KR102166640B1 - 탄화규소 단결정 성장장치용 지그 - Google Patents

Abstract

일정한 압력 분위기로 조성되는 반응챔버와, 상기 반응챔버 내에 구비되어 실리콘, 또는 탄화규소(SiC)를 포함하는 용탕이 장입되는 내측공간부가 형성되는 도가니와, 상기 도가니의 상부부터 상기 도가니 내측으로 연장되는 홀더를 포함하는 탄화규소 단결정 성장장치에 구비되는 탄화규소 시드 고정용 지그로서,
본 발명에 따른 지그는 상기 홀더의 하단측에 고정되는 지그 고정부; 상기 지그 고정부의 외주면으로부터 방사상으로 연장되고, 수평방향에 대하여 경사지도록 구비되는 날개부; 상기 날개부의 단부측으로부터 하방으로 연장되는 적어도 하나 이상의 지그 연장부; 상기 지그 고정부의 아래에 일정 간격 이격된 상태로 위치되고, 상기 지그 연장부의 하단부들과 연결되고, 상기 시드가 고정되는 시드 고정부; 및 상기 시드 고정부에 인접한 위치에 돌출된 블레이드 형상으로 형성되어 상기 시드 고정부 주위의 용탕 흐름을 개선하는 흐름 개선부;를 포함한다.

Description

탄화규소 단결정 성장장치용 지그{Jig of the reactor for growing silicon carbide single crystal}

본 발명은 탄화규소 단결정 성장장치용 지그에 관한 것으로서, 상세하게는 홀더에 고정되어 탄화규소 단결정을 성장시키는 보조 지그에 관한 것이다.

반도체 재료로 현재 가장 일반적으로 사용되고 있는 실리콘에 비해 우수한 특성을 가지고 있는 차세대 반도체 재료로서 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 및 질화알루미늄 등의 화합물 반도체 재료가 널리 연구되고 있다. 그 중에서도 특히 탄화규소는 기계적 강도가 우수할 뿐만 아니라, 열적 안정성 및 화학적 안정성이 뛰어나고, 열전도도가 4W/cm2 이상으로 매우 클 뿐만 아니라 동작 한계 온도가 실리콘의 200 이하와 비교하여 650 이하일 정도로 매우 높다. 또한 결정 구조가 3C 탄화규소, 4H 탄화규소, 6H 탄화규소인 경우에 모두 밴드갭이 2.5eV 이상으로서 실리콘과 비교하여 2배 이상으로 인해 고전력 및 저손실 변환장치용 반도체 재료로서 매우 우수하여, 최근 LED와 같은 광반도체 및 전력 변환용 반도체 재료로서 주목받고 있다.

통상적으로 탄화규소 단결정의 성장을 위해서는, 탄소와 실리카를 2000 이상의 고온 전기로에서 반응시키는 애치슨(Acheson) 방법, 탄화규소(SiC)를 원료로 하여 2000 이상의 고온에서 승화시켜 단결정을 성장시키는 승화법이 있다. 이외에도, 기체 소스를 사용하여 화학적으로 증착시키는 방법이 사용되고 있다.

그러나, 애치슨(Acheson) 방법은 고순도의 탄화규소 단결정을 얻기가 매우 어렵고, 화학적 기상 증착법은 박막으로서만 두께가 제한된 수준으로 성장시킬 수 있다. 이에 따라 고온에서 탄화규소를 승화시켜 결정을 성장시키는 승화법에 대한 연구에 집중되어 왔다. 그러나, 승화법 역시 일반적으로 2200 이상의 고온에서 이루어지고, 미세결함(micropipe) 및 적층결함(stacking fault)과 같은 여러 결함이 발생할 가능성이 많아 생산단가적 측면에서 한계가 있는 문제점을 안고 있다.

이러한 승화법의 문제점을 해결하고자 초크랄스키법(Czochralski, 결정인상법: crystal pulling method)을 응용한 액상 성장법이 도입되었다. 초크랄스키법은 융액으로부터 단결정(單結晶)을 육성하는 방법이다. 결정 형상이나 성질은 인상속도(성장속도), 회전속도, 온도기울기 또는 결정방위에 따라 결정된다. 탄화규소 단결정을 위한 액상 성장법은 일반적으로 그래파이트 도가니 안에 실리콘 또는 탄화규소 분말을 장입한 후 약 1600에서 1900의 고온으로 승온하여 도가니 상부에 위치한 탄화규소 종자정 표면에서부터 결정이 성장되도록 한다. 그러나 이러한 방법으로는 결정 성장의 속도가 50㎛/hr 이하로 매우 낮아 경제성이 떨어진다.

탄화규소 단결정 성장을 위한 액상 성장법의 경우, 결정성장용 탄소는 통상적으로는 그래파이트(Graphite) 도가니(crucible)을 사용한다. 즉, 그래파이트 도가니를 구성하고 있는 탄소 원자가 액상으로 분리되면서, 이후 용액내로 퍼지고는 그 중 일부가 탄화규소 단결정 성장지점으로 이동하여 단결정이 성장된다. 그러나 탄소 원자가 공급되는 도가니 주변의 탄소 농도와 탄소 원자가 탄화규소로 합성되면서 사라지는 단결정 성장 주위의 탄소 농도에는 차이가 발생하게 된다.

따라서 고온으로 운영되고 밀폐된 성장로내에서 도가니 내 용액 중의 탄소 농도를 균일하게 하므로써, 실제적으로는 단결정 성장 주위의 탄소 농도를 높일 필요가 있다. 이를 위해 통상 초크랄스키법에 사용되는 방법과 같이 종자정이 고정되어 있는 종자정 고정봉을 회전시키거나 그리고/혹은 도가니를 회전시켜 용액내의 탄소농도 균일도를 높이는 방법이 이용되고 있으나, 고속 성장 및 대용량 성장을 위해서 더욱 향상된 방법이 요구되고 있다.

본 발명은 탄화규소 단결정의 고속 성장 및 대용량 성장에 적합한 성장 장치용 지그 및 도가니를 제공한다.

또한 본 발명은 수㎛ ~ 수십㎛크기의 버블(bubble)이 성장층(grown layer)에 포획(trap)되는 것을 억제하고, 용탕의 미세 흐름을 제어할 수 있는 탄화규소 단결정 성장 장치용 지그 및 도가니를 제공한다.

또한 본 발명은 도가니 내 유체의 강한 흐름을 유도하고, 시드 주변의 미세 흐름을 제어하여 시드로부터 버블을 분리시켜 외부로 배출하고 카본의 공급율을 증가시켜 시드 주위의 카본 밀도를 높게 형성시킬 수 있는 지그, 도가니 및 이들을 포함하는 탄화규소 단결정 성장장치를 제공한다.

일정한 압력 분위기로 조성되는 반응챔버와, 상기 반응챔버 내에 구비되어 실리콘, 또는 탄화규소(SiC)를 포함하는 용탕이 장입되는 내측공간부가 형성되는 도가니와, 상기 도가니의 상부부터 상기 도가니 내측으로 연장되는 홀더를 포함하는 탄화규소 단결정 성장장치에 구비되는 탄화규소 시드 고정용 지그로서,

본 발명에 따른 지그는 상기 홀더의 하단측에 고정되는 지그 고정부; 상기 지그 고정부의 외주면으로부터 방사상으로 연장되고, 수평방향에 대하여 경사지도록 구비되는 날개부; 상기 날개부의 단부측으로부터 하방으로 연장되는 적어도 하나 이상의 지그 연장부; 상기 지그 고정부의 아래에 일정 간격 이격된 상태로 위치되고, 상기 지그 연장부의 하단부들과 연결되고, 상기 시드가 고정되는 시드 고정부; 및 상기 시드 고정부에 인접한 위치에 돌출된 블레이드 형상으로 형성되어 상기 시드 고정부 주위의 용탕 흐름을 개선하는 흐름 개선부;를 포함한다.

또한 상기 지그 연장부는 상기 지그 고정부의 둘레에 일정한 각도마다 하향 연장되는 복수의 바 형상으로 형성될 수 있다.

또한 상기 흐름 개선부는 상기 지그 연장부로부터 상기 홀더의 중심축 방향에 대하여 일정한 각도를 형성하도록 연장되는 측면 흐름 개선부를 포함할 수 있다.

또한 상기 지그 연장부의 하단부들이 연결되도록 링 형상으로 형성되는 베이스 링부재; 및 상기 베이스 링부재로부터 중앙측으로 연장되어 상기 시드 고정부와 연결되는 연결암;을 포함할 수 있다.

또한 상기 흐름 개선부는 상기 연결암으로부터 수평 방향에 대하여 일정한 각도를 형성하도록 연장되는 저면 흐름 개선부를 포함할 수 있다.

또한 상기 저면 흐름 개선부는 수평 방향에 대하여 상향 일정 각도로 연장될 수 있다.

또한 상기 시드 고정부는 원형의 플레이트 형상으로 형성될 수 있다.

또한 상기 지그는 카본 및 세라믹 재질 중 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.

본 발명에 따르면, 도가니 내 유체의 유동을 증가시킴으로써 도가니 내의 탄소의 밀도를 균일하게 유지시키면서 동시에 유동부를 그라파이트로 형성함으로써 고온에서 부분적으로 용융되어 탄화규소 단결정의 성장 위치에 고밀도 탄소 영역을 형성하여 고속 성장 및 대용량 성장이 가능하도록 하는 효과가 있다.

또한 본 발명에 따르면 시드의 성장방향을 상방으로 위치시켜 수㎛ ~ 수십㎛크기의 버블(bubble)이 성장층(grown layer)에 표획(trap)되는 것을 억제할 수 있는 효과가 있다.

또한 본 발명에 따르면 도가니 내 유체의 강한 흐름을 형성하고, 시드 주변의 미세 흐름 제어를 통해 시드 상부에 포획된 버블을 시드로부터 분리시켜 외부로 배출될 수 있도록 하고, 시드 주변에 카본 밀도를 높게 형성시킴으로써 시;드 성장에 유리한 환경을 조성할 수 있다.

도 1은 본 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치의 모습을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 로드의 모습을 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 지그의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 지그와 홀더가 결합된 모습을 나타내는 사시도이다.
도 5 및 도 6은 각각 일 실시예에 따른 도가니의 모습을 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 7 및 도 8은 각각 다른 실시예에 따른 도가니의 모습을 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 9 및 도 10은 각각 또 다른 실시예에 따른 도가니의 모습을 나타내는 사시도 및 단면도이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 특별한 정의나 언급이 없는 경우에 본 설명에 사용하는 방향을 표시하는 용어는 도면에 표시된 상태를 기준으로 한다. 또한 각 실시예를 통하여 동일한 도면부호는 동일한 부재를 가리킨다. 한편, 도면상에서 표시되는 각 구성은 설명의 편의를 위하여 그 두께나 치수가 과장될 수 있으며, 실제로 해당 치수나 구성간의 비율로 구성되어야 함을 의미하지는 않는다.

도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치를 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치의 모습을 나타내는 개략도이다.

본 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장장치는 반응챔버(41), 도가니(30), 홀더(11, 13), 유동부(23) 및 유도 코일(43)을 포함한다.

반응챔버(41)는 일정한 압력 분위기로 조성된다. 반응챔버(41)에는 아르곤 또는 헬륨과 같은 불활성 기체가 채워진다. 이러한 분위기 하에서 일정한 압력 분위기를 형성한다. 한편, 반응챔버(41)에는 일정한 압력 유지를 위하여 진공 펌프 및 분위기 제어용 가스 실린더가 밸브를 통해 연결된다.

도가니(30)는 반응챔버(41) 내에 구비되고, 실리콘, 또는 탄화규소(SiC)를 포함하는 용탕이 장입되는 내측공간부가 형성된다. 도가니(30)는 그래파이트 재질로 만들어지며, 도가니(30) 그 자체가 탄소의 공급원으로도 활용될 수 있다.

홀더(11, 13)는 상부 로드(11)와 고정부(13)를 포함하며, 유동부(23)를 구비할 수 있다. 홀더(11, 13)는 도가니(30)의 상부로부터 도가니(30) 내측으로 연장되고, 하단에 탄화규소 시드(15)를 고정시키기 위한 지그(90)가 구비된다. 지그(90)의 하단에는 용탕으로부터 탄화규소 성장의 시점이 되는 시드(15)가 고정된다.

탄화규소 시드(15)는 도가니(30)의 홀더(11, 13) 및 지그(90)의 회전과 함께 회전한다. 또한, 탄화규소 시드(34)는 단결정이 성장함에 따라 홀더(11, 13)가 필요시 상하로 움직이므로써 함께 상하로 이동할 수 있다. 이 경우 탄화규소 시드(34)의 성장 방향이 상방향으로 형성된다.

지그(90)는 탄화규소 시드(15)를 고정하기 위한 구성이면서, 이하에서 설명할 날개부(95) 및 흐름 개선부 등을 통하여 용탕(60)이 일정한 방향으로 유동하도록 함과 동시에 용탕의 흐름을 개선하여 탄화규소 시드(15) 주위에 탄소 성분을 공급하고 탄화규소 시드(15)의 상부 및 주변에 탄소 밀도가 높은 영역을 탄화규소 형성할 수 있도록 한다.

한편, 도가니(30)를 가열하기 위한 유도코일(43)을 포함한다. 도가니(30)의 외주면측에는 도시된 바와 같이 유도코일(43)이 구비된다. 이러한 유도 코일(43) 이외에도 저항식 발열체 등이 이용될 수 있다. 유도코일(43)은 도가니(30)의 외주면 측에 구비될 수 있다.

또한 도가니(30)의 하부에 배치되어 도가니(30)를 회전시키는 구동부(50)가 구비될 수 있다. 구동부(50)는 회전의 중심이 되는 구동 로드(51) 및 구동 로드(51)가 회전가능하도록 지지하는 구동 베이스(53)를 포함할 수 있다.

도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 홀더(10)를 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 홀더의 모습을 나타내는 개략적인 사시도이다.

본 실시예에 따른 홀더(10)는 도가니의 상부부터 도가니 내측으로 연장되도록 일정한 길이를 갖도록 형성된다. 홀더(10)는 상부로드(11) 및 고정부(13)를 포함한다. 상부로드(11)는 상부로부터 일정한 길이를 갖는 관 형상으로 형성된다. 고정부(13)는 상부로드(11)의 하부에 일체형으로 구비된다.

홀더(10)는 탄화규소 결정 성장을 지지하는 지지구조를 형성한다. 다만, 본 발명에 따른 실시예들에 있어서는 홀더(10)의 하부에 직접 탄화규소 시드를 직접 지지하는 구조가 아니라, 지그를 통하여 간접적으로 지지하는 구조를 도입한다.

도 3 및 도 4를 참조하여 일 실시예에 따른 지그를 설명한다. 도 3은 일 실시예에 따른 지그의 모습을 나타내는 사시도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 지그와 상부로드가 결합된 모습을 나타내는 사시도이다.

본 실시예에 따른 지그(90)는 홀더(10)의 하측방향으로 연장되어 홀더의 하단으로부터 일정 간격 이격된 상태로 탄화규소 시드를 간접적으로 고정시키는 구성이다.

구체적으로 지그(90)는 지그 고정부(91), 날개부(95), 지그 연장부(94), 베이스 링부재(99), 연결암(93), 시드 고정부(92) 및 흐름 개선부(96, 97)를 포함한다.

지그 고정부(91)는 홀더의 하단측에 외삽되어 지그가 홀더(10)에 고정될 수 있도록 결합시키고, 날개부(95)는 지그 고정부(91)로부터 방사상으로 연장된다. 날개부(95)는 수평 방향에 대하여 일정 각도 기울어지도록 구비됨으로써 지그 주위에서 상하 방향의 용탕의 흐름을 유도한다. 본 실시예에 따른 날개부(95)는 지그와 일체형으로 형성됨으로써 홀더의 제조가 간편해진다.

지그 연장부(94)는 날개부(95)의 단부측으로부터 하방으로 연장되어 시드 고정부(92)와 홀더(10)의 하단을 이격시키는 구성부이다. 본 실시예에 따른 지그 연장부(94)는 전체적으로 원통형으로 형성되는 것이 바람직하나 특별한 제한은 없다. 이 때 필요에 따라 지그 연장부(94)를 관통하는 관통구를 다양한 수 및 형상으로 절개하는 것도 가능하다.

지그 연장부(94)의 하단에는 베이스 링부재(99)에 연결된다. 베이스 링부재(99)는 지그 연장부(94)의 하단부들이 연결되도록 링 형상으로 형성되며, 이 경우 지그가 회전하는 경우라도 베이스 링부재(99)에 의한 용탕의 흐름 변화는 거의 일어나지 않게 된다.

시드 고정부(92)는 지그 연장부(94)의 하단에 구비되어 탄화규소 시드를 고정시키는 구성부이다. 시드 고정부(92)의 상면에 시드가 고정 또는 부착되며 이 경우 시드의 성장방향이 위를 향하도록 형성된다. 지그(90)는 카본 및 세라믹 재질 중 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 시드 고정부(92)는 원형의 플레이트 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

베이스 링부재(99)와 시드 고정부(92)는 연결암(93)을 통하여 연결될 수 있다. 연결암(93)는 가는 바 형상으로 형성되며, 지그(90)의 중심축을 기준으로 방사상으로 일정 각도마다 구비될 수 있다.

흐름 개선부는 측면 흐름 개선부(96)와 저면 흐름 개선부(97)를 포함한다.

측면 흐름 개선부(96)는 지그 연장부(94)로부터 상기 홀더의 중심축 방향에 대하여 일정한 각도를 형성하도록 연장되며, 지그 연장부(94)로부터 지그의 회전 방향에 대하여 반대 방향측으로 연장되는 것이 바람직하다. 이와 같이 형성된 측면 흐름 개선부(96)는 카본을 포함하고 하강하는 용탕의 흐름을 단속하면서 측면 흐름 개선부(96)의 단부에서 일정한 와류가 형성되도록 함으로써 탄소 성분이 일시 시드 고정부(92)의 주변에 머무를 수 있도록 하는 기능을 한다.

저면 흐름 개선부(97)는 연결암(93)으로부터 수평 방향에 대하여 일정한 각도를 형성하도록 연장된다. 이 때 저면 흐름 개선부(97)는 지그(90)의 회전방향의 반대측으로 연장되도록 하는 것이 바람직하다. 저면 흐름 개선부(97)는 상방향 또는 하방향 어느 방향으로도 경사지도록 형성될 수 있다. 이 경우 도가니 하단에 침체된 카본 성분을 부양시킴으로써 다시 활용을 할 수 있도록 용탕의 흐름을 개선한다. 한편, 저면 흐름 개선부(97)는 상방향으로 경사지도록 형성되는 것도 가능하다. 이 경우에는 마찬가지로 시드 고정부(92)의 주위에 일정한 와류를 형성함으로써 카본이 머무르는 시간을 증가시킬 수 있다.

지그(90)는 앞서 설명한 홀더(10)와 결합하여 함께 회전하며, 위와 같이 용탕의 강한 흐름을 제어함과 동시에 시드 주변의 미세 흐름을 제어할 수 있도록 하는 효과가 있다.

도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 도가니를 설명한다. 도 5 및 도 6은 각각 일 실시예에 따른 도가니의 모습을 나타내는 사시도 및 단면도이고, 도 7 및 도 8은 각각 다른 실시예에 따른 도가니의 모습을 나타내는 사시도 및 단면도이며, 도 9 및 도 10은 각각 또 다른 실시예에 따른 도가니의 모습을 나타내는 사시도 및 단면도이다.

도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시에에 따른 도가니는 일정한 압력 분위기로 조성되는 반응챔버 내에 구비되어 실리콘, 또는 탄화규소(SiC)를 포함하는 용탕이 장입되는 내측공간부가 형성된다.

특히 도가니(30)는 횡단면 기준으로 내주면이 요부(32)와 돌부(31)가 반복되는 요철 형상으로 형성되고, 이때 요부와 돌부는 상하 방향으로 일정한 길이를 갖도록 형성된다. 이 때 요부(32)와 돌부(31)는 횡단면 기준으로 호형으로 형성될 수 있다. 또한 도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 도가니(30)의 경우 요부(32)와 돌부(31)가 수직 방향으로 일정 길이를 갖도록 형성된다.

즉, 수직방향으로 요부(32)는 일정한 유로를 형성한다고 볼 수도 있고, 수평방향으로는 요부(32)와 돌부(31)의 반복 구조로 인하여 도가니(30)와 용탕이 상대적으로 회전하고 있는 경우 용탕이 도가니(30)의 구조에 의하여 영향을 받게 된다.

이 때 요부(32)와 돌부(31) 쌍(P1)은 횡단면 기준으로 도가니(30)의 내주면 상에 6개쌍 내지 24개쌍으로 형성되는 것이 바람직하다. 이외의 수로 형성되는 것도 가능하나, 너무 적은 경우에는 평면에 가까운 형상이 됨으로써 요철 형상에 따른 작용이 미비하고, 너무 많은 경우에는 요부/돌부 쌍이 너무 작게 형성됨으로써 요철 형상에 따른 작용이 미비하게 된다.

한편, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 요부(32)와 돌부(31)의 길이 방향은 수직 방향에 대하여 일정한 각도(A1)로 형성될 수 있다. 요부(32)와 돌부(31)의 길이 방향이 수직방향이 경우에 도가니(30)가 회전하게 되면 단순히 용탕의 수평방향의 회전력에 영향을 미치게 되나, 이와 같이 요부(32)와 돌부(31)가 사선으로 길이를 갖도록 형성되는 경우에는 용턍의 외측 대류에서 상하 방향의 영향을 더 가해줄 수 있는 효과가 있다.

도 9 및 도 10을 참조하여 설명하면, 돌부(33)는 요부(32)의 반복 구조에서 인접하는 요부간의 경계선일 수 있다. 구체적으로 본 실시예에 따른 도가니(30b)는 요부(32)만을 반복적으로 형성함으로써 상대적인 요철구조를 형성할 수 있다. 즉, 별도의 돌부(33)를 형성하기 위하여 가공하는 것이 아니라 요부(32)를 반복적으로 형성함으로써 호형의 단면 모서리를 갖는 요부(32)들 간의 경계에 상대적으로 선형으로 돌출된 돌부(33)를 형성하게 된다.

앞서 설명한 요철 구조의 경우에는 요부(32)와 돌부(31)를 각각 가공하여 형상을 형성하여야 하나, 본 실시예에 따른 도가니(30b)는 요부(32)만을 단순히 반복적으로 식각 등의 방법으로 형성함으로써 요철구조를 완성할 수 있다. 즉, 카본 재질로 형성되는 도가니를 고려하면 제조공정면에서 유리한 특징을 갖게 된다.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 상술한 바람직한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 구체화된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주에서 다양하게 구현될 수 있다.

10: 홀더
11: 상부로드
13: 지그 고정부
15: 탄화규소 시드
30: 도가니
41: 반응챔버
43: 유도 코일
50: 구동부
51: 구동 로드
53: 구동부 베이스
60: 용탕
90: 지그
95: 날개부
96: 측면 흐름개선부
97: 저면 흐름개선부

Claims (8)

1. 일정한 압력 분위기로 조성되는 반응챔버와, 상기 반응챔버 내에 구비되어 실리콘, 또는 탄화규소(SiC)를 포함하는 용탕이 장입되는 내측공간부가 형성되는 도가니와, 상기 도가니의 상부부터 상기 도가니 내측으로 연장되는 홀더를 포함하는 탄화규소 단결정 성장장치에 구비되는 탄화규소 시드 고정용 지그로서,
   상기 홀더의 하단측에 고정되는 지그 고정부;
   상기 지그 고정부의 외주면으로부터 방사상으로 연장되고, 수평방향에 대하여 경사지도록 구비되는 날개부;
   상기 날개부의 단부측으로부터 하방으로 연장되는 적어도 하나 이상의 지그 연장부;
   상기 지그 고정부의 아래에 일정 간격 이격된 상태로 위치되고, 상기 지그 연장부의 하단부들과 연결되고, 상기 시드가 고정되는 시드 고정부; 및
   상기 시드 고정부에 인접한 위치에 돌출된 블레이드 형상으로 형성되어 상기 시드 고정부 주위의 용탕 흐름을 개선하는 흐름 개선부;를 포함하는 단결정 성장용 지그.
2. 제1항에 있어서,
   상기 지그 연장부는 상기 지그 고정부의 둘레에 일정한 각도마다 하향 연장되는 복수의 바 형상으로 형성되는 단결정 성장용 지그.
3. 제2항에 있어서,
   상기 흐름 개선부는 상기 지그 연장부로부터 상기 홀더의 중심축 방향에 대하여 일정한 각도를 형성하도록 연장되는 측면 흐름 개선부를 포함하는 단결정 성장용 지그.
4. 제2항에 있어서,
   상기 지그 연장부의 하단부들이 연결되도록 링 형상으로 형성되는 베이스 링부재; 및
   상기 베이스 링부재로부터 중앙측으로 연장되어 상기 시드 고정부와 연결되는 연결암;을 포함하는 단결정 성장용 지그.
5. 제4항에 있어서,
   상기 흐름 개선부는 상기 연결암으로부터 수평 방향에 대하여 일정한 각도를 형성하도록 연장되는 저면 흐름 개선부를 포함하는 단결정 성장용 지그.
6. 제5항에 있어서,
   상기 저면 흐름 개선부는 수평 방향에 대하여 상향 일정 각도로 연장되는 단결정 성장용 지그.
7. 제1항에 있어서,
   상기 시드 고정부는 원형의 플레이트 형상으로 형성되는 단결정 성장용 지그.
8. 제1항에 있어서,
   상기 지그는 카본 및 세라믹 재질 중 적어도 어느 하나의 재질로 형성되는 단결정 성장용 지그.

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