JP6686100B2 - 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6686100B2 JP6686100B2 JP2018200353A JP2018200353A JP6686100B2 JP 6686100 B2 JP6686100 B2 JP 6686100B2 JP 2018200353 A JP2018200353 A JP 2018200353A JP 2018200353 A JP2018200353 A JP 2018200353A JP 6686100 B2 JP6686100 B2 JP 6686100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- film forming
- magnetic force
- electrostatic chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 238
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
領域内には、給電端子731が一緒に配置されて、マグネット725が配置されない局所領域が存在することになる。
ネット板724のマグネット725が配置された領域全体において、マスクへの磁力が不均一になり、基板とマスクの密着性が低下して、成膜精度も低下する。
マスクを基板の成膜面側に取り付けるためのマスク取付装置を含み、かつ、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
前記マスク取付装置は、
前記基板の成膜面の反対側の面を保持するための静電チャックプレート部と、
前記静電チャックプレート部に電力を供給するための給電端子部と、
磁力発生部を有し、前記磁力発生部からの磁力を前記マスクに作用させて前記マスクを引き寄せるための磁力印加手段と、
前記基板の成膜面の周縁部を支持するための複数の支持部材を有する基板支持台と、
を含み、
前記静電チャックプレート部は、前記磁力印加手段に向かって面している第1面と、前記第1面の反対側の面であって、前記基板の成膜面の反対側の面を保持するための第2面とを含み、
前記給電端子部は、前記磁力印加手段の前記磁力発生部が配置される領域の外側に設けられるように構成されると共に、
前記複数の支持部材の一部の支持部材は、他の支持部材と支持力が異なることを特徴とする。
マスクを基板の成膜面側に取り付けるためのマスク取付装置を含み、かつ、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
前記マスク取付装置は、
基板の成膜面とは反対側の面を保持するための静電チャックプレート部と、
前記静電チャックプレート部に電力を供給するための給電端子部と、
磁力発生部を有し、前記磁力発生部からの磁力を前記基板および前記静電チャックプレートを挟んでマスクに印加するための磁力印加手段と、
前記基板の成膜面の周縁部を支持するための複数の支持部材を有する基板支持台と、
を含み、
前記給電端子部を前記基板の前記成膜面を含む平面上に投影した領域は、前記磁力発生部を前記基板の前記成膜面を含む平面上に投影した領域と重複しないと共に、
前記複数の支持部材の一部の支持部材は、他の支持部材と支持力が異なることを特徴とする。
更に、他の発明は、
マスクを基板の成膜面側に取り付けるためのマスク取付装置を含み、かつ、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
前記マスク取付装置は、
基板の成膜面とは反対側の面を保持するための静電チャックプレート部と、
前記静電チャックプレート部に電力を供給するための給電端子部と、
磁力発生部を有し、前記磁力発生部からの磁力を前記基板および前記静電チャックプレートを挟んでマスクに印加するための磁力印加手段と、
前記基板の成膜面の周縁部を支持するための複数の支持部材を有する基板支持台と、
を含み、
前記給電端子部は、前記磁力発生部からの磁力が前記基板および前記静電チャックプレート部を挟んで前記マスクに印加された状態において、前記磁力印加手段の前記磁力発生部が配置される領域の外側に設けられると共に、
前記複数の支持部材の一部の支持部材は、他の支持部材と支持力が異なることを特徴とする。
上記の成膜装置を用いて、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、
成膜装置内に前記マスクを搬入して、マスク台上に載置する段階と、前記成膜装置内に前記基板を搬入して、基板支持台上に載置する段階と、前記基板支持台上の前記基板を、前記静電チャックプレート部によって保持する段階と、前記静電チャックプレート部に保持された前記基板をマスク上に載置する段階と、磁力発生部を含む磁力印加手段によって前記マスクと前記マスク上の前記基板を密着させる段階と、蒸着源から蒸発した蒸着材料を、前記マスクを介して前記基板上に成膜させる段階と、を含む。
また、本発明の他の成膜方法は、上記の成膜装置を用いて、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、前記マスク取付装置によってマスクを基板の成膜面側に取り付ける段階と、蒸着源から蒸発した蒸着材料を、マスクを介して基板上に成膜させる段階と、を含む。
図1は、電子デバイスの製造ラインの構成の一部を模式的に示す上視図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、約1800mm×約1500mmのサイズの基板に有機ELの成膜を行った後、該基板をダイシングして複数の小さなサイズのパネルが作製される。
装置によって自動で行われる。
図2は成膜装置2の構成を概略的に示す断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を使う。成膜時に、基板10が水平面(XY平面)と平行に固定されることを仮定し、基板10の短辺に平行な方向をX方向、長辺に平行な方向をY方向とする。また、Z軸周りの回転角をθで表示する。
以下、図3及び図4を参照して、本実施例による静電チャック装置を含むマスク取付装置について説明する。
静電チャックプレート部31を実施例1の場合よりもX方向又はY方向に短く形成できるような面であればあらゆる面が含まれる。
以下、図5を参照して本実施例の静電チャックプレート部31及び基板支持台21の支持部の構造について説明する。
よい。複数の基板保持部それぞれに独立的に基板保持のための電圧が印加されるように構成されていればよく(つまり、複数の基板保持部それぞれへの基板の保持が独立的に制御できる限り)、その構成によって、物理的構造及び電気回路的構造は変わりうる。
チャックプレート部31に吸着させる時、静電チャックプレート部31からの押圧力によって、弾性変位することで、基板が静電チャックプレート部と支持部材の間で破損されることを防止する。
次に、本実施例の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
21:基板支持台
22:マスク台
23:静電チャック装置
24:磁力印加手段
30:マスク取付装置
31:静電チャックプレート
32:給電端子部
241:磁力発生部
Claims (14)
- マスクを基板の成膜面側に取り付けるためのマスク取付装置を含み、かつ、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
前記マスク取付装置は、
前記基板の成膜面の反対側の面を保持するための静電チャックプレート部と、
前記静電チャックプレート部に電力を供給するための給電端子部と、
磁力発生部を有し、前記磁力発生部からの磁力を前記マスクに作用させて前記マスクを引き寄せるための磁力印加手段と、
前記基板の成膜面の周縁部を支持するための複数の支持部材を有する基板支持台と、
を含み、
前記静電チャックプレート部は、前記磁力印加手段に向かって面している第1面と、前記第1面の反対側の面であって、前記基板の成膜面の反対側の面を保持するための第2面とを含み、
前記給電端子部は、前記磁力印加手段の前記磁力発生部が配置される領域の外側に設けられるように構成されると共に、
前記複数の支持部材の一部の支持部材は、他の支持部材と支持力が異なることを特徴とする成膜装置。 - 前記複数の支持部材は、前記マスク取付装置の静電チャックプレート部の前記第1面及び前記第2面と交差する第3面に沿って配備されていることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記給電端子部は、前記静電チャックプレート部の前記第1面に設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記給電端子部は、前記静電チャックプレート部の前記第2面に設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記給電端子部は、前記静電チャックプレート部の前記第1面及び前記第2面と交差する第3面に設けられることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記給電端子部は、前記静電チャックプレート部において、前記磁力印加手段によって覆われる領域の外側に設けられることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の成膜装置。
- マスクを基板の成膜面側に取り付けるためのマスク取付装置を含み、かつ、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
前記マスク取付装置は、
基板の成膜面とは反対側の面を保持するための静電チャックプレート部と、
前記静電チャックプレート部に電力を供給するための給電端子部と、
磁力発生部を有し、前記磁力発生部からの磁力を前記基板および前記静電チャックプレートを挟んでマスクに印加するための磁力印加手段と、
前記基板の成膜面の周縁部を支持するための複数の支持部材を有する基板支持台と、
を含み、
前記給電端子部を前記基板の前記成膜面を含む平面上に投影した領域は、前記磁力発生部を前記基板の前記成膜面を含む平面上に投影した領域と重複しないと共に、
前記複数の支持部材の一部の支持部材は、他の支持部材と支持力が異なることを特徴とする成膜装置。 - 前記給電端子部は、前記磁力発生部からの磁力が前記基板および前記静電チャックプレート部を挟んで前記マスクに印加された状態において、前記磁力印加手段の前記磁力発生部が配置される領域の外側に設けられることを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。
- マスクを基板の成膜面側に取り付けるためのマスク取付装置を含み、かつ、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、
前記マスク取付装置は、
基板の成膜面とは反対側の面を保持するための静電チャックプレート部と、
前記静電チャックプレート部に電力を供給するための給電端子部と、
磁力発生部を有し、前記磁力発生部からの磁力を前記基板および前記静電チャックプレートを挟んでマスクに印加するための磁力印加手段と、
前記基板の成膜面の周縁部を支持するための複数の支持部材を有する基板支持台と、
を含み、
前記給電端子部は、前記磁力発生部からの磁力が前記基板および前記静電チャックプレート部を挟んで前記マスクに印加された状態において、前記磁力印加手段の前記磁力発生部が配置される領域の外側に設けられると共に、
前記複数の支持部材の一部の支持部材は、他の支持部材と支持力が異なることを特徴とする成膜装置。 - 前記給電端子部は、前記磁力発生部からの磁力が前記基板および前記静電チャックプレート部を挟んで前記マスクに印加され、前記マスクが前記基板に接触した状態において、前記磁力印加手段の前記磁力発生部が配置される領域の外側に設けられることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、
成膜装置内に前記マスクを搬入して、マスク台上に載置する段階と、
前記成膜装置内に前記基板を搬入して、基板支持台上に載置する段階と、
前記基板支持台上の前記基板を、前記静電チャックプレート部によって保持する段階と、
前記静電チャックプレート部に保持された前記基板をマスク上に載置する段階と、
磁力発生部を含む磁力印加手段によって前記マスクと前記マスク上の前記基板を密着させる段階と、
蒸着源から蒸発した蒸着材料を、前記マスクを介して前記基板上に成膜させる段階と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記基板支持台上の前記基板を、前記静電チャックプレート部によって保持する段階と、
前記静電チャックプレート部に保持された前記基板をマスク上に載置する段階と、の間に、
前記静電チャックプレート部に保持された前記基板を前記マスクに対して位置調整するアライメント段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて、マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、
前記マスク取付装置によってマスクを基板の成膜面側に取り付ける段階と、
蒸着源から蒸発した蒸着材料を、マスクを介して基板上に成膜させる段階と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
請求項11〜13のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170171453A KR101953038B1 (ko) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | 정전척 장치, 마스크 부착장치, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
KR10-2017-0171453 | 2017-12-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019106532A JP2019106532A (ja) | 2019-06-27 |
JP6686100B2 true JP6686100B2 (ja) | 2020-04-22 |
Family
ID=65561220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018200353A Active JP6686100B2 (ja) | 2017-12-13 | 2018-10-24 | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6686100B2 (ja) |
KR (1) | KR101953038B1 (ja) |
CN (1) | CN109913842B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210045745A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-27 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
CN113005398B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-04-07 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
KR20210081700A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치 및 이를 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204325A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置およびその吸着方法 |
JPH09213773A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-15 | Kyocera Corp | ウェハ保持部材及び耐プラズマ用部材 |
JP4609759B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-01-12 | 三井造船株式会社 | 成膜装置 |
JP4377453B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-12-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP4659112B1 (ja) * | 2009-09-28 | 2011-03-30 | 三菱重工業株式会社 | 接合装置 |
NL2008630A (en) * | 2011-04-27 | 2012-10-30 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
JP2014065959A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置、および、蒸着装置における基板設置方法 |
KR102081282B1 (ko) * | 2013-05-27 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 기판이동부, 이를 포함하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102311586B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2021-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법 |
JP6464071B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2019-02-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置 |
-
2017
- 2017-12-13 KR KR1020170171453A patent/KR101953038B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-08-31 CN CN201811007633.XA patent/CN109913842B/zh active Active
- 2018-10-24 JP JP2018200353A patent/JP6686100B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101953038B1 (ko) | 2019-02-27 |
CN109913842A (zh) | 2019-06-21 |
CN109913842B (zh) | 2022-03-29 |
JP2019106532A (ja) | 2019-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6990643B2 (ja) | 静電チャック、成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP7010800B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP7289421B2 (ja) | 基板支持装置および成膜装置 | |
JP7138757B2 (ja) | 成膜装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP6936205B2 (ja) | 成膜装置及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法 | |
JP6931851B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP7120545B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法 | |
JP6686100B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP7241048B2 (ja) | 基板支持装置および成膜装置 | |
JP7012962B2 (ja) | 静電チャック、これを含む成膜装置、基板の保持及び分離方法、これを含む成膜方法、及びこれを用いる電子デバイスの製造方法 | |
KR102505832B1 (ko) | 흡착장치, 위치 조정 방법, 및 성막 방법 | |
JP7127765B2 (ja) | 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102050688B1 (ko) | 마스크 부착장치, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190328 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190328 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190917 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6686100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |