JP7127765B2 - 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 275
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
中央部を経て、基板の左側の長辺の周縁部に向かう方向(吸着方向)に進行される。
図1は、電子デバイスの製造ラインの構成の一部を模式的に示す上視図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、約1800mm×約1500mmのサイズの基板に有機ELの成膜を行った後、該基板を切出して複数の小さなサイズのパネルに作製する。
図2は、成膜装置2の構成を概略的に示す断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を使う。成膜時に基板10が水平面(XY平面)と平行に固定されることを仮定する時、基板10の短辺に平行な方向をX方向、長辺に平行な方向をY方向とする。またZ軸周りの回転角をθで表示する。
サが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューター、またはPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。または、制御部26の機能の一部または全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部26が設置されていてもよいし、一つの制御部26が複数の成膜装置を制御するものとしてもよい。
以下、図3及び図4を参照して、本発明の静電チャック23の構造及び静電チャック23への基板10の吸着方法について説明する。
の吸着進行方向と交差すればよい。
らこれと対向する他の角に向かって基板の吸着が進行されることもできる。
向かって、基板10の吸着が進行され(すなわち、第1方向に基板の吸着が進行され)、基板中央部の撓みが効果的に基板10の第2辺側の周縁部側に伸びることができるようになる。
っと大きくなる。これにより、全体的に基板10の吸着速度を増加させることができるようになる。すなわち、電極3111、3112の櫛歯部を基板10の吸着の進行方向(第1方向)と交差する方向に延在するように設けることで、基板10の吸着進行方向にプラス電荷とマイナス電荷とが交互に誘導されるので、当該方向への基板10の吸着速度を早くすることができる。また、基板10の吸着が順次に進行されるある瞬間において、基板10の吸着の進行方向と交差する方向においての電極3111、3112の櫛歯部の占める面積(図3(b)の左下に、点線で囲んだ部分の電極の吸着に寄与する部分を概略的に示してある)が、電極の櫛歯部が基板の吸着進行方向に延在するように設けられた場合(図7(b)の左下に、点線で囲んだ部分の電極の吸着に寄与する部分を概略的に示してある)に比べて、大きくなるので、基板10に分極電荷が誘導される速度が早くなる。その結果、基板の吸着進行方向及び基板の吸着進行方向と交差する方向すべてにおいて、基板10の吸着速度が速くなり、基板全体的に、吸着時間が短縮される。
以下、本発明の基板吸着方法を採用した成膜方法について図5を参照して説明する。
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。
22:マスク台
23:静電チャック
24:マグネット
31:静電チャックプレート部
32:給電端子部
211:第1支持部材
212:第2支持部材
231:第1吸着部
232:第2吸着部
233:第3吸着部
311乃至319:電極部
321、322:給電端子
3111:プラス電極
3112:マイナス電極
Claims (23)
- 第1方向に並んだ複数の電極部を有する静電チャックプレート部と、
前記複数の電極部に対して前記第1方向において順番に電圧を印加する電圧印加部と、を備え、
基板を吸着して保持するための静電チャックにおいて、
前記複数の電極部の少なくとも1つは、プラス電極とマイナス電極とを含み、
前記プラス電極及び前記マイナス電極のそれぞれは、前記第1方向に沿って延在する基部と、前記基部に連結され、かつ、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在する複数の櫛歯部と、を含み、
前記プラス電極の前記複数の櫛歯部及び前記マイナス電極の前記複数の櫛歯部は、前記第1方向に沿って交互に並び、
前記静電チャックプレート部の外縁は、前記第1方向に沿った短辺と、前記第2方向に沿った長辺を有する
ことを特徴とする静電チャック。 - 前記第2方向は、前記第1方向と直角を成すように交差する請求項1に記載の静電チャック。
- 前記第1方向は、前記静電チャックプレート部の第1辺側から前記第1辺と対向する第2辺側に向ける方向である請求項1に記載の静電チャック。
- 前記静電チャックプレート部は長辺と短辺を有し、前記第1方向は前記短辺の方向であり、前記第2方向は前記長辺の方向である請求項1に記載の静電チャック。
- 前記電圧印加部は給電端子部を含み、
前記給電端子部は、前記静電チャックプレート部の基板吸着面と交差する側面に設置される請求項1に記載の静電チャック。 - 前記静電チャックプレート部は、前記複数の電極部に対応する複数の吸着部を含む請求項1に記載の静電チャック。
- 前記複数の吸着部は、前記第1方向に分割されるように配置される請求項6に記載の静電チャック。
- 前記複数の吸着部は、前記第2方向及び前記第1方向に分割されるように配置される請求項7に記載の静電チャック。
- 前記第1方向は、前記静電チャックプレート部の第1辺側に配置された吸着部から前記第1辺と対向する第2辺側に配置される吸着部に向ける方向である請求項6に記載の静電チャック。
- 前記第1辺は、前記静電チャックプレート部の長辺である請求項9に記載の静電チャック。
- 前記第1辺は、前記静電チャックプレート部の短辺である請求項9に記載の静電チャック。
- マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
第1方向に並んだ複数の電極部を有する静電チャックプレート部を備え、基板を上方から吸着して保持するための静電チャックと、
前記静電チャックの下方に設置されて、基板を下方から支持するための基板支持台と、
前記複数の電極部に対して前記第1方向において順番に電圧を印加する電圧印加部と、を含み、
前記複数の電極部の少なくとも1つは、プラス電極とマイナス電極とを含み、
前記プラス電極及び前記マイナス電極のそれぞれは、前記第1方向に沿って延在する基部と、前記基部に連結され、かつ、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在する複数の櫛歯部と、を含み、
前記プラス電極の前記複数の櫛歯部及び前記マイナス電極の前記複数の櫛歯部は、前記第1方向に沿って交互に並び、
前記静電チャックプレート部の外縁は、前記第1方向に沿った短辺と、前記第2方向に沿った長辺を有する
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記基板支持台は、前記静電チャックの静電チャックプレート部の第1辺に沿って設置される第1支持部材と、前記第1辺と対向する前記静電チャックプレート部の第2辺に沿って設置される第2支持部材とを含み、
前記第1方向は、前記第1支持部材側から前記第2支持部材側に向ける方向である請求項12に記載の成膜装置。 - 前記第1支持部材は、前記第2支持部材よりその基板支持面の高さが高い請求項13に記載の成膜装置。
- 前記第1支持部材は、前記第2支持部材より基板に対する支持力が大きい請求項13に記載の成膜装置。
- マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
基板を上方から吸着して保持するための請求項1~請求項11のいずれか1項に記載の静電チャックと、
前記静電チャックの下方に設置されて、基板を下方から支持するための基板支持台とを含む成膜装置。 - 第1方向に並んだ複数の電極部を有する静電チャックプレート部を備える静電チャックに基板を吸着させる方法であって、
前記電極部に対して前記第1方向において順番に電圧を印加することで、基板を前記静電チャックプレート部に吸着させる段階を含み、
前記複数の電極部の少なくとも1つは、プラス電極とマイナス電極とを含み、
前記プラス電極及び前記マイナス電極のそれぞれは、前記第1方向に沿って延在する基部と、前記基部に連結され、かつ、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在する複数の櫛歯部と、を含み、
前記プラス電極の前記複数の櫛歯部及び前記マイナス電極の前記複数の櫛歯部は、前記第1方向に沿って交互に並び、
前記静電チャックプレート部の外縁は、前記第1方向に沿った短辺と、前記第2方向に沿った長辺を有する
ことを特徴とする基板吸着方法。 - 前記吸着させる段階は、前記静電チャックプレート部の第1辺に沿って設置される第1支持部材と、前記第1辺と対向する前記静電チャックプレート部の第2辺に沿って設置される第2支持部材とを含む基板支持台上に載置された基板に前記静電チャックを近接又は接触させる段階を含み、
前記第1方向は、前記第1支持部材から前記第2支持部材に向ける方向である請求項17に記載の基板吸着方法。 - 前記第1支持部材は、前記第2支持部材よりその基板支持面が高い請求項18に記載の基板吸着方法。
- 前記第1支持部材は、前記第2支持部材より基板に対する支持力が大きい請求項18に記載の基板吸着方法。
- 前記吸着させる段階では、前記静電チャックプレート部に含まれた複数の電極部に前記第1方向に沿って順次に電圧を印加する請求項17に記載の基板吸着方法。
- マスクを介して基板に蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
基板支持台上に基板を載置する段階と、
基板の上方から静電チャックを基板上に近接または接触させる段階と、
請求項17~請求項21のいずれか1項に記載の基板吸着方法を用いて基板を静電チャックに吸着させる段階と、
基板をマスク上に載置する段階と、
マスクを介して基板に蒸着材料を成膜する段階と、を含む成膜方法。 - 電子デバイスの製造方法として、請求項22に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0180999 | 2017-12-27 | ||
KR1020170180999A KR20190100980A (ko) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 정전척, 성막장치, 기판흡착방법, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019117924A JP2019117924A (ja) | 2019-07-18 |
JP2019117924A5 JP2019117924A5 (ja) | 2021-09-16 |
JP7127765B2 true JP7127765B2 (ja) | 2022-08-30 |
Family
ID=67076017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018161966A Active JP7127765B2 (ja) | 2017-12-27 | 2018-08-30 | 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7127765B2 (ja) |
KR (1) | KR20190100980A (ja) |
CN (1) | CN109972085B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3993415A4 (en) | 2019-06-25 | 2023-05-31 | Nippon Hoso Kyokai | ENCODING DEVICE, DECODING DEVICE, AND PROGRAM |
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---|---|---|---|---|
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- 2018-08-30 JP JP2018161966A patent/JP7127765B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109972085B (zh) | 2023-05-19 |
JP2019117924A (ja) | 2019-07-18 |
CN109972085A (zh) | 2019-07-05 |
KR20190100980A (ko) | 2019-08-30 |
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