KR102018293B1 - 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이 조성물은 수지, 활성화제 및 용매를 함유하며, 상기 수지는 검로진 및 로진 에스테르를 포함하며, 상기 검로진 대(versus) 상기 로진 에스테르의 질량 비율은 60:40~90:10이다.

Description

솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법{Flux composition for forming a solder bump and method of fabricating a semiconductor device using the composition}
본 발명은 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 칩을 전자기기의 회로기판에 탑재하기 위하여, 반도체 칩 내에 범프 전극(bump electrode)과 같은 접속용 단자를 형성한다. 범프 전극은 반도체 칩 상에 수십㎛ 이상 돌출된 전극으로서 반도체 칩의 금속 전극 상에 정밀하게 배치된다. 반도체 칩이 고집적화 됨에 따라 높은 정밀도를 갖는 범프 전극 개발이 요구되고 있다. 범프 전극을 형성하는 과정 중 하나로 예를 들면 원기둥 형태의 범프 전극을 용융시켜 구형으로 만드는 리플로우 공정을 진행할 수 있다. 상기 리플로우 공정은 플럭스 조성물을 이용하여 진행될 수 있다.
일반적으로 범프 크기 및 범프 간격이 줄어 듦에 따라 범프 전극 모양이 조립 수율에 많은 영향을 미치고 있으며, 중요성이 부각 되고 있다. 기존에 사용되는 플럭스 조성물의 경우 리플로우 공정 후 범프 전극을 형성하는데 범프 모양 불량이 발생하고 있으며, 범프 모양 형성 후 후속 세정 공정시 기판 표면에 잔사(residue)가 남는 문제가 발생 되고 있다. 　
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 범프 모양 불량을 일으키지 않으면서 세정 공정으로 제거가 잘 되는 솔더 범프용 플럭스 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 공정 불량 발생률을 낮출 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 솔더 범프용 플럭스 조성물은, 수지, 활성화제 및 용매를 함유하며, 이때 상기 수지는 천연 로진 및 로진 유도체를 포함하며, 상기 천연 로진 대(versus) 상기 로진 유도체의 질량 비율은 60:40~90:10이다. 상기 천연로진으로 가장 바람직하게는 검로진이며, 상기 로진 유도체로 가장 바람직하게는 로진 에스테르이다.
상기 수지는 상기 조성물 전체에 대하여 0.5~70 중량%로 포함되고, 상기 활성화제는 상기 조성물 전체에 대하여 1~10 중량%로 포함되고, 상기 용매는 상기 조성물 전체에 대하여 20~98.5 중량%로 포함될 수 있다.
가장 바람직하게는, 상기 수지는 상기 조성물 전체에 대하여 10~60 중량%로 포함되고, 상기 활성화제는 상기 조성물 전체에 대하여 1~5 중량%로 포함되고, 상기 용매는 상기 조성물 전체에 대하여 35~89 중량%로 포함될 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 범프를 형성하는 단계; 상기 범프를 덮도록 상기 플럭스 조성물을 제공하는 단계; 상기 범프를 리플로우하는 단계; 및 잔여 플럭스 조성물을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 솔더 범프용 플럭스 조성물은, 플럭스 리플로우 프로파일과 구리 부식성이 모두 우수하다. 따라서 본 발명의 플럭스 조성물을 이용하여 솔더 범프를 형성하면, 범프 모양이 우수하며 불량이 발생하지 않는다. 또한 세정 공정시 기판 표면에 플럭스가 남지 않고 깨끗하게 제거될 수 있어 공정 불량 발생률을 낮출 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 예에 따른 반도체 장치의 제조 과정을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 솔더 범프의 사진을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 비교예 2에 따라 제조된 솔더 범프의 사진을 나타낸다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 5는 본 발명의 일 에에 따른 반도체 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(1) 상에 도전패드(3)를 형성한다. 상기 기판(1)은 반도체 기판과 그 위에 배치되는 회로 패턴들과 층간절연막을 포함할 수 있다. 상기 도전패드(3)를 일부 노출시키면서 상기 기판(1)을 덮는 제 1 패시베이션막(5) 및 제 2 패시베이션막(7)을 형성한다. 상기 제 1 패시베이션막(5)은 예를 들면 실리콘 질화막이며, 상기 제 2 패시베이션막(7)은 예를 들면 폴리이미드막일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 패시베이션막들(5, 7)이 형성된 상기 반도체 기판의 전면 상에 금속기저층(9)을 콘포말하게 형성한다. 상기 금속기저층(9)은 예를 들면 티타늄막과 구리함유막으로 형성될 수 있다. 상기 티타늄막은 접합층/확산방지막의 역할을 할 수 있으며, 상기 구리함유막은 시드막의 역할을 할 수 있다. 상기 금속기저층(9) 상에 포토레지스트 패턴(11)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴(11)은 상기 도전패드(3)와 중첩되는 상기 금속기저층(9)을 노출시키도록 형성된다. 도금 공정을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴(11)으로 덮이지 않은 상기 금속기저층(9) 상에 상기 포토레지스트 패턴(11) 사이를 채우는 범프(15)를 형성한다. 상기 범프(15)는 납, 니켈 및 주석을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 감광성 수지 제거제 조성물을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴(11)을 제거하여 상기 금속 기저층(9)을 노출시킨다. 그리고 상기 범프(15) 옆에서 노출된 상기 금속 기저층(9)을 제거하여 상기 제 2 패시베이션막(7)을 노출시킨다.
도 3을 참조하면, 상기 범프(15)를 덮도록 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물을 스핀 코팅(spin coating) 또는 딥 코팅(dip coating)의 방법으로 제공한다.
도 4를 참조하면, 상기 범프(15)를 가열하려 리플로우시켜 구형의 범프(15a)으로 만든다.
도 5를 참조하면, 잔여 플럭스 조성물(17)을 제거한다.
본 발명의 일 예에 따른 상기 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물은, 수지, 활성화제 및 용매를 함유한다. 이때 상기 수지는 천연 로진 및 로진 유도체를 포함하며, 상기 천연 로진 대(versus) 상기 로진 유도체의 질량 비율은 60:40~90:10이다.
상기 수지는 솔더 범프 플럭스 조성물의 베이스로서, 상기 범프(15)의 금속표면에서 산화막을 제거하고 솔더링(soldering)에 대한 표면장력을 감소시키고 융점을 저하시키는 한편, 금속 표면의 재산화를 방지하는 작용을 한다.　
상기 천연 로진은 바람직하게는 검로진, 탈-오일 로진 및 우드로진을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나이며, 가장 바람직하게는 산가가 높고 활성도가 좋아서 금속의 산화물 제거가 용이한 검로진이다.
상기 로진 유도체는 바람직하게는 중합로진, 아크릴화 로진, 수소첨가 로진, 블균화 로진, 포르밀화 로진, 로진 에스테르, 로진 변성 말레인산 수지, 로지 변성 페놀수지 및 로진 변성 알키드 수지를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나이며, 가장 바람직하게는 로진 에스테르이다.
상기 수지는 상기 조성물 총 중량에 대하여 0.5~70중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 10~60중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 상기 범프(15)의 금속표면에서 산화피막을 제거할 수 있다. 또한, 땜납에 대한 표면장력을 감소시키고 융점을 저하시킬 수 있고, 금속 표면의 재산화를 방지할 수 있다.　또한, 상기 범프(15)를 충분히 덮을 수 있어 코팅이 잘되고, 범프 전극　프로파일 불량도 생기지 않는다.
바람직하게는 상기 활성화제는 카르복실산, 술폰산, 포스폰산, 아미노산 및 알칸올 아민을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함한다.
상기 활성화제가 카르복실산을 포함할 경우, 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피메린산(pimeric acid), 수베린산(suberic acid), 아젤레인산(azelaic acid), 세바신산(sebacic acid), 초산(acetic acid), 프로판산(propionic acid), 카프릭산(capric acid), 헵탄산(heptanoic acid), 라우린산(lauric acid), 마이리스틴산(myristic acid), 팔미틴산(palmitic acid), 스테아린산(stearic acid), 아라친산(arachic acid), 비헤인산(behenic acid), 글리콜산(glycolic acid), 젖산(lactic acid), 사과산(malic aicd), 구연산(citric acid) 및 주석산(tartaric acid)로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 이중에서 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 카프릭산, 헵탄산이 보다 바람직하고, 글루타르산, 아디프산, 헵탄산이 가장 바람직하다. 왜냐하면, 상술한 가장 바람직한 카르복실산을 포함하는 활성화제는 디카르복실산을 포함하는 활성화제이고, 디카르복실산은 솔더 범프 성능, 최소의 이온성 불순물 잔류, 및 높은 표면 절연저항의 허용적인 조합을 제공하기 때문이다.　
상기 활성화제가 슬폰산을 포함할 경우, 부탄 술폰산(Butane sultone acid)및/또는 술폰산(sultone acid)이 바람직하다.
상기 활성화제가 상기 포스폰산을 포함할 경우, 트리페닐 포스폰산(Tri-phenyl phosphate), 포스폰산(Phosphonate), 피로포스폰산(Pyro phosphoric acid) 및 메타 포스폰산(Meta phosphoric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
상기 활성화제가 아미노산을 포함할 경우, 글리신, 알라닌, 아스파라긴산 및 글루타민산으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
상기 활성화제가 알칸올 아민을 포함할 경우, 디페닐아민,시클로헥실 아민, 트리에탄올아민 및 모노에탄올 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
상기 활성화제는 상기 플럭스 조성물 총 중량에 대하여, 1~10중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 1~5 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 충분한 플럭스 활성화를 제공할 수 없다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 광택저하와 과잉의 잔류물을 야기할 수 있으며, 부식성이 증가하여 솔더 범프된 최종 조립체에 악영향을 미칠 수 있다.
상기 활성화제는 화학적 활성이 약하여 실제 솔더 범프 작업시 젖음성이나 유동성이 다소 저조한 수지의 특성을 보완하기 위하여 사용된다. 또한, 상기 활성화제는 플럭스가 상기 범프(15)의 금속 표면으로부터 산화물을 제거할 수 있도록 한다. 또한, 상기 활성화제는 아민 하이드로할라이드, 예를 들어 아민 하이드로클로라이드, 아민 하이드로브로마이드와 같은 할라이드 함유 활성제에 비해서는 약산성이고, 염소(Cl)나 브롬(Br)을 함유하지 않으므로 하부 구조물과 땜납 금속에 대한 부식 반응을 일으키지 않는다.
상기 활성화제는 비이온성 공유 결합 유기 할로겐화물 활성화제를 더 포함할 수 있다. 상기 비이온성 공유 결합 유기 할로겐화 활성화제는 활성화 성분과 기본 성분 사이의 상호작용이 개시되는 온도를 감소시켜 더 낮은 온도에서 리플로우 되도록 도와준다. 상기 유기 할로겐화물 활성화제는 브롬화물 활성화제인 것이 바람직하다. 상기 브롬화물 활성화제는 트랜스-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올(DBD), 이브롬화스티렌 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
상기 용매는 글리콜 에테르 에스테르계 화합물, 글리콜 에테르계 화합물, 에스테르계 화합물, 케톤계 화합물 및 시클릭 에스테르계 화합물을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함한다.
상기 글리콜 에테르 에스테르계 화합물은 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
상기 글리콜 에테르계 화합물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르인 것이 바람직하다.
상기 에스테르계 화합물은 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트 및 에틸 피루베이트로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
상기 케톤계 화합물은 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵타논, 클로헥사논, 및 γ-부티로락톤으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
가장 바람직하게는 상기 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Propylene Glycol Monomethyl Ether ) 중에 적어도 하나를 포함한다.
상기 용매는 상기 플럭스 조성물 총 중량에 대하여 바람직하게는 20~98.5 중량%로 포함되며, 보다 바람직하게는 35~89 중량%로 포함된다.
상기 용매는 이소프로필알코올 등의 휘발성유기화합물(VOC)등이 갖는 대기오염문제 및 별도의 오염방지시설투자 비용 등의 문제를 해결할 수 있으며, 안전측면에서 비인화성, 비폭발성, 저독성이면서도 가격면에서 경쟁력이 있다. 또한, 상기 용매는 인화성 및 폭발의 위험이 없을 뿐만 아니라 땜납의 젖음성 등을 개선시킨다.
또한, 본 발명의 플럭스 조성물은 부식 억제제, 염료, 발포제 및/또는 탈포제, 증감제, 기타 수지, 계면활성제, 안정화제 등과 같은 다양한 첨가제를 더 포함할 수 있다.
<실험예>
1) 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 제조
하기 표 1에 제시된 성분을 각각 제시된 조성으로 정량하여 60℃에서 2시간 동안 교반하여 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물을 제조하였다.
　 　
수지1(중량%)		 　
수지2(중량%)		 　
활성화제1(중량%)		 　
활성화제2(중량%)		 　
유기용매(중량%)
실시예1 A-1 40 A-2 10 B-1 4 - - PGME 46
실시예2 A-1 40 A-2 10 B-1 2 - - PGME 48
실시예3 A-1 40 A-2 10 B-1 8 - - PGME 42
실시예4 A-1 40 A-2 10 - - B-2 4 PGME 46
실시예5 A-1 40 A-2 10 B-1 2 B-2 2 PGME 46
실시예6 A-1 40 A-2 10 B-1 1 B-2 1 PGME 48
비교예1 A-1 50 - - B-1 4 - - PGME 46
비교예2 - - A-2 50 B-1 4 - - PGME 46
비교예3 A-1 40 A-3 10 B-1 4 - - PGME 46
비교예4 A-1 40 A-2
A-3		 5
5		 B-1 4 - - PGME 46
비교예5 A-1 10 A-2 40 B-1 4 - - PGME 46
비교예6 A-4 40 A-2 10 B-3 3 B-4 2 IPA 45
비교예7 A-4 50 - - B-3 3 B-5 2 IPA 45
비교예8 A-4 40 - - B-5 2 - - IPA 48
비교예9 A-4 40 - - B-5 2 - - PGME 48
주) A-1: 검로진(Gum rosin; 상품명: DX-100; 라톤코리아 제품)
A-2: 에스테르 로진(rosin ester: KE-311: 일본 아라카와 케미칼 제품)
A-3: 탈수소화 로진(Dehydrogenated rosin: DX-800H: 라톤코리아 제품)
A-4: 중합로진(polymerized rosin: 중국 파이켐 제품)
B-1: 글루타르산(Glutaric acid: 알드리치 제품)
B-2: 헵탄산(Heptanoic acid: 알드리치 제품)
B-3: 숙신산(Succinic acid: 알드리치 제품)
B-4: 에틸아민 하이드로클로라이드(Ethylamine hydrochloride: 알드리치 제품)
B-5: 아닐린 하이드로클로라이드(Aniline hydrochloride: 알드리치 제품
PGME: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르
IPA:이소프로필알코올
2) 범프 볼의 리플로우 프로파일 평가
실시예1 내지 실시예6 및 비교예1 내지 비교예9의 플럭스 조성물 용액을 범플 볼 공정이 진행된 땝납 기판 위에 도포하였다. 그 후 250℃에서 열처리 공정을 거치면서 땜납을 리플로우한 후 기판 위에 남아있는 플럭스 잔류물이 남아있는 기판을 플럭스 잔류물 제거용 세정액에 5분간 침적하였다. 이후, 침적한 기판을 꺼내 스프레이 장비에서 3분간 스프레이 세정공정을 진행하였다. 이때 세정액의 온도는 70℃이며 스프레이 압력은 0.3PMa이었다. 이후 물세정을 한 후 기판위의 범프볼의 리프로우 프로파일을 주사 전자 현미경(SEM)으로 관찰하였다. 그 결과를 표2에 표기하였다. 하기 표 2에서 프로파일이 우수한 경우 ◎, 우수한 경우 ○, 보통인 경우 Δ, 불량인 경우는 X로 표시하였다.
　
3) 플럭스의 구리 부식성 평가
먼저 구리 단일막이 형성된 실리콘 기판을 실시예1 내지 실시예6 및 비교예1 내지 비교예9의 플럭스 조성물에 10분간 침적시켰다. 이때 플럭스 조성물의 온도는 70℃이며 구리 막의 두께를 침적 이전 및 이후에 측정하고, 구리막의 부식정도를 구리막의 두께 변화로부터 계산하여 측정하였다. 그 결과를 표 2에 기재하였다.
하기 표 2에서 구리가 부식되지 않았을 경우 ◎, 구리가 10% 미만으로 부식되었을 경우 ○, 구리가 10~50%로 부식되었을 경우 Δ, 구리가 50%을 초과하여 부식되었을 경우는 X로 표시하였다.
　 　
플럭스 리플로우 프로파일		 　
구리 부식성
실시예1 ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎
실시예3 ◎ ○
실시예4 ◎ ○
실시예5 ○ ○
실시예6 ○ ○
비교예1 Δ Δ
비교예2 X X
비교예3 X Δ
비교예4 X Δ
비교예5 X Δ
비교예6 X X
비교예7 X X
비교예8 X X
비교예9 X X
상기 표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예1 내지 실시예 6은 플럭스 리플로우 프로파일과 구리 부식성이 모두 우수한 것을 알 수 있다. 반면에, 비교예1 내지 9는 플럭스 리플로우 프로파일과 구리 부식성이 모두 우수하지 못함을 알 수 있다.
한편, 도 6은 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 솔더 범프의 사진을 나타낸다. 도 7은 본 발명의 비교예 2에 따라 제조된 솔더 범프의 사진을 나타낸다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 실시예 2의 경우, 플럭스가 둥그런 구형형상이나, 비교예2의 경우, 둥그런 구형이 되지 않고, 찌그러져 있고 구형의 옆면에 흠집이 나있다.
따라서 본 발명의 플럭스 조성물을 이용하여 솔더 범프를 형성하면, 범프 모양이 우수하며 불량이 발생하지 않는다. 또한 세정 공정시 기판 표면에 플럭스가 남지 않고 깨끗하게 제거될 수 있어 공정 불량 발생률을 낮출 수 있다.

Claims (11)

  1. 수지, 활성화제 및 용매를 함유하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물로서,
    상기 수지는 검로진 및 로진 에스테르로 구성되며,
    상기 검로진 대(versus) 상기 로진 에스테르의 질량 비율은 60:40~90:10이고,
    상기 수지는 상기 조성물 전체에 대하여 10~51 중량%로 포함되고,
    상기 활성화제는 상기 조성물 전체에 대하여 1~5 중량%로 포함되고,
    상기 용매는 상기 조성물 전체에 대하여 44~89 중량%로 포함되고,
    상기 용매는 글리콜 에테르 에스테르계 화합물, 글리콜 에테르계 화합물, 에스테르계 화합물, 케톤계 화합물 및 시클릭 에스테르계 화합물을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성화제는 카르복실산을 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 활성화제는 글루타르산, 아디프산 및 헵탄산을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 활성화제는 비이온성 공유 결합 유기 할로겐화물 활성화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 비이온성 공유 결합 유기 할로겐화물 활성화제는 트랜스-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올(trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol) 및 이브롬화스티렌(dibromostyrene) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 용매는, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물.
  9. 기판 상에 범프를 형성하는 단계;
    상기 범프를 덮도록 제 1 항의 플럭스 조성물을 제공하는 단계;
    상기 범프를 리플로우하는 단계; 및
    잔여 플럭스 조성물을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
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