KR20060120730A - Apparatus for supporting a semiconductor wafer - Google Patents

Apparatus for supporting a semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20060120730A
KR20060120730A KR1020050042829A KR20050042829A KR20060120730A KR 20060120730 A KR20060120730 A KR 20060120730A KR 1020050042829 A KR1020050042829 A KR 1020050042829A KR 20050042829 A KR20050042829 A KR 20050042829A KR 20060120730 A KR20060120730 A KR 20060120730A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stage
wafer
semiconductor wafer
gas
fixing pins
Prior art date
Application number
KR1020050042829A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김기수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050042829A priority Critical patent/KR20060120730A/en
Publication of KR20060120730A publication Critical patent/KR20060120730A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

A semiconductor wafer supporter is provided to prevent the contamination of a semiconductor wafer and to restrain the warpage of the wafer by spacing the wafer apart from a stage using a gas supply unit and a plurality of fixing pins. A semiconductor wafer supporter includes a stage, a gas supply unit and a plurality of fixing pins. The stage(100) is used for loading stably a semiconductor wafer. The stage has a plurality of first holes. The gas supply unit(130) supplies predetermined gas into an upper space between the stage and the wafer through the first holes of the stage in order to space the wafer apart from the stage. The plurality of fixing pins(120) are arranged along a peripheral portion of the stage in order to fix an edge portion of the wafer.

Description

반도체 웨이퍼 지지장치{Apparatus for supporting a semiconductor wafer}Apparatus for supporting a semiconductor wafer

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor wafer support apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 반도체 웨이퍼 지지장치의 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a stage of the semiconductor wafer support apparatus shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 반도체 웨이퍼 지지장치의 고정 핀을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for describing a fixing pin of the semiconductor wafer support apparatus shown in FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 반도체 지지장치 100 : 스테이지10: semiconductor support device 100: stage

102 : 상부 플레이트 104 : 하부 스테이지102: upper plate 104: lower stage

106 : 공간 108 : 제1홀106: space 108: the first hall

110 : 홈 112 : 제2홀110: groove 112: the second hole

120 : 고정 핀 122 : 가이드120: fixed pin 122: guide

124 : 돌출부 126 : 구동부124: protrusion 126: drive

130 : 가스 제공부 132 : 가스 탱크130: gas providing unit 132: gas tank

134 : 가스 라인 136 : 가스 밸브134: gas line 136: gas valve

W : 반도체 기판W: semiconductor substrate

본 발명은 반도체 웨이퍼 지지장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 공정을 수행하기 위한 반도체 웨이퍼를 비접촉 방식으로 지지하기 위한 반도체 웨이퍼 지지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer support apparatus. More specifically, the present invention relates to a semiconductor wafer support apparatus for supporting a semiconductor wafer for performing a semiconductor process in a non-contact manner.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a fabrication (FAB) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, a process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process, and the semiconductor. The devices are each manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing the epoxy resin.

상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate, and the film or pattern Inspection process for inspecting the surface of the formed semiconductor substrate;

상기 단위 공정들이 수행되어지는 챔버 내부에는 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지가 구비된다. 상기 스테이지는 통상적으로 플레이트 형상이며, 상기 반도체 웨이퍼의 후면이 상기 스테이지 상면과 접촉된 상태로 상기 스테이지 상에 위치한다.A stage for supporting a semiconductor wafer is provided in a chamber in which the unit processes are performed. The stage is typically plate-shaped, and is positioned on the stage with the back surface of the semiconductor wafer in contact with the top surface of the stage.

이때, 상기 단위 공정을 수행하는 동안 스테이지의 회전 구동 또는 상하 구동과 같은 구동에 의해 상기 스테이지 상에 지지된 웨이퍼가 기 설정된 위치에서 벗어나거나 심한 경우, 스테이지로부터 낙하하는 경우가 발생된다. 따라서, 상기 스테이지 및 웨이퍼 사이에 정전기력 또는 진공력을 이용하여 상기 웨이퍼를 스테이지에 고정시킨다.In this case, during the unit process, the wafer supported on the stage may be out of a predetermined position or severely fall from the stage by driving such as rotation or vertical driving of the stage. Therefore, the wafer is fixed to the stage using an electrostatic force or a vacuum force between the stage and the wafer.

진공력을 이용하여 반도체 웨이퍼를 고정시키는 반도체 웨이퍼 지지장치에 대하여 설명하면, 반도체 지지장치는, 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지와, 진공력을 제공하기 위한 진공 시스템을 포함한다.A semiconductor wafer support apparatus for fixing a semiconductor wafer using a vacuum force will be described. The semiconductor support apparatus includes a stage for supporting a semiconductor wafer and a vacuum system for providing a vacuum force.

보다 상세하게는, 스테이지 상면에는 다수의 진공 홀들이 스테이지의 중심에서 상기 스테이지의 주연 부위로 등간격으로 형성되어 있으며, 상기 다수의 진공 홀들은 진공 시스템과 연결되어 있다.More specifically, a plurality of vacuum holes are formed in the upper surface of the stage at equal intervals from the center of the stage to the peripheral portion of the stage, the plurality of vacuum holes are connected to the vacuum system.

또한, 상기 스테이지의 주연 부위를 따라 원형 링이 구비되는데, 이는 진공을 효율적으로 형성하기 위함이다. 자세하게, 상기 원형 링은 실질적으로 상기 반도체 웨이퍼 후면의 가장자리와 접촉된다. 이로써, 상기 반도체 웨이퍼, 스테이지 및 원형 링으로 한정된 공간이 형성되고, 상기 스테이지 상부면에 형성된 다수의 진공 홀을 통해 상기 공간에 진공이 형성된다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼는 스테이지 상부면에 고정될 수 있다.In addition, a circular ring is provided along the periphery of the stage, in order to efficiently form a vacuum. In detail, the circular ring is substantially in contact with the edge of the back side of the semiconductor wafer. As a result, a space defined by the semiconductor wafer, the stage, and the circular ring is formed, and a vacuum is formed in the space through a plurality of vacuum holes formed in the upper surface of the stage. Thus, the semiconductor wafer may be fixed to the upper surface of the stage.

상기 스테이지 상에 웨이퍼가 로딩되고, 상기 진공 시스템을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼를 진공으로 흡착한다. 즉, 상기 반도체 웨이퍼의 후면이 상기 스테 이지 상면에 고정된다.A wafer is loaded onto the stage and the vacuum wafer is sucked into the vacuum using the vacuum system. That is, the back surface of the semiconductor wafer is fixed to the top surface of the stage.

이때, 상기 스테이지 상부면과 반도체 웨이퍼의 후면이 직접적으로 접촉하기 때문에 상기 반도체 웨이퍼(또는 스테이지)에 잔류하는 오염 물질이 상기 스테이지(또는 웨이퍼)를 오염시킬 수 있으며, 이는 후속 공정 시, 다른 반도체 웨이퍼 후면을 2차 오염시킬 수 있다. 또한, 상기 오염 물질이 반도체 웨이퍼 및 스테이지로부터 박리되어 공정 챔버 내 파티클로 형성될 수 있다.At this time, since the upper surface of the stage and the back surface of the semiconductor wafer directly contact each other, contaminants remaining on the semiconductor wafer (or stage) may contaminate the stage (or wafer). Secondary contamination of the rear surface may occur. In addition, the contaminants may be separated from the semiconductor wafer and the stage and formed into particles in the process chamber.

또한, 전술한 바와 같이 원형 링이 스테이지 상에 구비됨으로써 반도체 웨이퍼를 흡착하는 동안, 반도체 웨이퍼의 중심 부위가 스테이지 쪽으로 휘는 경우가 발생된다. 자세하게 설명하면, 반도체 웨이퍼의 주연 부위는 원형 링 상부에 위치하며, 상기 반도체 웨이퍼의 중심 부위는 실질적으로 상기 스테이지로부터 소정 거리 이격되어 위치한다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼를 흡착하는 동안, 상기 반도체 웨이퍼의 중심 부위가 상기 흡착력에 의해 스테이지 쪽으로 휘는 현상이 발생되고, 이는 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 불균일하게 형성시킨다.In addition, as described above, the circular ring is provided on the stage so that the center portion of the semiconductor wafer is bent toward the stage while the semiconductor wafer is attracted. In detail, the peripheral portion of the semiconductor wafer is located above the circular ring, and the central portion of the semiconductor wafer is substantially spaced a predetermined distance from the stage. Thus, during the adsorption of the semiconductor wafer, a phenomenon in which the central portion of the semiconductor wafer is bent toward the stage by the adsorption force occurs, which causes the pattern to be unevenly formed on the semiconductor wafer.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하고, 반도체 웨이퍼가 휘는 것을 방지하기 위한 반도체 웨이퍼 지지장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a semiconductor wafer support apparatus for preventing contamination of the semiconductor wafer, and preventing the semiconductor wafer from bending.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 다수의 제1홀들을 가지며 웨이퍼가 로딩 및 언로딩되는 스테이지와, 상기 스테이지 상부로 로딩된 웨 이퍼를 상기 스테이지로부터 소정 간격 이격시켜 위치시키기 위하여 상기 제1홀들을 통해 가스를 공급하기 위한 가스 제공부와, 상기 스테이지의 가장자리를 따라 등간격으로 구비되며 상기 스테이지 상부로부터 이격된 웨이퍼의 주연 부위를 고정시키기 위한 다수의 고정 핀들을 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, in order to position the stage having a plurality of first holes and the wafer is loaded and unloaded, and the wafer loaded on the stage spaced apart from the stage by a predetermined distance And a gas providing part for supplying gas through the first holes, and a plurality of fixing pins provided at equal intervals along the edge of the stage and for fixing a peripheral portion of the wafer spaced apart from an upper portion of the stage.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 각각의 고정 핀은, 상기 웨이퍼의 승강을 안내하기 위한 가이드와, 상기 가이드의 상부로부터 상기 웨이퍼의 중심을 향하여 연장하며 상기 웨이퍼의 상승 높이를 제한하기 위한 돌출부를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, each of the fixing pins, a guide for guiding the lifting of the wafer, and a protrusion for extending from the top of the guide toward the center of the wafer and for limiting the elevation of the wafer It may include.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼가 스테이지로부터 이격되어 위치하므로 스테이지 상부면 상에 잔존하는 파티클로 인한 반도체 웨이퍼의 오염을 감소시킬 수 있다. 또한, 종래와는 다르게 진공력을 이용하지 않기 때문에 반도체 웨이퍼가 휘는 현상을 방지할 수 있다.According to the present invention as described above, since the semiconductor wafer is located away from the stage, it is possible to reduce the contamination of the semiconductor wafer due to the particles remaining on the upper surface of the stage. In addition, unlike the related art, since the vacuum force is not used, the phenomenon in which the semiconductor wafer is bent can be prevented.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 지지장치에 대해 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor wafer support apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor wafer support apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 지지장치(10)는, 다수의 제1홀(108)들이 형성되어 있는 스테이지(100)와, 반도체 웨이퍼(W)를 상기 스테이지(100)로부터 이격시키기 위하여 다수의 제1홀(108)들로 가스를 공급하기 위한 가스 제공부(130)와, 상기 스테이지(100)로부터 이격된 반도체 웨이퍼(W)를 고정시키기 위한 다수의 고정 핀(120)들을 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor wafer support apparatus 10 includes a stage 100 in which a plurality of first holes 108 are formed, and a plurality of semiconductor wafers W to separate the semiconductor wafer W from the stage 100. The gas supply unit 130 supplies gas to the first holes 108, and a plurality of fixing pins 120 for fixing the semiconductor wafer W spaced apart from the stage 100.

도 2는 도 1에 도시된 반도체 웨이퍼 지지장치의 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a stage of the semiconductor wafer support apparatus shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 스테이지(100)는 상부 플레이트(102) 및 하부 플레이트(104)를 포함한다. 상기 상부 플레이트(102)는 도시된 바와 같이 캡(cap) 형상을 가지며, 상기 상부 플레이트(102)는 하부 플레이트(104)와 결합하여 공간(106)을 한정한다.1 and 2, the stage 100 includes an upper plate 102 and a lower plate 104. The upper plate 102 has a cap shape as shown, and the upper plate 102 is combined with the lower plate 104 to define a space 106.

상기 상부 플레이트(102)에는 다수의 제1홀(108)들이 형성되어 있으며, 상기 다수의 제1홀(108)들은 상부 플레이트(102)를 관통하여 형성되어, 상기 공간(106)과 연통된다. 상기 하부 플레이트(104)에는 상기 공간(106)과 연통되도록 하부 플레이트(106) 하부 중앙에 제2홀(110)이 형성되어 있다. 상기 제2홀(110)은 후술될 가스 제공부(130)와 연결된다.A plurality of first holes 108 are formed in the upper plate 102, and the plurality of first holes 108 are formed through the upper plate 102 to communicate with the space 106. The lower plate 104 has a second hole 110 formed in the lower center of the lower plate 106 to communicate with the space 106. The second hole 110 is connected to the gas providing unit 130 to be described later.

도 2에 도시된 바와 같이 상기 제1홀(108)들은 상기 스테이지(100)의 중심에서부터 가장자리로 등간격으로 다수 개 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면 전체적으로 동일하게 가스를 제공하여 반도체 웨이퍼(W)가 기울어지지 않게 하기 위함이다.As shown in FIG. 2, the first holes 108 may be formed in plural at equal intervals from the center to the edge of the stage 100. This is to prevent the semiconductor wafer W from tilting by supplying the same gas to the entire rear surface of the semiconductor wafer W.

또한, 상기 상부 플레이트(102)에는 다수의 고정 핀(120)들이 위치시키고, 상기 고정 핀(120)들이 수평 방향으로 이동할 수 있도록 상기 상부 플레이트(102) 가장자리에 홈(112)들이 형성되어 있다. 본 실시예에서는 세 개의 고정 핀(120)을 사용하지만, 상기 고정 핀(120)의 수량을 한정하지는 않는다.In addition, a plurality of fixing pins 120 are positioned on the upper plate 102, and grooves 112 are formed at the edge of the upper plate 102 so that the fixing pins 120 may move in a horizontal direction. In the present embodiment, three fixing pins 120 are used, but the number of the fixing pins 120 is not limited.

도 2에 도시된 바와 같이 상기 각각의 홈(112)은 스테이지(100)의 원주 방향 으로 형성되고, 상기 고정 핀(120)은 상기 홈(112) 내에서 스테이지(100)의 원주 방향으로 이동이 가능하다. 상기 고정 핀(120)의 구동은 후에 자세하게 설명하기로 한다.As shown in FIG. 2, each of the grooves 112 is formed in the circumferential direction of the stage 100, and the fixing pin 120 moves in the circumferential direction of the stage 100 within the groove 112. It is possible. The driving of the fixing pin 120 will be described later in detail.

도 3은 도 1에 도시된 반도체 웨이퍼 지지장치의 고정 핀을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for describing a fixing pin of the semiconductor wafer support apparatus shown in FIG. 1.

도 3을 참조하면, 고정 핀(120)은 상기 반도체 웨이퍼(W)의 승강을 안내하기 위한 가이드(122)와, 상기 가이드(122)의 상부로부터 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 연장하며 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상승 높이를 제한하기 위한 돌출부(124)를 포함한다. 도시된 바와 같이 상기 가이드(122)는 스테이지(100)와 실질적으로 수직되게 구비되고, 상기 돌출부(124)는 가이드(122)의 상부에 상기 가이드(122)와 수직하게 연결된다. 즉, 상기 돌출부(124)는 상기 스테이지(100)와 실질적으로 수평하게 형성되어 있다.Referring to FIG. 3, the fixing pin 120 extends toward the center of the semiconductor wafer W from a guide 122 for guiding the lifting and lowering of the semiconductor wafer W, and an upper portion of the guide 122. It includes a protrusion 124 for limiting the height of the rise of the semiconductor wafer (W). As illustrated, the guide 122 is provided to be substantially perpendicular to the stage 100, and the protrusion 124 is vertically connected to the guide 122 at the top of the guide 122. That is, the protrusion 124 is formed substantially horizontally with the stage 100.

또한, 상기 각각의 고정 핀(120)은 전술된 스테이지 홈(112) 내에서 이동하도록 구동부(126)가 연결되어 있으며, 상기 구동부(126)는 상기 고정 핀(120)으로 수평 구동력을 제공한다.In addition, each of the fixing pins 120 is connected to the driving unit 126 to move in the above-described stage groove 112, the driving unit 126 provides a horizontal driving force to the fixing pin 120.

반도체 웨이퍼(W)가 스테이지(100) 상에 로딩 또는 언로딩되면 상기 고정 핀(120)과 반도체 웨이퍼(W)의 간섭을 피하기 위하여 상기 고정 핀(120)이 가장자리 방향으로 이동한다.When the semiconductor wafer W is loaded or unloaded on the stage 100, the fixing pin 120 moves in an edge direction to avoid interference between the fixing pin 120 and the semiconductor wafer W.

이후, 공정을 수행하는 동안, 고정 핀(120)이 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 이동하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 고정한다. 이때, 상기 고정 핀(120)의 가이 드(122)는 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위와 접촉하고, 상기 돌출부(124)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상부면의 주연 부위와 접촉하게 된다.Thereafter, during the process, the fixing pin 120 moves to the edge portion of the semiconductor wafer W to fix the semiconductor wafer W. At this time, the guide 122 of the fixing pin 120 is in contact with the edge portion of the semiconductor wafer (W), the protrusion 124 is in contact with the peripheral portion of the upper surface of the semiconductor wafer (W).

도 3에 도시된 바와 같이 상기 반도체 웨이퍼(W)와 인접하는 가이드(122)의 내측면은 상기 반도체 웨이퍼(W)와 실질적으로 동일한 곡률 반경을 가진다. 이를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)가 승강 이동을 하는 동안 상기 가이드(122)와 접촉하는 반도체 웨이퍼(W)의 에지가 손상되거나 깨지는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3, the inner surface of the guide 122 adjacent to the semiconductor wafer W has a radius of curvature substantially the same as that of the semiconductor wafer W. As shown in FIG. By using this, the edge of the semiconductor wafer W in contact with the guide 122 may be prevented from being damaged or broken while the semiconductor wafer W moves up and down.

가스 제공부(130)는 가스를 저장하기 위한 가스 탱크(132)와, 상기 스테이지(100) 및 가스 탱크(132)를 연결하기 위한 가스 라인(134)과, 상기 가스 라인(134) 중에 구비되며 상기 가스의 양을 제공하기 위한 가스 밸브(136)를 포함한다.The gas providing unit 130 is provided in the gas tank 132 for storing gas, the gas line 134 for connecting the stage 100 and the gas tank 132, and the gas line 134. Gas valve 136 for providing the amount of gas.

상기 가스 라인(134)은 스테이지(100)의 하부 플레이트(124)에 형성된 제2홀(110)과 연결된다. 상기 가스 라인(134)을 따라 공급된 가스가 하부 플레이트(124)의 제2홀(110)을 통과하여 공간(106) 및 상부 플레이트(102)의 제1홀(108)들을 따라 스테이지(100) 상부로 제공된다.The gas line 134 is connected to the second hole 110 formed in the lower plate 124 of the stage 100. The gas supplied along the gas line 134 passes through the second hole 110 of the lower plate 124 to follow the space 106 and the first holes 108 of the upper plate 102. It is provided to the top.

이때, 상기 스테이지(100) 상부로 제공되는 가스로는 공기가 사용되며, 경우에 따라 불활성 가스가 사용될 수 있으며, 상기 가스는 상기 반도체 웨이퍼(W)가 스테이지(100)로부터 소정 거리 이격될 정도의 압력을 가진 것이 바람직하다.In this case, air is used as a gas provided above the stage 100, and an inert gas may be used in some cases, and the gas is pressure such that the semiconductor wafer W is spaced a predetermined distance from the stage 100. It is preferable to have.

상기 가스 밸브(136)는 상기 가스 라인(134)을 통과하는 가스의 양을 조절한다. 상기 가스 밸브(136)는 상기 고정 핀(120)과 연결되어 있어, 상기 고정 핀(120)의 구동에 의해 가스의 양을 조절한다.The gas valve 136 regulates the amount of gas passing through the gas line 134. The gas valve 136 is connected to the fixing pin 120 to adjust the amount of gas by driving the fixing pin 120.

보다 자세하게, 고정 핀(120)이 스테이지(100) 상에 지지된 반도체 웨이퍼 (W)의 에지를 향하여 이동하는 경우, 상기 가스 밸브(136)가 열려 상기 스테이지(100)로 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼(W)를 스테이지(100)로부터 이격시킨다. 이와는 다르게, 고정 핀(120)이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지로부터 스테이지(100)의 주연부위로 이동하는 경우, 상기 가스 밸브(136)가 닫혀 상기 스테이지(100)로 제공되는 가스를 차단하여 반도체 웨이퍼(W)를 스테이지(100) 상부로 로딩시킨다.More specifically, when the fixing pin 120 moves toward the edge of the semiconductor wafer W supported on the stage 100, the gas valve 136 is opened to supply gas to the stage 100 to supply the semiconductor wafer. (W) is spaced apart from the stage 100. On the contrary, when the fixing pin 120 moves from the edge of the semiconductor wafer W to the periphery of the stage 100, the gas valve 136 is closed to block the gas provided to the stage 100. The semiconductor wafer W is loaded onto the stage 100.

상세하게 도시되어 있지 않지만, 반도체 웨이퍼(W) 지지장치(10)는, 스테이지(100) 상부로 반도체 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩하기 위하여 상/하강하는 다수의 리프트 핀들과, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 스테이지(100)의 기 설정된 위치에 정확하게 위치하도록 안내하는 다수의 가이드 부재들이 더 구비될 수 있다.Although not shown in detail, the semiconductor wafer (W) support device (10) includes a plurality of lift pins that move up and down to load and unload the semiconductor wafer (W) onto the stage (100), and the semiconductor wafer. A plurality of guide members may be further provided to guide the W to be accurately positioned at a predetermined position of the stage 100.

이하, 상기와 같은 구성 요소들을 포함하는 반도체 웨이퍼 지지장치를 사용하여 반도체 웨이퍼(W)를 지지하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of supporting the semiconductor wafer W using the semiconductor wafer support apparatus including the above components will be described.

우선, 반도체 웨이퍼(W)를 이송 암과 같은 이송 유닛을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 스테이지(100)의 기 설정된 위치에 로딩시킨다.First, the semiconductor wafer W is loaded at a predetermined position of the stage 100 using a transfer unit such as a transfer arm.

이때, 다수의 리프트 핀들이 상승하여 반도체 웨이퍼(W)를 지지한 후, 다시 하강하여 스테이지(100) 상부로 상기 반도체 웨이퍼(W)를 로딩시키며, 다수의 가이드 부재들에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)가 상기 스테이지(100)의 기 설정된 위치에 위치할 수 있다.At this time, the plurality of lift pins are raised to support the semiconductor wafer W, and then are lowered again to load the semiconductor wafer W onto the stage 100, and the semiconductor wafer W by the plurality of guide members. ) May be located at a predetermined position of the stage 100.

이어서, 고정 핀(120)들이 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위를 향하여 이동한다. 이때, 상기 각각의 고정 핀의 가이드(122)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위와 실질적으로 접촉되고, 상기 돌출부(124)는 반도체 웨이퍼(W)의 상부면과 접촉 하지 않는다.Subsequently, the fixing pins 120 move toward the edge portion of the semiconductor wafer W. In this case, the guide 122 of each of the fixing pins substantially contacts the edge portion of the semiconductor wafer W, and the protrusion 124 does not contact the upper surface of the semiconductor wafer W.

상기 고정 핀(120)들이 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 이동하는 동시에 상기 고정 핀(120)들과 연결되어 있는 밸브(136)가 열려 상기 스테이지(100)로 가스를 제공한다.The fixing pins 120 move to the edge portion of the semiconductor wafer W, and at the same time, a valve 136 connected to the fixing pins 120 opens to provide gas to the stage 100.

따라서, 상기 스테이지(100) 상부에 로딩된 반도체 웨이퍼(W)는 상기 가스에 의해 상기 스테이지(100)로부터 소정 거리 이격되고, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상부면 주연 부위가 상기 돌출부(124)에 접촉되고, 상기 돌출부(124)에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상승 높이가 제한된다.Therefore, the semiconductor wafer W loaded on the stage 100 is spaced apart from the stage 100 by the gas, and a peripheral portion of the upper surface of the semiconductor wafer W is formed on the protrusion 124. The height of the semiconductor wafer W is limited by the protrusion 124.

상기와 같이 반도체 웨이퍼(W)가 스테이지(100)로부터 소정거리 이격된 후, 상기 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 반도체 공정을 수행한다. 상기 소정의 반도체 공정이 수행되는 동안 지속적으로 스테이지(100)로 가스를 제공하여 스테이지(100)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 이격시킨다.As described above, after the semiconductor wafer W is spaced apart from the stage 100 by a predetermined distance, a predetermined semiconductor process is performed on the semiconductor wafer W. The gas is continuously supplied to the stage 100 while the predetermined semiconductor process is performed to separate the semiconductor wafer W from the stage 100.

상기 소정의 공정을 수행한 후, 가스의 공급이 차단되며, 상기 반도체 웨이퍼(W)는 스테이지(100) 상부로 하강한다. 이어서, 상기 고정 핀(120)은 스테이지(100)의 가장자리로 이동하여 언로딩하기 위한 반도체 웨이퍼(W)와의 간섭을 피한다.After performing the predetermined process, the supply of gas is cut off, and the semiconductor wafer W descends to the upper part of the stage 100. Subsequently, the fixing pin 120 avoids interference with the semiconductor wafer W for moving to and unloading the edge of the stage 100.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 소정의 반도체 공정이 수행하는 동안 반도체 웨이퍼가 스테이지로부터 이격되어 위치함으로써, 상기 반도체 웨이퍼 또는 스테이지에 잔류된 오염 물질에 의한 2차 오염을 방지할 수 있 다.As described above, according to a preferred embodiment of the present invention, the semiconductor wafer is positioned away from the stage while a predetermined semiconductor process is performed, thereby preventing secondary contamination by contaminants remaining on the semiconductor wafer or stage. Can be.

또한, 종래의 진공에 의하여 반도체 웨이퍼를 고정시킴으로써 발생되었던 반도체 웨이퍼가 휘는 현상을 원천적으로 방지할 수 있다.In addition, it is possible to fundamentally prevent the phenomenon in which the semiconductor wafer is bent, which is generated by fixing the semiconductor wafer by a conventional vacuum.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (4)

다수의 제1홀들을 가지며, 웨이퍼가 로딩 및 언로딩되는 스테이지;A stage having a plurality of first holes, the wafer being loaded and unloaded; 상기 스테이지 상부로 로딩된 웨이퍼를 상기 스테이지로부터 소정 간격 이격시켜 위치시키기 위하여 상기 제1홀들을 통해 상기 스테이지의 상부로 가스를 공급하기 위한 가스 제공부; 및A gas providing unit for supplying gas to the upper portion of the stage through the first holes to position the wafer loaded above the stage at a predetermined distance from the stage; And 상기 스테이지의 가장자리를 따라 등간격으로 구비되며, 상기 스테이지 상부로부터 이격된 웨이퍼의 주연 부위를 고정시키기 위한 다수의 고정 핀들을 포함하는 반도체 웨이퍼 지지장치.And a plurality of fixing pins provided at equal intervals along the edge of the stage, for fixing a peripheral portion of the wafer spaced apart from the top of the stage. 제1항에 있어서, 상기 각각의 고정 핀은, 상기 웨이퍼의 승강을 안내하기 위한 가이드와, 상기 가이드의 상부로부터 상기 웨이퍼의 중심을 향하여 연장하며 상기 웨이퍼의 상승 높이를 제한하기 위한 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.The wafer of claim 1, wherein each of the fixing pins includes a guide for guiding the lifting and lowering of the wafer, and a protrusion for extending from the top of the guide toward the center of the wafer and for limiting the rising height of the wafer. Wafer support apparatus, characterized in that. 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼와 인접하는 각각의 가이드의 내측면은 상기 웨이퍼와 실질적으로 동일한 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.The wafer support apparatus of claim 2, wherein an inner surface of each guide adjacent to the wafer has a radius of curvature substantially the same as that of the wafer. 제1항에 있어서, 상기 각각의 고정 핀은 상기 웨이퍼가 상기 스테이지의 기 설정된 위치 상으로 로딩 및 상기 설정된 위치로부터 언로딩하는 동안 상기 웨이퍼 와의 간섭을 피하기 위하여 상기 설정된 위치로부터 이격되도록 수평 이동 구동력을 제공하기 위한 구동부와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 지지장치.The driving mechanism of claim 1, wherein each of the fixing pins has a horizontal movement driving force to be spaced apart from the set position to avoid interference with the wafer while the wafer is loaded onto and unloaded from the set position of the stage. A semiconductor wafer support device, characterized in that connected to the drive unit for providing.
KR1020050042829A 2005-05-23 2005-05-23 Apparatus for supporting a semiconductor wafer KR20060120730A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050042829A KR20060120730A (en) 2005-05-23 2005-05-23 Apparatus for supporting a semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050042829A KR20060120730A (en) 2005-05-23 2005-05-23 Apparatus for supporting a semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060120730A true KR20060120730A (en) 2006-11-28

Family

ID=37706720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050042829A KR20060120730A (en) 2005-05-23 2005-05-23 Apparatus for supporting a semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060120730A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101015229B1 (en) * 2008-10-31 2011-02-18 세메스 주식회사 Substrate support unit and apparatus for treating substrate using the same
KR20230020139A (en) * 2021-08-03 2023-02-10 엘에스이 주식회사 Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101015229B1 (en) * 2008-10-31 2011-02-18 세메스 주식회사 Substrate support unit and apparatus for treating substrate using the same
KR20230020139A (en) * 2021-08-03 2023-02-10 엘에스이 주식회사 Spin chuck apparatus with improved substrate supporting function

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102389767B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101174816B1 (en) Focus Ring of Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Apparatus Having the Same
US7332691B2 (en) Cooling plate, bake unit, and substrate treating apparatus
US20150340209A1 (en) Focus ring replacement method for a plasma reactor, and associated systems and methods
KR20130040685A (en) Segmented substrate loading for multiple substrate processing
KR101913017B1 (en) Processing chamber
KR102379016B1 (en) Supporting unit, a substrate processing apparatus including the same and a method using the same
KR102294642B1 (en) Liquid processing apparatus
KR102263713B1 (en) Supporting unit, and a substrate processing apparatus including the same
KR20180025448A (en) Apparatus and method for treating substrate
JP6746471B2 (en) Substrate processing equipment
KR102514452B1 (en) Cooling unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method using the same
KR20160094276A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20060120730A (en) Apparatus for supporting a semiconductor wafer
KR101421645B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20100067722A (en) Substrate lifting apparatus
KR100861090B1 (en) Heat treatment apparatus
KR200466814Y1 (en) Substrate treating apparatus
KR102243066B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20190112369A (en) Substrate processing apparatus
KR20090048202A (en) Apparatus for chucking a substrate and method of chucking the substrate
KR102277544B1 (en) Transfer unit
KR20210085973A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20070020580A (en) Apparatus for supporting a substrate
KR102330274B1 (en) Substrate stand device and substrate processing apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination