KR102036422B1

KR102036422B1 - 창문막과 그 제조방법

Info

Publication number: KR102036422B1
Application number: KR1020177018301A
Authority: KR
Inventors: 유천 장; 밍홍 쑤
Original assignee: 장지아강 캉더 신 옵트로닉스 머티리얼 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2014-12-03
Filing date: 2014-12-24
Publication date: 2019-11-26
Also published as: IL252513A0; MY189020A; CN104401062B; JP2018501410A; IL252513B; KR20170127405A; CN104401062A; WO2016086472A1; AU2014413233B2; AU2014413233A1; US10309008B2; US20170268099A1; JP6629340B2

Abstract

유연성 투명기재, 상기 유연성 투명기재 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 제1 고굴절율 화합물 막, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 제1 금속 산화물 막, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막, 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 제2 고굴절율 화합물 막을 포함하는 창문막을 제공한다. 이 창문막은 양호한 부착성을 가지며 쉽게 떨어지지 않는다. 이외, 이 창문막은 항산화성이 양호하여 쉽게 산화되지 않는다. 또한 이 창문막은 우수한 광학효과와 열선 차폐 효과를 나타낸다.

Description

창문막과 그 제조방법{Window film and preparation method thereof}

본 출원은 2014년 12월 03일 중국특허국에 제출한 출원번호가 201410725141.X이고,발명 명칭이 "창문막과 그 제조방법"인 중국특허출원의 우선권을 청구하고 있고 그와 관련한 모든 내용은 본 출원에 인용되어 있다.

본 발명은 기능성 막 기술 분야, 특히 창문막 및 그 제조방법에 관한 것이다.

창문막은 건물의 창문 또는 자동차 창문에 사용되었고, 이전의 창문막은 코팅 공정을 이용하여 제조하였고, 태양 종이 또는 차 종이라고 불렀는데, 이러한 창문막의 주요 기능은 강한 태양 광선을 막는 것이고, 기본 열을 차폐시키는 효과는 구비되어 있지 않다.

사람들의 연구에 따르면, 깊은 층 염색방법으로 흡열제를 주입시키는 기술로 창문막을 제조하였는데, 이러한 창문막은 태양 광중의 적외선을 흡수하고, 열 차폐 효과를 나타내지만, 적외선을 흡수하는 동시에 가시광선도 흡수하므로, 가시광선 투과율이 충분하지 못하고 선명도가 떨어지는 현상을 초래하며, 이외에, 이러한 창문막은 열 차폐 기능 감쇠가 비교적 빠르고 색갈이 퇴색되기 쉽다.

상기 창문막의 열 차폐성을 개선하기 위하여, 사람들은 진공 열 증발 기술을 이용하여 창문막을 제조하였는데, 이 진공 열 증발 기술은 알루미늄 층을 기재에서 증발시켜 열 차폐 효과를 얻는 것이고, 이 방법에 의해 제조된 창문막의 열 차폐성은 비교적 오래동안 유지되지만, 선명도는 여전히 낮고 편안히 보는데 영향을 주며 반사가 비교적 세다.

창문막의 선명도를 향상시키고 반응성을 감소시키기 위해, 현재 금속 마그네트론 스퍼터링 기술을 이용하여 창문막을 제조하고 있다. 마그네트론 스퍼터링 기술은 니켈，은, 티탄, 금 등의 재료에 대해서 멀티 캐비티 고속 회전 장치를 도입하고 전계과 자계의 상호작용을 이용하여, 높은 속도와 힘으로 금속 입자를 균일하게 고장력의 PET 기재 위에서 스퍼터링하는 것이다. 마그네트론 스퍼터링 기술로 제조한 창문막은 금속 질감이 양호하고, 안정한 열 차폐 성능을 구비하고, 또 우수한 선명도와 저 반사특성도 있다.

출원번호가 201110403335.4인 중국특허는 저방사선 코팅유리와 그 제조방법을 공개하였다. 상기 코팅은 적층 유전체 결합 층과 그와 인접한 상기 유전체 결합 층 사이에 배치되는 AZO 유전체 유닛 층을 포함한다. 상기 AZO 유전체 유닛 층은 기능 층과 AZO 유전체 배리어 층을 포함하며 상기 AZO 유전체 배리어 층은 기능 층의 양측에 부설된다. 기존 기술에 의해 제공된 저방사선 코팅은 가시광선에 대해서는 투과성이 높고 반사가 낮으며, 적외선에 대해서는 투과성이 낮고 반사성이 높은 우점을 가지고 있다. 그러나 이 저방사선 코팅은 부착성이 낮고 자동차 창유리가 곡면을 가진 유리이고 곡면을 가진 유리에 코팅할 수 없고, 다만 유연성 기재표면에 먼저 코팅한 후, 유연성 기재를 자동차 창유리에 붙인다. 저방사선 코팅의 부착성이 낮고 유연성 기재에서 쉽게 떨어지기 때문에 창문막 분야에서 이 저방사선 코팅의 응용은 제한되어 있다.

본 발명은 양호한 부착성을 갖는 창문막을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 밑층으로 되는 유연성 투명기재와 상기 유연성 투명기재의 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제1 금속 산화물 막, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막, 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물 막을 포함하는 창문막을 제공한다.

상기 창문막이 상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제2 금속 산화물 막, 상기 제2 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제2 은 함유 금속 막, 상기 제2 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제3 금속 타겟 기재 막, 상기 제3 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제3 고굴절율 화합물 막을 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기 유연성 투명기재의 두께는 20㎛~30㎛인 것이 바람직하다.

상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료와 제2 금속 타겟 기재 막의 재료, 제3 금속 타겟 기재 막의 재료는 Zn, Ti, Cu, Ni, NiCr 또는 Cr에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 금속 타겟 기재 막과 제2 금속 타겟 기재 막, 제3 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.2nm~0.8nm에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 고굴절율 화합물 막과 제2 고굴절율 화합물 막, 제3 고굴절율 화합물 막의 굴절율은 2.2~2.3에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 고굴절율 화합물 막과 제2 고굴절율 화합물 막, 제3 고굴절율 화합물 막의 재료는 Nb₂O₅, ITO, Si₃N₄, SnO₂, TiO₂ 또는 TaO₂에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 고굴절율 화합물 막의 두께는 22nm~30nm로부터 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 금속 산화물 막과 제2 금속 산화물 막의 재료는 산화아연, 알루미늄을 혼합한 산화아연 또는 산화석에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 금속 산화물 막과 제2 금속 산화물 막의 두께는 1nm~5nm에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 은 함유 금속 막과 제2 은 함유 금속 막의 재료는 은합금에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제1 은 함유 금속 막과 제2 은 함유 금속 막의 두께는 5nm~10nm에서 독립적으로 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제2 고굴절율 화합물 막의 두께는 22nm~28nm에서 선택되는 것이 바람직하다.

상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께는 20nm~30nm에서 선택되는 것이 바람직하다.

상기 창문막은 380nm~780nm 사이의 가시광선 범위에서 투과율이 72%보다 큰고, 780nm~2500nm 사이 적외선 범위에서 투과율이 10%보다 작은 것이 바람직하다.

본 발명이 제공하는 창문막은 양호한 부착성을 가지며 유연성 투명기재에 잘 부착될 수 있고 쉽게 떨어지지 않는다. 실험 결과는 본 발명이 제공하는 창문막은 100/100 막이 떨어지지 않는다는 것을 보여준다.

또한, 본 발명이 제공하는 창문막은 비교적 양호한 항산화성도 가지며 쉽게 산화되지 않는다. 실험 결과는 본 발명이 제공하는 창문막을 노화 시험기(QUV)에서 2000시간 동안 검사하였을 때, 색차값 △E<1이며, 본 발명이 제공하는 창문막이 우수한 광학 효과도 가지며, 특히, 자동차의 앞윈드실드 막으로서 적합하다는 것을 보여준다. 실험 결과는 본 발명이 제공하는 창문막의 380nm~780nm 사이 가시광선 범위에서의 투과율이 72%보다 크고, 780nm~2500nm 사이 적외선 범위에서의 투과율이 10%보다 작며, 본 발명이 제공하는 창문막은 양호한 열선 차폐 효과를 가진다는 것을 보여준다. 실험 결과는 본 발명이 제공하는 창문막에 1500초 동안 적외선 램프를 쪼일 때, 온도가 2℃~3℃ 상승한다는 것을 보여준다.

본 발명은 창문막 제조방법을 제공한다. 상기 창문막 제조방법은

1) 제1 금속 타겟 기재를 유연성 투명기재 표면에서 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 유연성 투명기재표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막을 얻는 단계,

2) 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 제1 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막을 얻는 단계,

3) 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 제1 금속 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제1 금속 산화물 막을 얻는 단계,

4) 상기 제1 금속 산화물 막 표면에서 제1 은 함유 금속을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막을 얻는 단계,

5) 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에서 제2 금속 타겟 기재를 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막을 얻는 단계,

6) 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 굴절율이 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 창문막을 얻는 단계를 포함한다.

본 발명이 제공하는 방법으로 제조한 창문막은 양호한 부착성을 가지며, 유연성 투명기재에 양호하게 부착될 수 있고 쉽게 떨어지지 않는다. 이외, 본 발명이 제공하는 방법으로 제조한 창문막은 양호한 항산화성과 광학 효과, 열선 차폐 효과를 가진다. 또한, 본 발명이 제공하는 창문막의 제조방법기술이 간단하고 조작이 간편하여 생산 정량화를 실현하기가 용이하다.

발명의 실시예 또는 기존 기술중의 기술방안을 더 명백히 설명하기 위하여 이하 실시예 또는 현존 기술 서술에서 사용되는 도면에 대해 간단히 소개하였다. 분명히, 이하 서술하는 도면은 단지 본 발명의 실시예이며 해당 분야의 일반 기술자는 창조적노동을 하지 않고도 제공한 도면에 의거하여 기타 도면을 얻을수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예가 제공하는 창문막의 구조를 나타내는 도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1이 제공하는 창문막의 투과율을 나타내는 도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막의 투과율을 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 투과율을 나타내는 도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1이 제공하는 창문막의 열 차폐 효과 검사결과를 나타내는 도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 투과율을 나타내는 도이다.

이하, 본 발명의 실시예중의 기술방안에 대해서 명백하고 완전하게 설명한다. 물론 서술한 실시예는 다만, 본 발명의 실시예의 일부이며 실시예의 전체는 아니다. 본 발명중의 실시예에 기초하여 당업자가 창조적인 역작을 하지 않고 얻은 모든 기타 실시예는 본 발명의 보호범위에 속한다.

본 발명은 밑층(substrate)으로 되는 유연성 투명기재와 상기 유연성 투명기재의 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족(transition) 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제1 금속 산화물 막, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막, 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율은 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물 막을 포함하는 창문막을 제공한다.

본 발명이 제공하는 창문막은 유연성 투명기재를 포함한다. 본 발명은 상기 유연성투명기재의 종류와 원천에 대해 특수하게 제한하지 않으며, 당업자에게 잘 알려져 있고 시장에서 구입할수 있는 창문막 제조용 밑층 재료를 사용한다. 본 발명의 실시예에서, 상기 유연성 투명기재는 폴리에틸렌 테레프타레이트(Polyethylene Terephthalate,PET)일 수 있으며, 기타 실시예에서, 상기 유연성 투명기재는 자외선(UV) 차단 PET일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 UV 차단 PET의 차단 파장은 300nm~380nm일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 UV 차단 PET의 투과율 T는 2%이하이다. 본 발명의 실시예에서, 상기 UV 차단 PET는 일반적인 PET에 UV 흡착제를 첨가시켜, 제조한 것이다. 본 발명의 실시예에서, 상기 유연성 투명기재의 두께는 20㎛~30㎛ 사이일 수 있으며, 기타 실시예에서 상기 유연성 투명기재의 두께는 22㎛~26㎛일 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은, 상기 유연성 투명기재의 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막을 포함한다. 본 발명에서 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료는 금속 타겟 기재이다. 본 발명은 상기 금속 타겟 기재의 종류와 원천에 대해 특수하게 제한하지 않으며, 당업자에게 잘 알려져 있고 시장에서 구입할수 있는 금속 타겟을 이용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료는 Zn, Ti, Cu, Ni, NiCr 또는 Cr일 수 있으며, 기타 바람직한 실시예에서, 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료는 Ti, Cu, Ni 또는 NiCr일 수 있으며, 이외의 바람직한 실예에서 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료는 Ti 또는 NiCr일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.2nm~0.8nm일 수 있으며, 이외의 실시예에서, 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.3nm~0.5nm일 수 있다. 본 발명에서 상기 유연성 기재의 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막은 양호한 부착력을 가지므로 본 발명이 제공하는 창문막의 부착성을 좋게 한다.

본 발명이 제공하는 창문막은 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 제1 고굴절율 화합물 막을 포함하며 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 굴절율은 2.0~2.5로부터 선택된다. 본 발명에서 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 재료는 고굴절율 화합물이며 상기 고굴절율 화합물의 굴절율은 2.0~2.5로부터 선택된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 고굴절율 화합물의 굴절율은 2.2~2.3에서 선택할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 재료는 Nb₂O₅, ITO, Si₃N₄, SnO₂, TiO₂ 또는 TaO₂일 수 있으며, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 재료는 Nb₂O₅, ITO, Si₃N₄ 또는 SnO₂일 수 있다. 본 발명은 상기 고굴절율 화합물의 원천에 대해 특수하게 제한하지 않으며, 당업자에게 잘 알려져 있고 시장에서 구입할수 있는 고굴절율 화합물 막의 재료를 사용한다.

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 두께는 22nm~30nm일 수 있으며, 기타 실시예에서 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 두께는 23nm~27nm일 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 제1 금속 산화물 막을 포함하며, 상기 제1 금속 산화물 막의 재료는 과도족 금속 산화물또는 주석 산화물로부터 선택된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 금속 산화물 막의 재료는 산화아연, 알루미늄을 혼합한 산화아연(AZO) 또는 산화주석일 수 있다. 본 발명은 상기 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 원천에 대해서 특수하게 제한하지 않으며, 당업자에게 잘 알려져 있고 시장에서 구입할수 있는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물을 이용할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 금속 산화물 막의 두께는 1nm~5nm일 수 있으며, 기타 실시예에서, 상기 제1 금속 산화물 막의 두께는 2nm~3nm일 수 있다. 본 발명에서는 상기 제1 금속 산화물의 두께를 조절하여 본 발명이 제공하는 창문막의 색도에 대한 세밀조절을 진행할 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막을 포함한다. 본 발명에서 상기 제1 은 함유 금속 막의 재료는 은 함유 금속이다. 본 발명에서 상기 은 함유 금속은 순은일 수도 있고 은합금일 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제1 은 함유 금속 막의 재료는 은합금일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 은합금중의 은의 질량함량은 98%보다 클 수 있으며, 나머지 량은 Zn, Cu, In, Pt, Pd와 Au중에서 한가지 또는 여러가지가 선택된다. 본 발명은 상기 은 함유 금속의 원천에 대해서 특수한 제한을 하지 않으며, 당업자에게 잘 알려져 있고 시장에서 구입할수 있는, 또한 당업자에게 잘 알려진 합금의 제조방법으로 제조하여 얻을수 있는 순은이나 은합금을 이용할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 은 함유 금속 막의 두께는 5nm~10nm일 수 있으며, 기타 실시예에서, 상기 제1 은 함유 금속 막의 두께는 6nm~8nm일 수 있다. 본 발명에서 상기 제1 은 함유 금속 막은 본 발명이 제공하는 창문막이 양호한 항산화성(oxidation resistance)을 가질수 있게 한다. 본 발명이 제공하는 창문막은 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막을 포함한다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.2nm~0.8nm일 수 있으며, 기타 실시예에서, 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.3nm~0.5nm일 수 있다. 본 발명에서 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 두께를 조절하여 본 발명이 제공하는 창문막의 색도에 대한 세밀조절을 진행할 수 있다. 본 발명에서 상기 제2 금속 타겟 기재 막은 상기 제1 은 함유 금속 막을 보호한다.

본 발명에서 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 재료는 금속 타겟 기재이다. 본 발명에서 상기 금속 타겟 기재의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 금속 타겟 기재의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 금속 타겟 기재 막과 제2 금속 타겟 기재 막은 같을 수 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 재료는 Ti 또는 NiCr일 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 제2 고굴절율 화합물 막을 포함하며, 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 굴절율은 2.0~2.5에서 선택된다. 본 발명에서 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 재료의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 제1 고굴절율 화합물 막 재료의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 고굴절율 화합물 막과 제2 고굴절율 화합물 막은 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 재료는 Nb₂O₅, ITO, Si₃N₄ 또는 SnO₂일 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 두께는 22nm~27nm일 수 있고, 기타 실시예에서, 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 두께는 23nm~26nm일 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 창문막은 상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제2 금속 산화물 막, 상기 제2 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제2 은 함유 금속 막, 상기 제2 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제3 금속 타겟 기재 막, 상기 제3 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율은 2.0~2.5인 제3 고굴절율 화합물 막을 포함한다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 창문막은 제1 금속 타겟 기재 막, 제1 고굴절율 화합물 막, 제1 금속 산화물 막, 제1 은 함유 금속 막, 제2 금속 타겟 기재 막과 제2 고굴절율 화합물 막으로 구성된 제1 구조를 포함한 기초에서, 제2 금속 산화물 막, 제2 은 함유 금속 막, 제3 금속 타겟 기재 막과 제3 고굴절율 화합물 막으로 구성된 제2 구조를 더 포함하며, 상기 제1 구조와 제2 구조는 중복되는 구조이므로 본 발명의 실시예에서, 상기 창문막이 동시에 제1 구조와 제2 구조를 포함할 때, 제1 구조중의 제2 고굴절율 화합물 막의 두께는 제1 구조만을 포함하는 창문막의 제2 고굴절율 화합물 막 두께의 2배일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 창문막이 동시에 제1 구조와 제2 구조를 포함할 때, 상기 제1 구조중의 제2 고굴절율 화합물 막의 두께는 45nm~55nm일 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 또한 상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족금속 산화물 또는 주석 금속 산화물 재료의 제2 금속 산화물 막을 포함한다.본 발명에서 상기 제2 금속 산화물 막은 상기 제1 은 함유 금속 막을 더 보호한다. 본 발명에서 상기 제2 금속 산화물 막의 두께, 제2 금속 산화물 막 재료의종류 및 원천은 상기 기술방안이 서술한 상기 제1 금속 산화물 막의 두께, 제1 금속 산화물 막 재료의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 금속 산화물 막은 제2 금속 산화물 막과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 금속 산화물 막의 두께는 1nm~3nm일 수 있다. 본 발명에서는 상기 제2 금속 산화물 막의 두께를 조절하여 본 발명이 제공하는 창문막의 색도를 세밀조절할 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 또한 상기 제2 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제2 은 함유 금속 막을 포함한다. 본 발명에서 상기 제2 은 함유 금속 막의 두께와 제2은 함유 금속 막 재료의 종류 및 원천은 상기 기술방안이 서술한 제1 은 함유 금속 막의 두께, 제1 은 함유 금속 막 재료의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 은 함유 금속 막은 제2 은 함유 금속 막과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제2 은 함유 금속 막의 재료는 은합금일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 은 함유 금속 막의 두께는 5nm~12nm일 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 또한 상기 제2 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제3금속 타겟 막을 포함한다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.2nm~0.8nm일 수 있으며, 기타 실시예에서, 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 두께는 0.3nm~0.5nm일 수 있다. 본 발명에서는 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 두께를 조절하여 본 발명이 제공하는 창문막의 색도에 대한 세밀조절을 진행할 수 있다. 본 발명에서 상기 제3 금속 타겟 기재 막은 상기 제2 은 함유 금속 막을 보호할 수 있다.

본 발명에서 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 재료는 금속 타겟 기재이다. 본 발명에서 상기 제3 금속 타겟 기재 막 재료의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 제1 금속 타겟 기재막 재료의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 금속 타겟 기재 막과 제2 금속 타겟 기재 막, 제3 금속 타겟 기재 막은 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 재료는 Ti 또는 NiCr일 수 있다.

본 발명이 제공하는 창문막은 또한, 상기 제3 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제3 고굴절율 화합물 막을 포함한다. 본 발명에서 상기 제3 고굴절율 화합물 막 재료의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 제1 고굴절율 화합물 막 재료의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 고굴절율 화합물 막과 제2 고굴절율 화합물 막, 제3 고굴절율 화합물 막은 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 제3 고굴절율 화합물 막의 재료는 Nb₂O₅,ITO, Si₃N₄ 또는 SnO₂일 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께는 20nm~30nm일 수 있으며 기타 실시예에서, 상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께는 23nm~29nm일 수 있으며, 또 다른 실시예에서, 상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께는 24nm~26nm일 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예가 제공하는 창문막의 구조를 나타내는 도이다. 도 1에서 도시한 바와 같이 본 발명의 실시예가 제공하는 창문막은 PET, 상기 PET의 표면에 배치되는 제1 층 Ti막, 상기 제1 층 Ti막 표면에 배치되는 제1 층 고굴절율 화합물막, 제1 층 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 제1 층 AZO막, 상기 제1 층 AZO막 표면에 배치되는 제1 층 은합금 막, 상기 제1 층 은합금 막 표면에 배치되는 제2 층 Ti막, 상기 제2 층 Ti막 표면에 배치되는 제2 층 고굴절율 화합물 막, 상기 제2 층 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 제2 층 AZO막, 상기 제2 층 AZO막 표면에 배치되는 제2층 은합금 막, 상기 제2 층 은합금 막 표면에 배치되는 제3 층 Ti막, 상기 제3 층 Ti막 표면에 배치되는 제3층 고굴절율 화합물 막을 포함하며, 상기 고굴절율 화합물과 은합금은 상기 기술방안이 서술한 고굴절율 화합물 및 은합금과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다.

본 발명은 이하의 단계를 포함하는 창문막 제조방법을 제공한다.

1) 제1 금속 타겟 기재를 유연성 투명기재 표면에서 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 유연성 투명기재표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막을 얻는다.

2) 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 제1 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막을 얻는다.

3) 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 제1 금속 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제1 금속 산화물 막을 얻는다.

4) 상기 제1 금속 산화물 막 표면에서 제1 은 함유 금속을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막을 얻는다.

5) 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에서 제2 금속 타겟 기재를 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막을 얻는다.

6) 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 굴절율이 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 창문막을 얻는다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 창문막의 제조방법은 이하의 내용을 더 포함한다.

상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에서 제2 금속 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 과도족 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제2 금속 산화물 막을 얻는다.

상기 제2 금속 산화물 막 표면에서 제2 은 함유 금속을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제2산화물막 표면에 배치되는 제2 은 함유 금속 막을 얻는다.

상기 제2 은 함유 금속 막 표면에서 제3 금속 타겟을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제2 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제3 금속 타겟 기재 막을 얻는다.

상기 제3 금속 타겟 기재 막 표면에서 굴절율이 2.0~2.5인 제3 고굴절율 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 창문막을 얻는다.

본 발명에서는 제1 금속 타겟 기재를 유연성 투명기재 표면에서 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 유연성 투명기재의 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막을 얻는다. 본 발명에서 상기 금속 타겟 기재와 유연성 투명기재의 종류 및 원천은 상기 기술방안이 서술한 금속 타겟 기재와 유연성 투명기재의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제1 금속 타겟 기재 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제1 금속 타겟 기재를 유연성 투명기재 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술 방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 금속 타겟 기재를 유연성 기재 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제1 금속 타겟 기재 막의 두께를 조절할 수 있다.

제1 금속 타겟 기재 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 제1 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막을 얻는다. 본 발명에서 상기 제1 고굴절율 화합물의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 고굴절율 화합물의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제1 고굴절율 화합물 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제1 고굴절율 화합물을 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고굴절율 화합물을 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 고굴절율 화합물을 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체와 반응성 기체는 각각 Ar기체와 산소일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제1 고굴절율 화합물 막의 두께를 조절할 수 있다.

제1 고굴절율 화합물 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 제1 금속 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 제1 금속 산화물 막을 얻는다. 본 발명에서 상기 제1 금속 산화물의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 금속 산화물의 종류 및 원천과 일치하며여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 금속 산화물 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제1 금속 산화물 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제1 금속 산화물을 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서,상기 제1 금속 산화물을 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 금속 산화물을 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체와 반응성 기체는 각각 Ar 기체와 산소일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제1 금속 산화물 막의 두께를 조절할 수 있다.

제1 금속 산화물 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제1 금속 산화물 막 표면에서 제1 은 함유 금속을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막을 얻는다. 본 발명에서 상기 제1 은 함유 금속의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 은 함유 금속의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 은 함유 금속 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제1 은 함유 금속 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제1 은 함유 금속을 제1 금속 산화물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제1 은 함유 금속을 제1 금속 산화물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제1 은 함유 금속 막의 두께를 조절할 수 있다.

제1 은 함유 금속 막을 얻은 후, 본 발명은 제2 금속 타겟 기재를 제1 은 함유 금속 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막을 얻는다. 본 발명에서 상기 제2 금속 타겟 기재의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 금속 타겟의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명중에서 제1 금속 타겟 기재는 제2 금속 타겟 기재과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명중에서 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제2 금속 타겟 기재 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제2 금속 타겟 기재를 제1 은 함유 금속 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 금속 타겟 기재를 제1 은 함유 금속 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제2 금속 타겟 기재 막의 두께를 조절할 수 있다.

제2 금속 타겟 기재 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 제2 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물 막을 얻는다. 본 발명중에서 상기 제2 고굴절율 화합물의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 고굴절율 화합물의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명중에서 상기 제1 고굴절율 화합물은 제2 고굴절율 화합물과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명중에서 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제2 고굴절율 화합물 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제2 고굴절율 화합물을 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 고굴절율 화합물을 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 고굴절율 화합물을 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체와 반응성 기체는 각각 Ar 기체와 산소일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제2 고굴절율 화합물 막의 두께를 조절할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 제2 고굴절율 화합물 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에서 제2 금속 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜,상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 제2 금속 산화물 막을 얻는다. 본 발명중에서 상기 제2 금속 산화물의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 금속 산화물의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명중에서 상기 제1 금속 산화물은 제2 금속 산화물과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명중에서 상기 제2 금속 산화물 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제2 금속 산화물 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제2 금속 산화물을 제2 고굴절율 화합물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 금속 산화물을 제2 고굴절율 화합물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명중의 실시예에서 상기 제2 금속 산화물을 제2 고굴절율 화합물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체와 반응성 기체는 각각 Ar기체와 산소일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링출력을 조종하여 상기 제2 금속 산화물 막의 두께를 조절할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서 제2 금속 산화물 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제2 금속 산화물 막 표면에서 제2 은 함유 금속을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제2 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제2 은 함유 금속 막을 얻는다. 본 발명중에서 제2 은 함유 금속의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 은 함유 금속의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명중에서 상기 제1 은 함유 금속은 제2 은 함유 금속과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명중에서 상기 제2 은 함유 금속 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제2 은 함유 금속 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제2 은 함유 금속을 제2 금속 산화물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제2 은 함유 금속을 제2 금속 산화물 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링출력을 조종하여 상기 제2 은 함유 금속 막의 두께를 조절할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 제2 은 함유 금속 막을 얻은 후, 본 발명은 제3 금속 타겟 기재를 제2 은 함유 금속 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기제2 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제3 금속 타겟 기재 막을 얻는다. 본 발명중에서 상기 제3 금속 타겟 기재의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 금속 타겟 기재의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명 중에서 상기 제1 금속 타겟 기재와 제2 금속 타겟 기재, 제3 금속 타겟 기재는 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명중 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제3 금속 타겟 기재 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제3 금속 타겟 기재를 제2 은 함유 금속 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제3 금속 타겟 기재를 제2 은 함유 금속 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제3 금속 타겟 기재 막의 두께를 조절할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에서 제3 금속 타겟 기재 막을 얻은 후, 본 발명은 상기 제3 금속 타겟 기재 막 표면에서 굴절율이 2.0~2.5인 제3 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜 창문막을 얻는다. 본 발명에서 상기 제3 고굴절율 화합물의 종류와 원천은 상기 기술방안이 서술한 고굴절율 화합물의 종류 및 원천과 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명에서 상기 제1 고굴절율 화합물과 제2 고굴절율 화합물, 제3 고굴절율 화합물은 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명에서 상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께는 상기 기술방안이 서술한 제3 고굴절율 화합물 막의 두께와 일치하며 여기서 다시 설명하지 않는다. 본 발명은 상기 제3 고굴절율 화합물을 제3 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 방법에 대해서 특수하게 제한하지 않으며 당업자가 잘 알고 있는 마그네트론 스퍼터링 기술방안을 사용하면 된다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제3 고굴절율 화합물을 제3 금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체는 Ar기체일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 상기 제3 고굴절율 화합물을 제3금속 타겟 기재 막 표면에서 마그네트론 스퍼터링시키는 스퍼터링 기체와 반응성 기체는 각각 Ar 기체와 산소일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링 출력을 조종하여 상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께를 조절할 수 있다.

본 발명이 제공하는 방법으로 제조한 창문막은 양호한 부착성을 가지고 있기때문에유연성 투명기재상에 잘 부착될 수 있으며 쉽게 떨어지지 않는다. 이외에 본 발명이 제공하는 방법으로 제조한 창문막은 양호한 항산화성과 광학 효과 및 열선 차폐효과를 가지고 있으며, 본 발명이 제공하는 창문막의 제조방법은 기술이 간단하고조작이 간편하여 생산을 정량화하기가 용이하다.

ASTM D1003 《투명 수지 투과율과 헤이즈(haze)에 대한 시험방법》의 표준에 의거하여, 분광광도계를 사용하여 380nm~780nm 범위내에서 본 발명이 제공하는 창문막의 가시광선 투과율 VLT를 검사한 결과 본 발명이 제공하는 창문막의 VLT이 70%이상이고 분광광도계를 사용하여 380nm~780nm범위내에서 본 발명이 제공하는 창문막의 반사율 VLR를 검사한 결과 본 발명이 제공하는 창문막의 VLR는 9.5%이하이다. 분광광도계를 사용하여 780nm~2500nm범위 내에서 본 발명이 제공하는 창문막의 적외선 투과율 IRT를 검사한 결과 본 발명이 제공하는 창문막의 IRT는 8% 이하이며, 분광광도계를 사용하여 본 발명이 제공하는 창문막의 태양 에너지 차단율 TSER를 검사하였고, 상기 태양 에너지 차단율은 차단된 태양 에너지(기본적으로 가시광선과 적외선, 자외선이다)과 물체 표면에 비친 태양 에너지의 비이다. 검사 결과는 본 발명이 제공하는 창문막의 TSER는 50%보다 크다. 본 발명이 제공하는 창문막은 우수한 광학 효과를 갖는다.

ASTM D3359《테이프로 부착력을 측정하는 검사표준》에 의거하여 본 발명이 제공하는 창문막의 부착성을 검사한 결과 본 발명이 제공하는 창문막은 100/100 막이 떨어지지 않는다. 본 발명이 제공하는 창문막은 양호한 부착성을 가진다.

장착 접착제을 이용하여 본 발명이 제공하는 창문막을 자동차의 앞 윈드실드 표면에 붙이고, 창문막을 붙인 앞 윈드실드를 노화시험기(QUV)에 놓고 5일마다 그 광학특성을 검사하여 도합 2000시간 동안 검사를 진행하였으며 이하 공식에 따라 그 색차값(△E)을 계산하였다.

△L은 휘도차, △a는 색도 가로방향차, △b는 색도 세로방향차이다.

본 발명이 제공하는 창문막이 QVU에서 2000시간 동안의 노화과정을 거쳤을 때, 검사결과는 △E＜1이다. 본 발명이 제공하는 창문막은 양호한 항산화성을 가지고 있다.

본 발명이 제공하는 창문막의 열선 차폐 효과를 검사하는 구체적인 방법을 보면, 장착 접착제로 본 발명이 제공하는 창문막을 자동차의 앞 윈드실드 표면에붙이고 자동차의 앞 윈드실드 표면에 온도 센서를 설치 한 다음, 상기 온도센서와 온도 측정장치를 서로 연결하고, 상기 자동차의 앞 윈드실드 외측 25cm 되는 곳에 태양 에너지 적외선 램프를 설치하고 연속 빛을 쪼이고, 상기 태양 에너지 적외선 램프의 출력은 250W, 전압은 230V로 하고 온도측정장치가 전송하는 온도를 기록한다. 본 발명이 제공하는 창문막에 1500초 동안 적외선 램프를 쪼었을 때, 검사결과 온도가 2℃~3℃ 상승하였으며 열선 차폐 효과가 좋았다.

본 발명의 실시예에서, 이용하는 원료는 모두 시장에서 판매하는 상품이다.

실시예 1

마그네트론 스퍼터링 장치로 창문막을 제조한다.

두께가 23㎛인 PET 사린 재료를 푸는 체임버에 놓고 밑층으로 제조를 시작한다.

상기 밑층 표면에서 Ti를 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체이고,방전 출력을 조종하여 두께가 0.5nm인 제1 층 Ti막을 얻는다.

상기 제1 층 Ti막 표면에서 Nb₂O₅을 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 25nm인 제1 층 Nb₂O₅막을 얻는다.

상기 제1 층 Nb₂O₅막 표면에서 AZO를 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체, 반응성 기체는 O₂이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 3nm인 제1 층 AZO막을 얻는다.

상기 제1 층 AZO막 표면에서 Ag합금을 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체이고, 방전 출력을 조종하여 막 두께가 8nm인 제1 층 Ag 합금막을 얻는다. 상기 Ag합금은 98.5%의 Ag를 포함하며 나머지 량은 Zn이다.

상기 제1 층 Ag 합금막 표면에서 Ti를 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 0.5nm인 제2 층 Ti막을 얻는다.

상기 제2 층 Ti막 표면에서 Nb₂O₅을 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체, 반응성 기체는 O₂이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 50nm인 제2 층 Nb₂O₅막을 얻는다.

상기 제2 층 Nb₂O₅막 표면에서 AZO를 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체, 반사기체는 Ar기체와 O₂이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 3nm인 제2 층 AZO막을 얻는다.

상기 제2 층 AZO막 표면에서 Ag합금을 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 12nm인 제2 층 Ag 합금막을 얻는다. 상기 Ag합금은 98.5%의 Ag를 포함하며 나머지 량은 Zn이다.

상기 제2 층 Ag 합금막 표면에서 Ti를 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체이고, 방전 출력을 조종하여 두께가 0.5nm인 제3 층 Ti막을 얻는다.

상기 제3 층 Ti막 표면에서 Nb₂O₅을 마그네트론 스퍼터링시키며 스퍼터링 기체는 Ar기체, 반은성 기체는 O₂이다. 방전 출력을 조종하여 두께가 26nm인 제3층 Nb₂O₅막을 얻는다.

이렇게 창문막을 제조한다.

본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막은 두께가 23㎛인 PET, 상기 PET 표면에 배치되는 두께가 0.5nm인 제1 층 Ti막, 상기 제1 층 Ti막 표면에 배치되는 두께가 25nm인 제1 층 Nb₂O₅막, 상기 제1 층 Nb₂O₅막 표면에 배치되는 두께가 3nm인 제1 층 AZO막, 상기 제1 층 AZO막 표면에 배치되는 두께가 8nm인 제1 층 Ag 합금막, 상기 제1 층 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.5nm인 제2 층 Ti막, 상기 제2 층 Ti막 표면에 배치되는 두께가 50nm인 제2 층 Nb₂O₅막, 상기 제2 층 Nb₂O₅막 표면에 배치되는 두께가 3nm인 제2 층 AZO막, 상기 제2 층 AZO막 표면에 배치되는 두께가 12nm인 제2 층 Ag 합금막, 상기 제2 층 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.5nm인 제3 층 Ti막, 상기 제3 층 Ti막 표면에 배치되는 두께가 26nm인 제3층 Nb₂O₅막을 포함한다.

상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 380nm~780nm 범위에서 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 가시광선 투과율 VLT를 검사하였으며 결과는 도 2와 같다. 도 2는 본 발명의 실시예 1 이 제공한 창문막의 투과율 나타내는 도이다. 도 2로부터 VLT가 73%이라는 것을 알 수 있다. 상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 380nm~780 nm 범위에서 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 가시광선 반사율 VLR를 검사한 결과 VLR는 9.5%이다. 상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 780nm~2500nm 범위에서 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 적외선 투과율 IRT를 검사한 결과 IRT는 7%이다. 상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 태양 에너지 차단율 TSER를 검사한 결과는 TSER>50%이다. 상기 검사결과는 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막이 좋은 광학 효과를 가지고 있다는 것을 보여준다.

상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 부착성을 검사한 결과는 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막은 100/100 막이 떨어지지 않았으며 부착성이 좋았다.

상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 항산화성을 검사하였으며 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막을 QUV에 놓고 2000시간 동안의 검사를 진행했을 때, 검사 결과는 △E＜1로서 항산화성이 좋았다.

상기 기술방안이 서술한 방법에 따라 본 발명의 실시예 1에서 제조한 창문막의 열선 차폐 효과를 검사한 결과는 도 5와 같다. 도 5는 본 발명의 실시예 1이제공한 창문막 열선 차폐 효과 검사 결과를 나타내는 도이다. 도 5로부터 본 발명의 실시예 1에서 제공한 창문막에 1500s동안 적외선 램프를 쪼었을 때, 온도가 2℃~3℃ 상승하였으며, 열선 차폐 효과가 좋다는 것을 알수 있다.

실시예 2

실시예 1의 상기 방법에 따라, 창문막을 제조한다. 본 발명의 실시예 2에서 제조한창문막은, 두께가 23㎛인 PET, 상기 PET 표면에 배치되는 두께가 0.2nm인 NiCr막, 상기 NiCr막 표면에 배치되는 두께가 22nm인 제1 층 Nb₂O₅막, 상기 제1 층 Nb₂O₅막 표면에 배치되는 두께가 1nm인 제1 층 SnO₂막, 상기 제1 층 SnO₂막 표면에 배치되는 두께가 6nm인 제1 층 Ag 합금막(여기서, 상기 Ag합금은 98%의 Ag를 포함하고 나머지 량은 Zn과 Cu이다), 상기 제1 층 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.3nm인 제1 층 Ti막, 상기 제1 층 Ti막 표면에 배치되는 두께가 53nm인 제2 층 Nb₂O₅막, 상기 제2 층 Nb₂O₅막 표면에 배치되는 두께가 2nm인 제2 층 SnO₂막, 상기 제2 층 SnO₂막 표면에 배치되는 두께가 10nm인 제2 층 Ag 합금막(여기서,상기 Ag합금은 98%의 Ag를 포함하며 나머지 량은 Zn과 Cu이다), 상기 제2 층 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.5nm인 제2 층 Ti막, 상기 제2 층 Ti막 표면에 배치되는 두께가 29nm인 ITO막을 포함한다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2에서 제공한 창문막의 VLT를 검사한 결과는 도3과 같다. 도3은 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 창문막의 투과율 나타내는 도이며 도3을 통하여 VLT가 76%라는 것을 알수있다. 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 창문막의 VLR를 검사한 결과 VLR는 8.5%이다. 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막의IRT를 검사한 결과 IRT는 8%이다. 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막의 TSER를 검사한 결과는 TSER＞50%이다. 이상의 검사결과는 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문의 광학 효과가 좋다는 것을 보여준다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막의 부착성을 검사한 결과는 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막은 100/100 막이 떨어지지 않으며 부착성이 좋았다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막의 항산화성을 검사하였는데 QUV에서 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막을 2000시간 동안 검사한 결과는 △E＜1%로서 항산화성이 좋았다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막의 열선 차폐 효과를 검사하였는데, 본 발명의 실시예 2가 제공하는 창문막에 1500초동안 적외선 램프를 쪼일 때, 온도가 2℃~3℃ 상승하였으며 열선 차폐 효과가 좋았다.

실시예 3

실시예 1의 상기 방법에 따라, 창문막을 제조하여 얻는다. 본 발명의 실시예 3에서 제조한 창문막은 두께가 23㎛인 PET, 상기 PET 표면에 배치되는 두께가 0.4nm인 Ti막, 상기 Ti막 표면에 배치되는 두께가 27nm인 Si₃N₄막, 상기 Si₃N₄막 표면에 배치되는 두께가 2nm인 SnO₂막, 상기 SnO₂막 표면에 배치되는 두께가 7nm이고 99%의 Ag를 포함하고 나머지 량은 In인 제1 층 Ag 합금막, 상기 제1 층 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.3nm인 제1 층 NiCr막, 상기 제1 층 NiCr막 표면에 배치되는 두께가 47nm인 Nb₂O₅막, 상기 Nb₂O₅막 표면에 배치되는 두께가 2nm인 AZO막, 상기 AZO막 표면에 배치되는 두께가 11nm이고 98%의 Ag를 포함하며 나머지 량이 In인 제2 층 Ag 합금막, 상기 제2 층 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.4nm인 제2 층 NiCr막, 상기 제2 층 NiCr막 표면에 배치되는 두께가 23nm인 TiO₂막을 포함한다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 VLT를 검사한 결과는 도 4와 같다. 도 4는 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 투과율을 나타내는 도이며 도 4를 통하여 VLT가 70%라는 것을 알수 있다. 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 VLR를 검사한 결과 VLR는 9.2%이고, 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 IRT를 검사한 결과 IRT는 5%이고, 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 TSER를 검사한 결과는 TSER>50%이며 이러한 검사결과는 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문의 광학 효과가 좋다는 것을 보여준다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 부착성을 검사한 결과는 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막은 100/100 막이 떨어지지 않으며 부착성이 좋았다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 항산화성을 검사하였는데 QUV에서 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막을 2000시간 동안실험한 결과 △E＜1로서 항산화성이 좋았다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막의 열선 차폐 효과를 검사하였는데 본 발명의 실시예 3이 제공하는 창문막에 1500초동안 적외선 램프를 쪼일 때, 온도가 2℃~3℃ 상승하였으며 열선 차폐 효과가 좋았다.

실시예 4

실시예 1의 상기 방법에 따라, 창문막을 제조하여 얻는다. 본 발명의 실시예 4에서 제조한 창문막은 두께가 23㎛인 PET, 상기 PET 표면에 배치되는 두께가 0.2nm인 NiCr막, 상기 NiCr막 표면에 배치되는 두께가 24nm인 Nb₂O₅막, 상기 Nb₂O₅막 표면에 배치되는 두께가 2nm인 SnO₂막, 상기 SnO₂막 표면에 배치되는 두께가 10nm이고 99%의 Ag를 포함하고 나머지 량은 In인 Ag 합금막, 상기 Ag 합금막 표면에 배치되는 두께가 0.3nm인 Ti막, 상기 Ti막 표면에 배치되는 두께가 27nm인 ITO막을 포함한다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 VLT를 검사한 결과는 도 6과 같다. 도 6은 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 투과율을 나타내는 도이며 도 6을 통하여 VLT가 81%라는 것을 알수 있으며; 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 VLR를 검사한 결과 VLR는 11.5%이고, 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 IRT를 검사한 결과 IRT는 18%이고; 실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 TSER를 검사한 결과는 TSER>40%이며; 이러한 검사결과는, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 광학 효과가 좋다는 것을 보여준다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 부착성을 검사한 결과는 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막은 100/100 막이 떨어지지 않으며 부착성이 좋았다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 항산화성을 검사하였는데, QUV에서 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막을 2000시간 동안 실험한 결과 △E＜1로서 항산화성이 좋았다.

실시예 1의 상기 방법에 따라, 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막의 열선 차폐 효과를 검사하였는데 본 발명의 실시예 4가 제공하는 창문막에 1500초동안 적외선 램프를 쪼일 때, 온도가 2℃~3℃ 상승하였으며 열선 차폐 효과가 좋았다.

Claims

밑층으로 되는 유연성 투명기재;
상기 유연성 투명기재 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막;
상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막;
상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 전이 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제1 금속 산화물 막;
상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막;
상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막; 및
상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물 막을 포함하고,
상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료와 제2 금속 타겟 기재 막의 재료가 Ti 또는 NiCr에서 독립적으로 선택되는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 전이 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제2 금속 산화물 막;
상기 제2 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제2 은 함유 금속 막;
상기 제2 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제3 금속 타겟 기재 막; 및
상기 제3 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제3 고굴절율 화합물 막을 더 포함하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 유연성 투명기재의 두께가 20㎛~30㎛에서 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 금속 타겟 기재 막의 두께와 제2 금속 타겟 기재 막의 두께가 0.2nm~0.8nm에서 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 고굴절율 화합물 막의 굴절율과 제2 고굴절율 화합물 막의 굴절율이 2.2~2.3에서 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 고굴절율 화합물 막과 제2 고굴절율 화합물 막의 재료가 Nb₂O₅, ITO, Si₃N₄, SnO2, TiO₂ 또는 TaO₂에서 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 고굴절율 화합물 막의 두께가 22nm~30nm로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 금속 산화물 막과 제2 금속 산화물 막의 재료가 산화아연이나 산화주석, 알루미늄을 혼합한 산화아연에서 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 금속 산화물 막과 제2 금속 산화물 막의 두께가 1nm~5nm에서 독립적으로 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 은 함유 금속 막의 재료가 은 또는 은합금에서 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 은 함유 금속 막의 두께가 5nm~12nm로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 고굴절율 화합물 막의 두께가 22nm~27nm에서 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 2에 있어서,
상기 제3 고굴절율 화합물 막의 두께가 20nm~30nm에서 선택되는 것을 특징으로 하는 창문막.
청구항 1에 있어서,
380nm~780nm의 가시광선 범위에서 투과율이 72%보다 크고, 780nm~2500nm의 적외선 범위에서 투과율이 10%보다 작은 것을 특징으로 하는 창문막.
1) 제1 금속 타겟 기재를 유연성 투명기재 표면에서 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 유연성 투명기재 표면에 배치되는 제1 금속 타겟 기재 막을 얻는 단계;
2) 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에서 제1 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 타겟 기재 막 표면에 배치되는 굴절율이 2.0~2.5인 제1 고굴절율 화합물 막을 얻는 단계;
3) 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에서 제1 금속 산화물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 고굴절율 화합물 막 표면에 배치되는 전이 금속 산화물 또는 주석 산화물 재료의 제1 금속 산화물 막을 얻는 단계;
4) 상기 제1 금속 산화물 막 표면에서 제1 은 함유 금속을 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 금속 산화물 막 표면에 배치되는 제1 은 함유 금속 막을 얻는 단계;
5) 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에서 제2 금속 타겟 기재를 마그네트론 스퍼터링시켜, 상기 제1 은 함유 금속 막 표면에 배치되는 제2 금속 타겟 기재 막을 얻는 단계;및
6) 상기 제2 금속 타겟 기재 막 표면에서 굴절율이 2.0~2.5인 제2 고굴절율 화합물을 마그네트론 스퍼터링시켜, 창문막을 얻는 단계를 포함하고,
상기 제1 금속 타겟 기재 막의 재료와 제2 금속 타겟 기재 막의 재료가 Ti 또는 NiCr에서 독립적으로 선택되는 창문막 제조방법.
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