KR102039233B1 - 정전척, 이를 포함하는 성막장치, 기판의 보유지지 및 분리방법, 이를 포함하는 성막방법, 및 이를 사용하는 전자 디바이스의 제조방법 - Google Patents

정전척, 이를 포함하는 성막장치, 기판의 보유지지 및 분리방법, 이를 포함하는 성막방법, 및 이를 사용하는 전자 디바이스의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 정전척은. 전극부를 포함하는 기판보유지지부, 상기 전극부에 전압을 인가하는 전압인가부, 및 상기 전압인가부에 의해 상기 전극부에 인가되는 전압을 제어하는 전압제어부를 포함하며, 상기 정전척은 복수의 기판보유지지부를 포함하며, 상기 전압인가부는, 기판을 보유지지시키기 위한 제1 전압 및 기판을 분리시키기 위한 제2 전압을 상기 복수의 기판보유지지부에 인가하며, 상기 전압제어부는 상기 제2 전압의 인가를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어한다.

Description

정전척, 이를 포함하는 성막장치, 기판의 보유지지 및 분리방법, 이를 포함하는 성막방법, 및 이를 사용하는 전자 디바이스의 제조방법 {ELECTROSTATIC CHUCK, FILM FORMING APPARATUS INCLUDING ELECTROSTATIC CHUCK, SUBSTRATE HOLDING AND SEPARATING METHOD, FILM FORMING METHOD INCLUDING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 성막장치에 관한 것으로, 특히, 성막장치에서 기판을 보유지지하는데 사용되는 정전척 및 정전척에의 기판의 보유지지 및 분리방법에 관한 것이다.
최근 평판 표시 장치로서 유기 EL 표시 장치가 각광을 받고 있다. 유기 EL 표시장치는 자발광 디스플레이로서, 응답 속도, 시야각, 박형화 등의 특성이 액정 패널 디스플레이보다 우수하여, 모니터, 텔레비전, 스마트폰으로 대표되는 각종 휴대 단말 등에서 기존의 액정 패널 디스플레이를 빠르게 대체하고 있다. 또한, 자동차용 디스플레이 등으로도 그 응용분야를 넓혀가고 있다.
유기 EL 표시장치의 소자는 2개의 마주보는 전극(캐소드 전극, 애노드 전극) 사이에 발광을 일으키는 유기물 층이 형성된 기본 구조를 가진다. 유기 EL 표시 장치 소자의 유기물층 및 전극층은, 성막장치의 진공 챔버의 하부에 설치된 증착원을 가열함으로써 증발된 증착 재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 진공 챔버 상부에 놓여진 기판(의 하면)에 증착시킴으로써 형성된다.
이러한 상향 증착 방식의 성막장치의 진공 챔버 내에서 기판은 기판 홀더에 의해 보유 및 지지되는데, 기판(의 하면)에 형성된 유기물층/전극층에 손상을 주지 않도록 기판의 하면의 주연을 기판 홀더의 지지부에 의해 지지한다. 이 경우, 기판의 사이즈가 커짐에 따라 기판 홀더의 지지부에 의해 지지되지 못한 기판의 중앙부가 기판의 자중에 의해 처지게 되며, 이는 증착 정밀도를 떨어뜨리는 요인이 되고 있다.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로써 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판홀더의 지지부의 상부에 정전척을 설치하고, 정전척을 기판의 상면에 근접 내지 접촉시킨 상태에서 정전척에 흡착전압을 인가하여 기판의 표면에 반대극성의 전하를 유도함으로써, 기판의 중앙부가 정전척의 정전인력에 의해 당겨지도록 하여 기판의 처짐을 저감할 수 있다.
그러나, 종래의 기판 홀더의 지지부상에 놓여진 기판은 자중에 의해 기판의 중앙부가 처지기 때문에, 기판의 주연부가 기판의 중앙부보다 정전척에 더 가까운 형상으로 지지된다. 이 경우, 평판 형상의 정전척을 기판에 근접 또는 접촉시킨 후 정전척 전체에 흡착전압을 인가하면 기판 홀더의 지지부에 의해 지지된 기판의 주연부가 거의 동시에 정전척으로부터 정전인력을 받아 정전척에 흡착되며, 기판의 중앙부는 가장 늦게 정전인력을 받게 된다.
즉, 기판의 정전척에의 흡착이 기판의 주연부로부터 기판의 중앙부를 향해 진행되기 때문에, 기판이 편평하게 정전척에 흡착되는 것이 아니라 기판의 중앙부에서 기판과 정전척 사이에 간극이 남게 되어, 기판이 주름진 상태로 정전척에 흡착된다.
한편, 정전척에 흡착전압을 인가하여 기판을 정전척에 흡착한 후, 정전척으로부터 기판을 분리하기 위해 정전척에 분리 전압을 인가하더라도, 기판 흡착시 가한 흡착전압에 의해 기판에 유도된 전하들이 방전될 때까지 시간이 걸리기 때문에, 정전척에 분리전압을 인가한 시점으로부터 실제로 기판이 정전척으로부터 분리되는 시점까지는 상당한 시간이 걸린다. 이는 공정시간(Tact)를 증가시켜, 생산성을 저하시킨다.
더구나, 정전척 전체에 분리전압을 가하였을 때 기판이 분리되기 시작하는 위치가 안정되지 않아 분리 이후에 기판홀더의 지지부상에 기판이 놓여지는 자세나 위치 등이 일정하지 않게 되며, 분리공정 이후의 기판 핸들링에 영향을 미친다.
본 발명은, 기판이 편평하게 정전척에 흡착되고 기판의 정전척으로부터의 분리가 일정하게 이루어지도록 하는 정전척 및 정전척의 전압제어방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 양태에 따른 정전척은. 전극부를 포함하는 기판보유지지부, 상기 전극부에 전압을 인가하는 전압인가부, 및 상기 전압인가부에 의해 상기 전극부에 인가되는 전압을 제어하는 전압제어부를 포함하며, 상기 정전척은 복수의 기판보유지지부를 포함하며, 상기 전압인가부는, 기판을 보유지지시키기 위한 제1 전압 및 기판을 분리시키기 위한 제2 전압을 상기 복수의 기판보유지지부에 인가하며, 상기 전압제어부는 상기 제2 전압의 인가를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어한다.
본 발명의 제2 양태에 따른 정전척은. 복수의 기판보유지지부, 및 상기 복수의 기판보유지지부에의 기판의 보유지지 및 상기 복수의 기판보유지지부에 보유지지된 기판의 분리를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 기판의 분리의 순서를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어한다.
본 발명의 제3 양태에 따른 성막장치는, 기판을 보유지지하기 위한 본 발명의 제1 양태 또는 제2 양태에 따른 정전척, 상기 정전척의 하방에 설치되며, 마스크를 재치하기 위한 마스크 대, 및 상기 마스크 대의 하방에 상기 정전척과 대향하도록 설치되며, 증착재료를 수납하는 증착원을 설치하기 위한 증착원 설치대을 포함한다.
본 발명의 제4 양태에 따른 기판의 보유지지 및 분리방법은, 상기 복수의 기판보유지지부에 제1 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부에 보유지지시키는 단계, 및 상기 복수의 기판보유지지부에 제2 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부로부터 분리시키는 단계를 포함하며, 상기 분리시키는 단계에 있어서, 상기 제2 전압을 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하여 인가한다.
본 발명의 제5 양태에 따른 기판의 보유지지 및 분리방법은, 상기 복수의 기판보유지지부에 제1 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부에 보유지지시키는 단계, 및 상기 복수의 기판보유지지부에 제2 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부로부터 분리시키는 단계를 포함하며, 상기 분리시키는 단계에서, 기판의 분리의 순서를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어한다.
본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법은, 마스크를 마스크대에 재치하는 단계, 기판을 기판지지대에 재치하는 단계, 본 발명의 제4 양태 또는 제5 양태에 따른 기판의 보유지지 및 분리 단계, 및 증착원의 증착재료를 마스크를 통해 기판상에 성막하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제7 양태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은. 본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조한다.
본 발명에 의하면, 정전척이 복수의 기판보유지지부를 가지며, 기판의 보유지지 및 분리시에 정전척의 기판보유지지부별로 전압을 독립적으로 제어함으로써, 기판의 정전척에의 보유지지 및 분리가 기판보유지지부별로 이루어지도록 한다. 이에 의해, 기판을 정전척에 편평하게 보유지지할 수 있을 뿐만 아니라 기판을 정전척으로부터 분리할 때도 분리 개시 위치가 안정되게 된다. 그 결과, 기판이 정전척으로부터 분리되어 기판지지부에 놓여지는 자세 및 위치를 일정하게 하여 기판의 분리이후의 핸들링에의 영향을 저감할 수 있다.
도 1은 유기 EL 표시장치의 제조라인의 일부의 모식도이다
도 2는 본 발명의 성막장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 정전척의 평면구조를 나타내는 모식도이다.
도 4는 본 발명의 정전척에의 기판의 보유지지 및 분리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 본 발명의 성막방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은 유기 EL 표시장치의 구조를 나타내는 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다.
본 발명은, 기판의 표면에 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 EL 표시장치, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 유기 EL 표시장치의 제조 장치에 있어서는, 증착 재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 EL 표시소자를 형성하고 있기 때문에, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.
<전자 디바이스 제조 라인>
도 1은 전자 디바이스의 제조 라인의 구성의 일부를 모식적으로 도시한 평면도이다. 도 1의 제조 라인은 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면 약 1800 ㎜ × 약 1500 ㎜의 사이즈의 기판에 유기 EL의 성막을 행한 후, 해당 기판을 다이싱하여 복수의 작은 사이즈의 패널이 제작된다.
전자 디바이스의 제조 라인은 일반적으로 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막실(11, 12)과 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13) 내에는 기판(10)을 보유지지하고 반송하는 반송 로봇(14)이 설치되어 있다. 반송 로봇(14)은 예를 들면 다관절 암에, 기판(10)을 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇으로서, 각 성막실로의 기판(10)의 반입/반출을 수행한다.
각 성막실(11, 12)에는 각각 성막 장치(증착 장치라고도 부름)가 설치되어 있다. 반송 로봇(14)과의 기판(10)의 전달, 기판(10)과 마스크의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크 상으로의 기판(10)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치에 의해 자동적으로 행해진다.
이하, 성막실의 성막 장치의 구성에 대하여 설명한다.
<성막 장치>
도 2는 성막 장치(2)의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정된다고 가정할 때, 기판의 단변에 평행한 방향을 X 방향, 장변에 평행한 방향을 Y 방향으로 한다. 또한, Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.
성막 장치(2)는 성막공정이 이루어지는 공간을 정의하는 진공 챔버(20)를 구비한다. 진공 챔버(20)의 내부는 진공 분위기이거나 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지된다.
성막 장치(2)의 진공챔버(20)내의 상부에는 기판을 지지하는 기판 지지대(21), 마스크가 놓여지는 마스크 대(22), 기판을 정전인력에 의해 보유지지하는 정전척(23), 금속제의 마스크에 자력을 인가하기 위한 마그넷(24) 등이 설치되며, 성막장치의 진공챔버(20)내의 하부에는 증착재료가 수납되는 증착원(25) 등이 설치된다.
기판 지지대(21)에는 반송실(13)의 반송 로봇(14)에 의해 진공 챔버(20)내로 반입된 기판(10)이 재치된다. 기판 지지대(21)는 진공챔버(20)에 고정되도록 설치될 수도 있고, 연직방향으로 승강가능하게 설치될 수도 있다. 기판 지지대(21)는 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부(211, 212)를 포함한다.
기판 지지대(21)의 아래에는 틀 형상의 마스크 대(22)가 설치되며, 마스크 대(22)에는 기판(10) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 갖는 마스크(221)가 놓여진다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)라고도 부른다.
기판 지지대(21)의 지지부(211, 212)의 상방에는 기판을 정전인력에 의해 보유지지하여 고정시키기 위한 정전척(23)이 설치된다. 정전척(23)은 예컨대, 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 가진다. 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전압이 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판에 금속 전극과 반대극성의 분극전하가 유도되며, 이들간의 정전기적 인력에 의해 기판이 정전척(23)에 보유지지 및 고정된다. 정전척(23)은 하나의 플레이트로 형성될 수도 있고, 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성될 수도 있다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 전기회로를 복수 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력을 다르게 제어할 수 있다.
본 발명에 있어서, 정전척(23)은 도 3을 참조하여 후술하는 바와 같이 복수의 기판보유지지부를 포함하며, 기판의 보유지지 및 분리를 기판보유지지부별로 독립적으로 행할 수 있다.
정전척(23)의 상부에는 금속제 마스크(221)에 자력을 인가하여 마스크의 처짐을 방지하고 마스크(221)와 기판(10)을 밀착시키기 위한 마그넷(24)이 설치된다. 마그넷(24)은 영구자석 또는 전자석으로 이루어질 수 있으며, 복수의 모듈로 구획될 수 있다.
도 2에는 도시하지 않았으나, 정전척(23)과 마그넷(24)의 사이에는 기판을 냉각시키기 위한 냉각판이 설치된다. 냉각판은 정전척(23) 또는 마그넷(24)과 일체로 형성될 수도 있다.
증착원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증착원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착 재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증착원(25)은 점(point) 증착원, 선형(linear) 증착원, 리볼버 증착원 등 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다.
도 2에 도시되지 않았으나, 성막장치(2)는 기판에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다.
성막장치(2)의 진공챔버(20)의 외부 상면에는 기판 지지대 (21), 정전척(23), 마그넷(24) 등을 연직방향(Z방향)으로 이동시키기 위한 구동기구, 및 기판과 마스크의 얼라인먼트를 위해 수평면에 평행하게(X방향, Y방향, θ방향으로) 정전척(23) 및/또는 기판 지지대(21) 등을 이동시키기 위한 구동기구 등이 설치된다. 또한, 마스크와 기판의 얼라인먼트를 위해 진공챔버(20)의 천장에 설치된 창을 통해 기판 및 마스크에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하는 얼라인먼트용 카메라(미도시)도 설치된다.
성막 장치는 제어부(26)를 구비한다. 제어부(26)는 기판(10)의 반송 및 얼라인먼트, 증착원의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부(26)는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부(26)의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable　logic　controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부(26)의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부(26)가 설치되어 있어도 되고, 하나의 제어부(26)가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 하여도 된다.
<정전척의 구조 및 기판의 보유지지 및 분리방법>
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 정전척(23)의 구조 및 정전척(23)에의 기판의 보유지지 및 분리방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 정전척(23)은 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 유전체부(30), 전극부(31), 전압제어부(32), 전압인가부(33)를 포함한다. 전압인가부(33)는 정전척(23)의 전극부(31)에 플러스(+) 전압 및 마이너스(-) 전압을 인가한다. 전압제어부(32)는 성막장치(2)의 성막 프로세스의 진행에 따라 전압인가부(33)로부터 전극부(31)에 가해지는 전압의 크기, 인가 개시 시점, 유지 시간 등을 제어한다. 본 실시형태에서는 전압제어부(32)가 성막장치(2)의 제어부(26)와 별도로 구현되나, 성막장치(2)의 제어부(26)에 통합될 수도 있다. 이 경우, 정전척(23)의 전압제어는 성막장치(2)의 제어부(26)에 의해 이루어진다.
전극부(31)는 복수의 서브전극부를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 전극부(31)는 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 2개의 전극부, 즉, 제1 서브전극부(311) 및 제2 서브전극부(312)을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 3개 이상의 서브전극부를 포함할 수도 있다.
본 발명의 정전척(23)은 복수의 서브전극부에 대응하는 복수의 기판보유지지부를 포함한다. 예컨대, 본 발명의 정전척(23)은, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 2개의 서브전극부(311, 312)에 대응하는 2개의 기판보유지지부(231, 232)를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판의 보유지지 및 분리를 보다 정밀하게 제어하기 위해, 이보다 많은 기판보유지지부를 가질 수도 있다. 예컨대, 서브전극부의 개수에 따라 3개 이상의 기판보유지지부를 가질 수도 있다.
기판보유지지부는 기판의 장변 방향(Y축 방향, 제1 방향)으로 길쭉한 형상을 가지며, 기판의 단변 방향(X축 방향, 제2 방향)으로 분리되나, 이에 한정되지 않으며, 기판의 장변방향으로도 분리될 수도 있다. 복수의 기판보유지지부는, 물리적으로 하나인 플레이트가 복수의 서브전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있고, 물리적으로 분리된 복수의 서브 플레이트 각각이 하나 또는 그 이상의 서브전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있다. 복수의 기판보유지지부 각각에 독립적으로 기판 보유지지 및 분리를 위한 전압이 인가될 수 있는 한, 그 물리적 구조 및 전기회로적 구조는 다를 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 정전척(23)에의 기판의 보유지지 및 분리를 위한 전압제어에 대하여 설명한다.
도 4(a)는 기판을 정전척(23)에 보유지지하는 공정에서의 전압제어를 나타낸다. 본 발명의 전압제어부(32)는, 기판의 보유지지 공정에서, 복수의 기판보유지지부 중 기판의 어느 한 장변(제1변)측에 배치된 제1 기판보유지지부(231)로부터 기판의 다른 장변(제 2변)측에 배치된 제2 기판보유지지부(232)를 향해 순차적으로(도 3(b)의 화살표 참조) 기판을 보유지지하기 위한 제1 전압(보유지지전압)이 인가되도록 제어한다. 즉, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 제1 기판보유지지부(231)에 먼저 제1 전압이 인가되고, 이어서, 제2 기판보유지지부(232)에 제1 전압이 인가된다. 제1 전압은 기판을 정전척(23)에 의해 보유지지하는데 충분한 보유지지력을 제공할 수 있는 크기로 설정된다.
제1 기판보유지지부(231)에 제1 전압(V1)이 인가되면, 정전척(23)의 제1 기판보유지지부(231)에 대응하는 기판 상면에 제1 기판보유지지부(231)의 전하와 반대극성의 분극전하가 유도된다. 이에 의해, 기판의 제1변측 주연부로부터 기판의 중앙부가 제1 기판보유지지부(231)에 흡착되어 보유지지된다. 이에 따라, 기판의 중앙부에 있던 처짐은 기판 중앙부로부터 기판의 제2변측을 향해 이동한다.
이어서, 제2 기판보유지지부(232)에 제1 전압(V2)이 인가되면, 정전척(23)의 제2 기판보유지지부(232)에 대응하는 기판 상면에 제2 기판보유지지부(232)의 전하와 반대극성의 분극전하가 유도된다. 이에 의해, 기판의 중앙부로부터 기판의 제2변측 주연부가 제2 기판보유지지부(232)에 흡착되어 보유지지된다. 이에 따라, 기판의 중앙부와 기판의 제2변측 주연부 사이에 이동되어 있던 처짐은 기판 기판의 제2변측 주연부를 향해 이동하면서, 펴지게 되며, 기판은 정전척(23)에 편평하게 흡착되어 보유지지된다.
이처럼, 본 발명의 정전척(23)에 의하면, 기판보유지지부별로 기판의 보유지지를 독립적으로 제어할 수 있기 때문에, 기판 중앙부의 처짐이 효과적으로 기판의 제2변측 주연부측으로 펴질 수 있게 된다. 종래에 있어서는, 정전척(23) 전체에 걸쳐 흡착전압이 동시에 인가되기 때문에, 기판의 제1변측 및 제2변측 주연부가 정전척(23)에 거의 동시에 흡착되고, 기판의 중앙부가 가장 늦게 흡착되었다. 이에 비해, 본 발명에 있어서는, 복수의 기판보유지지부에 대응하는 기판의 상면부가 순차적으로(예컨대, 3개의 기판보유지지부가 제1변측 주연부, 중앙부, 제2변측 주연부에 대응하도록 설치되는 경우, 기판의 제1변측 주연부, 중앙부, 제2변측 주연부의 순서로) 정전척(23)에 흡착되어 보유지지되기 때문에, 기판 중앙부의 처짐이 제2변측 주연부측으로 펴질 수 있게 되어, 기판 중앙부에 주름이 남는 문제를 해결할 수 있다.
이하에서는, 기판을 정전척(23)으로부터 분리하는 공정에 있어서의 전압제어에 대하여 설명한다.
본 발명의 전압제어부(32)는 기판을 정전척(23)으로부터 분리함에 있어서도, 정전척의 기판보유지지부별로 독립적으로 전압을 제어한다. 예컨대, 전압제어부(32)는 분리전압인 제2 전압의 인가 개시 시점, 크기, 제2 전압의 유지 시간 등을 기판보유지지부별로 다르게 제어할 수 있다. 제2 전압(V2)은 제로(0) 전압(즉, 접지전압) 또는 제1 전압(V1)의 역극성의 전압일 수 있다.
본 발명의 전압제어부(32)는, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 제1 기판보유지지부(231)에 먼저 제2 전압(V2)을 인가하고, 이어서, 제2 기판보유지지부(232)에 제2 전압(V2)을 인가하도록 제어한다. 즉, 기판의 보유지지 공정에서의 보유지지의 순서대로 복수의 기판보유지지부에 분리전압인 제2 전압을 인가한다.
이는 먼저 제1 전압이 인가된 제1 기판보유지지부에 대응하는 기판의 상면부가 나중에 제1 전압이 인가된 제2 기판보유지지부에 대응하는 기판의 상면부에 비해, 더 많은 분극전하가 유도되며, 이에 따라, 분극전하의 방전에도 시간이 상대적으로 더 걸리기 때문이다. 또한, 제1 기판보유지지부(231)측에 먼저 제2 전압을 인가함으로써, 기판이 제1 기판보유지지부(231)측으로부터 먼저 분리되도록 할 수 있어, 정전척(23)으로부터의 기판의 분리 위치 및 자세를 일정하게 할 수 있다.
또한, 도 4(c)에 도시한 바와 같이, 제2 전압으로서 제1전압과 역극성인 전압을 가할 때, 제1 기판보유지지부(231)에 인가되는 제2 전압의 크기를 제2 기판보유지지부(232)에 인가되는 제2 전압의 크기보다 크게 할 수 있다. 이를 통해, 분극전하를 제1 기판보유지지부(231)에 대응하는 기판의 상면부로부터 더욱 빨리 방전시킬 수 있다. 또한, 기판이 확실히 제1 기판보유지지부(231)로부터 먼저 분리될 수 있도록 할 수 있다.
또한, 도 4(d) 또는 4(e)에 도시한 바와 같이, 제1 기판보유지지부(231)에의 제2 전압의 유지 시간을 제2 기판보유지지부(231)에의 제2 전압의 유지 시간보다 길게 할 수 있다.
이외에도, 기판이 제2 기판보유지지부(232)보다 제1 기판보유지지부(231)로부터 먼저 분리될 수 있도록, 제2 전압의 인가개시 시점, 크기 및 유지 시간을 다양하게 조합하여 제어하는 것이 가능하다. 예컨대, 제2 기판보유지지부(232)보다 제1 기판보유지지부(231)에 더 큰 크기의 역극성의 제2 전압을 더 먼저, 그리고, 더 오랫동안 인가하여도 되며, 제1 기판보유지지부(231)에 제2 기판보유지지부(232)보다 더 작은 크기의 역극성의 제2 전압을 가하되, 인가 개시 시점을 충분히 더 일찍 함으로써, 기판이 제1 기판보유지지부(231)로부터 먼저 분리되도록 제어할 수도 있다.
본 실시형태에서는, 보유지지전압인 제1 전압을 인가한 후에, 분리전압인 제2 전압을 인가하는 것으로 설명하였으나, 제1 전압을 인가한 후 제2 전압을 인가하기 전에, 제3의 전압을 인가하여도 된다. 이 때, 제3 전압은 제1 전압보다 작은 크기의 전압인 것이 바람직하다. 이를 통해, 정전척(23)의 전극부(31)에 제2 전압을 인가한 후로부터 실제로 기판이 정전척(23)으로부터 분리되는데 걸리는 전체적인 시간을 단축시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 정전척(23)의 복수의 기판보유지지부에 보유지지전압(제1 전압)을 인가하는 순서와 분리전압(제2 전압)을 인가하는 순서를 동일하게 하는 것을 전제로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 복수의 기판보유지지부에 인가되는 전압(제1 전압 및/또는 제2 전압)을 독립적으로 제어할 수 있는 한, 그 순서를 달리할 수도 있다. 예컨대, 정전척(23)의 복수의 기판보유지지부에 제1 전압을 인가하는 순서와 반대의 순서로, 제2 전압을 인가할 수도 있다.
<성막프로세스>
이하 본 발명의 정전척 전압 제어를 채용한 성막방법에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.
진공챔버(20)내의 마스크 대(22)에 마스크(221)가 재치된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(2)의 진공챔버(20)내로 기판이 반입된다(도 5(a)).
진공챔버(20)내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 하강하면서 기판(10)을 기판 지지대(21)의 지지부(211, 212)상에 재치한다(도 5(b)).
이어서, 정전척(23)이 기판(10)을 향해 하강하여 기판(10)에 충분히 근접하거나 접촉한 후에, 정전척(23)에 제1 전압(V1)을 인가하여 기판(10)을 보유지지한다(도 5(c)). 이 때, 본 발명에 있어서는, 정전척(23)의 복수의 기판보유지지부에 한꺼번에 제1 전압(V1)을 인가하는 것이 아니라, 기판보유지지부별로 독립적으로 제1 전압(V1)을 인가한다. 예컨대, 기판의 제1 변측 주연부에 대응하는 제1 기판보유지지부(231)로부터 기판의 제2 변측 주연부에 대응하는 제2 기판보유지지부(232)를 향해 순차적으로 제1 전압(V1)을 인가한다.
정전척(23)에 기판(10)이 보유지지된 상태에서, 기판의 마스크에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해 기판(10)을 마스크(221)를 향해 하강시킨다(도 5(d)).
기판(10)이 계측위치까지 하강하면, 얼라인먼트용 카메라로 기판(10)과 마스크(221)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하여 기판과 마스크의 상대적인 위치 어긋남을 계측한다(도 5(e) 참조).
계측결과, 기판의 마스크에 대한 상대적 위치 어긋남이 임계치를 넘는 것으로 판명되면, 정전척(23)에 보유지지된 상태의 기판(10)을 수평방향(XYθ 방향)으로 이동시켜, 기판을 마스크에 대해 위치조정(얼라인먼트)한다(도 5(f) 참조).
이러한 얼라인먼트 공정 후에, 정전척(23)에 보유지지된 기판(10)을 마스크(221)상에 재치하고, 마그넷(24)을 하강시켜 마그넷(24)의 마스크에 대한 자력에 의해 기판과 마스크를 밀착시킨다(도 5(g)).
이어서, 증착원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크를 통해 기판(10)에 증착시킨다(도 5(h)). 기판상에 원하는 두께의 막이 성막되면, 증착원(25)의 셔터를 닫고, 성막공정을 종료한다.
성막공정이 종료되면, 마그넷(24)이 상승하여, 마스크와 기판의 밀착이 해제된다(도 5(i)).
이어서, 정전척(23)과 기판 지지대(21)의 상승에 의해 기판이 마스크로부터 분리되어 상승한다(도 5(j)).
이어서, 반송로봇의 핸드가 성막장치의 진공챔버 내로 들어오고 정전척(23)에는 분리전압인 제2 전압이 인가되며 정전척(23)의 흡착력이 충분히 약해진 이후에 정전척(23)이 기판으로부터 분리되어 상승한다(도 5(k)). 본 발명에 있어서는, 정전척(23)으로부터 기판을 분리하기 위해 제2 전압을 인가함에 있어서, 정전척의 복수의 기판보유지지부별로 독립적으로 제2 전압의 크기, 인가개시시점, 유지 기간 등을 제어하여, 기판이 정전척으로부터 분리되는 위치 및 자세 등을 일정하게 한다.
이후, 증착이 완료된 기판을 진공챔버(20)로부터 반출한다.
본 실시형태에서는, 기판의 정전척(23)으로부터의 분리공정이, 기판과 마스크의 밀착이 해제되고 기판이 마스크로부터 분리된 이후에 이루어지는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예컨대, 위치조정된 기판이 마스크상에 재치되고 마그넷(24)이 하강하여 기판과 마스크가 서로 밀착된 단계 이후로서, 성막공정이 개시되기 전에 정전척(23)에 분리전압인 제2 전압을 인가하여도 된다. 이는 기판은 마스크상에 재치된 상태이고, 마그넷(24)에 의한 자력에 의해 기판과 마스크가 밀착된 상태로 유지되기 때문이다.
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<전자디바이스의 제조방법>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 6(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 6(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다.
도 6(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.
도 6(b)는 도 6(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 제1 전극(양극)(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 제2 전극(음극)(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 제2 전극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 제1 전극(64)과 제2 전극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 제1 전극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.
도 6(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 제1 전극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 제1 전극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 제2 전극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 제1 전극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.
제1 전극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 제1 전극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 기판 지지대 및 정전척으로 기판을 보유지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 제1 전극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 기판 지지대 및 정전척으로 보유지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 상에 재치하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다.
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 제2 전극(68)을 성막한다.
본 발명에 따르면, 정전척(23)이 복수의 기판보유지지부를 가지고, 이들에 인가되는 보유지지전압(제1 전압) 및 분리전압(제2 전압)을 기판보유지지부별로 독립적으로 제어함으로써, 기판이 보다 편평하게 정전척에 흡착될 수 있으며, 기판이 정전척으로부터 분리되는 위치 내지 자세를 일정하게 유지할 수 있다.
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.
21: 기판 지지대
22: 마스크 대
23: 정전척
24: 마그넷
31: 전극부
32: 전압제어부
33: 전압인가부
211: 제1 지지부재
212: 제2 지지부재
231: 제1 기판보유지지부
232: 제2 기판보유지지부

Claims (35)

  1. 기판을 보유지지하기 위한 정전척으로서,
    전극부를 포함하는 기판보유지지부,
    상기 전극부에 전압을 인가하는 전압인가부, 및
    상기 전압인가부에 의해 상기 전극부에 인가되는 전압을 제어하는 전압제어부를 포함하며,
    상기 정전척은 복수의 기판보유지지부를 포함하며,
    상기 전압인가부는, 기판을 보유지지시키기 위한 제1 전압 및 기판을 분리시키기 위한 제2 전압을 상기 복수의 기판보유지지부에 인가하며,
    상기 전압제어부는 상기 제2 전압의 인가를, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전압제어부는 상기 제2 전압의 인가 개시 시점을, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전압제어부는, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 제2 전압의 인가 개시 시점이 상기 기판보유지지부별로 다르도록 제어하는 정전척.
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서, 상기 전압제어부는, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 제2 전압이 상기 복수의 기판보유지지부에 순차적으로 인가되도록 제어하는 정전척.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전압제어부는 상기 제2 전압의 유지 시간을, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전압제어부는, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 제2 전압의 유지 시간이 상기 기판보유지지부별로 다르도록 제어하는 정전척.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 전압제어부는 상기 제2 전압의 크기를, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전압제어부는, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 제2 전압의 크기가 상기 기판보유지지부별로 다르도록 제어하는 정전척.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서, 상기 제2 전압은 접지전압 또는 제1 전압과 역극성인 전압인 정전척.
  13. 제1항에 있어서, 상기 전압제어부는 상기 제1 전압의 인가를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전압제어부는 상기 제1 전압의 인가 개시 시점을 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  15. 기판을 보유지지하기 위한 정전척으로서,
    복수의 기판보유지지부, 및
    상기 복수의 기판보유지지부에의 기판의 보유지지 및 상기 복수의 기판보유지지부에 보유지지된 기판의 분리를 제어하는 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는, 기판의 분리의 순서를, 상기 복수의 기판보유지지부가 각각 기판을 보유지지한 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제어부는 기판의 보유지지의 순서를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는 정전척.
  17. 마스크를 통하여 기판상에 증착재료를 성막하기 위한 성막장치로서,
    기판을 보유지지하기 위한 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항, 제9항, 제10항, 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항의 정전척,
    상기 정전척의 하방에 설치되며, 마스크를 재치하기 위한 마스크 대, 및
    상기 마스크 대의 하방에 상기 정전척과 대향하도록 설치되며, 증착재료를 수납하는 증착원을 설치하기 위한 증착원 설치대
    를 포함하는 성막장치.
  18. 기판을 복수의 기판보유지지부를 가지는 정전척에 보유지지 및 분리하기 위한 방법으로서,
    상기 복수의 기판보유지지부에 제1 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부에 보유지지시키는 단계, 및
    상기 복수의 기판보유지지부에 제2 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부로부터 분리시키는 단계를 포함하며,
    상기 분리시키는 단계에 있어서, 상기 제2 전압의 인가를, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 분리시키는 단계에 있어서, 상기 제2 전압의 인가 개시 시점을, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 분리시키는 단계에 있어서, 상기 제2 전압의 인가 개시 시점이 상기 기판보유지지부별로 다르도록 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  21. 삭제
  22. 제19항에 있어서, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 분리시키는 단계에서 상기 제2 전압이 상기 복수의 기판보유지지부에 순차적으로 인가되는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 분리시키는 단계에서, 상기 제2 전압의 유지 시간을, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 분리시키는 단계에서, 상기 제2 전압의 유지 시간이 상기 기판보유지지부별로 다르도록 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  25. 삭제
  26. 제18항에 있어서, 상기 분리시키는 단계에서, 상기 제2 전압의 크기를, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 분리시키는 단계에서 상기 제2 전압의 크기가 상기 기판보유지지부별로 다르도록 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  28. 삭제
  29. 제18항에 있어서, 상기 제2 전압은 접지전압 또는 제1 전압과 역극성인 전압인, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  30. 제18항에 있어서, 상기 보유지지시키는 단계에서 상기 제1 전압의 인가를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 보유지지시키는 단계에서, 상기 제1 전압의 인가 개시 시점을 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  32. 기판을 복수의 기판보유지지부를 가지는 정전척에 보유지지 및 분리하기 위한 방법으로서,
    상기 복수의 기판보유지지부에 제1 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부에 보유지지시키는 단계, 및
    상기 복수의 기판보유지지부에 제2 전압을 인가하여 기판을 상기 복수의 기판보유지지부로부터 분리시키는 단계를 포함하며,
    상기 분리시키는 단계에서, 기판의 분리의 순서를, 상기 복수의 기판보유지지부에 각각 기판을 보유지지시킨 순서에 기초하여, 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 보유지지시키는 단계에서, 기판의 보유지지의 순서를 상기 기판보유지지부별로 독립적으로 제어하는, 기판의 보유지지 및 분리 방법.
  34. 마스크를 통하여 기판에 증착재료를 성막하는 성막방법으로서,
    마스크를 마스크대에 재치하는 단계,
    기판을 기판지지대에 재치하는 단계,
    제18항 내지 제20항, 제22항 내지 제24항, 제26항, 제27항, 제29항 내지 제33항 중 어느 한 항의 방법에 따라 정전척에 기판을 보유지지 및 분리시키는 단계, 및
    증착원의 증착재료를 마스크를 통해 기판상에 성막하는 단계
    를 포함하는 성막방법.
  35. 전자 디바이스의 제조방법으로서, 제34항의 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113005398B (zh) * 2019-12-20 2023-04-07 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
KR20210080802A (ko) * 2019-12-23 2021-07-01 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040658A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Fujitsu Semiconductor Ltd 処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法
JP2013058761A (ja) * 2007-03-19 2013-03-28 Nikon Corp 保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132239A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Fujitsu Ltd ウエハーチャック
JPH06204325A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Hitachi Ltd 静電吸着装置およびその吸着方法
JP2004006707A (ja) 2002-04-26 2004-01-08 Toray Eng Co Ltd 実装方法および実装装置
JP2004158610A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2006253352A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Seiko Epson Corp 吸着装置
JP2007073568A (ja) 2005-09-05 2007-03-22 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP4884811B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-29 三菱重工業株式会社 ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法
CN103066000B (zh) 2011-10-19 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
KR102069346B1 (ko) * 2013-04-17 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR20150077998A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
CN106165141B (zh) 2014-05-09 2019-01-15 应用材料公司 基板载体系统及使用它的方法
CN106024682B (zh) * 2015-03-31 2020-07-21 松下知识产权经营株式会社 等离子处理装置以及等离子处理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058761A (ja) * 2007-03-19 2013-03-28 Nikon Corp 保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011040658A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Fujitsu Semiconductor Ltd 処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法

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