KR20210133288A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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아쓰야스 미우라
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 방법은, 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 기판을 회전시키는 공정(단계 S11)과, 회전 중인 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 주면의 중앙부에 가스를 공급함과 더불어, 기판의 다른 쪽의 주면의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 한쪽의 주면의 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 한쪽의 주면 상에 있어서 가스와 린스액의 기액 계면을 형성하는 공정(단계 S13)과, 단계 S13보다 후에, 회전 중인 기판의 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 한쪽의 주면의 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 한쪽의 주면 상에 있어서 기액 계면까지 약액을 공급하여 주연 영역의 약액 처리를 행하는 공정(단계 S15)을 구비한다. 이에 의해, 기판의 주연 영역의 약액 처리를, 약액의 액튐을 억제하면서 적합하게 행할 수 있다.The substrate processing method includes a step (step S11) of rotating a substrate about a central axis directed in the vertical direction, supplying a gas to the central portion of one of the main surfaces of the upper and lower surfaces of the rotating substrate, and the other side of the substrate. A step (step S13) of forming a gas-liquid interface between gas and rinsing liquid on one main surface by supplying a rinse liquid to the central portion of the main surface at a first flow rate and returning it to the peripheral region of one main surface (step S13); Afterwards, the chemical liquid is supplied to the central portion of the other main surface of the rotating substrate at a second flow rate that is smaller than the first flow rate and returned to the peripheral region of the one main surface, so that the chemical liquid on one main surface is up to the gas-liquid interface. and a step (step S15) of supplying a chemical solution to the peripheral region. Thereby, the chemical treatment of the peripheral region of the substrate can be suitably performed while suppressing splashing of the chemical solution.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

종래, 반도체 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 한다.)의 제조 공정에서는, 기판에 대해 여러 가지 처리가 실시된다. 예를 들면, 표면 상에 성막이 행해진 기판의 주연 영역(즉, 베벨부)에 대해 에칭액을 공급하여, 당해 주연 영역의 막을 제거하는 에칭 처리가 행해진다. 일본국 특허공개 2010-93082호 공보(문헌 1) 및 일본국 특허공개 2017-59676호 공보(문헌 2)에서는, 기판의 성막된 주면을 상측을 향하고, 상면 주연 영역을 향하여 노즐로부터 에칭액을 토출함으로써, 주연 영역의 막이 기판으로부터 제거된다.Conventionally, in the manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter, simply referred to as a "substrate"), various processes are performed with respect to a board|substrate. For example, an etching treatment is performed in which an etching solution is supplied to a peripheral region (that is, a bevel portion) of a substrate on which a film has been formed on the surface to remove the film in the peripheral region. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-93082 (Document 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-59676 (Document 2), by discharging the etching liquid from the nozzle toward the upper surface peripheral region with the main surface formed into a film of the substrate facing upward. , the film in the peripheral region is removed from the substrate.

또, 일본국 특허공개 2003-273063호 공보(문헌 3)에서는, 기판의 성막된 주면을 하방을 향하고, 기판 상면에 에칭액을 공급하여 하면 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 주연 영역의 막이 기판으로부터 제거된다. 일본국 특허공개 2009-266951호 공보(문헌 4) 및 특허공표 2008-546184호 공보(문헌 5)에서는, 주연 영역의 에칭이 행해지는 기판의 상하가, 문헌 3과 반대로 되어 있다.Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-273063 (Document 3), the film in the peripheral region is removed from the substrate by facing downward the main surface of the substrate and supplying an etching solution to the upper surface of the substrate to return to the peripheral region of the lower surface. . In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-266951 (Document 4) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-546184 (Document 5), the top and bottom of the substrate on which the peripheral region is etched are opposite to those in Document 3.

문헌 3에서는, 기판의 하면 중앙부에 시일 가스를 공급하여, 당해 하면을 따라 경방향 외측으로 향하는 시일 가스의 기류를 형성함으로써, 기판의 하면 주연 영역에 있어서의 에칭액의 돌아 들어가는 폭(즉, 에칭 폭)을 제어하는 기술이 제안되어 있다. 문헌 4에서는, 기판의 하면에 에칭액을 공급하기 전에, 당해 하면에 DIW(De-ionized Water)를 공급해 둠으로써, 에칭액의 비(非)등방적인 확산을 억제하는 기술이 제안되어 있다.In Document 3, by supplying a sealing gas to the central portion of the lower surface of the substrate, and forming an airflow of the sealing gas directed outward in the radial direction along the lower surface, the returning width of the etching solution in the peripheral region of the lower surface of the substrate (that is, the etching width) ) has been proposed. In Document 4, before supplying the etching liquid to the lower surface of the substrate, a technique for suppressing anisotropic diffusion of the etching liquid by supplying DIW (De-ionized Water) to the lower surface is proposed.

그런데, 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 주면에 약액을 공급하고, 다른 쪽의 주면의 주연 영역을 약액 처리하는 경우, 약액의 공급 유량이 크면, 회전하는 기판으로부터 주위에 비산하는 약액이 컵부 등으로 튀어올라, 기판에 부착할 우려가 있다. 한편, 약액의 공급 유량이 작을 경우, 다른 쪽의 주면으로의 약액의 돌아 들어가는 폭(즉, 약액 처리 폭)이 부족할 우려가 있다. 또, 약액의 공급 유량이 작을 경우, 다른 쪽의 주면에 공급되는 가스(이른바, 시일 가스)와, 다른 쪽의 주면에 돌아 들어간 약액의 경계가 안정되지 않고, 약액 처리가 불안정하게 될 우려도 있다.However, when a chemical solution is supplied to one of the main surfaces of the upper and lower surfaces of the substrate and the peripheral region of the other main surface is treated with a chemical, if the supply flow rate of the chemical is large, the chemical liquid scattered from the rotating substrate to the cup portion or the like. There is a possibility that it may jump out and adhere to the substrate. On the other hand, when the supply flow rate of the chemical solution is small, there is a fear that the width of the chemical solution returning to the other main surface (that is, the chemical solution processing width) is insufficient. In addition, when the supply flow rate of the chemical solution is small, the boundary between the gas supplied to the other main surface (so-called seal gas) and the chemical liquid returning to the other main surface is not stable, and there is a possibility that the chemical treatment may become unstable. .

본 발명은, 기판 처리 방법에 대한 것이며, 기판의 주연 영역의 약액 처리를, 약액의 액튐을 억제하면서 적합하게 행하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention relates to a substrate processing method, and an object of the present invention is to appropriately perform chemical treatment in a peripheral region of a substrate while suppressing splashing of the chemical liquid.

본 발명의 바람직한 하나의 형태에 따른 기판 처리 방법은, a) 수평 상태로 유지된 기판을, 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 회전시키는 공정과, b) 회전 중인 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 주면의 중앙부에 가스를 공급함과 더불어, 상기 기판의 다른 쪽의 주면의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 가스와 상기 린스액의 기액 계면을 형성하는 공정과, c) 상기 b) 공정보다 후에, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 기액 계면까지 상기 약액을 공급하여 상기 주연 영역의 약액 처리를 행하는 공정을 구비한다. 당해 기판 처리 방법에 의하면, 기판의 주연 영역의 약액 처리를, 약액의 액튐을 억제하면서 적합하게 행할 수 있다.A substrate processing method according to a preferred aspect of the present invention comprises: a) rotating a substrate held in a horizontal state about a central axis pointing up and down; b) one of an upper surface and a lower surface of the substrate being rotated In addition to supplying gas to the central portion of the main surface of forming a gas-liquid interface between the gas and the rinse liquid; c) after the step b), the chemical liquid at a second flow rate smaller than the first flow rate in the central portion of the other main surface of the substrate being rotated and supplying the chemical to the peripheral region of the one main surface, thereby supplying the chemical to the gas-liquid interface on the one main surface to perform the chemical treatment of the peripheral region. According to the substrate processing method, the chemical treatment in the peripheral region of the substrate can be suitably performed while suppressing the chemical liquid from splashing.

바람직하게는, 상기 약액은, 상기 린스액에 용질을 용해시킨 것이다.Preferably, the chemical solution is obtained by dissolving a solute in the rinse solution.

바람직하게는, 상기 기판 처리 방법은, d) 상기 b) 공정과 상기 c) 공정 사이에, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제3 유량으로 상기 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 하여, 상기 기액 계면까지 상기 린스액을 공급하는 공정을 추가로 구비한다.Preferably, the substrate processing method comprises: d) between the steps b) and c), at a central portion of the other main surface of the substrate being rotated, at a third flow rate smaller than the first flow rate. and supplying the rinsing liquid so as to return to the peripheral region of the one main surface, and supplying the rinsing liquid to the gas-liquid interface.

바람직하게는, 상기 c) 공정에 있어서의 상기 제2 유량의 상기 약액은, 상기 제3 유량의 상기 린스액에 용질을 용해시킴으로써 생성된다.Preferably, the chemical solution at the second flow rate in the step c) is generated by dissolving a solute in the rinse solution at the third flow rate.

바람직하게는, 상기 b) 공정과 상기 c) 공정 사이에 있어서, 또는, 상기 c) 공정의 개시와 병행하여, 상기 기판의 회전 속도가 저감된다.Preferably, between the step b) and the step c) or in parallel with the start of the step c), the rotation speed of the substrate is reduced.

본 발명은, 기판 처리 장치에도 대한 것이다. 본 발명의 바람직한 하나의 형태에 따른 기판 처리 장치는, 수평 상태로 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와, 회전 중인 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 주면의 중앙부에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 회전 중인 상기 기판의 다른 쪽의 주면의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 가스와 상기 린스액의 기액 계면을 형성하는 린스액 공급부와, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 기액 계면까지 상기 약액을 공급하여 상기 주연 영역의 약액 처리를 행하는 약액 공급부를 구비한다. 당해 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 주연 영역의 약액 처리를, 약액의 액튐을 억제하면서 적합하게 행할 수 있다.The present invention also relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to a preferred aspect of the present invention includes: a substrate holding unit for holding a substrate in a horizontal state; a gas supply unit for supplying gas to the central portion of one main surface of the upper and lower surfaces of the substrate, and a rinse liquid supplied at a first flow rate to the central portion of the other main surface of the rotating substrate to return to the peripheral region of the one main surface Thus, a second flow rate smaller than the first flow rate between a rinse solution supply unit forming a gas-liquid interface between the gas and the rinse solution on the one major surface and a central portion of the other major surface of the substrate being rotated and a chemical solution supply unit for supplying the chemical solution at a flow rate and returning the chemical solution to the peripheral region of the one main surface, thereby supplying the chemical solution to the gas-liquid interface on the one main surface to perform the chemical treatment of the peripheral region. According to the said substrate processing apparatus, the chemical|medical solution process of the peripheral area|region of a board|substrate can be performed suitably, suppressing splashing of a chemical|medical solution.

바람직하게는, 상기 린스액 공급부에 의한 상기 제1 유량으로의 상기 린스액의 공급과, 상기 약액 공급부에 의한 상기 약액의 공급 사이에 있어서, 상기 린스액 공급부가, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제3 유량으로 상기 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 하여, 상기 기액 계면까지 상기 린스액을 공급한다.Preferably, between the supply of the rinse liquid at the first flow rate by the rinse liquid supply unit and the supply of the chemical liquid by the chemical liquid supply unit, the rinse liquid supply unit comprises: the other side of the rotating substrate The rinsing liquid is supplied to the central portion of the main surface of , at a third flow rate, which is a flow rate smaller than the first flow rate, to return to the peripheral region of the one main surface, and the rinse liquid is supplied to the gas-liquid interface.

바람직하게는, 상기 약액 공급부는, 상기 제3 유량의 상기 린스액에 용질을 용해시킴으로써 상기 제2 유량의 상기 약액을 생성하는 약액 생성부를 구비한다.Preferably, the chemical solution supply unit includes a chemical solution generator configured to generate the chemical solution at the second flow rate by dissolving a solute in the rinse solution at the third flow rate.

상술의 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에 행하는 이 발명의 상세한 설명에 의해 명확해진다.The above and other objects, features, aspects, and advantages will become clear by the detailed description of the present invention given below with reference to the accompanying drawings.

도 1은, 하나의 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 측면도이다.
도 2는, 처리액 공급부 및 가스 공급부를 나타내는 블록도이다.
도 3은, 기판을 나타내는 바닥면도이다.
도 4는, 기판의 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는, 기판의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 6은, 기판의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 7은, 기판의 일부를 나타내는 단면도이다.1 is a side view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a block diagram illustrating a processing liquid supply unit and a gas supply unit.
Fig. 3 is a bottom view showing the substrate.
4 is a diagram showing an example of a flow of processing of a substrate.
5 : is sectional drawing which shows a part of a board|substrate.
6 : is sectional drawing which shows a part of a board|substrate.
7 : is sectional drawing which shows a part of a board|substrate.

도 1은, 본 발명의 하나의 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성을 나타내는 측면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 기판(9)(이하, 간단히 「기판(9)」이라고 한다.)을 1장씩 처리하는 매엽식 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(9)에 처리액을 공급하여 처리를 행한다. 도 1에서는, 기판 처리 장치(1)의 구성의 일부를 단면으로 나타낸다.1 is a side view showing the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes the semiconductor substrates 9 (hereinafter, simply referred to as "substrates 9") one by one. The substrate processing apparatus 1 performs processing by supplying a processing liquid to the substrate 9 . In FIG. 1, a part of the structure of the substrate processing apparatus 1 is shown in cross section.

기판 처리 장치(1)는, 기판 유지부(31)와, 기판 회전 기구(33)와, 컵부(4)와, 처리액 공급부(5)와, 가스 공급부(6)와, 제어부(7)와, 하우징(11)을 구비한다. 기판 유지부(31), 기판 회전 기구(33) 및 컵부(4) 등은, 하우징(11)의 내부 공간에 수용된다. 도 1에서는, 하우징(11)을 단면으로 그리고 있다. 하우징(11)의 덮개부에는, 당해 내부 공간에 가스를 공급하여 하방으로 흐르는 기류(이른바, 다운플로)를 형성하는 기류 형성부(12)가 설치된다. 기류 형성부(12)로서는, 예를 들면, FFU(팬·필터·유닛)가 이용된다.The substrate processing apparatus 1 includes a substrate holding part 31 , a substrate rotating mechanism 33 , a cup part 4 , a processing liquid supply part 5 , a gas supply part 6 , a control part 7 , and , a housing 11 is provided. The substrate holding part 31 , the substrate rotation mechanism 33 , the cup part 4 , etc. are accommodated in the inner space of the housing 11 . In FIG. 1, the housing 11 is drawn in cross section. An airflow forming portion 12 is provided in the cover portion of the housing 11 to form an airflow (so-called downflow) flowing downward by supplying gas to the interior space. As the airflow forming part 12, an FFU (fan filter unit) is used, for example.

제어부(7)는, 하우징(11)의 외부에 배치되고, 기판 유지부(31), 기판 회전 기구(33), 처리액 공급부(5) 및 가스 공급부(6) 등을 제어한다. 제어부(7)는, 예를 들면, 프로세서와, 메모리와, 입출력부와, 버스를 구비하는 통상의 컴퓨터를 포함한다. 버스는, 프로세서, 메모리 및 입출력부를 접속하는 신호 회로이다. 메모리는, 프로그램 및 각종 정보를 기억한다. 프로세서는, 메모리에 기억되는 프로그램 등에 따라, 메모리 등을 이용하면서 여러 가지 처리(예를 들면, 수치 계산)를 실행한다. 입출력부는, 조작자로부터의 입력을 받아들이는 키보드 및 마우스, 프로세서로부터의 출력 등을 표시하는 디스플레이, 및, 프로세서로부터의 출력 등을 송신하는 송신부를 구비한다.The control unit 7 is disposed outside the housing 11 , and controls the substrate holding unit 31 , the substrate rotation mechanism 33 , the processing liquid supply unit 5 , the gas supply unit 6 , and the like. The control unit 7 includes, for example, a normal computer including a processor, a memory, an input/output unit, and a bus. The bus is a signal circuit for connecting the processor, the memory, and the input/output unit. The memory stores programs and various types of information. The processor executes various processes (eg, numerical calculation) while using the memory or the like according to a program or the like stored in the memory. The input/output unit includes a keyboard and mouse for receiving an input from an operator, a display for displaying output from the processor, and the like, and a transmitter for transmitting an output from the processor and the like.

제어부(7)는, 기억부(71)와, 공급 제어부(72)를 구비한다. 기억부(71)는, 주로 메모리에 의해 실현되고, 기판(9)의 처리 레시피 등의 각종 정보를 기억한다. 공급 제어부(72)는, 주로 프로세서에 의해 실현되고, 기억부(71)에 저장되어 있는 처리 레시피 등에 따라, 처리액 공급부(5) 등을 제어한다.The control unit 7 includes a storage unit 71 and a supply control unit 72 . The storage unit 71 is mainly realized by a memory, and stores various kinds of information such as a processing recipe for the substrate 9 . The supply control unit 72 is mainly realized by a processor and controls the processing liquid supply unit 5 and the like according to the processing recipe and the like stored in the storage unit 71 .

기판 유지부(31)는, 수평 상태의 기판(9)의 하측의 주면(즉, 하면(92))과 대향하고, 기판(9)을 하측으로부터 유지한다. 기판 유지부(31)는, 예를 들면, 기판(9)을 기계적으로 지지하는 메커니컬 척이다. 기판 유지부(31)는, 상하 방향을 향하는 중심축(J1)을 중심으로 하여 회전 가능하게 설치된다.The substrate holding unit 31 faces the lower main surface (ie, the lower surface 92 ) of the substrate 9 in a horizontal state, and holds the substrate 9 from the lower side. The substrate holding unit 31 is, for example, a mechanical chuck that mechanically supports the substrate 9 . The board|substrate holding part 31 is provided rotatably centering|focusing on the central axis J1 which faces an up-down direction.

기판 유지부(31)는, 유지부 본체와, 복수(예를 들면, 6개)의 척 핀을 구비한다. 유지부 본체는, 기판(9)의 하면(92)과 대향하는 대략 원판 형상의 부재이다. 복수의 척 핀은, 유지부 본체의 주연부에서 중심축(J1)을 중심으로 하는 둘레 방향(이하, 간단히 「둘레 방향」이라고도 부른다.)으로 대략 등각도 간격으로 배치된다. 각 척 핀은, 유지부 본체의 상면으로부터 상방으로 돌출되고, 기판(9)의 하면(92)의 주연 근방의 부위 및 측면에 접촉하여 기판(9)을 지지한다. 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 후술하는 기판(9)의 주연 영역에 대한 약액 처리의 전반에 있어서, 6개의 척 핀 중 3개의 척 핀에 의해 기판(9)이 유지되고, 당해 약액 처리의 후반에 있어서, 나머지 3개의 척 핀에 의해 기판(9)이 유지된다. 이에 의해, 기판(9)의 주연 영역에 대한 약액 처리의 둘레 방향에 있어서의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또, 기판(9)의 주연 영역에 대한 린스액의 부여 시 등에도, 복수의 척 핀이 동일하게 구동된다.The substrate holding unit 31 includes a holding unit main body and a plurality of (eg, six) chuck pins. The holding part main body is a substantially disk-shaped member facing the lower surface 92 of the substrate 9 . The plurality of chuck pins are arranged at substantially equiangular intervals in the circumferential direction (hereinafter, also simply referred to as "circumferential direction") centering on the central axis J1 at the periphery of the holding part main body. Each chuck pin protrudes upwardly from the upper surface of the holding part main body, and contacts the portion and the side surface near the periphery of the lower surface 92 of the substrate 9 to support the substrate 9 . In the substrate processing apparatus 1 , for example, in the first half of chemical treatment on the peripheral region of the substrate 9 , which will be described later, the substrate 9 is held by three of the six chuck pins, and the In the latter half of the chemical treatment, the substrate 9 is held by the remaining three chuck pins. Thereby, the uniformity in the circumferential direction of the chemical|medical solution process with respect to the peripheral area|region of the board|substrate 9 can be improved. Also, the plurality of chuck pins are driven in the same manner even when the rinse liquid is applied to the peripheral region of the substrate 9 or the like.

기판 회전 기구(33)는, 기판 유지부(31)의 하방에 배치된다. 기판 회전 기구(33)는, 중심축(J1)을 중심으로 하여 기판(9)을 기판 유지부(31)와 함께 회전시킨다. 기판 회전 기구(33)는, 예를 들면, 회전 샤프트가 기판 유지부(31)의 유지부 본체에 접속된 전동 회전식 모터를 구비한다. 기판 회전 기구(33)는, 중공 모터 등의 다른 구조를 갖고 있어도 된다.The substrate rotation mechanism 33 is disposed below the substrate holding unit 31 . The substrate rotation mechanism 33 rotates the substrate 9 together with the substrate holder 31 about the central axis J1 . The substrate rotation mechanism 33 includes, for example, an electric rotary motor in which a rotation shaft is connected to the holder body of the substrate holder 31 . The substrate rotation mechanism 33 may have another structure, such as a hollow motor.

처리액 공급부(5)는, 기판(9)에 복수 종류의 처리액을 개별적으로 공급한다. 당해 복수 종류의 처리액에는, 예를 들면, 후술하는 약액 및 린스액이 포함된다. 처리액 공급부(5)는, 제1 노즐(51)과, 제2 노즐(52)을 구비한다. 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)은 각각, 기판(9)의 상방으로부터 기판(9)의 상측의 주면(이하, 「상면(91)」이라고 한다.)의 중앙부를 향하여 처리액을 공급한다. 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)은, 예를 들면, 테플론(등록상표) 등의 높은 내약품성을 갖는 수지에 의해 형성된다. 또한, 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)은 각각, 1개의 공통 노즐의 일부이어도 된다.The processing liquid supply unit 5 individually supplies a plurality of types of processing liquids to the substrate 9 . The plurality of types of treatment liquids include, for example, a chemical liquid and a rinse liquid, which will be described later. The processing liquid supply unit 5 includes a first nozzle 51 and a second nozzle 52 . The first nozzle 51 and the second nozzle 52 are respectively directed from the upper side of the substrate 9 toward the center of the upper main surface of the substrate 9 (hereinafter referred to as “upper surface 91 ”). to supply The 1st nozzle 51 and the 2nd nozzle 52 are formed with resin which has high chemical-resistance, such as Teflon (trademark), for example. In addition, the 1st nozzle 51 and the 2nd nozzle 52 may each be a part of one common nozzle.

컵부(4)는, 중심축(J1)을 중심으로 하는 환상의 부재이다. 컵부(4)는, 기판(9) 및 기판 유지부(31)의 주위에 있어서 전체 둘레에 걸쳐 배치되고, 기판(9) 및 기판 유지부(31)의 측방을 덮는다. 컵부(4)는, 회전 중인 기판(9)으로부터 주위를 향하여 비산하는 처리액 등의 액체를 받는 수액 용기이다. 컵부(4)의 내측면은, 예를 들면 발수성 재료에 의해 형성된다. 컵부(4)는, 기판(9)의 회전 및 정지(靜止)에 상관없이, 둘레 방향에 있어서 정지하고 있다. 컵부(4)의 바닥부에는, 컵부(4)로 받아진 처리액 등을 하우징(11)의 외부로 배출하는 배액 포트(도시 생략)가 설치된다. 컵부(4)는, 도 1에 나타내는 기판(9)의 주위의 위치인 처리 위치와, 당해 처리 위치보다 하측의 퇴피 위치 사이를, 도시 생략한 승강 기구에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다.The cup part 4 is an annular member centering on the central axis J1. The cup part 4 is arrange|positioned over the whole periphery in the periphery of the board|substrate 9 and the board|substrate holding part 31, and covers the side of the board|substrate 9 and the board|substrate holding part 31. As shown in FIG. The cup 4 is a transfusion container that receives a liquid such as a processing liquid that is scattered toward the surroundings from the rotating substrate 9 . The inner surface of the cup part 4 is formed of, for example, a water-repellent material. The cup part 4 is stationary in the circumferential direction irrespective of rotation and stoppage of the board|substrate 9. As shown in FIG. A drain port (not shown) for discharging the processing liquid received by the cup part 4 to the outside of the housing 11 is provided at the bottom of the cup part 4 . The cup part 4 is movable in the up-down direction between the processing position which is a position around the board|substrate 9 shown in FIG. 1, and the evacuation position lower than the said processing position by the raising/lowering mechanism (not shown).

컵부(4)는, 도 1에 나타내는 단층 구조와는 달리, 중심축(J1)을 중심으로 하는 경방향(이하, 간단히 「경방향」이라고 부른다.)으로 복수의 컵이 적층되는 적층 구조이어도 된다. 컵부(4)가 적층 구조를 갖는 경우, 복수의 컵은 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동 가능하고, 기판(9)으로부터 비산하는 처리액의 종류에 맞추어, 복수의 컵이 전환되어 처리액의 수액에 사용된다.Unlike the single-layer structure shown in FIG. 1, the cup part 4 may have a laminated structure in which a plurality of cups are stacked in a radial direction (hereinafter, simply referred to as a "radial direction") centering on the central axis J1. . When the cup part 4 has a stacked structure, the plurality of cups are each independently movable in the vertical direction, and the plurality of cups are switched according to the type of the processing liquid scattered from the substrate 9 and are switched to the sap of the processing liquid. used

가스 공급부(6)는, 기판(9)에 가스를 공급한다. 가스 공급부(6)는, 제3 노즐(63)을 구비한다. 제3 노즐(63)은, 기판(9)의 하방으로부터 기판(9)의 하면(92)을 향하여 가스를 공급한다. 제3 노즐(63)은, 기판 회전 기구(33)의 회전 샤프트의 내부에 배치되고, 기판 유지부(31)의 유지부 본체를 관통하여 상방으로 연장된다. 제3 노즐(63)의 상단의 토출구는, 기판(9)의 하면(92)의 중앙부와 상하 방향으로 대향한다.The gas supply unit 6 supplies gas to the substrate 9 . The gas supply unit 6 includes a third nozzle 63 . The third nozzle 63 supplies gas from below the substrate 9 toward the lower surface 92 of the substrate 9 . The 3rd nozzle 63 is arrange|positioned inside the rotation shaft of the board|substrate rotating mechanism 33, and penetrates the holding part main body of the board|substrate holding part 31, and extends upward. The discharge port at the upper end of the third nozzle 63 faces the central portion of the lower surface 92 of the substrate 9 in the vertical direction.

도 2는, 기판 처리 장치(1)의 처리액 공급부(5) 및 가스 공급부(6)를 나타내는 블록도이다. 도 2에서는, 처리액 공급부(5) 및 가스 공급부(6) 이외의 구성도 더불어 나타낸다. 처리액 공급부(5)는, 약액 공급부(54)와, 린스액 공급부(55)를 구비한다.2 is a block diagram illustrating the processing liquid supply unit 5 and the gas supply unit 6 of the substrate processing apparatus 1 . In FIG. 2 , configurations other than the processing liquid supply unit 5 and the gas supply unit 6 are also shown. The processing liquid supply unit 5 includes a chemical liquid supply unit 54 and a rinse liquid supply unit 55 .

린스액 공급부(55)는, 제1 노즐(51)과, 제2 노즐(52)과, 혼합부(545)를 구비한다. 제1 노즐(51)은, 배관(552)을 통해 린스액 공급원(551)에 접속된다. 제2 노즐(52)은, 배관(542), 혼합부(545) 및 배관(544)을 통해 린스액 공급원(551)에 접속된다. 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)은 각각, 린스액 공급원(551)으로부터 송출된 린스액을, 기판(9)의 상면(91)을 향하여 토출하는 린스액 토출부이다. 린스액으로서는, 예를 들면, DIW(De-ionized Water), 탄산수, 오존수 또는 수소수 등의 수성 처리액이 이용된다. 또한, 린스액 공급원(551)은, 린스액 공급부(55)에 포함되어도 된다.The rinse liquid supply unit 55 includes a first nozzle 51 , a second nozzle 52 , and a mixing unit 545 . The first nozzle 51 is connected to a rinse liquid supply source 551 through a pipe 552 . The second nozzle 52 is connected to the rinse liquid supply source 551 through the pipe 542 , the mixing unit 545 , and the pipe 544 . The first nozzle 51 and the second nozzle 52 are rinse liquid discharge units that discharge the rinse liquid delivered from the rinse liquid supply source 551 toward the upper surface 91 of the substrate 9 , respectively. As the rinsing liquid, for example, an aqueous treatment liquid such as DIW (De-ionized Water), carbonated water, ozone water, or hydrogen water is used. In addition, the rinse liquid supply source 551 may be included in the rinse liquid supply unit 55 .

약액 공급부(54)는, 제2 노즐(52)과, 혼합부(545)를 구비한다. 제2 노즐(52)은, 약액 공급부(54)와 린스액 공급부(55)에 의해 공유된다. 제2 노즐(52)은, 상술의 배관(542)을 통해 혼합부(545)에 접속된다. 혼합부(545)는, 배관(543)을 통해 원액 공급원(546)에 접속됨과 더불어, 상술의 배관(544)을 통해 린스액 공급원(551)에 접속된다.The chemical liquid supply unit 54 includes a second nozzle 52 and a mixing unit 545 . The second nozzle 52 is shared by the chemical liquid supply unit 54 and the rinse liquid supply unit 55 . The 2nd nozzle 52 is connected to the mixing part 545 via the piping 542 mentioned above. The mixing unit 545 is connected to the undiluted solution supply source 546 through the pipe 543 , and is also connected to the rinse solution supply source 551 through the above-described pipe 544 .

혼합부(545)에서는, 린스액 공급원(551)으로부터 송출된 린스액(즉, 용매)에, 원액 공급원(546)으로부터 송출된 약액 원액(즉, 용질)을 용해시켜 약액이 생성된다. 즉, 혼합부(545)는, 약액 원액을 린스액에 용해시켜 약액을 생성하는 약액 생성부이다. 혼합부(545)는, 예를 들면, 린스액과 약액 원액을 혼합하는 스태틱 믹서를 구비한다. 혼합부(545)는, 다른 여러 가지 액체 혼합 장치를 구비하고 있어도 된다. 혼합부(545)에 의해 생성된 약액은, 배관(542)을 통해 제2 노즐(52)에 공급되어, 제2 노즐(52)로부터 기판(9)의 상면(91)을 향하여 토출된다. 또한, 약액 원액을 용해시키는 용매는, 반드시 린스액일 필요는 없으며, 린스액과 상이한 종류의 액체이어도 된다. 또, 도 2에 나타내는 예에서는, 1개의 원액 공급원(546)이 혼합부(545)에 접속되어 있는데, 복수의 원액 공급원(546)이 혼합부(545)에 접속되어, 복수 종류의 약액 원액이 혼합부(545)에 공급되어도 된다.In the mixing unit 545 , a chemical solution is generated by dissolving the chemical solution stock solution (ie, solute) sent from the stock solution source 546 in the rinse solution (ie, solvent) sent from the rinse solution supply source 551 . That is, the mixing unit 545 is a chemical solution generating unit that generates a chemical solution by dissolving the chemical liquid stock solution in the rinse solution. The mixing unit 545 includes, for example, a static mixer for mixing the rinse liquid and the chemical liquid stock solution. The mixing unit 545 may include other various liquid mixing devices. The chemical liquid generated by the mixing unit 545 is supplied to the second nozzle 52 through the pipe 542 , and is discharged from the second nozzle 52 toward the upper surface 91 of the substrate 9 . In addition, the solvent in which the chemical|medical solution stock solution is dissolved does not necessarily need to be a rinse liquid, and may be a liquid of a different kind from the rinse liquid. In addition, in the example shown in FIG. 2 , one undiluted solution supply source 546 is connected to the mixing unit 545 , but a plurality of undiluted solution supply sources 546 are connected to the mixing unit 545 , so that a plurality of types of undiluted chemical solutions are produced. It may be supplied to the mixing unit 545 .

처리액 공급부(5)에서는, 원액 공급원(546)으로부터의 약액 원액의 공급이 정지(停止)되어 있는 상태에서, 린스액 공급원(551)으로부터 혼합부(545)에 린스액을 송출함으로써, 제2 노즐(52)로부터 기판(9)의 상면(91)을 향하여 린스액이 토출된다. 제2 노즐(52)은, 기판(9)의 상면(91)을 향하여 린스액을 토출하는 린스액 토출부이며, 기판(9)의 상면(91)을 향하여 약액을 토출하는 약액 토출부이기도 하다. 또한, 원액 공급원(546)은, 약액 공급부(54)에 포함되어도 된다.In the treatment liquid supply unit 5 , the rinsing liquid is sent from the rinse liquid supply source 551 to the mixing unit 545 in a state in which the supply of the chemical liquid stock solution from the undiluted liquid supply source 546 is stopped. The rinse liquid is discharged from the nozzle 52 toward the upper surface 91 of the substrate 9 . The second nozzle 52 is a rinse liquid discharge unit that discharges the rinse liquid toward the upper surface 91 of the substrate 9 , and is also a chemical liquid discharge unit that discharges the chemical liquid toward the upper surface 91 of the substrate 9 . . In addition, the stock solution supply source 546 may be included in the chemical liquid supply unit 54 .

제2 노즐(52)로부터 기판(9)의 상면(91)에 공급되는 약액 및 린스액은, 기판(9)의 주연을 경유하여 하면(92)에 돌아 들어가, 하면(92)의 주연 영역(93)(후술하는 도 3 참조)에 공급된다. 당해 약액은, 예를 들면, 기판(9)의 하면(92)의 대략 전체 면에 걸쳐 형성되어 있는 박막 중, 주연 영역(93) 상의 부위를 에칭하여 제거하는 에칭액이다.The chemical and rinse liquid supplied from the second nozzle 52 to the upper surface 91 of the substrate 9 pass through the periphery of the substrate 9 and return to the lower surface 92 , and enter the peripheral region ( 93) (see FIG. 3 to be described later). The chemical is, for example, an etchant that etches and removes a portion on the peripheral region 93 of the thin film formed over the substantially entire surface of the lower surface 92 of the substrate 9 .

도 3은, 기판(9)을 나타내는 바닥면도이다. 도 3에서는, 도면의 이해를 용이하게 하기 위해, 기판(9)의 하면(92)에 있어서 주연 영역(93)의 경방향 내측의 영역인 내측 영역(94) 상에 평행 사선을 표시하고, 주연 영역(93)과 내측 영역(94)의 경계를 이점쇄선으로 나타낸다. 주연 영역(93)(즉, 베벨부)은, 중심축(J1)을 중심으로 하는 대략 원환 형상의 영역이다. 내측 영역(94)은, 중심축(J1)을 중심으로 하는 대략 원형의 영역이다. 기판(9)의 하면(92)에서는, 다수의 미세한 구조체 요소의 집합인 구조체(예를 들면, 제품에서 사용되는 회로 패턴)가, 내측 영역(94)에 미리 형성되어 있다. 주연 영역(93)에는, 당해 구조체는 형성되어 있지 않다. 본 실시의 형태에서는, 기판(9)의 직경 및 두께는 각각, 300mm 및 775μm이다. 기판(9)의 주연의 종단면은 대략 원호 형상이며, 당해 주연의 반경은 300μm이다. 주연 영역(93)의 경방향의 폭은, 둘레 방향에 있어서 대략 일정하며, 예를 들면 2mm~3mm이다.3 : is a bottom view which shows the board|substrate 9. As shown in FIG. In FIG. 3 , in order to facilitate the understanding of the drawing, in the lower surface 92 of the substrate 9 , a parallel oblique line is indicated on the inner region 94 , which is a region radially inside the peripheral region 93 , A boundary between the region 93 and the inner region 94 is indicated by a dashed-dotted line. The peripheral region 93 (that is, the bevel portion) is a region having a substantially annular shape centering on the central axis J1. The inner region 94 is a substantially circular region centered on the central axis J1. On the lower surface 92 of the substrate 9 , a structure (eg, a circuit pattern used in a product) that is a collection of a large number of fine structure elements is formed in advance in the inner region 94 . The structure is not formed in the peripheral region 93 . In this embodiment, the diameter and thickness of the board|substrate 9 are 300 mm and 775 micrometers, respectively. The longitudinal cross-section of the periphery of the substrate 9 is substantially arc-shaped, and the radius of the periphery is 300 µm. The width in the radial direction of the peripheral region 93 is substantially constant in the circumferential direction, for example, 2 mm to 3 mm.

기판(9)의 하면(92) 상의 박막이 폴리실리콘 막인 경우, 약액으로서, 예를 들면, 불화수소산(HF)과 질산(HNO3)의 혼합액, 농(濃)불화수소산, 희(希)불화수소산, 수산화암모늄(NH4OH), TMAH(수산화테트라메틸암모늄), 또는, SC1(즉, 암모니아(NH3)와 과산화수소(H2O2)의 혼합 수용액)이 이용된다. 기판(9)의 하면(92) 상의 박막이 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti) 또는 텅스텐(W)의 막인 경우, 약액으로서, 예를 들면, SC2(즉, 염화수소(HCl)와 과산화수소의 혼합 수용액), 또는, FPM(즉, 불화수소와 과산화수소의 혼합 수용액)이 이용된다. 기판(9)의 하면(92) 상의 박막이 산화실리콘(SiO2) 막인 경우, 약액으로서, 예를 들면, 희불화수소산 또는 FPM이 이용된다.When the thin film on the lower surface 92 of the substrate 9 is a polysilicon film, as a chemical, for example, a mixed solution of hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HNO3), concentrated hydrofluoric acid, or dilute hydrofluoric acid. , ammonium hydroxide (NH4OH), TMAH (tetramethylammonium hydroxide), or SC1 (ie, a mixed aqueous solution of ammonia (NH3) and hydrogen peroxide (H2O2)) is used. When the thin film on the lower surface 92 of the substrate 9 is a film of titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), titanium (Ti) or tungsten (W), as a chemical, for example, SC2 (that is, hydrogen chloride ( HCl) and a mixed aqueous solution of hydrogen peroxide), or FPM (ie, a mixed aqueous solution of hydrogen fluoride and hydrogen peroxide) is used. When the thin film on the lower surface 92 of the substrate 9 is a silicon oxide (SiO2) film, as the chemical solution, for example, dilute hydrofluoric acid or FPM is used.

도 2에 나타내는 바와 같이, 가스 공급부(6)는, 제3 노즐(63)을 구비한다. 제3 노즐(63)은, 배관(64)을 통해 가스 공급원(65)에 접속된다. 제3 노즐(63)은, 가스 공급원(65)으로부터 송출된 가스를, 기판(9)의 하면(92)의 중앙부를 향하여 토출하는 가스 토출부이다. 당해 가스로서는, 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스, 또는, 드라이 에어 등이 이용된다. 또한, 가스 공급원(65)은, 가스 공급부(6)에 포함되어도 된다.As shown in FIG. 2 , the gas supply unit 6 includes a third nozzle 63 . The third nozzle 63 is connected to a gas supply source 65 through a pipe 64 . The third nozzle 63 is a gas discharge unit that discharges the gas delivered from the gas supply source 65 toward the central portion of the lower surface 92 of the substrate 9 . As the gas, an inert gas such as nitrogen (N2) gas, dry air, or the like is used. In addition, the gas supply source 65 may be included in the gas supply part 6 .

다음에, 도 4를 참조하면서, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(9)의 처리에 대해 설명한다. 기판 처리 장치(1)에서는, 우선, 하면(92)의 대략 전체 면에 걸쳐 막이 형성된 기판(9)이, 기판 유지부(31)에 의해 수평 상태로 유지된다. 계속하여, 기판 회전 기구(33)에 의해, 기판(9)의 회전이 개시된다(단계 S11). 그리고, 공급 제어부(72)에 의해 가스 공급부(6)가 제어됨으로써, 회전 중인 기판(9)에 대해, 제3 노즐(63)로부터 가스(예를 들면, 질소 가스)가 토출된다. 제3 노즐(63)로부터의 가스는, 기판(9)의 하면(92)의 중앙부에 공급되어, 기판(9)의 하면(92)을 따라 경방향 외측으로 확산한다(단계 S12). 이에 의해, 기판(9)의 하면(92)에 있어서, 중앙부로부터 경방향 외측으로 향하는 상기 가스의 기류가, 둘레 방향의 전체에 걸쳐 형성된다.Next, with reference to FIG. 4, the process of the board|substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 is demonstrated. In the substrate processing apparatus 1 , first, the substrate 9 on which the film is formed over the substantially entire surface of the lower surface 92 is held in a horizontal state by the substrate holding unit 31 . Then, rotation of the board|substrate 9 is started by the board|substrate rotation mechanism 33 (step S11). Then, as the gas supply unit 6 is controlled by the supply control unit 72 , a gas (eg, nitrogen gas) is discharged from the third nozzle 63 to the rotating substrate 9 . The gas from the third nozzle 63 is supplied to the central portion of the lower surface 92 of the substrate 9 and diffuses radially outward along the lower surface 92 of the substrate 9 (step S12). Thereby, in the lower surface 92 of the board|substrate 9, the airflow of the said gas which goes radially outward from the center part is formed over the whole circumferential direction.

다음에, 공급 제어부(72)에 의해 린스액 공급부(55)가 제어됨으로써, 회전 중인 기판(9)에 대해, 제1 노즐(51)로부터 소정 유량(예를 들면, 1000ml/min~2000ml/min이며, 이하의 설명에서는 「제1 유량」이라고도 부른다.)으로 린스액이 토출된다. 본 실시의 형태에서는, 린스액으로서 DIW가 이용된다. 또, 기판(9)의 회전 속도는, 예를 들면 800rpm이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 노즐(51)로부터의 린스액(81)은, 기판(9)의 상면(91)의 중앙부에 공급되어, 원심력에 의해 기판(9)의 상면(91) 상을 경방향 외측으로 확산한다. 기판(9)의 주연에 도달한 린스액(81)은, 당해 주연을 경유하여 하면(92)으로 돌아 들어가, 주연 영역(93)에 공급된다. 기판(9) 상에서는, 상면(91)의 중앙부로부터 하면(92)의 주연 영역(93)까지 연속하는 린스액(81)의 액막이 형성된다. 또한, 도 5에서는, 기판(9) 등의 두께를, 경방향의 크기에 비해 크게 그리고 있다. 또, 주연 영역(93)의 경방향의 폭을 실제보다 크게 그리고 있다. 후술하는 도 6 및 도 7에 있어서도 마찬가지이다.Next, the rinsing liquid supply unit 55 is controlled by the supply control unit 72 , so that a predetermined flow rate (for example, 1000 ml/min to 2000 ml/min) from the first nozzle 51 with respect to the rotating substrate 9 . and the rinse liquid is discharged at the "first flow rate" in the following description. In the present embodiment, DIW is used as the rinse liquid. Moreover, the rotation speed of the board|substrate 9 is 800 rpm, for example. As shown in FIG. 5 , the rinse liquid 81 from the first nozzle 51 is supplied to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 , and is applied onto the upper surface 91 of the substrate 9 by centrifugal force. diffuses radially outward. The rinse liquid 81 that has reached the periphery of the substrate 9 returns to the lower surface 92 via the periphery, and is supplied to the peripheral region 93 . On the substrate 9 , a continuous liquid film of the rinsing liquid 81 is formed from the central portion of the upper surface 91 to the peripheral region 93 of the lower surface 92 . In addition, in FIG. 5, the thickness of the board|substrate 9 etc. is drawn large compared with the magnitude|size of the radial direction. Moreover, the width|variety of the radial direction of the peripheral area|region 93 is drawn larger than actual. It is the same also in FIG. 6 and FIG. 7 mentioned later.

기판(9)의 하면(92)에 돌아 들어간 린스액(81)의 경방향 내측으로의 이동은, 상술의 경방향 외측으로 향하는 기류(82)에 의해 정지된다. 기판(9)의 하면(92)에서는, 주연 영역(93)과 내측 영역(94)의 경계(즉, 주연 영역(93)의 내주연) 상에 있어서, 린스액(81)과 기류(82)(즉, 상기 가스)의 계면(이하, 「기액 계면(83)」이라고 부른다.)이 형성된다(단계 S13). 기액 계면(83)의 평면에서 봤을 때의 형상은, 중심축(J1)을 중심으로 하는 대략 원형이다. 기판(9)에 대한 제1 유량의 린스액(81)의 공급이 소정 시간(예를 들면, 5초) 계속됨으로써, 기판(9)의 하면(92)에 있어서, 기액 계면(83)의 경방향에 있어서의 위치를 안정시킬 수 있다.The radially inward movement of the rinse liquid 81 returning to the lower surface 92 of the substrate 9 is stopped by the above-described radially outwardly directed airflow 82 . On the lower surface 92 of the substrate 9 , on the boundary between the peripheral region 93 and the inner region 94 (that is, the inner periphery of the peripheral region 93 ), the rinse liquid 81 and the airflow 82 are (that is, the gas) interface (hereinafter referred to as "gas-liquid interface 83") is formed (step S13). The shape of the gas-liquid interface 83 in a plan view is a substantially circular shape centering on the central axis J1. The supply of the rinse liquid 81 at the first flow rate to the substrate 9 is continued for a predetermined period of time (for example, 5 seconds), so that in the lower surface 92 of the substrate 9 , the gas-liquid interface 83 is The position in the direction can be stabilized.

단계 S13에 있어서의 기액 계면(83)의 형성이 종료되면, 공급 제어부(72)에 의해 린스액 공급부(55)가 제어됨으로써, 제1 노즐(51)로부터의 린스액(81)의 토출이 정지되면 대략 동시에, 제2 노즐(52)로부터 회전 중인 기판(9)에 대해, 단계 S13에 있어서의 린스액(81)의 유량보다 작은 유량인 소정 유량(예를 들면, 300ml/min~800ml/min이며, 이하의 설명에서는 「제3 유량」이라고도 부른다.)으로 린스액(81)이 토출된다. 환언하면, 제1 노즐(51)로부터의 린스액(81)의 토출이, 제2 노즐(52)로부터의 작은 유량의 린스액(81)의 토출로 전환된다. 당해 린스액(81)은, 상술한 바와 같이, 린스액 공급원(551)으로부터 혼합부(545)를 통해 제2 노즐(52)에 공급된다. 본 실시의 형태에서는, 상술한 바와 같이, 린스액(81)으로서 DIW가 이용된다. 또, 기판(9)의 회전 속도는, 단계 S13보다 조금 느려(예를 들면, 700rpm)지도록 저감된다.When the formation of the gas-liquid interface 83 in step S13 is finished, the rinse liquid supply unit 55 is controlled by the supply control unit 72 to stop the discharge of the rinse liquid 81 from the first nozzle 51 . At approximately the same time, a predetermined flow rate (for example, 300 ml/min to 800 ml/min) that is a flow rate smaller than the flow rate of the rinse liquid 81 in step S13 with respect to the substrate 9 rotating from the second nozzle 52 and the rinse liquid 81 is discharged at the "third flow rate" in the following description. In other words, the discharge of the rinse liquid 81 from the first nozzle 51 is switched to the discharge of the rinse liquid 81 at a small flow rate from the second nozzle 52 . As described above, the rinsing liquid 81 is supplied from the rinsing liquid supply source 551 to the second nozzle 52 through the mixing unit 545 . In the present embodiment, as described above, DIW is used as the rinse liquid 81 . Moreover, the rotation speed of the board|substrate 9 is reduced so that it may become slightly slower than step S13 (for example, 700 rpm).

도 6에 나타내는 바와 같이, 제2 노즐(52)로부터의 린스액(81)은, 기판(9)의 상면(91)의 중앙부에 공급되어, 단계 S13에 있어서 기판(9) 상에 형성되어 있는 린스액(81)의 액막(도 5 참조)에 합류하여, 원심력에 의해 기판(9)의 상면(91) 상을 경방향 외측으로 확산한다. 기판(9)의 주연에 도달한 린스액(81)은, 당해 주연을 경유하여 하면(92)으로 돌아 들어가, 주연 영역(93)에 공급된다. 기판(9)의 하면(92)에 돌아 들어간 린스액(81)은, 상술의 기액 계면(83)까지 도달하여, 기액 계면(83)으로 기류(82)와 접촉한다(단계 S14). 환언하면, 단계 S14에서는, 기액 계면(83)의 경방향의 위치를 유지하면서, 기판(9)의 상면(91)에 공급되는 린스액(81)의 유량이 감소된다.As shown in FIG. 6 , the rinse liquid 81 from the second nozzle 52 is supplied to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 , and is formed on the substrate 9 in step S13 . The rinse liquid 81 joins the liquid film (refer to FIG. 5) and diffuses radially outward on the upper surface 91 of the substrate 9 by centrifugal force. The rinse liquid 81 that has reached the periphery of the substrate 9 returns to the lower surface 92 via the periphery, and is supplied to the peripheral region 93 . The rinse liquid 81 returning to the lower surface 92 of the substrate 9 reaches the gas-liquid interface 83 described above, and comes into contact with the airflow 82 at the gas-liquid interface 83 (step S14). In other words, in step S14 , the flow rate of the rinse liquid 81 supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 is reduced while maintaining the position in the radial direction of the gas-liquid interface 83 .

당해 기판 처리 방법에서는, 단계 S13에 있어서 비교적 큰 유량의 린스액(81)에 의해 기액 계면(83)이 안정적으로 형성되어 있기 때문에, 단계 S14에 있어서 린스액(81)의 유량을 감소시켜도, 기액 계면(83)의 경방향의 위치가 유지된다. 그리고, 제2 노즐(52)로부터 기판(9)에 대한 린스액의 공급이 소정 시간(예를 들면, 3초) 계속됨으로써, 비교적 작은 유량의 린스액(81)이 기판(9)의 상면(91)에 공급되는 상태에 있어서도, 기액 계면(83)의 경방향에 있어서의 위치를 안정시킬 수 있다.In the substrate processing method, since the gas-liquid interface 83 is stably formed by the rinsing liquid 81 of a relatively large flow rate in step S13, even if the flow rate of the rinsing liquid 81 is reduced in step S14, the gas-liquid The radial position of the interface 83 is maintained. Then, as the supply of the rinse liquid from the second nozzle 52 to the substrate 9 continues for a predetermined time (for example, 3 seconds), a relatively small flow rate of the rinse liquid 81 is applied to the upper surface of the substrate 9 ( Even in the state supplied to 91), the position of the gas-liquid interface 83 in the radial direction can be stabilized.

다음에, 공급 제어부(72)에 의해 약액 공급부(54)가 제어됨으로써, 원액 공급원(546)으로부터 혼합부(545)에 약액 원액이 송출된다. 혼합부(545)에서는, 당해 약액 원액이, 린스액 공급원(551)으로부터 혼합부(545)에 공급되는 린스액에 용해함으로써, 상술의 약액이 생성된다. 당해 약액은, 제2 노즐(52)로부터 회전 중인 기판(9)에 대해 토출된다. 린스액 공급원(551)으로부터 혼합부(545)에 공급되는 린스액의 유량은, 예를 들면, 단계 S14에 있어서의 당해 유량과 같다. 이 경우, 기판(9)에 공급되는 약액의 유량(이하의 설명에서는 「제2 유량」이라고도 부른다.)은, 단계 S14에 있어서의 린스액의 유량과, 원액 공급원(546)으로부터의 약액 원액의 유량의 합계이다. 또한, 혼합부(545)에 있어서 린스액에 첨가되는 약액 원액의 유량이, 린스액의 상기 유량에 비해 매우 작을 경우, 기판(9)에 공급되는 약액의 유량은, 단계 S14에 있어서의 린스액의 유량과 실질적으로 같다. 약액 공급 시의 기판(9)의 회전 속도는, 예를 들면, 단계 S14와 같다.Next, the chemical solution supply unit 54 is controlled by the supply control unit 72 to send the chemical solution stock solution from the stock solution supply source 546 to the mixing unit 545 . In the mixing unit 545 , the chemical liquid stock solution is dissolved in the rinse liquid supplied from the rinse solution supply source 551 to the mixing unit 545 to generate the above-described chemical solution. The chemical is discharged from the second nozzle 52 to the rotating substrate 9 . The flow rate of the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 551 to the mixing unit 545 is, for example, the same as the flow rate in step S14. In this case, the flow rate of the chemical solution supplied to the substrate 9 (also referred to as a “second flow rate” in the following description) is the ratio between the flow rate of the rinse solution in step S14 and the chemical solution stock solution from the stock solution supply source 546 . is the sum of the flow. Further, when the flow rate of the chemical solution stock solution added to the rinse solution in the mixing unit 545 is very small compared to the flow rate of the rinse solution, the flow rate of the chemical solution supplied to the substrate 9 is the rinse solution in step S14 . is substantially equal to the flow of The rotation speed of the substrate 9 at the time of supplying the chemical is, for example, the same as in step S14.

도 7에 나타내는 바와 같이, 제2 노즐(52)로부터의 약액(84)은, 기판(9)의 상면(91)의 중앙부에 공급되어, 단계 S14에 있어서 기판(9) 상에 형성되어 있는 린스액(81)의 액막(도 6 참조)에 합류하여, 원심력에 의해 기판(9)의 상면(91) 상을 경방향 외측으로 확산한다. 기판(9)의 주연에 도달한 약액(84)은, 당해 주연을 경유하여 하면(92)으로 돌아 들어가, 주연 영역(93)에 공급된다. 기판(9)의 하면(92)에 돌아 들어간 약액(84)은, 상술의 기액 계면(83)까지 도달하여, 기액 계면(83)으로 기류(82)와 접촉한다(단계 S15). 환언하면, 단계 S15에서는, 기액 계면(83)의 경방향의 위치를 유지하면서, 기판(9)의 상면(91) 및 하면(92)의 린스액(81)의 액막이, 약액(84)으로 치환된다. 그리고, 기판(9)에 대한 약액(84)의 공급이 소정 시간 계속됨으로써, 주연 영역(93)에 대한 약액 처리(예를 들면, 에칭액에 의한 에칭 처리)가 행해진다.As shown in FIG. 7 , the chemical liquid 84 from the second nozzle 52 is supplied to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 , and the rinse formed on the substrate 9 in step S14 . The liquid 81 joins the liquid film (refer to FIG. 6) and diffuses radially outward on the upper surface 91 of the substrate 9 by centrifugal force. The chemical liquid 84 that has reached the periphery of the substrate 9 returns to the lower surface 92 via the periphery, and is supplied to the peripheral region 93 . The chemical liquid 84 returning to the lower surface 92 of the substrate 9 reaches the gas-liquid interface 83 as described above, and comes into contact with the airflow 82 at the gas-liquid interface 83 (step S15). In other words, in step S15 , the liquid film of the rinse liquid 81 on the upper surface 91 and the lower surface 92 of the substrate 9 is replaced with the chemical liquid 84 while maintaining the position of the gas-liquid interface 83 in the radial direction. do. Then, as the supply of the chemical solution 84 to the substrate 9 is continued for a predetermined time, a chemical treatment (eg, etching treatment with an etching solution) is performed on the peripheral region 93 .

당해 약액 처리가 종료되면, 공급 제어부(72)에 의해 약액 공급부(54) 및 린스액 공급부(55)가 제어됨으로써, 제2 노즐(52)로부터의 약액의 토출이 정지되면 대략 동시에, 제1 노즐(51)로부터 회전 중인 기판(9)에 대해 린스액이 토출된다. 환언하면, 제2 노즐(52)로부터의 약액의 토출이, 제1 노즐(51)로부터의 린스액의 토출로 전환된다. 이에 의해, 기판(9)의 상면(91) 및 하면(92)의 린스 처리가 행해진다(단계 S16). 린스 처리가 종료되면, 린스액의 공급이 정지되고, 기판(9)의 건조 처리가 행해진다(단계 S17). 건조 처리에서는, 기판(9)의 회전 속도가 증대되어, 기판(9) 상에 남아 있는 처리액이, 원심력에 의해 기판(9)의 에지로부터 경방향 외측으로 비산하여, 기판(9) 상으로부터 제거된다. 상술의 단계 S13~S17 중에 기판(9) 상으로부터 경방향 외측으로 비산한 약액 및 린스액 등의 처리액은, 컵부(4)에 의해 받아지고, 하우징(11)의 외부로 배출된다. 건조 처리가 종료된 기판(9)은, 기판 처리 장치(1)로부터 반출된다. 기판 처리 장치(1)에서는, 상술의 단계 S11~S17의 처리가, 복수의 기판(9)에 대해 순차적으로 행해진다.When the chemical treatment is finished, the chemical solution supply unit 54 and the rinse solution supply unit 55 are controlled by the supply control unit 72 , so that when the discharge of the chemical solution from the second nozzle 52 is stopped, approximately at the same time as the first nozzle A rinse liquid is discharged from 51 to the substrate 9 being rotated. In other words, the discharge of the chemical liquid from the second nozzle 52 is switched to the discharge of the rinse liquid from the first nozzle 51 . Thereby, the rinse process of the upper surface 91 and the lower surface 92 of the board|substrate 9 is performed (step S16). When the rinsing process is finished, the supply of the rinsing liquid is stopped, and the substrate 9 is dried (step S17). In the drying process, the rotational speed of the substrate 9 is increased, and the processing liquid remaining on the substrate 9 is scattered radially outward from the edge of the substrate 9 by centrifugal force, and from on the substrate 9 . is removed The processing liquid, such as a chemical|medical solution and a rinse liquid, which dispersed radially outward from the top of the board|substrate 9 during the above-mentioned steps S13 - S17, is received by the cup part 4, and is discharged|emitted to the outside of the housing 11. As shown in FIG. The substrate 9 on which the drying process has been completed is unloaded from the substrate processing apparatus 1 . In the substrate processing apparatus 1 , the processes of steps S11 to S17 described above are sequentially performed on the plurality of substrates 9 .

도 1에 예시하는 기판 처리 장치(1)에서는, 상술한 바와 같이, 기판(9)의 상면(91)에 처리액(즉, 린스액 및 약액)이 공급되고, 기판(9)의 하면(92)에 가스가 공급됨으로써, 하면(92)의 주연 영역(93)의 약액 처리가 행해지는데, 기판(9)에 대한 처리는 상하 반대이어도 된다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)에 있어서, 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)이 기판(9)의 하면(92)에 대향하여 배치되고, 제3 노즐(63)이 기판(9)의 상면(91)에 대향하여 배치된다. 또, 단계 S12에 있어서, 기판(9)의 하면(92)의 중앙부에 가스가 공급되고, 단계 S13~S16에 있어서, 기판(9)의 상면(91)의 중앙부에 린스액 또는 약액이 공급된다. 그리고, 기판(9)의 상면(91)의 주연 영역(93)과 내측 영역(94)의 경계에 기액 계면(83)이 형성되고, 상면(91)의 주연 영역(93)에 대해 약액 처리가 행해진다.In the substrate processing apparatus 1 illustrated in FIG. 1 , as described above, a processing liquid (ie, a rinse liquid and a chemical liquid) is supplied to the upper surface 91 of the substrate 9 , and the lower surface 92 of the substrate 9 . ) by supplying the gas, the chemical treatment of the peripheral region 93 of the lower surface 92 is performed, but the processing on the substrate 9 may be reversed. Specifically, in the substrate processing apparatus 1 , the first nozzle 51 and the second nozzle 52 are disposed to face the lower surface 92 of the substrate 9 , and the third nozzle 63 is disposed on the substrate It is disposed opposite to the upper surface 91 of (9). In addition, in step S12 , a gas is supplied to the central portion of the lower surface 92 of the substrate 9 , and in steps S13 to S16 , a rinse liquid or a chemical liquid is supplied to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 . . Then, a gas-liquid interface 83 is formed at the boundary between the peripheral region 93 and the inner region 94 of the upper surface 91 of the substrate 9 , and chemical treatment is performed on the peripheral region 93 of the upper surface 91 . is done

이상으로 설명한 바와 같이, 상술의 기판 처리 방법은, 수평 상태로 유지된 기판(9)을, 상하 방향을 향하는 중심축(J1)을 중심으로 하여 회전시키는 공정(단계 S11)과, 회전 중인 기판(9)의 상면(91) 및 하면(92) 중 한쪽의 주면(예를 들면, 하면(92))의 중앙부에 가스를 공급함과 더불어, 기판(9)의 다른 쪽의 주면(예를 들면, 상면(91))의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역(93)에 돌아 들어가게 함으로써, 당해 한쪽의 주면 상에 있어서 가스와 린스액의 기액 계면(83)을 형성하는 공정(단계 S13)과, 단계 S13보다 후에, 회전 중인 기판(9)의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역(93)에 돌아 들어가게 함으로써, 당해 한쪽의 주면 상에 있어서 기액 계면(83)까지 약액을 공급하여 주연 영역(93)의 약액 처리를 행하는 공정(단계 S15)을 구비한다.As described above, in the above-described substrate processing method, a step (step S11) of rotating the substrate 9 held in a horizontal state about a central axis J1 directed in the vertical direction (step S11), and the rotating substrate ( 9) of the upper surface 91 and the lower surface 92, while supplying gas to the central part of one main surface (for example, the lower surface 92), the other main surface (for example, the upper surface) of the substrate 9 (91)), a rinsing liquid is supplied at a first flow rate to the central portion of the one main surface to return to the peripheral region 93 of the one main surface, thereby forming a gas-liquid interface 83 between the gas and the rinsing liquid on the one main surface. (step S13), and after step S13, supplying a chemical solution to the central portion of the other main surface of the rotating substrate 9 at a second flow rate smaller than the first flow rate, The process (step S15) of supplying a chemical|medical solution to the gas-liquid interface 83 on the said one main surface on the said one main surface, and performing a chemical|medical solution process of the peripheral area|region 93 by making it return to the area|region 93 is provided.

이와 같이, 주연 영역(93)의 약액 처리 시에, 기판(9)에 공급되는 약액의 유량을 비교적 작은 유량(즉, 제2 유량)으로 함으로써, 기판(9)으로부터 주위로 비산한 약액이 컵부(4) 등으로 튀어올라 기판(9) 등에 부착하는 것(이른바, 액튐)을 억제할 수 있다. 또, 주연 영역(93)에 대한 약액 처리가 행해지는 것보다도 전에, 비교적 큰 유량(즉, 제1 유량)의 린스액을 기판(9)에 공급하여 주연 영역(93)의 내주연 상에 기액 계면(83)을 미리 형성해 둠으로써, 약액의 유량이 비교적 작은 유량이어도, 당해 약액을 주연 영역(93)의 내주연까지 전체 둘레에 걸쳐 도달시켜, 주연 영역(93) 전체에 부여할 수 있다. 따라서, 기판(9)의 주연 영역(93)의 약액 처리를, 약액의 액튐을 억제하면서 적합하게 행할 수 있다. 또한, 만일, 단계 S13에 있어서의 기액 계면(83)의 형성을 행하지 않고, 제2 유량의 약액을 기판(9)의 상면(91)의 중앙부에 공급했다고 하면, 약액은 주연 영역(93)의 내주연에 전체 둘레에 걸쳐 도달하는 것은 어렵고, 당해 내주연 상에 있어서 기액 계면(83)을 안정적으로 형성하는 것도 어렵다.In this way, during the chemical treatment of the peripheral region 93 , by setting the flow rate of the chemical solution supplied to the substrate 9 to a relatively small flow rate (that is, the second flow rate), the chemical solution scattered from the substrate 9 to the surroundings is transferred to the cup portion. (4) It is possible to suppress sticking to the substrate 9 or the like by jumping on the back (so-called splashing). In addition, before the chemical treatment is performed on the peripheral region 93 , a rinse liquid at a relatively large flow rate (that is, the first flow rate) is supplied to the substrate 9 to form a gas-liquid solution on the inner periphery of the peripheral region 93 . By forming the interface 83 in advance, even if the flow rate of the chemical solution is relatively small, the chemical solution can reach the entire periphery up to the inner periphery of the peripheral region 93 and be applied to the entire peripheral region 93 . Therefore, the chemical treatment of the peripheral region 93 of the substrate 9 can be suitably performed while suppressing the chemical liquid from splashing. In addition, if the chemical liquid of the second flow rate is supplied to the central portion of the upper surface 91 of the substrate 9 without forming the gas-liquid interface 83 in step S13 , the chemical liquid is supplied to the peripheral region 93 . It is difficult to reach the inner periphery over the entire circumference, and it is also difficult to stably form the gas-liquid interface 83 on the inner periphery.

상술한 바와 같이, 당해 약액은, 린스액에 용질(예를 들면, 약액 원액)을 용해시킨 것인 것이 바람직하다. 이와 같이, 기판(9)의 처리 시에 이용되는 린스액을 이용하여 약액 생성을 행함으로써, 약액을 용이하게 생성할 수 있다. 또, 상술의 기판 처리 장치(1)에 있어서의 처리액 공급부(5)의 구조를 간소화할 수 있다. 또한, 약액의 용매가, 단계 S14에 있어서 기판(9) 상에 형성되어 있는 린스액의 액막과 같은 종류의 액체이기 때문에, 단계 S15에 있어서, 기판(9) 상에 있어서의 린스액으로부터 약액으로의 치환을 용이하게 행할 수도 있다.As described above, it is preferable that the chemical solution is obtained by dissolving a solute (eg, chemical solution stock solution) in a rinse solution. In this way, the chemical solution can be easily generated by generating the chemical solution using the rinsing solution used in the processing of the substrate 9 . Moreover, the structure of the processing liquid supply part 5 in the above-mentioned substrate processing apparatus 1 can be simplified. In addition, since the solvent of the chemical is the same type of liquid as the liquid film of the rinsing liquid formed on the substrate 9 in step S14, in step S15, from the rinsing liquid on the substrate 9 to the chemical. can be easily substituted.

상술의 기판 처리 방법은, 바람직하게는, 단계 S13과 단계 S15 사이에, 회전 중인 기판(9)의 상기 다른 쪽의 주면(예를 들면, 상면(91))의 중앙부에, 제1 유량보다 작은 유량인 제3 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면(예를 들면, 하면(92))의 주연 영역(93)에 돌아 들어가게 하여, 기액 계면(83)까지 린스액을 공급하는 공정(단계 S14)을 추가로 구비한다. 이에 의해, 기판(9) 상의 린스액의 액막을 얇게 할 수 있다. 그 결과, 단계 S15에 있어서 린스액이 약액에 의해 치환될 때에, 약액과 린스액의 혼합액이 컵부(4) 등으로 튀어올라 기판(9) 등에 부착하는 것을 억제할 수 있다.In the above-described substrate processing method, preferably, between steps S13 and S15, in the central portion of the other main surface (eg, the upper surface 91 ) of the substrate 9 being rotated, the flow rate is smaller than the first flow rate. A process (step) of supplying the rinse liquid at a third flow rate, which is a flow rate, to return the rinse liquid to the peripheral region 93 of the one main surface (for example, the lower surface 92), and supply the rinse liquid to the gas-liquid interface 83 (step S14) is additionally provided. Thereby, the liquid film of the rinsing liquid on the substrate 9 can be made thin. As a result, when the rinsing liquid is replaced by the chemical in step S15, it is possible to suppress the mixed liquid of the chemical and the rinsing liquid from splashing onto the cup portion 4 or the like and adhering to the substrate 9 or the like.

상술한 바와 같이, 단계 S15에 있어서의 제2 유량의 약액은, 상기 제3 유량의 린스액에 용질을 용해시킴으로써 생성되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 단계 S14로부터 단계 S15로 이행할 때에, 린스액의 유량을 변경할 필요가 없기 때문에, 기판(9)의 처리를 간소화할 수 있다. 또, 기판 처리 장치(1)에 있어서, 공급 제어부(72)에 의한 약액 공급부(54)의 제어를 간소화할 수 있다.As described above, the chemical solution having the second flow rate in step S15 is preferably generated by dissolving a solute in the rinse solution having the third flow rate. Thereby, since it is not necessary to change the flow rate of the rinse liquid when shifting from step S14 to step S15, the processing of the board|substrate 9 can be simplified. In addition, in the substrate processing apparatus 1 , control of the chemical liquid supply unit 54 by the supply control unit 72 can be simplified.

상술의 기판 처리 방법에서는, 단계 S13과 단계 S15 사이에 있어서, 기판(9)의 회전 속도가 저감되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 단계 S15에 있어서, 기판(9) 상에 있어서의 린스액으로부터 약액으로의 치환을 용이하게 행할 수 있다. 또, 기판(9)의 약액 처리 시에, 약액의 액튐을 더욱 억제할 수 있다. 상술한 바와 같이, 기판(9)의 회전 속도의 저감이, 단계 S13과 단계 S14 사이에 있어서 행해지는 경우, 단계 S14에 있어서의 비교적 작은 유량의 린스액의 공급 시에, 기액 계면(83)의 경방향의 위치를, 주연 영역(93)의 내주연 상에 용이하게 유지할 수 있다. 또한, 기판(9)의 회전 속도의 저감은, 단계 S15의 개시와 병행하여 행해져도 된다. 이 경우이어도, 상기와 동일하게, 단계 S15에 있어서, 기판(9) 상에 있어서의 린스액으로부터 약액으로의 치환을 용이하게 행할 수 있다. 또, 기판(9)의 약액 처리 시에, 약액의 액튐을 더욱 억제할 수 있다.In the above-described substrate processing method, it is preferable that the rotation speed of the substrate 9 is reduced between steps S13 and S15. Thereby, in step S15, it is possible to easily replace the rinsing solution with the chemical solution on the substrate 9 . In addition, during chemical treatment of the substrate 9 , splashing of the chemical can be further suppressed. As described above, when the reduction of the rotation speed of the substrate 9 is performed between steps S13 and S14, when the rinse liquid of a relatively small flow rate is supplied in step S14, the gas-liquid interface 83 is The position in the radial direction can be easily maintained on the inner periphery of the peripheral region 93 . In addition, reduction of the rotation speed of the board|substrate 9 may be performed in parallel with the start of step S15. Even in this case, similarly to the above, in step S15, the rinsing liquid on the substrate 9 can be replaced with the chemical easily. In addition, during chemical treatment of the substrate 9 , splashing of the chemical can be further suppressed.

상술의 기판 처리 장치(1)는, 기판 유지부(31)와, 기판 회전 기구(33)와, 가스 공급부(6)와, 린스액 공급부(55)와, 약액 공급부(54)를 구비한다. 기판 유지부(31)는, 수평 상태로 기판(9)을 유지한다. 기판 회전 기구(33)는, 상하 방향을 향하는 중심축(J1)을 중심으로 하여 기판 유지부(31)를 회전시킨다. 가스 공급부(6)는, 회전 중인 기판(9)의 상면(91) 및 하면(92) 중 한쪽의 주면(예를 들면, 하면(92))의 중앙부에 가스를 공급한다. 린스액 공급부(55)는, 회전 중인 기판(9)의 다른 쪽의 주면(예를 들면, 상면(91))의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역(93)에 돌아 들어가게 함으로써, 당해 한쪽의 주면 상에 있어서 가스와 린스액의 기액 계면(83)을 형성한다. 약액 공급부(54)는, 회전 중인 기판(9)의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역(93)에 돌아 들어가게 함으로써, 당해 한쪽의 주면 상에 있어서 기액 계면(83)까지 약액을 공급하여 주연 영역(93)의 약액 처리를 행한다. 이에 의해, 상기와 동일하게, 기판(9)의 주연 영역(93)의 약액 처리를, 약액의 액튐을 억제하면서 적합하게 행할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 described above includes a substrate holding unit 31 , a substrate rotation mechanism 33 , a gas supply unit 6 , a rinse solution supply unit 55 , and a chemical solution supply unit 54 . The substrate holding unit 31 holds the substrate 9 in a horizontal state. The substrate rotation mechanism 33 rotates the substrate holding part 31 centering on the central axis J1 directed in the vertical direction. The gas supply unit 6 supplies a gas to the central portion of one of the main surfaces (eg, the lower surface 92 ) of the upper surface 91 and the lower surface 92 of the rotating substrate 9 . The rinse liquid supply unit 55 supplies the rinse liquid at a first flow rate to the central portion of the other main surface (eg, the upper surface 91 ) of the rotating substrate 9 , and provides a peripheral region 93 of the one main surface. ) to form a gas-liquid interface 83 between the gas and the rinse liquid on the one main surface. The chemical liquid supply unit 54 supplies the chemical liquid to the central portion of the other main surface of the rotating substrate 9 at a second flow rate that is smaller than the first flow rate, and returns to the peripheral region 93 of the one main surface. By allowing it to enter, the chemical liquid is supplied to the gas-liquid interface 83 on the one main surface, and the chemical liquid treatment of the peripheral region 93 is performed. Thereby, similarly to the above, the chemical treatment of the peripheral region 93 of the substrate 9 can be suitably performed while suppressing splashing of the chemical solution.

상술의 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)에서는, 다양한 변경이 가능하다.Various changes are possible in the above-mentioned substrate processing method and substrate processing apparatus 1 .

예를 들면, 단계 S15에 있어서, 린스액 공급원(551)으로부터 혼합부(545)에 공급되는 린스액의 유량은, 반드시 단계 S14에 있어서의 린스액의 유량과 같을 필요는 없으며, 적절히 변경되어도 된다.For example, the flow rate of the rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply source 551 to the mixing unit 545 in step S15 is not necessarily the same as the flow rate of the rinsing liquid in step S14, and may be appropriately changed. .

단계 S13과 단계 S15 사이에 있어서의 기판(9)의 회전 속도의 저감은, 반드시 행해질 필요는 없다. 예를 들면, 단계 S13~S15에 있어서의 기판(9)의 회전 속도는 같아도 된다.The reduction in the rotation speed of the substrate 9 between steps S13 and S15 is not necessarily performed. For example, the rotation speed of the board|substrate 9 in steps S13 - S15 may be the same.

단계 S14에 있어서의 린스액의 유량의 저감은, 반드시 행해질 필요는 없으며, 단계 S13의 종료 후, 단계 S14가 생략되고 단계 S15가 행해져도 된다.The reduction in the flow rate of the rinsing liquid in step S14 is not necessarily performed, and after the end of step S13, step S14 may be omitted and step S15 may be performed.

기판 처리 장치(1)에서는, 반드시 혼합부(545)에 있어서 약액이 생성될 필요는 없으며, 미리 생성된 약액을 저류하는 약액 공급원으로부터, 제2 노즐(52)에 약액이 송출되어도 된다. 이 경우, 혼합부(545)는 생략되어도 된다.In the substrate processing apparatus 1 , the chemical liquid is not necessarily generated in the mixing unit 545 , and the chemical liquid may be delivered to the second nozzle 52 from a chemical liquid supply source that stores the chemical liquid generated in advance. In this case, the mixing section 545 may be omitted.

기판 처리 장치(1)에서는, 단계 S14의 린스액 토출은, 제1 노즐(51)에 의해 행해져도 된다. 또, 단계 S13~S14의 린스액 토출, 및, 단계 S15의 약액 토출은, 동일한 노즐에 의해 행해져도 된다.In the substrate processing apparatus 1 , the rinse liquid discharge in step S14 may be performed by the first nozzle 51 . In addition, the rinsing liquid discharge in steps S13 to S14 and the chemical liquid discharge in step S15 may be performed by the same nozzle.

상술의 기판 처리 장치(1)는, 반도체 기판 이외에, 액정 표시 장치 또는 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등의 평면 표시 장치(Flat Panel Display)에 사용되는 유리 기판, 혹은, 다른 표시 장치에 사용되는 유리 기판의 처리에 이용되어도 된다. 또, 상술의 기판 처리 장치(1)는, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양전지용 기판 등의 처리에 이용되어도 된다.The above-mentioned substrate processing apparatus 1 is a glass substrate used for a flat panel display such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, or other display devices other than a semiconductor substrate. You may use for the process of a glass substrate. Further, the substrate processing apparatus 1 described above may be used for processing a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and the like.

상기 실시의 형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합되어도 된다.The configurations in the above-described embodiment and each modification may be appropriately combined as long as they do not contradict each other.

발명을 상세하게 묘사하여 설명했는데, 기술(旣述)의 설명은 예시적이며 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.Although the invention has been described and described in detail, the description of the technology is illustrative and not restrictive. Therefore, it can be said that many modifications and aspects are possible without departing from the scope of the present invention.

1: 기판 처리 장치 6: 가스 공급부
9: 기판 31: 기판 유지부
33: 기판 회전 기구 54: 약액 공급부
55: 린스액 공급부 81: 린스액
82: 기류 83: 기액 계면
84: 약액 91: 상면
92: 하면 93: 주연 영역
545: 혼합부 J1: 중심축
S11~S17: 단계1: substrate processing apparatus 6: gas supply unit
9: substrate 31: substrate holding part
33: substrate rotation mechanism 54: chemical supply unit
55: rinse liquid supply unit 81: rinse liquid
82: air flow 83: gas-liquid interface
84: chemical solution 91: upper surface
92: if 93: main area
545: mixing part J1: central axis
S11~S17: Step

Claims (8)

기판 처리 방법으로서,
a) 수평 상태로 유지된 기판을, 상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 회전시키는 공정과,
b) 회전 중인 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 주면의 중앙부에 가스를 공급함과 더불어, 상기 기판의 다른 쪽의 주면의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 가스와 상기 린스액의 기액 계면을 형성하는 공정과,
c) 상기 b) 공정보다 후에, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 기액 계면까지 상기 약액을 공급하여 상기 주연 영역의 약액 처리를 행하는 공정
을 구비하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising:
a) a step of rotating the substrate held in a horizontal state about a central axis facing up and down;
b) While supplying gas to the central portion of one main surface of the upper and lower surfaces of the substrate being rotated, a rinse solution is supplied to the central portion of the other main surface of the substrate at a first flow rate to the peripheral region of the one main surface forming a gas-liquid interface between the gas and the rinsing liquid on the one main surface by rotating it;
c) after step b), supply a chemical solution to the central portion of the other main surface of the substrate being rotated at a second flow rate that is smaller than the first flow rate to return to the peripheral region of the one main surface a step of supplying the chemical to the gas-liquid interface on the one main surface and performing the chemical treatment of the peripheral region by doing so
A substrate processing method comprising a. 청구항 1에 있어서,
상기 약액은, 상기 린스액에 용질을 용해시킨 것인, 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
The chemical solution is a substrate processing method, wherein a solute is dissolved in the rinse solution. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
d) 상기 b) 공정과 상기 c) 공정 사이에, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제3 유량으로 상기 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 하여, 상기 기액 계면까지 상기 린스액을 공급하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
d) Between the steps b) and c), the rinse solution is supplied to the central portion of the other main surface of the substrate being rotated at a third flow rate that is smaller than the first flow rate, and the one main surface is rotated. and supplying the rinse liquid to the gas-liquid interface by turning it into the peripheral region of the substrate. 청구항 3에 있어서,
상기 c) 공정에 있어서의 상기 제2 유량의 상기 약액은, 상기 제3 유량의 상기 린스액에 용질을 용해시킴으로써 생성되는, 기판 처리 방법.4. The method according to claim 3,
The method for processing a substrate, wherein the chemical solution at the second flow rate in the step c) is generated by dissolving a solute in the rinse solution at the third flow rate. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 b) 공정과 상기 c) 공정 사이에 있어서, 또는, 상기 c) 공정의 개시와 병행하여, 상기 기판의 회전 속도가 저감되는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The substrate processing method, wherein the rotation speed of the substrate is reduced between the step b) and the step c) or in parallel with the start of the step c). 기판 처리 장치로서,
수평 상태로 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상하 방향을 향하는 중심축을 중심으로 하여 상기 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전 기구와,
회전 중인 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 주면의 중앙부에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
회전 중인 상기 기판의 다른 쪽의 주면의 중앙부에 제1 유량으로 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 가스와 상기 린스액의 기액 계면을 형성하는 린스액 공급부와,
회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제2 유량으로 약액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 함으로써, 상기 한쪽의 주면 상에 있어서 상기 기액 계면까지 상기 약액을 공급하여 상기 주연 영역의 약액 처리를 행하는 약액 공급부
를 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a substrate holding unit for holding the substrate in a horizontal state;
a substrate rotation mechanism for rotating the substrate holding unit around a central axis directed in an up-down direction;
a gas supply unit for supplying gas to a central portion of one of the main surfaces of the upper surface and the lower surface of the rotating substrate;
The gas-liquid interface between the gas and the rinse liquid on the one main surface by supplying a rinse liquid at a first flow rate to the central portion of the other main surface of the rotating substrate and returning it to the peripheral region of the one main surface a rinsing solution supply unit to form;
By supplying a chemical solution to the central portion of the other main surface of the substrate being rotated at a second flow rate that is smaller than the first flow rate to return to the peripheral region of the one main surface, on the one main surface, A chemical solution supply unit for supplying the chemical solution up to the gas-liquid interface to perform chemical treatment on the peripheral region
A substrate processing apparatus comprising: 청구항 6에 있어서,
상기 린스액 공급부에 의한 상기 제1 유량으로의 상기 린스액의 공급과, 상기 약액 공급부에 의한 상기 약액의 공급 사이에 있어서, 상기 린스액 공급부가, 회전 중인 상기 기판의 상기 다른 쪽의 주면의 중앙부에, 상기 제1 유량보다 작은 유량인 제3 유량으로 상기 린스액을 공급하여 상기 한쪽의 주면의 상기 주연 영역에 돌아 들어가게 하여, 상기 기액 계면까지 상기 린스액을 공급하는, 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
Between the supply of the rinsing liquid at the first flow rate by the rinsing liquid supply unit and the supply of the chemical liquid by the chemical liquid supply unit, the rinsing liquid supply unit may include a central portion of the other main surface of the substrate being rotated. and supplying the rinse solution at a third flow rate that is smaller than the first flow rate to return to the peripheral region of the one main surface, and supply the rinse solution up to the gas-liquid interface. 청구항 7에 있어서,
상기 약액 공급부는, 상기 제3 유량의 상기 린스액에 용질을 용해시킴으로써 상기 제2 유량의 상기 약액을 생성하는 약액 생성부를 구비하는, 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
and the chemical solution supply unit includes a chemical solution generator configured to generate the chemical solution at the second flow rate by dissolving a solute in the rinse solution at the third flow rate.
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