KR102152756B1 - 노광 방법 및 노광 장치 - Google Patents

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KR102152756B1
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Abstract

노광 장치에서 실행되는 방법에 있어서, 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터가 측정된다. 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노출 광으로 노광된다. 노광 영역의 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광시키는 단계에서, 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다.

Description

노광 방법 및 노광 장치{EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE APPARATUS}
본 출원은 2017년 11월 15일 출원된 미국 가특허 출원 번호 제62/586,641호의 우선권을 주장하며, 이 출원의 전체 내용은 참조에 의해 여기에 포함된다.
본 개시는 집적 회로와 같은 디바이스 제조에서의 레지스트 패턴을 제조하기 위한 패터닝 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스캐너 및 스텝퍼(steppter)와 같은 리소그래피 프로세스 및 리소그래피 장치에 관한 것이다.
반도체 산업이 보다 높은 성능과 더 우수한 기능을 갖는 새로운 세대의 집적 회로(IC; integrated circuit)를 도입함에 따라, IC를 형성하는 요소들의 밀도가 증가하는 반면, IC의 컴포넌트들 또는 요소들 간의 간격 및 치수는 감소된다. 컴포넌트가 더 작아지고 패터닝 기술이 보다 정밀해짐에 따라, 노광 동작 동안의 정밀 포커스(focus) 및/또는 레벨링(leveling) 제어가 요구되어 왔다.
노광 장치에서 실행되는 방법에 있어서, 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터가 측정된다. 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노출 광으로 노광된다. 노광 영역의 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광시키는 단계에서, 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다.
본 개시는 다음의 상세한 설명으로부터 첨부 도면과 함께 볼 때 가장 잘 이해된다. 산업계에서의 표준 실시에 따라 다양한 특징부들이 실축척대로 도시되지 않고 단지 설명을 위한 목적으로 사용된 것임을 강조한다. 사실상, 다양한 특징부들의 치수는 설명을 명확하게 하기 위해 임의로 증가되거나 감소되었을 수 있다.
도 1는 본 개시의 실시예에 관련된 노광 장치의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 개시의 실시예에 관련된 포커스-레벨링 측정 시스템의 개략도를 도시한다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 개시의 실시예에 관련된 포커스-레벨링을 측정 및 제어하는 것의 개념을 도시한다.
도 4는 본 개시의 실시예에 관련된 포커스-레벨링을 측정 및 제어하는 것의 개념을 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 본 개시의 실시예에 관련된 포커스-레벨링을 측정 및 제어하는 것의 개념을 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 실시예에 따른 포커스-레벨링을 측정 및 제어하는 것의 개념을 도시한다.
도 7은 본 개시의 실시예에 따른 노광 동작의 흐름도를 도시한다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시의 실시예에 관련된 다양한 노광 맵을 도시한다.
도 9a, 도 9b, 도 9c, 도 9d, 도 9e, 도 9f, 및 도 9g는 본 개시의 실시예에 관련된 다양한 칩 영역 레이아웃을 도시한다.
도 10a 및 도 10b는 본 개시의 실시예에 관련된 디포커스 우려 칩 영역을 도시한다.
다음의 개시는 본 발명의 상이한 특징들을 구현하기 위한 많은 다양한 실시예 또는 예를 제공하는 것임을 이해하여야 할 것이다. 컴포넌트 및 구성의 구체적 실시예 또는 예가 본 개시를 단순화하도록 아래에 기재된다. 이들은 물론 단지 예일 뿐이며 한정하고자 하는 것이 아니다. 예를 들어, 구성요소들의 치수는 개시된 범위 또는 값에 한정되지 않고, 디바이스의 프로세스 조건 및/또는 원하는 특성에 따라 달라질 수 있다. 또한, 이어지는 다음 기재에 있어서 제2 특징부 상에 또는 위에 제1 특징부를 형성하는 것은, 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수 있고, 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하지 않도록 제1 특징부와 제2 특징부 사이에 추가의 특징부가 형성될 수 있는 실시예도 또한 포함할 수 있다. 다양한 특징부들은 단순하고 명확하게 하기 위해 임의로 상이한 스케일로 도시되어질 수 있다.
또한, “밑에”, “아래에”, “하부”, “위에”, “상부” 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 예시된 바와 같이 하나의 구성요소 또는 특징부의 또다른 구성요소(들) 또는 특징부(들)에 대한 관계를 기재하고자 설명을 쉽게 하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 배향에 더하여 사용중이거나 동작중인 디바이스의 상이한 배향들을 망라하도록 의도된다. 장치는 달리 배향될 수 있고(90도 회전되거나 또는 다른 배향으로), 여기에서 사용된 공간적으로 상대적인 기술자는 마찬가지로 그에 따라 해석될 수 있다. 또한, 용어 “~로 제조되는”은 “포함하는” 또는 “구성되는”을 의미할 수 있다.
스텝 앤드 스캔(step-and-scan) 노광 시스템에 있어서, 포토 마스크 상의 패턴이 한 번의 스캔에 의해 웨이퍼에 투사되는 영역(즉, 노광 영역 또는 노광 필드)은 한정되고, 노광 스캔은 웨이퍼 상의 노광 맵에 따라 순차적으로 웨이퍼를 이동시키도록 웨이퍼 스테이지를 구동함으로써 반복된다. 이러한 노광 시스템에서는 매우 정밀한 포커스 제어가 요구된다.
도 1은 본 개시의 실시예에 관련된 예시적인 노광 장치를 도시한다. 노광 장치(100)는 투사 광학 노광 장치, 예를 들어 반도체 디바이스 또는 평판 패널 디스플레이의 제조에 있어서 리소그래피 프로세스에 사용되는 광학 스캐너 또는 광학 스텝퍼이다. 또한, 노광 장치(100)는 광학 시스템의 하부 표면과 웨이퍼 표면 사이의 공간이 국부적으로 액체로 채워지는 상태에서 노광을 수행하는 로컬 액침 노광 장치일 수 있다.
노광 장치(100)는 무엇보다도, 광원(15), 예를 들어 KrF 엑시머 레이저 시스템 또는 ArF 엑시머 레이저 시스템, 하나 이상의 미러(20), 집광 렌즈(25), 포토 마스크(레티클)(30)를 홀딩하는 포토 마스크 스테이지(32), 웨이퍼 스테이지(45), 투사 렌즈 시스템(35), 웨이퍼 정렬 측정 시스템(55), 포커스-레벨링 측정 및 제어 시스템(50), 및 컨트롤러(60)를 포함한다. 컨트롤러(60)는 CPU나 마이크로프로세서와 같은 하나 이상의 프로세싱 회로, 및 하드 디스크 드라이브나 플래시 메모리와 같은 하나 이상의 저장 디바이스(메모리)(65)를 포함한다. 컨트롤러(60)는, 프로세싱 회로에 의해 저장 디바이스(65)에 저장된 하나 이상의 제어 프로그램을 실행함으로써, 제어 프로그램에 따라 노광 장치(100)의 동작을 제어한다.
도 1에 도시된 바와 같이, Z 방향은 투사 렌즈 시스템(35)의 광축(AX)에 평행하고, Y 방향은 포토 마스크(30) 및 웨이퍼(40)가 상대적으로 스캔되는 방향이고, X 방향은 Z 방향 및 Y 방향에 직교하는 방향이다.
노광 장치(100)가 광학 스캐너일 때, 레티클 블라인드로 포토 마스크(30)에 대해 설정되는 슬릿형 조명 영역이 광원(15)으로부터 방출된 조명 광(노출 광)에 의해 조명된다. 회로 패턴이 투명 또는 불투명 패턴으로서 위에 형성되어 있는 포토 마스크(30)가 마스크 스테이지(32) 상에 홀딩된다. 마스크 스테이지(32)는 XY 평면 내에서 정밀 구동될 수 있고, 또한 마스크 스테이지 구동 메커니즘(34)에 의해 미리 정해진 스캐닝 방향(Y 방향)으로 이동될 수 있다. 투사 렌즈 시스템(35)은 웨이퍼 스테이지(45) 상에 배치된 웨이퍼(40)로 포토 마스크(30)를 통과하는 조명 광을 투사한다. 마스크 스테이지(32)와 웨이퍼 스테이지(45)의 동기 구동에 의해, 스캐닝 방향(+Y 방향)으로 마스크 스테이지(32)를 상대적으로 이동시키고 노광될 웨이퍼(40)가 위에 배치되어 있는 웨이퍼 스테이지(45)를 스캐닝 방향 반대로(-Y 방향) 이동시킨다. 이 스캐닝 이동에 의해, 조명 광의 밴드가 웨이퍼 상의 노광 영역에서 스캔되어 웨이퍼(40) 상에 코팅된 포토 레지스트 층 상/내에 마스크 패턴 이미지를 형성한다.
도 2는 노광 시스템(100)의 포커스-레벨링 측정 및 제어 시스템(50)의 개략적 구성을 도시한다.
포커스-레벨링 측정 및 제어 시스템(50)은 오토포커스 제어 시스템(210) 및 레벨링 측정 시스템(220)을 포함한다. 본 개시의 일부 실시예에서, 포커스 측정은 웨이퍼의 표면의 높이를 측정하고, 레벨링 측정은 노광 영역의 틸트(tilt)를 측정한다. 또한, 포커스-레벨링 제어/측정은 포커스(높이) 및 레벨링(틸트) 둘 다를 제어하거나 측정하는 것을 의미한다.
레벨링 측정 시스템(220)은 예를 들어 브로드밴드 광을 방출하기 위한 광원(222), 멀티 슬릿 유닛(224), 제1 광학 시스템(226) 및 제2 광학 시스템(수광부)(228)을 포함한다. 제2 광학 시스템(228)은 입력 광 스팟의 광전자 변환을 수행하고 2차원 광 강도에 대한 정보를 출력한다.
오토포커스 제어 시스템(210)은 제2 광학 시스템(228)으로부터 2차원 광 강도에 대한 정보를 수신한다. 2차원 광 강도에 대한 정보를 사용함으로서, 오토포커스 제어 시스템은 노광 영역(포토 레지스트 층)의 표면의 높이 및 노광 영역의 틸트를 계산하고, 그 다음, 웨이퍼 스테이지(45)의 제어된 변수의 방향, 웨이퍼 스테이지(45)의 Z 방향의 조정량, 및/또는 웨이퍼 스테이지(45)의 경사 조정량을 계산한다. 웨이퍼 스테이지(45)는 노광(스캐닝) 동안 그에 따라 제어된다. 노광 영역의 표면의 평면을 결정하기 위해, 적어도 3개의 측정 포인트(광 스팟)가 필요하다. 일부 실시예에서, 노광 영역의 틸트를 결정하도록 6-12 포인트가 측정된다.
노광 동작에서, 반도체 웨이퍼 또는 평판 패널 디스플레이용 유리 평판과 같은 웨이퍼(40)가 웨이퍼 스테이지(45) 상에 로딩된다. 웨이퍼(40)가 하부 패턴을 갖는다면, 웨이퍼 정렬 측정 시스템(55)은 레이저 빔을 사용함으로써 하부 패턴에 의해 형성된 정렬 패턴을 검출한다. 예를 들어, 웨이퍼(40)는 매트릭스(matrix)로서 X 방향 및 Y 방향으로 배열된 복수의 노광 영역을 가지며, 각각의 노광 영역은 반도체 칩에 대응하는 하나 이상의 영역을 포함한다. 정렬 패턴은, 일부 실시예에서 칩들 사이의 스크라이브 레인으로 배열된, X 방향에 대한 정렬 패턴 및 Y 방향에 대한 정렬 패턴을 포함한다. 정렬 측정 결과에 기초하여, 웨이퍼(40)(웨이퍼 스테이지(45))는 투사 렌즈(35) 하의 미리 정해진 위치로 이동되고, 웨이퍼(40)에서의 제1 노광 영역이 레이저 광으로 노광된다. 그 다음, 웨이퍼(40)는 다음 노광 영역이 노광되도록 이동된다. 이러한 이동 및 노광은 웨이퍼(40)의 모든 노광 영역이 노광될 때까지 반복된다. 노광 전에 그리고 노광 동안에, 포커스 값(스테이지 높이) 및 레벨링 값(스테이지의 틸트)이 제어된다. 그 다음, 노광된 웨이퍼(40)가 언로딩되며, 다음 웨이퍼가 노광되기 위해 로딩된다.
일부 실시예에서, 노광 직전에 포커스-레벨링 측정이 수행된다. 도 3a 내지 도 3c는 본 개시의 실시예에 관련된 포커스-레벨링 측정 동작을 도시한다. 설명을 위한 목적으로, 하나의 노광 영역(300)이 4개의 노광 서브영역으로 나누어진다고 가정한다. 도 3a 내지 도 3c에서, 스캐닝은 Y 방향을 따라 수행된다. 제1 영역(310)이 노광(스캔)될 때, 제2 영역(320)에 대한 레벨링 측정이 측정 광 빔(350)에 의해 수행된다. 그 다음, 제2 영역(320)에 대한 레벨링 측정 결과를 사용함으로써 제어된 포커스-레벨링으로 제2 영역(320)에 대한 노광이 수행된다. 제2 영역(320)이 노광(스캔)될 때, 제3 영역(330)에 대한 레벨링 측정이 수행된다. 그 다음, 제3 영역(330)에 대한 레벨링 측정 결과를 사용함으로써 제어된 포커스 레벨링으로 제3 영역(330)에 대한 노광이 수행된다. 제3 영역(330)이 노광(스캔)될 때, 제4 영역(340)에 대한 레벨링 측정이 수행된다. 실제 노광 시스템에서, 스캐닝은 연속 방식으로 수행되고 포커스-레벨링 측정도 또한 연속으로 또는 동적으로 수행된다.
도 3a 내지 도 3c에서, 측정 광 빔(350)(예컨대, 9개의 광 빔)은 전부 X 방향에서 노광 영역 내에 위치된다. 그러나, X 방향의 노광 영역이 더 작을 때, 측정 광 빔(350) 중의 하나 이상은 이용되지 않는다.
다른 실시예에서, 포커스-레벨링 측정은 전체 웨이퍼에 대하여 수행되고, 측정된 결과가 메모리에 저장된다. 소정의 노광 영역을 노광시키는 데 있어서, 미리 측정된 포커스-레벨링 데이터가 메모리로부터 판독되고, 포커스-레벨링이 제어되면서 소정의 노광 영역에 대한 노광(스캔)이 수행된다.
노광 영역이 충분히 웨이퍼 안에 위치될 때, 노광 영역은 노출 광으로 노광되면서, 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스 및 레벨링을 정밀하게 제어한다. 그러나, 웨이퍼의 외측 둘레 근방에 위치된 노광 영역의 경우, 노광 영역의 일부가 “포커스 제어 제외 영역”에 위치되고, 포커스 제어 제외 영역에 위치된 노광 영역은 포커스-레벨링 데이터의 일부가 사용되지 않기 때문에 포커스 및 레벨링을 정밀하게 제어하지 않고서 노광될 수 있다. 이러한 경우에, 포커스 및 레벨링을 정밀하게 제어하지 않고서 노광된 영역은 디포커스(defocus) 우려가 있으며, 이러한 영역에 대응하는 반도체 칩은 “불량” 칩이 될 것이다.
도 4는 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역의 개념을 도시한다. 도 4에서, 포커스 제어 유효 영역(410)과 포커스 제어 제외 영역(420) 간의 경계(415)는 웨이퍼(400)의 중심과 일치하는 중심을 갖는 원형 형상을 갖는다. 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시된 바와 같이, 포커스-레벨링 측정은, 측정 광 빔의 그룹으로서, 복수의 광 빔(330), 예를 들어 X 방향으로 배열된 9개의 광 빔(스폿)을 이용한다. 도 4는 Y 방향을 따라 이산된 광 빔을 도시하고 있으나, 포커스-레벨링 측정 광 빔(330)은 웨이퍼(400)에 대해 웨이퍼 스테이지를 이동시킴으로써 스캔된다.
측정 광 빔(330)의 전체 그룹(X 방향을 따라 9개의 광 빔)이 유효 포커스-레벨링 데이터를 생성하는 포커스 제어 유효 영역(410) 내에 있을 때, 포커스-레벨링 제어는 유효 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 수행된다. 이와 달리, 측정 광 빔(330)의 그룹의 일부가 포커스 제어 유효 영역(410) 밖에, 즉 포커스 제어 제외 영역(420)에 위치될 때, 일부 실시예에서 포커스 제어 제외 영역(420)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 무효 포커스-레벨링 데이터(417 및 419)가 된다. 다른 실시예에서, 포커스 제어 제외 영역(420)에 대한 포커스-레벨링 측정은 수행되지 않거나 또는 포커스 제어 제외 영역(420)에 대한 측정 데이터는 저장되지 않는다. 일부 실시예에서, 측정 광 빔의 그룹의 일부가 포커스 제어 제외 영역(420)에 위치될 때, 그룹 내의 모든 포커스-레벨링 측정 데이터는 무효 포커스-레벨링 측정 데이터가 된다. 무효 포커스-레벨링 측정 데이터는 포커스-레벨링 제어에 이용되지 않으며, 따라서 이는 디포커스 이슈를 생성하지 않을 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 무효 포커스-레벨링 데이터는 제1 무효 포커스-레벨링 데이터(417) 및 제2 무효 포커스-레벨링 데이터(419)를 포함한다. 제1 무효 포커스-레벨링 데이터(417)는 웨이퍼(400)의 외측 경계 내의 포커스 제어 제외 영역(420)에 대한 것이고, 제2 무효 포커스-레벨링 데이터(419)는 웨이퍼(400)의 외측 경계 밖의 영역에 대한 것이다.
일반적으로, 하나의 노광 영역(300)은 실질적으로 동일한 회로 패턴을 갖는 복수의 칩 영역을 포함한다. 예를 들어, 도 5a는 하나의 노광 영역(501)이 4 × 6 (24) 칩 영역(511)을 포함하는 경우를 도시하고, 도 5b는 하나의 노광 영역(502)이 2 ×2 (4) 칩 영역(512)을 포함하는 경우를 도시한다. 상기 서술된 바와 같이, 노광 영역(501 또는 502)이 웨이퍼(400)의 외측 둘레(에지) 근방에 위치될 때, 포커스-레벨링 제어는 충분히 수행되지 않을 수 있다.
도 5a의 경우에, 소정의 칩 영역에 대응하는 포커스-레벨링 측정 포인트(광 빔 스폿)가 포커스 제어 제외 영역(420)에 위치될 때, 소정의 칩 영역(533)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터가 사용되지 않기 때문에 칩 영역(533)은 불충분한 포커스-레벨링 제어의 우려가 있을 수 있다. 측정 포인트가 웨이퍼(400)의 외측 둘레 밖에 위치될 때, 칩 영역(535)에 대하여 어떠한 측정도 수행되지 않음을 유의하여야 한다.
도 5a에 도시된 경우에, 노광 영역(521)에 대하여, 포커스 제어 제외 영역(415)에 위치되며 그렇지 않았으면 양호 칩이었을 2개의 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려를 가질 수 있으며, 22개의 칩 영역이 유효 칩 영역(531)이다. 보다 상세하게는, (x, y)가 노광 영역 내의 복수의 칩의 행과 열에 대응하는 경우에, 매트릭스 (3, 7) 및 (3, 8)에 대응하는 칩 영역은 무효 칩 영역(533)이고, 무효 칩 영역(533)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 따라서, 이들 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려가 있을 수 있고, 따라서 “양호” 칩에서 제외된다.
노광 영역(522)에 대하여, 포커스 제어 제외 영역(415)에 위치되며 그렇지 않았으면 양호 칩이었을 7개의 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려를 가질 수 있으며, 17개의 칩 영역이 유효 칩 영역(531)이다. 보다 상세하게는, 매트릭스 (1, 5), (1, 6), (2, 4), (3, 3), (3, 4), (4, 2) 및 (4, 3)에 대응하는 칩 영역은 무효 칩 영역(533)이고, 무효 칩 영역(533)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 따라서, 이들 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려가 있을 수 있고, 따라서 “양호” 칩에서 제외될 수 있다.
노광 영역(523)에 대하여, 포커스 제어 제외 영역(415)에 위치되며 그렇지 않았으면 양호 칩이었을 6개의 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려를 가질 수 있으며, 18개의 칩 영역이 유효 칩 영역(531)이다. 보다 상세하게는, 매트릭스 (2, 6), (3, 4), (3, 5), (4, 1), (4, 2) 및 (4, 3)에 대응하는 칩 영역은 무효 칩 영역(533)이고, 무효 칩 영역(533)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 따라서, 이들 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려가 있을 수 있고, 따라서 “양호” 칩에서 제외된다.
노광 영역(521, 522, 및 523)에서, 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 상에 또는 외부에 위치된 칩 영역은 무효 칩으로서 간주되고, 어떠한 포커스-레벨링 데이터도 측정되지 않으며, 또는 측정된다 하더라도 데이터가 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 일부 실시예에서, 웨이퍼(400)의 유효 영역은 웨이퍼(400)의 물리적 둘레보다 더 작게 설정된다. 웨이퍼(400)의 유효 영역은 포토 레지스트 코팅에서의 에지 컷 양 및/또는 막 증착 디바이스 또는 에칭 디바이스에서의 기계적 클램핑 마진을 고려하여 설정된다. 일부 실시예에서, 웨이퍼의 유효 영역은 웨이퍼보다 직경이 약 2mm 내지 약 15mm 만큼 더 작게 설정된다. 웨이퍼(400)가 300 mm 직경 웨이퍼일 때, 일부 실시예에서, 웨이퍼(400)의 유효 영역(직경)은 285mm 내지 295mm 범위로 설정된다. 단순화를 위해, 본 도면은 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레로서 웨이퍼의 에지를 도시한다.
이러한 우려를 안고 있는 칩 영역의 수는 하나의 노광 영역에서 복수의 칩 영역의 매트릭스 배열에 따라 좌우된다.
도 5b에 도시된 경우에, 2 ×2 (4) 칩 영역(512)이 하나의 노광 영역(502)에 포함된다. 노광 영역(541)에 대하여, 포커스 제어 제외 영역(415)에 위치되며 그렇지 않았으면 양호 칩이었을 하나의 칩 영역이 불충분한 포커스 제어의 우려를 가질 수 있고, 하나의 칩 영역은 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레와 중첩하며, 2개의 칩 영역만 양호 칩 영역(551)(충분한 포커스-레벨링 제어를 받음)이다. 보다 상세하게는, 매트릭스 (1, 2)에 대응하는 칩 영역은 무효 칩 영역(553)이고, 무효 칩 영역(553)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 따라서, 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려가 있을 수 있고, 따라서 “양호” 칩에서 제외된다.
노광 영역(542)에 대하여, 포커스 제어 제외 영역(415)에 위치되며 그렇지 않았으면 양호 칩이었을 하나의 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려를 가질 수 있으며, 어떠한 칩 영역도 양호 칩 영역(551)(충분한 포커스-레벨링 제어를 받음)이 아니다. 보다 상세하게는, 매트릭스 (1, 1)에 대응하는 칩 영역은 무효 칩 영역(553)이고, 무효 칩 영역(553)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 따라서, 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려가 있을 수 있고, 따라서 “양호” 칩에서 제외된다.
또한, 노광 영역(543)에 대하여, 포커스 제어 제외 영역(415)에 위치되며 그렇지 않았으면 양호 칩이었을 하나의 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려를 가질 수 있으며, 3개의 칩 영역은 양호 칩 영역(551)(충분한 포커스-레벨링 제어를 받음)이다. 보다 상세하게는, 매트릭스 (2, 2)에 대응하는 칩 영역은 무효 칩 영역(553)이고, 무효 칩 영역(553)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 따라서, 칩 영역은 불충분한 포커스 제어의 우려가 있을 수 있고, 따라서 “양호” 칩에서 제외된다.
노광 영역(541, 542, 및 543)에서, 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 상에 또는 외부에 위치된 칩 영역은 무효 칩(553)으로서 간주되고, 어떠한 포커스-레벨링 데이터도 측정되지 않으며, 또는 측정된다 하더라도 데이터가 포커스-레벨링 제어에 사용되지 않는다. 측정 포인트가 웨이퍼(400)의 외측 둘레 밖에 위치될 때, 칩 영역(555)에 대하여 어떠한 측정도 수행되지 않음을 유의하여야 한다.
상기에 서술된 바와 같이, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 사이에 단순한 원형 경계가 설정될 때, 많은 칩 영역이 불충분한 포커스-레벨링 제어를 받으며, 따라서 칩 수율이 감소할 것이다.
본 개시의 하나의 양상에 따르면, 포커스 제어 제외 영역은 원형 형상으로서 고정되지 않고, 노광 맵 및 노광 맵 내의 칩 레이아웃에 따라 유연하게 설정된다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 포커스 제어 유효 영역(610)과 포커스 제어 제외 영역(620) 간의 경계(615 또는 617)는 칩 영역 경계를 따라 설정된다. 일부 실시예에서, 칩 영역이 웨이퍼(400)의 유효 영역의 둘레 내에 위치되는 한, 칩 영역은 유효 칩 영역(531 또는 551)으로서 분류되고 포커스 제어 유효 영역(610)에 포함된다. 상기 서술된 바와 같이, 유효 칩 영역(531 또는 551)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용된다. 칩 영역의 일부 또는 전부가 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 상에 또는 외부에 위치될 때, 칩 영역은 무효 칩 영역(535 또는 555)으로서 간주되고, 무효 칩 영역에 대응하는 영역은 포커스 제어 제외 영역(620)으로서 설정된다.
도 6a의 경우에, 도 5a에 비교하여, 노광 영역(521)은 어떠한 무효 칩 영역도 포함하지 않는다. 매트릭스 (3, 6) 및 (3, 7)에 대응하는 칩은 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 내에 위치되고 따라서 유효 칩 영역(531)이다. 이들 유효 칩 영역(531)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용된다. 따라서, 칩 영역은 “양호” 칩으로서 제조될 것이다. 다르게 말하자면, 도 5a에 도시된 바와 같은 포커스 제어 제외 영역(520)의 원형 설정(515)과 비교하여, 2개의 칩이 양호 칩으로서 저장된다.
마찬가지로, 노광 영역(522)은 8개의 무효 칩 영역(535) (1, 6), (2, 5), (2, 6), (3, 5), (3, 6), (4, 4), (4, 5) 및 (4, 6)을 포함하며, 이들은 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 상에 또는 외부에 위치된다. 매트릭스 (1, 5), (2, 4), (3, 3), (3, 4), (4, 2) 및 (4, 3)에 대응하는 칩 영역은 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 내에 위치되며 유효 칩 영역(531)이다. 이들 유효 칩 영역(531)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용된다. 따라서, 이들 칩 영역은 “양호” 칩으로서 제조될 것이다. 다르게 말하자면, 도 5a에 도시된 바와 같은 포커스 제어 제외 영역(520)의 원형 설정(515)과 비교하여, 6개의 칩이 양호 칩으로서 저장된다.
또한, 노광 영역(523)은 4개의 무효 칩 영역(535) (3, 6), (4, 4), (4, 5), 및 (4, 6)을 포함하며, 이들은 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 상에 또는 외부에 위치된다. 매트릭스 (2, 6), (3, 4), (3, 5), (4, 1), (4, 2) 및 (4, 3)에 대응하는 칩 영역은 웨이퍼의 외측 둘레 내에 위치되며 유효 칩 영역(531)이다. 이들 유효 칩 영역(531)에 대응하는 포커스-레벨링 측정 데이터는 노광 동안 포커스-레벨링 제어에 사용된다. 따라서, 이들 칩 영역은 “양호” 칩으로서 제조될 것이다. 다르게 말하자면, 도 5a에 도시된 바와 같은 포커스 제어 제외 영역의 원형 설정과 비교하여, 6개의 칩이 양호 칩으로서 저장된다.
도 6a는 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계(515)의 일부만 도시하고 있지만, 경계는 웨이퍼에 대한 전체 노광 맵에 대하여 설정된다.
2 ×2 칩 매트릭스의 경우에 동일하거나 유사한 효과가 얻어질 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 노광 영역(541)에 대하여, 도 5b에 도시된 바와 같은 포커스 제어 제외 영역의 원형 설정과 비교하여 하나의 칩 영역이 유효 칩 영역(551)으로서 저장될 수 있고, 노광 영역(542)에 대하여, 도 5b에 도시된 바와 같은 포커스 제어 제외 영역의 원형 설정과 비교하여 하나의 칩 영역이 유효 칩 영역(551)으로서 저장될 수 있고, 노광 영역(543)에 대하여, 도 5b에 도시된 바와 같은 포커스 제어 제외 영역의 원형 설정과 비교하여 하나의 칩 영역이 유효 칩 영역(551)으로서 저장될 수 있다. 웨이퍼(400)의 유효 영역의 외측 둘레 상에 또는 외부에 위치된 칩 영역은 무효 칩 영역(555)으로 남는다.
전술한 실시예에서, 포커스 제어 유효 영역(610)과 포커스 제어 제외 영역(620) 간의 경계(615 및/또는 617)는 원형이 아니고 고정되지 않는다. 일부 실시예에서, 포커스 제어 유효 영역(610)과 포커스 제어 제외 영역(620) 간의 경계(615 및/또는 617)는 복수의 코너를 갖는다. 복수의 코너는 90도 코너와 270도 코너를 포함한다. 다르게 말하자면, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제외 영역 간의 경계는 지그재그 패턴이다.
또한, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상이한 노광 맵 및 노광 영역에서의 칩 영역 레이아웃에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역(610) 및 포커스 제어 제외 영역(620)이 설정될 수 있다.
도 7은 본 개시의 일부 실시예에 따라 광학 스캐너를 사용함으로써 웨이퍼를 노광시키는 동작 흐름을 도시한다. 도 7의 동작 흐름은 프로세서(컴퓨터)에 의해 실행되는 프로그램 또는 소프트웨어에 의해 실현될 수 있다. 일부 실시예에서, 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 매체(예컨대, 도 1에 도시된 65)는 프로그램을 저장하고, 프로그램이 노광 장치의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때, 프로그램은 노광 장치가 도 7의 동작을 수행하게 한다. 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 매체는 하드 디스크 드라이브, 광 드라이브, 플래시 메모리, 및 임의의 기타 적합한 메모리를 포함한다.
단계 S701에서, 노광 맵이 메모리로부터 판독된다. 노광 맵은 노광 영역(노광 영역은 스캐너에서의 한 번의 스캔 영역임)의 매트릭스를 정의하고, 노광 영역의 크기 및 웨이퍼에 대한 노광 영역의 행과 열의 수를 포함한다. 도 8a 및 도 8b는 다양한 노광 맵을 도시한다. 도 8a는 노광 영역의 9×6 매트릭스를 도시하고, 도 8b는 노광 영역의 7×7 매트릭스를 도시한다.
그 다음, 단계 S702에서, 칩 영역 레이아웃이 메모리로부터 판독된다. 칩 레이아웃은 하나의 노광 영역 내의 칩 영역의 매트릭스를 정의하고, 칩 영역의 크기 및 하나의 노광 영역 내의 칩 영역의 행과 열의 수를 포함한다. 하나의 칩 영역은 하나의 반도체 다이(칩)에 대응한다. 도 9a 내지 도 9g는 칩 영역의 다양한 레이아웃을 도시한다. 도 9a는 4×6 매트릭스를 도시하고, 도 9b는 4×7 매트릭스를 도시하고, 도 9c는 3×6 매트릭스를 도시하고, 도 9d는 3×4 매트릭스를 도시하고, 도 9e는 2×4 매트릭스를 도시하고, 도 9f는 2×2 매트릭스를 도시한다. 도 9g는 하나의 노광 영역 내의 단일 칩 영역을 도시한다.
단계 S703에서, 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃을 사용함으로써, 도 6a 및 도 6b와 유사하게 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계가 정의된다. 일부 실시예에서, 각각의 노광 영역이 웨이퍼의 유효 영역의 둘레와 중첩하는지 여부가 결정된다. 그 다음, 웨이퍼의 유효 영역의 둘레와 중첩하는 노광 영역에 대하여, 각각의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역의 둘레와 중첩하는지 여부가 결정된다. 전체 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 내에 있을 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역의 일부로서 결정된다.
그 다음, 웨이퍼의 “로트(lot)”(예컨대, 25 또는 50 웨이퍼)로부터 포토 레지스트로 코팅된 웨이퍼가 광학 스캐너 안으로 로딩된다.
단계 S704에서, 웨이퍼에 대한 포커스-레벨링 측정이 수행되고, 그 다음 단계 S705에서 노광(스캐닝)이 수행된다. 노광에 있어서, 단계 S704에서 측정된 포커스-레벨링 데이터가 이용된다. 상기 서술된 바와 같이, 측정 포인트가 포커스 제어 제외 영역에 위치될 때, 일부 실시예에서 이의 측정 데이터는 노광 단계 S705에서 사용되지 않는다. 다른 실시예에서, 측정 포인트가 포커스 제어 제외 영역에 위치될 때, 단계 S704에서 포커스-레벨링 측정이 수행되지 않거나 측정된 데이터가 저장되지 않는다. 다른 실시예에서, 도 3과 함께 설명된 바와 같이, 포커스-레벨링 측정은 노광 직전에 수행된다.
웨이퍼는 로트의 모든 웨이퍼들이 노광될 때까지 하나씩 노광된다(단계 S706 내지 단계 S704). 마지막 웨이퍼가 노광될 때(단계 S706에서의 “Y”), 웨이퍼의 다음 로트가 광학 스캐너에 세팅된다. 다음 로트가 동일 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃을 갖는 동일 반도체 칩에 대한 것일 때(단계 S707에서 “Y”), 웨이퍼의 노광은 이전에 설정된 포커스 제어 유효 영역 데이터를 사용하여 수행된다. 다음 로트가 상이한 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃을 갖는 상이한 반도체 칩에 대한 것일 때(단계 S707에서의 “N”), 새로운 노광 맵 및 새로운 칩 영역 레이아웃이 메모리로부터 판독되고, 새로운 포커스 제어 유효 영역이 설정된다.
도 10a 및 도 10b는 본 개시의 실시예의 이로운 효과 중의 하나를 도시한다. 도 10a는 도 5a 및 도 5b와 유사하게 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 원형 경계가 설정되는 경우 실험에 따른 디포커싱된 칩 영역의 비율을 도시한다. 수평축은 하나의 노광 영역 내의 칩 영역 매트릭스를 도시한다. 칩 영역의 크기는 서로 상이할 수 있다. 도 10a에 도시된 바와 같이, 많은 칩 영역들이 하나의 노광 영역에 배열될 때, 더 많은 “불량” 칩이 발생한다.
도 10b는 도 6a 및 도 6b와 유사하게 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 유연하고 원형이 아닌 경계가 설정될 때 시뮬레이트된 결과를 도시한다. 도 10a와 비교하여, “불량” 칩의 수가 감소될 수 있고, 이는 이어서 “양호” 칩의 수를 증가시킨다.
전술한 실시예에서는, 광학 스캐너가 채용된다. 그러나, 전술한 실시예는 광학 스텝퍼 및 극자외선(EUV; extreme ultra violet) 스캐너에 적용될 수 있다.
여기에 기재된 다양한 실시예 또는 예는 상기 서술된 바와 같이 기존의 기술 이상의 여러 이점을 제공한다. 모든 이점들이 반드시 여기에 설명된 것은 아니고, 어떠한 특정 이점도 모든 실시예 또는 예에 요구되는 것이 아니며, 다른 실시예 또는 예가 다른 이점을 제공할 수 있다는 것을 이해하여야 할 것이다.
본 개시에서는, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계를 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃에 따라 유연하게 설정함으로써, 웨이퍼의 에지 근방의 불충분한 포커스-레벨링 제어에 의해 야기된 “불량” 칩의 갯수를 감소시키는 것이 가능하다.
본 개시의 하나의 양상에 따르면, 노광 장치에서 실행되는 방법에 있어서, 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터가 측정된다. 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노광된다. 복수의 칩 영역이 노광 영역 내에 포함된다. 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광에 있어서, 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터는 포커스-레벨링을 제어하는 데에 사용되지 않는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아니다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 코너를 갖는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 복수의 코너는 90도 코너 및 270도 코너를 포함한다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 칩 영역 중의 일부의 에지를 따라 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 상이한 노광 맵에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 노광 영역에서의 상이한 칩 레이아웃에 대하여 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 상이한 경계가 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계는, 포커스 제어 제외 영역에 대해서는 수행되지 않는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 노광 장치는 광학 스캐너, 광학 스텝퍼, 및 극자외선 스캐너 중의 하나이다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 내에서 설정되고, 웨이퍼의 유효 영역은 원형 형상을 갖고, 웨이퍼의 유효 영역의 직경은 웨이퍼의 직경보다 2-15 mm 더 작다.
본 개시의 다른 양상에 따르면, 노광 장치에서 실행되는 방법에 있어서, 제1 로트의 웨이퍼들에 대하여 제1 노광 맵 및 제1 노광 영역 내의 제1 칩 영역 레이아웃이 획득된다. 제1 노광 맵 및 제1 칩 영역 레이아웃에 기초하여 제1 포커스 제어 유효 영역 및 제1 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 제1 로트의 웨이퍼에 대해 제1 포커스-레벨링 데이터가 측정된다. 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 제1 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노광된다. 제1 로트의 모든 웨이퍼들이 노광된 후에, 제2 로트의 웨이퍼들에 대하여 제2 노광 맵 및 제2 노광 영역 내의 제2 칩 영역 레이아웃이 획득된다. 제2 노광 맵 및 제2 칩 영역 레이아웃에 기초하여 제2 포커스 제어 유효 영역 및 제2 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 제2 로트의 웨이퍼에 대해 제2 포커스-레벨링 데이터가 측정된다. 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 제2 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노광된다. 제1 포커스 제어 유효 영역 및 제1 포커스 제어 제외 영역은 각각 제2 포커스 제어 유효 영역 및 제2 포커스 제어 제외 영역과 상이하다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 제1 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 데에 있어서, 제1 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 제1 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되고, 제2 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 데에 있어서, 제2 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 제2 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 제1 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 제1 포커스-레벨링 데이터는 제1 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 데에 있어서 포커스-레벨링을 제어하는 데에 사용되지 않고, 제2 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 제2 포커스-레벨링 데이터는 제2 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 데에 있어서 포커스-레벨링을 제어하는 데에 사용되지 않는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 제1 포커스 제어 유효 영역과 제1 포커스 제어 제외 영역 간의 제1 경계 및 제2 포커스 제어 유효 영역과 제2 포커스 제어 제외 영역 간의 제2 경계 중의 적어도 하나는 원형이 아니다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 제1 포커스 제어 유효 영역과 제1 포커스 제어 제외 영역 간의 제1 경계 및 제2 포커스 제어 유효 영역과 제2 포커스 제어 제외 영역 간의 제2 경계 중의 적어도 하나는 복수의 코너를 갖는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 복수의 코너는 90도 코너 및 270도 코너를 포함한다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 제1 포커스 제어 유효 영역과 제1 포커스 제어 제외 영역 간의 제1 경계 및 제2 포커스 제어 유효 영역과 제2 포커스 제어 제외 영역 간의 제2 경계는 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 내에서 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 웨이퍼의 유효 영역은 원형 형상을 갖고, 웨이퍼의 유효 영역의 직경은 웨이퍼의 직경보다 2-15 mm 더 작다.
본 개시의 다른 양상에 따르면, 광학 스캐너에서 실행되는 방법에 있어서, 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃이 획득된다. 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 설정된 포커스 제어 유효 영역을 사용하여 광학 스캐너를 사용함으로써 노출 광으로 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노광된다. 복수의 칩 영역이 노광 영역 내에 포함된다. 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광에 있어서, 포커스 제어 유효 영역에서 포커스-레벨링이 제어된다.
본 개시의 다른 양상에 따르면, 광학 스캐너는 투사 렌즈, 포토 레지스트 층으로 코팅된 웨이퍼가 위에 배치되는 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼의 높이 및 틸트를 검출하기 위한 포커스-레벨링 센서, 웨이퍼 스테이지 및 포커스-레벨링 센서를 제어하기 위한 컨트롤러 및 메모리를 포함한다. 메모리는 웨이퍼 세트에 대해 설정된 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 저장하도록 구성된다. 컨트롤러는 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하도록 구성된다. 한 번의 스캔에 대응하는 노광 영역이 광학 스캐너에 의해 설정된다. 복수의 칩 영역이 노광 영역 내에 포함된다. 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광에 있어서, 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터는 사용되지 않는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아니다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 코너를 갖는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 복수의 코너는 90도 코너 및 270도 코너를 포함한다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 칩 영역 중의 일부의 에지를 따라 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 상이한 노광 맵에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 노광 영역에서의 상이한 칩 레이아웃에 대하여 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 상이한 경계가 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 것은, 포커스 제어 제외 영역에 대해서는 수행되지 않는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 내에서 설정되고, 웨이퍼의 유효 영역은 원형 형상을 갖고, 웨이퍼의 유효 영역의 직경은 웨이퍼의 직경보다 2-15 mm 더 작다.
본 개시의 다른 양상에 따르면, 노광 장치는 투사 렌즈, 포토 레지스트 층으로 코팅된 웨이퍼가 위에 배치되는 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼의 높이 및 틸트를 검출하기 위한 포커스-레벨링 센서, 웨이퍼 스테이지 및 포커스-레벨링 센서를 제어하기 위한 컨트롤러, 및 프로그램을 저장한 비일시적 메모리를 포함한다. 프로그램은 컨트롤러의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때, 노광 장치로 하여금, 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 획득하는 단계, 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계, 웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계, 및 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계를 수행하게 한다. 복수의 칩 영역이 노광 영역 내에 포함된다. 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광시키는 단계에서, 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터는 사용되지 않는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아니다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 코너를 갖는다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 칩 영역 중의 일부의 에지를 따라 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 상이한 노광 맵에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 노광 영역에서의 상이한 칩 레이아웃에 대하여 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 상이한 경계가 설정된다. 전술한 실시예 및 다음의 실시예 중의 하나 이상에서, 포커스 제어 유효 영역과 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 내에서 설정되고, 웨이퍼의 유효 영역은 원형 형상을 갖고, 웨이퍼의 유효 영역의 직경은 웨이퍼의 직경보다 2-15 mm 더 작다.
본 개시의 다른 양상에 따르면, 노광 장치는 투사 렌즈, 포토 레지스트 층으로 코팅된 웨이퍼가 위에 배치되는 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼의 높이 및 틸트를 검출하기 위한 포커스-레벨링 센서, 웨이퍼 스테이지 및 포커스-레벨링 센서를 제어하기 위한 컨트롤러, 및 프로그램을 저장한 비일시적 메모리를 포함한다. 프로그램은 컨트롤러의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때, 노광 장치로 하여금, 제1 로트의 웨이퍼들에 대해 제1 노광 맵 및 제1 노광 영역 내의 제1 칩 영역 레이아웃을 획득하는 단계, 제1 노광 맵 및 제1 칩 영역 레이아웃에 기초하여 제1 포커스 제어 유효 영역 및 제1 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계, 제1 로트의 웨이퍼에 대해 제1 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계, 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 제1 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계, 제1 로트의 모든 웨이퍼들이 노광된 후에, 제2 로트의 웨이퍼들에 대해 제2 노광 맵 및 제2 노광 영역 내의 제2 칩 영역 레이아웃을 획득하는 단계, 제2 노광 맵 및 제2 칩 영역 레이아웃에 기초하여 제2 포커스 제어 유효 영역 및 제2 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계, 제2 로트의 웨이퍼에 대해 제2 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계, 및 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 제2 로트의 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계를 수행하게 한다. 제1 포커스 제어 유효 영역 및 제1 포커스 제어 제외 영역은 각각 제2 포커스 제어 유효 영역 및 제2 포커스 제어 제외 영역과 상이하다.
본 개시의 다른 양상에 따르면, 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체는 프로그램을 저장한다. 프로그램은 노광 장치의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때, 노광 장치로 하여금, 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 획득하는 단계를 수행하게 한다. 노광 맵 및 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정된다. 웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터가 측정된다. 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층이 노광된다. 복수의 칩 영역이 노광 영역 내에 포함된다. 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 유효 영역에 포함되고, 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 칩 영역은 포커스 제어 제외 영역에 포함된다. 노광에 있어서, 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어된다.
전술한 바는 당해 기술 분야에서의 숙련자들이 본 개시의 양상을 보다 잘 이해할 수 있도록 여러 실시예 또는 예들의 특징을 나타낸 것이다. 당해 기술 분야에서의 숙련자라면, 여기에서 소개된 실시예 또는 예와 동일한 목적을 수행하고/하거나 동일한 이점을 달성하기 위해 다른 프로세스 및 구조를 설계 또는 수정하기 위한 기반으로서 본 개시를 용이하게 사용할 수 있다는 것을 알아야 한다. 당해 기술 분야에서의 숙련자는 또한, 이러한 등가의 구성이 본 개시의 진정한 의미 및 범위로부터 벗어나지 않으며, 본 개시의 진정한 의미 및 범위에서 벗어나지 않고서 다양한 변경, 치환 및 대안을 행할 수 있다는 것을 알아야 한다.
실시예
실시예 1. 노광 장치에서 실행되는 방법에 있어서,
노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계;
웨이퍼에 대해 포커스-레벨링(focus-leveling) 데이터를 측정하는 단계; 및
상기 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 상기 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계를 포함하고,
복수의 칩 영역이 상기 노광 영역 내에 포함되고,
상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 유효 영역에 포함되고,
상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 제외 영역에 포함되고,
상기 노광시키는 단계에서, 상기 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되는 것인, 방법.
실시예 2. 실시예 1에 있어서, 상기 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터는 포커스-레벨링을 제어하는 데에 사용되지 않는 것인, 방법.
실시예 3. 실시예 2에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아닌 것인, 방법.
실시예 4. 실시예 3에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 코너를 갖는 것인, 방법.
실시예 5. 실시예 4에 있어서, 상기 복수의 코너는 90도 코너 및 270도 코너를 포함하는 것인, 방법.
실시예 6. 실시예 4에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 상기 복수의 칩 영역 중의 일부의 에지를 따라 설정되는 것인, 방법.
실시예 7. 실시예 1에 있어서, 상이한 노광 맵에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정되는 것인, 방법.
실시예 8. 실시예 1에 있어서, 상기 노광 영역에서의 상이한 칩 레이아웃에 대하여 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 상이한 경계가 설정되는 것인, 방법.
실시예 9. 실시예 1에 있어서, 상기 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계는, 상기 포커스 제어 제외 영역에 대해서는 수행되지 않는 것인, 방법.
실시예 10. 실시예 1에 있어서, 상기 노광 장치는 광학 스캐너, 광학 스텝퍼, 및 극자외선 스캐너 중의 하나인 것인, 방법.
실시예 11. 실시예 1에 있어서,
상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 내에서 설정되고,
상기 웨이퍼의 유효 영역은 원형 형상을 갖고,
상기 웨이퍼의 유효 영역의 직경은 상기 웨이퍼의 직경보다 2-15 mm 더 작은 것인, 방법.
실시예 12. 광학 스캐너에 있어서,
투사 렌즈;
포토 레지스트 층으로 코팅된 웨이퍼가 위에 배치되는 웨이퍼 스테이지;
웨이퍼의 높이 및 틸트(tilt)를 검출하기 위한 포커스-레벨링 센서;
상기 웨이퍼 스테이지 및 상기 포커스-레벨링 센서를 제어하기 위한 컨트롤러; 및
메모리를 포함하고,
상기 메모리는 웨이퍼 세트에 대해 설정된 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 저장하도록 구성되고,
상기 컨트롤러는 상기 노광 맵 및 상기 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하도록 구성되고,
한 번의 스캔에 대응하는 노광 영역이 상기 광학 스캐너에 의해 설정되고,
복수의 칩 영역이 상기 노광 영역 내에 포함되고,
상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 유효 영역에 포함되고,
상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 제외 영역에 포함되고,
상기 노광에서, 상기 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되는 것인, 광학 스캐너.
실시예 13. 실시예 12에 있어서, 상기 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터는 사용되지 않는 것인, 광학 스캐너.
실시예 14. 실시예 13에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아닌 것인, 광학 스캐너.
실시예 15. 실시예 12에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 코너를 갖는 것인, 광학 스캐너.
실시예 16. 실시예 12에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 상기 복수의 칩 영역 중의 일부의 에지를 따라 설정되는 것인, 광학 스캐너.
실시예 17. 실시예 12에 있어서, 상이한 노광 맵에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정되는 것인, 광학 스캐너.
실시예 18. 실시예 12에 있어서, 상기 노광 영역에서의 상이한 칩 레이아웃에 대하여 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 상이한 경계가 설정되는 것인, 광학 스캐너.
실시예 19. 실시예 12에 있어서, 상기 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 것이, 상기 포커스 제어 제외 영역에 대해서는 수행되지 않는 것인, 광학 스캐너.
실시예 20. 프로그램을 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체에 있어서, 상기 프로그램은 노광 장치의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때, 상기 노광 장치로 하여금,
노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 획득하는 단계;
상기 노광 맵 및 상기 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계;
웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계; 및
상기 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 상기 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계
를 수행하게 하고,
복수의 칩 영역이 상기 노광 영역 내에 포함되고,
상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 유효 영역에 포함되고,
상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 제외 영역에 포함되고,
상기 노광시키는 단계에서, 상기 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되는 것인, 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.

Claims (10)

  1. 노광 장치에서 실행되는 방법에 있어서,
    노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계;
    웨이퍼에 대해 포커스-레벨링(focus-leveling) 데이터를 측정하는 단계; 및
    상기 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 상기 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계를 포함하고,
    복수의 칩 영역이 상기 노광 영역 내에 포함되고,
    상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 유효 영역에 포함되고,
    상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 제외 영역에 포함되고,
    상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아니고,
    상기 노광시키는 단계에서, 상기 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 포커스 제어 제외 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터는 포커스-레벨링을 제어하는 데에 사용되지 않는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 복수의 코너를 갖는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 상기 복수의 칩 영역 중의 일부의 에지를 따라 설정되는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상이한 노광 맵에 대하여 상이한 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역이 설정되는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 노광 영역에서의 상이한 칩 레이아웃에 대하여 상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 상이한 경계가 설정되는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계는, 상기 포커스 제어 제외 영역에 대해서는 수행되지 않는 것인, 노광 장치에서 실행되는 방법.
  9. 광학 스캐너에 있어서,
    투사 렌즈;
    포토 레지스트 층으로 코팅된 웨이퍼가 위에 배치되는 웨이퍼 스테이지;
    웨이퍼의 높이 및 틸트(tilt)를 검출하기 위한 포커스-레벨링 센서;
    상기 웨이퍼 스테이지 및 상기 포커스-레벨링 센서를 제어하기 위한 컨트롤러; 및
    메모리를 포함하고,
    상기 메모리는 웨이퍼 세트에 대해 설정된 노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 저장하도록 구성되고,
    상기 컨트롤러는 상기 노광 맵 및 상기 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하도록 구성되고,
    한 번의 스캔에 대응하는 노광 영역이 상기 광학 스캐너에 의해 설정되고,
    복수의 칩 영역이 상기 노광 영역 내에 포함되고,
    상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 유효 영역에 포함되고,
    상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 제외 영역에 포함되고,
    상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아니고,
    상기 노광에서, 상기 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되는 것인, 광학 스캐너.
  10. 프로그램을 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체에 있어서, 상기 프로그램은 노광 장치의 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때, 상기 노광 장치로 하여금,
    노광 맵 및 노광 영역 내의 칩 영역 레이아웃을 획득하는 단계;
    상기 노광 맵 및 상기 칩 영역 레이아웃에 기초하여 포커스 제어 유효 영역 및 포커스 제어 제외 영역을 설정하는 단계;
    웨이퍼에 대해 포커스-레벨링 데이터를 측정하는 단계; 및
    상기 노광 장치를 사용함으로써 노출 광으로 상기 웨이퍼 상의 포토 레지스트 층을 노광시키는 단계
    를 수행하게 하고,
    복수의 칩 영역이 상기 노광 영역 내에 포함되고,
    상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역이 웨이퍼의 유효 영역 내에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 유효 영역에 포함되고,
    상기 복수의 칩 영역 중의 칩 영역의 일부나 전부가 상기 웨이퍼의 유효 영역의 둘레 상에 또는 밖에 위치될 때, 상기 칩 영역은 상기 포커스 제어 제외 영역에 포함되고,
    상기 포커스 제어 유효 영역과 상기 포커스 제어 제외 영역 간의 경계는 원형이 아니고,
    상기 노광시키는 단계에서, 상기 포커스 제어 유효 영역에서 측정된 포커스-레벨링 데이터를 사용함으로써 포커스-레벨링이 제어되는 것인, 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.
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