KR102054044B1 - Surface treated copper foil - Google Patents

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Abstract

[과제] 상온에서의 절연기판과의 밀착성이 뛰어나고 또한, 동장적층판을 구성하여 납땜 리플로우의 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생을 억제 가능한 표면처리 동박을 제공한다. [해결수단] 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의해 (1) N 농도가 1.5~7.5atom%인 것, (2) C 농도가 12~30atom%인 것, (3) Si 농도가 3.1atom% 이상이고, 또한, O 농도가 40~48atom%인 것 중 어느 하나 이상의 조건을 만족하는 표면처리 동박.[PROBLEMS] To provide a surface-treated copper foil excellent in adhesion to an insulating substrate at room temperature and capable of suppressing blister generation when a copper clad laminate is formed to give a thermal load of solder reflow. [Measures] A surface-treated copper foil having a surface-treated surface, wherein (1) N concentration is 1.5 to 7.5 by XPS measurement at a depth of 0.5 min sputtering under a condition of 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent) rate from the surface-treated surface. surface which satisfies any one or more of the following: atom%, (2) C concentration of 12-30 atom%, (3) Si concentration of 3.1 atom% or more, and O concentration of 40-48 atom%. Treatment copper foil.

Description

표면처리 동박{SURFACE TREATED COPPER FOIL}Surface Treatment Copper Foil {SURFACE TREATED COPPER FOIL}

본 발명은 동장(銅張)적층판용 표면처리 동박에 관한 것이다.This invention relates to the surface-treated copper foil for copper clad laminated boards.

프린트 배선판은 구리 및 구리합금박(이하, 「동박」이라 한다.)에 절연기재를 접착시켜 동장적층판으로 한 후에, 에칭으로 동박면에 도체 패턴을 형성하는 공정을 거쳐 제조되는 것이 일반적이다. 그리고, 프린트 배선판 상에 전자부품을 납땜 등으로 접속하여 실장함으로써 프린트 회로판이 제조된다.A printed wiring board is generally manufactured by adhering an insulating substrate to copper and a copper alloy foil (hereinafter referred to as "copper foil") to form a copper clad laminate, followed by a step of forming a conductor pattern on the copper foil surface by etching. And a printed circuit board is manufactured by connecting and mounting an electronic component by soldering etc. on a printed wiring board.

프린트 배선판용 동박에 요구되는 특성의 하나로서 절연기재와의 양호한 밀착성을 들 수 있으며, 동박 표면의 조화(粗化) 처리 기술을 중심으로 지금까지 각종 기술이 개발되어 왔다(예를 들면, WO2011/138876, 일본 공개특허공보 2011-168887호).As one of the characteristics required for copper foil for printed wiring boards, good adhesion with an insulating base material can be given, and various techniques have been developed so far, mainly on the roughening treatment technology of the copper foil surface (for example, WO2011 / 138876, JP 2011-168887).

한편, 동박 표면을 실란 커플링제로 처리함으로써 절연기재와의 밀착성이 향상되는 것도 알려져 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 2011-168887호, 일본 공개특허공보 2008-118163호). 더욱이, 동박 표면의 N 농도 및 Si 농도가 절연기재와의 밀착성에 유익한 영향을 준다고 하여 동박 표면을 소정 농도의 실란 커플링제로 처리하는 등 N 농도 및 Si 농도를 제어한 기술도 알려져 있다(예를 들면, WO2013/147116).On the other hand, it is also known that the adhesiveness with an insulating base material improves by processing the copper foil surface with a silane coupling agent (for example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-168887, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-118163). Furthermore, since N concentration and Si concentration of the copper foil surface have a beneficial effect on the adhesion to the insulating substrate, a technique of controlling the N concentration and Si concentration such as treating the copper foil surface with a silane coupling agent having a predetermined concentration is also known (for example, For example, WO2013 / 147116).

특허문헌 1: WO2011/138876Patent Document 1: WO2011 / 138876 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2011-168887호Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-168887 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2008-118163호Patent Document 3: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-118163 특허문헌 4: WO2013/147116Patent Document 4: WO2013 / 147116

WO2013/147116에 기재된 동박 표면의 N 농도 및 Si 농도를 제어한 기술은 절연기재와의 밀착성을 향상시키는데 있어서 유효한 기술이다. 한편, 상술한 바와 같이 프린트 회로판 제조공정에 있어서는, 전자부품의 실장을 납땜으로 실시하는 경우가 많아, 납땜 리플로우 시에 동박 및 절연기재에도 열 부하가 걸린다. 최근에는, 납땜 리플로우에 의한 고온 열 부하에 대한 신뢰성에 대하여 300℃ 이상의 내성이 요구되고 있다. 그렇지만, WO2013/147116에 기재된 바와 같은 실란 커플링제에 의한 표면처리를 실시한 동장적층판은 양호한 밀착성이 얻어지지만, 300℃ 이상의 납땜 리플로우의 열 부하에 의해 동장적층판에 블리스터(부풀음)가 생기기 쉽다는 것을 알았다. 열 부하에 의해 블리스터가 생기기 쉬운 동장적층판에서는, 전자부품 실장 시에 회로의 변형이나 박리가 일어나기 쉽다. 이 때문에, 상온에서의 양호한 밀착성과 더불어 열 부하 시에 블리스터 발생이 억제된 동장적층판이 제공되는 것이 유리하다.The technique which controlled the N concentration and Si concentration of the copper foil surface described in WO2013 / 147116 is an effective technique in improving adhesiveness with an insulating base material. On the other hand, in the manufacturing process of a printed circuit board as mentioned above, mounting of electronic components is often performed by soldering, and heat load is also applied to copper foil and an insulating base material at the time of solder reflow. In recent years, 300 degreeC or more tolerance is calculated | required with respect to the reliability with respect to the high temperature heat load by solder reflow. However, although the copper clad laminated board which surface-treated with the silane coupling agent as described in WO2013 / 147116 obtained favorable adhesiveness, it is easy to produce a blister (swelling) in a copper clad laminated board by the heat load of a solder reflow of 300 degreeC or more. I knew that. In a copper clad laminated board in which blisters are likely to occur due to a heat load, circuit deformation and peeling are likely to occur at the time of electronic component mounting. For this reason, it is advantageous to provide a copper clad laminated board in which blister generation is suppressed at the time of thermal load as well as good adhesion at normal temperature.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 창작된 것으로, 상온에서의 절연기판과의 밀착성이 뛰어나고, 또한, 동장적층판을 구성하여 납땜 리플로우의 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생이 억제 가능한 표면처리 동박을 제공하는 것을 하나의 과제로 한다. 또한, 본 발명은 그러한 표면처리 동박을 구비한 동장적층판을 제공하는 것을 또 하나의 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a surface-treated copper foil which is excellent in adhesion to an insulating substrate at room temperature and which is capable of suppressing blister generation when a copper clad laminate is formed to give a thermal load of solder reflow. It is one task to do it. Moreover, another object of this invention is to provide the copper clad laminated board provided with such a surface-treated copper foil.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하도록 열심히 검토한 바, WO2013/147116에서는 표면처리 동박 표면의 XPS survey 측정에 있어서의 N 및 Si 농도를 제어하였지만, 가열 시의 블리스터를 억제하기 위해서는 표면처리 동박 표면의 깊이 방향에서의 N 농도, C 농도 또는 Si 및 O 농도의 조합을 제어하는 것이 중요하다는 것을 발견하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors earnestly examined that the said subject should be solved, but WO2013 / 147116 controlled N and Si density | concentration in XPS_survey measurement of a surface-treated copper foil surface, but in order to suppress the blister at the time of heating, It has been found to be important to control the N concentration, C concentration or the combination of Si and O concentrations in the depth direction.

본 발명은 일 양태에 있어서, 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도가 1.5~7.5atom%인 표면처리 동박이다.In one aspect, the present invention provides a surface-treated copper foil having a surface-treated surface, wherein the N concentration by the XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering under conditions of a rate of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) from the surface-treated surface is 1.5 to 1.5. It is surface-treated copper foil which is 7.5 atom%.

본 발명은 다른 양태에 있어서, 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도가 12~30atom%인 표면처리 동박이다.In another aspect, the present invention is a surface-treated copper foil having a surface-treated surface, wherein the C concentration by XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering under a condition of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) from the surface-treated surface is 12 to 12. It is surface-treated copper foil which is 30 atom%.

본 발명은 또 다른 양태에 있어서, 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 Si 농도가 3.1atom% 이상이고, 또한, O 농도가 40~48atom%인 표면처리 동박이다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a surface-treated copper foil having a surface-treated surface, wherein Si concentration by XPS measurement at a depth of 0.5 min sputtering under a condition of 1.1 nm / min (SiO 2 conversion) at a rate of 1.1 nm / min is 3.1. It is a surface-treated copper foil which is more than atom% and whose O concentration is 40-48 atom%.

본 발명은 또 다른 양태에 있어서, 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 이하의 어느 둘 이상의 조건을 만족하는 표면처리 동박이다.In yet another aspect, the present invention is a surface-treated copper foil having a surface-treated surface, which is a surface-treated copper foil that satisfies any one or more of the following conditions.

·표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도가 1.5~7.5atom%이다;The N concentration is 1.5 to 7.5 atom% by XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering under conditions of rate 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent) from the surface treated surface;

·표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도가 12~30atom%이다;A C concentration of 12-30 atom% by XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering under conditions of rate 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent) from the surface-treated surface;

·표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 Si 농도가 3.1atom% 이상이고, 또한, O 농도가 40~48atom%이다.Si concentration by XPS measurement at a depth of 0.5 min sputtering at a rate of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) from the surface-treated surface is 3.1 atom% or more, and an O concentration is 40 to 48 atom%.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 한 실시 형태에 있어서, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 1.0min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도가 0.5~6.0atom%이다.In one embodiment, the surface-treated copper foil according to the present invention, the surface-treated side the density N by XPS measurement in the depth after 1.0min sputter rate in terms 1.1nm / min (in terms of SiO 2) 0.5 ~ 6.0atom% to be.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 다른 한 실시 형태에 있어서, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 1.0min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도가 8~25atom%이다.In another embodiment, the surface-treated copper foil according to the present invention may have a C concentration of 8 to 25 atom% by XPS measurement at a depth of 1.0 min sputtering under a condition of 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent) rate from a surface-treated surface. to be.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 표면처리면의 Rz이 1.5㎛ 이하이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, the Rz of the surface-treated surface is 1.5 µm or less.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박이 압연 동박 또는 전해 동박이다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention is copper foil which is a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 액정 폴리머와의 접합용이다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention is for bonding with a liquid crystal polymer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 폴리이미드 수지와의 접합용이다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention is for joining with polyimide resin.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 1GHz를 넘는 고주파수 하에서 사용되는 프린트 회로판에 이용된다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention is used for the printed circuit board used under the high frequency exceeding 1 GHz.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층, 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention WHEREIN: At least 1 sort (s) selected from the group which consists of a roughening process layer, a heat resistant process layer, an rustproof process layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling process layer on the copper foil surface. Has a layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 갖는다.The surface-treated copper foil which concerns on this invention WHEREIN: In another embodiment, the surface of copper foil has 1 or more types chosen from the group which consists of a heat-resistant processing layer, an antirust process layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling process layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 내열 처리층 혹은 방청 처리층을 갖고, 상기 내열 처리층 혹은 방청 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In still another embodiment, the surface-treated copper foil according to the present invention has a heat-resistant layer or an rust-preventing layer on the surface of the copper foil, has a chromate-treated layer on the heat-resistant layer or rust-prevented layer, and the chromate-treated layer. It has a silane coupling process layer on it.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 내열 처리층을 갖고, 상기 내열 처리층 상에 방청 처리층을 가지며, 상기 방청 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a heat-resistant processing layer on the copper foil surface, has a rustproof treatment layer on the said heat-resistant treatment layer, and has a chromate treatment layer on the said rustproof treatment layer, A silane coupling treatment layer is provided on the chromate treatment layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 크로메이트 처리층을 갖고, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a chromate treatment layer on the copper foil surface, and has a silane coupling treatment layer on the said chromate treatment layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a roughening process layer on the copper foil surface, has a chromate treatment layer on the said roughening process layer, and provides a silane coupling process layer on the said chromate treatment layer. Have

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 방청 처리층 및 내열 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 층을 가지며, 상기 방청 처리층 및 내열 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 층 상에 크로메이트 처리층을 갖고, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a roughening process layer on the copper foil surface, and is 1 or more types chosen from the group which consists of an antirust process layer and a heat-resistant process layer on the said roughening process layer. Has a chromate treatment layer on at least one layer selected from the group consisting of the rustproof treatment layer and the heat resistant treatment layer, and a silane coupling treatment layer on the chromate treatment layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 방청 처리층을 가지며, 상기 방청 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a roughening process layer on the copper foil surface, has a rustproof process layer on the said roughening process layer, and has a chromate process layer on the said rustproof process layer, A silane coupling treatment layer is provided on the chromate treatment layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a roughening process layer on the copper foil surface, and has a silane coupling process layer on the said roughening process layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 실란 커플링 처리층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a silane coupling process layer on the copper foil surface.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층이 1차 입자층과 해당 1차 입자층 상에 2차 입자층을 갖는다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention has a roughening process layer on the copper foil surface, and the said roughening process layer has a secondary particle layer on a primary particle layer and this primary particle layer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 상기 2차 입자층이 구리, 코발트 및 니켈로 구성되는 3원계 합금으로 형성되어 있다.In another embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention is the said secondary particle layer formed from the ternary alloy which consists of copper, cobalt, and nickel.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 또 다른 한 실시 형태에 있어서, 상기 1차 입자층의 평균 입자 직경이 0.25~0.45㎛이고, 상기 2차 입자층의 평균 입자 직경이 0.05~0.25㎛이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil which concerns on this invention, the average particle diameter of the said primary particle layer is 0.25-0.45 micrometer, and the average particle diameter of the said secondary particle layer is 0.05-0.25 micrometer.

본 발명은 또 다른 양태에 있어서, 본 발명과 관련되는 표면처리 동박의 표면처리면을 절연기재와 맞붙여 구성하는 동박 적층판이다.In yet another aspect, the present invention is a copper foil laminated plate comprising a surface-treated surface of a surface-treated copper foil according to the present invention bonded to an insulating substrate.

본 발명은 또 다른 양태에 있어서, 본 발명과 관련되는 표면처리 동박을 이용한 프린트 배선판이다.In yet another aspect, the present invention is a printed wiring board using a surface-treated copper foil according to the present invention.

본 발명은 또 다른 양태에 있어서, 본 발명과 관련되는 프린트 배선판을 이용한 전자기기이다.In yet another aspect, the present invention is an electronic apparatus using a printed wiring board according to the present invention.

본 발명에 의하면, 상온에서의 절연기판과의 밀착성이 뛰어나고 또한, 동장적층판을 구성하여 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생이 억제 가능한 표면처리 동박을 제공할 수 있다. 이 때문에, 프린트 배선판에는 납땜에 의해 전자부품을 실장할 때에 발생하는 열에 의해 회로의 변형이나 박리가 억제되기 때문에, 품질 신뢰성이 높은 프린트 회로판 제조에 공헌한다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the surface-treated copper foil which is excellent in adhesiveness with the insulated substrate at normal temperature, and can suppress blister generation when a heat load is applied by forming a copper clad laminated board is provided. For this reason, since deformation | transformation and peeling of a circuit are suppressed by the heat which arises when mounting an electronic component by soldering to a printed wiring board, it contributes to manufacture of a printed circuit board with high quality reliability.

본 발명의 한 실시 형태에 있어서는, 표면처리 동박의 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이(이하, 「0.5min 스퍼터 깊이」라 한다.)에서의 XPS 측정에 의한 N 원자 농도, C 원자 농도 및 Si 및 O 원자 농도의 조합으로부터 선택되는 적어도 하나를 제어하고 있다. 본 발명자의 검토 결과에 의하면, 0.5min 스퍼터 깊이에서의 N 원자 농도, C 원자 농도 및 Si 및 O 원자 농도의 조합으로부터 선택되는 적어도 하나를 제어하는 것이 상온에서의 절연기판과의 밀착성이 뛰어나고 또한, 동장적층판을 구성하여 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생을 억제하는데 유효하다.In one embodiment of the present invention, the rate is 1.1 nm / min (SiO 2) from the surface-treated surface of the surface-treated copper foil. At least one selected from the combination of N atom concentration, C atom concentration and Si and O atom concentration by XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering (hereinafter referred to as "0.5 min sputter depth") under the Doing. According to the inventor's examination result, controlling at least one selected from the combination of N atom concentration, C atom concentration and Si and O atom concentration at 0.5 min sputter depth is excellent in adhesion to the insulating substrate at room temperature, It is effective for suppressing blister generation when a copper clad laminate is formed to give a heat load.

0.5min 스퍼터 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도는 절연기재와의 밀착 강도를 높인다는 관점에서 1.5atom% 이상인 것이 바람직하고, 3.7atom% 이상인 것이 더 바람직하고, 4.0atom% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 상기 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도는 블리스터 발생을 억제한다는 관점에서 7.5atom% 이하인 것이 바람직하고, 6.7atom% 이하인 것이 더 바람직하고, 6.6atom% 이하인 것이 보다 더 바람직하다.N concentration by XPS measurement at 0.5 min sputter depth is preferably 1.5 atom% or more, more preferably 3.7 atom% or more, and even more preferably 4.0 atom% or more from the viewpoint of increasing the adhesion strength with the insulating substrate. . In addition, the N concentration by XPS measurement at the depth is preferably 7.5 atom% or less, more preferably 6.7 atom% or less, and even more preferably 6.6 atom% or less from the viewpoint of suppressing blister generation.

또한, 0.5min 스퍼터 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도는 절연기재와의 밀착 강도를 높인다는 관점에서 12atom% 이상인 것이 바람직하고, 18atom% 이상인 것이 더 바람직하고, 21.6atom% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 상기 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도는 블리스터 발생을 억제한다는 관점에서 30atom% 이하인 것이 바람직하고, 28.6atom% 이하인 것이 더 바람직하고, 23.8atom% 이하인 것이 보다 더 바람직하다.In addition, the C concentration by XPS measurement at 0.5 min sputter depth is preferably 12 atom% or more, more preferably 18 atom% or more, and even more preferably 21.6 atom% or more from the viewpoint of increasing the adhesion strength with the insulating substrate. . Further, the C concentration by XPS measurement at the depth is preferably 30 atom% or less, more preferably 28.6 atom% or less, and even more preferably 23.8 atom% or less from the viewpoint of suppressing blister generation.

또한, 0.5min 스퍼터 깊이에서의 XPS 측정에 의한 Si 및 O 농도의 조합은 절연기재와의 밀착 강도를 높인다는 관점에서 Si:3.1atom% 이상, O:40atom% 이상인 것이 바람직하고, Si:4.3tom% 이상, O:43.4atom% 이상인 것이 더 바람직하고, Si:5.8atom% 이상, O:44.6atom% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 상기 깊이에서의 XPS 측정에 의한 Si 및 O 농도의 조합은 블리스터 발생을 억제한다는 관점에서 Si:12.6atom% 이하, O:48atom% 이하인 것이 바람직하고, Si:12.4atom% 이하, O:47atom% 이하인 것이 더 바람직하고, Si:11.9atom% 이하, O:46.4atom% 이하인 것이 보다 더 바람직하다.In addition, the combination of Si and O concentrations by XPS measurement at 0.5 min sputter depth is preferably Si: 3.1 atom% or more and O: 40 atom% or more from the viewpoint of increasing the adhesion strength with the insulating substrate, and Si: 4.3 tom. It is more preferable that it is% or more, O: 43.4 atom% or more, and it is still more preferable that it is Si: 5.8 atom% or more and O: 44.6 atom% or more. Further, the combination of Si and O concentration by XPS measurement at the depth is preferably from Si: 12.6 atom% or less and from O: 48 atom% or less from the viewpoint of suppressing blister generation, and from Si: 12.4 atom% or less and from O: It is more preferable that it is 47 atom% or less, and it is still more preferable that it is Si: 11.9 atom% or less and O: 46.4 atom% or less.

0.5min 스퍼터 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 원자 농도, C 원자 농도 및 Si 및 O 원자 농도의 조합 중 적어도 하나가 상기 농도 조건을 만족하고 있기 때문에, 절연기재와의 밀착 강도가 향상함과 함께 블리스터 발생을 유익하게 억제 가능하지만, 이들 3종류의 농도 요건 중, 2종류 이상의 농도 요건을 만족하는 것이 바람직하고, 3종류 모든 농도 요건을 만족하는 것이 더 바람직하다.Since at least one of the combination of N atom concentration, C atom concentration and Si and O atom concentration by XPS measurement at 0.5 min sputter depth satisfies the above concentration condition, the adhesion strength with the insulating substrate is improved and the bliss is improved. Although generation | occurrence | production of a site | part can be suppressed advantageously, it is preferable to satisfy | fill two or more types of concentration requirements among these three types of concentration requirements, and it is more preferable to satisfy all three types of concentration requirements.

본 발명의 바람직한 한 실시 형태에 있어서는, 표면처리 동박의 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 1.0min 스퍼터 후의 깊이(이하, 「1.0min 스퍼터 깊이」라 한다.)에서의 XPS 측정에 의한 N 및 C 원자 농도로부터 선택되는 적어도 하나를 제어하고 있다. 본 발명자의 검토결과에 의하면, 0.5min 스퍼터 깊이와 더불어 1.0min 스퍼터 깊이에서의 N 및 C 원자 농도로부터 선택되는 적어도 한쪽, 바람직하게는 양쪽을 제어하는 것이 상온에서의 절연기판과의 밀착성이 뛰어나고, 또한, 동장적층판을 구성하여 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생을 억제하는데 더욱 유효하다.In a preferred embodiment of the present invention, the surface treatment surface of the surface-treated copper foil at a rate of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) after 1.0 min sputtering (hereinafter referred to as "1.0 min sputter depth"). At least one selected from N and C atomic concentrations by XPS measurement is controlled. According to the inventor's examination result, controlling at least one selected from the N and C atomic concentrations at 1.0 min sputter depth and preferably at both the 0.5 min sputter depth, and excellent adhesion to the insulating substrate at room temperature, Moreover, it is more effective in suppressing blister generation when a copper clad laminated board is comprised and heat load is applied.

1.0min 스퍼터 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도는 절연기재와의 밀착 강도를 높인다는 관점에서 0.5atom% 이상인 것이 바람직하고, 1.0atom% 이상인 것이 더 바람직하고, 1.8atom% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 상기 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도는 블리스터 발생을 억제한다는 관점에서 6.0atom% 이하인 것이 바람직하고, 4.7atom% 이하인 것이 더 바람직하고, 4.2atom% 이하인 것이 보다 더 바람직하다.The N concentration by XPS measurement at 1.0 min sputter depth is preferably 0.5 atom% or more, more preferably 1.0 atom% or more, and even more preferably 1.8 atom% or more from the viewpoint of increasing the adhesion strength with the insulating substrate. . Further, the N concentration by XPS measurement at the depth is preferably 6.0 atom% or less, more preferably 4.7 atom% or less, and even more preferably 4.2 atom% or less from the viewpoint of suppressing blister generation.

또한, 1.0min 스퍼터 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도는 절연기재와의 밀착 강도를 높인다는 관점에서 8atom% 이상인 것이 바람직하고, 16.8atom% 이상인 것이 더 바람직하고, 18.4atom% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 상기 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도는 블리스터 발생을 억제한다는 관점에서 25atom% 이하인 것이 바람직하고, 21.3atom% 이하인 것이 더 바람직하고, 20.7atom% 이하인 것이 보다 더 바람직하다.In addition, the C concentration by XPS measurement at 1.0 min sputter depth is preferably 8 atom% or more, more preferably 16.8 atom% or more, even more preferably 18.4 atom% or more from the viewpoint of increasing the adhesion strength with the insulating substrate. Do. Further, the C concentration by XPS measurement at the depth is preferably 25 atom% or less, more preferably 21.3 atom% or less, even more preferably 20.7 atom% or less from the viewpoint of suppressing blister generation.

XPS 측정에 의한 상기 깊이에서의 각 원소의 원자 농도 측정은 표면처리 동박의 표면처리면에 대하여 XPS 깊이 방향 분석을 실시함으로써 가능하다.The atomic concentration measurement of each element at the depth by XPS measurement is possible by performing XPS depth direction analysis on the surface-treated surface of surface-treated copper foil.

실시예에서는 이하의 조건에서 분석하였다.In the Example, it analyzed on condition of the following.

장치: 알백파이 주식회사 제품 5600MCDevice: Albackpie Co., Ltd. product 5600MC

도달 진공도: 5.7×10-7PaReach Vacuum Degree: 5.7 × 10 -7 Pa

여기원(勵起源): 단색화 MgKαExcitation source: monochrome MgKα

출력: 400WOutput: 400W

검출면적: 800㎛ØDetecting Area: 800㎛Ø

입사각: 81°도Incident angle: 81 °

취출각: 45°도Blowout angle: 45 °

중화총 없음No Chinese gun

<스퍼터 조건><Sputter condition>

이온종: Ar+Ionic species: Ar

가속 전압: 1kVAcceleration voltage: 1 kV

소인(掃引) 영역: 3mm×3mmStamp area: 3mm × 3mm

레이트: 1.1nm/min(SiO2 환산)Rate: 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent)

본 발명에 있어서, XPS 측정에서의 N, C, Si 및 O의 원자 농도는 N1s, O1s, C1s, Si2s, Cr2p3, Zn2p3, Cu2p3, Ni2p3, Co2p3를 측정 대상으로 하고, 이러한 합계 몰수를 100%로 하였을 때의 N1s, C1s, Si2s 및 O1s의 각각의 몰 분율로 하여 주어진다.In the present invention, the atomic concentrations of N, C, Si, and O in the XPS measurement are N1s, O1s, C1s, Si2s, Cr2p 3 , Zn2p 3 , Cu2p 3 , Ni2p 3 , Co2p 3 , and the sum It is given as the mole fraction of N1s, C1s, Si2s and O1s when the number of moles is 100%.

N 농도, C 농도 및 Si 및 O 농도의 조합이 상기 범위에 제어된 표면처리면을 형성하기 위한 하나의 수단으로서 동박 표면을 실란 커플링제로 처리하는 방법을 들 수 있다. 실란 커플링제로 동박 표면을 처리할 때에는 실란 커플링제의 종류, 실란 커플링제의 수중 농도 및 교반시간을 적절하게 선정하는 것이 중요하다.The method of treating the copper foil surface with a silane coupling agent as one means for forming the surface treatment surface in which the combination of N concentration, C concentration, and Si and O concentration is controlled in the said range is mentioned. When treating the copper foil surface with a silane coupling agent, it is important to appropriately select the type of silane coupling agent, the concentration of the silane coupling agent in water, and the stirring time.

실란 커플링제로서는 특별히 제한은 없지만, 분자 중에 N 및 Si가 포함되는 아미노실란을 적합하게 사용할 수 있다. 아미노실란으로서 1개 이상의 아미노기 또는 이미노기를 포함하는 실란을 사용할 수 있다. 아미노실란에 포함되는 아미노기 또는 이미노기의 수는, 예를 들면 각각 1~4개, 바람직하게는 각각 1~3개, 더 바람직하게는 1~2개로 할 수 있다. 적합한 실시 형태에 있어서, 아미노실란에 포함되는 아미노기 및/또는 이미노기의 수는 각각 1개로 할 수 있다.Although there is no restriction | limiting in particular as a silane coupling agent, The aminosilane which N and Si contain in a molecule | numerator can be used suitably. As the aminosilane, silanes containing at least one amino group or imino group can be used. The number of amino groups or imino groups contained in aminosilane can be 1-4 pieces, respectively, Preferably it is 1-3 pieces, respectively, More preferably, it is 1-2 pieces. In a suitable embodiment, the number of amino groups and / or imino groups contained in aminosilane can be made into one each.

아미노실란에 포함되는 아미노기 및 이미노기 수의 합계가 1개인 아미노실란은 특히 모노아미노실란, 2개인 아미노실란은 특히 디아미노실란, 3개인 아미노실란은 특히 트리아미노실란이라 부를 수 있다. 모노아미노실란, 디아미노실란은 본 발명에 있어서 적합하게 사용할 수 있다. 적합한 실시 형태에 있어서, 아미노실란으로서 아미노기 1개를 포함하는 모노아미노실란을 사용할 수 있다. 적합한 실시 형태에 있어서, 아미노실란은 적어도 1개, 예를 들면 1개의 아미노기를 분자의 말단에, 바람직하게는 직사슬형 또는 분지형 사슬형 분자의 말단에 포함하는 것으로 할 수 있다.The aminosilane in which the sum of the number of amino groups and imino groups included in the aminosilane is one may be particularly called monoaminosilane, two aminosilanes are particularly diaminosilane, and three aminosilanes may be particularly called triaminosilane. Monoaminosilane and diaminosilane can be used suitably in this invention. In a suitable embodiment, monoaminosilane comprising one amino group can be used as the aminosilane. In a suitable embodiment, the aminosilane may be comprised of at least one, for example one amino group, at the end of the molecule, preferably at the end of a straight or branched chain molecule.

아미노실란으로서는, 예를 들면, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 1-아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노프로필트리메톡시실란, 1, 2-디아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노-1-프로페닐트리메톡시실란, 3-아미노-1-프로필트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1, 3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-(N-페닐)아미노프로필트리메톡시실란을 들 수 있다.As aminosilane, for example, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimeth Methoxysilane, 1-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 1, 2-diaminopropyltrimethoxysilane, 3-amino-1-propenyltrimethoxysilane, 3-amino- 1-propyltrimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane And N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane and 3- (N-phenyl) aminopropyltrimethoxysilane.

또한, 바람직한 실시 형태에 있어서, 이하의 식 I의 구조식을 갖는 실란 커플링제를 이용할 수 있다.Moreover, in preferable embodiment, the silane coupling agent which has a structural formula of following formula I can be used.

H2N-R1-Si(OR2)2(R3)      (식 I)H 2 NR 1 -Si (OR 2 ) 2 (R 3 ) (Formula I)

(단, 상기 식 I에서,(In formula I,

R1은 직사슬형 또는 분지를 갖는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환, 환식 또는 비환식, 복소환을 갖는 또는 복소환을 갖지 않는 C1~C12의 탄화수소의 2가기이고,R 1 is a divalent group of a C 1 to C 12 hydrocarbon having a linear or branched, saturated or unsaturated, substituted or unsubstituted, cyclic or acyclic, heterocyclic ring or no heterocyclic ring,

R2는 C1~C5의 알킬기이며,R 2 is an alkyl group of C 1 ~ C 5 ,

R3은 C1~C5의 알킬기 또는 C1~C5의 알콕시기이다.)R 3 is a C 1 -C 5 alkyl group or a C 1 -C 5 alkoxy group.)

R1은 치환 또는 비치환인 C1~C12의 직사슬형 포화탄화수소의 2가기, 치환 또는 비치환인 C1~C12의 분지형 포화탄화수소의 2가기, 치환 또는 비치환인 C1~C12의 직사슬형 불포화탄화수소의 2가기, 치환 또는 비치환인 C1~C12 분지형 불포화탄화수소의 2가기, 치환 또는 비치환인 C1~C12의 환식탄화수소의 2가기, 치환 또는 비치환인 C1~C12의 복소환식 탄화수소의 2가기, 치환 또는 비치환인 C1~C12의 방향족 탄화수소의 2가기로 구성되는 군으로부터 선택된 기인 것이 바람직하다.R 1 is a substituted or unsubstituted C 1 to C 12 linear saturated hydrocarbon divalent, a substituted or unsubstituted C 1 to C 12 branched saturated hydrocarbon divalent, substituted or unsubstituted C 1 to C 12 Divalent, substituted or unsubstituted C 1 to C 12 linear unsaturated hydrocarbon divalent, substituted or unsubstituted C 1 to C 12 cyclic hydrocarbon divalent, substituted or unsubstituted C 1 to C 12 2 to the top of the heterocyclic hydrocarbon is preferably selected from the group the group consisting of divalent aromatic hydrocarbons substituted or unsubstituted Whanin C 1 ~ C 12.

R1은 -(CH2)n-, -(CH2)n-(CH)m-(CH2)j-1-, -(CH2)n-(CC)-(CH2)n-1-, -(CH2)n-NH-(CH2)m-, -(CH2)n-NH-(CH2)m-NH-(CH2)j-, -(CH2)n-1-(CH)NH2-(CH2)m-1-, -(CH2)n-1-(CH)NH2-(CH2)m-1-NH-(CH2)j-로 구성되는 군으로부터 선택되는 기인(단, n, m, j는 1 이상의 정수이다) 것이 바람직하다.R 1 is-(CH 2 ) n -,-(CH 2 ) n- (CH) m- (CH2) j-1 -,-(CH 2 ) n- (CC)-(CH 2 ) n-1- ,-(CH 2 ) n -NH- (CH 2 ) m -,-(CH 2 ) n -NH- (CH 2 ) m -NH- (CH 2 ) j -,-(CH 2 ) n-1- Group consisting of (CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -,-(CH 2 ) n-1- (CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -NH- (CH 2 ) j- It is preferable that the group chosen from (wherein n, m, j is an integer of 1 or more).

R1은 -(CH2)n- 또는 -(CH2)n-NH-(CH2)m-인 것이 더 바람직하다.R 1 is - (CH 2) n - or - (CH 2) n -NH- ( CH 2) m - which is more preferred.

n, m, j는 각각 독립적으로 1, 2 또는 3인 것이 바람직하다.It is preferable that n, m, j are 1, 2 or 3 each independently.

R2는 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 2 is preferably a methyl group or an ethyl group.

R3은 메틸기, 에틸기, 메톡시기 또는 에톡시기인 것이 바람직하다.R 3 is preferably a methyl group, an ethyl group, a methoxy group or an ethoxy group.

실란 커플링제의 수중 농도는 통상보다도 고농도(예를 들면, 1.0vol% 이상)로 하여 실란 커플링 처리를 실시하는 것이 절연기재와의 높은 밀착성을 얻는데는 중요하지만, 너무 높으면 N, C 또는 O 농도가 과잉해져, 블리스터 억제가 어려워지므로 주의한다. 예시적으로는, 실란 커플링제의 수중 농도는 1.5~6vol%로 할 수 있으며, 바람직하게는 2.0~4.0vol%로 할 수 있다.It is important for the silane coupling treatment to have a higher concentration (eg, 1.0 vol% or more) than the usual concentration in the water of the silane coupling agent in order to obtain high adhesion with the insulating substrate, but if it is too high, the concentration of N, C or O is too high. Is excessive, and blister suppression becomes difficult. For example, the concentration of the silane coupling agent in water may be 1.5 to 6 vol%, and preferably 2.0 to 4.0 vol%.

실란 커플링제는 실란과 물을 혼합하여 수용액으로서 제공할 수 있는 바, 양자를 혼합할 때의 교반시간을 실란 커플링제의 종류 및 농도에 따라 적절하게 설정하는 것이 중요하다. 최적 교반시간은 실란 커플링제의 종류 및 농도에 따라 변동하기 때문에 일반화시켜 논의하는 것은 곤란하지만, 기준으로서는, 1~24시간의 범위에서 선정할 수 있다. 0.5시간 미만과 같이 교반시간이 짧은 경우는, 실란 커플링제의 가수분해가 충분히 진행되지 않기 때문에 상술한 (식 I)에서 나타내는 Si(OR2)2(R3)에서의 OR2 또는 R3이 OH기(수산기)로 충분히 치환되지 않음으로써, 상정하는 밀착성을 얻지 못하는 경우가 있다. 이 경우, 실란 커플링층에는 R2 또는 R3에 해당하는 C1~C5의 알킬기가 많이 잔존한다. 밀착성을 더욱 증가시키기 위해 최적량 이상의 실란 커플링제를 사용하면, C 농도뿐만 아니라 N 농도나 O 농도도 증가하게 된다. 바람직한 교반시간은 2시간 이상이고, 더 바람직한 교반시간은 5시간 이상이며, 더 바람직한 교반시간은 12시간 이상이다. 장시간 교반으로 pH나 온도의 변동을 받기 쉬워져 N을 포함하는 아미노기나 O를 포함하는 수산기 등은 실란 커플링제끼리 수소결합을 형성해버려 상정하는 금속과 수지 사이의 가교 구조를 갖지 않게 된다. 더욱이 아미노기나 수산기는 pH의 영향을 받기 쉽기 때문에 실란 커플링제가 변질할 가능성도 있다. 이러한 경우에는 공업적으로 사용이 어려워진다.Since a silane coupling agent can mix silane and water and provide it as an aqueous solution, it is important to set the stirring time at the time of mixing both suitably according to the kind and concentration of a silane coupling agent. Since the optimum stirring time varies depending on the type and concentration of the silane coupling agent, it is difficult to generalize and discuss, but as a standard, it can be selected within the range of 1 to 24 hours. When the stirring time is short, such as less than 0.5 hours, since hydrolysis of the silane coupling agent does not proceed sufficiently, OR 2 or R 3 in Si (OR 2 ) 2 (R 3 ) represented by the above-described formula (I) is When not substituted sufficiently with an OH group (hydroxyl group), the adhesiveness assumed may not be acquired. In this case, many C 1 -C 5 alkyl groups corresponding to R 2 or R 3 remain in the silane coupling layer. Using more than the optimal amount of silane coupling agent to further increase the adhesion increases not only C concentration but also N concentration and O concentration. Preferable stirring time is 2 hours or more, more preferable stirring time is 5 hours or more, and more preferable stirring time is 12 hours or more. It becomes easy to be fluctuate | varied in pH and temperature by stirring for a long time, and the amino group containing N, the hydroxyl group containing O, etc. will form hydrogen bonds between silane coupling agents, and will not have a crosslinked structure between the metal and resin assumed. Furthermore, amino groups and hydroxyl groups are susceptible to pH, so the silane coupling agent may deteriorate. In such a case, industrial use becomes difficult.

교반시간으로서는 실란 커플링제 중 아미노기 및 이미노기의 합계수가 많은 경우에는 교반시간을 짧게, 반대로 적은 경우에는 교반시간을 길게 하는 것이 상술한 본 발명과 관련되는 표면처리면의 농도 조건을 만족시키기 쉽다. 또한, 실란 커플링제의 수중 농도가 높은 경우에는 교반시간을 짧게, 반대로 낮은 경우에는 교반시간을 길게 함으로써, 상술한 본 발명과 관련되는 표면처리면의 농도 조건을 만족시키기 쉽다.As the stirring time, when the total number of amino groups and imino groups in the silane coupling agent is large, short stirring time and, on the other hand, lengthening the stirring time, it is easy to satisfy the concentration condition of the surface-treated surface according to the present invention described above. In addition, when the concentration of the silane coupling agent in water is high, the stirring time is short, and when the concentration is low, the stirring time is long, whereby the concentration conditions of the surface-treated surface according to the present invention described above are easily satisfied.

실란 커플링제에 의한 동박의 표면처리 방법은 실란 커플링제 수용액의 스프레이 부착, 코터 도포, 침지, 흘려보내기 등 아무거나 된다. 또한, 실란 커플링 처리 후는 건조 온도를 너무 높게 하지 않고, 또한 건조 시간을 너무 길게 하지 않는 것이 필요하다. 건조 온도를 너무 높게 하거나 건조 시간을 너무 길게 하거나 한 경우, 동박 표면에 존재하는 실란 커플링제가 분해되는 경우가 있기 때문이다. 예시적으로는, 건조 온도는 70~150℃, 건조 시간은 1초~10분으로 할 수 있다.The surface treatment method of the copper foil by a silane coupling agent is anything, such as spray adhesion, coater application | coating, immersion, and letting out of the silane coupling agent aqueous solution. In addition, after a silane coupling process, it is necessary not to make drying temperature too high, and not to make drying time too long. It is because the silane coupling agent which exists in the copper foil surface may decompose when drying temperature is too high or drying time is too long. As an example, a drying temperature may be 70-150 degreeC and a drying time may be 1 second-10 minutes.

표면처리의 대상이 되는 동박(원박)의 종류에는 특별히 제한은 없지만, 압연 동박 및 전해 동박을 적합하게 사용 가능하다. 동박에는 순동박 및 구리합금박이 포함되며, 회로 형성 용도로서 공지된 임의의 조성으로 할 수 있다. 또한, 표면처리의 대상이 되는 동박은 캐리어, 박리층, 극박구리층을 이 순서대로 캐리어 부착 동박의 극박구리층이어도 되고, 표면처리의 대상이 되는 동박은 캐리어를 가져도 된다. 상술한 캐리어 부착 동박, 캐리어에는 어떠한 캐리어 부착 동박, 캐리어를 이용해도 되며, 공지된 캐리어 부착 동박, 캐리어를 이용할 수 있다.Although there is no restriction | limiting in particular in the kind of copper foil (source foil) used as a surface treatment object, A rolled copper foil and an electrolytic copper foil can be used suitably. Copper foil contains pure copper foil and copper alloy foil, and can be made into arbitrary compositions known as a circuit formation use. In addition, the copper foil used for surface treatment may be a carrier, a peeling layer, and an ultrathin copper layer in this order, and the ultra-thin copper layer of the copper foil with a carrier may be sufficient as it, and the copper foil used for surface treatment may have a carrier. Copper foil with a carrier and a carrier may be used for the above-mentioned copper foil with a carrier and carrier, A well-known copper foil with a carrier and a carrier can be used.

또한, 본 발명에 있어서는, 표면처리면에서의 N 농도, C 농도 및 Si 및 O 농도 조합의 한 종류 이상을 제어함으로써 절연기재와의 밀착성을 향상시키고 있기 때문에, 절연기재와의 밀착성을 높이기 위해 표면 거칠기를 크게 할 필요성은 적다. 이 때문에, 절연기재와의 밀착성을 확보하면서 표면처리 동박의 표면처리면에 있어서의 표면 거칠기를 작게 함으로써 도체 손실을 줄일 수 있다. 도체 손실이 적다는 것은, 예를 들면 1GHz를 넘는 고주파수 하에서 사용되는 것과 같은 프린트 회로판에의 적용에 유리하다. 표면처리면에서의 표면 거칠기로서는 구체적으로는, JIS B0601-1982에 준거하여 촉침식 조도계를 이용하여 측정하였을 때에, 10점 평균 거칠기(Rz)가 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.2㎛ 이하인 것이 더 바람직하며, 1.0㎛ 이하인 것이 보다 더 바람직하며, 예를 들면 0.2~1.5㎛으로 할 수 있다.In addition, in the present invention, since adhesion to the insulating substrate is improved by controlling at least one kind of the combination of the N concentration, the C concentration, and the Si and O concentration combinations on the surface treatment surface, the surface of the surface is improved to improve the adhesion with the insulating substrate. There is little need to increase roughness. For this reason, conductor loss can be reduced by reducing the surface roughness in the surface treatment surface of a surface-treated copper foil, ensuring adhesiveness with an insulating base material. The low conductor losses are advantageous for applications to printed circuit boards, for example as used under high frequencies above 1 GHz. As surface roughness in surface treatment surface, when measured using a stylus roughness meter specifically based on JIS # B0601-1982, it is preferable that 10-point average roughness Rz is 1.5 micrometers or less, and it is more preferable that it is 1.2 micrometers or less. It is more preferable that it is 1.0 micrometer or less, for example, it can be 0.2-1.5 micrometers.

N 농도, C 농도 및 Si 및 O 농도의 조합이 상기 범위에 제어된 표면처리면을 형성하기 위한 다른 수단으로서 스퍼터링, CVD 및 PVD 등의 건식 도금에 의해 동박 표면에 N, C, Si 및 O를 부착시키고, 그 후, 온도 및 시간을 적절하게 설정하여 가열하는 방법도 들 수 있다. 가열조건을 조절함으로써 표면처리면의 N, C, Si 및 O 농도가 제어 가능하다.The combination of N concentration, C concentration, and Si and O concentration as a means of forming a surface-treated surface controlled in the above range, N, C, Si and O on the copper foil surface by dry plating such as sputtering, CVD and PVD After sticking, the method of heating and setting a temperature and time suitably after that is also mentioned. By adjusting the heating conditions, the concentrations of N, C, Si and O on the surface treated surface can be controlled.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 조화 처리층, 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 가질 수 있다. 또한, 본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 한 실시 형태에 있어서, 동박 표면에 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 가질 수 있다.In one embodiment, the surface-treated copper foil which concerns on this invention WHEREIN: The copper foil surface has 1 or more types chosen from the group which consists of a roughening process layer, a heat-resistant process layer, an rustproof process layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling process layer. Can have. In addition, the surface-treated copper foil which concerns on this invention can have one or more types chosen from the group which consists of a heat-resistant processing layer, an rust-proof processing layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer in the copper foil surface in one Embodiment. have.

상기 조화 처리층은 특별히 한정되지는 않으며, 모든 조화 처리층이나 공지된 조화 처리층을 적용할 수 있다. 상기 내열 처리층은 특별히 한정되지는 않으며, 모든 내열 처리층이나 공지된 내열 처리층을 적용할 수 있다. 상기 방청 처리층은 특별히 한정되지는 않으며, 모든 방청 처리층이나 공지된 방청 처리층을 적용할 수 있다. 상기 도금 처리층은 특별히 한정되지는 않으며, 모든 도금 처리층이나 공지된 도금 처리층을 적용할 수 있다. 상기 크로메이트 처리층은 특별히 한정되지는 않으며, 모든 크로메이트 처리층이나 공지된 크로메이트 처리층을 적용할 수 있다.The said roughening process layer is not specifically limited, Any roughening process layer or a well-known roughening process layer can be applied. The heat resistant layer is not particularly limited, and any heat resistant layer or a known heat treated layer can be applied. The rustproof treatment layer is not particularly limited, and any rustproof treatment layer or a known rustproof treatment layer may be applied. The plating layer is not particularly limited, and any plating layer or a known plating layer can be applied. The chromate treatment layer is not particularly limited, and any chromate treatment layer or a known chromate treatment layer can be applied.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박의 한 실시 형태에 있어서는, 동박 표면에, 예를 들면 절연기판과의 밀착성 등을 양호하게 하기 위한 조화 처리를 가함으로써 조화 처리층을 형성해도 된다. 조화 처리는, 예를 들면, 구리 또는 구리합금으로 조화 입자를 형성함으로써 실시할 수 있다. 조화 처리는 미세한 것이어도 된다. 조화 처리층은 구리, 니켈, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬, 코발트 및 아연으로 구성되는 군으로부터 선택된 어느 한 단체 또 어느 1종 이상을 포함하는 합금으로 구성되는 층 등이어도 된다. 또한, 구리 또는 구리합금으로 조화 입자를 형성한 후, 더욱 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 2차 입자나 3차 입자를 형성하는 조화 처리를 실시할 수도 있다. 특히, 구리의 1차 입자층과 해당 1차 입자층 상에 구리, 코발트 및 니켈로 구성되는 3원계 합금으로 구성되는 2차 입자층이 형성된 조화 처리층이 바람직하다. 해당 1차 입자층의 평균 입자 직경이 0.25~0.45㎛이며, 해당 2차 입자층의 평균 입자 직경이 0.05~0.25㎛인 것이 더 바람직하다.In one embodiment of the surface-treated copper foil which concerns on this invention, you may form a roughening process layer by applying the roughening process for improving adhesiveness with an insulating substrate, etc. to the copper foil surface, for example. A roughening process can be performed by forming roughening particle | grains with copper or a copper alloy, for example. The roughening process may be fine. The roughening treatment layer may be a layer composed of an alloy containing any one member selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, cobalt, and zinc, or any one or more thereof. Furthermore, after forming roughening particle | grains with copper or a copper alloy, you may further perform the roughening process which forms secondary particle | grains or tertiary particle | grains with the single substance, alloy, etc. of nickel, cobalt, copper, and zinc. Especially, the roughening process layer in which the secondary particle layer which consists of ternary alloys which consist of copper, cobalt, and nickel was formed on the primary particle layer of copper and this primary particle layer is preferable. It is more preferable that the average particle diameter of the said primary particle layer is 0.25-0.45 micrometer, and the average particle diameter of this secondary particle layer is 0.05-0.25 micrometer.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박의 한 실시 형태에 있어서는, 조화 처리 후에 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열 처리층 또는 방청 처리층을 형성해도 되고, 더욱이 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또는 조화 처리를 하지 않고 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열 처리층 또는 방청 처리층을 형성하고, 더욱이 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 해도 된다.In one embodiment of the surface-treated copper foil which concerns on this invention, after a roughening process, you may form a heat resistant layer or an antirust process layer with the single substance, alloy, etc. of nickel, cobalt, copper, zinc, etc. Furthermore, the surface is chromate-treated, You may perform processes, such as a silane coupling process. Alternatively, the heat-resistant layer or the rust-preventing layer may be formed of a single element or an alloy of nickel, cobalt, copper, zinc, or the like, and the surface may be subjected to chromate treatment, silane coupling treatment, or the like.

즉, 조화 처리층의 표면에 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 형성해도 되고, 동박 표면에 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 형성해도 된다. 또한, 상술한 내열층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층은 각각 복수의 층으로 형성되어도 된다(예를 들면 2층 이상, 3층 이상 등). 또한, 본 발명에 있어서 「방청 처리층」은 「크로메이트 처리층」을 포함한다. 수지와의 밀착성을 고려하면, 표면처리 동박의 최외층에 실란 커플링 처리층을 형성하는 것이 바람직하다.That is, at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, an rustproof layer, a chromate treated layer, and a silane coupling layer may be formed on the surface of the roughened layer, and the heat resistant layer and the antirust layer are formed on the surface of the copper foil. Or at least one layer selected from the group consisting of chromate treated layers and silane coupling treated layers. In addition, the above-mentioned heat-resistant layer, antirust process layer, chromate process layer, and silane coupling process layer may be respectively formed from several layer (for example, 2 or more layers, 3 or more layers, etc.). In addition, in this invention, a "rustproof process layer" contains the "chromate process layer." When adhesiveness with resin is considered, it is preferable to form a silane coupling process layer in the outermost layer of surface treatment copper foil.

방수 처리 또는 크로메이트 처리로서 이하의 처리를 이용할 수 있다.The following treatments can be used as a waterproofing or chromate treatment.

<Ni 도금><Ni plating>

(액 조성) Ni이온: 10~40g/L(Liquid Composition) Ni-ion: 10-40 g / L

(pH) 1.0~5.0(pH) 1.0 to 5.0

(액체 온도) 30~70℃(Liquid temperature) 30-70 degrees Celsius

(전류 밀도) 1~9A/dm2 (Current Density) 1 ~ 9A / dm 2

(통전 시간) 0.1~3초(Current time) 0.1-3 seconds

<Ni-Co 도금>: Ni-Co 합금 도금<Ni-Co Plating>: Ni-Co Alloy Plating

(액 조성) Co: 1~20g/L, Ni: 1~20g/L(Liquid Composition) Co: 1-20 g / L, Ni: 1-20 g / L

(pH) 1.5~3.5(pH) 1.5 to 3.5

(액체 온도) 30~80℃(Liquid temperature) 30-80 degreeC

(전류 밀도) 1~20A/dm2 (Current density) 1 ~ 20A / dm 2

(통전 시간) 0.5~4초(Live time) 0.5-4 seconds

<Zn-Ni 도금>: Zn-Ni 합금 도금<Zn-Ni Plating>: Zn-Ni Alloy Plating

(액 조성) Zn: 10~30g/L, Ni: 1~10g/L(Liquid composition) Zn: 10 to 30 g / L, Ni: 1 to 10 g / L

(pH) 3~4(pH) 3 ~ 4

(액체 온도) 40~50℃(Liquid temperature) 40-50 degrees Celsius

(전류 밀도) 0.5~5A/dm2 (Current density) 0.5 ~ 5A / dm 2

(통전 시간) 1~3초(Current time) 1-3 seconds

<Ni-Mo 도금>: Ni-Mo 합금 도금<Ni-Mo Plating>: Ni-Mo Alloy Plating

(액 조성) 황산 니켈: 270~280g/L, 염화니켈: 35~45g/L, 아세트산니켈: 10~20g/L, 몰리브덴(몰리브덴산나트륨으로서 첨가): 0.1~10g/L, 구연산3나트륨: 15~25g/L, 광택제: 사카린, 부틴디올 등, 도데실황산나트륨: 55~75ppm(Liquid composition) Nickel sulfate: 270-280 g / L, nickel chloride: 35-45 g / L, nickel acetate: 10-20 g / L, molybdenum (added as sodium molybdate): 0.1-10 g / L, trisodium citrate: 15-25 g / L, Polishing agent: Saccharin, Butyndiol, etc. Sodium dodecyl sulfate: 55-75 ppm

(pH) 4~6(pH) 4 ~ 6

(액체 온도) 55~65℃(Liquid temperature) 55-65 ℃

(전류 밀도) 1~11A/dm2 (Current Density) 1 ~ 11A / dm 2

(통전 시간) 1~20초(Current time) 1-20 seconds

<Cu-Zn 도금>: Cu-Zn 합금 도금<Cu-Zn Plating>: Cu-Zn Alloy Plating

(액 조성) NaCN: 10~30g/L, NaOH: 40~100g/L, Cu: 60~120g/L, Zn: 1~10g/L(Liquid composition) NaCN: 10-30 g / L, NaOH: 40-100 g / L, Cu: 60-120 g / L, Zn: 1-10 g / L

(액체 온도) 60~80℃(Liquid temperature) 60-80 ℃

(전류 밀도) 1~10A/dm2 (Current Density) 1 ~ 10A / dm 2

(통전 시간) 1~10초(Current time) 1-10 seconds

<전해 크로메이트>Electrolytic Chromate

(액 조성) 무수크롬산, 크롬산 또는 중크롬산칼륨: 1~10g/L, 아연(첨가하는 경우는 황산아연 형태로 첨가): 0~5g/L(Liquid composition) Chromic anhydride, chromic acid or potassium dichromate: 1 to 10 g / L, zinc (if added, zinc sulfate is added): 0 to 5 g / L

(pH) 0.5~10(pH) 0.5 to 10

(액체 온도) 40~60℃(Liquid temperature) 40-60 ° C

(전류 밀도) 0.1~2.6A/dm2 (Current density) 0.1 ~ 2.6A / dm 2

(크론량) 0.5~90As/dm2 0.5 to 90 As / dm 2

(통전 시간) 1~30초(Current time) 1-30 seconds

<침지 크로메이트><Immersion Chromate>

(액 조성) 무수크롬산, 크롬산 또는 중크롬산칼륨: 1~10g/L, 아연(첨가하는 경우는 황산아연 형태로 첨가): 0~5g/L(Liquid composition) Chromic anhydride, chromic acid or potassium dichromate: 1 to 10 g / L, zinc (if added, zinc sulfate is added): 0 to 5 g / L

(pH) 2~10(pH) 2 ~ 10

(액체 온도) 20~60℃(Liquid temperature) 20-60 ° C

(처리 시간) 1~30초(Processing time) 1-30 seconds

본 발명과 관련되는 표면처리 동박의 표면처리면을 절연기재와 맞붙임으로써 동박 적층판을 형성 가능하다. 절연기재가 단층인 단층 동장적층판으로 해도 되고, 절연기재가 2층 이상인 다층 동장적층판으로 해도 된다. 동박 적층판은 플렉시블 및 리지드 중 어느 쪽으로 해도 가능하다. 절연기재로서는, 특별히 제한은 없지만, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 폴리이미드아미드 수지, 폴리에스텔 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴에테르이미드 수지, 불소 수지, 액정폴리머(LCP) 및 그들을 혼합시킨 것을 들 수 있다. 이 밖에, 글라스 클로스(glass cloth)에 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지 또는 폴리이미드 수지 등을 함침시킨 절연기재를 들 수 있다. 특히, 액정 폴리머는 저유전율, 저유전정접, 저흡수성, 상기 특성의 변화가 적은, 나아가서는 치수 변화가 적다는 큰 이점을 가져 고주파 용도에 적합하다.The copper foil laminated sheet can be formed by bonding the surface treatment surface of the surface-treated copper foil which concerns on this invention with an insulating base material. It is good also as a single layer copper clad laminated board with an insulating base material, and a multilayer copper clad laminated board with an insulating base material of two or more layers. The copper foil laminated sheet may be either flexible or rigid. Although there is no restriction | limiting in particular as an insulating base material, Epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyimide amide resin, a polyester resin, a polyphenylene sulfide resin, a polyetherimide resin, a fluororesin, a liquid crystal polymer (LCP), and mixing them The one which was made. In addition, the insulating base material which impregnated the glass cloth with an epoxy resin, bismaleimide triazine resin, a polyimide resin, etc. is mentioned. In particular, the liquid crystal polymer has a great advantage of low dielectric constant, low dielectric loss tangent, low water absorption, small change in the above characteristics and further small dimensional change, and is suitable for high frequency applications.

본 발명과 관련되는 표면처리 동박은 액정 폴리머에 동박을 적층한 플렉서블 프린트 기판(FPC)용 동박으로서 특히 유용하다. 절연기재 중에서도 액정 폴리머는 강도가 약하고, 동박을 적층한 재료는 박리 강도가 나오기 어렵다는 큰 문제를 갖고 있다. 동박 표면의 거칠기를 크게 하면 물리적인 엥커 효과를 얻을 수 있기 때문에 박리 강도는 높아지는 경향에 있지만, 상술한 표면 효과의 영향에 의해 고주파에서의 전기 특성이 악화되어버린다. 그렇지만, 본 발명과 관련되는 표면처리 동박의 한 실시 형태에 따르면, 표면 거칠기가 작아도 절연기재와의 밀착성을 확보할 수 있기 때문에 상술한 액정 폴리머의 이점을 살릴 수 있는 것이다.The surface-treated copper foil which concerns on this invention is especially useful as copper foil for flexible printed circuit boards (FPC) which laminated | stacked copper foil on the liquid crystal polymer. Among insulating substrates, liquid crystal polymers have a weak strength, and a material in which copper foil is laminated has a big problem that peel strength is hard to come out. When the roughness of the copper foil surface is increased, the physical anchoring effect can be obtained, and thus the peeling strength tends to increase. However, the electrical properties at high frequencies are deteriorated under the influence of the surface effect described above. However, according to one embodiment of the surface-treated copper foil according to the present invention, even if the surface roughness is small, the adhesion to the insulating substrate can be ensured, so that the advantages of the liquid crystal polymer described above can be utilized.

동장적층판을 이용하여 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 동장적층판으로부터 프린트 배선판으로의 가공방법에는 특별히 한정은 없고, 공지된 에칭 가공 프로세스를 이용하면 충분하다. 프린트 배선판에 각종 전자부품을 실장함으로써 프린트 회로판을 제작할 수도 있다. 또한, 프린트 회로판은 각종 전자기기에 탑재 가능하다.A printed wiring board can be manufactured using a copper clad laminated board. There is no restriction | limiting in particular in the processing method from a copper clad laminated board to a printed wiring board, It is enough to use a well-known etching process. A printed circuit board can also be manufactured by mounting various electronic components on a printed wiring board. The printed circuit board can also be mounted on various electronic devices.

(실시예)(Example)

이하, 실시예에 의해 본 발명을 설명한다. 또한, 본 실시예는 적합한 일례를 나타내는 것으로, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 기술 사상에 포함되는 변형, 다른 실시예 또는 양태는 모두 본 발명에 포함된다. 또한, 본 발명과의 대비를 위해 비교예를 병기한다. 또한, 본원 실험예에 기재되어 있는 조화 처리, 도금, 실란 커플링 처리, 내열 처리, 방수 처리 등에 이용되는 액의 잔액 부분도 특별히 기재가 없는 한 물로 하였다.Hereinafter, an Example demonstrates this invention. In addition, a present Example shows a suitable example and this invention is not limited to this Example. Accordingly, all modifications, other embodiments or aspects included in the technical spirit of the present invention are included in the present invention. In addition, a comparative example is written together for the contrast with this invention. In addition, the balance part of the liquid used for the roughening process, plating, silane coupling process, heat resistant process, waterproofing process, etc. which were described in the experiment example of this application was also made into water unless there is particular notice.

(실시예 1, 4~6 및 비교예 1, 3, 4)(Examples 1, 4 to 6 and Comparative Examples 1, 3 and 4)

두께 12㎛인 압연 동박(JX 닛코우 일본석유금속 주식회사 제품 터프피치 구리(JIS H3 100 합금번호 C1100))을 준비하였다. 해당 압연 동박의 표면을 전해 수지, 물에 세척, 산소에 세척을 한 후, 해당 압연동박 표면에 구리의 1차 입자를 형성하는 처리를 실시하고, 그 후, 2차 입자를 형성하는 처리를 실시함으로써 조화 처리를 실시하였다. 조화 처리의 상세 조건은 이하와 같다.A rolled copper foil (tough pitch copper (JIS # H3100 alloy number C1100, manufactured by JX Nikko Nippon Petroleum Metal Co., Ltd.)) having a thickness of 12 µm was prepared. After wash | cleaning the surface of this rolled copper foil with electrolytic resin, water, and oxygen, the process which forms primary particles of copper on the surface of this rolled copper foil is performed, and the process which forms secondary particles after that is performed. The roughening process was performed by doing this. The detailed conditions of a roughening process are as follows.

<조화 처리 조건><Harmonic processing condition>

(구리의 1차 입자의 도금 조건)(Plating conditions of the primary particles of copper)

액 조성: 구리 10g/L, 황산 50g/LLiquid composition: copper 10g / L, sulfuric acid 50g / L

액체 온도: 26℃Liquid temperature: 26 ℃

전류 밀도: 50A/dm2 Current density: 50 A / dm 2

도금 시간: 1.5초Plating time: 1.5 seconds

(2차 입자의 도금 조건)(Plating Conditions of Secondary Particles)

액 조성: 구리 16g/L, 니켈 9g/L, 코발트 8g/LLiquid composition: Copper 16g / L, Nickel 9g / L, Cobalt 8g / L

pH: 2.4pH: 2.4

액체 온도: 35℃Liquid temperature: 35 ℃

전류 밀도: 25A/dm2 Current density: 25 A / dm 2

도금 시간: 1.5초Plating time: 1.5 seconds

상기 조화 처리를 가한 후에, Ni-Co 합금 도금(내열 방수 처리) 및 크로메이트 처리를 순서대로 실시하였다.After the roughening treatment was applied, Ni-Co alloy plating (heat-resistant waterproofing) and chromate treatment were sequentially performed.

<Ni-Co 도금>: Ni-Co 합금 도금<Ni-Co Plating>: Ni-Co Alloy Plating

(액 조성) Co: 4g/L, Ni: 12g/L(Liquid Composition) Co: 4 g / L, Ni: 12 g / L

(pH) 2.3(pH) 2.3

(액체 온도) 50℃(Liquid temperature) 50 ° C

(전류 밀도) 12A/dm2 (Current Density) 12 A / dm 2

(통전 시간) 0.8초(Current time) 0.8 seconds

<전해 크로메이트>Electrolytic Chromate

(액 조성) 중크롬산 칼륨:4g/L, 아연(황산아연 형태로 첨가):0.5g/L(Liquid composition) potassium dichromate: 4 g / L, zinc (added in zinc sulfate form): 0.5 g / L

(pH) 3.5(pH) 3.5

(액체 온도) 60℃(Liquid temperature) 60 ° C

(전류 밀도) 2.0A/dm2 (Current density) 2.0A / dm 2

(통전 시간) 2초(Current time) 2 seconds

크로메이트 처리면에 대하여 주사형 전자현미경(SEM)을 이용하여 사진 촬영을 하였다. 그리고 해당 사진을 이용하여 조화 처리의 입자 관찰을 실시하였다. 그 결과, 구리의 1차 입자층의 평균 입자 직경은 0.25~0.45㎛이며, 2차 입자층의 평균 입자 직경은 0.05~0.25㎛이었다. 또한, 입자를 둘러싸는 최소원의 직경을 입자 직경으로 하여 측정하여, 평균 입자 직경을 산출하였다. 또한, 내열 방수 처리 및 크로메이트 처리 전후에서 조화 입자의 크기는 거의 변화하지 않는다.The chromatographed surface was photographed using a scanning electron microscope (SEM). And the particle | grain observation of a roughening process was performed using this photograph. As a result, the average particle diameter of the primary particle layer of copper was 0.25-0.45 micrometer, and the average particle diameter of the secondary particle layer was 0.05-0.25 micrometer. In addition, the diameter of the smallest circle surrounding the particles was measured as the particle diameter, and the average particle diameter was calculated. In addition, the size of the roughened particles hardly changes before and after heat-resistant waterproofing and chromate treatment.

이어서, 크로메이트 처리 후의 표면에 실란 커플링 처리를 실시하였다. 표 1에 나타내는 종류의 실란을 25℃의 물과 표 1에 기재한 실란 농도가 되도록 혼합하여 표 1에 기재한 시간 교반 속도를 900rpm으로 교반함으로써 실란 커플링제를 조제하였다. 얻어진 실란 커플링제 용액을 동박의 표면처리 표면에 도포 후, SUS봉을 동박 표면에 대고 굴리면서 여분의 실란 커플링제 용액의 액 중단을 실시하였다. 그 후, 100℃×5분의 조건에서 건조함으로써 실란 커플링 처리를 실시하였다.Next, the silane coupling process was performed to the surface after chromate treatment. The silane coupling agent was prepared by mixing silanes of the kind shown in Table 1 so that it may become water of 25 degreeC, and the silane concentration shown in Table 1, and stirring the time stirring speed shown in Table 1 at 900 rpm. After apply | coating the obtained silane coupling agent solution to the surface treatment surface of copper foil, the liquid suspension of the excess silane coupling agent solution was performed, rolling the SUS rod against the copper foil surface. Then, the silane coupling process was performed by drying on 100 degreeC * 5 minutes conditions.

(실시예 2, 7, 8 및 비교예 5, 6, 9)(Examples 2, 7, 8 and Comparative Examples 5, 6, 9)

무산소구리(OFC)에 Ag을 50~100 질량 ppm 첨가한 조성을 갖는 두께 12㎛인 압연 동박(JX 닛코우 일본석유금속 주식회사 제품)을 준비하였다. 해당 압연 동박의 표면에 실시예 1과 동일한 조화 처리, 내열 방수 처리 및 크로메이트 처리를 순서대로 실시하였다. 크로메이트 처리 후의 표면에 실란 커플링 처리를 실시하였다. 표 1에 나타내는 종류의 실란을 25℃의 물과 표 1에 기재한 실란 농도가 되도록 혼합하여 표 1에 기재된 시간 교반속도를 900rpm으로 교반함으로써 실란 커플링제를 조제하였다. 얻어진 실란 커플링제 용액을 동박의 표면처리 표면에 도포 후, SUS봉을 동박 표면에 대고 굴리면서 여분의 실란 커플링제 용액의 액 중단을 실시하였다. 그 후, 100℃×5분의 조건에서 건조함으로써 실란 커플링 처리를 실시하였다.A rolled copper foil (manufactured by JX Nikko Nippon Petroleum Co., Ltd.) having a thickness of 50 µm to 100 ppm by mass of Ag was prepared. The roughening process, heat-resistant waterproofing process, and chromate treatment similar to Example 1 were given to the surface of this rolled copper foil in order. The silane coupling process was performed to the surface after chromate treatment. The silane coupling agent was prepared by mixing the silanes of the kind shown in Table 1 so that it might become water of 25 degreeC, and the silane concentration shown in Table 1, and stirring the time stirring speed of Table 1 at 900 rpm. After apply | coating the obtained silane coupling agent solution to the surface treatment surface of copper foil, the liquid suspension of the excess silane coupling agent solution was performed, rolling the SUS rod against the copper foil surface. Then, the silane coupling process was performed by drying on 100 degreeC * 5 minutes conditions.

(실시예 3, 9~11 및 비교예 2, 7, 8)(Examples 3, 9-11 and Comparative Examples 2, 7, 8)

무산소구리에 1200ppm인 Sn을 첨가한 잉곳을 용제하고, 이 잉곳을 900℃로부터 열간 압연하여, 두께 10mm의 판을 얻었다. 그 후, 냉간압연과 소둔을 반복하여 최종적으로 9㎛ 두께의 동박에 냉간압연하여 압연 동박을 얻었다.An ingot in which 1200 ppm of Sn was added to anoxic copper was melted, and the ingot was hot-rolled from 900 ° C. to obtain a plate having a thickness of 10 mm. Then, cold rolling and annealing were repeated and finally cold rolled to 9 micrometer thick copper foil, and the rolled copper foil was obtained.

이어서, 상기 압연 동박에 다음 조건에서 Ni 도금을 실시하였다(조화 처리는 실시하지 않음).Next, Ni plating was performed to the said rolled copper foil on the following conditions (do not carry out a roughening process).

Ni 이온: 40g/LNi-ion: 40g / L

온도: 50℃Temperature: 50 ℃

전류 밀도: 7.0A/dm2 Current Density: 7.0 A / dm 2

도금 시간: 2.0초 Plating time: 2.0 seconds

pH:4.0 pH: 4.0

이어서, Ni 도금면에 실란 커플링 처리를 실시하였다. 표 1에 나타내는 종류의 실란을 25℃의 물과 표 1에 기재된 실란 농도가 되도록 혼합하여 표 1에 기재된 시간 교반속도를 900rpm으로 교반함으로써 실란 커플링제를 조제하였다. 얻어진 실란 커플링제 용액을 동박의 표면처리 표면에 도포 후, SUS봉을 동박 표면에 대고 굴리면서 여분의 실란 커플링제 용액의 액 중단을 실시하였다. 그 후, 100℃×5분의 조건에서 건조함으로써 실란 커플링 처리를 실시하였다.Next, the silane coupling process was performed to the Ni plating surface. The silane coupling agent was prepared by mixing the silanes of the kind shown in Table 1 so that it may become water of 25 degreeC, and the silane concentration of Table 1, and stirring the time stirring speed of Table 1 at 900 rpm. After apply | coating the obtained silane coupling agent solution to the surface treatment surface of copper foil, the liquid suspension of the excess silane coupling agent solution was performed, rolling the SUS rod against the copper foil surface. Then, the silane coupling process was performed by drying on 100 degreeC * 5 minutes conditions.

<XPS 깊이 방향 분석><XPS depth direction analysis>

얻어진 각 표면처리 동박의 표면처리면에 대하여, 알백파이 주식회사 제품 5600MC를 이용하여, 상술한 조건에서, 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산)으로 스퍼터하면서 XPS 깊이 방향 분석을 실시하였다. 분석 대상 원소는 N1s, O1s, C1s, Si2s, Cr2p3, Zn2p3, Cu2p3, Ni2p3, Co2p3으로 하였다. 0.5min 스퍼터 후 및 1.0min 스퍼터 후의 N, C, Si 및 O의 원자 농도를 표 1에 나타낸다.With respect to the surface-treated side of each surface-treated copper foil obtained albaek pie Co., Ltd. using the 5600MC, was subjected to XPS analysis and sputter depth direction as in the above-described conditions, the rate 1.1nm / min (in terms of SiO 2). The element to be analyzed was N1s, O1s, C1s, Si2s, Cr2p 3 , Zn2p 3 , Cu2p 3 , Ni2p 3 , Co2p 3 . Table 1 shows the atomic concentrations of N, C, Si and O after 0.5 min sputtering and 1.0 min sputtering.

<표면처리 동박의 표면 거칠기><Surface Roughness of Surface Treated Copper Foil>

얻어진 각 표면처리 동박의 표면처리면의 10점 평균 거칠기(Rz)를 JIS B0601-1982에 준거하여, 주식회사 코사카 연구소 제품인 Surfcorder SE-3C 촉침식 조도계를 이용하여 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The ten-point average roughness (Rz) of the surface-treated surface of each obtained surface-treated copper foil was measured using Surfcorder SE-3C tactile roughness meter manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd. based on JIS # B0601-1982. The results are shown in Table 1.

<박리 강도><Peel strength>

얻어진 각 표면처리 동박의 표면처리면을 두께 50㎛인 액정 폴리머(쿠라레 제품, Vecstar CT-Z, 하이드록시안식향산(에스테르)과 수산화나프토(에스테르)와의 공중합체)에 열 프레스로 맞붙여 동장적층판을 얻었다.The surface-treated surface of each obtained surface-treated copper foil was bonded to a liquid crystal polymer having a thickness of 50 µm (Kuraray Co., Vecstar CT-Z, a copolymer of hydroxybenzoic acid (ester) and naphthohydroxide (ester)) by heat pressing and A laminated board was obtained.

열 조건: 약 5.1℃/분의 승온 속도로 가열(60분 후에 305℃에 도달)Thermal conditions: heating at an elevated rate of about 5.1 ° C./min (reach 305 ° C. after 60 minutes)

10분간 유지 후 자연 냉각Natural cooling after holding for 10 minutes

압력 조건:가열 개시부터 50분 후에 4.0MPa 가압Pressure condition: 4.0MPa pressurization after 50 minutes from heating start

30분 가압 유지 후 압력 제로Zero pressure after 30 minutes of pressurization

이렇게 하여 얻은 동장적층판을 이용하여 상온(25℃)에서의 90도 박리 강도를 측정하였다. 박리 강도는 회로 폭 3mm로 하고, 90도 각도에서 50mm/min의 속도로 액정 폴리머로부터 동박을 벗긴 경우의 값이다. 이 박리 강도 측정은 JIS C6471-1995에 준거하는 것이다(이하, 동일). 2회 측정하여 그 평균치를 측정치로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The 90 degree peeling strength at normal temperature (25 degreeC) was measured using the copper clad laminated board obtained in this way. Peeling strength is 3 mm in circuit width, and is a value at the time of peeling copper foil from a liquid crystal polymer at a speed | rate of 50 mm / min at a 90 degree angle. This peeling strength measurement is based on JISC6471-1995 (hereinafter, the same). It measured twice and made the average value the measured value. The results are shown in Table 1.

<납땜 블리스터 시험><Soldering Blister Test>

얻어진 각 표면처리 동박의 표면처리면을 두께 50㎛인 액정 폴리머(쿠라레 제품, Vecstar CT-Z)의 양면에 열 프레스로 맞붙여 동장적층판을 얻었다.The surface treatment surface of each obtained surface-treated copper foil was bonded together by the heat press on both surfaces of the liquid-crystal polymer (Curare product, Vecstar CT-Z) of thickness 50micrometer, and the copper clad laminated board was obtained.

열 조건: 약 5.1℃/분의 온도 상승 속도로 가열(60분 후에 305℃에 도달)Thermal conditions: heating at a rate of temperature rise of about 5.1 ° C./min (reach 305 ° C. after 60 minutes)

10분간 유지 후 자연 냉각Natural cooling after holding for 10 minutes

압력 조건: 가열 개시부터 50분 후에 4.0MPa 가압Pressure condition: 4.0 MPa pressurized after 50 minutes from the start of heating

30분 가압 유지 후 압력 제로Zero pressure after 30 minutes of pressurization

이 동장적층판을 40mm×40mm 사이즈로 자른 후, 동장적층판 표면에 납땜 부착 예방을 위한 윤활유를 발랐다. 그 후, 10초간 300℃~330℃의 핸더 욕조에 띄웠을 때에 동장적층판의 표면에 생긴 블리스터 모습에 대하여, 육안으로 이하의 기준에서 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The copper clad laminate was cut to a size of 40 mm x 40 mm and then lubricated to prevent solder adhesion to the copper clad laminate surface. Then, the blister appearance which formed on the surface of the copper clad laminated board when floating in the 300 degreeC-330 degreeC hander bath for 10 second was visually evaluated by the following criteria. The results are shown in Table 1.

◎: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터가 발생하지 않은 경우◎: When blister does not occur in 40mm × 40mm sample

○: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터 발생은 보였지만, 블리스터가 차지하는 면적이 10% 이하인 경우(Circle): When blister occurrence was seen in the 40 mm x 40 mm sample, but the area which a blister occupies is 10% or less

△: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터가 차지하는 면적이 10%를 넘고 20% 이하인 경우(Triangle | delta): When the blister occupies more than 10% and is less than 20% in a 40 mm x 40 mm sample.

×: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터가 차지하는 면적이 20%를 넘은 경우X: When the blister occupies more than 20% of the 40 mm x 40 mm sample

<고주파 특성 시험><High Frequency Characteristic Test>

얻어진 각 표면처리 동박의 표면처리면을 50㎛인 액정 폴리머(쿠라레 제품, Vecstar CT-Z)의 양면에 열 프레스로 맞붙인 후, 고주파 특성을 조사하기 위해 마이크로 스트립 라인 구조를 형성하였다. 이 때, 특성 임피던스는 50Ω가 되도록 에칭으로 회로 형성을 실시하였다. 이 회로를 이용하여 전송 손실 측정을 실시하고, 30GHz 주파수에서의 전송 손실(TL:단위 dB/cm)이 0≥TL≥-0.8인 경우, 고주파 특성을 ○으로 하였다. 또한, 해당 전송 손실이 -0.8>TL≥-1.2인 경우를 △, 해당 전송 손실이 -1.2>TL≥-10인 경우는 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The surface treatment surface of each obtained surface-treated copper foil was bonded together by the heat press on both surfaces of 50 micrometers liquid crystal polymer (Vecstar CT-Z by Kuraray), and the microstrip line structure was formed in order to investigate a high frequency characteristic. At this time, the circuit was formed by etching so that the characteristic impedance was 50?. The transmission loss measurement was performed using this circuit, and when the transmission loss (TL: unit dB / cm) at 30 GHz frequency was 0≥TL≥-0.8, the high frequency characteristic was set to (circle). In addition, when the transmission loss was -0.8> TL≥-1.2, (triangle | delta) was made and (x) when the transmission loss is -1.2> TL≥-10. The results are shown in Table 1.

(실시예 12, 13 및 비교예 10)(Examples 12, 13 and Comparative Example 10)

실시예 12는 실시예 1과 동일한 방법으로 표면처리 동박을 제작하였다. 실시예 13은 실시예 6과 같은 방법으로 표면처리 동박을 제작하였다. 비교예 10은 비교예 1과 동일한 방법으로 표면처리 동박을 제작하였다.In Example 12, a surface-treated copper foil was produced in the same manner as in Example 1. Example 13 produced the surface-treated copper foil similarly to Example 6. In Comparative Example 10, a surface-treated copper foil was produced in the same manner as in Comparative Example 1.

얻어진 각 표면처리 동박의 표면처리 상에 폴리아믹산(약 20wt%) 및 N-메틸-2-피롤리돈(약 80wt%)으로 구성되는 우베 흥산 주식회사 제품 U-니스 A를 요시미츠 세이키 제품인 닥터 블레이드 YD-3형을 이용하여 도공하였다. 도공 후에 100℃ 오븐에서 20분간 건조한 후, 질소 치환 오븐에서 약 3℃/분의 승온 속도로 350℃까지 약 2시간에 승온한 후, 350℃×30분간 유지함으로써 폴리이미드 수지의 큐어 공정을 실시함으로써 동박 적층판을 얻었다.U-Nice A, manufactured by Ube Heungsan Co., Ltd., composed of polyamic acid (about 20 wt%) and N-methyl-2-pyrrolidone (about 80 wt%) on the surface treatment of each obtained surface-treated copper foil, is a doctor blade manufactured by Yoshimitsu Seiki Coating was carried out using YD-3 type. After coating, it dried for 20 minutes in 100 degreeC oven, after heating up to 350 degreeC in the nitrogen substitution oven at the temperature increase rate of about 3 degree-C / min, about 350 hours, and carrying out the curing process of polyimide resin by maintaining 350 degreeC * 30 minutes. The copper foil laminated board was obtained by this.

<박리 강도><Peel strength>

이렇게 하여 얻은 동장적층판을 이용하여 상온(25℃)에서의 90도 박리 강도를 측정하였다. 박리 강도는 회로 폭 3mm로 하고, 90도 각도에서 50mm/min의 속도로 폴리이미드 수지로부터 동박을 벗긴 경우의 값이다. 이 박리 강도 측정은 JIS C6471-1995에 준거한 것이다(이하, 동일). 2회 측정하여 그 평균치를 측정치로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The 90 degree peeling strength at normal temperature (25 degreeC) was measured using the copper clad laminated board obtained in this way. Peeling strength is 3 mm in circuit width, and is a value at the time of peeling copper foil from polyimide resin at a speed | rate of 50 mm / min at 90 degree | times. This peeling strength measurement is based on JIS C6471-1995 (hereinafter, the same). It measured twice and made the average value the measured value. The results are shown in Table 1.

<납땜 블리스터 시험><Soldering Blister Test>

이렇게 하여 얻은 동장적층판을 40mm×40mm 사이즈로 자른 후, 동장적층판 표면에 납땜 부착 예방을 위한 윤활유를 발랐다. 그 후, 10초간 300℃~330℃의 핸더 욕조에 띄웠을 때에 동장적층판의 표면에 생긴 블리스터 모습에 대하여 육안으로 이하의 기준에서 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The copper clad laminate thus obtained was cut to a size of 40 mm x 40 mm, and then lubricating oil was applied to the copper clad laminate to prevent solder adhesion. Then, the blister appearance which formed on the surface of the copper clad laminated board when it floated in the 300 degreeC-330 degreeC hander bath for 10 second was visually evaluated by the following criteria. The results are shown in Table 1.

◎: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터가 발생하지 않은 경우◎: When blister does not occur in 40mm × 40mm sample

○: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터의 발생은 보였지만, 블리스터가 차지하는 면적이 10% 이하인 경우(Circle): When the blister generate | occur | produced in the 40 mm x 40 mm sample, but the area which a blister occupies is 10% or less.

△: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터가 차지하는 면적이 10% 초과 내지 20% 이하인 경우(Triangle | delta): When the area which a blister occupies in 40 mm x 40 mm sample is more than 10%-20% or less

×: 40mm×40mm 샘플에서 블리스터가 차지하는 면적이 20% 초과인 경우×: when the blister occupies more than 20% of the 40 mm × 40 mm sample

[표 1-1]Table 1-1

Figure 112017000836515-pat00001
Figure 112017000836515-pat00001

[표 1-2]TABLE 1-2

Figure 112017000836515-pat00002
Figure 112017000836515-pat00002

[표 1-3]Table 1-3

Figure 112017000836515-pat00003
Figure 112017000836515-pat00003

[표 1-4]Table 1-4

Figure 112017000836515-pat00004
Figure 112017000836515-pat00004

<고찰><Consideration>

본 발명에서 규정하는 표면처리면으로부터의 0.5min 스퍼터 깊이에서의 N 농도, C 농도 및 Si 및 O 농도의 조합으로부터 선택되는 적어도 하나의 농도 요건을 만족하는 표면처리 동박은 상온에서의 액정 폴리머와의 밀착성이 높고, 동장적층판을 구성하여 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생이 억제되는 것을 알았다. 또한, 0.5min 스퍼터 깊이와 더불어 1.0min 스퍼터 깊이에서의 N 및 C의 원자 농도가 바람직한 실시예 1, 2, 4~6, 8, 10 및 11에서는, 320℃의 열 부하를 주었을 때에도 블리스터 억제 효과가 뛰어났다. 더욱이, 0.5min 스퍼터 깊이에서의 N 농도, C 농도 및 Si 및 O 농도가 더 바람직한 실시예 1, 6 및 8은 330℃의 열 부하를 주었을 때에도 블리스터 억제 효과가 뛰어났다. 또한, 실험 데이터는 나타내지 않지만, 절연기판으로서 폴리아미드나 프리프레그나 불소 수지를 사용해도 동일한 경향이 보였기 때문에, 본 발명의 효과는 액정 폴리머와 맞붙였을 때뿐만 아니라, 다른 절연기재와 맞붙였을 때도 얻을 수 있다고 할 수 있다.Surface-treated copper foil that satisfies at least one concentration requirement selected from the combination of N concentration, C concentration, and Si and O concentration at 0.5 min sputter depth from the surface treatment surface defined in the present invention is combined with the liquid crystal polymer at room temperature. When adhesiveness was high and a copper clad laminated board was comprised and heat load was applied, it turned out that blister generation is suppressed. In addition, in Examples 1, 2, 4 to 6, 8, 10, and 11, where atomic concentrations of N and C at a 1.0 min sputter depth as well as a 0.5 min sputter depth are desired, blister suppression occurs even when a heat load of 320 ° C. is given. The effect was excellent. Moreover, Examples 1, 6, and 8, where N concentration, C concentration, and Si and O concentrations are more preferable at 0.5 min sputter depth, were excellent in blister suppression effect even under a heat load of 330 ° C. In addition, although the experimental data are not shown, the same tendency was observed even when polyamide, prepreg or fluorine resin was used as the insulating substrate, so that the effects of the present invention can be obtained not only when bonding with a liquid crystal polymer but also when bonding with other insulating substrates. It can be said.

한편, 비교예 1, 2, 4, 6, 7은 실란 커플링 농도가 높아 표면처리의 최표층에 두꺼운 실란 커플링막이 형성된 이유로 인해, 비교예 2, 3, 5, 7은 교반시간이 충분하지 않아 실란 커플링제의 가수분해 반응이 불충분했던 이유로 인해, 비교예 8, 9는 실란 커플링 농도가 얇아 표면처리의 최표층에 충분한 두께의 실란 커플링막이 형성되지 않았던 이유로 인해, 모두 본 발명에서 규정하는 표면처리면으로부터의 0.5min 스퍼터 깊이에서의 N 농도, C 농도 및 Si 및 O 농도의 조합에 관한 요건을 만족시킬 수는 없었다. 이 때문에, 상온에서의 액정 폴리머와의 밀착성이 높은 경우에도 동장적층판을 구성하여 열 부하를 주었을 때에 블리스터 발생을 억제할 수 없었다. 또한, 비교예 8 및 9는 블리스터 발생은 억제되었었지만, 상온에서의 액정 폴리머와의 밀착성이 불충분했다.On the other hand, Comparative Examples 1, 2, 4, 6, and 7 have high silane coupling concentrations, and thus, Comparative Examples 2, 3, 5, and 7 have insufficient stirring time due to the formation of a thick silane coupling film in the outermost layer of the surface treatment. Therefore, due to the reason that the hydrolysis reaction of the silane coupling agent was insufficient, Comparative Examples 8 and 9 were all prescribed in the present invention because of the reason that the silane coupling concentration was thin so that the silane coupling film having a sufficient thickness was not formed in the outermost layer of the surface treatment. The requirements for the combination of N concentration, C concentration and Si and O concentration at 0.5 min sputter depth from the surface treated surface could not be satisfied. For this reason, even when adhesiveness with the liquid crystal polymer at normal temperature is high, the blister generation was not able to be suppressed when the copper clad laminated board was comprised and heat load was applied. Moreover, although blister generation was suppressed in Comparative Examples 8 and 9, adhesiveness with the liquid crystal polymer at normal temperature was insufficient.

Claims (27)

표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도가 12~30atom%인, 표면처리 동박.A surface-treated copper foil having a surface-treated surface, wherein the C concentration is 12-30 atom% by XPS measurement at a depth of 0.5 min sputtering under conditions of a rate of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) from the surface-treated surface. 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 Si 농도가 3.1atom% 이상이고 또한, O 농도가 40~48atom%인, 표면처리 동박.A surface-treated copper foil having a surface-treated surface, wherein the Si concentration by XPS measurement at a depth of 0.5 min sputtering at a rate of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) from the surface-treated surface is 3.1 atom% or more, and the O concentration is Surface-treated copper foil which is 40 to 48 atom%. 표면처리면을 갖는 표면처리 동박으로, 이하의 어느 둘 이상의 조건을 만족시키는, 표면처리 동박.
·표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도가 1.5~7.5atom%이다,
·표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도가 12~30 atom%이다,
·표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 0.5min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 Si 농도가 3.1atom% 이상이고 또한, O 농도가 40~48atom%이다.
The surface-treated copper foil which satisfy | fills any two or more of the following conditions with the surface-treated copper foil which has a surface treatment surface.
N concentration is 1.5 to 7.5 atom% by XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering under conditions of rate 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent) from the surface treated surface.
C concentration is 12 to 30 atom% by XPS measurement at a depth after 0.5 min sputtering at a rate of 1.1 nm / min (SiO 2 equivalent) from the surface treated surface.
Si concentration by XPS measurement at a depth of 0.5 min sputtering at a rate of 1.1 nm / min (in terms of SiO 2 ) from the surface-treated surface is 3.1 atom% or more, and an O concentration is 40 to 48 atom%.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 1.0min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 N 농도가 0.5~6.0atom%인, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
From the surface-treated surface rate 1.1nm / min (SiO 2 basis) of the N concentration measured by XPS in the depth after sputtering 1.0min 0.5 ~ 6.0atom% under the condition, the surface treated copper foil.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
표면처리면으로부터 레이트 1.1nm/min(SiO2 환산) 조건에서 1.0min 스퍼터 후의 깊이에서의 XPS 측정에 의한 C 농도가 8~25atom%인, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
From the surface-treated surface rate 1.1nm / min (SiO 2 basis) of the C concentration measured by XPS in the depth after sputtering 1.0min 8 ~ 25atom% under the condition, the surface treated copper foil.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
표면처리면의 Rz가 1.5㎛ 이하인, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil whose Rz of a surface-treated surface is 1.5 micrometers or less.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박이 압연 동박 또는 전해 동박인, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil whose copper foil is a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 폴리머와의 접합용인, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil for bonding with a liquid crystal polymer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
폴리이미드 수지와의 접합용인, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil for bonding with polyimide resin.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
1GHz를 넘는 고주파수 하에서 사용되는 프린트 회로판에 이용되는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil used for printed circuit boards used under high frequencies above 1 GHz.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 조화 처리층, 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The surface-treated copper foil which has at least 1 sort (s) of layer chosen from the group which consists of a roughening process layer, a heat resistant process layer, a rustproof process layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling process layer on the copper foil surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 내열 처리층, 방청 처리층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The surface-treated copper foil which has at least 1 sort (s) of layer chosen from the group which consists of a heat-resistant processing layer, a rust-proof processing layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer on the copper foil surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 내열 처리층 혹은 방청 처리층을 갖고, 상기 내열 처리층 혹은 방청 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The surface-treated copper foil which has a heat-resistant processing layer or an rust-preventing layer on the copper foil surface, has a chromate treatment layer on the said heat-resistant treatment layer or an rustproof treatment layer, and has a silane coupling process layer on the said chromate treatment layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 내열 처리층을 갖고, 상기 내열 처리층 상에 방청 처리층을 가지며, 상기 방청 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil which has a heat-resistant treatment layer on the copper foil surface, has a rustproof treatment layer on the said heat-resistant treatment layer, has a chromate treatment layer on the said rustproof treatment layer, and has a silane coupling treatment layer on the said chromate treatment layer. .
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 크로메이트 처리층을 갖고, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The surface-treated copper foil which has a chromate treatment layer on the copper foil surface, and has a silane coupling process layer on the said chromate treatment layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The surface-treated copper foil which has a roughening process layer on the copper foil surface, has a chromate process layer on the said roughening process layer, and has a silane coupling process layer on the said chromate process layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 방청 처리층 및 내열 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 층을 가지며, 상기 방청 처리층 및 내열 처리층으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
It has a roughening process layer on the copper foil surface, and has 1 or more types chosen from the group which consists of an antirust process layer and a heat resistant process layer on the said roughening process layer, and is selected from the group which consists of the said rustproof process layer and a heat resistant process layer. The surface-treated copper foil which has a chromate treatment layer on one or more types of layers, and has a silane coupling process layer on the said chromate treatment layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 방청 처리층을 가지며, 상기 방청 처리층 상에 크로메이트 처리층을 가지며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil which has a roughening process layer on the copper foil surface, has a rustproof process layer on the said roughening process layer, has a chromate process layer on the said rustproof process layer, and has a silane coupling process layer on the said chromate process layer. .
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil which has a roughening process layer on the copper foil surface, and has a silane coupling process layer on the said roughening process layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 실란 커플링 처리층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil which has a silane coupling process layer on the copper foil surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
동박 표면에 조화 처리층을 갖고, 상기 조화 처리층이 1차 입자층과 해당 1차 입자층 상에 2차 입자층을 갖는, 표면처리 동박.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Surface-treated copper foil which has a roughening process layer on the copper foil surface, and the said roughening process layer has a secondary particle layer on a primary particle layer and this primary particle layer.
제21항에 있어서,
상기 2차 입자층이 구리, 코발트 및 니켈로 구성되는 3원계 합금으로 형성되어 있는, 표면처리 동박.
The method of claim 21,
The surface-treated copper foil with which the said secondary particle layer is formed from the ternary alloy which consists of copper, cobalt, and nickel.
제21항에 있어서,
상기 1차 입자층의 평균 입자 직경이 0.25~0.45㎛이고, 상기 2차 입자층의 평균 입자 직경이 0.05~0.25㎛인, 표면처리 동박.
The method of claim 21,
The surface-treated copper foil whose average particle diameter of the said primary particle layer is 0.25-0.45 micrometer, and whose average particle diameter of the said secondary particle layer is 0.05-0.25 micrometer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 표면처리 동박의 표면처리면을 절연기재와 맞붙여 구성되는 동박 적층판.The copper foil laminated board formed by bonding the surface treatment surface of the surface treatment copper foil in any one of Claims 1-3 with an insulating base material. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 표면처리 동박을 이용한 프린트 배선판.The printed wiring board using the surface-treated copper foil in any one of Claims 1-3. 제25항에 기재된 프린트 배선판을 이용한 전자기기.The electronic device using the printed wiring board of Claim 25. 삭제delete
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