KR102022125B1 - 폴리싱 패드 컨디셔너를 위한 댐퍼 - Google Patents

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제이슨 가르청 펑
폴 디. 버터필드
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판 폴리싱에서 사용하기 위한 컨디셔너 장치는 폴리싱 패드의 표면을 컨디셔닝하기 위한 엔드 이펙터를 수용하도록 구성된 컨디셔너 헤드, 컨디셔너 헤드를 지지하는 암, 암을 지지하는 베이스, 및 베이스에 고정된 댐퍼 시스템을 포함한다. 베이스는 암 및 컨디셔너 헤드를 폴리싱 패드 위에서 횡방향으로 이동시키기 위해 암에 접속된 액추에이터를 포함한다. 댐퍼 시스템은 암의 진동을 감소시키도록 구성된다.

Description

폴리싱 패드 컨디셔너를 위한 댐퍼{DAMPER FOR POLISHING PAD CONDITIONER}
본 명세서는 폴리싱 패드의 컨디셔닝에 관한 것이다.
집적 회로는 통상적으로 실리콘 웨이퍼 상에 전도체, 반도체 또는 절연체 층들을 순차적으로 퇴적(deposition)함으로써 기판 상에 형성된다. 다양한 제조 프로세스들은 기판 상의 층의 평탄화를 필요로 한다. 예를 들어, 특정 응용들, 예컨대 패터닝된 층의 트렌치 내에 비아, 플러그 및 라인을 형성하기 위한 금속 층의 폴리싱에 있어서는, 패터닝된 층의 최상부면이 노출될 때까지, 위에 놓인 층이 평탄화된다. 다른 응용들, 예컨대 포토리소그래피를 위한 유전체 층의 평탄화에서는, 아래에 놓인 층 위에 원하는 두께가 남을 때까지, 위에 놓인 층이 폴리싱된다.
화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP)는 일반적으로 인정되는 평탄화 방법 중 하나다. 이 평탄화 방법은 통상적으로 기판이 캐리어 또는 폴리싱 헤드 상에 탑재될 것을 요구한다. 기판의 노출된 표면은 통상적으로 회전 폴리싱 패드에 맞닿아 놓인다(placed against a rotating polishing pad). 캐리어 헤드는 기판 상에 제어가능한 로드를 제공하여, 기판을 폴리싱 패드쪽으로 민다(push the substrate against the polishing pad). 통상적으로, 연마 폴리싱 슬러리(abrasive polishing slurry)가 폴리싱 패드의 표면에 공급된다.
소정 기간 동안 CMP 프로세스가 수행된 후, 폴리싱 패드의 표면은 기판 및/또는 폴리싱 패드로부터 제거된 재료 및/또는 슬러리 부산물의 축적으로 인해 글레이징(glazing)을 갖게 된다. 글레이징은 패드 거칠기(pad asperity)를 감소시키고, 덜 국소화된 압력을 제공하고, 그리함으로써 폴리싱 레이트를 감소시킨다. 뿐만 아니라, 글레이징은 폴리싱 패드가 슬러리를 보유하기 위한 용량 중 일부를 상실하게 할 수 있어서, 폴리싱 레이트를 더 감소시킨다.
통상적으로, 글레이징을 갖는 폴리싱 패드(glazed polishing pad)의 속성들은 패드 컨디셔너를 이용한 컨디셔닝 프로세스에 의해 복구될 수 있다. 패드 컨디셔너는 폴리싱 패드 상의 원하지 않는 축적을 제거하고, 폴리싱 패드의 표면을 바람직한 거칠기까지 재생성하기 위해 이용된다. 전형적인 패드 컨디셔너는 패드를 재생 처리(retexture)하기 위해, 글레이징을 갖는 폴리싱 패드의 패드 표면에 대고 문지를 수 있는 다이아몬드 연마재가 일반적으로 매립되어 있는 연마 헤드를 포함한다.
소정의 폴리싱 레시피를 갖는 소정의 컨디셔닝 시스템들에서, 패드 컨디셔너, 특히 패드 컨디셔너 암(pad conditioner arm)은 상당한 진동을 나타낼 것이다. 암에 유해한 진동은 컨디셔닝 프로세스의 유효성을 감소시킬 수 있다. 추가로, 이러한 진동은 종종 들릴 수 있는데, 사실상 받아들이기 어려울 정도로 시끄러울 수 있다. 그러나, 컨디셔너의 베이스에 동조 질량 댐퍼(tuned mass damper)를 배치함으로써, 진동이 크게 감소되거나 제거될 수 있다.
일 양태에서, 기판 폴리싱에서 사용하기 위한 컨디셔너 장치는 폴리싱 패드의 표면을 컨디셔닝하기 위한 엔드 이펙터(end effector)를 수용하도록 구성된 컨디셔너 헤드, 컨디셔너 헤드를 지지하는 암, 암을 지지하는 베이스, 및 베이스에 고정된 댐퍼 시스템을 포함한다. 베이스는 암 및 컨디셔너 헤드를 폴리싱 패드 위에서 횡방향으로 이동시키기 위해 암에 접속된 액추에이터를 포함한다. 댐퍼 시스템은 암의 진동을 감소시키도록 구성된다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 액추에이터는 폴리싱 패드 위로 암을 스윕(sweep)하도록 구성된 로터리 액추에이터일 수 있다. 댐퍼 시스템은 로터리 액추에이터에 고정되어 로터리 액추에이터와 함께 회전할 수 있다. 댐퍼 시스템은 댐퍼 매스(damper mass)를 포함할 수 있다. 댐퍼 매스는 적어도 하나의 댐퍼에 의해 베이스에 부착될 수 있다. 적어도 하나의 댐퍼는 댐핑 재료의 층일 수 있다. 댐퍼 매스는 복수의 댐퍼에 의해 베이스에 부착될 수 있다. 복수의 댐퍼는 대시포트(dashpot)들을 포함할 수 있다. 복수의 댐퍼는 암의 1차 진동 모드의 축에 평행한 주축을 정의하도록 배열될 수 있다. 복수의 댐퍼는 암의 종축(longitudinal axis)에 평행한 주축을 정의하도록 배열될 수 있다. 컨디셔너 헤드는 엔드 이펙터의 수직 위치를 제어하기 위해 엔드 이펙터에 접속된 수직 액추에이터를 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 머신 판독가능한 저장 디바이스 내에 유형으로(tangibly) 구현된 비-일시적 컴퓨터 프로그램 제품은 방법을 실행하기 위한 명령어들을 포함한다.
구현들은 이하의 이점들 중 하나 이상을 선택적으로 포함할 수 있다. 패드 컨디셔너, 특히 패드 컨디셔너 암의 진동이 감소될 수 있다. 컨디셔닝 프로세스의 유효성이 개선될 수 있다. 패드 컨디셔너에 의해 생성되는 잡음이 감소될 수 있다.
하나 이상의 구현의 상세가 이하의 첨부 도면 및 설명에 제시된다. 다른 양태, 특징 및 이점은 설명 및 도면으로부터, 그리고 청구항들로부터 명백할 것이다.
도 1은 폴리싱 장치의 일례의 개략적 측단면도를 도시한 것이다.
도 2는 폴리싱 장치의 폴리싱 스테이션의 상면도이다.
도 3은 컨디셔너 장치의 단면도이다.
도 4는 컨디셔닝 장치의 베이스의 상면도이다.
다양한 도면들 내의 유사한 참조 번호 및 명칭은 유사한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 폴리싱 장치(100)의 일례를 도시한다. 폴리싱 장치(100)는 폴리싱 패드(110)가 놓이는 회전식 디스크 형상의 플래튼(platen; 120)을 포함한다. 플래튼(120)은 축(125)에 관하여 회전하도록 동작가능하다. 예를 들어, 모터(122)는 플래튼(120)을 회전시키기 위해 구동 축(124)을 돌릴 수 있다. 플래튼(120)은 약 30-200 rpm에서 회전할 수 있다.
폴리싱 패드(110)는 폴리싱 표면(116)을 가질 수 있다. 폴리싱 패드(110)는 외측 폴리싱 층(112) 및 더 연성인 후면층(backing layer)(114)을 갖는 2층 폴리싱 패드일 수 있다. 폴리싱 표면(116)을 제공하는 층, 예를 들어 외측 폴리싱 층(112)은 다공성 폴리우레탄, 예를 들어 IC-1000 재료일 수 있다.
폴리싱 장치(100)는 슬러리와 같은 폴리싱 액체(132)를 폴리싱 패드(110) 상에 제공(dispense)하기 위한 패드를 향한 포트(130)를 포함할 수 있다. 슬러리(132)는 실리카 연마 입자를 포함할 수 있는데, 예를 들면 슬러리는 SS-12일 수 있다.
폴리싱 장치(100)는 적어도 하나의 캐리어 헤드(140)를 포함한다. 하나의 캐리어 헤드(140)만이 도시되어 있지만, 폴리싱 패드(110)의 표면적이 효율적으로 사용될 수 있도록 추가의 기판들을 홀딩하기 위해, 더 많은 캐리어 헤드가 제공될 수 있다.
캐리어 헤드(140)는 기판(10)을 폴리싱 패드(110)에 대고 홀딩(hold against)하도록 동작할 수 있다. 캐리어 헤드(140)는 각각의 개별 기판에 연관된 폴리싱 파라미터들, 예를 들어 압력의 독립적인 제어를 가질 수 있다. 캐리어 헤드(140)는 가요성 멤브레인(144) 아래에 기판(10)을 유지하기 위해 리테이닝 링(retaining ring)(142)을 포함할 수 있다. 멤브레인(144) 뒤의 하나 이상의 챔버의 가압(pressurization)은 기판(10)에 가해지는 압력을 제어한다. 도시의 편의를 위해, 도 1에는 3개의 챔버만이 도시되어 있지만, 1개 또는 2개의 챔버, 또는 4개 이상의 챔버, 예를 들어 5개의 챔버가 있을 수 있다.
캐리어 헤드(140)는 지지 구조물(150), 예를 들어 캐러셀(carousel) 또는 트랙에 매달려서, 구동 축(152)에 의해 캐리어 헤드 회전 모터(154)에 접속되므로, 캐리어 헤드는 축(155)에 대하여 회전할 수 있다. 캐리어 헤드(140)는 약 30-200 rpm으로 회전할 수 있다. 선택적으로, 캐리어 헤드(140)는 횡방향으로, 예를 들어 캐러셀(150) 또는 트랙 상의 슬라이더 상에서, 또는 캐러셀 자체의 회전 진동에 의해 진동할 수 있다. 동작 시에, 플래튼은 그것의 중심 축(125)에 대하여 회전되며, 캐리어 헤드는 그것의 중심 축(155)에 대하여 회전되고, 폴리싱 패드의 최상부면을 가로질러 횡방향으로 병진된다.
폴리싱 장치는 또한 폴리싱 패드(110)를 일관된 연마 상태로 유지하기 위해 폴리싱 패드(110)를 연삭하기 위한 폴리싱 패드 컨디셔너(160)를 포함할 수 있다. 폴리싱 패드 컨디셔너(160)는 베이스(162), 폴리싱 패드(110) 위에서 횡방향으로 스윕할 수 있는 암(164), 및 암(164)에 의해 베이스(162)에 접속되는 컨디셔너 헤드(166)를 포함한다. 베이스(162)는 다른 컴포넌트들, 예를 들어 플래튼(120) 및 지지 구조물(150)을 또한 지지할 수 있는 폴리싱 장치(100)의 프레임(102) 상에 탑재된다. 컨디셔너 헤드(166)는 폴리싱 패드(110)의 표면(116)을 컨디셔닝하도록 구성된 연마 표면을 포함한다. 연마 표면은 회전가능할 수 있고, 폴리싱 패드에 대한 연마 표면의 압력은 제어가능할 수 있다.
도 2를 참조하면, 한 동작 모드에서, 폴리싱 패드(110)는 컨디셔너 헤드(166)에 의해 컨디셔닝되는 한편, 폴리싱 패드(110)는 캐리어 헤드(140) 상에 탑재된 기판(10)을 폴리싱한다. 일부 구현들에서, 암(164)은 베이스(162)에 피벗가능하게(pivotally) 부착되고, 폴리싱 패드(110)에 걸친 진동 스윕 모션(oscillatory sweeping motion)(화살표 S에 의해 나타남)으로 컨디셔너 헤드(166)를 이동시키기 위해 왕복하여 스윕한다. 충돌을 방지하기 위해 컨디셔너 헤드(166)의 움직임은 캐리어 헤드(140)의 움직임과 동기화될 수 있다.
선택적으로, 폴리싱 장치(100)는, 프레임(102) 상에 지지되며 암(164)이 컨디셔너 헤드(166)를 세정 컵(168) 내에 위치시킬 수 있도록 하는 위치에 배치되는 세정 컵(168)을 포함할 수 있다. 세정 컵(168)은 컨디셔너 헤드(166)를 세정하기 위한 유체를 담을 수 있거나, 또는 컨디셔너 헤드(166) 상에 세정용 유체를 분무하기 위해 한 세트의 노즐이 컵 내에 탑재될 수 있다. 컨디셔닝 동작 전 및 후에, 컨디셔너 헤드(166)는 세정을 위해 세정 컵(168) 내에 위치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 컨디셔너 헤드(166)는 컨디셔닝 디스크(172)를 홀딩하는 회전가능하고 수직 이동가능한 엔드 이펙터(170)를 포함한다. 컨디셔닝 디스크(172)는 패드를 재생 처리(retexture)하기 위해 폴리싱 패드의 표면에 대고 문지를 수 있는 다이아몬드 연마재가 매립되어 있는 바닥면을 갖는다. 컨디셔닝 디스크(172)는 자석에 의해, 또는 기계적 체결구에 의해 엔드 이펙터에 유지될 수 있다. 짐벌 메커니즘(gimbal mechanism)이 엔드 이펙터(170)와 컨디셔너 헤드(166) 사이에 연결될 수 있는데, 짐벌 메커니즘은 엔드 이펙터(170)가 암(164)에 대하여 소정의 각도로 기울어지는 것을 허용한다.
엔드 이펙터(170)의 수직 움직임과 컨디셔닝 디스크(172)의 압력 제어는 컨디셔너 헤드(166) 내의 수직 액추에이터, 예를 들어 엔드 이펙터(170)에 하향 압력을 인가하도록 배치된 가압 챔버(174)에 의해 제공될 수 있다. 대안적으로, 수직 움직임 및 압력 제어는, 전체 암(164) 및 컨디셔너 헤드(166)를 들어올리는 베이스(162) 내의 수직 액추에이터에 의해, 또는 암(164)의 경사 각도를 제어가능하게 하고 그에 따라 폴리싱 패드(110) 위의 컨디셔너 헤드(166)의 높이를 제어가능하게 하는 암(164)과 베이스(162) 사이의 피벗 접속(pivot connection)에 의해 제공될 수 있다.
엔드 이펙터(170)의 회전은 엔드 이펙터(170)에 접속된 구동 축(174)을 체결하기 위해 암(164)을 통해 연장되는 벨트 드라이브(belt drive)에 의해 접속되는 베이스(162) 내의 모터에 의해 제공될 수 있다. 컨디셔너 헤드에 관한 설명은 미국 특허 제6,036,583호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허는 참조되어 본 명세서에 포함된다.
제어기(190)(도 1 참조), 예를 들어, 컴퓨터는 암(164)의 횡방향 스윕, 엔드 이펙터(170)의 회전률(rotation rate), 및 폴리싱 패드에 대한 엔드 이펙터(170)의 하향 힘을 제어하기 위해 컨디셔닝 장치(160)에 접속될 수 있다.
베이스(162)는 프레임에 고정된 지지부(182) 상에 홀딩되는 로터리 액추에이터(180)를 포함한다. 암(164)은 로터리 액추에이터(180)에 부착되며, 액추에이터(180)의 회전은 폴리싱 패드에 걸친 암(164)의 횡방향 스윕을 야기한다.
댐퍼 시스템(190)은 컨디셔닝 장치(160)의 베이스(162)에 부착된다. 예를 들어, 댐퍼 시스템(190)은 로터리 액추에이터(180)에 부착될 수 있다. 이러한 경우, 댐퍼 시스템(190)은 액추에이터(180)와 함께 회전할 수 있다.
댐퍼 시스템(190)은 댐퍼 매스(192)를 포함한다. 댐퍼 매스(192)는 예를 들어 금속으로 형성된 중량체(heavy body)이다. 댐퍼(192)의 질량은 암의 안정성 임계를 증가시키도록 선택된다. 커버(184)는 댐퍼 매스(192)를 슬러리 및 다른 오염원들로부터 보호하기 위해, 예를 들어 부식을 방지하기 위해, 댐퍼 매스(192) 위로 연장될 수 있다.
댐퍼 매스(192)가 예를 들어 기계적 체결구에 의한 베이스(162)에의 강성 접속(rigid connection)으로 고정될 수 있거나, 하나 이상의 댐퍼(194)가 댐퍼 매스(192)와 베이스(162) 사이에 배치될 수 있다.
각각의 댐퍼(194)는 대시포트, 예를 들어 유압 또는 기계적 댐퍼일 수 있거나, 단순하게는 점탄성 재료(viscoelastic material)의 층일 수 있다.
통상적으로, 1차 진동 모드는 암(164)의 종축에 평행하다. 따라서, 댐퍼들(194)은 이 모드에서 우선적으로 진동을 감소시키도록 배치될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 댐퍼들(194)은 댐퍼들(194)에 의해 정의되는 형상(투시도로 도시됨)의 주축 A가 암(164)의 종축에 평행하며 그와 동일한 수직 평면 내에 있도록 배치될 수 있다.
일반적으로, 댐퍼 매스(190)가 댐핑 없이, 또는 최소한의 댐핑으로 고정된다면, 암(164)의 고유 진동수는 컨디셔너 암(164)의 진동이 상당히 감소되도록 변경될 수 있다. 예를 들어, 컨디셔너 장치(160)는 다른 소모가능한 설정(consumable set) 및 하향 힘 범위에 걸쳐 허용가능한 정도의 진동을 받아들일 수 있다. 일반적으로, 댐퍼 매스(190)가 충분한 댐퍼(192)에 의해 베이스(162)에 접속되면, 문제가 되는 진동이 현저히 감소될 수 있거나 사실상 제거될 수 있다. 따라서, 댐퍼 시스템(190)의 이용은 어떠한 문제가 되는 진동도 야기하지 않고서 암이 이용될 수 있는 적용 범위를 극적으로 증가시킨다.
위의 설명은 컨디셔너 헤드에 초점을 맞추고 있지만, 댐퍼 시스템은 진동에 민감한 폴리싱 시스템 내의 다른 캔틸레버(cantilever) 부분들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 댐퍼 시스템은 폴리싱 헤드를 유지하는 암에 적용될 수 있다.
전술한 폴리싱 장치 및 방법은 다양한 폴리싱 시스템에서 적용될 수 있다. 폴리싱 패드, 또는 캐리어 헤드, 또는 둘 다가 폴리싱 표면과 기판 사이의 상대적인 움직임을 제공하기 위해 이동할 수 있다. 예를 들어, 플래튼은 회전이 아니라 궤도를 그리며 돌 수 있다. 폴리싱 패드는 원형 외의 형상을 가질 수 있다. 종료점 검출(endpoint detection) 시스템의 일부 양태들은, 예를 들면 폴리싱 패드가 선형으로 이동하는 연속적 또는 릴-투-릴(reel-to-reel) 벨트인, 선형 폴리싱 시스템에 적용가능할 수 있다. 폴리싱 층은 표준(예를 들어, 필러를 갖거나 갖지 않는 폴리우레탄) 폴리싱 재료, 연성 재료, 또는 고정식 연마 재료(fixed-abrasive material)일 수 있다. 암은 각이 진 스윕(angular sweep)이 아니라, 선형 확장 움직임(linearly extension motion)을 거칠 수 있다.
본 명세서에서 사용될 때, 기판이라는 용어는 예를 들어 제품 기판(예를 들어 복수의 메모리 또는 프로세서 다이를 포함하는 것), 테스트 기판, 베어 기판(bare substrate) 또는 게이팅 기판(gating substrate)을 포함할 수 있다. 기판은 집적 회로 제조의 다양한 스테이지에 있을 수 있는데, 예를 들면 기판은 베어 웨이퍼일 수 있거나, 하나 이상의 퇴적된 및/또는 패턴화된 층을 포함할 수 있다. 기판이라는 용어는 원형 디스크 및 직사각형 시트를 포함할 수 있다.
본 명세서에 설명된 본 발명의 실시예들 및 기능적 동작들 전부는 본 명세서에 개시된 구조적 수단들 및 그들의 구조적 등가물을 포함하는 컴퓨터 소프트웨어, 펌웨어 또는 하드웨어로, 또는 디지털 전자 회로로, 또는 그들의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 하나 이상의 컴퓨터 프로그램 제품으로서, 즉 데이터 처리 장치, 예를 들어, 프로그램가능 프로세서, 컴퓨터, 또는 다수의 프로세서나 컴퓨터에 의해 실행되거나 그것의 동작을 제어하기 위해, 비-일시적(non-transitory) 머신 판독가능한 저장 매체에 유형으로(tangibly) 구현되는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램으로서 구현될 수 있다.
본 발명의 구체적인 실시예들이 설명되었다. 다른 실시예들은 이하의 청구항들의 범위 내에 있다.

Claims (11)

  1. 기판 폴리싱에 사용하기 위한 컨디셔너 장치로서,
    폴리싱 패드의 표면을 컨디셔닝하기 위한 엔드 이펙터(end effector)를 수용하도록 구성된 컨디셔너 헤드;
    상기 컨디셔너 헤드를 지지하는 암(arm);
    상기 암을 지지하는 베이스 - 상기 베이스는, 상기 암 및 상기 컨디셔너 헤드를 상기 폴리싱 패드 위에서 횡방향으로 이동시키기 위해 상기 암에 접속된 액추에이터를 포함함 - ; 및
    상기 베이스에 고정된 댐퍼 매스(damper mass)를 포함하는 댐퍼 시스템 - 상기 댐퍼 매스는 상기 베이스 상에 및 상기 베이스의 둘레 내에 위치되고, 상기 댐퍼 시스템은 상기 암의 진동을 감소시키도록 구성됨 -
    을 포함하고,
    상기 댐퍼 매스는 복수의 댐퍼에 의해 상기 베이스에 부착되는, 컨디셔너 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액추에이터는 상기 폴리싱 패드 위로 상기 암을 스윕(sweep)하도록 구성된 로터리 액추에이터를 포함하는, 컨디셔너 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 댐퍼 시스템은 상기 로터리 액추에이터에 고정되고 상기 로터리 액추에이터와 함께 회전하는, 컨디셔너 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 댐퍼는 대시포트(dashpot)들을 포함하는, 컨디셔너 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 댐퍼는 상기 암의 1차 진동 모드의 축에 평행한 주축을 정의하도록 배열되는, 컨디셔너 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 댐퍼는 상기 암의 종축(longitudinal axis)에 평행한 주축을 정의하도록 배열되는, 컨디셔너 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 컨디셔너 헤드 내에 있으며 상기 엔드 이펙터의 수직 위치를 제어하기 위해 상기 엔드 이펙터에 접속되는 수직 액추에이터를 포함하는 컨디셔너 장치.
  8. 폴리싱 시스템으로서,
    폴리싱 패드를 지지하는 회전가능한 플래튼(platen);
    상기 폴리싱 패드에 대하여 기판을 홀딩하는 캐리어 헤드; 및
    컨디셔너 장치
    를 포함하고, 상기 컨디셔너 장치는,
    폴리싱 패드의 표면을 컨디셔닝하기 위한 엔드 이펙터를 수용하도록 구성된 컨디셔너 헤드;
    상기 컨디셔너 헤드를 지지하는 암;
    상기 암을 지지하는 베이스 - 상기 베이스는, 상기 암 및 상기 컨디셔너 헤드를 상기 폴리싱 패드 위에서 횡방향으로 이동시키기 위해 상기 암에 접속된 액추에이터를 포함함 - ; 및
    상기 베이스에 고정된 댐퍼 매스를 포함하는 댐퍼 시스템 - 상기 댐퍼 매스는 상기 베이스 상에 및 상기 베이스의 둘레 내에 위치되고, 상기 댐퍼 시스템은 상기 암의 진동을 감소시키도록 구성됨 -
    을 포함하고,
    상기 댐퍼 매스는 복수의 댐퍼에 의해 상기 베이스에 부착되는, 폴리싱 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 플래튼은 축에 대하여 회전가능하고, 상기 액추에이터는 상기 컨디셔너 헤드를 상기 축으로 향하는 방향과 상기 축에서 멀어지는 방향으로 이동시키도록 구성된, 폴리싱 시스템.
  10. 제8항에 있어서, 상기 복수의 댐퍼는 상기 암의 1차 진동 모드의 축에 평행한 주축을 정의하도록 배열되는, 폴리싱 시스템.
  11. 제8항에 있어서, 상기 복수의 댐퍼는 상기 암의 종축에 평행한 주축을 정의하도록 배열되는, 폴리싱 시스템.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9375825B2 (en) 2014-04-30 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioning system including suction
US9662762B2 (en) 2014-07-18 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Modifying substrate thickness profiles
CN106463384B (zh) * 2014-07-18 2020-03-17 应用材料公司 修改基板厚度轮廓
JP6127235B2 (ja) 2014-12-31 2017-05-17 東邦エンジニアリング株式会社 触媒支援型化学加工方法および触媒支援型化学加工装置
JP6187948B1 (ja) 2016-03-11 2017-08-30 東邦エンジニアリング株式会社 平坦加工装置、その動作方法および加工物の製造方法
KR102561647B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-31 삼성전자주식회사 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마 장치
KR102300359B1 (ko) * 2019-08-07 2021-09-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 구동 방법
TWI765726B (zh) * 2021-05-28 2022-05-21 大量科技股份有限公司 拋光系統及其修整裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003048147A (ja) 2001-07-31 2003-02-18 Applied Materials Inc 研磨パッドのコンディショニング装置及びこれを用いた研磨装置
JP2011148046A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Ebara Corp 研磨装置及び方法、並びに、ドレッシングユニットの性能試験方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3669089A (en) * 1970-12-16 1972-06-13 Henry F Swenson Swing arm for holding a dressing device
JP2627862B2 (ja) * 1994-02-03 1997-07-09 株式会社鴻池組 構造物の制振装置
TW320591B (ko) * 1995-04-26 1997-11-21 Fujitsu Ltd
US5938507A (en) * 1995-10-27 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Linear conditioner apparatus for a chemical mechanical polishing system
US5904615A (en) * 1997-07-18 1999-05-18 Hankook Machine Tools Co., Ltd. Pad conditioner for chemical mechanical polishing apparatus
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6263605B1 (en) * 1998-12-21 2001-07-24 Motorola, Inc. Pad conditioner coupling and end effector for a chemical mechanical planarization system and method therefor
US6553807B2 (en) * 1999-02-22 2003-04-29 Seagate Technology Llc Disc drive component level shock tester

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003048147A (ja) 2001-07-31 2003-02-18 Applied Materials Inc 研磨パッドのコンディショニング装置及びこれを用いた研磨装置
JP2011148046A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Ebara Corp 研磨装置及び方法、並びに、ドレッシングユニットの性能試験方法

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