KR102067647B1 - 열전소자의 제조방법 및 이를 이용한 열전냉각모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상온에서 열전효과를 극대화할 수 있는 열전소자의 제조공정에 관한 것으로, 특히 Bi2(SeXTe1 -X)3 로 이루어지는 주원료물질로 형성되는 베이스기재를 형성하고, 상기 베이스기재를 분쇄하되, 상기 베이스기재에 Bi, Se, Te 중 선택되는 어느 하나의 물질의 배합조성을 변경하고, 상기 베이스기재에 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가 혼합하여 분쇄하고, 상기 분쇄된 물질을 소결하여 열전 반도체 소자를 형성하는 공정을 포함하는 열전소자의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 상온에서 높은 열전효율을 구현하는 열전소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 열전 변환 소자를 포함하는 열전 소자는 P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시킴으로써, PN 접합 쌍을 형성하는 구조이다. 이러한 PN 접합 쌍 사이에 온도 차이를 부여하게 되면, 제벡(Seeback) 효과에 의해 전력이 발생하여, 열전 소자는 발전 장치로서 기능 할 수 있다. 또한, PN 접합 쌍의 어느 한쪽은 냉각되고 다른 한쪽은 발열 되는 펠티어(Peltier) 효과에 의해, 열전 소자는 온도 제어 장치로서 이용될 수도 있다.
여기서, 상기 펠티어(Peltier) 효과는 도 1에 도시한 바와 같이, 외부에서 DC 전압을 가해주었을 때 p타입(p-type) 재료의 정공과 n타입(n-type) 재료의 전자가 이동함으로써 재료 양단에 발열과 흡열을 일으키는 현상이다. 상기 제벡(Seeback) 효과는 도 2에 도시한 바와 같이, 외부 열원에서 열을 공급받을 때 전자와 정공이 이동하면서 재료에 전류의 흐름이 생겨 발전(發電)을 일으키는 현상을 말한다.
이와 같은 열전재료를 이용한 능동냉각은 소자의 열적 안정성을 개선시키고 진동과 소음이 없으며, 별도의 응축기와 냉매를 사용하지 않아 부피가 작고 환경 친화적인 방법으로서 인식되고 있다. 이와 같은 열전재료를 이용한 능동냉각의 응용분야로서는 무냉매 냉장고, 에어컨, 각종 마이크로 냉각 시스템 등에 사용할 수 있으며, 특히 각종 메모리 소자에 열전소자를 부착시키면 기존의 냉각방식에 비해 부피는 줄이면서 소자를 균일하고 안정한 온도로 유지시킬 수 있으므로 소자의 성능을 개선할 수 있다.
이와 같은 열전재료의 성능을 측정하는 인자로는 하기 수학식 1과 같이 정의되는 무차원 성능지수(이하, "열전지수"라고 한다) ZT값을 사용한다.
여기서, S는 제벡(Seeback) 계수, 
는 전기전도도, T는 절대온도, 
는 열전도도이다.
최근에 다각도의 측면에서 열전 효율을 향상시키는 방법들이 보고되고 있다.
그러나, 열전소자의 효율은 일반적으로 100~150℃ 사이에서 높은 열전효율을 나타내며, 이에 따라 상온에서 사용가능한 가정용기기 등에는 이러한 열전소자의 사용이 그 효율로 인해 제한되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 Bi2(SeXTe1-X)3 에 주원소인 Bi, Se, Te 중 어느 하나 이상의 원소의 비율에 변동을 가함과 동시에 금속물질을 추가하여 열전소자를 제조함으로써, 열전소자가 25~50℃의 상온영역에서 높은 열전성능을 나타낼 수 있도록 하여 가정용으로 이용할 수 있는 열전소자의 제조공정 및 이를 이용한 열전모듈을 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 Bi2(SeXTe1 -X)3 로 이루어지는 주원료물질로 형성되는 베이스기재를 형성하고, 상기 베이스기재를 분쇄하되, 상기 베이스기재에 Bi, Se, Te 중 선택되는 어느 하나의 물질의 배합조성을 변경하고, 상기 베이스기재에 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가 혼합하여 분쇄하고, 상기 분쇄된 물질을 소결하여 열전 반도체 소자를 형성하는 공정을 포함하는 열전소자의 제조방법을 제공할 수 있도록 한다.
또한, 상술한 제조공정에서 상기 베이스기재에 Bi, Se, Te 중 선택되는 어느 하나의 물질의 배합조성을 변경하는 것은, 상기 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Bi, Se, Te 중 어느 하나 또는 둘 이상을 추가하거나 제거하는 공정으로 구현할 수 있다.
또한, 상기 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가 혼합하는 것은, 상기 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가하는 공정일 수 있다.
아울러, 상기 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 어느 하나 이상의 물질을 추가 혼합하는 것은, 상기 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 제1원료(A)와 제2원료(B)의 배합비율은, A(1-Xwt%), B(Xwt%)로 구현될 수 있다(단, X는 0.01 이상의 양의 유리수이다.).
또한, 상술한 공정에서 상기 분쇄된 물질을 소결하여 열전 반도체 소자를 형성하는 공정은, 상압 소결, 가압 소결, 열간 등가압 소결(Hot Isostatic Pressing: HIP), 통전 활성 소결법(Spark Plasma Sintering: SPS), 마이크로파 소결법(Microwave Sintering), 전동식 소결법(electrically assisted sintering)을 포함한 소결 공정 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
상술한 제조공정에 의해 제조된 열전소자는 다음과 같은 열전모듈로 응용될 수 있다.
구체적으로는, 전극에 의해 각각의 일단이 서로 전기적으로 연결되는 P형 반도체소자 또는 N형 반도체소자를 포함하는 단위열전모듈;을 적어도 1 이상 포함하되, 상기 P형 반도체소자 또는 상기 N형 반도체소자는, Bi2(SeXTe1 -X)3 로 이루어지는 주원료물질에 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가된 물질을 이용하여 형성되는 상술한 제조방법에 의해 제조되는 열전소자를 포함하는 열전모듈로 구현될 수 있다.
또한, 이 경우 상기 열전모듈은, 상기 반도체소자를 내부에 배치하도록 상호 대향하여 배치되는 제1기판 및 제2기판;을 더 포함하여 구성될 수 있다.
나아가, 상술한 상기 전극은, 상기 제1기판 및 제2기판의 내측 표면에 패턴화되어 형성되며, 상기 P형 및 N형 열전반도체 사이에 형성되는 금속의 확산을 방지하는 확산 방지막을 더 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2기판은, Fe, Al, Ni, Mg, Ti, Cu, Ag, Au, Pt, Si, C, Pb 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
아울러, 상기 전극은, Cu, Ag, Ni, Al, Au, Cr, Ru, Re, Pb, Cr, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 확산 방지막은 Cu, Ag, Ni, Al, Au, Cr, Ru, Re, Pb, Cr, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, Bi2(SeXTe1 -X)3 에 주원소인 Bi, Se, Te 중 어느 하나 이상의 원소의 비율에 변동을 가함과 동시에 금속물질을 추가하여 열전소자를 제조함으로써, 열전소자가 25℃~50℃의 상온영역에서 높은 열전성능을 나타낼 수 있도록 하는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 열전모듈의 구조를 도시한 개념도이다.
도 3은 본 발명에 따른 열전소자의 제조공정을 도시한 공정도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 열전소자의 효율을 도시한 실험결과표 및 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 단위열전모듈의 구조를 도시한 개념도이며, 도 7는 이를 다수개 포함하는 본 발명에 따른 냉각용 열전모듈의 구성을 도시한 개념도이다.
도 3은 본 발명에 따른 열전소자의 제조공정을 도시한 공정도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 열전소자의 효율을 도시한 실험결과표 및 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 단위열전모듈의 구조를 도시한 개념도이며, 도 7는 이를 다수개 포함하는 본 발명에 따른 냉각용 열전모듈의 구성을 도시한 개념도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 발명에 따른 열전소자의 제조공정은 Bi2(SeXTe1 -X)3 로 이루어지는 주원료물질로 형성되는 베이스기재를 형성하고, 상기 베이스기재를 분쇄하되, 상기 베이스기재에 Bi, Se, Te 중 선택되는 어느 하나의 물질의 배합조성을 변경하고, 상기 베이스기재에 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가 혼합하여 분쇄하고, 상기 분쇄된 물질을 소결하여 열전 반도체 소자를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 공정을 도 3을 참조하여 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
본 발명에 따른 열전 소자의 제조는, 우선 S 1 단계에서와 같이 안티몬(Sb), 셀레늄(Se), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질을 베이스기재로 하여 잉곳(Ingot) 형태로 구현한다. 본 발명에 따른 바람직할 실시예로서는 베이스 물질로서 Bi2(SeXTe1 -X)3 로 구성되는 주원료 물질을 열처리를 통해 잉곳(Ingot) 형태로 얻는 것을 이용한다.
이후, 상기 잉곳 형태의 베이스기재를 분쇄하는 공정(Milling 공정)이 수행되며, 이 경우 상기 베이스기재에 Bi, Se, Te 중 선택되는 어느 하나의 물질의 배합조성을 변경하는 것은, 상기 베이스기재의 전체 중량(wt)의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Bi, Se, Te 중 어느 하나 또는 둘 이상을 추가하거나 제거하는 공정이 선행됨이 바람직하다.
구체적으로는, 이 경우 P형 소자 또는 N 형 소자로 형성되는 열전 반도체 소자의 효율을 극대화하기 위해 Bi2(SeXTe1 -X)3 로 구성되는 주원료 물질의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 Bi, Se, Te 중 어느 하나 또는 둘이 상의 원소를 더 추가하여 분쇄공정을 수행하게 되며, 이렇게 추가된 물질이 혼합물로 영향을 주어 단위 소자(element) 효율을 높이게 된다.
이러한 S 2단계의 공정에서는 추가로, 상기 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가하여 분쇄하는 공정으로 구현함이 더욱 바람직하다. 이러한 금속 도펀트(Dopant) 물질의 추가는 열전소자의 성능값이 최대가 되는 온도를 100℃~150℃에서 20℃~50℃의 범위로 내려가도록 하는 효과가 있다.
이후, 이후, S3단계로 상압 소결, 가압 소결, 열간 등가압 소결(Hot Isostatic Pressing: HIP), 통전 활성 소결법(Spark Plasma Sintering: SPS), 마이크로파 소결법(Microwave Sintering), 전동식 소결법(electrically assisted sintering)을 포함한 소결 공정 중 어느 하나를 이용하여 상기 분쇄된 물질을 소결하며, 이후 소결된 물질을 절단(S 4)하여 열전 반도체 소자를 형성하게 된다(S 5).
상술한 공정으로 제조된 열전소자의 효율의 변화를 도 4 및 도 5를 통해 살펴보면 다음과 같다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 도 4는 상술한 본 발명에 따른 공정에서 열전소자의 효율변화를 나타낸 실험결과치이며, 도 5는 이에 따른 결과 그래프이다.
Bi2(SeXTe1 -X)3 로 구성되는 주원료로 구성되는 표준샘플의 ZT 레벨은 일반적으로 150℃에서 최대 효율을 나타내게 되는 것을 확인할 수 있다. 여기에 추가로 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Bi, Se, Te 중 어느 하나 또는 둘 이상을 추가하거나 제거하는 공정이 병행되는 경우, 즉 '기본 조성 변화'를 준 실험군에서는 ZT 레벨이 최대효율을 나타내는 온도가 100℃로 내려가게 된다. 그러나 100℃도 상온에서 사용하는 가정용 디바이스에는 적용하기가 어려운 문제가 여전히 존재한다.
여기에 본 발명에 따른 Bi, Se, Te 중 어느 하나 또는 둘 이상을 추가하거나 제거하는 공정과, 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가(Dopant 추가)하는 공정이 병행되는 경우, 도 5에 되시된 것과 같이, 최고 효율의 온도영역이 100℃ 부근에서 20℃~50℃의 범위로 내려가게 됨을 확인할 수 있다. 이는 본 발명에 따른 상술한 금속 도펀트(Dopant)가 추가되는 경우, 서 20℃~50℃ 영역에서 열전재료 내부의 전기전도도 향상을 가져오게 되며, 이에 따라 상술한 낮은 상온 온도 영역에서 열전성능이 높게 구현되게 되는 것이다.
상술한 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가(Dopant 추가)하는 공정에서 추가되는 금속 도펀트(Dopant) 물질의 비율은 전체 베이스기재의 전체 중량에서 0.01wt%~1.0wt%이다.
예를 들면, 위 금속 도펀트(Dopant) 중에 2개의 물질이 선택되는 경우라면, Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 제1원료(A)와 제2원료(B)의 배합비율은, A(1-X)wt%, B(X)wt%로 구현할 수 있다. 예를 들면, 선택되는 물질이 Ag와 Au 물질이 사용될 경우 물질의 함량은 Ag(0.01wt%) + Au(0.01wt%~0.99wt%) 또는 Ag(0.01wt%~0.99wt%) + Au(0.01wt%) 로 조합할 수 있다(단, X는 0.01 이상의 양의 유리수이다.).
이에 따라, 본 발명에 따른 열전소자는 상온영역에서 이용 가능한 최고 효율을 나타내게 되어, 상온에서 사용하는 일반적인 제품에 모두 사용 가능하며, 와인냉장고, 김치냉장고, 이온수기, 정수기, 건조기, 제습기, Car seat, 차량용 냉장고, 냉온컵홀더, 혈액보관기 등에 적용이 가능하게 된다.
도 6은 본 발명에 따른 열전소자를 적용한 열전모듈의 구조를 도시한 개념도이며, 도 7은 이러한 열전모듈을 다수 개 포함하는 본 발명에 따른 열전냉각모듈의 일 실시예를 도시한 개념도이다.
도시된 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 열전소자를 포함하는 열전모듈은 전극에 의해 각각의 일단이 서로 전기적으로 연결되는 P형 반도체소자 또는 N형 반도체소자를 포함하는 단위열전모듈을 적어도 1 이상 포함하되 상기 P형 반도체소자 또는 상기 N형 반도체소자는, Bi2(SeXTe1 -X)3 로 이루어지는 주원료물질에 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가된 물질을 이용하여 형성되는 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조되는 열전소자를 이용될 수 있다.
구체적으로는 상기 열전모듈은 도 6에 도시된 것과 같이, 제1기판 및 제2기판 (101a 및 101b) 사이에 구리판과 같은 금속전극 (102a, 102b, 102c, 102d, 및 102e)을 배열하고, 그 위에 P형 반도체 (104a)와 N형 반도체 (104b)를 교대로 형성하거나, 또는 어느 하나의 반도체만으로 형성되는 구조를 구비할 수 있다. 그 결과, P형 반도체 (104a)와 N형 반도체 (104b)는 금속 전극 (102a, 102b, 102c, 102d, 및 102e)을 통해 서로의 일단이 전기적으로 연결된다. 또한, 반도체와 전극 사이에는 확산 방지를 위한 확산 방지막 (103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 및 103h)이 형성할 수 있다. 이러한 구조에서 본 발명은 특히 상술한 P형 반도체 (104a)와 N형 반도체 (104b)를 형성함에 있어서, 상술한 Bi2(SeXTe1 -X)3 로 구성되는 주원료 물질의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 Bi, Se, Te 중 어느 하나 또는 둘이 상의 원소를 더 추가하고, 동시에 상기 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가하여 분쇄하고 소결하는 공정을 통해 제조되는 상술한 열전소자가 이용됨은 상술한 바와 같다.
도 6에서의 단위열전모듈로 형성되는 열전모듈을 다수개로 형성하는 구조를 도 7을 통해 살펴보면 다음과 같다.
P형 반도체 (104a)와 N형 반도체 (104b)는 금속 전극 (102a, 102b)과 연결되며, 이러한 구조가 다수 형성되며 상기 반도체 소자에 전극을 매개로 전류가 공급되는 회로선(121, 122)에 의해 펠리어 효과를 구현하게 된다. 상술한 단위열전모듈은 8쌍(pair)에서 1024쌍(pair)로 자유럽게 설계가 가능하며, 이 경우 반도체 소자의 크기는 0.1mm~1m로 다양하게 사용이 가능하다.
아울러, 도 1에서의 상기 반도체 소자 상에 형성되는 제1기판 및 제2기판(101a 및 101b)은 Fe, Al, Ni, Mg, Ti, Cu, Ag, Au, Pt, Si, C, Pb 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 상기 기판과 접하는 금속전극(102a, 102b, 102c, 102d, 및 102e)의 경우 Cu, Ag, Ni, Al, Au, Cr, Ru, Re, Pb, Cr, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 형성할 수 있다. 또한, 확산방지막(103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 및 103h)은 Cu, Ag, Ni, Al, Au, Cr, Ru, Re, Pb, Cr, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 형성할 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
101a, 101b: 절연기판
102a, 102b, 102c, 102d: 금속전극
103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h: 확산 방지막
104a: P형 반도체
104b: N형 반도체
110: 단위열전모듈
102a, 102b, 102c, 102d: 금속전극
103a, 103b, 103c, 103d, 103e, 103f, 103g, 103h: 확산 방지막
104a: P형 반도체
104b: N형 반도체
110: 단위열전모듈
Claims (11)
- Bi2(SeXTe1-X)3(x는 0이 아니며, 1보다 작은 양의 유리수)로 이루어지는 주원료물질로 형성되는 베이스기재를 형성하는 단계,
상기 베이스기재를 분쇄하되, 상기 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Bi, Se 및 Te 중 어느 하나 또는 둘 이상을 추가하거나 제거하여 기본조성변화 물질을 형성하는 단계,
상기 베이스기재의 전체 중량의 0.01wt%~1.0wt%에 해당하는 비율만큼 Ag, Au, Pt, Cu, Ni 및 Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가하여 분쇄하여 금속 도펀트 추가 물질을 형성하는 단계, 및
상기 금속 도펀트 추가 물질을 소결하여 열전 소자를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 베이스기재는 25도 내지 50도의 온도 범위에서 0.80 내지 0.89의 ZT레벨을 가지고, 50도 내지 100도의 온도 범위에서 0.89 내지 0.91의 ZT레벨을 가지고, 100도 내지 150도 온도 범위에서 0.91 내지 0.94의 ZT레벨을 가지고,
상기 기본조성변화 물질은 25도 내지 50도의 온도 범위에서 0.84 내지 0.93의 ZT레벨을 가지고, 50도 내지 100도의 온도 범위에서 0.93 내지 1.03의 ZT레벨을 가지고, 100도 내지 150도 온도 범위에서 1.01 내지 1.03의 ZT레벨을 가지고,
상기 열전 소자는 25도 내지 50도의 온도 범위에서 0.97 내지 1.11의 ZT레벨을 가지고, 50도 내지 100도의 온도 범위에서 1.09 내지 1.11의 ZT레벨을 가지고, 100도 내지 150도 온도 범위에서 1.06 내지 1.09의 ZT레벨을 가지는 열전소자의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 Ag, Au, Pt, Cu, Ni 및 Al 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 금속을 각각 추가하여 분쇄하는 단계에서,
상기 Ag, Au, Pt, Cu, Ni 및 Al 중 선택되는 제1원료(A)와 제2원료(B)의 배합비율은, A(1-X)wt%, B(X)wt%로 구현되는 열전소자의 제조방법. (단,)
- 청구항 1에 있어서,
상기 분쇄된 물질을 소결하여 열전 소자를 형성하는 공정은,
상압 소결, 가압 소결, 열간 등가압 소결(Hot Isostatic Pressing: HIP), 통전 활성 소결법(Spark Plasma Sintering: SPS), 마이크로파 소결법(Microwave Sintering), 전동식 소결법(electrically assisted sintering)을 포함한 소결 공정 중 어느 하나를 이용하는 열전소자의 제조방법.
- 전극에 의해 각각의 일단이 서로 전기적으로 연결되는 P형 반도체소자 또는 N형 반도체소자를 포함하는 단위열전모듈;을 적어도 1 이상 포함하되,
상기 P형 반도체소자 또는 상기 N형 반도체소자는,
Bi2(SeXTe1-X)3(x는 0이 아니며, 1보다 작은 양의 유리수)로 이루어지는 주원료물질에 Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Al 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 추가된 물질을 이용하여 형성되는 청구항 1, 청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 열전소자를 포함하는 열전모듈.
- 청구항 6에 있어서,
상기 열전모듈은,
상기 단위열전모듈을 내부에 배치하도록 상호 대향하여 배치되는 제1기판 및 제2기판;을 더 포함하는 열전모듈.
- 청구항 7에 있어서,
상기 전극은,
상기 제1기판 및 제2기판의 내측 표면에 패턴화되어 형성되며,
상기 P형 반도체소자 및 상기 N형 반도체소자 사이에 형성되는 금속의 확산을 방지하는 확산 방지막을 더 포함하는 열전모듈.
- 청구항 7에 있어서,
상기 제1 및 제2기판은,
Fe, Al, Ni, Mg, Ti, Cu, Ag, Au, Pt, Si, C, Pb 중 어느 하나로 형성되는 열전모듈.
- 청구항 6에 있어서,
상기 전극은,
Cu, Ag, Ni, Al, Au, Cr, Ru, Re, Pb, Cr, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 형성되는 열전모듈.
- 청구항 8에 있어서,
상기 확산 방지막은 Cu, Ag, Ni, Al, Au, Cr, Ru, Re, Pb, Cr, Sn, In, Zn을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 형성되는 열전모듈.
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