CN103513516B - 曝光方法、曝光装置以及光掩模 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种曝光方法、曝光装置以及光掩模，该曝光方法包括：利用包括曝光图案的光掩模将多个曝光图案曝光到晶片上作为第一图案，其中所述曝光图案包括布置于其中的芯片图案；将光掩模对准在晶片上，使得所述曝光图案的第一区域与所述第一图案重叠，使得除所述曝光图案的所述第一区域之外的第二区域在所述第一图案的外部，以及使得芯片连续地布置在所述第一图案和所述第二区域中；利用已经对准在晶片上的光掩模调整晶片上的聚焦；以及为所述第一区域遮住光并且将所述第二区域的图案曝光到晶片上作为第二图案。本发明能够提高晶片上的调焦精度。

Description

曝光方法、曝光装置以及光掩模

技术领域

本文描述的实施例的一个特定方案涉及一种曝光方法、曝光装置以及光掩模。

背景技术

诸如半导体元件的电子器件的制造工艺包括曝光步骤。在曝光步骤中，采用光刻胶涂敷晶片，然后曝光装置将光掩模的图案转移到光刻胶。将光掩模的图案缩小并曝光到晶片上的缩小曝光（reduction exposure）装置被称为曝光装置。以一次曝光（one-shot）方式曝光光掩模图案的步进机和扫描曝光区域的扫描机已被公知作为缩小曝光装置。掩膜版（reticle）被称为光掩模。

当被曝光装置曝光的区域包括晶片外部的区域时，日本特开专利5-304075公开了第一种方法，获取晶片内部的聚焦数据，并曝光包括晶片外部区域的区域。日本特开专利2009-88549公开了第二种方法，使用具有两个或更多区域的光掩模，并采用光掩模的适当区域曝光晶片的中心部分和边缘部分。日本特开专利2000-82649和9-22863公开了第三种方法，为在晶片的边缘部分处出现曝光图案（shot pattern）缺失的区域遮住光，以避免晶片边缘部分处缺失曝光图案。

发明内容

基于上述情况提出本发明，本发明的目的是提供一种曝光方法、一种曝光装置以及一种能够提高晶片上的聚焦精度的光掩模。

根据本发明的一个方案，提供一种曝光方法包括：利用包括曝光图案（shot pattern，一次投影曝光图案）的光掩模，将多个曝光图案曝光到晶片上作为第一图案，其中所述曝光图案包括布置于其中的多个芯片图案；将所述光掩模对准在晶片上，使得曝光图案的第一区域与第一图案重叠，使得除曝光图案的第一区域之外的第二区域在第一图案的外部，以及使得多个芯片图案连续地布置在第一图案和第二区域中；利用已经对准在晶片上的光掩模调整晶片上的聚焦；以及为第一区域遮住光并且将第二区域的图案曝光到晶片上作为第二图案。

根据本发明的一个方案，提供一种光掩模，包括:以第一方向和与第一方向相交的第二方向中的至少一个方向布置的相同（identical）的多个芯片图案；布置在多个芯片图案之间并且包括具有监测图案形成在里面的第一划片图案；以及不具有监测图案形成在里面的第二划片图案。

根据本发明的一个方案，提供一种曝光装置，包括：曝光单元，利用包括曝光图案的光掩模将图案曝光到晶片上，其中所述曝光图案包括布置在其中的芯片图案；调整单元，调整晶片上的聚焦；控制器，控制曝光单元以将多个曝光图案曝光到晶片上作为第一图案，控制调整单元利用已经对准在晶片上的光掩模调整聚焦，使得曝光图案的第一区域与第一图案重叠，使得除曝光图案的第一区域之外的第二区域在第一图案的外部，以及使得芯片图案连续地布置在第一图案和第二区域中，以及控制曝光单元为第一区域遮住光并且将第二区域的图案曝光到晶片上作为第二图案。

附图说明

图1是曝光装置的结构示意图；

图2A示出曝光图案在晶片中的布置，以及图2B示出芯片图案在曝光图案中的布置；

图3是晶片边缘部分处的图案的俯视图；

图4A至图4C是示出用于在对曝光图案进行曝光之前调整聚焦的方法的俯视图；

图5是另外示出在图3中示出的图案中的感测点的示意图；

图6A至图6C是示出根据第一实施例的曝光方法的示意图；

图7是示出曝光图案的示意图；

图8A至图8C是示出根据第一实施例的第一变形的曝光方法的示意图；

图9A和9B示出其他示例性的曝光图案；

图10是示出第一实施例的第一变形的用于创建曝光工艺配方（recipe）的处理的流程图；

图11是示出晶片中地图的示意图；

图12A和图12B是示出第一实施例的第一变形的由曝光装置执行的处理的流程图；以及

图13A和图13B是示出第一实施例的第二变形的由曝光装置执行的处理的流程图。

具体实施方式

第一种方法在聚焦数据的获取与曝光之间移动晶片，这样会导致错误的聚焦。第二种方法在曝光晶片的中心部分时不能使光掩模的区域较大。这降低产量。第三种方法虽然能够抑制在晶片边缘部分处曝光图案的缺失，但降低在晶片边缘部分处的聚焦精度。

首先描述作为示例性曝光装置的缩小曝光（reduction exposure）装置。图1是曝光装置的方框图。曝光装置100包括光源50、照明光学系统52、中继光学系统54、掩蔽件（blind）56、反光镜58、掩膜版台（reticle stage）62、投影光学系统64、晶片台68、自动聚焦传感器70、驱动系统72以及控制器74。光源50是例如KrF或ArF激光器。照明光学系统将光源50发出的光束在掩蔽件57处聚焦形成图像。照明光学系统将光源50发出的光线转换成均匀的曝光照明光。照明光被掩蔽件56阻挡以曝光一部分掩膜版60。中继光学系统54在掩膜版60处形成掩蔽件56的图像。反光镜58反射通过中继光学系统54传递的光束。如上所述，通过掩蔽件56传递的照明光被通过中继光学系统54传递，被反光镜58反射，并且照射掩膜版60。掩膜版台62支撑掩膜版60。投影光学系统64将掩膜版60的图像形成到晶片66上。晶片台68支撑晶片66。自动聚焦传感器70检测聚焦位置。驱动系统72驱动晶片台68。控制器74控制掩蔽件56、掩膜版台62以及驱动系统72。控制器74是例如微处理器的处理器。例如，光源50、照明光学系统52、中继光学系统54、掩蔽件56、反光镜58、掩膜版台62、投影光学系统64、晶片台68以及驱动系统72起到曝光单元的作用。此外，晶片台68、自动聚焦传感器70以及驱动系统72起到调整单元的作用。

图2A示出晶片中曝光图案（shot pattern）的布置，并且图2B示出曝光图案中芯片图案的布置。如图2A所示，用于指示晶片10的晶向的定位槽11形成在晶片10中。晶片10具有例如12、8或6寸的直径。晶片的直径10不限于上述的那些。有效区域20位于晶片10内。有效区域20是能确保材料（如硅）的物理属性和晶片10中顶表面平坦度的区域，在有效区域20内制造的芯片被处理为产品，而在有效区域20之外制造的芯片不能保证产品的性能。有效区域20的外部边缘位于晶片的外部边缘之内的几个微米。曝光图案12以X方向（第一方向）和Y方向（与第一方向相交的第二方向）布置在晶片10上。曝光图案12也位于有效区域20之外晶片10的边缘部分处。图2A示出在晶片10上曝光的图案，甚至示出晶片10外部的曝光图案12。

如图2B所示，芯片图案14以X方向和Y方向布置在曝光图案12中。如果芯片图案14以X方向和Y方向中的至少一个方向布置，则也是足够的。芯片图案14是相同的芯片图案，例如具有相同的芯片尺寸。划片图案16形成在芯片图案14之间。通过划片图案16形成的划片是切除芯片的区域。图2B中所示的曝光图案刻画在光掩模（例如掩膜版）上。曝光装置100将掩膜版60的曝光图案转移到晶片10上的光刻胶。以上工艺在晶片10上形成图2B中所示的曝光图案12。曝光图案12例如具有25mm×25mm的最大尺寸，或25mm×34mm的最大尺寸。曝光图案12的尺寸不限于以上尺寸。芯片图案14具有例如几个微米×几个微米的尺寸，并且该尺寸根据要制造的器件的电路尺寸得以确定。划片图案16具有例如40至100μm的宽度。以上尺寸是在晶片10上的尺寸，当使用缩小曝光装置时，掩膜版60上的尺寸根据缩小比率而大于晶片20上的尺寸。

图3是晶片在边缘部分处图案的俯视图。如图3所示，曝光图案12以X方向和Y方向布置。曝光图案12不互相重叠，并且包括以规律的间隔布置的芯片图案14。由芯片图案14形成并包括有效区域20外部的区域的区域22，是用交叉阴影线标出。图3示出曝光到晶片10上的图案，甚至还示出了晶片10外部的曝光图案12和芯片图案14。也同样适用于下文中的附图。

图4A至4C是示出用于对曝光图案（shot pattern）进行曝光（exposure）之前调整聚焦的方法的俯视图。如图4A所示，当曝光装置是扫描器时，区域30a至区域30C是狭缝区域。例如，曝光装置100依次曝光区域30a、30b和30c。感测点24a至24c是通过自动聚焦传感器70检测聚焦条件的点。感测点24a至24c以X方向和Y方向布置在曝光图案12中。虽然示出了3×3的感测点24a至24c，但是感测点24a至24c的数目不限于此。在曝光装置执行曝光之前，自动聚焦传感器70检测感测点24a至24c的聚焦条件。控制器74基于自动聚焦传感器70的检测结果调整晶片66上的聚焦。为了调整聚焦，通过用驱动系统72改变晶片台68的整个水平度（level）和晶片台68的倾斜度（tilt）调整晶片66的整个水平度和倾斜度。

如图4A所示，当整个曝光图案12在有效区域内时，控制器74能够采用所有感测点24a至24c的检测结果调整晶片上的聚焦。如图4B所示，当一半或多于一半的曝光图案12在有效区域内并且余下的区域22是在有效区域外部时，在区域22中不能检测到聚焦条件。因此，控制器74采用一部分感测点24a至24c的检测结果调整晶片10上的聚焦。由于感测点24a至24c的数目减少，而使得调焦精度变差。然而，如果在X方向和Y方向都存在有效的感测点24，则聚焦能够被调整。如图4C所示，当大部分曝光图案12在X方向上处于有效区域外部的区域22中时，在X方向上的有效感测点24的数目仅是一个。因此，晶片10的调焦和调平（leveling）是困难的。在X方向上晶片10的调平尤其困难。如上所述，当有效感测点24a至24c的数目在X方向和Y方向的至少之一上是一个或更少时，晶片10的调焦和调平是困难的。

图5是额外示出图3中示出的图案中感测点的示意图。如图5所示，曝光图案12a在有效区域20内具有芯片图案14a，并且曝光图案12b在有效区域20内具有芯片图案14b。但是，在有效区域20内的感测点数目是一个或三个。因而，当对曝光图案12a和曝光图案12b进行曝光时，调平是困难的。如果芯片图案14a和14b不能被曝光，从晶片10得到的芯片数目减少，芯片产率下降。将描述解决上述问题的实施例。

[第一实施例]

图6A至图6C是示出根据第一实施例的曝光方法的示意图。如图6A所示，被称为第一图案是曝光图案12，其被曝光为使得曝光图案12内的芯片图案14互相之间不重叠。当曝光芯片图案14a和14b时，曝光图案26a和26b被移位使得它们一部分与第一图案重叠。例如，曝光图案26a和26b朝着晶片10的内部移位，使得在有效区域20内的除芯片图案14a和14b之外的芯片图案与第一图案重叠。例如，如箭头32a所示，曝光图案26a向下移位了三个芯片位置，并且向左移位了六个芯片位置。如箭头32b所示，曝光图案26b向左移位六个芯片位置。通过移动晶片台68来移位曝光图案26a和26b。

在曝光图案26a和26b中与第一图案重叠的区域分别被称为第一区域28a和28b。除第一区域之外的区域被称为第二区域。第一图案和第二区域被布置成使得芯片图案14以规律的间隔布置。此外，第一图案与第一区域之间的边界位于划片图案16中。这是因为，在划片图案16中，曝光第一图案和第二区域中的曝光位移（displacement）小，掩蔽件56的移动精度高，并且从掩蔽件56的边缘来的光的影响小。第二区域包括有效区域20内的芯片图案14a和14b。此外，第一区域28a和28b包括有效区域20内的芯片图案。例如，有效区域20包括第一区域28a和28b。

如图6B所示，在曝光图案26a和26b中的第一区域28a和28b被掩蔽件56遮住。在曝光图案26a和26b内的感测点24处检测聚焦条件。进行调焦和调平。如图6C所示，采用曝光图案26a和26b中被掩蔽件56遮住的第一区域28a和28b进行曝光。第一区域28a和28b被遮住光的原因是避免第一区域28a和28b被曝光两次。如果曝光两次，它们会被过度曝光。此外，图案会被二次曝光轻微地移位。

在对图6A至图6C的描述中，同时对曝光图案26a和26b进行处理，但是可以首先对曝光图案26a执行图6A至图6C中描述的处理。然后，可以对曝光图案26a执行图6A至图6C中描述的处理。如上所述，在有效区域20内甚至在晶片10的边缘部分处的曝光图案26a和26b中检测聚焦条件，这样能够提高调焦精度和调平精度。

现在将描述第一实施例的第一变形，其是在划片图案中形成监测图案。图7是曝光图案的示意图。如图7所示，监测图案17形成在划片图案16中。里面形成有监测图案17的区域采用交叉阴影示出。监测图案17是用于检查电性、薄膜的膜厚以及蚀刻深度和尺寸的图案，并且是对准标记。监测图案17形成在划片图案16a中，但监测图案17不形成在划片图案16b中。掩蔽件56的移动精度是不利的。此外，光线从掩蔽件56泄漏到掩蔽件56的四周。来自掩蔽件56的光线会导致监测图案17不能被正常曝光。因此，监测图案17优选不形成在第一图案与第二区域之间的边界（即被掩蔽件56遮住光的边界）所位于的划片图案16中。

图8A至图8C是示出第一实施例的第一变形的曝光方法的示意图。如图8A所示，当使用图7中示出的曝光图案且以如图6A所示布置曝光图案26b时，第一图案与第二区域之间的边界位于里面形成有监测图案17的划片图案16a中。这样，曝光图案26b从图6A中示出的位置向右移位一个芯片位置。这允许第一图案与第二区域之间的边界将会位于里面没有形成监测图案17的划片图案16b中。另一方面，当如图6A所示布置曝光图案26a时，第一图案与第二区域之间的边界位于里面没有形成监测图案17的划片图案16b中。因而，不移位曝光图案26a。

如图8B所示，然后，在曝光图案26a和26b中的第一区域28a和28b被掩蔽件56遮住。在曝光图案26a和26b内的感测点24处检测聚焦条件。进行调焦和调平。如图8C所示，掩蔽件56为曝光图案26a和26b中的第一曝光区域28a和28b遮住光。以上述的状态下进行曝光。

图9A和图9B示出其它示例性的曝光图案。如图9A和图9B所示，可以任意布置里面形成有监测图案17的划片图案16a和里面没有形成监测图案17的划片图案16b。

图10是示出第一实施例的第一变形的用于创建曝光工艺配方（recipe）的工艺流程图。图11是示出晶片中地图的示意图。如图10所示，确定芯片尺寸（步骤S10）。然后确定曝光尺寸（shot size）（步骤S12）。第一图案的布置被创建为曝光地图（shot map）（步骤S14）。如图11所示，具有在有效区域内所有感测点的曝光图案12布置在晶片10中。第一图案34（由交叉阴影线示出）形成在晶片10中使得以X方向和Y方向布置的曝光图案12不互相重叠并且芯片图案以规律的间隔布置。

回到图10，确定发生曝光图案12移位的边缘部分处的曝光图案。如图11所示，位于第一曝光图案34外部并且具有在有效区域20内的芯片图案14的曝光图案12被确定为边缘部分处的曝光图案36（采用X标记示出）。

回到图10，确定在边界处的划片图案（步骤S18）。如图6A所示，如同（as with）向左移位七个芯片位置的曝光图案26b，确定第一图案34与第二区域之间的边界将位于的划片图案。

确定所确定的划片图案是否为里面形成有监测图案的划片图案（步骤S60）。当确定为“是”时，边界被移位以便于位于相邻的划片图案中（步骤S62），并且该处理回到步骤S60。当在步骤S60确定为“否”时，该处理移动到步骤S24。在图6A和图7的情况下，所确定的划片图案16是里面形成有监测图案的划片图案16a。因而，在步骤S60的确定变为“是”。在步骤S62，如图8A所示，曝光图案26b向右移位一个芯片位置。如图8A和图7所示，所确定的划片图案16是不具有形成在里面的监测图案的划片图案16b。因而，在步骤S60处的确定变为“否”。

确定是否确定在边缘部分处曝光图案36的边界将位于的所有划片图案16（步骤S24）。在“是”的情况下，该处理结束。在“否”的情况下，选择在边缘部分处的下一个曝光图案36（步骤S22），并且该处理回到步骤S16。如上所述，确定在边缘部分处曝光图案36的边界所位于的划片图案16。

图12A和图12B是示出由第一实施例的第一变形的曝光装置执行的处理的流程图。图12B是示出图12A中步骤S36的详细流程图。如图12A所示，控制器74控制晶片传送机构以将晶片传送到晶片台68（步骤S30）。控制器74控制对准结构进行整片对准（global alignment）。整片对准是对十个晶片一起作为一个单元执行的对准。

控制器74控制曝光单元曝光第一图案（步骤S34）。控制器74控制晶片台68相对于在图11中的第一图案中的每个曝光图案12进行移位。控制器74控制调整单元以根据感测点24的聚焦条件进行晶片台68的调焦和调平。控制器74控制曝光单元对曝光图案12进行曝光。

控制器74控制曝光单元以在边缘部分处对曝光图案36中的一个进行曝光（步骤S36）。控制器74决定处理是否结束（步骤S38）。例如，当在边缘部分处的所有曝光图案36都被曝光时，确定变成“是”，处理结束。在“否”的情况下，处理回到步骤S36以曝光在步骤S40选择的边缘部分处的下一个曝光图案。

如图12B所示，在步骤S36，控制器74控制晶片台68移位如图8A所示的曝光图案26a或26b（步骤S50）。如图8B所示，控制器74然后驱动掩蔽件56（步骤S52）。控制器74控制调整单元基于至少一部分感测点24处检测的聚焦条件的检测结果进行调焦（步骤S54）。如图8C所示，控制器74在这种状态下进行曝光（步骤S58）。然后，处理结束，并且回到图12A中的步骤S38。

图13A和图13B是示出第一实施例的第二变形的由曝光装置执行的处理的流程图。图13B是示出图13A中步骤S70的详细流程图。如图13A所示，在第一图案被曝光之后（步骤S34），控制器74控制曝光单元曝光在边缘部分处的一组曝光图案（步骤S70）。这组曝光图案通过将采用同一掩蔽件配置进行曝光的曝光图案36归为一组而形成。控制器确定处理是否结束（步骤S38）。在“是”的情况下，处理结束。在“否”的情况下，处理回到步骤S70以采用下一个掩蔽件配置曝光在步骤S40中选择的在边缘部分处的下一组曝光图案。其他步骤与图12A中那些相同，因此，省略对其的描述。

如图13B所示，控制器74驱动掩蔽件56（步骤S52）。控制器74控制晶片台68移位（步骤S50）。控制器74控制调整单元执行调焦（步骤S54）。控制器74控制曝光单元进行曝光（步骤S58）。控制器74确定处理是否结束。在“是”的情况下，处理回到图13A中的步骤S38。在“否”的情况下，控制器74控制晶片台68移位到在步骤S47选择的在边缘部分处的下一个曝光图案，并且回到步骤S50控制曝光单元进行曝光。

如上所述，第一实施例的第二变形曝光连续地采用同一掩蔽件布置将要被曝光的曝光图案。当移动掩蔽件56花费的时间多于移动晶片台68的时间时，第一实施例的第二变形是有效的。

第一实施例和其变形采用具有包括如图2B所示布置的芯片图案14的曝光图案12的光掩模。如在图12A中步骤S34中的描述，曝光图案12被曝光到晶片10上作为第一图案。如图6A和8A所示，光掩模在晶片上被对准使得芯片图案14在第一图案34和除第一区域28a或28b之外的第二区域中以规律的间隔被连续地布置。此时，使得曝光图案26a或26b的第一区域28a或28b与第一图案34重叠，并且使在曝光图案26a或26b中除第一区域之外的第二区域在第一图案34的外部。如图6B和8B所示，调整晶片10上的聚焦。如图6C和图8C所示，对第一区域28a或28b遮住光，将第二区域的图案曝光到晶片10上作为第二图案。

因为在有效区域内甚至在晶片边缘部分处的聚焦条件被检测，所以上述处理能够提高调焦精度。

另外，如图2B所示，光掩模包括芯片图案14之间的划片图案。如图6A和8B所示，第一区域和第二区域之间的边界位于划片图案16中。这允许划片图案16降低由二次曝光导致的图案位移。

此外，如图7所示的第一实施例的第一变形，划片图案16包括具有监测图案17形成于里面的划片图案16a和不具有监测图案17形成于里面的划片图案16b。如图8A所示，第一区域和第二区域之间的边界位于第二划片图案16b中。这抑制在监测图案处由二次曝光引起的图案位移。

第一实施例的第二变形对具有相同形状第一区域的曝光图案执行下面的步骤，来代替图13B中驱动掩蔽件以阻挡光的步骤S50至S58。在晶片上对准光掩模，然后调整晶片上的聚焦，并且为第一区域遮住光。然后将第二区域的图案曝光到晶片上作为第二图案。当移动掩蔽件56花费的时间多于移动晶片台68的时间时，上述处理能够减少曝光时间。

这里引用的所有示例和假设性的语言是用于教导目的以帮助读者理解由发明人为发展现有技术所贡献的发明和构思，并被解释为不受这些特别引用的示例和条件的限制，也不是在说明书中涉及表现本发明的优劣的这些示例的组织。尽管已经详细地描述了本发明的实施例，但是应理解到在不背离本发明的精神和范围内可作出此发明的各种变化、替换和更改。

Claims (9)

1.一种曝光方法，包括：

利用包括曝光图案的光掩模，将多个所述曝光图案曝光在晶片上作为第一图案，其中所述曝光图案包括布置于其中的多个芯片图案；

其特征在于，该方法还包括：

将所述光掩模对准在所述晶片上，使得所述曝光图案的第一区域与所述第一图案重叠，使得不同于所述曝光图案的所述第一区域的第二区域在所述第一图案的外部，以及使得多个芯片图案连续地布置在所述第一图案和所述第二区域中；

利用已经对准在所述晶片上的光掩模调整在晶片上的聚焦；以及

为所述第一区域遮住光，并且将所述第二区域的图案曝光到所述晶片上作为第二图案。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中

所述光掩模包括在所述芯片图案之间的划片图案，以及

所述第一区域与所述第二区域之间的边界位于所述划片图案中。

3.根据权利要求2的曝光方法，其中

所述划片图案包括具有监测图案形成在里面的第一划片图案和不具有监测图案形成于在里面的第二划片图案，以及

所述第一区域与所述第二区域之间的边界位于所述第二划片图案中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光方法，其中

对包括具有相同形状第一区域的多个曝光图案执行所述将所述光掩模对准在所述晶片上、所述调整在所述晶片上的聚焦、所述为所述第一区域遮住光以及所述将所述第二区域的图案曝光到所述晶片上作为第二图案。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光方法，其中

所述多个芯片图案是相同的芯片图案，以及

所述多个芯片图案以第一方向和与所述第一方向相交的第二方向中的至少一个方向布置在所述曝光图案中。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光方法，其中

将所述第一图案曝光到所述晶片上使得以第一方向和与所述第一方向相交的第二方向布置的多个所述曝光图案不互相重叠，以及所述多个芯片图案以规律的间隔布置。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光方法，其中

所述第二区域包括在所述晶片的有效区域内的芯片图案。

8.根据权利要求7所述的曝光方法，其中

所述第一区域包括在有效区域内的芯片图案。

9.一种曝光装置，包括：

曝光单元，利用包括曝光图案的光掩模将图案曝光到晶片上，其中所述曝光图案包括布置于其中的多个芯片图案；

其特征在于，该装置还包括：

调整单元，调整在晶片上的聚焦；以及

控制器，控制所述曝光单元将多个所述曝光图案曝光到晶片上作为第一图案，控制所述调整单元利用已经对准在所述晶片上的光掩模调整聚焦，使得所述曝光图案的第一区域与所述第一图案重叠，使得不同于所述曝光图案的所述第一区域的第二区域在所述第一图案的外部，并且使得多个芯片图案连续地布置在所述第一图案和所述第二区域中，以及控制所述曝光单元为所述第一区域遮住光并且将所述第二区域的图案曝光到晶片上作为第二图案。