KR102032943B1 - 내냉열 충격 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물 및 전자 회로 기판 - Google Patents

내냉열 충격 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물 및 전자 회로 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명의 과제는 냉열 충격이 큰 환경 하에 놓여진 경우에도 플럭스 잔사의 접착력을 일정 이상으로 유지시키고, 땜납 접합부의 균열의 진전, 및 그에 기인하는 땜납 접합부의 땜납 전단 강도의 저하를 방지할 수 있는 플럭스 조성물 및 솔더 페이스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 해결 수단은 산가를 갖는 합성 수지와, 틱소제와, 활성제와, 용제를 포함하는 플럭스 조성물이며,
플럭스 조성물을 가열해서 형성하는 플럭스 고화물에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한 후의 상기 플럭스 고화물의 접착력이 0.2N/㎟ 이상인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물이다.

Description

내냉열 충격 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물 및 전자 회로 기판{FLUX COMPOSITION WITH THERMAL-SHOCK-RESISTANCE, SOLDER PASTE COMPOSITION AND ELECTRONIC CIRCUIT BOARD}
본 발명은 프린트 기판에 전자 부품 등을 납땜할 때에 사용되는 플럭스 조성물 및 이것을 사용한 솔더 페이스트 조성물에 관한 것이다. 특히, 한란의 차가 심한 냉열 충격 사이클 환경 하에 놓인 전자 회로 기판에 사용한 경우에도, 그 플럭스 잔사뿐만 아니라 땜납 접합부에 균열이 생기기 어려운 플럭스 조성물에 관한 것이다.
종래, 전자 부품을 기판에 실장할 때에 사용되는 솔더 페이스트 조성물에는, 플럭스 조성물이 배합된다. 그 배합의 목적은 땜납 합금 분말이나 기판 위의 금속 산화물의 제거와 땜납 합금 분말의 표면 장력을 저하시켜서 습윤성을 향상시키는 것이다.
그리고 기판 위에 전자 부품을 실장한 후, 이러한 플럭스 조성물의 일부는 플럭스 잔사로서 땜납 접합부 및 그의 근방, 예를 들어 기판 위나 전자 부품의 단자·리드 프레임 등에 부착된 채로 남아 버린다.
이러한 플럭스 잔사는 그 성질상 균열이 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 특히 그의 사용 시에 -40℃에서부터 125℃라고 하는 한란의 차가 심한 환경 하에 놓인 전자 회로 기판의 경우, 심한 냉열 충격을 받은 플럭스 잔사에는 특히 균열이 생기기 쉽다. 그리고, 이 균열을 통해서 수분이 전자 회로 기판의 회로 부분에 침투해서 회로를 단락시키거나, 그 회로의 금속을 부식시키거나 한다는 문제가 발생한다.
또한 상술한 바와 같이 한란의 차가 심한 환경 하에 놓인 전자 회로 기판의 경우, 실장된 전자 부품과 전자 회로 기판의 열팽창 계수의 차에 의해 땜납 접합부에 큰 응력이 발생한다. 그리고 이 응력에 의한 땜납 접합부의 소성 변형의 반복에 의해 땜납 접합부에 균열이 발생한다. 또한 땜납 접합부에 반복 응력이 가해지는 과정에서 (아직 균열이 발생하지 않음) 균열 선단 부근의 땜납에 응력이 집중된다. 이에 의해 균열이 땜납 접합부의 보다 깊숙한 곳으로 진전되어, 현저하게 균열이 진전된 경우에는, 최종적으로 전자 부품과 전자 회로 기판의 전기적인 접속이 손상된다고 하는 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하는 방법으로서, 전자 부품과 절연막 사이에 땜납부로부터 침출된 플럭스의 잔사가 개재되어 있고, 상기 플럭스에 사용하는 아크릴 수지의 유리 전이점이 -40℃ 이하 또는 상기 플럭스 잔사의 연화 온도 이상이며, -40℃로부터 상기 플럭스 잔사의 연화 온도까지의 온도 범위에 있어서의 선팽창 계수의 최대값이 300×10-6/K 이하인 플럭스 잔사를 갖는 땜납 접합 구조가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).
국제 공개 제2009/104693호
본 발명은 상기 과제를 해결하는 것으로, 특히 그의 사용 시에 -40℃에서부터 125℃라고 하는 한란의 차가 심하여 냉열 충격이 큰 환경 하에 놓인 전자 회로 기판에 사용된 경우에도, 땜납 접합부의 균열의 진전을 억제하고, 이에 의해 땜납 접합부의 땜납 전단 강도의 저하를 방지할 수 있는 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물 및 이들을 사용해서 형성된 땜납 접합부를 갖는 전자 회로 기판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
(1) 본 발명의 플럭스 조성물은 산가를 갖는 합성 수지와, 틱소제와, 활성제와, 용제를 포함하고, 이 플럭스 조성물을 가열해서 형성하는 플럭스 고화물에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한 후의 상기 플럭스 잔사의 접착력이 0.2N/㎟ 이상인 것을 그 특징으로 한다.
(2) 상기 (1)의 구성에 있어서, 상기 산가를 갖는 합성 수지는 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산의 각종 에스테르, 메타크릴산의 각종 에스테르, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 무수 말레산, 말레산의 에스테르, 무수 말레산의 에스테르, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 염화비닐 및 아세트산비닐 중 적어도 1종의 단량체를 중합해서 이루어지는 아크릴 수지, 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합해서 이루어지는 유도체 화합물 중 적어도 하나인 것을 그 특징으로 한다.
(3) 상기 (1) 또는 (2)의 구성에 있어서, 본 발명의 플럭스 조성물은 산화 방지제를 더 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 구성에 있어서, 본 발명의 플럭스 조성물은 로진계 수지를 더 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 구성에 있어서, 상기 산가를 갖는 합성 수지의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 10중량％ 내지 90중량％인 것을 그 특징으로 한다.
(6) 본 발명의 솔더 페이스트 조성물은 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 플럭스 조성물과 땜납 합금 분말을 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
(7) 상기 (6)에 기재된 구성에 있어서, 상기 땜납 합금 분말은 Sn 및 Sb를 포함하는 합금; Sn 및 Sb, 및 Ag, Bi 및 In 중 적어도 1종을 포함하는 합금; Sn, 및 Ag, Cu 및 Bi 중 적어도 1종을 포함하는 합금; Sn 및 Pb를 포함하는 합금 중 하나를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
(8) 본 발명의 땜납 접합부는 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성되고, 상기 땜납 접합부에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여하기 전과 부여한 후의 땜납 전단 강도의 저하율이 50％ 이하인 것을 그 특징으로 한다.
(9) 본 발명의 전자 회로 기판은 전자 부품이 탑재되고, 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성되는 땜납 접합부와 플럭스 잔사를 갖고, 상기 플럭스 잔사가 상기 땜납 접합부 및 그의 근방에 전자 회로 기판 표면과 상기 전자 부품에 접착하도록 형성되는 것을 그 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 한란의 차가 심한 환경 하에 놓인 전자 회로 기판의 경우, 실장된 전자 부품과 전자 회로 기판의 열팽창 계수의 차에 의해 땜납 접합부에 큰 응력이 발생한다. 이 응력에 의한 땜납 접합부의 소성 변형의 반복에 의해, 땜납 접합부에 균열이 발생한다. 그리고 또한 반복 응력이 가해지는 과정에서 (아직 균열이 발생하지 않음) 균열 선단 부근의 땜납에 응력이 집중된다. 이 때문에 균열이 땜납 접합부의 보다 깊숙한 곳으로 진전되어, 현저하게 균열이 진전된 경우에는 최종적으로 전자 부품과 전자 회로 기판의 전기적인 접속이 손상된다.
그러나 본 발명의 플럭스 조성물 및 솔더 페이스트 조성물에 의해 형성되는 플럭스 잔사는 심한 냉열 충격을 받은 경우에도 그의 접착력을 유지할 수 있다. 그리고 이러한 플럭스 잔사는 그 접착력에 의해 부품과 기판 및 땜납 접합부를 접착하고 있다. 그에 의해, 상기 플럭스 잔사는 균열 선단 부근의 땜납으로의 응력 집중을 방지하여, 냉열 충격이 큰 환경 하에서도 땜납 접합부의 균열의 진전을 억제할 수 있는 것으로 생각된다.
또한 이러한 플럭스 잔사 및 땜납 접합부를 갖는 전자 회로 기판은, 예를 들어 자동차의 엔진실 내와 같이 장기간의 가혹한 냉열 충격 사이클에 노출되는 환경 하에서도, 충분한 접합 신뢰성을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 전자 회로 기판의 단면을 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예 및 한 비교예에 있어서의 냉열 충격 사이클 하에서의 플럭스 잔사의 접착력(N)의 변화를 도시하는 도면이다.
도 3은 동 실시예 및 동 비교예에 관한 것으로, 냉열 충격 사이클 하에서의 플럭스 잔사가 부착된 땜납 접합부의 땜납 전단 강도의 변화를 도시하는 도면이다.
도 4는 동 실시예 및 동 비교예에 관한 것으로, 냉열 충격 시험 후(2000사이클)의 칩 레지스터의 단면 사진이다.
본 발명의 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물 및 전자 회로 기판의 일 실시 형태를 이하에 상세하게 설명한다.
<플럭스 조성물>
본 실시 형태의 플럭스 조성물은 산가를 갖는 합성 수지와 틱소제와 활성제와 용제를 포함한다.
1. 산가를 갖는 합성 수지
상기 산가를 갖는 합성 수지로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산의 각종 에스테르, 메타크릴산의 각종 에스테르, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 무수 말레산, 말레산의 에스테르, 무수 말레산의 에스테르, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 염화비닐 및 아세트산비닐 중 적어도 1종의 단량체를 중합해서 이루어지는 아크릴 수지, 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합해서 이루어지는 유도체 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
상기 아크릴 수지 중에서도, 특히 메타크릴산과 탄소쇄가 직쇄상인 탄소수 2 내지 20의 포화 알킬기를 2개 갖는 단량체를 포함하는 단량체류를 (공)중합해서 얻어지는 아크릴 수지가 바람직하게 사용된다.
또한 상기 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합해서 이루어지는 유도체 화합물(이하, 「로진 유도체 화합물」이라고 함)에 사용하는 카르복실기를 갖는 로진계 수지로서는, 예를 들어 톨유(tall oil) 로진, 검 로진, 우드 로진 등의 로진; 수소 첨가 로진, 중합 로진, 불균일화 로진, 아크릴산 변성 로진, 말레산 변성 로진 등의 로진 유도체 등을 들 수 있다. 이들 이외에도 카르복실기를 갖는 로진이라면 사용할 수 있다. 또한 이들은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
다음으로 상기 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물로서는, 예를 들어 다이머 디올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에스테르다이머 디올과 같은 다이머산으로부터 유도되는 화합물이며, 그의 말단에 알코올기를 갖는 것 등을 들 수 있다. 이러한 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물로서는, 예를 들어 프리폴(PRIPOL) 2033, 프리플라스트(PRIPLAST) 3197, 프리플라스트 1838(이상, 구로다재팬(주) 제조) 등을 사용할 수 있다.
상기 로진 유도체 화합물은 상기 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 상기 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합함으로써 얻어진다. 이 탈수 축합의 방법으로서는 일반적으로 사용되는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 상기 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합할 때의 바람직한 중량 비율은 각각 25:75 내지 75:25이다.
상기 산가를 갖는 합성 수지의 산가는 10 내지 150mgKOH/g인 것이 바람직하다. 또한 그의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 10중량％ 내지 90중량％인 것이 바람직하다.
2. 틱소제
본 실시 형태의 플럭스 조성물에 사용하는 틱소제로서는, 예를 들어 수소 첨가 피마자유, 지방산 아미드류, 옥시 지방산류를 들 수 있다.
이러한 틱소제의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 3중량％ 내지 15중량％인 것이 바람직하다.
3. 활성제
본 실시 형태의 플럭스 조성물에 사용하는 활성제로서는, 예를 들어 유기 아민의 할로겐화수소염 등의 아민염(무기산염이나 유기산염), 유기산, 유기산염, 유기 아민염을 배합할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 디페닐구아니딘브롬화수소산염, 시클로헥실아민브롬화수소산염, 디에틸아민염, 산염, 숙신산, 아디프산, 세박산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
이러한 활성제의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 5중량％ 내지 15중량％인 것이 바람직하다.
4. 용제
본 실시 형태의 플럭스 조성물에 사용하는 용제로서는, 예를 들어 이소프로필알코올, 에탄올, 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 글리콜에테르 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
이러한 용제의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 20중량％ 내지 40중량％인 것이 바람직하다.
5. 산화 방지제
본 실시 형태의 플럭스 조성물에는, 땜납 합금 분말의 산화를 억제할 목적으로 산화 방지제를 배합할 수 있다. 이러한 산화 방지제로서는, 예를 들어 힌더드페놀계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 비스페놀계 산화 방지제, 중합체형 산화 방지제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 특히 힌더드 페놀계 산화제가 바람직하게 사용된다. 또한 이들은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
이러한 산화 방지제의 배합량은 특별히 한정되지 않는다. 그의 바람직한 배합량은 일반적으로는 플럭스 조성물 전량에 대하여 0.5중량％ 내지 5중량％ 정도이다.
6. 로진계 수지
본 실시 형태의 플럭스 조성물에는, 로진계 수지로서 예를 들어 톨유 로진, 검 로진, 우드 로진 등의 로진, 및 로진에 중합화, 수소 첨가화, 불균일화, 아크릴화, 말레화, 에스테르화 및 페놀 부가 반응 등을 행한 로진 변성 수지 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
이러한 로진계 수지의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 20중량％ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 플럭스 조성물에는, 아크릴계 수지, 및 할로겐, 소광제 및 소포제 등의 첨가제를 더 첨가할 수도 있다.
이러한 아크릴계 수지로서는, 예를 들어 아크릴계 단량체를 중합 성분에 갖는 중합체를 포함하는 수지를 사용할 수 있다. 이러한 아크릴계 단량체로서는, 산성기를 갖는 아크릴산, 메타크릴산, 에스테르기를 갖는 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 또한 이외에, 이들 아크릴계 단량체만을 사용한 중합체를 포함하는 수지도 사용할 수 있다. 이러한 아크릴계 수지의 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 50중량％ 이하인 것이 바람직하다.
또한 상기 첨가제의 배합량은, 플럭스 조성물 전량에 대하여 10중량％ 이하인 것이 바람직하다. 또한 이들의 더욱 바람직한 배합량은 플럭스 조성물 전량에 대하여 5중량％ 이하이다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물을 가열해서 형성하는 플럭스 고화물은, 이것에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한 후의 접착력을 0.2N/㎟ 이상으로 유지할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 이러한 플럭스 고형물은 플럭스 조성물만을 가열해서 형성하는 것과, 해당 플럭스 조성물과 땜납 합금 분말을 포함하는 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 전자 회로 기판 위에 전자 부품을 실장한 경우에 해당 전자 기판 위에 형성되는 플럭스 잔사의 양쪽을 포함한다.
<솔더 페이스트 조성물>
본 실시 형태의 솔더 페이스트 조성물은 상기 플럭스 조성물과 땜납 분말을 혼합함으로써 얻어진다.
상기 땜납 합금 분말로서는, 예를 들어 Sn, Ag, Cu, Bi, Zn, In, Ga, Sb, Au, Pd, Ge, Ni, Cr, Al, P, In, Pb 등을 복수종 조합한 것을 들 수 있다. 대표적인 땜납 합금 분말로서는, Sn과 Pb를 포함하는 Sn-Pb계 땜납 합금 분말이나, Sn-Ag-Cu 및 Sn-Ag-Cu-In과 같은 무연(無鉛) 땜납 합금 분말이 사용된다.
상기 땜납 합금 분말 중에서도, Sn-Sb, Sn-Sb-Ag, Sn-Sb-Bi, Sn-Sb-In, Sn-Sb-Ag-Bi, Sn-Sb-Ag-In, Sn-Sb-Bi-In, Sn-Ab-Ag-Bi-In, Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu, Sn-Ag-Bi, Sn-Cu-Bi, Sn-Ag-Cu-Bi, 및 Sn-Pb계 땜납 합금 분말이 바람직하게 사용된다. 이들 합금 분말은 단독으로 또는 복수종을 조합해서 사용할 수 있다.
상기 땜납 합금 분말의 배합량은 솔더 페이스트 조성물 전량에 대하여 65중량％ 이상 95중량％ 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직한 배합량은 85중량％ 이상 93중량％ 이하이고, 특히 바람직한 배합량은 89중량％ 이상 92중량％ 이하이다.
땜납 합금 분말의 배합량이 65중량％ 미만인 경우에는, 얻어지는 솔더 페이스트 조성물을 사용한 경우에 충분한 땜납 접합이 형성되기 어려워지는 경향이 있다. 한편, 땜납 합금 분말의 함유량이 95중량％를 초과하는 경우에는 결합제로서의 플럭스 조성물이 부족하기 때문에, 플럭스 조성물과 땜납 합금 분말을 혼합시키기 어려워지는 경향이 있다.
<전자 회로 기판>
본 실시 형태의 전자 회로 기판은, 그의 표면 위에 형성되는 전극부와, 이 전극부 위에 형성되는 땜납 접합부와, 이 땜납 접합부를 개재해서 상기 전자 회로 기판 위에 실장되는 전자 부품과, 상기 땜납 접합부 및 그의 근방에 존재해서 상기 전자 회로 기판 표면과 상기 전자 부품에 접착하도록 형성되는 플럭스 잔사를 갖는다. 상기 땜납 접합부 및 플럭스 잔사는 상기 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성된다.
또한 상기 땜납 접합부는 상기 솔더 페이스트 조성물을 리플로우 처리함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 플럭스 잔사가 전자 회로 기판 표면과 전자 부품에 접착하도록 형성되는 상태란, 플럭스 잔사가 전자 회로 기판 자체의 표면과 전자 부품에 접착하는 경우와, 플럭스 잔사가 전자 회로 기판 위에 형성되는 절연층의 표면과 전자 부품에 접착하는 경우의 양쪽을 포함한다.
또한 본 실시 형태의 전자 회로 기판에 실장되는 전자 부품의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 이러한 전자 부품으로서, 예를 들어 칩 콘덴서, 칩 LED와 같은 칩형 부품을 실장할 때에 특히 그 효과를 발휘할 수 있다.
이하, 도 1을 사용해서 본 실시 형태의 전자 회로 기판의 일 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 전자 회로 기판은, 기판(1), 전극부(2), 절연층(3), 땜납 접합부(4), 플럭스 잔사(5), 전자 부품(6), 외부 전극(7)을 포함한다.
전극부(2) 및 절연층(3)은 기판(1) 표면에 형성되어 있다. 땜납 접합부(4)는, 전극부(2)와 전자 부품(6)의 외부 전극(7)을 접합하도록 형성되어 있고, 플럭스 잔사(5)는 땜납 접합부(4), 및 전자 부품(6)의 기판(1)측 표면과 이에 대향하는 절연층(3) 표면에 접착하도록 형성되어 있다. 또한, 플럭스 잔사(5)는, 절연층(3)과 땜납 접합부(4)와 전자 부품(6) 사이에 생기는 공간을 충전하도록 형성되는 것이 바람직하다.
플럭스 잔사(5)가 상기 기판(1) 표면과 절연층(3) 표면에 접착하는 힘은, -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 상기 전자 회로 기판에 2000사이클 부여한 경우에도, 0.2N/㎟ 이상을 유지할 수 있다.
나아가서는 본 실시 형태에 있어서의 전자 회로 기판은 상기 냉열 충격 시험을 부여하기 전과 후의 상기 땜납 접합부의 땜납 전단 강도의 저하율을 50％ 이하로 유지할 수 있다.
상기와 같은 구성을 포함하는 본 실시 형태의 전자 회로 기판은 냉열 충격 사이클 하에서의 전자 부품(6)과 기판(1)의 열팽창의 차에 의해 땜납 접합부(4)에 소성 변형의 반복에 의한 균열이 발생한 경우에도, 이 균열 선단 부근의 땜납으로의 응력의 집중을 방지할 수 있기 때문에, 땜납 접합부(4)의 균열 진전을 억제할 수 있다.
특히 도 1과 같이 플럭스 잔사(5)가 전자 부품(6)의 기판(1)측 표면과 이에 대향하는 절연층(3)의 표면과 땜납 접합부(4) 사이에 생기는 간극을 메우도록 형성되어 있는 경우, 플럭스 잔사(5)가 전자 부품(6)과 절연층(3)에 견고하게 접착되기 때문에, 땜납 접합부(4)의 균열 진전을 보다 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는 기판(1) 위에 절연층(3)이 형성된 상태에서 전자 부품(6)이 실장되어 있다. 그러나, 예를 들어 세라믹 기판과 같이 기판 위에 절연층을 형성하지 않은 기판을 사용해서 형성한 전자 회로 기판이어도 마찬가지 효과를 발휘한다.
또한 본 명세서에 있어서, 상기 플럭스 고형물(플럭스 잔사를 포함함)의 접착력은 이하의 측정 방법에 의해 측정된다.
플럭스 조성물 또는 이것을 사용한 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 기판 위에 칩 부품을 표면 실장하고, 당해 기판 위에 플럭스 고형물을 형성한다. 당해 플럭스 고형물은 상기 칩 부품과 상기 기판의 양쪽에 접착하도록 형성된다.
그 후, 냉열 충격 시험 장치 등을 사용해서 상기 기판에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한다.
그리고 상기 냉열 충격 시험 후의 기판 위에 있는 플럭스 고형물에 대해서, 오토그래프 등을 사용해서 그 접착력을 측정한다. 측정의 조건은 JIS 규정 C60068-2-21에 준거한다. 측정에 사용하는 지그는 단부면이 평탄하며 부품 치수와 동등 이상의 폭을 갖는 전단 지그로 한다. 측정에 있어서는, 상기 전단 지그를 상기 냉열 충격 시험 후의 칩 부품 측면에 부딪히게 해서 소정의 전단 속도로 기판에 평행한 힘을 가해서 그 최대 시험력을 구한다. 그리고, 이 값을 상기 칩 부품의 면적으로 나누어서 플럭스 고형물의 접착력을 산출한다. 이때, 전단 높이는 부품 높이의 1/4 이하로 하고, 전단 속도는 5㎜/분으로 한다.
또한 본 명세서에 있어서, 상기 땜납 접합부의 땜납 전단 강도 및 그 저하율은 이하의 측정 방법에 의해 측정된다.
솔더 페이스트 조성물을 사용해서 기판 위에 칩 부품을 표면 실장하고, 그 기판 위에 땜납 접합부 및 플럭스 잔사를 형성한다. 상기 칩 부품을 실장한 기판에 대해서 오토그래프 등을 사용해서 그의 땜납 전단 강도를 측정한다.
그 후, 냉열 충격 시험 장치 등을 사용해서 상기 기판에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한다.
계속해서, 상기 냉열 충격 시험 후의 기판 위에 있는 땜납 접합부에 대해서, 오토그래프 등을 사용해서 그의 땜납 전단 강도를 측정한다.
냉열 충격 시험 전후의 땜납 전단 강도 측정의 조건은 JIS 규정 C60068-2-21에 준거한다. 측정에 사용하는 지그는 단부면이 평탄하고 부품 치수와 동등 이상의 폭을 갖는 전단 지그로 한다. 측정에 있어서는, 상기 전단 지그를 기판의 칩 부품 측면에 부딪히게 해서 소정의 전단 속도로 기판에 평행한 힘을 가해서 그 최대 시험력을 구한다. 그리고 이 값을 땜납 전단 강도로 한다. 이때, 전단 높이는 부품 높이의 1/4 이하로 하고, 전단 속도는 5㎜/분으로 한다.
냉열 충격 시험 전의 땜납 접합부의 땜납 전단 강도에 대하여 냉열 충격 시험 후에 보다 저하된 땜납 전단 강도의 비율을 백분율로 나타낸 값을 땜납 전단 강도의 저하율(％)로 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 땜납 접합부의 땜납 전단 강도란, 플럭스 잔사가 부착된 상태의 땜납 접합부의 땜납 전단 강도를 의미한다.
이러한 플럭스 조성물 및 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성된 땜납 접합부 및 플럭스 잔사를 갖는 전자 회로 기판은, 이것이 한란의 차가 심한 가혹한 환경 하에서 사용되는 경우에도, 그 플럭스 잔사 및 땜납 접합부의 균열 진전 억제, 및 그에 기인하는 땜납 접합부의 땜납 전단 강도의 저하 억제를 실현할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<산가를 갖는 합성 수지의 합성 및 합성 수지의 합성>
이하의 성분 및 수순으로, 본 발명에 따른 산가를 갖는 아크릴 수지 A 내지 C, 및 산가를 갖는 로진 변성 수지 F 내지 H, 및 비교예에 관련된 합성 수지 D 및 E를 제조하였다.
아크릴 수지 A
메타크릴산 10중량％, 2-에틸헥실메타크릴레이트 51중량％, 라우릴아크릴레이트 39중량％를 혼합한 용액을 제조하였다.
그 후, 교반기, 유관 및 질소 도입관을 구비한 500㎖의 4구 플라스크에 디에틸헥실글리콜 200g을 넣고, 이것을 110℃로 가열하였다. 그 후, 상기 용액 300g에 아조계 라디칼 개시제로서 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(제품명:V-601, 와꼬쥰야꾸(주) 제조)를 0.2중량％ 내지 5중량％ 첨가하고 이것을 용해시켰다.
이 용액을 상기 4구 플라스크에 1.5시간에 걸쳐 적하하고, 당해 4구 플라스크 내에 있는 성분을 110℃에서 1시간 교반한 후에 반응을 종료시켜, 아크릴 수지 A를 얻었다. 또한, 아크릴 수지 A의 중량 평균 분자량은 7,800Mw, 산가는 40mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -47℃였다.
아크릴 수지 B
교반기 및 환류관을 구비한 2000㎖의 4구 플라스크에 아크릴산 243.4g(3.38mol), 2-헥실 데칸올 630.3g(2.6mol, 제품명: 파인옥소콜 1600, 닛산가가꾸고교(주) 제조), p-톨루엔술폰산 1수화물 74.1g(0.39mol), p-메톡시히드로퀴논 4g, 톨루엔 900g을 첨가하고, 환류 하에서 이들을 6시간 반응시켰다. 이 용액을 포화 탄산수소나트륨 수용액으로 중화하고, 이것을 아세트산에틸로 추출한 후에 농축하여, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 2-헥실데실아크릴레이트 756g(수율: 98％)을 얻었다.
Figure 112014079349494-pat00001
그리고, 메타크릴산 11중량％, 2-에틸헥실메타크릴레이트 25중량％, 상기 2-헥실데실아크릴레이트 64중량％를 혼합한 용액을 사용한 것 이외에는 아크릴 수지 A의 제조와 동일 조건으로 아크릴 수지 B를 얻었다. 또한, 아크릴 수지 B의 중량 평균 분자량은 14,700Mw, 산가는 72mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -71℃였다.
아크릴 수지 C
메타크릴산 11중량％, 2-에틸헥실메타크릴레이트 10중량％, 상기 2-헥실데실아크릴레이트 79중량％를 혼합한 용액을 사용한 것 이외에는 아크릴 수지 A의 제조와 동일 조건으로 아크릴 수지 C를 얻었다. 또한, 아크릴 수지 C의 중량 평균 분자량은 12,500Mw, 산가는 70mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -83℃였다.
아크릴 수지 D
2-에틸헥실아크릴레이트 100중량％로 이루어지는 용액을 사용한 것 이외에는 아크릴 수지 A의 제조와 동일 조건으로 아크릴 수지 D를 얻었다. 또한, 아크릴 수지 D의 중량 평균 분자량은 8,200Mw, 산가는 0mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -70℃였다.
아크릴 수지 E
라우릴메타크릴레이트 100중량％로 이루어지는 용액을 사용한 것 이외에는 아크릴 수지 A의 제조와 동일 조건으로 아크릴 수지 E를 얻었다. 또한, 아크릴 수지 E의 중량 평균 분자량은 9,000Mw, 산가는 0mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -60℃였다.
로진 변성 수지 F
수소 첨가 산 변성 로진(제품명: KE-604, 아라까와가가꾸고교(주) 제조) 62중량％와 다이머 디올(제품명: 프리폴 2033, 구로다재팬(주) 제조) 38중량％를 혼합한 용액을 제조하였다.
교반 날개, 딘-스타르크 장치 및 질소 도입관을 구비한 500㎖의 4구 플라스크에 상기 용액 224g를 넣고, 이것을 질소 분위기 하 150℃에서 1시간 교반하고, 수소 첨가 산 변성 로진을 용해시켰다.
계속해서, 상기 4구 플라스크에 p-톨루엔술폰산 1수화물 5.7g(0.03mol)을 첨가하고 이것을 180℃까지 승온하고, 탈수 반응을 행하였다. 탈수가 멈출 때까지 이것을 3시간 반응시킨 후에 실온까지 방냉하고, 아세트산에틸 200g을 더 첨가하여 균일한 용액으로 하였다. 이것을 포화 탄산수소나트륨 수용액으로 중화시켜서 분액 후에 농축함으로써, 로진 변성 수지 F를 얻었다.
또한, 로진 변성 수지 F의 중량 평균 분자량은 2,680Mw, 산가는 68mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -10℃ 내지 -20℃였다.
로진 변성 수지 G
수소 첨가 산 변성 로진(제품명: KE-604, 아라까와가가꾸고교(주) 제조) 52.5중량％와 다이머 디올(제품명: PRIPOL2033, 구로다재팬(주) 제조) 47.5중량％를 혼합한 용액을 사용하는 것 이외는 로진 변성 수지 F의 제조와 동일 조건으로 로진 변성 수지 G를 얻었다. 또한, 로진 변성 수지 G의 중량 평균 분자량은 3,850Mw, 산가는 26mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -10℃ 내지 -20℃였다.
로진 변성 수지 H
수소 첨가 산 변성 로진(제품명: KE-604, 아라까와가가꾸고교(주) 제조) 50중량％와 다이머 디올(제품명: PRIPOL2033, 구로다재팬(주) 제조) 50중량％를 혼합한 용액을 사용하는 것 이외에는 로진 변성 수지 F의 제조와 동일 조건으로 로진 변성 수지 H를 얻었다. 또한, 로진 변성 수지 H의 중량 평균 분자량은 4,810Mw, 산가는 19mgKOH/g, 유리 전이 온도는 -10℃ 내지 -20℃였다.
또한, 비교예의 로진 변성 수지로서 사용하는 수소 첨가 산 변성 로진(제품명: KE-604, 아라까와가가꾸고교(주) 제조)의 중량 평균 분자량은 350Mw, 산가는 230mgKOH/g, 유리 전이 온도는 75℃였다.
<플럭스 조성물>
표 1에 기재된 각 성분을 혼련하여, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 3의 각 플럭스 조성물을 얻었다.
Figure 112014079349494-pat00002
각 플럭스 조성물에 대해서, 플럭스 잔사의 접착력을 측정하였다. 그 측정 방법은 이하와 같다. 또한 측정한 수치를 표 2에 나타내었다.
각 실시예 및 각 비교예용으로 유리 에폭시 기판(땜납을 갖는 패턴 없음, 솔더 레지스트 구비)과, 3.2㎜×1.6㎜ 크기의 칩 부품과, 당해 칩 부품을 실장하기 위해서 형성된 개구를 갖는 두께 150㎛의 금속 마스크를 준비하였다.
상기 각 유리 에폭시 기판 위에 상기 금속 마스크를 사용해서 각 플럭스 조성물을 인쇄하고, 각각에 상기 칩 부품을 탑재하였다. 그 후, 리플로우 로(제품명: TNP-538EM, (주)다무라세이사꾸쇼 제조, 가열 조건: 산소 농도 1500±500ppm의 질소 분위기 하에서, 피크 온도 240℃)를 사용해서 상기 각 기판을 가열하고, 플럭스 잔사로 당해 각 기판과 상기 칩 부품을 접착하였다.
이어서, 냉열 충격 시험 장치(제품명: ES-76LMS, 히타치어플라이언스(주) 제조, 냉열 충격 조건: 1사이클 -40℃(30분간) 내지 125℃(30분간))를 사용하여, 상기 냉열 충격 사이클을 2000회 반복하는 환경 하에 상기 각 기판을 노출시킨 후 이것을 꺼내서, 각 시험 기판을 제조하였다.
상기 각 시험 기판에 대해서, 각 기판과 상기 칩 부품의 접착력(플럭스 잔사의 접착력)을 오토그래프(제품명: EZ-L-500N, (주)시마즈세이사꾸쇼 제조)를 사용하여 측정하였다. 측정 조건은 JIS 규정 C60068-2-21에 준거하였다. 또한 접착력의 측정 시에 있어서는, 지그는 단부면이 평탄하며 부품 치수와 동등 이상의 폭을 갖는 전단 지그를 사용하였다. 이 전단 지그를 상기 칩 부품 측면에 부딪히게 해서 소정의 전단 속도로 기판에 평행한 힘을 가해서 최대 시험력을 구하고, 이 값을 플럭스 잔사의 접착력(N)으로 하였다. 또한 이 값을 상기 칩 부품의 면적으로 나누어서 플럭스 잔사의 접착력(N/㎟)을 산출하였다. 이때, 전단 높이는 부품 높이의 1/4 이하로 하고, 전단 속도는 5㎜/분으로 하였다.
또한, 실시예 4 및 비교예 1에 대해서는, 상기 냉열 충격 사이클을 0, 500, 1000, 1500 및 2000회 반복했을 때의 플럭스 잔사(N)의 접착력을 측정하였다.
이어서, 상기 각 플럭스 조성물 11.0중량％와, Sn-3Ag-0.5Cu 땜납 합금 분말(평균 입경 20 내지 36㎛) 89.0중량％를 혼합하고, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 3에 관한 각 솔더 페이스트 조성물을 제조하였다.
각 솔더 페이스트 조성물에 대해서, 땜납 접합부의 땜납 전단 강도 저하율과 땜납 균열 진전성을 측정하고, 그 결과에 기초하여 평가를 행하였다. 이들 측정 방법 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한 그 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
<땜납 전단 강도 저하율>
각 실시예 및 각 비교예용으로 3.2㎜×1.6㎜의 크기의 칩 부품과, 유리 에폭시 기판(상기 칩 부품이 실장 가능한 패턴, 솔더 레지스트 및 상기 칩 부품을 접속하는 전극(1.6㎜×1.0㎜)을 구비)과, 상기와 동일한 패턴을 갖는 두께 150㎛의 금속 마스크를 준비하였다.
상기 각 유리 에폭시 기판 위에 상기 금속 마스크를 사용해서 각 솔더 페이스트 조성물을 인쇄하고, 각각에 상기 칩 부품을 탑재하였다. 그 후, 리플로우 로(제품명: TNP-538EM, (주)다무라세이사꾸쇼 제조, 가열 조건: 산소 농도 1500±500ppm의 질소 분위기 하에서, 피크 온도 240℃)를 사용해서 상기 각 기판을 가열해서 납땜을 하여, 땜납 접합부를 형성하였다. 이 납땜을 행한 각 기판에 대해서, 각 기판 위의 땜납 접합부의 땜납 전단 강도를 오토그래프(제품명: EZ-L-500N, (주)시마즈세이사꾸쇼 제조)를 사용하여 측정하였다.
이어서, 냉열 충격 시험 장치(제품명: ES-76LMS, 히타치어플라이언스(주) 제조, 냉열 충격 조건: 1사이클 -40℃(30분간) 내지 125℃(30분간))를 사용하여, 상기 냉열 충격 사이클을 2000회 반복하는 환경 하에 상기 각 기판을 노출시킨 후 이것을 꺼냈다. 그리고 이 냉열 충격 시험 후의 각 기판 위의 땜납 접합부의 땜납 전단 강도를 오토그래프(제품명: EZ-L-500N, (주)시마즈세이사꾸쇼 제조)를 사용하여 측정하였다.
상기 땜납 전단 강도의 측정 조건은, 모두 JIS 규정 C60068-2-21에 준거하였다. 또한 땜납 전단 강도의 측정 시에 있어서는, 지그는 단부면이 평탄하며 부품 치수와 동등 이상의 폭을 갖는 전단 지그를 사용하였다. 이 전단 지그를 칩 부품 측면에 부딪히게 해서 소정의 전단 속도로 기판에 평행한 힘을 가해서 최대 시험력을 구하고, 이 값을 땜납 접합부의 땜납 전단 강도로 하였다. 이때, 전단 높이는 부품 높이의 1/4 이하로 하고, 전단 속도는 5㎜/분으로 하였다.
그리고, 냉열 충격 시험 전의 땜납 전단 강도와 냉열 충격 시험 후의 땜납 전단 강도를 비교하여, 저하된 전단 강도의 비율을 백분율로 나타낸 값을 전단 강도 저하율(％)로서 구하고, 이하와 같이 평가하였다.
○: 전단 강도 저하율이 50％ 이하
×: 전단 강도 저하율이 50％ 초과
또한, 실시예 4 및 비교예 1에 대해서는, 상기 냉열 충격 사이클을 0, 500, 1000, 1500 및 2000회 반복했을 때의 땜납 전단 강도를 측정하였다.
<땜납 균열 진전성>
각 실시예 및 각 비교예용으로 3.2㎜×1.6㎜의 크기의 칩 부품과, 유리 에폭시 기판(상기 칩 부품을 실장할 수 있는 패턴, 솔더 레지스트 및 상기 칩 부품을 접속하는 전극(1.6㎜×1.0㎜) 구비)과, 상기와 동일한 패턴을 갖는 두께 150㎛의 금속 마스크를 준비하였다.
상기 각 유리 에폭시 기판 위에 상기 금속 마스크를 사용해서 각 솔더 페이스트 조성물을 인쇄하고, 각각에 상기 칩 부품을 탑재하였다. 그 후, 리플로우 로(제품명: TNP-538EM, (주)다무라세이사꾸쇼 제조, 가열 조건: 산소 농도 1500±500ppm의 질소 분위기 하에서, 피크 온도 240℃)를 사용해서 상기 각 기판을 가열해서 납땜을 하고, 땜납 접합부를 형성하였다.
이어서, 냉열 충격 시험 장치(제품명: ES-76LMS, 히타치어플라이언스(주) 제조, 냉열 충격 조건: 1사이클 -40℃(30분간) 내지 125℃(30분간))를 사용하여, 상기 냉열 충격 사이클을 2000회 반복하는 환경 하에 상기 각 기판을 노출시킨 후 이것을 꺼내서, 각 시험 기판을 제조하였다.
그리고, 상기 각 시험 기판의 대상 부분을 잘라내고, 이것을 에폭시 수지(제품명: 에포마운트(주제 및 경화제), 리파인테크(주) 제조)를 사용해서 밀봉하였다. 또한 습식 연마기(제품명: 테그라폴(TegraPol)-25, 마루모또 스투르어스(주) 제조)를 사용해서 상기 각 시험 기판에 실장된 상기 칩 부품의 중앙 단면을 알 수 있는 상태로 하였다. 계속해서 상기 각 시험 기판의 땜납 접합부의 조직 내부로 진행된 균열의 길이를 측정 현미경(제품명: STM6, 올림푸스(주) 제조)으로 측정하여, 이하와 같이 평가하였다.
○: 균열의 길이가 0.5㎜ 이하
×: 균열의 길이가 0.5㎜초과
Figure 112014079349494-pat00003
이상, 실시예에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 플럭스 조성물을 가열해서 형성하는 플럭스 잔사는, 이것에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한 후의 접착력이 0.2N/㎟ 이상으로 높아, 전자 부품과 기판을 견고하게 접착할 수 있다.
또한 본 실시예의 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성한 땜납 접합부는 상기 냉열 충격 시험에 의한 땜납 접합부의 균열 진전 및 전단 강도의 저하를 억제할 수 있다.
이러한 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물을 사용한 전자 회로 기판은 특히 고신뢰성이 요구되며, 또한 -40℃ 내지 125℃라고 하는 심한 냉열 충격 사이클 하에 장시간 노출되는 환경 하에서 적절하게 사용할 수 있다. 특히 실시예 4의 플럭스 조성물 및 솔더 페이스트 조성물은 플럭스 잔사의 접착력이 냉열 충격 사이클리플로우 로를 올릴수록 증가하고 있다. 이러한 플럭스 잔사를 갖는 전자 회로 기판은 장시간에 걸쳐서 냉열 충격 사이클을 받는 환경 하에서 매우 적절하게 사용할 수 있다.
1 : 기판
2 : 전극부
3 : 절연층
4 : 땜납 접합부
5 : 플럭스 잔사
6 : 전자 부품
7 : 외부 전극

Claims (15)

  1. 산가를 갖는 합성 수지와, 틱소제와, 활성제와, 용제를 포함하는 플럭스 조성물이며,
    상기 산가를 갖는 합성 수지로서
    메타크릴산과 2-헥실데실아크릴레이트를 포함하는 단량체를 중합해서 얻어지는 아크릴 수지 및
    카르복실기를 갖는 로진계 수지와 다이머산으로부터 유도되는 화합물이며, 상기 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 그의 말단에 알코올기를 갖는 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합함으로써 얻어지는 유도체 화합물
    중 적어도 하나를 포함하고,
    플럭스 조성물을 가열해서 형성하는 플럭스 고화물에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여한 후의 상기 플럭스 고화물의 접착력이 0.2N/㎟ 이상인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메타크릴산과 2-헥실데실아크릴레이트를 포함하는 단량체를 중합해서 얻어지는 아크릴 수지는, 메타크릴산과 2-헥실데실아크릴레이트와 탄소쇄가 직쇄상인 탄소수 2 내지 20의 포화 알킬기를 2개 갖는 단량체를 포함하는 단량체류를 중합해서 얻어지는 아크릴 수지인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 메타크릴산과 2-헥실데실아크릴레이트를 포함하는 단량체를 중합해서 얻어지는 아크릴 수지는, 메타크릴산과 2-헥실데실아크릴레이트와 탄소쇄가 직쇄상인 탄소수 6 내지 20의 포화 알킬기를 2개 갖는 단량체를 포함하는 단량체류를 중합해서 얻어지는 아크릴 수지인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 산화 방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 산화 방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 산화 방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 산가를 갖는 합성수지 이외의 로진계 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  8. 제2항에 있어서, 상기 산가를 갖는 합성수지 이외의 로진계 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  9. 제3항에 있어서, 상기 산가를 갖는 합성수지 이외의 로진계 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  10. 제4항에 있어서, 상기 산가를 갖는 합성수지 이외의 로진계 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 메타크릴산과 2-헥실데실아크릴레이트를 포함하는 단량체를 중합해서 얻어지는 아크릴 수지 및
    상기 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 다이머산으로부터 유도되는 화합물이며, 상기 카르복실기를 갖는 로진계 수지와 그의 말단에 알코올기를 갖는 다이머산 유도체 유연성 알코올 화합물을 탈수 축합함으로써 얻어지는 유도체 화합물 중 적어도 하나의 배합량은, 합계량으로서 플럭스 조성물 전량에 대하여 10중량％ 내지 90중량％인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 플럭스 조성물과 땜납 합금 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 페이스트 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 상기 땜납 합금 분말은 Sn 및 Sb를 포함하는 합금; Sn 및 Sb, 및 Ag, Bi 및 In 중 적어도 1종을 포함하는 합금; Sn, 및 Ag, Cu 및 Bi 중 적어도 1종을 포함하는 합금; Sn 및 Pb를 포함하는 합금 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 페이스트 조성물.
  14. 제12항에 기재된 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성되는 땜납 접합부이며, 상기 땜납 접합부에 -40℃/30분 내지 125℃/30분을 1사이클로 하는 냉열 충격 시험을 2000사이클 부여하기 전과 부여한 후의 땜납 전단 강도의 저하율이 50％ 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 접합부.
  15. 전자 부품이 탑재되는 전자 회로 기판이며,
    제12항에 기재된 솔더 페이스트 조성물을 사용해서 형성되는 땜납 접합부와 플럭스 잔사를 갖고,
    상기 플럭스 잔사가 상기 땜납 접합부 및 그 근방에 전자 회로 기판 표면과 상기 전자 부품에 접착하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
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