KR102550000B1 - Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function - Google Patents
Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function Download PDFInfo
- Publication number
- KR102550000B1 KR102550000B1 KR1020210101811A KR20210101811A KR102550000B1 KR 102550000 B1 KR102550000 B1 KR 102550000B1 KR 1020210101811 A KR1020210101811 A KR 1020210101811A KR 20210101811 A KR20210101811 A KR 20210101811A KR 102550000 B1 KR102550000 B1 KR 102550000B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- grip
- spin chuck
- floating
- grip pin
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 관한 것이다.
본 발명은 스핀척 몸체, 상기 스핀척 몸체의 상면의 가장자리를 따라 복수개로 구비되어 상기 기판의 측면을 그립(grip)하는 그립 핀, 상기 스핀척 몸체의 하면에 회전 가능하게 결합되어 있으며 상기 그립 핀과의 기어 결합을 통해 상기 그립 핀을 회전시키는 휠 기어, 상기 스핀척 몸체를 회전시켜 상기 그립 핀에 의해 그립된 기판을 회전시키는 스핀들 및 상기 기판의 하면에 상기 기판을 플로팅(floating)하기 위한 플로팅 가스를 공급하는 플로팅 가스 공급부를 포함하고, 상기 그립 핀을 구성하는 그립핀 몸체의 상단부에는 상기 기판의 측면을 그립하기 위한 그립 돌기가 상기 그립핀 몸체의 중심축에서 편향된 위치에 형성되어 있고, 상기 그립 돌기에는 상기 스핀척 몸체와 함께 회전하는 기판의 상하 방향으로의 플로팅 범위를 제한하는 플로팅 제한 홈이 형성되어 있다.
본 발명에 따르면, 기판이 상하 방향으로 플로팅(floating)되는 범위를 제어함으로써 스핀 척 장치의 구성요소들 중에서 기판의 측면에 접촉하여 기판을 지지하는 그립 핀의 마모량을 줄이고 기판 와블링(wobbling)에 의한 공정 불량을 방지할 수 있다.The present invention relates to a spin chuck device with an improved substrate support function.
The present invention relates to a spin chuck body, a plurality of grip pins provided along the edge of the upper surface of the spin chuck body to grip the side surface of the substrate, and rotatably coupled to the lower surface of the spin chuck body, the grip pins A wheel gear for rotating the grip pin through gear engagement with a spindle for rotating the substrate gripped by the grip pin by rotating the spin chuck body, and a float for floating the substrate on the lower surface of the substrate A floating gas supply unit for supplying gas, and a grip protrusion for gripping a side surface of the substrate is formed at an upper end of a grip pin body constituting the grip pin at a position biased from a central axis of the grip pin body. A floating limiting groove is formed on the grip protrusion to limit a floating range of the substrate rotating together with the spin chuck body in the vertical direction.
According to the present invention, by controlling the range in which the substrate floats in the vertical direction, the amount of wear of the grip pin that contacts the side surface of the substrate and supports the substrate among the components of the spin chuck device is reduced, and the substrate wobbling is reduced. process defects can be prevented.
Description
본 발명은 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 기판이 상하 방향으로 플로팅(floating)되는 범위를 제어함으로써 스핀 척의 구성요소들 중에서 기판의 측면에 접촉하여 기판을 지지하는 그립 핀의 마모량을 줄이고 기판 와블링(wobbling)에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a spin chuck device with an improved substrate support function. More specifically, the present invention controls the range in which the substrate floats in the vertical direction, thereby reducing the wear amount of the grip pins that contact the side surface of the substrate and supporting the substrate, among the components of the spin chuck, to reduce substrate wobbling. It relates to a spin chuck device with an improved substrate support function capable of preventing process defects due to
일반적으로, 반도체 소자는 기판, 실리콘 기판 등을 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조 시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In general, a semiconductor device may be manufactured by repeatedly performing deposition, photography, and etching processes using a substrate, a silicon substrate, or the like. During the processes, contaminants such as various particles, metal impurities, and organic impurities may remain on the substrate. Since contaminants adversely affect the yield and reliability of semiconductor devices, a cleaning process for removing contaminants remaining on a substrate is necessarily performed during semiconductor manufacturing.
세정 공정에서 사용되는 세정 방식은 크게 건식 세정 방식 및 습식 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 여러 가지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 세정하는 배치식(batch type) 세정 방식과 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식(single wafer type) 세정 방식으로 구분될 수 있다.The cleaning method used in the cleaning process can be largely divided into a dry cleaning method and a wet cleaning method. Among them, the wet cleaning method is a cleaning method using various chemicals, and is a batch type cleaning a plurality of substrates at the same time. It can be divided into a cleaning method and a single wafer type cleaning method in which substrates are cleaned in units of sheets.
배치식 세정 방식은 정조에 복수의 기판을 한꺼번에 침지시켜서 오염원을 제거한다. 그러나, 기존의 배치식 세정 방식은 기판의 대형화 추세에 대한 대응이 용이하지 않고, 세정액 사용량이 많다는 단점이 있다. 또한, 배치식 세정 방식은 세정 공정 중에 기판이 파손될 경우 세정조 내에 있는 기판 전체에 영향을 미치게 되므로 다량의 기판 불량이 발생할 수 있는 위험이 있기 때문에, 최근에는 매엽식 세정 방식이 선호되고 있다.The batch-type cleaning method removes contamination sources by immersing a plurality of substrates in a cleaning bath at once. However, the existing batch-type cleaning method has disadvantages in that it is not easy to respond to the trend of increasing the size of the substrate and that the amount of cleaning liquid is large. In addition, since the batch-type cleaning method affects the entire substrate in the cleaning tank when the substrate is damaged during the cleaning process, there is a risk that a large number of substrate defects may occur. Recently, the single-wafer cleaning method is preferred.
매엽식 세정 방식은 한장 단위로 기판을 처리하는 방식으로서, 고속으로 회전중인 기판의 표면에 세정액을 분사함으로써, 기판의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.The single-wafer cleaning method is a method of processing substrates in units of one sheet, and is a spin method that removes contaminants by spraying a cleaning solution on the surface of a substrate rotating at high speed using the centrifugal force caused by the rotation of the substrate and the pressure caused by the spraying of the cleaning solution. Cleaning is performed by the spinning method.
일반적으로, 매엽식 세정을 수행하는 장치는 기판이 수용되어 세정 공정이 수행되는 챔버와 기판을 고정시킨 상태로 회전하는 스핀 척 및 기판에 약액과 린스액 및 건조가스 등을 포함하는 세정액을 공급하기 위한 노즐 어셈블리를 포함하고, 스핀 척은 척 몸체 및 척 몸체의 상면에 설치되어 회전하는 기판의 측면을 그립하여 지지하는 복수의 그립 핀을 포함하여 구성된다.In general, an apparatus for performing single-wafer cleaning includes a chamber in which a substrate is accommodated and a cleaning process is performed, a spin chuck that rotates while the substrate is fixed, and a cleaning liquid including a chemical liquid, a rinse liquid, and a drying gas to supply the substrate. The spin chuck includes a chuck body and a plurality of grip pins installed on an upper surface of the chuck body to grip and support a side surface of a rotating substrate.
이러한 종래 기술에 따르면, 기판의 회전 과정에서 그립 핀이 기판의 측면에서 슬립되는 등의 이유로 기판이 흔들리는 와블링(wobbling) 현상이 발생하여 공정 불량을 유발할 가능성이 있다는 문제점이 있다.According to this prior art, there is a problem in that a wobbling phenomenon occurs in which the substrate is shaken due to a grip pin slipping on the side of the substrate during rotation of the substrate, which may cause process defects.
이러한 문제점을 종래 기술에 따른 기판 처리 과정을 나타낸 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.These problems will be described with reference to FIG. 1 showing a substrate processing process according to the prior art.
도 1을 참조하면, 그립 핀에 의해 측면이 그립된 기판이 회전하는 상태에서 약액 등을 이용하여 기판을 처리하는 공정이 수행되며, 이러한 공정 중에 기판의 하면에는 기판을 플로팅(floating)하기 위한 플로팅 가스가 일정 유량으로 공급된다.Referring to FIG. 1, a process of treating the substrate using a chemical solution or the like is performed in a state in which the substrate whose side surface is gripped by the grip pin rotates, and during this process, a floating plate for floating the substrate is placed on the lower surface of the substrate. Gas is supplied at a constant flow rate.
이러한 공정 중에, 기판이 고속 회전하는 경우보다 상대적으로 저속하는 경우 기판은 더 높게 플로팅되는데, 이러한 기판 플로팅 과정에서 기판 레벨링(leveling)에 불량이 발생하여 기판이 흔들리는 와블링(wobbling) 현상이 발생하여 공정 불량을 유발할 가능성이 있다는 문제점이 있다.During this process, the substrate floats higher when the substrate rotates at a relatively low speed than when the substrate rotates at a high speed. There is a problem that there is a possibility of causing process defects.
이러한 와블링 현상은 기판이 접촉되는 그립 핀의 표면을 마모시켜 와블링 문제를 심화시키고, 심한 경우 기판을 그립 핀으로부터 이탈시켜 공정 중단을 초래하는 문제점이 있다.This wobbling phenomenon abrades the surface of the grip pin with which the substrate is in contact, exacerbating the wobbling problem, and in severe cases, causes the substrate to separate from the grip pin, resulting in process stoppage.
본 발명의 기술적 과제는 기판이 상하 방향으로 플로팅(floating)되는 범위를 제어함으로써 스핀 척 장치의 구성요소들 중에서 기판의 측면에 접촉하여 기판을 지지하는 그립 핀의 마모량을 줄이고 기판 와블링(wobbling)에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 관한 것이다.The technical problem of the present invention is to reduce the amount of wear of a grip pin that supports the substrate by contacting the side surface of the substrate among the components of the spin chuck device by controlling the range in which the substrate floats in the vertical direction, and to prevent substrate wobbling. It relates to a spin chuck device with an improved substrate support function capable of preventing process defects due to
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치는 스핀척 몸체, 상기 스핀척 몸체의 상면의 가장자리를 따라 복수개로 구비되어 상기 기판의 측면을 그립(grip)하는 그립 핀, 상기 스핀척 몸체의 하면에 회전 가능하게 결합되어 있으며 상기 그립 핀과의 기어 결합을 통해 상기 그립 핀을 회전시키는 휠 기어, 상기 스핀척 몸체를 회전시켜 상기 그립 핀에 의해 그립된 기판을 회전시키는 스핀들 및 상기 기판의 하면에 상기 기판을 플로팅(floating)하기 위한 플로팅 가스를 공급하는 플로팅 가스 공급부를 포함하고, 상기 그립 핀을 구성하는 그립핀 몸체의 상단부에는 상기 기판의 측면을 그립하기 위한 그립 돌기가 상기 그립핀 몸체의 중심축에서 편향된 위치에 형성되어 있고, 상기 그립 돌기에는 상기 스핀척 몸체와 함께 회전하는 기판의 상하 방향으로의 플로팅 범위를 제한하는 플로팅 제한 홈이 형성되어 있다.In order to solve these technical problems, the spin chuck device with improved substrate support according to the present invention has a spin chuck body and a plurality of grip pins provided along the edge of the upper surface of the spin chuck body to grip the side surface of the substrate. , A wheel gear rotatably coupled to the lower surface of the spin chuck body and rotating the grip pin through gear engagement with the grip pin, rotating the substrate gripped by the grip pin by rotating the spin chuck body A spindle and a floating gas supply unit for supplying a floating gas for floating the substrate to a lower surface of the substrate, and a grip protrusion for gripping the side surface of the substrate at an upper end of a grip pin body constituting the grip pin. is formed at a position deflected from the central axis of the grip pin body, and a floating limiting groove is formed on the grip protrusion to limit the floating range of the substrate rotating together with the spin chuck body in the vertical direction.
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 스핀척 몸체와 함께 회전하는 기판이 상기 스핀척 몸체의 상방으로 플로팅되는 경우 상기 기판은 상기 플로팅 제한 홈의 상단부인 이탈 방지턱에 걸려 상방으로의 플로팅이 제한되는 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate support function according to the present invention, when a substrate rotating together with the spin chuck body is floated above the spin chuck body, the substrate is caught on the breakaway bump at the upper end of the floating limiting groove and moves upward. It is characterized in that the plotting to is limited.
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 그립 돌기의 외주면 중에서 상기 플로팅 제한 홈이 형성된 영역의 곡률반경은 상기 플로팅 제한 홈이 형성되지 않은 영역의 곡률반경보다 큰 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate support function according to the present invention, the radius of curvature of the region where the floating restriction groove is formed among the outer circumferential surfaces of the grip protrusion is larger than the radius of curvature of the region where the floating restriction groove is not formed. .
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 그립핀 몸체의 하단부에는 상기 휠 기어와 기어 결합되는 그립핀 기어가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate support function according to the present invention, a grip pin gear coupled to the wheel gear is formed at a lower end of the grip pin body.
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 기판을 이송하는 로봇 암이 상기 챔버로 진입하여 상기 그립 핀의 상부에 위치하면 상기 그립 핀이 일 방향으로 회전하여 오픈(Open) 상태로 전환되면서 상기 플로팅 가스 공급부가 상기 기판의 하면에 상기 플로팅 가스를 공급하여 상기 기판을 플로팅시키고, 상기 기판이 상기 플로팅 가스에 의해 플로팅된 상태에서 상기 그립 핀이 상기 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전하는 클로즈(Close) 상태로 전환되어 상기 기판의 측면을 그립하고, 상기 로봇 암이 상기 챔버로부터 진출한 상태에서 상기 그립 핀에 의해 그립되면서 상기 플로팅 가스에 의해 플로팅된 기판이 상기 스핀들에 의해 회전하는 스핀척 몸체와 함께 회전하면서 상기 기판에 대한 프로세스가 진행되는 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate support function according to the present invention, when the robot arm that transfers the substrate enters the chamber and is positioned on top of the grip pin, the grip pin rotates in one direction to open the state. while the floating gas supply unit supplies the floating gas to the lower surface of the substrate to float the substrate, and in a state where the substrate is floated by the floating gas, the grip pin moves in another direction opposite to the one direction. It is switched to a rotating close state to grip the side of the substrate, and while the robot arm is gripped by the grip pin in a state in which it advances from the chamber, the substrate floated by the floating gas is rotated by the spindle. It is characterized in that the process for the substrate proceeds while rotating together with the spin chuck body.
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 플로팅 가스 공급부에 의해 공급되는 플로팅 가스의 유량은 상기 클로즈 상태보다 상기 오픈 상태에서 작은 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate supporting function according to the present invention, the flow rate of the floating gas supplied by the floating gas supply unit is smaller in the open state than in the closed state.
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 오픈(Open) 상태에서, 상기 휠 기어가 일 방향으로 회전함에 따라 상기 휠 기어와 맞물린 그립핀 기어가 회전하고, 상기 그립핀 기어의 회전에 따라 상기 그립핀 몸체의 상단부에 형성된 그립 돌기가 회전함으로써, 상기 그립 돌기가 상기 기판의 측면에서 이격될 수 있는 이격공간이 제공되는 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate support function according to the present invention, in the open state, as the wheel gear rotates in one direction, the grip pin gear engaged with the wheel gear rotates, and the grip pin gear As the grip protrusion formed on the upper end of the grip pin body rotates according to rotation, a separation space in which the grip protrusion can be spaced from the side surface of the substrate is provided.
본 발명에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치에 있어서, 상기 클로즈(Close) 상태에서, 상기 휠 기어가 상기 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전함에 따라 상기 휠 기어와 맞물린 그립핀 기어가 회전하고, 상기 그립핀 기어의 회전에 따라 상기 그립 돌기가 회전함으로써, 상기 그립 돌기가 상기 기판의 측면을 그립하는 것을 특징으로 한다.In the spin chuck device having an improved substrate support function according to the present invention, in the closed state, as the wheel gear rotates in the other direction opposite to the one direction, the grippin gear meshed with the wheel gear rotates, , As the grip protrusion rotates according to the rotation of the grip pin gear, the grip protrusion grips the side surface of the substrate.
본 발명에 따르면, 기판이 상하 방향으로 플로팅(floating)되는 범위를 제어함으로써 스핀 척 장치의 구성요소들 중에서 기판의 측면에 접촉하여 기판을 지지하는 그립 핀의 마모량을 줄이고 기판 와블링(wobbling)에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치가 제공되는 효과가 있다.According to the present invention, by controlling the range in which the substrate floats in the vertical direction, the amount of wear of the grip pin that contacts the side surface of the substrate and supports the substrate among the components of the spin chuck device is reduced, and the substrate wobbling is reduced. There is an effect of providing a spin chuck device with an improved substrate support function capable of preventing process defects caused by the process.
도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 과정을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 과정을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치의 단면도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치의 상면도이고,
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치의 하면도이고,
도 6은 도 5의 A를 확대한 도면이고,
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 그립 핀의 예시적인 사시도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 그립 핀의 예시적인 측면도이고,
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 오픈(Open) 상태의 스핀 척 장치의 상면도이고,
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 오픈(Open) 상태의 스핀 척 장치의 하면의 일부를 나타낸 도면이고,
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 클로즈(Close) 상태의 스핀 척 장치의 상면도이고,
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 클로즈(Close) 상태의 스핀 척 장치의 하면의 일부를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a substrate processing process according to the prior art,
2 is a diagram showing a substrate processing process according to an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view of a spin chuck device having an improved substrate support function according to an embodiment of the present invention;
4 is a top view of a spin chuck device having an improved substrate support function according to an embodiment of the present invention;
5 is a bottom view of a spin chuck device having an improved substrate support function according to an embodiment of the present invention;
6 is an enlarged view of A of FIG. 5;
7 is an exemplary perspective view of a grip pin according to an embodiment of the present invention;
8 is an exemplary side view of a grip pin according to an embodiment of the present invention;
9 is a top view of a spin chuck device in an open state according to an embodiment of the present invention;
10 is a view showing a part of the lower surface of the spin chuck device in an open state according to an embodiment of the present invention;
11 is a top view of a spin chuck device in a closed state according to an embodiment of the present invention;
12 is a view showing a part of the lower surface of the spin chuck device in a closed state according to an embodiment of the present invention.
본 명세서에 개시된 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are only exemplified for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention may take various forms. It can be implemented as and is not limited to the embodiments described herein.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments according to the concept of the present invention can apply various changes and have various forms, so the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in this specification. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosure forms, and includes all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다.Terms such as first or second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another, e.g. without departing from the scope of rights according to the concept of the present invention, a first component may be termed a second component and similarly a second component may be termed a second component. A component may also be referred to as a first component.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에" 와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It should be understood that when a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. will be. On the other hand, when a component is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" should be interpreted similarly.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this specification are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in this specification, but one or more other features It should be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and are not interpreted in an ideal or overly formal sense unless explicitly defined herein. .
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 과정을 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치의 상면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치의 하면도이고, 도 6은 도 5의 A를 확대한 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 그립 핀의 예시적인 사시도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 그립 핀의 예시적인 측면도이다.2 is a diagram showing a substrate processing process according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of a spin chuck device having an improved substrate support function according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an embodiment of the present invention. A top view of a spin chuck device with an improved substrate support function according to an example, FIG. 5 is a bottom view of a spin chuck device with an improved substrate support function according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged view of A in FIG. 7 is an exemplary perspective view of a grip pin according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an exemplary side view of a grip pin according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치는 스핀척 몸체(10), 그립 핀(20), 스핀들(30), 휠 기어(40) 및 플로팅 가스 공급부(50)를 포함한다.Referring to FIGS. 2 to 8 , a spin chuck device having an improved substrate support function according to an embodiment of the present invention includes a
스핀척 몸체(10)의 상면의 가장자리에는 기판(S)을 장착하기 위한 요소들인 복수의 그립 핀(20)이 돌출된 상태로 구비되어 있다.At the edge of the upper surface of the
도면 상에는 스핀척 몸체(10)의 상면에 구비된 그립 핀(20)이 6개인 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며, 그립 핀(20)의 설치 갯수가 이에 한정되지는 않는다는 점을 밝혀 둔다.Although the number of grip pins 20 provided on the upper surface of the
복수의 그립 핀(20)은 스핀척 몸체(10)의 상면의 가장자리를 따라 복수개로 구비되어 있으며 후술하는 과정을 통하여 공정 처리의 대상인 기판(S)을 그립(grip)함으로써, 약액 등을 이용하여 기판(S)을 처리하는 공정에서 회전하는 기판(S)이 이탈되지 않도록 안정적으로 지지하는 기능을 수행한다.A plurality of grip pins 20 are provided along the edge of the upper surface of the
도 7 및 도 8의 예시를 참조하면, 그립 핀(20)을 구성하는 그립핀 몸체(21)의 상단부에는 기판의 측면을 그립하기 위한 그립 돌기(22)가 그립핀 몸체(21)의 중심축에서 편향된 위치에 형성되어 있고, 이 그립 돌기(22)에는 스핀척 몸체(10)와 함께 회전하는 기판의 상하 방향으로의 플로팅(floating) 범위를 제한하는 플로팅 제한 홈(27)이 형성되어 있다.Referring to the examples of FIGS. 7 and 8 , a
예를 들어, 스핀척 몸체(10)와 함께 회전하는 기판이 스핀척 몸체(10)의 상방으로 플로팅되는 경우, 기판은 플로팅 제한 홈(27)의 상단부에 해당하는 이탈 방지턱(29)에 걸려 상방으로의 플로팅이 제한되도록 구성될 수 있다.For example, when a substrate rotating together with the
이러한 구성에 따른 효과를 설명하면 다음과 같다.The effect of this configuration is explained as follows.
도 2의 예시를 참조하면, 그립 핀(20)에 의해 측면이 그립된 기판이 스핀들(30)에 의해 제공되는 회전력에 의해 회전하는 상태에서 약액 등을 이용하여 기판(S)을 처리하는 공정이 수행되며, 이러한 공정 중에 기판의 하면에는 기판을 플로팅(floating)하기 위한 플로팅 가스가 플로팅 가스 공급부(50)에 의해 공급된다.Referring to the example of FIG. 2 , the process of treating the substrate S using a chemical liquid or the like in a state in which the side surface of the substrate gripped by the
이러한 공정 중에, 기판이 고속 회전하는 경우보다 상대적으로 저속하는 경우 기판은 더 높게 플로팅되는데, 이러한 기판 플로팅 과정에서 기판 레벨링(leveling)에 불량이 발생하여 기판(S)이 흔들리는 와블링(wobbling) 현상이 발생하여 공정 불량을 유발할 가능성이 있다는 문제점이 있다.During this process, the substrate floats higher when the substrate rotates at a relatively low speed than when the substrate rotates at a high speed. In the process of floating the substrate, defects in substrate leveling occur, causing a wobbling phenomenon in which the substrate S shakes This occurs and there is a problem that there is a possibility of causing process defects.
이러한 와블링 현상은 기판이 접촉되는 그립 돌기(22)의 표면을 마모시켜 와블링 문제를 심화시키고, 심한 경우 기판(S)을 그립 핀(20)으로부터 이탈시켜 공정 중단을 초래하는 문제점이 있다.This wobbling phenomenon abrades the surface of the
본 발명의 일 실시 예는 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 측면과 접촉되는 그립 돌기(22)에 회전하는 기판의 상하 방향으로의 플로팅(floating) 범위를 제한하는 플로팅 제한 홈(27)을 형성함으로써, 스핀척 몸체(10)와 함께 회전하는 기판이 스핀척 몸체(10)의 상방으로 플로팅되는 경우, 기판이 그립 돌기(22)에 형성된 플로팅 제한 홈(27)의 상단부에 해당하는 이탈 방지턱(29)에 걸려 상방으로의 플로팅이 제한되도록 구성된다.In order to solve this problem, an embodiment of the present invention forms a floating limiting
예를 들어, 그립 돌기(22)의 외주면 중에서 플로팅 제한 홈(27)이 형성된 영역의 곡률반경을 플로팅 제한 홈(27)이 형성되지 않은 영역의 곡률반경보다 크게 구성하여, 그립 돌기(22)가 기판을 그립하는 그립력을 강화시키도록 구성될 수 있다.For example, the radius of curvature of the region where the floating limiting
스핀들(30)은 스핀척 몸체(10)를 회전시켜 그립 핀(20)에 의해 그립된 기판(S)을 회전시키는 구성요소이다.The
휠 기어(40)는 스핀척 몸체(10)의 하면에 회전 가능하게 결합되어 있으며, 그립 핀(20)과의 기어 결합을 통해 그립 핀(20)을 회전시키는 미리 설정된 각도만큼 회전시킨다. 즉, 이러한 휠 기어(40)는 도시하지 않은 외부 장치가 제공하는 회전 구동력에 의해 회전하여 복수개의 그립 핀(20)을 미세한 각도로 회전시키는 기능을 수행한다.The
휠 기어(40)와 그립 핀(20)의 결합 구성에 의해 그립 핀(20)이 미세한 각도로 회전하는 구성을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.A configuration in which the
앞서 설명한 바와 같이, 그립 핀(20)의 상단부에는 기판(S)을 그립하기 위한 그립 돌기(22)가 그립 핀(20)의 중심축, 즉, 그립핀 몸체(21)의 중심축에서 일정 거리 외곽으로 편향된 위치에 형성되어 있으며, 이에 따라, 그립 핀(20)이 중심축을 기준으로 소정 각도 회전하는 경우, 중심축에서 편향된 위치에 구비된 그립 돌기(22)의 회전에 의해 기판(S)이 장착될 수 있도록 그립 돌기(22)와 기판(S) 간의 간격이 벌어지게 된다.As described above, on the upper end of the
그립 핀(20)의 하단부에는 후술하는 휠 기어(40)와 기어 결합되는 그립핀 기어(25)가 형성되도록 구성될 수 있다. 그립핀 기어(25)의 구체적인 기능은 이후 본 발명의 일 실시 예에 따른 스핀 척 장치(1)의 구체적인 동작을 오픈(Open) 상태, 클로즈(Close) 상태로 구분하여 설명하는 과정에서 설명한다.At the lower end of the
플로팅 가스 공급부(50)는 기판(S)의 하면에 기판(S)을 플로팅(floating)하기 위한 플로팅 가스를 공급하는 구성요소이다.The floating
예를 들어, 플로팅 가스 공급부(50)는 스핀척 몸체(10)의 내부에 형성된 중공 영역에 결합되는 노즐 바디(52) 및 이 노즐 바디(52)의 중앙부에 형성되어 플로팅 가스의 공급 경로를 제공하는 플로팅 가스 공급 노즐(54)을 포함하여 구성될 수 있다.For example, the floating
예를 들어, 기판(S)을 이송하는 로봇 암이 챔버로 진입하여 그립 핀(20)의 상부에 위치하면 그립 핀(20)이 일 방향으로 회전하여 오픈(Open) 상태로 전환되면서 플로팅 가스 공급부(50)가 기판(S)의 하면에 플로팅 가스를 공급하여 기판(S)을 플로팅시키고, 기판(S)이 플로팅 가스에 의해 플로팅된 상태에서 그립 핀(20)이 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전하는 클로즈(Close) 상태로 전환되어 기판(S)의 측면을 그립하고, 로봇 암이 챔버로부터 진출한 상태에서 그립 핀(20)에 의해 그립되면서 플로팅 가스에 의해 플로팅된 기판(S)이 스핀들(30)에 의해 회전하는 스핀척 몸체(10)와 함께 회전하면서 기판(S)에 대한 약액 처리 프로세스가 진행되도록 구성될 수 있다.For example, when the robot arm that transfers the substrate (S) enters the chamber and is positioned on top of the
예를 들어, 플로팅 가스 공급부(50)에 의해 공급되는 플로팅 가스의 유량은 클로즈 상태보다 오픈 상태에서 작도록 구성될 수 있다.For example, the flow rate of the floating gas supplied by the floating
예를 들어, 오픈(Open) 상태에서, 휠 기어(40)가 일 방향으로 회전함에 따라 휠 기어(40)와 맞물린 그립핀 기어(25)가 회전하고, 그립핀 기어(25)의 회전에 따라 그립핀 몸체(21)의 상단부에 형성된 그립 돌기(22)가 회전함으로써, 그립 돌기(22)가 기판(S)의 측면에서 이격될 수 있는 이격공간이 제공되고, 클로즈(Close) 상태에서, 휠 기어(40)가 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전함에 따라 휠 기어(40)와 맞물린 그립핀 기어(25)가 회전하고, 그립핀 기어(25)의 회전에 따라 그립 돌기(22)가 회전함으로써, 그립 돌기(22)가 기판(S)의 측면을 그립하도록 구성될 수 있다.For example, in the open state, as the
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 스핀 척 장치(1)의 보다 구체적인 동작을 오픈(Open) 상태, 클로즈(Close) 상태로 구분하여 설명한다.Hereinafter, a more specific operation of the spin chuck device 1 according to an embodiment of the present invention will be described by dividing it into an open state and a closed state.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 오픈(Open) 상태의 스핀 척 장치(1)의 상면도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 오픈(Open) 상태의 스핀 척 장치(1)의 하면의 일부를 나타낸 도면이다.9 is a top view of the spin chuck device 1 in an open state according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a spin chuck device in an open state according to an embodiment of the present invention. It is a drawing showing a part of the lower surface of (1).
도 9 및 도 10을 추가로 참조하면, 오픈(Open) 상태는 기판(S)을 장착하기 위한 준비 상태, 즉, 복수의 그립 핀(20)에 구비되어 있는 그립 돌기(22)를 스핀척 몸체(10)의 외곽 방향으로 미세하게 이동시켜 그립 돌기(22) 간의 간격을 미세하게 벌리는 과정이다.9 and 10, the open state is a preparation state for mounting the substrate S, that is, the grip protrusions 22 provided on the plurality of grip pins 20 are placed on the spin chuck body. This is a process of finely opening the gap between the grip protrusions 22 by finely moving in the outer direction of (10).
이러한 오픈(Open) 상태에서는, 기판(S)을 이송하는 로봇 암이 챔버로 진입하여 그립 핀(20)의 상부에 위치하고, 외부에서 제공되는 회전 구동력에 의해 휠 기어(40)가 일 방향으로 회전하여 오픈(Open) 상태로 전환되면서 플로팅 가스 공급부(50)가 기판(S)의 하면에 플로팅 가스를 공급하여 기판(S)을 플로팅시킨다.In this open state, the robot arm that transfers the substrate S enters the chamber and is positioned on top of the
즉, 휠 기어(40)가 일 방향으로 회전함에 따라 휠 기어(40)와 맞물린 그립핀 기어(25)가 회전하고, 그립핀 기어(25)의 회전에 따라 그립핀 몸체(21)의 상단부에 그립핀 몸체(21)의 중심축에서 편향된 지점에 위치하도록 형성된 그립 돌기(22)가 회전하여 기판(S)의 측면에서 이격될 수 있는 이격공간을 제공함으로써 기판(S)을 스핀 척 장치(1)에 장착하기 위한 오픈 상태가 된다.That is, as the
구체적으로, 그립 핀(20)은 그립핀 몸체(21)의 중심축을 기준으로 회전하나, 그립 돌기(22)는 이 중심축에서 외곽으로 편향된 위치에 구비되어 있기 때문에, 복수의 그립 돌기(22)가 스핀척 몸체(10)의 외곽 방향으로 미세하게 이동하고, 결과적으로는 복수의 그립 돌기(22) 간의 간격이 미세하게 벌어져 기판(S)을 스핀 척 장치(1)에 장착할 수 있는 상태가 된다.Specifically, the
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 클로즈(Close) 상태의 스핀 척 장치(1)의 상면도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 클로즈(Close) 상태의 스핀 척 장치(1)의 하면의 일부를 나타낸 도면이다.11 is a top view of the spin chuck device 1 in a closed state according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a top view of the spin chuck device 1 in a closed state according to an embodiment of the present invention. It is a drawing showing a part of the lower surface of (1).
도 11 및 도 12를 추가로 참조하면, 클로즈(Close) 상태는 기판(S)이 지지 핀(30)에 장착된 이후에, 복수의 그립 돌기(22)가 기판(S)을 그립하는 상태, 달리 말해 복수의 그립 돌기(22)가 기판(S)의 측면을 조여 고정하는 상태이다.11 and 12, the closed state is a state in which the plurality of
이러한 클로즈(Close) 상태에서는, 기판(S)이 플로팅 가스에 의해 플로팅된 상태에서 그립 핀(20)이 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전하여 기판(S)의 측면을 그립하고, 로봇 암이 챔버로부터 진출한 상태에서 그립 핀(20)에 의해 그립되면서 플로팅 가스에 의해 플로팅된 기판(S)이 스핀들(30)에 의해 회전하는 스핀척 몸체(10)와 함께 회전하면서 기판(S)에 대한 약액 처리 프로세스가 진행된다.In this closed state, while the substrate S is floating by the floating gas, the
클로즈(Close) 상태에서는, 휠 기어(40)에 공급되는 회전 구동력이 차단되거나 휠 기어(40)로 오픈 상태와 반대 방향의 회전 구동력이 공급됨으로써 휠 기어(40)가 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전함에 따라 휠 기어(40)와 맞물린 그립핀 기어(25)가 회전하고, 그립핀 기어(25)의 회전에 따라 그립 돌기(22)가 회전하여 기판(S)의 측면을 그립하는 클로즈 상태가 된다.In the closed state, the rotational driving force supplied to the
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판이 상하 방향으로 플로팅(floating)되는 범위를 제어함으로써 스핀 척의 구성요소들 중에서 기판의 측면에 접촉하여 기판을 지지하는 그립 핀의 마모량을 줄이고 기판 와블링(wobbling)에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치가 제공되는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, by controlling the range in which the substrate floats in the vertical direction, the wear amount of the grip pin that contacts the side surface of the substrate and supports the substrate among the components of the spin chuck is reduced, and the substrate wobbles. There is an effect of providing a spin chuck device with an improved substrate support function capable of preventing process defects due to wobbling.
1: 스핀 척(spin chuck) 장치
10: 스핀척 몸체
20: 그립 핀(grip pin)
21: 그립핀 몸체
22: 그립 돌기
25: 그립핀 기어
27: 플로팅 제한 홈
29: 이탈 방지턱
30: 스핀들(spindle)
40: 휠 기어(wheel gear)
50: 플로팅 가스 공급부
52: 노즐 바디
54: 플로팅 가스 공급 노즐
S: 기판1: spin chuck device
10: spin chuck body
20: grip pin
21: grip pin body
22: grip projection
25: grip pin gear
27: Floating limit groove
29: departure bump
30: spindle
40: wheel gear
50: floating gas supply unit
52: nozzle body
54: floating gas supply nozzle
S: substrate
Claims (8)
상기 스핀척 몸체의 상면의 가장자리를 따라 복수개로 구비되어 기판의 측면을 그립(grip)하는 그립 핀;
상기 스핀척 몸체의 하면에 회전 가능하게 결합되어 있으며 상기 그립 핀과의 기어 결합을 통해 상기 그립 핀을 회전시키는 휠 기어;
상기 스핀척 몸체를 회전시켜 상기 그립 핀에 의해 그립된 기판을 회전시키는 스핀들; 및
상기 기판의 하면에 상기 기판을 플로팅(floating)하기 위한 플로팅 가스를 공급하는 플로팅 가스 공급부를 포함하고,
상기 그립 핀을 구성하는 그립핀 몸체의 상단부에는 상기 기판의 측면을 그립하기 위한 그립 돌기가 상기 그립핀 몸체의 중심축에서 편향된 위치에 형성되어 있고, 상기 그립핀 몸체의 하단부에는 상기 휠 기어와 기어 결합되는 그립핀 기어가 형성되어 있고,
상기 그립 돌기에는 상기 스핀척 몸체와 함께 회전하는 기판의 상하 방향으로의 플로팅 범위를 제한하는 플로팅 제한 홈이 형성되어 있고,
상기 기판을 이송하는 로봇 암이 챔버로 진입하여 상기 그립 핀의 상부에 위치하면 상기 그립 핀이 일 방향으로 회전하여 오픈(Open) 상태로 전환되면서 상기 플로팅 가스 공급부가 상기 기판의 하면에 상기 플로팅 가스를 공급하여 상기 기판을 플로팅시키고, 상기 기판이 상기 플로팅 가스에 의해 플로팅된 상태에서 상기 그립 핀이 상기 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전하는 클로즈(Close) 상태로 전환되어 상기 기판의 측면을 그립하고, 상기 로봇 암이 상기 챔버로부터 진출한 상태에서 상기 그립 핀에 의해 그립되면서 상기 플로팅 가스에 의해 플로팅된 기판이 상기 스핀들에 의해 회전하는 스핀척 몸체와 함께 회전하면서 상기 기판에 대한 프로세스가 진행되는, 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치.
Spin chuck body;
a plurality of grip pins provided along the edge of the upper surface of the spin chuck body to grip the side surface of the substrate;
a wheel gear rotatably coupled to the lower surface of the spin chuck body and rotating the grip pin through gear engagement with the grip pin;
a spindle for rotating the substrate gripped by the grip pin by rotating the spin chuck body; and
A floating gas supply unit supplying a floating gas for floating the substrate to a lower surface of the substrate;
A grip protrusion for gripping the side surface of the board is formed on the upper end of the grip pin body constituting the grip pin at a position biased from the central axis of the grip pin body, and the wheel gear and gear are formed on the lower end of the grip pin body. A grip pin gear to be coupled is formed,
A floating limiting groove is formed on the grip protrusion to limit a floating range of the substrate rotating together with the spin chuck body in the vertical direction,
When the robot arm that transfers the substrate enters the chamber and is positioned on top of the grip pin, the grip pin rotates in one direction and is converted into an open state, and the floating gas supply unit is placed on the lower surface of the substrate to supply the floating gas. is supplied to float the substrate, and in a state where the substrate is floated by the floating gas, the grip pin is switched to a closed state in which it rotates in another direction opposite to the one direction to grip the side of the substrate. And, while the robot arm advances from the chamber, the substrate floated by the floating gas while being gripped by the grip pin rotates together with the spin chuck body rotated by the spindle, and the process for the substrate proceeds. Spin chuck device with improved substrate support.
상기 스핀척 몸체와 함께 회전하는 기판이 상기 스핀척 몸체의 상방으로 플로팅되는 경우 상기 기판은 상기 플로팅 제한 홈의 상단부인 이탈 방지턱에 걸려 상방으로의 플로팅이 제한되는 것을 특징으로 하는, 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치.
According to claim 1,
When the substrate rotating together with the spin chuck body is floated upward of the spin chuck body, the substrate is caught on the upper end of the floating restriction groove and is restricted from floating upward. Improved spin chuck device.
상기 그립 돌기의 외주면 중에서 상기 플로팅 제한 홈이 형성된 영역의 곡률반경은 상기 플로팅 제한 홈이 형성되지 않은 영역의 곡률반경보다 큰 것을 특징으로 하는, 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치.
According to claim 1,
The spin chuck device with improved substrate support function, characterized in that the radius of curvature of the outer circumferential surface of the grip protrusion is larger than the radius of curvature of the region where the floating limiting groove is formed.
상기 플로팅 가스 공급부에 의해 공급되는 플로팅 가스의 유량은 상기 클로즈 상태보다 상기 오픈 상태에서 작은 것을 특징으로 하는, 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치.
According to claim 1,
The spin chuck device with improved substrate support function, characterized in that the flow rate of the floating gas supplied by the floating gas supply unit is smaller in the open state than in the closed state.
상기 오픈(Open) 상태에서,
상기 휠 기어가 일 방향으로 회전함에 따라 상기 휠 기어와 맞물린 그립핀 기어가 회전하고, 상기 그립핀 기어의 회전에 따라 상기 그립핀 몸체의 상단부에 형성된 그립 돌기가 회전함으로써, 상기 그립 돌기가 상기 기판의 측면에서 이격될 수 있는 이격공간이 제공되는 것을 특징으로 하는, 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치.
According to claim 1,
In the open state,
As the wheel gear rotates in one direction, the grip pin gear engaged with the wheel gear rotates, and the grip protrusion formed on the upper end of the grip pin body rotates according to the rotation of the grip pin gear, so that the grip protrusion is formed on the substrate. A spin chuck device with improved substrate support function, characterized in that a spaced space is provided that can be spaced apart from the side of the.
상기 클로즈(Close) 상태에서,
상기 휠 기어가 상기 일 방향과 반대인 타 방향으로 회전함에 따라 상기 휠 기어와 맞물린 그립핀 기어가 회전하고, 상기 그립핀 기어의 회전에 따라 상기 그립 돌기가 회전함으로써, 상기 그립 돌기가 상기 기판의 측면을 그립하는 것을 특징으로 하는, 기판 지지 기능이 향상된 스핀 척 장치.
According to claim 6,
In the closed state,
As the wheel gear rotates in the other direction opposite to the one direction, the grip pin gear engaged with the wheel gear rotates, and the grip protrusion rotates according to the rotation of the grip pin gear, so that the grip protrusion rotates on the substrate. A spin chuck device with improved substrate support, characterized in that it grips the side.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210101811A KR102550000B1 (en) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210101811A KR102550000B1 (en) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230020139A KR20230020139A (en) | 2023-02-10 |
KR102550000B1 true KR102550000B1 (en) | 2023-07-03 |
Family
ID=85223407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210101811A KR102550000B1 (en) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102550000B1 (en) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09312326A (en) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Toshiba Corp | Substrate rotor and holder |
KR20060120730A (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-28 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for supporting a semiconductor wafer |
KR20080071685A (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-05 | 세메스 주식회사 | Support member and apparatus for treating substrate with the same |
KR101388441B1 (en) | 2008-05-14 | 2014-04-23 | 주식회사 케이씨텍 | Chuck pin for spin chuck device |
US9190310B2 (en) * | 2010-04-16 | 2015-11-17 | Lam Research Ag | Grounded chuck |
KR101189611B1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-10-10 | 주식회사 티더블유티 | Chuck for fixing wafer |
KR101439111B1 (en) | 2013-09-02 | 2014-09-12 | 주식회사 케이씨텍 | Spin chuck and single type cleaning apparatus for substrate having the same |
-
2021
- 2021-08-03 KR KR1020210101811A patent/KR102550000B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230020139A (en) | 2023-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4018958B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR100885180B1 (en) | Substrate support unit, and apparatus and method for treating substrate with the same | |
JP6229933B2 (en) | Processing cup cleaning method, substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
US8864937B2 (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP4976949B2 (en) | Substrate processing equipment | |
US10854479B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
US9768042B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US20180090342A1 (en) | Substrate processing method | |
JP3917384B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate cleaning apparatus | |
KR101439111B1 (en) | Spin chuck and single type cleaning apparatus for substrate having the same | |
KR102550000B1 (en) | Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function | |
US20180067407A1 (en) | Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same | |
KR20130111176A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP3954881B2 (en) | Substrate processing apparatus and plating apparatus having the same | |
KR101388107B1 (en) | Spin chuck device for single wafer treating machine | |
KR102562264B1 (en) | Spin chuck apparatus equipped with floating gas variable flow control function | |
JP4791068B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR102159929B1 (en) | Substrate treatment method | |
KR102406088B1 (en) | Spin chuck apparatus equipped with slip preventing function | |
KR102406090B1 (en) | Spin chuck apparatus of support pin up and down drive | |
KR102584142B1 (en) | Spin chuck apparatus | |
KR20100030341A (en) | Single wafer type cleaning apparatus | |
KR102637363B1 (en) | Clamping apparatus for single type cleaning apparatus for substrate fixing | |
KR102647933B1 (en) | Spin Chuck apparatus for single type cleaning apparatus for substrate | |
US20230187199A1 (en) | Cleaning method of cup of substrate processing apparatus and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |