KR102658432B1 - Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same - Google Patents

Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same Download PDF

Info

Publication number
KR102658432B1
KR102658432B1 KR1020190148863A KR20190148863A KR102658432B1 KR 102658432 B1 KR102658432 B1 KR 102658432B1 KR 1020190148863 A KR1020190148863 A KR 1020190148863A KR 20190148863 A KR20190148863 A KR 20190148863A KR 102658432 B1 KR102658432 B1 KR 102658432B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
transistor
electrode
voltage
emission control
Prior art date
Application number
KR1020190148863A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210061077A (en
Inventor
석승원
김대규
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190148863A priority Critical patent/KR102658432B1/en
Publication of KR20210061077A publication Critical patent/KR20210061077A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102658432B1 publication Critical patent/KR102658432B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/06Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0613The adjustment depending on the type of the information to be displayed
    • G09G2320/062Adjustment of illumination source parameters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 제어 신호의 하이 전압을 신뢰성 있게 유지될 수 있도록 한 발광 제어 신호 발생부 및 이를 포함하는 발광 표시 장치에 관한 것으로, 발광 제어 신호 발생부는, 발광 제어신호를 순차적으로 출력하도록 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지들을 구비하고, 각 스테이지는, QB-노드의 전위에 따라 제1 전압을 발광 제어신호로 출력하고, Q-노드의 전위에 따라 제2 전압을 발광 제어신호로 출력하는 출력부; 스타트 신호 또는 전단의 스테이지에서 출력되는 발광 제어신호, 제1 클록 신호 및 제2 클록 신호를 기반으로 동작하여 상기 QB-노드 및 상기 Q-노드의 전위를 제어하는 노드 제어부; 및 상기 제1 클록 신호에 의해 전압 커플링이 발생되어 상기 Q-노드가 턴-온 전압으로 바뀌더라도 발광 제어신호의 하이 전압이 안정적으로 출력될 수 있도록 보상하는 노드 방지 트랜지스터를 구비한 것이다.The present invention relates to a light emission control signal generator capable of reliably maintaining a high voltage of a light emission control signal and a light emitting display device including the same, wherein the light emission control signal generator is dependently connected to sequentially output the light emission control signal. An output unit comprising a plurality of stages, each stage outputting a first voltage as a light emission control signal according to the potential of the QB-node and outputting a second voltage as a light emission control signal according to the potential of the Q-node; A node control unit that operates based on a start signal or a light emission control signal output from a previous stage, a first clock signal, and a second clock signal to control the potentials of the QB-node and the Q-node; and a node prevention transistor that compensates so that the high voltage of the light emission control signal can be stably output even if voltage coupling occurs due to the first clock signal and the Q-node changes to the turn-on voltage.

Description

발광 제어 신호 발생부 및 이를 포함하는 발광 표시 장치{Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same}Light emitting control signal generator and light emitting display device including the same {Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same}

본 발명은 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 발광 제어 신호 발생부 및 이를 포함하는 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting display device, and particularly to a light emitting control signal generator and a light emitting display device including the same.

정보화 사회가 발전하고, 이동통신 단말기 및 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다.As the information society develops and various portable electronic devices such as mobile communication terminals and laptop computers develop, the demand for flat panel display devices applicable to them is gradually increasing.

이와 같은 평판 표시 장치로는, 액정을 이용한 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display)와 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치가 활용되고 있다.As such flat display devices, liquid crystal displays (LCDs) using liquid crystals and OLED displays using organic light emitting diodes (OLEDs) are used.

이러한 평판 표시 장치들은 영상을 표시하기 위해 복수개의 게이트 라인들 및 복수개의 데이터 라인들을 구비한 표시 패널과, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 구동회로로 구성된다.These flat panel display devices consist of a display panel having a plurality of gate lines and a plurality of data lines to display an image, and a driving circuit for driving the display panel.

상기와 같은 표시 장치들 중 액정 표시 장치의 표시 패널은, 유리 기판상에 박막트랜지스터 어레이가 형성되는 박막트랜지스터 어레이 기판과, 유리 기판상에 칼라 필터 어레이가 형성되는 칼라 필터 어레이 기판과, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 상기 칼라 필터 어레이 기판 사이에 충진된 액정층을 구비한다.Among the above display devices, the display panel of the liquid crystal display device includes a thin film transistor array substrate on which a thin film transistor array is formed on a glass substrate, a color filter array substrate on which a color filter array is formed on a glass substrate, and the thin film transistor A liquid crystal layer is provided between the array substrate and the color filter array substrate.

상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은, 제1방향으로 연장되는 복수개의 게이트 라인들(GL)과, 제1방향과 수직인 제2방향으로 연장되는 복수개의 데이터 라인들(DL)을 포함하며, 각 게이트 라인과 각 데이터 라인에 의하여 하나의 서브 화소 영역(Pixel; P)이 정의된다. 하나의 서브 화소 영역(P) 내에는 하나의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된다.The thin film transistor array substrate includes a plurality of gate lines (GL) extending in a first direction and a plurality of data lines (DL) extending in a second direction perpendicular to the first direction, and each gate line One sub-pixel area (Pixel; P) is defined by each data line. One thin film transistor and a pixel electrode are formed in one sub-pixel area (P).

이러한 액정 표시 장치의 표시 패널은, 전기장 생성 전극 (화소 전극 및 공통 전극)에 전압을 인가하여 상기 액정층에 전기장을 생성하고, 상기 전기장에 의해 액정층의 액정 분자들의 배열 상태를 조절하여 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.The display panel of such a liquid crystal display device generates an electric field in the liquid crystal layer by applying a voltage to the electric field generating electrodes (pixel electrode and common electrode), and adjusts the arrangement of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer by the electric field to control the amount of incident light. Images are displayed by controlling polarization.

또한, 상기와 같은 표시 장치들 중 OLED 표시 장치의 표시 패널은, 상기 복수개의 게이트 라인들과 복수개의 데이터 라인들이 교차하여 서브 화소가 정의되고, 각 서브 화소들은, 애노드 및 캐소드와 상기 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED와, 상기 OLED를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다.In addition, in the display panel of the OLED display device among the above display devices, sub-pixels are defined by crossing the plurality of gate lines and the plurality of data lines, and each sub-pixel includes an anode and a cathode and an anode and a cathode. It is provided with an OLED composed of an organic light-emitting layer therebetween, and a pixel circuit that independently drives the OLED.

상기 화소 회로는 다양하게 구성될 수 있으나, 적어도 하나의 스위칭 TFT, 커패시터 및 구동 TFT를 포함한다.The pixel circuit may be configured in various ways, but includes at least one switching TFT, a capacitor, and a driving TFT.

상기 적어도 하나의 스위칭 TFT는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터에 충전한다. 상기 구동 TFT는 상기 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다.The at least one switching TFT charges the capacitor with a data voltage in response to the scan pulse. The driving TFT adjusts the amount of light emitted by the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the capacitor.

최근에는 화소들의 발광 타임을 결정하기 위한 발광 제어 트랜지스터를 더 구비하여 구성된다.Recently, it is further equipped with a light emission control transistor to determine the light emission time of the pixels.

이러한 표시 장치용 표시 패널은, 사용자에게 이미지를 제공하는 표시 영역(active area, AA)과 상기 표시영역(AA)의 주변 영역인 비표시 영역(non-active area, NA)으로 정의된다.The display panel for such a display device is defined by a display area (active area, AA) that provides an image to the user and a non-display area (NA) that is a surrounding area of the display area (AA).

또한, 상기 표시 패널을 구동하기 위한 상기 구동회로는 상기 표시 패널의 상기 복수개의 게이트 라인들에 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 순차적으로 공급하는 게이트 구동 회로와, 상기 표시 패널의 상기 복수개의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로와, 상기 게이트 구동 회로와 상기 데이터 구동 회로에 영상 데이터 및 각종 제어신호를 공급하는 타이밍 콘트롤러 등으로 이루어진다.Additionally, the driving circuit for driving the display panel includes a gate driving circuit that sequentially supplies gate pulses (or scan pulses) to the plurality of gate lines of the display panel, and the plurality of data lines of the display panel. It consists of a data driving circuit that supplies data voltage to the gate driving circuit and a timing controller that supplies image data and various control signals to the data driving circuit.

상기 게이트 구동 회로는, 적어도 하나의 게이트 드라이브 IC로 구성될 수도 있지만, 상기 표시 패널의 상기 복수개의 신호 라인 (게이트 라인들 및 데이터 라인들)과 서브 화소를 형성하는 과정에서 상기 표시 패널의 비표시 영역상에 동시에 형성될 수 있다.The gate driving circuit may be composed of at least one gate drive IC, but may cause non-display of the display panel in the process of forming the plurality of signal lines (gate lines and data lines) and sub-pixels of the display panel. They can be formed simultaneously in an area.

즉, 상기 게이트 구동 회로를 상기 표시 패널에 직접화시키는 게이트-인-패널(Gate-In-Panel; 이하 "GIP"라고도 함) 방식이 적용되고 있다.That is, the Gate-In-Panel (hereinafter referred to as “GIP”) method, which directly integrates the gate driving circuit into the display panel, is being applied.

상기와 같은 게이트 구동 회로는 표시패널에 형성된 스위칭 트랜지스터 및 발광 제어 트랜지스터를 턴온 또는 턴오프할 수 있는 스캔 신호들과 발광 제어 신호들을 출력한다.The gate driving circuit as described above outputs scan signals and emission control signals that can turn on or off the switching transistor and emission control transistor formed in the display panel.

상기 게이트 구동 회로는 스캔 신호들과 발광 제어 신호들을 순차적으로 공급하기 위하여, 스캔 신호 발생부와 발광 제어 신호 발생부가 게이트 라인의 개수 이상의 복수개의 스테이지(stage)를 포함하여 구성된다.The gate driving circuit includes a scan signal generator and an emission control signal generator including a plurality of stages equal to or greater than the number of gate lines in order to sequentially supply scan signals and emission control signals.

그러나, 발광 제어 신호들을 순차적으로 공급하기 위한 발광 제어 신호 발생부의 노드 전압 드롭(drop) 현상이 발생하여 발광 제어 신호가 비정상적으로 발생하는 문제점이 있었다.However, there was a problem in that a node voltage drop occurred in the emission control signal generator for sequentially supplying emission control signals, causing the emission control signal to be abnormally generated.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 발광 제어 신호의 하이 전압을 신뢰성 있게 유지될 수 있도록 한 발광 제어 신호 발생부 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is intended to solve the above problems. The purpose of the present invention is to provide a light emission control signal generator that can reliably maintain a high voltage of the light emission control signal and a light emitting display device including the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 제어 신호 발생부는, 발광 제어신호를 순차적으로 출력하도록 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지들을 구비하고, 각 스테이지는, QB-노드의 전위에 따라 제1 전압을 발광 제어신호로 출력하고, Q-노드의 전위에 따라 제2 전압을 발광 제어신호로 출력하는 출력부와, 스타트 신호 또는 전단의 스테이지에서 출력되는 발광 제어신호, 제1 클록 신호 및 제2 클록 신호를 기반으로 동작하여 상기 QB-노드 및 상기 Q-노드의 전위를 제어하는 노드 제어부와, 상기 제1 클록 신호에 의해 전압 커플링이 발생되어 상기 Q-노드가 턴-온 전압으로 바뀌더라도 발광 제어신호의 하이 전압이 안정적으로 출력될 수 있도록 보상하는 노드 방지 트랜지스터를 구비함에 그 특징이 있다.The light emission control signal generator according to the present invention for achieving the above object includes a plurality of stages that are dependently connected to sequentially output the light emission control signal, and each stage has a first stage according to the potential of the QB-node. An output unit that outputs a voltage as a light emission control signal and outputs a second voltage as a light emission control signal according to the potential of the Q-node, a light emission control signal output from a start signal or previous stage, a first clock signal, and a second A node control unit that operates based on a clock signal to control the potentials of the QB-node and the Q-node, and even if voltage coupling is generated by the first clock signal and the Q-node changes to the turn-on voltage, It is characterized by having a node prevention transistor that compensates so that the high voltage of the light emission control signal can be output stably.

상기 노드 제어부는, 상기 제2 클록 신호를 공급하는 제2 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 스타트 신호를 공급하는 스타트 신호 라인 또는 그 전단 스테이지의 출력단에 제1 전극이 연결되고 상기 Q-노드에 제2 전극이 연결된 제1트랜지스터와, 상기 제1 클록 신호를 공급하는 제1 클록 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 Q-노드에 제1 전극이 연결된 제2트랜지스터와, 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 제1 전압을 공급하는 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제3 트랜지스터와, 상기 제2 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 전압을 공급하는 제2 전압 공급 라인에 제1 전극이 연결되고 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극에 제2 전극이 연결되는 제4 트랜지스터와, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 QB-노드에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제5 트랜지스터와, 상기 제4 트랜지스터의 제2 전극에 게이트 전극이 연결되고 상기 제1 클록 신호 공급 라인에 제1 전극이 연결되는 제8 트랜지스터와, 상기 제1 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 QB-노드에 제2 전극이 연결되는 제9 트랜지스터와, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 클록 신호 공급 라인에 제1 전극이 연결되는 제10 트랜지스터를 포함함을 특징으로 한다.The node control unit has a gate electrode connected to a second clock signal supply line supplying the second clock signal, a first electrode connected to an output terminal of a start signal line supplying the start signal or a previous stage thereof, and the Q- A first transistor with a second electrode connected to a node, a second transistor with a gate electrode connected to a first clock signal line that supplies the first clock signal and a first electrode connected to the Q-node, and the second transistor a third transistor having a first electrode connected to a second electrode and a second electrode connected to a first voltage supply line supplying a first voltage, and a gate electrode connected to the second clock signal supply line and the second transistor a fourth transistor whose first electrode is connected to a second voltage supply line that supplies voltage and whose second electrode is connected to the gate electrode of the third transistor, and whose gate electrode is connected to the Q-node and to the QB-node; A fifth transistor having a first electrode connected to the first voltage supply line and a second electrode connected to the first voltage supply line, a gate electrode connected to the second electrode of the fourth transistor and a first electrode connected to the first clock signal supply line An eighth transistor is connected, a gate electrode is connected to the first clock signal supply line, a first electrode is connected to the second electrode of the eighth transistor T8, and a second electrode is connected to the QB-node. It is characterized in that it includes 9 transistors and a 10th transistor whose gate electrode is connected to the Q-node and whose first electrode is connected to the second clock signal supply line.

상기 노드 보상 트랜지스터는, 상기 스타트 신호 라인 또는 그 전단 스테이지의 출력단에 게이트 전극이 연결되고 상기 제10 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극에 제2 전극이 연결되는 것을 특징으로 한다.The node compensation transistor has a gate electrode connected to the start signal line or the output terminal of the previous stage, a first electrode connected to the second electrode of the tenth transistor, and a second electrode connected to the gate electrode of the eighth transistor. It is characterized by being

상기 노드 제어부는, 상기 Q-노드와 상기 제1 클록 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제1 커패시터와, 상기 QB-노드와 상기 제1 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제2 커패시터와, 상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제8 트랜지스터의 제2 전극 사이에 연결되는 제3 커패시터를 더 포함함을 특징으로 한다.The node control unit includes a first capacitor connected between the Q-node and the first clock signal supply line, a second capacitor connected between the QB-node and the first voltage supply line, and the eighth transistor. It is characterized in that it further includes a third capacitor connected between the gate electrode of and the second electrode of the eighth transistor.

상기 출력부는, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 전압을 공급하는 제2 전압 공급 라인에 제1 전극이 연결되고 출력 단자에 제2 전극이 연결되는 제6 트랜지스터와, 상기 QB-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 출력 단자에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압을 공급하는 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제7 트랜지스터를 포함함을 특징으로 한다.The output unit includes a sixth transistor having a gate electrode connected to the Q-node, a first electrode connected to a second voltage supply line that supplies the second voltage, and a second electrode connected to an output terminal, and the QB- It is characterized by comprising a seventh transistor in which a gate electrode is connected to a node, a first electrode is connected to the output terminal, and a second electrode is connected to a first voltage supply line that supplies the first voltage.

상기 발광 제어신호 발생부는 리셋 신호에 따라 제어되어 상기 출력부의 출력 단자를 상기 제1 전압으로 리셋하는 리셋 트랜지스터를 더 포함함을 특징으로 한다.The light emission control signal generator is controlled according to a reset signal and further includes a reset transistor that resets the output terminal of the output unit to the first voltage.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 표시 장치는, 영상을 표시하는 표시패널과, 상기 표시 패널에 스캔 신호를 공급하는 스캔신호 발생부와, 상기 표시패널에 발광 제어신호를 공급하는 발광 제어신호 발생부를 포함하고, 상기 발광 제어신호 발생부는, 발광 제어신호를 순차적으로 출력하도록 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지들을 구비하고, 각 스테이지는, QB-노드의 전위에 따라 제1 전압을 발광 제어신호로 출력하고, Q-노드의 전위에 따라 제2 전압을 발광 제어신호로 출력하는 출력부와, 스타트 신호 또는 전단의 스테이지에서 출력되는 발광 제어신호, 제1 클록 신호 및 제2 클록 신호를 기반으로 동작하여 상기 QB-노드 및 상기 Q-노드의 전위를 제어하는 노드 제어부와, 상기 제1 클록 신호에 의해 전압 커플링이 발생되어 상기 Q-노드가 턴-온 전압으로 바뀌더라도 발광 제어신호의 하이 전압이 안정적으로 출력될 수 있도록 보상하는 노드 방지 트랜지스터를 구비한 것에 그 특징이 있다.In addition, a light emitting display device according to the present invention for achieving the above object includes a display panel that displays an image, a scan signal generator that supplies a scan signal to the display panel, and a light emitting control signal that is supplied to the display panel. and a light emission control signal generator that supplies a light emission control signal, wherein the light emission control signal generator includes a plurality of stages that are dependently connected to sequentially output light emission control signals, and each stage generates a first voltage according to the potential of the QB-node. An output unit that outputs a light emission control signal and outputs a second voltage as a light emission control signal according to the potential of the Q-node, a start signal or a light emission control signal output from the previous stage, a first clock signal, and a second clock A node control unit that operates based on a signal to control the potential of the QB-node and the Q-node, and voltage coupling is generated by the first clock signal to emit light even if the Q-node changes to the turn-on voltage It is characterized by having a node prevention transistor that compensates so that the high voltage of the control signal can be output stably.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 발광 제어 신호 발생부 및 이를 포함하는 발광 표시 장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The light emission control signal generator according to the present invention having the above features and the light emitting display device including the same have the following effects.

노드 보상 트랜지스터가 존재하므로, 발광 제어신호(EM)의 듀티 구동 시, 발광 제어신호(EM)의 출력이 하이 전압 상태를 안정적으로 유지할 수 있다.Since the node compensation transistor exists, when the duty driving of the emission control signal (EM) is performed, the output of the emission control signal (EM) can stably maintain a high voltage state.

또한, 상기와 같은 노드 보상 트랜지스터가 존재하므로, 발광 제어신호의 출력 마진(Margin)이 개선되어 발광 제어신호 발생부의 신뢰성이 향상된다.In addition, since the node compensation transistor as described above exists, the output margin of the light emission control signal is improved, thereby improving the reliability of the light emission control signal generator.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 등가 회로도
도 3은 도 1에 도시된 스캔 구동부와 관련된 장치의 제1 구성 예시도
도 4는 도1에 도시된 스캔 구동부와 관련된 장치의 제2 구성 예시도
도 5는 도 3에 도시된 시프트 레지스터의 제1 구성 예시도
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 제어신호 발생부들을 나타낸 블록도
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 (k)번째 스테이지의 발광 제어신호 발생부를 상세히 나타낸 회로도
도 8은 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부의 동작 설명을 위한 파형 예시도
도 9는 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부의 소자들의 스트레스 정리 표
도 10은 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부에서 노드 보상부가 없을 경우의 파형 예시도
도 11은 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부에서 노드 보상부에 의한 파형 예시도
1 is a block diagram schematically showing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is an equivalent circuit diagram schematically showing the subpixel shown in Figure 1
Figure 3 is a first configuration example diagram of a device related to the scan driver shown in Figure 1
Figure 4 is a second configuration example of a device related to the scan driver shown in Figure 1
Figure 5 is a first configuration example diagram of the shift register shown in Figure 3
Figure 6 is a block diagram showing light emission control signal generators according to the first embodiment of the present invention.
Figure 7 is a circuit diagram showing in detail the light emission control signal generator of the (k)th stage according to the first embodiment of the present invention.
Figure 8 is an example waveform for explaining the operation of the light emission control signal generator according to the present invention.
Figure 9 is a stress summary table of elements of the light emission control signal generator according to the present invention.
Figure 10 is an example waveform when there is no node compensation unit in the light emission control signal generator according to the present invention.
Figure 11 is an example waveform by the node compensation unit in the light emission control signal generator according to the present invention.

이하, 상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the light emission control signal generator according to the present invention having the above features and the light emitting display device including the same will be described in more detail with reference to the attached drawings.

이하에서 설명되는 장치는 p 타입 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 일례로 설명하지만 이는 n 타입 박막 트랜지스터 또는 n 타입과 p 타입이 함께 존재하는 형태로 구현될 수도 있다. 박막 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 박막 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 박막 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, 박막 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다.The device described below includes a p-type thin film transistor as an example, but it may also be implemented as an n-type thin film transistor or a combination of n-type and p-type. A thin film transistor is a three-electrode device including a gate, source, and drain. The source is an electrode that supplies carriers to the transistor. Within a thin film transistor, carriers begin to flow from a source. The drain is the electrode through which carriers go out in a thin film transistor. That is, in a thin film transistor, carriers flow from the source to the drain.

n 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 박막 트랜지스터에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이와 달리, p 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 박막 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 그러나 박막 트랜지스터의 소스와 드레인은 인가된 전압에 따라 변경될 수 있다. 이를 반영하여, 이하의 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2전극으로 설명한다.In the case of an n-type thin film transistor, because the carriers are electrons, the source voltage has a lower voltage than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type thin film transistor, since electrons flow from the source to the drain, the direction of current flows from the drain to the source. On the other hand, in the case of a p-type thin film transistor, since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type thin film transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. However, the source and drain of a thin film transistor can change depending on the applied voltage. Reflecting this, in the following description, one of the source and drain will be described as the first electrode, and the other one of the source and drain will be described as the second electrode.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.FIG. 1 is a block diagram schematically showing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram schematically showing the subpixel shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치에는 영상 공급부(110), 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140), 표시패널(150) 및 전원 공급부(180) 등이 포함된다.As shown in Figures 1 and 2, the organic electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes an image supply unit 110, a timing control unit 120, a scan driver 130, a data driver 140, and a display panel. 150 and a power supply unit 180 are included.

상기 영상 공급부(110)(또는 호스트시스템)는 외부로부터 공급된 영상 데이터신호 또는 내부 메모리에 저장된 영상 데이터신호와 더불어 각종 구동신호를 출력한다. 상기 영상 공급부(110)는 데이터신호와 각종 구동신호를 타이밍 제어부(120)에 공급할 수 있다.The image supply unit 110 (or host system) outputs various driving signals in addition to image data signals supplied from the outside or image data signals stored in internal memory. The image supply unit 110 may supply data signals and various driving signals to the timing control unit 120.

상기 타이밍 제어부(120)는 스캔 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC), 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 및 각종 동기신호(수직 동기신호인 Vsync, 수평동기신호인 Hsync) 등을 출력한다.The timing control unit 120 generates a gate timing control signal (GDC) for controlling the operation timing of the scan driver 130, a data timing control signal (DDC) for controlling the operation timing of the data driver 140, and various synchronization signals. (Vsync, a vertical synchronization signal, Hsync, a horizontal synchronization signal) are output.

상기 타이밍 제어부(120)는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)와 함께 영상 공급부(110)로부터 공급된 데이터신호(DATA)를 데이터 구동부(140)에 공급한다. 상기 타이밍 제어부(120)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되어 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The timing control unit 120 supplies the data signal DATA supplied from the image supply unit 110 along with the data timing control signal DDC to the data driver 140. The timing control unit 120 may be formed in the form of an IC (Integrated Circuit) and mounted on a printed circuit board, but is not limited to this.

상기 스캔 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC) 등에 응답하여 스캔신호(또는 스캔전압) 및 발광 제어 신호를 출력하는 스캔 신호 발생부와 발광 제어 신호 발생부를 포함한다.The scan driver 130 includes a scan signal generator and a light emission control signal generator that output a scan signal (or scan voltage) and a light emission control signal in response to a gate timing control signal (GDC) supplied from the timing control unit 120. do.

상기 스캔 구동부(130)는 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들에 스캔 신호를 공급한다. 또한, 상기 스캔 구동부(130)는 각 서브 화소에 구성되는 발광 제어 트랜지스터들을 제어하기 위해 발광 제어 라인들에 발광 제어 신호를 출력한다. 데이터 전압(Vdata)이 어드레싱 되는 기간에 스캔 신호는 턴 온 레벨로 발생되고, 발광 제어 신호는 턴 오프 레벨로 발생된다, 이후, 화소들이 발광되는 기간에 스캔 신호는 턴 오프 레벨로 발생되고, 발광 제어 신호는 턴 온 레벨로 발생된다.The scan driver 130 supplies scan signals to subpixels included in the display panel 150 through gate lines GL1 to GLm. Additionally, the scan driver 130 outputs an emission control signal to emission control lines to control emission control transistors configured in each sub-pixel. During the period when the data voltage (Vdata) is addressed, the scan signal is generated at the turn-on level, and the light emission control signal is generated at the turn-off level. Then, during the period when the pixels emit light, the scan signal is generated at the turn-off level, and the light emission The control signal is generated at the turn-on level.

상기 스캔 구동부(130)는 IC 형태로 형성되거나 게이트 인 패널(Gate In Panel) 방식으로 표시패널(150) 상에 직접 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The scan driver 130 may be formed in the form of an IC or directly on the display panel 150 using a gate in panel method, but is not limited thereto.

상기 데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 등에 응답하여 데이터신호(DATA)를 샘플링 및 래치하고 감마 기준 전압을 기반으로 디지털 형태의 데이터신호를 아날로그 형태의 데이터전압으로 변환하여 출력한다.The data driver 140 samples and latches the data signal (DATA) in response to the data timing control signal (DDC) supplied from the timing control unit 120 and converts the data signal in digital form into analog form based on the gamma reference voltage. Converts it to data voltage and outputs it.

상기 데이터 구동부(140)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들에 데이터전압을 공급한다. 상기 데이터 구동부(140)는 IC 형태로 형성되어 표시패널(150) 상에 실장되거나 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The data driver 140 supplies data voltage to subpixels included in the display panel 150 through data lines DL1 to DLn. The data driver 140 may be formed in the form of an IC and mounted on the display panel 150 or on a printed circuit board, but is not limited thereto.

상기 전원 공급부(180)는 외부로부터 공급되는 외부 입력전압을 기반으로 고전위의 제1 패널전원(EVDD)과 저전위의 제2 패널전원(EVSS)을 생성 및 출력한다. 상기 전원 공급부(180)는 제1 패널전원 및 제2 패널전원(EVDD, EVSS)뿐만아니라 스캔 구동부(130)의 구동에 필요한 전압(예: 스캔 하이전압, 스캔 로우전압)이나 데이터 구동부(140)의 구동에 필요한 전압(드레인 전압, 하프 드레인 전압) 등을 생성 및 출력할 수 있다.The power supply unit 180 generates and outputs a high-potential first panel power source (EVDD) and a low-potential second panel power source (EVSS) based on an external input voltage. The power supply unit 180 supplies not only the first panel power and the second panel power (EVDD, EVSS) but also the voltage (e.g., scan high voltage, scan low voltage) required to drive the scan driver 130 or the data driver 140. The voltage (drain voltage, half-drain voltage) required for driving can be generated and output.

상기 표시패널(150)은 스캔 구동부(130)와 데이터 구동부(140)를 포함하는 구동부로부터 출력된 스캔신호와 데이터전압을 포함하는 구동신호 그리고 전원 공급부(180)로부터 출력된 제1 패널전원 및 제2 패널전원(EVDD, EVSS)에 따라 영상을 표시한다. 상기 표시패널(150)의 서브 픽셀들은 직접 빛을 발광한다.The display panel 150 receives a driving signal including a scan signal and a data voltage output from a driving unit including a scan driving unit 130 and a data driving unit 140, and a first panel power output from the power supply unit 180 and a second power supply. 2 Displays images according to panel power (EVDD, EVSS). Subpixels of the display panel 150 directly emit light.

상기 표시패널(150)은 유리, 실리콘, 폴리이미드 등 강성 또는 연성을 갖는 기판을 기반으로 제작될 수 있다. 그리고 빛을 발광하는 서브 픽셀들은 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 픽셀 또는 적색, 녹색, 청색 및 백색을 포함하는 픽셀로 이루어질 수 있다.The display panel 150 may be manufactured based on a rigid or flexible substrate such as glass, silicon, or polyimide. And the subpixels that emit light may be composed of pixels containing red, green, and blue, or pixels containing red, green, blue, and white.

예컨대, 하나의 서브 픽셀(SP)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 고전위 전압(VDD)과 저전위 전압(VSS) 사이에 흐르는 구동 전류에 의해 발광하는 OLED 소자(OLED)와, 상기 OLED소자(OLED)에 인가되는 구동 전류량을 제어하는 구동 TFT(DT)와, 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 데이터전압(Vdata)과 게이트 라인(GL)으로부터 인가되는 스캔신호(SCAN) 등을 이용하여 구동 TFT(DT)의 게이트 전압을 조정하는 스위치회로(SWC)와, 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 구동 TFT(DT)와 OLED 사이의 전류 흐름을 온/오프 시키는 발광 제어 TFT(ET)를 포함하여 구성된다. 여기서, 화소에 형성되는 TFT들은 P-type으로 선택될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 N-type으로 선택될 수 있다.For example, in one subpixel (SP), as shown in FIG. 2, an OLED element (OLED) that emits light by a driving current flowing between a high potential voltage (VDD) and a low potential voltage (VSS), and the OLED Using the driving TFT (DT), which controls the amount of driving current applied to the device (OLED), the data voltage (Vdata) applied from the data line (DL), and the scan signal (SCAN) applied from the gate line (GL), etc. A switch circuit (SWC) that adjusts the gate voltage of the driving TFT (DT), and an emission control TFT (ET) that turns on/off the current flow between the driving TFT (DT) and the OLED in response to the emission control signal (EM). It consists of: Here, the TFTs formed in the pixel may be selected as P-type, but are not limited to this and may be selected as N-type.

도 2에는 도시되지 않았지만, 상기 구동 TFT(DT)의 열화(문턱 전압 또는 이동도)를 보상하기 위해 상기 구동 TFT(DT)의 문턱 전압 또는 이동도를 센싱하기 위한 센싱 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압 또는 이동도를 보상하기 위한 내부 보상회로 등을 더 포함할 수 있다.Although not shown in FIG. 2, a sensing transistor for sensing the threshold voltage or mobility of the driving TFT (DT) to compensate for the deterioration (threshold voltage or mobility) of the driving TFT (DT), and the driving transistor ( DT) may further include an internal compensation circuit to compensate for the threshold voltage or mobility.

한편, 위의 설명에서는 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140) 등을 각각 개별적인 구성인 것처럼 설명하였다. 그러나 발광 표시 장치의 구현 방식에 따라 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140) 중 하나 이상은 하나의 IC 내에 통합될 수 있다. Meanwhile, in the above description, the timing control unit 120, scan driver 130, data driver 140, etc. were described as if they were individual components. However, depending on the implementation method of the light emitting display device, one or more of the timing control unit 120, scan driver 130, and data driver 140 may be integrated into one IC.

도 3은 도 1에 도시된 스캔 구동부와 관련된 장치의 제1 구성 예시도이고, 도 4는 도 1에 도시된 스캔 구동부와 관련된 장치의 제2 구성 예시도이며, 도 5는 도3에 도시된 시프트 레지스터의 구성 예시도이다.FIG. 3 is an example diagram of a first configuration of a device related to the scan driver shown in FIG. 1, FIG. 4 is an example diagram of a second configuration of a device related to the scan driver shown in FIG. 1, and FIG. 5 is an example diagram of the device related to the scan driver shown in FIG. This is an example of the configuration of a shift register.

도 3에 도시된 바와 같이, 게이트 인 패널 방식 스캔 구동부(130)는 시프트 레지스터(131)와 레벨 시프터부(135)를 포함할 수 있다. 상기 레벨 시프터부(135)는 타이밍 제어부(120)로부터 출력된 신호들을 기반으로 다수의 클록 신호들(GCLK, ECLK)과 스타트 신호들(GVST, EVST) 등을 생성 및 출력한다. 다수의 클록 신호들(GCLK, ECLK)은 2상, 4상, 8상 등 위상이 다른 K(K는 2 이상 정수)상의 형태로 생성 및 출력될 수 있다.As shown in FIG. 3, the gate-in-panel scan driver 130 may include a shift register 131 and a level shifter 135. The level shifter 135 generates and outputs a plurality of clock signals (GCLK, ECLK) and start signals (GVST, EVST) based on signals output from the timing control unit 120. Multiple clock signals (GCLK, ECLK) may be generated and output in the form of K (K is an integer greater than 2) with different phases, such as 2-phase, 4-phase, and 8-phase.

상기 시프트 레지스터(131)는 상기 레벨 시프터부(135)로부터 출력된 신호들(GCLK, ECLK, GVST, EVST) 등을 기반으로 동작하며 표시 패널에 형성된 트랜지스터를 턴온 또는 턴오프할 수 있는 스캔 신호들(Scan[1] ~ Scan[m])과 발광 제어 신호들(EM[1] ~ EM[m])을 출력한다. 상기 시프트 레지스터(131)는 게이트 인 패널 방식에 의해 표시패널 상에 박막 형태로 형성된다. 따라서, 스캔 구동부(130)에서 표시 패널 상에 형성되는 부분은 시프트 레지스터(131)일 수 있다.The shift register 131 operates based on signals (GCLK, ECLK, GVST, EVST) output from the level shifter 135 and scan signals that can turn on or off the transistor formed in the display panel. (Scan[1] ~ Scan[m]) and emission control signals (EM[1] ~ EM[m]) are output. The shift register 131 is formed in the form of a thin film on the display panel by a gate-in-panel method. Accordingly, the portion of the scan driver 130 formed on the display panel may be the shift register 131.

상기 시프트 레지스터(131)와 달리 상기 레벨 시프터부(135)는 IC 형태로 형성된다. 상기 레벨 시프터부(135)는 도 3과 같이 별도의 IC 형태로 구성될 수 있으며, 도 4과 같이 전원 공급부(180)의 내부나 다른 장치의 내부에 포함될 수도 있다.Unlike the shift register 131, the level shifter 135 is formed in the form of an IC. The level shifter unit 135 may be configured as a separate IC as shown in FIG. 3, and may be included inside the power supply unit 180 or another device as shown in FIG. 4.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 시프트 레지스터(131)는 다수의 스테이지들(STG1 ~ STGm)로 구성된다. 다수의 스테이지들(STG1 ~ STGm)은 종속적으로 접속된 구조를 가지며, 적어도 하나의 전단이나 후단의 출력 신호를 입력 신호로 받는다.As shown in FIG. 5, the shift register 131 is composed of multiple stages (STG1 to STGm). A plurality of stages (STG1 to STGm) have a dependently connected structure and receive at least one output signal from the front or back stage as an input signal.

상기 시프트 레지스터(131)의 스테이지들(STG1 ~ STGm)은 스캔 신호 발생부들(SCAN[1] ~ SCAN[m])과 발광 제어신호 발생부들(EM[1] ~ EM[m])을 각각 포함할 수 있다.The stages (STG1 to STGm) of the shift register 131 include scan signal generators (SCAN[1] to SCAN[m]) and emission control signal generators (EM[1] to EM[m]), respectively. can do.

일례로, 제1 스테이지(STG1)는 제1 스캔신호(Scan[1])를 출력하는 제1 스캔신호 발생부(SCAN[1])와 발광 제어 신호(Em[1])를 출력하는 발광 제어신호 발생부(EM[1])를 갖는다.For example, the first stage (STG1) includes a first scan signal generator (SCAN[1]) that outputs a first scan signal (Scan[1]) and a light emission control device that outputs a light emission control signal (Em[1]). It has a signal generator (EM[1]).

상기 스캔신호 발생부들(SCAN[1] ~ SCAN[m])은 표시패널의 스캔라인들을 통해 스캔신호들(Scan[1] ~ Scan[m])을 출력한다. 발광 제어신호 발생부들(EM[1] ~ EM[m])은 표시패널의 발광 제어신호 라인들을 통해 발광 제어신호들(Em[1] ~ Em[m])을 출력한다.The scan signal generators (SCAN[1] ~ SCAN[m]) output scan signals (Scan[1] ~ Scan[m]) through scan lines of the display panel. The emission control signal generators (EM[1] to EM[m]) output emission control signals (Em[1] to Em[m]) through the emission control signal lines of the display panel.

상기 발광 제어신호들(Em[1] ~ Em[m])은 서브 픽셀들 내에 포함된 발광 제어 트랜지스터를 구동하기 위한 신호로 사용될 수 있다. 예를 들어, 발광 제어신호들(Em[1] ~ Em[m])을 이용하여 서브 픽셀들의 발광 제어 트랜지스터를 제어하면 유기 발광다이오드의 발광시간은 가변된다.The emission control signals (Em[1] to Em[m]) may be used as signals to drive emission control transistors included in subpixels. For example, when the emission control transistors of subpixels are controlled using emission control signals (Em[1] to Em[m]), the emission time of the organic light emitting diode is varied.

하지만, 도 5의 예시는 상기 시프트 레지스터(131)의 이해를 돕기 위한 예시이며, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 더 다양하고 더 많은 신호를 출력하는 형태로 구현될 수도 있다.However, the example in FIG. 5 is an example to help understand the shift register 131, and the present invention is not limited to this, and may be implemented in a form that outputs more diverse and more signals.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 스캔 신호들(Scan[1] ~ Scan[m])을 출력하는 스캔신호 발생부들(SCAN[1] ~ SCAN[m])은 스캔용 스타트 신호(GVST), 스캔용 하이 전압(GVGH), 스캔용 리셋 신호(GRST), 스캔용 로우 전압(GVGL), 및 스캔용 클록 신호들(GCLKs)에 의해 각각 구동될 수 있다.Although not shown in the drawing, the scan signal generators (SCAN[1] ~ SCAN[m]) that output the scan signals (Scan[1] ~ Scan[m]) generate a scan start signal (GVST), They may be driven by a high voltage (GVGH), a reset signal for scanning (GRST), a low voltage for scanning (GVGL), and clock signals for scanning (GCLKs).

상기 발광 제어신호들(Em[1]~ Em[m])을 출력하는 발광 제어신호 발생부들(EM[1] ~ EM[m])은 스타트 신호(EVST), 리셋 신호(ERST), 하이 전압(EVGH), 로우 전압(EVGL), 및 클록 신호들(ECLKs)에 의해 구동될 수 있다.The light emission control signal generators (EM[1] ~ EM[m]) that output the light emission control signals (Em[1] ~ Em[m]) include a start signal (EVST), a reset signal (ERST), and a high voltage. (EVGH), low voltage (EVGL), and clock signals (ECLKs).

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 제어신호 발생부들을 나타낸 블록도이고, 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 (k)번째 스테이지의 발광 제어신호 발생부를 상세히 나타낸 회로 구성도이다.Figure 6 is a block diagram showing the emission control signal generators according to the first embodiment of the present invention, and Figure 7 is a circuit configuration showing in detail the emission control signal generator of the (k)th stage according to the first embodiment of the present invention. It is also a degree.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 제어신호 발생부들(EM[1] ~ EM[m])은 종속적으로 접속된 스테이지들(STG1 ~ STGm-1)을 갖는다. 그리고 발광 제어신호 발생부들(EM[1] ~ EM[m-1])은 전단의 출력단자를 통해 출력된 신호를 후단의 스타트 신호로 입력 받는다.As shown in FIG. 6, the emission control signal generators (EM[1] to EM[m]) according to the first embodiment of the present invention have dependently connected stages (STG1 to STGm-1). And the light emission control signal generators (EM[1] ~ EM[m-1]) receive the signal output through the output terminal at the front end as a start signal at the back end.

제1 스테이지(STG1)의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO[1])로부터 출력된 발광 제어신호는 제1 픽셀 그룹(Pixel[1])에 인가되고, 또한 제2 스테이지(STG2)의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 스타트 신호의 입력 단자에도 인가된다. 그러므로 제1 스테이지(STG1)의 발광 제어신호 발생부(EM[1])는 발광용 스타트 신호라인(EVST)에 연결되지만 제2 스테이지(STG2)의 발광 제어신호 발생부(EM[2])부터는 그 전단 스테이지의 발광 제어신호 발생부에서 출력된 발광 제어신호를 스타트 신호로 이용한다.The emission control signal output from the output terminal (EMO[1]) of the emission control signal generator (EM[1]) of the first stage (STG1) is applied to the first pixel group (Pixel[1]), and is also applied to the first pixel group (Pixel[1]). It is also applied to the input terminal of the start signal of the emission control signal generator (EM[1]) of the second stage (STG2). Therefore, the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage (STG1) is connected to the light emission start signal line (EVST), but the light emission control signal generator (EM[2]) of the second stage (STG2) is connected to the light emission start signal line (EVST). The light emission control signal output from the light emission control signal generator of the previous stage is used as a start signal.

도 6에서 제1 스테이지(STG1)의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO[1])로부터 출력된 발광신호를 "Start[1]"으로 표현한 것은 제1 스테이지(STG1)의 출력 신호가 다음 단의 스타트 신호로 이용된다는 것을 보여주기 위함이다. 아울러, 이와 같은 접속 관계와 신호 전달 체계는 모든 스테이지들(STG1 ~ STGm-1)에 동일하게 적용된다.In FIG. 6, the light emission signal output from the output terminal (EMO[1]) of the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage (STG1) is expressed as "Start[1]". This is to show that the output signal of ) is used as the start signal of the next stage. In addition, this connection relationship and signal transmission system are applied equally to all stages (STG1 to STGm-1).

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 (k)번째 스테이지의 발광제어신호 발생부(EM[k])는 제1 트랜지스터(T1) 내지 제10 트랜지스터(T10) 및 노드 보상 트랜지스터(Tbk), 제1 내지 제3 커패시터(CQ, CQB, CQ'), 및 리셋 트랜지스터(TR)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 7, the light emission control signal generator (EM[k]) of the (k)th stage according to the first embodiment of the present invention includes the first transistor (T1) to the tenth transistor (T10) and the node. It may include a compensation transistor (Tbk), first to third capacitors (CQ, CQB, CQ'), and a reset transistor (TR).

제1 트랜지스터(T1) 내지 제10 트랜지스터(T10) 및 노드 보상 트랜지스터(Tbk) 중 제6 및 제7 트랜지스터(T6, T7)는 발광 제어신호를 출력하는 출력부에 포함될 수 있다.The sixth and seventh transistors T6 and T7 among the first transistors T1 to tenth transistors T10 and the node compensation transistor Tbk may be included in an output unit that outputs a light emission control signal.

제1 트랜지스터(T1) 내지 제5 트랜지스터(T5)와 제8 트랜지스터(T8) 내지 제10 트랜지스터(T10)는 노드 제어부에 포함될 수 있다.The first to fifth transistors T1 to T5 and the eighth to tenth transistors T8 to T10 may be included in the node control unit.

제1 트랜지스터(T1) 내지 제10 트랜지스터(T10), 노드 보상 트랜지스터(Tbk) 및 리셋 트랜지스터(TR)는 p 타입 박막 트랜지스터로 구현된 것을 일례로 한다. p 타입 박막 트랜지스터로 구현된 제1 트랜지스터(T1) 내지 제10 트랜지스터(T10), 노드 보상 트랜지스터(Tbk) 및 리셋 트랜지스터(TR)는 로우 전압(EVGL)이 인가되는 조건에서 턴-온되고 하이 전압(EVGH)이 인가되는 조건에서 턴-오프된다.For example, the first transistor (T1) to the tenth transistor (T10), the node compensation transistor (Tbk), and the reset transistor (TR) are implemented as p-type thin film transistors. The first transistor (T1) to the tenth transistor (T10), the node compensation transistor (Tbk), and the reset transistor (TR) implemented with p-type thin film transistors are turned on under the condition of applying a low voltage (EVGL) and are turned on at a high voltage. It is turned off under the condition that (EVGH) is applied.

제1 트랜지스터(T1)는 제2 클록 신호 라인(ECLK2)에 게이트 전극이 연결되고 스타트 신호 라인(EVST) 또는 이 전단 스테이지의 출력 단자(EMO(k-1))에 제1 전극이 연결되고 Q-노드(QN)에 제2 전극이 연결된다. 상기 제1 트랜지스터(T1)는 상기 제2 클록 신호 라인(ECLK2)을 통해 인가된 제2 클록 신호에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The first transistor (T1) has its gate electrode connected to the second clock signal line (ECLK2), its first electrode connected to the start signal line (EVST) or the output terminal (EMO (k-1)) of this previous stage, and Q -A second electrode is connected to the node (QN). The first transistor T1 is turned on or off according to the second clock signal applied through the second clock signal line ECLK2.

제2 트랜지스터(T2)는 제1 클록 신호 라인(ECLK1)에 게이트 전극이 연결되고 상기 Q-노드(QN)에 제1 전극이 연결되고 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극에 제2 전극이 연결된다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 제1 클록 신호 라인(ECLK1)을 통해 인가된 제1 클록 신호에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The second transistor T2 has a gate electrode connected to the first clock signal line ECLK1, a first electrode connected to the Q-node (QN), and a second electrode connected to the first electrode of the third transistor T3. connected. The second transistor T2 is turned on or off according to the first clock signal applied through the first clock signal line ECLK1.

제3 트랜지스터(T3)는 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 제1 전압 라인(EVGH)에 제2 전극이 연결된다. 상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온될 경우, 제2 전압 라인(EVGL)을 통해 인가된 제2 전압에 따라 턴-온된다.The third transistor T3 has a gate electrode connected to the second electrode of the fourth transistor T4, a first electrode connected to the second electrode of the second transistor T2, and a first electrode connected to the first voltage line EVGH. 2 electrodes are connected. When the fourth transistor T4 is turned on, the third transistor T3 is turned on according to the second voltage applied through the second voltage line EVGL.

제4 트랜지스터(T4)는 상기 제2 클록 신호 라인(ECLK2)에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 전압 라인(EVGL)에 제1 전극이 연결되고 상기 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극에 제2 전극이 연결된다. 상기 제4 트랜지스터(T4)는 상기 제2 클록 신호 라인(ECLK2)을 통해 인가된 제2 클록 신호에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다. 따라서, 제4 트랜지스터(T4)는 제1 트랜지스터(T1)와 함께 동시에 턴-온 또는 턴-오프된다.The fourth transistor T4 has a gate electrode connected to the second clock signal line ECLK2, a first electrode connected to the second voltage line EVGL, and a second electrode connected to the gate electrode of the third transistor T3. Electrodes are connected. The fourth transistor T4 is turned on or off according to the second clock signal applied through the second clock signal line ECLK2. Accordingly, the fourth transistor T4 is turned on or off simultaneously with the first transistor T1.

제5 트랜지스터(T5)는 상기 Q-노드(QN)에 게이트 전극이 연결되고 QB-노드(QBN)에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압 라인(EVGH)에 제2 전극이 연결된다. 상기 제5 트랜지스터(T5)는 Q-노드(QN)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The fifth transistor T5 has a gate electrode connected to the Q-node (QN), a first electrode connected to the QB-node (QBN), and a second electrode connected to the first voltage line (EVGH). The fifth transistor T5 is turned on or turned off depending on the potential of the Q-node (QN).

제6 트랜지스터(T6)는 Q-노드(QN)와 제1 커패시터(CQ)의 일단에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 전압 라인(EVGL)에 제1 전극이 연결되고 (k)번째 스테이지의 발광 제어 신호 발생부(EM[k])의 출력 단자(EMO[k])에 제2 전극이 연결된다. 상기 제6 트랜지스터(T6)는 Q-노드(QN)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The sixth transistor (T6) has a gate electrode connected to the Q-node (QN) and one end of the first capacitor (CQ), a first electrode connected to the second voltage line (EVGL), and light emission of the (k)th stage. The second electrode is connected to the output terminal (EMO[k]) of the control signal generator (EM[k]). The sixth transistor T6 is turned on or turned off depending on the potential of the Q-node (QN).

제7 트랜지스터(T7)는 QB-노드(QBN)에 게이트 전극이 연결되고 (k)번째 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[k])의 상기 출력 단자(EMO[k])에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압 라인(EVGH)에 제2 전극이 연결된다. 상기 제7 트랜지스터(T7)는 QB-노드(QBN)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The seventh transistor (T7) has a gate electrode connected to the QB-node (QBN) and a first electrode connected to the output terminal (EMO[k]) of the light emission control signal generator (EM[k]) of the (k)th stage. is connected, and a second electrode is connected to the first voltage line (EVGH). The seventh transistor T7 is turned on or turned off depending on the potential of the QB-node (QBN).

제8 트랜지스터(T8)는 Q'-노드(Q'N)에 게이트 전극이 연결되고 상기 제1 클록 신호 라인(ECLK1)에 제1 전극이 연결되고 제9 트랜지스터(T9)의 제1 전극에 제2 전극이 연결된다. 상기 제8 트랜지스터(T8)는 Q'-노드(Q'N)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The eighth transistor T8 has a gate electrode connected to the Q'-node Q'N, a first electrode connected to the first clock signal line ECLK1, and a first electrode connected to the ninth transistor T9. 2 electrodes are connected. The eighth transistor T8 is turned on or turned off depending on the potential of the Q'-node (Q'N).

제9 트랜지스터(T9)는 상기 제1 클록 신호 라인(ECLK1)에 게이트 전극이 연결되고 상기 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 QB-노드(QBN)에 제2 전극이 연결된다. 상기 제9 트랜지스터(T9)는 제8 트랜지스터(T8)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The ninth transistor T9 has a gate electrode connected to the first clock signal line ECLK1, a first electrode connected to the second electrode of the eighth transistor T8, and a second electrode connected to the QB-node (QBN). Electrodes are connected. The ninth transistor T9 is turned on or off depending on the potential of the eighth transistor T8.

제10 트랜지스터(T10)는 상기 Q-노드(QN)에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 클록 신호 라인(ECLK2)에 제1 전극이 연결되고 노드 보상 트랜지스터(Tbk)의 제1 전극에 제2 전극이 연결된다. 제10 트랜지스터(T10)는 상기 Q-노드(QN)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The tenth transistor T10 has a gate electrode connected to the Q-node (QN), a first electrode connected to the second clock signal line (ECLK2), and a second electrode connected to the first electrode of the node compensation transistor (Tbk). This is connected. The tenth transistor T10 is turned on or turned off depending on the potential of the Q-node (QN).

노드 보상 트랜지스터(Tbk)는 상기 스타트 신호 라인(EVST) 또는 이 전단 스테이지의 출력 단자(EMO(k-1))에 게이트 전극이 연결되고 상기 제10 트랜지스터(T10)의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 Q'-노드(Q'N)에 제2 전극이 연결된다. 상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)는 상기 스타트 신호 라인(EVST)에 공급되는 스타트 신호 또는 이 전단 스테이지에서 출력되는 발광 제어신호(EMO(k-1))의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다.The node compensation transistor (Tbk) has a gate electrode connected to the start signal line (EVST) or the output terminal (EMO(k-1)) of the previous stage, and has a first electrode connected to the second electrode of the tenth transistor (T10). is connected, and a second electrode is connected to the Q'-node (Q'N). The node compensation transistor (Tbk) is turned on or turned off according to the potential of the start signal supplied to the start signal line (EVST) or the emission control signal (EMO (k-1)) output from this previous stage. .

상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)는 상기 제1 클록 신호 라인(ECLK1)에 인가되는 상기 제1 클록 신호(ECLK1)에 의해 상기 제1 커패시터(CQ)에 전압 커플링이 발생되어 상기 Q-노드(QN)가 턴-온 전압으로 바뀌더라도 발광 제어신호의 하이 전압이 안정적으로 출력될 수 있도록 한다.The node compensation transistor (Tbk) generates voltage coupling to the first capacitor (CQ) by the first clock signal (ECLK1) applied to the first clock signal line (ECLK1), thereby generating the Q-node (QN). ) ensures that the high voltage of the light emission control signal can be output stably even if it changes to the turn-on voltage.

제1 커패시터(CQ)는 상기 Q-노드(QN)에 일단이 연결되고 상기 제1 클록 신호 라인(ECLK1)에 타단이 연결된다. 제2 커패시터(CQB)는 QB-노드(QBN)와 상기 제1 전압 라인(EVGH) 사이에 연결된다. 제3 커패시터(CQ')는 Q'-노드(Q'N)와 상기 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극 및 제9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극 사이에 연결된다.The first capacitor CQ has one end connected to the Q-node (QN) and the other end connected to the first clock signal line (ECLK1). The second capacitor (CQB) is connected between the QB-node (QBN) and the first voltage line (EVGH). The third capacitor CQ' is connected between the Q'-node Q'N and the second electrode of the eighth transistor T8 and the gate electrode of the ninth transistor T9.

리셋 트랜지스터(TR)는 리셋 신호 라인(ERST)에 게이트 전극이 연결되고 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO[k])에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압 라인(EVGH)에 제2 전극이 연결된다. 상기 리셋 트랜지스터(TR)는 리셋 신호 라인(ERST)을 통해 인가된 리셋 신호에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다. 상기 리셋 트랜지스터(TR)가 턴-온될 경우, 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO[1])는 제1 전압 라인(EVGH)을 통해 인가된 제1 전압을 기반으로 하이 전압의 발광 신호를 출력한다.The reset transistor (TR) has a gate electrode connected to the reset signal line (ERST) and a first electrode connected to the output terminal (EMO[k]) of the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage. The second electrode is connected to the first voltage line EVGH. The reset transistor TR is turned on or turned off according to a reset signal applied through the reset signal line ERST. When the reset transistor (TR) is turned on, the output terminal (EMO[1]) of the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage is connected to the first voltage line (EVGH). Outputs a high-voltage light emitting signal based on the voltage.

도 8은 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부의 동작 설명을 위한 파형도로서, 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부의 파형 예시도이다.Figure 8 is a waveform diagram for explaining the operation of the light emission control signal generator according to the present invention, and is an example waveform of the light emission control signal generator of the first stage.

도 8에 도시된 바와 같이, 스타트 신호 라인(EVST)을 통해 인가되는 스타트신호(EVST)는 3수평시간(3H) 동안 하이 전압을 발생하는 형태를 가질 수 있다. 제2 클록 신호 라인(ECLK2)을 통해 인가되는 제2 클록 신호(ECLK2)는 상기 스타트 신호의 하이 전압 시점(상승 에지)에 동기하여 로우 전압과 하이 전압이 1수평시간(1H)의 주기로 교번 발생하는 형태를 가질 수 있다. 제1 클록 신호 라인(ECLK1)을 통해 인가되는 제1 클록 신호(ECLK1)는 상기 스타트 신호의 하이 전압 시점(상승 에지)에 동기하여 하이 전압과 로우 전압이 1수평시간(1H)의 주기로 교번 발생하는 형태를 가질 수 있다. 즉, 제2 클록 신호(ECLK2)와 제1 클록 신호(ECLK1)는 하이 전압과 로우 전압이 역상으로 발생될 수 있다.As shown in FIG. 8, the start signal EVST applied through the start signal line EVST may generate a high voltage for 3 horizontal times (3H). The second clock signal (ECLK2) applied through the second clock signal line (ECLK2) generates low voltage and high voltage alternately in a period of 1 horizontal time (1H) in synchronization with the high voltage point (rising edge) of the start signal. It can have the form: The first clock signal (ECLK1) applied through the first clock signal line (ECLK1) generates high and low voltages alternately in a period of 1 horizontal time (1H) in synchronization with the high voltage point (rising edge) of the start signal. It can have the form: That is, the second clock signal ECLK2 and the first clock signal ECLK1 may generate high and low voltages in opposite phases.

제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])에 포함된 소자들은 스타트 신호(EVST), 제1 클록 신호(ECLK1), 제2 클록 신호(ECLK2), 제1 전압(VGH) 및 제2 전압(VGL)에 따라 동작한다.The elements included in the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage include a start signal (EVST), a first clock signal (ECLK1), a second clock signal (ECLK2), a first voltage (VGH), and a first clock signal (ECLK1). 2 Operates according to voltage (VGL).

상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])에 포함된 소자들의 동작에 의해, Q-노드(QN)는 하이 전압으로 충전되는 기간을 갖고, Q'-노드(Q'N) 및 QB-노드(QBN)는 로우 전압으로 방전되는 기간을 갖는다. 이때, 상기 QB-노드(QBN)는 스타트 신호(EVST) 대비 1수평시간(1H) 지연된 역상 형태의 로우 전압을 3수평시간(3H) 동안 유지할 수 있다.By the operation of the elements included in the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage, the Q-node (QN) has a period of charging to a high voltage, and the Q'-node (Q'N) and the QB-node (QBN) has a period of discharging to low voltage. At this time, the QB-node (QBN) can maintain a low voltage in the form of an anti-phase delayed by 1 horizontal time (1H) compared to the start signal (EVST) for 3 horizontal hours (3H).

즉, 제2 클록 신호(ECLK2)의 로우 전압 구간에 제1 트랜지스터(T1) 및 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되어 상기 3수평시간(3H) 동안 하이 전압을 발생하는 상기 스타트신호(EVST)를 Q-노드(QN)에 인가하고, 제2 전압(EVGL)을 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극 및 Q'-노드(Q'N)에 인가한다. 이 때, 제10 트랜지스터(T10)와 제5 트랜지스터(T5)는 턴-오프되고, 제8 트랜지스터(T8)가 턴-온된다.That is, the first transistor T1 and the fourth transistor T4 are turned on in the low voltage section of the second clock signal ECLK2, and the start signal EVST generates a high voltage for the three horizontal times (3H). ) is applied to the Q-node (QN), and the second voltage (EVGL) is applied to the gate electrode of the third transistor (T3) and the Q'-node (Q'N). At this time, the tenth transistor T10 and the fifth transistor T5 are turned off, and the eighth transistor T8 is turned on.

그리고, 제2 클록 신호(ECLK2)가 하이 전압 구간으로 천이되고, 제1 클록 신호(ECLK1)가 로우 전압 구간으로 천이되는 시점에, 제1 트랜지스터(T1) 및 제4 트랜지스터(T4)는 턴-오프되고, 제2 트랜지스터(T2) 및 제9 트랜지스터(T9)가 턴-온되어 상기 제1 클록 신호(ECLK1)의 로우 전압이 QB-노드(QBN)에 공급된다. 따라서, 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되어 제1 전압(EVGH)이 상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO)로 출력된다.And, when the second clock signal (ECLK2) transitions to the high voltage section and the first clock signal (ECLK1) transitions to the low voltage section, the first transistor (T1) and the fourth transistor (T4) turn- is turned off, and the second transistor T2 and the ninth transistor T9 are turned on, and the low voltage of the first clock signal ECLK1 is supplied to the QB-node QBN. Accordingly, the seventh transistor T7 is turned on and the first voltage EVGH is output to the output terminal EMO of the emission control signal generator EM[1] of the first stage.

상기 스타트신호(EVST)가 로우 전압으로 천이된 후, 상기 제2 클록 신호(ECLK2)가 다시 로우 전압으로 천이되고, 상기 제1 클록 신호(ECLK1)가 다시 하이 전압 구간으로 천이되는 시점에, 상기 Q-노드(QN)는 로우 전압으로 방전되고 상기 QB-노드(QBN)는 제1 전압으로 충전되며, 상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO)도 제2 전압으로 출력된다.After the start signal (EVST) transitions to a low voltage, the second clock signal (ECLK2) transitions to a low voltage again, and the first clock signal (ECLK1) transitions to a high voltage section again, the The Q-node (QN) is discharged to a low voltage and the QB-node (QBN) is charged to a first voltage, and the output terminal (EMO) of the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage is also discharged to a low voltage. It is output as a second voltage.

상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 발광 제어신호 출력부를 구성하는 제6 트랜지스터(T6)는 Q-노드(QN)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프되고, 제7 트랜지스터(T7)는 QB-노드(QBN)의 전위에 따라 턴-온 또는 턴-오프된다. 상기 Q-노드(QN)의 전위가 하이 전압을 유지할 경우, 상기 QB-노드(QBN)의 전위는 로우 전압을 유지할 수 있다.The sixth transistor (T6) constituting the emission control signal output unit of the emission control signal generator (EM[1]) of the first stage is turned on or off depending on the potential of the Q-node (QN), The seventh transistor T7 is turned on or turned off depending on the potential of the QB-node (QBN). When the potential of the Q-node (QN) maintains a high voltage, the potential of the QB-node (QBN) may maintain a low voltage.

상기 제7 트랜지스터(T7)는 QB-노드(QBN)의 로우 전압에 따라 턴-온되므로, 상기 제1 전압 라인(EVGH)을 통해 인가된 제1 전압(VGH)은 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO[1])를 통해 출력된다. 그 결과, 발광 제어신호 발생부(EM[1])의 출력 단자(EMO[1])는 제1 전압 라인(EVGH)을 통해 인가된 제1 전압(VGH)을 기반으로 적어도 3수평시간(3H) 동안 하이 전압의 발광 제어신호(Em[1])를 출력한 후 로우 전압의 발광 제어신호(Em[1])로 전환된다.Since the seventh transistor T7 is turned on according to the low voltage of the QB-node (QBN), the first voltage (VGH) applied through the first voltage line (EVGH) is the light emission control signal of the first stage. It is output through the output terminal (EMO[1]) of the generator (EM[1]). As a result, the output terminal (EMO[1]) of the light emission control signal generator (EM[1]) operates for at least 3 horizontal hours (3H) based on the first voltage (VGH) applied through the first voltage line (EVGH). ), the high voltage light emission control signal (Em[1]) is output and then converted to the low voltage light emission control signal (Em[1]).

상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])에 포함된 소자들은 위와 같이 동작하게 됨에 따라 바이어스 스트레스(Bias Stress)를 받을 수 있다. 바이어스 스트레스는 소자들의 문턱전압과 더불어 수명에 관계한다.As the elements included in the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage operate as above, they may experience bias stress. Bias stress is related to the lifespan as well as the threshold voltage of the devices.

상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])에 포함된 소자들은 소스-드레인 전극을 통한 하이 전압의 전달 동작으로 인하여 HJTS(High Junction Temperature Stress)를 받는 소자, 게이트 전극을 통한 하이 전압의 인가로 인하여 PBTS (Positive Bias Temperature Stress)를 받는 소자, 게이트 전극을 통한 로우 전압의 인가로 인하여 NBTS (Negative Bias Temperature Stress)를 받는 소자로 구분될 수 있다.The elements included in the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage are elements that receive HJTS (High Junction Temperature Stress) due to the transfer operation of high voltage through the source-drain electrode, and elements that receive high junction temperature stress through the gate electrode. It can be divided into devices that receive PBTS (Positive Bias Temperature Stress) due to the application of voltage, and devices that receive NBTS (Negative Bias Temperature Stress) due to the application of low voltage through the gate electrode.

그런데 상기 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부(EM[1])에 포함된 소자들은 발광 제어신호(Em[1])의 듀티(Duty)를 낮추는 듀티 가변 동작 시 제3 트랜지스터(T3)를 제외한 다른 트랜지스터들이 받는 스트레스의 양상이 다음과 같이 변하게 된다.However, the elements included in the light emission control signal generator (EM[1]) of the first stage except the third transistor (T3) during the duty variable operation to lower the duty of the light emission control signal (Em[1]). The pattern of stress experienced by other transistors changes as follows.

도 9는 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부의 소자들의 스트레스 정리 표이다.Figure 9 is a stress summary table of elements of the light emission control signal generator according to the present invention.

도 9에 도시한 바와 같이, 제1 트랜지스터(T1)는 높은 듀티에서 PBTS(PB)를 받지만 낮은 듀티에서 NBTS(NB)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제2 트랜지스터(T2)는 높은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받지만 낮은 듀티에서 NBTS(NB)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제4 트랜지스터(T4)는 높은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받지만 낮은 듀티에서 PBTS(PB)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제5 트랜지스터(T5)는 높은 듀티에서 NBTS(NB)를 받지만 낮은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제6 트랜지스터(T6)는 높은 듀티에서 NBTS(NB)를 받지만 낮은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제7 트랜지스터(T7)는 높은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받지만 낮은 듀티에서 NBTS(NB)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제8 트랜지스터(T8)는 높은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받지만 낮은 듀티에서 NBTS(NB)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제9 트랜지스터(T9)는 높은 듀티에서 NBTS(NB)를 받지만 낮은 듀티에서 HJTS(HJ)를 받는 트랜지스터에 해당한다. 제10 트랜지스터(T10)는 높은 듀티에서 NBTS(NB)를 받지만 낮은 듀티에서 PBTS(PB) 또는 HJTS(HJ)를 받는 트랜지스터에 해당한다.As shown in FIG. 9, the first transistor T1 corresponds to a transistor that receives PBTS (PB) at high duty but NBTS (NB) at low duty. The second transistor (T2) corresponds to a transistor that receives HJTS (HJ) at high duty but receives NBTS (NB) at low duty. The fourth transistor (T4) corresponds to a transistor that receives HJTS (HJ) at high duty but receives PBTS (PB) at low duty. The fifth transistor (T5) corresponds to a transistor that receives NBTS (NB) at high duty but receives HJTS (HJ) at low duty. The sixth transistor (T6) corresponds to a transistor that receives NBTS (NB) at high duty but receives HJTS (HJ) at low duty. The seventh transistor (T7) corresponds to a transistor that receives HJTS (HJ) at high duty but NBTS (NB) at low duty. The eighth transistor (T8) corresponds to a transistor that receives HJTS (HJ) at high duty but NBTS (NB) at low duty. The ninth transistor (T9) corresponds to a transistor that receives NBTS (NB) at high duty but receives HJTS (HJ) at low duty. The tenth transistor (T10) corresponds to a transistor that receives NBTS (NB) at high duty, but receives PBTS (PB) or HJTS (HJ) at low duty.

도 9의 표에서, HNV(High Negative Voltage), HPV(High Positive Voltage), HJV(High Junction Voltage), LV(Low Voltage)를 표시하였다.In the table of Figure 9, HNV (High Negative Voltage), HPV (High Positive Voltage), HJV (High Junction Voltage), and LV (Low Voltage) are indicated.

상기 발광 제어신호 발생부의 두티 구동을 위해 발광 제어신호의 하이 전압 유지가 매우 중요하다.It is very important to maintain a high voltage of the light emission control signal for dual driving of the light emission control signal generator.

그런데, 도7의 발광 제어신호 발생부에서, 상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)가 없을 경우, 다음과 같은 현상이 발생할 수 있다.However, in the light emission control signal generator of FIG. 7, if the node compensation transistor (Tbk) is not present, the following phenomenon may occur.

도 10은 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부에서 노드 보상 트랜지스터가 없을 경우의 파형도로서, 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부의 파형 예시도이다.Figure 10 is a waveform diagram when there is no node compensation transistor in the light emission control signal generator according to the present invention, and is an example waveform of the light emission control signal generator of the first stage.

도 9에서 설명한 바와 같이, 듀티 구동을 가변할 경우(100% → 1%), 제10 트랜지스터(T10)는 높은 듀티에서 NBTS를 받지만 낮은 듀티에서 PBTS 또는 HJTS를 받게 된다.As explained in FIG. 9, when the duty drive is varied (100% → 1%), the tenth transistor T10 receives NBTS at a high duty, but receives PBTS or HJTS at a low duty.

그리고, 도 10에 도시한 바와 같이, 상기 Q-노드(QN)가 하이 전압을 유지한 상태에서 상기 제2 클록 신호(ECLK2)가 하이 전압 구간으로 천이되고, 상기 제1 클록 신호(ECLK1)가 로우 전압 구간으로 천이되는 시점에, 상기 제1 커패시터(CQ)가 상기 제1 클록 신호(ECLK1)에 의해 전압 커플링이 발생될 수 있다. 이로 인하여, 상기 제1 커패시터(CQ)의 전압 커플링에 의해 상기 Q-노드(QN)가 턴-온 전압으로 드롭(drop)될 수 있다. 따라서, 상기 제10 트랜지스터(T10)가 턴-온되어, 상기 Q'-노드(Q'N)는 턴-오프 전압으로 상승하고, 상기 제8 트랜지스터(T8)는 턴-오프된다.As shown in FIG. 10, while the Q-node (QN) maintains the high voltage, the second clock signal (ECLK2) transitions to the high voltage section, and the first clock signal (ECLK1) At the time of transition to the low voltage section, voltage coupling may be generated in the first capacitor CQ by the first clock signal ECLK1. Because of this, the Q-node (QN) may be dropped to the turn-on voltage due to voltage coupling of the first capacitor (CQ). Accordingly, the tenth transistor T10 is turned on, the Q'-node (Q'N) rises to the turn-off voltage, and the eighth transistor T8 is turned off.

이와 같이, 상기 제8 트랜지스터(T8)가 턴-오프되므로, 비록 제1 클록 신호(ECLK1)에 의해 제9 트랜지스터(T9)가 턴-온되더라도, QB-노드(QBN)에 로우 전압이 인가되지 않고 하이 전압을 유지하므로, 제7 트랜지스터(T7)가 턴-오프되어 제1 전압(EVGH)을 발광 제어신호 발생부의 출력단자(EMO)에 공급하지 못하게 된다.In this way, since the eighth transistor T8 is turned off, even if the ninth transistor T9 is turned on by the first clock signal ECLK1, a low voltage is not applied to the QB-node (QBN). Since the high voltage is maintained without turning off the seventh transistor T7, the first voltage EVGH cannot be supplied to the output terminal EMO of the light emission control signal generator.

그러나, 상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)가 존재함으로 인하여 상기의 결함을 방지할 수 있다.However, the presence of the node compensation transistor Tbk can prevent the above defect.

도 11은 본 발명에 따른 발광 제어신호 발생부에서 노드 보상 트랜지스터에 의한 파형도로서, 제1 스테이지의 발광 제어신호 발생부의 파형 예시도이다.Figure 11 is a waveform diagram of the node compensation transistor in the light emission control signal generator according to the present invention, and is an example waveform of the light emission control signal generator of the first stage.

상기 Q-노드(QN)가 하이 전압을 유지한 상태에서 상기 제2 클록 신호(ECLK2)가 하이 전압 구간으로 천이되고, 상기 제1 클록 신호(ECLK1)가 로우 전압 구간으로 천이되는 시점에, 상기 제1 커패시터(CQ)가 상기 제1 클록 신호(ECLK1)에 의해 전압 커플링이 발생될 수 있다. 이로 인하여, 상기 제1 커패시터(CQ)의 전압 커플링에 의해 상기 Q-노드(QN)가 턴-온 전압으로 드롭(drop)되어, 상기 제10 트랜지스터(T10)가 턴-온될 수 있다.At a time when the second clock signal (ECLK2) transitions to a high voltage section and the first clock signal (ECLK1) transitions to a low voltage section while the Q-node (QN) maintains a high voltage, the Voltage coupling may occur in the first capacitor CQ due to the first clock signal ECLK1. As a result, the Q-node (QN) is dropped to the turn-on voltage due to voltage coupling of the first capacitor (CQ), so that the tenth transistor (T10) can be turned on.

그러나, 상기 Q-노드(QN)가 하이 전압을 유지한 상태에서 상기 제2 클록 신호(ECLK2)가 하이 전압 구간으로 천이되고, 상기 제1 클록 신호(ECLK1)가 로우 전압 구간으로 천이되는 시점에, 상기 스타트신호(EVST) 또는 이 전단 스테이지의 발광 제어신호(EMO(k-1))가 하이 전압 상태를 유지하고 있으므로, 상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)가 턴-오프된다. 따라서, 상기 제10 트랜지스터(T10)를 통해 상기 Q'-노드(Q'N)로 인가되는 턴-오프 전압(하이 전압)을 상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)가 차단한다.However, while the Q-node (QN) maintains the high voltage, at the time when the second clock signal (ECLK2) transitions to the high voltage section and the first clock signal (ECLK1) transitions to the low voltage section, , Since the start signal (EVST) or the light emission control signal (EMO(k-1)) of the previous stage maintains a high voltage state, the node compensation transistor (Tbk) is turned off. Accordingly, the node compensation transistor Tbk blocks the turn-off voltage (high voltage) applied to the Q'-node (Q'N) through the tenth transistor (T10).

따라서, 상기 제8 트랜지스터(T8)가 턴-온되고, 상기 제1 클록 신호(ECLK1)에 의해 제9 트랜지스터(T9)가 턴-온되므로, QB-노드(QBN)에 상기 제1 클록 신호(ECLK1)의 로우 전압이 상기 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극에 인가되고, 상기 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온되어 제1 전압(EVGH)을 발광 제어신호 발생부의 출력단자(EMO)에 공급하게 된다.Therefore, since the eighth transistor T8 is turned on and the ninth transistor T9 is turned on by the first clock signal ECLK1, the first clock signal (T9) is transmitted to the QB-node (QBN). The low voltage of ECLK1) is applied to the gate electrode of the seventh transistor (T7), and the seventh transistor (T7) is turned on to transmit the first voltage (EVGH) to the output terminal (EMO) of the light emission control signal generator. will be supplied.

이상에서 설명한 바와 같이, 상기 노드 보상 트랜지스터(Tbk)가 존재하므로, 발광 제어신호(EM)의 듀티 구동 시, 발광 제어신호(EM)의 출력이 하이 전압 상태를 안정적으로 유지할 수 있다.As described above, since the node compensation transistor Tbk exists, when the duty driving of the emission control signal EM is performed, the output of the emission control signal EM can stably maintain a high voltage state.

또한, 상기와 같은 노드 보상 트랜지스터(Tbk)가 존재하므로, 발광 제어신호의 출력 마진(Margin)이 개선되어 발광 제어신호 발생부의 신뢰성이 향상된다.In addition, since the node compensation transistor Tbk as described above exists, the output margin of the light emission control signal is improved, thereby improving the reliability of the light emission control signal generator.

즉, 상기와 같은 노드 보상부가 존재하지 않을 경우, 발광 제어신호 발생부의 트랜지스터들의 문턱 전압 마진(Vth)은 약 3V 정도 였으나, 상기 노드 보상부가 존재하므로 인하여, 발광 제어신호 발생부의 트랜지스터들의 문턱 전압 마진(Vth)은 약 7V 정도로 증가하였다.That is, when the node compensation unit as described above does not exist, the threshold voltage margin (Vth) of the transistors of the light emission control signal generator is about 3V, but due to the presence of the node compensation unit, the threshold voltage margin of the transistors of the light emission control signal generator is reduced. (Vth) increased to about 7V.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The above description is merely an illustrative description of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention do not limit the present invention. The scope of the present invention should be interpreted in accordance with the scope of the patent claims below, and all technologies within the equivalent scope thereof should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

AA: 표시 영역 NA: 비 표시 영역
AR: 적용 영역
AA: Display area NA: Non-display area
AR: Area of application

Claims (7)

발광 제어신호를 순차적으로 출력하도록 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지들을 구비하고,
각 스테이지는,
QB-노드의 전위에 따라 제1 전압을 발광 제어신호로 출력하고, Q-노드의 전위에 따라 제2 전압을 발광 제어신호로 출력하는 출력부;
제2 클록 신호를 공급하는 제2 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 스타트 신호를 공급하는 스타트 신호 라인 또는 그 전단 스테이지의 출력단에 제1 전극이 연결되고 상기 Q-노드에 제2 전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제1 클록 신호를 공급하는 제1 클록 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 Q-노드에 제1 전극이 연결된 제2트랜지스터와, 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 제1 전압을 공급하는 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제3 트랜지스터와, 상기 제2 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 제2 전압을 공급하는 제2 전압 공급 라인에 제1 전극이 연결되고 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극에 제2 전극이 연결되는 제4 트랜지스터와, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 QB-노드에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제5 트랜지스터와, 상기 제4 트랜지스터의 제2 전극에 게이트 전극이 연결되고 상기 제1 클록 신호 공급 라인에 제1 전극이 연결되는 제8 트랜지스터와, 상기 제1 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 제8 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 QB-노드에 제2 전극이 연결되는 제9 트랜지스터와, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 클록 신호 공급 라인에 제1 전극이 연결되는 제10 트랜지스터와, 상기 Q-노드와 상기 제1 클록 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제1 커패시터를 포함하여, 상기 스타트 신호 또는 전단의 스테이지에서 출력되는 발광 제어신호, 상기 제1 클록 신호 및 상기 제2 클록 신호를 기반으로 동작하여 상기 QB-노드 및 상기 Q-노드의 전위를 제어하는 노드 제어부;
상기 제1 클록 신호에 의해 상기 노드 제어부의 제1 커패시터에 전압 커플링이 발생되어 상기 Q-노드가 턴-온 전압으로 바뀌더라도 발광 제어신호의 하이 전압이 안정적으로 출력될 수 있도록 보상하는 노드 보상 트랜지스터; 및
리셋 신호에 따라 제어되어 상기 출력부의 출력 단자를 상기 제1 전압으로 리셋하는 리셋 트랜지스터를 구비한 발광 제어 신호 발생부.
Equipped with a plurality of stages that are dependently connected to sequentially output light emission control signals,
Each stage,
An output unit that outputs a first voltage as a light emission control signal according to the potential of the QB-node and outputs a second voltage as a light emission control signal according to the potential of the Q-node;
A gate electrode is connected to a second clock signal supply line that supplies a second clock signal, a first electrode is connected to the output terminal of a start signal line or a previous stage thereof that supplies a start signal, and a second electrode is connected to the Q-node. A first transistor, a second transistor whose gate electrode is connected to the first clock signal line that supplies the first clock signal and whose first electrode is connected to the Q-node, and a first electrode connected to the second electrode of the second transistor a third transistor having a second electrode connected to a first voltage supply line that is connected and supplies a first voltage; and a second voltage supply line that has a gate electrode connected to the second clock signal supply line and supplies a second voltage. a fourth transistor having a first electrode connected to the first electrode and a second electrode connected to the gate electrode of the third transistor, a gate electrode connected to the Q-node and a first electrode connected to the QB-node, and a fourth transistor having a gate electrode connected to the Q-node and a first electrode connected to the QB-node a fifth transistor having a second electrode connected to a voltage supply line; an eighth transistor having a gate electrode connected to the second electrode of the fourth transistor and a first electrode connected to the first clock signal supply line; 1 A ninth transistor whose gate electrode is connected to the clock signal supply line, whose first electrode is connected to the second electrode of the eighth transistor and whose second electrode is connected to the QB-node, and whose gate electrode is connected to the Q-node Including a tenth transistor connected and having a first electrode connected to the second clock signal supply line, and a first capacitor connected between the Q-node and the first clock signal supply line, the start signal or the front end a node control unit that operates based on a light emission control signal output from a stage, the first clock signal, and the second clock signal to control potentials of the QB-node and the Q-node;
Node compensation that compensates so that the high voltage of the light emission control signal can be stably output even when voltage coupling is generated in the first capacitor of the node control unit by the first clock signal and the Q-node changes to the turn-on voltage. transistor; and
A light emission control signal generator including a reset transistor that is controlled according to a reset signal to reset the output terminal of the output unit to the first voltage.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 노드 보상 트랜지스터는,
상기 스타트 신호 라인 또는 그 전단 스테이지의 출력단에 게이트 전극이 연결되고 상기 제10 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극에 제2 전극이 연결되는 발광 제어 신호 발생부.
According to claim 1,
The node compensation transistor is,
A light emission control signal generator having a gate electrode connected to the start signal line or an output terminal of the preceding stage, a first electrode connected to the second electrode of the tenth transistor, and a second electrode connected to the gate electrode of the eighth transistor. .
제 1 항에 있어서,
상기 노드 제어부는,
상기 QB-노드와 상기 제1 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제2 커패시터와,
상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제8 트랜지스터의 제2 전극 사이에 연결되는 제3 커패시터를 더 포함하는 발광 제어 신호 발생부.
According to claim 1,
The node control unit,
a second capacitor connected between the QB-node and the first voltage supply line;
A light emission control signal generator further comprising a third capacitor connected between the gate electrode of the eighth transistor and the second electrode of the eighth transistor.
제 1 항에 있어서,
상기 출력부는,
상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 전압을 공급하는 제2 전압 공급 라인에 제1 전극이 연결되고 출력 단자에 제2 전극이 연결되는 제6 트랜지스터와,
상기 QB-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 출력 단자에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압을 공급하는 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제7 트랜지스터를 포함하는 발광 제어 신호 발생부.
According to claim 1,
The output unit,
a sixth transistor having a gate electrode connected to the Q-node, a first electrode connected to a second voltage supply line that supplies the second voltage, and a second electrode connected to an output terminal;
A light emission control signal generator including a seventh transistor having a gate electrode connected to the QB-node, a first electrode connected to the output terminal, and a second electrode connected to a first voltage supply line that supplies the first voltage. .
삭제delete 영상을 표시하는 표시패널;
상기 표시 패널에 스캔 신호를 공급하는 스캔신호 발생부; 및
상기 표시패널에 발광 제어신호를 공급하는 발광 제어신호 발생부를 포함하고,
상기 발광 제어신호 발생부는 발광 제어신호를 순차적으로 출력하도록 종속적으로 접속된 복수개의 스테이지들을 구비하고,
각 스테이지는,
QB-노드의 전위에 따라 제1 전압을 발광 제어신호로 출력하고, Q-노드의 전위에 따라 제2 전압을 발광 제어신호로 출력하는 출력부;
제2 클록 신호를 공급하는 제2 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 스타트 신호를 공급하는 스타트 신호 라인 또는 그 전단 스테이지의 출력단에 제1 전극이 연결되고 상기 Q-노드에 제2 전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제1 클록 신호를 공급하는 제1 클록 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 Q-노드에 제1 전극이 연결된 제2트랜지스터와, 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 제1 전압을 공급하는 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제3 트랜지스터와, 상기 제2 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 제2 전압을 공급하는 제2 전압 공급 라인에 제1 전극이 연결되고 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극에 제2 전극이 연결되는 제4 트랜지스터와, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 QB-노드에 제1 전극이 연결되고 상기 제1 전압 공급 라인에 제2 전극이 연결되는 제5 트랜지스터와, 상기 제4 트랜지스터의 제2 전극에 게이트 전극이 연결되고 상기 제1 클록 신호 공급 라인에 제1 전극이 연결되는 제8 트랜지스터와, 상기 제1 클록 신호 공급 라인에 게이트 전극이 연결되고 상기 제8 트랜지스터의 제2 전극에 제1 전극이 연결되고 상기 QB-노드에 제2 전극이 연결되는 제9 트랜지스터와, 상기 Q-노드에 게이트 전극이 연결되고 상기 제2 클록 신호 공급 라인에 제1 전극이 연결되는 제10 트랜지스터와, 상기 Q-노드와 상기 제1 클록 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제1 커패시터를 포함하여, 상기 스타트 신호 또는 전단의 스테이지에서 출력되는 발광 제어신호, 상기 제1 클록 신호 및 상기 제2 클록 신호를 기반으로 동작하여 상기 QB-노드 및 상기 Q-노드의 전위를 제어하는 노드 제어부;
상기 제1 클록 신호에 의해 상기 노드 제어부의 제1 커패시터에 전압 커플링이 발생되어 상기 Q-노드가 턴-온 전압으로 바뀌더라도 발광 제어신호의 하이 전압이 안정적으로 출력될 수 있도록 보상하는 노드 방지 트랜지스터; 및
리셋 신호에 따라 제어되어 상기 출력부의 출력 단자를 상기 제1 전압으로 리셋하는 리셋 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치.
A display panel that displays images;
a scan signal generator supplying a scan signal to the display panel; and
It includes a light emission control signal generator that supplies a light emission control signal to the display panel,
The emission control signal generator includes a plurality of stages that are dependently connected to sequentially output emission control signals,
Each stage,
An output unit that outputs a first voltage as a light emission control signal according to the potential of the QB-node and outputs a second voltage as a light emission control signal according to the potential of the Q-node;
A gate electrode is connected to a second clock signal supply line that supplies a second clock signal, a first electrode is connected to the output terminal of a start signal line or a previous stage thereof that supplies a start signal, and a second electrode is connected to the Q-node. A first transistor, a second transistor whose gate electrode is connected to the first clock signal line that supplies the first clock signal and whose first electrode is connected to the Q-node, and a first electrode connected to the second electrode of the second transistor a third transistor having a second electrode connected to a first voltage supply line that is connected and supplies a first voltage; and a second voltage supply line that has a gate electrode connected to the second clock signal supply line and supplies a second voltage. a fourth transistor having a first electrode connected to the first electrode and a second electrode connected to the gate electrode of the third transistor, a gate electrode connected to the Q-node and a first electrode connected to the QB-node, and a fourth transistor having a gate electrode connected to the Q-node and a first electrode connected to the QB-node a fifth transistor having a second electrode connected to a voltage supply line; an eighth transistor having a gate electrode connected to the second electrode of the fourth transistor and a first electrode connected to the first clock signal supply line; 1 A ninth transistor whose gate electrode is connected to the clock signal supply line, whose first electrode is connected to the second electrode of the eighth transistor and whose second electrode is connected to the QB-node, and whose gate electrode is connected to the Q-node Including a tenth transistor connected and having a first electrode connected to the second clock signal supply line, and a first capacitor connected between the Q-node and the first clock signal supply line, the start signal or the front end a node control unit that operates based on a light emission control signal output from a stage, the first clock signal, and the second clock signal to control potentials of the QB-node and the Q-node;
Voltage coupling is generated in the first capacitor of the node control unit by the first clock signal, preventing node compensation so that the high voltage of the light emission control signal can be stably output even if the Q-node changes to the turn-on voltage. transistor; and
A light emitting display device comprising a reset transistor controlled according to a reset signal to reset the output terminal of the output unit to the first voltage.
KR1020190148863A 2019-11-19 2019-11-19 Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same KR102658432B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190148863A KR102658432B1 (en) 2019-11-19 2019-11-19 Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190148863A KR102658432B1 (en) 2019-11-19 2019-11-19 Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210061077A KR20210061077A (en) 2021-05-27
KR102658432B1 true KR102658432B1 (en) 2024-04-17

Family

ID=76135695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190148863A KR102658432B1 (en) 2019-11-19 2019-11-19 Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102658432B1 (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102484502B1 (en) * 2017-12-01 2023-01-04 엘지디스플레이 주식회사 Gate driver and display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210061077A (en) 2021-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10540928B2 (en) Electroluminescent display device
CN113838421B (en) Pixel circuit, driving method thereof and display panel
KR102623352B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving the same
US9454935B2 (en) Organic light emitting diode display device
WO2020233491A1 (en) Pixel circuit and drive method therefor, array substrate, and display device
US20220084456A1 (en) Pixel driving circuit, driving method thereof, and display device
KR20200013923A (en) Gate driver and electroluminescence display device using the same
US20210158760A1 (en) Scan driver and display device including the same
US11205389B2 (en) Scan driver and display device having same
EP3726517A1 (en) Pixel circuit, method for driving same, display panel, and electronic device
KR20080080755A (en) Organic light emitting display device
KR102189556B1 (en) Organic light emitting display device
KR100836431B1 (en) Pixel and organic light emitting display device using the pixel
KR102658432B1 (en) Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same
KR20230102885A (en) Light Emitting Display Device and Driving Method of the same
KR102655404B1 (en) Gate driving circuit and light emitting display apparatus comprising the same
KR20080050878A (en) Oled display apparatus and drive method thereof
KR20230060774A (en) Electroluminescent display device and driving method for the same
KR102028326B1 (en) Display device
KR102593325B1 (en) Emitting Signal Generator and Light Emitting Display Device including the Emitting Signal Generator
US11935486B2 (en) Scan signal generation circuit and display device including the same
KR20210061086A (en) Emitting control Signal Generator and Light Emitting Display Device including the same
US12027080B1 (en) Display device, display panel, and subpixel circuit
US11315485B2 (en) Shift register circuit and light emitting display device including the shift register circuit
US11972728B2 (en) Light emitting display device and driving method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right