JP6931851B2 - 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6931851B2
JP6931851B2 JP2018158431A JP2018158431A JP6931851B2 JP 6931851 B2 JP6931851 B2 JP 6931851B2 JP 2018158431 A JP2018158431 A JP 2018158431A JP 2018158431 A JP2018158431 A JP 2018158431A JP 6931851 B2 JP6931851 B2 JP 6931851B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
magnetic force
substrate
film forming
applying means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018158431A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019116679A (ja
Inventor
一史 柏倉
一史 柏倉
石井 博
石井  博
映之 細谷
映之 細谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of JP2019116679A publication Critical patent/JP2019116679A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6931851B2 publication Critical patent/JP6931851B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、成膜装置及び成膜方法に関するもので、具体的には、成膜装置においてマスクを基板に密着させるための方法及び装置に関するものである。
最近、フラットパネル表示装置として有機EL表示装置が脚光を浴びている。有機EL表示装置は自発光ディスプレイであり、応答速度、視野角、薄型化などの特性が液晶パネルディスプレイより優れており、モニタ、テレビ、スマートフォンに代表される各種携帯端末などで既存の液晶パネルディスプレイを早いスピードで代替している。また、自動車用ディスプレイ等にも、その応用分野を広げている。
有機EL表示装置の素子は、2つの向かい合う電極(カソード電極、アノード電極)の間に発光を起こす有機物層が形成された基本構造を持つ。有機ELディスプレイ素子の有機物層と電極金属層は真空チャンバー内で、画素パターンが形成されたマスクを介して基板に蒸着物質を蒸着させることで製造される。
このような成膜プロセスにおいて、マスク上の画素パターンを高精度で基板に成膜するためには、基板への蒸着が行われる前にマスクと基板の相対的位置を精密に調整し、マスクを基板の成膜面に密着させなければならない。
マスクを基板の成膜面に密着させるために、マグネット板を用いて、基板の上部から基板の下部の金属製のマスクに磁力を印加している。すなわち、相対的位置が調整(アライメント)された基板をマスクの上面に載置した状態で、マグネット板を基板の上面に当接させることで、マグネット板のマグネットによって、金属製のマスクに印加される磁力を通じて基板とマスクとを密着させる。
例えば、図7に図示した従来技術では、基板ホルダ721によって下面の周縁部が保持された基板710を、マスク台722に保持されたマスク730上に載置した後、マグネット板724及び冷却板723を下降させて、マグネット板724からマスク730に加えられる磁力によってマスク730と基板710とを引き付けて密着させる。
ところが、マスク台722上に保持されたマスク730は、その自重によって撓む状態で保持される。ここに、基板710が置かれると、マスク730は、基板の重量を受け、さらに撓むようになる。この状態で、マグネット板724及び冷却板723を、冷却板723の下面が基板の上面周縁部に接触するまで下降させ、マスクに磁力を印加して引き寄せれば、マスクと基板とが全体的に引き寄せられて撓みが減少する。しかし、基板710の上面の周縁部が冷却板723の下面に接触した状態で、マスクと基板とが引き寄せられると、基板とマスクの中央部の撓みが完全には解消できず、基板及びマスクの中央部にしわが残った状態で密着される。
さらに、マスクと基板の撓みの程度が異なるので、マグネット板724の磁力を持ってしても、マスクと基板とが完全に密着することができず、マスクと基板との間に隙間が生じる。このような隙間によって、基板の成膜領域に蒸着材料が高精度で成膜されることができない成膜ボケが生じる。
一方、最近、基板の自重による撓みを防止するため、基板を下方からのみ保持する基板ホルダの代りに(または基板ホルダとともに)、静電チャックの静電引力によって基板の上面を保持する方法が検討されている。静電チャックは、基板の上面を静電引力によって吸着するので、基板の直上に設置される。
したがって、静電チャックを用いて基板を保持し、静電チャックに保持された基板とマスクとをマグネット板によって密着させる構造の成膜装置においては、静電チャックがマグネット板の下で基板を保持するようになる。
例えば、図8に図示したように、静電チャック823に吸着されて保持された基板810をマスク830と密着させるため、基板810の下面の周縁部がマスク830の上面周縁部に接触するまで、静電チャック823を下降させた後、マグネット板824を下降させて、マスクに磁力を印加すれば、マスクが磁力によって引き付けられて、その撓みが減少するようになる。
ところが、静電チャック823に保持された基板810の下面周縁部がマスク830の上面周縁部に接触した状態で、マスクが引き寄せられるので、マスクの自重による撓みが完全には解消できず、マスクの中央部にしわが残った状態で、基板に付着する。すなわち、図7に図示した従来技術に比べて、静電チャック823の採用によって、基板の自重による撓みの影響は少なくなるが、依然として、基板810とマスク830との間に隙間ができ、成膜ボケが生じる。
本発明は、静電チャックを用いて基板を保持し、磁力印加手段を用いて、基板とマスクとを密着させる構造の成膜装置において、基板とマスクを隙間なく密着させるための成膜装置、これを用いる成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを主な目的とする。
本発明の第1態様による成膜装置は、基板を保持するための静電チャックと、前記静電チャックの基板保持面側に設置されて、マスクを保持するためのマスク台と、前記静電チャックの基板保持面の反対側に設置されて、前記マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、前記静電チャック、前記マスク台及び前記磁力印加手段を制御する制御部とを含み、前記制御部は、前記基板と前記マスクとを密着させるために前記磁力印加手段を制御する前に、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが所定の間隔を持つように、前記静電チャック及び前記マスク台の少なくとも一方を制御し前記制御部は、前記基板と前記マスクとを密着させる際に、前記マスクに磁力を印加することで、前記マスクの一部が前記基板に接し、その後、前記マスクの前記基板に接する部分が前記一部を起点として順に広がるように、前記磁力印加手段を制御する

本発明の第2態様による成膜方法は、マスクをマスク台上に載置する段階と静電チャックで基板を吸着して保持する段階と、静電チャックに保持された基板と前記マスク台上に載置されたマスク間の間隔が所定の間隔になるように、前記静電チャックまたは前記マスク台を相対的に移動させる段階と、前記基板と前記マスクが前記所定の間隔で離隔された状態で、前記マスクの一部が前記基板に接し、その後、前記マスクの前記基板に接する部分が前記一部を起点として順に広がるように、磁力印加手段が前記マスクに磁力を印加することにより、前記マスクを前記基板の成膜領域に密着させる段階と、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階とを含む。
本発明の第3態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第2態様による成膜方法を用いて、電子デバイスを製造する。
本発明によれば、基板とマスクとを密着させるために、基板を保持する静電チャックをマスクに向けて下降させる時、或いは、マスクを保持するマスク台を静電チャックに保持
された基板に向けて上昇させる時、基板とマスクとの間に所定の間隔を設けた位置までに下降または上昇させた後、磁力印加手段を下降させてマスクに磁力を印加する。磁力印加手段からの磁力でよって、マスクが引き寄せられてマスクの中央部の撓みが減少する際、マスクの周縁部が基板と接触せず、所定の間隔で離隔されているので、マスクの中央部の撓みがマスクの周縁部に向けて円滑に伸びることができるようになる。その結果、マスクの自重による撓みがマスクの周縁部に分散され、マスクのしわが基板の成膜領域の外に寄るようになるので、基板とマスクとの間に隙間が残らないようになり、成膜ボケを低減することができるようになる。
図1は、有機EL表示装置の製造ラインの一部の模式図である。 図2は、本発明の成膜装置の模式図である。 図3は、本発明の成膜装置によるマスク付着方法を示す模式図である。 図4は、本発明の成膜装置の一実施形態による磁力印加手段及びその制御方法を示す模式図である。 図5は、本発明の成膜装置の他の実施形態による磁力印加手段及びその制御方法を示す模式図である。 図6は、本発明による成膜方法を用いて製造される電子デバイスの一例を示す概略図である。 図7は、従来技術における基板とマスクとの密着工程を示す模式図である。 図8は、他の従来技術における基板とマスクとの密着工程を示す模式図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は、本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
本発明は、基板の表面に真空蒸着によって所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、硝子、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができ、また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL表示装置、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、有機EL表示装置の製造装置は、基板の大型化又は、表示パネルの高精細化などにつれて、基板とマスクのアライメント精度及び密着精度のさらなる向上が求められているので、本発明の望ましい適用例の一つである。
<電子デバイス製造ライン>
図1は、電子デバイスの製造ラインの構成の一部を模式的に示す上視図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、約1800mm×約1500mmのサイズの基板に有機ELの成膜を行った後、該基板を切り出して、複数の小さなサイズのパネルを作製する。
電子デバイスの製造ラインは、一般に、図1に示すように、複数の成膜室11、12と、搬送室13とを有する。搬送室13内には、基板10を保持し搬送する搬送ロボット14が設けられている。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板10を保持す
るロボットハンドが取り付けられた構造を持つロボットであり、各成膜室への基板10の搬入/搬出を行う。
各成膜室11、12には、それぞれ成膜装置(蒸着装置とも称する)が設けられている。搬送ロボット14との基板10の受け渡し、基板10とマスクの相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板10の固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動で行われる。
以下、成膜室の成膜装置の構成について説明する。
<成膜装置>
図2は、成膜装置2の構成を概略的に示す断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を使う。成膜時に、基板10が水平面(XY平面)と平行に固定されることを仮定する時、基板10の短辺に平行な方向をX方向、長辺に平行な方向をY方向とする。また、Z軸周りの回転角をθで表示する。
成膜装置2は、成膜工程が行われる空間を定義する真空チャンバー20を具備する。真空チャンバー20の内部は、真空雰囲気、或いは、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される。
成膜装置2の真空チャンバー20内の上部には、基板10を支持する基板支持台21、マスクが置かれるマスク台22、基板10を静電引力によって保持する静電チャック23、金属製のマスクに磁力を印加するための磁力印加手段24などが設けられ、成膜装置の真空チャンバー20内の下部には、蒸着材料が収納される蒸着源25などが設けられる。
基板支持台21には、搬送室13の搬送ロボット14によって真空チャンバー20内に搬入された基板10が載置される。基板支持台21は、真空チャンバー20に固定させるように設けられてもよく、鉛直方向に昇降可能に設けられてもいい。基板支持台21は、基板10の下面の周縁部を支持する支持部材211、212を含む。
基板支持台21の下には、フレーム状のマスク台22が設置される。マスク台22は、真空チャンバー20に固定されるように設置されてもよく、鉛直方向に昇降可能に設置されてもいい。マスク台22には、基板10上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有するマスク221が置かれる。特に、スマートフォン用の有機EL素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、FMM(Fine Metal Mask)とも呼ぶ。
基板支持台21の支持部材211、212の上方には、基板10を静電引力によって保持して固定させるための静電チャック23が設けられる。静電チャック23は、例えば、誘電体(例えば、セラミック材質)マトリックス内に、金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。金属電極にプラス(+)及びマイナス(−)の電圧が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板10に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これら間の静電気的引力によって、基板10が静電チャック23に保持及び固定される。静電チャック23は、一つのプレートで形成することもでき、複数のサブプレートを持つように形成してもいい。また、一つのプレートで形成する場合にも、その内部の電気回路を複数含んで、一つのプレート内で位置によって静電引力を独立的に制御することができる。
静電チャック23の上部には、金属製のマスク221に磁力を印加してマスク221の撓みを防止し、マスク221と基板10を密着させるための磁力印加手段24が設けられる。磁力印加手段24は、永久磁石または電磁石からなり、複数の磁石モジュールを含むことができる。本発明の磁力印加手段24の詳細な構造及び磁力印加手段24による基板10とマスク221の密着方法については、図3ないし5を参照して、後述する。
図2には図示されていないが、静電チャック23と磁力印加手段24との間には、基板10を冷却するための冷却板が設けられてもいい。冷却板は、静電チャック23又は、磁力印加手段24と一体に形成されてもいい。
蒸着源25は、基板10に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、蒸着源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。蒸着源25は、点(point)蒸着源、線形(linear)蒸着源などの用途によって多様な構成を持つことができる。
図2に図示されていないが、成膜装置2は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び膜厚算出ユニット(不図示)を含む。
成膜装置2の真空チャンバー20の外部上面には、基板支持台21、マスク台22、静電チャック23、磁力印加手段24などを鉛直方向(Z方向)に移動させるための駆動機構、及び基板10とマスク221のアライメントのために水平面に平行に(X方向、Y方向、θ方向に)静電チャック23などを移動させるための駆動機構などが設けられる。また、マスク221と基板10のアライメントのために、真空チャンバー20の天井に設けられた窓を通じて基板10及びマスク221に形成されたアライメントマークを撮影するアライメント用カメラ(不図示)も設けられる。
成膜装置は、制御部26を具備する。制御部26は、基板10の搬送及びアライメント、蒸着源25の制御、成膜の制御などの機能を有する。特に、本発明の制御部26は、基板10とマスク221とを密着させるために、静電チャック23又はマスク台22を昇降させる時、静電チャック23とマスク台22とが所定の間隔を持つ位置まで、或いは、静電チャック23に保持された基板10とマスク台22に置かれたマスク221とが所定の間隔を持つ位置まで、静電チャック23又はマスク台22を昇降させるように、静電チャック23の駆動機構またはマスク台22の駆動機構の昇降を制御する。また、制御部26は、磁力印加手段24を下降させて基板10とマスク221を密着させる工程において、磁力印加手段24のマスク221に対する磁力印加を制御する。制御部26は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部26の機能はメモリまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては汎用のパーソナルコンピューターを使用しても、組込み型のコンピューターまたはPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。または、制御部26の機能の一部または全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部26が設置されていてもよいし、一つの制御部26が複数の成膜装置を制御するものとしてもよい。
以下、本発明の成膜装置で行われる成膜プロセスを説明する。
まず、成膜装置の真空チャンバー20内に新しいマスク221が搬入され、マスク台22の上に載置される。
搬送室13の搬送ロボット14によって基板10が真空チャンバー20内に搬入されて基板支持台21に置かれる。続いて、静電チャック23が下降し、基板10を静電引力によって保持する。
静電チャック23に保持された基板10とマスク台に置かれたマスク221との水平(XYθ)方向においての相対的位置の測定及び調整を行う基板アライメント工程が行われ
る。
基板アライメント工程が完了すれば、静電チャック23及び/又は基板支持台21が駆動機構によって下降し、基板10をマスク221の上面から所定の間隔で離隔された位置へ移動させ、その後、磁力印加手段24が駆動機構によって下降し、基板10とマスク221とを密着させる。静電チャック23及び/または基板支持台21を下降させる代りに
、マスク台22を駆動機構によって上昇させて、マスク221を基板10から所定の間隔で離隔された位置に移動させることもできる。基板10とマスク221を密着させる具体的な方法については、図3ないし5を参照して後述する。
この状態で、蒸着源25のシャッタが開かれて、蒸着源25のるつぼから蒸発された蒸着材料がマスクの微細パターン開口を通して基板10に蒸着される。
基板10に蒸着された蒸着材料の膜厚が所定の厚さに到逹すれば、蒸着源25のシャッタが閉じ、その後、搬送ロボット14が基板10を真空チャンバー20から搬送室13に搬出する。所定の枚数の基板に対して、基板搬入から基板搬出までの工程を繰り返し行った後、蒸着材料が堆積されて使用済みのマスク221を成膜装置から搬出し、新しいマスク221を成膜装置に搬入する。
<マスク付着方法>
以下、図3を参照して本発明によって、基板とマスクとを付着または密着させるための方法について説明する。
本実施形態では、成膜工程を遂行する前に基板10とマスク221とを密着させるため、図3aに図示したように、静電チャック23に吸着されて保持された基板10を静電チャック駆動機構(不図示)によって下降させるか、マスク221を支持するマスク台22をマスク台駆動機構(不図示)によって上昇させる。この時、従来技術と違って、静電チャック23またはマスク台22を基板10の下面がマスク221の上面周縁部と接触するまで静電チャック23またはマスク台22を相対的に移動させるのではなく、図3bに図示したように、基板10とマスク221の間が所定の間隔で離隔される程度だけ移動させる。
基板10とマスク221の間隔は、マスク221の初期撓み量に基づいて決める。マスク221が成膜装置2内に搬入されて、マスク台22に載置されれば、マスク221の自重によってマスク221の中央部が下方に撓むようになる。本発明においては、基板10とマスク221を密着させるために静電チャック23またはマスク台22を相対的に移動させる時、基板10とマスク221の間の間隔がこのようなマスク221の初期撓み量に相応する間隔になるまで移動させる。
基板10とマスク221との間の間隔がマスク221の初期撓み量より大きくなる場合、その後の磁力印加手段24を下降させる工程で、磁力印加手段24によってマスクに印加される磁力が十分ではなくなり、基板10とマスク221とを密着させることができなくなる。また、基板10とマスク221との間の間隔が、マスク221の初期撓み量より小さすぎる場合には、磁力印加手段24の磁力によってマスク221が鉛直下方に凹んだ形状(撓んだ形状)から鉛直上方に出っ張った形状に反転される途中で、基板10に付着するので、マスク221の中央部が基板10の中央部に一番先に付着することができなくなり、最終的に基板10の成膜領域とマスク221との間に間隙が残ってしまう。
この状態で(すなわち、静電チャック23に保持された基板10とマスク台22に保持
されたマスク221が、所定の間隔を持って離隔された状態で)、図3cに図示したよう
に、磁力印加手段24をマスク台22に向けて下降させ、マスク221を磁力印加手段24の磁力によって、基板10側に引き寄せる。この際、基板10とマスク221とは所定
の間隔で離隔されているので、マスク221が磁力によって引き寄せられる過程で、基板10との摩擦は生じなく、マスク221中央部の撓みがマスクの両側周縁部に移動することができるようになる。
特に、図3cに図示したように、磁力印加手段24をマスク台22に向けて下降させる時、マスク221の中央部に先に磁力印加手段24の磁力が印加されるように、磁力印加手段24を下降させる。例えば、図4を参照して後述するように、磁力印加手段24の複数の磁石モジュールのうちの、中央部の磁石モジュールを先に下降させるか、複数の電磁石モジュールを一緒に下降させた後、中央部の電磁石モジュールに先に電源を供給して中央部の電磁石モジュールからの磁力がマスク221の中央部を引き寄せるようにする。
これによって、マスク台22に載置されたとき、マスク221の自重によって中央部が撓んでいたマスク221は、その中央部から基板10に向けて引き寄せられ、マスク221の中央部が先に基板10の中央部に密着するようになる。すなわち、マスク221が鉛直下方に凹んだ形状から鉛直上方に出っ張った形状に反転しながら、反転したマスク221の中央部が基板10の中央部に先に付着するようになる。
次いで、図3dに図示したように、マスク221の両側に対応するように配置された磁石モジュールが、マスク台22に向けて下降することで、マスク221が中央部から両辺側の周縁部に向かって基板10に密着される。これにより、マスク221の撓みは、基板10の成膜領域の外に寄り、マスク221は、基板10の成膜領域にしわなく(間隙なく)密着する。
図3に図示した実施形態では、磁力印加手段24がマスク221の中央部から磁力を印加し始めた後、マスク221の両辺側の周縁部に磁力を印加すると説明したが、本発明はこれに限定されず、図5を参照して説明するように、マスクの対向する二つの辺のうちの、ある一辺から他の辺に向けて順次に磁力を印加することもできる。
<磁力印加手段の構造及び磁力制御>
以下、図4及び図5を参照して、基板10とマスク221とを密着させる工程で用いられる磁力印加手段24の構造及び磁力制御の具体的な実施例について説明する。以下で説明する磁力制御は、成膜装置2の制御部26によって行われるが、本発明はこれに限定されず、別途の磁力制御部によって行っても良い。このために、本発明の成膜装置2は別途の磁力制御部を含むことができる。
図4aは、本発明の実施例1による磁力印加手段24の構成及び磁力印加手段24によるマスク221への磁力印加方法を概略的に示す。
実施例1では、磁力印加手段24による磁力印加がマスク221の中央部からマスク221の対向する二辺側の方向に進行される。
即ち、実施例1においては、磁力印加手段24が複数(例えば、二つ)のモジュールからなり、その中央部に回動部としてのヒンジ部241が設けられる。2つのモジュールは、ヒンジ部241によって、相対的に回動可能に設けられる。
磁力印加過程においては、図4aに図示したように、磁力印加手段24を、ヒンジ部241を中心として、両側の磁石モジュールがV字の形を取るようにした状態で、マスク台22に対して下降させてから(または下降させながら)、平面形状に戻すように制御する。これによって、マスク221の中央部が最も先に磁力印加手段24から磁力を受けて、基板10に向かって引き上げられ(マスク221が鉛直下方に凹んだ形状から鉛直上方に出
っ張る形状になり)、続いて、マスク221の中央部からマスク221の対向する両辺側(例えば、対向する2つの長辺側)に向かって、マスク221が基板10に密着するように
なる。これによって、マスクが基板の成膜領域に隙間(しわ)なく密着するようになる。
実施例1の磁力印加手段24は、電磁石または永久磁石で具現することができる。
実施例1の変形例として、図4bに図示したように、磁力印加手段24を複数(本実施
例では3つ)の磁石モジュールで構成し、複数の個別磁石モジュール242、243、2
44をマスク221に対して機械的に下降させる順番を適切に制御することで、マスク221への磁力印加の順番を調節することができる。
例えば、図4bに示したように、マスク221の中央部に対応する位置に配置された磁石モジュール243から、マスク221の両端側に対応するように配置された磁石モジュール242、244に向かって、磁力が印加されるように磁石モジュールの下降順番を制御することで、実施例1と同様に、マスク221への磁力印加が、マスク221の中央部からマスク221の両辺の周縁部に向かって進行するように、制御することができる。この際、磁石モジュール242、243、244は、電磁石または永久磁石で具現することができる。
実施例1の他の変形例として、図4cに図示したように、磁力印加手段24を複数(例
えば、3つ)の電磁石モジュール242、243、244で構成し、複数の個別電磁石モ
ジュール242、243、244に電源が印加される順番を適切に制御することで、マスク221への磁力印加の順番を制御することができる。
例えば、図4cに示したように、3つの電磁石モジュールのうちの、中央の電磁石モジュール243に先に電源を加えて、マスク221の中央部が基板に先に密着されるようにした後、両端部の電磁石モジュール242、244に電源を印加して、対応する位置のマスク部分が基板に密着されるようにすることができる。特に、この変形例においては、電磁石モジュール242、243、244に印加する電源をON/OFFすることで、磁力
を制御できるため、実施例1および他の変形例のように、磁力印加手段24の複雑な機械的制御が不要となるという点で、成膜装置の構造を簡単にすることができ、機構の制御も簡単になる。
以下では、本発明の磁力制御の実施例2について説明する。実施例2は、磁力印加手段24がマスク221の対向する両辺のいずれかの一辺(例えば、1つの長辺)から磁力を印加するように制御するという点で、実施例1と異なる。
そのため、実施例2においては、例えば、図5aに示したように、磁力印加手段24の一辺に回動部245を設け、磁力印加手段24が当該辺を軸に回動可能に構成する。
本実施例による磁力印加過程においては、図5aに図示したように、回動部245を軸に磁力印加手段24を回動させて傾斜させた状態で、マスク台22に対して下降させてから(または下降させながら)、これを水平に戻すように制御する。これによって、磁力印加手段24が、マスク221の一辺からマスク221の中央部を経て、マスク221の対向する他辺の方の順に、マスクに磁力が印加できるようになる。これによって、マスク221の中央部が磁力印加手段24から最も遅れて磁力を受けて、マスク221中央部にしわが残ってしまう問題を解決できるようになる。
本実施例において、磁力印加手段24は、電磁石または永久磁石で具現することができる。
本実施例では、磁力印加手段24をマスク面に対して傾かせるため、回動部245を用
いる構成について説明したが、本発明はこれに限らず、他の方法を用いて、磁力印加手段24をマスク面に対して傾かせてもいい。
実施例2の変形例として、磁力印加手段24を複数(例えば、3つ)の磁石モジュールで構成し、マスク221の一端側(例えば、対向する二つの辺のうちのある一つの長辺側)からマスク221の中央部を経て、マスク221の他端側(対向する二つの辺のうちの他の
長辺側)に行く順番で、磁力が印加されるように、複数の磁石モジュールを下降させる順
番を制御する。
すなわち、図5bに示したように、マスク221の一端に対応するように配置された磁石モジュール242から、マスク221の中央部に対応するように配置された磁石モジュール243、マスク221の他端に対応するように配置された磁石モジュール244の順番に、磁石モジュールを鉛直上方から機械的に下降させることで、実施例2と同様の効果を奏することができる。
実施例2の他の変形例として、複数(例えば、3つ)の電磁石モジュール242、243、244で構成される磁力印加手段24を用いて、マスク221の一端側(一長辺側)からマスク221の中央部を経て、マスク221の他端側(対向する長辺側)に、マスク221の基板10への密着が進行されるように、電磁石モジュールへの電圧印加を制御する。
すなわち、磁力印加手段24は、3つ以上の電磁石モジュールから構成され、これによる磁力印加は、例えば、3つの電磁石モジュールのうちの、マスク221の一長辺側に対応する位置の電磁石モジュール242に先に電源を印加して、マスク221の該当長辺側が先に基板10に密着されるようにする。続いて、マスク221の中央部に対応する位置の電磁石モジュール243に電源を印加して、マスク221の中央部が基板10に密着されるようにし、最後にマスク221の他の長辺側に対応する位置の電磁石モジュール244に電源を印加することにより、マスク221の当該他の長辺側が基板10に密着するようにする。このように磁力印加手段24を制御することにより、マスク221が基板10にしわなく密着されるようになる。
以上、本発明の磁力制御の望ましい実施例について、図面を参照して説明したが、本発明は、前記例示した実施例だけに限定されない。
例えば、実施例1のように、板状の磁力印加手段24をヒンジ部241で連結する構成の代わりに、柔軟性を持つシート型の磁力印加手段24を用いて、類似の作用効果を得ることができる。つまり、柔軟性を持つシート型の磁力印加手段24の両長辺側を支持すれば、その中央部が下方に撓むようになるが、この状態でそのまま基板上にシート型の磁力印加手段24を下降させることにより、実施例1の構成と同様の作用効果を得ることができる。
<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図6(a)は有機EL表示装置60の全体図、図6(b)は1画素の断面構造を表している。
図6(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R
、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
図6(b)は、図6(a)のA−B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、第1電極(陽極)64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、第2電極(陰極)68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と第2電極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。
図6(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、第1電極64と正孔輸送層65との間には第1電極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第2電極68と電子輸送層67の間にも電子注入層を形成することができる。
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1電極64が形成された基板63を準備する。
第1電極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台21及び静電チャック23にて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の第1電極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台21にて保持する。基板支持台21上の基板を静電チャック23によって保持した後、基板とマスクとのアライメントを行う。続いて、基板をマスクの上に載置し、基板とマスクを磁力印加手段24によって密着させる。この状態で、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。
本発明によれば、マスク221を基板10に密着させる工程において、静電チャック23に吸着されて保持された基板10をマスク221から所定の間隔で離隔されるように静
電チャック23またはマスク台22を相対的に移動させる。この状態で、磁力印加手段24をマスク台22に向けて下降させることで、マスク221がしわなく基板10の成膜領域に密着されることができるようにする。
発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。
電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第2電極68を成膜する。
その後プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。
絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
前記実施例は本発明の一例を現わしたことで、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。
10:基板
21:基板支持台
22:マスク台
23:静電チャック
24:磁力印加手段
241:回動部
242〜244:磁石モジュール

Claims (27)

  1. マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
    基板を保持するための静電チャックと、
    前記静電チャックの基板保持面側に設置されて、マスクを保持するためのマスク台と、
    前記静電チャックの基板保持面の反対側に設置されて、前記マスクに磁力を印加するための磁力印加手段と、
    前記静電チャック、前記マスク台及び前記磁力印加手段を制御する制御部とを含み、
    前記制御部は、前記基板と前記マスクとを密着させるために前記磁力印加手段を制御する前に、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが所定の間隔を持つように、前記静電チャック及び前記マスク台の少なくとも一方を制御し
    前記制御部は、前記基板と前記マスクとを密着させる際に、前記マスクに磁力を印加することで、前記マスクの一部が前記基板に接し、その後、前記マスクの前記基板に接する部分が前記一部を起点として順に広がるように、前記磁力印加手段を制御する、
    ことを特徴とする成膜装置。
  2. 前記制御部は、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクとが前記所定の間隔を持つように、前記静電チャックまたは前記マスク台の相対的移動を制御する、請求項1に記載の成膜装置。
  3. 前記所定の間隔は、前記マスクの中央部の撓み量に基づいて決定される、請求項1または請求項2に記載の成膜装置。
  4. 前記静電チャックを移動させるための静電チャック駆動機構を更に含み、
    前記制御部は、前記静電チャックが、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクとが前記所定の間隔を持って離隔された位置まで、前記マ
    スク台に向けて移動するように、前記静電チャック駆動機構を制御する、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
  5. 前記マスク台を移動させるためのマスク台駆動機構を更に含み、
    前記制御部は、前記マスク台が、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが前記所定の間隔を持って離隔された位置まで、前記静電チャックに向けて移動するように、前記マスク台駆動機構を制御する、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
  6. 前記磁力印加手段を移動させるための磁力印加手段駆動機構を更に含み、
    前記制御部は、前記静電チャックに保持された前記基板と前記マスク台に保持された前記マスクが前記所定の間隔を持った状態で、前記磁力印加手段が前記マスク台に向けて移動するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の成膜装置。
  7. 前記制御部は、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力が前記マスクの中央部から印加されるように制御する、請求項6に記載の成膜装置。
  8. 前記制御部は、前記磁力印加手段がV字形状を取った状態で、前記マスク台の方に下降するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項6または請求項7に記載の成膜装置。
  9. 前記磁力印加手段は、複数の電磁石モジュールを含み、
    前記制御部は、前記マスクの中央部に対応するように配置された電磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された電磁石モジュールに向かって、前記複数の電磁石モジュールに順次に電源を供給するように制御する、請求項6〜請求項8のいずれか1項に記載の成膜装置。
  10. 前記磁力印加手段は、個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含み、
    前記制御部は、前記マスクの中央部に対応するように配置された磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された磁石モジュールに向かう順番で、前記複数の磁石モジュールが前記マスク台に向けて移動するように前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載の成膜装置。
  11. 前記制御部は、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力が前記マスクの一辺から印加されるように制御する、請求項6に記載の成膜装置。
  12. 前記制御部は、前記磁力印加手段が傾いた状態で前記マスクに向けて移動するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項11に記載の成膜装置。
  13. 前記磁力印加手段は複数の電磁石モジュールを含み、
    前記制御部は、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された電磁石モジュールから順次に、前記複数の電磁石モジュールに電源が印加されるように制御する、請求項11または請求項12に記載の成膜装置。
  14. 前記磁力印加手段は、個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含み、
    前記制御部は、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された磁石モジュールから順次に、前記複数の磁石モジュールが前記マスク台側に移動するように、前記磁力印加手段駆動機構を制御する、請求項11〜請求項13のいずれか1項に記載の成膜装置。
  15. マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
    マスクをマスク台上に載置する段階と
    静電チャックで基板を吸着して保持する段階と、
    前記静電チャックに保持された基板と前記マスク台上に載置された前記マスク間の間隔が所定の間隔になるように、前記静電チャックまたは前記マスク台を相対的に移動させる段階と、
    前記基板と前記マスクが前記所定の間隔で離隔された状態で、前記マスクの一部が前記基板に接し、その後、前記マスクの前記基板に接する部分が前記一部を起点として順に広がるように、磁力印加手段が前記マスクに磁力を印加することにより、前記マスクを前記基板の成膜領域に密着させる段階と、
    前記マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜する段階とを含む成膜方法。
  16. 前記所定の間隔は、前記マスクの撓み量に基づいて決定される、請求項15に記載の成膜方法。
  17. 前記移動させる段階において、前記基板と前記マスクとが前記所定の間隔を持って離隔されるように、前記基板を保持した前記静電チャックを前記マスクが載置された前記マスク台に向けて移動させる、請求項15または請求項16に記載の成膜方法。
  18. 前記移動させる段階において、前記基板と前記マスクとが前記所定の間隔を持って離隔されるように、前記マスクが載置された前記マスク台を前記基板を保持した前記静電チャックに向けて移動させる、請求項15または請求項16に記載の成膜方法。
  19. 前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力を前記マスクの中央部から印加する、請求項15〜請求項18のいずれか1項に記載の成膜方法。
  20. 前記磁力印加手段が、V字形状を取った状態で前記マスク台側に下降する、請求項15〜請求項19のいずれか1項に記載の成膜方法。
  21. 複数の電磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の電磁石モジュールに、前記マスクの中央部に対応するように配置された電磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された電磁石モジュールに向かって、順次に電源を供給する、請求項15〜請求項20のいずれか1項に記載の成膜方法。
  22. 個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の磁石モジュールを、前記マスクの中央部に対応するように配置された磁石モジュールから、前記マスクの対向する二つの辺に対応するように配置された磁石モジュールに向かう順番で、前記マスク台に向けて移動させる、請求項15〜請求項21のいずれか1項に記載の成膜方法。
  23. 前記密着させる段階において、前記マスクに対する前記磁力印加手段の磁力を前記マスクの一辺から印加する、請求項15〜請求項22のいずれか1項に記載の成膜方法。
  24. 前記磁力印加手段を傾いた状態で前記マスク台に向けて移動させる、請求項23に記載の成膜方法。
  25. 複数の電磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の電磁石モジュールに、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された電磁石モジュールから順次に電源を印加する、請求項23または請求項24に記載の成膜方法。
  26. 個別的に移動可能な複数の磁石モジュールを含む前記磁力印加手段の前記複数の磁石モジュールを、前記マスク台の対向する二つの辺のうちの、一辺に対応する位置に配置された磁石モジュールから順次に前記マスク台側に向けて移動させる、請求項23〜請求項25のいずれか1項に記載の成膜方法。
  27. 請求項15〜請求項26のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造する方法。
JP2018158431A 2017-12-27 2018-08-27 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 Active JP6931851B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0180645 2017-12-27
KR1020170180645A KR101963982B1 (ko) 2017-12-27 2017-12-27 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019116679A JP2019116679A (ja) 2019-07-18
JP6931851B2 true JP6931851B2 (ja) 2021-09-08

Family

ID=65899143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018158431A Active JP6931851B2 (ja) 2017-12-27 2018-08-27 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6931851B2 (ja)
KR (1) KR101963982B1 (ja)
CN (1) CN109972084B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7374684B2 (ja) * 2019-09-24 2023-11-07 キヤノントッキ株式会社 成膜装置および成膜方法、情報取得装置、アライメント方法、ならびに電子デバイスの製造装置および製造方法
KR20210059549A (ko) * 2019-11-15 2021-05-25 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치
KR20210081700A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치 및 이를 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법
CN115369358B (zh) * 2021-09-08 2023-12-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 蒸镀装置以及蒸镀基板分离方法
JP7535030B2 (ja) * 2021-11-26 2024-08-15 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、膜厚測定方法及び電子デバイスの製造方法
JP7256907B1 (ja) 2022-01-07 2023-04-12 日本コンピュータビジョン株式会社 情報処理プログラム、情報処理装置及び情報処理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897164B2 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
KR100838065B1 (ko) * 2002-05-31 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법
KR100659057B1 (ko) * 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
JP5258278B2 (ja) * 2007-12-13 2013-08-07 キヤノントッキ株式会社 成膜用マスク及びマスク密着方法
JP2011195907A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd マスク保持装置及び薄膜形成装置
CN201942742U (zh) * 2010-12-01 2011-08-24 东莞宏威数码机械有限公司 掩膜板吸附组件
KR101926693B1 (ko) * 2012-09-20 2018-12-07 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
KR102270080B1 (ko) * 2013-10-30 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치
CN103757588B (zh) * 2013-12-30 2016-02-03 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种掩膜板及该掩膜板的制备方法和应用
KR102490641B1 (ko) * 2015-11-25 2023-01-20 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
KR102520693B1 (ko) * 2016-03-03 2023-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자의 증착장치
CN205420529U (zh) * 2016-03-16 2016-08-03 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种蒸镀装置
CN106048536A (zh) * 2016-06-06 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及待蒸镀基板加工方法
CN206692714U (zh) * 2017-04-14 2017-12-01 信利(惠州)智能显示有限公司 一种精密掩膜板框架

Also Published As

Publication number Publication date
CN109972084B (zh) 2022-10-21
JP2019116679A (ja) 2019-07-18
CN109972084A (zh) 2019-07-05
KR101963982B1 (ko) 2019-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6931851B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP6990643B2 (ja) 静電チャック、成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7010800B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法
JP6936205B2 (ja) 成膜装置及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法
JP6954880B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法
JP7289421B2 (ja) 基板支持装置および成膜装置
JP7120545B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法
JP7241048B2 (ja) 基板支持装置および成膜装置
JP6686100B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP7012962B2 (ja) 静電チャック、これを含む成膜装置、基板の保持及び分離方法、これを含む成膜方法、及びこれを用いる電子デバイスの製造方法
JP7007688B2 (ja) 吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP7127765B2 (ja) 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
KR20190103123A (ko) 정전척, 성막장치, 기판흡착방법, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
KR102050688B1 (ko) 마스크 부착장치, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200423

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20200423

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210706

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210802

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6931851

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250