KR101994423B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101994423B1
KR101994423B1 KR1020160180165A KR20160180165A KR101994423B1 KR 101994423 B1 KR101994423 B1 KR 101994423B1 KR 1020160180165 A KR1020160180165 A KR 1020160180165A KR 20160180165 A KR20160180165 A KR 20160180165A KR 101994423 B1 KR101994423 B1 KR 101994423B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pin
spin head
substrate
support
chucking
Prior art date
Application number
KR1020160180165A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180076072A (en
Inventor
이지환
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160180165A priority Critical patent/KR101994423B1/en
Publication of KR20180076072A publication Critical patent/KR20180076072A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101994423B1 publication Critical patent/KR101994423B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축; 상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 기판을 지지하고 외면에 요철 구조가 형성된 핀; 및 상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a spin head; A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head; A fin positioned on an upper surface of the spin head to support the substrate and having an uneven structure on the outer surface; And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head.

Description

기판 처리 장치{Substrate treating apparatus}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus [

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

반도체 소자를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이와 같은 각각의 공정은 기판의 상면에 액을 도포하는 공정을 1회 이상 포함할 수 있다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Each of these processes may include a process of applying a liquid to the upper surface of the substrate one or more times.

기판의 상면에 액을 도포하는 공정은, 기판의 상면으로 액을 공급하면서 기판을 회전시킴으로 수행될 수 있다. 기판의 상면으로 공급된 액은 회전에 의한 원심력으로 인해 기판의 상면 전체로 퍼져 나간다. 이 때, 기판은 스핀 헤드에 지지된 상태로, 스핀 헤드가 회전 될 수 있다. 스핀 헤드에는 지지핀과 척킹핀이 위치되어 기판을 지지할 수 있다.The step of applying the liquid on the upper surface of the substrate can be performed by rotating the substrate while supplying the liquid to the upper surface of the substrate. The liquid supplied to the upper surface of the substrate spreads over the entire upper surface of the substrate due to centrifugal force due to rotation. At this time, the substrate is supported by the spin head, and the spin head can be rotated. A support pin and a chucking pin are positioned on the spin head to support the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 영역별 온도 편차가 저감되는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is intended to provide a substrate processing apparatus in which the temperature deviation of each substrate region is reduced.

또한, 본 발명은 기판의 영역별 처리 균일성이 향상되는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which improves processing uniformity in each region of a substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축; 상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 기판을 지지하고 외면에 요철 구조가 형성된 핀; 및 상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a spin head, A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head; A fin positioned on an upper surface of the spin head to support the substrate and having an uneven structure on the outer surface; And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head.

또한, 상기 요철 구조는 홈의 형상으로 제공될 수 있다.Further, the concave-convex structure may be provided in the shape of a groove.

또한, 상기 홈은 상기 스핀 헤드의 중심에 대한 반경 방향을 기준으로, 상기 스핀 헤드의 회전 방향과 반대 방향을 향하는 후방 영역에 형성될 수 있다.In addition, the groove may be formed in a rear region facing a direction opposite to a rotation direction of the spin head with respect to a radial direction with respect to the center of the spin head.

또한, 상기 요철 구조는 돌기의 형상으로 제공될 수 있다.Further, the concave-convex structure may be provided in the form of a projection.

또한, 상기 돌기는 상기 스핀 헤드의 중심에 대한 반경 방향을 기준으로, 상기 스핀 헤드의 회전 방향을 향하는 전방 영역에 형성될 수 있다.The protrusion may be formed in a front region facing the rotation direction of the spin head with respect to a radial direction with respect to the center of the spin head.

또한, 상기 요철 구조는, 상기 스핀 헤드의 중심에 대한 반경 방향을 기준으로, 상기 스핀 헤드의 회전 방향을 향하는 전방 영역에 형성되는 돌기; 상기 회전 방향과 반대 방향을 향하는 후방 영역에 형성되는 홈을 포함할 수 있다.Further, the concavo-convex structure may include: a protrusion formed in a front region facing the rotational direction of the spin head with respect to a radial direction with respect to the center of the spin head; And a groove formed in a rear region facing the direction opposite to the rotation direction.

또한, 상기 핀의 내측에는 공간이 형성될 수 있다.Further, a space may be formed inside the fin.

또한, 상기 핀에 내측에 형성된 상기 공간은 상기 핀의 하단까지 연장될 수 있다.Further, the space formed inside the pin may extend to the lower end of the pin.

또한, 상기 공간에는 공기가 채워질 수 있다.Also, the space may be filled with air.

또한, 상기 핀의 내측에 형성된 상기 공간은 진공으로 제공될 수 있다.Further, the space formed inside the fin may be provided in a vacuum.

또한, 상기 핀은, 상기 기판의 저면을 지지하는 지지핀; 및 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀을 포함할 수 있다.Further, the pin may include: a support pin for supporting a bottom surface of the substrate; And a chucking pin for supporting a side surface of the substrate.

또한, 상기 척킹핀은 상하 방향을 향하는 중심 축을 기준으로 비대칭 구조를 가질 수 있다.In addition, the chucking pins may have an asymmetric structure with respect to the vertical axis.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 상기 기판의 저면을 지지하는 지지핀; 상기 스핀 헤드에 위치되어 상기 기판의 측면을 지지하고 외면에 요철 구조가 형성되어 있는 척킹핀; 상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축; 및 상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a spin head comprising: a spin head; A support pin positioned on an upper surface of the spin head to support a bottom surface of the substrate; A chuck king pin positioned on the spin head and supporting a side surface of the substrate and having a concave-convex structure on an outer surface thereof; A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head; And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head.

또한, 상기 요철 구조는 홈의 형상으로 제공될 수 있다.Further, the concave-convex structure may be provided in the shape of a groove.

또한, 상기 요철 구조는 돌기의 형상으로 제공될 수 있다.Further, the concave-convex structure may be provided in the form of a projection.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 상기 기판의 저면을 지지하고 외면에 요철 구조가 형성된 지지핀; 상기 스핀 헤드에 위치되어 상기 기판의 측면을 지지하는 척킹핀; 상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축; 및 상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a spin head comprising: a spin head; A support pin located on an upper surface of the spin head and supporting a bottom surface of the substrate, the support pin having a concavo-convex structure on an outer surface thereof; A chucking pin positioned on the spin head to support a side surface of the substrate; A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head; And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head.

또한, 상기 요철 구조는 홈의 형상으로 제공될 수 있다.Further, the concave-convex structure may be provided in the shape of a groove.

또한, 상기 요철 구조는 돌기의 형상으로 제공될 수 있다.Further, the concave-convex structure may be provided in the form of a projection.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 영역별 온도 편차가 저감되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus in which a temperature deviation of each substrate is reduced can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 영역별 처리 균일성이 향상되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus can be provided that improves processing uniformity in each region of the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 측면도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 지지핀 또는 척킹핀의 표면 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 지지핀 또는 척킹핀의 표면 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 지지핀 또는 척킹핀의 외면에서 홈 또는 돌기가 형성되는 영역을 설명하는 도면이다.
도 5는 도 1의 지지핀의 단면도이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 지지핀을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 1의 척킹핀의 단면도이다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 척킹핀을 나타내는 도면이다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 척킹핀을 나타내는 도면이다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 척킹핀을 나타내는 도면이다.1 is a side view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the surface state of a support pin or a chucking pin according to an embodiment.
3 is a view showing the surface state of a support pin or a chucking pin according to another embodiment.
4 is a view for explaining a region in which grooves or protrusions are formed on the outer surface of the support pin or the chucking pin;
Figure 5 is a cross-sectional view of the support pin of Figure 1;
6 is a view showing a support pin according to another embodiment.
Figure 7 is a cross-sectional view of the chuck king pin of Figure 1;
8 is a view showing a chucking pin according to another embodiment.
9 is a view showing a chucking pin according to still another embodiment.
10 is a view showing a chucking pin according to still another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 측면도이다.1 is a side view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 지지부재(100) 및 노즐부재(200)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a support member 100 and a nozzle member 200.

지지부재(100)는 공정 처리시 기판(S)을 지지한다. 지지부재(100)는 스핀 헤드(111), 지지축(114) 및 구동부(115)를 포함한다.The support member 100 supports the substrate S during processing. The support member 100 includes a spin head 111, a support shaft 114, and a drive unit 115.

스핀 헤드(111)는 기판(S)을 지지한다. 스핀 헤드(111)의 상면은 대체로 원형으로 제공될 수 있다. 스핀 헤드(111)의 상면은 기판(S)보다 큰 직경을 가지고, 스핀 헤드(111)의 하면은 상면보다 작은 직경을 가질 수 있다. 그리고, 스핀 헤드(111)의 측면은 상면에서 하면으로 갈수록 점점 직경이 작아지도록 경사지게 제공될 수 있다.The spin head 111 supports the substrate S. The upper surface of the spin head 111 may be provided in a generally circular shape. The upper surface of the spin head 111 may have a larger diameter than the substrate S and the lower surface of the spin head 111 may have a smaller diameter than the upper surface. The side surface of the spin head 111 may be inclined so that the diameter gradually decreases from the upper surface to the lower surface.

스핀헤드(111)의 상면에는 기판 지지를 위한 핀(120, 140)이 제공된다. 핀(120, 140)은 지지핀(120)과 척킹핀(140)을 포함할 수 있다. 지지핀(120)은 스핀헤드(111)의 상면으로부터 상부로 돌출되며, 그 상단이 기판(S)의 저면을 지지한다. 지지핀(120)은 스핀헤드(111)의 상면에 서로 이격 되어 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 지지핀(120)은 적어도 3개 이상 제공되고, 링 형상으로 배치될 수 있다.On the upper surface of the spin head 111, pins 120 and 140 for substrate support are provided. The pins 120 and 140 may include a support pin 120 and a chucking pin 140. The support pin 120 protrudes upward from the upper surface of the spin head 111, and the upper end thereof supports the bottom surface of the substrate S. The support pins 120 may be provided on the upper surface of the spin head 111 and spaced apart from each other. In one example, at least three support pins 120 are provided and may be arranged in a ring shape.

척킹핀(140)은 스핀 헤드(111)의 상면으로부터 상부로 돌출되며, 기판(S)의 측부을 지지한다. 척킹핀(140)들은 스핀 헤드(111)가 회전될 때, 원심력에 의해 기판(S)이 스핀 헤드(111)로부터 측 방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 척킹핀(140)은 스핀 헤드(111)의 상면 가장자리영역을 따라 서로 이격 되어 복수 개 제공될 수 있다. 예를 들어, 척킹핀(140)들은 적어도 3개 이상 제공되며, 서로 조합되어 링 형상으로 배치될 수 있다. 척킹핀(140)들은 스핀 헤드(111)의 중심을 기준으로 지지핀(120)들보다 직경이 큰 링 형상을 이루도록 배치된다. 척킹핀(140)들은 스핀 헤드(111)의 반경 방향을 따라 직선 이동되도록 제공될 수 있다. 척킹핀(140)들은 기판(S)의 로딩 또는 언로딩시 기판(S)의 측면과 이격 또는 접촉되도록 반경방향을 따라 직선 이동한다.The chucking pin 140 protrudes upward from the upper surface of the spin head 111 and supports the side of the substrate S. The chucking pins 140 prevent the substrate S from being laterally separated from the spin head 111 by the centrifugal force when the spin head 111 is rotated. A plurality of chucking pins 140 may be provided along the top edge region of the spin head 111, spaced apart from each other. For example, at least three chucking pins 140 are provided and may be arranged in a ring shape in combination with each other. The chucking pins 140 are arranged in a ring shape having a larger diameter than the support pins 120 with respect to the center of the spin head 111. The chucking pins 140 may be provided to move linearly along the radial direction of the spin head 111. The chucking pins 140 move linearly along the radial direction so as to be in contact with or away from the side surface of the substrate S when the substrate S is loaded or unloaded.

지지축(114)은 스핀 헤드(111)의 하부에 연결되어 스핀 헤드(111)를 지지한다. 지지축(114)은 중공 축(hollow shaft) 형상으로 제공될 수 있다. 지지축(114)의 하단에는 구동부(115)가 제공된다. 구동부(115)는 지지축(114)을 회전시킬 수 있는 회전력을 발생시킨다.The support shaft 114 is connected to the lower portion of the spin head 111 to support the spin head 111. The support shaft 114 may be provided in the form of a hollow shaft. At the lower end of the support shaft 114, a driving unit 115 is provided. The driving unit 115 generates a rotational force capable of rotating the support shaft 114.

노즐부재(200)는 기판(S)의 상면으로 액을 공급한다. The nozzle member 200 supplies the liquid to the upper surface of the substrate S.

노즐부재(200)는 액 공급 노즐(210) 및 노즐 이동부(220)를 포함한다. The nozzle member 200 includes a liquid supply nozzle 210 and a nozzle moving part 220.

액 공급 노즐(210)은 기판(S)의 상면으로 액을 공급한다. 액 공급 노즐(210)에서 공급되는 액은 기판의 처리에 사용되는 약액(chemical)일 수 있다. 일 예로, 약액은 불산(hydrofluoric acid)과 같은 식각액 이나, 세정액 일 수 있다. 또한, 액 공급 노즐(210)에서 공급되는 액은 유기 용제일 수 있다. 일 예로, 유기 용제는 이소프로필알콜(IPA)일 수 있다. 또한, 액 공급 노즐(210)에서 공급되는 액은 순수(delonized water)일 수 있다.The liquid supply nozzle 210 supplies the liquid to the upper surface of the substrate S. The liquid supplied from the liquid supply nozzle 210 may be a chemical used for processing the substrate. For example, the chemical liquid may be an etching liquid such as hydrofluoric acid or a cleaning liquid. In addition, the liquid supplied from the liquid supply nozzle 210 may be an organic solvent. As an example, the organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). In addition, the liquid supplied from the liquid supply nozzle 210 may be delonized water.

노즐 이동부(220)는 액 공급 노즐(210)을 이동시킨다. 노즐 이동부(220)는 아암(221), 지지축(222) 그리고 구동부(223)를 포함한다. 아암(221)은 일측 단부에 액 공급 노즐(210)이 위치된다. 아암(221)의 타측에는 지지축(222)이 연결된다. 지지축(222)은 구동부(223)로부터 동력을 전달받으며, 동력을 이용하여 아암(221)에 연결된 분사헤드(310)를 이동시킨다.The nozzle moving part 220 moves the liquid supply nozzle 210. The nozzle moving unit 220 includes an arm 221, a support shaft 222, and a driving unit 223. The arm 221 has a liquid supply nozzle 210 at one end thereof. A support shaft 222 is connected to the other side of the arm 221. The support shaft 222 receives power from the driving unit 223 and moves the ejection head 310 connected to the arm 221 using the power.

도 2는 일 실시 예에 따른 지지핀 또는 척킹핀의 표면 상태를 나타내는 도면이다.2 is a view showing the surface state of a support pin or a chucking pin according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 지지핀(120)의 외면, 척킹핀(140)의 외면, 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 외면에는 홈(1100)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, grooves 1100 may be formed on the outer surface of the support pin 120, the outer surface of the chucking pin 140, or the outer surface of the support pin 120 and the chucking pin 140.

도면에는 홈(1100)이 형성된 면이 직선인 것으로 도시되었으나, 이는 도시의 편의를 위한 것이며 홈(1100)이 형성된 면은 지지핀(120)의 형상 또는 척킹핀(140)의 형상에 따라 곡선일 수 있다.The surface on which the groove 1100 is formed is curved according to the shape of the support pin 120 or the shape of the chucking pin 140. However, .

스핀 헤드(111)가 회전되면, 지지핀(120)과 척킹핀(140)은 원주를 이루는 궤적상을 회전 운동한다. 지지핀(120) 또는 척킹핀(140)이 움직이는 과정에서 외면에는 기체에 의한 힘이 작용한다. 이 같은 힘은 지지핀(120) 또는 척킹핀(140)의 진동을 야기할 수 있다. 그리고 진동은 기판의 진동을 야기하여 기판의 처리 품질을 저하 시킨다.When the spin head 111 is rotated, the support pin 120 and the chucking pin 140 rotate on a circumferential locus. During the movement of the support pin 120 or the chucking pin 140, a force is exerted by the gas on the outer surface. Such a force may cause oscillation of the support pin 120 or the chucking pin 140. The vibration causes vibration of the substrate, which degrades the processing quality of the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 지지핀(120)의 외면, 척킹핀(140) 외면, 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 외면에는 홈(1100)을 형성하여, 스핀 헤드(111)의 회전 시 지지핀(120)의 외면, 척킹핀(140)의 외면 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 외면을 유동하는 기체의 상태를 조절할 수 있다. 기체의 유동 상태를 제어하면, 지지핀(120), 척킹핀(140) 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140) (이를 핀이라 할 수 있다)에 작용하는 힘이 조절되어, 힘에 의한 진동이 제어되거나 감쇠될 수 있다. 홈(1100)은 수 나노 미터 내지 수 밀리미터의 치수를 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a groove 1100 is formed on the outer surface of the support pin 120, the outer surface of the chucking pin 140, or the outer surface of the support pin 120 and the chucking pin 140, The state of the gas flowing on the outer surface of the support pin 120, the outer surface of the chucking pin 140 or the outer surface of the support pin 120 and the chucking pin 140 can be adjusted. The force acting on the support pin 120, the chucking pin 140 or the support pin 120 and the chucking pin 140 (which may be referred to as a pin) is adjusted, Vibration can be controlled or attenuated. The grooves 1100 may have dimensions from a few nanometers to a few millimeters.

도 3은 다른 실시 예에 따른 지지핀 또는 척킹핀의 표면 상태를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the surface state of a support pin or a chucking pin according to another embodiment.

도 3을 참조하면, 지지핀(120)의 외면, 척킹핀(140)의 외면, 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 외면에는 돌기(1200)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, protrusions 1200 may be formed on the outer surface of the support pin 120, the outer surface of the chucking pin 140, or the outer surface of the support pin 120 and the chucking pin 140.

도면에는 돌기(1200)가 형성된 면이 직선인 것으로 도시되었으나, 이는 도시의 편의를 위한 것이며 돌기(1200)가 형성된 면은 지지핀(120)의 형상 또는 척킹핀(140)의 형상에 따라 곡선일 수 있다.The surface on which the protrusions 1200 are formed is curved in accordance with the shape of the support pin 120 or the shape of the chucking pins 140. In this case, .

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 지지핀(120)의 외면, 척킹핀(140) 외면, 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 외면에는 돌기(1200)를 형성하여, 스핀 헤드(111)의 회전 시 지지핀(120)의 외면, 척킹핀(140)의 외면 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 외면을 유동하는 기체의 상태를 조절할 수 있다. 기체의 유동 상태를 제어하면, 지지핀(120), 척킹핀(140) 또는 지지핀(120)과 척킹핀(140)(이를 핀이라 할 수 있다)에 작용하는 힘이 조절되어, 힘에 의한 진동이 제어되거나 감쇠될 수 있다. 돌기(1200)는 수 나노 미터 내지 수 밀리미터의 치수를 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a protrusion 1200 is formed on the outer surface of the support pin 120, the outer surface of the chucking pin 140, or the outer surface of the support pin 120 and the chucking pin 140, The state of the gas flowing on the outer surface of the support pin 120, the outer surface of the chucking pin 140 or the outer surface of the support pin 120 and the chucking pin 140 can be adjusted. The force acting on the support pin 120, the chucking pin 140 or the support pin 120 and the chucking pin 140 (which may be referred to as a pin) is adjusted, Vibration can be controlled or attenuated. The protrusion 1200 may have a dimension of several nanometers to several millimeters.

도 4는 지지핀 또는 척킹핀의 외면에서 홈 또는 돌기가 형성되는 영역을 설명하는 도면이다.4 is a view for explaining a region in which grooves or protrusions are formed on the outer surface of the support pin or the chucking pin;

도 4를 참조하면, 홈(1100) 또는 돌기(1200)와 같은 요철 구조는 스핀 헤드(111)의 중심(C)을 기준으로 회전 방향(R)을 고려하여 형성될 수 있다.4, a concavo-convex structure such as the groove 1100 or the protrusion 1200 may be formed in consideration of the rotational direction R with respect to the center C of the spin head 111.

스핀 헤드(111)가 회전 방향(R)으로 회전 되면, 지지핀(120) 또는 척킹핀(140)은 반경 방향에 대해 회전 방향(R)을 향하는 전방 영역(A)과 회전 방향(R)과 반대 방향을 향하는 후방 영역(B)으로 구분될 수 있다.When the spin head 111 is rotated in the rotation direction R, the support pin 120 or the chucking pin 140 moves in the forward direction A and the rotation direction R toward the rotation direction R with respect to the radial direction, And a rear region B facing the opposite direction.

전방 영역(A)은 기체에 의한 힘이 작용한다. 그리고 후방 영역(B)은 전방 영역(A)의 외면을 타고 흐른 기체가 외면에서 분리(separation)되면서 부분이 발생하고, 유체가 분리된 영역에는 후방 와류가 작용한다. 따라서 전방 영역(A)에는 기체의 마찰에 의한 힘을 줄이기 위해 요철 구조가 생략되고, 후방 영역(B)에는 기체가 분리되면서 후방 와류가 발생하는 영역을 줄이기 위해 홈(1100)이 형성될 수 있다.The force of the gas acts on the front region (A). In the rear region B, a portion is generated while the gas flowing on the outer surface of the front region A is separated from the outer surface, and a rear vortex acts on the region where the fluid is separated. Therefore, the concavo-convex structure is omitted in the front region A to reduce the force due to the friction of the gas, and the groove 1100 may be formed in the rear region B to reduce the area where the gas is separated and the rear vortex is generated .

또한, 전방 영역(A)에는 돌기(1200)가 형성되고, 후방 영역(B)에는 홈(1100)이 형성될 수 있다. 돌기(1200)는 기체가 돌기(1200)의 내측으로 유동되는 정도를 줄여 기체가 지지핀(120) 또는 척킹핀(140)의 외면과 접촉하는 면적을 감소 시킬 수 있다. 이에 따라, 돌기(1200)는 기체와 지지핀(120) 또는 척킹핀(140)의 외면의 마찰에 의한 힘을 감소 시킬 수 있다.The protrusion 1200 may be formed in the front region A and the groove 1100 may be formed in the rear region B. [ The protrusion 1200 may reduce the extent to which the gas flows into the protrusion 1200 to reduce the area in which the gas contacts the outer surface of the support pin 120 or the chucking pin 140. [ Accordingly, the projection 1200 can reduce the force due to the friction between the base and the outer surface of the support pin 120 or the chucking pin 140.

또한, 전방 영역(A)에는 돌기(1200)가 형성되고, 후방 영역(B)에는 요철 구조가 생략될 수 있다.Further, the protrusion 1200 may be formed in the front region A, and the concave-convex structure may be omitted in the rear region B.

또한, 지지핀(120) 또는 척킹핀(140)에는 요철 구조가 형성됨에 따라 기체의 의해 작용하는 힘 및 힘에 의한 진동이 줄어들어, 내측에 공간이 형성되어도 파손되는 것이 방지될 수 있다.Also, since the supporting pin 120 or the chucking pin 140 has a concavo-convex structure, the vibration due to the force and the force acting by the gas is reduced, and even if a space is formed in the inside, the damage can be prevented.

이하, 지지핀(120)과 척킹핀(140)의 내측에는 공간에 형성된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나, 지지핀(120) 및 척킹핀(140) 가운데 하나만 내측에 공간이 형성되게 제공될 수 도 있다.Hereinafter, the support pins 120 and the chucking pins 140 are formed in a space in the inner side. However, only one of the support pin 120 and the chucking pin 140 may be provided to have a space formed therein.

도 5는 도 1의 지지핀의 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view of the support pin of Figure 1;

도 5를 참조하면, 지지핀(120)은 핀 설치부(121) 및 핀 지지부(122)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the support pin 120 includes a pin mounting portion 121 and a pin support portion 122.

핀 설치부(121)는 지지핀(120)의 하부에 제공된다. 핀 설치부(121)는 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 핀 설치부(121)는 원기둥, 다각형 기둥 등의 형상으로 제공될 수 있다. 핀 설치부(121)는 스핀 헤드(111)의 상부에 삽입되는 방식으로 지지핀(120)이 스핀 헤드(111)에 설치되게 한다.The pin mounting portion 121 is provided below the support pin 120. The pin mounting portion 121 may be provided in a columnar shape. For example, the pin mounting portion 121 may be provided in a shape of a cylinder, a polygonal column, or the like. The pin mounting portion 121 allows the support pin 120 to be installed on the spin head 111 in such a manner as to be inserted into the upper portion of the spin head 111.

핀 지지부(122)는 핀 설치부(121)의 상단에서 위쪽으로 연장되어 형성된다. 핀 지지부(122)는 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 핀 설치부(121)는 원기둥, 다각형 기둥 등의 형상으로 제공될 수 있다. 핀 지지부(122)의 상부는 하부에 비해 횡단면의 면적이 작게 형성될 수 있다. 일 예로, 핀 지지부(122)의 상부는 위쪽으로 갈수록 횡단면의 면적이 좁아지도록 형성될 수 있다. 핀 지지부(122)는 전부 또는 일부가 스핀 헤드(111)의 위쪽으로 노출되어, 그 상단이 기판의 저면을 지지한다.The pin supporting portion 122 is formed so as to extend upward from the upper end of the pin mounting portion 121. The pin support portion 122 may be provided in a columnar shape. For example, the pin mounting portion 121 may be provided in a shape of a cylinder, a polygonal column, or the like. The upper portion of the pin support portion 122 may be formed to have a smaller cross-sectional area than the lower portion. For example, the upper portion of the pin support portion 122 may be formed so that the cross-sectional area becomes narrower toward the upper side. All or a part of the pin supporting portion 122 is exposed above the spin head 111, and the upper end thereof supports the bottom surface of the substrate.

지지핀(120)에는 핀 설치부(121)와 핀 지지부(122)가 연결되는 부분에 핀 고정부(123)가 형성될 수 있다. 핀 고정부(123)는 지지핀(120)의 외면에서 반경방향으로 연장 형성될 수 있다. 핀 고정부(123)는 외측 둘레가 원형, 다각형 등의 형상을 가질 수 있다. 핀 고정부(123)는 스핀 헤드(111)의 상면 또는 스핀 헤드(111)의 내측에 위치되어, 지지핀(120)이 상하로 요동하는 것을 방지할 수 있다.The support pin 120 may be formed with a pin fixing portion 123 at a portion where the pin mounting portion 121 and the pin supporting portion 122 are connected. The pin fixing portion 123 may extend radially from the outer surface of the support pin 120. The pin fixing portion 123 may have a circular or polygonal shape on its outer periphery. The pin fixing portion 123 is positioned on the upper surface of the spin head 111 or the inside of the spin head 111 to prevent the support pin 120 from swinging up and down.

지지핀(120)은 내측에 공간이 형성된 중공 형상으로 제공된다. 내측 공간은 지지핀(120)의 상부에 형성될 수 있다. 일 예로, 내측 공간은 핀 지지부(122)에 형성될 수 있다. 또한, 내측 공간은 지지핀(120)의 상부에서 하부에 걸쳐 형성될 수 있다. 예를 들어, 내측 공간은 핀 설치부(121)와 핀 지지부(122)에 걸쳐 형성될 수 있다. 내측 공간은 공기, 불활성 가스 등이 충전 된 상태일 수 있다. 내측 공간은 중심축을 기준으로 상하 방향으로 동일 폭을 가질 수 있다. 기판이 액에 의해 처리되는 정도는 온도에 의존 적이다. 이는 액과 기판의 반응성이 온도에 따라 달라지는 것에 기인한다. 따라서 기판의 영역별로 온도가 달라지면, 그에 따라 기판의 영역별로 액에 의한 처리 정도가 달라져 기판 처리의 균일성이 저하된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 지지핀(120)에 내측 공간이 형성되어, 기판과 지지핀(120) 사이의 열전달 정도가 감소된다. 따라서, 기판에서 지지핀(120)과 접하는 부분과 그 주위와의 온도 차가 감소되어, 기판 처리의 균일 성이 향상될 수 있다. 또한, 내측 공간은 진공 상태로 제공될 수 있다. 내측 공간이 진공으로 제공되면, 공기 등에 의해 이루어 지는 열전도가 추가로 차단될 수 있다.The support pin 120 is provided in a hollow shape having a space formed therein. The inner space may be formed on the upper portion of the support pin 120. In one example, the inner space may be formed in the pin support 122. Further, the inner space may be formed from the upper portion to the lower portion of the support pin 120. For example, the inner space may be formed across the pin mounting portion 121 and the pin supporting portion 122. The inner space may be filled with air, inert gas, or the like. The inner space may have the same width in the vertical direction with respect to the central axis. The extent to which the substrate is treated by the liquid is temperature dependent. This is due to the temperature-dependent reactivity of the liquid and the substrate. Therefore, if the temperature varies according to the region of the substrate, the degree of processing by the liquid varies depending on the region of the substrate, thereby lowering the uniformity of the substrate processing. In the substrate processing apparatus according to the present invention, the inner space is formed in the support pin 120, so that the degree of heat transfer between the substrate and the support pin 120 is reduced. Therefore, the temperature difference between the portion of the substrate that contacts the support pin 120 and the periphery thereof is reduced, and the uniformity of the substrate processing can be improved. Further, the inner space may be provided in a vacuum state. When the inner space is provided with a vacuum, thermal conduction caused by air or the like can be further blocked.

도 6은 다른 실시 예에 따른 지지핀을 나타내는 도면이다.6 is a view showing a support pin according to another embodiment.

도 6을 참조하면, 지지핀(120a)은 핀 설치부(121a) 및 핀 지지부(122a)를 포함한다.Referring to Fig. 6, the support pin 120a includes a pin attachment portion 121a and a pin support portion 122a.

지지핀(120a)의 내측에는 공간이 형성되고 지지핀(120a)이 하단까지 연장되어, 지지핀(120a)의 하단은 개방된 형상으로 제공된다. 또한, 지지핀(120a)에는 도 2의 지지핀(120)과 유사하게 핀 고정부(123a)가 형성될 수 있다. 지지핀(120a)에 형성된 공간이 지지핀(120a) 하단까지 연장되는 점 이외에 지지핀(120a)의 구성은 도 2의 지지핀(120)과 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.A space is formed inside the support pin 120a and the support pin 120a extends to the lower end and the lower end of the support pin 120a is provided in an open shape. The support pin 120a may have a pin fixing portion 123a similar to the support pin 120 of FIG. The structure of the support pin 120a is similar to that of the support pin 120 of FIG. 2 except that the space formed in the support pin 120a extends to the lower end of the support pin 120a.

도 7은 도 1의 척킹핀의 단면도이다.Figure 7 is a cross-sectional view of the chuck king pin of Figure 1;

도 7을 참조하면, 척킹핀(140)은 설치부(141) 및 지지부(142)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the chucking pin 140 includes a mounting portion 141 and a supporting portion 142.

설치부(141)는 척킹핀(140)의 하부에 제공된다. 설치부(141)는 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 설치부(141)는 원기둥, 다각형 기둥 등의 형상으로 제공될 수 있다. 설치부(141)는 스핀 헤드(111)의 상부에 삽입되는 방식으로 척킹핀(140)이 스핀 헤드(111)에 설치되게 한다. 또한, 설치부(141)는 척킹핀(140) 구동을 위한 장치에 연결될 수 있다.The mounting portion 141 is provided below the chucking pins 140. The mounting portion 141 may be provided in a columnar shape. For example, the mounting portion 141 may be provided in the shape of a cylinder, a polygonal column, or the like. The mounting portion 141 allows the chucking pin 140 to be installed on the spin head 111 in a manner that the mounting portion 141 is inserted into the upper portion of the spin head 111. Further, the mounting portion 141 may be connected to a device for driving the chucking pins 140.

지지부(142)는 설치부(141)의 상단에서 위쪽으로 연장되어 형성된다. 지지부(142)는 기둥 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 설치부(141)는 원기둥, 다각형 기둥 등의 형상으로 제공될 수 있다. 지지부(142)는 전부 또는 일부가 스핀 헤드(111)의 위쪽으로 노출되어, 그 상부가 기판의 측면, 또는 기판이 측면과 저면 일부를 지지한다.The support portion 142 is formed to extend upward from the upper end of the mounting portion 141. The support portion 142 may be provided in a columnar shape. For example, the mounting portion 141 may be provided in the shape of a cylinder, a polygonal column, or the like. All or a part of the support portion 142 is exposed above the spin head 111 so that the upper portion thereof supports the side surface of the substrate or a part of the side and the bottom surface of the substrate.

지지부(142)의 상부에는 기판을 지지하기 위한 지지홈(143)이 형성된다. 지지홈(143)은 기판의 측면 또는 기판이 측면과 저면 일부를 지지할 수 있는 형상으로 제공된다. 일 예로, 지지홈(143)은 내측으로 만입된 홈 형상, 단차진 계단 형상 등으로 제공될 수 있다. A support groove 143 for supporting the substrate is formed on the support portion 142. The support groove 143 is provided in a shape such that it can support the side surface of the substrate or a part of the side surface and the bottom surface of the substrate. For example, the support groove 143 may be provided as an inwardly recessed groove, a stepped stepped shape, or the like.

척킹핀(140)에는 설치부(141)와 지지부(142)가 연결되는 부분에 고정부(145)가 형성될 수 있다. 고정부(145)는 척킹핀(140)의 외면에서 반경방향으로 연장 형성될 수 있다. 고정부(145)는 외측 둘레가 원형, 다각형 등의 형상을 가질 수 있다. 고정부(145)는 스핀 헤드(111)의 상면 또는 스핀 헤드(111)의 내측에 위치되어, 척킹핀(140)이 상하로 요동하는 것을 방지할 수 있다.The fixing portion 145 may be formed at a portion of the chucking pin 140 where the mounting portion 141 and the supporting portion 142 are connected. The fixing portion 145 may extend in the radial direction from the outer surface of the chucking pin 140. The fixing portion 145 may have a circular or polygonal shape on its outer periphery. The fixing portion 145 is located on the upper surface of the spin head 111 or the inside of the spin head 111 to prevent the chucking pins 140 from swinging up and down.

척킹핀(140)은 내측에 공간이 형성된 중공 형상으로 제공된다. 내측 공간은 척킹핀(140)의 상부에 형성될 수 있다. 일 예로, 내측 공간은 지지부(142)에 형성될 수 있다. 또한, 내측 공간은 척킹핀(140)의 상부에서 하부에 걸쳐 형성될 수 있다. 예를 들어, 내측 공간은 설치부(141)와 지지부(142)에 걸쳐 형성될 수 있다. 내측 공간은 공기, 불활성 가스 등이 충전 된 상태일 수 있다. 내측 공간은 중심축을 기준으로 상하 방향으로 동일 폭을 가질 수 있다. 기판이 액에 의해 처리되는 정도는 온도에 의존 적이다. 이는 액과 기판의 반응성이 온도에 따라 달라지는 것에 기인한다. 따라서 기판의 영역별로 온도가 달라지면, 그에 따라 기판의 영역별로 액에 의한 처리 정도가 달라져 기판 처리의 균일성이 저하된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 척킹핀(140)에 내측 공간이 형성되어, 기판과 척킹핀(140) 사이의 열전달 정도가 감소된다. 따라서, 기판에서 척킹핀(140)과 접하는 부분과 그 주위와의 온도 차가 감소되어, 기판 처리의 균일성이 향상될 수 있다. 또한, 내측 공간은 진공 상태로 제공될 수 있다. 내측 공간이 진공으로 제공되면, 공기 등에 의해 이루어 지는 열전도가 추가로 차단될 수 있다.The chucking pins 140 are provided in a hollow shape having an inner space. The inner space may be formed on the upper portion of the chucking pin 140. In one example, the inner space may be formed in the support 142. Further, the inner space may be formed from the upper portion to the lower portion of the chucking pin 140. For example, the inner space may be formed across the mounting portion 141 and the support portion 142. [ The inner space may be filled with air, inert gas, or the like. The inner space may have the same width in the vertical direction with respect to the central axis. The extent to which the substrate is treated by the liquid is temperature dependent. This is due to the temperature-dependent reactivity of the liquid and the substrate. Therefore, if the temperature varies according to the region of the substrate, the degree of processing by the liquid varies depending on the region of the substrate, thereby lowering the uniformity of the substrate processing. In the substrate processing apparatus according to the present invention, an inner space is formed in the chucking pins 140, so that the degree of heat transfer between the substrate and the chucking pins 140 is reduced. Therefore, the temperature difference between the portion of the substrate that is in contact with the chucking pins 140 and the periphery thereof is reduced, and the uniformity of the substrate processing can be improved. Further, the inner space may be provided in a vacuum state. When the inner space is provided with a vacuum, thermal conduction caused by air or the like can be further blocked.

척킹핀(140)에서 내부 공간과 외면 사이의 두께는 영역별로 상이하게 형성될 수 잇다. 구체적으로, 척킹핀(140)에서 기판과 접하는 부분에 비해 기판과 접하는 부분과 마주보는 부분의 두께가 두껍게 형성될 있다. 스핀 헤드(111)가 회전 되는 과정에서 척킹핀(140)에는 기판에 의해 반향 방향 외측으로 향하는 힘이 작용하고, 이는 척킹핀(140)의 파손을 야기할 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 척킹핀(140)에서 기판과 접하는 부분에 비해 기판과 접하는 부분과 마주보는 부분의 두께가 두껍게 형성되어, 위와 같은 힘에 의해 척킹핀(140)이 파손되는 것이 방지될 수 있다.The thickness between the inner space and the outer surface in the chucking pin 140 may be different for each region. Specifically, the portion of the chucking pin 140 that is in contact with the substrate and the portion of the chucking pin 140 that faces the substrate are thicker than the portion of the chucking pin 140 that is in contact with the substrate. During the rotation of the spin head 111, a force directed toward the outward direction by the substrate acts on the chucking pin 140, which may cause breakage of the chucking pin 140. On the other hand, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the portion of the chucking pin 140 that is in contact with the substrate and the portion of the chucking pin 140 that is in contact with the substrate are thicker than the portion of the chucking pin 140 that is in contact with the substrate, and the chucking pin 140 is broken Can be prevented.

도 8은 다른 실시 예에 따른 척킹핀을 나타내는 도면이다.8 is a view showing a chucking pin according to another embodiment.

도 8을 참조하면, 척킹핀(140a)은 설치부(141a) 및 지지부(142a)를 포함한다.Referring to Fig. 8, the chucking pin 140a includes a mounting portion 141a and a supporting portion 142a.

척킹핀(140a)의 내측에는 공간이 형성되고, 설치부(141a)에는 보강부(144a)가 형성되어 상하를 향하는 중심 축을 기준으로 비대칭 구조를 가질 수 있다. 보강부(144a)는 척킹핀(140)에서 기판과 접하는 부분과 마주보는 부분에 형성된다. 보강부(144a)는 외측으로 돌출되는 형상으로 제공되어, 내측 공간과 척킹핀(140a)의 외면 사이의 두께를 증가 시킨다. 척킹핀(140a)은 보강부(144a)에 의해 중심축을 기준으로 기판과 마주보는 내측에 비해 외측의 두께가 두껍게 형성된다. 따라서, 스핀 헤드(111)가 회전되는 과정에서 척킹핀(140a)에 기판(W)에 의한 힘이 작용하여도, 척킹핀(140a)이 파손되는 것이 방지될 수 있다.A space is formed on the inner side of the chucking pin 140a and a reinforcing portion 144a is formed on the mounting portion 141a so as to have an asymmetric structure with respect to the central axis oriented up and down. The reinforcing portion 144a is formed at a portion of the chucking pin 140 facing the portion in contact with the substrate. The reinforcing portion 144a is provided in an outwardly projecting shape to increase the thickness between the inner space and the outer surface of the chucking pin 140a. The chucking pin 140a is formed thicker on the outer side than the inner side facing the substrate with respect to the central axis by the reinforcing portion 144a. Therefore, even if a force is applied to the chucking pin 140a by the substrate W during the rotation of the spin head 111, the chucking pin 140a can be prevented from being damaged.

척킹핀(140a)에 보강부(144a)가 제공되는 점 외에, 설치부(141a) 및 지지부(142a)의 구성, 지지홈(143a), 고정부(145a)가 형성될 수 있는 점은 도 4의 척킹핀(140)과 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.The configuration of the mounting portion 141a and the supporting portion 142a and the supporting groove 143a and the fixing portion 145a can be formed in addition to the point that the reinforcing portion 144a is provided on the chucking pin 140a, And therefore the repeated description is omitted.

도 9는 또 다른 실시 예에 따른 척킹핀을 나타내는 도면이다.9 is a view showing a chucking pin according to still another embodiment.

도 9를 참조하면, 척킹핀(140b)은 설치부(141b) 및 지지부(142b)를 포함한다.Referring to Fig. 9, the chucking pin 140b includes a mounting portion 141b and a supporting portion 142b.

척킹핀(140b)의 상단부에는 연통부(144b)가 형성된다. 연통부(144b)는 척킹핀(140)의 상단에서 아래쪽으로 들어간 홈, 척킹핀(140)의 상단부에 형성된 홀 형상 등으로 형성된다. 연통부(144b)는 하단이 지지홈(143b)과 인접하게 위치된다. 따라서, 척킹핀(140b)이 기판을 지지하면, 연통부(144b)는 기판의 상면과 인접할 수 있다. 연통부(144b)는 반경 방향을 향하도록 형성된다. 따라서, 연통부(144b)의 일측은 척킹핀(140)에서 기판과 접하는 부분에 위치되고, 타측은 스핀 헤드(111)의 외측을 향한다. 연통부(144b)는 척킹핀(140b)이 기판에 도포된 액이 외측으로 이동되는 것을 방해하는 것을 완화한다. 따라서, 기판에서 척킹핀(140b)과 인접하는 부분과 그 주의 부분 사이에 기판에 잔류하는 액의 양에 편차가 발생하는 것을 차단하여, 기판 처리의 균일성이 향상된다.A communicating portion 144b is formed at the upper end of the chucking pin 140b. The communicating portion 144b is formed in a groove formed downward from the upper end of the chucking pin 140, a hole formed in the upper end of the chucking pin 140, or the like. The lower end of the communication portion 144b is positioned adjacent to the support groove 143b. Therefore, when the chucking pin 140b supports the substrate, the connecting portion 144b can be adjacent to the upper surface of the substrate. The communicating portion 144b is formed to face in the radial direction. Therefore, one side of the communicating portion 144b is located at a portion in contact with the substrate in the chucking pin 140, and the other side is directed to the outside of the spin head 111. The communicating portion 144b relieves the chucking pin 140b from obstructing the liquid applied to the substrate from moving outward. Therefore, deviation in the amount of liquid remaining on the substrate between the portion adjacent to the chucking pin 140b and the portion of the substrate adjacent to the chucking pin 140b is prevented, and the uniformity of the substrate processing is improved.

척킹핀(140b)에 연통부(144b)가 제공되는 점 외에, 설치부(141b) 및 지지부(142b)의 구성, 고정부(145b)가 형성될 수 있는 점은 도 4, 도 5의 척킹핀(140, 140a)과 유사하므로 반복된 설명은 생략한다. 또한, 연통부(144b)와 도 5의 실시 예에 따른 보강부(144a)가 함께 제공되는 경우, 연통부(144b)는 기판과 접하는 부분에서 보강부(144a)의 단부까지 반경 방향으로 형성된다.The configuration of the mounting portion 141b and the supporting portion 142b and the fixing portion 145b can be formed in addition to the point that the connecting portion 144b is provided to the chucking pin 140b, (140, 140a), so repeated description is omitted. When the communicating portion 144b and the reinforcing portion 144a according to the embodiment of FIG. 5 are provided together, the communicating portion 144b is formed in a radial direction from the portion in contact with the substrate to the end portion of the reinforcing portion 144a .

도 10은 또 다른 실시 예에 따른 척킹핀을 나타내는 도면이다.10 is a view showing a chucking pin according to still another embodiment.

도 10을 참조하면, 척킹핀(140c)은 설치부(141c) 및 지지부(142c)를 포함한다.Referring to Fig. 10, the chucking pin 140c includes a mounting portion 141c and a supporting portion 142c.

척킹핀(140c)의 내측에는 공간이 형성되고 척킹핀(140c)이 하단까지 연장되어, 척킹핀(140c)의 하단은 개방된 형상으로 제공된다. 또한, 척킹핀(140c)에는 도 4 내지 6의 척킹핀(140, 140a, 140b)과 유사하게 고정부(145c)가 형성될 수 있다. 척킹핀(140c)에 형성된 공간이 척킹핀(140c) 하단까지 연장되는 점 이외에 척킹핀(140c)의 구성은 도 4 내지 도 6의 척킹핀(140, 140a, 140b)과 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.A space is formed inside the chucking pin 140c and a chucking pin 140c is extended to the lower end so that the lower end of the chucking pin 140c is provided in an open shape. Also, the fixing portion 145c may be formed on the chucking pin 140c similarly to the chucking pins 140, 140a, 140b of Figs. The configuration of the chucking pin 140c is similar to that of the chucking pins 140, 140a, 140b of FIGS. 4 to 6 except that the space formed in the chucking pin 140c extends to the lower end of the chucking pin 140c. It is omitted.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 지지부재 111: 스핀 헤드
120: 지지핀 140: 척킹핀
200: 노즐부재 210: 액 공급 노즐
220: 노즐 이동부100: support member 111: spin head
120: Support pin 140: Chuck king pin
200: nozzle member 210: liquid supply nozzle
220: nozzle moving part

Claims (22)

삭제delete 삭제delete 회전 가능하게 제공되는 스핀 헤드;
상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축;
상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 기판을 지지하고 외측면에 요철 구조가 형성된 핀; 및
상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함하되
상기 요철 구조는 홈의 형상으로 제공되고,
상기 홈은 상기 핀에서 상기 스핀 헤드의 중심을 향한 반경 방향을 기준으로, 상기 스핀 헤드의 회전 방향을 향하는 전방 영역과 상기 스핀 헤드의 회전 방향과 반대 방향을 향하는 후방 영역 중 상기 후방 영역에만 형성되는 기판 처리 장치.A spin head rotatably provided;
A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head;
A pin located on an upper surface of the spin head and supporting the substrate and having a concave-convex structure on an outer surface thereof; And
And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head
The concavoconvex structure is provided in the shape of a groove,
The groove is formed only in the rear region of the pin, the front region facing the rotation direction of the spin head and the rear region facing the direction opposite to the rotation direction of the spin head with reference to the radial direction of the spin head toward the center thereof / RTI > 삭제delete 회전 가능하게 제공되는 스핀 헤드;
상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축;
상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 기판을 지지하고 외측면에 요철 구조가 형성된 핀; 및
상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함하되
상기 요철 구조는 돌기의 형상으로 제공되고,
상기 돌기는 상기 핀에서 상기 스핀 헤드의 중심을 향한 반경 방향을 기준으로 상기 스핀 헤드의 회전 방향을 향하는 전방 영역과 상기 스핀 헤드의 회전 방향과 반대 방향을 향하는 후방 영역 중 상기 전방 영역에만 형성되는 기판 처리 장치.A spin head rotatably provided;
A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head;
A pin located on an upper surface of the spin head and supporting the substrate and having a concave-convex structure on an outer surface thereof; And
And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head
The concave-convex structure is provided in the form of a projection,
Wherein the protrusion is formed only in the front region, of the front region facing the rotational direction of the spin head and the rear region facing the rotational direction of the spin head with respect to the radial direction of the spin head toward the center of the pin, Processing device. 회전 가능하게 제공되는 스핀 헤드;
상기 스핀 헤드의 하부에 연결되어 상기 스핀 헤드를 지지하는 지지축;
상기 스핀 헤드의 상면에 위치되어 기판을 지지하고 외측면에 요철 구조가 형성된 핀; 및
상기 스핀 헤드에 위치된 기판으로 액을 공급하는 노즐부재를 포함하되
상기 요철 구조는 홈과 돌기의 형상으로 제공되고,
상기 핀에서 상기 스핀 헤드의 중심을 향한 반경 방향을 기준으로 상기 스핀 헤드의 회전 방향을 향하는 전방 영역과 상기 스핀 헤드의 회전 방향과 반대 방향을 향하는 후방 영역 중 상기 홈은 상기 후방 영역에만 제공되고, 상기 돌기는 상기 전방 영역에만 제공되는 기판 처리 장치.A spin head rotatably provided;
A support shaft connected to a lower portion of the spin head to support the spin head;
A pin located on an upper surface of the spin head and supporting the substrate and having a concave-convex structure on an outer surface thereof; And
And a nozzle member for supplying a liquid to the substrate positioned in the spin head
The concave-convex structure is provided in the form of a groove and a projection,
Wherein the groove is provided only in the rear region, the front region facing the rotational direction of the spin head with respect to the radial direction of the pin toward the center of the spin head, and the rear region facing the rotational direction opposite to the rotational direction of the spin head, Wherein the projections are provided only in the front region. 제3항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 핀의 내측에는 공간이 형성되는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 3, 5 and 6,
And a space is formed inside the fin. 제7항에 있어서,
상기 핀에 내측에 형성된 상기 공간은 상기 핀의 하단까지 연장되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
And the space formed inside the fin extends to a lower end of the fin. 제8항에 있어서,
상기 공간에는 공기가 채워지는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the space is filled with air. 제7항에 있어서,
상기 핀의 내측에 형성된 상기 공간은 진공으로 제공되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the space formed inside the fin is provided in a vacuum. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020160180165A 2016-12-27 2016-12-27 Substrate treating apparatus KR101994423B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160180165A KR101994423B1 (en) 2016-12-27 2016-12-27 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160180165A KR101994423B1 (en) 2016-12-27 2016-12-27 Substrate treating apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190061284A Division KR102099883B1 (en) 2019-05-24 2019-05-24 Substrate treating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180076072A KR20180076072A (en) 2018-07-05
KR101994423B1 true KR101994423B1 (en) 2019-07-01

Family

ID=62920645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160180165A KR101994423B1 (en) 2016-12-27 2016-12-27 Substrate treating apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101994423B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112820689B (en) * 2021-01-06 2022-10-18 长鑫存储技术有限公司 Floating pin, wafer bearing device and deposition equipment
US12119257B2 (en) 2021-01-06 2024-10-15 Changxin Memory Technologies, Inc. Floating pin, wafer carrying device and depositing apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165643A (en) * 2002-10-25 2004-06-10 Tokyo Electron Ltd Substrate alignment apparatus, substrate processing apparatus, and substrate transfer apparatus
JP2007142077A (en) 2005-11-17 2007-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-treating device and substrate treatment method
JP2007173458A (en) 2005-12-21 2007-07-05 Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies Guide mechanism
JP2008047629A (en) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for processing substrate
JP2009038231A (en) * 2007-08-02 2009-02-19 Tokyo Electron Ltd Substrate supporting mechanism, decompression drying apparatus, and substrate processor
JP2010062403A (en) * 2008-09-05 2010-03-18 Oki Semiconductor Co Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100947480B1 (en) * 2007-10-08 2010-03-17 세메스 주식회사 Spin head, chuck pin used in the spin head, and method for treating a substrate with the spin head
KR101100281B1 (en) * 2010-04-19 2011-12-30 세메스 주식회사 Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165643A (en) * 2002-10-25 2004-06-10 Tokyo Electron Ltd Substrate alignment apparatus, substrate processing apparatus, and substrate transfer apparatus
JP2007142077A (en) 2005-11-17 2007-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-treating device and substrate treatment method
JP2007173458A (en) 2005-12-21 2007-07-05 Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies Guide mechanism
JP2008047629A (en) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for processing substrate
JP2009038231A (en) * 2007-08-02 2009-02-19 Tokyo Electron Ltd Substrate supporting mechanism, decompression drying apparatus, and substrate processor
JP2010062403A (en) * 2008-09-05 2010-03-18 Oki Semiconductor Co Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180076072A (en) 2018-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101895933B1 (en) Substrate treating apparatus
KR101388441B1 (en) Chuck pin for spin chuck device
KR101994423B1 (en) Substrate treating apparatus
JP2018113354A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100862912B1 (en) Device for processing substrate
JP4619144B2 (en) Substrate processing equipment
WO2020054424A1 (en) Application-film forming method and application-film forming device
JP2018056201A (en) Substrate processing method
KR102239954B1 (en) Application method
US20160111302A1 (en) Systems and Methods for Wet Processing Substrates with Rotating Splash Shield
JP6491900B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20190060741A (en) Substrate treating apparatus
TWI649831B (en) Substrate processing device, substrate processing method, and memory medium
JP6416652B2 (en) Substrate processing equipment
JP2007335587A (en) Substrate treatment equipment
JP2013235957A (en) Resist application device and resist application method
KR102550000B1 (en) Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function
KR20180098132A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20140044132A (en) Spin head, substrate treating apparatus including the spin head and substrate treating method for using the apparatus
JP6405259B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6771080B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
JP6442361B2 (en) Substrate processing equipment
TWI734320B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6563098B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100870244B1 (en) Apparatus for drying substrates using isopropyl alcohol

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant