JP2018160508A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.
従来、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、特許文献１に開示されている基板処理装置では、基板に処理流体が供給されて基板の処理が行われる。当該基板処理装置では、基板が回転ベース部材により下方から支持され、基板の上方には基板の上部空間を遮蔽する遮蔽部材が設けられる。遮蔽部材の中央には二重配管が設けられ、内側の配管から下方の基板に向けて、処理液または窒素ガスが選択的に供給される。また、外側の配管から下方の基板に向けて、窒素ガスが供給される。
Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”), various processes are performed on the substrate. For example, in the substrate processing apparatus disclosed in
ところで、特許文献１の基板処理装置では、上述の二重配管から基板中央部に向けて、窒素ガスが直接的に噴射される。このため、基板中央部における処理液の温度が所望の温度からずれたり、基板中央部における処理液の液膜形状が所望の形状から変化するおそれがある。また、当該基板処理装置では、基板中央部の上方の雰囲気が、外側の配管から噴射された窒素ガスの円筒状の気流に遮られて滞留するおそれがある。当該雰囲気には、パーティクルの原因となる処理流体のミスト等が含まれているため、基板の上方から速やかに排除されることが好ましい。
By the way, in the substrate processing apparatus of
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理空間の中央部における雰囲気の滞留を抑制することを主な目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and has as its main object to suppress the retention of the atmosphere in the central portion of the processing space.
請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、前記基板よりも外径が大きい円板状であり、前記基板の上面に対向して前記中心軸を中心として回転する対向部材と、前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給機構と、前記基板の中央部の上方に配置され、前記対向部材の下面と前記基板の前記上面との間の空間である処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部が、前記基板の前記中央部に向けて鉛直下方に前記不活性ガスを供給する第１供給部と、前記第１供給部の周囲に配置され、径方向外方に前記不活性ガスを供給する第２供給部とを備える。
The invention described in
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第２供給部が、前記対向部材の前記下面よりも下方にて径方向外方を向く供給口から、径方向外方に向けて前記不活性ガスを供給する。
Invention of Claim 2 is the substrate processing apparatus of
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第２供給部が、前記基板の前記中央部の上方に配置されるガイド部を備え、前記ガイド部が、前記基板の前記中央部に向かって鉛直下方に流れる前記不活性ガスを径方向外方へと導く。
Invention of Claim 3 is a substrate processing apparatus of
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記第２供給部から前記対向部材の前記下面に向かって前記不活性ガスが供給される。 A fourth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the inert gas is supplied from the second supply unit toward the lower surface of the opposing member. Is done.
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記第２供給部からの前記不活性ガスの供給方向が、径方向に対して前記対向部材の回転方向前方に向かって傾斜している。
Invention of
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記処理液供給機構から前記基板に薬液が供給される際に、前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量が、前記第２供給部からの前記不活性ガスの供給流量よりも多い。 A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein the first supply is performed when the chemical liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism to the substrate. The supply flow rate of the inert gas from the unit is larger than the supply flow rate of the inert gas from the second supply unit.
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量が、前記第２供給部からの前記不活性ガスの供給流量よりも少ない。 A seventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the supply flow rate of the inert gas from the first supply unit is the second supply unit. Less than the supply flow rate of the inert gas.
請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記処理液供給機構から前記基板に薬液が供給される際における前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量が、リンス液が存在する前記基板上に前記処理液供給機構から置換液が供給されて前記基板上に前記置換液の液膜が形成される際における前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量よりも多い。 The invention according to an eighth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, wherein the first supply unit when the chemical liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism to the substrate. The supply flow rate of the inert gas from the substrate is such that the replacement liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism onto the substrate on which the rinsing liquid is present and the liquid film of the replacement liquid is formed on the substrate. More than the supply flow rate of the inert gas from one supply unit.
本発明では、処理空間の中央部における雰囲気の滞留を抑制することができる。 In the present invention, it is possible to suppress the stagnation of the atmosphere in the central portion of the processing space.
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す縦断面図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、カップ部４と、トッププレート５と、対向部材移動機構６と、ノズル７１と、ハウジング１１とを備える。基板保持部３１、基板回転機構３３、カップ部４、トッププレート５、対向部材移動機構６およびノズル７１は、ハウジング１１の内部空間に収容される。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a
基板保持部３１は、水平状態で基板９を保持する。基板保持部３１は、保持ベース部３１１と、複数のチャック３１２と、複数の係合部３１３とを備える。基板９は、保持ベース部３１１の上方に配置される。保持ベース部３１１は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材である。複数のチャック３１２は、保持ベース部３１１の上面の外周部に配置される。複数のチャック３１２は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向（以下、単に「周方向」という。）において略等角度間隔に配置される。基板保持部３１では、複数のチャック３１２により、基板９の外縁部が支持される。複数の係合部３１３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、保持ベース部３１１の上面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部３１３は、複数のチャック３１２よりも中心軸Ｊ１を中心とする径方向（以下、単に「径方向」という。）の外側に配置される。
The
基板回転機構３３は、基板保持部３１の下方に配置される。基板回転機構３３は、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部３１と共に回転する。基板回転機構３３は、例えば、中心軸Ｊ１上に回転軸を有する軸回転型のモータである。基板回転機構３３の構造は様々に変更されてよい。例えば、基板回転機構３３として、中空モータが利用されてもよい。
The
カップ部４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材であり、基板９および基板保持部３１の径方向外側に配置される。カップ部４は、基板９および基板保持部３１の周囲の全周に亘って配置され、基板９から周囲に向かって飛散する処理液等を受ける。カップ部４は、第１ガード４１と、第２ガード４２と、ガード移動機構４３と、排出ポート４４とを備える。
The cup portion 4 is an annular member centered on the central axis J <b> 1 and is disposed on the radially outer side of the
第１ガード４１および第２ガード４２は、基板９および基板保持部３１の周囲を全周に亘って囲む。ガード移動機構４３は、第１ガード４１を上下方向に移動することにより、基板９からの処理液等を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替える。カップ部４の第１ガード４１および第２ガード４２にて受けられた処理液等は、排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。また、第１ガード４１内および第２ガード４２内のガスも排出ポート４４を介してハウジング１１の外部へと排出される。
The
トッププレート５は、略円板状の部材である。トッププレート５は、基板９の上面９１に対向する対向部材である。トッププレート５は、また、基板９の上方を遮蔽する遮蔽板でもある。トッププレート５の外径は、基板９の外径、および、保持ベース部３１１の外径よりも大きい。トッププレート５は、対向部材本体５１と、被保持部５２と、複数の係合部５３と、第１凹凸部５５とを備える。対向部材本体５１は、対向部材天蓋部５１１と、対向部材側壁部５１２とを備える。対向部材天蓋部５１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材であり、基板９の上面９１に対向する。対向部材側壁部５１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材であり、対向部材天蓋部５１１の外周部から下方に広がる。
The
対向部材天蓋部５１１の中央部には、対向部材開口５４が設けられる。対向部材開口５４は、例えば、平面視において略円形である。対向部材開口５４の直径は、基板９の直径に比べて十分に小さい。対向部材天蓋部５１１の下面（すなわち、トッププレート５の下面）は、例えば、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。換言すれば、対向部材天蓋部５１１の下面は、対向部材開口５４の外周縁から径方向外方かつ下方に延びる傾斜面である。
A
複数の係合部５３は、中心軸Ｊ１を中心として略等角度間隔にて、対向部材天蓋部５１１の下面の外周部に周方向に配置される。複数の係合部５３は、対向部材側壁部５１２の径方向内側に配置される。
The plurality of engaging
被保持部５２は、対向部材本体５１の上面に接続される。被保持部５２は、対向部材筒部５２１と、対向部材フランジ部５２２とを備える。対向部材筒部５２１は、対向部材本体５１の対向部材開口５４の周囲から上方に突出する略筒状の部位である。対向部材筒部５２１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。対向部材フランジ部５２２は、対向部材筒部５２１の上端部から径方向外方に環状に広がる。対向部材フランジ部５２２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。対向部材フランジ部５２２の上面には、円周状の凹部と円周状の凸部とが同心円状に交互に配置される第１凹凸部５５が設けられる。第１凹凸部５５は、複数の凹部と複数の凸部とを有する。
The held
対向部材移動機構６は、対向部材保持部６１と、対向部材昇降機構６２とを備える。対向部材保持部６１は、トッププレート５の被保持部５２を保持する。対向部材保持部６１は、保持部本体６１１と、本体支持部６１２と、フランジ支持部６１３と、支持部接続部６１４と、第２凹凸部６１５とを備える。保持部本体６１１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状である。保持部本体６１１は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の上方を覆う。本体支持部６１２は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部６１２の一方の端部は保持部本体６１１に接続され、他方の端部は対向部材昇降機構６２に接続される。
The counter member moving mechanism 6 includes a counter
保持部本体６１１の中央部からはノズル７１が下方に突出する。ノズル７１は、中心軸Ｊ１上に配置される。ノズル７１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円柱状の部材である。ノズル７１は、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）により形成される。ノズル７１は、対向部材筒部５２１に非接触状態で挿入される。以下の説明では、ノズル７１と対向部材筒部５２１との間の空間を「ノズル間隙５６」と呼ぶ。ノズル間隙５６は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の空間である。ノズル７１の周囲には、保持部本体６１１の下面において円周状の凹部と円周状の凸部とが同心円状に交互に配置される第２凹凸部６１５が設けられる。第２凹凸部６１５は、第１凹凸部５５と上下方向に対向する。
The
フランジ支持部６１３は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状である。フランジ支持部６１３は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の下方に位置する。フランジ支持部６１３の内径は、対向部材フランジ部５２２の外径よりも小さい。フランジ支持部６１３の外径は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外径よりも大きい。支持部接続部６１４は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。支持部接続部６１４は、フランジ支持部６１３と保持部本体６１１とを対向部材フランジ部５２２の周囲にて接続する。対向部材保持部６１では、保持部本体６１１は対向部材フランジ部５２２の上面と上下方向に対向する保持部上部であり、フランジ支持部６１３は対向部材フランジ部５２２の下面と上下方向に対向する保持部下部である。
The
図１に示す位置にトッププレート５が位置する状態では、フランジ支持部６１３は、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２の外周部に下側から接して支持する。換言すれば、対向部材フランジ部５２２が、対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持される。これにより、トッププレート５が、基板９および基板保持部３１の上方にて、対向部材保持部６１により吊り下げられる。以下の説明では、図１に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第１の位置」という。トッププレート５は、第１の位置にて、対向部材移動機構６により保持されて、基板保持部３１から上方に離間する。また、トッププレート５が第１の位置に位置する状態では、第２凹凸部６１５の凸部の下端は、第１凹凸部５５の凸部の上端よりも上方に位置する。
In the state where the
フランジ支持部６１３には、トッププレート５の位置ずれ（すなわち、トッププレート５の移動および回転）を制限する移動制限部６１６が設けられる。図１に示す例では、移動制限部６１６は、フランジ支持部６１３の上面から上方に突出する突起部である。移動制限部６１６が、対向部材フランジ部５２２に設けられた孔部に挿入されることにより、トッププレート５の位置ずれが制限される。
The
対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を対向部材保持部６１と共に上下方向に移動させる。図２は、トッププレート５が図１に示す第１の位置から下降した状態を示す縦断面図である。以下の説明では、図２に示すトッププレート５の上下方向の位置を「第２の位置」という。すなわち、対向部材昇降機構６２は、トッププレート５を第１の位置と第２の位置との間で基板保持部３１に対して相対的に上下方向に移動する。第２の位置は、第１の位置よりも下方の位置である。換言すれば、第２の位置は、トッププレート５が第１の位置よりも上下方向において基板保持部３１に近接する位置である。
The facing
トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５の複数の係合部５３がそれぞれ、基板保持部３１の複数の係合部３１３と係合する。複数の係合部５３は、複数の係合部３１３により下方から支持される。換言すれば、複数の係合部３１３はトッププレート５を支持する対向部材支持部である。例えば、係合部３１３は、上下方向に略平行なピンであり、係合部３１３の上端部が、係合部５３の下端部に上向きに形成された凹部に嵌合する。また、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２は、対向部材保持部６１のフランジ支持部６１３から上方に離間する。これにより、トッププレート５は、第２の位置にて、基板保持部３１により保持されて対向部材移動機構６から離間する（すなわち、対向部材移動機構６と非接触状態となる。）。
In a state where the
トッププレート５が基板保持部３１により保持された状態では、トッププレート５の対向部材側壁部５１２の下端が、基板保持部３１の保持ベース部３１１の上面よりも下方、または、保持ベース部３１１の上面と上下方向に関して同じ位置に位置する。トッププレート５が第２の位置に位置する状態で基板回転機構３３が駆動されると、トッププレート５は、基板９および基板保持部３１と共に回転する。換言すれば、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、トッププレート５は、基板回転機構３３により基板９および基板保持部３１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転可能となる。
In a state where the
図３は、図２中のノズル７１近傍の部位を拡大して示す縦断面図である。図２および図３に示すように、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、ノズル７１の下端部が、トッププレート５の下面から下方に突出している。換言すれば、ノズル７１の下端部は、対向部材開口５４から下方に突出している。さらに換言すれば、ノズル７１の下端が、ノズル間隙５６の下端（すなわち、対向部材筒部５２１の下端）よりも下方に位置する。
FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view showing a portion in the vicinity of the
ノズル７１の下端部には、ノズル７１から径方向外方へと延びるガイド部７１１が設けられる。ガイド部７１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材である。ガイド部７１１の外径は、ノズル間隙５６の外径よりも小さい。図３に示す例では、ガイド部７１１は、ノズル７１の下端面の外周縁から、径方向外方かつ下方へと延びる。ガイド部７１１の縦断面は、例えば直線状である。ガイド部７１１は、対向部材開口５４の近傍において、ノズル間隙５６の鉛直下方に配置される。
A
ガイド部７１１の形状は適宜変更されてよい。例えば、図４に示すように、ガイド部７１１の縦断面は、ノズル７１の下端面の外周縁から径方向外方かつ下方へと延び、下向きに凸である略円弧状であってもよい。
The shape of the
図３に示すように、トッププレート５が第２の位置に位置する状態では、第１凹凸部５５と第２凹凸部６１５とが、互いに非接触状態で上下方向に近接する。第１凹凸部５５の凸部は、第２凹凸部６１５の凹部内に間隙を介して配置され、第２凹凸部６１５の凸部は第１凹凸部５５の凹部内に間隙を介して配置される。換言すれば、第１凹凸部５５および第２凹凸部６１５の一方の凹部内に他方の凸部が間隙を介して配置される。これにより、ノズル７１の周囲において、トッププレート５の対向部材フランジ部５２２と対向部材移動機構６の保持部本体６１１との間にラビリンス５７が形成される。ラビリンス５７全体において、第１凹凸部５５と第２凹凸部６１５との間の上下方向の距離および径方向の距離はおよそ一定である。ラビリンス５７は、ノズル間隙５６に連続する。トッププレート５が回転する際には、第１凹凸部５５は回転し、第２凹凸部６１５は回転しない。
As shown in FIG. 3, in a state where the
図５は、基板処理装置１におけるガスおよび処理液の供給に係る気液供給部７を示すブロック図である。気液供給部７は、処理液供給機構７２と、ガス供給機構７３とを備える。処理液供給機構７２は、処理液供給源７２１と、上述のノズル７１とを含む。ガス供給機構７３は、ガス供給源７３１と、ノズル７１とを含む。換言すれば、処理液供給機構７２とガス供給機構７３とは、ノズル７１を共有する。
FIG. 5 is a block diagram showing the gas-
処理液供給源７２１は、処理液を送出する。処理液供給源７２１から送出された処理液は、ノズル７１を介して基板９の上面９１に供給される。基板処理装置１では、処理液として、様々な種類の液体が利用される。処理液は、例えば、基板９の薬液処理に用いられる薬液（ポリマー除去液、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液等）であってもよい。処理液は、例えば、基板９のリンス処理（すなわち、洗浄処理）に用いられる純水（ＤＩＷ：deionized water）や炭酸水等のリンス液であってもよい。処理液は、例えば、基板９上の液体を置換するために供給されるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の置換液であってもよい。
The processing
ガス供給源７３１は、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを送出する。ガス供給源７３１から送出された不活性ガスは、ノズル７１を介して、トッププレート５の下面と基板９の上面９１との間の空間（以下、「処理空間９０」という。）に供給される。また、ガス供給源７３１からの不活性ガスは、ラビリンス５７にも供給される。
The
図３に示すように、ノズル７１の内部には、処理液流路７１６と、第１ガス流路７１７と、第２ガス流路７１８とが設けられる。処理液流路７１６は、図５に示す処理液供給源７２１に接続される。第１ガス流路７１７および第２ガス流路７１８は、図５に示すガス供給源７３１に接続される。処理液流路７１６および第１ガス流路７１７は、平面視においてノズル７１の略中央部に配置される。第２ガス流路７１８は、平面視においてノズル７１の外周部に配置される。
As shown in FIG. 3, a
処理液供給源７２１から処理液流路７１６に供給された処理液は、ノズル７１の下端面に設けられた吐出口７１６ａから略鉛直下方へと吐出される。ノズル７１から吐出された処理液は、基板９の中央部へと供給される。基板９の中央部とは、基板９における中心軸Ｊ１近傍の領域を指す。基板９の中央部とは、例えば、基板９上において、対向部材開口５４と平面視にて重なる領域を意味する。ノズル７１から複数種類の処理液が吐出される場合、ノズル７１には、当該複数種類の処理液にそれぞれ対応する複数の処理液流路７１６が設けられ、複数種類の処理液はそれぞれ複数の吐出口７１６ａから吐出されてもよい。
The processing liquid supplied from the processing
ガス供給源７３１から第１ガス流路７１７に供給された不活性ガスは、ノズル７１の下端面に設けられた下面噴射口７１７ａから、基板９とトッププレート５との間の処理空間９０に供給される。具体的には、第１ガス流路７１７を流れる不活性ガスは、下面噴射口７１７ａから基板９の中央部に向けて鉛直下方に供給（例えば、噴射）される。
The inert gas supplied from the
ガス供給源７３１から第２ガス流路７１８に供給された不活性ガスは、ノズル７１の外周面に設けられた複数の側面噴射口７１８ａから周囲に供給（例えば、噴射）される。本実施例では、複数の側面噴射口７１８ａの数は６である。複数の側面噴射口７１８ａは周方向に略等角度間隔にて配列される。各側面噴射口７１８ａは、周方向に延びるスリット状の開口である。複数の側面噴射口７１８ａは、第２ガス流路７１８の下端部から周方向に延びる周状流路７１８ｂに、接続流路７１８ｃを介して接続されている。接続流路７１８ｃは、周状流路７１８ｂから径方向外方に向かって、平面視において径方向に略平行に延びる。なお、側面噴射口７１８ａの数は適宜変更されてよい。例えば、ノズル７１の外周面に設けられる側面噴射口７１８ａの数は、１であってもよい。この場合、側面噴射口７１８ａは、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状であることが好ましい。
The inert gas supplied from the
複数の側面噴射口７１８ａは、対向部材開口５４よりも上側に配置され、対向部材筒部５２１の内周面と径方向に対向する。ガス供給源７３１から第２ガス流路７１８に供給された不活性ガスは、複数の側面噴射口７１８ａからノズル間隙５６へと供給される。各側面噴射口７１８ａからの不活性ガスは、例えば、ノズル間隙５６に向けて径方向外方かつ下方へと噴射される。
The plurality of side
複数の側面噴射口７１８ａからノズル間隙５６に供給された不活性ガスは、ノズル間隙５６内において下方へと流れ、ノズル間隙５６の下端である対向部材開口５４を介して、略鉛直下方に（すなわち、基板９の中央部に向かって）流出する。上述のように、ノズル間隙５６の鉛直下方には（すなわち、基板９の中央部の上方には）ガイド部７１１が配置されており、ノズル間隙５６から流出した不活性ガスは、ガイド部７１１の上面に沿って径方向外方かつ下方へと導かれる。これにより、第２ガス流路７１８からノズル間隙５６に供給された不活性ガスは、処理空間９０内において、基板９の中央部の上方の位置から径方向外方かつ下方に（すなわち、上下方向に対して傾斜した方向に）供給される。
The inert gas supplied to the
基板処理装置１では、ガイド部７１１は、ノズル間隙５６からの不活性ガスを必ずしも径方向外方かつ下方へと導く必要はなく、側方（すなわち、径方向外方）へと導けばよい。例えば、ガイド部７１１の上面が、中心軸Ｊ１に略垂直な平面であり、ノズル間隙５６からの不活性ガスが、ガイド部７１１により径方向外方に略水平に導かれてもよい。あるいは、ガイド部７１１の上面が、ノズル７１の下端外周縁から径方向外方かつ上方へと延びており、ノズル間隙５６からの不活性ガスが、ガイド部７１１により径方向外方かつ上方へと導かれてもよい。いずれの場合も、第２ガス流路７１８からノズル間隙５６に供給された不活性ガスは、処理空間９０内において、基板９の中央部の上方の位置から、上下方向に対して傾斜した方向に供給される。
In the
以下の説明では、ガス供給機構７３のうち、基板９の中央部に向けて鉛直下方に不活性ガスを供給する構造を「第１供給部」と呼ぶ。また、ガス供給機構７３のうち、当該第１供給部の周囲に配置され、処理空間９０において径方向外方に不活性ガスを供給する構造を「第２供給部」と呼ぶ。上述の例では、第１供給部は、第１ガス流路７１７を含む。また、第２供給部は、第２ガス流路７１８、ノズル間隙５６およびガイド部７１１を含む。第２供給部は、第１供給部の周囲に配置される。
In the following description, the structure of supplying the inert gas vertically downward toward the central part of the
以下の説明では、第１供給部と第２供給部とを合わせて「ガス供給部」とも呼ぶ。ガス供給部は、中心軸Ｊ１の近傍において、基板９の中央部の上方に配置される。換言すれば、ガス供給部は中心軸Ｊ１上に配置される。ガス供給機構７３では、ガス供給源７３１から第１供給部に供給される不活性ガスの流量と、ガス供給源７３１から第２供給部に供給される不活性ガスの流量とが、互いに独立して調節可能である。
In the following description, the first supply unit and the second supply unit are collectively referred to as a “gas supply unit”. The gas supply unit is disposed above the central part of the
次に、基板処理装置１における基板９の処理の流れの一例について、図６を参照しつつ説明する。まず、トッププレート５が図１に示す第１の位置に位置する状態で、基板９がハウジング１１内に搬入され、基板保持部３１により保持される（ステップＳ１１）。このとき、トッププレート５は対向部材移動機構６の対向部材保持部６１により保持されている。
Next, an example of the processing flow of the
続いて、対向部材昇降機構６２により対向部材保持部６１が下方へと移動される。これにより、トッププレート５が第１の位置から第２の位置へと下方に移動し、図２に示すように、トッププレート５が基板保持部３１により保持される（ステップＳ１２）。また、図２および図３に示すように、トッププレート５と対向部材保持部６１との間にラビリンス５７が形成される。そして、ガス供給機構７３からノズル７１およびノズル間隙５６を介して処理空間９０に不活性ガス（すなわち、処理雰囲気用ガス）の供給が開始される。また、ガス供給機構７３からラビリンス５７にも不活性ガス（すなわち、シールガス）の供給が開始される。
Subsequently, the counter
次に、図２に示す基板回転機構３３により、基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転が開始される（ステップＳ１３）。処理空間９０およびラビリンス５７への不活性ガスの供給は、ステップＳ１３以降も継続される。そして、処理液供給源７２１からノズル７１へと第１処理液が供給され、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１４）。
Next, rotation of the
ノズル７１から基板９の中央部に供給された第１処理液は、基板９の回転により、基板９の中央部から径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１全体に付与される。第１処理液は、基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第１ガード４１により受けられる。図２に示す第１ガード４１の上下方向の位置は、基板９からの処理液を受ける位置であり、以下の説明では「受液位置」という。第１処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第１処理液による基板９の処理が終了する。
The first processing liquid supplied from the
第１処理液は、ポリマー除去液やエッチング液等の薬液であり、ステップＳ１４において、基板９に対する薬液処理が行われる。基板９の薬液処理は、処理空間９０が不活性ガス雰囲気（すなわち、低酸素雰囲気）である状態にて行われる。ガス供給機構７３から処理空間９０に供給された不活性ガスは、処理空間９０内にて径方向外方へと流れ、カップ部４の排出ポート４４から外部へと排出される。
The first processing liquid is a chemical liquid such as a polymer removing liquid or an etching liquid, and the chemical liquid processing is performed on the
基板９の薬液処理が行われている間、第１ガス流路７１７（図３参照）を介して処理空間９０の中央部（すなわち、処理空間９０の径方向中央部）に供給される不活性ガスの流量は、例えば、第２ガス流路７１８およびノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給される不活性ガスの流量よりも多い。換言すれば、処理液供給機構７２から基板９に薬液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも多い。
While the chemical treatment of the
なお、第１処理液の供給（ステップＳ１４）は、基板９の回転開始（ステップＳ１３）よりも前に行われてもよい。この場合、静止状態の基板９の上面９１全体に第１処理液がパドルされ（すなわち、液盛りされ）、第１処理液によるパドル処理が行われる。
The supply of the first processing liquid (step S14) may be performed before the start of rotation of the substrate 9 (step S13). In this case, the first processing liquid is paddled (that is, accumulated) over the entire
第１処理液による基板９の処理が終了すると、ノズル７１からの第１処理液の供給が停止される。そして、ガード移動機構４３により第１ガード４１が下方に移動され、図７に示すように、上述の受液位置よりも下方の待避位置へと位置する。これにより、基板９からの処理液を受けるガードが、第１ガード４１から第２ガード４２に切り替えられる。すなわち、ガード移動機構４３は、第１ガード４１を受液位置と待避位置との間で上下方向に移動することにより、基板９からの処理液を受けるガードを第１ガード４１と第２ガード４２との間で切り替えるガード切替機構である。
When the processing of the
続いて、処理液供給源７２１からノズル７１へと第２処理液が供給され、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１５）。ノズル７１から基板９の中央部に供給された第２処理液は、基板９の回転により、基板９の中央部から径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１全体に付与される。第２処理液は、基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。第２処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第２処理液による基板９の処理が終了する。
Subsequently, the second processing liquid is supplied from the processing
第２処理液は、純水や炭酸水等のリンス液であり、ステップＳ１５において、基板９に対するリンス処理が行われる。基板９のリンス処理も、薬液処理と同様に、処理空間９０が不活性ガス雰囲気（すなわち、低酸素雰囲気）である状態にて行われる。ガス供給機構７３から処理空間９０に供給された不活性ガスは、処理空間９０内にて径方向外方へと流れ、カップ部４の排出ポート４４から外部へと排出される。
The second processing liquid is a rinsing liquid such as pure water or carbonated water, and the rinsing process for the
基板９のリンス処理が行われている間、第１ガス流路７１７を介して処理空間９０の中央部に供給される不活性ガスの流量は、例えば、第２ガス流路７１８およびノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給される不活性ガスの流量よりも多い。換言すれば、処理液供給機構７２から基板９にリンス液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも多い。
While the
第２処理液による基板９の処理が終了すると、ノズル７１からの第２処理液の供給が停止される。そして、ガス供給機構７３において不活性ガスの流量が調節され、第１ガス流路７１７から処理空間９０の中央部に供給される不活性ガスの流量が減少する。また、第２ガス流路７１８およびノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給される不活性ガスの流量が増大する。
When the processing of the
続いて、処理液供給源７２１からノズル７１へと第３処理液が供給され、回転中の基板９の上面９１の中央部に供給される（ステップＳ１６）。第３処理液は、ＩＰＡ等の置換液である。ノズル７１から基板９の中央部に供給された第３処理液は、基板９の回転により径方向外方へと拡がる。これにより、基板９の上面９１上に残留している第２処理液（すなわち、リンス液）が第３処理液により置換され、基板９の上面９１全体が第３処理液により被覆される。すなわち、ステップＳ１６では、第３処理液による第２処理液の置換処理が行われる。
Subsequently, the third processing liquid is supplied from the processing
当該置換処理も、薬液処理およびリンス処理と同様に、処理空間９０が不活性ガス雰囲気（すなわち、低酸素雰囲気）である状態にて行われる。ガス供給機構７３から処理空間９０に供給された不活性ガスは、処理空間９０内にて径方向外方へと流れ、カップ部４の排出ポート４４から外部へと排出される。また、第２処理液および第３処理液は、基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。第３処理液が基板９に対して所定時間付与されることにより、第３処理液による基板９の処理が終了する。
The replacement process is also performed in a state where the
当該置換処理が行われている間、第１ガス流路７１７を介して処理空間９０の中央部に供給される不活性ガスの流量は、例えば、第２ガス流路７１８およびノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給される不活性ガスの流量よりも少ない。換言すれば、処理液供給機構７２から基板９に置換液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量は、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも少ない。置換処理の際の第１供給部からの不活性ガスの流量は、例えば、ゼロであってもよい。
During the replacement process, the flow rate of the inert gas supplied to the central portion of the
第３処理液による基板９の処理が終了すると、ノズル７１からの第３処理液の供給が停止される。そして、ガス供給機構７３において不活性ガスの流量が調節され、第１ガス流路７１７から処理空間９０の中央部に供給される不活性ガスの流量が増大する。また、第２ガス流路７１８およびノズル間隙５６を介して処理空間９０に供給される不活性ガスの流量も増大する。さらに、基板回転機構３３による基板９の回転速度が増大する。これにより、基板９の上面９１上の第３処理液が径方向外方へと移動して基板９の外縁から径方向外方へと飛散し、カップ部４の第２ガード４２により受けられる。基板９の回転が所定の時間だけ継続されることにより、基板９の上面９１上から第３処理液等の液体を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ１７）。
When the processing of the
基板９の乾燥処理が終了すると、基板回転機構３３による基板保持部３１、基板９およびトッププレート５の回転が停止される（ステップＳ１８）。また、ガス供給機構７３から処理空間９０およびラビリンス５７への不活性ガスの供給が停止される。次に、対向部材昇降機構６２により対向部材保持部６１が上方に移動することにより、トッププレート５が、第２の位置から図１に示す第１の位置へと上方に移動する（ステップＳ１９）。トッププレート５は、基板保持部３１から上方に離間して対向部材保持部６１により保持される。その後、基板９がハウジング１１から搬出される（ステップＳ２０）。基板処理装置１では、複数の基板９に対して、上述のステップＳ１１〜Ｓ２０が順次行われ、複数の基板９が順次処理される。
When the drying process of the
以上に説明したように、基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、対向部材であるトッププレート５と、処理液供給機構７２と、ガス供給部とを備える。基板保持部３１は、水平状態で基板９を保持する。基板回転機構３３は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心として、基板保持部３１を回転する。トッププレート５は、基板９よりも外径が大きい円板状である。トッププレート５は、基板９の上面９１に対向して中心軸Ｊ１を中心として回転する。処理液供給機構７２は、基板９の上面９１に処理液を供給する。ガス供給部は、基板９の中央部の上方に配置される。ガス供給部は、トッププレート５の下面と基板９の上面９１との間の空間である処理空間９０に不活性ガスを供給する。ガス供給部は、第１供給部と、第２供給部とを備える。第１供給部は、基板９の中央部に向けて鉛直下方に不活性ガスを供給する。第２供給部は、第１供給部の周囲に配置され、径方向外方に不活性ガスを供給する。
As described above, the
基板処理装置１では、第２供給部から鉛直下方に不活性ガスが供給される場合に比べて、第１供給部から処理空間９０の中央部に供給された不活性ガスの径方向外方への移動が、第２供給部から供給される不活性ガスの気流により阻害されることを抑制することができる。したがって、処理空間９０の中央部における雰囲気の滞留を抑制することができる。その結果、当該雰囲気に含まれている可能性がある処理液のミスト等によりパーティクルが発生することを、防止または抑制することができる。
In the
また、基板処理装置１では、第２供給部から鉛直下方に不活性ガスが供給される場合に比べて、基板９の中央部における処理液の温度が、不活性ガスの気流の影響により所望の温度よりも低下することを抑制することができる。さらに、基板９の中央部における処理液の液膜形状が、不活性ガスの気流の影響により所望の形状から変化する（すなわち、液膜が乱れる）ことも抑制することができる。換言すれば、基板９の中央部において、不活性ガスの気流の影響による処理液の温度変化、および、処理液の液膜の形状変化を抑制することができる。
Further, in the
上述のように、第２供給部は、基板９の中央部の上方に配置されるガイド部７１１を備える。ガイド部７１１は、基板９の中央部に向かって鉛直下方に流れる不活性ガスを、径方向外方へと導く。これにより、ガス供給部において、径方向外方への不活性ガスの供給を、簡素な構造で実現することができる。その結果、基板処理装置１の構造を簡素化することができる。
As described above, the second supply unit includes the
上述の基板９の処理では、処理液供給機構７２から基板９に薬液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも多い。これにより、第１供給部から処理空間９０の中央部に供給される不活性ガスが、径方向外方にさらに拡がりやすくなる。したがって、処理空間９０の中央部における雰囲気の滞留を、さらに抑制することができる。その結果、薬液のミスト等によるパーティクルの発生を、防止または抑制することができる。
In the processing of the
また、上述の基板９の処理では、処理液供給機構７２から基板９にリンス液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも多い。これにより、第１供給部から処理空間９０の中央部に供給される不活性ガスが、径方向外方にさらに拡がりやすくなる。したがって、処理空間９０の中央部における雰囲気の滞留を、さらに抑制することができる。その結果、リンス液により除去された薬液のミスト等によるパーティクルの発生を、防止または抑制することができる。
Further, in the processing of the
上述の基板９の処理では、処理液供給機構７２から基板９に置換液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも少ない。これにより、基板９の中央部において、不活性ガスの気流の影響による置換液の温度変化、および、置換液の液膜の形状変化を、より一層抑制することができる。
In the processing of the
なお、基板処理装置１では、処理液供給機構７２から基板９に薬液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも少なくされてもよい。これにより、基板９の中央部において、不活性ガスの気流の影響による薬液の温度変化、および、薬液の液膜の形状変化を、より一層抑制することができる。また、基板処理装置１では、処理液供給機構７２から基板９にリンス液が供給される際に、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも少なくされてもよい。これにより、基板９の中央部において、不活性ガスの気流の影響によるリンス液の温度変化、および、リンス液の液膜の形状変化を、より一層抑制することができる。
In the
換言すれば、基板処理装置１では、第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、第２供給部からの不活性ガスの供給流量よりも少なくされることにより、基板９の中央部において、不活性ガスの気流の影響による処理液の温度変化、および、処理液の液膜の形状変化を、より一層抑制することができる。
In other words, in the
上述の基板９の処理では、ステップＳ１４における第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、ステップＳ１６における第１供給部からの不活性ガスの供給量よりも多い。換言すれば、処理液供給機構７２から基板９に薬液が供給される際における第１供給部からの不活性ガスの供給流量が、リンス液が存在する基板９上に処理液供給機構７２から置換液が供給されて基板９上に置換液の液膜が形成される際における第１供給部からの不活性ガスの供給流量よりも多い。これにより、処理空間９０の中央部において、薬液のミスト等を含む雰囲気の滞留を好適に抑制することができるとともに、基板９の中央部における置換液の温度変化、および、置換液の液膜の形状変化を好適に抑制することができる。
In the processing of the
上述のように、基板処理装置１では、ガイド部７１１の上面が径方向外方かつ上方へと延び、ノズル間隙５６からの不活性ガスが、ガイド部７１１により径方向外方かつ上方へと導かれてもよい。この場合、ノズル間隙５６からの不活性ガスは、トッププレート５の下面に向かって供給される。トッププレート５の下面に供給された不活性ガスは、トッププレート５の回転による遠心力によっても径方向外方へと移動する。このように、基板処理装置１では、第２供給部からトッププレート５の下面に向かって不活性ガスが供給されることにより、第２供給部からの不活性ガスを径方向外方に容易に拡げることができる。
As described above, in the
次に、図８および図９を参照しつつ、基板処理装置１における他の好ましいノズル７１ａについて説明する。図８は、図３と同様に、ノズル７１ａ近傍の部位を拡大して示す縦断面図である。図９は、ノズル７１ａの側面噴射口７１８ａを含む横断面図である。
Next, another
ノズル７１ａの下端部は、図３に示すノズル７１と同様に、トッププレート５の下面から下方に突出している。ノズル７１ａの複数の側面噴射口７１８ａは、ノズル７１ａの下端部の外周面に配置される。複数の側面噴射口４１８ａは、ノズル間隙５６の下端である対向部材開口５４よりも下方に位置する。複数の側面噴射口７１８ａは周方向に略等角度間隔にて配列される。複数の側面噴射口７１８ａはそれぞれ、第２ガス流路７１８の下端部から周方向に延びる周状流路７１８ｂに、接続流路７１８ｃを介して接続されている。なお、側面噴射口７１８ａの数は適宜変更されてよい。例えば、ノズル７１の外周面に設けられる側面噴射口７１８ａの数は、１であってもよい。この場合、側面噴射口７１８ａは、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状であることが好ましい。
The lower end portion of the
ノズル７１ａが設けられる基板処理装置１では、ガス供給機構７３の第２供給部が、トッププレート５の下面よりも下方にて径方向外方を向く供給口である側面噴射口７１８ａから、側方（すなわち、径方向外方）に向けて不活性ガスを供給する。これにより、上記と同様に、第２供給部から鉛直下方に不活性ガスが供給される場合に比べて、処理空間９０の中央部における雰囲気の滞留を抑制することができる。また、基板９の中央部において、不活性ガスの気流の影響による処理液の温度変化、および、処理液の液膜の形状変化を抑制することができる。さらに、ガス供給部において、径方向外方への不活性ガスの供給を、簡素な構造で実現することができる。
In the
なお、図８に示す例では、側面噴射口７１８ａから略水平に不活性ガスが噴射されるが、不活性ガスの噴射方向は適宜変更されてよい。例えば、不活性ガスは、側面噴射口７１８ａから径方向外方かつ下向きに噴射されてもよく、側面噴射口７１８ａから径方向外方かつ上向きに噴射されてよい。
In the example shown in FIG. 8, the inert gas is injected substantially horizontally from the
ノズル７１ａでは、図１０に示すように、各側面噴射口７１８ａと周状流路７１８ｂとを接続する接続流路７１８ｃが、径方向に対して傾斜していてもよい。図１０に示す例では、接続流路７１８ｃは、径方向に対して反時計回り方向に傾斜している。接続流路７１８ｃの径方向に対する傾斜方向は、トッププレート５の回転方向と同じである。したがって、平面視において、第２供給部から処理空間９０への不活性ガスの供給方向は、径方向に対してトッププレート５の回転方向前方に向かって傾斜する。これにより、第２供給部からの不活性ガスを、トッププレート５の回転により径方向外方に容易に拡げることができる。
In the
図１１は、ガイド部７１１が設けられるノズル７１の平面図である。図１１に示す例では、ガイド部７１１の上面に、径方向に対して傾斜する方向に延びる複数のリブ７１２が設けられる。リブ７１２は、上下方向に対して略平行な平板状である。複数のリブ７１２の径方向に対する傾斜方向は、トッププレート５の回転方向と同じである。したがって、平面視において、第２供給部から処理空間９０への不活性ガスの供給方向は、径方向に対してトッププレート５の回転方向前方に向かって傾斜する。これにより、第２供給部からの不活性ガスを、トッププレート５の回転により径方向外方に容易に拡げることができる。
FIG. 11 is a plan view of the
上述の基板処理装置１では、様々な変更が可能である。
Various changes can be made in the
例えば、ノズル７１の第２供給部は、必ずしもノズル間隙５６を介して処理空間９０に不活性ガスを供給する必要はなく、第２ガス流路７１８から処理空間９０へとガイド部７１１に沿って不活性ガスが供給されてもよい。ガス供給機構７３では、第１供給部と第２供給部とは、必ずしも同じノズル７１，７１ａに設けられる必要はなく、異なるノズルに設けられてもよい。また、処理液供給機構７２の処理液流路７１６も、第１供給部および第２供給部とは異なるノズルに設けられてもよい。
For example, the second supply unit of the
トッププレート５の構造は適宜変更されてよい。例えば、対向部材天蓋部５１１の下面は、中心軸Ｊ１に対して略垂直であってもよい。また、対向部材本体５１から対向部材側壁部５１２が省略されてもよい。
The structure of the
例えば、図１２に示すように、対向部材天蓋部５１１の内周部に縦テーパ面５１１ａが設けられてもよい。縦テーパ面５１１ａは、対向部材天蓋部５１１の下面のうち縦テーパ面５１１ａよりも径方向外側の領域と同様に、径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面である。縦テーパ面５１１ａと水平面との成す角度は、対向部材天蓋部５１１の下面のうち縦テーパ面５１１ａよりも径方向外側の領域と水平面との成す角度よりも大きい。縦テーパ面５１１ａは、対向部材筒部５２１の下端部（すなわち、対向部材開口５４が設けられる位置）に位置するとも捉えられる。トッププレート５が回転する際には、トッププレート５の一部である縦テーパ面５１１ａも共に回転する。
For example, as shown in FIG. 12, a
好ましくは、縦テーパ面５１１ａは、第２ガス流路７１８の複数の側面噴射口７１８ａと径方向に対向する。換言すれば、縦テーパ面５１１ａは、第２ガス流路７１８の複数の側面噴射口７１８ａと、上下方向の略同じ位置に位置することが好ましい。複数の側面噴射口７１８ａから供給（例えば、噴射）された不活性ガスは、縦テーパ面５１１ａに沿って径方向外方かつ下方へと導かれ、基板９の外周部に向かって迅速に拡散される。その結果、処理空間９０の中央部における雰囲気の滞留を抑制することができる。
Preferably, the vertical tapered
トッププレート５は、必ずしも基板保持部３１と共に回転する必要はない。例えば、トッププレート５は、基板保持部３１から離間して基板９の上方に配置され、基板回転機構３３とは独立して設けられた他の回転機構により回転されてもよい。また、基板９の処理が行われる際に、トッププレート５は必ずしも回転されなくてもよい。
The
基基板処理装置１では、基板９の処理は上述の例には限定されず、様々な処理液を利用して様々な処理が基板９に対して行われてよい。例えば、処理液供給機構７２から供給される薬液により、上述のエッチング処理以外の化学反応を利用した様々な処理（基板上の酸化膜の除去、または、現像液による現像等）が行われてよい。
In the base
基板処理装置１では、基板９に体する各処理において、第１供給部からの不活性ガスの供給流量と、第２供給部からの不活性ガスの供給流量との大小関係は、適宜変更されてよい。例えば、第１供給部からの不活性ガスの供給流量と、第２供給部からの不活性ガスの供給流量とは同じであってもよい。基板９に対して複数の処理が行われる場合、当該複数の処理間における第１供給部からの不活性ガスの供給流量の大小関係は、適宜変更されてよい。また、当該複数の処理間における第２供給部からの不活性ガスの供給流量の大小関係も、適宜変更されてよい。
In the
基板処理装置１では、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
The
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。 The configurations in the above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.
１ 基板処理装置
５ トッププレート
９ 基板
３１ 基板保持部
３３ 基板回転機構
５６ ノズル間隙
７１，７１ａ ノズル
７２ 処理液供給機構
９０ 処理空間
９１ （基板の）上面
７１１ ガイド部
７１７ 第１ガス流路
７１８ 第２ガス流路
Ｊ１ 中心軸
Ｓ１１〜Ｓ２０ ステップ
DESCRIPTION OF
Claims (8)
水平状態で基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板よりも外径が大きい円板状であり、前記基板の上面に対向して前記中心軸を中心として回転する対向部材と、
前記基板の前記上面に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記基板の中央部の上方に配置され、前記対向部材の下面と前記基板の前記上面との間の空間である処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、
を備え、
前記ガス供給部が、
前記基板の前記中央部に向けて鉛直下方に前記不活性ガスを供給する第１供給部と、
前記第１供給部の周囲に配置され、径方向外方に前記不活性ガスを供給する第２供給部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A substrate holder for holding the substrate in a horizontal state;
A substrate rotation mechanism that rotates the substrate holding portion about a central axis that faces the vertical direction;
A disk-shaped outer diameter larger than that of the substrate, and a counter member that rotates about the central axis in opposition to the upper surface of the substrate;
A treatment liquid supply mechanism for supplying a treatment liquid to the upper surface of the substrate;
A gas supply unit that is disposed above a central portion of the substrate and supplies an inert gas to a processing space that is a space between the lower surface of the opposing member and the upper surface of the substrate;
With
The gas supply unit is
A first supply part for supplying the inert gas vertically downward toward the central part of the substrate;
A second supply unit disposed around the first supply unit and configured to supply the inert gas radially outward;
A substrate processing apparatus comprising:
前記第２供給部が、前記対向部材の前記下面よりも下方にて径方向外方を向く供給口から、径方向外方に向けて前記不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the second supply unit supplies the inert gas toward a radially outward direction from a supply port facing a radially outward direction below the lower surface of the facing member. .
前記第２供給部が、前記基板の前記中央部の上方に配置されるガイド部を備え、
前記ガイド部が、前記基板の前記中央部に向かって鉛直下方に流れる前記不活性ガスを径方向外方へと導くことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The second supply unit includes a guide unit disposed above the central part of the substrate;
The substrate processing apparatus, wherein the guide portion guides the inert gas flowing vertically downward toward the central portion of the substrate outward in the radial direction.
前記第２供給部から前記対向部材の前記下面に向かって前記不活性ガスが供給されることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the inert gas is supplied from the second supply unit toward the lower surface of the facing member.
前記第２供給部からの前記不活性ガスの供給方向が、径方向に対して前記対向部材の回転方向前方に向かって傾斜していることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The substrate processing apparatus, wherein a supply direction of the inert gas from the second supply unit is inclined forward in a rotation direction of the facing member with respect to a radial direction.
前記処理液供給機構から前記基板に薬液が供給される際に、前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量が、前記第２供給部からの前記不活性ガスの供給流量よりも多いことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
When the chemical liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism to the substrate, the supply flow rate of the inert gas from the first supply unit is larger than the supply flow rate of the inert gas from the second supply unit. A substrate processing apparatus.
前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量が、前記第２供給部からの前記不活性ガスの供給流量よりも少ないことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The substrate processing apparatus, wherein a supply flow rate of the inert gas from the first supply unit is smaller than a supply flow rate of the inert gas from the second supply unit.
前記処理液供給機構から前記基板に薬液が供給される際における前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量が、リンス液が存在する前記基板上に前記処理液供給機構から置換液が供給されて前記基板上に前記置換液の液膜が形成される際における前記第１供給部からの前記不活性ガスの供給流量よりも多いことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
When the chemical liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism to the substrate, the supply flow rate of the inert gas from the first supply unit is such that the replacement liquid is supplied from the processing liquid supply mechanism onto the substrate where the rinsing liquid is present. The substrate processing apparatus, wherein the supply flow rate of the inert gas from the first supply unit when the liquid film of the replacement liquid is formed on the substrate is increased.
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|---|---|---|---|---|
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