KR102177005B1 - 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치 - Google Patents

기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102177005B1
KR102177005B1 KR1020197005074A KR20197005074A KR102177005B1 KR 102177005 B1 KR102177005 B1 KR 102177005B1 KR 1020197005074 A KR1020197005074 A KR 1020197005074A KR 20197005074 A KR20197005074 A KR 20197005074A KR 102177005 B1 KR102177005 B1 KR 102177005B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflector
substrate
beam splitter
axis
objective lens
Prior art date
Application number
KR1020197005074A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190032475A (ko
Inventor
지 주
지준 훠
Original Assignee
상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 filed Critical 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20190032475A publication Critical patent/KR20190032475A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102177005B1 publication Critical patent/KR102177005B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
    • G02B21/0016—Technical microscopes, e.g. for inspection or measuring in industrial production processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/02—Objectives
    • G02B21/04—Objectives involving mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/18—Arrangements with more than one light path, e.g. for comparing two specimens
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/24—Base structure
    • G02B21/241—Devices for focusing
    • G02B21/245—Devices for focusing using auxiliary sources, detectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/20—Analysis of motion
    • G06T7/246—Analysis of motion using feature-based methods, e.g. the tracking of corners or segments
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/20—Analysis of motion
    • G06T7/285—Analysis of motion using a sequence of stereo image pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/24—Base structure
    • G02B21/26—Stages; Adjusting means therefor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10016—Video; Image sequence
    • G06T2207/10021—Stereoscopic video; Stereoscopic image sequence
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30164—Workpiece; Machine component
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30241—Trajectory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/75901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템은 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22), 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)를 포함하고, 각각의 쌍은 X축에 대해 대칭이다. 제1 및 제2 광원으로부터 방출된 광선은 각각의 기판(1, 2) 상에 조사되고 각각의 기판(1, 2)에 의해 반사되고, 각각의 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 각각의 감지기에 의해 수용되고 감지된다. 또한 정렬 장치가 개시된다. 제1 및 제2 광원, 제1 및 제2 반사기, 제1 및 제2 대물 렌즈 및 제1 및 제2 감지기의 각각의 쌍을 X축에 대해 대칭으로 배치하는 것은 대물 렌즈의 렌즈통의 배향을 따라 머신 비전 시스템의 현저하게 감소된 차지 공간을 초래하며, 따라서 확장된 감지 범위 및 개선된 정렬 효율성 및 정확도를 초래한다.

Description

기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치
본 발명은 기판 결합(substrate bonding)의 분야에 관한 것이며, 특히 기판 정렬(substrate alignment)을 위한 머신 비전 시스템(machine vision system) 및 정렬 장치에 관한 것이다.
종래의 반도체 공정에서, 2개의 기판들이 함께 결합되기 전에, 기판 결합 장치를 사용하여 서로 정렬되어야 한다. 기판 정렬은 기판 결합과 관련된 가장 중요한 기술들 중 하나이다.
기존의 기판 정렬 방법에서, 결합될 2개의 기판들은 우선 서로 마주하는 각각의 방위 마크된(mark-bearing) 표면들에 위치되고 2세트의 현미경 대물 렌즈는 정렬 마크의 2개 그룹의 위치를 감지한 다음, 액추에이터들(actuators)에 의해 그 사이의 오프셋(offset)을 제거한다. 결합 공정에 한정하여, 정렬은 결합 전에 2개의 기판들 사이의 비접촉을 보장하기 위해 2개의 기판들 사이에 삽입된 스페이서(spacer)와 함께 수행되어야 한다. 이는 2개의 기판들 사이에 다소 큰 갭을 생성하며, 갭은 통상 0.4mm보다 크다. 사용된 현미경 대물 렌즈의 피사계 심도(depths of field)는 2개의 기판들 상의 정렬 마크들의 선명한 이미지를 얻기 위해 2개의 기판들 사이의 거리를 초과하도록 요구된다. 그러나, 임의의 현미경 대물 렌즈에 대하여, 그 해상도 및 피사계 심도 사이에 상충(tradeoff)이 있다. 즉, 더 큰 피사계 심도를 갖는 현미경 대물 렌즈는 전형적으로 더 낮은 해상도를 가진다. 이러한 이유로, 피사계 심도 제약으로 인해 더 높은 해상도의 현미경 대물 렌즈를 채택함으로써 정렬 정확도를 더 증가시키는 것은 어렵다.
이 문제점을 극복하기 위해, 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 검사 장치가 제안되었으며, 이는 제1 및 제2 기판(1', 2') 상의 정렬 마크들을 각각 감지하기 위해 모두 제1 기판(1') 및 제2 기판(2') 사이에 배열된 2쌍의 현미경 대물 렌즈(3')를 가지는 머신 비전 시스템을 포함하고 대물 렌즈의 감지 결과에 기반하여 각각의 기판들을 지지하는 모션 스테이지들의 6자유도(6-DOF) 이동에 의해 제1 및 제2 기판(1', 2')을 정렬한다. 이 접근법에서, 제1 및 제2 기판(1', 2')에 초점을 맞추고 정렬 마크들을 찾기 위해, 머신 비전 시스템의 현미경 대물 렌즈(3')는 모든 X, Y 및 Z 방향으로 이동 가능하도록 요구되지만, 머신 비전 시스템의 현미경 대물 렌즈(3')가 수평 방향으로 동축 배향되기 때문에, 부피가 큰 렌즈통은 기판들 사이에서 많은 공간을 차지하여, 이 방향에서 머신 비전 시스템의 제한된 감지 범위를 초래한다. 결과적으로, 기판들의 일부 영역들은 머신 비전 시스템에 대해 접근 가능하지 않으며, 전체 정렬 정확도가 제한된다.
본 발명은 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치를 제시함으로써 동축 및 수평으로 배향된 현미경 대물 렌즈의 부피가 큰 렌즈통의 큰 차지 공간이 제한된 감지 범위 및 정렬 정확도를 초래하는 종래의 장치가 갖는 상기 문제점을 해결한다.
이를 끝내기 위해, 제시된 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템은 X축을 따라 대칭으로 배열된 제1 및 제2 기판들 사이에 배치되고 제1 및 제2 광원(illumination source), 제1 및 제2 반사기(reflector), 제1 및 제2 대물 렌즈 및 제1 및 제2 감지기를 포함한다. 각 쌍의 제1 및 제2 광원, 제1 및 제2 반사기, 제1 및 제2 대물 렌즈 및 제1 및 제2 감지기는 Y축에 대해 대칭이며, 제1 및 제2 광원으로부터 방출된 광선(light beam)은 각각의 기판들 상에 조사되고 각각의 기판들에 의해 반사되며, 각각의 대물 렌즈에 의해 증폭되고(amplified) 각각의 감지기에 의해 수용 및 감지된다.
또한, 제1 및 제2 광원, 제1 및 제2 반사기, 제1 및 제2 대물 렌즈 및 제1 및 제2 감지기는 X축, Y축 및 Z축 방향들 중 하나 이상으로 이동하도록 베이스 프레임을 구동하기 위해 구동 메커니즘이 결합된 베이스 프레임에 고정될 수 있으며, Y축은 X축에 직각이고 Z축은 X축 및 Y축 모두에 직각이다.
또한, 제1 및 제2 대물 렌즈는 각각 Y축을 따라 대칭으로 및 제1 및 제2 기판과 위치상 대응하여 각각 배치될 수 있고, 제1 및 제2 반사기는 제1 및 제2 대물 렌즈에 대해 대칭으로 배치된다.
또한, 제1 반사기 및 제1 감지기는 X축을 따라 수평으로 배치될 수 있으며, 제2 반사기 및 제2 감지기는 X축을 따라 수평으로 배치되고, 제1 및 제2 감지기는 X축을 따라 제1 및 제2 대물 렌즈의 동일한 측 상에 배치된다.
또한, 제1 빔 스플리터(beam splitter)는 제1 반사기 및 제1 감지기 사이에 제공될 수 있으며, 제1 광원은 제1 빔 스플리터와 위치상 대응하고, 제2 빔 스플리터는 제2 반사기 및 제2 감지기 사이에 제공되며, 제2 광원은 제2 빔 스플리터와 위치상 대응하고, 제1 광원으로부터 방출된 광선은 제1 빔 스플리터에 의해 제1 반사기 상으로 지향되며, 제2 광원으로부터 방출된 광선은 제2 빔 스플리터에 의해 제2 반사기 상으로 안내된다.
또한, 제3 반사기는 제1 대물 렌즈 및 제1 반사기 사이에 배치될 수 있고, 제4 반사기는 제2 대물 렌즈 및 제2 반사기 사이에 배치될 수 있으며, 제1 반사기로부터의 광선은 제3 반사기에 의해 제1 기판 상으로 반사되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제3 반사기 및 제1 반사기에 의해 제1 감지기 상으로 연속적으로 편향되며(deflected), 제2 반사기로부터의 광선은 제4 반사기에 의해 제2 기판 상으로 반사되고, 제2 기판에 의해 반사되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제4 반사기 및 제2 반사기에 의해 제2 감지기 상으로 연속적으로 편향된다.
또한, 제3 빔 스플리터는 제1 및 제2 대물 렌즈와 위치상 대응하여 제1 및 제2 반사기 사이에 제공될 수 있으며, 제1 반사기로부터의 광선은 제3 빔 스플리터에 의해 제1 기판 상으로 안내되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제3 빔 스플리터 및 제1 반사기에 의해 제1 감지기 상으로 연속적으로 편향되며, 제2 반사기로부터의 광선은 제3 빔 스플리터에 의해 제2 기판 상으로 지향되고, 제2 기판에 의해 반사되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제3 빔 스플리터 및 제2 반사기에 의해 제2 감지기 상으로 연속적으로 편향된다.
또한, 제1 반사기, 제1 대물 렌즈 및 제1 감지기는 X축을 따라 나란히 배열될 수 있으며, 제2 반사기, 제2 대물 렌즈 및 제2 감지기는 X축을 따라 나란히 배열될 수 있다.
또한, 제1 빔 스플리터는 제1 대물 렌즈 및 제1 감지기 사이에 제공될 수 있으며, 제1 광원은 제1 빔 스플리터와 위치상 대응하고, 제2 빔 스플리터는 제2 대물 렌즈 및 제2 감지기 사이에 제공되며, 제2 광원은 제2 빔 스플리터와 위치상 대응하고, 제1 광원으로부터 방출된 광선은 제1 빔 스플리터에 의해 제1 반사기 상으로 안내되며, 제2 광원으로부터 방출된 광선은 제2 빔 스플리터에 의해 제2 반사기 상으로 지향된다.
또한, 제3 반사기는 제1 대물 렌즈 및 제1 기판 사이에 배치될 수 있고, 제4 반사기는 제2 대물 렌즈 및 제2 기판 사이에 배치되며, 제1 반사기로부터의 광선은 제3 반사기에 의해 제1 기판 상으로 안내되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제3 반사기 및 제1 반사기에 의해 제1 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제1 감지기에 의해 수용되며, 제2 반사기로부터의 광선은 제4 반사기에 의해 제2 기판 상으로 지향되고, 제2 기판에 의해 반사되고, 제4 반사기 및 제2 반사기에 의해 제2 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제2 감지기에 의해 수용된다.
또한, 제3 빔 스플리터는 제1 및 제2 반사기 사이에 제공될 수 있으며, 제1 반사기로부터의 광선은 제3 빔 스플리터에 의해 제1 기판 상으로 지향되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제3 빔 스플리터 및 제1 반사기에 의해 제1 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제1 감지기에 의해 수용되며, 제2 반사기로부터의 광선은 제3 빔 스플리터에 의해 제2 기판 상으로 안내되고, 제2 기판에 의해 반사되고, 제3 빔 스플리터 및 제2 반사기에 의해 제2 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제2 감지기에 의해 수용된다.
또한, 제1 및 제2 광원은 X축을 따라 제1 및 제2 반사기 사이에 배치될 수 있고, 제1 및 제2 광원은 각각 Y축을 따라 대칭으로 및 제1 및 제2 기판과 위치상 대응하며, 제1 및 제2 광원으로부터 방출된 광선은 각각 제1 및 제2 기판 상으로 직접 조사된다.
또한, 제3 반사기는 제1 대물 렌즈 및 제1 광원 사이에 제공될 수 있고, 제4 반사기는 제2 대물 렌즈 및 제2 광원 사이에 제공되며, 제1 기판으로부터 반사된 광선은 제3 반사기 및 제1 반사기에 의해 제1 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제1 감지기에 의해 수용되며, 제2 기판으로부터 반사된 광선은 제4 반사기 및 제2 반사기에 의해 제2 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제2 감지기에 의해 수용된다.
또한, 제3 빔 스플리터는 제1 및 제2 광원 사이에 제공될 수 있고, 제3 빔 스플리터는 제1 및 제2 광원과 위치상 대응하며, 제1 기판으로부터 반사된 광선은 제3 빔 스플리터 및 제1 반사기에 의해 제1 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제1 감지기에 의해 수용되며, 제2 기판으로부터 반사된 광선은 제3 빔 스플리터 및 제2 반사기에 의해 제2 대물 렌즈 상으로 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 제2 감지기에 의해 수용된다.
또한, 제1 및 제2 감지기는 CCD 카메라로 구현될 수 있다.
본 발명은 또한 전술한 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템을 포함하는 기판 정렬 장치를 제공한다.
본 발명의 머신 비전 시스템 및 정렬 장치에서, 각 쌍의 제1 및 제2 광원, 제1 및 제2 반사기, 제1 및 제2 대물 렌즈 및 제1 및 제2 감지기는 X축에 대해 대칭이며, 제1 및 제2 광원으로부터의 광선은 각각의 대응하는 기판들 상에 조사되고 각각의 대응하는 기판들에 의해 반사되고, 각각의 대응하는 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 감지를 위해 각각의 대응하는 감지기에 의해 수용된다. 이러한 설계로, 머신 비전 시스템은 대물 렌즈의 렌즈통의 배향을 따라 상당히 감소된 차지 공간을 가지며, 따라서 확장된 감지 범위 및 개선된 정렬 효율성 및 정확도를 갖는다.
도 1은 종래의 검사 장치의 구조 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템의 구조 개략도이다.
도 3은 도 2의 부분 A의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템의 구조 개략도이다.
도 5는 도 4의 부분 A의 측면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템의 구조 개략도이다.
도 7은 도 6의 부분 A의 측면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템의 구조 개략도이다.
도 9는 도 8의 부분 A의 측면도이다.
도 1에서, 1'은 제1 기판, 2'는 제2 기판, 3'은 현미경 대물 렌즈를 나타낸다.
도 2 내지 도 9에서, 1은 제1 기판, 2는 제2 기판, 11 및 12는 제1 및 제2 광원, 21 내지 24는 제1 내지 제4 반사기, 31 및 32는 제1 및 제2 대물 렌즈, 41 및 42는 제1 및 제2 감지기, 51 내지 53은 제1 내지 제 3 빔 스플리터를 나타낸다.
본 발명은 이제 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.
제1 실시예
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 Y축을 따라 대칭으로 유지되는 제1 및 제2 기판 사이에 배치되고 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22) 및 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)를 포함하는 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템을 제공한다. 제1 및 제2 광원(11, 12)은 X축에 대해 대칭으로 배치된다. 제1 및 제2 반사기(21, 22)는 X축에 대해 대칭으로 배치된다. 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32)는 X축에 대해 대칭으로 배치된다. 제1 및 제2 감지기(41, 42)는 X축에 대해 대칭으로 배치된다. 제1 및 제2 광원(11, 12)으로부터 방출된 광선은 각각의 대응하는 기판들 상에 조사되고 각각의 대응하는 기판들에 의해 반사되고, 각각의 대응하는 대물 렌즈에 의해 증폭되고 각각의 대응하는 감지기에 의해 감지된다. 바람직하게는, 제1 및 제2 감지기(41, 42)는 CCD 카메라로 구현된다. 구체적으로는, 제1 광원(11)으로부터의 광선은 제1 기판(1) 상에 조사되고 제1 기판(1)에 의해 반사되고, 제1 대물 렌즈(31)에 의해 증폭되고, 제1 감지기(41)에 의해 감지된다. 제2 광원(12)으로부터의 광선은 제2 기판(2) 상에 조사되고 제2 기판(2)에 의해 반사되고, 제2 대물 렌즈(32)에 의해 증폭되고, 제2 감지기(42)에 의해 감지된다. 각각이 X축에 대해 대칭으로 배치된 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22), 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)의 쌍들은 제1 및 제2 기판을 각각 측정하기 위한 2개의 X 축 대칭 감지 광로를 구성한다. 이러한 설계로, 머신 비전 시스템은 대물 렌즈의 렌즈통의 배향을 따라(즉, X축을 따라) 상당히 감소된 차지 공간을 가지며, 따라서 확장된 감지 범위 및 개선된 정렬 효율성 및 정확도를 갖는다.
바람직하게는, 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22), 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)는 X, Y 및 Z 방향들로 이동하도록 베이스 프레임을 구동하기 위해 구동 메커니즘이 결합된 베이스 프레임에 모두 고정되어 제1 및 제2 기판의 임의의 원하는 부분의 측정을 유효하게 한다.
바람직하게는, 제1 대물 렌즈(31) 및 제2 대물 렌즈(32)는 각각 Y축을 따라 대칭으로 배치되고 제1 기판 및 제2 기판에 대응한다. 제1 및 제2 반사기(21, 22)는 제1 및 제2 대물 렌즈(31,32)에 대해 대칭으로 배치된다. 구체적으로, 제1 및 제2 반사기(21, 22)는 X-Y 평면의 상이한 측들 상에 배치된다. 바람직하게는, 제1 반사기(21) 및 제1 감지기(41)는 X축을 따라 나란히 배치되고, 뿐만 아니라 제2 반사기(22) 및 제2 감지기(42)는 X축을 따라 나란히 배치된다. 제1 및 제2 감지기(41, 42)는 X축을 따라 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32)의 동일한 측 상에 배치된다.
바람직하게는, 제1 빔 스플리터(51)는 제1 반사기(21) 및 제1 감지기(41) 사이에 배치된다. 제1 빔 스플리터(51)는 제1 광원(11)과 위치상 대응한다. 제2 빔 스플리터(52)는 제2 반사기(22) 및 제2 감지기(42) 사이에 배치된다. 제2 빔 스플리터(52)는 제2 광원(22)과 위치상 대응한다. 제1 광원(11)으로부터의 광선은 제1 빔 스플리터(51)에 의해 제1 반사기(21) 상으로 지향되고, 제2 광원(12)으로부터의 광선은 제2 빔 스플리터(52)에 의해 제2 반사기(22) 상으로 지향된다.
바람직하게는, 제3 반사기(23)는 제1 대물 렌즈(31) 및 제1 반사기(21) 사이에 제공되고, 제4 반사기(24)는 제2 대물 렌즈(32) 및 제2 반사기(22) 사이에 제공된다. 제1 반사기(21)로부터의 광선은 제3 반사기(23)에 의해 제1 기판 상으로 안내되고, 제1 기판에 의해 제1 대물 렌즈(31) 상으로 반사되고, 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제3 반사기(23) 및 제1 반사기(21)에 의해 제1 감지기(41) 상으로 연속적으로 편향된다. 제2 반사기(22)로부터의 광선은 제4 반사기(24)에 의해 제2 기판 상으로 지향되고, 제2 기판에 의해 제2 대물 렌즈(32) 상으로 반사되고, 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제4 반사기(24) 및 제2 반사기(22)에 의해 제2 감지기(42) 상으로 연속적으로 편향된다.
본 발명은 또한 상기 정의된 머신 비전 시스템을 사용하는 기판 정렬 장치를 제공한다.
제2 실시예
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 달리, (도 5에 도시된 바와 같은) 제3 빔 스플리터(53)는 제1 반사기(21) 및 제2 반사기(22) 사이에 배치된다. 제3 빔 스플리터(53)는 본 실시예에 따른 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 모두와 위치상 대응한다. 제1 반사기(21)로부터의 광선은 제3 빔 스플리터(53)에 의해 제1 기판 상으로 지향되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제1 대물 렌즈(31)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제3 빔 스플리터(53) 및 제1 반사기(21)에 의해 제1 감지기(41) 상으로 연속적으로 편향된다. 제2 반사기(22)로부터의 광선은 제3 빔 스플리터(53)에 의해 제2 기판 상으로 안내되고, 제2 기판에 의해 반사되고, 제2 대물 렌즈(32)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제3 빔 스플리터(53) 및 제2 반사기(22)에 의해 제2 감지기(42) 상으로 연속적으로 편향된다. 본 실시예에 따르면, 단일의 제3 빔 스플리터(53)는 각각의 광로에서 광선을 반사시키기 위해 사용되고, 제1 및 제2 광원(11, 12)으로부터의 광선은 감지에 해로운 제3 빔 스플리터(53) 내부의 간섭을 회피하기 위해 상이한 파장을 가질 필요가 있다.
제3 실시예
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 실시예 및 제2 실시예와 달리, 제1 반사기(21), 제1 대물 렌즈(31) 및 제1 감지기(41)는 X축을 따라 나란히 배열된다. 제2 반사기(22), 제2 대물 렌즈(32) 및 제2 감지기(42)는 본 실시예에 따라, X축을 따라 나란히 배열된다. 이 배열은 대물 렌즈의 보다 큰 작동 거리를 허용하여, Y축에서의 공간 절약을 초래한다.
바람직하게는, 제1 빔 스플리터(51)는 제1 대물 렌즈(31) 및 제1 감지기(41) 사이에 배치된다. 제1 빔 스플리터(51)는 제1 광원(11)과 위치상 대응한다. 제2 빔 스플리터(52)는 제2 대물 렌즈(32) 및 제2 감지기(42) 사이에 배치된다. 제2 빔 스플리터(52)는 제2 광원(22)과 위치상 대응한다. 제1 광원(11)으로부터의 광선은 제1 빔 스플리터(51)에 의해 제1 반사기(21) 상으로 지향된다. 제2 광원(12)으로부터의 광선은 제2 빔 스플리터(52)에 의해 제2 반사기(22) 상으로 지향된다.
바람직하게는, 제3 반사기(23)는 제1 대물 렌즈(31) 및 제1 기판 사이에 배열되고, 제4 반사기(24)는 제2 대물 렌즈(32) 및 제2 기판 사이에 배열된다. 제1 반사기(21)로부터의 광선은 제3 반사기(23)에 의해 제1 기판 상으로 안내되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제3 반사기(23) 및 제1 반사기(21)에 의해 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈(31)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제1 감지기(41)에 의해 수용된다. 제2 반사기(22)로부터의 광선은 제4 반사기(24)에 의해 제2 기판 상으로 지향되고, 제2 기판에 반사되고, 제4 반사기(24) 및 제2 반사기(22)에 의해 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈(32)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제2 감지기(42)에 의해 수용된다.
제4 실시예
제3 실시예와 달리, 제3 빔 스플리터(53)는 본 실시예에 따른 제1 반사기(21) 및 제2 반사기(22) 사이에 배치된다. 제1 반사기(21)로부터의 광선은 제3 빔 스플리터(53)에 의해 제1 기판 상으로 지향되고, 제1 기판에 의해 반사되고, 제3 빔 스플리터(53) 및 제1 반사기(21)에 의해 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈(31)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제1 감지기(41)에 의해 수용된다. 제2 반사기(22)로부터의 광선은 제3 빔 스플리터(53)에 의해 제2 기판 상으로 안내되고, 제2 기판에 의해 반사되고, 제3 빔 스플리터(53) 및 제2 반사기(22)에 의해 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈(32)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제2 감지기(42)에 의해 수용된다.
제5 실시예
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제3 실시예 및 제4 실시예와 달리, 제1 광원(11) 및 제2 광원(12)은 각각 본 실시예에 따라 제1 반사기(21) 및 제2 반사기(22) 사이에서 Y축을 따라 대칭으로, 제1 및 제2 기판과 위치상 대응하여 배치된다. 제1 및 제2 광원(11, 12)으로부터의 광선은 각각 제1 기판 및 제2 기판 상에 직접 조사된다.
바람직하게는, 제3 반사기(23)는 제1 대물 렌즈(31) 및 제1 광원(11) 사이에 배열되고, 제4 반사기(24)는 제2 대물 렌즈(32) 및 제2 광원(12) 사이에 배열된다. 제1 기판으로부터의 광선은 제3 반사기(23) 및 제1 반사기(21)에 의해 연속적으로 반사되고, 제1 대물 렌즈(31)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제1 감지기(41)에 의해 수용된다. 제2 기판으로부터의 광선은 제4 반사기(24) 및 제2 반사기(22)에 의해 연속적으로 반사되고, 제2 대물 렌즈(32)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제2 감지기(42)에 의해 수용된다.
제6 실시예
제5 실시예와 달리, 제3 빔 스플리터(53)는 제1 광원(11) 및 제2 광원(12) 사이에 제공된다. 제3 빔 스플리터(53)는 제1 광원(11) 및 제2 광원(12)과 위치상 대응한다. 제1 기판으로부터의 과원은 제3 빔 스플리터(53) 및 제1 반사기(21)에 의해 연속적으로 편향되고, 제1 대물 렌즈(31)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제1 감지기(41){에 의해 수용된다. 제2 기판으로부터의 광선은 제3 빔 스플리터(53) 및 제2 반사기(22)에 의해 연속적으로 편향되고, 제2 대물 렌즈(32)에 의해 증폭되고, 감지를 위해 제2 감지기(42)에 의해 수용된다.
요약하자면, 본 발명의 머신 비전 시스템 및 정렬 장치에서, 시스템은 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22), 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)를 포함한다. 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22), 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)의 각 쌍은 X축에 대해 대칭이며, 제1 및 제2 광원(11, 12)으로부터의 광선은 각각의 대응하는 기판 상에 조사되고 각각의 대응하는 기판에 의해 반사되고, 각각의 대응하는 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 감지를 위해 각각의 대응하는 감지기에 의해 수용된다. 제1 및 제2 광원(11, 12), 제1 및 제2 반사기(21, 22), 제1 및 제2 대물 렌즈(31, 32) 및 제1 및 제2 감지기(41, 42)의 각 쌍이 X축에 대해 대칭인 이러한 설계로, 머신 비전 시스템은 대물 렌즈의 렌즈통의 배향을 따라 상당히 감소된 차지 공간을 가지며, 따라서 확장된 감지 범위 및 개선된 정렬 효율성 및 정확도를 갖는다.
본 발명의 특정 실시예들이 본 명세서에 설명되었지만, 이들은 단지 예시적인 것이며 임의의 의미로 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 이루어진 다양한 생략, 치환 및 변경은 그 범위 내에 있는 것으로 간주된다.

Claims (16)

  1. Y축을 따라 대칭으로 배열된 제1 및 제2 기판 사이에 배치되며,
    제1 및 제2 광원, 제1 및 제2 반사기, 제1 및 제2 대물 렌즈 및 제1 및 제2 감지기를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 광원, 상기 제1 및 제2 반사기, 상기 제1 및 제2 대물 렌즈 및 상기 제1 및 제2 감지기의 각 쌍은 X축에 대해 대칭이고,
    상기 제1 및 제2 광원으로부터 방출된 광선은 각각의 상기 기판들 상에 조사되고 각각의 상기 기판들에 의해 반사되고, 각각의 상기 대물 렌즈에 의해 증폭되고 각각의 상기 감지기에 의해 수용되고 감지되고,
    상기 제1 및 제2 대물 렌즈는 각각 Y축을 따라 대칭으로 및 상기 제1 및 제2 기판과 위치상 대응하여 각각 배치되고, 상기 제1 및 제2 반사기는 상기 제1 및 제2 대물 렌즈에 대해 대칭으로 배치되는, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 광원, 상기 제1 및 제2 반사기, 상기 제1 및 제2 대물 렌즈 및 상기 제1 및 제2 감지기는 X축, Y축 및 Z축 방향들 중 하나 이상으로 이동하도록 베이스 프레임을 구동하기 위해 구동 메커니즘이 결합된 베이스 프레임에 고정되며, Y축은 X축에 직각이고 Z축은 X축 및 Y축 모두에 직각인, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사기 및 상기 제1 감지기는 X축을 따라 수평으로 배치되며, 상기 제2 반사기 및 상기 제2 감지기는 X축을 따라 수평으로 배치되고, 상기 제1 및 제2 감지기는 X축을 따라 상기 제1 및 제2 대물 렌즈의 동일한 측 상에 배치되는, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    제1 빔 스플리터는 상기 제1 반사기 및 상기 제1 감지기 사이에 제공되며, 상기 제1 광원은 상기 제1 빔 스플리터와 위치상 대응하고, 제2 빔 스플리터는 상기 제2 반사기 및 상기 제2 감지기 사이에 제공되며, 상기 제2 광원은 상기 제2 빔 스플리터와 위치상 대응하고, 상기 제1 광원으로부터 방출된 상기 광선은 상기 제1 빔 스플리터에 의해 상기 제1 반사기 상으로 지향되며, 상기 제2 광원으로부터 방출된 상기 광선은 상기 제2 빔 스플리터에 의해 상기 제2 반사기 상으로 안내되는, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    제3 반사기는 상기 제1 대물 렌즈 및 상기 제1 반사기 사이에 배치되고, 제4 반사기는 상기 제2 대물 렌즈 및 상기 제2 반사기 사이에 배치되며, 상기 제1 반사기로부터의 광선은 상기 제3 반사기에 의해 상기 제1 기판 상으로 반사되고, 상기 제1 기판에 의해 반사되고, 상기 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 상기 제3 반사기 및 상기 제1 반사기에 의해 상기 제1 감지기 상으로 연속적으로 편향되며,
    상기 제2 반사기로부터의 광선은 상기 제4 반사기에 의해 상기 제2 기판 상으로 반사되고, 상기 제2 기판에 의해 반사되고, 상기 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 상기 제4 반사기 및 상기 제2 반사기에 의해 상기 제2 감지기 상으로 연속적으로 편향되는, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  7. 제5항에 있어서,
    제3 빔 스플리터는 상기 제1 및 제2 반사기 사이에 제공되고, 상기 제3 빔 스플리터는 상기 제1 및 제2 대물 렌즈와 위치상 대응하며,
    상기 제1 반사기로부터의 광선은 상기 제3 빔 스플리터에 의해 상기 제1 기판 상으로 안내되고, 상기 제1 기판에 의해 반사되고, 상기 제1 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 상기 제3 빔 스플리터 및 상기 제1 반사기에 의해 상기 제1 감지기 상으로 연속적으로 편향되며,
    상기 제2 반사기로부터의 광선은 상기 제3 빔 스플리터에 의해 상기 제2 기판 상으로 지향되고, 상기 제2 기판에 의해 반사되고, 상기 제2 대물 렌즈에 의해 증폭되고, 상기 제3 빔 스플리터 및 상기 제2 반사기에 의해 상기 제2 감지기 상으로 연속적으로 편향되는, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 감지기는 CCD 카메라로 구현되는, 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템.
  16. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제7항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 머신 비전 시스템을 포함하는, 기판 정렬 장치.
KR1020197005074A 2016-07-29 2017-07-27 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치 KR102177005B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610608686.1 2016-07-29
CN201610608686.1A CN107664833B (zh) 2016-07-29 2016-07-29 一种用于基片对准的机器视觉系统及对准装置
PCT/CN2017/094769 WO2018019277A1 (zh) 2016-07-29 2017-07-27 一种用于基片对准的机器视觉系统及对准装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190032475A KR20190032475A (ko) 2019-03-27
KR102177005B1 true KR102177005B1 (ko) 2020-11-10

Family

ID=61016829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197005074A KR102177005B1 (ko) 2016-07-29 2017-07-27 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10985044B2 (ko)
JP (1) JP6785361B2 (ko)
KR (1) KR102177005B1 (ko)
CN (1) CN107664833B (ko)
SG (1) SG11201900821RA (ko)
TW (1) TWI641866B (ko)
WO (1) WO2018019277A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11031368B2 (en) * 2018-05-14 2021-06-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Bonding apparatus
CN108663779A (zh) * 2018-07-27 2018-10-16 广东阿达智能装备有限公司 两路光路的光学镜头
CN110749282A (zh) * 2019-11-04 2020-02-04 和卓生物科技（上海）有限公司 一种吸头校准设备
CN110849295B (zh) * 2019-11-29 2022-04-05 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种芯片封装系统及应用于芯片封装工艺的检测装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019873A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd 駆動素子のボンディング方法
US20120099107A1 (en) 2010-10-25 2012-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Workpiece Alignment Device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63166228A (ja) 1986-12-27 1988-07-09 Canon Inc 位置検出装置
US4899921A (en) * 1988-10-28 1990-02-13 The American Optical Corporation Aligner bonder
JPH0843057A (ja) 1994-07-28 1996-02-16 Copal Co Ltd 整列確認装置
KR20100128352A (ko) 2008-04-11 2010-12-07 가부시키가이샤 니콘 스테이지장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP5274960B2 (ja) * 2008-09-26 2013-08-28 株式会社ディスコ 切削装置
CN103543609B (zh) 2012-07-12 2016-01-20 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的双汞灯拼接曝光系统
CN102881621A (zh) 2012-10-19 2013-01-16 无锡尚实电子科技有限公司 一种倒装对位方法及装置
TW201423893A (zh) * 2012-12-07 2014-06-16 Cello Technology Co Ltd 鍵合設備潛望式正面對位方法
JP6250329B2 (ja) * 2013-08-19 2017-12-20 株式会社ディスコ 加工装置
US9857694B2 (en) 2014-04-28 2018-01-02 Asml Netherlands B.V. Estimating deformation of a patterning device and/or a change in its position
DE102015200393A1 (de) 2015-01-14 2016-07-14 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Verfahren zum Anordnen eines SMD-Halbleiterlichtquellenbauteils einer Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs
CN105023871A (zh) 2015-06-24 2015-11-04 中国电子科技集团公司第四十五研究所 一种用于相对面对准的视觉系统
CN105914171B (zh) 2016-05-31 2018-11-06 广东工业大学 一种机器视觉飞行系统

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019873A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd 駆動素子のボンディング方法
US20120099107A1 (en) 2010-10-25 2012-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Workpiece Alignment Device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201816462A (zh) 2018-05-01
TWI641866B (zh) 2018-11-21
JP2019523420A (ja) 2019-08-22
SG11201900821RA (en) 2019-02-27
CN107664833A (zh) 2018-02-06
WO2018019277A1 (zh) 2018-02-01
JP6785361B2 (ja) 2020-11-18
US10985044B2 (en) 2021-04-20
KR20190032475A (ko) 2019-03-27
US20200090971A1 (en) 2020-03-19
CN107664833B (zh) 2020-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102177005B1 (ko) 기판 정렬을 위한 머신 비전 시스템 및 정렬 장치
US10578724B2 (en) LIDAR optics alignment systems and methods
US10816648B2 (en) Methods and systems for LIDAR optics alignment
JP6068593B2 (ja) タッチプローブに対してビジョンシステムを校正するためのシステム及び方法
KR101409644B1 (ko) 입체 형상 계측 장치
TWI610762B (zh) 加工裝置
TWI464362B (zh) 用於測量物體高度及獲得其對焦圖像的裝置與方法
US8836943B2 (en) Workpiece alignment device
KR101808388B1 (ko) 프로브 장치 및 프로브 방법
KR101755615B1 (ko) 광학 장치 및 이를 포함하는 광학 검사 장치
JP6685849B2 (ja) 光干渉測定装置及び光干渉測定方法
JP2015513219A (ja) ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法
JP2000275027A (ja) スリット共焦点顕微鏡とそれを用いた表面形状計測装置
KR20180054416A (ko) 광학 검사 장치
JPWO2014073262A1 (ja) 撮像素子位置検出装置
WO2016031935A1 (ja) 表面形状測定装置
JP2015108582A (ja) ３次元計測方法と装置
JP2012509572A5 (ko)
TWI634309B (zh) 光學檢測設備
KR20150114199A (ko) 자동초점거리 조절 기능을 갖는 렌즈 검사장치
JP2000164680A (ja) ウェハ位置調整装置
TW201323972A (zh) 自動對焦裝置與方法
JP4531061B2 (ja) ４Ｐｉシステムにおける２つの対物レンズの調整方法及び装置
KR20230020903A (ko) 가공 장치 및 진동 검출 방법
TW202405377A (zh) 基於結合光學2d及3d影像擷取方法的測量裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant