KR102146539B1 - 기판의 제조 방법 - Google Patents

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KR102146539B1
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Abstract

본 출원은 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원의 기판의 제조 방법은 목적하는 셀갭(cell gap)에 따른 높이를 가지는 스페이서를 균일하게 형성할 수 있고, 상기 스페이서의 높이도 자유롭게 제어할 수 있다.

Description

기판의 제조 방법{PREPARATION METHOD OF SUBSTRATE}
본 출원은 2017년 11월 24일에 대한민국 특허청에 제출된 특허출원 제10-2017-0158103호의 출원일의 이익을 주장하고, 그 내용 전부는 본 출원에 포함된다.
본 출원은 기판의 제조 방법에 한 것이다.
대향 배치된 2개의 기판의 사이에 액정 화합물 등을 배치시켜서 광의 투과율이나 색상을 조절할 수 있는 광학 디바이스는 공지이다. 예를 들면, 특허문헌 1은 액정 호스트(liqid crystal host)와 이색성 염료 게스트(dichroic dye guest)의 혼합물을 적용한 소위 GH셀(Guest host cell)을 개시하고 있다. 이러한 장치에서는, 상기한 2개의 기판 사이의 간격을 유지하기 위해서 소위 스페이서가 상기 기판의 사이에 위치한다.
스페이서로는 소위 볼(또는 비드) 스페이서와 컬럼 스페이서가 대표적으로 사용된다. 컬럼 스페이서는 기판 상에 고착화된 형태로서, 일반적으로 감광성 수지를 노광 및 현상하여 형성하고 있다. 스페이서(40)는 예를 들면, 도 1에 나타난 것처럼, 기판 기재층(10)상에 감광성 수지층(20)을 형성한 후에, 마스크(30)를 매개로 광(화살표)을 조사한 다음, 노광된 부위 또는 노광되지 않은 부위를 제거하는 방식으로 기판 기재층(10)상에 형성된다.
특허문헌 1: 유럽 특허공개공보 제0022311호
본 출원은 기판, 예를 들면, 스페이서를 포함하는 기판의 제조 방법에 대한 것이다.
본 출원은 스페이서가 균일하게 형성되어 소자의 제작 시에 균일한 셀갭(cell gap)의 유지가 가능하게 하고, 셀갭(cell gap)의 범위도 목적에 따라 자유롭게 제어할 수 있는 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.
본 출원의 기판의 제조 방법은, 기판 기재층의 표면에 형성된 감광성 수지 조성물층을 노광 및 현상하여 스페이서를 제조하는 단계를 포함한다.
본 출원의 제조 방법에서는 상기 노광 및 현상 과정에서 상기 감광성 수지 조성물층으로서 감광성 수지와 비드를 포함하는 감광성 수지 조성물의 층을 사용한다. 일 예시에서 도 2에 모식적으로 나타난 바와 같이, 마스크(30)를 매개로 노광되는 기판 기재층(10)상의 감광성 수지 조성물층(50)은, 감광성 수지와 함께 비드(501)를 포함할 수 있다. 이와 같이 비드를 적용하는 것에 의해서, 상기 감광성 수지 조성물층의 노광 및 현상 과정에서 전체 감광성 수지 조성물층 영역의 높이를 균일하게 유지할 수 있다. 그 결과 본 출원에 따른 기판의 제조 방법은 균일한 높이의 스페이서를 기판 기재층상에 형성할 수 있다. 또한, 비드의 크기 및/또는 비율 등을 조절함으로써 목적하는 셀갭(cell gap)에 따라 스페이서의 크기(높이)도 자유롭게 제어할 수 있고, 설령 높은 높이의 스페이서를 제조하는 경우에도 그 높이가 균일하도록 제조될 수도 있다. 상기 감광성 수지층에 존재하는 비드는, 노광 공정에서 이어지는 현상 공정에서 제거되거나, 혹은 스페이서 내에 잔존하고 있을 수 있다.
상기 기판 기재층으로는, 특별한 제한 없이, 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display)와 같은 공지의 광학 디바이스의 구성에서 기판에 사용되는 임의의 기재층이 적용될 수 있다. 예를 들면, 기판 기재층은 무기 기재층이거나 유기 기재층일 수 있다. 무기 기재층으로는 글라스(glass) 기재층 등이 예시될 수 있고, 유기 기재층으로는, 다양한 플라스틱 필름 등이 예시될 수 있다. 플라스틱 필름으로는 TAC(triacetyl cellulose) 필름; 노르보르넨 유도체 등의 COP(cyclo olefin copolymer) 필름; PMMA(poly(methyl methacrylate) 등의 아크릴 필름; PC(polycarbonate) 필름; PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 등의 폴리올레핀 필름; PVA(polyvinyl alcohol) 필름; DAC(diacetyl cellulose) 필름; Pac(Polyacrylate) 필름; PES(poly ether sulfone) 필름; PEEK(polyetheretherketon) 필름; PPS(polyphenylsulfone) 필름, PEI(polyetherimide) 필름; PEN(polyethylenemaphthatlate) 필름; PET(polyethyleneterephtalate) 필름; PI(polyimide) 필름; PSF(polysulfone) 필름 또는 PAR(polyarylate) 필름 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원의 기판에서 상기 기재층의 두께도 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라서 적정 범위가 선택될 수 있다.
본 출원에서 적용되는 상기 기판 기재층에는, 상기 감광성 수지 조성물층에 추가로 광학 디바이스의 구동에 요구되는 다른 요소가 형성되어 있을 수도 있다. 이러한 요소는 다양하게 공지되어 있으며, 대표적으로는 전극층 또는 차광층 등이 있다. 상기 전극층이나 차광층은, 예를 들면, 상기 기재층과 감광성 수지 조성물층의 사이에 형성되어 있을 수 잇다. 전극층으로는, 공지의 소재가 적용될 수 있다. 예를 들면, 전극층은, 금속 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.
전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 전극층의 패턴화도 특별한 제한 없이 공지의 방식으로 가능하며, 예를 들면, 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다.
차광층으로도 공지의 소재가 적용될 수 있고, 예를 들면, 일반적으로 적용되는 금속층, 금속 산화물층, 금속 질화물층 또는 금속 산질화물층이나, 유기 안료 및/또는 무기 안료를 포함하는 층 등이 예시될 수 있다.
상기와 같은 기판 기재층상에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 본 출원에서는 일반적인 컬럼 스페이서의 제조 공정에서 수행되는 것과 같이 감광성 수지에 필요한 경우에 공지의 첨가제를 배합하여 형성한 코팅액을 기판 기재층상에 적절한 두께로 코팅하되, 상기 코팅액 내에 비드를 배합한 코팅액을 사용하여 상기 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다.
이 때 적용될 수 있는 감광성 수지의 종류도 특별히 제한되지 않으며, 공지의 감광성 수지가 사용될 수 있다. 일반적으로 자외선 등의 광의 조사에 의해 경화되는 유형의 소재가 사용되며, 그 예에는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 옥세탄 수지 또는 싸이올-엔 수지(싸이올과 비닐계 화합물의 싸이올-엔 반응을 이용한 수지) 등이 알려져 있으나, 본 출원에서 적용할 수 있는 재료의 종류가 상기에 제한되는 것은 아니다.
한편, 본 출원에서 용어 감광성 수지의 범위에는 그 자체가 수지 형태인 성분은 물론, 광의 조사 등에 의해 경화 내지 가교되어서 수지 성분으로 될 수 있는 단량체 내지는 올리고머 성분도 포함될 수 있다.
감광성 수지 조성물층 내에서 상기 감광성 수지의 비율은 특별히 제한되지 않는다. 일 예시에서 감광성 수지 조성물 내의 상기 감광성 수지의 비율은, 약 50 중량% 이상, 55 중량% 이상, 60 중량% 이상, 65 중량% 이상, 70 중량% 이상, 75 중량% 이상, 80 중량% 이상, 85 중량% 이상 또는 90 중량% 이상 정도일 수 있다. 상기 비율의 상한도 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 상기 감광성 수지의 비율은 약 100 중량% 미만, 95 중량% 이하 또는 90 중량% 이하 정도일 수 있다.
감광성 수지 조성물층 내에는 상기 감광성 수지와 함께 비드(bead)가 포함되어 있다. 비드의 적용을 통해 균일한 높이의 스페이서를 목적하는 높이에 따라서 용이하게 제조할 수 있다.
상기 포함되는 비드의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 즉, 본 출원의 목적에 따라서 노광 및 현상 과정 등에서 감광성 수지 조성물층 내지는 스페이서의 높이를 균일하게 유지할 수 있다면, 다양한 형상의 비드를 모두 적용할 수 있다.
예를 들면, 상기 비드는, 구형, 기둥형, 다각형 또는 무정형의 형태를 가질 수 있으며, 상기에서 기둥형의 경우, 원기둥형, 타원 기둥형이나 사각 기둥형 등의 다각 기둥형 등도 사용될 수 있다.
비드의 크기는 목적하는 셀갭(cell gap)에 따른 스페이서의 높이에 따라 정해질 수 있다.
일 예시에서 상기 비드는. 약 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내의 크기를 가질 수 있다. 상기 크기는, 비드가 구형인 경우에는 그 입경, 기둥형인 경우에는 그 높이, 다각형이나 기타 형태인 경우에는 가장 크거나 작은 크기일 수 있다.
상기 비드의 크기는 다른 예시에서 2㎛ 이상, 2.5㎛ 이상, 3㎛ 이상, 3.5㎛ 이상, 4㎛ 이상, 4.5㎛ 이상, 5㎛ 이상, 5.5㎛ 이상, 6㎛ 이상, 6.5㎛ 이상, 7㎛ 이상, 7.5㎛ 이상, 8㎛ 이상, 8.5㎛ 이상, 9㎛ 이상, 9.5㎛ 이상 또는 10㎛ 이상일 수 있거나, 45㎛ 이하, 40㎛ 이하, 35㎛ 이하, 30㎛ 이하, 25㎛ 이하, 20㎛ 이하 또는 15㎛ 이하일 수 있지만, 이 크기는 목적에 따라 변경될 수 있다. 균일한 높이의 스페이서를 형성하는 관점에서 감광성 수지 조성물층에 첨가되는 비드들은 균일한 크기 분포를 가지는 것이 요구될 수 있다.
본 출원에서 적용되는 비드의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 공지의 유기 또는 무기 비드를 사용할 수 있다. 예를 들면, 아크릴 비드, 실리콘 비드, 우레탄 비드, 폴리스티렌 비드 또는 에폭시 비드 등의 고분자 소재의 비드 혹은 실리카 비드, 탈크 비드 또는 제올라이트 비드 등의 무기 비드가 사용될 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물층은, 상기 감광성 수지 100 중량부 대비 0.01 내지 10 중량부의 비드를 포함할 수 있다. 이 때 첨가되는 비드의 비율은 목적에 따라서 변경될 수 있고, 예를 들면, 목적하는 스페이서의 높이에 따른 높이 균일도 등을 고려하여 조절될 수 있다.
감광성 수지 조성물층은, 상기 감광성 수지 및 비드에 추가로 공지의 다른 성분들을 포함할 수 있다. 이 때 포함될 수 있는 성분들로는, 예를 들면, 가교제나 개시제, 색소, 계면활성제, 레벨링제 등이 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 성분 중에서 색소는 예를 들면, 목적에 따라서 블랙 스페이서의 형성이 필요한 경우에 포함될 수 있다.
상기와 같은 감광성 수지 조성물층의 두께는, 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 조성물층의 두께는, 약 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내에 있을 수 있다.
상기 두께는, 다른 예시에서 2㎛ 이상, 2.5㎛ 이상, 3㎛ 이상, 3.5㎛ 이상, 4㎛ 이상, 4.5㎛ 이상, 5㎛ 이상, 5.5㎛ 이상, 6㎛ 이상, 6.5㎛ 이상, 7㎛ 이상, 7.5㎛ 이상, 8㎛ 이상, 8.5㎛ 이상, 9㎛ 이상, 9.5㎛ 이상 또는 10㎛ 이상일 수 있거나, 45㎛ 이하, 40㎛ 이하, 35㎛ 이하, 30㎛ 이하, 25㎛ 이하, 20㎛ 이하 또는 15㎛ 이하일 수 있지만, 이 크기는 목적에 따라 변경될 수 있다.
본 출원의 제조 방법에서는 상기와 같은 성분을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정을 포함한다. 이 때 노광 공정은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식, 예를 들면 자외선을 조사하여 노광하는 방식에 따라 수행될 수 있다.
예를 들면, 도 2에 예시적으로 나타난 것과 같이, 상기 노광 단계는, 마스크(30)를 매개로 상기 조성물층(50)에 광을 조사하여 수행할 수 있다.
이 과정에서 적용되는 마스크의 종류 및 패턴 등은 특별한 제한이 없으며, 컬럼 스페이서의 제조에 사용되는 공지의 마스크를 사용할 수 있고, 그 패턴도 목적하는 스페이서의 패턴에 따라서 정해질 수 있다.
도면에서는 마스크(30) 감광성 수지 조성물층(50)에서 일정 거리 떨어진 위치에서 광이 조사되고 있으나, 경우에 따라서는 상기 마스크를 상기 조성물층과 접촉시킨 상태로 상기 노광 공정이 진행될 수도 있다.
또한, 노광되는 광의 세기나 파장도 특별한 제한은 없으며, 적용된 감광성 수지의 종류에 따라서 제어될 수 있다.
본 출원의 제조 방법에서는 상기 노광 공정 후에 현상 공정을 수행할 수 있다. 현상 공정은 감광성 수지 조성물층의 노광된 부위 또는 노광되지 않은 부위를 선택적으로 제거하는 공정이다. 이에 따라 형성된 스페이서는 감광성 수지를 포함할 수도 있고, 감광성 수지에 비드를 추가로 포함할 수도 있다. 이러한 현상 공정은 공지의 방식에 따라 수행할 수 있으며, 예를 들면, 사용된 감광성 수지의 종류에 따라 적절한 현상액으로 기판을 처리하여 수행할 수 있다.
본 출원의 기판의 제조 방법은, 또한, 상기 공정에 이어서 형성된 스페이서를 포함하는 기판 기재층상에 배향막을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
이 때 형성되는 배향막의 종류 및 그 형성 방법은, 특별히 제한되지 않고, 공지의 배향막, 예를 들면, 공지의 러빙 배향막 또는 광 배향막을 공지의 방식으로 형성하면 된다. 즉, 상기 배향막을 기재층과 스페이서상에 형성하고, 그에 대한 배향 처리를 수행하는 방식도 공지의 방식에 따른다.
일 예시에서 상기와 같은 기판의 제조는 롤투롤(roll-to-roll) 방식으로 수행될 수 있다. 이 방식에서는 권출롤 등의 롤에 감겨져 있는 상기 기판 기재층을 풀어서 이동시키면서 감광성 수지 조성물층의 형성, 노광 및 현상 공정 등을 진행할 수 있다. 상기와 같은 공정 후에 기판 기재층은 권취롤에 권취될 수 있으며, 가이드롤 등에 의해 기재층의 이동 경로가 제어될 수 있다. 구체적으로 롤투롤 공정을 진행하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식에 따라 수행될 수 있다.
본 출원은 또한, 상기와 같은 기판을 사용하여 형성한 광학 디바이스에 대한 것이다.
본 출원의 예시적인 광학 디바이스는, 상기 기판 및 상기 기판과 대향 배치되어 있고, 상기 기판의 스페이서에 의해 상기 기판과의 간격이 유지된 제 2 기판을 포함할 수 있다.
상기 광학 디바이스에서 2개의 기판의 사이의 간격에는 광변조층이 존재할 수 있다. 본 출원에서 용어 광변조층에는, 입사된 광의 편광 상태, 투과율, 색조 및 반사율 등의 특성 중에서 적어도 하나의 특성을 목적에 따라 변화시킬 수 있는 공지의 모든 종류의 층이 포함될 수 있다.
예를 들면, 상기 광변조층은, 액정 물질을 포함하는 층으로서, 전압, 예를 들면 수직 전계나 수평 전계의 온오프(on-off)에 의하여 확산 모드와 투과 모드 사이에서 스위칭되는 액정층이거나, 투과 모드와 차단 모드 사이에서 스위칭되는 액정층이거나, 투과 모드와 칼라 모드에서 스위칭되는 액정층 또는 서로 다른 색의 칼라 모드 사이를 스위칭하는 액정층일 수 있다.
상기와 같은 작용을 수행할 수 있는 광변조층, 예를 들면, 액정층은 다양하게 공지되어 있다. 하나의 예시적인 광변조층으로는 통상적인 액정 디스플레이에 사용되는 액정층의 사용이 가능하다. 다른 예시에서, 광변조층은 다양한 형태의 소위 게스트 호스트 액정층(Guest Host Liquid Crystal Layer), 고분자 분산형 액정층(Polymer Dispersed Liquid Crystal), 화소 고립형 액정층(Pixcel-isolated Liquid Crystal), 부유 입자 디바이스(Suspended Particle Deivice) 또는 전기변색 디스플레이(Electrochromic device) 등일 수도 있다.
상기에서 고분자 분산형 액정층(PDLC)은 소위 PILC(pixel isolated liquid crystal), PDLC(polymer dispersed liquid crystal), PNLC(Polymer Network Liquid Crystal) 또는 PSLC(Polymer Stablized Liquid Crystal) 등을 포함하는 상위 개념이다. 고분자 분산형 액정층(PDLC)은, 예를 들면, 고분자 네트워크 및 상기 고분자 네트워크와 상분리된 상태로 분산되어 있는 액정 화합물을 포함하는 액정 영역을 포함할 수 있다.
상기와 같은 광변조층의 구현 방식이나 형태는 특별히 제한되지 않으며, 목적에 따라서 공지된 방식을 제한 없이 채택할 수 있다.
또한, 상기 광학 디바이스는 필요한 경우 추가적인 공지의 기능성층, 예를 들면, 편광층, 하드코팅층 및/또는 반사 방지층 등도 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 기판의 제조 방법은 목적하는 셀갭(cell gap)에 따른 높이를 가지는 스페이서를 균일하게 형성할 수 있고, 상기 스페이서의 높이도 자유롭게 제어할 수 있다.
도 1은 공지의 스페이서 제조 방법을 보여주는 도면이다.
도 2는, 본 출원의 예시적인 스페이서의 제조 방법을 보여주는 도면이다.
도 3은 실시예에서 형성된 스페이서의 사진이다.
도 4는, 실시예에서 형성된 스페이서의 높이를 측정한 지점을 보여주는 도면이다.
이하 실시예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예 1.
기판 기재층으로 대각선의 길이가 55인치인 정사각형의 PET(polyethylene terephthalate) 기재층(도 10의 100)상에 결정질의 ITO(Indium Tin Oxide) 전극층을 형성하고, 그 위에 스페이서를 형성하였다. 스페이서는, 감광성 수지 조성물로서, 컬럼 스페이스 제조에 사용되는 통상적인 자외선 경화형 아크릴레이트 계열 바인더(트리메틸올프로판 트리아크릴레이트[trimethylolpropane tricarylate] 모노머 및 이소보닐 아크릴레이트[isobornyl acrylate] 모노머를 주성분으로 포함하는 혼합물) 및 개시제(Ciba社의 Darocur TPO 및 Darocur 1173의 혼합물)의 혼합물(UV 레진)에 크기(입경)이 약 10 ㎛ 정도인 유기 비드(폴리스티렌과 폴리메틸메타크릴레이트의 혼합물인 구형의 아크릴 비드)를 상기 UV 레진 100 중량부 대비 약 2 중량부의 비율로 혼합한 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하였다. 상기 조성물을 상기 PET 기재층의 ITO 전극층 상에 대략 10 ㎛ 정도의 두께로 코팅하고, 차광 패턴 마스크를 상기 조성물층에 접촉시킨 상태로 자외선을 조사하여 상기 조성물을 경화시켰다. 그 후, 미경화된 감광성 수지 조성물층을 IPA (isopropyl alcohol)을 사용하여 제거(현상)하여 스페이서를 형성하였다. 도 3은 이와 같이 형성한 스페이서의 사진이다. 이와 같이 형성된 스페이서 중에서 도 4에 나타난 바와 같은 지점(L1 내지 L3, C1 내지 C3 및 R1 내지 R3)에 형성된 스페이서의 높이를 측정하였다. 상기 높이는 3D Laser Scanning Microscope(Keyence, VK-X210, X1,000 배율)를 사용하여 측정하여 하기 표 1에 나타내였다. 도 4에 나타난 각 지점은, 상기 PET 기재층의 표면상에 대략 동일한 간격으로 중간, 우축 및 좌측 각각에서 선택된 세 개의 지점이다.
비교예 1.
비드가 포함되지 않은 감광성 수지 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 스페이서를 제조하고, 각 지점에서의 크기를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
실시예(높이 단위: ㎛) 비교예(높이 단위: ㎛)
L 지점 C 지점 R 지점 L 지점 C 지점 R 지점
1 9.7 9.8 9.7 8.0 7.6 7.4
2 9.8 9.7 9.7 8.0 8.6 8.3
3 9.9 9.8 9.8 6.9 7.3 7.3
10: 기판 기재층
20, 50: 감광성 수지 조성물층
30: 마스크
40: 스페이서
501: 비드

Claims (13)

  1. 기판 기재층의 표면에 형성된 감광성 수지 조성물층을 노광 및 현상하여 스페이서를 제조하는 단계를 포함하는 기판의 제조 방법으로서,
    상기 기판 기재층의 표면에 형성된 감광성 수지 조성물층은, 감광성 수지 및 비드를 포함하고,
    상기 감광성 수지 조성물층의 노광에서는 감광성 수지 조성물층에 접촉시킨 상태의 마스크를 매개로 상기 감광성 수지 조성물층에 광을 조사하는 기판의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서, 감광성 수지는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 옥세탄 수지 또는 싸이올-엔 수지인 기판의 제조 방법.
  5. 제1 항에 있어서, 비드는, 구형, 기둥형, 다각형 또는 무정형의 형태를 가지는 기판의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서, 비드의 크기가 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내인 기판의 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서, 비드는 아크릴 비드, 실리콘 비드, 실리카 비드, 탈크 비드, 우레탄 비드, 에폭시 비드, 제올라이트 비드 또는 폴리스티렌 비드인 기판의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서, 감광성 수지 조성물층은, 감광성 수지 100 중량부 대비 0.01 내지 10 중량부의 비드를 포함하는 기판의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서, 기판 기재층과 감광성 수지 조성물층의 사이에 전극층이 형성되어 있는 기판의 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서, 기판 기재층과 감광성 수지 조성물층의 사이에 차광층이 형성되어 있는 기판의 제조 방법.
  11. 제1 항에 있어서, 감광성 수지 조성물층은 색소를 추가로 포함하는 기판의 제조 방법.
  12. 제1 항에 있어서, 롤투롤 공정으로 진행되는 기판의 제조 방법.
  13. 제1 항에 있어서, 스페이서의 제조 후에 배향막을 형성하는 단계를 추가로 수행하는 기판의 제조 방법.
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