KR102223902B1 - Shift register and display device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 로직 회로 구성을 단순화하여 회로 면적을 감소시킬 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 다수의 스테이지를 포함하고, 상기 다수의 스테이지 각각은 제어 노드의 제어에 따라 다수의 클럭 중 어느 하나의 클럭을 출력으로 발생시키는 풀-업 트랜지스터와, 상기 다수의 클럭 중 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 게이트 오프 전압을 출력으로 발생시키는 풀-다운 트랜지스터와, 어느 하나의 이전 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키는 제1 트랜지스터와, 어느 하나의 다음 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키는 제2 트랜지스터와, 상기 다수의 클럭 중 또 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제3 트랜지스터를 구비한다.The present invention relates to a shift register capable of reducing a circuit area by simplifying a logic circuit configuration, and a display device using the same. The shift register of the present invention includes a plurality of stages, and each of the plurality of stages is controlled by a control node. A pull-up transistor that generates one of the plurality of clocks as an output according to the control of the other clock, and a pull-down transistor that generates a gate-off voltage as an output according to the control of the other one of the plurality of clocks; A first transistor for setting the control node to a gate-on state according to control of an output signal of a previous stage of and a second transistor for resetting the control node to a gate-off state according to control of an output signal of any one of the next stages. And a third transistor for maintaining a reset state of the control node under control of another one of the plurality of clocks.

Description

쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 로직 회로 구성을 단순화하여 회로 면적을 감소시킬 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register, and more particularly, to a shift register capable of reducing a circuit area by simplifying a logic circuit configuration, and a display device using the same.

최근 표시 장치로 각광 받고 있는 평판 표시 장치로는 액정을 이용한 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 이용한 OLED 표시 장치, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 표시 장치(ElectroPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.Flat panel displays that have recently been in the spotlight as display devices include Liquid Crystal Display (LCD) using liquid crystal, OLED display using Organic Light Emitting Diode (OLED), and electrophoresis using electrophoretic particles. Typical examples are the ElectroPhoretic Display (EPD).

평판 표시 장치는 각 픽셀이 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)에 의해 독립적으로 구동되는 픽셀 매트릭스를 통해 영상을 표시하는 표시 패널과, 표시 패널을 구동하는 패널 드라이버와, 패널 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함한다. 패널 드라이버는 표시 패널의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 드라이버와, 표시 패널의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버를 포함한다.Flat panel displays include a display panel that displays an image through a pixel matrix in which each pixel is independently driven by a thin film transistor (TFT), a panel driver that drives the display panel, and a timing controller that controls the panel driver. And the like. The panel driver includes a gate driver that drives gate lines of the display panel and a data driver that drives data lines of the display panel.

최근 제조 원가 절감 및 베젤 폭 감소를 위하여, 게이트 드라이버가 픽셀 매트릭스의 TFT 어레이와 함께 기판 상에 형성됨으로써 패널에 내장된 게이트-인-패널(Gate In Panel; GIP) 방식을 주로 이용하고 있다. GIP 방식의 게이트 드라이버는 베젤 폭을 더욱 감소시키기 위하여 회로 면적을 줄이는 방향으로 발전하고 있다.Recently, in order to reduce manufacturing cost and reduce bezel width, a gate driver is formed on a substrate together with a TFT array of a pixel matrix, and thus a gate-in-panel (GIP) method built into the panel is mainly used. The GIP type gate driver is developing toward reducing the circuit area in order to further reduce the bezel width.

게이트 드라이버는 쉬프트 레지스터를 이용하여 게이트 라인들을 각각 구동하는 스캔 펄스들을 출력한다. 쉬프트 레지스터는 다수의 게이트 라인을 각각 구동하는 다수의 스테이지로 구성되고, 각 스테이지는 출력부 및 노드 제어부를 구비한다. 각 스테이지의 출력부는 기본적으로 Q노드의 제어에 따라 어느 하나의 클럭을 게이트 라인으로 출력하는 풀-업 TFT와, QB노드의 제어에 따라 게이트 로우 전압을 게이트 라인으로 출력하는 풀-다운 TFT를 포함한다. 각 스테이지의 노드 제어부는 제어 신호에 응답하여 Q노드의 충방전과 QB노드의 충방전을 상반되게 제어하는 다수의 TFT를 포함하며, 특히 QB노드를 하이 상태로 유지시키기 위한 TFT들을 상대적으로 많이 포함하고 있다.The gate driver outputs scan pulses that drive each of the gate lines using a shift register. The shift register is composed of a plurality of stages each driving a plurality of gate lines, and each stage includes an output unit and a node control unit. The output of each stage basically includes a pull-up TFT that outputs one clock to the gate line under the control of the Q node, and a pull-down TFT that outputs the gate low voltage to the gate line under the control of the QB node. do. The node control unit of each stage includes a number of TFTs that control charge/discharge of the Q node and charge/discharge of the QB node oppositely in response to a control signal, and in particular, a relatively large number of TFTs for maintaining the QB node in a high state. I'm doing it.

또한, 포워드 스캔(Forward scan)과 백워드(Backward scan)을 선택적으로 이용할 수 있도록 바이-스캔(Bi-scan)이 가능한 쉬프트 레지스터는 각 스테이지가 더욱 많은 TFT들을 포함해야 한다.In addition, a shift register capable of bi-scanning so that forward scan and backward scan can be selectively used must include more TFTs in each stage.

이로 인하여, 종래의 쉬프트 레지스터는 다소 많은 수의 TFT들로 구성됨으로써 회로 면적을 감소시키는 것이 곤란하므로 네로우 베젤(narrow bezel) 구현에 한계가 있다는 문제점이 있다.For this reason, since the conventional shift register is composed of a rather large number of TFTs, it is difficult to reduce the circuit area, so there is a problem in that there is a limitation in implementing a narrow bezel.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 로직 회로 구성을 단순화하여 회로 면적을 감소시킬 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치를 제공하는 것이다. The present invention has been conceived to solve the above-described problem, and an object to be solved by the present invention is to provide a shift register capable of reducing a circuit area by simplifying a logic circuit configuration and a display device using the same.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 다수의 스테이지를 포함하고, 상기 다수의 스테이지 각각은 제어 노드의 제어에 따라 다수의 클럭 중 어느 하나의 클럭을 출력으로 발생시키는 풀-업 트랜지스터와, 상기 다수의 클럭 중 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 게이트 오프 전압을 출력으로 발생시키는 풀-다운 트랜지스터와, 어느 하나의 이전 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키는 제1 트랜지스터와, 어느 하나의 다음 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키는 제2 트랜지스터와, 상기 다수의 클럭 중 또 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제3 트랜지스터를 구비한다.In order to solve the above problem, the shift register according to the embodiment of the present invention includes a plurality of stages, and each of the plurality of stages is a full-scale generator that generates any one of a plurality of clocks as an output according to the control of a control node. -An up transistor, a pull-down transistor that generates a gate-off voltage as an output according to the control of the other one of the plurality of clocks, and the control node is gate-on according to the control of an output signal of any one previous stage. A first transistor to be set to a state, a second transistor to reset the control node to a gate-off state according to control of an output signal of any one of the next stages, and another clock of the plurality of clocks And a third transistor for maintaining the reset state of the control node.

상기 제어 노드는 상기 제1 내지 제3 트랜지스터와 접속된 제1 제어 노드와, 상기 풀-업 트랜지스터와 접속된 제2 제어 노드를 포함한다. 상기 각 스테이지는 상기 풀-업 트랜지스터의 제어 노드와 출력 단자 사이에 접속된 커패시터와, 게이트 온 전압에 의해 턴-온 상태를 유지하여 상기 제1 및 제2 제어 노드를 연결하는 저항 트랜지스터와, 비정상적인 전원 오프 검출 신호에 따라 상기 각 스테이지의 출력 단자를 통해 해당 게이트 라인을 구동하는 바이어스 트랜지스터를 추가로 구비한다.The control node includes a first control node connected to the first to third transistors and a second control node connected to the pull-up transistor. Each of the stages includes a capacitor connected between the control node and the output terminal of the pull-up transistor, a resistance transistor connecting the first and second control nodes by maintaining a turn-on state by a gate-on voltage, and an abnormal A bias transistor for driving a corresponding gate line through an output terminal of each stage according to a power-off detection signal is additionally provided.

상기 다수의 클럭은 순차적으로 위상 쉬프트되는 제1 내지 제4 클럭을 포함한다. 상기 풀-업 트랜지스터는 상기 제1 클럭을 출력하고, 상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 제3 클럭에 의해 제어된다.The plurality of clocks include first to fourth clocks sequentially phase shifted. The pull-up transistor outputs the first clock, and the pull-down transistor is controlled by the third clock.

상기 다수의 스테이지 중 n번째 스테이지에서, 상기 제1 트랜지스터는 n-2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 제3 클럭을 상기 제어 노드로 공급하고, 상기 제2 트랜지스터는 n+2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 게이트 오프 전압을 상기 제어 노드로 공급하며, 상기 제3 트랜지스터는 제4 클럭의 제어에 따라 n-1번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호를 상기 제어 노드로 공급한다.In the nth stage of the plurality of stages, the first transistor supplies the third clock to the control node according to the control of a scan signal output from the n-2th stage, and the second transistor is an n+2th stage. The gate-off voltage is supplied to the control node according to the control of the scan signal output from the stage, and the third transistor supplies the scan signal output from the n-1th stage to the control node according to the control of a fourth clock. do.

본 발명의 다른 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 포워드 스캔과 백워드 스캔이 선택적으로 수행되는 다수의 스테이지를 포함하고, 상기 다수의 스테이지 각각은 제어 노드의 제어에 따라 다수의 클럭 중 어느 하나의 클럭을 출력으로 발생시키는 풀-업 트랜지스터와, 상기 다수의 클럭 중 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 게이트 오프 전압을 출력으로 발생시키는 풀-다운 트랜지스터와, 어느 하나의 이전 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라, 상기 포워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키고, 상기 백워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키는 제1 트랜지스터와, 어느 하나의 다음 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라, 상기 포워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키고, 상기 백워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키는 제2 트랜지스터와, 상기 포워드 스캔시, 상기 다수의 클럭 중 또 다른 하나의 클럭과 포워드 구동 전압의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제3 및 제4 트랜지스터와, 상기 백워드 스캔시, 다수의 클럭 중 나머지 하나의 클럭과 백워드 구동 전압의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제5 및 제6 트랜지스터를 구비한다.A shift register according to another embodiment of the present invention includes a plurality of stages in which a forward scan and a backward scan are selectively performed, and each of the plurality of stages sets any one of a plurality of clocks according to the control of a control node. A pull-up transistor that is generated as an output, a pull-down transistor that generates a gate-off voltage as an output according to the control of another one of the plurality of clocks, and an output signal of any one previous stage, A first transistor that sets the control node to a gate-on state during the forward scan and resets the control node to a gate-off state during the backward scan, and the forward according to control of an output signal of any one of the next stages. A second transistor that resets the control node to a gate-off state during scan and sets the control node to a gate-on state during the backward scan, and forwards another one of the plurality of clocks during the forward scan. Third and fourth transistors for maintaining the reset state of the control node according to the control of the driving voltage, and during the backward scan, the other clock of the plurality of clocks and the control node of the control node according to the control of the backward driving voltage. It includes fifth and sixth transistors for maintaining the reset state.

상기 제어 노드는 상기 제1 내지 제6 트랜지스터와 접속된 제1 제어 노드와, 상기 풀-업 트랜지스터와 접속된 제2 제어 노드를 포함한다. 상기 각 스테이지는 상기 풀-업 트랜지스터의 제어 노드와 출력 단자 사이에 접속된 커패시터와, 게이트 온 전압에 의해 턴-온 상태를 유지하여 상기 제1 및 제2 제어 노드를 연결하는 저항 트랜지스터와, 비정상적인 전원 오프 검출 신호에 따라 상기 각 스테이지의 출력 단자를 통해 해당 게이트 라인을 구동하는 바이어스 트랜지스터를 추가로 구비한다.The control node includes a first control node connected to the first to sixth transistors and a second control node connected to the pull-up transistor. Each of the stages includes a capacitor connected between the control node and the output terminal of the pull-up transistor, a resistance transistor connecting the first and second control nodes by maintaining a turn-on state by a gate-on voltage, and an abnormal A bias transistor for driving a corresponding gate line through an output terminal of each stage according to a power-off detection signal is additionally provided.

상기 다수의 클럭은 순차적으로 위상 쉬프트되는 제1 내지 제4 클럭을 포함한다. 상기 풀-업 트랜지스터는 상기 제1 클럭을 출력하고, 상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 제3 클럭에 의해 제어된다.The plurality of clocks include first to fourth clocks sequentially phase shifted. The pull-up transistor outputs the first clock, and the pull-down transistor is controlled by the third clock.

상기 다수의 스테이지 중 n번째 스테이지에서, 상기 제1 트랜지스터는 n-2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 포워드 구동 전압 또는 상기 제4 클럭을 상기 제어 노드로 공급하고, 상기 제2 트랜지스터는 n+2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 백워드 구동 전압 또는 상기 제2 틀럭을 상기 제어 노드로 공급하며, 상기 제3 트랜지스터는 제4 클럭의 제어에 따라 n-1번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호를, 상기 포워드 구동 전압에 의해 제어되는 제4 트랜지스터를 통해 상기 제어 노드로 공급하고, 상기 제5 트랜지스터는 제2 클럭의 제어에 따라 n+1번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호를, 상기 백워드 구동 전압에 의해 제어되는 제6 트랜지스터를 통해 상기 제어 노드로 공급한다.In the nth stage among the plurality of stages, the first transistor supplies the forward driving voltage or the fourth clock to the control node according to control of a scan signal output from the n-2th stage, and the second transistor Is supplying the backward driving voltage or the second clock to the control node according to the control of the scan signal output from the n+2th stage, and the third transistor is the n-1th stage according to the control of the fourth clock. The scan signal output from is supplied to the control node through a fourth transistor controlled by the forward driving voltage, and the fifth transistor receives the scan signal output from the n+1th stage under control of a second clock. , Is supplied to the control node through a sixth transistor controlled by the backward driving voltage.

상기 포워드 구동 전압은 상기 포워드 스캔시 게이트 온 상태로 공급되고, 상기 백워드 스캔시 게이트 오프 상태로 공급되며, 상기 백워드 구동 전압은 상기 포워드 스캔시 상기 게이트 오프 상태로 공급되고, 상기 백워드 스캔시 상기 게이트 온 상태로 공급된다.The forward driving voltage is supplied in a gate-on state during the forward scan, and is supplied in a gate off state during the backward scan, and the backward driving voltage is supplied in the gate off state during the forward scan, and the backward scan At the time, it is supplied in the gate-on state.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 싱글 스캔 스테이지 또는 바이-스캔 스테이지를 포함하더라도 회로 구성이 상대적으로 간단하여 회로 면적을 감소시킬 수 있다.Even if the shift register according to the present invention includes a single scan stage or a bi-scan stage, the circuit configuration is relatively simple, so that the circuit area can be reduced.

또한, 본 발명에 따른 표시 장치는 간단한 회로 구성을 갖는 쉬프트 레지스터를 내장 게이트 드라이버로 이용하여 게이트 드라이버가 형성되는 베젤 폭을 감소시킬 수 있으므로 네로우 베젤을 구현할 수 있다.In addition, the display device according to the present invention can implement a narrow bezel because the width of the bezel on which the gate driver is formed can be reduced by using a shift resistor having a simple circuit configuration as a built-in gate driver.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 기본 구조를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 나타낸 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 스테이지의 구동 파형도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 바이-스캔 쉬프트 레지스터의 기본 구조를 나타낸 블록도이다.
도 5는 도 4에 도시된 바이-스캔 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 나타낸 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 스테이지에서 포워드 전압에 의해 구동되는 부분을 강조한 회로도이다.
도 7은 도 6에 도시된 스테이지의 포워드 스캔을 위한 구동 파형도이다.
도 8은 도 5에 도시된 스테이지에서 백워드 전압에 의해 구동되는 부분을 강조한 회로도이다.
도 9는 도 8에 도시된 스테이지의 백워드 스캔을 위한 구동 파형도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 바이-스캔 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 나타낸 회로도이다.
도 11은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 이용한 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
1 is a block diagram showing the basic structure of a shift register according to a first embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing one stage in the shift register shown in FIG. 1.
3 is a driving waveform diagram of the stage shown in FIG. 2.
4 is a block diagram showing a basic structure of a bi-scan shift register according to a second embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram showing one stage in the bi-scan shift register shown in FIG. 4.
6 is a circuit diagram emphasizing a portion driven by a forward voltage in the stage shown in FIG. 5.
7 is a driving waveform diagram for forward scanning of the stage shown in FIG. 6.
8 is a circuit diagram emphasizing a portion driven by a backward voltage in the stage shown in FIG. 5.
9 is a driving waveform diagram for a backward scan of the stage shown in FIG. 8.
10 is a circuit diagram showing one stage in a bi-scan shift register according to a third embodiment of the present invention.
11 is a block diagram schematically illustrating a display device using a shift register according to the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 기본 구조를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram showing the basic structure of a shift register according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 쉬프트 레지스터는 액티브 매트릭스형 표시 장치의 내장 게이트 드라이버로 사용되는 것으로, 다수의 게이트 라인{GL(n-2) ~ GL(n+2)}을 각각 구동하는 다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)}를 포함한다. 다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)}는 다수의 게이트 라인{GL(n-2) ~ GL(n+2)}을 포워드 방향으로 스캔한다.The shift register shown in FIG. 1 is used as a built-in gate driver of an active matrix display device, and a plurality of stages each driving a plurality of gate lines {GL(n-2) to GL(n+2)} {ST (n-2) to ST(n+2)}. A plurality of stages {ST(n-2) to ST(n+2)} scans a plurality of gate lines {GL(n-2) to GL(n+2)} in the forward direction.

다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각에는 게이트 하이 전압(VGH) 및 저전위 전압(VSS)이 공급된다. 게이트 하이 전압(VGH)은 게이트 온 전압으로 표현될 수 있고, 저전위 전압(VSS)은 게이트 오프 전압으로 표현될 수 있다.A gate high voltage VGH and a low potential voltage VSS are supplied to each of the plurality of stages ST(n-2) to ST(n+2). The gate high voltage VGH may be expressed as a gate-on voltage, and the low potential voltage VSS may be expressed as a gate-off voltage.

다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각에는 위상차를 갖는 다수의 클럭(CLKs)이 공급된다. 예를 들면, 다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각은 4상 클럭(CLKs)을 각각 전송하는 4개의 클럭 라인 중 적어도 3개의 클럭 라인과 접속된다.A plurality of clocks CLKs having a phase difference are supplied to each of the plurality of stages (ST(n-2) to ST(n+2)). For example, each of the plurality of stages (ST(n-2) to ST(n+2)) is connected to at least three of the four clock lines each transmitting the four-phase clock CLKs.

다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각에는 이전 스테이지들 중 어느 하나의 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호와, 다음 스테이지들 중 어느 하나의 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호가, 출력부를 제어하는 Q노드의 논리 상태를 제어하기 위한 제어 신호(캐리 신호)로 공급된다. 또한, 다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각에는 이전 스테이지들 중 다른 하나의 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호가 Q노드의 로우 상태 유지를 위해 더 공급된다.In each of the plurality of stages {ST(n-2) to ST(n+2)}, a scan signal output from one of the previous stages and a scan signal output from any one of the next stages, It is supplied as a control signal (carry signal) for controlling the logic state of the Q node controlling the output unit. In addition, to each of the plurality of stages (ST(n-2) to ST(n+2)), a scan signal output from the other stage among the previous stages is further supplied to maintain the low state of the Q node.

예를 들면, n번째 스테이지{ST(n)}에는 n-2번째 스테이지{ST(n-2)}로부터 출력되는 n-2번째 스캔 신호{G(n-2)}와, n+2번째 스테이지{ST(n+2)}로부터 출력되는 n+2번째 스캔 신호{G(n+2)}가 Q노드의 논리 상태를 제어하는 제어 신호(캐리 신호)로 공급되고, n-1번째 스테이지{ST(n-1)}로부터 출력되는 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}는 Q노드의 로우 상태를 유지하기 위해 공급된다.For example, in the nth stage {ST(n)}, the n-2th scan signal {G(n-2)} output from the n-2th stage {ST(n-2)} and the n+2nd The n+2th scan signal {G(n+2)} output from the stage {ST(n+2)} is supplied as a control signal (carry signal) that controls the logic state of the Q node, and the n-1th stage The n-1th scan signal {G(n-1)} output from {ST(n-1)} is supplied to maintain the low state of the Q node.

Q노드의 하이 상태는 게이트 온 상태를 의미하는 것으로 세트(set) 상태로 표현될 수 있고, Q노드의 로우 상태는 게이트 오프 상태를 의미하는 것으로 리셋(reset) 상태로 표현될 수 있다.The high state of the Q node indicates a gate-on state and may be expressed as a set state, and the low state of the Q node indicates a gate-off state and may be expressed as a reset state.

도 2는 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 나타낸 회로도이고, 도 3은 도 2에 도시된 스테이지의 구동 파형도이다.FIG. 2 is a circuit diagram showing one stage in the shift register shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a driving waveform diagram of the stage shown in FIG. 2.

도 2에 도시된 n번째 스테이지{ST(n)}는 n번째 게이트 라인을 구동하는 것으로, 다른 스테이지에도 동일하게 적용된다.The n-th stage {ST(n)} shown in FIG. 2 drives the n-th gate line, and the same applies to other stages.

n번째 스테이지{ST(n)}는 풀-업 TFT(Tup) 및 풀-다운 TFT(Tpd)와 커패시터(CQ)를 포함하는 출력부와, 제1 내지 제3 TFT(T1~T3) 및 리셋 트랜지스터(Trs)를 포함하는 노드 제어부를 구비한다.The n-th stage {ST(n)} includes an output unit including a pull-up TFT (Tup), a pull-down TFT (Tpd), and a capacitor CQ, and the first to third TFTs (T1 to T3) and reset A node control unit including a transistor Trs is provided.

n번째 스테이지{ST(n)}는 노드 제어부의 출력 노드인 Q1 노드와, 출력부의 제어 노드인 Q2 노드 사이에 접속되어 저항 역할을 하는 저항 TFT(Td)를 더 구비할 수 있다.The n-th stage {ST(n)} may further include a resistive TFT (Td) that is connected between the node Q1, which is an output node of the node control unit, and the node Q2, which is the control node of the output unit, and serves as a resistor.

n번째 스테이지{ST(n)}는 비정상적으로 전원이 오프될 때, 픽셀 매트릭스의 신속한 방전을 위해 게이트 라인을 구동하는 바이어스 TFT(Tab)를 더 구비할 수 있다.The n-th stage {ST(n)} may further include a bias TFT (Tab) for driving the gate line for rapid discharge of the pixel matrix when the power is abnormally turned off.

n번째 스테이지{ST(n)}는 4상 클럭{CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)} 중 3상 클럭{CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+2)}을 공급받는다. 예를 들어, 4상 클럭{CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)}이 순차적으로 위상 쉬프트되는 CLK4, CLK1, CLK2, CLK3인 경우 n번째 스테이지{ST(n)}는 CLK4, CLK1, CLK3을 공급받는다.The nth stage {ST(n)} is a three-phase clock {CLK(m-1) among four-phase clocks {CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)} ), CLK(m), CLK(m+2)}. For example, when the four-phase clock {CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)} is sequentially phase shifted, n The third stage {ST(n)} receives CLK4, CLK1, and CLK3.

풀-업 TFT(Tup)는 Q2 노드의 제어에 따라 스위칭되어 m 클럭{CLK(m)} (CLK1)을 출력 단자를 통해 n번째 게이트 라인으로 공급한다. 이에 따라, 풀-업 TFT(Tup)를 통해 m 클럭{CLK(m)}이 n번째 스캔 신호{G(n)}의 게이트 온 전압(게이트 하이 전압)으로 공급된다.The pull-up TFT (Tup) is switched under the control of the Q2 node to supply the m clock {CLK(m)} (CLK1) to the n-th gate line through the output terminal. Accordingly, the m clock {CLK(m)} is supplied as the gate-on voltage (gate high voltage) of the n-th scan signal {G(n)} through the pull-up TFT(Tup).

풀-다운 TFT(Tpd)는 m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)의 제어에 따라 스위칭되어 저전위 전압(VSS)을 출력 단자를 통해 n번째 게이트 라인으로 공급한다. 이에 따라, 풀-다운 TFT(Tpd)를 통해 저전위 전압(VSS)이 n번째 스캔 신호{G(n)}의 게이트 오프 전압(게이트 로우 전압)으로 공급된다.The pull-down TFT (Tpd) is switched under the control of the m+2 clock {CLK(m+2)} (CLK3) to supply the low potential voltage VSS to the n-th gate line through the output terminal. Accordingly, the low potential voltage VSS is supplied as the gate-off voltage (gate low voltage) of the n-th scan signal G(n) through the pull-down TFT Tpd.

커패시터(CQ)는 풀-업 TFT(Tup)의 게이트와 드레인 사이, 즉 Q2 노드와 출력 단자 사이에 접속되어 m 클럭{CLK(m)}이 공급될 때 Q2 노드의 전압이 m 클럭{CLK(m)}의 하이 상태를 따라 부트스트랩핑되게 한다. 이에 따라, 풀-업 TFT(Tup)가 m 클럭{CLK(m)}을 출력할 때, Q2 노드의 전압이 하이 상태에서 부트스트랩핑으로 더욱 상승함으로써 풀-업 TFT(Tup)는 안정적으로 m 클럭{CLK(m)}을 n번째 스캔 신호{G(n)}로 공급할 수 있다.The capacitor CQ is connected between the gate and the drain of the pull-up TFT Tup, that is, between the Q2 node and the output terminal, so that the voltage of the Q2 node is m clocked {CLK( Follow the high state of m)} to make it bootstrapped. Accordingly, when the pull-up TFT (Tup) outputs m clock {CLK(m)}, the voltage of the Q2 node further rises from the high state to bootstrapping, so that the pull-up TFT (Tup) is stably m The clock {CLK(m)} may be supplied as the n-th scan signal {G(n)}.

제1 TFT(T1)는 n-2번째 스테이지로부터 출력되는 n-2번째 스캔 신호{G(n-2)}의 제어에 따라 스위칭되어 m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)을 Q1 노드로 공급한다. 이에 따라, 저항 TFT(Td)를 통해 연결된 Q1, Q2 노드는 풀-업 TFT(Tup)가 m 클럭{CLK(m)}을 출력하기 이전에 제1 TFT(T1)를 통해 m+2 클럭{CLK(m+2)}의 하이 전압이 공급되어 하이 상태로 세트된다. 한편, 제1 TFT(T1)에는 m+2 클럭{CLK(m+2)} (CLK3) 대신 m-1 클럭{CLK(m-1)} (CLK4)이 공급될 수 있다.The first TFT (T1) is switched according to the control of the n-2th scan signal {G(n-2)} output from the n-2th stage, and the m+2 clock {CLK(m+2)}(CLK3) Is supplied to the Q1 node. Accordingly, the nodes Q1 and Q2 connected through the resistive TFT (Td) are clocked by m+2 through the first TFT (T1) before the pull-up TFT (Tup) outputs the m clock {CLK(m)}. A high voltage of CLK(m+2)} is supplied and set to a high state. Meanwhile, the m-1 clock {CLK(m-1)} (CLK4) may be supplied to the first TFT T1 instead of the m+2 clock {CLK(m+2)} (CLK3).

제2 TFT(T2)는 n+2번째 스테이지로부터 출력되는 n+2번째 스캔 신호{G(n+2)}의 제어에 따라 스위칭되어 저전위 전압(VSS)을 Q1 노드로 공급한다. 이에 따라, Q1, Q2 노드는 풀-업 TFT(Tup)가 m 클럭{CLK(m)}을 출력한 이후에 제2 TFT(T2)를 통해 저전위 전압(VSS)이 공급되어 로우 상태로 리셋된다.The second TFT T2 is switched under the control of the n+2 th scan signal G(n+2) output from the n+2 th stage to supply the low potential voltage VSS to the Q1 node. Accordingly, after the pull-up TFT (Tup) outputs m clock {CLK(m)}, the Q1 and Q2 nodes are reset to a low state by supplying a low potential voltage (VSS) through the second TFT (T2). do.

제3 TFT(T3)는 m-1 클럭{CLK(m-1)}(CLK4)의 제어에 따라 스위칭되어 n-1번째 스테이지로부터 출력되는 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}를 Q1 노드로 공급한다. 이에 따라, Q1, Q2 노드는 제2 TFT(T2)에 의해 리셋된 이후에도 제3 TFT(T2)를 통해 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}의 게이트 오프 전압이 공급되어 로우 상태를 유지한다.The third TFT (T3) is switched under the control of the m-1 clock {CLK(m-1)} (CLK4) and the n-1th scan signal {G(n-1)} is output from the n-1th stage. Is supplied to the Q1 node. Accordingly, even after the nodes Q1 and Q2 are reset by the second TFT (T2), the gate-off voltage of the n-1th scan signal {G(n-1)} is supplied through the third TFT (T2) to be in a low state. Keep it.

리셋 TFT(Trs)는 스타트 펄스(Vst)의 제어에 따라 스위칭되어 저전위 전압(VSS)을 Q1 노드로 공급한다. 이에 따라, Q1, Q2 노드는 각 프레임이 시작 또는 종료될 때 리셋 TFT(Trs)를 통해 저전위 전압(VSS)이 공급되어 로우 상태로 리셋된다. 이때, 스타트 펄스(Vst)에 의해 모든 스테이지의 리셋 TFT(Trs)가 동시 턴-온되어 모든 스테이지의 Q1, Q2 노드가 동시에 리셋될 수 있다.The reset TFT (Trs) is switched under the control of the start pulse (Vst) to supply the low potential voltage (VSS) to the Q1 node. Accordingly, the Q1 and Q2 nodes are reset to the low state by supplying the low potential voltage VSS through the reset TFT Trs when each frame starts or ends. At this time, the reset TFTs (Trs) of all stages are simultaneously turned on by the start pulse Vst, so that nodes Q1 and Q2 of all stages may be reset at the same time.

저항 TFT(Td)는 게이트 하이 전압(VGH)에 따라 항상 턴-온되어 Q1 노드 및 Q2 노드를 연결하고 있지만, Q1 노드의 전압과 Q2 노드의 전압이 서로 달라지게 하는 저항 역할을 한다. 이에 따라, Q2 노드의 전압이 m 클럭{CLK(m)}을 따라 부트스트랩핑되어 상승될 때, 저항 TFT(Td)에 의해 Q1 노드의 전압은 Q2 노드의 전압보다 낮게 상승되므로, 부트스트랩핑으로 인한 Q1 노드의 핫 캐리어 스트레스(hot carrier stress)를 감소시킬 수 있다.The resistor TFT (Td) is always turned on according to the gate high voltage (VGH) to connect the Q1 node and the Q2 node, but acts as a resistor so that the voltage of the Q1 node and the voltage of the Q2 node are different from each other. Accordingly, when the voltage of the Q2 node is bootstrapped and increased according to the m clock {CLK(m)}, the voltage of the Q1 node is raised lower than the voltage of the Q2 node by the resistive TFT (Td), so bootstrapping It is possible to reduce the hot carrier stress of the Q1 node due to.

바이어스 TFT(Tab)는 비정상적으로 전원이 오프될 때 전원 회로로부터 공급되는 비정상 검출 신호(ABNORMAL)에 따라 턴-온되어 해당 게이트 라인을 구동한다. 이때, 비정상 검출 신호(ABNORMAL)에 따라 모든 스테이지의 바이어스 TFT(Tab)가 모든 게이트 라인들을 동시 구동하므로, 픽셀 매트릭스의 TFT들은 동시 턴-온되어 각 서브픽셀에 충전된 전하들이 턴-온된 TFT를 통해 신속하게 방전될 수 있다. 이에 따라, 배터리 분리 등으로 인하여 비정상적으로 전원이 오프되더라도 픽셀 매트릭스 내의 전하들이 신속하게 방전되므로 불충분한 방전으로 인한 플리커를 방지할 수 있다.When the bias TFT (Tab) is abnormally turned off, the bias TFT (Tab) is turned on according to the abnormal detection signal (ABNORMAL) supplied from the power supply circuit to drive the corresponding gate line. At this time, since the bias TFTs (Tab) of all stages simultaneously drive all the gate lines according to the abnormal detection signal (ABNORMAL), the TFTs of the pixel matrix are simultaneously turned on and charges charged in each subpixel are turned on. It can be quickly discharged through. Accordingly, even if the power is abnormally turned off due to battery separation or the like, charges in the pixel matrix are rapidly discharged, so that flicker due to insufficient discharge can be prevented.

도 3을 참조하면, 4상 클럭{CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)} 각각은 2H(H는 수평 기간)의 하이 상태와, 2H의 로우 상태가 순환하는 형태로 공급된다. 4상 클럭{CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)}은 순차적으로 1H씩 위상 쉬프트되고, 인접한 클럭들은 1H의 하이 상태가 서로 오버랩되도록 공급된다.Referring to FIG. 3, each of the four-phase clocks {CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)} is in a high state of 2H (H is a horizontal period), The low state of 2H is supplied in a circulating form. The four-phase clocks {CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)} are sequentially phase shifted by 1H, and adjacent clocks overlap each other with the high state of 1H. Is supplied.

이에 따라, 4상 클럭{CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)}이 선택적으로 출력되는 스캔 신호{G(n-2), G(n-1), G(n), G(n+2)}는 각각 게이트 온 전압이 2H의 펄스폭을 갖으며, 인접한 스캔 신호들은 1H의 게이트 온 전압이 서로 오버랩한다.Accordingly, the scan signals {G(n-2) and G() are selectively output to the four-phase clock {CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2)}. Each of n-1), G(n), and G(n+2)} has a gate-on voltage of 2H, and adjacent scan signals overlap each other with a gate-on voltage of 1H.

도 2 및 도 3을 참조하면, t1, t2 기간에서 n-2번째 스캔 신호{G(n-2)}의 제어에 의해 제1 TFT(T1)가 턴-온되어 m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)이 Q1 노드로 공급됨으로써 Q1, Q2 노드가 하이 상태로 세트된다. n-2번째 스캔 신호{G(n-2)}는 n-2번째 스테이지에서 m+2 클럭{CLK(m+2)}을 출력한 것이다. Q2 노드의 하이 상태에 의해 풀-업 TFT(Tup)가 턴-온되어 m 클럭{CLK(m)}의 로우 전압이 출력되고, m+2 클럭{CLK(m+2)}의 제어에 의해 풀-다운 TFT(Tpd)도 턴-온되어 저전위 전압(VSS)이 출력되므로, n번째 게이트 라인의 스캔 신호{G(n)}는 게이트 오프 상태를 유지한다.2 and 3, the first TFT (T1) is turned on by the control of the n-2th scan signal {G(n-2)} in the period t1 and t2, and the m+2 clock {CLK( By supplying m+2)}(CLK3) to the Q1 node, the Q1 and Q2 nodes are set to the high state. The n-2th scan signal {G(n-2)} outputs an m+2 clock {CLK(m+2)} in the n-2th stage. The pull-up TFT (Tup) is turned on by the high state of the Q2 node, and a low voltage of the m clock {CLK(m)} is output, and under the control of the m+2 clock {CLK(m+2)}. Since the pull-down TFT (Tpd) is also turned on to output the low potential voltage VSS, the scan signal G(n) of the n-th gate line maintains the gate-off state.

t3, t4 기간에서 m번째 클럭{CLK(m)}(CLK1)의 하이 상태에 따라 Q2, Q1 노드의 하이 상태가 부트스트랩핑되어 충분히 턴-온된 풀-업 TFT(Tup)를 통해 m 클럭{CLK(m)}이 n번째 게이트 라인의 스캔 신호{G(n)}로 공급된다. m+2 클럭{CLK(m+2)}의 제어에 의해 풀-다운 TFT(Tpd)는 턴-오프된다.In the period t3 and t4, the high state of the Q2 and Q1 nodes is bootstrapped according to the high state of the m-th clock {CLK(m)} (CLK1), and the m clock through the pull-up TFT (Tup) sufficiently turned on{ CLK(m)} is supplied as the scan signal {G(n)} of the n-th gate line. The pull-down TFT (Tpd) is turned off by the control of the m+2 clock {CLK(m+2)}.

t5, t6 기간에서 m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)의 제어에 따라 풀-다운 TFT(Tpd)가 턴-온되어 저전위 전압(VSS)이 n번째 게이트 라인의 스캔 신호{G(n)}로 공급된다. 이때, n+2번째 스테이지로부터 출력된 스캔 신호{G(n+2)}의 제어에 따라 제2 TFT(T2)가 턴-온되어 Q1, Q2 노드는 저전위 전압(VSS)에 의해 로우 상태로 리셋된다. n+2번째 스캔 신호{G(n+2)}는 n+2번째 스테이지에서 m+2 클럭{CLK(m+2)}을 출력한 것이다. t6 기간 이후에도 m+2 클럭{CLK(m+2)}에 따라 풀-다운 TFT(Tpd)가 주기적으로 턴-온되어 n번째 게이트 라인의 스캔 신호{G(n)}는 게이트 오프 상태를 유지한다.In periods t5 and t6, the pull-down TFT (Tpd) is turned on under the control of the m+2 clock {CLK(m+2)} (CLK3), so that the low potential voltage (VSS) is the scan signal of the nth gate line. It is supplied as {G(n)}. At this time, the second TFT (T2) is turned on under the control of the scan signal {G(n+2)} output from the n+2th stage, and the Q1 and Q2 nodes are in a low state due to the low potential voltage (VSS). Is reset to. The n+2th scan signal {G(n+2)} is the output of the m+2 clock {CLK(m+2)} in the n+2th stage. Even after the t6 period, the pull-down TFT (Tpd) is periodically turned on according to the m+2 clock {CLK(m+2)}, so that the scan signal {G(n)} of the n-th gate line remains in the gate-off state. do.

t6 기간 및 그 다음 기간에서, m-1 클럭{CLK(m-1)}(CLK4)의 제어에 따라 제3 TFT(T3)가 턴-온되어 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}의 게이트 오프 전압이 Q1 노드로 공급되므로 Q1, Q2 노드는 로우 상태를 유지하고, 이후에도 m-1 클럭{CLK(m-1)}에 따라 주기적으로 턴-온되는 제3 TFT(T3)에 의해 Q1, Q2 노드는 로우 상태를 유지한다.In the period t6 and subsequent periods, the third TFT T3 is turned on under the control of the m-1 clock {CLK(m-1)} (CLK4) and the n-1th scan signal {G(n-1) )}'S gate-off voltage is supplied to the Q1 node, so the Q1 and Q2 nodes remain low, and the third TFT (T3) is periodically turned on according to the m-1 clock {CLK(m-1)} afterwards. As a result, nodes Q1 and Q2 are kept in a low state.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 각 스테이지가 8개 TFT(T1~T3, Trs, Tup, Tpd, Td, Tab)와 1개 커패시터(CQ)로 구성되어 회로 구성이 간단하므로 회로 면적을 감소시킬 수 있다.As described above, in the shift register according to the first embodiment of the present invention, each stage is composed of eight TFTs (T1 to T3, Trs, Tup, Tpd, Td, Tab) and one capacitor (CQ), so that the circuit configuration is simple. Therefore, the circuit area can be reduced.

한편, 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 포워드 스캔만 가능하다.Meanwhile, the shift register according to the first embodiment of the present invention is capable of forward scan only.

이를 보완하기 위하여, 본 발명에서는 포워드 스캔 및 백워드 스캔을 스캔을 선택적으로 이용할 수 있도록 바이-스캔이 가능한 쉬프트 레지스터를 더 제안한다.In order to compensate for this, the present invention further proposes a shift register capable of bi-scan so that scan can be selectively used for forward scan and backward scan.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 바이-스캔 쉬프트 레지스터의 기본 구조를 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram showing a basic structure of a bi-scan shift register according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 설명의 편의상 제1 실시예와 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하거나 간단히 언급하기로 하며, 제1 실시예와 대비하여 차이가 있는 구성을 위주로 설명하기로 한다.Hereinafter, for convenience of explanation, descriptions of components that overlap with the first embodiment will be omitted or briefly described, and components that differ from those of the first embodiment will be mainly described.

도 4에 도시된 바이-스캔 쉬프트 레지스터와 도 1에 도시된 싱글 스캔 쉬프트 레지스터와 대비하면, 포워드 구동 전압(VDD_F)과, 백워드 구동 전압(VDD_R)이 다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각에 추가적으로 공급된다.Compared with the bi-scan shift register shown in FIG. 4 and the single scan shift register shown in FIG. 1, the forward driving voltage VDD_F and the backward driving voltage VDD_R are in a plurality of stages (ST(n-2)). ~ ST(n+2)} is additionally supplied to each.

포워드 구동 전압(VDD_F)은 포워드 스캔시에만 하이 상태로 공급되고, 백워드 스캔시에는 로우 상태로 공급된다. 반대로, 백워드 구동 전압(VDD_R)은 백워드 스캔시에만 하이 상태로 공급되고, 포워드 스캔시에는 로우 상태로 공급된다. 따라서, 포워드 구동 전압(VDD_F) 및 백워드 구동 전압(VDD_R)의 논리 상태에 따라 포워드 스캔과 백워드 스캔을 제어할 수 있으므로, 스캔 방향을 제어하기 위한 별도의 방향 제어 신호가 필요하지 않다.The forward driving voltage VDD_F is supplied in a high state only during a forward scan, and is supplied in a low state during a backward scan. Conversely, the backward driving voltage VDD_R is supplied in a high state only during a backward scan, and is supplied in a low state during a forward scan. Accordingly, since the forward scan and the backward scan can be controlled according to the logic states of the forward driving voltage VDD_F and the backward driving voltage VDD_R, a separate direction control signal for controlling the scan direction is not required.

다수의 스테이지{ST(n-2) ~ ST(n+2)} 각각에는 이전 스테이지들 중 2개의 스테이지로부터 출력되는 2개의 스캔 신호와, 다음 스테이지들 중 2개의 스테이지로부터 출력되는 2개의 스캔 신호가 공급되고, 4상 클럭(CLKs)을 각각 전송하는 4개의 클럭 라인과 접속된다.In each of the plurality of stages {ST(n-2) ~ ST(n+2)}, two scan signals output from two of the previous stages and two scan signals output from two of the next stages. Is supplied and connected to the four clock lines each transmitting the four-phase clocks CLKs.

예를 들면, n번째 스테이지{ST(n)}에는 n-2번째 스테이지{ST(n-2)}로부터 출력되는 n-2번째 스캔 신호{G(n-2)}와, n+2번째 스테이지{ST(n+2)}로부터 출력되는 n+2번째 스캔 신호{G(n+2)}가 Q노드의 논리 상태를 제어하는 제어 신호(캐리 신호)로 공급되고, n-1번째 스테이지{ST(n-1)}로부터 출력되는 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}와, n+1번째 스테이지{ST(n+1)}로부터 출력되는 n+1번째 스캔 신호{G(n-1)}는 Q노드의 로우 상태를 유지하기 위해 공급된다.For example, in the nth stage {ST(n)}, the n-2th scan signal {G(n-2)} output from the n-2th stage {ST(n-2)} and the n+2nd The n+2th scan signal {G(n+2)} output from the stage {ST(n+2)} is supplied as a control signal (carry signal) that controls the logic state of the Q node, and the n-1th stage The n-1th scan signal {G(n-1)} output from {ST(n-1)} and the n+1th scan signal output from n+1 stage {ST(n+1)}{ G(n-1)} is supplied to maintain the low state of the Q node.

도 5는 도 4에 도시된 바이-스캔 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 나타낸 회로도이다.5 is a circuit diagram showing one stage in the bi-scan shift register shown in FIG. 4.

도 5에 도시된 바이-스캔 스테이지와, 도 2에 도시된 싱글 스캔 스테이지를 대비하면, 제1 TFT(T1)에 m+2 클럭{CLK(m+2)} 대신 포워드 구동 전압(VDD_F)이 공급되고, 제2 TFT(T2)에는 저전위 전압(VSS) 대신 백워드 구동 전압(VDD_R)이 공급되며, Q 노드(Q1, Q2)를 로우 상태로 유지시키기 위한 제4 내지 제6 TFT(T4, T5, T6)를 추가로 구성된다는 점에서 차이가 있다.When the bi-scan stage shown in FIG. 5 and the single scan stage shown in FIG. 2 are compared, the forward driving voltage VDD_F instead of m+2 clock {CLK(m+2)} is applied to the first TFT T1. The second TFT T2 is supplied with a backward driving voltage VDD_R instead of the low potential voltage VSS, and the fourth to sixth TFTs T4 for maintaining the Q nodes Q1 and Q2 in a low state. , T5, T6) are additionally configured.

제1 TFT(T1)는 포워드 스캔시 하이 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)을 이용하여 Q 노드(Q1, Q2)를 하이 상태로 세트시키고, 백워드 스캔시 로우 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)을 이용하여 Q 노드(Q1, Q2)를 로우 상태로 리셋시킨다.The first TFT T1 sets the Q nodes Q1 and Q2 to a high state by using the forward driving voltage VDD_F in the high state during forward scanning, and sets the forward driving voltage VDD_F in the low state during the backward scan. Is used to reset the Q nodes Q1 and Q2 to a low state.

반대로, 제2 TFT(T2)는 백워드 스캔시 하이 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)을 이용하여 Q 노드(Q1, Q2)를 하이 상태로 세트시키고, 포워드 스캔시 로우 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)을 이용하여 Q 노드(Q1, Q2)를 로우 상태로 리셋시킨다.Conversely, the second TFT (T2) sets the Q nodes Q1 and Q2 to a high state by using the backward driving voltage VDD_R in a high state during the backward scan, and sets the backward driving voltage in the low state during the forward scan. The Q nodes Q1 and Q2 are reset to the low state by using (VDD_R).

제3 및 제4 TFT(T3, T4)는 포워드 스캔시 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}를 이용하여 Q 노드(Q1, Q2)를 로우 상태로 유지시킨다. 포워드 구동 전압(VDD_F)에 의해 제어되는 제4 TFT(T4)는 포워드 스캔시에만 턴-온되어 제3 TFT(T3)와 Q1 노드를 연결시킨다. 이에 따라, 포워드 스캔시 제3 TFT(T3)는 m-1 클럭{CLK(m-1)}(CLK4)의 제어에 따라 스위칭되어 n-1번째 스테이지로부터 출력되는 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}를 제4 TFT(T4)를 통해 Q1 노드로 공급함으로써 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 유지시킨다. 백워드 스캔시 제4 TFT(T4)는 로우 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)에 의해 턴-오프 상태를 유지한다.The third and fourth TFTs T3 and T4 maintain the Q nodes Q1 and Q2 in a low state by using the n-1th scan signal {G(n-1)} during forward scanning. The fourth TFT T4 controlled by the forward driving voltage VDD_F is turned on only during the forward scan to connect the third TFT T3 and the Q1 node. Accordingly, during forward scanning, the third TFT (T3) is switched under the control of the m-1 clock {CLK(m-1)} (CLK4), and the n-1th scan signal {G (n-1)} is supplied to the Q1 node through the fourth TFT (T4) to keep the Q1 and Q2 nodes low. During the backward scan, the fourth TFT T4 maintains the turn-off state by the forward driving voltage VDD_F in the low state.

제5 및 제6 TFT(T3, T4)는 백워드 스캔시 n+1번째 스캔 신호{G(n+1)}를 이용하여 Q 노드(Q1, Q2)를 로우 상태로 유지시킨다. 백워드 구동 전압(VDD_R)에 의해 제어되는 제6 TFT(T6)는 백워드 스캔시에만 턴-온되어 제5 TFT(T5)와 Q1 노드를 연결시킨다. 이에 따라, 백워드 스캔시 제5 TFT(T5)는 m+1 클럭{CLK(m+1)}(CLK2)의 제어에 따라 스위칭되어 n+1번째 스테이지로부터 출력되는 n+1번째 스캔 신호{G(n+1)}를 제6 TFT(T6)를 통해 Q1 노드로 공급함으로써 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 유지시킨다. 포워드 스캔시 제6 TFT(T6)는 로우 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)에 의해 턴-오프 상태를 유지한다.The fifth and sixth TFTs T3 and T4 maintain the Q nodes Q1 and Q2 in a low state by using the n+1th scan signal {G(n+1)} during a backward scan. The sixth TFT T6 controlled by the backward driving voltage VDD_R is turned on only during the backward scan to connect the fifth TFT T5 and the Q1 node. Accordingly, during the backward scan, the fifth TFT (T5) is switched under the control of the m+1 clock {CLK(m+1)} (CLK2) and the n+1th scan signal is output from the n+1th stage{ G(n+1)} is supplied to the Q1 node through the sixth TFT (T6) to keep the Q1 and Q2 nodes low. During forward scanning, the sixth TFT T6 maintains a turn-off state by the low backward driving voltage VDD_R.

도 6은 도 5에 도시된 스테이지의 포워드 스캔시 포워드 구동 전압(VDD_F)에 의해 구동되는 부분을 강조하여 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6에 도시된 스테이지의 포워드 스캔을 위한 구동 파형도이다.FIG. 6 is a diagram showing a portion driven by the forward driving voltage VDD_F during forward scanning of the stage shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a driving waveform diagram for forward scanning of the stage shown in FIG. 6.

도 6을 참조하면, 포워드 스캔시 풀-업 TFT(Tup)가 m 클럭{CLK(m)}을 출력하기 이전에, 제1 TFT(T1)를 통해 공급된 하이 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)이 Q1, Q2 노드를 하이 상태로 세트시킨다. 이어서, m 클럭{CLK(m)}이 출력되고, 제2 TFT(T2)에 의해 Q1, Q2 노드가 리셋된 이후에, 제3 및 제4 TFT(T3, T4)를 통해 공급된 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}가 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 유지시킨다.Referring to FIG. 6, a forward driving voltage VDD_F in a high state supplied through the first TFT T1 before the pull-up TFT Tup outputs m clock {CLK(m)} during forward scanning. These Q1 and Q2 nodes are set to a high state. Then, after the m clock {CLK(m)} is output and the nodes Q1 and Q2 are reset by the second TFT (T2), n-1 supplied through the third and fourth TFTs (T3, T4) A th scan signal {G(n-1)} keeps the nodes Q1 and Q2 low.

도 6 및 도 7을 참조하여 도 6에 도시된 스테이지의 포워드 스캔 구동을 설명한다.Forward scan driving of the stage shown in FIG. 6 will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

t1, t2 기간에서 n-2번째 스캔 신호{G(n-2)}의 제어에 의해 제1 TFT(T1)가 턴-온되어 하이 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)이 Q1, Q2 노드를 하이 상태로 세트시킨다. Q2 노드의 제어에 의해 턴-온된 풀-업 TFT(Tup)와, m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)의 제어에 의해 턴-온된 풀-다운 TFT(Tpd)를 통해 n번째 스캔 신호{G(n)}는 게이트 오프 상태를 유지한다.During periods t1 and t2, the first TFT (T1) is turned on under the control of the n-2th scan signal {G(n-2)}, so that the forward driving voltage VDD_F in the high state turns the nodes Q1 and Q2 high. Set it to the state. Through the pull-up TFT (Tup) turned on by the control of the Q2 node and the pull-down TFT (Tpd) turned on by the control of the m+2 clock {CLK(m+2)} (CLK3). The second scan signal G(n) maintains the gate-off state.

t3, t4 기간에서 턴-온된 풀-업 TFT(Tup)를 통해 m 클럭{CLK(m)}(CLK1)이 n번째 스캔 신호{G(n)}의 게이트 온 전압으로 공급된다.The m clock {CLK(m)} (CLK1) is supplied as the gate-on voltage of the n-th scan signal {G(n)} through the pull-up TFT (Tup) turned on in the periods t3 and t4.

t5, t6 기간에서 m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)의 제어에 의해 턴-온된 풀-다운 TFT(Tpd)를 통해 저전위 전압(VSS)이 n번째 스캔 신호{G(n)}의 게이트 오프 전압으로 공급된다. 이때, n+2번째 스테이지로부터 출력된 스캔 신호{G(n+2)}의 제어에 의해 제2 TFT(T2)가 턴-온되어 로우 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)이 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 리셋시킨다. t6 기간 이후에도 m+2 클럭{CLK(m+2)}에 따라 풀-다운 TFT(Tpd)가 주기적으로 턴-온되어 n번째 게이트 라인의 스캔 신호{G(n)}는 게이트 오프 상태를 유지한다.In the periods t5 and t6, the low potential voltage VSS is transferred to the nth scan signal {G() through the pull-down TFT (Tpd) turned on under the control of the m+2 clock {CLK(m+2)}(CLK3). It is supplied with a gate-off voltage of n)}. At this time, the second TFT (T2) is turned on under the control of the scan signal {G(n+2)} output from the n+2th stage, so that the backward driving voltage VDD_R in the low state is Q1 and Q2 nodes. Reset to low state. Even after the t6 period, the pull-down TFT (Tpd) is periodically turned on according to the m+2 clock {CLK(m+2)}, so that the scan signal {G(n)} of the n-th gate line remains in the gate-off state. do.

t6 기간 및 그 다음 기간에서, m-1 클럭{CLK(m-1)}(CLK4)의 제어에 따라 턴-온된 제3 TFT(T3)와, 하이 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)의 제어에 의해 턴-온 상태인 제4 TFT(T4)를 통해 n-1번째 스캔 신호{G(n-1)}의 게이트 로우 전압이 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 유지시킨다. 이후에도 m-1 클럭{CLK(m-1)}에 따라 주기적으로 턴-온되는 제3 TFT(T3)에 의해 Q1, Q2 노드는 로우 상태를 유지한다.In the period t6 and subsequent periods, the third TFT T3 turned on under the control of the m-1 clock {CLK(m-1)} (CLK4) and the forward driving voltage VDD_F in the high state. As a result, the gate low voltage of the n-1th scan signal G(n-1) through the fourth TFT T4, which is in the turn-on state, keeps the nodes Q1 and Q2 in a low state. Thereafter, the nodes Q1 and Q2 maintain the low state by the third TFT (T3) periodically turned on according to the m-1 clock {CLK(m-1)}.

도 8은 도 5에 도시된 스테이지의 백워드 스캔시 백워드 구동 전압(VDD_R)에 의해 구동되는 부분을 강조하여 나타낸 도면이고, 도 9는 도 8에 도시된 스테이지의 백워드 스캔을 위한 구동 파형도이다.FIG. 8 is a diagram showing a portion driven by a backward driving voltage VDD_R during a backward scan of the stage shown in FIG. 5, and FIG. 9 is a driving waveform for a backward scan of the stage shown in FIG. It is a degree.

도 8을 참조하면, 백워드 스캔시 풀-업 TFT(Tup)가 m 클럭{CLK(m)}을 출력하기 이전에, 제2 TFT(T2)를 통해 공급된 하이 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)이 Q1, Q2 노드를 하이 상태로 세트시킨다. 이어서, m 클럭{CLK(m)}이 출력되고, 제1 TFT(T1)에 의해 Q1, Q2 노드가 리셋된 이후에, 제5 및 제6 TFT(T5, T6)를 통해 공급된 n+1번째 스캔 신호{G(n+1)}가 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 유지시킨다.Referring to FIG. 8, before the pull-up TFT (Tup) outputs m clock {CLK(m)} during a backward scan, the backward driving voltage in a high state supplied through the second TFT (T2) ( VDD_R) sets the Q1 and Q2 nodes to a high state. Subsequently, after the m clock {CLK(m)} is output and the nodes Q1 and Q2 are reset by the first TFT (T1), n+1 supplied through the fifth and sixth TFTs (T5, T6) A th scan signal {G(n+1)} keeps the nodes Q1 and Q2 low.

도 8 및 도 9를 참조하여 도 8에 도시된 스테이지의 백워드 스캔 구동을 설명한다.The backward scan driving of the stage shown in FIG. 8 will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

t1, t2 기간에서 n+2번째 스캔 신호{G(n+2)}의 제어에 의해 제2 TFT(T2)가 턴-온되어 하이 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)이 Q1, Q2 노드를 하이 상태로 세트시킨다. Q2 노드의 제어에 의해 턴-온된 풀-업 TFT(Tup)와, m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)의 제어에 의해 턴-온된 풀-다운 TFT(Tpd)를 통해 n번째 스캔 신호{G(n)}는 게이트 오프 상태를 유지한다.During periods t1 and t2, the second TFT (T2) is turned on under the control of the n+2th scan signal {G(n+2)}, so that the high-state backward driving voltage VDD_R is applied to the Q1 and Q2 nodes. Set it high. Through the pull-up TFT (Tup) turned on by the control of the Q2 node and the pull-down TFT (Tpd) turned on by the control of the m+2 clock {CLK(m+2)} (CLK3). The second scan signal G(n) maintains the gate-off state.

t3, t4 기간에서 턴-온된 풀-업 TFT(Tup)를 통해 m 클럭{CLK(m)}(CLK1)이 n번째 스캔 신호{G(n)}의 게이트 온 전압으로 공급된다.The m clock {CLK(m)} (CLK1) is supplied as the gate-on voltage of the n-th scan signal {G(n)} through the pull-up TFT (Tup) turned on in the periods t3 and t4.

t5, t6 기간에서 m+2 클럭{CLK(m+2)}(CLK3)의 제어에 의해 턴-온된 풀-다운 TFT(Tpd)를 통해 저전위 전압(VSS)이 n번째 스캔 신호{G(n)}의 게이트 오프 전압으로 공급된다. 이때, n-2번째 스테이지로부터 출력된 스캔 신호{G(n-2)}의 제어에 의해 제1 TFT(T1)가 턴-온되어 로우 상태의 포워드 구동 전압(VDD_F)이 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 리셋시킨다. t6 기간 이후에도 m+2 클럭{CLK(m+2)}에 따라 풀-다운 TFT(Tpd)가 주기적으로 턴-온되어 n번째 게이트 라인의 스캔 신호{G(n)}는 게이트 오프 상태를 유지한다.In the periods t5 and t6, the low potential voltage VSS is transferred to the nth scan signal {G() through the pull-down TFT (Tpd) turned on under the control of the m+2 clock {CLK(m+2)}(CLK3). It is supplied with a gate-off voltage of n)}. At this time, the first TFT (T1) is turned on under the control of the scan signal {G(n-2)} output from the n-2th stage, so that the forward driving voltage VDD_F in the low state is applied to the nodes Q1 and Q2. Reset to low state. Even after the t6 period, the pull-down TFT (Tpd) is periodically turned on according to the m+2 clock {CLK(m+2)}, so that the scan signal {G(n)} of the n-th gate line remains in the gate-off state. do.

t6 기간 및 그 다음 기간에서, m-1번째 클럭{CLK(m-1)}의 제어에 따라 턴-온된 제5 TFT(T5)와, 하이 상태의 백워드 구동 전압(VDD_R)의 제어에 의해 턴-온 상태인 제6 TFT(T6)를 통해 n+1번째 스캔 신호{G(n+1)}의 게이트 로우 전압이 Q1, Q2 노드를 로우 상태로 유지시킨다. 이후에도 m-1 클럭{CLK(m-1)}에 따라 주기적으로 턴-온되는 제3 TFT(T3)에 의해 Q1, Q2 노드는 로우 상태를 유지한다.In period t6 and subsequent periods, the fifth TFT (T5) turned on under the control of the m-1th clock {CLK(m-1)} and the high-state backward driving voltage (VDD_R). The gate low voltage of the n+1th scan signal G(n+1) through the sixth TFT (T6) in the turn-on state keeps the nodes Q1 and Q2 in the low state. Thereafter, the nodes Q1 and Q2 maintain the low state by the third TFT (T3) periodically turned on according to the m-1 clock {CLK(m-1)}.

도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 바이-스캔 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 나타낸 회로도이다.10 is a circuit diagram showing one stage in a bi-scan shift register according to a third embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 제3 실시예의 바이-스캔 스테이지와 도 5에 도시된 제2 실시예의 바이-스캔 스테이지를 대비하면, 제1 TFT(T1)에 포워드 구동 전압(VDD_F) 대신 m-1 클럭{CLK(m-1)}(CLK4)가 공급되고, 제2 TFT(T2)에는 백워드 구동 전압(VDD_R) 대신 m+1 클럭{CLK(m+1)}(CLK2)이 공급된다는 점에서만 차이가 있다.When the bi-scan stage of the third embodiment shown in FIG. 10 and the bi-scan stage of the second embodiment shown in FIG. 5 are compared, the first TFT T1 has an m-1 clock instead of the forward driving voltage VDD_F. The difference is that CLK(m-1)}(CLK4) is supplied, and m+1 clock {CLK(m+1)}(CLK2) is supplied to the second TFT(T2) instead of the backward driving voltage (VDD_R). There is.

이에 따라, 포워드 스캔시 제1 TFT(T1)를 통해 Q1, Q2 노드가 하이 상태로 충전되는 시간이 도 7에 도시된 2H에서 1H로 감소되고, 백워드 스캔시 제2 TFT(T1)를 통해 Q1, Q2 노드가 하이 상태로 충전되는 시간이 도 9에 도시된 2H에서 1H로 감소되고, 나머지 구동은 동일하다. LTPS(Low Temperature Poly-Silicon) TFT는 이동도가 빠르므로 Q1, Q2 노드를 충전하는 시간이 2H에서 1H로 단축될 수 있다.Accordingly, the time that the Q1 and Q2 nodes are charged to the high state through the first TFT (T1) during the forward scan is reduced from 2H to 1H as shown in FIG. 7, and through the second TFT (T1) during the backward scan. The time during which the Q1 and Q2 nodes are charged to the high state is reduced from 2H to 1H shown in FIG. 9, and the remaining driving is the same. Since LTPS (Low Temperature Poly-Silicon) TFT has a high mobility, the time to charge the Q1 and Q2 nodes can be shortened from 2H to 1H.

이와 같이, 본 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 바이-스캔 쉬프트 레지스터는 바이-스캔이 가능하면서도 각 스테이지가 11개 TFT(T1~T6, Trs, Tup, Tpd, Td, Tab)와 1개 커패시터(CQ)로 구성되어 비교적 회로 구성이 간단하므로 회로 면적을 감소시킬 수 있다.As described above, the bi-scan shift register according to the second and third embodiments of the present invention enables bi-scan, but each stage has 11 TFTs (T1 to T6, Trs, Tup, Tpd, Td, Tab) and 1 Since it is composed of four capacitors (CQ) and a relatively simple circuit configuration, the circuit area can be reduced.

예를 들면, 종래의 쉬프트 레지스터는 싱글 스캔 스테이지가 12개 TFT 및 2개 커패시터로 구성됨으로써 베젤 폭을 0.6mm 이하로 감소시키는데 한계가 있었고, 바이-스캔 스테이지는 스캐닝 방향을 제어하는 TFT가 추가되어 베젤 폭이 더욱 증가해야 하는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 싱글 스캔 스테이지가 8개 TFT 및 1개 커패시터로 단순화됨으로써 0.4mm까지 베젤 폭을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 바이-스캔 스테이지도 11개 TFT 및 1개 커패시터로 비교적 단순화됨으로써 0.45mm까지 베젤 폭을 감소시킬 수 있다.For example, in the conventional shift resistor, the single scan stage is composed of 12 TFTs and 2 capacitors, so there is a limit to reducing the bezel width to 0.6mm or less, and the bi-scan stage has a TFT that controls the scanning direction. There was a problem that the bezel width should be further increased. However, the shift resistor of the present invention can reduce the bezel width to 0.4mm by simplifying the single scan stage to 8 TFTs and 1 capacitor. In addition, the shift resistor of the present invention can reduce the bezel width to 0.45mm by relatively simplifying the bi-scan stage to 11 TFTs and 1 capacitor.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 블록도이다.11 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 11에 도시된 표시 장치는 표시 영역(DA) 및 게이트 드라이버(40)를 포함하는 표시 패널(30), 데이터 드라이버(20), 타이밍 컨트롤러(10) 등을 구비한다.The display device illustrated in FIG. 11 includes a display panel 30 including a display area DA and a gate driver 40, a data driver 20, a timing controller 10, and the like.

표시 패널(30)은 표시 영역(DA)에 형성된 픽셀 매트릭스를 통해 영상을 표시한다. 픽셀 매트릭스의 각 픽셀은 통상 R(Red), G(Green), B(Blue) 서브픽셀의 조합으로 원하는 색을 구현하고, 휘도 향상을 위한 W(White) 서브픽셀을 추가로 구비하기도 한다. 각 서브픽셀은 적어도 하나의 TFT에 의해 독립적으로 구동된다. 표시 패널(30)로는 액정 패널, OLED 패널 등이 이용될 수 있다.The display panel 30 displays an image through a pixel matrix formed in the display area DA. Each pixel of the pixel matrix generally implements a desired color by a combination of R (Red), G (Green), and B (Blue) sub-pixels, and additionally includes a W (White) sub-pixel for improving luminance. Each subpixel is independently driven by at least one TFT. A liquid crystal panel, an OLED panel, or the like may be used as the display panel 30.

예를 들면, 액정 패널의 각 서브픽셀은 게이트 라인의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 라인으로부터 공급된 데이터 전압에 따라 액정의 배향 방향이 가변되어 광투과율을 조절하는 액정셀로 구성된다. OLED 패널의 각 서브픽셀은 게이트 라인의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 라인으로부터 공급된 데이터 전압에 따른 전류에 비례하여 발광하는 발광셀로 구성된다.For example, each subpixel of the liquid crystal panel is composed of a liquid crystal cell that adjusts light transmittance by varying the alignment direction of the liquid crystal according to the data voltage supplied from the data line in response to the scan pulse of the gate line. Each subpixel of the OLED panel is composed of light emitting cells that emit light in proportion to the current according to the data voltage supplied from the data line in response to the scan pulse of the gate line.

게이트 드라이버(40)는 표시 패널(30)의 비표시 영역에 내장된 GIP 타입이며, 표시 영역(DA)의 TFT 어레이와 함께 기판 상에 형성된 다수의 TFT를 포함한다. 표시 영역(DA) 및 게이트 드라이버(40)에 포함된 TFT는 LTPS TFT를 이용할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 아몰퍼스 실리콘(Amorphous Silicon) TFT, 또는 산화물 TFT 등이 이용될 수 있다.The gate driver 40 is a GIP type built in a non-display area of the display panel 30 and includes a plurality of TFTs formed on a substrate together with a TFT array of the display area DA. The TFT included in the display area DA and the gate driver 40 may use an LTPS TFT, but the present invention is not limited thereto, and an amorphous silicon TFT or an oxide TFT may be used.

게이트 드라이버(40)는 도 1 내지 도 10에서 전술한 제1 내지 제3 실시예에 따른 쉬프트 레지스터 중 어느 하나를 포함하고, 타이밍 컨트롤러(10)로부터의 게이트 제어 신호에 응답하여 픽셀 매트릭스의 게이트 라인들을 구동한다. 게이트 드라이버(40)는 각 게이트 라인의 스캔 기간에 게이트 온 전압의 스캔 펄스를 공급하여 해당 게이트 라인에 접속된 TFT들을 턴-온시키고, 각 게이트 라인의 나머지 기간에는 게이트 오프 전압을 공급하여 해당 게이트 라인과 접속된 TFT들을 턴-오프시킨다.The gate driver 40 includes any one of the shift registers according to the first to third embodiments described above in FIGS. 1 to 10, and in response to a gate control signal from the timing controller 10, the gate line of the pixel matrix Drive them. The gate driver 40 turns on the TFTs connected to the corresponding gate line by supplying a scan pulse of the gate-on voltage during the scan period of each gate line, and supplies the gate-off voltage to the corresponding gate line during the remaining period of each gate line. The TFTs connected to the line are turned off.

게이트 드라이버(40)는 표시 영역(DA)의 일측부에 형성되어 각 게이트 라인의 일측단을 통해 스캔 신호를 공급하거나, 표시 영역(DA)의 양측부에 형성되어 각 게이트 라인의 양측단을 통해 스캔 신호를 공급할 수 있다. 게이트 드라이버(40)는 다수의 게이트 라인을 포워드 스캔으로 구동하거나, 포워드 스캔과 백워드 스캔을 선택적으로 이용하여 구동할 수 있다.The gate driver 40 is formed on one side of the display area DA to supply a scan signal through one end of each gate line, or is formed on both sides of the display area DA and is formed on both sides of each gate line. Can supply scan signal. The gate driver 40 may drive a plurality of gate lines by forward scan or by selectively using forward scan and backward scan.

타이밍 컨트롤러(10)와 게이트 드라이버(40) 사이에 레벨 쉬프터(미도시)가 추가로 구비될 수 있다. 레벨 쉬프터는 타이밍 컨트롤러(10)로부터의 게이트 제어 신호, 즉 스타트 펄스 및 다수 클럭의 TTL(Transistor Transistor Logic) 전압을 표시 패널(30)의 TFT 구동을 위한 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL=VSS)으로 레벨 쉬프팅하여 게이트 드라이버(40)인 쉬프트 레지스터로 공급한다.A level shifter (not shown) may be additionally provided between the timing controller 10 and the gate driver 40. The level shifter uses a gate control signal from the timing controller 10, i.e., a start pulse and a multi-clock TTL (Transistor Transistor Logic) voltage, to a gate high voltage (VGH) and a gate low voltage (VGH) for driving the TFT of the display panel 30. VGL=VSS) is level-shifted and supplied to the shift register which is the gate driver 40.

데이터 드라이버(20)는 타이밍 컨트롤러(10)로부터의 데이터 제어 신호에 응답하여 타이밍 컨트롤러(10)로부터의 영상 데이터를 표시 패널(30)의 다수의 데이터 라인(DL)에 공급한다. 데이터 드라이버(20)는 타이밍 컨트롤러(10)로부터의 데이터를 감마 전압 생성부(미도시)로부터의 감마 전압을 이용하여 아날로그 데이터 신호로 변환하고, 각 게이트 라인이 구동될 때마다 데이터 신호를 데이터 라인으로 공급한다. 데이터 드라이버(20)는 적어도 하나의 데이터 IC로 구성되어 TCP(Tape Carrier Package), COF(Chip On Film), FPC(Flexible Print Circuit) 등과 같은 회로 필름에 실장되어 표시 패널(30)에 TAB(Tape Automatic Bonding) 방식으로 부착되거나, COG(Chip On Glass) 방식으로 표시 패널(30)의 비표시 영역 상에 실장될 수 있다.The data driver 20 supplies image data from the timing controller 10 to a plurality of data lines DL of the display panel 30 in response to a data control signal from the timing controller 10. The data driver 20 converts data from the timing controller 10 into an analog data signal using a gamma voltage from a gamma voltage generator (not shown), and converts the data signal to a data line whenever each gate line is driven. To be supplied. The data driver 20 is composed of at least one data IC and is mounted on a circuit film such as a tape carrier package (TCP), a chip on film (COF), a flexible print circuit (FPC), etc. It may be attached in an automatic bonding) method or mounted on a non-display area of the display panel 30 in a chip on glass (COG) method.

타이밍 컨트롤러(10)는 외부로부터 공급된 영상 데이터와 함께 다수의 동기 신호를 입력한다. 다수의 동기 신호는 도트 클럭 및 데이터 이네이블 신호를 포함하거나, 수평 동기 신호 및 수직 동기 신호를 더 포함할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(10)는 화질 향상이나 소비 전력 감소를 위한 다양한 데이터 처리 방법을 이용하여 입력 데이터를 보정하여 데이터 드라이버(20)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(10)는 동기 신호들을 이용하여 데이터 드라이버(20)의 구동 타이밍을 제어하는 데이터 제어 신호와, 게이트 드라이버(40)의 구동 타이밍을 제어하는 게이트 제어 신호를 생성한다.The timing controller 10 inputs a plurality of synchronization signals together with image data supplied from the outside. The plurality of synchronization signals may include a dot clock and a data enable signal, or may further include a horizontal synchronization signal and a vertical synchronization signal. The timing controller 10 corrects input data using various data processing methods for improving image quality or reducing power consumption, and outputs the corrected input data to the data driver 20. The timing controller 10 generates a data control signal for controlling the driving timing of the data driver 20 and a gate control signal for controlling the driving timing of the gate driver 40 by using synchronization signals.

이와 같이, 본 발명에 따른 표시 장치는 간단한 회로 구성을 갖는 쉬프트 레지스터를 게이트 드라이버로 이용함으로써 게이트 드라이버가 형성되는 베젤 폭을 감소시킬 수 있으므로 네로우 베젤을 구현할 수 있다.As described above, the display device according to the present invention can implement a narrow bezel because the width of the bezel on which the gate driver is formed can be reduced by using a shift resistor having a simple circuit configuration as a gate driver.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be appreciated by those skilled in the art through the above description that various changes and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the content described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

VGH: 게이트 하이 전압 VSS: 저전위 전압
ST(n-2) ~ ST(n+2): 스테이지
CLKs, CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2): 클럭
Tup: 풀-업 TFT Tpd: 풀-다운 TFT
T1~T6: 제1 ~제6 TFT Trs: 리셋 TFT
Td: 저항 TFT Tab: 바이어스 TFT
ABNORMAL: 비정상 검출 신호 VDD_F: 제1 구동 전압
VDD_R: 제2 구동 전압 10: 타이밍 컨트롤러
20: 데이터 드라이버 30: 표시 패널
40: 게이트 드라이버 DA: 표시 영역
VGH: Gate high voltage VSS: Low potential voltage
ST(n-2) to ST(n+2): stage
CLKs, CLK(m-1), CLK(m), CLK(m+1), CLK(m+2): clock
Tup: Pull-up TFT Tpd: Pull-down TFT
T1 to T6: first to sixth TFT Trs: reset TFT
Td: resistance TFT Tab: bias TFT
ABNORMAL: abnormal detection signal VDD_F: first driving voltage
VDD_R: second driving voltage 10: timing controller
20: data driver 30: display panel
40: gate driver DA: display area

Claims (8)

다수의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서,
상기 다수의 스테이지 각각은
제어 노드의 제어에 따라 다수의 클럭 중 어느 하나의 클럭을 출력으로 발생시키는 풀-업 트랜지스터와,
상기 다수의 클럭 중 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 게이트 오프 전압을 출력으로 발생시키는 풀-다운 트랜지스터와,
어느 하나의 이전 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키는 제1 트랜지스터와,
어느 하나의 다음 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키는 제2 트랜지스터와,
상기 다수의 클럭 중 또 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제3 트랜지스터를 구비하고,
상기 제어 노드는 상기 제1 내지 제3 트랜지스터와 접속된 제1 제어 노드와, 상기 풀-업 트랜지스터와 접속된 제2 제어 노드를 포함하고,
상기 각 스테이지는
상기 풀-업 트랜지스터의 제어 노드와 출력 단자 사이에 접속된 커패시터와,
게이트 온 전압에 의해 턴-온 상태를 유지하여 상기 제1 및 제2 제어 노드를 연결하는 저항 트랜지스터와,
비정상적인 전원 오프 검출 신호에 따라 상기 각 스테이지의 출력 단자를 통해 해당 게이트 라인을 구동하는 바이어스 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
In the shift register including a plurality of stages,
Each of the plurality of stages
A pull-up transistor that generates any one of a plurality of clocks as an output according to the control of the control node,
A pull-down transistor for generating a gate-off voltage as an output under control of another one of the plurality of clocks;
A first transistor for setting the control node to a gate-on state according to control of an output signal of any one previous stage;
A second transistor for resetting the control node to a gate-off state according to control of an output signal of any one of the next stages;
A third transistor for maintaining a reset state of the control node under control of another one of the plurality of clocks,
The control node includes a first control node connected to the first to third transistors and a second control node connected to the pull-up transistor,
Each of the above stages
A capacitor connected between the control node and the output terminal of the pull-up transistor,
A resistance transistor connecting the first and second control nodes by maintaining a turned-on state by a gate-on voltage,
And a bias transistor for driving a corresponding gate line through an output terminal of each stage according to an abnormal power-off detection signal.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 다수의 클럭은 순차적으로 위상 쉬프트되는 제1 내지 제4 클럭을 포함하고,
상기 풀-업 트랜지스터는 상기 제1 클럭을 출력하고,
상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 제3 클럭에 의해 제어되고,
상기 다수의 스테이지 중 n번째 스테이지에서,
상기 제1 트랜지스터는 n-2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 제3 클럭을 상기 제어 노드로 공급하고,
상기 제2 트랜지스터는 n+2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 게이트 오프 전압을 상기 제어 노드로 공급하며,
상기 제3 트랜지스터는 제4 클럭의 제어에 따라 n-1번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호를 상기 제어 노드로 공급하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
The plurality of clocks include first to fourth clocks sequentially phase shifted,
The pull-up transistor outputs the first clock,
The pull-down transistor is controlled by the third clock,
In the nth stage of the plurality of stages,
The first transistor supplies the third clock to the control node according to control of a scan signal output from an n-2th stage,
The second transistor supplies the gate-off voltage to the control node according to control of a scan signal output from an n+2 th stage,
And the third transistor supplies a scan signal output from an n-1 th stage to the control node under control of a fourth clock.
포워드 스캔과 백워드 스캔이 선택적으로 수행되는 다수의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서,
상기 다수의 스테이지 각각은
제어 노드의 제어에 따라 다수의 클럭 중 어느 하나의 클럭을 출력으로 발생시키는 풀-업 트랜지스터와,
상기 다수의 클럭 중 다른 하나의 클럭의 제어에 따라 게이트 오프 전압을 출력으로 발생시키는 풀-다운 트랜지스터와,
어느 하나의 이전 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라, 상기 포워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키고, 상기 백워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키는 제1 트랜지스터와,
어느 하나의 다음 스테이지의 출력 신호의 제어에 따라, 상기 포워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 오프 상태로 리셋시키고, 상기 백워드 스캔시 상기 제어 노드를 게이트 온 상태로 세트시키는 제2 트랜지스터와,
상기 포워드 스캔시, 상기 다수의 클럭 중 또 다른 하나의 클럭과 포워드 구동 전압의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제3 및 제4 트랜지스터와,
상기 백워드 스캔시, 다수의 클럭 중 나머지 하나의 클럭과 백워드 구동 전압의 제어에 따라 상기 제어 노드의 리셋 상태를 유지시키는 제5 및 제6 트랜지스터를 구비하고,
상기 제어 노드는 상기 제1 내지 제6 트랜지스터와 접속된 제1 제어 노드와, 상기 풀-업 트랜지스터와 접속된 제2 제어 노드를 포함하고,
상기 각 스테이지는
상기 풀-업 트랜지스터의 제어 노드와 출력 단자 사이에 접속된 커패시터와,
게이트 온 전압에 의해 턴-온 상태를 유지하여 상기 제1 및 제2 제어 노드를 연결하는 저항 트랜지스터와,
비정상적인 전원 오프 검출 신호에 따라 상기 각 스테이지의 출력 단자를 통해 해당 게이트 라인을 구동하는 바이어스 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
In a shift register including a plurality of stages in which forward scan and backward scan are selectively performed,
Each of the plurality of stages
A pull-up transistor that generates any one of a plurality of clocks as an output according to the control of the control node,
A pull-down transistor for generating a gate-off voltage as an output under control of another one of the plurality of clocks;
A first transistor that sets the control node to a gate-on state during the forward scan and resets the control node to a gate off state during the backward scan, according to control of an output signal of any one previous stage;
A second transistor that resets the control node to a gate-off state during the forward scan and sets the control node to a gate-on state during the backward scan, according to control of an output signal of any one of the next stages;
Third and fourth transistors for maintaining a reset state of the control node according to the control of another one of the plurality of clocks and a forward driving voltage during the forward scan,
When the backward scan is performed, fifth and sixth transistors are provided to maintain a reset state of the control node according to the control of the other one of the plurality of clocks and a backward driving voltage,
The control node includes a first control node connected to the first to sixth transistors and a second control node connected to the pull-up transistor,
Each of the above stages
A capacitor connected between the control node and the output terminal of the pull-up transistor,
A resistance transistor connecting the first and second control nodes by maintaining a turned-on state by a gate-on voltage,
And a bias transistor for driving a corresponding gate line through an output terminal of each stage according to an abnormal power-off detection signal.
삭제delete 청구항 4에 있어서,
상기 다수의 클럭은 순차적으로 위상 쉬프트되는 제1 내지 제4 클럭을 포함하고,
상기 풀-업 트랜지스터는 상기 제1 클럭을 출력하고,
상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 제3 클럭에 의해 제어되고,
상기 다수의 스테이지 중 n번째 스테이지에서,
상기 제1 트랜지스터는 n-2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 포워드 구동 전압 또는 상기 제4 클럭을 상기 제어 노드로 공급하고,
상기 제2 트랜지스터는 n+2번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호의 제어에 따라 상기 백워드 구동 전압 또는 상기 제2 클럭을 상기 제어 노드로 공급하며,
상기 제3 트랜지스터는 제4 클럭의 제어에 따라 n-1번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호를, 상기 포워드 구동 전압에 의해 제어되는 제4 트랜지스터를 통해 상기 제어 노드로 공급하고,
상기 제5 트랜지스터는 제2 클럭의 제어에 따라 n+1번째 스테이지로부터 출력되는 스캔 신호를, 상기 백워드 구동 전압에 의해 제어되는 제6 트랜지스터를 통해 상기 제어 노드로 공급하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 4,
The plurality of clocks include first to fourth clocks sequentially phase shifted,
The pull-up transistor outputs the first clock,
The pull-down transistor is controlled by the third clock,
In the nth stage of the plurality of stages,
The first transistor supplies the forward driving voltage or the fourth clock to the control node according to control of a scan signal output from an n-2th stage,
The second transistor supplies the backward driving voltage or the second clock to the control node according to control of a scan signal output from an n+2 th stage,
The third transistor supplies a scan signal output from the n-1 th stage under control of a fourth clock to the control node through a fourth transistor controlled by the forward driving voltage,
The fifth transistor supplies a scan signal output from the n+1 th stage under control of a second clock to the control node through a sixth transistor controlled by the backward driving voltage. .
청구항 6에 있어서,
상기 포워드 구동 전압은 상기 포워드 스캔시 게이트 온 상태로 공급되고, 상기 백워드 스캔시 게이트 오프 상태로 공급되며,
상기 백워드 구동 전압은 상기 포워드 스캔시 상기 게이트 오프 상태로 공급되고, 상기 백워드 스캔시 상기 게이트 온 상태로 공급되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 6,
The forward driving voltage is supplied in a gate-on state during the forward scan, and is supplied in a gate off state during the backward scan,
And the backward driving voltage is supplied in the gate off state during the forward scan and in the gate on state during the backward scan.
제1항, 제3항 내지 제4항, 제6항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 쉬프트 레지스터를 이용하여 표시 패널의 게이트 라인을 구동하는 표시 장치.A display device driving a gate line of a display panel by using the shift register according to any one of claims 1, 3 to 4, and 6 to 7.
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