KR102009318B1 - Gate driving circuit for organic light emitting display - Google Patents

Gate driving circuit for organic light emitting display Download PDF

Info

Publication number
KR102009318B1
KR102009318B1 KR1020120090665A KR20120090665A KR102009318B1 KR 102009318 B1 KR102009318 B1 KR 102009318B1 KR 1020120090665 A KR1020120090665 A KR 1020120090665A KR 20120090665 A KR20120090665 A KR 20120090665A KR 102009318 B1 KR102009318 B1 KR 102009318B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
voltage
output terminal
gate
transistor
Prior art date
Application number
KR1020120090665A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140024994A (en
Inventor
한호범
윤중선
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120090665A priority Critical patent/KR102009318B1/en
Publication of KR20140024994A publication Critical patent/KR20140024994A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102009318B1 publication Critical patent/KR102009318B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Abstract

본 발명은 유기발광 표시장치의 게이트 구동회로에 관한 것으로, Q 노드의 전압에 응답하여 출력 단자에 고전위 전원 전압을 공급하여 출력 단자를 충전시키는 풀업 트랜지스터; QB 노드의 전압에 응답하여 상기 출력 단자에 저전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 방전시키는 풀다운 트랜지스터; 및 상기 Q 노드에 상기 스타트 펄스를 공급하여 상기 출력 단자의 전압을 라이징시키고, 상기 리셋 펄스에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 폴링시키는 스위치 회로를 포함한다. 상기 출력 단자를 통해 출력되는 게이트 신호는 표시패널의 게이트 라인에 인가된다. 상기 스위치 회로는 상기 리셋 펄스와 상기 제1 클럭에 응답하여 상기 제1 클럭의 전압으로 상기 QB 노드를 충전시키는 제1 QB 노드 구동부를 포함한다.The present invention relates to a gate driving circuit of an organic light emitting display device, comprising: a pull-up transistor supplying a high potential power voltage to an output terminal in response to a voltage of a Q node to charge an output terminal; A pull-down transistor configured to discharge the output terminal by supplying a low potential power voltage to the output terminal in response to a voltage of a QB node; And a switch circuit for supplying the start pulse to the Q node to rise the voltage at the output terminal and polling the voltage at the output terminal in response to the reset pulse. The gate signal output through the output terminal is applied to the gate line of the display panel. The switch circuit includes a first QB node driver configured to charge the QB node with a voltage of the first clock in response to the reset pulse and the first clock.

Description

유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로{GATE DRIVING CIRCUIT FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}GATE DRIVING CIRCUIT FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

본 발명은 유기발광 표시장치의 게이트 구동회로에 관한 것이다.
The present invention relates to a gate driving circuit of an organic light emitting display device.

유기발광 표시장치는 픽셀 마다 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, 이하 "OLED"라 함)를 형성한 자발광소자이다. 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)에 비해 전력소모가 작고 영상 재생시에 잔상이 보이지 않으며 시야각이 넓은 장점이 있다. The organic light emitting display device is a self-light emitting device in which an organic light emitting diode (OLED) is formed for each pixel. Organic Light Emitting Display (LCD) has advantages in that it consumes less power than liquid crystal display (LCD), shows no afterimage, and has a wide viewing angle.

유기발광 표시장치의 픽셀 어레이는 다수의 데이터 라인들, 데이터 라인들과 직교되는 게이트 라인들, 및 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 OLED와, 그 OLED를 구동하기 위한 픽셀 구동회로를 포함한다. 픽셀 구동회로에는 데이터 전압에 따라 OLED에 공급되는 전류를 조절하는 구동소자, 구동소자의 게이트전압을 유지시키는 스토리지 커패시터 등을 포함한다. 픽셀 구동회로에는 구동소자의 게이트 전압을 초기화하고 그 구동소자의 문턱전압을 센싱하며, 구동소자의 게이트에 데이터를 기입하고 구동소자와 OLED 사이의 전류 패스를 절환(switching)하는 스위치 소자들을 더 포함한다. 이러한 초기화, 센싱, 데이터 기입, OLED의 발광 타이밍을 제어하기 위한 게이트 신호들이 게이트라인들을 통해 픽셀 구동회로의 스위치 소자들의 제어단자(또는 게이트)에 공급된다. 게이트 제어신호들의 신호폭은 1 수평기간에서 수십 수평기간일 수 있다. 하나의 게이트 라인에 공급되는 게이트 신호들은 다중 신호로 연속으로 공급되고 그 신호 폭이 서로 다를 수 있다. The pixel array of the OLED display includes a plurality of data lines, gate lines orthogonal to the data lines, and pixels arranged in a matrix form. Each of the pixels includes an OLED and a pixel driving circuit for driving the OLED. The pixel driving circuit includes a driving device for adjusting a current supplied to the OLED according to a data voltage, a storage capacitor for maintaining a gate voltage of the driving device, and the like. The pixel driving circuit further includes switch elements for initializing a gate voltage of the driving device, sensing a threshold voltage of the driving device, writing data to the gate of the driving device, and switching a current path between the driving device and the OLED. do. Gate signals for controlling the initialization, sensing, data writing, and light emitting timing of the OLED are supplied to the control terminals (or gates) of the switch elements of the pixel driving circuit through the gate lines. The signal width of the gate control signals may be from one horizontal period to several tens of horizontal periods. Gate signals supplied to one gate line may be continuously supplied as multiple signals, and their signal widths may be different from each other.

종래의 게이트 구동회로는 풀업 트랜지스터(Pull-up transistor)의 게이트를 제어하는 Q 노드의 전압을 충전시킨 상태에서 그 풀업 트랜지스터의 드레인에 클럭신호를 공급하여 Q 노드의 전압을 부스팅(Boosting)하는 다이나믹(dynamic) 제어 방법으로 출력 전압을 발생하였다. 그리고 종래의 게이트 구동회로는 풀다은 트랜지스터(Pull-down transistor)의 게이트를 제어하는 QB 노드를 충전시켜 출력 전압을 방전시켰다. 게이트 라인들에 공급되는 게이트 신호들이 중첩(overlap)되는 경우에, 그 중첩 간격에 따라 게이트 구동회로에 공급되는 클럭 신호들의 위상 수(number of phase)를 증가시켜야 한다. 이러한 종래의 게이트 구동회로는 동일한 폭의 게이트 신호를 출력하고 있다. 따라서, 종래의 게이트 구동회로는 신호 폭이 다른 다중 신호들을 연속으로 출력하기가 어렵다. The conventional gate driving circuit boosts the voltage of the Q node by supplying a clock signal to the drain of the pull-up transistor while charging the voltage of the Q node controlling the gate of the pull-up transistor. The output voltage was generated by the dynamic control method. In the conventional gate driving circuit, the output voltage is discharged by charging the QB node that controls the gate of the pull-down transistor. When the gate signals supplied to the gate lines overlap, the number of phases of the clock signals supplied to the gate driving circuit must be increased according to the overlapping intervals. This conventional gate driving circuit outputs a gate signal of the same width. Therefore, it is difficult for the conventional gate driving circuit to continuously output multiple signals having different signal widths.

종래의 게이트 구동회로는 요구되는 게이트 신호 사양에 따라 레이아웃(layout)이 결정된다. 따라서, 게이트 신호 사양이 바뀌면 게이트 구동회로가 새로 설계되어야 한다.
In a conventional gate driving circuit, a layout is determined according to a required gate signal specification. Therefore, when the gate signal specification is changed, the gate driving circuit must be newly designed.

본 발명은 다중 게이트 신호를 연속으로 출력할 수 있고 그 게이트 신호의 신호 폭을 조절하기가 용이한 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로를 제공한다.
The present invention provides a gate driving circuit of an organic light emitting display device which can output multiple gate signals continuously and easily adjusts the signal width of the gate signals.

본 발명의 게이트 구동회로는 서로 역위상으로 발생되는 제1 및 제2 클럭, 상기 제1 클럭에 동기되는 스타트 펄스, 상기 스타트 펄스에 이어서 발생하고 상기 제1 클럭에 동기되는 리셋 펄스, 고전위 전원 전압, 및 저전위 전원 전압이 입력되고 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들로 구성되는 시프트 레지스터를 포함한다. The gate driving circuit of the present invention includes a first and a second clock that are generated out of phase with each other, a start pulse synchronized with the first clock, a reset pulse generated after the start pulse and synchronized with the first clock, and a high potential power supply. And a shift register composed of a plurality of stages to which the voltage and the low potential power supply voltage are input and cascaded.

상기 스테이지들 각각은 Q 노드의 전압에 응답하여 출력 단자에 상기 고전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 충전시키는 풀업 트랜지스터; QB 노드의 전압에 응답하여 상기 출력 단자에 상기 저전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 방전시키는 풀다운 트랜지스터; 및 상기 Q 노드에 상기 스타트 펄스를 공급하여 상기 출력 단자의 전압을 라이징시키고, 상기 리셋 펄스에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 폴링시키는 스위치 회로를 포함한다.
상기 출력 단자를 통해 출력되는 게이트 신호는 표시패널의 게이트 라인에 인가된다.
상기 스위치 회로는 상기 리셋 펄스와 상기 제1 클럭에 응답하여 상기 제1 클럭의 전압으로 상기 QB 노드를 충전시키는 제1 QB 노드 구동부를 포함한다.
Each of the stages includes: a pull-up transistor configured to charge the output terminal by supplying the high potential power voltage to an output terminal in response to a voltage of a Q node; A pull-down transistor configured to discharge the output terminal by supplying the low potential power voltage to the output terminal in response to a voltage of a QB node; And a switch circuit for supplying the start pulse to the Q node to rise the voltage at the output terminal and polling the voltage at the output terminal in response to the reset pulse.
The gate signal output through the output terminal is applied to the gate line of the display panel.
The switch circuit includes a first QB node driver configured to charge the QB node with a voltage of the first clock in response to the reset pulse and the first clock.

본 발명은 스타트 펄스와 리셋 펄스의 시간차를 조절하여 다중 게이트 신호들 각각의 신호폭을 쉽게 조절할 수 있다. 나아가, 본 발명은 게이트 신호 사양이 바뀌면 픽셀 구동회로를 재설계하지 않고 스타트 펄스와 리셋 펄스의 타이밍만을 업데이트하여 새로운 게이트 신호 사양을 충족시킬 수 있다.
The present invention can easily adjust the signal width of each of the multiple gate signals by adjusting the time difference between the start pulse and the reset pulse. Furthermore, when the gate signal specification is changed, the new gate signal specification can be satisfied by updating only the timing of the start pulse and the reset pulse without redesigning the pixel driving circuit.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 시프트 레지스터를 보여 주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 시프트 레지스터의 회로 구성을 상세히 보여 주는 회로도이다.
도 4 및 도 5는 시프트 레지스터의 구동 방법을 보여 주는 파형도들이다.
도 6은 시프트 레지스터의 다른 구동 방법을 보여 주는 파형도이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating the shift register shown in FIG. 1.
3 is a circuit diagram showing in detail the circuit configuration of the shift register shown in FIG.
4 and 5 are waveform diagrams showing a method of driving a shift register.
6 is a waveform diagram showing another driving method of a shift register.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 발광 표시장치는 표시패널(10), 표시패널 구동회로를 포함한다. 1 and 2, the organic light emitting diode display of the present invention includes a display panel 10 and a display panel driving circuit.

표시패널(10)은 매트릭스 형태로 픽셀들이 형성된 픽셀 어레이를 포함하여 입력 영상 데이터를 표시한다. 픽셀들 각각은 OLED와, 그 OLED를 구동하기 위한 픽셀 구동회로를 포함한다. OLED의 유기 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL) 등을 포함한다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)을 통해 공급된 정공과 전자주입층(EIL)와 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발산하게 한다. 픽셀 구동회로에는 데이터 전압에 따라 OLED에 공급되는 전류를 조절하는 구동소자, 구동소자의 게이트전압을 유지시키는 스토리지 커패시터, 구동소자의 게이트 전압을 초기화하고 그 구동소자의 문턱전압을 센싱하며, 구동소자의 게이트에 데이터를 기입하고 구동소자와 OLED 사이의 전류 패스를 절환하는 스위치 소자들을 포함한다. 픽셀 구동회로와 그 구동 방법은 공지된 어느 것으로도 구현될 수 있다. 예를 들어, 픽셀 구동회로와 그 구동 방법은 본원 출원인에 의해 기출원된 대한민국 특허 출원 10-2008-0015064(2008. 02. 19.), 대한민국 특허 출원 10-2008-0016503(2008. 02. 22.), 대한민국 특허 출원 10-2010-0082938(2010. 08. 26.), 미국 특허 출원 12/292,849(2008. 11.26), 미국 특허 출원 12/289,190(2008. 10. 22), 미국 특허 출원 13/213,794(2011. 08. 19.) 등이 적용될 수 있다.The display panel 10 includes input pixel data including a pixel array in which pixels are formed in a matrix form. Each of the pixels includes an OLED and a pixel driving circuit for driving the OLED. The organic compound layer of the OLED includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection) layer, EIL), and the like. When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, electrons passing through the hole and the electron injection layer (EIL) and the electron transport layer (ETL) supplied through the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL) are emitted from the emission layer (EML). To form an exciton, which causes the light emitting layer EML to emit visible light. The pixel driving circuit includes a driving device for adjusting a current supplied to the OLED according to a data voltage, a storage capacitor for maintaining a gate voltage of the driving device, an initializing gate voltage of the driving device, and sensing a threshold voltage of the driving device. It includes switch elements that write data to the gate of and switch the current path between the drive element and the OLED. The pixel driving circuit and its driving method can be implemented by any known. For example, the pixel driving circuit and its driving method are described in Korean Patent Application No. 10-2008-0015064 (February 19, 2008), and Korean Patent Application No. 10-2008-0016503 (February 22, 2008) filed by the present applicant. .), Republic of Korea Patent Application 10-2010-0082938 (August 26, 2010), U.S. Patent Application 12 / 292,849 (Nov. 26, 2008), U.S. Patent Application 12 / 289,190 (October 22, 2008), U.S. Patent Application 13 / 213,794 (August 19, 2011) may be applied.

표시패널(10)의 하부 기판에는 픽셀 어레이와 후술하는 게이트 구동회로의 시프트 레지스터(Shift register, 30)가 함께 형성될 수 있다. 픽셀 어레이의 픽셀들은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층되어 백색광을 발산하는 화이트(white) OLED를 포함할 수 있다. 표시패널(10)의 상부 기판에는 컬러 필터와 블랙 매트릭스를 포함한 컬러필터 어레이가 형성될 수 있다. A pixel array and a shift register 30 of a gate driving circuit, which will be described later, may be formed on the lower substrate of the display panel 10. The pixels of the pixel array may include a white OLED in which a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are stacked to emit white light. A color filter array including a color filter and a black matrix may be formed on the upper substrate of the display panel 10.

표시패널 구동회로는 입력 영상의 데이터를 표시패널의 픽셀들에 기입한다. 표시패널 구동회로는 데이터 구동회로, 게이트 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(22) 등을 포함한다.The display panel driver circuit writes data of an input image to pixels of the display panel. The display panel driver circuit includes a data driver circuit, a gate driver circuit, a timing controller 22, and the like.

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC들(Integrated Circuit)(24)을 포함한다. 소스 드라이브 IC들(24)은 타이밍 콘트롤러(22)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력받는다. 소스 드라이브 IC들(24)은 타이밍 콘트롤러(22)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 표시패널(10)의 데이터라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC들(24)은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터라인들(11)에 접속될 수 있다. 도 3에서 소스 드라이브 IC들(24)은 TCP(Tape Carrier Package)에 실장된 예를 보여 준다. TCP들 각각은 TAB 공정으로 있는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board, PCB)(20)와 표시패널(10)의 하부 기판 사이에 연결된다. The data driver circuit includes a plurality of source drive ICs 24. The source drive ICs 24 receive the digital video data RGB from the timing controller 22. The source drive ICs 24 convert the digital video data RGB into a gamma compensation voltage in response to the source timing control signal from the timing controller 22 to supply the data lines to the data lines of the display panel 10. The source drive ICs 24 may be connected to the data lines 11 of the display panel 10 by a chip on glass (COG) process or a tape automated bonding (TAB) process. 3 shows an example in which the source drive ICs 24 are mounted in a tape carrier package (TCP). Each of the TCPs is connected between a printed circuit board 20 in a TAB process and a lower substrate of the display panel 10.

게이트 구동회로는 GIP(Gate In Panel) 공정으로 픽셀 어레이와 함께 표시패널(10)의 하부 기판에 내장될 수 있다. 게이트 구동회로는 레벨 시프터(Level shifter, 26)와, 시프트 레지스터(shift register, 30)를 포함하여 다중 게이트 신호들을 출력한다. 다중 게이트 신호는 픽셀을 초기화하는 초기화 펄스, 데이터전압과 동기되는 스캔펄스, 픽셀의 발광 타이밍을 제어하는 발광제어펄스 등을 포함하는 다중 신호로 발생된다. The gate driving circuit may be embedded in the lower substrate of the display panel 10 together with the pixel array by a gate in panel (GIP) process. The gate driving circuit outputs multiple gate signals including a level shifter 26 and a shift register 30. The multiple gate signal is generated as a multiple signal including an initialization pulse for initializing a pixel, a scan pulse synchronized with a data voltage, and an emission control pulse for controlling the emission timing of the pixel.

레벨 시프터(26)는 타이밍 콘트롤러(22)로부터 스타트 펄스(start pulse), 리셋 펄스(reset pulse), 클럭(clock) 등을 입력받는다. 또한, 레벨 시프터(26)는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 등의 구동 전압을 공급받는다. 타이밍 콘트롤러(22)로부터 레벨 시프터(26)로 전송되는 스타트 펄스, 리셋 펄스, 클럭 등은 0V와 3.3V 사이에서 스윙한다. 게이트 하이 전압(VGH)은 표시패널(10)의 TFT 어레이에 형성된 TFT의 문턱 전압 이상의 전압으로서 대략 20V 이상의 전압이고, 게이트 로우 전압(VGL)은 표시패널(10)의 TFT 어레이에 형성된 TFT의 문턱 전압보다 낮은 전압으로서 대략 -5V 정도의 전압이다.The level shifter 26 receives a start pulse, a reset pulse, a clock, and the like from the timing controller 22. In addition, the level shifter 26 receives a driving voltage such as a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL. Start pulses, reset pulses, clocks, and the like transmitted from the timing controller 22 to the level shifter 26 swing between 0V and 3.3V. The gate high voltage VGH is a voltage higher than or equal to the threshold voltage of the TFTs formed in the TFT array of the display panel 10, and the gate low voltage VGL is a threshold voltage of the TFTs formed in the TFT array of the display panel 10. The voltage is lower than the voltage, which is about -5V.

레벨 시프터(26)는 타이밍 콘트롤러(22)로부터 입력되는 스타트 펄스, 리셋 펄스, 클럭의 전압을 시프트하여 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하는 스타트 펄스(ST), 리셋 펄스(RST), 클럭(CLK, CLKB)를 출력한다. 클럭(CLK, CLKB)은 도 4 및 도 5와 같이 제1 클럭(CLK)과, 제1 클럭(CLK)의 역위상으로 발생되는 제2 클럭(CLKB)을 포함한다. 레벨 시프터(26)로부터 출력된 클럭신호들(CLK)은 순차적으로 위상이 시프트되어 표시패널(10)에 형성된 시프트 레지스터(30)로 전송된다. The level shifter 26 shifts the voltages of the start pulse, the reset pulse, and the clock inputted from the timing controller 22 to start the swing voltage STGH and resets the swing between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. The pulses RST and clocks CLK and CLKB are output. The clocks CLK and CLKB include a first clock CLK and a second clock CLKB generated in an inverse phase of the first clock CLK as shown in FIGS. 4 and 5. The clock signals CLK output from the level shifter 26 are sequentially shifted in phase and transmitted to the shift register 30 formed in the display panel 10.

시프트 레지스터(30)는 GIP 공정으로 표시패널(10)의 하부 기판에 형성된다. 시프트 레지스터(30)는 도 2와 같이 종속적으로 접속되어 게이트 신호들을 순차적으로 출력하는 다수의 스테이지들(30N ~30N+3)을 포함한다. 이러한 시프트 레지스터(30)는 레벨 시프터(26)로부터 입력되는 스타트 펄스(VST)에 응답하여 표시패널(10)의 게이트라인에 연결된 출력 단자의 전압을 라이징(rising) 시키고 리셋 펄스(RST)에 응답하여 출력 단자의 전압을 폴링(falling)시킨다. The shift register 30 is formed on the lower substrate of the display panel 10 by a GIP process. The shift register 30 includes a plurality of stages 30N ˜ 30N + 3 sequentially connected to each other as shown in FIG. 2 to sequentially output gate signals. The shift register 30 rises the voltage of the output terminal connected to the gate line of the display panel 10 in response to the start pulse VST input from the level shifter 26 and responds to the reset pulse RST. To fall the voltage at the output terminal.

시프트 레지스터(30)의 스테이지들 각각은 스타트 펄스(ST), 클럭(CLK, CLKB)를 입력 받아 출력단자(OUT)를 통해 다중 게이트 신호들을 출력한다. 레벨 시프터(26)로부터 스타트 펄스(ST), 리셋 펄스(RST)는 도 2에서 제1 스테이지(30N)에만 입력된다. 제1 스테이지(30N) 이외의 다른 스테이지들은 이전 스테이지로부터 스타트 펄스(ST)와 리셋 펄스(RST)를 전달 받는다. 도 2에서, "NST"는 다음 스테이지에 스타트 펄스(ST)를 공급하는 단자이고, "NRST"는 다음 스테이지에 리셋 펄스(RST)를 공급하는 단자이다. 도시하지 않았지만 다음 스테이지의 QBA 노드 전압은 이전 스테이지에 공급된다.Each of the stages of the shift register 30 receives the start pulse ST and the clocks CLK and CLKB and outputs multiple gate signals through the output terminal OUT. The start pulse ST and the reset pulse RST are input from the level shifter 26 only to the first stage 30N in FIG. 2. Stages other than the first stage 30N receive the start pulse ST and the reset pulse RST from the previous stage. In Fig. 2, "NST" is a terminal for supplying the start pulse ST to the next stage, and "NRST" is a terminal for supplying the reset pulse RST to the next stage. Although not shown, the QBA node voltage of the next stage is supplied to the previous stage.

타이밍 콘트롤러(22)는 PCB(20)에 실장되어 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 수신하고, 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(CLK) 등의 타이밍 신호를 수신한다. 호스트 시스템은 텔레비젼(TV) 시스템, 셋톱박스, DVD 플레이어, 네비게이션 시스템, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 타이밍 콘트롤러(22)는 호스스 시스템으로부터 수신된 디지털 비디오 데이터를 재정렬하여 소스 드라이브 IC들(24)에 전송한다. The timing controller 22 is mounted on the PCB 20 to receive digital video data RGB from an external host system, and the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, and the data enable signal Data Enable, A timing signal such as DE) and main clock CLK is received. The host system may be implemented as any one of a television system, a set top box, a DVD player, a navigation system, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system. The timing controller 22 reorders the digital video data received from the host system and sends it to the source drive ICs 24.

타이밍 콘트롤러(22)는 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE, CLK)를 이용하여 소스 드라이브 IC들(24)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 소스 타이밍 제어신호와, 게이트 구동회로의 레벨 시프터(26)와 시프트 레지스터(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(ST, RST, CLK) 등을 발생한다.The timing controller 22 uses a timing signal Vsync, Hsync, DE, and CLK to control the operation timing of the source drive ICs 24, the level shifter 26 of the gate driving circuit, Gate timing control signals ST, RST, and CLK for controlling the operation timing of the shift register 30 are generated.

타이밍 콘트롤러(22)에는 타이밍 정보가 저장된 메모리(40)가 접속된다. 메모리는 EEPROM(Electrically erasable and programmable read only memory)과 같이 데이터 업데이트가 가능한 메모리로 구현된다. 타이밍 정보는 타이밍 콘트롤러(22)로부터 출력되는 소스 및 게이트 타이밍 제어신호들 각각의 라이징 타이밍과 신호 폭 정보 등을 포함한다. 타이밍 콘트롤러(22)는 메모리(40)에 저장된 타이밍 정보를 참조하여 수신받은 타이밍 신호를 카운트하고 그 카운트값과 타이밍 정보를 비교하여 소스 및 게이트 타이밍 제어신호를 출력한다. 유기 발광 표시장치의 패널 모듈 메이커 또는 세트 메이커는 게이트 신호 사양의 타이밍 정보를 롬 라이터(ROM writer)를 통해 메모리에 업데이트하여 픽셀 구동회로를 재설계하지 않고 새로운 게이트 신호 사양을 충족하는 다중 게이트 신호들을 얻을 수 있다. 예를 들어, 게이트 신호들 각각의 라이징 타임과 폴링 타임은 스타트 펄스(ST)와 리셋 펄스(RST)의 타이밍 정보를 조절하는 방법으로 변경될 수 있다.The timing controller 22 is connected to a memory 40 in which timing information is stored. The memory is implemented as a data updateable memory, such as electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM). The timing information includes rising timing and signal width information of each of the source and gate timing control signals output from the timing controller 22. The timing controller 22 counts the received timing signal by referring to the timing information stored in the memory 40, compares the count value with the timing information, and outputs a source and gate timing control signal. The panel module maker or set maker of the organic light emitting display can update the timing information of the gate signal specification into a memory through a ROM writer to obtain multiple gate signals that meet the new gate signal specification without redesigning the pixel driving circuit. You can get it. For example, the rising time and the falling time of each of the gate signals may be changed by adjusting timing information of the start pulse ST and the reset pulse RST.

도 3은 시프트 레지스터(30)의 회로 구성을 상세히 보여 주는 회로도이다. 도 4 및 도 5는 시프트 레지스터의 구동 방법을 보여 주는 파형도들이다. 3 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the shift register 30 in detail. 4 and 5 are waveform diagrams showing a method of driving a shift register.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 시프트 레지스터(30)의 스테이지 각각은 풀업 트랜지스터(Tu), 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2), 풀업 트랜지스터(Tu)를 제어하는 Q 노드(Q), 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2)를 제어하는 QB 노드(QBA, QBB), 및 Q 노드(Q)와 QB 노드(QBA, QBB)를 충방전시키는 스위치 회로를 포함한다. 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2)는 스테이지의 출력 단자와 제1 저전위 전원 전압(GVSS1)을 발생하는 제1 저전위 전원 전압원 사이에 병렬 접속된 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)와 제2 풀다운 트랜지스터(Td2)를 포함한다. QB 노드(QBA, QBB)는 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)를 제어하는 제1 QB 노드(QBA)와, 제2 풀다운 트랜지스터(Td2)를 제어하는 제2 QB 노드(QBB)로 나뉘어진다.3 to 5, each of the stages of the shift register 30 may include a pull-up transistor Tu, a pull-down transistor Td1 and Td2, a Q node Q and a pull-down transistor Td1 that control the pull-up transistor Tu. And QB nodes QBA and QBB for controlling Td2, and switch circuits for charging and discharging Q nodes Q and QB nodes QBA and QBB. The pull-down transistors Td1 and Td2 are the first pull-down transistor Td1 and the second pull-down transistor Td2 connected in parallel between the output terminal of the stage and the first low potential power supply voltage source generating the first low potential power supply voltage GVSS1. ). The QB nodes QBA and QBB are divided into a first QB node QBA that controls the first pull-down transistor Td1 and a second QB node QBB that controls the second pull-down transistor Td2.

도 3에 도시된 트랜지스터들은 n type MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect-transistor) 기반으로 형성된 예를 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 3에 도시된 트랜지스터들은 p type MOSFET로 구현될 수도 있다.Although the transistors shown in FIG. 3 illustrate an example formed based on an n type metal-oxide semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), the present invention is not limited thereto. For example, the transistors shown in FIG. 3 may be implemented with a p type MOSFET.

스테이지들 각각에는 스타트 펄스(ST), 리셋 펄스(RST), 클럭(CLK, CLKB), 고전위 전원 전압(GVDD), 제1 및 제2 저전위 전원 전압(GVSS1, GVSS2) 등이 입력된다. 스타트 펄스(ST)는 제1 클럭(CLK)과 동기된다. 리셋 펄스(RST)는 스타트 펄스(ST) 이후에 발생되고 제1 클럭(CLK)과 동기된다. 스타트 펄스(ST)와 리셋 펄스(RST) 사이의 시간차는 게이트 신호의 신호폭에 따라 결정된다. 게이트 신호의 신호폭이 클수록 스타트 펄스(ST)와 리셋 펄스(RST) 사이의 시간차가 길어진다. Each of the stages includes a start pulse ST, a reset pulse RST, clocks CLK and CLKB, a high potential power voltage GVDD, first and second low potential power voltages GVSS1 and GVSS2, and the like. The start pulse ST is synchronized with the first clock CLK. The reset pulse RST is generated after the start pulse ST and is synchronized with the first clock CLK. The time difference between the start pulse ST and the reset pulse RST is determined according to the signal width of the gate signal. The larger the signal width of the gate signal, the longer the time difference between the start pulse ST and the reset pulse RST.

고전위 전원 전압(GVDD)은 대략 10V 이상의 전원 전압이다. 제1 및 제2 저전위 전원전압(GVSS1, GVSS2)은 0V 이하의 전원 전압으로서 동일한 전압으로 설정될 수 있고, 다른 전압으로 설정될 수 있다. 제1 및 제2 저전위 전원전압(GVSS1, GVSS2)은 풀다운 트랜지스터들(Td1, Td2)이 게이트 바이어스 스트레스(gate bias stress)로 인하여 그 문턱전압이 시프트되더라도 안정되게 턴-오프(turn-off) 동작할 수 있도록 그 전압이 다르게 설정되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제2 저전위 전원 전압(GVSS2)은 풀다운 트랜지스터들(Td1, Td2) 보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다. The high potential supply voltage GVDD is a supply voltage of approximately 10V or more. The first and second low potential power supply voltages GVSS1 and GVSS2 may be set to the same voltage as the power supply voltage of 0 V or less, and may be set to different voltages. The first and second low potential supply voltages GVSS1 and GVSS2 are stably turned off even when the pull-down transistors Td1 and Td2 shift their threshold voltages due to gate bias stress. It is desirable that the voltage be set differently so that it can operate. For example, the second low potential power supply voltage GVSS2 may be set to a lower voltage than the pull-down transistors Td1 and Td2.

스위치 회로는 Q 노드에 스타트 펄스(ST)를 공급하여 출력 단자의 전압을 라이징시키고, 상기 QB 노드(QBA, QBB)에 리셋 펄스(RST1, RST2)를 공급하여 출력 단자의 전압을 폴링시킨다. 이 스위치 회로는 제1 Q 노드 구동부(11), 제2 Q 노드 구동부(12), 제3 Q 노드 구동부(13a, 13b), 제1 QB 노드 구동부(14), 제2 QB 노드 구동부(15), 제3 QB 노드 구동부(16), 제4 QB 노드 구동부(17) 등을 포함한다. The switch circuit supplies the start pulse ST to the Q node to rise the voltage of the output terminal, and supplies the reset pulses RST1 and RST2 to the QB nodes QBA and QBB to poll the voltage of the output terminal. The switch circuit includes a first Q node driver 11, a second Q node driver 12, a third Q node driver 13a and 13b, a first QB node driver 14, and a second QB node driver 15. And a third QB node driver 16, a fourth QB node driver 17, and the like.

제1 Q 노드 구동부(11)는 서로 동기되는 스타트 펄스(ST)와 제1 클럭(CLK)에 응답하여 제1 클럭(CLK)의 전압으로 Q 노드를 충전시켜 풀업 트랜지스터(Tu)를 턴-온시킨다. 제1 Q 노드 구동부(11)는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2a, T2b)를 포함한다. 제2 트랜지스터(T2a, T2b)는 제2a 트랜지스터(T2a)와 제2b 트랜지스터(T2b)로 구성될 수 있으나, 그 중 어느 하나가 생략될 수 있다. The first Q node driver 11 turns on the pull-up transistor Tu by charging the Q node with a voltage of the first clock CLK in response to the start pulse ST and the first clock CLK that are synchronized with each other. Let's do it. The first Q node driver 11 includes first and second transistors T1, T2a, and T2b. The second transistors T2a and T2b may be composed of the second a transistor T2a and the second b transistor T2b, but any one of them may be omitted.

제1 트랜지스터(T1)는 제1 클럭(CLK)에 따라 턴-온되어 제1 클럭(CLK)을 제2 트랜지스터(T2a, T2b)에 전달하는 다이오드(diode)로 동작한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트(gate)와 드레인(drain)은 단락(short)된다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인에는 제1 클럭(CLK)이 공급된다. 제1 트랜지스터(T1)의 소스(source)는 제2a 트랜지스터(T2a)의 드레인에 연결된다.The first transistor T1 is turned on according to the first clock CLK to operate as a diode that transfers the first clock CLK to the second transistors T2a and T2b. The gate and the drain of the first transistor T1 are shorted. The first clock CLK is supplied to the gate and the drain of the first transistor T1. The source of the first transistor T1 is connected to the drain of the second a transistor T2a.

제2 트랜지스터(T2a, T2b)는 스타트 펄스(ST)와 제1 클럭(CLK)이 동시에 입력될 때 턴-온(turn-on)되어 제1 클럭(CLK)을 Q 노드(Q)에 공급하여 Q 노드(Q)를 충전시킨다. 제2 트랜지스터(T2a, T2b)는 스타트 펄스(ST)가 입력되지 않으면 오프 상태를 유지한다. 제2a 트랜지스터(T2a)와 제2b 트랜지스터(T2b)의 게이트들은 단락된다. 제2a 트랜지스터(T2a)와 제2b 트랜지스터(T2b)의 게이트들에는 스타트 펄스(ST)가 공급된다. 제2a 트랜지스터(T2a)의 드레인은 제1 트랜지스터(T1)의 소스에 연결되고, 제2a 트랜지스터(T2a)의 소스는 제2b 트랜지스터(T2b)의 드레인에 연결된다. 제2b 트랜지스터(T2b)의 소스는 Q 노드(Q)에 연결된다. The second transistors T2a and T2b are turned on when the start pulse ST and the first clock CLK are simultaneously input to supply the first clock CLK to the Q node Q. Charges the Q node Q. The second transistors T2a and T2b remain in an off state when the start pulse ST is not input. Gates of the second a transistor T2a and the second b transistor T2b are short-circuited. The start pulse ST is supplied to the gates of the second a transistor T2a and the second b transistor T2b. The drain of the second a transistor T2a is connected to the source of the first transistor T1 and the source of the second a transistor T2a is connected to the drain of the second b transistor T2b. The source of the second b transistor T2b is connected to the Q node Q.

제2 Q 노드 구동부(12)는 제2 클럭(CLB)을 이미 충전된 Q 노드(Q)에 공급하여 Q 노드(Q)의 전압을 부스팅(Boosting)시켜 풀업 트랜지스터(Tu)의 온 타임(on time)을 유지시킨다. 제2 Q 노드 구동부(12)에 의해 Q 노드(Q)가 부스팅하여 스테이지로부터 출력되는 게이트 신호의 신호폭은 제1 클럭(CLK)의 신호폭에 제2 클럭(CLKB)의 신호폭을 합한 길이 이상으로 길어진다. 제2 Q 노드 구동부(12)는 제3a 내지 제3c 트랜지스터들(T3a~T3c)와, 커패시터(c)를 포함한다. The second Q node driver 12 supplies the second clock CLB to the Q node Q that is already charged to boost the voltage of the Q node Q to turn on the pull-up transistor Tu. time). The signal width of the gate signal boosted by the Q node Q by the second Q node driver 12 and output from the stage is the length of the signal width of the first clock CLK plus the signal width of the second clock CLKB. Longer than The second Q node driver 12 includes third to third transistors T3a to T3c and a capacitor c.

제3a 트랜지스터(T3a)는 제2 클럭(CLKB)에 따라 턴-온되어 제2 클럭(CLKB)을 제2 트랜지스터(T2a, T2b)에 전달하는 다이오드로 동작한다. 제3a 트랜지스터(T3a)의 게이트와 드레인은 단락된다. 제3a 트랜지스터(T3a)의 게이트와 드레인에는 제2 클럭(CLKB)이 공급된다. 제3a 트랜지스터(T3a)의 소스는 제3b 트랜지스터(T3b)의 드레인에 연결된다. The third a transistor T3a is turned on according to the second clock CLKB to operate as a diode that transfers the second clock CLKB to the second transistors T2a and T2b. The gate and the drain of the third a transistor T3a are shorted. The second clock CLKB is supplied to the gate and the drain of the third a transistor T3a. The source of the third a transistor T3a is connected to the drain of the third b transistor T3b.

제3b 트랜지스터(T3b)는 Q 노드(Q)가 충전되었을 때 턴-온되어 제2 클럭(CLKB)의 전압을 커패시터(C)에 공급한다. 제3b 트랜지스터(T3b)는 Q 노드(Q)가 방전되면 턴-오프된다. 제3b 트랜지스터(T3b)의 게이트는 Q 노드(Q)에 연결된다. 제3b 트랜지스터(T3b)의 드레인은 제3a 트랜지스터(T3a)의 소스에 연결되고, 제3b 트랜지스터(T3b)의 소스는 커패시터(C)의 제1 전극에 연결된다. The third b transistor T3b is turned on when the Q node Q is charged to supply the voltage of the second clock CLKB to the capacitor C. The third b transistor T3b is turned off when the Q node Q is discharged. The gate of the third b transistor T3b is connected to the Q node Q. The drain of the third b transistor T3b is connected to the source of the third a transistor T3a and the source of the third b transistor T3b is connected to the first electrode of the capacitor C.

제3c 트랜지스터(T3c)는 제1 QB 노드(QBA)가 충전되어 있을 때 그 제1 QB 노드(QBA)의 전압에 응답하여 커패시터(C)를 방전시킨다. 제3c 트랜지스터(T3c)는 Q 노드(Q)가 방전되면 턴-오프된다. 제3c 트랜지스터(T3c)의 게이트는 제1 QB 노드(QBA)에 연결된다. 제3c 트랜지스터(T3c)의 드레인은 커패시터(C)의 제1 전극에 연결되고, 제3c 트랜지스터(T3cb)의 소스는 제2 저전위 전원전압원과 연결된다. The thirdc transistor T3c discharges the capacitor C in response to the voltage of the first QB node QBA when the first QB node QBA is charged. The third c transistor T3c is turned off when the Q node Q is discharged. The gate of the third c transistor T3c is connected to the first QB node QBA. The drain of the third c transistor T3c is connected to the first electrode of the capacitor C, and the source of the third c transistor T3cb is connected to the second low potential power voltage source.

커패시터(C)는 제1 QB 노드(QBA)가 방전되어 있는 동안 제2 클럭(CLKB)이 제2 Q 노드 구동부(12)에 입력될 때 제2 클럭(CLKB) 전압 만큼 Q 노드(Q)의 전압을 부스팅한다. 커패시터(C)의 제1 전극은 제3b 트랜지스터(T3b)의 소스와 제3c 트랜지스터(T3c)의 드레인에 연결된다. 커패시터(C)의 제2 전극은 Q 노드(Q)에 연결된다.The capacitor C of the Q node Q is equal to the voltage of the second clock CLKB when the second clock CLKB is input to the second Q node driver 12 while the first QB node QBA is discharged. Boost the voltage. The first electrode of the capacitor C is connected to the source of the third b transistor T3b and the drain of the third c transistor T3c. The second electrode of the capacitor C is connected to the Q node Q.

제3 Q 노드 구동부(13a, 13b)는 QB 노드(QBA, QBB)의 전압에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전시킨다. 제3 Q 노드 구동부(13a, 13b)는 제1 QB 노드(QBA)의 전압에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전시키는 제3a Q 노드 구동부(13a)와, 제2 QB 노드(QBB)의 전압에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전시키는 제3b Q 노드 구동부(13b)를 포함한다. The third Q node drivers 13a and 13b discharge the Q node Q in response to the voltages of the QB nodes QBA and QBB. The third Q node drivers 13a and 13b are configured to discharge the Q node Q in response to the voltage of the first QB node QBA, and the voltage of the second QB node QBB and the second QB node QBB. And a third b Q node driver 13b which discharges the Q node Q in response.

제3a Q 노드 구동부(13a)는 제9a 및 제9b 트랜지스터(T9a, T9b)를 포함한다. 제9a 및 제9b 트랜지스터(T9a, T9b)는 하나의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 제9a 트랜지스터(T9a)와 제9b 트랜지스터(T9b)의 게이트들은 제1 QB 노드(QBA)에 공통으로 연결된다. 제9a 트랜지스터(T9a)의 드레인은 Q 노드(Q)에 연결되고, 제9a 트랜지스터(T9a)의 소스는 제9b 트랜지스터(T9b)의 드레인에 연결된다. 제9b 트랜지스터(T9b)의 소스는 제2 저전위 전원 전압원에 연결된다.The third a Q node driver 13a includes the ninth and ninth transistors T9a and T9b. The ninth and ninth transistors T9a and T9b may be implemented as one transistor. Gates of the ninth transistor T9a and the ninth transistor T9b are commonly connected to the first QB node QBA. The drain of the ninth transistor T9a is connected to the Q node Q, and the source of the ninth transistor T9a is connected to the drain of the ninth transistor T9b. The source of the ninth transistor T9b is connected to the second low potential power supply voltage source.

제3b Q 노드 구동부(13b)는 제10a 및 제10b 트랜지스터(T10a, T10b)를 포함한다. 제10a 및 제10b 트랜지스터(T10a, T10b)는 하나의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 제10a 트랜지스터(T10a)와 제10b 트랜지스터(T10b)의 게이트들은 제2 QB 노드(QBB)에 공통으로 연결된다. 제10a 트랜지스터(T10a)의 드레인은 Q 노드(Q)에 연결되고, 제10a 트랜지스터(T10a)의 소스는 제10b 트랜지스터(T10b)의 드레인에 연결된다. 제10b 트랜지스터(T10b)의 소스는 제2 저전위 전원 전압원에 연결된다.The 3b Q node driver 13b includes the 10a and 10b transistors T10a and T10b. The 10a and 10b transistors T10a and T10b may be implemented as one transistor. Gates of the 10a transistor T10a and the 10b transistor T10b are commonly connected to the second QB node QBB. The drain of the 10a transistor T10a is connected to the Q node Q, and the source of the 10a transistor T10a is connected to the drain of the 10b transistor T10b. The source of the 10b transistor T10b is connected to a second low potential power supply voltage source.

풀업 트랜지스터(Tu)는 제1 Q 노드 구동부(11)를 통해 공급되는 제1 클럭(CLK)의 전압에 의해 Q 노드(Q)가 충전되는 동안 턴-온되어 고전위 전원 전압(GVDD)을 출력 단자에 공급한다. 풀업 트랜지스터(Tu)는 제2 Q 노드 구동부(12)를 통해 공급되는 전압에 의해 Q 노드(Q)가 부스팅되는 동안 온 상태를 유지하여 출력 단자에 고전위 전원 전압(GVDD)을 공급한다. Q 노드(Q)의 전압은 QB 노드(QBA, QBB)가 충전되어 있는 동안, 제3a Q 노드 구동부(13a) 또는 제3b Q 노드 구동부(13b)를 통해 저전위 전원 전압원으로 방전된다. 풀업 트랜지스터(Tu)는 Q 노드가 자신의 문턱 전압 보다 낮은 전압까지 방전되면 턴-오프된다. 풀업 트랜지스터(Tu)의 게이트는 Q 노드(Q)에 연결된다. 풀업 트랜지스터(Tu)의 드레인은 출력 단자(OUT)와 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2)의 드레인에 연결된다.The pull-up transistor Tu is turned on while the Q node Q is charged by the voltage of the first clock CLK supplied through the first Q node driver 11 to output the high potential power voltage GVDD. Supply to the terminal. The pull-up transistor Tu remains on while the Q node Q is boosted by the voltage supplied through the second Q node driver 12 to supply the high potential power voltage GVDD to the output terminal. The voltage of the Q node Q is discharged to the low potential power voltage source through the 3a Q node driver 13a or the 3b Q node driver 13b while the QB nodes QBA and QBB are charged. The pull-up transistor Tu is turned off when the Q node is discharged to a voltage lower than its threshold voltage. The gate of the pull-up transistor Tu is connected to the Q node Q. The drain of the pull-up transistor Tu is connected to the output terminal OUT and the drain of the pull-down transistors Td1 and Td2.

제1 QB 노드 구동부(14)는 서로 동기되는 리셋 펄스(RST)와 제1 클럭(CLK)에 응답하여 제1 클럭(CLK)의 전압으로 QB 노드(QBA, QBB)를 충전시켜 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2)를 턴-온시킨다. 제1 QB 노드 구동부(14)는 제5 및 제6 트랜지스터(T5, T6a~T6d)를 포함한다. 제6 트랜지스터(T6a~T6d)는 제6a 내지 제6d 트랜지스터들(T6a~T6d)로 구성될 수 있다. 제6a 및 제6b 트랜지스터들(T6a, T6b) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 또한, 제6c 및 제6d 트랜지스터들(T6c, T6d) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. The first QB node driver 14 charges the QB nodes QBA and QBB with voltages of the first clock CLK in response to the reset pulse RST and the first clock CLK that are synchronized with each other, thereby pulling down the pull-down transistor Td1. , Turn on Td2). The first QB node driver 14 includes fifth and sixth transistors T5 and T6a to T6d. The sixth transistors T6a to T6d may be composed of sixth to sixth transistors T6a to T6d. One of the sixth and sixth transistors T6a and T6b may be omitted. In addition, any one of the sixth and sixth transistors T6c and T6d may be omitted.

리셋 펄스(RST)는 게이트 신호의 폴링 타이밍을 제어한다. 리셋 펄스(RST)는 도 3 및 도 5와 같이 제1 및 제2 리셋 펄스(RST1, RST2)로 나뉘어질 수 있다. 제1 및 제2 리셋 펄스(RST1, RST2)는 도 5와 같이 동위상의 신호로 발생되거나 이상이 서로 다른 신호로 발생될 수도 있다. The reset pulse RST controls the polling timing of the gate signal. The reset pulse RST may be divided into first and second reset pulses RST1 and RST2 as shown in FIGS. 3 and 5. The first and second reset pulses RST1 and RST2 may be generated as signals in phase as shown in FIG. 5 or may be generated as signals having different abnormalities.

제5 트랜지스터(T5)는 제1 클럭(CLK)에 따라 턴-온되어 제1 클럭(CLK)을 제6 트랜지스터(T6a~T6d)에 전달하는 다이오드로 동작한다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트와 드레인은 단락된다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트와 드레인에는 제1 클럭(CLK)이 공급된다. 제5 트랜지스터(T5)의 소스는 제6a 및 제6c 트랜지스터(T6a, T6c)의 드레인에 연결된다.The fifth transistor T5 is turned on according to the first clock CLK to operate as a diode that transfers the first clock CLK to the sixth transistors T6a to T6d. The gate and the drain of the fifth transistor T5 are shorted. The first clock CLK is supplied to the gate and the drain of the fifth transistor T5. The source of the fifth transistor T5 is connected to the drains of the sixth and sixth transistors T6a and T6c.

제6a 및 제6b 트랜지스터(T6a, T6b)는 제1 리셋 펄스(RST1)와 제1 클럭(CLK)이 동시에 입력될 때 턴-온되어 제1 클럭(CLK)을 제1 QB 노드(QBA)에 공급하여 제1 QB 노드(QBA)를 충전시킨다. 제6a 및 제6b 트랜지스터(T6a, T6b)는 제1 리셋 펄스(RST1)가 입력되지 않으면 오프 상태를 유지한다. 제6a 트랜지스터(T6a)와 제6b 트랜지스터(T6b)의 게이트들은 단락된다. 제6a 트랜지스터(T6a)와 제6b 트랜지스터(T6b)의 게이트들에는 제1 리셋 펄스(RST1)가 공급된다. 제6a 트랜지스터(T6a)의 드레인은 제5 트랜지스터(T5)의 소스에 연결되고, 제6a 트랜지스터(T6a)의 소스는 제6b 트랜지스터(T6b)의 드레인에 연결된다. 제6b 트랜지스터(T6b)의 소스는 제1 QB 노드(QBA)에 연결된다. The sixth and sixth transistors T6a and T6b are turned on when the first reset pulse RST1 and the first clock CLK are simultaneously input to turn the first clock CLK to the first QB node QBA. To charge the first QB node QBA. The sixth and sixth transistors T6a and T6b remain in an off state when the first reset pulse RST1 is not input. Gates of the sixth transistor T6a and the sixth transistor T6b are short-circuited. The first reset pulse RST1 is supplied to the gates of the sixth a transistor T6a and the sixth b transistor T6b. The drain of the sixth transistor T6a is connected to the source of the fifth transistor T5 and the source of the sixth transistor T6a is connected to the drain of the sixth transistor B6b. The source of the sixth b transistor T6b is connected to the first QB node QBA.

제6c 및 제6d 트랜지스터(T6c, T6d)는 제2 리셋 펄스(RST2)와 제1 클럭(CLK)이 동시에 입력될 때 턴-온되어 제1 클럭(CLK)을 제2 QB 노드(QBB)에 공급하여 제2 QB 노드(QBB)를 충전시킨다. 제6c 및 제6c 트랜지스터(T6c, T6d)는 제2 리셋 펄스(RST2)가 입력되지 않으면 오프 상태를 유지한다. 제6c 트랜지스터(T6c)와 제6d 트랜지스터(T6d)의 게이트들은 단락된다. 제6c 트랜지스터(T6c)와 제6d 트랜지스터(T6d)의 게이트들에는 제2 리셋 펄스(RST2)가 공급된다. 제6c 트랜지스터(T6c)의 드레인은 제5 트랜지스터(T5)의 소스에 연결되고, 제6c 트랜지스터(T6c)의 소스는 제6d 트랜지스터(T6d)의 드레인에 연결된다. 제6d 트랜지스터(T6d)의 소스는 제2 QB 노드(QBB)에 연결된다. The sixth and sixth transistors T6c and T6d are turned on when the second reset pulse RST2 and the first clock CLK are simultaneously input to transfer the first clock CLK to the second QB node QBB. To charge the second QB node QBB. The sixth and sixth transistors T6c and T6d maintain an off state when the second reset pulse RST2 is not input. Gates of the sixth c transistor T6c and the sixth d transistor T6d are short-circuited. The second reset pulse RST2 is supplied to the gates of the sixth c transistor T6c and the sixth d transistor T6d. The drain of the sixth c transistor T6c is connected to the source of the fifth transistor T5, and the source of the sixth c transistor T6c is connected to the drain of the sixth d transistor T6d. The source of the sixth d transistor T6d is connected to the second QB node QBB.

제2 QB 노드 구동부(15)는 Q 노드(Q)의 전압에 응답하여 제1 QB 노드(QBA)를 방전시킨다. 제2 QB 노드 구동부(15)는 제7a 및 제7b 트랜지스터(T7a, T7b)를 포함한다. The second QB node driver 15 discharges the first QB node QBA in response to the voltage of the Q node Q. The second QB node driver 15 includes seventh and seventh transistors T7a and T7b.

제7a 및 제7b 트랜지스터(T7a, T7b) 중 어느 하나는 생략되어 제7a 및 제7b 트랜지스터(T7a, T7b)는 하나의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 제7a 트랜지스터(T7a)와 제7b 트랜지스터(T7b)의 게이트들은 Q 노드(Q)에 공통으로 연결된다. 제7a 트랜지스터(T7a)의 드레인은 제1 QB 노드(QBA)에 연결되고, 제7a 트랜지스터(T7a)의 소스는 제7b 트랜지스터(T7b)의 드레인에 연결된다. 제7b 트랜지스터(T7b)의 소스는 제2 저전위 전원 전압원에 연결된다.Any one of the 7a and 7b transistors T7a and T7b may be omitted so that the 7a and 7b transistors T7a and T7b may be implemented as one transistor. Gates of the seventh transistor T7a and the seventh transistor T7b are connected to the Q node Q in common. The drain of the seventh transistor T7a is connected to the first QB node QBA, and the source of the seventh transistor T7a is connected to the drain of the seventh transistor T7b. The source of the seventh transistor T7b is connected to the second low potential power supply voltage source.

제3 QB 노드 구동부(16)는 다음 스테이지의 QB 노드 전압에 응답하여 제2 QB 노드(QBB)의 전압을 방전시킨다. 도 3에 도시된 스테이지가 제N(N은 양의 정수) 스테이지일 때, 다음 스테이지는 제N+1 또는 제N+2 스테이지 중 어느 하나일 수 있다. 다음 스테이지의 QB 노드 전압은 도 3과 같이 다음 스테이지의 제1 QB 노드(QBA)의 전압일 수 있으나 제1 QB 노드(QBA)의 전압으로 선택될 수도 있다. 제3 QB 노드 구동부(16)는 제8a 및 제8b 트랜지스터(T8a, T8b)를 포함한다. The third QB node driver 16 discharges the voltage of the second QB node QBB in response to the QB node voltage of the next stage. When the stage illustrated in FIG. 3 is the Nth (N is a positive integer) stage, the next stage may be either the N + 1 or N + 2th stage. The QB node voltage of the next stage may be the voltage of the first QB node QBA of the next stage as shown in FIG. 3, but may be selected as the voltage of the first QB node QBA. The third QB node driver 16 includes eighth and eighth transistors T8a and T8b.

제8a 및 제8b 트랜지스터(T8a, T8b) 중 어느 하나는 생략되어 제8a 및 제8b 트랜지스터(T8a, T8b)는 하나의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 제8a 트랜지스터(T8a)와 제8b 트랜지스터(T8b)의 게이트들은 다음 스테이지의 Q 노드(QBA, QBB) 중 어느 하나에 공통으로 연결된다. 제8a 트랜지스터(T8a)의 드레인은 제2 QB 노드(QBB)에 연결되고, 제8a 트랜지스터(T8a)의 소스는 제8b 트랜지스터(T8b)의 드레인에 연결된다. 제8b 트랜지스터(T8b)의 소스는 제2 저전위 전원 전압원에 연결된다.One of the eighth and eighth transistors T8a and T8b may be omitted, and the eighth and eighth transistors T8a and T8b may be implemented as one transistor. Gates of the eighth transistor T8a and the eighth transistor T8b are commonly connected to one of the Q nodes QBA and QBB of the next stage. The drain of the eighth transistor T8a is connected to the second QB node QBB, and the source of the eighth transistor T8a is connected to the drain of the eighth transistor T8b. The source of the eighth transistor T8b is connected to a second low potential power voltage source.

제4 QB 노드 구동부(17)는 Q 노드(Q)가 방전되어 있을 때 제1 QB 노드(QBA)를 충전시켜 출력 단자의 전압을 방전시키는 인버터로 동작한다. 제4 QB 노드 구동부(17)는 제4a 내지 제4c 트랜지스터(T4a~T4c)를 포함한다. The fourth QB node driver 17 operates as an inverter that charges the first QB node QBA to discharge the voltage at the output terminal when the Q node Q is discharged. The fourth QB node driver 17 includes fourth to fourth transistors T4a to T4c.

제4a 트랜지스터(T4a)는 게이트와 드레인이 단락되어 다이오드로 동작한다. 제4a 트랜지스터(T4a)의 게이트와 드레인에는 고전위 전원 전압(GVDD)이 공급된다. 제4a 트랜지스터(T4a)의 소스는 제4b 트랜지스터(T4b)의 드레인과 제4c 트랜지스터(T4c)의 게이트에 공통으로 연결된다. The fourth transistor T4a operates as a diode by shorting a gate and a drain. The high potential power voltage GVDD is supplied to the gate and the drain of the fourth a transistor T4a. The source of the fourth transistor T4a is commonly connected to the drain of the fourth transistor T4b and the gate of the fourth transistor C4c.

제4b 트랜지스터(T4b)는 Q 노드(Q)가 방전되어 있을 때 턴-오프되어 제4c 트랜지스터(T4c)의 게이트 전압이 충전되게 한다. 반면에, 제4b 트랜지스터(T4b)는 Q 노드(Q)가 충전되어 있을 때 턴-온되어 제4c 트랜지스터(T4c)의 게이트 전압을 방전시킨다. 제4b 트랜지스터(T4b)의 게이트는 Q 노드(Q)에 연결된다. 제4b 트랜지스터(T4b)의 드레인은 제4a 트랜지스터(T4a)의 소스와 제4c 트랜지스터(T4c)의 게이트에 연결된다. 제4b 트랜지스터(T4b)의 소스는 제2 저전위 전원 전압원에 연결된다. The fourth b transistor T4b is turned off when the Q node Q is discharged to charge the gate voltage of the fourth c transistor T4c. On the other hand, the fourth b transistor T4b is turned on when the Q node Q is charged to discharge the gate voltage of the fourth c transistor T4c. The gate of the fourth b transistor T4b is connected to the Q node Q. The drain of the fourth b transistor T4b is connected to the source of the fourth a transistor T4a and the gate of the fourth c transistor T4c. The source of the fourth b transistor T4b is connected to a second low potential power supply voltage source.

제4c 트랜지스터(T4c)는 제4b 트랜지스터(T4b)가 턴-오프될 때 고전위 전원 전압(GVDD)을 제1 QB 노드(QBA)에 공급하는 다이오드로 동작한다. 제4c 트랜지스터(T4c)는 제4b 트랜지스터(T4b)가 턴-온될 때 게이트 전압이 낮아져 턴-오프된다. 제4c 트랜지스터(T4c)의 게이트는 제4a 트랜지스터(T4a)의 소스와 제4b 트랜지스터(T4b)의 드레인에 연결된다. 제4c 트랜지스터(T4c)의 드레인은 제4a 트랜지스터(T4a)의 드레인에 연결된다. 제4c 트랜지스터(T4c)의 드레인에는 고전위 전원 전압(GVDD)이 공급된다. 제4c 트랜지스터(T4c)의 소스는 제1 QB 노드(QBA)에 연결된다. The fourth c transistor T4c operates as a diode supplying the high potential power voltage GVDD to the first QB node QBA when the fourth b transistor T4b is turned off. The fourth c transistor T4c is turned off because the gate voltage is lowered when the fourth b transistor T4b is turned on. The gate of the fourth c transistor T4c is connected to the source of the fourth a transistor T4a and the drain of the fourth b transistor T4b. The drain of the fourth c transistor T4c is connected to the drain of the fourth a transistor T4a. The high potential power voltage GVDD is supplied to the drain of the fourth c transistor T4c. The source of the fourth c transistor T4c is connected to the first QB node QBA.

제1 풀다운 트랜지스터(Td1)는 제1 QB 노드 구동부(14)를 통해 공급되는 제1 클럭(CLK)의 전압에 의해 제1 QB 노드(QBA)가 충전되는 동안 턴-온되어 출력 단자의 전압을 제1 저전위 전원 전압원으로 방전시킨다. 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)는 제4 QB 노드 구동부(17)를 통해 공급되는 고전위 전원 전압(GVDD)에 의해 제1 QB 노드(QBA)가 충전되는 동안 턴-온되어 출력 단자의 전압을 제1 저전위 전원 전압원으로 방전시킨다. 그리고 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)는 제2 QB 노드 구동부(15)를 통해 제1 QB 노드(QBA)가 방전되는 동안 턴-오프된다. 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)의 게이트는 제1 QB 노드(QBA)에 연결된다. 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)의 드레인은 출력 단자(OUT)와 풀업 트랜지스터(Tu)의 소스에 연결된다. 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)의 소스는 제1 저전위 전원 전압원에 연결된다.The first pull-down transistor Td1 is turned on while the first QB node QBA is charged by the voltage of the first clock CLK supplied through the first QB node driver 14 to reduce the voltage of the output terminal. Discharge to the first low potential power supply voltage source. The first pull-down transistor Td1 is turned on while the first QB node QBA is charged by the high potential power voltage GVDD supplied through the fourth QB node driver 17 to reset the voltage of the output terminal. 1 Discharge to low-voltage power supply voltage source. The first pull-down transistor Td1 is turned off while the first QB node QBA is discharged through the second QB node driver 15. The gate of the first pull-down transistor Td1 is connected to the first QB node QBA. The drain of the first pull-down transistor Td1 is connected to the source of the output terminal OUT and the pull-up transistor Tu. The source of the first pull-down transistor Td1 is connected to the first low potential power supply voltage source.

제2 풀다운 트랜지스터(Td2)는 제1 QB 노드 구동부(14)를 통해 공급되는 제1 클럭(CLK)의 전압에 의해 제2 QB 노드(QBB)가 충전되는 동안 턴-온되어 출력 단자의 전압을 제1 저전위 전원 전압원으로 방전시킨다. 제2 풀다운 트랜지스터(Td2)는 제3 QB 노드 구동부(16)를 통해 제2 QB 노드(QBB)가 방전되는 동안 턴-오프된다. 제2 풀다운 트랜지스터(Td2)의 게이트는 제2 QB 노드(QBB)에 연결된다. 제2 풀다운 트랜지스터(Td2)의 드레인은 출력 단자(OUT)와 풀업 트랜지스터(Tu)의 소스에 연결된다. 제2 풀다운 트랜지스터(Td2)의 소스는 제1 저전위 전원 전압원에 연결된다.The second pull-down transistor Td2 is turned on while the second QB node QBB is charged by the voltage of the first clock CLK supplied through the first QB node driver 14 to reduce the voltage of the output terminal. Discharge to the first low potential power supply voltage source. The second pull-down transistor Td2 is turned off while the second QB node QBB is discharged through the third QB node driver 16. The gate of the second pull-down transistor Td2 is connected to the second QB node QBB. The drain of the second pull-down transistor Td2 is connected to the source of the output terminal OUT and the pull-up transistor Tu. The source of the second pull-down transistor Td2 is connected to the first low potential power supply voltage source.

도 3에서, 제1 풀다운 트랜지스터(Td1)와 제2 풀다운 트랜지스터(Td2) 중 어느 하나와, 생략되는 풀다운 트랜지스터와 연결된 QB 노드 및 트랜지스터들은 생략될 수 있다.In FIG. 3, any one of the first pull-down transistor Td1 and the second pull-down transistor Td2 and the QB node and transistors connected to the pull-down transistor that are omitted may be omitted.

본 발명의 게이트 구동회로는 전술한 바와 같이 스타트 펄스와 리셋 펄스만으로 게이트 신호의 펄스폭을 조절할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 게이트 구동회로는 1 프레임 기간 내에서 게이트 라인들 각각에 게이트 신호들을 연속으로 공급할 수 있다. 이 게이트 신호들은 그 신호폭이 서로 동일하거나 도 4 및 도 6과 같이 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 도 4의 예와 같이 스타트 펄스(ST)와 리셋 펄스(RST)의 시간차를 조절하여 2 수평 기간(2HT)의 신호폭을 갖는 제1 게이트 신호와 4 수평 기간(4HT)의 신호폭을 갖는 제2 게이트 신호를 연속으로 발생할 수 있다. 또한, 본 발명의 게이트 구동회로는 도 5와 같이 게이트 신호를 순차적으로 시프트시키고 이웃한 게이트라인들에 공급되는 게이트 신호들(OUT(N), OUT(N+1))을 중첩시킬 수 있다. As described above, the gate driving circuit of the present invention can adjust the pulse width of the gate signal using only the start pulse and the reset pulse. As a result, the gate driving circuit of the present invention can continuously supply the gate signals to each of the gate lines within one frame period. These gate signals may have the same signal width or different from each other as shown in FIGS. 4 and 6. For example, the present invention adjusts the time difference between the start pulse ST and the reset pulse RST as shown in the example of FIG. 4, and thus, the first gate signal having the signal width of 2 horizontal periods 2HT and the 4 horizontal periods 4HT. The second gate signal having a signal width of) may be continuously generated. In addition, the gate driving circuit of the present invention may sequentially shift the gate signals as shown in FIG. 5 and overlap the gate signals OUT (N) and OUT (N + 1) supplied to neighboring gate lines.

트랜지스터들의 게이트에 직류 전압이 장시간 지속적으로 인가되면 게이트 바이어스 스트레스(gate bias stress)로 인하여 그 문턱전압이 시프트될 수 있다. 본 발명은 리셋 펄스(RST1, RST2)를 게이트 신호의 폴링 타이밍을 제어하기 위한 제어 신호로 이용하고 또한, 게이트 바이어스 스트레스 보상 전압으로서 이용할 수 있다. 예를 들어, 리셋 펄스(RST1, RST2)는 도 6과 같이 게이트 신호의 폴링 타이밍에 발생되고 추가로, 게이트 신호가 발생되지 않는 기간 동안 제1 클럭(CLK)에 동기되어 발생되어 풀다운 트랜지스터(Td1, Td2)의 게이트 바이어스 스트레스를 보상할 수 있다. When the DC voltage is continuously applied to the gates of the transistors for a long time, the threshold voltage may be shifted due to the gate bias stress. In the present invention, the reset pulses RST1 and RST2 can be used as a control signal for controlling the polling timing of the gate signal and can also be used as the gate bias stress compensation voltage. For example, the reset pulses RST1 and RST2 are generated at the polling timing of the gate signal as shown in FIG. 6, and are further generated in synchronization with the first clock CLK during the period in which the gate signal is not generated, thereby pulling down the transistor Td1. , Td2) can compensate for the gate bias stress.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 20 : PCB
22 : 타이밍 콘트롤러 24 : 소스 드라이브 IC
26 : 레벨 시프터 30 : 시프트 레지스터
10: display panel 20: PCB
22: Timing Controller 24: Source Drive IC
26: level shifter 30: shift register

Claims (11)

서로 역위상으로 발생되는 제1 및 제2 클럭, 상기 제1 클럭에 동기되는 스타트 펄스, 상기 스타트 펄스에 이어서 발생하고 상기 제1 클럭에 동기되는 리셋 펄스, 고전위 전원 전압, 및 저전위 전원 전압이 입력되고 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들로 구성되는 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 스테이지들 각각은,
Q 노드의 전압에 응답하여 출력 단자에 상기 고전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 충전시키는 풀업 트랜지스터;
QB 노드의 전압에 응답하여 상기 출력 단자에 상기 저전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 방전시키는 풀다운 트랜지스터; 및
상기 Q 노드에 상기 스타트 펄스를 공급하여 상기 출력 단자의 전압을 라이징시키고, 상기 리셋 펄스에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 폴링시키는 스위치 회로를 포함하고,
상기 출력 단자를 통해 출력되는 게이트 신호가 표시패널의 게이트 라인에 인가되고,
상기 스위치 회로는,
상기 리셋 펄스와 상기 제1 클럭에 응답하여 상기 제1 클럭의 전압으로 상기 QB 노드를 충전시키는 제1 QB 노드 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
First and second clocks generated out of phase with each other, a start pulse synchronized with the first clock, a reset pulse generated following the start pulse and synchronized with the first clock, a high potential power supply voltage, and a low potential power supply voltage Includes a shift register composed of a plurality of input and cascaded stages,
Each of the stages,
A pull-up transistor configured to charge the output terminal by supplying the high potential power voltage to an output terminal in response to a voltage of a Q node;
A pull-down transistor configured to discharge the output terminal by supplying the low potential power voltage to the output terminal in response to a voltage of a QB node; And
A switch circuit for supplying the start pulse to the Q node to rise the voltage at the output terminal and polling the voltage at the output terminal in response to the reset pulse;
A gate signal output through the output terminal is applied to a gate line of the display panel,
The switch circuit,
And a first QB node driver configured to charge the QB node with the voltage of the first clock in response to the reset pulse and the first clock.
제 1 항에 있어서,
상기 게이트 신호가 1 프레임 기간 내에서 하나의 게이트 라인에 연속으로 공급되는 다수의 게이트 신호들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 1,
And a plurality of gate signals continuously supplied to one gate line in one frame period.
제 2 항에 있어서,
상기 게이트 신호들의 신호 폭이 서로 다른 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 2,
And a gate width of the gate signals is different from each other.
제 3 항에 있어서,
상기 QB 노드는
제1 및 제2 QB 노드로 분리되고,
상기 풀다운 트랜지스터는,
상기 제1 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 출력 단자에 상기 저전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 방전시키는 제1 풀다운 트랜지스터; 및
상기 제2 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 출력 단자에 상기 저전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 방전시키는 제2 풀다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 3, wherein
The QB node is
Separated into first and second QB nodes,
The pull-down transistor,
A first pull-down transistor configured to discharge the output terminal by supplying the low potential power voltage to the output terminal in response to the voltage of the first QB node; And
And a second pull-down transistor configured to supply the low potential power voltage to the output terminal in response to the voltage of the second QB node to discharge the output terminal.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 QB 노드 구동는 상기 리셋 펄스와 상기 제1 클럭에 응답하여 상기 제1 클럭의 전압으로 상기 제1 및 제2 QB 노드를 충전시키고,
상기 스위치 회로는,
상기 스타트 펄스와 상기 제1 클럭에 응답하여 상기 제1 클럭의 전압으로 상기 Q 노드를 충전시키는 제1 Q 노드 구동부;
상기 제2 클럭을 상기 Q 노드에 공급하여 상기 Q 노드의 전압을 부스팅시키는 제2 Q 노드 구동부;
상기 제1 및 제2 QB 노드의 전압에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 제3 Q 노드 구동부;
상기 Q 노드의 전압에 응답하여 상기 제1 QB 노드를 방전시키는 제2 QB 노드 구동부;
다음 스테이지의 제1 QB 노드 전압에 응답하여 상기 제2 QB 노드의 전압을 방전시키는 제3 QB 노드 구동부; 및
상기 Q 노드가 방전되어 있을 때 상기 제1 QB 노드에 상기 고전위 전원 전압을 공급하여 상기 제1 QB 노드를 충전시키는 제4 QB 노드 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 4, wherein
Driving the first QB node charges the first and second QB nodes with the voltage of the first clock in response to the reset pulse and the first clock,
The switch circuit,
A first Q node driver configured to charge the Q node with a voltage of the first clock in response to the start pulse and the first clock;
A second Q node driver configured to boost the voltage of the Q node by supplying the second clock to the Q node;
A third Q node driver configured to discharge the Q node in response to voltages of the first and second QB nodes;
A second QB node driver configured to discharge the first QB node in response to the voltage of the Q node;
A third QB node driver discharging the voltage of the second QB node in response to a first QB node voltage of a next stage; And
And a fourth QB node driver configured to charge the first QB node by supplying the high potential power voltage to the first QB node when the Q node is discharged. in.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스타트 펄스는 상기 출력 단자가 충전되기 시작하는 라이징 타이밍에 발생되어 상기 라이징 타이밍을 제어하고,
상기 리셋 펄스는 상기 출력 단자가 방전되기 시작하는 폴링 타이밍에 발생되어 상기 폴링 타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The start pulse is generated at a rising timing at which the output terminal starts to be charged to control the rising timing,
And the reset pulse is generated at a polling timing at which the output terminal starts to be discharged to control the polling timing.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 스타트 펄스는 상기 출력 단자가 충전되기 시작하는 라이징 타이밍에 발생되어 상기 라이징 타이밍을 제어하고,
상기 리셋 펄스는 상기 출력 단자가 방전되기 시작하는 폴링 타이밍에 발생되어 상기 폴링 타이밍을 제어함과 아울러, 상기 출력 단자를 통해 게이트 신호가 출력되는 시간 이외의 시간 동안 상기 제1 클럭에 동기되어 추가로 발생되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The start pulse is generated at a rising timing at which the output terminal starts to be charged to control the rising timing,
The reset pulse is generated at a polling timing at which the output terminal starts to be discharged to control the polling timing and is further synchronized with the first clock for a time other than a time at which a gate signal is output through the output terminal. And a gate driving circuit of the organic light emitting display device.
서로 역위상으로 발생되는 제1 및 제2 클럭, 상기 제1 클럭에 동기되는 스타트 펄스, 상기 스타트 펄스에 이어서 발생하고 상기 제1 클럭에 동기되는 리셋 펄스, 고전위 전원 전압, 및 저전위 전원 전압이 입력되고 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들로 구성되는 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 스테이지들 각각은,
Q 노드의 전압에 응답하여 출력 단자에 상기 고전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 충전시키는 풀업 트랜지스터;
QB 노드의 전압에 응답하여 상기 출력 단자에 상기 저전위 전원 전압을 공급하여 상기 출력 단자를 방전시키는 풀다운 트랜지스터; 및
상기 Q 노드에 상기 스타트 펄스를 공급하여 상기 출력 단자의 전압을 라이징시키고, 상기 리셋 펄스에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 폴링시키는 스위치 회로를 포함하고,
상기 출력 단자를 통해 출력되는 게이트 신호가 표시패널의 게이트 라인에 인가되고,
상기 스타트 펄스와 리셋 펄스 사이의 시간차가 상기 게이트 신호의 신호폭이 클수록 길어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
First and second clocks generated out of phase with each other, a start pulse synchronized with the first clock, a reset pulse generated following the start pulse and synchronized with the first clock, a high potential power supply voltage, and a low potential power supply voltage Includes a shift register composed of a plurality of input and cascaded stages,
Each of the stages,
A pull-up transistor configured to charge the output terminal by supplying the high potential power voltage to an output terminal in response to a voltage of a Q node;
A pull-down transistor configured to discharge the output terminal by supplying the low potential power voltage to the output terminal in response to a voltage of a QB node; And
A switch circuit for supplying the start pulse to the Q node to rise the voltage at the output terminal and polling the voltage at the output terminal in response to the reset pulse;
A gate signal output through the output terminal is applied to a gate line of the display panel,
And the time difference between the start pulse and the reset pulse increases as the signal width of the gate signal increases.
제 8 항에 있어서,
상기 게이트 신호가 1 프레임 기간 내에서 하나의 게이트 라인에 연속으로 공급되는 다수의 게이트 신호들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 8,
And a plurality of gate signals continuously supplied to one gate line in one frame period.
제 9 항에 있어서,
상기 게이트 신호들의 신호 폭이 서로 다른 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 9,
And a gate width of the gate signals is different from each other.
제 9 항에 있어서,
상기 스위치 회로는,
상기 리셋 펄스와 상기 제1 클럭에 응답하여 상기 제1 클럭의 전압으로 상기 QB 노드를 충전시키는 QB 노드 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 게이트 구동회로.
The method of claim 9,
The switch circuit,
And a QB node driver configured to charge the QB node with the voltage of the first clock in response to the reset pulse and the first clock.
KR1020120090665A 2012-08-20 2012-08-20 Gate driving circuit for organic light emitting display KR102009318B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120090665A KR102009318B1 (en) 2012-08-20 2012-08-20 Gate driving circuit for organic light emitting display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120090665A KR102009318B1 (en) 2012-08-20 2012-08-20 Gate driving circuit for organic light emitting display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140024994A KR20140024994A (en) 2014-03-04
KR102009318B1 true KR102009318B1 (en) 2019-08-13

Family

ID=50640340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120090665A KR102009318B1 (en) 2012-08-20 2012-08-20 Gate driving circuit for organic light emitting display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102009318B1 (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102213612B1 (en) * 2014-08-20 2021-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Timing controller, display device, and the method of the display device
CN104409038B (en) * 2014-11-25 2017-05-24 北京大学深圳研究生院 Gate drive circuit, unit thereof and AMOLED display
CN104464600B (en) 2014-12-26 2017-02-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 Shifting register unit, driving method of shifting register unit, shifting register circuit and display device
KR102313978B1 (en) 2015-01-21 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit
KR20160092584A (en) 2015-01-27 2016-08-05 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit
KR102360845B1 (en) 2015-06-15 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and a display apparatus having the gate driving circuit
CN104992663B (en) * 2015-08-05 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 A kind of shift register cell and gate driving circuit, display panel
CN105336291B (en) 2015-12-04 2018-11-02 京东方科技集团股份有限公司 Shift register cell and its driving method and display device
CN105469763B (en) * 2015-12-28 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 Drive element of the grid, gate driving circuit and display device
KR102526292B1 (en) * 2015-12-31 2023-05-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display and Device for driving the same
KR102465950B1 (en) 2016-03-21 2022-11-11 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display device having the same
CN105788508B (en) 2016-05-24 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 A kind of gate driving circuit and display panel
KR102453948B1 (en) * 2016-07-29 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor and display divice having the same
KR101878189B1 (en) * 2016-11-15 2018-07-16 엘지디스플레이 주식회사 Display panel and electroluminescence display using the same
CN108777128A (en) * 2018-05-31 2018-11-09 京东方科技集团股份有限公司 Shift register and its driving method, gate driving circuit and display device
CN109616048B (en) * 2019-01-31 2020-08-11 重庆京东方光电科技有限公司 Shifting register unit, driving method, grid driving circuit and display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101127842B1 (en) * 2005-06-13 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 Shift Register and Liquid Crystal Display Using the Same
KR101184065B1 (en) * 2005-06-25 2012-09-18 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display
KR101182323B1 (en) * 2005-06-30 2012-09-20 엘지디스플레이 주식회사 A shifter register
KR101137847B1 (en) * 2005-06-30 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and liquid crystal display using the same
KR101642992B1 (en) * 2009-12-30 2016-08-10 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display device using the same
KR101705370B1 (en) * 2010-09-06 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting control unit and display device using the same
KR20120031651A (en) * 2010-09-27 2012-04-04 엘지디스플레이 주식회사 Display device and method of controlling clock signal thereof
KR101761414B1 (en) * 2010-11-24 2017-07-26 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140024994A (en) 2014-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102009318B1 (en) Gate driving circuit for organic light emitting display
US10586494B2 (en) Scan driver, display device, and method of driving display device
US9754551B2 (en) Display panel having a node controller for discharging nodes in a scan driver and driving method thereof
US10078983B2 (en) Scan driver, display device, and method of driving display device
KR20240040703A (en) Electroluminescent Display Device
US10490133B2 (en) Shift register module and display driving circuit thereof
KR102607402B1 (en) Gate driving circuit and display device using the same
KR102485454B1 (en) Gate driving circuit and display device using the same
KR102650560B1 (en) Electroluminescent Display Device
KR102175905B1 (en) Scan driver and display device using thereof
US20150145849A1 (en) Display With Threshold Voltage Compensation Circuitry
CN109427297B (en) Gate driver and display device including the same
KR20180069270A (en) Shift register with inverter and display device using the same
KR102578712B1 (en) Emission control driver and organic light emitting diode display device using the same
KR102223902B1 (en) Shift register and display device using the same
JP2020523641A (en) Light emission control drive circuit, light emission control driver, and organic light emitting display device
KR102401065B1 (en) A display device having a power supplier
KR102495831B1 (en) Scan Driver, Display Device and Driving Method of Display Device
KR20170010221A (en) Display device
KR102658432B1 (en) Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same
US11508310B2 (en) Scan driver and organic light emitting display apparatus including the same
US11908419B2 (en) Gate driver without using carry signal and display device comprising the same
KR20190030962A (en) Scan Driver and Display Device using the samee
US11961480B2 (en) Scan driver and organic light emitting display apparatus including the same
US20230343285A1 (en) Shift Register Unit and Driving Method Thereof, Gate Driving Circuit, and Display Panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant