KR102124261B1 - 터치 패널 구비 표시 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 재팬 디스프레이
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Abstract

본 발명은 단순한 구조의 터치 패널 구비 표시 장치를 제공하는 것이다.
실시 형태에 따르면, 터치 패널 구비 표시 장치는, 표시 영역 내에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 센서 전극과, 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치된 전극 드라이버와, 전극 드라이버와 복수의 센서 전극을 접속하기 위한 복수의 배선을 구비한다. 복수의 센서 전극은 제1 센서 전극과 제2 센서 전극을 포함한다. 복수의 배선은 제1 센서 전극에 접속되는 제1 배선과, 제2 센서 전극에 접속되는 제2 배선을 포함한다. 제2 배선은 전극 드라이버가 위치하는 단자 방향과는 반대의 방향으로 인출되는 복수의 제1 인출 배선부와, 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함한다. 제1 배선은 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함한다. 복수의 제1 인출 배선부는 연결부를 통해 서로 접속되어 있다.

Description

터치 패널 구비 표시 장치 {DISPLAY DEVICE WITH TOUCH PANEL}
본 발명의 실시 형태는 터치 패널 구비 표시 장치에 관한 것이다.
스마트폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터 또는 노트북형 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대 단말기가 보급되고 있다. 이러한 휴대 단말기는 터치 패널 구비 표시 장치를 구비하는 경우가 많다.
일본 특허 공개 제2017-102454호 공보
터치 패널 구비 표시 장치는 터치 검출을 위한 센서 전극이 필요하다. 센서 전극에는 드라이버로부터의 배선이 접속된다. 센서 전극의 형상에 따라서는, 배선을 접속할 수 없는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 센서 전극의 형상에 상관없이 센서 전극에 배선을 접속할 수 있는 터치 패널 구비 표시 장치를 제공하는 것이다.
실시 형태에 따르면, 터치 패널 구비 표시 장치는, 표시 영역 내에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 센서 전극과, 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치된 전극 드라이버와, 전극 드라이버와 복수의 센서 전극을 접속하기 위한 복수의 배선을 구비한다.
복수의 센서 전극은 제1 센서 전극과 제2 센서 전극을 포함한다. 복수의 배선은 제1 센서 전극에 접속되는 제1 배선과, 제2 센서 전극에 접속되는 제2 배선을 포함한다. 제2 배선은 전극 드라이버가 위치하는 단자 방향과는 반대의 방향으로 인출되는 복수의 제1 인출 배선부와, 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함한다. 제1 배선은 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함한다. 복수의 제1 인출 배선부는 연결부를 통해 서로 접속되어 있다.
도 1은 실시 형태의 터치 패널 구비 표시 장치의 전기적인 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 2는 표시 패널의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 화소의 등가 회로의 일례를 도시한다.
도 4는 제1 실시 형태의 표시를 위한 드라이버와 표시 패널의 접속예를 도시한다.
도 5는 제1 실시 형태의 터치 검출을 위한 드라이버와 표시 패널의 접속예를 도시한다.
도 6은 도 5의 일부 확대도의 일례이다.
도 7a는 도 6의 센서 전극(COM(8,4))의 확대도이다.
도 7b는 도 6의 센서 전극(COM(1,1))의 확대도이다.
도 8은 제2 실시 형태의 터치 검출을 위한 드라이버와 표시 패널의 접속예를 도시한다.
도 9는 제3 실시 형태의 터치 검출을 위한 드라이버와 표시 패널의 접속예를 도시한다.
도 10a는 제3 실시 형태의 센서 전극(COM(8,6))의 일례의 확대도이다.
도 10b는 도 10a의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도 11a는 제3 실시 형태의 센서 전극(COM(8,6))의 다른 예의 확대도이다.
도 11b는 도 11a의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도 12는 제4 실시 형태의 터치 검출을 위한 드라이버와 표시 패널의 접속예를 도시한다.
도 13은 제5 실시 형태의 터치 검출을 위한 드라이버와 표시 패널의 접속예를 도시한다.
도 14a는 제1, 제3 및 제4 실시 형태에 있어서의 주변 영역의 배선 접속예를 도시한다.
도 14b는 제1, 제3 및 제4 실시 형태에 있어서의 주변 영역의 배선 접속예를 도시한다.
도 15는 도 14b를 확대하여 도시한다.
도 16a는 도 15의 A-A'선을 따른 단면도이다.
도 16b는 도 15의 B-B'선을 따른 단면도이다.
이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 개시는 어디까지나 일례에 지나지 않으며, 이하의 실시 형태에 기재한 내용에 의해 발명이 한정되는 것은 아니다. 당업자가 용이하게 상도할 수 있는 변형은, 당연히 개시의 범위에 포함된다. 몇 가지의 요소에 복수의 호칭을 부여하고 있지만, 이들 호칭의 예는 어디까지나 예시이며, 이들 요소에 다른 호칭을 부여하는 것을 부정하는 것은 아니다. 또한, 복수의 호칭이 부여되지 않은 요소에 대해서도, 다른 호칭을 부여하는 것을 부정하는 것은 아니다. 설명을 보다 명확히 하기 위해, 도면에 있어서 각 부분의 사이즈, 두께, 평면 치수 또는 형상 등을 실제의 실시 양태에 대하여 변경하여 모식적으로 나타내는 경우도 있다. 또한, 도면 상호간에 있어서 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되는 경우도 있다. 복수의 도면에 있어서, 대응하는 요소에는 동일한 참조 숫자를 부여하여 상세한 설명을 생략하는 경우도 있다.
터치 패널 구비 표시 장치는, 표시 장치와 터치 검출 기능을 실현하는 터치 패널이 각각 제조되어, 표시 장치의 화면에 터치 패널이 부착되는 온 셀 타입(외장 타입이라고도 부름)과, 표시 장치와 터치 패널이 일체화되어 있는 인 셀 타입(내장 타입이라고도 부름)을 포함한다. 인 셀 타입의 표시 장치는, 터치 검출 기능을 갖는 부품의 일부 혹은 전부가 표시 기능을 갖는 부품의 일부 혹은 전부와 겸용되는 장치, 또는 터치 검출 기능을 갖는 부품과 표시 기능을 갖는 부품이 서로 겸용되지 않는 장치를 포함한다. 인 셀 타입의 표시 장치에서는, 예를 들어 컬러 필터와 편광판의 사이에 센서 전극이 형성되고, TFT 기판 상에 형성되는 표시를 위한 공통 전극이 터치 검출을 위한 구동 전극으로서도 사용되는 경우가 있다. 인 셀 타입의 표시 장치에 대해서는 외장 터치 패널이 없기 때문에, 전체가 박형·경량화됨과 함께, 표시의 시인성도 향상된다. 실시 형태는 인 셀 타입의 표시 장치를 설명하지만, 본 발명은 온 셀 타입의 표시 장치에도 적용 가능하다.
터치 검출 방식에는 광학식, 저항식, 정전 용량 방식 또는 전자기 유도 방식 등의 다양한 방식이 있다. 정전 용량 방식은 한 쌍의 전극(구동 전극과 센서 전극이라 부름)간의 정전 용량이 물체의 근접 또는 접촉에 의해 변화되는 것을 이용하는 검출 방식이며, 비교적 단순한 구조라는 것과, 소비 전력이 적다는 이점이 있다. 실시 형태로서, 정전 용량 방식의 터치 패널 구비 표시 장치를 설명한다.
정전 용량 방식은, 서로 이격된 상태에서 대향 배치된 구동 전극과 센서 전극의 사이의 정전 용량을 검출하는 상호 용량 방식(Mutual Capacitive Sensing) 및 하나의 센서 전극과 예를 들어 접지 전위 등의 기준 전위 사이의 정전 용량을 검출하는 자기 용량 방식(Self Capacitive Sensing)을 포함한다. 터치 검출 기능을 갖는 표시 장치는 입력 장치의 일 형태이며, 손가락 또는 터치펜 등의 물체가 터치면에 접근하거나 또는 접촉하면 입력 신호를 검출하여 터치 위치를 산출한다. 터치 위치는 터치면의 입력 신호를 검출한 점의 좌표이다.
본 명세서에 있어서, 접촉 상태는 물체가 표시면에 접촉한 상태 또는 접촉이라 간주할 수 있는 거리까지 표시면에 근접한 상태를 의미한다. 이 때문에, 비접촉 상태는 물체가 표시면에 접촉하지 않은 상태 또는 접촉이라 간주할 수 있는 거리까지 표시면에 근접하지 않은 상태를 의미한다. 물체의 접촉 상태를 검출하는 것을 터치 검출이라고도 부른다.
표시 장치는 액정 표시 장치, 자발광형의 유기 EL 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 표시 장치, 전기 영동 소자 등을 갖는 전자 페이퍼형의 표시 장치, MEMS(Micro Electro Mechanical System)를 응용한 표시 장치 또는 일렉트로크로미즘을 응용한 표시 장치 등을 이용할 수 있으며, 일례로서 액정 표시 장치를 사용한 실시 형태를 설명하지만, 유기 EL 표시 장치 또는 플라즈마 디스플레이 표시 장치 등을 사용한 실시 형태도 가능하다. 액정 표시 장치의 표시 모드는, 표시 기능층인 액정층의 액정 분자의 배향을 변화시키기 위한 전계의 인가 방향에 따라 크게 2개로 분류된다. 첫번째는 표시 장치의 두께 방향(혹은 면외 방향)으로 전계가 인가되는 소위 종전계 모드이다. 종전계 모드는 예를 들어 TN(Twisted Nematic) 모드나 VA(Vertical Alignment) 모드 등을 포함한다. 두번째는 표시 장치의 평면 방향(혹은 면내 방향)으로 전계가 인가되는 소위 횡전계 모드이다. 횡전계 모드는 예를 들어 IPS(In-Plane Switching: 인플레인 스위칭) 모드 또는 IPS 모드의 하나인 FFS(Fringe Field Switching: 프린지 필드 스위칭) 모드 등을 포함한다. 이하에서 설명하는 기술은 종전계 모드 및 횡전계 모드 중 어느 것에도 적용할 수 있다. 실시 형태로서는 횡전계 모드의 표시 장치를 설명하지만, 본 발명은 종전계 모드의 표시 장치에도 적용 가능하다.
터치 패널 구비 액정 표시 장치는, 예를 들어 스마트폰, 태블릿 단말기, 휴대 전화 단말기, 노트북 타입의 퍼스널 컴퓨터, 차량 탑재 기기 또는 게임 기기 등의 다양한 장치에 사용할 수 있다.
[제1 실시 형태]
[개략 구성]
도 1은 제1 실시 형태의 터치 패널 구비 표시 장치의 전기적인 구성의 일례를 도시하는 블록도이다. 표시 장치는 표시부(14)와 터치 센서(16)를 구비하는 표시 패널(12)을 포함한다. 도 1에서는, 표시부(14)와 터치 센서(16)는 별체와 같이 도시되어 있지만, 양자는 일체화되어도 된다. 양자가 일체화되는 경우, 표시부(14)의 전극이나 기판 등이 터치 센서(16)의 전극이나 기판 등에 겸용된다. 표시부(14)는 표시 소자로서 액정 표시 소자 또는 유기 EL 소자 등을 사용해도 된다. 표시부(14)는 표시 소자를 갖는 복수의 화소를 구비함과 함께, 복수의 화소에 대향하는 표시면을 갖는다. 도시하지 않은 호스트 장치 등으로부터 영상 신호(Vdisp)가 컨트롤러(18)에 공급된다. 컨트롤러(18)는 영상 신호(Vdisp)에 기초하여 게이트 드라이버(22), 소스 드라이버(24), 센서 전극 드라이버(26) 및 검출 타이밍 제어 회로(32)에 제어 신호를 공급하고, 표시부(14)에 영상 신호(Vdisp)에 기초한 표시를 행하게 한다. 컨트롤러(18)는 표시 장치의 표시 동작 및 터치 검출 동작을 제어한다.
게이트 드라이버(22)는, 컨트롤러(18)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 표시부(14)의 표시 구동의 대상이 되는 하나의 수평 라인 또는 복수의 수평 라인에 주사 신호(Vscan)를 순차 공급한다. 이에 의해, 표시 구동의 대상이 되는 하나의 수평 라인 또는 복수의 수평 라인이 순차 선택된다. 도 1에서는, 게이트 드라이버(22)는 표시부(14)의 하나의 수평 라인의 일단부(좌측 단부)의 외측에 설치되어 있지만, 다른쪽의 일단부(우측 단부) 또는 좌우 양단의 외측에 설치되어도 된다.
소스 드라이버(24)는, 컨트롤러(18)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 표시부(14)의 각 부화소(s-PIX)(도 3 참조)에 화소 신호(Vpix)를 공급한다. 소스 드라이버(24)의 기능의 일부는, 표시 패널(12)에 탑재되어도 된다. 이 경우, 컨트롤러(18)는 화소 신호(Vpix)를 생성하고, 이 화소 신호(Vpix)를 소스 드라이버(24)에 공급해도 된다. 또한, 소스 드라이버(24)의 기능의 일부는 컨트롤러(18)에 탑재되어도 된다.
센서 전극 드라이버(26)는 컨트롤러(18)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여 표시할 때, 표시 패널(12)의 센서 전극(COM)(도 4 참조)에 표시용의 일정한 전압 신호인 구동 신호(Vcomdc)를 공급함과 함께, 터치 검출시에 센서 전극(COM)(도 5 참조)에 검출용의 고주파의 펄스 신호인 구동 신호(Vcom)를 공급한다. 센서 전극 드라이버(26)의 기능의 일부는 컨트롤러(18)에 탑재되어도 된다. 컨트롤러(18)는, 표시부(14)에 의해 표시를 행하는 표시 동작과 터치 센서(16)에 의해 물체의 접촉 상태를 검출하는 터치 검출 동작을 시분할로 행한다.
터치 센서(16)는 공지된 자기 용량 방식에 의한 터치 검출의 기본 원리에 기초하여 터치 검출을 행할 수 있다. 터치 센서(16)는 공지된 자기 용량 방식에 의한 검출 신호(Vdet2)를 검출부(34)에 출력한다. 또한, 터치 센서(16)는 상호 용량 방식에 의한 터치 검출의 기본 원리에 기초하여 터치 검출을 행할 수도 있다. 터치 센서(16)는 상호 용량 방식에 의한 검출 신호(Vdet1)를 검출부(34)에 출력한다. 터치 센서(16)는 자기 용량식, 상호 용량식 중 어느 방식을 사용해도 되고, 기간적으로 양쪽 방식을 전환하여 양쪽 방식을 병용해도 된다.
검출부(34)는, 컨트롤러(18)로부터 공급되는 제어 신호와 상호 용량 방식의 터치 검출을 행하는 터치 센서(16)로부터 출력되는 검출 신호(Vdet1)에 기초하여, 표시 패널(12)의 표시면으로의 물체의 접촉 상태를 검출한다. 검출부(34)는, 컨트롤러(18)로부터 공급되는 제어 신호와, 자기 용량 방식의 터치 검출을 행하는 터치 센서(16)로부터 출력되는 검출 신호(Vdet2)에 기초하여, 표시 패널(12)의 표시면으로의 물체의 접촉 상태를 검출한다. 검출부(34)는 검출 신호(Vdet1, Vdet2) 중 어느 것에 기초하여 물체의 접촉 상태를 검출해도 되고, 양쪽 검출 신호(Vdet1, Vdet2)에 기초하여 물체의 접촉 상태를 검출해도 된다. 검출부(34)는 접촉 상태를 검출한 경우, 표시면 상의 물체의 접촉 위치의 좌표 등을 구한다.
터치 검출의 원리를 간단하게 설명한다. 상호 용량 방식의 센서는 유전체를 사이에 두고 서로 대향 배치된 구동 전극과 센서 전극에 의해 형성된다. 구동 전극에 구동 펄스(Vcom)를 가하면, 구동 전극과 센서 전극의 사이에 전계가 발생하고, 전계에 따른 신호가 발생한다. 물체의 접촉 상태시에는 센서 전극과 물체의 사이에 전계가 발생하기 때문에, 전극간의 전계는 감소하고, 발생하는 신호의 진폭은 감소한다. 이 동작을 구동 펄스 동안 반복하여, 발생하는 신호의 진폭에 기초하여 물체의 접촉 상태가 검출된다.
자기 용량 방식의 센서는 센서 전극을 포함한다. 비접촉시에 센서 전극에는 기생 용량이 발생하고 있다. 물체의 접촉 상태시에는 센서 전극과 물체의 사이에 정전 용량이 발생하고, 센서 전극의 용량은 증가한다. 센서 전극에 구동 펄스(Vcom)를 가하면, 센서 전극은 충전과 방전을 반복하고, 센서 전극의 용량의 차에 의해 충방전 특성이 접촉 상태와 비접촉 상태에서 상이하다. 이 동작을 구동 펄스 동안 반복하여, 충방전 특성에 기초하여 물체의 접촉 상태가 검출된다.
검출부(34)는, 아날로그 프론트엔드부(이하, AFE라 부름)(36)와 신호 처리 회로(42)와 위치 검출 회로(44)와 검출 타이밍 제어 회로(32)를 구비한다. AFE(36)는 증폭기(38)와 아날로그/디지털 변환기(40)(이하 A/D 변환기)를 포함한다. AFE(36)는 검출 신호(Vdet1, Vdet2)를 디지털 신호로 변환하여 신호 처리 회로(42)에 출력하는 아날로그 신호 처리 회로이다. 검출 타이밍 제어 회로(32)는 컨트롤러(18)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, A/D 변환기(40)와 신호 처리 회로(42)와 위치 검출 회로(44)를 동기하여 동작하도록 제어한다.
터치 검출에 있어서, 증폭기(38)는 터치 센서(16)로부터 공급된 검출 신호(Vdet1)를 증폭한다. A/D 변환기(40)는 구동 신호(Vcom)에 동기한 타이밍에서 증폭기(38)로부터 출력되는 아날로그 신호를 각각 샘플링하여 디지털 신호로 변환한다.
신호 처리 회로(42)는 A/D 변환기(40)의 출력 신호에 기초하여 표시 패널(12)에 대한 터치의 유무를 검출하는 논리 회로이다. 신호 처리 회로(42)는, 손가락 또는 스타일러스펜 등의 물체의 유무에 의한 검출 신호를 소정의 역치 전압과 비교하고, 비교 결과에 따라 물체가 비접촉 상태이거나 또는 접촉 상태라고 판단한다.
위치 검출 회로(44)는 신호 처리 회로(42)에 있어서 접촉 상태인 것이 검출되었을 때, 표시 패널(12)의 표시면 상의 좌표를 구하는 논리 회로이다. 위치 검출 회로(44)는 좌표를 출력 신호(Vout)로서 출력한다. 위치 검출 회로(44)는 출력 신호(Vout)를 컨트롤러(18)에 출력해도 된다. 컨트롤러(18)는 출력 신호(Vout)에 기초하여 소정의 표시 동작 또는 검출 동작을 실행할 수 있다.
검출부(34)의 증폭기(38), A/D 변환기(40), 신호 처리 회로(42), 위치 검출 회로(44) 및 검출 타이밍 제어 회로(32)는, 표시 패널(12)에 탑재되어도 된다. 단, 이것으로 한정되지 않으며, 검출부(34)의 전부 또는 일부의 기능은 외부의 제어 기판 또는 프로세서 등에 탑재되어도 된다. 예를 들어, 위치 검출 회로(44)는 표시 패널(12)과는 다른 외부 프로세서에 탑재되어도 된다. 이 경우, 검출부(34)는 신호 처리 회로(42)가 신호 처리한 신호를 출력 신호(Vout)로서 출력해도 된다. 혹은, AFE(38)는 표시 패널(12)에 탑재되고, 신호 처리 회로(42) 및 위치 검출 회로(44)는 외부 프로세서에 탑재되어도 된다. 이 경우, 검출부(34)는 A/D 변환기(40)가 신호 처리한 디지털 신호를 출력 신호(Vout)로서 출력해도 된다.
도 2는 표시 패널(12)의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 표시 패널(12)은, 제1 기판(52)과, 제1 기판(52)에 대향 배치된 제2 기판(54)과, 제1 기판(52)과 제2 기판(54) 사이에 배치된 액정층(56)을 구비한다. 제2 기판(54)은 제1 기판(52)의 표면에 수직인 방향에 대향하여 배치된다. 후술하는 바와 같이, 제1 기판(52)에는 화소 전극(64)이 2차원 어레이 형상(매트릭스 형상이라고도 부름)으로 배치되기 때문에, 제1 기판(52)은 화소 기판 또는 어레이 기판이라고도 부른다. 제2 기판(54)은 대향 기판이라고도 부른다. 표시 패널(12)은 제2 기판(54)측으로부터 관찰된다. 이 때문에, 제2 기판(54)은 상측 기판, 제1 기판(52)은 하측 기판이라 부르는 경우도 있다.
제1 기판(52)은, 유리 기판 또는 수지 기판 등의 투명한 제1 기재(62)와, 복수의 화소 전극(64)과, 복수의 센서 전극(COM)과, 편광판(66B)을 구비한다. 화소 전극(64), 센서 전극(COM)은 투광성(광투과성)의 도전성 재료, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함한다. 투광성의 도전성 재료로서는, ITO 이외에도 예를 들어 인듐(In), 주석(Sn) 및 아연(Zn)의 각각의 산화물 중 적어도 1종류로 형성되는 산화물 도전막을 사용할 수 있다. 도 2에서는 도시를 생략하지만, 게이트 드라이버(22)에 포함되는 게이트 스캐너 등의 회로, TFT(Thin Film Transistor) 등의 스위칭 소자, 주사선 또는 신호선 등의 각종 배선은 제1 기재(62)에 형성된다.
복수의 화소 전극(64)과 복수의 센서 전극(COM)은 제1 기재(62) 상에 매트릭스 형상으로 형성된다. 복수의 화소 전극(64)은 절연층(68)을 통해 센서 전극(COM)의 상부에 형성된다. 이와 같이, 화소 전극(64)은 평면으로 보아 센서 전극(COM)과 겹쳐서 배치되지만, 화소 전극(64)은 센서 전극(COM)과는 상이한 층에 형성된다. 화소 전극(64)과 센서 전극(COM)은 일대일이 아니라, 복수의 화소 전극(64)이 하나의 센서 전극(COM)에 대응하고 있어도 된다. 도 2에서는, 화소 전극(64)은 센서 전극(COM)의 상측에 형성되지만, 이것으로 한정되지 않으며, 센서 전극(COM)을 화소 전극(64)의 상측에 형성해도 된다. 즉, 화소 전극(64)과 센서 전극(COM)은 절연층(68)을 사이에 두고 제1 기재(62)의 표면에 수직인 방향으로 격리되어 형성되어 있으면 되며, 어느 쪽이 위여도 된다.
제1 기판(52)의 표면에 수직인 방향(Z 방향이라고도 부름)에 있어서, 제1 기판(52)으로부터 제2 기판(54)을 향하는 방향을 상향, 제2 기판(54)으로부터 제1 기판(52)을 향하는 방향을 하향이라 부른다. 즉, 제2 기판(54)은 제1 기판(52) 위에 있다. 평면으로 본다는 것은, 제1 기판(52)의 표면에 수직인 방향에서 위로부터 보는 것을 의미한다. 편광판(66B)은 제1 기재(62)의 센서 전극(COM)과는 반대측의 하면에 형성된다.
제2 기판(54)은, 유리 기판 또는 수지 기판 등의 제2 기재(72)와, 제2 기재(72)의 한쪽의 면에 형성된 컬러 필터(74)와, 제2 기재(72)의 다른쪽의 면에 형성된 편광판(66A)을 구비한다. 컬러 필터(74)는 제1 기판(52)에 수직인 방향에 있어서 액정층(56)과 대향한다. 컬러 필터(74)는 제1 기재(62) 상에 배치해도 된다.
제1 기판(52)과 제2 기판(54)은 소정의 간격을 두고 대향하여 배치되며, 그 사이에 액정층(56)이 형성된다. 액정층(56)은 통과하는 광을 전계의 상태에 따라 변조한다.
도 2에서는 도시를 생략하지만, 액정층(56)과 제1 기판(52) 사이 및 액정층(56)과 제2 기판(54) 사이에 각각 배향막이 배치된다. 제1 기판(52)의 아래에는 조명부(백라이트)가 형성된다. 조명부는, 예를 들어 LED 등의 광원을 구비하고, 광원으로부터의 광을 제1 기판(52)을 향해 조사한다. 광원으로부터의 광은 제1 기판(52)을 통과하고, 각 화소에 대응하는 액정층(56)의 부분의 상태에 따라 변조되어, 표시면으로의 광투과 상태는 화소에 따라 상이하다. 이에 의해, 표시면에 화상이 표시된다.
도 3은 표시부(14)의 화소의 등가 회로의 일례를 도시한다. 표시부(14)는 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 부화소(s-PIX)를 갖는다. 부화소(s-PIX)는 각각 스위칭 소자(Tr)와 액정 소자(56a)를 구비한다. 스위칭 소자(Tr)는 박막 트랜지스터에 의해 구성되며, 예를 들어 ｎ채널의 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형의 TFT에 의해 구성된다. 화소 전극(64)과 센서 전극(COM) 사이에 절연층(68)이 형성되고, 이들에 의해 유지 용량(56b)이 형성된다.
화소 전극(64)은 표시 패널(12)의 각 화소(PIX)를 구성하는 부화소(s-PIX)에 대응하고 있다. 각 부화소(s-PIX)의 스위칭 소자(Tr), 신호선(소스선이라고도 부름)(S) 또는 주사선(게이트선이라고도 부름)(G) 등은 제1 기판(52)에 형성된다. 신호선(S), 주사선(G)은 스위칭 소자(Tr)에 전기적으로 접속된다. 스위칭 소자(Tr)는 신호선(S)과 주사선(G)의 교점(전기적으로는 절연)에 배치된다. 신호선(S)은 소스 드라이버(24)로부터 각 화소 전극(64)에 화소 신호(Vpix)를 공급하기 위한 배선이다.
게이트 드라이버(22)는 주사선(G)을 순차 선택한다. 게이트 드라이버(22)는 주사 신호(Vscan)를 선택된 주사선(G)을 통해 부화소(s-PIX)의 스위칭 소자(Tr)의 게이트에 인가한다. 이에 의해, 부화소(s-PIX) 중 1행(1 수평 라인)이 표시 구동의 대상으로서 선택된다. 소스 드라이버(24)는 화소 신호(Vpix)를 선택된 부화소(s-PIX)에 신호선(S)을 통해 공급한다. 그리고, 이들 부화소(s-PIX)에서는 공급된 화소 신호(Vpix)에 따라 1 수평 라인씩 표시가 행해진다.
이 표시 동작을 행할 때, 센서 전극 드라이버(26)는 센서 전극(COM)에 대하여 일정한 전압 신호인 표시용의 구동 신호(Vcomdc)를 인가한다. 표시용의 구동 신호(Vcomdc)는 복수의 부화소(s-PIX)에 대한 공통 전위가 되는 전압 신호이다. 이에 의해, 각 센서 전극(COM)은 표시 동작에 있어서 화소 전극(64)에 대한 공통 전극으로서 기능한다. 신호선(S)과 주사선(G)은 제1 기재(62)의 표면과 평행한 평면에 형성된다.
컬러 필터(74)는 예를 들어 적(R), 녹(G), 청(B)의 3색으로 착색된 색 영역(74R, 74G, 74B)이 주기적으로 배열되어 이루어진다. 각 부화소(s-PIX)는 하나의 색 영역(74R, 74G 또는 74B)에 대응지어진다. 화소(PIX)는 3색의 색 영역(74R, 74G, 74B)에 대응하는 3개의 부화소(s-PIX)로 구성된다. 컬러 필터(64)는 3색 이상의 색 영역, 예를 들어 백색(W) 영역을 포함해도 된다.
[센서 전극과 컨트롤러(CT)(검출 드라이버(R2))의 접속 배선]
도 4는 본 실시 형태에 관한 터치 패널 구비 표시 장치(DSP)의 표시를 위한 화소 전극과 게이트 드라이버, 소스 드라이버의 접속예를 도시한다. 도 5는 본 실시 형태에 관한 터치 패널 구비 표시 장치(DSP)의 터치 검출을 위한 센서 전극(COM)과 센서 전극 드라이버(26)의 접속예를 도시한다. 도 6은 도 5의 각 배선군(L12n) 중의 8개의 배선(L1 내지 L8)과 센서 전극(COM)의 접속의 상세한 설명의 일례를 도시한다. 도 4의 배선(G, S)과 도 5의 배선(L1 내지 L8)은 상이한 층에 의해 형성된다. 도면 중에 있어서, 표시 패널(PNL)의 면을 규정하는 제1 방향(X 방향이라 부름) 및 제2 방향(Y 방향이라 부름)은 서로 교차하는 방향이며, 제3 방향(Z 방향이라 부름)은 X 방향 및 Y 방향과 교차하는 방향이다. 일례에서는, X 방향, Y 방향 및 Z 방향은 서로 직교하고 있지만, 서로 90도 이외의 각도로 교차해도 된다.
도 4에 도시한 바와 같이, 표시 장치(DSP)는 표시 패널(PNL)(도 1의 표시부(14)에 대응함)과, 배선 기판(F)과, 컨트롤러(CT)를 구비한다. IC화되어 있는 컨트롤러(CT)는 배선 기판(F)에 실장되어 있다. 배선 기판(F)은 플렉시블 기판 등을 포함하며, 도시하지 않은 호스트 장치와 표시 패널(PNL)을 접속한다.
표시 패널(PNL)은, 제1 기판(SUB1)(도 2의 제1 기판(52)에 대응함)과, 제2 기판(SUB2)(도 2의 제2 기판(54)에 대응함)을 구비한다. 도 4, 도 5에는 도시하지 않았지만, 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에 액정층(도 2의 액정층(56)에 대응함)이 형성된다. 표시 패널(PNL)은, 화상을 표시하는 표시 영역(표시면이라고도 부름)(DA)과, 그 이외의 주변 영역(SA)을 갖는다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PIX)(혹은 부화소(s-PIX))가 배치된 영역이다. 주변 영역(SA)은 제1 기판(SUB1)의 외주보다도 내측이며, 또한 표시 영역(DA)보다도 외측의 영역이다. 주변 영역(SA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 프레임 형상이어도 되고, 그 경우 주변 영역(SA)은 프레임 영역이라고도 부른다.
표시 패널(PNL)은, 표시 영역(DA)에 있어서 복수의 주사선(G)과 복수의 신호선(S)을 구비한다. 복수의 주사선(G)은 각각 X 방향을 따라 연장되어 있으며, Y 방향으로 간격을 두고 배치된다. 복수의 신호선(S)은 각각 Y 방향을 따라 연장되어 있으며, X 방향으로 간격을 두고 배치된다. 표시 영역(DA)은 X 방향 및 Y 방향을 따라 배열된 복수의 화소(PIX)(도 3 참조)를 갖는다. 복수의 화소(PIX)는 센서 전극(COM)에 대응한다. 대부분의 센서 전극(COM)의 평면으로 본 형상은 일정한 형상, 예를 들어 정사각형 또는 직사각형이지만, 후술하는 바와 같이 몇 가지의 센서 전극의 평면으로 본 형상은 이형이다. 일정한 형상은 도 4, 도 5의 예에서는 정사각형이다. 어레이 형상으로 배치되는 도 4의 파선 및 도 5의 실선의 정사각형은 센서 전극(COM)을 나타낸다.
표시 패널(PNL)은 5개의 단부(E1, E2, E3, E4, E5)를 갖는다. 단부(E1, E5)는 표시 영역(DA)에 대하여 동일한 측에 위치한다. 단부(E2)는 표시 영역(DA)에 대하여 단부(E1)의 반대측에 위치한다. 단부(E4)는 표시 영역(DA)에 대하여 단부(E3)의 반대측에 위치한다. 단부(E1, E2, E5)는 X 방향을 따라 연장되고, 단부(E3, E4)는 Y 방향을 따라 연장되어 있다. 각 단부(E2, E3, E4)에 있어서, 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)의 각각의 테두리부는 정렬되어 있다. 단부(E1)는 제1 기판(SUB1)의 테두리부에 상당한다. 단부(E5)는 제2 기판(SUB2)의 테두리부에 상당한다. 단부(E5)는 단부(E1)보다도 표시 영역(DA)의 측에 위치하고 있다. 표시 패널(PNL)은 단부(E1, E5)의 사이에 있어서, 제1 기판(SUB1)은 제2 기판(SUB2)과 대향하지 않는 비대향 영역(NA)(혹은 단자 영역)을 갖는다. 배선 기판(F)은 제1 기판(SUB1)의 비대향 영역(NA)에 접속된다.
제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)은 평면으로 보아 거의 직사각형이다. 제1 기판(SUB1)은 단부(E1, E3)가 교차하는 코너부(C11)와, 단부(E1, E4)가 교차하는 코너부(C12)와, 단부(E2, E3)가 교차하는 코너부(C13)와, 단부(E2, E4)가 교차하는 코너부(C14)를 갖는다. 제2 기판(SUB2)은 코너부(C11)의 근방에 위치하는 코너부이며 단부(E5, E3)가 교차하는 코너부(C21)와, 코너부(C12)의 근방에 위치하는 코너부이며 단부(E5, E4)가 교차하는 코너부(C22)와, 코너부(C13)와 겹치는 코너부이며 단부(E2, E3)가 교차하는 코너부(C23)와, 코너부(C14)와 겹치는 코너부이며 단부(E2, E4)가 교차하는 코너부(C24)를 갖는다. 표시 영역(DA)은, 코너부(C21)의 근방 내측에 위치하는 코너부(C31)와, 코너부(C22)의 근방 내측에 위치하는 코너부(C32)와, 코너부(C23, C13)의 근방 내측의 코너부(C33)와, 코너부(C24, C14)의 근방 내측의 코너부(C34)를 갖는다. 도면 중의 일점쇄선은, 표시 영역(DA)의 테두리부에 상당하고, 이 테두리부는 코너부(C31, C32, C33, C34)를 포함한다.
일반적인 표시 장치와 마찬가지로, 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)의 형상은 평면으로 보아 직사각형이지만, 직사각형으로 한정되지 않으며, 정사각형 등의 다른 형상이어도 되고, 코너부가 원호 형상으로 변형되어 있어도 되고, 일부에 오목부, 볼록부가 구비되어 있어도 된다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1)의 배선 기판(F)에 가까운 단부(E1)의 양단의 코너부(C11, C12)와, 제2 기판(SUB2)의 배선 기판(F)에 가까운 단부(E5)의 양단의 코너부(C21, C22)와, 표시 영역(DA)의 배선 기판(F)에 가까운 단부의 양단의 코너부(C31, C32)는 모두 직각인 코너부이다. 제1 기판(SUB1)의 배선 기판(F)에 먼 단부(E2)의 양단의 코너부(C13, C14)와, 제2 기판(SUB2)의 배선 기판(F)에 먼 단부(E2)의 양단의 코너부(C23, C24)와, 표시 영역(DA)의 배선 기판(F)에 먼 단부의 양단의 코너부(C33, C34)는 모두 원호 형상이며, 라운드부라 부르는 경우가 있다. 이와 같이 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)의 형상은, 평면으로 보아 하변의 양단의 2코너부는 직각인 코너부이며, 상변의 양단의 2코너부는 원호 형상으로 둥글게 된 코너부이지만, 상변의 2코너부를 제외하면 대략 직사각형이다. 이 라운드부는 필수는 아니며, 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)의 형상은 직각인 4코너부를 포함하는 직사각형이어도 된다.
또한, 전자 부품의 실장상의 이유 등에 의해, 표시 패널(PNL)의 단부(E2)의 일부에 오목부가 형성되는 경우가 있으며, 도 4, 도 5는 오목부(98)를 포함하는 예를 나타낸다. 그러나, 오목부(98)는 본 발명에 필수는 아니며, 오목부(98)를 포함하지 않는 표시 패널의 실시 형태도 본 발명에 포함된다. 도 4, 도 5는 단부(E2)의 중앙에 하나의 오목부(98)가 형성되는 예를 나타내지만, 오목부(98)의 수는 복수여도 되고, 형성 개소도 중앙으로 한정되지 않는다. 오목부(98)는 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)에 형성되는 예를 나타냈지만, 오목부(98)는 제1 기판(SUB1)에만 형성되고, 제2 기판(SUB2)에는 오목부(98)가 형성되지 않아도 된다.
오목부(98)는 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)의 외주로부터 표시 영역(DA)을 향해 만곡되는 형태로 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2)을 잘라내고 있다. 만곡부의 형상은 임의이며, 도 4의 예에서는 직사각형이다. 그러나, 이것으로 한정되지 않으며, 반원형이어도 되고, 삼각형, 오각형 등의 다각형이어도 되고, 아치 형상이어도 되고, 직사각형이나 다각형의 선단이 원호 형상이 되어 있는 형상이어도 된다.
라운드부와 오목부(98)의 적어도 한쪽이 존재하는 경우, 표시 패널(PNL)의 평면으로 본 형상은 이형이라 부른다. 도 5를 참조하여 후술하는 바와 같이, 라운드부가 형성된 부분에서는 센서 전극(COM)도 라운드부의 형상에 따른 이형이며, 오목부(98)가 형성된 부분에서는, 센서 전극(COM)도 오목부(98)의 형상에 따른 이형이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 표시 패널(PNL)은 주변 영역(SA)에 있어서, 각 주사선(G)이 접속된 주사선 드라이버(GD1, GD2)(도 1의 게이트 드라이버(22)에 대응함)와, 각 신호선(S)이 접속된 신호선 드라이버(SD)(도 1의 소스 드라이버(24)에 대응함)를 구비한다. 주사선 드라이버(GD1)는 제1 기판(SUB1)의 표시 영역(DA)과 단부(E3) 사이에 배치되며, 주사선 드라이버(GD2)는 제1 기판(SUB1)의 표시 영역(DA)과 단부(E4) 사이에 배치된다. 주사선 드라이버(GD1, GD2)의 한쪽을 생략해도 된다. 신호선 드라이버(SD)는, 제1 기판(SUB1)의 표시 영역(DA)과 단부(E5) 사이에 배치된다.
주사선 드라이버(GD1, GD2)와, 신호선 드라이버(SD)는 표시 영역(DA)을 따라 배치되기 때문에, 주사선 드라이버(GD1)는 코너부(C33)의 근방에 있어서 코너부(C33)와 마찬가지로 원호 형상으로 구부러진 영역에 형성되며, 코너부(C34)의 근방에 있어서 주사선 드라이버(GD2)는 코너부(C34)와 마찬가지로 원호 형상으로 구부러진 영역에 형성되어 있다. 신호선 드라이버(SD)는 직선 형상의 영역에 설치된다. 주사선 드라이버(GD1, GD2)는, 각 주사선(G)에 대하여 주사 신호(Vscan)를 공급한다. 신호선 드라이버(SD)는, 각 신호선(S)에 대하여 영상 신호(Vpix)를 공급한다. 어떤 스위칭 소자(Tr)에 대응하는 주사선(G)에 주사 신호(Vscan)가 공급되고, 또한 이 스위칭 소자(Tr)에 접속된 신호선(S)에 영상 신호(Vpix)가 공급되면,이 영상 신호(Vpix)에 따른 전압이 화소 전극(64)(도 4에는 도시하지 않았지만, 도 3에 도시한 바와 같이 공통 전극(COM) 내에 다수 있음)에 인가된다. 한편, 센서 전극(COM)에는 표시를 위한 구동 신호(Vcomdc)가 인가된다. 이때, 화소 전극(64)과 센서 전극(COM) 사이에 발생하는 전계의 크기에 따라, 액정층(56)에 포함되는 액정 분자의 배향 상태는 변화된다. 이러한 동작에 의해, 표시 영역(DA)에 화상이 표시된다.
비대향 영역(NA)에는 단부(E1)에 따라 접속 단자(T)가 형성되어 있다. 접속 단자(T)에 배선 기판(F)의 일단부가 접속되어 있다. 배선 기판(F)의 타단부는 호스트 장치에 접속된다. 배선 기판(F)에 실장되어 있는 컨트롤러(CT)(도 1의 컨트롤러(18)에 대응함)는, 주사선 드라이버(GD1, GD2) 및 신호선 드라이버(SD)를 제어하는 표시 드라이버(R1)(도 1의 게이트 드라이버(22) 및 소스 드라이버(24)에 대응함)와, 터치 검출용의 검출 드라이버(R2)(도 1의 센서 전극 드라이버(26) 및 검출부(34)에 대응함)를 구비한다. 표시 드라이버(R1)와 검출 드라이버(R2)는 컨트롤러(CT)와는 다르며, 각각 다른 패키지로 IC화되어 있어도 되고, 컨트롤러(CT)와 함께 1패키지로 IC화되어 있어도 된다. 접속 단자(T) 중의 표시 드라이버(R1)에 접속되는 단자군은 배선군(L10)을 통해 주사선 드라이버(GD1, GD2) 및 신호선 드라이버(SD)에 접속된다. 표시 드라이버(R1) 및 검출 드라이버(R2)의 실장 양태는 이것으로 한정되지 않으며, 예를 들어 제1 기판(SUB1)에 실장되어도 된다. 또한, 표시 드라이버(R1) 및 검출 드라이버(R2)는 상이한 부재에 실장되어도 된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 접속 단자(T) 중의 검출 드라이버(R2)에 접속되는 단자군은 배선군(L12)을 통해 센서 전극(COM)에 접속된다. 단자군을 구성하는 단자의 수와 센서 전극(COM)의 수는 동등하다. 도 5, 도 6, 도 7을 참조하여 센서 전극(COM)과 검출 드라이버(R2)의 접속예를 설명한다. 복수의 센서 전극((COM)(1,1) 내지 COM(8,6))(총칭할 때는 COM이라 부름)은 제1 기판(SUB1)의 표시 영역(DA)에 매트릭스 형상으로 배치된다. 바꾸어 말하면, 복수의 센서 전극(COM)은 X 방향을 따라 배열됨과 함께, 복수의 센서 전극(COM)은 Y 방향을 따라서도 배열된다. 여기에서는, 설명의 편의상, 센서 전극(COM)의 매트릭스는 8행×6열인 것으로 한다. 즉, Y 방향으로 8행의 센서 전극(COM)이 배열되고, X 방향으로 6열의 센서 전극(COM)이 배열된다. 각 센서 전극(COM)은 매트릭스 배치된 복수의 부화소(s-PIX)에 대응한다.
대부분의 센서 전극(COM)의 평면으로 본 형상은 일정한 형상, 도 5, 도 6의 예에서는 정사각형이지만, 표시 영역(DA)의 코너부(C33)에 대응하는 센서 전극((COM)(1,1))의 형상은 기판의 형상에 대응하여 정사각형의 일부(좌측 상단 코너부)가 코너부(C33)의 형상에 따라 둥글게 되어 있는 이형이다. 센서 전극(COM)은 매트릭스 배치된 다수의 부화소에 대응하기 때문에, 실제로는 정사각형의 일부가 부화소 단위에서 계단 형상으로 결여되지만, 도 5, 도 6에서는 설명의 편의상 코너부가 원호 형상으로 둥글게 되어 있는 센서 전극(COM)을 나타낸다. 표시 영역(DA)의 코너부(C34)에 대응하는 센서 전극(COM(1,6))의 형상은 정사각형의 일부(우측 상단 코너부)가 코너부(C34)의 형상에 따라 원호 형상으로 둥글게 된 형상이다. 또한, 오목부(98)의 양측의 센서 전극(COM(1,3))과 센서 전극(COM(1,4))은 다른 센서 전극(COM)보다도 폭이 좁은 세로로 긴 직사각 형상이다. 오목부(98)의 선단의 좌측의 센서 전극(COM(2,3))의 형상은 정사각형의 일부(우측 상단)가 직사각형적으로 결여되어 있는 형상이다. 오목부(98)의 선단의 우측의 센서 전극(COM(2,4))의 형상은 정사각형의 일부(좌측 상단)가 직사각형적으로 결여되어 있는 형상이다. 이들 센서 전극(COM(1,1), COM(1,3), COM(1,4), COM(1,6), COM(2,3), COM(2,4))의 형상은 정사각형과는 상이한 이형이다. 이형의 센서 전극(COM)은 다른 센서 전극에 비해 면적이 작다. 후술하는 바와 같이, 면적이 작은 센서 전극은 충분한 수의 배선과의 콘택트를 확보할 수 없는 경우도 있다. 오목부(98)의 선단이 둥글게 되어 있는 경우에는, 센서 전극(COM(2,3))의 형상은 정사각형의 일부(우측 상단)가 내측을 향해 원호 형상으로 만곡되어 있는 형상이며, 센서 전극(COM(2,4))의 형상은 정사각형의 일부(좌측 상단)가 내측을 향해 원호 형상으로 만곡되어 있는 형상이다.
검출 드라이버(R2)는 각 센서 전극(COM)에 접속되는 단자를 구비하고, 터치 검출 기간에 이들 단자로부터 배선군(L12)을 통해 센서 전극 드라이버(26)로부터의 검출용의 구동 전압(Vcom)을 각 센서 전극(COM)에 공급한다. 또한, 터치 검출 기간에 각 센서 전극(COM)으로부터 출력되는 검출 신호(Vdet1, Vdet2)는 이들 단자를 통해 검출 드라이버(R2) 내의 검출부(34)에 입력된다.
도 6에 도시한 바와 같이, 매트릭스 형상으로 배열된 센서 전극(COM)은 열마다 그룹화된다. 바꾸어 말하면, Y 방향을 따라 일차원적으로 배열된 8개의 센서 전극(COM(1,n) 내지 COM(8,n))(n=1 내지 6의 정수)은 1 그룹을 구성한다. 센서 전극 그룹(COM(1,n) 내지 COM(8,n))은 배선군(L12n)을 통해 검출 드라이버(R2)의 단자에 접속된다.
각 배선군(L12n)은 8개의 센서 전극(COM)에 각각 접속되는 8개의 배선(L1 내지 L8)을 포함한다. 배선(L1 내지 L8)은 센서 전극(COM) 상에 배치되는 본체부와, 본체부와 일체이며 주변 영역(SA)에 인출되는 인출 배선부를 포함한다. 이하, 본체부를 배선(L1 내지 L8)이라 부르는 경우도 있다. 인출 배선부는, 1행째의 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(1,6))으로부터 검출 드라이버(R2)와는 반대측의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부와, 8행째의 센서 전극(COM(8,1) 내지 COM(8,6))으로부터 검출 드라이버(R2)측의 주변 영역(SA)에 인출되는 제2 인출 배선부를 포함한다. 각 배선군(L12n)에 있어서, 배선(L1)은 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n)에 접속되는 배선이고, 배선(L2)은 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 접속되는 배선이고, 배선(L3)은 배선 기판(F)으로부터 3번째로 먼 센서 전극(COM(3,n))에 접속되는 배선이고, 이하 마찬가지로 배선(L8)은 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 접속되는 배선이다. 즉, 배선(L1)은 가장 길고, 이어서 배선(L2, L3, …)의 순서대로 길고, L8은 가장 짧다.
접속 단자(T) 중의 검출 드라이버(R2)에 접속되는 단자군은 센서 전극(COM)에 각각 대응하는 센서 전극(COM)과 동등한 수의 단자(t1 내지 t48)를 구비한다. 단자(t1)는 접속군 중에서 가장 좌측에 위치하고, 단자(t48)는 가장 우측에 위치하고, 단자(t2) 내지 단자(t47)는 단자(t1)와 단자(t48)의 사이에 이 순서로 좌측으로부터 우측으로 위치한다. 단자(t1 내지 t48)도 열마다의 센서 전극(COM) 그룹에 대응하여 그룹화되어 있다. 예를 들어, 단자(t1 내지 t8)를 포함하는 단자 그룹(T1)은 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(8,1)) 그룹에 대응하고, 단자(t9 내지 t16)를 포함하는 단자 그룹(T2)은 센서 전극(COM(1,2) 내지 COM(8,2)) 그룹에 대응하고, 이하 마찬가지로 단자(t41 내지 t48)를 포함하는 단자 그룹(T6)은 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹에 대응한다.
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 각각은 센서 전극 그룹의 각 센서 전극(COM(1,n) 내지 COM(8,n))에 대응하고 있다. 이 대응 관계(매핑이라고도 부름)는 검출 드라이버(R2)에 의해 결정되어 있다. 이 대응 관계에 따라 각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8)와 센서 전극 그룹 내의 각 센서 전극(COM(1,n) 내지 COM(8,n))에 접속되는 배선(L1 내지 L8)의 접속은 결정된다.
매핑의 몇 가지의 예를 설명한다.
제1 매핑에서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 대응하고,
좌측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선 기판(F)으로부터 3번째로 먼 센서 전극(COM(3,n))에 대응하고,
좌측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선 기판(F)으로부터 4번째로 먼 센서 전극(COM(4,n))에 대응하고,
좌측으로부터 5번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선 기판(F)으로부터 5번째로 먼 센서 전극(COM(5,n))에 대응하고,
좌측으로부터 6번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)으로부터 6번째로 먼 센서 전극(COM(6,n))에 대응하고,
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)으로부터 7번째로 먼 센서 전극(COM(7,n))에 대응하고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)으로부터 8번째로 먼(배선 기판(F)에 가장 가까운) 센서 전극(COM(8,n))에 대응한다.
제1 매핑예와는 반대의 대응 관계를 규정하는 제2 매핑에서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)에 2번째로 가까운 센서 전극(COM(7,n))에 대응하고,
좌측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선 기판(F)에 3번째로 가까운 센서 전극(COM(6,n))에 대응하고,
좌측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선 기판(F)에 4번째로 가까운 센서 전극(COM(5,n))에 대응하고,
좌측으로부터 5번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선 기판(F)에 5번째로 가까운 센서 전극(COM(4,n))에 대응하고,
좌측으로부터 6번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)에 6번째로 가까운 센서 전극(COM(3,n))에 대응하고,
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)에 7번째로 가까운 센서 전극(COM(2,n))에 대응하고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)에 8번째로 가까운(배선 기판(F)으로부터 가장 먼) 센서 전극(COM(1,n))에 대응한다.
상기한 두 가지 예는, 단자의 위치가 좌측으로부터 우측으로 변화됨에 따라 센서 전극의 위치가 먼 것으로부터 가까운 것 또는 가까운 것으로부터 먼 것으로 균일하게 변화되도록 대응지어져 있는 예이지만, 단자의 위치가 우측으로부터 좌측으로 변화됨에 따라 센서 전극의 위치가 먼 것으로부터 가까운 것으로 교대로(예를 들어, 제2 먼 것, 제2 가까운 것, 제3 먼 것, 제3 가까운 것, … 등) 변화되는 제3 매핑예도 있다. 제3 매핑에 대해서는 도 13을 참조하여 제5 실시 형태에서 설명한다.
제1 실시 형태에서는, 검출 드라이버(R2)의 단자와 센서 전극의 대응 관계는 제1 매핑인 것으로 한다. 이 때문에,
각 단자 그룹 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 접속되는 배선(L1)에 접속되고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 접속되는 배선(L2)에 접속되고, 이하 마찬가지로
좌측으로부터 7번째의 단자(8(n-1)+7)는 배선 기판(F)으로부터 7번째로 먼 센서 전극(COM(7,n))에 접속되는 배선(L7)에 접속되고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)으로부터 8번째로 먼(배선 기판(F)에 가장 가까운) 센서 전극(COM(8,n))에 접속되는 배선(L8)에 접속된다.
이에 의해, 오목부(98)에 있는 좌측으로부터 4열째의 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹 이외에 대해서는, 배선(L1)은 단자(t8(n-1)+1)에 접속되기 때문에, 각 배선군(L12n) 중의 가장 좌측에 위치하고, 배선(L8)은 단자(t8(n-1)+8)에 접속되기 때문에, 각 배선군(L12n) 중의 가장 우측에 위치한다. 배선(L1)과 배선(L8)의 사이에, 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n)) 및 단자(t8(n-1)+2)에 접속되는 배선(L2), 배선 기판(F)으로부터 3번째로 먼 센서 전극(COM(3,n)) 및 단자(t8(n-1)+3)에 접속되는 L3, …센서 전극(COM(7,n)) 및 단자(t8(n-1)+7)에 접속되는 L7이 이 순서로 위치한다. 각 배선(L1 내지 L8)은 각 센서 전극(COM(1,n) 내지 (8,n))과 소정수(도 6의 예에서는 6개)의 콘택트(도면 중, 흑색점)를 통해 접속된다.
도 7a는 센서 전극(COM(8,4))의 확대 평면도, 도 7b는 센서 전극(COM(1,1))의 확대 평면도이다. 후술하는 이유에 의해, 센서 전극(COM(8,4))으로부터 검출 드라이버(R2)(단자군)측의 주변 영역(SA)에 인출되는 배선(L1 내지 L8)의 제2 인출 배선부는, 도 7a에 도시한 바와 같이 도중에 콘택트 홀(도 7의 흰색 동그라미)을 통해 다른 층의 배선에 접속되고, 2개의 층의 배선을 통해 단자군(T)에 접속된다. 제2 인출 배선부 중의 센서 전극(COM(8,4))으로부터 콘택트 홀까지의 부분을 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L82a)라 부르고, 콘택트 홀로부터 단자군(T)까지의 부분을 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L82b)라 부른다. 좌측으로부터 4열째의 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대해서는, 오목부(98)의 영향에 의해 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,4))은 좌측이 결여되어 있다. 이 때문에, 센서 전극(COM(1,4))에 접속되는 배선(L1)은 배선군(L124) 중의 가장 우측에 배치된다. 각 단자 그룹(Tn)을 구성하는 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고, 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고 있기 때문에, 배선(L1)의 배선 기판(F)측의 제2A 인출 배선부(L12a)의 단부는 주변 영역(SA) 내에서 X 방향을 따라 연장되어 있는 브리지 배선(Br1)을 통해 검출 드라이버(R2)의 단자(t25)(센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대응하는 단자 그룹(T4)을 구성하는 8개의 단자 중의 가장 좌측의 단자)로부터 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L1)의 제2B 인출 배선부(L12b)에 접속된다. 이에 의해, 배선 기판(F)측의 주변 영역(SA)에서 배선(L1)의 위치를 가장 우측으로부터 가장 좌측으로 교체할 수 있으며, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대응하는 단자 그룹(T4)을 구성하는 8개의 단자 중의 가장 좌측의 단자(t25)와 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,4))을 배선(L1)에 의해 접속할 수 있다. 즉, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 관한 배선(L1 내지 L8)의 배치는, 표시 영역(DA) 내에서는 좌측으로부터 차례로 배선(L2, L3 내지 L8, L1)이다. 배선(L2, L3 내지 L8)은 각각 센서 전극(COM(2,4), COM(3,4) 내지 COM(8,4))과 접속되고, 배선(L1)은 센서 전극(COM(1,4))과 접속된다. 각 센서 전극에 형성되는 6개의 콘택트의 Y 방향의 위치는 정렬되어 있어도 된다.
브리지 배선(Br)은 제2B 인출 배선부(L22b 내지 L82b)와 교차하기 때문에, 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L82b)가 형성되는 층과 상이한 층에 형성되는 경우가 있다. 예를 들어, 도 7a의 경우, 배선(L1 내지 L8), 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L82a), 브리지 배선(Br)을 동일한 금속층으로 형성하며, 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L82b)를 다른 금속층에 의해 형성해도 되고, 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L82a) 및 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L82b)를 동일한 금속층에 의해 형성해도 되고, 배선(L1 내지 L8)과 브리지 배선(Br)을 다른 금속층에 의해 형성해도 된다. 표시 장치의 층구조는 제2 실시 형태에 관하여 상세하게 설명하지만, 후술하는 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 제1 기판(SUB1)(도 2)은 다수의 층을 포함한다. 예를 들어 기재 상에 폴리실리콘층을 포함하는 반도체층이 형성되고, 반도체층 상에 무기막을 포함하는 절연층을 통해 예를 들어 몰리브덴 텅스텐 합금(MoW)을 포함하는 주사선층(게이트선층이라고도 부름)이 형성된다. 주사선층 상에 무기막을 포함하는 절연층을 통해 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)을 포함하는 신호선층(소스선층이라고도 부름)이 형성된다. 신호선층 상에 유기막을 포함하는 제1 절연층(제1 HRC층)을 통해 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)층을 포함하는 금속 배선층이 형성되는 경우가 있다. 주사선층을 제1 금속층, 신호선층을 제2 금속층, 신호선층 상의 TiN/Ti/AL/Ti층을 포함하는 금속 배선층을 제3 금속층이라 부르는 경우도 있다. 제3 금속층 상에 유기막을 포함하는 제2 절연층(제2 HRC층)을 통해 제1 ITO층이 형성된다. 또한, 제2 HRC층은 무기막이어도 된다. 표시 영역(DA)에 있어서, 제3 금속층의 금속 배선은 배선(L1 내지 L8)을 형성하고, 제1 ITO층은 센서 전극(COM)을 형성한다. 제1 ITO층 상에 예를 들어 질화규소(SiNx)를 포함하는 절연층을 통해 제2 ITO층이 형성된다. 제2 ITO층은 화소 전극(64)(도 2)을 형성한다. 배선(L1 내지 L8)은 각각 제2 HRC층에 형성된 콘택트 홀을 통해 센서 전극(COM)에 접속되어 있다.
예를 들어, 브리지 배선(Br)을 제1 HRC층의 하층, 예를 들어 제2 금속층 또는 제1 금속층에 의해 형성해도 되고, 제3 금속층에 의해 형성해도 된다. 또한, 브리지 배선(Br)을 제2 HRC층의 절연층의 상층의 제1 ITO 또는 제2 ITO를 사용하여 형성해도 된다.
브리지 배선(Br)을 사용하여 배치를 교체하는 배선의 수는 1로 한정되지 않는다. 예를 들어, 오목부의 깊이(Y 방향의 길이)가 깊고, 검출 드라이버(R2)의 단자(t26)에 접속되어 Y 방향으로 연장되는 배선이 센서 전극(COM(2,4))과 충분한 수의 콘택트를 형성할 수 없는 경우, 센서 전극(COM(2,4))에 접속되는 배선(L2)도 배선군(L124) 중의 우측으로부터 2번째, 즉 배선(L1)의 좌측에 배치하고, 배선(L2)의 배선 기판(F)측의 제2A 인출 배선부(L22a)의 단부를 주변 영역(SA) 내에서 X 방향을 따라 연장되어 있는 제2 브리지 배선을 통해 검출 드라이버(R2)의 단자(t26)로부터 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L2)의 제2B 인출 배선부(L22b)와 접속해도 된다.
가장 좌열의 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(8,1)) 그룹에 대해서는, 표시 영역(DA)의 코너부(C33)의 형상에 따라 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,1))은 좌측 상단 코너부가 둥글게 되어 있다. 이 때문에, 검출 드라이버(R2)의 단자(t1)(단자 그룹(T1) 내의 가장 좌측의 단자)에 접속되어 Y 방향으로 연장되는 배선(L1)이 센서 전극(COM(1,1))과 충분한 수의 콘택트를 형성할 수 없는 경우가 있다. 도 6의 예에서는 1개밖에 콘택트(c1)를 형성할 수 없다. 또한, 센서 전극(COM(1,1))의 라운드 형상에 따라서는 Y 방향으로 연장되는 배선(L1)과 전혀 콘택트를 형성할 수 없는 경우도 있다. 그 때문에, 센서 전극(COM(1,1))에서는 배선(L1)과는 다른 개소에서 콘택트(c2 내지 c6)가 형성된다.
도 7b에 도시한 바와 같이, 콘택트(c1)에 접속되는 배선(L1)은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L1e)를 포함한다. 가장 좌열의 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(8,1)) 그룹 중의 라운드부(C33)에 대응하는 센서 전극(COM(1,1)) 이외의 센서 전극(COM(2,1) 내지 COM(8,1))에 대하여, 배선(L2 내지 L8)은 센서 전극(COM(2,1) 내지 COM(8,1))과의 콘택트의 개소를 포함하는 각각의 배선이 접속되는 센서 전극(COM(2,1) 내지 COM(8,1))까지밖에 형성되지 않고, 검출 드라이버(R2)와 반대측에 인접하는 다른 센서 전극에 인출되는 제1 인출 배선부는 존재하지 않는다. 다른 열의 센서 전극(COM) 그룹에 관한 배선(L1 내지 L8)도 마찬가지이다.
배선(L1)과 평행하게 부배선(L2')이 형성되고, 부배선(L2')이 콘택트(c2, c3)를 통해 센서 전극(COM(1,1))과 접속된다. 부배선(L2')은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L2'e)를 포함한다. 부배선(L2')과 평행하게 부배선(L3')이 형성되고, 부배선(L3')이 콘택트(c4, c5, c6)를 통해 센서 전극(COM(1,1))과 접속된다. 부배선(L3')은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L3'e)를 포함한다.
제1 인출 배선부(L1e, L2'e, L3'e)의 선단은 주변 영역(SA)에서 연결 배선(Ls)에 의해 서로 접속된다. 이에 의해, 검출 드라이버(R2)의 단자(t1)(단자 그룹(T1) 내의 가장 좌측의 단자)에 접속되는 배선(L1)은 센서 전극(COM(1,1))과 6개의 콘택트(c1 내지 c6)를 통해 접속된다. 콘택트의 수는 설명의 편의상 6개로 하지만, 6개로 한정되지 않으며, 임의의 수여도 된다. 콘택트의 수가 증가하면, 부배선의 수를 증가시키면 된다.
부배선(L2')은 검출 드라이버(R2)의 단자(t2)(단자 그룹(T1) 내의 좌측으로부터 2번째의 단자)에 접속되어 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L2)의 연장선 상에 배선(L2)과는 비접속 상태로 형성해도 되고, 부배선(L3')은 검출 드라이버(R2)의 단자(t3)(단자 그룹(T1) 내의 좌측으로부터 3번째의 단자)에 접속되어 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L3)의 연장선 상에 배선(L3)과는 비접속 상태로 형성해도 된다. 콘택트(c1, c2, c4)는 Y 방향 위치가 정렬되어 있어도 된다. 마찬가지로, 콘택트(c3, c5)는 Y 방향 위치가 정렬되어 있어도 된다. 또한, 콘택트(c1 내지 c6)는 동일한 행의 센서 전극 그룹의 다른 센서 전극(COM(1,2) 내지 COM(1,6))의 콘택트와도 Y 방향 위치가 정렬되어 있어도 된다.
또한, 오목부(98)는 필수는 아니며, 오목부(98)가 없는 경우에는, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대해서도 다른 센서 전극(COM) 그룹과 마찬가지로, 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,4))에 접속되는 배선(L1)을 제2 인출 배선부를 통해 단자 그룹(T4) 내의 가장 좌측의 단자(t25)에 접속하여 가장 좌측에 위치시키고, 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,4))에 접속되는 배선(L8)을 제2 인출 배선부를 통해 단자(t32)에 접속하여 가장 우측에 위치시키고, 배선(L1)과 배선(L8)의 사이에, 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,4)) 및 단자(t26)에 접속되는 배선(L2), 센서 전극(COM(3,4)) 및 단자(t27)에 접속되는 L3, …센서 전극(COM(7,n)) 및 단자(t31)에 접속되는 L7을 이 순서로 위치하도록 배선하면 된다.
도 6의 예는 제1 매핑을 채용했기 때문에, 가장 좌열의 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(8,1)) 그룹 및 오목부(98)의 우측인 좌측으로부터 4열째의 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹이, 그들의 배선(L1 내지 L8)의 배치가 다른 센서 전극(COM) 그룹의 배선(L1 내지 L8)의 배치와 상이한 예외 그룹이다. 제1 실시 형태는 제2 매핑을 채용해도 된다. 이 경우에는, 가장 우열의 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹 및 오목부(98)의 좌측인 좌측으로부터 3열째의 센서 전극(COM(1,3) 내지 COM(8,3)) 그룹이 예외 그룹이 된다. 즉, 제2 매핑이 채용되는 경우에는, 도 6의 배선 패턴을 좌우 반전시킨 배선 패턴에 의해 검출 드라이버(R2)와 센서 전극(COM)을 접속한다.
제2 매핑을 채용하며, 또한 오목부(98)가 없는 표시 장치에서는, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대해서도 다른 센서 전극(COM) 그룹과 마찬가지로 제2 매핑에 기초하여 접속된다. 이 경우, 브리지 배선(Br)은 불필요하다.
이와 같이 제1 실시 형태에 의하면, 표시 영역(DA)의 라운드부(C33)의 형상에 따라 일부가 둥글게 되어 있기 때문에, 검출 드라이버(R2)로부터 연장되는 배선과 충분한 콘택트를 확보할 수 없는 이형의 센서 전극(COM)에 대해서는, 센서 전극 내의 검출 드라이버(R2)로부터 연장되는 배선 이외의 개소에도 콘택트를 형성한다. 이들 콘택트에 접속되는 배선과 일체적인 인출 배선부를 검출 드라이버(R2)를 향하는 방향과는 반대의 방향의 주변 영역(SA)까지 인출한다. 이들 콘택트로부터 인출된 인출 배선부를 주변 영역(SA)에서 서로 접속한다. 이에 의해, 라운드부를 갖는 센서 전극(COM)과 검출 드라이버의 콘택트를 확보할 수 있다.
또한, 오목부(98)에 대응하여 일부가 결여되어 있기 때문에, 검출 드라이버(R2)로부터 연장되는 배선과 충분한 콘택트를 확보할 수 없는 이형의 센서 전극(COM)에 대해서는, 검출 드라이버(R2)와 센서 전극 사이의 주변 영역(SA)에서 배선의 배치를 교체함으로써, 센서 전극(COM)과 검출 드라이버의 콘택트를 확보할 수 있다. 배선의 배치를 교체하기 위해, 센서 전극에 접속되어 Y 방향을 따라 연장되어 있는 제2A 인출 배선부(L12a)와, 검출 드라이버(R2)에 접속되어 Y 방향을 따라 연장되어 있는 제2B 인출 배선부(L12b)를 배선에 교차하는 X 방향을 따라 연장되어 있는 브리지 배선(Br)을 사용하여 접속한다. 이에 의해, 오목부에 의해 센서 전극의 일부가 결여되어 있어도, 센서 전극(COM)과 검출 드라이버를 접속할 수 있다.
이하, 다른 실시 형태를 설명하지만, 다른 실시 형태에 있어서 먼저 설명한 실시 형태와 동일한 구성에 관한 설명은 생략한다.
[제2 실시 형태]
도 8은 제2 실시 형태에 관한 터치 패널 구비 표시 장치(DSP)의 터치 검출을 위한 센서 전극(COM)과 센서 전극 드라이버의 접속예를 도시한다. 제1 실시 형태에서는, 표시 패널(PNL)의 평면으로 본 형상은 상변의 2코너의 형상은 원호 형상이지만, 하변의 2코너부는 직각의 코너부인 대략 직사각형의 이형이었다. 제2 실시 형태로서는, 4코너부 모두 원호 형상으로 둥글게 된 대략 직사각형의 이형인 표시 패널(PNL)을 구비하는 터치 패널 구비 표시 장치를 설명한다. 도 5, 도 6에 도시하는 제1 실시 형태와는 달리, 제2 실시 형태에서는 도 8에 도시한 바와 같이, 상변의 2코너부와 동일하도록 제1 기판(SUB1)의 배선 기판(F)에 가까운 단부(E1)의 양단의 코너부(C11, C12), 제2 기판(SUB2)의 배선 기판(F)에 가까운 단부(E5)의 양단의 코너부(C21, C22) 및 표시 영역(DA)의 배선 기판(F)에 가까운 단부의 양단의 코너부(C31, C32)도 원호 형상(라운드부라고도 부름)이다. 도 8은 상변의 중앙부에 오목부(98)를 갖는 예를 설명하지만, 제1 실시 형태와 마찬가지로 오목부(98)는 필수는 아니며, 없어도 된다.
제2 실시 형태의 주사선 드라이버(GD1)는, 도 4에 도시하는 제1 실시 형태의 주사선 드라이버(GD1)에 대하여, 코너부(C31)의 근방에 있어서도 코너부(C31)와 마찬가지로 원호 형상으로 구부러진 영역에 형성되는 점이 상이하다. 마찬가지로, 제2 실시 형태의 주사선 드라이버(GD2)는, 도 4에 도시하는 제1 실시 형태의 주사선 드라이버(GD2)에 대하여, 코너부(C32)의 근방에 있어서 코너부(C32)와 마찬가지로 원호 형상으로 구부러진 영역에 형성되는 점이 상이하다.
검출 드라이버(R2)의 단자(t1 내지 t48)는 제1 실시 형태와 마찬가지로 열마다의 센서 전극(COM) 그룹에 대응하여 그룹화되어 있다. 각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8)와 센서 전극 그룹의 각 센서 전극(COM(1n) 내지 COM(8,n))의 매핑은 제1 실시 형태와는 상이하다. 제1 실시 형태는, 모든 센서 전극 그룹에 대하여 제1 매핑 또는 제2 매핑을 균일하게 채용했지만, 제2 실시 형태는 센서 전극 그룹마다 제1 매핑 또는 제2 매핑을 채용하고, 전체로서는 제1 매핑 및 제2 매핑을 병용한다.
좌측으로부터 3열째의 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))과, 좌측으로부터 6열째(가장 우열)의 센서 전극 그룹(COM(1,6) 내지 COM(8,6))에 대해서는, 제1 매핑이 채용된다. 가장 좌열의 센서 전극 그룹(COM(1,1) 내지 COM(8,1))과, 좌측으로부터 4열째의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서는, 제2 매핑이 채용된다. 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))과, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))에 대해서는, 제1 매핑 및 제2 매핑 중 어느 것이 채용되어도 되지만, 여기에서는, 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))에 대해서는 제2 매핑이 채용되고, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))에 대해서는 제1 매핑이 채용되는 것으로 한다.
이와 같이, 가장 좌열의 센서 전극 그룹(COM(1,1) 내지 COM(8,1))과, 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))과, 좌측으로부터 4열째의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서는, 제2 매핑이 채용되고 있다. 그 때문에,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자 중의 가장 좌측에 위치하는 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 접속되는 배선(L8)에 접속되고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)에 2번째로 가까운 센서 전극(COM(7,n))에 접속되는 배선(L7)에 접속되고, 이하 마찬가지로
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)에 7번째로 가까운 센서 전극(COM(2,n))에 접속되는 배선(L2)에 접속되고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)에 8번째로 가까운(배선 기판(F)으로부터 가장 먼) 센서 전극(COM(1,n))에 접속되는 배선(L1)에 접속된다.
이 때문에, 각 센서 전극 그룹(COM(1,n) 내지 COM(8,n))의 배선군(L12n) 내에서는, 배선(L1)은 도 8의 평면으로 보아 가장 우측(단부(E4)측)에 위치하고, 배선(L8)은 가장 좌측(단부(E3)측)에 위치하고, 배선(L1)과 배선(L8)의 사이에 배선(L2, L3, …L7)은 이 차례로 우측으로부터 좌측으로 위치한다.
좌측으로부터 3열째의 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))과, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))과, 좌측으로부터 6열째(가장 우열)의 센서 전극 그룹(COM(1,6) 내지 COM(8,6))에 대해서는, 제1 매핑이 채용되고 있다. 그 때문에,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 접속되는 배선(L1)에 접속되고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 접속되는 배선(L2)에 접속되고, 이하 마찬가지로
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)으로부터 7번째로 먼 센서 전극(COM)(7,n)에 접속되는 배선(L7)에 접속되고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)으로부터 8번째로 먼(배선 기판(F)에 가장 가까운) 센서 전극(COM(8,n))에 접속되는 배선(L8)에 접속된다.
이 때문에, 각 센서 전극 그룹(COM(1,n) 내지 COM(8,n))의 배선군(L12n)에서는, 배선(L1)은 도 8의 평면으로 보아 가장 좌측(단부(E3)측)에 위치하고, 배선(L8)은 가장 우측(단부(E4)측)에 위치하고, 배선(L1)과 배선(L8)의 사이에 배선(L2, L3, …L7)은 이 차례로 좌측으로부터 우측으로 위치한다.
제2 실시 형태에 따르면, 좌우 대칭인 위치의 이형의 센서 전극을 갖는 센서 전극 그룹에 있어서, 좌우로 매핑을 상이하게 함으로써, 표시 영역(DA)의 라운드부(C33, C34)의 형상에 따라 1코너부가 둥글게 되어 있는 센서 전극(COM(1,1), COM(1,6)) 및 오목부(98)의 형상에 따라 적어도 1코너부가 결여되어 있는 센서 전극(COM(1,3), COM(1,4), COM(2,3), COM(2,4))에 대해서도 검출 드라이버(R2)에 접속되는 배선과의 충분한 콘택트를 확보할 수 있다.
도 8의 예와는 달리, 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))에 대하여 제1 매핑이 채용되고, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))에 대하여 제2 매핑이 채용되어도 된다.
오목부(98)가 없는 경우에는, 가장 좌측 또는 우측의 센서 전극 그룹에 대해서는, 제2 실시 형태와 마찬가지인 매핑이 채용되지만, 그 이외는 제1 매핑 및 제2 매핑 중 어느 것이 채용되어도 된다.
[제3 실시 형태]
도 9는 제3 실시 형태에 관한 터치 패널 구비 표시 장치(DSP)의 터치 검출을 위한 센서 전극(COM)과 센서 전극 드라이버의 접속예를 도시한다. 제3 실시 형태의 터치 패널 구비 표시 장치도 제2 실시 형태와 마찬가지로 4코너부 모두 원호인 대략 직사각형의 이형인 표시 패널(PNL)을 구비한다.
검출 드라이버(R2)의 단자(t1 내지 t48)는 제1 실시 형태와 마찬가지로 열마다의 센서 전극(COM) 그룹에 대응하여 그룹화되어 있다. 각 단자 그룹 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8)와 센서 전극 그룹의 각 센서 전극(COM(1,n) 내지 COM(8,n))의 매핑은 제1 실시 형태와 마찬가지로, 모든 센서 전극 그룹에 대하여 균일하게 제1 매핑 또는 제2 매핑이 채용된다. 도 9는 제1 매핑이 채용되는 예를 도시한다.
제3 실시 형태에서는, 오목부(98)에 있는 좌측으로부터 4열째의 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹 이외에 대해서는, 배선(L1)은 단자(t8(n-1)+1)에 접속되기 때문에, 배선군(L12n) 중에서 가장 좌측에 위치하고, 배선(L8)은 단자(t8(n-1)+8)에 접속되기 때문에, 가장 우측에 위치한다. 배선(L1)과 배선(L8)의 사이에, 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n)) 및 단자(t8(n-1)+2)에 접속되는 배선(L2), 센서 전극(COM(3,n)) 및 단자(t8(n-1)+3)에 접속되는 L3, … 센서 전극(COM(7,n)) 및 단자(t8(n-1)+7)에 접속되는 L7이 이 순서로 위치한다. 각 배선(L1 내지 L8)은 각 센서 전극(COM(1,n) 내지 (8,n))과 소정수(도 9의 예에서는 6개)의 콘택트(도면 중, 흑색점)를 통해 접속된다.
좌측으로부터 4열째의 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대해서는, 도 6, 도 7a에 도시한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 센서 전극(COM(1,4))에 접속되는 배선(L1)은 각 배선군(L12n) 중의 가장 우측에 배치된다. 각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고, 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고 있기 때문에, 배선(L1)의 배선 기판(F)측의 제2A 인출 배선부(L12a)의 단부는 주변 영역(SA) 내에서 X 방향을 따라 연장되어 있는 브리지 배선(Br1)을 통해 검출 드라이버(R2)의 단자(t25)(센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대응하는 단자 그룹(T4) 내의 가장 좌측의 단자)로부터 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L1)의 제2B 인출 배선부(L12b)와 접속된다.
이에 의해, 주변 영역(SA)에서 배선의 배치를 교체할 수 있으며, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대응하는 단자 그룹(T4) 내의 가장 좌측의 단자(t25)와 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,4))을 접속할 수 있다. 즉, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 관한 배선(L1 내지 L8)의 배치는, 표시 영역(DA) 내에서는 좌측으로부터 차례로 배선(L2, L3 내지 L8, L1)이다. 배선(L2, L3 내지 L8)은 각각 센서 전극(COM(2,4), COM(3,4) 내지 COM(8,4))과 접속되고, 배선(L1)은 센서 전극(COM(1,4)과 접속된다. 각 센서 전극에 형성되는 6개의 콘택트의 Y 방향의 위치는 정렬되어 있어도 된다.
센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 (8,4))에 있어서 브리지 배선을 사용하여 배치를 교체하는 배선의 수는 1로 한정되지 않는다. 예를 들어, 오목부의 깊이(Y 방향의 길이)가 깊고, 센서 전극(COM(2,4))에 단자(t26)와 접속되어 Y 방향으로 연장되어 있는 배선 상에서 충분한 수의 콘택트를 형성할 수 없는 경우, 센서 전극(COM(2,4))에 접속되는 배선(L2)도 배선군(L124) 중의 우측으로부터 2번째, 즉 배선(L1)의 좌측에 배치하고, 배선(L2)의 배선 기판(F)측의 제2A 인출 배선부(L22a)의 단부를 주변 영역(SA) 내에서 X 방향을 따라 연장되어 있는 제2 브리지 배선을 통해 검출 드라이버(R2)의 단자(t26)로부터 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L2)의 제2B 인출 배선부(L22b)와 접속해도 된다.
가장 좌열의 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(8,1)) 그룹에 대해서도, 도 6, 도 7b에 도시한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 센서 전극(COM(1,1)에서는 배선(L1)과의 콘택트(c1) 이외에, 배선(L1)과는 다른 개소에서 콘택트(c2 내지 c6)가 형성된다.
이들 콘택트(c1 내지 c6)를 접속하기 위해, 콘택트(c1)에 접속되는 배선(L1)은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L1e)를 포함한다. 콘택트(c2, c3)에 접속되는 부배선(L2')은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L2'e)를 포함한다. 콘택트(c4, c5, c6)에 접속되는 부배선(L3')은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L3'e)를 포함한다.
제1 인출 배선부(L1e, L2'e, L3'e)의 선단은 주변 영역(SA)에서 연결 배선(Ls)에 의해 서로 접속된다. 이에 의해, 검출 드라이버(R2)의 단자(t1)(단자 그룹(T1) 내의 가장 좌측의 단자)에 접속되는 배선(L1)은 센서 전극(COM(1,1))과 6개의 콘택트(c1 내지 c6)를 통해 접속된다.
가장 우열의 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹에 대해서는, 표시 영역(DA)의 라운드부(C32)의 형상에 따라 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,6)은 우측 하단 코너부가 둥글게 되어 있다. 이 때문에, 센서 전극(COM(8,6))에 접속되는 배선(L8)은 각 배선군(L126) 중의 가장 좌측에 배치된다. 도 10a는 센서 전극(COM(8,6))의 확대 평면도이다. 각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고, 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고 있기 때문에, 배선(L8)의 배선 기판(F)측의 주변 영역(SA)의 제2A 인출 배선부(L82a)의 단부는 X 방향을 따라 연장되어 있는 브리지 배선(Br2)을 통해 검출 드라이버(R2)의 단자(t48)(센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹에 대응하는 단자 그룹(T6) 내의 가장 우측의 단자)로부터 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L8)의 제2B 인출 배선부(L82b)와 접속된다. 브리지 배선(Br2)과 제2B 인출 배선부(L82b)는 다른 층에 의해 형성되고, 브리지 배선(Br2)과 제2B 인출 배선부(L82b)는 콘택트 홀(도 10의 흰색 동그라미)을 통해 접속된다. 다른 배선(L1 내지 L7)에서는 브리지 배선(Br)은 포함되지 않고, 배선 기판(F)측의 주변 영역(SA)의 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L72a)의 단부는 검출 드라이버(R2)의 단자 그룹에 접속되는 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)에 콘택트 홀을 통해 접속된다.
제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 브리지 배선(Br)을 형성하는 층은 제2B 인출 배선층(L12b 내지 L82b)과 상이한 층 중으로부터 임의로 선택할 수 있다. 일례로서, 도 10b는 제3 금속층(128)에 의해 브리지 배선(Br)을 형성하는 경우의 도 10a의 B-B'선을 따른 단면도이다. 기재(104) 상에 무기막을 포함하는 절연층(106)이 형성된다. 도 10b 이외의 개소에서, 기재(104)와 절연층(106)의 사이에 폴리실리콘층을 포함하는 반도체층이 형성된다. 절연층(106) 상에 무기막을 포함하는 절연층(108)이 형성된다. 도 10b 이외의 개소에서, 절연층(106)과 절연층(108)의 사이에 예를 들어 몰리브덴 텅스텐 합금(MoW)을 포함하는 주사선층(게이트선층, 제1 금속층이라고도 부름)이 형성된다.
절연층(108) 상에 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)을 포함하는 신호선층(소스선층, 제2 금속층이라고도 부름)(112, 114, 116)이 형성된다. 신호선층(112)은 배선(L8)의 제2B 인출 배선부(L82b)를 형성하고, 신호선층(114)은 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)를 형성하고, 신호선층(116)은 소스선(SL)을 형성한다. 신호선층(112, 114, 116) 상에 유기막을 포함하는 제1 절연층(제1 HRC층)(122)이 형성된다. 제1 HRC층(122) 상에 마찬가지로 유기막을 포함하는 제2 절연층(제2 HRC층)(126)이 형성된다. 제1 HRC층(122)과 제2 HRC층(126)의 사이에 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)층을 포함하는 제3 금속층(128)이 형성된다. 제3 금속층(128)은, 배선(L8)을 형성하는 제1 부분(128a)과, 배선(L8)의 제2A 인출 배선부(L82a)를 형성하는 제2 부분(128b)과, 브리지 배선(Br2)을 형성하는 제3 부분(128c)을 포함한다. 도 10b 이외의 개소에서, 제3 금속층(128)은 배선(L1 내지 L7)과, 배선(L1 내지 L7)의 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L72a)를 형성한다. 제3 금속층의 제2 부분(128b)(배선(L8)의 제2A 인출 배선부(L82a))의 선단은 제1 HRC층(122) 내에 형성된 콘택트 홀(124)을 통해 신호선층(112)(배선(L8)의 제2B 인출 배선부(L82b))에 접속된다.
제2 HRC층(126) 상에 무기막을 포함하는 절연층(134)이 형성된다. 제2 HRC층(126)과 절연층(134)의 사이에 센서 전극(COM)을 형성하는 제1 ITO층(132)이 형성된다. 센서 전극(COM)(제1 ITO층)(132)은 제2 HRC층(126)에 형성된 콘택트 홀(138)을 통해 제3 금속층의 제1 부분(128a)(배선(L8))에 접속된다. 배선(L8)은 단자부측의 주변 영역(SA)에 인출된 제2A 인출 배선부(L82a), 제2B 인출 배선부(L82b), 제2A 인출 배선부(L82a)와 제2B 인출 배선부(L82b)를 접속하는 브리지 배선(Br2)을 구비한다. 도시하지 않았지만, 다른 배선(L1 내지 L7)에 대해서도 마찬가지이며 단자부측의 주변 영역(SA)에 인출된 제2A 인출 배선부와 제2B 인출 배선부를 구비한다.
이와 같이 제2A 인출 배선부(L82a) 및 브리지 배선(Br2)은 제3 금속층(128)으로 형성되고, 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L82b)는 신호선층(114, 112)으로 형성된다. 이 때문에, 도 10b 이외의 개소에서, 배선(L1 내지 L7)의 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L72a)와 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)는 제1 HRC층(122)에 형성된 콘택트 홀을 통해 접속되어 있다. 배선(L8)의 제2A 인출 배선부(L82a)와 제2B 인출 배선부(L82b) 사이에는 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)가 위치한다. 브리지(Br2)는 제3 금속층(128)에 의해 배선(L8)의 제2A 인출 배선부(L82a)와 일체적으로 형성되고, 제1 인출 배선부(L82a)의 단부로부터 X 방향으로 굴곡하여, 제1 HRC층(122)의 콘택트 홀(124)을 통해 신호선층(112)에 의해 형성되는 제2B 인출 배선부(L82b)에 접속된다. 브리지(Br2)와 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)는 제1 HRC층(122)을 통해 절연되어 있으며, 브리지(Br2)는 배선(L1 내지 L7)의 복수의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)와 중첩된다.
또한, 센서 전극(COM132)에 접속되는 영상 신호선은, 소스선(116)에 중첩하여, 소스 드라이버(24)를 향해 인출되어 있지만, 본원은 센서 전극(COM)에 접속되는 터치 검출을 위한 배선군에 착안하고 있기 때문에, 이해의 용이함을 위해, 영상 신호선에 관한 상세한 라우팅 배선 구조의 도시는 생략한다.
도 11은 센서 전극(COM(8,6))의 다른 예를 도시한다. 도 11a는 센서 전극(COM(8,6))의 다른 예의 확대 평면도이다. 이 예에서는, 배선(L8)의 제2A 인출 배선부(L82a)는 콘택트 홀을 통해 서로 접속되는 제1 영역(L82a1)과 제2 영역(L82a2)을 포함한다. 이외는 도 10a와 동일하다. 도 11b는 절연층(106)과 절연층(108) 사이의 제1 금속층에 의해 브리지 배선(Br)을 형성하는 경우의 도 11a의 B-B'선을 따른 단면도이다. 기재(104) 상에 무기막을 포함하는 절연층(106)이 형성된다. 도 11b 이외의 개소에서, 기재(104)와 절연층(106)의 사이에 폴리실리콘층을 포함하는 반도체층이 형성된다. 절연층(106) 상에 무기막을 포함하는 절연층(108)이 형성된다. 절연층(106)과 절연층(108)의 사이에 예를 들어 몰리브덴 텅스텐 합금(MoW)을 포함하는 주사선층(게이트선층, 제1 금속층이라고도 부름)(152)이 형성된다. 주사선층(152)은 브리지 배선(Br2)을 형성한다.
절연층(108) 상에 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)을 포함하는 신호선층(소스선층, 제2 금속층이라고도 부름)(112, 114, 158, 116)이 형성된다. 신호선층(112)은 배선(L8)의 제2B 인출 배선부(L82b)를 형성하고, 신호선층(114)은 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)를 형성하고, 신호선층(158)은 배선(L8)의 제2A 인출 배선부의 제2 영역(L82a2)을 형성하고, 신호선층(116)은 소스선(SL)을 형성한다. 신호선(112)(배선(L8)의 제2B 인출 배선부(L82b))이 절연층(108)에 형성된 콘택트 홀(154)을 통해 주사선층(브리지 배선(Br2))(152)의 일단부에 접속되고, 신호선(158)(배선(L8)의 제2A 인출 배선부의 제2 영역(L82a2))이 절연층(108)에 형성된 콘택트 홀(156)을 통해 주사선층(브리지 배선(Br2))(152)의 타단부에 접속된다.
신호선층(112, 114, 158, 116) 상에 유기막을 포함하는 제1 절연층(제1 HRC층)(122)이 형성된다. 제1 HRC층(122) 상에 마찬가지로 유기막을 포함하는 제2 절연층(제2 HRC층)(126)이 형성된다. 제1 HRC층(122)과 제2 HRC층(126)의 사이에 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)층을 포함하는 제3 금속층(128)이 형성된다. 제3 금속층(128)은, 배선(L8)을 형성하는 제1 부분(128a)과, 배선(L8)의 제2A 인출 배선부의 제1 영역(L82a1)을 형성하는 제2 부분(128b)을 포함한다. 제3 금속층(128)의 제2 부분(128b)(L82a1)은 제1 HRC층(122)에 형성된 콘택트 홀(160)을 통해 신호선(158)(L82a2)에 접속된다. 도 11b 이외의 개소에서, 제3 금속층(128)은 배선(L1 내지 L7)과, 배선(L1 내지 L7)의 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L72a)를 형성한다.
제2 HRC층(126) 상에 무기막을 포함하는 절연층(134)이 형성된다. 제2 HRC층(126)과 절연층(134)의 사이에 센서 전극(COM)을 형성하는 제1 ITO층(132)이 형성된다. 센서 전극(COM)(제1 ITO층)(132)은 제2 HRC층(126)에 형성된 콘택트 홀(138)을 통해 제3 금속층의 제1 부분(128a)(배선(L8))에 접속된다. 배선(L8)은 단자부측의 주변 영역(SA)에 인출된 제2A 인출 배선부(L82a1, L82a2), 제2B 인출 배선부(L82b), 제2A 인출 배선부(L82a2)와 제2B 인출 배선부(L82b)를 접속하는 브리지 배선(Br2)을 구비한다. 도시하지 않았지만, 다른 배선(L1 내지 L7)에 대해서도 마찬가지이며 단자부측의 주변 영역(SA)에 인출된 제2A 인출 배선부와 제2B 인출 배선부를 구비한다.
배선(L1 내지 L7)의 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L72a)는 제3 금속층(128)으로 형성되고, 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)는 신호선층(114)으로 형성된다. 이 때문에, 도 11b 이외의 개소에서, 배선(L1 내지 L7)의 제2A 인출 배선부(L12a 내지 L72a)와 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)는 제1 HRC층(122)에 형성된 콘택트 홀을 통해 접속되어 있다. 배선(L8)의 제2A 인출 배선부의 제2 영역(L82a2)과 제2B 인출 배선부(L82b) 사이에는 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)가 위치한다. 브리지(Br2)는 X 방향으로 연장되는 주사선층(152)에 의해 형성된다. 브리지(Br2)와 배선(L1 내지 L7)의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)는 절연층(108)을 통해 절연되어 있으며, 브리지(Br2)는 배선(L1 내지 L7)의 복수의 제2B 인출 배선부(L12b 내지 L72b)와 중첩된다.
또한, 센서 전극(COM132)에 접속되는 영상 신호선은, 소스선(116)에 중첩되고, 소스 드라이버(24)를 향해 인출되어 있지만, 본원은 센서 전극(COM)에 접속되는 터치 검출을 위한 배선군에 착안하고 있기 때문에, 이해의 용이함을 위해, 영상 신호선에 관한 상세한 라우팅 배선 구조의 도시는 생략한다.
이에 의해, 배선 기판(F)측의 주변 영역(SA)에서 배선(L8)의 위치를 가장 좌측으로부터 가장 우측으로 교체할 수 있으며, 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹에 대응하는 단자 그룹(T6) 내의 가장 우측의 단자(t48)와 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,6))을 접속할 수 있다. 즉, 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹에 관한 배선(L1 내지 L8)의 배치는, 표시 영역(DA) 내에서는 좌측으로부터 차례로 배선(L8, L1, L2 내지 L6, L7)이다. 배선(L1 내지 L7)은 각각 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(7,6))과 접속되고, 배선(L8)은 센서 전극(COM(8,6))과 접속된다. 각 센서 전극에 형성되는 6개의 콘택트의 Y 방향의 위치는 정렬되어 있어도 된다.
센서 전극 그룹(COM(1,6) 내지 (8,6))에 있어서도 브리지 배선을 사용하여 교체하는 배선의 수는 1로 한정되지 않는다.
오목부(98)가 없는 경우에는, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대해서도 다른 센서 전극(COM) 그룹과 마찬가지로, 제1 매핑에 기초하여 접속하면 된다. 이 경우, 브리지 배선(Br2)은 불필요하다.
도 9는 제1 매핑이 채용되는 예를 나타냈지만, 제1 실시 형태와 마찬가지로 제2 매핑이 채용되어도 된다. 이 경우, 도 9의 배선 패턴을 좌우 반전시킨 배선 패턴에 의해 검출 드라이버(R2)와 센서 전극(COM)이 접속된다.
제2 매핑을 채용하여 오목부(98)가 없는 표시 장치에서는, 센서 전극(COM(1,4) 내지 COM(8,4)) 그룹에 대해서도 다른 센서 전극(COM) 그룹과 마찬가지로, 제2 매핑에 기초하여 접속된다.
이와 같이 제3 실시 형태에 따르면, 4코너부가 라운드부이며, 또한 상변 중앙부에 오목부가 있는 이형의 표시 패널에 있어서도, 좌우로 매핑을 상이하게 하거나, 배선 기판으로부터 먼 주변 영역에서 라운드부를 갖는 센서 전극의 복수열의 콘택트를 접속하는 부배선을 설치하거나, 배선 기판측의 주변 영역에서 배선을 교체함으로써, 라운드부나 오목부(98)의 형상에 따라 이형의 센서 전극(COM)이 존재하고 있어도, 검출 드라이버(R2)에 접속되는 배선과 센서 전극(COM)을 접속할 수 있다.
[제4 실시 형태]
도 12는 제4 실시 형태에 관한 터치 패널 구비 표시 장치(DSP)의 터치 검출을 위한 센서 전극(COM)과 센서 전극 드라이버의 접속예를 도시한다. 제4 실시 형태의 터치 패널 구비 표시 장치도 제2 실시 형태와 마찬가지로 4코너부 모두 원호인 대략 직사각형의 이형인 표시 패널(PNL)을 구비한다. 단, 오목부(98)의 형상은 직사각형이 아니라, Y 방향의 위치가 나아감에 따라 X 방향의 폭이 좁아지는 아치 형상이다. 이 때문에, 센서 전극(COM(1,3), COM(1,4))의 대항하는 변과 센서 전극(COM(2,3), COM(2,4))의 대항하는 변은 평면으로 보아 포물선을 그리고 있다.
검출 드라이버(R2)의 단자(t1 내지 t48)는 제1 실시 형태와 마찬가지로 열마다의 센서 전극(COM) 그룹에 대응하여 그룹화되어 있다. 각 단자 그룹 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8)와 센서 전극 그룹의 각 센서 전극(COM(1,n) 내지 COM(8,n))의 매핑은 좌측 절반과 우측 절반의 센서 전극 그룹에서 상이하다. 가장 좌열의 센서 전극 그룹(COM(1,1) 내지 COM(8,1))과, 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))과, 좌측으로부터 3열째의 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))에 대해서는, 제1 매핑이 채용된다. 가장 우열의 센서 전극 그룹(COM(1,6) 내지 COM(8,6))과, 우측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))과, 우측으로부터 3열째의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서는, 제2 매핑이 채용된다.
또한, 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))과, 우측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서는, 제1 매핑이 채용되어도 된다.
제1 매핑이 채용되고 있는 좌측 3열의 센서 전극 그룹(COM(1,1) 내지 COM(8,1), COM(1,2) 내지 COM(8,2), COM(1,3) 내지 COM(8,3))에 대해서는, 각 배선 군(L12n) 내에서 배선(L1)은 도 8의 평면으로 보아 가장 좌측(단부(E3)측)에 위치하고, 배선(L8)은 가장 우측(단부(E4)측)에 위치하고, 배선(L1과 배선(L8)의 사이에 배선(L2, L3, …L7)은 이 순서로 좌측으로부터 우측으로 위치한다.
제2 매핑이 채용되고 있는 우측 3열의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4), COM(1,5) 내지 COM(8,5), COM(1,6) 내지 COM(8,6))에 대해서는, 각 배선 군(L12n) 내에서 배선(L1)은 도 8의 평면으로 보아 가장 우측(단부(E4)측)에 위치하고, 배선(L8)은 가장 좌측(단부(E3)측)에 위치하고, 배선(L1)과 배선(L8)의 사이에 배선(L2, L3, …L7)은 이 차례로 우측으로부터 좌측으로 위치한다.
가장 좌열의 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(8,1)) 그룹에 대해서는, 도 6, 도 7b에 도시한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 콘택트(c1)에 접속되는 배선(L1)의 제1 인출 배선(L1e), 콘택트(c2, c3)에 접속되는 부배선(L2')의 제1 인출 배선(L2'e), 콘택트(c4, c5, c6)에 접속되는 부배선(L3')의 제1 인출 배선(L3'e)은 주변 영역(SA) 내에서 연결 배선(Ls)에 의해 접속된다. 이에 의해, 검출 드라이버(R2)의 단자(t1)(단자 그룹(T1) 내의 가장 좌측의 단자)로부터 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L1)은 6개의 콘택트(c1 내지 c6)를 통해 센서 전극(COM(1,1))에 접속된다.
가장 우열의 센서 전극(COM(1,6) 내지 COM(8,6)) 그룹에 대해서는, 표시 영역(DA)의 라운드부(C34)의 형상에 따라 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,6))은 우측 상단 코너부가 둥글게 되어 있다. 이 때문에, 센서 전극(COM(1,6))은 검출 드라이버(R2)의 단자(t48)(단자 그룹(T6) 내의 가장 우측의 단자)에 접속되는 배선(L1)과는 충분한 수의 콘택트를 형성할 수 없는 경우가 있다. 도 12의 예에서는 1개밖에 콘택트(c1)를 형성할 수 없다. 그 때문에, 센서 전극(COM(1,6))에서는 배선(L1)과는 다른 개소에서 콘택트(c2 내지 c6)가 형성된다.
이들 콘택트(c1 내지 c6)를 접속하기 위해, 콘택트(c1)에 접속되는 배선(L1)은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L1e)를 포함한다. 콘택트(c2, c3)에 접속되는 부배선(L2')은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L2'e)를 포함한다. 콘택트(c4, c5, c6)에 접속되는 부배선(L3')은 검출 드라이버(R2)와는 반대측(Y 방향의 마이너스측)의 주변 영역(SA)에 인출되는 제1 인출 배선부(L3'e)를 포함한다.
제1 인출 배선부(L1e, L2'e, L3'e)의 선단은 주변 영역(SA)에서 연결 배선(Ls)에 의해 서로 접속된다. 이에 의해, 검출 드라이버(R2)의 단자(t48)(단자 그룹(T6) 내의 가장 우측의 단자)에 접속되는 배선(L1)은 센서 전극(COM(1,1))과 6개의 콘택트(c1 내지 c6)를 통해 접속된다.
부배선(L2')은 검출 드라이버(R2)의 단자(t47)(단자 그룹(T6) 내의 우측으로부터 2번째의 단자)에 접속되어 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L2)의 연장선 상에 배선(L2)과는 비접속 상태로 형성해도 되고, 부배선(L3')은 검출 드라이버(R2)의 단자(t46)(단자 그룹(T6) 내의 우측으로부터 3번째의 단자)에 접속되어 Y 방향을 따라 연장되어 있는 배선(L3)의 연장선 상에 배선(L3)과는 비접속 상태로 형성해도 된다. 콘택트(c1, c2, c4)는 Y 방향 위치가 정렬되어 있어도 된다. 마찬가지로, 콘택트(c3, c5)는 Y 방향 위치가 정렬되어 있어도 된다. 또한, 콘택트(c1 내지 c6)는 동일한 행의 센서 전극 그룹의 다른 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(1,5))의 콘택트와도 Y 방향 위치가 정렬되어 있어도 된다.
제4 실시 형태에 따르면, 우측 절반과 좌측 절반에서 매핑을 상이하게 하고 있기 때문에, 라운드부나 오목부의 형상에 따른 이형의 센서 전극(COM)이 좌우 대칭인 위치에 존재하고 있는 경우, 검출 드라이버(R2)에 접속되는 배선과 센서 전극(COM)을 접속할 수 있다.
오목부(98)가 없는 경우, 오목부(98)에 관한 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))에 대해서는 도 12와 마찬가지로 제1 매핑이 채용되어도 되고, 제2 매핑이 채용되어도 된다. 마찬가지로, 오목부(98)에 관한 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서도 도 12와 마찬가지로 제2 매핑이 채용되어도 되고, 제1 매핑이 채용되어도 된다.
[제5 실시 형태]
도 13은 제5 실시 형태에 관한 터치 패널 구비 표시 장치(DSP)의 터치 검출을 위한 센서 전극(COM)과 센서 전극 드라이버의 접속예를 도시한다. 제5 실시 형태에서도, 오목부(98)의 형상은 직사각형이 아니라, Y 방향의 위치가 나아감에 따라 X 방향의 폭이 좁아지는 아치 형상이다. 상술한 실시 형태에서는 제1 매핑 또는 제2 매핑이 채용되었지만, 제3 실시 형태에서는 제3 매핑이 채용된다. 제3 매핑에서는, 검출 드라이버(R2)의 단자의 위치가 좌측으로부터 우측으로 변화됨에 따라 센서 전극의 위치가 먼 것으로부터 가까운 것으로 교대로 변화된다. 제3 매핑은 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극이 단자 그룹 내의 우측 단부의 단자에 대응하는지, 혹은 좌측 단부의 단자에 대응하는지에 따라, 제3A 매핑과 제3B 매핑으로 세분된다.
예를 들어, 제3A 매핑에서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고,
좌측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 대응하고,
좌측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선 기판(F)에 2번째로 가까운 센서 전극(COM(7,n))에 대응하고,
좌측으로부터 5번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선 기판(F)으로부터 3번째로 먼 센서 전극(COM(3,n))에 대응하고,
좌측으로부터 6번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)에 3번째로 가까운 센서 전극(COM(6,n))에 대응하고,
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)으로부터 4번째로 먼 센서 전극(COM(4,n))에 대응하고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)에 4번째로 가까운 센서 전극(COM(5,n))에 대응한다.
제3B 매핑은 제3A 매핑의 좌우를 반전한 것이며, 제3B 매핑에서는,
각 단자 그룹 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고,
우측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고,
우측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 대응하고,
우측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선 기판(F)에 2번째로 가까운 센서 전극(COM(7,n))에 대응하고,
우측으로부터 5번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선 기판(F)으로부터 3번째로 먼 센서 전극(COM(3,n))에 대응하고,
우측으로부터 6번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선 기판(F)에 3번째로 가까운 센서 전극(COM(6,n))에 대응하고,
우측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)으로부터 4번째로 먼 센서 전극(COM(4,n))에 대응하고,
우측으로부터 8번째(가장 좌측)의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)에 4번째로 가까운 센서 전극(COM(5,n))에 대응한다.
제5 실시 형태에서는, 센서 전극 그룹마다 제3A 매핑 또는 제3B 매핑이 채용된다. 좌측으로부터 3열째의 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))과, 좌측으로부터 6열째(가장 우열)의 센서 전극 그룹(COM(1,6) 내지 COM(8,6))에 대해서는, 제3A 매핑이 채용된다. 가장 좌열의 센서 전극 그룹(COM(1,1) 내지 COM(8,1))과, 좌측으로부터 4열째의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서는, 제3B 매핑이 채용된다. 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))과, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))에 대해서는, 제3A 매핑 및 제3B 매핑 중 어느 것이 채용되어도 되지만, 여기에서는, 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))에 대해서는 제3B 매핑이 채용되고, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))에 대해서는 제3A 매핑이 채용되는 것으로 한다.
이 때문에, 제3A 매핑이 채용되는 좌측으로부터 3열째의 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))과, 좌측으로부터 5열째의 센서 전극 그룹(COM(1,5) 내지 COM(8,5))과, 좌측으로부터 6열째(가장 우열)의 센서 전극 그룹(COM(1,6) 내지 COM(8,6))에 대해서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선(L1)에 접속되고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선(L8)에 접속되고,
좌측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선(L2)에 접속되고,
좌측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선(L7)에 접속되고,
좌측으로부터 5번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선(L3)에 접속되고,
좌측으로부터 6번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선(L6)에 접속되고,
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선(L4)에 접속되고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선(L5)에 접속된다.
제3B 매핑이 채용되는 가장 좌측의 센서 전극 그룹(COM(1,1) 내지 COM(8,1))과, 좌측으로부터 2열째의 센서 전극 그룹(COM(1,2) 내지 COM(8,2))과, 좌측으로부터 4열째의 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선(L1)에 접속되고,
우측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선(L8)에 접속되고,
우측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선(L2)에 접속되고,
우측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선(L7)에 접속되고,
우측으로부터 5번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선(L3)에 접속되고,
우측으로부터 6번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선(L6)에 접속되고,
우측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선(L4)에 접속되고,
우측으로부터 8번째(가장 좌측)의 단자(t8(n-1)+1)는 배선(L5)에 접속된다.
제5 실시 형태에 따르면, 라운드부나 오목부의 형상에 따른 이형의 센서 전극(COM)이 존재하고 있어도, 센서 전극 상에서 콘택트를 형성할 수 있는 개소에 배선을 형성하기 때문에, 검출 드라이버(R2)에 접속되는 배선과 센서 전극(COM)을 접속할 수 있다.
오목부(98)가 없는 경우, 오목부(98)에 관한 센서 전극 그룹(COM(1,3) 내지 COM(8,3))에 대해서는 도 13과 마찬가지로 제3A 매핑이 채용되어도 되고, 제3B 매핑이 채용되어도 된다. 마찬가지로, 오목부(98)에 관한 센서 전극 그룹(COM(1,4) 내지 COM(8,4))에 대해서도 도 12와 마찬가지로 제3B 매핑이 채용되어도 되지만, 제3A 매핑이 채용되어도 된다.
센서 전극((COM)(8,3), COM(7,3))에 대하여 콘택트는 좌측에 형성되어 있으며, 센서 전극((COM)(8,4), COM(7,4))에 대하여 콘택트는 우측에 형성되어 있기 때문에, 하변 중앙부에 오목부를 형성하는 것도 가능하다.
제3A 매핑, 제3B 매핑에서는, 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극은 단자 그룹 내의 우측 단부 혹은 좌측 단부의 단자에 대응하지만, 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극이 단자 그룹 내의 우측 단부 혹은 좌측 단부의 단자에 대응하도록 변형해도 된다. 즉, 제3A 매핑, 제3B 매핑에 있어서 센서 전극이 먼 것, 가까운 것을 교체하여 다음과 같이 변형해도 된다.
변형 제3A 매핑에서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고,
좌측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선 기판(F)에 2번째로 가까운 센서 전극(COM(7,n))에 대응하고,
좌측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 대응하고, 이하 마찬가지로
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)에 4번째로 가까운 센서 전극(COM(5,n))에 대응하고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)으로부터 4번째로 먼 센서 전극(COM(4,n))에 대응한다.
이 때문에, 변형 제3A 매핑이 채용되는 센서 전극 그룹에 대해서는,
각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 좌측의 단자(t8(n-1)+1)는 배선(L8)에 접속되고,
좌측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선(L1)에 접속되고,
좌측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+3)는 배선(L7)에 접속되고,
좌측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+4)는 배선(L2)에 접속되고, 이하 마찬가지로
좌측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선(L5)에 접속되고,
좌측으로부터 8번째(가장 우측)의 단자(t8(n-1)+8)는 배선(L4)에 접속된다.
변형 제3B 매핑에서는,
각 단자 그룹 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선 기판(F)에 가장 가까운 센서 전극(COM(8,n))에 대응하고,
우측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,n))에 대응하고,
우측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선 기판(F)에 2번째로 가까운 센서 전극(COM(7,n))에 대응하고,
우측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선 기판(F)으로부터 2번째로 먼 센서 전극(COM(2,n))에 대응하고, 이하 마찬가지로
우측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선 기판(F)에 4번째로 가까운 센서 전극(COM(5,n))에 대응하고,
우측으로부터 8번째(가장 좌측)의 단자(t8(n-1)+1)는 배선 기판(F)으로부터 4번째로 먼 센서 전극(COM(4,n))에 대응한다.
이 때문에, 변형 제3B 매핑이 채용되는 센서 전극 그룹(COM)에 대해서는, 각 단자 그룹(Tn) 내의 8개의 단자(t8(n-1)+1) 내지 단자(t8(n-1)+8) 중의 가장 우측의 단자(t8(n-1)+8)는 배선(L8)에 접속되고,
우측으로부터 2번째의 단자(t8(n-1)+7)는 배선(L1)에 접속되고,
우측으로부터 3번째의 단자(t8(n-1)+6)는 배선(L7)에 접속되고,
우측으로부터 4번째의 단자(t8(n-1)+5)는 배선(L2)에 접속되고, 이하 마찬가지로
우측으로부터 7번째의 단자(t8(n-1)+2)는 배선(L5)에 접속되고,
우측으로부터 8번째(가장 좌측)의 단자(t8(n-1)+1)는 배선(L4)에 접속된다.
[실시 형태에 공통인 배선 접속]
도 14는 제1, 제3, 제4 실시 형태에 있어서의 주변 영역(SA)에서의 인출 배선의 접속예를 도시한다. 제1, 제3, 제4 실시 형태에 있어서는 라운드부를 갖는 센서 전극(COM(1,1))은 좌측 상단 코너부가 둥글게 되어 있다. 도 6, 도 9, 도 12에서는 라운드부는 원호 형상인 예를 나타냈지만, 실제로는 센서 전극(COM(1,1))의 라운드부의 윤곽은 화소(PIX) 단위로 규정되기 때문에, 도 14a에 도시한 바와 같이, 센서 전극(COM(1,1))의 라운드부는 화소에 따른 계단 형상의 지그재그 형상이다. 도 14a는 도 6의 센서 전극(COM(1,1))의 확대도이며, 도 14b는 도 14a의 확대도이다.
설명의 편의상, 도 6에서는 6개의 콘택트를 나타냈지만, 하나의 센서 전극에 대하여 도 14에 도시한 바와 같이 다수의 콘택트가 형성된다. 검출 드라이버(R2)에 의한 센서 전극의 구동 능력은 센서 전극까지의 거리에 반비례한다. 검출 드라이버(R2)로부터 이격되면 이격될수록 센서 전극은 구동 능력이 약해지기 때문에, 검출 드라이버(R2)로부터 먼 센서 전극은 콘택트의 수를 증가시키는 경우도 있다. 그 때문에, 도 14a에 도시한 바와 같이, 검출 드라이버(R2)로부터 가까운(도 14보다 좌측의) 화소의 센서 전극에 대해서는 콘택트에 접속되어 주변 영역(SA)까지 인출되는 인출 배선(L1e, L2'e, L3'e)의 수를 적게(예를 들어, 2개) 하고, 검출 드라이버(R2)로부터 먼(도 14보다 우측의) 화소의 센서 전극에 대해서는 인출 배선(L1e, L2'e, L3'e)의 수를 많게(예를 들어, 4개) 하고 있다.
도 15는 화소 영역의 평면도의 일례이며, 도 16a는 도 15의 A-A'선을 따른 제1 기판(SUB1)의 단면도, 도 16b는 도 15의 B-B'선을 따른 제1 기판(SUB1)의 단면도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 기재(80) 상에 무기막을 포함하는 절연층(81)이 형성된다. 도 16 이외의 개소에서, 기재(80)와 절연층(81)의 사이에 폴리실리콘층을 포함하는 반도체층이 형성된다. 절연층(81) 상에 무기막을 포함하는 절연층(82)이 형성된다. 도 16 이외의 개소에서, 절연층(81)과 절연층(82)의 사이에 예를 들어 몰리브덴 텅스텐 합금(MoW)을 포함하는 주사선층(게이트선층이라고도 부름)이 형성된다. 절연층(82) 상에 유기막을 포함하는 제1 HRC층(86)이 형성된다. 절연층(82)과 제1 HRC층(86)의 사이에 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)을 포함하는 신호선층(소스선층이라고도 부름)(84)이 형성된다. 신호선(84)에 대응하는 제1 HRC층(86) 상의 개소에 제3 금속층을 포함하는 배선(88)이 형성된다. 제3 금속층은 예를 들어 질화티타늄/티타늄/알루미늄/티타늄(TiN/Ti/AL/Ti)을 포함한다. 배선(88)은 배선(L1 내지 L8)과 인출 배선부(L1e, L2'e, L3'e)를 형성한다. 배선(88) 상에 유기막을 포함하는 제2 HRC층(90)을 통해 제1 ITO층(92)이 형성된다. 제1 ITO층(92)은 센서 전극(COM)을 형성한다. 도 16a에 도시한 바와 같이, 제1 ITO층(92)(센서 전극(COM))이 배선(88)(배선(L1 내지 L8), 인출 배선부(L1e, L2'e, L3'e))의 일부와 접속된다. 또한, 제1, 제2 HRC층은 무기막이어도 된다.
제1 ITO층(92) 상에 층간 절연층(94)을 통해 제2 ITO층(96)이 형성된다. 제2 ITO층(96)은 화소 전극(64)(도 2)을 형성한다. 도 16b에 도시한 바와 같이, 제2 ITO층(96)(화소 전극(64))은 제1 ITO층(92)(센서 전극(COM))과, 배선(88)(배선(L1 내지 L8), 인출 배선(L1e, L2'e, L3'e))과, 신호선(84)에 전기적으로 접속된다.
[전체 실시 형태에 공통인 변형예]
센서 전극(COM)을 표시 영역(DA)에 형성했지만, 주변 영역(SA)에도 검출을 위한 주변 전극을 형성해도 된다. 이 경우, 주변 영역(SA)과 접촉 상태인 물체와 주변 전극의 거리는, 물체와 표시 영역(DA)에 형성한 센서 전극의 거리보다 짧다. 이에 의해, 주변 영역(SA)과 접촉 상태인 물체에 의한 주변 전극의 정전 용량 변화는 커지고, 주변 영역(SA)에서의 검출 감도는 향상된다.
검출 드라이버(R2)의 단자를 센서 전극(COM)에 직접 접속하고, 검출 드라이버(R2)의 단자와 센서 전극(COM)을 일대일로 대응시키고 있지만, 검출 드라이버(R2)와 센서 전극(COM) 사이에 멀티플렉서 등의 접속 회로를 접속해도 된다. 접속 회로는 검출 드라이버(R2)의 단자를 시분할로 어느 하나의 센서 전극(COM) 그룹과 접속한다. 이에 의해, 검출 드라이버(R2)의 단자수를 저감시킬 수 있다.
센서 전극(COM)의 배선(L1 내지 L8)의 형성 에어리어를 센서 전극과의 콘택트까지로 하고, 배선의 L1 내지 L8의 길이가 상이한 것으로 했지만, 모든 배선(L1 내지 L8)을 배선 기판(F)으로부터 가장 먼 센서 전극(COM(1,1) 내지 COM(1,6))까지 형성해도 된다. 이에 의해, 배선(L1 내지 L8)이 표시 영역(DA)의 전체면에 균일하게 형성되기 때문에, 광투과율의 변동이 발생하지 않고, 양호한 시인성이 실현된다.
오목부(98)는 표시 영역(DA)의 상변에 형성했지만, 하변에 혹은 상변과 하변의 양쪽에도 형성해도 된다. 또한, 상하변으로 한정되지 않으며, 좌우변의 적어도 한쪽에 형성해도 된다. 오목부는 어느 곳에 형성해도 되며, 오목부의 위치는 한정되지 않는다.
또한, 이형의 표시 패널은 4코너부 중 적어도 2코너부가 라운드부임과 함께 어느 하나의 변에 오목부가 형성되어 있을 필요는 없다. 이형의 표시 패널은 4코너부 중의 적어도 2코너부가 라운드부일 뿐, 혹은 어느 하나의 변에 오목부가 형성되어 있을 뿐이어도 된다.
본 발명은 상기 실시 형태 그대로 한정되는 것은 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적당한 조합에 의해 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들어, 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 가지의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.
26: 센서 전극 드라이버, COM: 센서 전극, 52: 제1 기판, 54: 제2 기판, 56: 액정층, 64: 화소 전극, PIX: 화소, 74: 컬러 필터, DA: 표시 영역, SA: 주변 영역, R2: 검출 드라이버.

Claims (12)

  1. 표시 영역 내에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 센서 전극과,
    상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치된 전극 드라이버와,
    상기 전극 드라이버와 상기 복수의 센서 전극을 접속하기 위한 복수의 배선
    을 구비한 터치 패널 구비 표시 장치이며,
    상기 복수의 센서 전극은 제1 센서 전극과 제2 센서 전극을 포함하고,
    상기 복수의 배선은 상기 제1 센서 전극에 접속되는 제1 배선과, 상기 제2 센서 전극에 접속되는 제2 배선을 포함하고,
    상기 제2 배선은 상기 전극 드라이버가 위치하는 단자 방향과는 반대의 방향으로 인출되는 복수의 제1 인출 배선부와, 상기 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함하고,
    상기 제1 배선은 상기 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함하고,
    상기 복수의 제1 인출 배선부는 연결부를 통해 서로 접속되어 있는 터치 패널 구비 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연결부는 상기 주변 영역에 형성되는 터치 패널 구비 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 센서 전극과 상기 제2 센서 전극은 형상 또는 면적이 상이한 터치 패널 구비 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 표시 영역은 적어도 2개의 코너부가 둥글게 된 직사각형 영역이며,
    상기 제2 센서 전극은 상기 표시 영역의 둥글게 된 코너부에 배치되고, 상기 제2 센서 전극의 형상은 해당 코너부에 대응하는 코너부가 둥글게 되어 있는 직사각형 또는 정사각형인 터치 패널 구비 표시 장치.
  5. 표시 영역 내에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 센서 전극과,
    상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치된 전극 드라이버와,
    상기 전극 드라이버와 상기 복수의 센서 전극을 접속하는 복수의 배선
    을 구비한 터치 패널 구비 표시 장치이며,
    상기 복수의 센서 전극은 제1 센서 전극과 제2 센서 전극을 포함하고,
    상기 복수의 배선은 제1 센서 전극에 접속되는 제1 배선과, 상기 제2 센서 전극에 접속되는 제2 배선을 포함하고,
    상기 제1 배선은 상기 전극 드라이버가 위치하는 단자 방향으로 인출되는 제1 인출 배선부를 포함하고,
    상기 제2 배선은 상기 단자 방향으로 인출되는 제2 인출 배선부를 포함하고,
    상기 제2 인출 배선부는 상기 제1 인출 배선부를 사이에 두는 제1 부분과 제2 부분을 포함하고,
    상기 제2 인출 배선부의 상기 제1 부분은, 상기 제1 인출 배선부와 절연되어 있는 연결부를 통해 상기 제2 인출 배선부의 제2 부분에 접속되어 있고,
    상기 제1 인출 배선부와 상기 제2 인출 배선부의 제2 부분을 덮는 제1 절연막과,
    상기 제1 절연막 상의 상기 제1 배선과 상기 제2 배선과 상기 제2 인출 배선부의 제1 부분과 상기 연결부를 덮는 제2 절연막을 더 구비하고,
    상기 연결부는 상기 제2 인출 배선부의 제1 부분과 일체적으로 형성되고,
    상기 연결부는 상기 제1 절연막을 통해 상기 제1 인출 배선부 상에 형성되어 있는 터치 패널 구비 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 연결부는 상기 주변 영역에 형성되는 터치 패널 구비 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 인출 배선부와 상기 제2 인출 배선부는 공통의 절연막 위에 형성되고,
    상기 연결부는 상기 절연막 아래에 형성되는 터치 패널 구비 표시 장치.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 센서 전극과 상기 제2 센서 전극은 형상 또는 면적이 상이한 터치 패널 구비 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 표시 영역은 적어도 2개의 코너부가 둥글게 된 직사각형 영역이며,
    상기 제2 센서 전극은 상기 표시 영역이 둥글게 된 코너부에 배치되고, 상기 제2 센서 전극의 형상은 해당 코너부에 대응하는 코너부가 둥글게 되어 있는 직사각형 또는 정사각형인 터치 패널 구비 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표시 영역은 한 변에 오목부가 형성된 직사각형 영역이며,
    상기 제2 센서 전극은 상기 표시 영역의 오목부에 배치되고, 상기 제2 센서 전극의 형상은 해당 오목부에 대응하는 부분이 결여되어 있는 직사각형 또는 정사각형인 터치 패널 구비 표시 장치.
  12. 표시 영역 내에 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 센서 전극과,
    상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치된 전극 드라이버와,
    상기 전극 드라이버와 상기 복수의 센서 전극을 접속하는 복수의 배선을 구비한 터치 패널 구비 표시 장치이며,
    상기 복수의 센서 전극 중의 동일한 열의 m(m은 양의 정수)개의 센서 전극은 전극 그룹을 형성하고,
    상기 전극 그룹의 m개의 센서 전극에 각각 접속되는 m개의 배선은,
    상기 전극 드라이버로부터 가장 먼 센서 전극에 접속되는 제1 배선과,
    상기 전극 드라이버로부터 2번째로 먼 센서 전극에 접속되는 제2 배선과,
    상기 전극 드라이버에 가장 가까운 센서 전극에 접속되는 제3 배선과,
    상기 전극 드라이버에 2번째로 가까운 센서 전극에 접속되는 제4 배선을 포함하고,
    상기 제1 배선은 상기 m개의 배선 중의 단부에 위치하고, 상기 제3 배선은 상기 제1 배선에 인접하고, 상기 제2 배선은 상기 제3 배선에 인접하고, 상기 제4 배선은 상기 제2 배선에 인접하는 터치 패널 구비 표시 장치.
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