structure 124, a transparent conductive layer 126, a first electrode 127, and a second electrode ( 128).

지지 기판(121)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al₂O₃), SiO₂, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga₂0₃ 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The support substrate 121 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al ₂ O ₃ ), SiO ₂ , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga ₂ 0 ₃ may be used.

버퍼층(122)은 지지 기판(121)과 발광 구조물(124)의 사이에 배치되고, 버퍼층(122)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, AlN 외에 AlAs, GaN, InN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The buffer layer 122 is disposed between the support substrate 121 and the light emitting structure 124, and the material of the buffer layer 122 is a group III-V compound semiconductor such as AlN, AlAs, GaN, InN, InGaN, AlGaN, It may be formed of at least one of InAlGaN, AlInN.

사파이어 등으로 지지 기판(121)을 형성하고, 지지 기판(121) 상에 GaN이나 AlGaN을 포함하는 발광구조물(124)이 배치될 때, 발광 구조물이나 기판 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, 버퍼층(122)으로 AlN을 사용할 수 있다.When the support substrate 121 is formed of sapphire or the like and the light emitting structure 124 including GaN or AlGaN is disposed on the support substrate 121, lattice mismatch between the light emitting structure or the substrate is very large. The difference in coefficient of thermal expansion between them is also very large, resulting in dislocation, melt-back, crack, pit, surface morphology defects, etc., which deteriorate crystallinity. Therefore, AlN may be used as the buffer layer 122.

발광 구조물(124)은 제1 도전형 반도체층(124a)과 활성층(124b) 및 제2 도전형 반도체층(124c)을 포함하여 이루어진다. 제1 도전형 반도체층(124a)은 n형 도펀트가 도핑되고 및 제2 도전형 반도체층(124c)은 p형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 이와는 반대로 제1 도전형 반도체층(124a)은 p형 도펀트가 도핑되고 및 제2 도전형 반도체층(124c)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The light emitting structure 124 includes a first conductivity type semiconductor layer 124a, an active layer 124b, and a second conductivity type semiconductor layer 124c. The first conductivity-type semiconductor layer 124a may be doped with an n-type dopant, and the second conductivity-type semiconductor layer 124c may be doped with a p-type dopant. On the contrary, the first conductivity-type semiconductor layer 124a may be p-type. The dopant may be doped, and the second conductivity type semiconductor layer 124c may be doped with an n-type dopant.

제1 도전형 반도체층(124a)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트 예를 들면 Si, Ge, Sn, Se, Te 등이 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(124a)은 질화물계 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성되거나 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1,0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 124a may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and the first conductivity-type dopant, such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like, may be doped. Can be. The first conductivity-type semiconductor layer 124a may be formed of a nitride-based semiconductor material, for example, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, or Al _x In _y Ga _{( 1-xy)} N (0≤x≤1, 0≤y≤1,0≤x + y≤1).

활성층(124b)은 제1 도전형 반도체층(124a)과 제2 도전형 반도체층(124c) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 124b is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 124a and the second conductivity type semiconductor layer 124c, and has a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, and a multiple quantum well (MQW: Multi Quantum Well) structure, it may include any one of a quantum dot structure or a quantum wire structure.

활성층(124b)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 124b is a well layer and a barrier layer using a compound semiconductor material of a group III-V element, for example, AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) It may be formed of any one or more pair structure of / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(124c)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(124c)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트 예를 들면 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등이 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(124c)은 질화물계 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성되거나 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 124c may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity-type semiconductor layer 124c may be formed of a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and a second conductivity-type dopant, such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba, may be doped. Can be. The second conductivity type semiconductor layer (124c) is nitride-based, and may be made of a semiconductor material, for example, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, formed in at least one of AlGaInP, or In _x Al _y Ga ₁ _{- It} may be made of a semiconductor material having a composition formula of _x- _y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1).

도시되지는 않았으나, 활성층(124b)과 제2 도전형 반도체층(124c)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)가 배치될 수 있는데 초격자(superlattice) 구조의 전자 차단층이 배치될 수 있다. 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있는데, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교변하여 배치될 수 있다.Although not shown, an electron blocking layer may be disposed between the active layer 124b and the second conductivity type semiconductor layer 124c, and an electron blocking layer having a superlattice structure may be disposed. . The superlattice may be, for example, AlGaN doped with a second conductivity-type dopant, and GaNs having different aluminum composition ratios may be layered to form a layer and alternately disposed.

발광 구조물(124) 상에는 ITO 등으로 투명 도전층(126)이 배치되어, 제2 전극(128)으로부터 제2 도전형 반도체층(124c)으로의 전류 공급을 촉진할 수 있다. 투명 도전층(126)은 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-GaZnO), IGZO(In-GaZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The transparent conductive layer 126 is disposed on the light emitting structure 124 with ITO or the like, thereby facilitating current supply from the second electrode 128 to the second conductive semiconductor layer 124c. The transparent conductive layer 126 is, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), indium gallium zinc oxide (IGZO), IGTO ( indium gallium tin oxide (AZO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al-GaZnO), IGZO (In-GaZnO), ZnO, IrOx , RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, It may be formed of at least one of Hf, and is not limited to such a material.

투명 도전층(126)으로부터 제2 도전형 반도체층(124c)과 활성층(124b) 및 제1 도전형 반도체층(124a)의 일부까지 식각되어 제1 도전형 반도체층(124a)의 일부가 노출되고, 노출된 제1 도전형 반도체층(124a) 상에 제1 전극(127)이 배치되고, 제2 도전형 반도체층(124c) 상에 제2 전극(128)이 배치될 수 있다.A portion of the first conductivity type semiconductor layer 124a is exposed by etching from the transparent conductive layer 126 to a portion of the second conductivity type semiconductor layer 124c, the active layer 124b, and the first conductivity type semiconductor layer 124a. , The first electrode 127 may be disposed on the exposed first conductivity type semiconductor layer 124a, and the second electrode 128 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 124c.

제1 전극(127)과 제2 전극(128)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 127 and the second electrode 128 include a single layer including at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au) Or it may be formed in a multi-layer structure.

도 2a에서 발광소자(120)는 기판(110)의 중앙 영역에 배치될 수 있는데, 본 실시예에서 4개의 발광소자(120)가 배치되나, 1개 또는 그 이상이 배치될 수 있다. 여기서, 기판(110)의 중앙 영역은 댐(160)의 내부의 영역을 의미한다.In FIG. 2A, the light emitting device 120 may be disposed in a central region of the substrate 110. In this embodiment, four light emitting devices 120 are disposed, but one or more light emitting devices 120 may be arranged. Here, the central region of the substrate 110 means the region inside the dam 160.

기판(110)의 상술한 중앙 영역의 주변 영역에는 댐(160)이 배치되는데, 댐(160)의 내측 영역에는 몰딩부(150)가 배치되어 발광소자(120)들을 둘러싸며 보호할 수 있다. 그리고, 댐(160)의 내부에는 구동부(130)가 매립되어 보호될 수 있다. A dam 160 is disposed in a peripheral region of the above-described central region of the substrate 110, and a molding unit 150 is disposed in an inner region of the dam 160 to surround and protect the light emitting elements 120. In addition, the driving unit 130 may be buried and protected inside the dam 160.

본 실시예의 댐(160)이 후술하는 도 4a 및 도 4b에 도시된발광 소자 모듈의 제2 실시예에서의 댐(160)은 제1 몰딩부(165) 및 제2 몰딩부(150)는 상부면의 폭이 하부면의 폭보다 좁으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상부면과 하부면의 폭이 동일하거나 하부면의 폭보다 상부면의 폭이 넓을 수도 있다.The dam 160 of the second embodiment of the light emitting device module illustrated in FIGS. 4A and 4B, which will be described later by the dam 160 of the present embodiment, includes a first molding part 165 and a second molding part 150 at the top. The width of the surface is narrower than the width of the lower surface, but is not limited thereto, and the width of the upper surface and the lower surface may be the same or the width of the upper surface may be wider than the width of the lower surface.

본 실시예에서 구동부(130)는 4개의 구동 유닛으로 이루어지고, 복수 개의 구동 유닛은 발광소자(120)의 둘레에 대칭으로 배치되고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this embodiment, the driving unit 130 is composed of four driving units, and the plurality of driving units are symmetrically arranged around the light emitting device 120, but are not limited thereto.

댐(160)은 발광소자(120)를 중심으로 동심원을 이루는 영역에 배치되고 있고, 발광소자(120)가 본 실시예와 같이 복수 개로 이루어지는 경우에 복수 개의 발광소자(120)의 중심을 기준으로 하여 동심원을 이루는 영역에 댐(160)이 배치될 수 있다.The dam 160 is disposed in an area concentric with the light emitting device 120 as a center, and the light emitting device 120 is based on the centers of the plurality of light emitting devices 120 in the case where the light emitting devices 120 are formed in a plurality as in this embodiment. Thus, the dam 160 may be disposed in an area forming a concentric circle.

댐(160)은 광반사율이 높은 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 실리콘이나 에폭시나 레진 등으로 이루어질 수 있다.예를 들어, 댐(160)이 백색의 실리콘으로 이루어져서, 발광소자(120)로부터 방출된 광이 구동부(130) 방향으로 전달되지 못하게 반사할 수 있다.이와 달리 댐(160) 일부에 반사층(미도시)이 배치되어 발광소자(120)로부터 방출된 광이 구동부(130) 방향으로 전달되지 못하게 반사할 수 있다.The dam 160 may be made of a material having a high light reflectivity, for example, made of silicon, epoxy, or resin. For example, the dam 160 is made of white silicon, from the light emitting device 120. The emitted light may be reflected so as not to be transmitted in the direction of the driving unit 130. Unlike this, a reflective layer (not shown) is disposed on a part of the dam 160 so that the light emitted from the light emitting device 120 is directed to the driving unit 130 It can reflect off transmission.

발광소자(120)에서 청색, 적색, 녹색 파장 영역의 광을 방출하거나, 백색광을 방출할 수 있다. 몰딩부(150)에는 백색 실리콘에 형광체(170)가 포함될 수 있다. 형광체(170)는 상술한 청색 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 적색 파장 영역의 광을 방출하는 제1 형광체, 및 상술한 청색 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 적색 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 제2 형광체를 포함할 수 있다.The light emitting device 120 may emit light in a wavelength range of blue, red, and green, or emit white light. The molding unit 150 may include a phosphor 170 in white silicon. The phosphor 170 is a first phosphor that is excited by light in the blue wavelength region and emits light in the red wavelength region, and a first phosphor that is excited by light in the blue wavelength region and emits light in the red green wavelength region. 2 phosphors.

도시되지는 않았으나, 발광소자(120)들은 구동부(130)와 전기적으로 연결될 수 있고, 구동부(130)는 기판(110) 상의 전원 단자(140)와 연결되어 외부로부터의 전원 내지 구동 신호를 입력받을 수도 있다. 발광소자(120)들과 구동부(130)와의 전기적 연결이나 구동부(130)와 전원 단자(140)와의 전기적 연결은 기판(110) 내부에 도선이 매립되거나, 또는 기판(110)의 상부 또는 내부에 도전성 패턴이 포함되어 이루어질 수 있다.Although not shown, the light emitting elements 120 may be electrically connected to the driving unit 130, and the driving unit 130 is connected to the power terminal 140 on the substrate 110 to receive power or driving signals from the outside. It might be. The electrical connection between the light emitting elements 120 and the driving unit 130 or the electrical connection between the driving unit 130 and the power supply terminal 140 may be a conductive wire embedded in the substrate 110, or an upper or inner surface of the substrate 110. Conductive patterns may be included.

기판(110)은 상부의 표면(S₁)과 하부의 배면(S₂)을 포함하는데, 기판(110)은 두께가 일정할 수 있으므로 상부의 표면(S₁)과 하부의 배면(S₂)은 서로 평행할 수 있다.The substrate 110 includes an upper surface S ₁ and a lower rear surface S ₂ , and since the substrate 110 may have a constant thickness, the upper surface S ₁ and the lower rear surface S ₂ Can be parallel to each other.

기판(110)의 표면(S₁)으로부터 발광소자(120)의 상부면의 높이(h₁)는 120 마이크로 미터 내지 180 마이크로 미터일 수 있는데, 기판(110)의 표면(S₁)으로부터 구동부(130)를 이루는 구동 유닛의 상부면의 높이(h₂)보다 낮을 수 있다.기판(110)의 표면(S₁)으로부터 발광소자(120)의 상부면의 높이(h₁)는 120 마이크로 미터보다 작으면 발광소자(120)에서 방출되는 광이 측면으로 너무 많이 퍼질 수 있고, 180 마이크로 미터보다 크면 발광소자 모듈의 두께가 너무 커질 수 있으며, 댐(160)의 측면에서 흡수되는 빛의 양도 증가할 수 있다.The height h ₁ of the upper surface of the light emitting device 120 from the surface S ₁ of the substrate 110 may be from 120 micrometers to 180 micrometers, and the driving unit from the surface S ₁ of the substrate 110 may be The height h ₂ of the upper surface of the driving unit constituting 130 may be lower. The height h ₁ of the upper surface of the light emitting device 120 from the surface S ₁ of the substrate 110 is greater than 120 micrometers. If it is small, the light emitted from the light emitting device 120 may spread too much to the side, and if it is larger than 180 micrometers, the thickness of the light emitting device module may be too large, and the amount of light absorbed from the side of the dam 160 will also increase. Can be.

그리고, 기판(110)의 표면(S₁)으로부터 구동부(130)를 이루는 구동 유닛의 상부면의 높이(h₂)는 200 마이크로 미터 내지 300 마이크로 미터일 수 있으며, 댐(160) 내부에 매립될 수 있으면 충분하다.And, the height (h ₂ ) of the upper surface of the driving unit constituting the driving unit 130 from the surface S ₁ of the substrate 110 may be 200 micrometers to 300 micrometers, and is to be embedded in the dam 160 Enough is enough.

도 2b에서 도 2a의 H-H' 방향의 단면도에는 발광소자(120)이 배치되지 않으나, 위치 관계의 설명을 위하여 발광소자(120)를 도시하고 있다.Although the light emitting device 120 is not disposed in the sectional view along the H-H 'direction in FIG. 2B to FIG. 2A, the light emitting device 120 is illustrated to explain the positional relationship.

기판(110)의 표면(S₁)으로부터 댐(160)의 상부면의 높이(h₃)는 700 마이크로 미터 내지 1,000 마이크로 미터일 수 있다. 댐(160)의 높이가 700 마이크로 미터보다 낮으면 발광소자(120)에 연결된 와이어(미도시)나 구동부(130)를 충분히 보호하지 못할 수 있고, 1,000 마이크로 미터보다 높으면 발광소자(120)에서 방출되는 빛의 지향각이 너무 좁혀질 수 있다.The height h ₃ of the upper surface of the dam 160 from the surface S ₁ of the substrate 110 may be 700 micrometers to 1,000 micrometers. When the height of the dam 160 is lower than 700 micrometers, the wire (not shown) or the driving unit 130 connected to the light emitting element 120 may not be sufficiently protected, and when the height of the dam 160 is higher than 1,000 micrometers, the light is emitted from the light emitting element 120. The directing angle of the light to be made may be too narrow.

도 2a에서, 발광소자(120)의 폭(W₁)과 구동부(130)를 이루는 구동 유닛의 폭(W₂)와 같거나 다를 수 있다. 기판(110) 상에서 댐(160)의 내부의 영역, 즉 발광소자(120)가 배치되는 중앙 영역의 폭(d₁)은, 댐(160)의 폭(d₂)보다 클 수 있는데, 댐(160)의 폭(d₂)에는 하나의 구동부(130)가 포함될 수 있으면 충분하기 때문이다. 그리고, 댐(160) 내에 구동보(160)가 매립되므로, 댐(160)의 폭(d₂)은 구동부(130)를 이루는 구동 유닛의 폭(W₂)보다 클 수 있다.In FIG. 2A, the width W ₁ of the light emitting device 120 and the width W ₂ of the driving unit constituting the driving unit 130 may be the same or different. The width d ₁ of the region inside the dam 160 on the substrate 110, that is, the central region in which the light emitting device 120 is disposed may be greater than the width d ₂ of the dam 160. This is because it is sufficient if a width d ₂ of 160) can include one driving unit 130. In addition, since the driving beam 160 is buried in the dam 160, the width d ₂ of the dam 160 may be greater than the width W ₂ of the driving unit constituting the driving unit 130.

상술한 배치에 따른 발광소자 모듈(100a)은, 구동부(130)가 댐(160) 내에 매립되어 부피를 줄일 수 있고, 발광소자(120)가 댐(160)의 내측 영역에 배치되는데 고전압으로 구동되는 발광소자(High Voltage LED)를 사용하여 휘도의 감소를 예방하면서도 광원의 개수를 줄일 수 있는데, 이에 대하여는 도 5b와 관련하여 후술한다.In the light emitting device module 100a according to the above-described arrangement, the driving unit 130 may be buried in the dam 160 to reduce the volume, and the light emitting device 120 is disposed in the inner region of the dam 160 and is driven with high voltage. The number of light sources can be reduced while preventing a decrease in luminance by using a high voltage LED, which will be described later with reference to FIG. 5B.

도 4a는 발광소자 모듈의 제2 실시예의 평면도이고,도 4b는 도 4a의 I-I' 방향의 단면도이다. 이하에서, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 제2 실시예에 따른 발광소자 모듈(100b)을, 상술한 제1 실시예에 따른 발광소자(100a)와 상이한 점을 위주로 설명한다.4A is a plan view of a second embodiment of a light emitting device module, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in FIG. 4A. Hereinafter, the light emitting device module 100b according to the second embodiment will be mainly described with reference to FIGS. 4A and 4B, different from the light emitting device 100a according to the first embodiment.

제2 실시예에 따른 발광소자 모듈(100b)은, 기판(110) 위에 발광소자(120)와 구동부(130)가 배치되고, 구동부(130)가 제1 몰딩부(165)에 매립되고 발광소자(120)가 제2 몰딩부(150)에 매립될 수 있다.In the light emitting device module 100b according to the second embodiment, the light emitting device 120 and the driving unit 130 are disposed on the substrate 110, and the driving unit 130 is embedded in the first molding unit 165 and the light emitting device 120 may be embedded in the second molding unit 150.

본 실시예에 따른 발광소자 모듈(100b)은 기판(110)의 중앙 영역에 구동부(130)가 배치되고, 상기 중앙 영역의 주변 영역에 배치된 댐(160)이 배치되고, 구동부(130)와 댐(160)의 사이의 영역에 기판(110) 상에 발광소자(120)가 배치되고, 구동부(130)가 제1 몰딩부(165)에 매립되며, 발광소자(120)는 제2 몰딩부(150)에 매립될 수 있다. In the light emitting device module 100b according to the present embodiment, a driver 130 is disposed in a central region of the substrate 110, a dam 160 disposed in a peripheral region of the central region is disposed, and a driving unit 130 and The light emitting device 120 is disposed on the substrate 110 in the region between the dams 160, the driving unit 130 is embedded in the first molding unit 165, and the light emitting device 120 is the second molding unit It can be buried in 150.

댐(160)은 구동부(130)를 중심으로 동심원을 이루는 영역에 배치되고, 제2 몰딩부(150)은 상술한 제1 실시예의 몰딩부(150)와 동일할 수 있다.The dam 160 is disposed in an area forming a concentric circle around the driving unit 130, and the second molding unit 150 may be the same as the molding unit 150 of the first embodiment described above.

제1 몰딩부(165)와 댐(160)은 실리콘이나 에폭시 또는 레진으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 몰딩부(165)과 댐(160)이 백색 실리콘으로 이루어져 발광소자(120)로부터 방출된 광을 반사시킬 수 있고, 제2 몰딩부(150)는 백색 실리콘과 형광체(170)를 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 제1 몰딩부(165)와 댐(160) 일부에 반사층(미도시)이 배치되어 발광소자(120)로부터 방출된 광을 반사할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.The first molding portion 165 and the dam 160 may be made of silicone, epoxy, or resin. For example, the first molding unit 165 and the dam 160 may be made of white silicon to reflect light emitted from the light emitting device 120, and the second molding unit 150 may include white silicon and phosphor 170 ). In addition, a reflective layer (not shown) is disposed on a portion of the first molding unit 165 and the dam 160 to reflect light emitted from the light emitting device 120, but is not limited thereto.

구동부(130)는 복수 개의 구동 유닛으로 이루어질 수 있고, 도시된 바와 같이 구동 유닛들이 결합되거나 또는 서로 분리될 수 있다. 발광소자(120)는 복수 개가 배치될 수 있는데, 복수 개의 발광소자(120)는 구동부(130)의 둘레에 대칭으로 배치될 수 있다.The driving unit 130 may be formed of a plurality of driving units, and the driving units may be combined or separated from each other as illustrated. A plurality of light emitting elements 120 may be disposed, and the plurality of light emitting elements 120 may be symmetrically disposed around the driver 130.

도 3a에서 구동 유닛이 결합된 구동부(130)의 폭(W₃)이 발광소자(120)의 폭(W₁)보다 클 수 있다. 중앙 영역, 즉 구동부(130)를 매립하는 제1 몰딩부(165)의 폭(d₃)은 구동 유닛이 결합된 구동부(130)의 폭(W₃)보다 클 수 있고, 댐(160)의 폭(d₅)은 도 2a에서의 댐(160)의 폭(d₂)보다 작을 수 있다. 그리고, 발광소자가 배치되는 영역, 즉 제2 몰딩부(150)의 폭(d₄)은 발광소자(120)의 폭(W₁)보다 클 수 있다.In FIG. 3A, the width W ₃ of the driving unit 130 to which the driving unit is coupled may be greater than the width W ₁ of the light emitting device 120. The width d ₃ of the central region, that is, the first molding unit 165 filling the driving unit 130 may be greater than the width W ₃ of the driving unit 130 to which the driving unit is coupled, and the dam 160 The width d ₅ may be smaller than the width d ₂ of the dam 160 in FIG. 2A. The width d ₄ of the region where the light emitting device is disposed, that is, the second molding unit 150 may be greater than the width W ₁ of the light emitting device 120.

발광소자(120)에서 청색, 적색, 녹색 파장 영역의 광을 방출하거나 백색광을 방출할 수 있고, 제2 몰딩부(150)에는 실리콘에 형광체(170)가 포함될 수 있다. 예를 들어, 발광소자(120)에서 청색 파장 영역의 광이 방출될 때, 제2 몰딩부(150)는 백색 실리콘과 형광체(170)를 포함할 수 있고, 형광체(170)는 청색 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 적색 광을 방출하는 제1 형광체와 녹색 광을 방출하는 제2 형광체를 포함할 수 있다.The light emitting device 120 may emit light in the blue, red, and green wavelength regions or emit white light, and the second molding unit 150 may include a phosphor 170 in silicon. For example, when light in the blue wavelength region is emitted from the light emitting device 120, the second molding unit 150 may include white silicon and the phosphor 170, and the phosphor 170 is the blue wavelength region. It may include a first phosphor that is excited by light and emits red light and a second phosphor that emits green light.

본 실시예에 따른 발광소자 모듈(100b)은, 구동부(130)가 제1 몰딩부(165) 내에 매립되어 부피를 줄일 수 있고, 발광소자(120)가 제1 몰딩부(165)와 댐(160)의 사이에 배치되어데 고전압으로 구동되는 발광소자(High Voltage LED)를 사용하여 휘도의 감소를 예방하면서도 광원의 개수를 줄일 수 있다.In the light emitting device module 100b according to the present embodiment, the driving unit 130 may be embedded in the first molding unit 165 to reduce the volume, and the light emitting device 120 may include the first molding unit 165 and the dam ( It is disposed between 160), but it is possible to reduce the number of light sources while preventing a decrease in luminance by using a high voltage LED.

도 5a 및 도 5b는 상술한 발광소자 모듈의 구동부의 일실시예들을 나타낸 도면이다. 도 5a에서는 복수 개의 발광소자가 직렬로 연결된 발광소자 어레이들이 병렬로 연결되고 있고, 도 5b에서는 복수 개의 발광소자들이 서로 직렬로 연결되고 있으며, 상술한 발광소자 모듈은 도 5a 및 도 5b 외에 다른 구성의 구동부를 포함할 수 있다.5A and 5B are diagrams showing one embodiment of a driving unit of the light emitting device module described above. In FIG. 5A, a plurality of light emitting elements are connected in series, and the light emitting element arrays are connected in parallel. In FIG. 5B, a plurality of light emitting elements are connected in series with each other. It may include a driving unit.

종래의 발광소자 모듈은 외부로부터 전압이 인가될 때, 정전류를 공급받기 위하여 별도의 SMPS나 구동 회로를 별도로 구비하여 안정적 광출력을 발생할 수 있었다.Conventional light emitting device modules, when a voltage is applied from the outside, a separate SMPS or a driving circuit is separately provided to receive a constant current, so that stable light output can be generated.

본 실시예들에 따른 발광소자 모듈에서는 구동 전압(V_f)가 높은 발광소자를 사용하여 종래보다 발광소자의 개수를 줄일 수 있고, 구동 전압이 높은 발광소자에 일정한 전류를 조절하기 위한 구동부(Current Control IC Chip 등)을 댐 내부에 매립할 수 있다. 제1 실시예에 따른 발광소자 모듈과 같이 발광소자의 둘레에 구동부가 매립되는 경우 광 균일성(uniformity)이 우수하고 4개의 구동부가 서로 분리되어 열 분산이 가능하고, 제2 실시예와 같이 중앙 영역에 구동부가 매립되는 경우 하나의 IC 형태의 구동부로 발광소자에 공급되는 전류를 조절할 수 있다.In the light emitting device module according to the present embodiment, a light emitting device having a high driving voltage (V _f ) can be used to reduce the number of light emitting devices than the prior art, and a driving unit for controlling a constant current in the light emitting device having a high driving voltage (Current) Control IC Chip, etc.) can be embedded inside the dam. When the driving unit is embedded around the light emitting device, such as the light emitting device module according to the first embodiment, the light uniformity is excellent and the four driving parts are separated from each other to allow heat dissipation, and as shown in the second embodiment When the driving unit is embedded in the region, the current supplied to the light emitting device can be controlled by one IC type driving unit.

도 5b에서 BD(Bridge Diode)는 구동부와 함께 패키지의 댐에 매립하거나 발광소자 모듈의 외부에 배치할 수도 있다. 4개의 발광소자(LED1~LED4)는 서로 직렬로 배치되고, 각각의 발광소자에 구동부(U1~U4)가 전류를 공급하는데, 3개의 발광소자(LED1~LED3)에는 구동부(U1~U3)가 병렬로 연결되고 다른 발광소자(LED4)에는 구동부(U4)가 직렬로 연결되고 있다.In FIG. 5B, a bridge diode (BD) may be embedded in a dam of a package together with a driver or may be disposed outside the light emitting device module. The four light emitting elements (LED1 to LED4) are arranged in series with each other, and the driving units (U1 to U4) supply current to each light emitting element, and the three light emitting elements (LED1 to LED3) have driving units (U1 to U3). It is connected in parallel, and the driving unit U4 is connected to the other light emitting elements LED4 in series.

이때, 각각의 발광소자의 구동 전압(Vf)이 28 볼트 내지 34 볼트일 때는 외부에서 발광소자 모둘에 100 볼트 내지 120 볼트를 공급할 수 있고, 각각의 발광소자의 구동 전압(Vf)이 60 볼트 내지 70 볼트일 때는 외부에서 200 볼트 내지 230 볼트를 공급할 수 있다.At this time, when the driving voltage (Vf) of each light emitting device is 28 volts to 34 volts, 100 to 120 volts can be supplied to all of the light emitting devices from the outside, and the driving voltage (Vf) of each light emitting device is 60 volts to When it is 70 volts, 200 to 230 volts can be supplied from the outside.

발광소자 모듈은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device module may be mounted as one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광소자 모듈은 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시예는 상술한 실시예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. 이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 영상표시장치와 살균장치와 조명 장치를 설명한다.The light emitting device module according to the embodiment may function as a backlight unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indication device, and a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a street light have. Hereinafter, an image display device, a sterilization device, and a lighting device in which the above-described light emitting device package is disposed will be described.

도 6은 발광소자 모듈이 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of an image display device in which a light emitting device module is disposed.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown, the image display apparatus 500 according to the present embodiment is disposed in front of the light source module, the reflector 520 on the bottom cover 510, and the reflector 520, the light emitted from the light source module The light guide plate 540 for guiding the front of the image display device, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540, and the second prism sheet 560 It comprises a panel 570 disposed in front and a color filter 580 disposed in front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 상술한 바와 같이 구동부가 댐 등의 내부에 매립되어 부피를 줄일 수 있고, 발광소자가 댐의 내측 영역에 배치되는데 고전압으로 구동되는 발광소자(High Voltage LED)를 사용하여 휘도의 감소를 예방하면서도 광원의 개수를 줄일 수 있다.The light source module includes a light emitting device package 535 on the circuit board 530. Here, as the circuit board 530, a PCB or the like may be used, and as described above, a driving unit may be embedded in a dam or the like to reduce the volume, and the light emitting device is disposed in the inner region of the dam, and is driven by a high voltage. By using (High Voltage LED), the number of light sources can be reduced while preventing a decrease in luminance.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 may store components in the image display device 500. The reflector 520 may be provided as a separate component, as shown in the figure, or may be provided in a form coated with a material having high reflectivity on the back of the light guide plate 540 or the front of the bottom cover 510.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 may use a material having a high reflectance and an ultra-thin type, and may use polyethylene terephthalate (PET).

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the liquid crystal display. Therefore, the light guide plate 530 is made of a material having good refractive index and transmittance, and may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide type display device may be implemented.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed of a polymer material having a translucent and elasticity on one surface of a support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the form of a stripe repeatedly with floors and valleys as shown.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, the direction of the floors and valleys of one side of the support film may be perpendicular to the direction of the floors and valleys of one side of the support film in the first prism sheet 550. This is to evenly distribute light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 form an optical sheet, and the optical sheet is made of a different combination, for example, a micro lens array or a diffusion sheet and a micro lens array. Combination or a combination of a single prism sheet and a micro lens array.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The panel 570 may be provided with a liquid crystal display panel. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between the glass bodies and a polarizing plate is placed on both glass bodies in order to use polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid. The liquid crystal, which is an organic molecule having liquidity, has a state in which the liquid crystal is regularly arranged like a crystal, and the molecular arrangement is changed by an external electric field. Display an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.The liquid crystal display panel used in the display device uses an active matrix method, and a transistor is used as a switch for controlling the voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 to transmit the light projected from the panel 570 and transmit only red, green, and blue light for each pixel, so that an image can be expressed.

도 7은 발광소자 모듈이 배치된 살균장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.7 is a view showing an embodiment of a sterilizing device in which a light emitting device module is disposed.

살균장치(600)는, 하우징(601)의 일면에 실장된 발광 모듈부(610)와, 방출된 심자외선 파장 대역의 광을 난반사시키는 난반사 반사 부재(630a, 630b)와, 발광 모듈부(610)에서 필요한 가용전력을 공급하는 전원 공급부(620)를 포함한다.The sterilizing device 600 includes a light emitting module unit 610 mounted on one surface of the housing 601, a diffuse reflection member 630a, 630b for diffusely reflecting the emitted deep ultraviolet wavelength band, and a light emitting module unit 610 It includes a power supply unit 620 for supplying the available power required in the.

먼저 하우징(601)은 장방형 구조로 이루어지며 발광 모듈부(610)와 난반사 반사부재(630a, 630b) 및 전원 공급부(620)를 모두 내장하는 일체형 즉 콤팩트한 구조로 형성될 수 있다. 또한, 하우징(601)은 살균장치(600) 내부에서 발생된 열을 외부로 방출시키기에 효과적인 재질 및 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(601)의 재질은 Al, Cu 및 이들의 합금 중 어느 하나의 재질로 이루어 질 수 있다. 따라서, 하우징(601)의 외기와의 열전달 효율이 향상되어, 방열 특성이 개선될 수 있다.First, the housing 601 has a rectangular structure, and may be formed as an integral type or a compact structure in which both the light emitting module unit 610 and the diffuse reflection members 630a and 630b and the power supply unit 620 are embedded. In addition, the housing 601 may have an effective material and shape for dissipating heat generated inside the sterilizing device 600 to the outside. For example, the material of the housing 601 may be made of any one of Al, Cu, and alloys thereof. Therefore, the heat transfer efficiency with the outside air of the housing 601 is improved, and heat dissipation characteristics can be improved.

또는, 하우징(601)은 특유한 외부 표면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(601)은 예를 들어 코러게이션(corrugation) 또는 메쉬(mesh) 또는 불특정 요철 무늬 형상으로 돌출 형성되는 외부 표면 형상을 가질 수 있다. 따라서, 하우징(601)의 외기와의 열전달 효율이 더욱 향상되어 방열 특성이 개선될 수 있다.Alternatively, the housing 601 may have a unique outer surface shape. For example, the housing 601 may have, for example, an outer surface shape that protrudes in the form of a corrugation or mesh or an uneven pattern. Therefore, the heat transfer efficiency with the outside air of the housing 601 is further improved, and heat dissipation characteristics can be improved.

한편, 이러한 하우징(601)의 양단에는 부착판(650)이 더 배치될 수 있다. 부착판(650)은 도 7에 예시된 바와 같이 하우징(601)을 전체 설비 장치에 구속시켜 고정하는데 사용되는 브라켓 기능의 부재를 의미한다. 이러한 부착판(650)은 하우징(601)의 양단에서 일측 방향으로 돌출 형성될 수 있다. 여기서, 일측 방향은 심자외선이 방출되고 난반사가 일어나는 하우징(601)의 내측 방향일 수 있다.Meanwhile, an attachment plate 650 may be further disposed at both ends of the housing 601. The attachment plate 650 refers to the absence of the bracket function used to constrain and secure the housing 601 to the entire equipment, as illustrated in FIG. 7. The attachment plate 650 may protrude from both ends of the housing 601 in one direction. Here, one side direction may be an inner direction of the housing 601 in which deep ultraviolet light is emitted and diffuse reflection occurs.

따라서, 하우징(601)으로부터 양단 상에 구비된 부착판(650)은 전체 설비 장치와의 고정 영역을 제공하여, 하우징(601)이 보다 효과적으로 고정 설치될 수 있도록 한다.Therefore, the mounting plate 650 provided on both ends from the housing 601 provides a fixing area with the entire equipment, so that the housing 601 can be fixedly installed more effectively.

부착판(650)은 나사 체결 수단, 리벳 체결 수단, 접착 수단 및 탈착 수단 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있으며, 이들 다양한 결합 수단의 방식은 당업자의 수준에서 자명하므로, 여기서 상세한 설명은 생략하기로 한다.The attachment plate 650 may have any one of a screw fastening means, a rivet fastening means, an adhesive means, and a detachable means, and the manner of these various coupling means is obvious at the level of those skilled in the art, so a detailed description thereof will be omitted here. do.

한편, 발광 모듈부(610)는 전술한 하우징(601)의 일면 상에 실장 되는 형태로 배치된다. 발광 모듈부(610)는 공기 중의 미생물을 살균 처리하도록 심자외선을 방출하는 역할을 한다. 이를 위해, 발광 모듈부(610)는 기판(612)과, 기판(612)에 탑재된 다수의 발광 소자(200)를 포함한다. 여기서, 발광 소자(200)는 상술한 발광소자를 포함하여 광효율이 향상될 수 있다.Meanwhile, the light emitting module unit 610 is disposed in a form mounted on one surface of the housing 601 described above. The light emitting module unit 610 emits deep ultraviolet rays to sterilize microorganisms in the air. To this end, the light emitting module unit 610 includes a substrate 612 and a plurality of light emitting elements 200 mounted on the substrate 612. Here, the light-emitting element 200 may include the above-described light-emitting element can improve the light efficiency.

기판(612)은 하우징(601)의 내면을 따라 단일 열로 배치되어 있으며, 회로 패턴(미도시)을 포함하는 PCB일 수 있다. 다만, 기판(612)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 612 is disposed in a single row along the inner surface of the housing 601, and may be a PCB including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 612 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, metal core PCB), a flexible PCB, and the like.

다음으로, 난반사 반사부재(630a, 630b)는 전술한 발광 모듈부(610)에서 방출된 심자외선을 강제로 난반사시키도록 형성되는 반사판 형태의 부재를 의미한다. 이러한 난반사 반사부재(630a, 630b)의 전면 형상 및 배치 형상은 다양한 형상을 가질 수 있다. 난반사 반사부재(630a, 630b)의 면상 구조(예: 곡률반경 등)를 조금씩 변경하여 설계함에 따라, 난반사된 심자외선이 중첩되게 조사되어 조사 강도가 강해지거나, 또는 조사 영역되는 영역의 폭이 확장될 수 있다.Next, the diffuse reflection members 630a and 630b refer to a reflector-shaped member formed to forcibly diffuse deep ultraviolet rays emitted from the above-described light emitting module unit 610. The front shape and the arrangement shape of the diffuse reflection members 630a and 630b may have various shapes. As the surface structures (eg, radius of curvature, etc.) of the diffuse reflection members 630a and 630b are changed little by little, they are irradiated so that the diffused deep ultraviolet rays are superimposed to increase the irradiation intensity, or the width of the area to be irradiated is expanded. Can be.

전원 공급부(620)는 전원을 도입 받아 전술된 발광 모듈부(610)에서 필요한 가용전력을 공급하는 역할을 한다. 이러한 전원 공급부(620)는 전술한 하우징(601) 내에 배치될 수 있다. 도 7에 예시된 바와 같이, 전원 공급부(620)는 난반사 반사부재(630a, 630b)와 발광 모듈부(610) 사이의 이격 공간의 내벽 쪽에 배치될 수 있다. 외부 전원을 전원 공급부(620) 측으로 도입시키기 위해 상호 간을 전기적으로 연결하는 전원 연결부(640)가 더 배치될 수 있다.The power supply unit 620 receives power and serves to supply the available power required by the light emitting module unit 610 described above. The power supply unit 620 may be disposed in the housing 601 described above. As illustrated in FIG. 7, the power supply unit 620 may be disposed on an inner wall side of a space spaced between the diffuse reflection members 630a and 630b and the light emitting module unit 610. In order to introduce external power to the power supply unit 620, a power connection unit 640 that electrically connects each other may be further disposed.

도 7에 예시된 바와 같이, 전원 연결부(640)의 형태는 면상일 수 있으나, 외부의 전원 케이블(미도시)이 전기적으로 접속될 수 있는 소켓 또는 케이블 슬롯의 형태를 가질 수 있다. 그리고 전원 케이블은 플렉시블한 연장 구조를 가져, 외부 전원과의 연결이 용이한 형태로 이루어질 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the shape of the power connection unit 640 may be planar, but may have a shape of a socket or cable slot to which an external power cable (not shown) can be electrically connected. In addition, the power cable has a flexible extension structure, and can be easily connected to an external power source.

도 8은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting element is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 바와 같이 구동부가 댐 등의 내부에 매립되어 부피를 줄일 수 있고, 발광소자가 댐의 내측 영역에 배치되는데 고전압으로 구동되는 발광소자(High Voltage LED)를 사용하여 휘도의 감소를 예방하면서도 광원의 개수를 줄일 수 있다.The lighting device according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat radiator 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 1300 and the holder 1500, the light source module 1200, as described above, the driving unit is embedded in the interior of the dam, such as volume. It is possible to reduce the number of light sources while preventing a decrease in luminance by using a high voltage LED which is disposed in an inner region of the dam.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in an empty shape and an open portion. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be combined with the heat sink 1400. The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the heat radiator 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is for light from the light source module 1200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate has excellent light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the heat radiator 1400. Thus, heat from the light source module 1200 is conducted to the heat sink 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat sink 1400, and has a plurality of light emitting device packages 1210 and guide grooves 1310 into which the connector 1250 is inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate and connector 1250 of the light emitting device package 1210.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 1100 and returns to the direction of the light source module 1200 again in the direction of the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the heat sink 1400 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to block electrical shorts between the connection plate 1230 and the heat sink 1400. The heat radiator 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 closes the storage groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide projection 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is accommodated in the storage groove 1719 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide 1630, a base 1650, and an extension 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 has a shape protruding from the side of the base 1650 to the outside. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 1650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip controlling driving of the light source module 1200, and ESD for protecting the light source module 1200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 1670 has a shape protruding from the other side of the base 1650 to the outside. The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 1670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and "-wire" is electrically connected to the extension 1670, and the other end of the "+ wire" and "-wire" can be electrically connected to the socket 1800. .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with the power supply unit 1600. The molding part is a part in which the molding liquid is hardened, so that the power supply unit 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, although the embodiments have been described with limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and variations from these descriptions will be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the following claims, but also by the claims and equivalents.

100a, 100b: 발광소자 모듈 110: 기판
120: 발광소자 121: 지지 기판
122: 발광 구조물 122: 버퍼층
124a: 제1 도전형 반도체층 124b: 활성층
124c: 제2 도전형 반도체층 126: 투명 도전층
127: 제1 전극 128: 제2 전극
130: 구동부 140: 전원 단자
150: 몰딩부, 제2 몰딩부 160: 댐
165: 제1 몰딩부 170: 형광체100a, 100b: light-emitting element module 110: substrate
120: light emitting element 121: support substrate
122: light emitting structure 122: buffer layer
124a: first conductive semiconductor layer 124b: active layer
124c: second conductive semiconductor layer 126: transparent conductive layer
127: first electrode 128: second electrode
130: driving unit 140: power supply terminal
150: molding part, second molding part 160: dam
165: first molding unit 170: phosphor

Claims

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A substrate including a central first region, a second region surrounding the first region, and a third region surrounding the second region;
A driving unit disposed in the first region of the substrate;
A plurality of light emitting elements disposed in the second region of the substrate;
A first molding part disposed in the first area of the substrate to fill the driving part;
A second molding part disposed in the second region of the substrate to fill the light emitting elements; And
A dam disposed in the third region of the substrate and comprising white silicon;
The plurality of light emitting elements is a light emitting element module disposed symmetrically around the driving unit.

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According to claim 2,
The dam is a light emitting device module that is disposed in a region forming a concentric circle around the driving unit.

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According to claim 2,
The plurality of light emitting elements emit light in the blue wavelength region, the first molding part includes white silicon, and the second molding part includes a first phosphor emitting red light and a second phosphor emitting green light and silicon Light emitting device module comprising a.