CN109972085B - 静电吸盘、成膜装置、基板的吸附方法、成膜方法以及电子设备的制造方法 - Google Patents

静电吸盘、成膜装置、基板的吸附方法、成膜方法以及电子设备的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的静电吸盘,包括具有电极部的静电吸盘板状件部,所述电极部包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,所述交替配置的部分的至少一部分,以与进行基板向所述静电吸盘板状件部的吸附的第一方向交叉的方式延伸。

Description

静电吸盘、成膜装置、基板的吸附方法、成膜方法以及电子设 备的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置,尤其是涉及在成膜装置中用于吸附并保持基板的静电吸盘的电极排列。
背景技术
最近,作为平板显示装置,有机EL显示装置倍受瞩目。有机EL显示装置是自发光显示器,其响应速度、视角、薄型化等特性比液晶面板显示器优异,在监视器、电视、以智能手机为代表的各种便携终端等领域正在快速地代替现有的液晶面板显示器。另外,在汽车用显示器等方面也在扩大其应用领域。
有机EL显示装置的元件具有在两个相向的电极(阴极电极、阳极电极)之间形成有引起发光的有机物质层这样的基本构造。有机EL显示装置元件的有机物质层以及电极层,通过经由形成有像素图案的掩模将蒸镀材料向置于真空腔室上部的基板(的下表面)蒸镀而形成,所述蒸镀材料通过加热设置于成膜装置的真空腔室的下部的蒸镀源而被蒸发出来。
在这样向上蒸镀方式的成膜装置的真空腔室内,基板由基板支架进行保持,为了不对形成于基板(的下表面)的有机物质层/电极层造成损伤,利用基板支架的支承部支承基板的下表面周缘。在这种情况下,随着基板的尺寸增大,没有由基板支架的支承部支承的基板的中央部,因基板的自重而发生挠曲,成为降低蒸镀精度的主要原因。
作为减少因基板的自重而引起的挠曲的方法,研究了使用静电吸盘的技术。即,在基板支架的支承部的上部设置静电吸盘,在使静电吸盘接近或者接触基板的上表面的状态下向静电吸盘施加吸附电压,在基板的表面上感应相反极性的电荷,由此利用静电吸盘的静电引力牵拉基板的中央部,从而能够减少基板的挠曲。
发明内容
要解决的课题
但是,即使向静电吸盘施加吸附电压,基板也并不会立即被静电吸盘吸附,利用向静电吸盘施加的吸附电压来使基板感应上相反极性的电荷这一动作花费时间。由此,利用静电吸盘吸附基板整体非常花费时间。
特别是,根据静电吸盘所包含的电极的配置图案,利用静电吸盘吸附基板所花费的时间存在很大的差异。
例如,图7所图示的静电吸盘70,具有多个吸附部701至709,在向静电吸盘的各吸附部施加电压时,如箭头所示从静电吸盘的右侧边朝向左侧边进行。即,从沿着静电吸盘的右侧的长边配置的吸附部701、702、703开始施加吸附电压,经由静电吸盘的中央部的吸附部704、705、706,最后向沿着左侧的长边配置的吸附部707、708、709施加吸附电压。由此,基板向静电吸盘70的吸附,从与静电吸盘右侧的长边对应的基板右侧的长边的周缘部开始经由基板的中央部,向朝向基板左侧的长边的周缘部的方向(吸附方向)进行。
但是,如图7的静电吸盘70那样,在与这样的吸附方向(即,按照向多个吸附部施加电压的顺序的方向)平行地配置静电吸盘70内的梳子形状的电极71的梳齿部的情况下,不是在吸附方向交替地感应正电荷和负电荷,而是连续地感应正电荷以及负电荷中的某一种电荷。由此,向着吸附方向的静电引力的强度减小,基板向吸附方向的吸附速度变慢。
另外,在进行吸附的各个瞬间,静电吸盘的长边方向(与吸附方向交叉的方向)上的电极图案所占的面积变小。即,在具有图7所示那样的电极配置图案的静电吸盘的情况下,在进行吸附的瞬间,同时进行吸附的静电吸盘的长边方向上的电极图案所占的面积,由电极71的宽度来决定。因此,在进行向静电吸盘吸附基板的各个瞬间,静电吸盘的长边方向上的与吸附相关的电极部分不连续(在图7的左下方,由虚线包围的部分概略地表示电极的有助于吸附的部分),与吸附相关的电极部分的面积变小。其结果是,即使在与吸附方向交叉的方向上,基板的吸附也更花时间,整体上看,每一片基板的处理时间(Tact)增加,生产性降低。
本发明的目的是提供能够使静电吸盘平坦地吸附基板,且能够缩短基板的吸附所花的时间的静电吸盘、包含该静电吸盘的成膜装置、基板的吸附方法以及使用该吸附方法的成膜方法,以及电子设备的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明的第一方案的静电吸盘,包括具有电极部的静电吸盘板状件部,所述电极部包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,所述交替配置的部分的至少一部分,以与进行基板向所述静电吸盘板状件部的吸附的第一方向交叉的方式延伸。
本发明的第二方案的静电吸盘,包括静电吸盘板状件部,所述静电吸盘板状件部包含能够独立地施加电压的多个电极部,所述多个电极部中的至少一个电极部,包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,所述交替配置的部分的至少一部分,以与进行基板向所述静电吸盘板状件部的吸附的第一方向交叉的方式延伸。
本发明的第三方案的静电吸盘,包括静电吸盘板状件部,所述静电吸盘板状件部包含能够独立地施加电压的多个电极部,所述静电吸盘板状件部具有相互相向的两个长边,和连结所述两个长边的相互相向的两个短边,所述多个电极部中的至少一个电极部,包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,所述交替配置的部分的至少一部分,以与所述静电吸盘板状件部的所述长边交叉的方式延伸。
本发明的第四方案的成膜装置,包括:用于从上方吸附并保持基板的静电吸盘,和设置在所述静电吸盘的下方,用于从下方支承基板的基板支承台,所述静电吸盘包括具有电极部的静电吸盘板状件部,所述电极部包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,所述交替配置的部分的至少一部分,以与进行基板向所述静电吸盘板状件部的吸附的第一方向交叉的方式延伸。
本发明的第五方案的成膜装置,包括:用于从上方吸附并保持基板的本发明的第二方案的静电吸盘,和设置于所述静电吸盘的下方,用于从下方支承基板的基板支承台。
本发明的第六方案的成膜装置,包括:用于从上方吸附并保持基板的静电吸盘;设置在所述静电吸盘的下方,用于从下方支承基板的基板支承台,所述静电吸盘包括静电吸盘板状件部,所述静电吸盘板状件部包含能够独立地施加电压的多个电极部,所述静电吸盘板状件部具有相互相向的两个长边,和连结所述两个长边的相互相向的两个短边,所述多个电极部中的至少一个电极部,包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,所述交替配置的部分的至少一部分,以与所述静电吸盘板状件部的所述长边交叉的方式延伸。
本发明的第七方案的基板吸附方法,包括对所述静电吸盘的静电吸盘板状件部所包含的电极部施加电压,使所述静电吸盘板状件部吸附基板的阶段,所述电极部包括交替配置有分别施加不同极性的电压的电极的部分,在所述吸附的阶段,在与所述交替配置的部分的至少一部分的延伸方向交叉的第一方向进行基板的吸附。
本发明的第八方案的成膜方法,包括:在基板支承台上载置基板的阶段;从基板的上方使静电吸盘接近或者接触基板的阶段;使用本发明的第七方案的基板吸附方法使基板吸附于静电吸盘的阶段;在掩模上载置基板的阶段;经由掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
本发明的第九方案的电子设备的制造方法,使用本发明的第八方案的成膜方法制造电子设备。
发明的效果
根据本发明,以使在静电吸盘的电极部内交替配置的正电极以及负电极(例如,梳子形状的电极的梳齿部)的延伸方向与基板向静电吸盘的吸附进行方向交叉的方式配置电极,在提高吸附进行方向上的吸附速度的同时,提高进行吸附的方向(与吸附进行方向交叉的方向)上的电极对吸附力的贡献度,通过这样能够缩短静电吸盘对基板整体的吸附时间。由此,能够缩短每一片基板的处理时间,提高生产性。
附图说明
图1是有机EL显示装置的生产线的局部示意图。
图2是本发明的成膜装置的示意图。
图3是表示本发明的静电吸盘的构造的示意图。
图4是表示基板向本发明的静电吸盘的吸附方法的示意图。
图5是用于说明本发明的成膜方法的示意图。
图6是表示有机EL显示装置的构造的示意图。
图7是表示以往的静电吸盘的平面构造的示意图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的优选实施方式以及实施例进行说明。但是,以下的实施方式以及实施例仅是用于例示地表示本发明的优选结构,本发明的范围并不限定于这些结构。另外,以下说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等,只要没有特别特定的记载,就不表示将本发明的范围仅限定于此。
本发明能够较好地适用于利用真空蒸镀在基板的表面形成图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料,能够选择玻璃、高分子材料的薄膜、金属等任意材料,并且作为蒸镀材料,能够选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意材料。本发明的技术,具体来说能够适用于有机电子设备(例如,有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)、光学部件等的制造装置。其中,在有机EL显示装置的制造装置中,由于通过使蒸镀材料蒸发并经由掩模将蒸镀材料蒸镀到基板上来形成有机EL显示元件,因此是本发明的优选适用例之一。
<电子设备生产线>
图1是示意地表示电子设备的生产线的结构的一部分的俯视图。图1的生产线例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下,例如在对约1800mm×约1500mm的尺寸的基板进行有机EL成膜之后,将该基板切割而制作多个小尺寸的面板。
电子设备的生产线,一般如图1所示,具有多个成膜室11、12和输送室13。在输送室13内设置有保持并输送基板10的输送机器人14。输送机器人14例如是具有在多关节手臂上安装有保持基板10的机器人手部的构造的机器人,用于向各成膜室送入/搬出基板10。
在各成膜室11、12中分别设置有成膜装置(也称作蒸镀装置)。与输送机器人14交接基板10、基板10与掩模的相对位置的调整(对准)、向掩模上固定基板10、成膜(蒸镀)等一连串成膜流程,通过成膜装置自动地进行。
以下,对成膜室的成膜装置的结构进行说明。
<成膜装置>
图2是概略地表示成膜装置2的结构的剖视图。在以下的说明中,使用以铅垂方向作为Z方向的XYZ正交坐标系。在假定在成膜时将基板10与水平面(XY平面)平行地固定的情况下,将与基板10的短边平行的方向作为X方向,将与长边平行的方向作为Y方向。另外,围绕Z轴的旋转角由θ来表示。
成膜装置2具有定义为进行成膜工序的空间的真空腔室20。真空腔室20的内部保持为真空环境、或者氮气等惰性气体环境。
在成膜装置2的真空腔室20内的上部,设置有支承基板10的基板支承台21、载置掩模的掩模台22、通过静电引力吸附基板10的静电吸盘23、用于向金属制的掩模施加磁力的磁铁24等,在成膜装置2的真空腔室20内的下部设置有用于收容蒸镀材料的蒸镀源25等。
在基板支承台21上载置由输送室13的输送机器人14送入真空腔室20内的基板10。基板支承台21既可以以固定于真空腔室20的方式设置,也可以以能够在铅垂方向升降的方式设置。基板支承台21包括支承基板10的下表面的周缘部的支承部件211、212。
在基板支承台21的下方设置有框架状的掩模台22,在掩模台22上放置有掩模221,该掩模221具有与要形成在基板10上的薄膜图案相对应的开口图案。特别是,用于制造智能手机用的有机EL元件的掩模是形成有细微的开口图案的金属制的掩模,也称作FMM(FineMetal Mask)。
在基板支承台21的支承部件211、212的上方设置有利用静电引力来吸附并保持基板10的静电吸盘23。静电吸盘23例如具有在电介体(例如,陶瓷材质)基体内埋设有金属电极等电气回路的构造。若对至少一对金属电极分别施加正(+)以及负(-)的电压,则通过电介体基体对基板10感应上极性相反的极化电荷,能够通过他们之间的静电引力将基板10吸附保持到静电吸盘23上。静电吸盘23既可以通过一个板状件形成,也可以形成为具有多个子板状件。另外,在由一个板状件形成的情况下,也可以在其内部包含多个电气回路,在一个板状件内根据位置不同而独立地控制静电引力。
本发明中的静电吸盘23,如参照图3后述的那样,在电极部内交替配置的正电极以及负电极的至少一部分,在与基板向静电吸盘23的吸附进行方向交叉的方向上延伸。
在静电吸盘23的上部设置有磁铁24,该磁铁24对金属制的掩模221施加磁力、防止掩模221的挠曲,使掩模221与基板10紧贴。磁铁24能够由永磁铁或者电磁铁构成,可以被划分为多个模块。
虽然在图2中没有图示,但在静电吸盘23与磁铁24之间设置有用于冷却基板的冷却板。冷却板可以与静电吸盘23或者磁铁24一体形成。
蒸镀源25包括收容用于在基板10上成膜的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于对坩埚进行加热的加热器(未图示)、到蒸镀源的蒸发率达到一定值为止阻止蒸镀材料向基板10飞溅的闸门(未图示)等。蒸镀源25可以为点(point)蒸镀源、线形(linear)蒸镀源等,可以根据用途而具有多种结构。
虽然在图2中没有图示,但成膜装置2还包括用于测定蒸镀到基板上的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)以及膜厚计算单元(未图示)。
在成膜装置2的真空腔室20的外部上表面,设置有用于在铅垂方向(Z方向)移动基板支承台21、静电吸盘23、磁铁24等的驱动机构,以及为了使基板与掩模对准而与水平面平行地(在X方向、Y方向、θ方向)移动静电吸盘23以及/或基板支承台21等的驱动机构等。另外,为了使掩模221与基板10对准,还设置有通过设置于真空腔室20的顶棚的窗户对形成于基板10以及掩模221的对准标记进行拍摄的对准用照相机(未图示)。
成膜装置具有控制部26。控制部26具有输送以及对准基板10、控制蒸镀源25、控制成膜等功能。控制部26例如能够由具有处理器、内存器、存储器、I/O等的计算机构成。在这种情况下,控制部26的功能通过由处理器执行存储于内存器或者存储器的程序来实现。作为计算机,既可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入型的计算机或者PLC(programmable logic controller)。或者,也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部26的功能的一部分或者全部。另外,既可以对每一个成膜装置都设置控制部26,也可以通过一个控制部26控制多个成膜装置。
<静电吸盘的构造以及基板的吸附方法>
以下,参照图3以及图4,对本发明的静电吸盘23的构造以及基板10向静电吸盘23的吸附方法进行说明。
图3(a)是本发明的静电吸盘23的剖视图,图3(b)是静电吸盘23的俯视图。
如图3(a)所示,本发明的静电吸盘23具有静电吸盘板状件部31和供电端子部32,所述静电吸盘板状件部31为了通过静电引力吸附基板的成膜面(例如,下表面)的相反侧的面(例如,上表面)而具有电极部;所述供电端子部32连结有用于向静电吸盘板状件部31的电极部供给电压的供电线。
静电吸盘板状件部31可以包括多个电极部。例如,本发明的静电吸盘板状件部31如图3(b)所示,包含两个以上的电极部311至319。
各电极部包括为了产生静电引力而施加正以及负电压的至少一对电极3111、3112。例如,正电极3111以及负电极3112分别具有梳子形状,包括多个梳齿部和与多个梳齿部相连结的基部。各电极3111、3112的基部向梳齿部供给电压,多个梳齿部在与基板10之间产生静电引力。在一个电极部中,正电极3111的梳齿部,以与负电极3112的梳齿部相向的方式交替配置,如图3(b)所示,在与基板10的吸附进行方向(第一方向)交叉的方向上延伸。
在本实施例中,虽然说明了静电吸盘23的电极部311至319的各电极3111、3112具有梳子形状这一方式,但本发明并不局限于此,在各电极3111、3112中,在与基板10之间主要产生静电引力的部分,只要向与基板的吸附进行方向交叉的方向延伸,也可以具有多种形状。
在图3(b)中,虽然图示为电极3111、3112的梳齿部的延伸方向与基板10向静电吸盘23的吸附进行方向呈直角交叉,但是本发明并不局限于此,只要能够在吸附进行方向上交替地感应正电荷和负电荷,在进行基板10向静电吸盘23的吸附的各瞬间,在电极3111、3112的梳齿部有助于吸附的部分的面积,比电极的梳齿部的延伸方向与基板的吸附进行方向平行的情况下大,也可以以其它的角度交叉。
另外,在各电极部311至319中,电极3111、3112的梳齿部的延伸方向未必需要一致,也可以具有相互不同的延伸方向。
此外,不需要所有的电极部311至319的电极3111、3112的梳齿部的延伸方向都与基板10的吸附进行方向交叉,只要在与基板10的吸附进行方向垂直的方向上排列配置的多个电极部(例如,电极部311、312、313)中,在至少一个电极部处,电极3111、3112的梳齿部的延伸方向与基板10的吸附进行方向交叉即可。
静电吸盘23的供电端子部32,如图3(a)所示,配置于与静电吸盘板状件部31的基板吸附面交叉的侧面。通过将供电端子部32设置于静电吸盘板状件部31的侧面,能够防止与静电吸盘板状件部31上方的磁铁24、下方的基板支承台21等干渉。另外,与将供电端子部32设置于静电吸盘板状件部31的上表面或者下表面的情况相比,能够在使对磁铁24的磁力的影响最小化的同时,缩小静电吸盘板状件部31的大小。但是,本发明并不局限于此,也可以将供电端子部32配置于静电吸盘板状件部31的下表面或者上表面。
另外,本发明的静电吸盘23包括电压控制部(未图示),该电压控制部随着成膜装置2的成膜流程的进行,对向电极部311至319施加的电压的大小、电压的施加开始时刻、电压的保持时间、电压的施加顺序等进行控制。电压控制部能够按照各个电极部独立地控制向多个电极部311至319施加电压。特别是,本发明的电压控制部能够控制向多个电极部施加吸附电压的顺序。在本实施方式中,虽然电压控制部与成膜装置2的控制部26分开设置,但本发明并不局限于此,也可以集成到成膜装置2的控制部26。
本发明的静电吸盘板状件部31,具有与多个电极部相对应的多个吸附部。例如,本发明的静电吸盘板状件部,如图3(b)所示,具有与9个电极部311至319对应的9个吸附部231至239,但并不局限于此,为了更精确地控制基板10的吸附,也可以具有其它个数的吸附部。
虽然吸附部以沿着静电吸盘板状件部31的长边方向(Y轴方向)以及短边方向(X轴方向)分割的方式设置,但并不局限于此,也可以仅在静电吸盘板状件部31的长边方向或者短边方向上分割。多个吸附部231至239,既可以物理地通过一个板状件具有多个电极部而实现,也可以物理地通过被分割的多个板状件分别具有一个或者一个以上的电极部而实现。例如,既可以以多个吸附部分别与多个电极部的每一个对应的方式实现,也可以以一个吸附部包含多个电极部的方式实现。
例如,可以通过电压控制部对电极部311至319的电压控制,使在与基板10的吸附进行方向(第一方向)交叉的方向上配置的三个电极部311、312、313形成一个吸附部。即,虽然可以对三个电极部311、312、313分别独立地控制电压,但也可以通过以对这三个电极部311、312、313同时施加吸附电压的方式进行控制,来使这三个电极部311、312、313作为一个吸附部发挥作用。只要能够使多个吸附部分别独立地吸附基板,其具体的物理结构以及电气回路结构都可以改变。
以下,参照图4对本发明中的基板10向静电吸盘23的吸附进行说明。在本发明中,基板10并不是同时被吸附到静电吸盘23的静电吸盘板状件部31的下表面的整个面,而是从静电吸盘板状件部31的下表面的第一边侧开始朝向与其相向的第二边侧依次进行吸附。此时,静电吸盘板状件部31的第一边以及第二边既可以是静电吸盘板状件部31的长边,也可以是短边。在本实施方式中,基板10向静电吸盘板状件部31的吸附,虽然从静电吸盘板状件部31的第一边侧向第二边侧进行,但是本发明并不局限于此,例如,也可以从静电吸盘板状件部31的对角线上的一个角朝向与其相向的另一个角进行基板的吸附。
为了从静电吸盘板状件部31的第一边侧朝向第二边侧(即,第一方向)依次吸附基板,既可以控制向多个电极部311至319施加电压的顺序,也可以是虽然向多个电极部同时施加吸附电压(或者,虽然向仅包括一个电极部的静电吸盘板状件整体施加吸附电压),但使支承基板10的基板支承台21的支承部件的构造、支承力不同。
图4(a)表示通过控制向静电吸盘23的多个电极部311至319施加的电压来使静电吸盘板状件部31依次吸附基板10的实施方式。在此,以如下配置为前提进行说明,即,沿着静电吸盘板状件部31的长边方向配置的3个电极部311、312、313构成第一吸附部231,静电吸盘板状件部31的中央部的三个电极部314至316构成第二吸附部232,剩下的三个电极部317至319构成第三吸附部233。
本发明的电压控制部,在基板的吸附工序中对施加吸附电压进行控制,以便从多个吸附部中的配置于基板的某一长边(第一边)侧的第一吸附部231朝向配置于基板的另一长边(第二边)侧的第三吸附部233按顺序(参照图3(b)的箭头)吸附基板。即,如图4(a)所示,以首先向第一吸附部231施加吸附电压,接着向第二吸附部232施加吸附电压,最后向第三吸附部233施加吸附电压的方式进行控制。若形成这样的结构,则与从某一短边侧朝向另一短边侧施加吸附电压的结构相比,能够进一步扩大依次进行基板10的吸附的各瞬间下同时有助于吸附的电极部分的面积。
若向第一吸附部231施加吸附电压,则在与静电吸盘23的第一吸附部231对应的基板上表面上,感应上与第一吸附部231的电荷相反极性的极化电荷。由此,基板10的第一边侧的周缘部被第一吸附部231吸附而被保持。这样,基板10的中央部的挠曲,从基板10的中央部朝向基板的第二边侧移动。
接着,若对第二吸附部232施加吸附电压,则在与静电吸盘23的第二吸附部232对应的基板上表面(即,基板10的中央部的上表面)上感应上与第二吸附部232的电荷相反极性的极化电荷。由此,基板10的中央部被第二吸附部232吸附而被保持。这样,在基板10的中央部与基板的第二边侧的周缘部之间移动的挠曲,朝向基板的第二边侧的周缘部进一步移动。
最后,若对第三吸附部233施加吸附电压,则同样地基板10的第二边侧的周缘部被第三吸附部233吸附而被保持。由此,基板10的挠曲朝向基板10的第二边侧周缘部进一步伸展,基板10被静电吸盘23平坦地吸附而被保持。
这样,根据本发明的静电吸盘23,由于能够按照吸附部独立地控制基板10的吸附,因此从基板10的第一边侧经由基板的中央部,朝向第二边侧进行基板10的吸附(即,沿着第一方向进行基板的吸附),能够使基板中央部的挠曲有效地向基板10的第二边侧的周缘部侧伸展。
图4(b)表示通过基板支承台21的支承部件的构造、支承力依次进行基板向静电吸盘23的吸附的实施方式。
本发明的基板支承台21包括支承基板10的相向的两个边(例如,长边)中的一个边(第一边)侧的周缘部的第一支承部件211,和支承另一个边(第二边)侧的周缘部的第二支承部件212。即,第一支承部件211以及第二支承部件212,沿着与基板10的吸附进行方向(第一方向)交叉的方向设置。第一支承部件211以及第二支承部件212,既可以分别由多个支承部件构成,也可以由向与第一方向交叉的方向较长地延伸的一个支承部件构成。本发明的基板支承台21,除了第一支承部件211以及第二支承部件212,还可以包括支承连接基板的第一边和第二边的第三边以及第四边侧的周缘部的第三支承部件213和第四支承部件214。
本实施方式的第一支承部件211,以其基板支承面的高度比第二支承部件212的基板支承面的高度高的方式设置,或者以支承基板10的支承力比第二支承部件212的基板支承力大的方式设置。基板支承台21的支承部件211、212分别能够向与基板面交叉的方向、即铅垂方向移动。为此,各支承部件包括弹性体部。
在这样的基板支承台21的支承部件211、212上载置基板10的状态下,若使静电吸盘23朝向基板10下降,则由基板支承面的高度高的第一支承部件211支承的基板的第一边侧的周缘部,先与静电吸盘23接触。此时,由第二支承部件212支承的基板10的第二边侧的周缘部,不与静电吸盘23接触,而在与静电吸盘23之间存在间隙。在该状态下,若向静电吸盘23施加吸附电压,则与静电吸盘23接触的基板10的第一边侧的周缘部被静电引力吸附在静电吸盘23上。
若使静电吸盘23朝向基板10进一步下降,则第一支承部件211通过来自静电吸盘23的加压力而向下方移动(例如,弹性压缩或者弹性拉伸)。由此,从基板10的第一边侧的周缘部朝向基板10的中央部进行基板10的吸附。随着静电吸盘23进一步接近由第二支承部件212支承的基板10的第二边侧的周缘部,从基板10的中央部朝向基板10的第二边侧的周缘部进行吸附,最终由第二支承部件212支承的基板10的第二边侧的周缘部被静电吸盘23吸附。这样,通过使基板支承台21的支承部件的高度不同,从而从基板10的第一边侧的周缘部朝向第二边侧的周缘部依次吸附基板10。
同样地,通过使第一支承部件211的弹性体部的弹性模量比第二支承部件212的弹性体部的弹性模量大等方法,使第一支承部件211的基板支承力比第二支承部件212的基板支承力大,由此也能够使基板10的中央部的挠曲一边朝向第二边侧的周缘部伸展,一边朝向第二边侧的周缘部依次进行基板10的吸附。
在本实施方式中,虽然对如下的实施方式进行了说明,即,为了从静电吸盘23的一边朝向相向的另一边(沿着第一方向)依次进行基板的吸附,对向多个吸附部(或者电极部)施加电压的顺序进行控制,或者使基板支承台的支承部件的高度、支承力不同,但是也可以组合这些方式,还可以使用其它方法。
根据本发明,由于静电吸盘板状件部31的电极部311至319所包含的电极3111、3112的梳齿部,向与基板10的吸附进行方向(第一方向)交叉的方向延伸,因此基板10向吸附进行方向的吸附速度加快,依次进行基板10的吸附的各瞬间下的、电极3111、3112的梳齿部对吸附的贡献度也变得越大。由此,能够整体地使基板10的吸附速度加快。即,通过将电极3111、3112的梳齿部设置成向与基板10的吸附的进行方向(第一方向)交叉的方向延伸,能够在基板10的吸附进行方向交替地感应正电荷和负电荷,因此能够加快基板10向该方向的吸附速度。另外,在依次进行基板10的吸附的某瞬间下,与基板10的吸附进行方向交叉的方向上的电极3111、3112的梳齿部所占的面积(在图3(b)的左下方,由虚线包围的部分概略地表示电极的有助于吸附的部分),与以沿着基板的吸附进行方向延伸的方式设置电极的梳齿部的情况(在图7的左下方,由虚线包围的部分概略地表示电极的有助于吸附的部分)相比变大,因此向基板10上感应极化电荷的速度变快。其结果,在基板的吸附进行方向以及与基板的吸附进行方向交叉的方向上,基板10的吸附速度加快,能够缩短基板整体的吸附时间。
<成膜流程>
以下,参照图5说明采用本发明的基板吸附方法的成膜方法。
在真空腔室20内的掩模台22上放置掩模221的状态下,通过输送室13的输送机器人14将基板10送入成膜装置2的真空腔室20内(图5(a))。
进入到真空腔室20内的输送机器人14的手部下降,将基板10载置于基板支承台21的支承部件211,212上(图5(b))。
接着,静电吸盘23朝向基板10下降,在与基板10充分接近或者接触之后,向静电吸盘23施加吸附电压,吸附并保持基板10(图5(c))。根据本发明,由于静电吸盘23的电极部311至319中的电极3111、3112(的梳齿部),在与基板向静电吸盘23的吸附进行方向交叉的方向上延伸,因此能够在吸附进行方向上交替地感应上正电荷和负电荷,并且在进行基板向静电吸盘23的吸附的各瞬间下,能够增加电极3111、3112(的梳齿部)的吸附贡献度,能够整体缩短基板向静电吸盘23的吸附时间。
在由静电吸盘23保持基板10的状态下,为了测量基板相对于掩模的相对位置偏移,使基板10朝向掩模221下降(图5(d))。
若基板10下降到测量位置,则利用对准用照相机对形成在基板10和掩模221上的对准标记进行拍摄,测量基板10与掩模221的相对位置偏移(参照图5(e))。
对于测量的结果,若判明基板相对于掩模的相对位置偏移超过阈值,则使由静电吸盘23保持的状态下的基板10向水平方向(XYθ方向)移动,相对于掩模对基板进行位置调整(对准)(参照图5(f))。
在这样的对准工序之后,将由静电吸盘23保持的基板10载置在掩模221上,并使磁铁24下降,通过磁铁24对于掩模221的磁力使基板10与掩模221紧贴(图5(g))。
接着,打开蒸镀源25的闸门,经由掩模将蒸镀材料蒸镀到基板10上(图5(h))。若在基板上形成了所希望厚度的膜,则关闭蒸镀源25的闸门,结束成膜工序。
若成膜工序结束,则磁铁24上升,解除掩模221与基板10的紧贴(图5(i))。
接着,通过静电吸盘23与基板支承台21的上升,基板10从掩模221分离并上升(图5(j))。
然后,输送机器人14的手部进入成膜装置2的真空腔室20内,对静电吸盘23施加分离电压,在静电吸盘23的吸附力充分变弱之后,使静电吸盘23从基板10分离并上升(图5(k))。然后,从真空腔室20搬出蒸镀结束后的基板10。
在本实施方式中,虽然对在解除基板10与掩模221的紧贴、使基板10从掩模221分离之后进行使基板10从静电吸盘23分离的分离工序进行了说明,但是本发明并不局限于此,例如,也可以在将进行了位置调整的基板10载置在掩模221上,磁铁24下降而使基板10与掩模221相互紧贴的阶段之后,在开始成膜工序之前向静电吸盘23施加作为分离电压的第二电压。这是因为,在将基板10载置在掩模221上的状态下,通过磁铁24的磁力将基板10与掩模221保持为紧贴的状态。
<电子设备的制造方法>
接着,对使用本实施方式的成膜装置的电子设备的制造方法的一例进行说明。以下,作为电子设备的例子例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。
首先,对要制造的有机EL显示装置进行说明。图6(a)是有机EL显示装置60的整体图,图6(b)表示1个像素的截面构造。
如图6(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61,以矩阵状配置有多个具有多个发光元件的像素62。虽然详细结构将在后面进行说明,但每一个发光元件具有如下结构,即,具有由一对电极夹持的有机层。另外,此处所说的像素,是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下,通过显示相互不同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合构成像素62。像素62大多由红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件的组合构成,但是也可为黄色发光元件、青色发光元件、白色发光元件的组合,只要为至少一种颜色以上,就没有特别的限制。
图6(b)是沿着图6(a)的A-B线的局部截面示意图。像素62具有有机EL元件,所述有机EL元件在基板63上具有第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子输送层67、第二电极(阴极)68。这些元件中,空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。另外,在本实施方式中,发光层66R是发红色光的有机EL层,发光层66G是发绿色光的有机EL层,发光层66B是发蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发红色、绿色、蓝色光的发光元件(有时也记作有机EL元件)相对应的图案。另外,第一电极64按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67、第二电极68,既可以与多个发光元件62R、62G、62B共通形成,也可以在每个发光元件上形成。另外,为了防止第一电极64和第二电极68因异物而短路,在第一电极64之间设置有绝缘层69。此外,由于有机EL层因水分、氧而劣化,所以还设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧侵蚀的保护层70。
在图6(b)中,虽然以一层表示空穴输送层65、电子输送层67,但是根据有机EL显示元件的构造,也可以以包含空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外,在第一电极64与空穴输送层65之间还可形成有具有能带构造的空穴注入层,所述空穴注入层能够顺利地进行从第一电极64向空穴输送层65的空穴注入。同样地,也可以在第二电极68与电子输送层67之间形成电子注入层。
下面,对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体的说明。
首先,准备形成有用于驱动有机EL显示装置的回路(未图示)以及第一电极64的基板63。
在形成有第一电极64的基板63上通过旋转涂敷形成丙烯树脂,利用光刻法对丙烯树脂以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式形成图案、形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将形成有绝缘层69的图案的基板63送入第一有机材料成膜装置,利用基板支承台以及静电吸盘保持基板,在显示区域的第一电极64上作为共通的层对空穴输送层65进行成膜。空穴输送层65利用真空蒸镀进行成膜。实际上,由于空穴输送层65形成为比显示区域61大的尺寸,因此不需要高精细的掩模。
接着,将形成至空穴输送层65的基板63送入第二有机材料成膜装置,利用基板支承台以及静电吸盘进行保持。进行基板与掩模的对准,并将基板载置在掩模上,在基板63的配置发红色光的元件的部分,对发红色光的发光层66R进行成膜。
与发光层66R的成膜同样地,利用第三有机材料成膜装置对发绿色光的发光层66G进行成膜,进而利用第四有机材料成膜装置对发蓝色光的发光层66B进行成膜。在发光层66R、66G、66B的成膜结束后,利用第五成膜装置在整个显示区域61对电子输送层67进行成膜。电子输送层67作为对3色的发光层66R、66G、66B共通的层而形成。
利用金属性蒸镀材料成膜装置移动形成至电子输送层67的基板并对第二电极68进行成膜。
根据本发明,静电吸盘23的电极部311至319的电极3111、3112(的梳齿部),在与基板向静电吸盘23的吸附进行方向交叉的方向上延伸,因此在吸附进行方向上交替地感应正电荷和负电荷,并且在进行基板向静电吸盘23的吸附的各瞬间,能够增加电极3111、3112(的梳齿部)的对吸附的贡献度,能够整体缩短基板向静电吸盘23的吸附时间。
之后,向等离子CVD装置移动、对保护层70进行成膜,完成有机EL显示装置60。
从将形成有绝缘层69的图案的基板63送入成膜装置开始至保护层70的成膜结束为止,若暴露于包含水分、氧的环境,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分、氧而劣化。因此,在本例中,成膜装置之间的基板的送入搬出,都在真空环境或者惰性气体环境下进行。
上述实施例表示本发明的一例,但本发明并不限定于上述实施例的结构,在其技术思想的范围内可以进行适当的变形。
符号说明
21:基板支承台
22:掩模台
23:静电吸盘
24:磁铁
31:静电吸盘板状件部
32:供电端子部
211:第一支承部件
212:第二支承部件
231:第一吸附部
232:第二吸附部
233:第三吸附部
311至319:电极部
321、322:供电端子
3111:正电极
3112:负电极

Claims (14)

1.一种静电吸盘,包括具有多个电极部的静电吸盘板状件部,用于吸附并保持基板,其特征在于,
所述电极部包括分别具有梳子形状的一对正电极和负电极,
所述正电极的每一个梳齿部和所述负电极的每一个梳齿部,在规定方向上延伸,并且在与所述规定方向交叉的交叉方向上交替地配置,
包括对所述电极部在所述交叉方向上按顺序施加电压的电压施加部。
2.如权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述静电吸盘板状件部具有长边和短边,所述规定方向是所述长边的方向。
3.如权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述电压施加部具有供电端子部,
所述供电端子部设置在所述静电吸盘板状件部的与基板吸附面交叉的侧面。
4.如权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述静电吸盘板状件部具有与所述多个电极部对应的多个吸附部。
5.如权利要求4所述的静电吸盘,其中,所述多个吸附部以在所述交叉方向上分割的方式进行配置。
6.如权利要求4所述的静电吸盘,其中,所述多个吸附部,以在所述规定方向以及所述交叉方向上分割的方式进行配置。
7.一种成膜装置,经由掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜,其特征在于,包括:
设有具有多个电极部的静电吸盘板状件部,用于从上方吸附并保持基板的静电吸盘,和
设置在所述静电吸盘的下方,用于从下方支承基板的基板支承台,
所述电极部包括分别具有梳子形状的一对正电极和负电极,
所述正电极的每一个梳齿部和所述负电极的每一个梳齿部,在规定方向上延伸,并且在与所述规定方向交叉的交叉方向上交替地配置,
上述成膜装置包括对所述电极部在所述交叉方向上按顺序施加电压的电压施加部。
8.一种基板吸附方法,用于使静电吸盘吸附基板,其特征在于,
包括对所述静电吸盘的静电吸盘板状件部所包含的多个电极部施加电压,使所述静电吸盘板状件部吸附基板的阶段,
所述电极部包括分别具有梳子形状的一对正电极和负电极,
所述正电极的每一个梳齿部和所述负电极的每一个梳齿部,在规定方向上延伸,并且在与所述规定方向交叉的交叉方向上交替地配置,
在所述吸附的阶段,对所述电极部在所述交叉方向上按顺序施加电压。
9.如权利要求8所述的基板吸附方法,其特征在于,所述静电吸盘板状件部具有长边和短边,所述规定方向是所述长边的方向。
10.如权利要求8所述的基板吸附方法,其特征在于,所述静电吸盘板状件部具有与所述多个电极部对应的多个吸附部。
11.如权利要求10所述的基板吸附方法,其中,所述多个吸附部以在所述交叉方向上分割的方式进行配置。
12.如权利要求10所述的基板吸附方法,其中,所述多个吸附部,以在所述规定方向以及所述交叉方向分割的方式进行配置。
13.一种成膜方法,经由掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜,其特征在于,包括:
在基板支承台上载置基板的阶段;
从基板的上方使静电吸盘接近或者接触基板的阶段;
使用权利要求8~权利要求12中的任一项所述的基板吸附方法使基板吸附于静电吸盘的阶段;
在掩模上载置基板的阶段;
经由掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
14.一种电子设备的制造方法,使用权利要求13所述的成膜方法制造电子设备。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158174A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Canon Inc 静電吸着装置、その製造方法及び固定保持方法
JP2007246983A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Seiko Epson Corp 成膜装置
JP2010199177A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd 静電チャック及びプラズマ処理装置
WO2012165250A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電吸着体及びこれを用いた静電吸着装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6095932A (ja) * 1983-10-31 1985-05-29 Toshiba Mach Co Ltd 静電チヤツク
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2008041993A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
WO2008041293A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. Procédé de transfert de pièce, dispositif à mandrin électrostatique et procédé de jonction de carte
WO2010004915A1 (ja) * 2008-07-08 2010-01-14 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
KR101219054B1 (ko) * 2009-05-27 2013-01-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 정전 흡착 전극 및 그 제조 방법, 그리고 기판 처리 장치
KR100965414B1 (ko) * 2010-03-12 2010-06-24 엘아이지에이디피 주식회사 바이폴라 전극 패턴이 형성된 정전 척
JP2011195907A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd マスク保持装置及び薄膜形成装置
KR101923174B1 (ko) * 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103066000B (zh) * 2011-10-19 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
TWI575330B (zh) * 2012-03-27 2017-03-21 尼康股份有限公司 光罩搬送裝置、光罩保持裝置、基板處理裝置、及元件製造方法
CN105579612B (zh) * 2013-09-20 2019-06-14 应用材料公司 具有一体式静电夹盘的基板载体
JP6217303B2 (ja) * 2013-10-17 2017-10-25 株式会社シンコーモールド 導電性シリコーンゴム製電極パターンの作製方法並びにオールシリコーンゴム製静電チャック及びその製造方法
KR102308906B1 (ko) * 2015-03-26 2021-10-06 삼성디스플레이 주식회사 정전 척 시스템과, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN106024682B (zh) * 2015-03-31 2020-07-21 松下知识产权经营株式会社 等离子处理装置以及等离子处理方法
KR101853889B1 (ko) * 2016-02-29 2018-05-02 주식회사 선익시스템 정전척을 이용한 기판 얼라인 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158174A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Canon Inc 静電吸着装置、その製造方法及び固定保持方法
JP2007246983A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Seiko Epson Corp 成膜装置
JP2010199177A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd 静電チャック及びプラズマ処理装置
WO2012165250A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電吸着体及びこれを用いた静電吸着装置

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