KR102159235B1 - 레이저-작동 광원 - Google Patents

레이저-작동 광원 Download PDF

Info

Publication number
KR102159235B1
KR102159235B1 KR1020170045228A KR20170045228A KR102159235B1 KR 102159235 B1 KR102159235 B1 KR 102159235B1 KR 1020170045228 A KR1020170045228 A KR 1020170045228A KR 20170045228 A KR20170045228 A KR 20170045228A KR 102159235 B1 KR102159235 B1 KR 102159235B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical fiber
laser
optical fibers
light source
mode scrambler
Prior art date
Application number
KR1020170045228A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170041673A (ko
Inventor
브루네 에케하르트
프렉킹 디터
토니베타 토마스
스프러치 클라우스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20170041673A publication Critical patent/KR20170041673A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102159235B1 publication Critical patent/KR102159235B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/14—Mode converters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0944—Diffractive optical elements, e.g. gratings, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0994—Fibers, light pipes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0005—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being of the fibre type
    • G02B6/0006—Coupling light into the fibre
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
    • H01J2893/0063—Plasma light sources

Abstract

레이저-작동 광원은 이온화 가능 가스를 수용하는 챔버 및 플라즈마를 발생시키기 위하여 챔버내의 가스를 이온화하는 점화원을 포함한다. 또한, 광원은 플라즈마내로 레이저 에너지를 입력하는 레이저를 포함하고, 레이저광선의 충돌하에서 플라즈마는 유용한 광을 방출하고 이는 광원의 출력 신호를 형성한다. 여기서, 유용한 광을 전달 광 섬유내로 커플링하기 위한 수단이 제공된다. 본 발명에 따른 광원의 경우, 적어도 하나의 모드 스크램블러가 광 섬유 또는 광 섬유들에 할당된다.

Description

레이저-작동 광원{Laser-Operated Light Source}
본 발명은 일반적으로 레이저-작동 광원들에 관한 것이다.
레이저-작동 광원들은 일반적으로 분광학 또는 표면 검사에서 예컨대 측정 목적으로 널리 알려져 사용되고 있다. 일 실시예들에서, 이러한 레이저-작동 광원들은 플라즈마를 발생시키기 위하여 사용되는 가스 매체를 수용하기 위한 챔버를 포함한다. 레이저 광선의 조사에 응답하여, 플라즈마는 반도체 산업 또는 다른 산업들에서의 다양한 프로세스와 관련하여 사용가능한 광선을 방출할 수 있다.
이와 같은 응용분야에서 사용하기 위하여 향상된 균질성을 가진 광을 생성할 수 있는 기술에 대한 필요가 존재해 왔다.
US 7705331 B1 WO2005/088369 A1
본 발명은 각 타입의 레이저-작동 광원의 광학적 질이 개선되도록 특정하는 목적에 기초를 두고 있다.
본 발명의 실시예들은 레이저-작동 광원을 제공한다. 레이저-작동 광원이 개시되는데, 이는 이온화 가능(ionizable) 가스를 수용하기 위한 챔버, 플라즈마를 발생시키기 위하여 챔버내의 이온화 가능 가스를 이온화하기 위한 점화원, 상기 플라즈마내로 레이저 에너지를 입력하기 위한 레이저를 포함한다. 레이저 에너지의 충돌하에서, 플라즈마는 광(예컨대, 400nm 내지 90nm 사이의 파장을 가진 광)을 방출한다. 하나 이상의 광 섬유들이 플라즈마에 의해 방출된 광을 프로세스와 관련하여 사용하기 위한 위치까지 전달하도록 배열된다. 적어도 하나 이상의 모드 스크램블러가 상기 하나 이상의 광 섬유들과 관련된다.
일부 실시예에서, 적어도 하나의 모드 스크램블러는 하나 이상의 광 섬유들을 제1 곡률반경으로 벤딩하도록 구성된 제1 모드 스크램블러; 및 하나 이상의 광 섬유들을 제2 곡률반경으로 벤딩하도록 구성된 제2 모드 스크램블러를 포함한다. 상기 제1 곡률반경은 상기 제2 곡률반경 상이한데, 예컨대 더 크다.
레이저-작동 광원들(이하에서는 간단히 광원들로 언급될 것이다)은 예컨대 불활성 가스와 같은 이온화 가능 가스를 수용하기 위한 쳄버를 포함한다. 게다가, 상기 광원들은 플라즈마를 발생시키기 위하여 챔버내의 가스를 이온화하기 위한 점화원을 포함하는데, 여기서 상기 점화원은 예컨대 전극 쌍에 의해 형성될 수 있다. 그러나, 다른 점화원들이 또한 사용될 수 있다. 게다가, 광원들은 플라즈마내로 레이저 에너지를 입력하기 위한 레이저를 포함하고, 그 결과 레이저 광선의 충돌하에서 플라즈마가 유용한 광(useful light)을 발생시켜 광원의 출력 신호를 형성한다. 예컨대, 분광학 또는 표면 검사에서 유용한 광을 다운스트림 프로세스로 전달시키기 위하여, 광원들은 상기 유용한 광을 전달 광 섬유내로 커플링하기 위한 수단을 포함하는데, 이는 예컨대 섬유 커플러에 의해서 형성될 수 있다.
구조측면에서 간단히 설명하면, 다른 것들 중에서 광원의 일 실시예가 다음과 같이 구현될 수 있다. 레이저-작동 광원은 이온화 가능 가스를 수용하기 위한 쳄버, 플라즈마를 발생시키기 위하여 챔버내의 가스를 이온화하기 위한 점화원, 플라즈마내로 레이저 에너지를 입력하여, 레이저 광선의 충돌하에서 플라즈마가 유용한 광을 발생시켜 광원의 출력 신호를 형성하도록 하는 레이저, 및 유용한 광을 적어도 하나의 전달 광 섬유내로 커플링하기 위한 수단을 구비한다. 적어도 하나의 모드 스크램블러가 광 섬유 및 광 섬유들에 할당된다.
전형적 실시예에서, 모드 스크램블러는 하나 이상의 광 섬유들에서 모드 믹싱을 유도하는 장치이다. 보다 상세하게는, 전형적 실시예에서, 모드는 물리적으로 하나 이상의 광 섬유들을 벤딩하도록 구성된다. 모드 스크램블러들은 예컨대 본 출원서의 도 2 및 도 3에 도시된 구성들을 포함하여 여기에서 논의된, 다양한 다른 물리적 구성 및 배열을 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 여기서 개시된 개념들은 레이저-작동 광원으로부터의 방출된 광의 광학적 질을 개선시킬 수 있다. 보다 상세하게는, 전형적 실시예에서, 개선된 품질은 높은 정도의 균질성(예컨대, 각 균질성)에 의해 실현될 수 있다. 각 균질성은 일반적으로 다양한 각도를 가로질러 목적 프로세서(예컨대, 표면 검사 프로세스)로 예컨대 전달되는 광 강도에서의 균일한 정도로 언급된다. 다양한 범위의 각도가 예컨대 광이 전달되는 구멍의 사이즈 및 구성에 따라 애플리케이션 마다 변할 수 있다. 일 실시예에서, 각 범위는 대략 14도(예컨대, 약 10도 내지 20도 사이)이지만, 물론 다른 각 범위들 또한 가능하다.
여기에 개시된 하나 이상의 개념들은 예컨대 분광학 또는 표면 검사의 경우, 다운스트림 프로세스의 요구에 의해 측정되고, 광원에 의해 방출되는 광이 충분한 각(angular) 균질성을 포함하지 않는다는 점에서 레이저-작동 광원의 특성이 실제로 종종 부정적으로 영향받는다는 지식에 기초하고 있다. 따라서, 본 발명은 광원에 의해 방출된 광의 각 균질성을 개선시키기 위한 기술적 사상에 기초를 두고 있다. 이러한 목적을 위하여 본 발명은 광 섬유에 할당된 적어도 하나의 모드 스크램블러를 제공하고, 이는 광원에 의해 생성된 광이 다운스트림 프로세스로 전달되게 한다.
모드 스크램블러의 사용에 의해 특히 우수한 특징을 가짐이 판명되었다.
본 발명의 중요한 이점은 상당히 개선된 각 균질성 및 광의 안정된 균질성이 모드 스크램블러의 사용에 의해 확보되어, 측정 과정 또는 광의 불균질성에 기초한 부정적 영향과 광원의 광학적 품질에서의 부정적 영향이 회피되거나 적어도 감소된다는 것이다. 이는 예컨대 반도체 산업의 다운스트림 공정에서 품질에 아주 긍정적 효과를 가져온다.
본 발명의 또 다른 이점은 적절한 모드 스크램블러들이 비교적 간단하고 비용 효율이 높은 부품, 부분적으로 표준 부품으로 또한 얻어질 수 있고, 그 결과 광원의 기능적 신뢰도 개선이 비교적 소규모 장비를 사용하여 달성될 수 있다는 것이다.
한편, 각 균질성, 즉 다른 각도들하에서 광 섬유들에 의해 방출되는 광 빔들의 강도와 관련한 균질성이 모드 스크램블러의 사용에 의해 개선된다. 다른 한편으로는, 플라즈마의 변화에 대한 각 균질성의 민감도가 감소된다.
본 발명에 따르면, 원리상 개개의 모드 스크램블러가 광 섬유에 할당될 때 충분하다. 광의 균질성을 더 개선하기 위하여, 본 발명의 이점이 되는 추가적 개발 사항은 적어도 제1 모드 스크램블러 및 적어도 제2 모드 스크램블러가 섬유 방향에서 연속적으로 광 섬유에 할당되도록 제공하는 것이다. 모드 스크램블러들의 형태, 사이즈 및 디자인은 넓은 범위내에서 각각의 요구에 따라 선택될 수 있다. 이와 관련하여, 본 발명의 이점이 되는 추가적 개발사항은 광 섬유에 보다 큰 제1 곡률반경을 포함하는 곡률들을 생기게 하는 광 섬유의 제1 모드 스크램블러를 제공하는 한편, 광 섬유에 보다 적은 제2 곡률반경을 포함하는 곡률들을 생기게 하는 제2 모드 스크램블러를 제공하는 것이다. 광의 균질성이 이러한 방식에 의해 더 개선될 수 있음이 판명되었다.
모드 스크램블러의 실시예와 관련하여, 본 발명의 이점이 되는 추가적 개발사항은 모드 스크램블러들 중 적어도 하나를 권취 장치로 구현하고, 그 둘레애 광 섬유 또는 광 섬유들이 각각 권취될 수 있어 다수의 권취로 섬유 방향에서 교번하는 곡률들을 생성하는 것이다. 그러한 권취 장치들은 간단하게 그리고 비용-효율적으로 제조될 수 있고, 요구되는 목적, 즉 광을 균질화함에 있어서 높은 효율성을 가진다.
본 발명의 또 다른 이점이 되는 추가적 개발사항은 모드 스크램블러들 중 적어도 하나, 특히 제2 모드 스크램블러를 두개의 클램핑 플레이트들을 포함하는 클램핑 장치로 구현하고, 그러한 두개의 클램핑 플레이트들 사이에 광 섬유 또는 광 섬유들이 클램핑되어 구불구불한 경로가 광 섬유 또는 광 섬유들위에 생기게 하는 것이다. 그러한 모드 스크램블러들은 또한 비교적 간단하고 비용-효율적인 방식으로 제조될 수 있고, 높은 효율성을 가진다.
본 발명에서 최고로 이점이 되는 추가적 개발사항은 제1 모드 스크램블러를 권취 장치로 구현하여 광 섬유 또는 광 섬유들에 보다 큰 제1 곡률반경을 포함하는 곡률들을 생기게 하는 반면, 제2 모드 스크램블러는 광의 전달 방향에서 제1 모드 스크램블러로부터 다운스트림에 배치되고, 클램핑 장치로 구현되어 광 섬유 또는 광 섬유들에 보다 적은 곡률반경을 포함하는 곡률들을 생기게 하는 것이다. 광의 특히 우수한 균질성이 이러한 방식에 의해 달성될 수 있음이 판명되었다. 그러나, 원리상, 상술한 배열에서 모드 스크램블러들을 상호 교환하는 것도 또한 가능하고, 나아가 권취 장치로 구현된 모드 스크램블러를 클램핑 장치로 구현된 모드 스크램블러의 다운스트림에 배치하는 것도 가능하다.
모드 스크램블러들의 실시예와 상관 없이, 본 발명의 또 다른 이점이 되는 추가적 개발사항은 광의 전달 방향에서 제1 모드 스크램블러가 제2 모드 스크램블러의 업스트림에 배열되게 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 최고 이점이 되는 개발사항은 두개의 광 섬유들에 대하여 공급이 이루어지고, 모드 스크램블러 도는 모드 스크램블러들이 할당되고, 여기서 보다 큰 직경을 포함하는 추가적 광 섬유가 상기 광 섬유들의 업스트림에 연결되는 것이다. 놀랍게도, 광의 균질성이 특히 각 분포와 관련하여 이러한 방식에 의해 상당히 더 개선될 수 있다. 추가적 광 섬유가 한쪽의 광 섬유들의 업스트림에 연결되거나 또는 다른쪽에 연결되는 경우의 배치는 권취 장치로 구현되는 모드 스크램블러가 초기에 할당되고, 그 뒤에 클램핑 장치로 구현되는 모드 스크램블러가 광의 전달 방향에서 연속적으로 광 섬유들에 할당된다.
본 발명의 다른 시스템, 방법, 특징 및 이점은 이어지는 도면 및 상세한 설명을 참조하면 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. 그러한 모든 추가적 시스템, 방법, 특징 및 이점들은 본 명세서내에 포함되고, 본 발명의 범위내에 있고, 이어지는 청구범위에 의해 보호되도록 의도된 것이다.
본 발명은 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이고, 도면에는 본 발명에 따른 광원의 예시적인 실시예가 도시되어 있다. 도면에 도시되고 특허 청구범위에서 청구된 모든 기술적 특징들은 본 발명의 요지를 단독으로 뿐만 아니라, 특허청구범위의 조합 및 그 종속성, 그리고 도면에서의 도시내용 또는 설명내용에 관계없이, 다른 것과의 적절한 모든 조합에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 다양한 태양은 도면을 참조하면 보다 정확히 이해될 수 있다. 도면에서의 구성요소들은 크기 변경 및 강조할 필요가 없으며, 대신 본 발명의 기술적 사장을 명확히 도시하도록 배치되어 있다. 게다가, 도면들에서 동일한 참조 번호들은 여러 도면에 걸쳐 대응하는 부분을 지시한다.
도 1은 본 발명에 따른 광원의 예시적 실시예를 블록 구성도로 도시한 개략도이다.
도 2는 도 1에 따른 광원의 경우에 사용되는 제1 모드 스크램블러의 예시적 실시예를 도시한 개략도이다.
도 3은 도 1에 따른 광원의 경우에 사용되는 제2 모드 스크램블러의 예시적 실시예를 도시한 개략도이다.
본 발명에 따른 레이저-작동 광원(2)의 예시적 실시예가 도 1에 도시되는데, 본 예시적 실시예의 경우 유용한 광을 가시 파장 범위내에서 발생시키도록 제공한다. 일반적으로, 여기서 사용된 용어 "유용한 광" 또는 그와 같은 것은 광이 전달되는 프로세스에 대해 유용한 모든 타입의 광을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 실시예들은 반도체 산업에서의 다양한 프로세스들을 포함한다. 전형적 실시예에서, 광은 그것이 (예컨대, 의도된 목적에 적합한 다양한 각도에 걸쳐) 높은 균질성을 가지며, 의도된 목적을 위해 충분한 강도를 가지며, 그리고 일반적으로 의도된 목적에 적합한 파장 범위내에 있으면, 특정 목적에 유용한 것으로 간주될 수 있다. 일 실시예들에서, 예컨대 의도된 목적에 적합한 파장 범위는 약 400nm부터 950nm까지 확대된다. 일부 실시예들에서, 의도된 목적에 적합한 파장 범위는 400nm 내지 765nm 사이로 확대된다.
광원은 이온화 가능 가스를 수용하기 위한 챔버(4)를 포함하는데, 도시된 예시적 실시예의 경우에는 크세논에 의해 형성된다. 게다가, 광원(2)는 도면에서 개략적으로 제시된 바와 같이 플라즈마(6)를 발생시키기 위하여 챔버(4)내의 가스를 이온화하기 위한 점화원을 포함하는데, 여기서 점화원은 본 예시적 실시예의 경우에는 한 쌍의 점화원들(8, 10)에 의해 형성된다. 광원(2)는 또한 레이저 에너지를 플라즈마(6)내로 입력하기 위한 레이저(12)를 포함하고, 그 결과 플라즈마가 유용한 광을 방출하여 레이저광선의 충돌하에서 광원(2)의 출력 신호를 형성하게 한다.
전술한 예시적 실시예에서, 크세논이 챔버(4)내측의 가스로 개시되어 있을지라도, 다른 실시예들에서 크세논과 다른 가스들 또는 크세논에 더한 가스들이 또한 사용될 수 있다. 일반적으로, 챔버(4)내측의 가스는 적절한 조건들 하에서 레이저 광선에 응답하여 유용한 광을 방출하는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 모든 타입의 가스일 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스는 하나 이상의 불활성 가스를 포함할 수 있다.
유용한 광에 더하여, 플라즈마는 스트레이(stray) 광선을 방출할 수 있는데, 이는 여기서 고려되어지는 본 발명에 따른 문맥에서 관심 분야가 아니고, 따라서 여기서 상세히 논의되지 않을 것이다. 스트레이 광선을 차단하기 위하여 광원(2)은 예컨대 램프 하우징(14)에 대응 수단들을 포함할 수 있다.
명료화 또는 간결화를 위하여, 특히 예컨대 렌즈 및 미러 형태로 제공되어지는, 레이저 광선 또는 방출되는 광의 빔 조향 및 빔 형성을 하는 광원(2)의 광 구성요소들은 도 1에서 생략되었다.
여기에 개시된 광원은 레이저-작동 광원이지만, 일부 실시예들에서 레이저-작동 방식이 아닌, 다른 광원들이 대신 사용될 수 있다. 게다가, 광원(2)은 유용한 광을 전달 광 섬유 배열(16)내로 커플링하기 위한 수단을 포함하는데, 여기서 상기 수단은 섬유 커플러(18)를 포함하고, 이는 도시된 예시적 실시예에서 단지 개략적으로 배치되어 있다.
유용한 광(2)을 전달하기 위하여, 광 섬유 배열(16)은 광 섬유들(20, 20')를 포함하는데, 이는 서로 평행하게 가이드(guide)되고, 균질성과 강도를 가진 같은, 가능하다면 일치하는 가용 신호를 가이드하고, 이는 예컨대 다운스트림(downstream) 프로세스에서 상당히 중요할 수 있다. 일부 실시예들에서, 광 섬유들이 가이드된다. 다른 실시예들에서는, 광 섬유들은 실질적으로 평행한 경로를 따르도록 서로 관련되게 단순하게 배치된다.
도 1에 도시된 배치에서, 두개의 광 섬유들(20, 20')이 제1 및 제2 모드 스크램블러들(22, 24)를 통과한다. 제1 및 제2 모드 스크램블러들(22, 24)를 통과하는 광 섬유들의 개수는 변할 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 단지 하나의 광 섬유가 제1 및 제2 모드 스크램블러들(22, 24)를 통과할 수 있다. 일부 실시예들에서는, 두개 이상의 광 섬유들(20, 20')이 제1 및 제2 모드 스크램블러들(22, 24)를 통과할 수 있다.
전형적 실시예에서, 제1 및 제2 모드 스크램블러들(22, 24)을 통과하는 광 섬유들(예컨대, 20, 20')은 실질적으로 서로 유사하다. 예컨대, 전형적 실시예에서, 이러한 광 섬유들 각각은 다른 것과 실질적으로 동일한 직경을 가진다.
본 실시예에 의하면, 적어도 하나의 모드 스크램블러가 광 섬유들(20, 20')에 할당된다. 도시된 실시예의 경우, 제1 모드 스크램블러(22)가 광 섬유들(20, 20')에 할당되고, 제2 모드 스크램블러(24)가 광의 전달 방향에 할당된다.
도시된 실시예의 경우, 제1 모드 스크램블러(22)는 보다 큰 제1 곡률반경을 포함하는 곡률들을 광 섬유들(20, 20')에 가하는 반면, 제2 모드 스크램블러(24)는 보다 작은 제2 곡률반경을 포함하는 곡률들을 광 섬유들(20, 20')에 가한다. 일반적으로, 보다 큰 제1 반경이 보다 작은 제2 반경 보다 더 크다. 보다 큰 제1 반경 및 보다 작은 제2 반경의 실제 치수들은 예컨대 광 섬유들의 사이즈에 따라 달라진다. 일 실시예에서, 보다 큰 반경은 대략 150mm이고, 보다 작은 반경은 몇 mm(예컨대, 3mm)이다. 물론, 이러한 특정 값들은 또한 변할 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 보다 큰 반경은 125mm부터 175mm까지의 범위내에 있을 수 있고, 보다 작은 반경은 1mm부터 5mm까지 변할 수 있다.
도시된 실시예의 경우, 제1 모드 스크램블러(22)는 권취 장치로 구현되는데, 섬유 방향으로 교번하는 곡률들을 생성하기 위하여 다수의 권취들로 광 섬유들(20, 20')이 권취될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 광 섬유는 한번 이상 권취 장치 둘레로 싸여질 수 있다. 게다가, 일부 실시예들에서, 하나의 섬유가 제1 방향(예컨대, 시계 방향)으로 권취 장치 둘레로 싸여지는 반면, 다른 섬유는 제1 방향과 반대인 제2 방향(예컨대, 반시계 방향)으로 권취 장치 둘레로 싸여진다.
도 2는 대응하는 권취 장치(26)의 예시적 실시예를 도시하는데, 이는 웨브(28, web)를 통해 서로 연결된 두개의 권취부들(30, 30')을 포함한다. 일부 실시예들에서, 권취 장치(26)는 하나의 물리적 조각(piece)으로 형성된다. 일부 실시예들에서, 권취 장치는 서로 물리적으로 부착된 다른 조각들로 형성된다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 명료화를 위하여 도 2에서의 광 섬유들(20, 20')은 단일 광 섬유로 도시되었고, 이러한 광 섬유들은 교번 곡률들을 가진 권취 장치(26) 둘레에 권취될 수 있다. 명료화를 위하여 단지 하나의 단일 권취가 도 2에 도시된다. 실제로는, 광 섬유들(20, 20')은 다수의 권취로 권취 장치(26) 둘레에 권취된다.
전형적 실시예에서, 권취 장치 둘레로 싸여진 광 섬유 부분을 둘러싸는(둘러싸지 않는) 조각이 있는데, 이는 광 섬유가 권취 장치(26)의 외부 윤곽을 따라 지시된 경로를 뒤따르는 것을 보장하는 것을 돕는다.
도 2에 따른 권취 장치(26)의 실시예는 단지 하나의 실시예일 뿐이다. 다른 권취 장치들이 또한 본 발명에 따라 사용될 수 있다. 전반적인 권취 장치는 상이한 사이즈를 가질 수 있고, 권취 장치의 부품은 다른 부품과 대비하여 상이한 사이즈를 가질 수 있다. 권취 장치의 전체 형태는 도 2에 도시된 것과 달라질 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 권취 장치는 심장 형태를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 권취 장치는 신장 형태를 가질 수 있다.
도 3은 제2 모드 스크램블러(24)의 예시적 실시예를 도시하고, 이러한 실시예에서 제2 모드 스크램블러(24)는 두개의 클램핑 플레이트(34, 34')를 포함하는 클램핑 장치(32)로 구현되고, 상기 두개의 클램핑 플레이트 사이에 광 섬유들(20, 20')이 명료화를 위해 단일 광 섬유들이 클램핑되는 것으로 도 3에 다시 도시된다. 결과적으로, 보다 적은 제2 곡률반경을 포함하는 구불구불한 경로가 광 섬유들(20, 20')위로 생기거나 생겨질 것이다.
도 3에서 화살표(36)로 제시된 바와 같이, 힘의 선택에 의해 광 섬유들(20, 20')이 클램핑 플레이트(34, 34') 사이에서 클램핑되어, 광 섬유들(20, 20')이 얼마나 강하게 변형되고, 그 결과 제2 곡률반경이 얼마나 크게 될지가 선택될 수 있다. 이는 광 섬유들로부터 다운스트림 프로세스로 전달되는 광원(2)의 광의 균질성 특성에 대한 최적화를 제공한다.
도시된 실시예에서, 상부 클램핑 플레이트의 내부면과 하부 클램핑 플레이트의 내부면은 광 섬유가 클램핑 장치(32)를 통과하는 방향을 따라 실질적으로 단면에서 사인 곡선 경로를 따르도록 윤곽 형성되어 있다. 상부 클램핑 플레이트의 내부면이 따르는 사인 곡선 경로는 하부 클램핑 플레이트의 내부면이 따르는 상보적인 사인 곡선 경로와 직접적으로 짝으로 맞물리도록 구성된다. 전형적 실시예에서, 클램핑 장치(32)의 전체 길이는 대략 2-3cm이다. 예시적인 구성에서 사인 곡선 경로는 4개의 피크를 가진다. 그러나, 피크의 개수는 예컨대 1 피크에서 7 피크 사이 또는 그 이상으로 변할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 사인 곡선 경로의 주기 및 진폭이 변할 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 사인 곡선 경로의 주기는 약 0.5cm 및 2cm 사이일 수 있다. 게다가, 일부 실시예들에서, 진폭은 1cm 이상일 수 있다. 게다가, 다양한 실시예들에서, 경로는 사인 곡선이 전혀 아닐 수 있고, 대신에 톱니 패턴, 직각 패턴 등일 수 있다.
도시된 실시예의 경우, 보다 큰 직경을 포함하는 추가 광 섬유(38)가 광 섬유들(20, 20')의 업스트림에 연결된다. 전형적 실시예에서, 단일의 광 섬유(38)가 섬유 광 커플러에 의해 광 섬유들(20, 20') 쌍에 연결된다. 일반적으로, 섬유 광 커플러는 하나 이상의 입력 섬유들 및 하나 또는 여러 출력 섬유들을 가지는, 광 섬유 시스템에서 사용되는 장치이다.
따라서, 섬유 커플러(18)를 경유하여 광원(2)의 유용한 광이 처음에 보다 큰 직경을 포함하는 추가 광 섬유(38)내로 커플링되고, 그것으로부터 광 섬유들(20, 20')내로 전달된다.
도 1에 도시된 배치에서, 업스트림에서 연결되고 보다 큰 직경을 포함하는 광 섬유(38) 뿐만 아니라 두개의 모드 스크램블러들(22, 24)이 사용될 경우, 특히 광의 우수한 균질화가 수반되고, 이는 광의 각 균질성 뿐만 아니라 표면 균질성까지 가져온다. 일반적으로, 표면 균질성은 다양한 각도를 가로질러 목적 프로세스(예컨대, 표면 조사 프로세스)로 전달되는 광 강도에서의 균질성 정도로 언급된다. 이러한 방식으로 균질화된 광은 예컨대 반도체 산업에서 다운스트림 프로세스로 공급된다. 다운스트림 공정은 도 1에서 부재번호 40으로 표시된다. 다운스트림 프로세스는 다운스트림 프로세스로 전달되는 광을 활용하는 실질적으로 모든 프로세스일 수 있다. 실시예로는 예컨대 측정 목적을 위한 표면 조사 또는 분광학을 포함한다.
본 발명의 다양한 실시예들이 설명되어졌다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경들이 이루어질 수 있음을 이해해야 할 것이다. 다른 실시예들은 청구범위내에 있다.

Claims (12)

  1. 레이저-작동 광원에 있어서,
    이온화 가능 가스를 수용하기 위한 챔버;
    플라즈마를 발생시키기 위하여 챔버내의 가스를 이온화하기 위한 점화원;
    상기 플라즈마내로 레이저 에너지를 입력하기 위한 레이저로서, 레이저광선의 충돌하에서, 플라즈마가 유용한 광을 방출하고, 이는 광원의 출력 신호를 형성하게 하는 레이저;
    상기 유용한 광을 복수의 전달 광 섬유들내로 커플링하기 위한 수단; 및
    상기 복수의 광 섬유들 중 적어도 하나의 광 섬유에 할당된 적어도 하나의 모드 스크램블러;를 포함하고,
    상기 복수의 광 섬유들은 상기 적어도 하나의 모드 스크램블러가 할당된 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유, 그리고 상기 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유와 광 통신하는 제3 광 섬유를 포함하고, 상기 제3 광 섬유는 상기 제1 광 섬유의 직경과 상기 제2 광 섬유의 직경 보다 더 큰 직경을 포함하고, 상기 제3 광 섬유는 상기 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유의 업스트림에 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  2. 제 1 항에 있어서, 적어도 제1 모드 스크램블러 및 적어도 제2 모드 스크램블러가 섬유 방향에 연속하여 상기 복수의 광 섬유들 중 하나 이상에 할당되는 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 모드 스크램블러는 보다 큰 제1 곡률반경을 포함하는 곡률들을 복수의 광 섬유들 중 하나 이상에 생기게 하는 반면, 제2 모드 스크램블러는 보다 적은 제2 곡률반경을 포함하는 곡률들을 복수의 광 섬유들 중 하나 이상에 생기게 하는 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 모드 스크램블러는 권취 장치로 구현되고, 다수의 권선들(windings)로 섬유 방향에 연속하여 교번 곡률들을 생성하기 위하여 권취 장치 둘레에 권취된 복수의 광 섬유들 중 적어도 하나를 수용하도록 구성된 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 모드 스크램블러는 두개의 클램핑 플레이트들을 포함하는 클램핑 장치로 구현되고, 상기 두개의 클램핑 플레이트들 사이에서 구불구불한 경로가 생기게 복수의 광 섬유들 중 적어도 하나를 클램핑하도록 구성된 것을 특징으로 레이저-작동 광원.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 모드 스크램블러는 복수의 광 섬유들 중 하나 이상에 보다 큰 제1 곡률반경을 포함하는 곡률들을 생기게 하는 권취 장치로 구현되고, 상기 제2 모드 스크램블러는 상기 제1 모드 스크램블러의 다운스트림에 배치되어 복수의 광 섬유들 중 하나 이상에 보다 작은 제2 곡률반경을 포함하는 곡률들을 생기게 하는 클램핑 장치로 구현되는 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 모드 스크램블러는 광의 전달 방향에서 제2 모드 스크램블러의 업스트림에 배치되는 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 유용한 광은 400nm와 950nm 사이의 파장을 가지는 광인 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  9. 레이저-작동 광원에 있어서,
    이온화 가능 가스를 수용하기 위한 챔버;
    플라즈마를 발생시키기 위하여 챔버내의 이온화 가능 가스를 이온화하기 위한 점화원;
    상기 플라즈마내로 레이저 에너지를 입력하기 위한 레이저로서, 레이저 에너지의 충돌하에서, 플라즈마가 400nm와 950nm 사이의 파장을 가지는 광을 방출하게 하는 레이저;
    상기 플라즈마에 의해 방출되는 광을 프로세스로 전달하도록 구성된 복수의 광 섬유들; 및
    상기 복수의 광 섬유들과 연관된 적어도 하나의 모드 스크램블러;를 포함하고,
    상기 복수의 광 섬유들은 상기 적어도 하나의 모드 스크램블러가 할당된 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유, 그리고 상기 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유와 광 통신하는 제3 광 섬유를 포함하고, 상기 제3 광 섬유는 상기 제1 광 섬유의 직경과 상기 제2 광 섬유의 직경 보다 더 큰 직경을 포함하고, 상기 제3 광 섬유는 상기 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유의 업스트림에 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 모드 스크램블러는,
    복수의 광 섬유들 중 하나 이상을 제1 곡률반경으로 벤딩하도록 구성된 제1 모드 스크램블러; 및
    복수의 광 섬유들 중 하나 이상을 제2 곡률반경으로 벤딩하도록 구성된 제2 모드 스크램블러;를 포함하고,
    상기 제1 곡률반경은 상기 제2 곡률반경과 상이한 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  11. 제 10 항에 있어서, 제1 곡률반경은 제2 곡률반경 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 레이저-작동 광원.
  12. 플라즈마를 발생시키기 위하여 점화원으로 챔버 내측의 이온화 가능 가스를 점화하는 단계;
    레이저 에너지를 상기 플라즈마에 입력하여, 레이저광선의 충돌하에서, 플라즈마가 광을 방출하고, 이는 광원의 출력 신호를 형성하게 하는 단계;
    상기 광을 복수의 광 섬유들내로 통과하게 하는 단계; 및
    상기 복수의 광 섬유들 중 하나 이상이 적어도 하나의 모드 스크램블러를 통과하게 하는 단계;를 포함하고,
    상기 복수의 광 섬유들은 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유, 그리고 상기 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유와 광 통신하는 제3 광 섬유를 더 포함하고, 상기 제3 광 섬유는 상기 제1 광 섬유의 직경과 상기 제2 광 섬유의 직경 보다 더 큰 직경을 포함하고, 상기 제3 광 섬유는 상기 제1 광 섬유 및 제2 광 섬유의 업스트림에 연결되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020170045228A 2013-09-20 2017-04-07 레이저-작동 광원 KR102159235B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013110390.1 2013-09-20
DE102013110390 2013-09-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140124963A Division KR20150032814A (ko) 2013-09-20 2014-09-19 레이저-작동 광원

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170041673A KR20170041673A (ko) 2017-04-17
KR102159235B1 true KR102159235B1 (ko) 2020-09-24

Family

ID=51589132

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140124963A KR20150032814A (ko) 2013-09-20 2014-09-19 레이저-작동 광원
KR1020170045228A KR102159235B1 (ko) 2013-09-20 2017-04-07 레이저-작동 광원

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140124963A KR20150032814A (ko) 2013-09-20 2014-09-19 레이저-작동 광원

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10078167B2 (ko)
EP (1) EP2851934B1 (ko)
JP (2) JP6574086B2 (ko)
KR (2) KR20150032814A (ko)
IL (1) IL234729B (ko)
TW (2) TWI718428B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL234729B (en) * 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer
IL234728A0 (en) * 2013-09-20 2014-11-30 Asml Netherlands Bv A light source powered by a Yadel laser
US10244613B2 (en) 2015-10-04 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation System and method for electrodeless plasma ignition in laser-sustained plasma light source
JP6496260B2 (ja) * 2016-02-26 2019-04-03 日本電信電話株式会社 モードスクランブラ及び光ファイバケーブル
DE102019123448B4 (de) 2019-09-02 2024-01-25 Schott Ag Beleuchtungssystem mit einem Lichtleiter und einem Abstrahlelement
US11587781B2 (en) 2021-05-24 2023-02-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser-driven light source with electrodeless ignition
CN113889830B (zh) * 2021-12-03 2022-02-25 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 光束的生成方法、设备和装置、存储介质及电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005088369A1 (ja) * 2004-03-16 2005-09-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 照射光伝達用光ファイバ及びそれを備えた光照射装置

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3502929A (en) 1967-07-14 1970-03-24 Varian Associates High intensity arc lamp
US3619588A (en) 1969-11-18 1971-11-09 Ca Atomic Energy Ltd Highly collimated light beams
FR2139635B1 (ko) 1971-05-28 1973-05-25 Anvar
US3900803A (en) 1974-04-24 1975-08-19 Bell Telephone Labor Inc Lasers optically pumped by laser-produced plasma
US3946332A (en) 1974-06-13 1976-03-23 Samis Michael A High power density continuous wave plasma glow jet laser system
US4152625A (en) 1978-05-08 1979-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Plasma generation and confinement with continuous wave lasers
JPS56126250A (en) 1980-03-10 1981-10-03 Mitsubishi Electric Corp Light source device of micro wave discharge
JPS57125731A (en) * 1981-01-26 1982-08-05 Olympus Optical Co Illumination system for endoscope
JPS5937503A (ja) 1982-08-26 1984-03-01 Nec Corp モ−ドスクランブラ
JPS59126503A (ja) * 1983-01-10 1984-07-21 Nec Corp ビ−ム成形用光フアイバ
JPS6074626A (ja) 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd ウエハー処理方法及び装置
DD243629A3 (de) 1983-11-01 1987-03-11 Walter Gaertner Strahlungsquelle fuer optische geraete, insbesondere fuer fotolithografische abbildungssysteme
JPS61193358A (ja) 1985-02-22 1986-08-27 Canon Inc 光源装置
US4646215A (en) 1985-08-30 1987-02-24 Gte Products Corporation Lamp reflector
US4866517A (en) 1986-09-11 1989-09-12 Hoya Corp. Laser plasma X-ray generator capable of continuously generating X-rays
US4789788A (en) 1987-01-15 1988-12-06 The Boeing Company Optically pumped radiation source
US4780608A (en) 1987-08-24 1988-10-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser sustained discharge nozzle apparatus for the production of an intense beam of high kinetic energy atomic species
US4901330A (en) 1988-07-20 1990-02-13 Amoco Corporation Optically pumped laser
US4934787A (en) * 1988-08-02 1990-06-19 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Mode scrambler
JPH0242407A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Mitsubishi Rayon Co Ltd モードスクランブラ
JPH03144337A (ja) 1989-10-31 1991-06-19 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd 光ファイバの特性測定方法
JPH061688B2 (ja) 1990-10-05 1994-01-05 浜松ホトニクス株式会社 白色パルス光発生装置
US5479545A (en) * 1992-03-27 1995-12-26 General Electric Company Reverse flared optical coupling member for use with a high brightness light source
US5747813A (en) 1992-06-16 1998-05-05 Kla-Tencop. Corporation Broadband microspectro-reflectometer
US5367527A (en) * 1993-08-13 1994-11-22 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Phase-conjugate-coupled multimode optical fiber geometry for optical coupling of lasers
JPH08299951A (ja) 1995-04-28 1996-11-19 Shinko Pantec Co Ltd 紫外線照射装置
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US5760910A (en) 1995-06-07 1998-06-02 Masimo Corporation Optical filter for spectroscopic measurement and method of producing the optical filter
US5905268A (en) 1997-04-21 1999-05-18 Spectronics Corporation Inspection lamp with thin-film dichroic filter
JPH10300671A (ja) 1997-04-22 1998-11-13 Yokogawa Electric Corp 微粒子計測装置
US6414436B1 (en) 1999-02-01 2002-07-02 Gem Lighting Llc Sapphire high intensity discharge projector lamp
US6778272B2 (en) 1999-03-02 2004-08-17 Renesas Technology Corp. Method of processing a semiconductor device
JP4332648B2 (ja) 1999-04-07 2009-09-16 レーザーテック株式会社 光源装置
US6298865B1 (en) 1999-04-20 2001-10-09 Richard S. Brown Apparatus and methods for washing the cored areas of lettuce heads during harvest
US20060250090A9 (en) 2000-03-27 2006-11-09 Charles Guthrie High intensity light source
US6541924B1 (en) 2000-04-14 2003-04-01 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
US6972421B2 (en) 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US7429818B2 (en) 2000-07-31 2008-09-30 Luxim Corporation Plasma lamp with bulb and lamp chamber
US6737809B2 (en) 2000-07-31 2004-05-18 Luxim Corporation Plasma lamp with dielectric waveguide
US6417625B1 (en) 2000-08-04 2002-07-09 General Atomics Apparatus and method for forming a high pressure plasma discharge column
JP3439435B2 (ja) 2000-08-10 2003-08-25 エヌイーシーマイクロ波管株式会社 光源装置、照明装置および投写型表示装置
KR100369096B1 (ko) 2000-08-25 2003-01-24 태원전기산업 (주) 무전극 방전등용 전구
US6760406B2 (en) 2000-10-13 2004-07-06 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
JP2002133926A (ja) * 2000-10-23 2002-05-10 Nissei Electric Co Ltd 照明装置
FR2823949A1 (fr) 2001-04-18 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US7439530B2 (en) 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7598509B2 (en) 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
WO2002091808A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 The Regents Of The University Of Michigan Producing energetic, tunable, coherent x-rays with long wavelength light
DE10151080C1 (de) 2001-10-10 2002-12-05 Xtreme Tech Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Erzeugen von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis einer Gasentladung
JP4320999B2 (ja) 2002-02-04 2009-08-26 株式会社ニコン Ｘ線発生装置及び露光装置
US8131332B2 (en) * 2002-04-04 2012-03-06 Veralight, Inc. Determination of a measure of a glycation end-product or disease state using tissue fluorescence of various sites
JP4111487B2 (ja) 2002-04-05 2008-07-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP4364482B2 (ja) 2002-04-23 2009-11-18 株式会社キーエンス 光学シンボル読取装置用光学ユニット
JP3912171B2 (ja) 2002-04-26 2007-05-09 ウシオ電機株式会社 光放射装置
JP4298336B2 (ja) 2002-04-26 2009-07-15 キヤノン株式会社 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法
ATE535009T1 (de) 2002-05-08 2011-12-15 Phoseon Technology Inc Hocheffiziente halbleiter-lichtquelle sowie verfahren zu deren verwendung und herstellung
US7050149B2 (en) 2002-06-11 2006-05-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
US6908218B2 (en) 2002-06-18 2005-06-21 Casio Computer Co., Ltd. Light source unit and projector type display device using the light source unit
US6762849B1 (en) 2002-06-19 2004-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for in-situ film thickness measurement and its use for in-situ control of deposited film thickness
US6788404B2 (en) 2002-07-17 2004-09-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Inspection system with multiple illumination sources
US6762424B2 (en) 2002-07-23 2004-07-13 Intel Corporation Plasma generation
US20060109455A1 (en) 2002-11-28 2006-05-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical inspection system and radiation source for use therein
US6972419B2 (en) 2003-02-24 2005-12-06 Intel Corporation Extreme ultraviolet radiation imaging
JP4052155B2 (ja) 2003-03-17 2008-02-27 ウシオ電機株式会社 極端紫外光放射源及び半導体露光装置
US7034320B2 (en) 2003-03-20 2006-04-25 Intel Corporation Dual hemispherical collectors
US6963062B2 (en) * 2003-04-07 2005-11-08 Eksigent Technologies, Llc Method for multiplexed optical detection including a multimode optical fiber in which propagation modes are coupled
WO2004097520A2 (en) 2003-04-24 2004-11-11 The Regents Of The University Of Michigan Fiber laser-based euv-lithography
US6960872B2 (en) 2003-05-23 2005-11-01 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing light emitting diodes and light recycling to enhance output radiance
US6973164B2 (en) 2003-06-26 2005-12-06 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement
JP4535732B2 (ja) 2004-01-07 2010-09-01 株式会社小松製作所 光源装置及びそれを用いた露光装置
US7339980B2 (en) 2004-03-05 2008-03-04 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Successive interference cancellation in a generalized RAKE receiver architecture
US7087914B2 (en) 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7212553B2 (en) 2004-03-16 2007-05-01 Coherent, Inc. Wavelength stabilized diode-laser array
US7390116B2 (en) 2004-04-23 2008-06-24 Anvik Corporation High-brightness, compact illuminator with integrated optical elements
JP2006010675A (ja) 2004-05-27 2006-01-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 紫外光の発生方法および紫外光源装置
FR2871622B1 (fr) 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
US7307375B2 (en) 2004-07-09 2007-12-11 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US7427167B2 (en) 2004-09-16 2008-09-23 Illumination Management Solutions Inc. Apparatus and method of using LED light sources to generate a unitized beam
KR100868953B1 (ko) 2004-10-15 2008-11-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법
US7295739B2 (en) 2004-10-20 2007-11-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Coherent DUV illumination for semiconductor wafer inspection
US7355191B2 (en) 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
US7679276B2 (en) 2004-12-09 2010-03-16 Perkinelmer Singapore Pte Ltd. Metal body arc lamp
US7141927B2 (en) 2005-01-07 2006-11-28 Perkinelmer Optoelectronics ARC lamp with integrated sapphire rod
US7482609B2 (en) 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7652430B1 (en) 2005-07-11 2010-01-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Broadband plasma light sources with cone-shaped electrode for substrate processing
US7643707B2 (en) 2005-07-11 2010-01-05 Mitsubishi Electric Corporation Lighting apparatus
US7989786B2 (en) 2006-03-31 2011-08-02 Energetiq Technology, Inc. Laser-driven light source
US7435982B2 (en) 2006-03-31 2008-10-14 Energetiq Technology, Inc. Laser-driven light source
US7614767B2 (en) 2006-06-09 2009-11-10 Abl Ip Holding Llc Networked architectural lighting with customizable color accents
US7440097B2 (en) * 2006-06-27 2008-10-21 General Electric Company Laser plasma spectroscopy apparatus and method for in situ depth profiling
US7705331B1 (en) * 2006-06-29 2010-04-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for providing illumination of a specimen for a process performed on the specimen
US7872729B2 (en) 2006-08-31 2011-01-18 Christoph Noelscher Filter system for light source
US7744241B2 (en) 2007-06-13 2010-06-29 Ylx, Ltd. High brightness light source using light emitting devices of different wavelengths and wavelength conversion
US7729574B2 (en) 2007-12-06 2010-06-01 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Optical beam flattening using multi-mode fiber
JP5081682B2 (ja) * 2008-03-26 2012-11-28 富士フイルム株式会社 レーザ光源装置
KR100982308B1 (ko) * 2008-12-12 2010-09-15 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 시스템
DE112010000850B4 (de) 2009-02-13 2017-04-06 Kla-Tencor Corp. Verfahren und Vorrichtung zum Aufrechterhalten und Erzeugen eines Plasmas
EP2534672B1 (en) 2010-02-09 2016-06-01 Energetiq Technology Inc. Laser-driven light source
TWI501046B (zh) 2010-07-30 2015-09-21 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 超紫外線曝光裝置
JP5919740B2 (ja) 2011-11-10 2016-05-18 富士電機株式会社 光源装置及び波長変換方法
US9036137B2 (en) 2012-05-07 2015-05-19 Fluke Corporation Optical light source with controlled launch conditions
NL2010849A (en) * 2012-06-12 2013-12-16 Asml Netherlands Bv Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
IL234727B (en) 2013-09-20 2020-09-30 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned
IL234729B (en) * 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005088369A1 (ja) * 2004-03-16 2005-09-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 照射光伝達用光ファイバ及びそれを備えた光照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10078167B2 (en) 2018-09-18
TW201903824A (zh) 2019-01-16
US20150085516A1 (en) 2015-03-26
KR20170041673A (ko) 2017-04-17
JP6949908B2 (ja) 2021-10-13
JP6574086B2 (ja) 2019-09-11
KR20150032814A (ko) 2015-03-30
TWI718428B (zh) 2021-02-11
US20180341053A1 (en) 2018-11-29
TWI643238B (zh) 2018-12-01
JP2019216105A (ja) 2019-12-19
EP2851934B1 (en) 2022-11-16
EP2851934A1 (en) 2015-03-25
IL234729B (en) 2021-02-28
IL234729A0 (en) 2014-11-30
JP2015060840A (ja) 2015-03-30
US10845523B2 (en) 2020-11-24
TW201523692A (zh) 2015-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102159235B1 (ko) 레이저-작동 광원
JP5220861B2 (ja) 擬似太陽光照射装置
CN104836114B (zh) 一种半导体激光器的快慢轴光束质量匀化装置
KR20140004161A (ko) 레이저 빔의 프로파일을 회전 대칭 강도 분포를 갖는 레이저 빔으로 변환하기 위한 장치
JP6467353B2 (ja) レーザビームを均質化するための装置
KR102122299B1 (ko) 광 조사 장치
JP2015055647A (ja) 偏光光照射装置
CN103064190A (zh) 一种片状光束匀滑整形装置
TWI558044B (zh) 連續光譜產生裝置及其組裝方法
JP6537899B2 (ja) 車両用発光装置
US9625727B2 (en) Device for homogenizing a laser beam
CN101303457A (zh) 一种波前重组的光束准直均匀方法及其光源系统
CN108367976B (zh) 光照射装置及光照射方法
CN203463989U (zh) 指印光学显现系统的激光均匀照明装置
CN103676186A (zh) 激光二极管布局系统和方法
CN109641791B (zh) 光照射装置
CN104155762A (zh) 一种一字线光斑系统
JP2022520002A (ja) レーザシステム
WO2018230546A1 (ja) 光照射装置、光照射方法
CN116149070B (zh) 一种匀化光斑输出系统
CN211060035U (zh) 一种激光照明系统
JP2018116118A (ja) テラヘルツ光発生装置
US20150308654A1 (en) Surface light source using arrayed point light sources
WO2018230697A1 (ja) 光照射装置、光照射方法
CN104407446A (zh) 一种高功率半导体激光器的光学校正装置及其系统

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant