KR101816857B1 - 리소그래피 장치를 위한 캘리브레이션 장치 및 조정 방법 - Google Patents

리소그래피 장치를 위한 캘리브레이션 장치 및 조정 방법 Download PDF

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Abstract

캘리브레이션 장치가 제공된다. 캘리브레이션 장치는 패터닝된 층을 갖는 기판을 지지하도록 구성된 웨이퍼 캐리어를 포함한다. 패터닝된 층은 제1 노출 영역 및 잔여 노출 영역을 포함하고, 각각의 제1 및 잔여 노출 영역은 제1 검사 마크를 포함한다. 캘리브레이션 장치는 제1 노출 영역의 제1 검사 마크를 측정함으로써 제1 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 노출값을 얻도록 구성된 측정 디바이스를 또한 포함한다. 캘리브레이션 장치는 제1 노출값 및 표준 파일에 따라 잔여 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 계산된 값을 계산하도록 구성된 프로세싱 모듈을 또한 포함한다. 조명 디바이스는 리소그래피 프로세스 중에 제1 계산된 값에 따라 리소그래피 장치의 조정 디바이스에 의해 조정된다.

Description

리소그래피 장치를 위한 캘리브레이션 장치 및 조정 방법 {A CALIBRATION APPARATUS AND AN ADJUSTMENT METHOD FOR A LITHOGRAPHY APPARATUS}
반도체 디바이스는 퍼스널 컴퓨터, 휴대폰, 디지털 카메라, 및 다른 전자 장비와 같은 다양한 전자 용례에 사용된다. 반도체 디바이스는 통상적으로 웨이퍼 위에 재료의 절연층 또는 유전층, 도전층 및 반도체층을 순차적으로 증착하고, 리소그래피 프로세스를 사용하여 다양한 재료층을 패터닝하여 그 위에 회로 부품 및 소자를 형성함으로써 제조된다. 다수의 집적 회로는 통상적으로 단일의 웨이퍼 상에 제조되고, 웨이퍼 상의 개별 다이는 스크라이브 라인을 따라 집적 회로들 사이에서 톱절단(sawing)에 의해 싱귤레이션된다. 개별 다이는 예를 들어, 통상적으로 개별적으로, 멀티칩 모듈로, 또는 다른 유형의 패키징으로 패키징된다.
리소그래피 프로세스에서, 포토레지스트가 웨이퍼에 도포되고, 포토레지스트는 반도체 제조 프로세스에서 패턴을 형성하도록 노출되어 현상된다. 이들 현상된 패턴은 이제 매우 미세한 상세를 갖고, 몇몇 문제점이 리소그래피 프로세스 중에 현상된 포토레지스트에 불만족스러운 결함을 유발할 수도 있다.
리소그래피 장치를 위한 현존하는 디바이스는 이들의 의도된 목적을 위해 일반적으로 적절하지만, 모든 관점에서 완전히 만족스럽지는 않다. 따라서, 리소그래피 프로세스 중에 웨이퍼의 포토레지스트의 품질을 향상시키기 위한 해결책을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 양태는 첨부 도면과 함께 숙독될 때 이하의 상세한 설명으로부터 가장 양호하게 이해된다. 산업 분야에서 표준 실시에 따르면, 다양한 특징들은 실제 축적대로 도시되어 있지 않다는 것이 주목되어야 한다. 실제로, 다양한 특징들의 치수는 설명의 명료화를 위해 임의로 증가되거나 감소될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 노출 프로세스의 중간 스테이지 중에 노출 장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 노출 방법의 흐름도.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 캘리브레이션 장치의 개략도.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 캘리브레이션 장치 및 노출 장치의 시스템 다이어그램.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표준 웨이퍼의 평면도.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 조정 방법의 흐름도.
이하의 개시내용은 제공된 요지의 상이한 특징을 구현하기 위한 다수의 상이한 실시예, 또는 예를 제공한다. 구성요소 및 배열의 특정 예가 본 개시내용을 간단화하기 위해 이하에 설명된다. 이들은 물론 단지 예일뿐이고, 한정이 되도록 의도된 것은 아니다. 예를 들어, 이어지는 설명에서 제2 특징부 위에 또는 상에 제1 특징부의 형성은 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수도 있고, 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하지 않을 수도 있도록 부가의 특징부가 제1 및 제2 특징부 사이에 형성될 수도 있는 실시예를 또한 포함할 수도 있다. 게다가, 본 개시내용은 다양한 예에서 도면 부호 및/또는 문자를 반복할 수도 있다. 이 반복은 간단화 및 명료화를 위한 것이고, 자체로 설명된 다양한 실시예 및/또는 구성 사이의 관계를 지시하는 것은 아니다.
또한, "밑", "아래", "하부", "위", "상부" 등과 같은 공간적 상대 용어가 도면에 도시되어 있는 바와 같이 다른 요소(들) 또는 특징부(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징부의 관계를 설명하기 위해 용이한 설명을 위해 본 명세서에 설명될 수도 있다. 공간적 상대 용어는 도면에 도시되어 있는 배향에 추가하여 사용 또는 동작시에 디바이스의 상이한 배향을 포함하도록 의도된다. 장치는 다른 방식으로 배향될 수도 있고(90도 회전되거나 다른 배향에 있음), 본 명세서에 사용된 공간적 상대 기술자(descriptor)가 마찬가지로 이에 따라 해석될 수도 있다.
실시예의 몇몇 변형예가 설명된다. 다양한 도면 및 예시적인 실시예의 전체에 걸쳐, 유사한 도면 부호가 유사한 요소를 나타내는 데 사용된다. 부가의 동작이 방법 전, 중 및 후에 제공될 수 있고, 설명된 동작들의 일부는 방법의 다른 실시예에 대해 대체되거나 제거될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
캘리브레이션 장치 및 조정 방법이 제공된다. 캘리브레이션 장치는 웨이퍼의 측정 결과에 따라 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 조정하도록 구성된다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼를 측정하기 위해 요구되는 시간은 감소된다. 따라서, 조명 디바이스의 조정을 위한 웨이퍼의 측정은 더 빈번하게 프로세싱될 수 있다. 웨이퍼의 결함은 감소되고, 웨이퍼의 수율이 향상된다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 리소그래피 장치(A1)의 개략도이다. 몇몇 실시예에서, 리소그래피 장치(A1)는 액침 리소그래피(immersion lithography) 장치이다. 리소그래피 장치(A1)는 코팅 장치(A10), WEE(wafer-edge exposure: 웨이퍼 에지 노출) 장치(A20), 이면 처리 장치(A30), 노출 장치(A40), 및 현상 장치(A50)와 같은 다수의 장치를 포함한다.
코팅 장치(A10)는 코팅 프로세스에 의해 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하도록 구성된다. 웨이퍼는 코팅 프로세스 후에 WEE 장치(A20)에 전달된다.
WEE 장치(A20)는 WEE 프로세스에 의해 웨이퍼의 에지에서 포토레지스트를 제거하도록 구성된다. 그 후에, 웨이퍼는 WEE 프로세스 후에 이면 처리 장치(A30)에 전달된다. 이면 처리 장치(A30)는 이면 세척 프로세스에 의해 웨이퍼의 이면을 세척하도록 구성된다.
웨이퍼는 이면 세척 프로세스 후에 노출 장치(A40)에 전달된다. 노출 장치(A40)는 노출 프로세스에 의해 포토레지스트 상에 패턴을 형성하도록 구성된다. 마지막으로, 웨이퍼는 노출 프로세스 후에 현상 장치(A50)에 전달된다. 현상 장치(A50)는 현상 프로세스에 의해 노출된 포토레지스트에 레지스트 패턴을 현상하도록 구성된다. 그 후에, 웨이퍼는 에칭 장치 또는 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 장치와 같은 다른 반도체 장치에 전달된다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 노출 프로세스의 중간 스테이지 중에 노출 장치(A40)의 개략도이다. 노출 장치(A40)는 광원(A41), 조명 디바이스(A42), 포토마스크(A43), 대물 렌즈 모듈(A44), 웨이퍼 캐리어(A45), 및 유체 보유 디바이스(A46)를 포함한다. 광원(A41)은 조명 디바이스(A42) 위에 위치된다. 광원(A41)은 광빔(E1)을 조명 디바이스(A42)에 방출하도록 구성된다.
몇몇 실시예에서, 광원(A41)은 약 436 nm(G-라인) 또는 약 365 nm(I-라인)의 파장을 갖는 수은 램프, 약 248 nm의 파장을 갖는 크립톤 플루오라이드(KrF) 엑시머 레이저, 약 193 nm의 파장을 갖는 아르곤 플루오라이드(ArF) 엑시머 레이저, 약 157 nm의 파장을 갖는 플루오라이드(F2) 엑시머 레이저, 또는 원하는 파장(예를 들어, 대략 100 nm 미만)을 갖는 다른 광원이다.
광원의 상기 설명에서, 각각의 광원은 정확한 단일의 파장보다는, 특정 파장 분포, 또는 라인폭을 가질 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 수은 램프의 I-라인(예를 들어, 365 nm) 파장은 정확하게 365 nm가 아닐 수도 있지만, 365 nm 상하로 확장하는 다양한 파장의 범위를 갖는 대략 365 nm에 중심설정될 수도 있다. 이 범위는 더 얇은 라인폭을 생성하는 원하는 365 nm 파장으로부터 적은 편차를 갖고, 포토리소그래피 중에 최소 가능한 라인폭을 결정하는 데 사용될 수도 있다.
조명 디바이스(A42)는 광원(A41)과 포토마스크(A43) 사이에 위치된다. 몇몇 실시예에서, 조명 디바이스(A42)는 집광기(condenser) 디바이스이다. 조명 디바이스(A42)는 광빔(E1)을 포토마스크(A43)에 집광하도록 구성된다.
조명은 단일의 렌즈 또는 다수의 렌즈 및/또는 다른 렌즈 부품을 갖는 렌즈 조립체를 포함한다. 예를 들어, 조명 디바이스(A42)는 광원(A41)으로부터 포토마스크(A43) 상에 광을 지향하는 것을 보조하도록 설계된 마이크로렌즈 어레이, 섀도우 마스크, 및/또는 다른 구조체를 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 조명 디바이스(A42)는 어레이로 배열된 조정 렌즈(L1)를 포함한다.
포토마스크(A43)는 조명 디바이스(A42)와 웨이퍼 캐리어(A45) 사이에 위치된다. 몇몇 실시예에서, 포토마스크(A43)는 조명 디바이스(A42)와 대물 렌즈 모듈(A44) 사이에 위치된다. 포토마스크(A43)는 광빔(E1)을 부분적으로 마스킹하고, 웨이퍼(W1) 상에 패턴을 형성하도록 구성된다. 포토마스크(A43)는 상이한 웨이퍼 상에 상이한 패턴을 형성하기 위해 노출 장치(A40) 내에서 교체 가능하다.
포토마스크(A43)는 마스크 또는 레티클(reticle)이라 칭한다. 포토마스크(A43)는 투명 기판(A431) 및 투명 기판(A431) 상에 배치된 패터닝된 흡수층(A432)을 포함한다. 패터닝된 흡수층(A432)의 흡수 영역(A433)을 타격할 때 광빔(E1)이 부분적으로 또는 완전히 차단된다.
대물 렌즈 모듈(A44)은 웨이퍼 캐리어(A45)와 포토마스크(A43) 사이에 위치된다. 대물 렌즈 모듈(A44)은 광빔(E1)을 웨이퍼(W1)에 집광하도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 대물 렌즈 모듈(A44)은 단일의 대물 렌즈 또는 다수의 대물 렌즈(A441, A442)를 포함한다. 웨이퍼 캐리어(A45)는 포토마스크(A43) 및 대물 렌즈 모듈(A44) 아래에 위치된다. 웨이퍼 캐리어(A45)는 웨이퍼(W1)를 유지하도록 구성된다.
몇몇 실시예에서, 웨이퍼(W1)는 기판(W11) 및 포토레지스트층(W12)을 포함한다. 포토레지스트층(W12)은 코팅 프로세스에 의해 기판(W11) 상에 코팅된다. 포토레지스트층(W12)은 패턴을 생성하기 위해 노출 프로세스에 응답한다. 포토레지스트층(W12)은 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트를 포함한다.
웨이퍼 캐리어(A45)는 웨이퍼 척(A451), 이동 기구(A452)를 포함한다. 웨이퍼 척(A451)은 웨이퍼(W1)를 유지하도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 웨이퍼 척(A451)은 정전척이다. 이동 기구(A452)는 병진이동 방식으로 웨이퍼 척(A451)을 이동시키고 웨이퍼 척(A451)을 회전시키도록 구성된다. 따라서, 웨이퍼(W1)는 병진이동 및 회전 모드에서 이동하는 것이 가능하여, 웨이퍼(W1)가 포토마스크(A43)와 정렬될 수 있게 된다.
유체 보유 디바이스(A46)는 포토마스크(A43)와 웨이퍼 캐리어(A45)[또는 웨이퍼(W1)] 사이에 위치된다. 유체 보유 디바이스(A46)는 침지 유체(F1)를 유지하도록 구성된다.
리소그래피 프로세스 중에, 유체 보유 디바이스(A46)는 웨이퍼(W1)에 인접한다. 몇몇 실시예에서, 유체 보유 디바이스(A46)는 침지 액체(F1)를 유지하는 것에 추가하여, 대물 렌즈 모듈(A44)을 둘러싸고, 다른 기능을 위해 설계된다. 유체 보유 디바이스(A46) 및 대물 렌즈 모듈(A44)은 침지 헤드를 구성한다(적어도 부분적으로).
침지 유체(F1)는 대물 렌즈(A441)와 웨이퍼(W1) 사이에 분배되어 대물 렌즈(A441)의 실질적인 저부면 또는 웨이퍼(W1)의 실질적인 상부면으로 연장한다. 몇몇 실시예에서, 침지 유체(F1)는 단지 단계적 반복 또는 단계적 스캔 노출 프로세스 중에 일 노출 영역을 커버하도록 연장된다. 침지 유체(F1)는 광빔(E1)의 파장을 감소시키도록 구성된다. 따라서, 더 상세한 정확한 패턴이 웨이퍼(W1) 상에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 침지 유체(F1)는 물[수용액 또는 탈이온화수(de-ionized water: DIW)], 고 n 유체(n은 굴절률이고, n 값은 여기서 1.44보다 큼) 또는 소량의 H2CO3를 함유하는 물 내의 이산화탄소의 용액(탄산, 이산화탄소수 또는 CO2 물)과 같은 도전성 침지 유체(F1)를 포함할 수도 있다. 도전성 유체의 다른 예는 버퍼, 산, 염기, 염, 및 계면활성제를 포함할 수도 있다.
도전성 유체가 침지 유체로서 이용되기 때문에, 노출 프로세스 중에 축적된 정전하는 제거될 수 있고, 따라서 이에 의해 유발된 입자 및 패턴 결함이 마찬가지로 감소되거나 제거된다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 노출 방법의 흐름도이다. 단계 S101에서, 웨이퍼(W1)는 도 2a에 도시되어 있는 바와 같이 웨이퍼 척(A451) 상에 위치되어 유지되고, 이동 기구(A452)는 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이, 포토레지스트층(W12)의 노출 영역(W21)에 대응하는 위치로 웨이퍼 척(A451)을 이동시킨다. 그 후에, 침지 유체(F1)는 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이 유체 보유 디바이스(A46) 내로 충전된다.
S103에서, 조정 디바이스(A47)는 포토레지스트층(W12)의 노출 영역(W21)에 대해 조명 디바이스(A42)의 조정 렌즈(L1)의 각각을 조정한다. 조정 렌즈(L1)의 조정에 기인하여, 포토레지스트층(W12) 상에 형성된 패턴은 정확하고 정밀하다.
몇몇 실시예에서, 조정 디바이스(A47)는 수직 방향(D1)을 따라 조정 렌즈(L1)를 각각 이동시킨다. 몇몇 실시예에서, 조정 디바이스(A47)는 수평 평면을 따라 조정 렌즈(L1)를 각각 이동시킨다. 몇몇 실시예에서, 조정 디바이스(A47)는 수평 평면에 대해 경사지도록 조정 렌즈(L1)를 회전시킨다.
단계 S105에서, 광원(A41)은 광빔(E1)을 웨이퍼(W1)에 방출한다. 몇몇 실시예에서, 광빔(E1)은 순차적으로 조정 렌즈(L1), 포토마스크(A43), 대물 렌즈 모듈(A44), 및 침지 유체(F1)를 통해 통과하고, 포토레지스트층(W12)의 일 노출 영역(W2) 상에 낙하한다. 광빔(E1)의 파장은 광빔(E1)이 침지 유체(F1)를 통해 통과할 때 감소된다. 따라서, 더 상세하고 정밀한 패턴이 웨이퍼(W1) 상에 형성될 수 있다.
단계 S107에서, 광빔(E1)이 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이 포토레지스트층(W12)의 노출 영역(W21) 상에 낙하한 후에, 포토마스크(A43)의 패턴에 대응하는 패턴이 노출 영역(W21)에 형성된다.
패턴이 노출 영역(W21)에 형성된 후에, 이동 기구(A452)는 도 2c에 도시되어 있는 바와 같이, 노출 영역(W22)에 대응하는 다른 위치로 웨이퍼 척(A451)을 이동시킨다.
그러나, 노출 영역(W21)의 두께는 노출 영역(W22)의 두께와는 상이할 수도 있다. 더욱이, 유체 보유 디바이스(A46)는 광빔(E1)이 노출 영역(W21) 상에 낙하하는 동안에 가열된다. 도 2c에 도시되어 있는 바와 같은 노출 영역(W22)에 걸친 침지 유체(F1)의 열 및 밀도 분포는 도 2b에 도시되어 있는 바와 같은 노출 영역(W21)에 걸친 침지 유체(F1)의 열 및 밀도 분포와는 상이하다.
따라서, 조정 렌즈(L1)의 위치가 노출 영역(W22)에 대해 각각 조정되지 않으면, 노출 영역(W22) 상에 형성된 패턴은 노출 영역(W21) 상에 형성된 패턴에 대해 변형되고, 회전되고 그리고/또는 시프트된다.
단계 S109에서, 조정 디바이스(A47)는 포토레지스트층(W12) 상의 노출 영역(W22)에 대해 조명 디바이스(A42)의 조정 렌즈(L1)의 각각을 조정한다.
단계 S111에서, 광빔(E1)이 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이 포토레지스트층(W12)의 노출 영역(W22)에 낙하한 후에, 패턴이 노출 영역(W22)에 형성된다. 게다가, 단계 S109 및 단계 S111은 다수의 패턴을 포함하는 패턴 어레이가 포토레지스트층(W12) 상에 형성될 때까지[도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 패터닝된 층(W13)이라 칭함] 반복적으로 프로세싱된다.
조정 렌즈(L1)의 조정에 의해, 노출 영역(W2) 상에 형성된 패턴은 변형되고, 회전되고 그리고/또는 시프트되지 않을 수도 있고, 노출 영역(W2) 내의 패턴의 품질은 클 수도 있다. 그러나, 다수의 웨이퍼가 노출 장치(A40)에 의해 프로세싱된 후에, 노출 장치(A40)의 기구의 설정이 변경될 수도 있다. 노출 영역(W2)의 패턴의 일부의 품질은 다수의 웨이퍼가 프로세싱된 후에 감소된다. 따라서, 조명 디바이스(A42)는 정확하게 캘리브레이팅되고 빈번하게 조정될 필요가 있다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 캘리브레이션 장치(B1)의 개략도이다. 도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 웨이퍼(W1)의 평면도이다. 캘리브레이션 장치(B1)는 웨이퍼 캐리어(B10), 측정 디바이스(B20), 이동 디바이스(B30), 데이터베이스(B40), 및 프로세싱 모듈(B50)을 포함한다.
웨이퍼 캐리어(B10)는 웨이퍼(W1)를 지지하도록 구성된다. 웨이퍼(W1)는 노출 프로세스에 의해 노출된다. 웨이퍼(W1)는 패터닝된 층(W13)을 갖는 기판(W11)을 포함한다. 패터닝된 층(W13)은 어레이로 배열된 노출 영역(W2)을 포함한다. 각각의 노출 영역(W2)은 포토마스크(A43)의 패턴에 대응하는 패턴을 나타낸다. 명료화를 위해, 노출 영역(W2)의 패턴은 도면에 도시되어 있지 않다.
몇몇 실시예에서, 노출 영역(W2)의 수는 약 9 내지 약 600개의 범위이다. 몇몇 실시예에서, 노출 영역(W2)의 수는 약 30 내지 약 300개의 범위이다.
노출 영역(W2)의 각각의 패턴은 노출 프로세스에 의해 형성된 제1 검사 마크(M1, M2, M3)와 같은 검사 마크를 포함한다. 각각의 노출 영역(W2)에서의 제1 검사 마크(M1)(M2 또는 M3)의 위치는 실질적으로 동일하다. 그러나, 각각의 노출 영역(W2)에서 제1 검사 마크(M1)(M2 또는 M3)의 위치 사이의 공차가 존재할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 검사 마크의 수는 약 2 내지 약 100개의 범위이다. 몇몇 실시예에서, 검사 마크의 수는 약 4 내지 약 50개의 범위이다. 몇몇 실시예에서, 각각의 노출 영역(W2)은 하나의 제1 검사 마크(M1), 하나의 제2 검사 마크(M2), 및 검사 마크들(M3)을 포함한다.
몇몇 실시예에서, 검사 마크의 형상은 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 십자 형상 또는 다른 적합한 형상이다. 몇몇 실시예에서, 검사 마크는 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 노출 영역(W2)의 에지에 인접하여 위치되거나, 또는 다른 방식으로 적합하게 위치된다.
측정 디바이스(B20)는 각각의 노출 영역(W2)의 검사 마크를 측정하고, 검사 마크의 노출값을 얻도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 측정 디바이스(B20)는 각각의 검사 마크의 이미지를 촬영하도록 구성된 카메라와 같은, 이미지 디바이스(B21)를 포함한다. 이미지 디바이스(B21)는 제조 프로세스 중에 웨이퍼(W1) 위에 위치된다.
측정 디바이스(B20)는 대응 이미지로부터 각각의 검사 마크를 분석한다. 그 후에, 측정 디바이스(B20)는 이미지로부터 검사 마크의 분석 결과, 및 이미지를 촬영하는 이미지 디바이스(B21)의 위치에 따라 노출값을 얻는다.
몇몇 실시예에서, 노출값은 노출 영역(W2)의 검사 마크의 좌표를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 각각의 노출값은 검사 마크의 변형량, 회전량, 시프트량 및/또는 크기를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 노출값은 제1 노출값 및 제2 노출값을 포함한다. 제1 노출값은 노출 영역(W2)의 제1 검사 마크(M1)를 측정함으로써 얻어진다. 제2 노출값은 노출 영역(W2)의 검사 마크(M2)를 측정함으로써 얻어진다.
이동 디바이스(B30)는 웨이퍼 척(A451) 위에 배치된다. 이동 디바이스(B30)는 측정 디바이스(B20)의 이미지 디바이스(B21)를 이동하도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 이동 디바이스(B30)는 수평 평면에서 이미지 디바이스(B21)를 이동하도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 이동 디바이스(B30)는 하나씩 각각의 노출 영역(W2)에 걸쳐 이미지 디바이스(B21)를 이동하도록 구성된다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 캘리브레이션 장치(B1) 및 노출 장치(A40)의 시스템 다이어그램이다. 데이터베이스(B40)는 표준 파일(B41) 및 조정 파일(B42)을 저장하도록 구성된다. 표준 파일(B41)은 다수의 표준값을 포함한다.
프로세싱 모듈(B50)은 측정 디바이스(B20), 데이터베이스(B40), 및 조정 디바이스(A47)에 전기적으로 접속된다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈(B50)은 컴퓨터이다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈(B50)은 일 디바이스에서 측정 디바이스(B20) 및/또는 데이터베이스(B40)와 통합된다.
프로세싱 모듈(B50)은 측정 디바이스(B20)로부터 검사 마크의 노출값을 수신하고, 데이터베이스(B40)로부터 표준 파일(B41)을 수신하도록 구성된다. 프로세싱 모듈(B50)은 또한 노출값 및 표준 파일(B41)에 따라 조정 파일(B42)을 생성하도록 구성된다.
조정 디바이스(A47)는 조정 파일(B42)에 따라 각각의 조정 렌즈(L1)를 조정하도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 조정 디바이스(A47)는 데이터베이스(B40) 또는 프로세싱 모듈(B50)로부터 조정 파일(B42)을 수신하고, 조정 파일(B42)에 따라 각각의 조정 렌즈(L1)를 조정한다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈(B50)은 조정 파일(B42)에 따라 각각의 조정 렌즈(L1)를 조정하도록 조정 디바이스(A47)를 제어한다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표준 웨이퍼의 평면도이다. 조정 프로세스가 프로세싱을 시작하기 전에, 캘리브레이션 장치(B1)는 표준 웨이퍼(W3) 상에 표준 측정 프로세스를 수행하여 표준 파일(B41)을 생성한다. 표준 웨이퍼(W3)는 도 2a에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼(W1)에 앞서 노출 장치(A40)에 의해 프로세싱된다. 노출 장치(A40)는 몇몇 포토마스크(A43)로 표준 웨이퍼(W3) 및 웨이퍼(W1) 상에 동일한 노출 프로세스를 수행한다.
도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 표준 웨이퍼(W3)는 기판(W31), 및 패터닝된 층(W33)을 포함한다. 패터닝된 층(W33)은 노출 영역(W4)을 포함한다. 노출 영역(W4)은 다수의 검사 마크[또한 표준 마크(M4, M5, M6)라 칭함]를 포함한다.
노출 장치(A40)는 몇몇 포토마스크(A43)로 표준 웨이퍼(W3) 및 웨이퍼(W1) 상에 동일한 노출 프로세스를 수행한다. 따라서, 표준 웨이퍼(W3)의 노출 영역(W4)의 수는 웨이퍼(W1)의 노출 영역(W2)의 수와 동일하다. 각각의 표준 마크는 검사 마크들 중 하나에 대응한다. 각각의 노출 영역(W4)에서 표준 마크의 수는 각각의 노출 영역(W2)에서 검사 마크의 수와 동일하다. 노출 영역(W4) 및 표준 마크의 위치 및 크기는 노출 영역(W2) 및 검사 마크의 위치 및 크기와 실질적으로 동일하다.
측정 디바이스(B20)는 표준 웨이퍼(W3)의 노출 영역(W4)의 모든 표준 마크를 측정하여 표준값을 얻는다. 달리 말하면, 각각의 표준값은 표준 마크들 중 하나에 대응한다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈(B50)은 표준 파일(B41)을 형성하도록 표준값을 수신하고, 표준 파일(B41)을 데이터베이스(B40) 내에 저장한다.
그 후에, 각각의 조정 렌즈(L11)는 노출 프로세스 중에 각각의 노출 영역(W4)의 표준값에 따라 웨이퍼의 각각의 노출 영역에 대해 조정 디바이스(A47)에 의해 조정된다.
몇몇 실시예에서, 각각의 표준값은 노출 영역(W4)의 표준 마크의 좌표를 포함한다. 몇몇 실시예에서 각각의 표준값은 검사 마크로서, 표준 마크의 변형량, 회전량, 시프트량 및/또는 크기를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 표준 마크는 제1 표준 마크(M4), 제2 표준 마크(M5), 및 표준 마크(M6)를 포함한다. 각각의 노출 영역(W4)은 하나의 제1 표준 마크(M4), 하나의 제2 표준 마크(M5), 및 다수의 표준 마크(M6)를 포함한다. 게다가, 각각의 제1 표준 마크(M4)는 제1 검사 마크(M1) 중 하나에 대응하고, 각각의 제2 표준 마크(M5)는 제2 검사 마크(M2) 중 하나에 대응한다. 각각의 표준 마크(M6)는 검사 마크(M3) 중 하나에 대응한다.
몇몇 실시예에서, 표준값은 제1 표준값 및 제2 표준값을 포함한다. 제1 표준값은 노출 영역(W4)의 제1 표준 마크(M4)를 측정함으로써 얻어진다. 제2 표준값은 노출 영역(W4)의 제2 표준 마크(M5)를 측정함으로써 얻어진다. 게다가, 웨이퍼(W1) 및 표준 웨이퍼(W3)는 동일한 포토마스크(A43) 및 동일한 노출 프로세스에 의해 노출되기 때문에, 각각의 제1 표준값은 제1 검사 마크(M1) 중 하나에 대응하고, 각각의 제2 표준값은 제2 검사 마크(M2) 중 하나에 대응한다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 조정 방법의 흐름도이다. 단계 S201에서, 캘리브레이션 장치(B1)는 웨이퍼(W1) 상에 측정 프로세스를 수행한다. 패터닝된 층(W13)을 갖는 기판(W11)이 웨이퍼 캐리어(B10) 상으로 위치된다.
도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 노출 영역(W2)은 노출 영역(W21), 노출 영역(W22), 및 다수의 노출 영역(잔여 노출 영역)(W23)을 포함한다. 각각의 노출 영역(W21, W22, W23)은 하나의 제1 검사 마크(M1), 하나의 제2 검사 마크(M2), 및 다수의 검사 마크(M3)를 포함한다.
단계 S203에서, 측정 디바이스(B20)는 노출 영역(W21)의 제1 검사 마크(M1)를 측정함으로써 노출 영역(W21)의 제1 검사 마크(M1)의 제1 노출값을 얻는다.
단계 S205에서, 프로세싱 모듈(B50)은 계산 프로세스에 의해 검사 마크들의 다수의 계산된 값을 계산한다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈(B50)은 노출 영역(W21)의 제1 노출값 및 잔여 노출 영역(W23)에 대응하는 표준 파일(B41)의 제1 표준값에 따라 잔여 노출 영역(W23)의 제1 검사 마크(M1)의 제1 계산된 값을 계산한다.
더욱이, 프로세싱 모듈(B50)은 노출 영역(W21)의 제1 노출값 및 노출 영역(W22)에 대응하는 표준 파일(B41)의 제1 표준값에 따라 노출 영역(W22)의 제1 검사 마크(M1)의 제1 계산된 값을 계산한다.
몇몇 실시예에서, 계산 프로세스는 제1 차이값을 계산하는 것을 포함한다. 제1 차이값은 제1 노출값에서 노출 영역(W21)의 제1 검사 마크(M1)에 대응하는 제1 표준값을 감산한 값에 의해 얻어진다.
잔여 노출 영역(W23)에 대응하는 각각의 제1 계산된 값은 제1 차이값에 잔여 노출 영역(W23)의 제1 검사 마크(M1)에 대응하는 제1 표준값들 중 하나를 더한 값에 의해 얻어진다. 더욱이, 노출 영역(W22)에 대응하는 제1 계산된 값은 제1 차이값에 노출 영역(W22)의 제1 검사 마크(M1)에 대응하는 제1 표준값을 더한 값에 의해 얻어진다.
몇몇 실시예에서, 적어도 2개의 제1 노출값은 노출 영역(W21) 및 노출 영역들(W23) 중 적어도 하나를 측정함으로써 얻어진다. 따라서, 적어도 2개의 제1 차이값은 단계 S203 및 S205에 따라 얻어질 수 있다. 잔여 노출 영역(W23)에 대응하는 각각의 제1 계산된 값은 제1 차이값들의 평균에 잔여 노출 영역(W23)의 제1 검사 마크(M1)에 대응하는 제1 표준값들 중 하나를 더한 값에 의해 얻어진다.
단계 S203 및 S205는 측정 디바이스(B20)에 의해 측정되지 않은 모든 검사 마크의 계산된 값이 계산될 때까지 반복적으로 프로세싱된다.
몇몇 실시예에서, 측정 디바이스(B20)는 노출 영역(W22)의 제2 검사 마크(M2)를 측정함으로써 노출 영역(W22)의 제2 검사 마크(M2)의 제2 노출값을 얻는다. 프로세싱 모듈(B50)은 제2 노출값 및 표준 파일(B41)의 제2 표준값에 따라 노출 영역(W21) 및 잔여 노출 영역(W23)의 제2 검사 마크(M2)의 제2 계산된 값을 계산한다.
몇몇 실시예에서, 계산 프로세스는 제2 차이값을 계산하는 것을 포함한다. 제2 차이값은 제2 노출값에서 노출 영역(W22)의 제2 검사 마크(M2)에 대응하는 제2 표준값을 감산한 값에 의해 얻어진다.
잔여 노출 영역(W23)에 대응하는 각각의 제2 계산된 값은 제2 차이값에 잔여 노출 영역(W23)의 제2 검사 마크(M2)에 대응하는 제2 표준값들 중 하나를 더한 값에 의해 얻어진다. 더욱이, 노출 영역(W21)에 대응하는 제2 계산된 값은 제2 차이값에 노출 영역(W21)의 제2 검사 마크(M2)에 대응하는 제2 표준값을 더한 값에 의해 얻어진다.
몇몇 실시예에서, 계산 프로세스는 수학적 함수에 따라 프로세싱된다. 몇몇 실시예에서, 수학적 함수는 제르니케 다항식(Zernike Polynomial)이다.
따라서, 웨이퍼(W1)의 각각의 노출 영역(W2)의 단지 하나 또는 몇몇 검사 마크만이 조정 파일(B42)을 생성하기 위해 측정 프로세스에 의해 측정되기만 하면 된다. 웨이퍼(W1)를 측정하기 위해 요구되는 시간은 감소된다. 예를 들어, 단지 9개의 검사 마크만이 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 36개의 검사 마크 대신에 측정되기만 하면 된다.
더욱이, 측정 프로세스를 위해 요구된 시간은, 표준 웨이퍼(W3)의 모든 표준 마크가 표준 파일(B41)을 생성하기 위해 측정될 필요가 있기 때문에, 표준 측정 프로세스를 위해 요구되는 시간보다 훨씬 적다. 몇몇 실시예에서, 표준 측정 프로세스를 위해 요구되는 시간은 측정 프로세스의 약 4배 내지 약 50배이다. 따라서, 측정 프로세스는 표준 측정 프로세스보다 빈번히 프로세싱될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 측정 프로세스는 약 100개 내지 약 200개의 웨이퍼가 노출 장치(A40)에 의해 프로세싱된 후에 프로세싱된다. 표준 측정 프로세스는 약 1000개 내지 약 2000개의 웨이퍼가 노출 장치(A40)에 의해 프로세싱된 후에 프로세싱된다.
단계 S207에서, 조명 디바이스(A42)는 리소그래피 프로세스 중에 계산된 값에 따라 조정 디바이스(A47)에 의해 조정된다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈은 계산된 값을 포함하는 조정 파일(B42)을 생성한다. 조정 디바이스(A47)는 조정 파일(B42)에 따라 조명 디바이스(A42)를 조정한다. 몇몇 실시예에서, 프로세싱 모듈은 조정 파일(B42)에 따라 조명 디바이스(A42)를 조정하도록 조정 디바이스(A47)를 제어한다.
몇몇 실시예에서, 조정 렌즈(L11)는 리소그래피 프로세스 중에 조정 파일(B42)의 제1 계산된 값에 따라 조정 디바이스(A47)에 의해 조정된다. 조정 렌즈(L12)는 리소그래피 프로세스 중에 조정 파일(B42)의 제2 계산된 값에 따라 조정 디바이스(A47)에 의해 조정된다.
예를 들어, 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이, 다른 웨이퍼(W1)가 리소그래피 프로세스에 의해 프로세싱된다. 각각의 조정 렌즈(L1)는 노출 영역(W21)의 검사 마크(M1, M2, M3)에 대응하는 계산된 값에 따라 조정된다. 도 2c에 도시되어 있는 바와 같이, 각각의 조정 렌즈(L1)는 노출 영역(W22)의 검사 마크(M1, M2, M3)에 대응하는 계산된 값에 따라 조정된다.
캘리브레이션 장치 및 방법의 실시예가 제공된다. 리소그래피 장치의 조명 디바이스는 웨이퍼의 측정 결과에 따라 조정된다. 웨이퍼의 각각의 노출 영역의 단지 하나 또는 몇몇 검사 마크만이 측정되기만 하면 되기 때문에, 웨이퍼를 측정하기 위해 요구되는 시간이 감소된다. 따라서, 조명 디바이스의 조정을 위한 측정 프로세스가 더 빈번히 프로세싱될 수 있고, 웨이퍼의 수율이 향상된다.
몇몇 실시예에서, 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 조정하기 위한 캘리브레이션 장치가 제공된다. 캘리브레이션 장치는 패터닝된 층을 갖는 기판을 지지하도록 구성된 웨이퍼 캐리어를 포함한다. 패터닝된 층은 제1 노출 영역 및 잔여 노출 영역을 포함하고, 각각의 제1 및 잔여 노출 영역은 제1 검사 마크를 포함한다. 캘리브레이션 장치는 제1 노출 영역의 제1 검사 마크를 측정함으로써 제1 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 노출값을 얻도록 구성된 측정 디바이스를 또한 포함한다.
캘리브레이션 장치는 제1 노출값 및 표준 파일에 따라 잔여 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 계산된 값을 계산하도록 구성된 프로세싱 모듈을 또한 포함한다. 조명 디바이스는 리소그래피 프로세스 중에 제1 계산된 값에 따라 리소그래피 장치의 조정 디바이스에 의해 조정된다.
몇몇 실시예에서, 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 위한 조정 방법이 제공된다. 조정 방법은 웨이퍼 캐리어 상으로 패터닝된 층을 갖는 기판을 위치시키는 것을 포함하고, 패터닝된 층은 노출 영역을 포함하고, 각각의 노출 영역은 검사 마크를 포함한다.
조정 방법은 검사 마크들 중 하나를 측정함으로써 노출 영역들 중 제1 노출 영역의 검사 마크들 중 하나의 노출값을 얻는 것을 또한 포함한다. 조정 방법은 노출값 및 표준 파일에 따라 검사 마크의 다수의 계산된 값을 계산하는 것과, 리소그래피 프로세스 중에 계산된 값에 따라 조명 디바이스를 조정하는 것을 또한 포함한다.
몇몇 실시예에서, 리소그래피 장치의 조명 디바이스의 조정 방법이 제공된다. 조정 방법은 웨이퍼 캐리어 상으로 패터닝된 층을 갖는 기판을 위치시키는 것을 포함하고, 패터닝된 층은 노출 영역을 포함하고, 각각의 노출 영역은 제1 검사 마크 및 제2 검사 마크를 포함한다. 조정 방법은 제1 노출 영역의 제1 검사 마크를 측정함으로써 노출 영역들 중 제1 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 노출값을 얻는 것을 또한 포함한다.
조정 방법은 제1 노출값 및 표준 파일에 따라 노출 영역들 중 잔여 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 계산된 값을 계산하는 것을 또한 포함한다. 조정 방법은 제2 노출 영역의 제2 검사 마크를 측정함으로써 노출 영역들 중 제2 노출 영역의 제2 검사 마크의 제2 노출값을 얻는 것을 또한 포함한다.
조정 방법은 제2 노출값 및 표준 파일에 따라 잔여 노출 영역의 제2 검사 마크의 제2 계산된 값을 계산하는 것을 또한 포함한다. 조정 방법은 리소그래피 프로세스 중에 제1 계산된 값에 따라 조명 디바이스의 제1 조정 렌즈를 조정하는 것과, 제2 계산된 값에 따라 조명 디바이스의 제2 조정 렌즈를 조정하는 것을 또한 포함한다.
상기에는 당 기술 분야의 숙련자들이 본 발명의 양태를 더 양호하게 이해할 수도 있도록 다수의 실시예의 특징을 개략 설명하였다. 당 기술 분야의 숙련자는 이들이 본 명세서에 소개된 실시예의 동일한 목적을 수행하고 그리고/또는 동일한 장점을 성취하기 위해 다른 프로세스 및 구조체를 설계하거나 수정하기 위한 기초로서 본 발명을 즉시 사용할 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 당 기술 분야의 숙련자는 이러한 등가의 구성이 본 발명의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않고, 이들이 본 발명의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않고 본 명세서의 다양한 변화, 치환, 및 변경을 행할 수도 있다는 것을 또한 이해해야 한다.
A1: 리소그래피 장치 A10: 코팅 장치
A20: WEE(웨이퍼 에지 노출) 장치 A30: 이면 처리 장치
A40: 노출 장치 A41: 광원
A42: 조명 디바이스 A43: 포토마스크
A44: 대물 렌즈 모듈 A45: 웨이퍼 캐리어
A46: 유체 보유 디바이스 A50: 현상 장치

Claims (10)

  1. 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 조정하기 위한 캘리브레이션 장치에 있어서,
    패터닝된 층을 갖는 기판을 지지하도록 구성된 웨이퍼 캐리어로서, 상기 패터닝된 층은 제1 노출 영역, 제2 노출 영역 및 복수의 잔여 노출 영역들을 포함하고, 상기 제1 노출 영역, 제2 노출 영역 및 상기 잔여 노출 영역들 각각은 제1 검사 마크(mark) 및 제2 검사 마크를 포함하는 것인, 상기 웨이퍼 캐리어;
    상기 제1 노출 영역의 제1 검사 마크를 측정함으로써 상기 제1 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 노출값을 얻도록, 그리고 상기 제2 노출 영역의 제2 검사 마크를 측정함으로써 상기 제2 노출 영역의 제2 검사 마크의 제2 노출값을 얻도록 구성된 측정 디바이스; 및
    상기 제1 노출값 및 표준 파일에 따라 상기 잔여 노출 영역들의 제1 검사 마크들의 복수의 제1 계산된 값들을 계산하도록, 그리고 상기 제2 노출값 및 상기 표준 파일에 따라 상기 제1 노출 영역 및 상기 잔여 노출 영역들의 제2 검사 마크들의 복수의 제2 계산된 값들을 계산하도록 구성된 프로세싱 모듈
    을 포함하고,
    상기 조명 디바이스는 리소그래피 프로세스 중에 상기 제1 계산된 값들에 따라 상기 리소그래피 장치의 조정 디바이스에 의해 조정되는 것인, 캘리브레이션 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표준 파일은 상기 제1 검사 마크들에 대응하는 복수의 제1 표준값들을 포함하고, 상기 프로세싱 모듈은 상기 제1 노출값 및 상기 제1 표준값들에 따라 상기 잔여 노출 영역들의 제1 검사 마크들의 제1 계산된 값들을 계산하도록 구성되는 것인, 캘리브레이션 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 표준값들은 표준 웨이퍼의 복수의 제1 표준 마크들을 측정함으로써 얻어지는 것인, 캘리브레이션 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리소그래피 장치는, 웨이퍼가 상기 리소그래피 장치에 의해 프로세싱될 때 상기 조명 디바이스 및 포토마스크를 통하여 상기 웨이퍼에 광빔을 방출하도록 구성된 광원을 더 포함하는 것인, 캘리브레이션 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표준 파일은 상기 제1 검사 마크들에 대응하는 복수의 제1 표준값들 및 상기 제2 검사 마크들에 대응하는 복수의 제2 표준값들을 포함하고,
    상기 프로세싱 모듈은 상기 제1 노출값 및 상기 제1 표준값들에 따라 상기 잔여 노출 영역들의 제1 검사 마크들의 제1 계산된 값들을 계산하도록, 그리고 상기 제2 노출값 및 상기 제2 표준값들에 따라 상기 제1 노출 영역 및 상기 잔여 노출 영역들의 제2 검사 마크들의 제2 계산된 값들을 계산하도록 구성되는 것인, 캘리브레이션 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 조명 디바이스는 제1 조정 렌즈 및 제2 조정 렌즈를 포함하고, 상기 제1 조정 렌즈는 상기 리소그래피 프로세스 중에 상기 제1 계산된 값들에 따라 상기 조정 디바이스에 의해 조정되고, 상기 제2 조정 렌즈는 상기 리소그래피 프로세스 중에 상기 제2 계산된 값들에 따라 상기 조정 디바이스에 의해 조정되는 것인, 캘리브레이션 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 리소그래피 장치는, 웨이퍼가 상기 리소그래피 장치에 의해 프로세싱될 때 상기 제1 및 제2 조정 렌즈 및 포토마스크를 통하여 상기 웨이퍼에 광빔을 방출하도록 구성된 광원을 더 포함하는 것인, 캘리브레이션 장치.
  9. 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 위한 조정 방법에 있어서,
    웨이퍼 캐리어 상으로 패터닝된 층을 갖는 기판을 위치시키는 단계로서, 상기 패터닝된 층은 복수의 노출 영역들을 포함하고, 상기 노출 영역들 각각은 검사 마크를 포함하는 것인, 상기 기판을 위치시키는 단계;
    상기 검사 마크들 중 하나의 검사 마크를 측정함으로써 상기 노출 영역들 중 제1 노출 영역의 검사 마크들 중 하나의 검사 마크의 노출값을 얻는 단계;
    상기 노출값 및 표준 파일에 따라 상기 검사 마크들의 복수의 계산된 값들을 계산하는 단계; 및
    리소그래피 프로세스 중에 계산된 값들에 따라 상기 조명 디바이스를 조정하는 단계
    를 포함하고,
    상기 표준 파일은 상기 검사 마크들에 대응되는 복수의 표준값들을 포함하고, 차이값들은 상기 노출값에서 상기 제1 노출 영역에 대응되는 상기 표준값을 감산함으로써 얻어지고, 상기 노출 영역들 중 잔여 노출 영역들의 계산된 값들 각각은 상기 차이값에 상기 잔여 노출 영역들에 대응하는 상기 표준값들 중 하나를 더함으로써 얻어지는 것인, 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 위한 조정 방법.
  10. 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 위한 조정 방법에 있어서,
    웨이퍼 캐리어 상으로 패터닝된 층을 갖는 기판을 위치시키는 단계로서, 상기 패터닝된 층은 복수의 노출 영역들을 포함하고, 상기 노출 영역들 각각은 제1 검사 마크 및 제2 검사 마크를 포함하는 것인, 상기 기판을 배치하는 단계;
    제1 노출 영역의 제1 검사 마크를 측정함으로써 상기 노출 영역들 중 상기 제1 노출 영역의 제1 검사 마크의 제1 노출값을 얻는 단계;
    상기 제1 노출값 및 표준 파일에 따라 상기 노출 영역들 중 복수의 잔여 노출 영역들의 제1 검사 마크들의 복수의 제1 계산된 값들을 계산하는 단계;
    제2 노출 영역의 제2 검사 마크를 측정함으로써 상기 노출 영역들 중 상기 제2 노출 영역의 제2 검사 마크의 제2 노출값을 얻는 단계;
    상기 제2 노출값 및 상기 표준 파일에 따라 상기 잔여 노출 영역들의 제2 검사 마크들의 복수의 제2 계산된 값들을 계산하는 단계; 및
    리소그래피 프로세스 중에, 상기 제1 계산된 값들에 따라 상기 조명 디바이스의 제1 조정 렌즈를 조정하고, 상기 제2 계산된 값들에 따라 상기 조명 디바이스의 제2 조정 렌즈를 조정하는 단계
    를 포함하는, 리소그래피 장치의 조명 디바이스를 위한 조정 방법.
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