JP6442361B2

JP6442361B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP6442361B2
Application number: JP2015109312A
Authority: JP
Inventors: 通矩岩尾; 僚村元
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2015-05-29
Filing date: 2015-05-29
Publication date: 2018-12-19
Anticipated expiration: 2035-05-29
Also published as: JP2016225428A

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板上に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の薬液処理が行われる。また、薬液処理の終了後、基板上に洗浄液が供給されて洗浄処理が行われ、その後、基板の乾燥処理が行われる。 Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”), various processes are performed on the substrate. For example, a chemical solution treatment such as etching is performed on the surface of the substrate by supplying the chemical solution onto the substrate having a resist pattern formed on the surface. In addition, after the chemical liquid processing is finished, a cleaning liquid is supplied onto the substrate to perform the cleaning processing, and then the substrate is dried.

例えば、特許文献１の基板洗浄装置では、ウエハを水平に保持するスピンチャック上に蓋部材が載置され、ウエハと共に回転する。基板の洗浄処理の際には、まず、蓋部材の上方に離間して配置された上ノズルから、蓋部材の回転中心に設けられた開口を介して、回転中の基板上に洗浄液が供給される。洗浄液としては、フッ酸、塩酸、硫酸、リン酸、アンモニア、過酸化水素水等が利用される。続いて、当該上ノズルから回転中の基板上に純水が供給されることにより、基板に付着している洗浄液が洗い流される。基板上に供給された洗浄液や純水は、基板の回転により径方向外方へと移動し、基板と蓋部材との間から周囲へと飛散して排出される。その後、基板の乾燥処理の際には、上記上ノズルから窒素（Ｎ_２）ガスが吐出され、蓋部材の開口を介してウエハ上に供給される。これにより、蓋部材とウエハとの間の空間における酸素濃度を低下させ、基板の乾燥を促進することができる。 For example, in the substrate cleaning apparatus of Patent Document 1, a lid member is placed on a spin chuck that holds a wafer horizontally and rotates together with the wafer. In the substrate cleaning process, first, a cleaning liquid is supplied onto the rotating substrate from an upper nozzle that is spaced above the lid member through an opening provided at the rotation center of the lid member. The As the cleaning liquid, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, ammonia, hydrogen peroxide water, or the like is used. Subsequently, by supplying pure water from the upper nozzle onto the rotating substrate, the cleaning liquid adhering to the substrate is washed away. The cleaning liquid or pure water supplied on the substrate moves outward in the radial direction by the rotation of the substrate, and is scattered and discharged from between the substrate and the lid member. Thereafter, during the substrate drying process, nitrogen (N ₂ ) gas is discharged from the upper nozzle and supplied onto the wafer through the opening of the lid member. Thereby, the oxygen concentration in the space between the lid member and the wafer can be reduced, and the drying of the substrate can be promoted.

特許第３６２１５６８号公報Japanese Patent No. 3621568

ところで、特許文献１では、基板の周囲においてスピンチャックと蓋部材との間の間隙が大きいと、基板と蓋部材との間の空間からの処理液の排出を容易に行うことはできるが、基板と蓋部材との間の空間における雰囲気の制御を行うために、当該空間に大量のガス（例えば、窒素ガス）を供給する必要がある。一方、上記間隙が小さいと、基板と蓋部材との間の空間における雰囲気の制御を容易に行うことはできるが、基板と蓋部材との間の空間からの処理液の排出を容易に行うことができないおそれがある。 By the way, in Patent Document 1, when the gap between the spin chuck and the lid member is large around the substrate, the processing liquid can be easily discharged from the space between the substrate and the lid member. In order to control the atmosphere in the space between the cover member and the lid member, it is necessary to supply a large amount of gas (for example, nitrogen gas) to the space. On the other hand, if the gap is small, the atmosphere in the space between the substrate and the lid member can be easily controlled, but the processing liquid can be easily discharged from the space between the substrate and the lid member. You may not be able to.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板と対向部材との間の空間において、雰囲気の制御と処理液の排出とのバランスを回転速度により変更することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to change the balance between the control of the atmosphere and the discharge of the processing liquid according to the rotational speed in the space between the substrate and the opposing member.

請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板の上面に対向するとともに中央部に対向部材開口が設けられる対向部材と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板保持部と共に回転させる基板回転機構と、前記対向部材開口を介して前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給部とを備え、前記基板保持部は、円板状のベース本体部と、前記ベース本体部の外周部から下方に広がる円筒状のベース側壁部とを備え、前記対向部材は、前記基板の前記上面に対向するとともに中央部に前記対向部材開口が設けられる円環板状の対向部材天蓋部と、前記対向部材天蓋部の外周部から下方に広がる円筒状の対向部材側壁部とを備え、前記ベース側壁部と前記対向部材側壁部とが径方向に対向し、前記基板回転機構により前記基板保持部が回転される際に、前記ベース側壁部および前記対向部材側壁部の少なくとも一方が遠心力により変形することにより、前記ベース側壁部の外周面と前記対向部材側壁部の内周面との間の径方向の距離であるギャップ値が、周方向の少なくとも一部において回転速度に応じて変化する。 The invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein the substrate holding unit that holds the substrate in a horizontal state, and the opposing surface that is opposed to the upper surface of the substrate and has a counter member opening at the center portion. A member, a substrate rotating mechanism that rotates the substrate together with the substrate holding portion about a central axis that faces in the vertical direction, and a processing liquid supply portion that supplies a processing liquid to the upper surface of the substrate through the counter member opening, The substrate holding portion includes a disk-shaped base main body portion and a cylindrical base side wall portion extending downward from an outer peripheral portion of the base main body portion, and the opposing member is disposed on the upper surface of the substrate. The base side wall includes an annular plate-shaped counter member canopy portion facing and having a counter member opening at the center, and a cylindrical counter member side wall portion extending downward from an outer peripheral portion of the counter member canopy portion. Department and front When the opposing member side wall portion is opposed to the radial direction and the substrate holding portion is rotated by the substrate rotating mechanism, at least one of the base side wall portion and the opposing member side wall portion is deformed by centrifugal force, A gap value, which is a radial distance between the outer peripheral surface of the base side wall portion and the inner peripheral surface of the opposing member side wall portion, changes according to the rotational speed in at least a part of the circumferential direction.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記ギャップ値は、回転速度に応じて全周に亘って変化する。 A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the gap value changes over the entire circumference in accordance with a rotational speed.

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記基板保持部が回転する際に、前記対向部材も前記中心軸を中心として回転する。 According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, when the substrate holding portion rotates, the opposing member also rotates about the central axis.

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記対向部材が、前記基板保持部により保持され、前記基板回転機構により前記基板保持部と共に回転される。 A fourth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the facing member is held by the substrate holding part and rotated together with the substrate holding part by the substrate rotating mechanism.

請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の基板処理装置であって、前記基板保持部が回転する際に、前記ベース側壁部および前記対向部材側壁部が遠心力により径方向外方へと変形し、前記ベース側壁部の変形量が前記対向部材側壁部の変形量よりも大きい。 The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein when the substrate holding part rotates, the base side wall part and the counter member side wall part are radially moved by centrifugal force. The deformation is outward, and the deformation amount of the base side wall portion is larger than the deformation amount of the opposing member side wall portion.

請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記ギャップ値が前記回転速度の増大に伴って減少する。 A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the gap value decreases as the rotational speed increases.

請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板回転機構による回転速度を制御することにより、前記ギャップ値を制御する制御部をさらに備える。 A seventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, further comprising a control unit that controls the gap value by controlling a rotation speed of the substrate rotation mechanism. Prepare.

本発明では、基板と対向部材との間の空間において、雰囲気の制御と処理液の排出とのバランスを回転速度により変更することができる。 In the present invention, in the space between the substrate and the opposing member, the balance between the control of the atmosphere and the discharge of the processing liquid can be changed by the rotation speed.

一の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of the substrate processing apparatus which concerns on one embodiment. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 気液供給部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows a gas-liquid supply part. 処理液ノズルの一部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows a part of process liquid nozzle. 基板の処理の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a process of a board | substrate. 基板処理装置の断面図である。It is sectional drawing of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の一部の拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の一部の拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of a substrate processing apparatus.

図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す断面図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、カップ部４と、トッププレート５と、対向部材移動機構６と、処理液ノズル７１とを備え、これらの構成はハウジング１１の内部に収容される。また、基板処理装置１は、基板回転機構３３等の各構成を制御する制御部１２をさらに備える。なお、図２以降の図面では、制御部１２の図示を省略する。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes semiconductor substrates 9 (hereinafter simply referred to as “substrates 9”) one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a substrate holding unit 31, a substrate rotating mechanism 33, a cup unit 4, a top plate 5, a counter member moving mechanism 6, and a processing liquid nozzle 71, and these configurations are configured in the housing 11. Housed inside. The substrate processing apparatus 1 further includes a control unit 12 that controls each component of the substrate rotation mechanism 33 and the like. In addition, illustration of the control part 12 is abbreviate | omitted in drawing after FIG.

基板保持部３１は、水平状態で基板９を保持する。基板保持部３１は、保持ベース部３１１と、複数のチャック３１２と、複数の係合部３１３と、ベース支持部３１４とを備える。基板９は、保持ベース部３１１の上方に配置される。保持ベース部３１１およびベース支持部３１４はそれぞれ、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材である。保持ベース部３１１は、ベース支持部３１４の上方に配置され、ベース支持部３１４により下方から支持される。保持ベース部３１１の外径は、ベース支持部３１４の外径よりも大きい。保持ベース部３１１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向の全周に亘って、ベース支持部３１４よりも径方向外方に広がる。保持ベース部３１１は、例えば、比較的高い耐薬品性を有するフッ素樹脂により形成される。 The substrate holding unit 31 holds the substrate 9 in a horizontal state. The substrate holding part 31 includes a holding base part 311, a plurality of chucks 312, a plurality of engaging parts 313, and a base support part 314. The substrate 9 is disposed above the holding base portion 311. Each of the holding base portion 311 and the base support portion 314 is a substantially disk-shaped member centered on a central axis J1 that faces in the vertical direction. The holding base portion 311 is disposed above the base support portion 314 and supported from below by the base support portion 314. The outer diameter of the holding base portion 311 is larger than the outer diameter of the base support portion 314. The holding base portion 311 extends radially outward from the base support portion 314 over the entire circumference in the circumferential direction around the central axis J1. The holding base portion 311 is formed of, for example, a fluororesin having a relatively high chemical resistance.

保持ベース部３１１は、ベース本体部３１６と、ベース側壁部３１７とを備える。ベース本体部３１６は、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材であり、上面上に複数のチャック３１２および複数の係合部３１３が設けられる。ベース側壁部３１７は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、ベース本体部３１６の外周部から下方に広がる。ベース側壁部３１７は、ベース支持部３１４の周囲においてベース支持部３１４から径方向外側に離間して配置される。 The holding base portion 311 includes a base body portion 316 and a base side wall portion 317. The base main body 316 is a substantially disk-shaped member centering on the central axis J1, and a plurality of chucks 312 and a plurality of engaging portions 313 are provided on the upper surface. The base side wall portion 317 is a substantially cylindrical member centered on the central axis J1 and extends downward from the outer peripheral portion of the base main body portion 316. The base side wall portion 317 is arranged around the base support portion 314 and spaced radially outward from the base support portion 314.

複数のチャック３１２は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。基板保持部３１では、複数のチャック３１２により、基板９の外縁部が支持される。複数の係合部３１３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部３１３は、複数のチャック３１２よりも径方向外側に配置される。 The plurality of chucks 312 are arranged in the circumferential direction on the outer peripheral portion of the upper surface of the holding base portion 311 at substantially equal angular intervals around the central axis J1. In the substrate holding portion 31, the outer edge portion of the substrate 9 is supported by the plurality of chucks 312. The plurality of engaging portions 313 are arranged in the circumferential direction on the outer peripheral portion of the upper surface of the holding base portion 311 at substantially equal angular intervals around the central axis J1. The plurality of engaging portions 313 are disposed on the radially outer side than the plurality of chucks 312.

基板回転機構３３は、回転機構収容部３４の内部に収容される。基板回転機構３３および回転機構収容部３４は、基板保持部３１の下方に配置される。基板回転機構３３は、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部３１と共に回転する。 The substrate rotation mechanism 33 is accommodated in the rotation mechanism accommodation portion 34. The substrate rotation mechanism 33 and the rotation mechanism accommodation unit 34 are disposed below the substrate holding unit 31. The substrate rotation mechanism 33 rotates the substrate 9 together with the substrate holder 31 around the central axis J1.

カップ部４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材であり、基板９および基板保持部３１の径方向外側に配置される。カップ部４は、基板９および基板保持部３１の周囲の全周に亘って配置され、基板９から周囲に向かって飛散する処理液等を受ける。カップ部４は、第１ガード４１と、第２ガード４２と、ガード移動機構４３と、排出ポート４４とを備える。 The cup portion 4 is an annular member centered on the central axis J 1 and is disposed on the radially outer side of the substrate 9 and the substrate holding portion 31. The cup unit 4 is disposed over the entire periphery of the substrate 9 and the substrate holding unit 31 and receives a processing liquid and the like that scatters from the substrate 9 toward the periphery. The cup unit 4 includes a first guard 41, a second guard 42, a guard moving mechanism 43, and a discharge port 44.

第１ガード４１は、第１ガード側壁部４１１と、第１ガード天蓋部４１２とを有する。第１ガード側壁部４１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。第１ガード天蓋部４１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、第１ガード側壁部４１１の上端部から径方向内方に広がる。第２ガード４２は、第２ガード側壁部４２１と、第２ガード天蓋部４２２とを有する。第２ガード側壁部４２１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、第１ガード側壁部４１１よりも径方向外側に位置する。第２ガード天蓋部４２２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、第１ガード天蓋部４１２よりも上方にて第２ガード側壁部４２１の上端部から径方向内方に広がる。 The first guard 41 includes a first guard side wall portion 411 and a first guard canopy portion 412. The 1st guard side wall part 411 is the substantially cylindrical shape centering on the central axis J1. The first guard canopy portion 412 has a substantially annular plate shape centered on the central axis J 1 and extends radially inward from the upper end portion of the first guard side wall portion 411. The second guard 42 has a second guard side wall 421 and a second guard canopy 422. The second guard side wall portion 421 has a substantially cylindrical shape with the central axis J1 as the center, and is located on the radially outer side than the first guard side wall portion 411. The second guard canopy portion 422 has a substantially annular plate shape centered on the central axis J1, and extends radially inward from the upper end portion of the second guard side wall portion 421 above the first guard canopy portion 412. .

第１ガード天蓋部４１２の内径および第２ガード天蓋部４２２の内径は、基板保持部３１の保持ベース部３１１の外径およびトッププレート５の外径よりも僅かに大きい。第１ガード天蓋部４１２の上面および下面はそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。第２ガード天蓋部４２２の上面および下面もそれぞれ、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。 The inner diameter of the first guard canopy portion 412 and the inner diameter of the second guard canopy portion 422 are slightly larger than the outer diameter of the holding base portion 311 of the substrate holding portion 31 and the outer diameter of the top plate 5. The upper surface and the lower surface of the first guard canopy portion 412 are inclined surfaces that go downward as they go radially outward. The upper surface and the lower surface of the second guard canopy portion 422 are also inclined surfaces that go downward as they go radially outward.

ガード移動機構４３は、第１ガード４１を上下方向に移動することにより、基板９からの処理液等を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替える。カップ部４の第１ガード４１および第２ガード４２にて受けられた処理液等は、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。また、第１ガード４１内および第２ガード４２内のガスも排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。 The guard moving mechanism 43 switches between the first guard 41 and the second guard 42 by moving the first guard 41 in the vertical direction to receive the processing liquid and the like from the substrate 9. The processing liquid received by the first guard 41 and the second guard 42 of the cup portion 4 is discharged to the outside of the housing 11 through the discharge port 44. Further, the gas in the first guard 41 and the second guard 42 is also discharged to the outside of the housing 11 through the discharge port 44.

トッププレート５は、平面視において略円形の部材である。トッププレート５は、基板９の上面９１に対向する対向部材であり、基板９の上方を遮蔽する遮蔽板である。トッププレート５の外径は、基板９の外径、および、保持ベース部３１１の外径よりも大きい。トッププレート５は、対向部材本体５１と、被保持部５２と、複数の係合部５３とを備える。対向部材本体５１は、例えば、比較的高い耐薬品性を有するフッ素樹脂により形成される。対向部材本体５１は、対向部材天蓋部５１１と、対向部材側壁部５１２とを備える。対向部材天蓋部５１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材であり、基板９の上面９１に対向する。対向部材天蓋部５１１の中央部には、対向部材開口５４が設けられる。対向部材開口５４は、例えば、平面視において略円形である。対向部材開口５４の直径は、基板９の直径に比べて十分に小さい。対向部材側壁部５１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、対向部材天蓋部５１１の外周部から下方に広がる。 The top plate 5 is a substantially circular member in plan view. The top plate 5 is a facing member that faces the upper surface 91 of the substrate 9, and is a shielding plate that shields the upper side of the substrate 9. The outer diameter of the top plate 5 is larger than the outer diameter of the substrate 9 and the outer diameter of the holding base portion 311. The top plate 5 includes a counter member main body 51, a held portion 52, and a plurality of engaging portions 53. The opposing member main body 51 is formed of, for example, a fluororesin having a relatively high chemical resistance. The counter member main body 51 includes a counter member canopy 511 and a counter member side wall 512. The facing member canopy portion 511 is a substantially annular plate-shaped member centered on the central axis J 1 and faces the upper surface 91 of the substrate 9. A counter member opening 54 is provided at the center of the counter member canopy 511. The facing member opening 54 is, for example, substantially circular in plan view. The diameter of the facing member opening 54 is sufficiently smaller than the diameter of the substrate 9. The opposing member side wall portion 512 is a substantially cylindrical member centered on the central axis J1 and extends downward from the outer peripheral portion of the opposing member canopy portion 511.

複数の係合部５３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、対向部材天蓋部５１１の下面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部５３は、対向部材側壁部５１２の径方向内側に配置される。 The plurality of engaging portions 53 are arranged in the circumferential direction on the outer peripheral portion of the lower surface of the facing member canopy portion 511 at substantially equal angular intervals around the central axis J1. The plurality of engaging portions 53 are disposed on the radially inner side of the opposing member side wall portion 512.

被保持部５２は、対向部材本体５１の上面に接続される。被保持部５２は、対向部材筒部５２１と、対向部材フランジ部５２２とを備える。対向部材筒部５２１は、対向部材本体５１の対向部材開口５４の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。対向部材筒部５２１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。対向部材フランジ部５２２は、対向部材筒部５２１の上端部から径方向外方に環状に広がる。対向部材フランジ部５２２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。 The held portion 52 is connected to the upper surface of the opposing member main body 51. The held portion 52 includes a counter member cylinder portion 521 and a counter member flange portion 522. The opposing member cylinder 521 is a substantially cylindrical portion that protrudes upward from the periphery of the opposing member opening 54 of the opposing member main body 51. The opposing member cylinder 521 has, for example, a substantially cylindrical shape with the central axis J1 as the center. The opposing member flange portion 522 extends in an annular shape outward in the radial direction from the upper end portion of the opposing member cylinder portion 521. The opposing member flange portion 522 has, for example, a substantially annular plate shape centered on the central axis J1.

対向部材移動機構６は、対向部材保持部６１と、対向部材昇降機構６２とを備える。対向部材保持部６１は、トッププレート５の被保持部５２を保持する。対向部材保持部６１は、保持部本体６１１と、本体支持部６１２と、フランジ支持部６１３と、支持部接続部６１４とを備える。保持部本体６１１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状である。保持部本体６１１は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の上方を覆う。本体支持部６１２は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部６１２の一方の端部は保持部本体６１１に接続され、他方の端部は対向部材昇降機構６２に接続される。 The counter member moving mechanism 6 includes a counter member holding portion 61 and a counter member lifting mechanism 62. The facing member holding portion 61 holds the held portion 52 of the top plate 5. The opposing member holding unit 61 includes a holding unit main body 611, a main body support unit 612, a flange support unit 613, and a support unit connection unit 614. The holding part main body 611 has, for example, a substantially disc shape centered on the central axis J1. The holding part main body 611 covers the upper side of the opposing member flange part 522 of the top plate 5. The main body support 612 is a rod-like arm that extends substantially horizontally. One end portion of the main body support portion 612 is connected to the holding portion main body 611, and the other end portion is connected to the opposing member lifting mechanism 62.

保持部本体６１１の中央部からは処理液ノズル７１が下方に突出する。処理液ノズル７１は、対向部材筒部５２１に非接触状態で挿入される。以下の説明では、処理液ノズル７１と対向部材筒部５２１との間の空間を「ノズル間隙５６」と呼ぶ。 The treatment liquid nozzle 71 protrudes downward from the central part of the holding part main body 611. The treatment liquid nozzle 71 is inserted into the opposing member cylinder 521 in a non-contact state. In the following description, a space between the processing liquid nozzle 71 and the counter member cylinder 521 is referred to as a “nozzle gap 56”.

フランジ支持部６１３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。フランジ支持部６１３は、対向部材フランジ部５２２の下方に位置する。フランジ支持部６１３の内径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも小さい。フランジ支持部６１３の外径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも大きい。支持部接続部６１４は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。支持部接続部６１４は、フランジ支持部６１３と保持部本体６１１とを対向部材フランジ部５２２の周囲にて接続する。対向部材保持部６１では、保持部本体６１１は対向部材フランジ部５２２の上面と上下方向に対向する保持部上部であり、フランジ支持部６１３は対向部材フランジ部５２２の下面と上下方向に対向する保持部下部である。 The flange support portion 613 has, for example, a substantially annular plate shape centered on the central axis J1. The flange support portion 613 is located below the opposing member flange portion 522. The inner diameter of the flange support portion 613 is smaller than the outer diameter of the opposing member flange portion 522 of the top plate 5. The outer diameter of the flange support portion 613 is larger than the outer diameter of the opposing member flange portion 522 of the top plate 5. The support part connection part 614 has, for example, a substantially cylindrical shape centered on the central axis J1. The support part connection part 614 connects the flange support part 613 and the holding part main body 611 around the opposing member flange part 522. In the facing member holding portion 61, the holding portion main body 611 is a holding portion upper portion that faces the upper surface of the facing member flange portion 522 in the vertical direction, and the flange support portion 613 is held facing the lower surface of the facing member flange portion 522 in the vertical direction. It is the lower part.

図１に示す位置にトッププレート５が位置する状態では、フランジ支持部６１３は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外周部に下側から接して支持する。換言すれば、対向部材フランジ部５２２が、対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持される。これにより、トッププレート５が、基板９および基板保持部３１の上方にて、対向部材保持部６１により吊り下げられる。以下の説明では、図１に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第１の位置」という。トッププレート５は、第１の位置にて、対向部材移動機構６により保持されて基板保持部３１から上方に離間する。 In the state where the top plate 5 is located at the position shown in FIG. 1, the flange support portion 613 supports the outer peripheral portion of the opposing member flange portion 522 of the top plate 5 in contact with the lower side. In other words, the facing member flange portion 522 is held by the facing member holding portion 61 of the facing member moving mechanism 6. Accordingly, the top plate 5 is suspended by the counter member holding portion 61 above the substrate 9 and the substrate holding portion 31. In the following description, the vertical position of the top plate 5 shown in FIG. 1 is referred to as “first position”. The top plate 5 is held by the facing member moving mechanism 6 at the first position and is separated upward from the substrate holding portion 31.

フランジ支持部６１３には、トッププレート５の位置ずれ（すなわち、トッププレート５の移動および回転）を制限する移動制限部６１６が設けられる。図１に示す例では、移動制限部６１６は、フランジ支持部６１３の上面から上方に突出する突起部である。移動制限部６１６が、対向部材フランジ部５２２に設けられた孔部に挿入されることにより、トッププレート５の位置ずれが制限される。 The flange support part 613 is provided with a movement restricting part 616 that restricts displacement of the top plate 5 (that is, movement and rotation of the top plate 5). In the example shown in FIG. 1, the movement restricting portion 616 is a protruding portion that protrudes upward from the upper surface of the flange support portion 613. When the movement restricting portion 616 is inserted into the hole provided in the facing member flange portion 522, the displacement of the top plate 5 is restricted.

対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を対向部材保持部６１と共に上下方向に移動させる。図２は、トッププレート５が図１に示す第１の位置から下降した状態を示す断面図である。以下の説明では、図２に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第２の位置」という。すなわち、対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を第１の位置と第２の位置との間で基板保持部３１に対して相対的に上下方向に移動する。第２の位置は、第１の位置よりも下方の位置である。換言すれば、第２の位置は、トッププレート５が第１の位置よりも上下方向において基板保持部３１に近接する位置である。 The facing member lifting mechanism 62 moves the top plate 5 in the vertical direction together with the facing member holding portion 61. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the top plate 5 is lowered from the first position shown in FIG. In the following description, the vertical position of the top plate 5 shown in FIG. 2 is referred to as a “second position”. That is, the opposing member lifting mechanism 62 moves the top plate 5 in the vertical direction relative to the substrate holder 31 between the first position and the second position. The second position is a position below the first position. In other words, the second position is a position where the top plate 5 is closer to the substrate holding portion 31 in the vertical direction than the first position.

トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５の複数の係合部５３がそれぞれ、基板保持部３１の複数の係合部３１３と係合する。複数の係合部５３は、複数の係合部３１３により下方から支持される。換言すれば、複数の係合部３１３はトッププレート５を支持する対向部材支持部である。例えば、係合部３１３は、上下方向に略平行なピンであり、係合部３１３の上端部が、係合部５３の下端部に上向きに形成された凹部に嵌合する。また、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２は、対向部材保持部６１のフランジ支持部６１３から上方に離間する。これにより、トッププレート５は、第２の位置にて、基板保持部３１により保持されて対向部材移動機構６から離間する（すなわち、対向部材移動機構６と非接触状態となる。）。 In a state where the top plate 5 is located at the second position, the plurality of engaging portions 53 of the top plate 5 are engaged with the plurality of engaging portions 313 of the substrate holding portion 31, respectively. The plurality of engaging portions 53 are supported from below by the plurality of engaging portions 313. In other words, the plurality of engaging portions 313 are opposing member support portions that support the top plate 5. For example, the engaging portion 313 is a pin that is substantially parallel to the vertical direction, and the upper end portion of the engaging portion 313 is fitted into a recess formed upward at the lower end portion of the engaging portion 53. Further, the opposing member flange portion 522 of the top plate 5 is spaced upward from the flange support portion 613 of the opposing member holding portion 61. As a result, the top plate 5 is held by the substrate holding portion 31 and is separated from the opposing member moving mechanism 6 at the second position (that is, is not in contact with the opposing member moving mechanism 6).

トッププレート５が基板保持部３１により保持された状態では、トッププレート５の対向部材側壁部５１２の下端が、基板保持部３１の保持ベース部３１１の上面よりも下方に位置する。このため、ベース側壁部３１７と対向部材側壁部５１２とは径方向に対向する。以下の説明では、ベース側壁部３１７の外周面と対向部材側壁部５１２の内周面との間の径方向の距離を「ギャップ値」という。ギャップ値は、例えば、対向部材側壁部５１２の下端の上下方向の位置におけるベース側壁部３１７の外周面と対向部材側壁部５１２の内周面との間の径方向の距離である。なお、ギャップ値は、上下方向の他の位置におけるベース側壁部３１７の外周面と対向部材側壁部５１２の内周面との間の径方向の距離であってもよい。 In a state where the top plate 5 is held by the substrate holding portion 31, the lower end of the opposing member side wall portion 512 of the top plate 5 is positioned below the upper surface of the holding base portion 311 of the substrate holding portion 31. For this reason, the base side wall part 317 and the opposing member side wall part 512 are opposed to each other in the radial direction. In the following description, the radial distance between the outer peripheral surface of the base side wall portion 317 and the inner peripheral surface of the opposing member side wall portion 512 is referred to as a “gap value”. The gap value is, for example, the radial distance between the outer peripheral surface of the base side wall portion 317 and the inner peripheral surface of the counter member side wall portion 512 at the vertical position of the lower end of the counter member side wall portion 512. The gap value may be a radial distance between the outer peripheral surface of the base side wall portion 317 and the inner peripheral surface of the opposing member side wall portion 512 at another position in the vertical direction.

また、以下の説明では、ベース側壁部３１７のベース本体部３１６との接続部近傍の部位を、ベース側壁部３１７の付け根部分といい、対向部材側壁部５１２の対向部材天蓋部５１１との接続部近傍の部位を、対向部材側壁部５１２の付け根部という。ベース側壁部３１７の付け根部近傍では、ベース本体部３１６の上下方向の厚さが、他の部位よりも薄い。換言すれば、ベース本体部３１６の外周部の上下方向の厚さは、当該外周部以外の部位よりも薄い。ベース側壁部３１７の付け根部の剛性は、対向部材側壁部５１２の付け根部の剛性よりも低い。このため、ベース側壁部３１７は、対向部材側壁部５１２に比べて径方向に変形しやすい。ベース側壁部３１７の付け根部と対向部材側壁部５１２の付け根部との剛性の差は、例えば、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の付け根部の厚さ、形状、材料等を異ならせることにより実現される。 In the following description, a portion of the base side wall portion 317 in the vicinity of the connection portion with the base main body portion 316 is referred to as a base portion of the base side wall portion 317, and the connection portion of the counter member side wall portion 512 with the counter member canopy portion 511. A nearby portion is referred to as a root portion of the opposing member side wall portion 512. In the vicinity of the base portion of the base side wall portion 317, the thickness of the base main body portion 316 in the vertical direction is thinner than other portions. In other words, the vertical thickness of the outer peripheral portion of the base main body 316 is thinner than portions other than the outer peripheral portion. The rigidity of the base part of the base side wall part 317 is lower than the rigidity of the base part of the opposing member side wall part 512. For this reason, the base side wall part 317 is easily deformed in the radial direction as compared with the opposing member side wall part 512. The difference in rigidity between the base part of the base side wall part 317 and the base part of the opposing member side wall part 512 is, for example, that the thickness, shape, material, and the like of the base part of the base side wall part 317 and the opposing member side wall part 512 are different. It is realized by.

トッププレート５が第２の位置に位置する状態で基板回転機構３３が駆動されると、トッププレート５は、基板９および基板保持部３１と共に回転する。換言すれば、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５は、基板回転機構３３により基板９および基板保持部３１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転可能となる。これにより、トッププレート５を回転する機構を基板回転機構３３と独立して設ける場合に比べて、基板処理装置１を小型化することができる。 When the substrate rotation mechanism 33 is driven in a state where the top plate 5 is located at the second position, the top plate 5 rotates together with the substrate 9 and the substrate holder 31. In other words, in a state where the top plate 5 is located at the second position, the top plate 5 can be rotated about the central axis J1 together with the substrate 9 and the substrate holding part 31 by the substrate rotating mechanism 33. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can be reduced in size compared with the case where the mechanism for rotating the top plate 5 is provided independently of the substrate rotating mechanism 33.

図３は、基板処理装置１におけるガスおよび処理液の供給に係る気液供給部７を示すブロック図である。気液供給部７は、処理液ノズル７１と、処理液供給部７２と、ガス供給部７３とを備える。処理液供給部７２は、処理液ノズル７１に接続され、処理液ノズル７１に処理液を供給する。ガス供給部７３は、処理液ノズル７１に接続され、処理液ノズル７１にガスを供給する。 FIG. 3 is a block diagram showing the gas-liquid supply unit 7 related to the supply of gas and processing liquid in the substrate processing apparatus 1. The gas-liquid supply unit 7 includes a processing liquid nozzle 71, a processing liquid supply unit 72, and a gas supply unit 73. The processing liquid supply unit 72 is connected to the processing liquid nozzle 71 and supplies the processing liquid to the processing liquid nozzle 71. The gas supply unit 73 is connected to the processing liquid nozzle 71 and supplies gas to the processing liquid nozzle 71.

基板処理装置１では、処理液として、様々な種類の液体が利用される。処理液は、例えば、基板９の薬液処理に用いられる薬液（ポリマー除去液、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液等）であってもよい。処理液は、例えば、基板９の洗浄処理に用いられる純水（ＤＩＷ：deionized water）や炭酸水等の洗浄液であってもよい。処理液は、例えば、基板９上の液体を置換するために供給されるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等であってもよい。ガス供給部７３から供給されるガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスである。ガス供給部７３からは、不活性ガス以外の様々なガスが供給されてもよい。 In the substrate processing apparatus 1, various types of liquids are used as the processing liquid. The treatment liquid may be, for example, a chemical liquid used for chemical treatment of the substrate 9 (polymer removal liquid, etching liquid such as hydrofluoric acid or tetramethylammonium hydroxide aqueous solution). The processing liquid may be a cleaning liquid such as pure water (DIW: deionized water) or carbonated water used for the cleaning process of the substrate 9, for example. The processing liquid may be, for example, isopropyl alcohol (IPA) supplied to replace the liquid on the substrate 9. The gas supplied from the gas supply unit 73 is, for example, an inert gas such as nitrogen (N ₂ ) gas. Various gases other than the inert gas may be supplied from the gas supply unit 73.

図４は、処理液ノズル７１の一部を拡大して示す断面図である。処理液ノズル７１は、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）により形成される。処理液ノズル７１の内部には、処理液流路７１６と、２つのガス流路７１７とが設けられる。処理液流路７１６は、図３に示す処理液供給部７２に接続される。２つのガス流路７１７は、図３に示すガス供給部７３に接続される。 FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the processing liquid nozzle 71. The treatment liquid nozzle 71 is made of, for example, PFA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer). Inside the processing liquid nozzle 71, a processing liquid channel 716 and two gas channels 717 are provided. The processing liquid channel 716 is connected to the processing liquid supply unit 72 shown in FIG. The two gas flow paths 717 are connected to the gas supply unit 73 shown in FIG.

処理液供給部７２から図４に示す処理液流路７１６に供給された処理液は、処理液ノズル７１の下端面に設けられた吐出口７１６ａから下方へと吐出される。処理液ノズル７１から複数種類の処理液が吐出される場合、処理液ノズル７１には、複数種類の処理液にそれぞれ対応する複数の処理液流路７１６が設けられ、複数種類の処理液はそれぞれ複数の吐出口７１６ａから吐出されてもよい。 The processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 72 to the processing liquid channel 716 shown in FIG. 4 is discharged downward from the discharge port 716 a provided on the lower end surface of the processing liquid nozzle 71. When a plurality of types of processing liquids are discharged from the processing liquid nozzle 71, the processing liquid nozzle 71 is provided with a plurality of processing liquid flow paths 716 corresponding to the plurality of types of processing liquids, respectively. It may be discharged from a plurality of discharge ports 716a.

ガス供給部７３から中央のガス流路７１７（図中の右側のガス流路７１７）に供給された不活性ガスは、処理液ノズル７１の下端面に設けられた下面噴射口７１７ａから下方に向けて供給（例えば、噴射）される。ガス供給部７３から外周部のガス流路７１７に供給された不活性ガスは、処理液ノズル７１の側面に設けられた複数の側面噴射口７１７ｂから周囲に供給される。 The inert gas supplied from the gas supply unit 73 to the central gas flow channel 717 (the right gas flow channel 717 in the drawing) is directed downward from the lower surface injection port 717 a provided on the lower end surface of the processing liquid nozzle 71. (For example, injection). The inert gas supplied from the gas supply unit 73 to the gas channel 717 on the outer peripheral portion is supplied to the periphery from a plurality of side surface injection ports 717 b provided on the side surface of the processing liquid nozzle 71.

複数の側面噴射口７１７ｂは周方向に略等角度間隔にて配列される。複数の側面噴射口７１７ｂは、外周部のガス流路７１７の下端部から周方向に延びる周状流路に接続される。ガス供給部７３から供給された不活性ガスは、複数の側面噴射口７１７ｂから、斜め下方に向けて供給（例えば、噴射）される。なお、側面噴射口７１７ｂは１つだけ設けられてもよい。 The plurality of side surface injection ports 717b are arranged at substantially equal angular intervals in the circumferential direction. The plurality of side surface injection ports 717b are connected to a circumferential flow channel extending in the circumferential direction from the lower end portion of the gas flow channel 717 at the outer circumferential portion. The inert gas supplied from the gas supply unit 73 is supplied (for example, injected) obliquely downward from the plurality of side surface injection ports 717b. Note that only one side injection port 717b may be provided.

処理液供給部７２（図３参照）から供給された処理液は、処理液ノズル７１の吐出口７１６ａから、図２に示す対向部材開口５４を介して基板９の上面９１に向けて吐出される。換言すれば、処理液ノズル７１は、処理液供給部７２から供給された処理液を、対向部材開口５４を介して基板９の上面９１に供給する。基板処理装置１では、処理液ノズル７１は、対向部材本体５１の対向部材開口５４から下方に突出してもよい。換言すれば、処理液ノズル７１の先端が、対向部材開口５４の下端縁よりも下方に位置してもよい。処理液供給部７２から供給された処理液は、処理液ノズル７１内にて対向部材開口５４を介して下方に流れ、処理液ノズル７１の吐出口７１６ａ（図４参照）から基板９の上面９１に向けて吐出される。処理液が対向部材開口５４を介して供給されるという場合、対向部材開口５４よりも上方にて処理液ノズル７１から吐出された処理液が対向部材開口５４を通過する状態のみならず、対向部材開口５４に挿入された処理液ノズル７１を介して処理液が吐出される状態も含む。 The processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 72 (see FIG. 3) is discharged from the discharge port 716a of the processing liquid nozzle 71 toward the upper surface 91 of the substrate 9 through the counter member opening 54 shown in FIG. . In other words, the processing liquid nozzle 71 supplies the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 72 to the upper surface 91 of the substrate 9 through the counter member opening 54. In the substrate processing apparatus 1, the processing liquid nozzle 71 may protrude downward from the facing member opening 54 of the facing member main body 51. In other words, the front end of the processing liquid nozzle 71 may be positioned below the lower end edge of the facing member opening 54. The processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 72 flows downward through the counter member opening 54 in the processing liquid nozzle 71, and the upper surface 91 of the substrate 9 from the discharge port 716 a (see FIG. 4) of the processing liquid nozzle 71. It is discharged toward. When the processing liquid is supplied through the counter member opening 54, the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle 71 above the counter member opening 54 passes through the counter member opening 54 as well as the counter member. A state in which the processing liquid is discharged through the processing liquid nozzle 71 inserted into the opening 54 is also included.

ガス供給部７３（図３参照）から処理液ノズル７１に供給された不活性ガスの一部は、処理液ノズル７１の下面噴射口７１７ａ（図４参照）から、対向部材開口５４を介してトッププレート５と基板９との間の空間（以下、「処理空間９０」という。）に供給される。また、ガス供給部７３から処理液ノズル７１に供給された不活性ガスの一部は、処理液ノズル７１の複数の側面噴射口７１７ｂ（図４参照）からノズル間隙５６へと供給される。ノズル間隙５６では、ガス供給部７３からの不活性ガスが、処理液ノズル７１の側面から斜め下方に向かって供給されて下方に向かって流れ、処理空間９０へと供給される。 A part of the inert gas supplied from the gas supply unit 73 (see FIG. 3) to the processing liquid nozzle 71 is topped from the lower surface injection port 717a (see FIG. 4) of the processing liquid nozzle 71 through the counter member opening 54. It is supplied to a space between the plate 5 and the substrate 9 (hereinafter referred to as “processing space 90”). A part of the inert gas supplied from the gas supply unit 73 to the processing liquid nozzle 71 is supplied to the nozzle gap 56 from a plurality of side surface injection ports 717 b (see FIG. 4) of the processing liquid nozzle 71. In the nozzle gap 56, the inert gas from the gas supply unit 73 is supplied obliquely downward from the side surface of the processing liquid nozzle 71, flows downward, and is supplied to the processing space 90.

基板処理装置１では、基板９の処理は、好ましくは処理空間９０に処理液ノズル７１から不活性ガスが供給されて処理空間９０が不活性ガス雰囲気となっている状態で行われる。換言すれば、ガス供給部７３から処理空間９０に供給されるガスは、処理雰囲気用ガスである。処理雰囲気用ガスには、処理液ノズル７１からノズル間隙５６へと供給され、ノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給されるガスも含まれる。 In the substrate processing apparatus 1, the processing of the substrate 9 is preferably performed in a state where an inert gas is supplied to the processing space 90 from the processing liquid nozzle 71 and the processing space 90 is in an inert gas atmosphere. In other words, the gas supplied from the gas supply unit 73 to the processing space 90 is a processing atmosphere gas. The processing atmosphere gas includes a gas supplied from the processing liquid nozzle 71 to the nozzle gap 56 and supplied to the processing space 90 through the nozzle gap 56.

次に、基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例について、図５を参照しつつ説明する。まず、トッププレート５が図１に示す第１の位置に位置する状態で、基板９がハウジング１１内に搬入され、基板保持部３１により保持される（ステップＳ１１）。このとき、トッププレート５は対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持されている。 Next, an example of the processing flow of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG. First, in a state where the top plate 5 is located at the first position shown in FIG. 1, the substrate 9 is carried into the housing 11 and held by the substrate holding part 31 (step S11). At this time, the top plate 5 is held by the facing member holding portion 61 of the facing member moving mechanism 6.

続いて、対向部材昇降機構６２により対向部材保持部６１が下方へと移動される。これにより、トッププレート５が第１の位置から第２の位置へと下方に移動し、図２に示すように、トッププレート５が基板保持部３１により保持される（ステップＳ１２）。そして、ガス供給部７３から処理液ノズル７１を介して、ノズル間隙５６および処理空間９０に不活性ガス（すなわち、処理雰囲気用ガス）の供給が開始される。 Subsequently, the counter member holding portion 61 is moved downward by the counter member lifting mechanism 62. Thereby, the top plate 5 moves downward from the first position to the second position, and the top plate 5 is held by the substrate holding portion 31 as shown in FIG. 2 (step S12). Then, supply of an inert gas (that is, a processing atmosphere gas) is started from the gas supply unit 73 to the nozzle gap 56 and the processing space 90 through the processing liquid nozzle 71.

次に、基板回転機構３３が制御部１２（図１参照）により制御されることにより、基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転が開始される（ステップＳ１３）。処理液ノズル７１からの不活性ガスの供給は、ステップＳ１３以降も継続される。そして、処理液供給部７２から処理液ノズル７１へと第１処理液が供給され、第２の位置に位置するトッププレート５の対向部材開口５４を介して、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１４）。 Next, the substrate rotating mechanism 33 is controlled by the control unit 12 (see FIG. 1), whereby rotation of the substrate holding unit 31, the substrate 9, and the top plate 5 is started (step S13). The supply of the inert gas from the processing liquid nozzle 71 is continued after step S13. Then, the first processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit 72 to the processing liquid nozzle 71, and the upper surface 91 of the rotating substrate 9 is rotated through the opposing member opening 54 of the top plate 5 located at the second position. It is supplied to the central part (step S14).

処理液ノズル７１から基板９の中央部に供給された第１処理液は、基板９の回転により、基板９の中央部から径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１全体に付与される。第１処理液は、遠心力により基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、ベース側壁部３１７と対向部材側壁部５１２との間を通過して処理空間９０から排出される。基板処理装置１では、基板保持部３１が回転する際に、トッププレート５も中心軸Ｊ１を中心として回転する。このため、トッププレート５に第１処理液が付着した場合であっても、当該第１処理液も遠心力により処理空間９０から排出される。 The first processing liquid supplied from the processing liquid nozzle 71 to the central portion of the substrate 9 spreads radially outward from the central portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9 and is applied to the entire upper surface 91 of the substrate 9. . The first processing liquid is scattered radially outward from the outer edge of the substrate 9 by centrifugal force, passes between the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512, and is discharged from the processing space 90. In the substrate processing apparatus 1, when the substrate holding part 31 rotates, the top plate 5 also rotates around the central axis J1. For this reason, even when the first processing liquid adheres to the top plate 5, the first processing liquid is also discharged from the processing space 90 by centrifugal force.

処理空間９０から排出された第１処理液は、カップ部４の第１ガード４１により受けられる。図２に示す第１ガード４１の上下方向の位置は、基板９からの処理液を受ける位置であり、以下の説明では「受液位置」という。基板処理装置１では、第１処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第１処理液による基板９の処理が終了する。 The first processing liquid discharged from the processing space 90 is received by the first guard 41 of the cup portion 4. The vertical position of the first guard 41 shown in FIG. 2 is a position for receiving the processing liquid from the substrate 9 and is referred to as a “liquid receiving position” in the following description. In the substrate processing apparatus 1, when the first processing liquid is applied to the substrate 9 for a predetermined time, the processing of the substrate 9 with the first processing liquid is completed.

第１処理液は、例えば、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液であり、ステップＳ１４において、基板９に対する薬液処理が行われる。なお、第１処理液の供給（ステップＳ１４）は、基板９の回転開始（ステップＳ１３）よりも前に行われてもよい。この場合、静止状態の基板９の上面９１全体に第１処理液がパドル（液盛り）され、第１処理液によるパドル処理が行われる。 The first processing liquid is, for example, a chemical liquid such as a polymer removal liquid or an etching liquid, and the chemical liquid processing is performed on the substrate 9 in step S14. The supply of the first processing liquid (step S14) may be performed before the start of rotation of the substrate 9 (step S13). In this case, the first processing liquid is padded (filled) on the entire upper surface 91 of the substrate 9 in a stationary state, and the paddle processing with the first processing liquid is performed.

第１処理液による基板９の処理が終了すると、処理液ノズル７１からの第１処理液の供給が停止される。そして、ガード移動機構４３により第１ガード４１が下方に移動され、図６に示すように、上述の受液位置よりも下方の待避位置へと位置する。これにより、基板９からの処理液を受けるガードが、第１ガード４１から第２ガード４２に切り替えられる。すなわち、ガード移動機構４３は、第１ガード４１を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板９からの処理液を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替えるガード切替機構である。 When the processing of the substrate 9 with the first processing liquid is completed, the supply of the first processing liquid from the processing liquid nozzle 71 is stopped. And the 1st guard 41 is moved below by the guard moving mechanism 43, and as shown in FIG. 6, it is located in the retreat position below the above-mentioned liquid receiving position. As a result, the guard that receives the processing liquid from the substrate 9 is switched from the first guard 41 to the second guard 42. That is, the guard moving mechanism 43 moves the first guard 41 in the vertical direction between the liquid receiving position and the retracted position, so that the guard that receives the processing liquid from the substrate 9 is the first guard 41 and the second guard 42. It is a guard switching mechanism which switches between.

続いて、処理液供給部７２から処理液ノズル７１へと第２処理液が供給され、第２の位置に位置するトッププレート５の対向部材開口５４を介して、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１５）。処理液ノズル７１から基板９の中央部に供給された第２処理液は、基板９の回転により、基板９の中央部から径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１全体に付与される。第２処理液は、基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、ベース側壁部３１７と対向部材側壁部５１２との間を通過して処理空間９０から排出される。基板処理装置１では、上述のように、基板保持部３１が回転する際に、トッププレート５も中心軸Ｊ１を中心として回転する。このため、トッププレート５に第２処理液が付着した場合であっても、当該第２処理液も遠心力により処理空間９０から排出される。 Subsequently, the second processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit 72 to the processing liquid nozzle 71, and the upper surface 91 of the rotating substrate 9 is passed through the opposing member opening 54 of the top plate 5 located at the second position. (Step S15). The second processing liquid supplied from the processing liquid nozzle 71 to the central portion of the substrate 9 spreads radially outward from the central portion of the substrate 9 by the rotation of the substrate 9 and is applied to the entire upper surface 91 of the substrate 9. . The second processing liquid scatters radially outward from the outer edge of the substrate 9, passes between the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512, and is discharged from the processing space 90. In the substrate processing apparatus 1, as described above, when the substrate holding part 31 rotates, the top plate 5 also rotates around the central axis J1. For this reason, even when the second processing liquid adheres to the top plate 5, the second processing liquid is also discharged from the processing space 90 by centrifugal force.

処理空間９０から排出された第２処理液は、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。第２処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第２処理液による基板９の処理が終了する。第２処理液は、例えば、純水や炭酸水等の洗浄液であり、ステップＳ１５において、基板９に対する洗浄処理が行われる。 The second processing liquid discharged from the processing space 90 is received by the second guard 42 of the cup unit 4. By applying the second processing liquid to the substrate 9 for a predetermined time, the processing of the substrate 9 by the second processing liquid is completed. The second processing liquid is, for example, a cleaning liquid such as pure water or carbonated water, and the cleaning process is performed on the substrate 9 in step S15.

第２処理液による基板９の処理が終了すると、処理液ノズル７１からの第２処理液の供給が停止される。そして、ガス供給部７３により処理液ノズル７１の側面からノズル間隙５６に向けて噴射される不活性ガスの流量が増大する。また、処理液ノズル７１の下端面から処理空間９０に向けて噴射される不活性ガスの流量も増大する。さらに、基板回転機構３３が制御部１２（図１参照）により制御されることにより、基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転速度が増大する。これにより、基板９の上面９１上に残っている第２処理液等が径方向外方へと移動して基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、ベース側壁部３１７と対向部材側壁部５１２との間を通過して処理空間９０から排出される。処理空間９０から排出された第２処理液等は、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。基板９の回転が所定の時間だけ継続されることにより、基板９の上面９１上から処理液を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ１６）。 When the processing of the substrate 9 with the second processing liquid is completed, the supply of the second processing liquid from the processing liquid nozzle 71 is stopped. Then, the flow rate of the inert gas injected from the side surface of the processing liquid nozzle 71 toward the nozzle gap 56 by the gas supply unit 73 is increased. Further, the flow rate of the inert gas injected from the lower end surface of the processing liquid nozzle 71 toward the processing space 90 also increases. Further, the substrate rotation mechanism 33 is controlled by the control unit 12 (see FIG. 1), so that the rotation speeds of the substrate holding unit 31, the substrate 9, and the top plate 5 are increased. As a result, the second processing liquid or the like remaining on the upper surface 91 of the substrate 9 moves radially outward and scatters radially outward from the outer edge of the substrate 9, and the base side wall portion 317 and the opposing member side wall. It passes between the part 512 and is discharged from the processing space 90. The second processing liquid or the like discharged from the processing space 90 is received by the second guard 42 of the cup portion 4. By continuing the rotation of the substrate 9 for a predetermined time, a drying process for removing the processing liquid from the upper surface 91 of the substrate 9 is performed (step S16).

基板９の乾燥処理が終了すると、基板回転機構３３による基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転が停止される（ステップＳ１７）。また、ガス供給部７３からノズル間隙５６および処理空間９０への不活性ガスの供給が停止される。次に、対向部材昇降機構６２により対向部材保持部６１が上方に移動することにより、トッププレート５が、第２の位置から図１に示す第１の位置へと上方に移動する（ステップＳ１８）。トッププレート５は、基板保持部３１から上方に離間して対向部材保持部６１により保持される。その後、基板９がハウジング１１から搬出される（ステップＳ１９）。基板処理装置１では、複数の基板９に対して、上述のステップＳ１１〜Ｓ１９が順次行われ、複数の基板９が順次処理される。 When the drying process of the substrate 9 is completed, the rotation of the substrate holding unit 31, the substrate 9 and the top plate 5 by the substrate rotating mechanism 33 is stopped (step S17). Further, the supply of the inert gas from the gas supply unit 73 to the nozzle gap 56 and the processing space 90 is stopped. Next, when the opposing member holding portion 61 is moved upward by the opposing member lifting mechanism 62, the top plate 5 is moved upward from the second position to the first position shown in FIG. 1 (step S18). . The top plate 5 is spaced apart upward from the substrate holding part 31 and is held by the counter member holding part 61. Thereafter, the substrate 9 is unloaded from the housing 11 (step S19). In the substrate processing apparatus 1, the above-described steps S 11 to S 19 are sequentially performed on the plurality of substrates 9 to sequentially process the plurality of substrates 9.

基板処理装置１では、上述のように、ステップＳ１６における基板９の乾燥処理の際に、基板保持部３１およびトッププレート５の回転速度が増大し、遠心力により基板保持部３１およびトッププレート５の一部が変形する。具体的には、図７に示すように、基板保持部３１のベース側壁部３１７およびトッププレート５の対向部材側壁部５１２が、径方向外方へと拡がるように変形する。ベース側壁部３１７は、例えば、下端部が付け根部よりも径方向外側に位置するように変形する。対向部材側壁部５１２も、例えば、下端部が付け根部よりも径方向外側に位置するように変形する。図７では、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の変形量を実際によりも大きく描いている。また、図７では、変形前のベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２を二点鎖線にて示す。 In the substrate processing apparatus 1, as described above, when the substrate 9 is dried in step S 16, the rotation speeds of the substrate holding unit 31 and the top plate 5 increase, and the substrate holding unit 31 and the top plate 5 are rotated by centrifugal force. Some deform. Specifically, as shown in FIG. 7, the base side wall portion 317 of the substrate holding portion 31 and the opposing member side wall portion 512 of the top plate 5 are deformed so as to expand outward in the radial direction. The base side wall portion 317 is deformed so that, for example, the lower end portion is positioned on the radially outer side than the base portion. The opposing member side wall part 512 is also deformed so that, for example, the lower end part is located radially outside the base part. In FIG. 7, the deformation amount of the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512 is drawn larger than the actual amount. Moreover, in FIG. 7, the base side wall part 317 and the opposing member side wall part 512 before a deformation | transformation are shown with a dashed-two dotted line.

ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２が変形することにより、ベース側壁部３１７の外周面と対向部材側壁部５１２の内周面との間の径方向の距離であるギャップ値が変化する。上述のように、ベース側壁部３１７の付け根部の剛性は、対向部材側壁部５１２の付け根部の剛性よりも低く、ベース側壁部３１７は対向部材側壁部５１２に比べて径方向に変形しやすい。このため、ベース側壁部３１７の径方向外方への変形量は、対向部材側壁部５１２の径方向外方への変形量よりも大きくなり、ギャップ値は小さくなる。例えば、実際の基板保持部３１の回転速度は１０００〜１５００ｒｐｍであり、ギャップ値の減少量は０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ未満である。 When the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512 are deformed, a gap value that is a radial distance between the outer peripheral surface of the base side wall portion 317 and the inner peripheral surface of the counter member side wall portion 512 changes. As described above, the rigidity of the base portion of the base side wall portion 317 is lower than the rigidity of the base portion of the counter member side wall portion 512, and the base side wall portion 317 is easily deformed in the radial direction as compared with the counter member side wall portion 512. For this reason, the amount of deformation of the base side wall portion 317 in the radially outward direction is larger than the amount of deformation of the counter member side wall portion 512 in the radially outward direction, and the gap value becomes small. For example, the actual rotation speed of the substrate holder 31 is 1000 to 1500 rpm, and the amount of decrease in the gap value is 0.1 mm or more and less than 1.0 mm.

基板処理装置１では、ステップＳ１４，Ｓ１５における第１処理液および第２処理液による基板９の処理（以下、「液処理」という。）の際には、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の変形量は比較的小さく（あるいは、ほとんど変形せず）、ギャップ値は比較的大きい。このため、基板９上に継続的に供給される第１処理液および第２処理液を、処理空間９０から容易に排出することができる。一方、ステップＳ１６における基板９の乾燥処理の際には、ベース側壁部３１７の変形量は比較的大きく、ギャップ値は比較的小さくなる。このため、処理空間９０の雰囲気を容易に制御して所望の雰囲気とすることができる。上述の例では、処理空間９０は不活性ガス雰囲気とされる。これにより、基板９の乾燥が促進され、基板９の乾燥処理に要する時間が短縮される。 In the substrate processing apparatus 1, when the substrate 9 is processed with the first processing liquid and the second processing liquid in steps S 14 and S 15 (hereinafter referred to as “liquid processing”), the base side wall 317 and the counter member side wall 512. The deformation amount is relatively small (or hardly deformed), and the gap value is relatively large. For this reason, the first processing liquid and the second processing liquid continuously supplied onto the substrate 9 can be easily discharged from the processing space 90. On the other hand, when the substrate 9 is dried in step S16, the deformation amount of the base side wall portion 317 is relatively large and the gap value is relatively small. For this reason, the atmosphere of the processing space 90 can be easily controlled to obtain a desired atmosphere. In the above-described example, the processing space 90 is an inert gas atmosphere. Thereby, the drying of the substrate 9 is promoted, and the time required for the drying process of the substrate 9 is shortened.

このように、基板処理装置１では、基板回転機構３３（図６参照）により基板保持部３１が回転される際に、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２が遠心力により変形することにより、ギャップ値が基板保持部３１の回転速度に応じて変化する。これにより、処理空間９０において、雰囲気の制御と処理液の排出とのバランスを、基板保持部３１の回転速度により変更することができる。その結果、基板９の好適な処理を実現することができる。 Thus, in the substrate processing apparatus 1, when the substrate holding part 31 is rotated by the substrate rotation mechanism 33 (see FIG. 6), the base side wall part 317 and the counter member side wall part 512 are deformed by centrifugal force, The gap value changes according to the rotation speed of the substrate holder 31. Thereby, in the processing space 90, the balance between the control of the atmosphere and the discharge of the processing liquid can be changed by the rotation speed of the substrate holding unit 31. As a result, suitable processing of the substrate 9 can be realized.

詳細には、ギャップ値は基板保持部３１の回転速度の増大に伴って減少するため、回転速度が比較的高く、処理空間９０の雰囲気制御が重要視される乾燥処理の際に、ギャップ値を比較的小さくして雰囲気制御を容易に行うことができる。また、回転速度が比較的低く、処理空間９０からの処理液の排出が重要視される液処理の際に、ギャップ値を比較的大きくして処理液の排出を容易に行うことができる。 Specifically, since the gap value decreases with an increase in the rotation speed of the substrate holding unit 31, the rotation speed is relatively high, and the gap value is set in the drying process in which the atmosphere control of the processing space 90 is regarded as important. The atmosphere can be easily controlled with a relatively small size. Further, in the case of liquid processing in which the rotational speed is relatively low and discharge of the processing liquid from the processing space 90 is regarded as important, the processing liquid can be easily discharged by relatively increasing the gap value.

基板処理装置１では、制御部１２（図１参照）により基板回転機構３３による回転速度が制御されることにより、ギャップ値が制御される。そして、基板９に対する処理の種類に応じて、制御部１２がギャップ値を制御することにより、処理空間９０からの処理液の排出と雰囲気制御との好ましいバランスを、基板９に対する各処理に合わせて実現することができる。 In the substrate processing apparatus 1, the gap value is controlled by controlling the rotation speed of the substrate rotation mechanism 33 by the control unit 12 (see FIG. 1). Then, the control unit 12 controls the gap value according to the type of processing on the substrate 9, so that a preferable balance between the discharge of the processing liquid from the processing space 90 and the atmosphere control is matched to each processing on the substrate 9. Can be realized.

図７に示す例では、ギャップ値は、基板保持部３１の回転速度に応じて、中心軸Ｊ１を中心とする周方向の全周に亘って変化する。これにより、処理空間９０における雰囲気の制御および処理液の排出について、周方向における均一性を向上することができる。好ましくは、ギャップ値の変化は、全周に亘って略均一である。 In the example shown in FIG. 7, the gap value changes over the entire circumference in the circumferential direction around the central axis J 1 according to the rotation speed of the substrate holding unit 31. Thereby, the uniformity in the circumferential direction can be improved with respect to the control of the atmosphere in the processing space 90 and the discharge of the processing liquid. Preferably, the change in the gap value is substantially uniform over the entire circumference.

また、ギャップ値の変化は、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２が遠心力により径方向外方へと変形し、ベース側壁部３１７の変形量が対向部材側壁部５１２の変形量よりも大きいことにより生じる。このため、基板保持部３１の回転速度によるギャップ値の変更を容易に実現することができる。また、ギャップ値を変更するための特別な機構を設ける必要がないため、基板処理装置１の構造を簡素化することができる。さらには、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の形状、構造および材料の選択の自由度を向上することもできる。 In addition, the change in the gap value is such that the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512 are deformed radially outward by centrifugal force, and the deformation amount of the base side wall portion 317 is larger than the deformation amount of the counter member side wall portion 512. Caused by For this reason, it is possible to easily change the gap value depending on the rotation speed of the substrate holding unit 31. Moreover, since it is not necessary to provide a special mechanism for changing the gap value, the structure of the substrate processing apparatus 1 can be simplified. Furthermore, the freedom degree of selection of the shape of the base side wall part 317 and the opposing member side wall part 512, a structure, and material can also be improved.

上述の基板処理装置１では、様々な変更が可能である。 Various changes can be made in the substrate processing apparatus 1 described above.

基板処理装置１では、基板回転機構３３により基板保持部３１が回転される際に、必ずしも、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の双方が遠心力により変形する必要はない。ギャップ値は、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の少なくとも一方が遠心力により変形することにより、回転速度に応じて変化すればよい。この場合、上述のように、処理空間９０において、雰囲気の制御と処理液の排出とのバランスを、基板保持部３１の回転速度により変更することができる。その結果、基板９の好適な処理を実現することができる。 In the substrate processing apparatus 1, when the substrate holding unit 31 is rotated by the substrate rotation mechanism 33, both the base side wall portion 317 and the opposing member side wall portion 512 are not necessarily deformed by centrifugal force. The gap value may be changed according to the rotation speed when at least one of the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512 is deformed by the centrifugal force. In this case, as described above, in the processing space 90, the balance between the control of the atmosphere and the discharge of the processing liquid can be changed by the rotation speed of the substrate holding unit 31. As a result, suitable processing of the substrate 9 can be realized.

また、ギャップ値は、必ずしも周方向の全周に亘って変化する必要はなく、基板保持部３１の回転速度に応じて、周方向の少なくとも一部において変化すればよい。この場合も、上述のように、処理空間９０において、雰囲気の制御と処理液の排出とのバランスを、基板保持部３１の回転速度により変更することができる。その結果、基板９の好適な処理を実現することができる。基板処理装置１では、例えば、それぞれがベース側壁部３１７の下端から上方に延びる複数のスリットが、略等角度間隔にてベース側壁部３１７に設けられる。これにより、ベース側壁部３１７の当該複数のスリット間の部位が、基板保持部３１の回転速度に応じて容易に径方向に変化する。 Further, the gap value does not necessarily change over the entire circumference in the circumferential direction, and may be changed in at least a part in the circumferential direction according to the rotation speed of the substrate holding unit 31. Also in this case, as described above, in the processing space 90, the balance between the control of the atmosphere and the discharge of the processing liquid can be changed by the rotation speed of the substrate holding unit 31. As a result, suitable processing of the substrate 9 can be realized. In the substrate processing apparatus 1, for example, a plurality of slits each extending upward from the lower end of the base side wall portion 317 are provided in the base side wall portion 317 at substantially equal angular intervals. Thereby, the site | part between the said some slits of the base side wall part 317 changes easily to radial direction according to the rotational speed of the board | substrate holding part 31. FIG.

ベース側壁部３１７が径方向外方へと変形する際には、必ずしも、下端部が径方向の最も外側に位置する必要はなく、例えば、ベース側壁部３１７の上下方向の中央部が可撓性を有する柔軟な材料（例えば、ゴムのような伸縮性を有する材料）により形成され、遠心力により下端部よりも径方向外側まで変形してもよい。対向部材側壁部５１２においても同様である。 When the base side wall portion 317 is deformed outward in the radial direction, the lower end portion does not necessarily have to be positioned on the outermost side in the radial direction. For example, the central portion in the vertical direction of the base side wall portion 317 is flexible. May be formed by a flexible material (for example, a material having elasticity such as rubber) and may be deformed to the outside in the radial direction from the lower end portion by centrifugal force. The same applies to the opposing member side wall portion 512.

基板処理装置１では、基板９の液処理および乾燥処理が行われる際に、トッププレート５は必ずしも基板保持部３１に保持される必要はない。例えば、トッププレート５は、基板保持部３１から離間して基板９の上方に配置され、基板回転機構３３とは独立して設けられた他の回転機構により回転されてもよい。 In the substrate processing apparatus 1, the top plate 5 does not necessarily have to be held by the substrate holding unit 31 when the substrate 9 is subjected to liquid processing and drying processing. For example, the top plate 5 may be spaced apart from the substrate holding unit 31 and disposed above the substrate 9 and rotated by another rotation mechanism provided independently of the substrate rotation mechanism 33.

また、基板９の液処理および乾燥処理が行われる際に、トッププレート５は必ずしも回転されなくてもよい。この場合、対向部材側壁部５１２は変形することなく、基板保持部３１の回転時の遠心力によりベース側壁部３１７が径方向に変形することにより、ギャップ値が回転速度に応じて変化する。具体的には、基板保持部３１の回転速度の増大に伴って、ベース側壁部３１７が径方向外方に変形し、ギャップ値は減少する。 Further, when the liquid treatment and the drying treatment of the substrate 9 are performed, the top plate 5 does not necessarily have to be rotated. In this case, the opposing side wall portion 512 is not deformed, and the base side wall portion 317 is deformed in the radial direction by the centrifugal force when the substrate holding portion 31 is rotated, so that the gap value changes according to the rotation speed. Specifically, as the rotation speed of the substrate holding part 31 increases, the base side wall part 317 is deformed radially outward and the gap value decreases.

基板処理装置１では、基板保持部３１の回転時の遠心力により、ベース側壁部３１７および対向部材側壁部５１２の少なくとも一方が、径方向内方へと変形してもよい。例えば、図８に示すように、トッププレート５の対向部材本体５１の外周部に、対向部材側壁部５１２を径方向内方に変形させる側壁部押圧機構５５が設けられる。側壁部押圧機構５５は、対向部材本体５１の外周部にて周方向に略等角度間隔に配置される側壁押圧部５５１を備える。 In the substrate processing apparatus 1, at least one of the base side wall portion 317 and the counter member side wall portion 512 may be deformed inward in the radial direction by a centrifugal force when the substrate holding portion 31 rotates. For example, as shown in FIG. 8, a side wall portion pressing mechanism 55 that deforms the opposing member side wall portion 512 radially inward is provided on the outer peripheral portion of the opposing member main body 51 of the top plate 5. The sidewall pressing mechanism 55 includes sidewall pressing portions 551 that are arranged at substantially equal angular intervals in the circumferential direction on the outer peripheral portion of the opposing member main body 51.

各側壁押圧部５５１は、対向部材天蓋部５１１の外周部上面上に固定されて略周方向を向く回転軸５５２と、回転軸５５２を中心として回転可能な回転部材５５３とを備える。回転部材５５３は、回転軸５５２よりも上方に位置する錘部５５４と、回転軸５５２よりも下方にて対向部材側壁部５１２の外周面に接する側壁接触部５５５とを備える。錘部５５４は、好ましくは、回転軸５５２よりも径方向外側に位置する。 Each side wall pressing portion 551 includes a rotating shaft 552 that is fixed on the upper surface of the outer peripheral portion of the facing member canopy portion 511 and faces substantially in the circumferential direction, and a rotating member 553 that can rotate around the rotating shaft 552. The rotation member 553 includes a weight portion 554 positioned above the rotation shaft 552 and a side wall contact portion 555 that contacts the outer peripheral surface of the opposing member side wall portion 512 below the rotation shaft 552. The weight portion 554 is preferably located radially outside the rotation shaft 552.

トッププレート５が基板保持部３１と共に回転すると、遠心力により錘部５５４が径方向外方へと移動し、回転部材５５３が回転軸５５２を中心として回転する。図８に示す側壁押圧部５５１の回転部材５５３は、図８中の時計回りに回転する。これにより、側壁接触部５５５が対向部材側壁部５１２を径方向内方に押圧して変形させる。その結果、ギャップ値が、トッププレート５の回転速度の増大に伴って減少する。図８に示す例では、ベース側壁部３１７は、例えば、基板保持部３１の回転時の遠心力により径方向外方に変形してもよく、基板保持部３１の回転速度にかかわらず変形しなくてもよい。 When the top plate 5 rotates together with the substrate holding part 31, the weight part 554 moves radially outward by centrifugal force, and the rotating member 553 rotates about the rotation shaft 552. The rotating member 553 of the side wall pressing portion 551 shown in FIG. 8 rotates clockwise in FIG. Thereby, the side wall contact part 555 presses and opposes the opposing member side wall part 512 radially inward. As a result, the gap value decreases as the rotational speed of the top plate 5 increases. In the example shown in FIG. 8, the base side wall portion 317 may be deformed outward in the radial direction by, for example, centrifugal force when the substrate holding portion 31 is rotated, and is not deformed regardless of the rotation speed of the substrate holding portion 31. May be.

あるいは、図８に示す例では、例えば、側壁部押圧機構５５により対向部材側壁部５１２の遠心力による径方向外方への変形が抑えられて対向部材側壁部５１２が変形せず、ベース側壁部３１７が遠心力により径方向外方に変形することにより、ギャップ値が回転速度に応じて変化してもよい。 Alternatively, in the example illustrated in FIG. 8, for example, the side wall portion pressing mechanism 55 suppresses deformation of the counter member side wall portion 512 in the radial direction due to the centrifugal force, and the counter member side wall portion 512 is not deformed. The gap value may change according to the rotation speed by deforming 317 radially outward by centrifugal force.

基板処理装置１では、基板９に対する処理の種類と、各処理に適した処理空間９０からの処理液の排出と雰囲気制御とのバランスとの関係に合わせて、ギャップ値が、基板保持部３１の回転速度の増大に伴って増大してもよい。 In the substrate processing apparatus 1, the gap value of the substrate holding unit 31 is adjusted in accordance with the relationship between the type of processing for the substrate 9 and the balance between the processing liquid discharge from the processing space 90 suitable for each processing and the atmosphere control. It may increase as the rotational speed increases.

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。 The configurations in the above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.

１基板処理装置
５トッププレート
９基板
１２制御部
３１基板保持部
３３基板回転機構
５４対向部材開口
７２処理液供給部
９０処理空間
９１上面
３１６ベース本体部
３１７ベース側壁部
５１１対向部材天蓋部
５１２対向部材側壁部
Ｊ１中心軸
Ｓ１１〜Ｓ１９ステップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 5 Top plate 9 Substrate 12 Control part 31 Substrate holding part 33 Substrate rotation mechanism 54 Opposing member opening 72 Processing liquid supply part 90 Processing space 91 Upper surface 316 Base main body part 317 Base side wall part 511 Opposing member canopy part 512 Opposing member Side wall J1 Central axis S11-S19 Step

Claims

A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A substrate holder for holding the substrate in a horizontal state;
A counter member facing the top surface of the substrate and having a counter member opening in the center;
A substrate rotation mechanism for rotating the substrate together with the substrate holding portion around a central axis facing in the vertical direction;
A treatment liquid supply unit for supplying a treatment liquid to the upper surface of the substrate through the opposing member opening;
With
The substrate holder is
A disc-shaped base body,
A cylindrical base side wall portion extending downward from the outer periphery of the base body portion;
With
The opposing member is
A counter member canopy portion in the shape of a ring plate facing the upper surface of the substrate and having the counter member opening provided in the center portion;
A cylindrical opposing member side wall portion extending downward from the outer peripheral portion of the opposing member canopy portion;
With
The base side wall portion and the opposing member side wall portion are opposed in the radial direction,
When the substrate holding portion is rotated by the substrate rotating mechanism, at least one of the base side wall portion and the counter member side wall portion is deformed by centrifugal force, so that the outer peripheral surface of the base side wall portion and the counter member side wall are A substrate processing apparatus characterized in that a gap value, which is a radial distance from the inner peripheral surface of a portion, changes according to a rotational speed in at least a part of the circumferential direction.

The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the gap value changes over the entire circumference in accordance with a rotation speed.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
When the substrate holding portion rotates, the opposing member also rotates about the central axis.

The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the facing member is held by the substrate holding part and rotated together with the substrate holding part by the substrate rotating mechanism.

The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein
When the substrate holding portion rotates, the base side wall portion and the counter member side wall portion are deformed radially outward by centrifugal force, and the deformation amount of the base side wall portion is larger than the deformation amount of the counter member side wall portion. Is a large substrate processing apparatus.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing apparatus, wherein the gap value decreases as the rotation speed increases.

A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The substrate processing apparatus further comprising a control unit that controls the gap value by controlling a rotation speed of the substrate rotation mechanism.