KR102076960B1 - 복합 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치 - Google Patents

복합 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치 Download PDF

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Abstract

레일리파를 이용하고 있는 대역통과형 필터의 세자와파에 의해, 상기 레일리파를 이용하고 있는 대역통과형 필터보다도 높은 주파수대역을 가지는 대역통과형 필터에 악영향이 미치기 어려운, 복합 필터 장치를 제공한다.
캐리어 어그리게이션에 이용되는 복합 필터 장치로서, 안테나 공통 단자(2)와, 제1 통과대역을 가지는, 제1 대역통과형 필터(3a)와, 제1 통과대역보다도 주파수가 높은, 제2 통과대역을 가지는, 제2 대역통과형 필터(4)를 포함하고, 제1 대역통과형 필터(3a)는 탄성파 공진자를 포함하고, 상기 탄성파 공진자는 LiNbO3 기판과, LiNbO3 기판 상에 마련된 IDT 전극과, IDT 전극을 덮고 있는 산화규소를 주성분으로 하는 유전체막을 가지며, 제1 대역통과형 필터(3a)의 세자와파의 주파수를 f1'로 하고, 제2 통과대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때에, f1'가 f2와 다른 위치에 존재하고 있는, 복합 필터 장치(1).

Description

복합 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
본 발명은 안테나 단자에 복수개의 대역통과형 필터가 접속되어 있는 복합 필터 장치, 그리고 상기 복합 필터 장치를 포함하는 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 안테나 단자에 복수개의 대역통과형 필터가 접속되어 있는 복합 필터 장치가 이용되고 있다.
하기의 특허문헌 1에 기재된 듀플렉서에서는 안테나 단자에 송신 필터 및 수신 필터가 접속되어 있다. 송신 필터는 LiNbO3 기판을 전파하는 레일리파(Rayleigh waves)를 이용하고 있다. 송신 필터는 복수개의 탄성파 공진자를 가지는 래더(ladder)형 필터로 이루어진다. 각 탄성파 공진자의 IDT 전극을 덮도록 SiO2막이 마련되어 있다.
하기의 특허문헌 2에는 안테나 단자에 제1 및 제2 필터가 접속되어 있는 캐리어 어그리게이션(carrier aggregation) 회로가 개시되어 있다. 제1 필터는 제1 주파수대를 가진다. 제2 필터는, 제1 주파수대와는 다른 제2 주파수대를 가진다. 제1 및 제2 필터는 각각 듀플렉서의 일부이다.
일본 공개특허공보 특개2012-175315호 일본 공개특허공보 특개2015-204629호
그리고 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 레일리파를 이용한 종래의 대역통과형 필터를 듀플렉서로 사용하는 경우에는 문제가 되지 않지만, 특허문헌 1에 기재된 대역통과형 필터를 특허문헌 2와 같은 캐리어 어그리게이션 회로에 이용한 경우에는, 레일리파의 고차 모드인 세자와파(Sezawa waves)가 레일리파의 주파수의 대략 1.2배의 주파수 부근에 출현하고, 이 응답이 불요파(不要波)가 되어 다른 필터 특성에 악영향을 미친다는 문제가 있었다. 구체적으로는 서로 다른 주파수대를 가지는 2개의 필터가 안테나 단자에 접속되어 있는 경우, 주파수대역이 낮은 한쪽 필터의 세자와파의 응답이 주파수대역이 높은 다른 쪽 필터의 통과대역 내에 출현함으로써, 주파수대역이 높은 다른 쪽 필터의 삽입 손실을 열화(劣化)시키는 일이 있었다. 특히, 세자와파의 응답이, 주파수대역이 높은 다른 쪽 필터의 통과대역의 중심 주파수와 일치하면, 주파수대역이 높은 다른 쪽 필터의 삽입 손실의 열화가 현저해진다.
본 발명의 목적은, 레일리파를 이용하고 있는 대역통과형 필터의 세자와파에 의해, 상기 레일리파를 이용하고 있는 대역통과형 필터보다도 높은 주파수대역을 가지는 대역통과형 필터에 악영향이 미치기 어려운, 복합 필터 장치, 그리고 상기 복합 필터 장치를 포함하는 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치는, 캐리어 어그리게이션에 이용되는 복합 필터 장치로서, 안테나에 접속되는 안테나 공통 단자와, 상기 안테나 공통 단자에 접속되어 있으면서 통과대역이 각각 다른 복수개의 대역통과형 필터를 포함하고, 상기 복수개의 대역통과형 필터는, 제1 통과대역을 가지는 제1 대역통과형 필터와, 상기 안테나 공통 단자에 접속되어 있고, 상기 제1 통과대역보다도 주파수가 높은 제2 통과대역을 가지는 제2 대역통과형 필터를 포함하며, 상기 제1 대역통과형 필터는 탄성파 공진자를 포함하고, 상기 탄성파 공진자는 LiNbO3 기판과, 상기 LiNbO3 기판 상에 마련된 IDT 전극과, 상기 LiNbO3 기판 상에서 상기 IDT 전극을 덮고 있는 산화규소를 주성분으로 하는 유전체막을 가지며, 상기 탄성파 공진자는 상기 LiNbO3 기판을 전파하는 레일리파를 이용하고 있고, 상기 제1 대역통과형 필터의 세자와파의 주파수를 f1'로 하고, 상기 제2 통과대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때에 f1'가 f2와 다른 위치에 존재하고 있다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 IDT 전극이 Pt, Mo 및 Cu 중 1종의 금속을 주체로 하는 제1 금속막을 가지고, 상기 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1, f1'/f1를 y, 상기 유전체막의 막 두께를 x로 하고, 상기 제1 금속막이 하기의 표 1에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어질 때에, 하기 표 1에 나타내는 식에서 상기 y가 f2/f1와 다른 값이다. 한편, 하기 표 1에서 x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다.
Figure 112018085225173-pct00001
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 다른 특정 국면에서는, f1'가 상기 제2 통과대역 밖에 존재하고 있다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1로 했을 때에 f1＜f1'＜f2를 충족시키고 있다. 이 경우, 고온에서도, 세자와파의 응답에 의해 다른 대역통과형 필터에 한층 더 악영향이 미치기 어렵다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1로 했을 때에 f1＜f2＜f1'를 충족시키고 있다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터가 상기 안테나 공통 단자에 접속되어 있는 래더형 필터를 가진다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 래더형 필터가 복수개의 직렬암(series arm) 공진자를 가지고, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중 상기 안테나 공통 단자에 가장 가까운 직렬암 공진자가 상기 탄성파 공진자로 이루어진다. 이 경우, 세자와파의 응답에 의해, 다른 대역통과형 필터에 한층 더 악영향이 미치기 어렵다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 대역통과형 필터가, 상기 래더형 필터의 상기 안테나 공통 단자와는 반대 측에 접속되어 있는 종결합 공진자형 탄성파 필터를 가진다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 유전체막이 산화규소로 이루어진다. 이 경우, 주파수 온도계수(TCF)의 절대값을 한층 더 작게 할 수 있다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 IDT 전극이 Pt, Mo 및 Cu 중 1종의 금속을 주체로 하는 제1 금속막을 가지고, f1'/f1를 y로 하고, 상기 유전체막의 막 두께를 x로 하며, 상기 제2 통과대역의 주파수의 하한값을 f2L로 하고, 상기 제1 금속막이 하기의 표 2에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어지는 경우에, 하기 표 2에 나타내는 식에서 상기 y가 f2L/f1보다 작게 되어 있다. 한편, 하기 표 2에서 x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다. 이 경우, 세자와파의 응답에 의해, 다른 대역통과형 필터에 한층 더 악영향이 미치기 어렵다.
Figure 112018085225173-pct00002
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 IDT 전극이 Pt, Mo 및 Cu 중 1종의 금속을 주체로 하는 제1 금속막을 가지고, f1'/f1를 y로 하고, 상기 유전체막의 막 두께를 x로 하며, 상기 제2 통과대역의 주파수의 상한값을 f2H로 하고, 상기 제1 금속막이 하기의 표 3에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어지는 경우에, 하기 표 3에 나타내는 식에서 상기 y가 f2H/f1보다 크게 되어 있다. 한편, 하기 표 3에서 x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다.
Figure 112018085225173-pct00003
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 금속막 상에 적층되어 있고, 상기 제1 금속막보다 전기저항이 낮은 제2 금속막을 가진다. 바람직하게는 상기 제2 금속막이 Al 또는 Au를 주체로 하는 합금으로 이루어진다.
본 발명에 따른 복합 필터 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 금속막이 Mo와 Nb를 주체로 하는 합금으로 이루어진다.
본 발명에 따른 고주파 프론트엔드 회로는, 본 발명에 따라 구성되는 복합 필터 장치와, 스위치, 파워앰프, LNA, 다이플렉서, 서큘레이터 및 아이솔레이터 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명에 따른 통신 장치는 본 발명에 따라 구성되는 고주파 프론트엔드 회로와 RFIC와 BBIC를 포함한다.
본 발명에 의하면, 레일리파를 이용하고 있는 대역통과형 필터의 세자와파에 의해, 상기 레일리파를 이용하고 있는 대역통과형 필터보다도 높은 주파수대역을 가지는 대역통과형 필터에 악영향이 미치기 어려운, 복합 필터 장치, 그리고 상기 복합 필터 장치를 포함하는 고주파 프론트엔드 회로와 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 약도적 회로도이다.
도 2는 본 발명의 복합 필터 장치를 구성하는 일례로서의 복합 필터를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에서 이용되고 있는 탄성파 공진자의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 제1 수신 필터를 구성하고 있는 탄성파 공진자의 모식적 부분 절결 정면 단면도이다.
도 5는 제1 금속막인 Pt의 막 두께를 변화시켰을 때의 SiO2막 두께와 f1'/f1의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 금속막인 Mo의 막 두께를 변화시켰을 때의 SiO2막 두께와 f1'/f1의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 금속막인 Cu의 막 두께를 변화시켰을 때의 SiO2막 두께와 f1'/f1의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 약도적 회로도이다.
도 9는 본 발명의 한 실시형태에 따른 복합 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치의 약도적 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 약도적 회로도이다.
도 11은 본 발명의 복합 필터 장치를 구성하는 일례로서의 캐리어 어그리게이션 회로를 나타내는 회로도이다.
도 12는 도 9에 나타내는 통신 장치의 변형예에 따른 통신 장치의 약도적 회로도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
[복합 필터 장치]
(제1 실시형태)
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 약도적 회로도이다. 복합 필터 장치(1)는 캐리어 어그리게이션용 복합 필터 장치이다. 이 복합 필터 장치(1)는 공통 단자로서의 안테나 공통 단자(2)를 가진다. 안테나 공통 단자(2)에 제1~제3 수신 필터(3a, 4, 13) 및 송신 필터(3b)가 접속되어 있다. 물론, 본 발명에서는 안테나 공통 단자(2)에 복수개의 수신 필터만이 접속되어 있어도 된다.
도 1에서는 제1~제3 수신 필터(3a, 4, 13) 및 송신 필터(3b)를 블록으로 약도적으로 나타내고 있다. 제1~제3 수신 필터(3a, 4, 13) 및 송신 필터(3b)는 복수개의 캐리어, 즉 통신 방식에 대응하기 위해 마련되어 있다.
제1 수신 필터(3a) 및 송신 필터(3b)는 복합 필터(3)를 구성하고 있다.
제1 수신 필터(3a)는 제1 통과대역을 가지는 제1 대역통과형 필터이다. 제1 통과대역은 Band3의 수신 주파수대역이고, 1805㎒~1880㎒의 주파수대역이다. 또한, 제2 수신 필터(4)는 제2 통과대역을 가지는 제2 대역통과형 필터이다. 제2 통과대역은 Band7의 수신 주파수대역이고, 2620㎒~2690㎒의 주파수대역이다. 따라서, 제2 통과대역은 제1 통과대역보다 주파수가 높다.
제1 수신 필터(3a)는 LiNbO3 기판 상에 IDT 전극 및 SiO2막을 적층한 구조를 가진다. LiNbO3 기판 상을 전파하는 레일리파가 이용되고 있다. 물론, IDT 전극에 교류 전압을 인가하면, 레일리파뿐만 아니라 그 고차 모드인 세자와파도 여진(勵振)되게 된다.
본 실시형태의 특징은, 제1 수신 필터(3a)에서의 세자와파의 주파수를 f1'로 하고, 제2 수신 필터(4)에서의 제2 통과대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때에, f1'가 f2와 겹치지 않도록 IDT 전극의 구성 재료, IDT 전극 및 SiO2막의 막 두께가 설정되어 있는 것에 있다. 따라서, 본 실시형태에서는 f1'가 f2와 다른 위치에 존재하고 있다. 그 때문에, 제1 수신 필터(3a)에서의 세자와파의 응답의 영향에 의해, 제2 수신 필터(4)의 삽입 손실이 열화되기 어렵다. 즉, 제1 수신 필터(3a)에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 수신 필터(4)에 악영향이 미치기 어렵다. 제2 수신 필터(4)에 대한 세자와파의 응답의 영향을 한층 더 미치기 어렵게 하는 관점에서, f1'는 제2 통과대역 밖에 존재하고 있는 것이 바람직하다.
한편, f1' 및 f2는, 제1 수신 필터(3a)에서의 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1로 했을 때에 f1＜f1'＜f2를 충족시키고 있는 것이 바람직하다. 고차 모드의 주파수 온도계수(TCF)는 음이므로, f1'는 소자 온도가 고온이 되면 될수록 저주파수 측으로 시프트한다. 그 때문에, f1＜f1'＜f2를 충족시키고 있는 경우, 고온에서도 세자와파의 응답에 의해 제2 수신 필터(4)에 악영향이 미치기 어렵다. 물론, 본 발명에서는 f1'가 f2와 다른 위치에 존재하고 있으면 되고, f1＜f2＜f1'를 충족시키고 있어도 된다. 또한, f1＜f1'＜f2인 경우에는, f1'는 더욱이 제2 통과대역 밖에 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 고온에서도 세자와파의 응답에 의해 제2 수신 필터(4)에 한층 더 악영향이 미치기 어렵다. 이하, 복합 필터 장치(1)를 구성하고 있는 복합 필터에 대해 상세하게 서술한 후에, f1' 및 f2가 겹치지 않도록 하기 위한 구체적인 수단에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 복합 필터 장치를 구성하는 일례로서의 복합 필터를 나타내는 회로도이다. 구체적으로, 도 2는 복합 필터(3)를 나타내는 회로도이다.
상술한 바와 같이, 복합 필터(3)는 제1 수신 필터(3a)와 송신 필터(3b)를 가진다. 복합 필터(3)는 공통 단자(7)를 가진다. 공통 단자(7)는 도 1에 나타내는 안테나 공통 단자(2)에 접속되어 있다. 공통 단자(7)와 그라운드 전위 사이에 임피던스 정합용 인덕터(L)가 접속되어 있다.
공통 단자(7)와 수신 단자(5) 사이에 제1 수신 필터(3a)가 접속되어 있다. 공통 단자(7)와 송신 단자(6) 사이에 송신 필터(3b)가 접속되어 있다.
송신 필터(3b)에서는, 공통 단자(7)에 복수개의 직렬암 공진자(S11~S16) 및 복수개의 병렬암(parallel arm) 공진자(P11~P13)가 접속되어 있다.
제1 수신 필터(3a)에서는, 공통 단자(7)에 래더형 필터(9)가 접속되어 있다. 래더형 필터(9)는 직렬암 공진자(S1, S2) 및 병렬암 공진자(P1, P2)를 가진다. 직렬암 공진자(S1, S2) 및 병렬암 공진자(P1, P2)는 모두 1포트형 탄성파 공진자로 이루어진다. 1포트형 탄성파 공진자는 도 3에 나타내는 전극 구조를 가진다. 도 3에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(10)의 탄성파 전파 방향 양측에 반사기(11, 12)가 마련되어 있다. 그로써, 1포트형 탄성파 공진자가 구성되어 있다.
또한, 래더형 필터(9)와 수신 단자(5) 사이에 종결합 공진자형 탄성파 필터(8)가 접속되어 있다. 종결합 공진자형 탄성파 필터(8)는, 탄성파 필터부(8a, 8b)를 가진다. 탄성파 필터부(8a, 8b)는, 각각 5개의 탄성파 공진자를 탄성파 전파 방향으로 배열하여 종결합시킴으로써 구성되어 있다. 보다 구체적으로, 탄성파 필터부(8a, 8b)는, 탄성표면파의 전파 방향으로 배열된 5개의 IDT 전극과, 5개의 IDT 전극의 양측에 마련된 반사기를 가지는 5IDT형 탄성파 필터이다. 한편, 도 1에서는 제2 및 제3 수신 필터(4, 13)를 블록으로 약도적으로 나타내고 있는데, 제1 수신 필터(3a)와 마찬가지로 구성되어 있다.
복합 필터 장치(1)에서는, 직렬암 공진자(S1, S2), 병렬암 공진자(P1, P2) 및 종결합 공진자형 탄성파 필터(8)를 구성하고 있는 모든 탄성파 공진자가 이하에 서술하는 특정 탄성파 공진자로 이루어진다. 그로 인해, 상술한 f1'가 f2와 다른 위치에 존재하도록 조정되어 있다. 이하, 직렬암 공진자(S1)를 대표하여, 특정 탄성파 공진자의 구조를 설명하는 것으로 한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 제1 수신 필터를 구성하고 있는 탄성파 공진자의 모식적 부분 절결 정면 단면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, LiNbO3 기판(22) 상에 IDT 전극(23)이 마련되어 있다. IDT 전극(23)을 덮도록 SiO2로 이루어지는 유전체막(24)이 적층되어 있다. 유전체막(24)을 적층함으로써, 주파수 온도계수의 절대값을 한층 더 작게 할 수 있다. 유전체막(24) 상에 SiN막(25)이 적층되어 있다. 물론, SiN막(25)은 마련되지 않아도 된다.
IDT 전극(23)은 제1 및 제2 금속막(23a, 23b)을 가진다. 제1 금속막(23a) 상에 제2 금속막(23b)이 적층되어 있다. 본 실시형태에서는, 제1 금속막(23a)은 Pt막이다. 또한, 제2 금속막(23b)은 Al막이다. 따라서, 제2 금속막(23b)은 제1 금속막(23a)보다 전기저항이 낮다. 이와 같이, 제2 금속막(23b)은 제1 금속막(23a)보다 전기저항이 낮은 것이 바람직하다.
복합 필터 장치(1)에서는, f1'가 f2와 다른 위치에 존재하도록, 제1 금속막(23a)의 막 두께(이하, Pt막 두께라고 하는 경우가 있는 것으로 함) 및 유전체막(24)의 막 두께(이하, SiO2막 두께라고 하는 경우가 있는 것으로 함)가 설정되어 있다. 그로 인해, 제1 수신 필터(3a)에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 수신 필터(4)에 악영향이 미치기 어렵게 되어 있다. 한편, 제1 금속막(23a) 및 유전체막(24)의 막 두께는, IDT 전극(23)의 전극지(電極指) 피치로 정해지는 파장 λ에 대한 비율이다. 또한, 유전체막(24)의 막 두께는, 유전체막(24)에서의 제1 및 제2 주면(主面)(24a, 24b) 간의 거리(D)를 나타내는 것으로 한다. 제1 및 제2 주면(24a, 24b)은 서로 대향하고 있고, 제1 주면(24a)이 LiNbO3 기판(22) 측의 주면이다.
이하, f1'가 f2와 다른 위치에 존재하도록, 제1 금속막(23a)의 막 두께 및 SiO2막 두께를 설정하는 방법에 대해 설명한다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는 제1 수신 필터(3a)가 Band3의 수신 필터이며, 제2 수신 필터(4)가 Band7의 수신 필터이다. 제1 통과대역인 Band3의 수신 주파수대역의 중심 주파수(f1)는 1842.5㎒이다. 또한, 제2 통과대역인 Band7의 수신 주파수대역의 중심 주파수(f2)는 2655㎒이다. 따라서, 본 실시형태에서는 f2/f1=1.441이다.
도 5는 제1 금속막인 Pt의 막 두께를 변화시켰을 때의 SiO2막 두께와 f1'/f1의 관계를 나타내는 도면이다. f1'/f1는 레일리파의 음속에 대한 세자와파의 음속의 비(세자와파의 음속/레일리파의 음속)에 의해 구할 수 있다.
여기서, f1＜f1'＜f2로 함으로써, f1'가 f2와 다른 위치에 존재하도록 하기 위해서는, 이하와 같이 하면 된다. f1＜f1'＜f2일 때, 1＜f1'/f1＜f2/f1이므로, f2/f1=1.441을 대입하면, 1＜f1'/f1＜1.441이 된다. 1＜f1'/f1＜1.441를 충족시키기 위해서는, 도 5에 A로 나타내는 직선 f2/f1가 1.441인 경우(f1'/f1=1.441)보다 아래쪽의 영역이면 된다.
구체적으로, Pt막 두께가 0.5%인 경우에는, f1'/f1는 하기 식(1)로 근사된다.
y=0.00000096×x4-0.00011979×x3
+0.00535955×x2-0.10212558×x
+1.91148793 …식(1)
여기서, y는 f1'/f1, x는 SiO2막 두께이다. 이 함수에 의해 나타나는 SiO2막의 막 두께와 Pt막 두께의 조건이 f2/f1=f1'/f1=1.441보다 아래쪽의 영역에 있는 경우, 즉, 하기 식(2)를 충족하도록 제1 금속막인 Pt막 두께 및 SiO2막 두께를 설정함으로써, f1＜f1'＜f2로 할 수 있다.
1.441＞0.00000096×x4-0.00011979×x3+0.00535955×x2-0.10212558×x
+1.91148793 …식(2)
f1＜f1'＜f2를 충족시킴으로써, 제1 수신 필터(3a)에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 수신 필터(4)에 악영향이 미치기 어렵게 할 수 있다.
한편, 본 실시형태에서는, 직렬암 공진자(S1, S2), 병렬암 공진자(P1, P2) 및 종결합 공진자형 탄성파 필터(8)를 구성하고 있는 모든 탄성파 공진자가 상기의 특정 탄성파 공진자로 이루어진다. 물론, 본 발명에서는, 직렬암 공진자(S1, S2), 병렬암 공진자(P1, P2) 및 종결합 공진자형 탄성파 필터(8)를 구성하고 있는 적어도 하나의 공진자가 상기 특정 탄성파 공진자이면 된다. 세자와파의 응답의 제2 수신 필터(4)에 대한 영향을 한층 더 효과적으로 억제하는 관점에서, 적어도 종결합 공진자형 탄성파 필터(8)가 상기 특정 공진자에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 래더형 필터(9)의 안테나 공통 단자(2) 측의 리턴 로스(return loss)는, 안테나 공통 단자(2)에 가장 가까운 직렬암 공진자(S1)로부터 생기는 고차 모드의 리스폰스(response)가 가장 커지기 때문에, 안테나 공통 단자(2)에 가장 가까운 직렬암 공진자(S1)가 상기 특정 탄성파 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다.
제1 실시형태에서는 제1 금속막(23a)이 Pt로 이루어지는데, 다른 금속을 사용해도 된다. 바람직하게는, 제1 금속막(23a)은 Pt, Cu 및 Mo 중 1종의 금속을 주체로 하는 금속막인 것이 바람직하다. 그 경우에는, 레일리파에 의한 양호한 필터 특성을 얻을 수 있다. 한편, 금속을 주체로 한다는 것은, 상기 금속만으로 이루어지는 것에 한정되지 않고, 상기 금속을 50중량% 이상 포함하는 합금도 포함하는 것을 의미한다. 또한, 제1 금속막(23a)과, 그 밖의 Al보다 무거운 금속을 적층한 경우에는, 제1 금속막(23a)의 막 두께 및 밀도로부터 계산되는 제1 금속막(23a)의 중량과, Al보다 무거운 금속막의 막 두께 및 밀도로 계산되는 Al보다 무거운 금속막의 중량의 합을, 제1 금속막(23a)의 밀도로 나눔으로써, 제1 금속막(23a)의 막 두께로 환산하여 제1 금속막(23a)의 막 두께와 등가로 한다. 또한, 제2 금속막(23b)은 Al로 이루어지는데, 다른 금속을 사용해도 된다. 바람직하게는, 제2 금속막(23b)은 Al 또는 Au를 주체로 하는 합금이 바람직하다. 제2 금속막(23b)은 마련하지 않아도 된다.
또한, 제1 실시형태에서는 SiO2막인 유전체막(24)이 IDT 전극(23)을 덮도록 마련되어 있었는데, SiO2막 이외의 산화규소를 주성분으로 하는 유전체막을 이용할 수도 있다. 산화규소를 주성분으로 하는 유전체막이란, SiO2에 한정되지 않고, SiO x(x는 정수)를 50중량% 이상 포함하는 유전체 재료로 이루어지는 막이어도 되는 것을 의미한다.
제1 실시형태에서는 Band3과 Band7의 수신 필터의 조합을 이용했는데, 예를 들면, 하기 표 4에 나타내는 Band의 조합을 이용해도 된다. 표 4에서, 예를 들면, Band39-Band41로 기재되어 있는 경우에는, 제1 대역통과형 필터가 Band39의 수신 필터이고, 제2 대역통과형 필터가 Band41의 수신 필터인 것을 의미하고 있다. 또한, 각 Band의 조합을 이용하는 경우, f1 및 f2의 비(f2/f1)는 표 4에 나타내는 관계가 된다. 예를 들면, Band39-Band41일 때는 f2/f1=1.365가 된다.
Figure 112018085225173-pct00004
한편, 반드시 표 4에 기재한 Band 중에서 선택하지 않아도 된다.
또한, 제1 실시형태에서는, f2는 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역의 중심 주파수이었는데, 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역의 주파수의 하한값(통과대역 내에서 가장 낮은 주파수)보다도 낮은 주파수 측에 f1'를 위치시킴으로써, 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역 내 모든 영역에서, 제1 수신 필터(3a)로부터 생기는 고차 모드에 의한 로스의 열화를 억제할 수 있다.
구체적으로, 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역의 주파수의 하한값을 f2L로 하고, 제1 금속막(23a)을 Pt로 하며, Pt막 두께를 0.5%로 한 경우에는, 하기 식(3)을 충족하는 바와 같은 x(SiO2막 두께)로 함으로써 f1＜f1'＜f2L로 할 수 있다.
f2L/f1＞0.00000096×x4
-0.00011979×x3+0.00535955×x2
-0.10212558×x+1.91148793 …식(3)
여기서, 대표적인 Band의 조합에서의 f2L과 f1의 비(f2L/f1)를 상기 표 4에 나타내는데, 반드시 표 4에 기재된 Band에서 선택하지 않아도 된다.
본 발명에서는, f1 및 f2가 상기 표 4에 나타내는 각 관계에 있고, 제1 금속막(23a)이 하기의 표 5에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어지는 경우에, 하기 표 5에 나타내는 식에서, y가 f2/f1보다 작아지도록 x의 값이 정해져 있다. 이때, f1, f1' 및 f2가 f1＜f1'＜f2를 충족하게 된다. 한편, y는 f1'/f1이다. 더욱이, 각 막 두께는 IDT 전극(23)의 전극지 피치로 정해지는 파장 λ에 대한 비율이다. 한편, 표 5에 나타내는 식은 예를 들면, 0.25%＜Pt≤0.75%일 때는, 중심인 Pt=0.5%일 때의 근사식을 나타내는 것이지만, 0.25%＜Pt≤0.75%의 범위라면 동일한 효과가 얻어지는 것을 확인하고 있다. 다른 범위에 대해서도 마찬가지이다. 여기서, 하기 표 5에서 x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다.
Figure 112018085225173-pct00005
또한, 본 발명에서는, f1 및 f2가 상기 표 4에 나타내는 각 관계에 있고, 제1 금속막(23a)이 표 5에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어지는 경우에, 표 5에 나타내는 식에서 y가 f2/f1보다 커지도록 x의 값이 정해져 있다. 이때, f1, f1' 및 f2가 f1＜f2＜f1'를 충족하게 된다. 한편, 각 막 두께는, IDT 전극(23)의 전극지 피치로 정해지는 파장 λ에 대한 비율이다.
상기와 같이 하여, f1'가 f2와 다른 위치에 존재하도록 함으로써, 제1 수신 필터(3a)에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 수신 필터(4)에 악영향이 미치기 어렵게 할 수 있다.
특히, f1과 f2의 차가 큰 경우는 f1＜f1'＜f2가 되도록 조정하면 된다. 또한, f1과 f2의 차가 작은 경우는 f1＜f2＜f1'가 되도록 조정하면 된다.
이하, 구체적으로 제1 수신 필터(3a)가 Band25의 수신 필터이고, 제2 수신 필터(4)가 Band30의 수신 필터인 경우에 대해 설명한다. 제1 통과대역인 Band25의 수신 주파수대역의 중심 주파수(f1)는 1962.5㎒이다. 또한, 제2 통과대역인 Band30의 수신 주파수대역의 중심 주파수(f2)는 2355㎒이다. 따라서, 본 실시형태에서는 f2/f1=1.20이 된다. 이 경우에, 제1 금속막(23a)에 Pt를 사용했을 때를 예로 들어 설명한다. f1＜f2＜f1'일 때, 1＜f2/f1＜f1'/f1이므로, f2/f1=1.20을 대입하면, 1.20＜f1'/f1이 되는 것이 필요해진다. 1.20＜f1'/f1을 충족시키기 위해서는, 도 5에 B로 나타내는 파선 f2/f1가 1.20인 경우(f1'/f1=1.20)보다 위쪽의 영역이면 된다. 구체적으로는, Pt막 두께가 2.0%인 경우에는, f1'/f1는 하기 식(4)로 근사된다.
y=0.00000109×x4-0.00014124×x3
+0.00650460×x2-0.12836964×x
+2.20470460 …식(4)
여기서, y는 f1'/f1이고, x는 SiO2막 두께이다. 이 함수에 의해 나타나는 SiO2막의 막 두께와 Pt막 두께의 조건이 f2/f1=f1'/f1=1.20보다 위쪽의 영역에 있는 경우, 즉 하기 식(5)를 충족하도록 제1 금속막의 막 두께인 Pt막 두께 및 SiO2막 두께를 설정함으로써 f1＜f2＜f1'를 충족하는 것을 알 수 있다.
1.20＜0.00000109×x4-0.00014124×x3+0.00650460×x2-0.12836964×x
+2.20470460 …식(5)
상기의 구체예에서는 Band25와 Band30의 수신 필터의 조합을 이용했는데, 예를 들면, 상기 표 4에 나타내는 Band의 조합을 이용해도 된다. 또한, 반드시 표 4에 기재한 Band 중에서 선택하지 않아도 된다.
또한, 제1 실시형태에서는, f2는 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역의 중심 주파수이었는데, 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역의 주파수의 상한값(통과대역 내에서 가장 높은 주파수)보다도 높은 주파수에 f1'를 위치시킴으로써, 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역 내 모든 영역에서, 제1 수신 필터(3a)로부터 생기는 고차 모드에 의한 로스의 열화를 억제할 수 있다. 즉, 제2 수신 필터(4)의 제2 통과대역의 주파수의 상한값을 f2H로 하고, IDT 전극을 Pt로 하며, Pt막 두께를 2.0%로 한 경우에는, 하기 식(6)을 충족시키는 바와 같은 SiO2막 두께로 함으로써 f1＜f2H＜f1'로 할 수 있다.
f2H/f1＜0.00000109×x4
-0.00014124×x3+0.00650460×x2
-0.12836964×x+2.20470460 …식(6)
여기서, 대표적인 Band의 조합에서의 f2H와 f1의 비를 상기 표 4에 나타내는데, 반드시 표 4에 기재된 Band에서 선택하지 않아도 된다.
또한, 도 5에서는 제1 금속막(23a)에 Pt를 사용했을 때를 예로 들어 설명했는데, 제1 금속막(23a)에 Mo나 Cu를 사용하는 경우도, 각각 도 6 및 도 7을 참조하여 f1'를 f2와 다른 위치로 할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는, 제1 금속막 및 유전체막의 막 두께를 상기와 같이 설정함으로써 f1＜f1'＜f2 또는 f1＜f2＜f1'를 충족시키는 것을 알 수 있다. 그로 인해, 제1 대역통과형 필터에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 대역통과형 필터에 악영향이 미치기 어렵게 할 수 있다.
한편, 본 발명에서 세자와파가 복수개의 리스폰스를 가지는 경우, 혹은 대역을 가지고 생긴 경우에는, 세자와파의 주파수(f1')는 입력 단자 측의 반사 특성이 최대가 되는 주파수로 한다.
(제2 실시형태)
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 약도적 회로도이다. 복합 필터 장치(51)는 캐리어 어그리게이션용 복합 필터 장치이다. 이 복합 필터 장치(51)는 공통 단자로서의 안테나 공통 단자(52)를 가진다. 안테나 공통 단자(52)에 복수개의 복합 필터(53~57)가 접속되어 있다. 각 복합 필터(53~57)는, 각각 수신 필터(53a, 54a, 55a, 56a, 57a)와 송신 필터(53b, 54b, 55b, 56b, 57b)를 가진다. 이와 같은 복합 필터 장치(51)에서도, 어느 하나의 수신 필터(53a~57a)를 본 발명에 따라, 제1 대역통과형 필터로 하고, 나머지 수신 필터(53a~57a) 또는 송신 필터(53b~57b) 중 적어도 하나를 본 발명의 제2 대역통과형 필터로 해도 된다. 그로 인해, 제1 대역통과형 필터에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 대역통과형 필터에 악영향이 미치기 어렵게 할 수 있다. 한편, 각 복합 필터(53~57)에서는, 송신 필터의 통과대역이 속하는 통신 밴드는 수신 필터의 통과대역이 속하는 통신 밴드와는 다르다.
제1 실시형태 및 제2 실시형태에서는 복합 필터 장치가 복합 필터를 가지는 예를 나타냈다. 이하에서는, 복합 필터를 가지지 않는, 캐리어 어그리게이션용 복합 필터 장치의 실시형태를 나타낸다.
(제3 실시형태)
도 10은 제3 실시형태에 따른 복합 필터 장치의 약도적 회로도이다. 도 11은 복합 필터 장치를 구성하는 일례로서의 캐리어 어그리게이션 회로를 나타내는 회로도이다.
상술한 바와 같이, 캐리어 어그리게이션용 복합 필터 장치(61)는 제1 수신 필터(63)와 제2 수신 필터(64)를 가진다. 캐리어 어그리게이션용 복합 필터 장치(61)는 공통 단자(77)를 가진다. 공통 단자(77)는 안테나 공통 단자(2)에 접속되어 있다. 공통 단자(77)와 그라운드 전위 사이에 임피던스 정합용 인덕터(L)가 접속되어 있다.
공통 단자(77)와 수신 단자(62a) 사이에 제1 수신 필터(63)가 접속되어 있다. 공통 단자(77)와 수신 단자(62b) 사이에 제2 수신 필터(64)가 접속되어 있다.
제2 수신 필터(64)에서는, 공통 단자(77)에 래더형 필터(68)가 접속되어 있다. 래더형 필터(68)는 복수개의 직렬암 공진자(S61, S62) 및 병렬암 공진자(P61)를 가진다. 병렬암 공진자(P61)는 직렬암 공진자(S61)와 직렬암 공진자(S62) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 접속되어 있다. 또한, 래더형 필터(68)의 안테나 공통 단자(2)와는 반대 측에 종결합 공진자형 탄성파 필터(66)가 접속되어 있다. 제2 수신 필터(64)에서는, 종결합 공진자형 탄성파 필터(66)와 래더형 필터(68)에 의해 통과대역이 구성되어 있다.
또한, 종결합 공진자형 탄성파 필터(66)와 수신 단자(62b) 사이에 직렬암 공진자(S63)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S63)와 수신 단자(62b) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P62)가 접속되어 있다. 이 직렬암 공진자(S63) 및 병렬암 공진자(P62)에 의해, 통과대역의 조정이 도모되어 있다.
제1 수신 필터(63)에서는, 공통 단자(77)에 래더형 필터(69)가 접속되어 있다. 래더형 필터(69)는 직렬암 공진자(S65, S66) 및 병렬암 공진자(P63)를 가진다. 또한, 래더형 필터(69)의 안테나 공통 단자(2)와는 반대 측에 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)가 접속되어 있다. 제1 수신 필터(63)에서는, 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)와 래더형 필터(69)에 의해 통과대역이 구성되어 있다.
또한, 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)와 수신 단자(62a) 사이에 직렬암 공진자(S64)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S64)와 수신 단자(62a) 사이의 접속점과 그라운드 전위 사이에 병렬암 공진자(P64)가 접속되어 있다. 이 직렬암 공진자(S64) 및 병렬암 공진자(P64)에 의해, 통과대역의 조정이 도모되어 있다.
한편, 도 11에서는 제3 수신 필터(65)를 블록으로 약도적으로 나타내고 있는데, 제1 수신 필터(63)와 동일하게 구성되어 있다.
복합 필터 장치(61)에서는, 직렬암 공진자(S64~S66), 병렬암 공진자(P63, P64) 및 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)를 구성하고 있는 모든 탄성파 공진자가, 제1 실시형태와 동일한, 특정 탄성파 공진자로 이루어진다. 그로 인해, 제1 수신 필터(63)에서의 세자와파의 응답의 영향에 의해, 제2 수신 필터(64)의 삽입 손실이 열화되기 어렵다.
물론, 직렬암 공진자(S64~S66), 병렬암 공진자(P63, P64) 및 종결합 공진자형 탄성파 필터(67)를 구성하고 있는 적어도 하나의 공진자가, 상기 특정 탄성파 공진자이면 된다.
본 실시형태와 같은, 캐리어 어그리게이션용 복합 필터 장치에서는, 제1 수신 필터에서의 세자와파의 응답에 의한 제2 수신 필터의 삽입 손실의 열화가 특히 현저해진다. 따라서, 본 실시형태에서는 제2 수신 필터(64)의 삽입 손실의 열화를 특히 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에서는, 공통 단자인 안테나 공통 단자에 접속되어 있는 복수개의 대역통과형 필터 중 어느 하나를 제1 대역통과형 필터로 하고, 다른 대역통과형 필터 중 적어도 하나를 제2 대역통과형 필터로 하면 된다. 제1 및 제2 대역통과형 필터를 가지고 있는 한, 안테나 공통 단자에 접속되는 필터 수는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 안테나 공통 단자와 각 필터 사이에는 임피던스 조정용 정합 회로가 마련되어 있어도 된다. 정합 회로는, L이나 C에 의해 구성할 수 있고, 필터에 직렬로 접속되어 있어도 되며 병렬로 접속되어 있어도 된다. 직렬과 병렬의 쌍방으로 접속되어 있어도 된다. 또한, 각 필터는 동일한 칩 상에 구성되어 있어도 된다.
한편, 본 발명의 복합 필터 장치는 안테나 공통 단자에 접속되는 제1, 제2 대역통과형 필터를 포함하는 한, 그 필터 장치의 구체적인 형태는 특별히 한정되지 않는다. 따라서, 복합 필터 장치는 멀티플렉서, 듀얼필터 등이고, 캐리어 어그리게이션 회로, 고주파 프론트엔드 회로나 고주파 프론트엔드 모듈, 휴대전화나 스마트 폰 등의 통신 장치 등에 이용될 수 있다.
[고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치]
도 9는 본 발명의 한 실시형태에 따른 복합 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치의 약도적 회로도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 고주파 프론트엔드 회로(32)는 상술한 복합 필터 장치(1)를 포함한다. 복합 필터 장치(1)에 LNA(36)(Low Noise Amplifier) 및 스위치(37)(SW)가 접속되어 있다.
한편, 고주파 프론트엔드 회로(32)는 다이플렉서, 서큘레이터 또는 아이솔레이터 등을 포함하고 있어도 된다.
또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(31)는 휴대전화, 스마트 폰 혹은 차재용 통신 장치 또는 헬스케어용 통신 장치 등이며, 고주파 프론트엔드 회로(32), RF단의 IC인 RFIC(34), BBIC(38)(Base Band IC), CPU(39) 및 디스플레이(35)를 포함한다.
RFIC(34)에는 파워앰프(33) 및 LNA(36)이 접속되어 있다. 또한, RFIC(34)에 BBIC(38)(Base Band IC)가 접속되어 있다. 파워앰프(33) 및 LNA(36)에는 복합 필터(3)가 접속되어 있다. 복합 필터(3)는 수신 필터(3a)와 송신 필터(3b)로 이루어진다. 한편, 통신 장치(31)는 이 복합 필터를 복수개 가지고 있어도 된다.
이와 같이 고주파 프론트엔드 회로(32) 및 통신 장치(31)는 상술한 복합 필터 장치(1)에 의해 구성되어 있다. 복합 필터 장치(1)에서는, 제1 대역통과형 필터에서의 세자와파의 응답에 의해, 제2 대역통과형 필터에 악영향이 미치기 어려우므로, 고주파 프론트엔드 회로(32) 및 통신 장치(31)는 신뢰성이 뛰어나다.
한편, 도 12에 나타내는 통신 장치의 변형예와 같이, 통신 장치는 제3 실시형태의 복합 필터 장치(61)를 가지고 있어도 된다.
1, 51: 복합 필터 장치
2, 52: 안테나 공통 단자
3: 복합 필터
3a: 제1 수신 필터
3b: 송신 필터
4: 제2 수신 필터
5: 수신 단자
6: 송신 단자
7: 공통 단자
8: 종결합 공진자형 탄성파 필터
8a, 8b: 탄성파 필터부
9: 래더형 필터
10, 23: IDT 전극
11, 12: 반사기
13: 제3 수신 필터
22: LiNbO3 기판
23a, 23b: 제1, 제2 금속막
24: 유전체막
24a, 24b: 제1, 제2 주면
25: SiN막
31: 통신 장치
32: 고주파 프론트엔드 회로
33: 파워앰프
34: RFIC
35: 디스플레이
36: LNA
37: 스위치
38: BBIC
39: CPU
53~57: 복합 필터
53a~57a: 수신 필터
53b~57b: 송신 필터
61: 복합 필터 장치
62a, 62b: 수신 단자
63, 64, 65: 제1, 제2, 제3 수신 필터
66, 67: 종결합 공진자형 탄성파 필터
68, 69: 래더형 필터
77: 공통 단자
P1, P2, P11~P13, P61~P64: 병렬암 공진자
S1, S2, S11~S16, S61~S66: 직렬암 공진자

Claims (16)

  1. 캐리어 어그리게이션(carrier aggregation)에 이용되는 복합 필터 장치로서,
    안테나에 접속되는 안테나 공통 단자와,
    상기 안테나 공통 단자에 접속되어 있으면서 통과대역이 각각 다른 복수개의 대역통과형 필터를 포함하고,
    상기 복수개의 대역통과형 필터는
    제1 통과대역을 가지는 제1 대역통과형 필터와,
    상기 안테나 공통 단자에 접속되어 있고, 상기 제1 통과대역보다도 주파수가 높은 제2 통과대역을 가지는 제2 대역통과형 필터를 포함하며,
    상기 제1 대역통과형 필터는 탄성파 공진자를 포함하고,
    상기 탄성파 공진자는
    LiNbO3 기판과,
    상기 LiNbO3 기판 상에 마련된 IDT 전극과,
    상기 LiNbO3 기판 상에 있어서 상기 IDT 전극을 덮고 있는 산화규소막을 가지고,
    상기 탄성파 공진자는 상기 LiNbO3 기판을 전파하는 레일리파(Rayleigh waves)를 이용하고 있고,
    상기 제1 대역통과형 필터의 세자와파(Sezawa waves)의 주파수를 f1'로 하고, 상기 제2 통과대역의 중심 주파수를 f2로 했을 때에, f1'가 f2와 다른 위치에 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 IDT 전극이 Pt, Mo 및 Cu 중 1종의 금속을 주체로 하는 제1 금속막을 가지고,
    상기 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1, f1'/f1를 y, 상기 산화규소막의 막 두께를 x로 하고, 상기 제1 금속막이 하기의 표 1에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어질 때에, 하기 표 1에 나타내는 식에서, 상기 y가 f2/f1와 다른 값인 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
    한편, 하기 표 1에서, x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다.
    [표 1]
    Figure 112019096779822-pct00006
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    f1'가 상기 제2 통과대역 밖에 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1로 했을 때에, f1＜f1'＜f2를 충족하고 있는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 통과대역의 중심 주파수를 f1로 했을 때에, f1＜f2＜f1'를 충족하고 있는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 대역통과형 필터가 상기 안테나 공통 단자에 접속되어 있는 래더(ladder)형 필터를 가지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 래더형 필터가 복수개의 직렬암(series arm) 공진자를 가지고, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중 상기 안테나 공통 단자에 가장 가까운 직렬암 공진자가 상기 탄성파 공진자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 대역통과형 필터가 상기 래더형 필터의 상기 안테나 공통 단자와는 반대 측에 접속되어 있는 종결합 공진자형 탄성파 필터를 가지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 산화규소막이 산화규소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 IDT 전극이 Pt, Mo 및 Cu 중 1종의 금속을 주체로 하는 제1 금속막을 가지고,
    f1'/f1를 y로 하고, 상기 산화규소막의 막 두께를 x로 하며, 상기 제2 통과대역의 주파수의 하한값을 f2L로 하고, 상기 제1 금속막이 하기의 표 2에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어지는 경우에, 하기 표 2에 나타내는 식에서, 상기 y가 f2L/f1보다 작게 되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
    한편, 하기 표 2에서, x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다.
    [표 2]
    Figure 112019096779822-pct00007
  11. 제2항에 있어서,
    상기 IDT 전극이 Pt, Mo 및 Cu 중 1종의 금속을 주체로 하는 제1 금속막을 가지고,
    f1'/f1를 y로 하고, 상기 산화규소막의 막 두께를 x로 하며, 상기 제2 통과대역의 주파수의 상한값을 f2H로 하고, 상기 제1 금속막이 하기의 표 3에 나타내는 금속 및 막 두께로 이루어지는 경우에, 하기 표 3에 나타내는 식에서, 상기 y가 f2H/f1보다 크게 되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
    한편, 하기 표 3에서, x4는 x의 4승을 나타내고, x3은 x의 3승을 나타내며, x2는 x의 2승을 나타낸다.
    [표 3]
    Figure 112019096779822-pct00008
  12. 제2항에 있어서,
    상기 제1 금속막 상에 적층되어 있고, 상기 제1 금속막보다 전기저항이 낮은, 제2 금속막을 가지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 금속막이 Al 또는 Au를 주체로 하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 제1 금속막이 Mo와 Nb를 주체로 하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합 필터 장치.
  15. 제1항에 기재된 복합 필터 장치와,
    스위치, 파워앰프, LNA, 다이플렉서, 서큘레이터 및 아이솔레이터 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 프론트엔드 회로.
  16. 제15항에 기재된 고주파 프론트엔드 회로와,
    RFIC와,
    BBIC를 포함하는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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