JP2005268308A - Resist peeling method and resist peeling apparatus - Google Patents

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Atsushi Okuyama
奥山  敦
Kazumi Asada
和己 浅田
Isato Iwamoto
勇人 岩元
Tadao Okamoto
伊雄 岡本
Yuji Sugawara
雄二 菅原
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist peeling method and apparatus for beautifully removing resist formed on the surface of a substrate. <P>SOLUTION: The entire region of the surface of a wafer W is wetted with aqueous solution of hydrogen peroxide because the aqueous solution of hydrogen peroxide is supplied to the surface of the wafer W rotating at a higher speed prior to the process to form a liquid film of sulfuric acid on the surface of the wafer W. Accordingly, in the process to form the liquid film of sulfuric acid, the sulfuric acid supplied to the center of the surface of the wafer W concentrically spreads around the supply location on the surface of the wafer W without any influence of hydrophilic property and pattern formed on the surface of the wafer W. Therefore, the liquid film of sulfuric acid having almost uniform thickness is formed to the entire area of the surface of the wafer W. Accordingly, SPM can be produced all over the whole surface of the wafer W, by supplying hydrogen peroxide solution after that. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板の表面から不要になったレジストを剥離して除去するためのレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置に関する。   This invention has become unnecessary from the surface of various substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, etc. The present invention relates to a resist stripping method and a resist stripping apparatus for stripping and removing a resist.
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、たとえば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面から不要になったレジストを剥離するための処理(レジスト剥離処理)が行われる。このレジスト剥離処理の方式としては、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式が従来の主流であったが、最近では、処理対象の基板の大型化に伴って、基板の表面にレジスト剥離液を供給して、基板を1枚ずつ処理する枚葉式が注目されてきている。   In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, for example, a process (resist stripping process) is performed to remove an unnecessary resist from the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel. As a method of resist stripping, a batch method for processing a plurality of substrates at once has been the mainstream, but recently, with the increase in size of the substrate to be processed, the resist stripping is performed on the surface of the substrate. A single-wafer method that supplies a liquid and processes substrates one by one has been attracting attention.
枚様式のレジスト剥離処理は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面(上面)に硫酸(H2SO4)および過酸化水素水(H22)をそれぞれ供給するためのノズルとを備えた装置で実施することができる。すなわち、スピンチャックによって基板を10rpm程度の低回転速度で回転させつつ、その回転している基板の表面の回転中心付近に硫酸を供給することにより、基板の表面上に硫酸を液膜の状態で溜めた後、その硫酸の液膜に過酸化水素水を供給する。硫酸の液膜に過酸化水素水が供給されると、硫酸と過酸化水素水とが反応して、H2SO5を含むレジスト剥離液が生成され、そのH2SO5の強い酸化力によって、基板の表面に形成されているレジストが剥離されて除去される。
特開昭50−21681号公報
For example, the strip-type resist stripping process includes a spin chuck that rotates while holding the substrate substantially horizontal, and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide solution on the surface (upper surface) of the substrate held by the spin chuck. (H 2 O 2) can be is carried out at device provided with a nozzle for supplying respectively. That is, by rotating the substrate with a spin chuck at a low rotation speed of about 10 rpm and supplying sulfuric acid to the vicinity of the rotation center of the surface of the rotating substrate, the sulfuric acid is in a liquid film state on the surface of the substrate. After the reservoir, hydrogen peroxide solution is supplied to the sulfuric acid liquid film. When aqueous hydrogen peroxide liquid film of the sulfuric acid is fed, by reaction with sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, the resist stripping solution containing H 2 SO 5 is generated by the strong oxidizing power of the H 2 SO 5 The resist formed on the surface of the substrate is peeled off and removed.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-21681
ところが、レジストが疎水性であるため、基板の低速回転による弱い遠心力では、硫酸が基板の表面上を均一に拡がらず、基板の表面上に硫酸の供給されない部分を生じるおそれがあった。また、表面に格子状のパターンが形成された基板の場合には、基板の表面に供給された硫酸がパターンに沿って拡がるために、基板の表面上に硫酸の供給されない部分を生じることがあった。基板の表面に硫酸が供給されない部分があると、その部分では、レジスト剥離液が生成されないので、レジストが除去されない。   However, since the resist is hydrophobic, the weak centrifugal force due to the low-speed rotation of the substrate may cause the sulfuric acid not to spread uniformly on the surface of the substrate, which may cause a portion where sulfuric acid is not supplied on the surface of the substrate. Also, in the case of a substrate having a lattice pattern formed on the surface, the sulfuric acid supplied to the surface of the substrate spreads along the pattern, so that a portion where no sulfuric acid is supplied may be formed on the surface of the substrate. It was. If there is a portion where sulfuric acid is not supplied on the surface of the substrate, the resist is not removed at that portion because the resist stripping solution is not generated.
そこで、この発明の目的は、基板の表面全域にむらなくレジスト剥離液を供給することができ、基板の表面に形成されているレジストをきれいに除去することができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a resist stripping method and a resist stripping apparatus that can supply a resist stripping solution uniformly over the entire surface of the substrate and can cleanly remove the resist formed on the surface of the substrate. It is to be.
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板(W)の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、その基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程(S2)と、この液膜形成工程に引き続いて、硫酸の液盛りによる液膜が形成されている基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面上で硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成するレジスト剥離液生成工程(S3)と、上記液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に過酸化水素水または純水を供給して、過酸化水素水または純水によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程(S1)とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法である。   In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 is to provide a resist formed on the surface of the substrate (W) using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide. A liquid film forming step (S2) for supplying sulfuric acid to the surface of a substrate to be processed and forming a liquid film by accumulation of sulfuric acid on the surface of the substrate; Subsequent to the formation process, by supplying hydrogen peroxide solution to the surface of the substrate on which a liquid film of sulfuric acid is formed, the resist is stripped by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution on the substrate surface. Prior to the resist stripping solution generating step (S3) for generating a solution and the liquid film forming step, hydrogen peroxide solution or pure water is supplied to the surface of the substrate to be processed, and the hydrogen peroxide solution or pure water is used. Wetting step (S1) for wetting the surface of the substrate And resist removal method which comprises a.
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板の表面に硫酸の液膜を形成する液膜形成工程に先立って、その基板の表面が過酸化水素水または純水によって湿潤した状態にされる。
これにより、液膜形成工程において、基板の表面に供給される硫酸は、その基板の表面上を、レジストの疎水性および基板の表面に形成されているパターンの影響を受けずに拡がる。そのため、基板の表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成されるので、この硫酸の液膜の形成後、基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面の全域でレジスト剥離液を生成させることができ、そのレジスト剥離液によって、基板の表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to the present invention, prior to the liquid film forming step of forming a sulfuric acid liquid film on the surface of the substrate, the surface of the substrate is wetted with hydrogen peroxide water or pure water.
Thereby, in the liquid film forming step, sulfuric acid supplied to the surface of the substrate spreads on the surface of the substrate without being affected by the hydrophobicity of the resist and the pattern formed on the surface of the substrate. Therefore, since a liquid film of sulfuric acid having a substantially uniform film thickness is uniformly formed over the entire surface of the substrate, by supplying hydrogen peroxide water to the surface of the substrate after the formation of the liquid film of sulfuric acid, A resist stripping solution can be generated over the entire surface of the substrate, and the resist stripping solution can strip cleanly without leaving the resist formed on the surface of the substrate.
請求項2記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板(W)の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、処理対象の基板の表面に上記レジスト剥離液を供給して、その基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、この液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のうちのいずれか1種の液体を供給して、その液体によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法である。   The invention according to claim 2 is a method for stripping a resist formed on the surface of a substrate (W) using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide. A liquid film forming step of supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate to be processed, and forming a liquid film on the surface of the substrate by liquid buildup of the resist stripping solution, and prior to this liquid film forming step, And a wetting step of supplying any one liquid of sulfuric acid, hydrogen peroxide water and pure water to the surface of the substrate to be treated, and moistening the surface of the substrate with the liquid. This is a resist stripping method.
この発明によれば、基板の表面にレジスト剥離液の液膜を形成する液膜形成工程に先立って、その基板の表面が硫酸、過酸化水素水または純水によって湿潤した状態にされる。
これにより、液膜形成工程において、基板の表面に供給されるレジスト剥離液は、その基板の表面上を、レジストの疎水性および基板の表面に形成されているパターンの影響を受けずに拡がる。そのため、基板の表面全域にほぼ均一な膜厚を有するレジスト剥離液の液膜が形成され、そのレジスト剥離液によって、基板の表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。
According to the present invention, prior to the liquid film forming step of forming a resist stripping liquid film on the surface of the substrate, the surface of the substrate is wetted with sulfuric acid, hydrogen peroxide solution or pure water.
Thereby, in the liquid film forming step, the resist stripping solution supplied to the surface of the substrate spreads on the surface of the substrate without being affected by the hydrophobicity of the resist and the pattern formed on the surface of the substrate. For this reason, a liquid film of a resist stripping solution having a substantially uniform film thickness is formed over the entire surface of the substrate, and the resist stripping solution can be used for clean stripping without leaving the resist formed on the surface of the substrate.
請求項3記載の発明は、上記湿潤工程では、処理対象の基板がその表面に交差する軸線まわりに所定の高回転速度で回転されていることを特徴とする請求項1または2記載のレジスト剥離方法である。
この発明によれば、高速回転している基板の回転中心付近に過酸化水素水などの液体を供給することにより、レジストの疎水性および基板の表面におけるパターンの有無にかかわらず、その液体を基板の表面全域に速やかに行き渡らせることができ、基板の表面全域に速やかに湿潤させることができる。
A third aspect of the present invention is the resist stripping according to the first or second aspect, wherein in the wetting step, the substrate to be processed is rotated at a predetermined high rotation speed around an axis intersecting the surface thereof. Is the method.
According to the present invention, by supplying a liquid such as a hydrogen peroxide solution near the rotation center of a substrate rotating at high speed, the liquid is supplied to the substrate regardless of the hydrophobicity of the resist and the presence or absence of a pattern on the surface of the substrate. The entire surface of the substrate can be quickly spread, and the entire surface of the substrate can be quickly wetted.
請求項4記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板(W)の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段(1)と、この基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸を供給するための硫酸供給手段(2,22)と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に過酸化水素水を供給するための過酸化水素水供給手段(3,32)と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に純水を供給するための純水供給手段(4,42)と、上記過酸化水素水供給手段または純水供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を過酸化水素水または純水によって湿潤させる湿潤制御手段(5)と、この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記硫酸供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段(5)とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置である。   The invention described in claim 4 is a resist stripping device for stripping a resist formed on the surface of a substrate (W) using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide. A substrate holding means (1) for holding the substrate with the surface facing upward, and a sulfuric acid supply means (2, 22) for supplying sulfuric acid to the surface of the substrate held by the substrate holding means. Hydrogen peroxide solution supply means (3, 32) for supplying hydrogen peroxide solution to the surface of the substrate held by the substrate holding device; and pure water on the surface of the substrate held by the substrate holding device. The pure water supply means (4, 42) for supplying water and the hydrogen peroxide water supply means or pure water supply means are controlled so that the surface of the substrate held by the substrate holding means Wetting control means (5) for wetting with pure water Subsequent to the control by the wetness control means, the sulfuric acid supply means is controlled to form a liquid film formation control means (5) for forming a liquid film by accumulation of sulfuric acid on the surface of the substrate held by the substrate holding means. A resist stripping apparatus including:
このような構成の基板処理装置において、請求項1の発明を実施することができ、請求項1に関連して述べた効果を奏することができる。
請求項5記載の発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板(W)の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段(1)と、この基板保持手段に保持された基板の表面に上記レジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のいずれか1種の液体を供給するための液体供給手段(2,22;3,32;4,42)と、上記液体供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を液体によって湿潤させる湿潤制御手段(5)と、この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記レジスト剥離液供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段(5)とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置である。
In the substrate processing apparatus having such a configuration, the invention of claim 1 can be implemented, and the effects described in relation to claim 1 can be achieved.
The invention according to claim 5 is a resist stripping device for stripping a resist formed on the surface of a substrate (W) using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide. A substrate holding means (1) for holding the substrate in a posture with its surface facing upward, and a resist stripping solution supply means for supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate held by the substrate holding means Liquid supply means (2, 22; 3, 32; 4, 42) for supplying any one liquid of sulfuric acid, hydrogen peroxide solution and pure water to the surface of the substrate held by the substrate holding means. ), A wetting control means (5) for controlling the liquid supply means to wet the surface of the substrate held by the substrate holding means with the liquid, and following the control by the wetting control means, the resist stripping solution Control supply means And a liquid film formation control means (5) for forming a liquid film by depositing the resist peeling liquid on the surface of the substrate held by the substrate holding means. .
このような構成の基板処理装置において、請求項2の発明を実施することができ、請求項2に関連して述べた効果を奏することができる。
請求項6記載の発明は、上記基板保持手段に保持された基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させるための基板回転手段(14)と、上記湿潤制御手段による制御時に、上記基板回転手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板を所定の高回転速度で回転させる高速回転制御手段(5)とをさらに含むことを特徴とする請求項4または5記載のレジスト剥離装置である。
In the substrate processing apparatus having such a configuration, the invention of claim 2 can be implemented, and the effects described in relation to claim 2 can be achieved.
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate rotating means (14) for rotating the substrate held by the substrate holding means about an axis intersecting the surface thereof, and the substrate rotating means at the time of control by the wetting control means. The resist stripping apparatus according to claim 4, further comprising high-speed rotation control means (5) that controls the rotation of the substrate held by the substrate holding means at a predetermined high rotation speed. is there.
このような構成の基板処理装置において、請求項3の発明を実施することができ、請求項3に関連して述べた効果を奏することができる。   In the substrate processing apparatus having such a configuration, the invention of claim 3 can be implemented, and the effects described in relation to claim 3 can be obtained.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。このレジスト剥離装置は、基板の一例である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の表面から不要になったレジストを剥離して除去するためのレジスト剥離処理を行う枚葉式の装置であり、ウエハWをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック1と、このスピンチャック1に保持されたウエハWの表面(上面)に硫酸(H2SO4)を供給するための硫酸ノズル2と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に過酸化水素水(H22)を供給するための過酸化水素水ノズル3と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面にDIW(脱イオン化された純水)を供給するためのDIWノズル4とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. This resist stripping apparatus is a single wafer type that performs resist stripping processing for stripping and removing unnecessary resist from the surface of a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) which is an example of a substrate. A spin chuck 1 which is an apparatus and rotates while holding the wafer W substantially horizontally, and a sulfuric acid nozzle for supplying sulfuric acid (H 2 SO 4 ) to the surface (upper surface) of the wafer W held by the spin chuck 1 2, a hydrogen peroxide solution nozzle 3 for supplying hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) to the surface of the wafer W held on the spin chuck 1, and a surface of the wafer W held on the spin chuck 1. And a DIW nozzle 4 for supplying DIW (deionized pure water).
スピンチャック1には、たとえば、ほぼ鉛直に延びたスピン軸11と、スピン軸11の上端にほぼ水平に取り付けられたスピンベース12と、このスピンベース12の上面に立設された複数個の挟持部材13とを含む構成のものが採用されている。
複数個の挟持部材13は、ウエハWの外形に対応した円周上に互いに間隔を空けて配置されており、ウエハWの端面を互いに異なる複数の位置で挟持することにより、そのウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができる。また、複数個の挟持部材13は、スピン軸11の中心軸線を中心とする円周上に配置されており、複数個の挟持部材13によってウエハWを保持したときに、ウエハWの中心がスピン軸11の中心軸線上に位置するようになっている。
The spin chuck 1 includes, for example, a spin shaft 11 that extends substantially vertically, a spin base 12 that is mounted substantially horizontally on the upper end of the spin shaft 11, and a plurality of clamps that are erected on the upper surface of the spin base 12. The thing of the structure containing the member 13 is employ | adopted.
The plurality of clamping members 13 are arranged on the circumference corresponding to the outer shape of the wafer W so as to be spaced apart from each other. By clamping the end surfaces of the wafer W at a plurality of different positions, the wafer W is substantially It can be held in a horizontal position. The plurality of clamping members 13 are arranged on a circumference centered on the central axis of the spin shaft 11. When the wafer W is held by the plurality of clamping members 13, the center of the wafer W spins. It is located on the central axis of the shaft 11.
スピン軸11には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構14が結合されている。この回転駆動機構14からスピン軸11に回転力を入力することにより、スピン軸11をその中心軸線まわりに回転させることができる。よって、複数個の挟持部材13によってウエハWを保持した状態で、回転駆動機構14からスピン軸11に回転力を入力することにより、そのウエハWをスピンベース12とともにスピン軸11の中心軸線まわりに回転させることができる。   A rotation drive mechanism 14 including a drive source such as a motor is coupled to the spin shaft 11. By inputting a rotational force to the spin shaft 11 from the rotational drive mechanism 14, the spin shaft 11 can be rotated about its central axis. Therefore, when the wafer W is held by the plurality of clamping members 13, a rotational force is input from the rotation drive mechanism 14 to the spin shaft 11, so that the wafer W is rotated around the central axis of the spin shaft 11 together with the spin base 12. Can be rotated.
なお、スピンチャック1としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハWの非デバイス面を真空吸着することにより、ウエハWを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
硫酸ノズル2には、硫酸供給源からの硫酸を供給する硫酸供給管21が接続されている。硫酸供給管21の途中部には、硫酸供給管21を開閉するための硫酸バルブ22とが介装されており、この硫酸バルブ22を開くと、硫酸供給管21から供給される硫酸が硫酸ノズル2から吐出され、硫酸バルブ22を閉じると、硫酸ノズル2からの硫酸の吐出が停止される。硫酸ノズル2から吐出される硫酸は、たとえば、連続流の状態(硫酸の液流が柱状をなしている状態)でウエハWの表面の回転中心付近に供給される。
The spin chuck 1 is not limited to such a configuration. For example, the non-device surface of the wafer W is vacuum-sucked to hold the wafer W in a horizontal posture, and in that state, a vertical axis A vacuum chucking type (vacuum chuck) that can rotate the held wafer W by rotating around may be employed.
A sulfuric acid supply pipe 21 that supplies sulfuric acid from a sulfuric acid supply source is connected to the sulfuric acid nozzle 2. A sulfuric acid valve 22 for opening and closing the sulfuric acid supply pipe 21 is interposed in the middle of the sulfuric acid supply pipe 21, and when the sulfuric acid valve 22 is opened, the sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply pipe 21 is passed through the sulfuric acid nozzle. 2 and the sulfuric acid valve 22 is closed, the discharge of sulfuric acid from the sulfuric acid nozzle 2 is stopped. The sulfuric acid discharged from the sulfuric acid nozzle 2 is supplied to the vicinity of the center of rotation on the surface of the wafer W, for example, in a continuous flow state (a state in which the liquid flow of sulfuric acid forms a column).
過酸化水素水ノズル3には、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給管31が接続されている。過酸化水素水供給管31の途中部には、過酸化水素水供給管31を開閉するための過酸化水素水バルブ32が介装されており、この過酸化水素水バルブ32を開くと、過酸化水素水供給管31から供給される過酸化水素水が過酸化水素水ノズル3から吐出され、過酸化水素水バルブ32を閉じると、過酸化水素水ノズル3からの過酸化水素水の吐出が停止される。過酸化水素水ノズル3は、過酸化水素水を扇状に噴霧して、その霧状の過酸化水素水をウエハWの表面上のスリット状の範囲に供給するフラットノズル(扇状ノズル)であってもよいし、過酸化水素水をコーン状(円錐状)に噴霧して、その霧状の過酸化水素水をウエハWの表面上の円形状の範囲に供給するコーンノズルであってもよい。   A hydrogen peroxide solution supply pipe 31 that supplies hydrogen peroxide solution from a hydrogen peroxide solution supply source is connected to the hydrogen peroxide solution nozzle 3. In the middle of the hydrogen peroxide solution supply pipe 31, a hydrogen peroxide solution valve 32 for opening and closing the hydrogen peroxide solution supply tube 31 is provided. When the hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen oxide water supply pipe 31 is discharged from the hydrogen peroxide solution nozzle 3 and the hydrogen peroxide solution valve 32 is closed, the hydrogen peroxide solution is discharged from the hydrogen peroxide solution nozzle 3. Stopped. The hydrogen peroxide solution nozzle 3 is a flat nozzle (fan nozzle) that sprays hydrogen peroxide solution in a fan shape and supplies the atomized hydrogen peroxide solution to a slit-shaped area on the surface of the wafer W. Alternatively, a cone nozzle that sprays the hydrogen peroxide solution in a cone shape (conical shape) and supplies the atomized hydrogen peroxide solution to a circular range on the surface of the wafer W may be used.
DIWノズル4には、DIW供給源からのDIWを供給するDIW供給管41が接続されている。DIW供給管41の途中部には、DIW供給管41を開閉するためのDIWバルブ42が介装されており、このDIWバルブ42を開くと、DIW供給管41から供給されるDIWがDIWノズル4から吐出され、DIWバルブ42を閉じると、DIWノズル4からのDIWの吐出が停止される。DIWノズル4は、DIWを柱状の連続流の状態でウエハWの表面の回転中心付近に供給するキャピラリノズルであってもよいし、DIWを扇状に噴霧して、その霧状のDIWをウエハWの表面上のスリット状の範囲に供給するフラットノズル(扇状ノズル)であってもよいし、DIWをコーン状(円錐状)に噴霧して、その霧状のDIWをウエハWの表面上の円形状の範囲に供給するコーンノズルであってもよい。   A DIW supply pipe 41 that supplies DIW from a DIW supply source is connected to the DIW nozzle 4. A DIW valve 42 for opening and closing the DIW supply pipe 41 is interposed in the middle part of the DIW supply pipe 41. When the DIW valve 42 is opened, DIW supplied from the DIW supply pipe 41 becomes DIW nozzle 4. When the DIW valve 42 is closed, the DIW discharge from the DIW nozzle 4 is stopped. The DIW nozzle 4 may be a capillary nozzle that supplies DIW to the vicinity of the rotation center of the surface of the wafer W in a columnar continuous flow state, or DIW is sprayed in a fan shape and the mist-like DIW is supplied to the wafer W. It may be a flat nozzle (fan-shaped nozzle) that supplies a slit-shaped area on the surface of the wafer, or DIW is sprayed in a cone shape (conical shape), and the mist-shaped DIW is circled on the surface of the wafer W. It may be a cone nozzle that supplies a range of shapes.
このレジスト剥離装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御部5を備えている。制御部5は、回転駆動機構14の動作を制御し、また、硫酸バルブ22、過酸化水素水バルブ32およびDIWバルブ42の開閉をそれぞれ制御する。
図2は、レジスト剥離処理について説明するためのフローチャートである。処理対象のウエハWは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、デバイス形成面である表面を上方に向けた状態でスピンチャック1に保持される。
The resist stripping apparatus further includes a control unit 5 having a configuration including a microcomputer. The controller 5 controls the operation of the rotation drive mechanism 14 and controls the opening and closing of the sulfuric acid valve 22, the hydrogen peroxide solution valve 32, and the DIW valve 42, respectively.
FIG. 2 is a flowchart for explaining the resist stripping process. The wafer W to be processed is carried in by a transfer robot (not shown), and is held by the spin chuck 1 with the surface, which is a device formation surface, facing upward.
レジスト剥離処理では、まず、回転駆動機構14が制御されて、スピンチャック1に保持されたウエハWが所定の高回転速度(たとえば、3000rpm)で回転される。その一方で、過酸化水素水バルブ32が開かれて、過酸化水素水ノズル3から高速回転中のウエハWの表面に過酸化水素水が供給される(ステップS1)。ウエハWの表面に供給された過酸化水素水は、ウエハWの高速回転による大きな遠心力を受け、その供給位置からウエハWの周縁へ向けて、ウエハWの表面上を比較的強い液流となって流れる。これにより、ウエハWの表面に格子状のパターンが形成されていても、ウエハWの表面に供給された過酸化水素水は、そのパターンの影響をほとんど受けずにウエハWの表面の全域に行き渡る。この結果、ウエハWの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態になる。   In the resist stripping process, first, the rotation drive mechanism 14 is controlled to rotate the wafer W held on the spin chuck 1 at a predetermined high rotation speed (for example, 3000 rpm). On the other hand, the hydrogen peroxide valve 32 is opened, and the hydrogen peroxide solution is supplied from the hydrogen peroxide solution nozzle 3 to the surface of the wafer W rotating at high speed (step S1). The hydrogen peroxide solution supplied to the surface of the wafer W receives a large centrifugal force due to the high-speed rotation of the wafer W, and a relatively strong liquid flow is generated on the surface of the wafer W from the supply position toward the periphery of the wafer W. It flows. Thereby, even if a lattice-like pattern is formed on the surface of the wafer W, the hydrogen peroxide solution supplied to the surface of the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W with almost no influence of the pattern. . As a result, the entire surface of the wafer W is wetted by the hydrogen peroxide solution.
過酸化水素水の供給が所定のプリウエット時間にわたって行われると、過酸化水素水バルブ32が閉じられて、過酸化水素水ノズル3からウエハWの表面への過酸化水素水の供給が停止される。また、回転駆動機構14が制御されて、スピンチャック1によるウエハWの回転速度が高回転速度から所定の低回転速度(たとえば、10rpm)に減速される。   When the hydrogen peroxide solution is supplied for a predetermined prewetting time, the hydrogen peroxide solution valve 32 is closed, and the supply of the hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution nozzle 3 to the surface of the wafer W is stopped. The Further, the rotation drive mechanism 14 is controlled, and the rotation speed of the wafer W by the spin chuck 1 is reduced from a high rotation speed to a predetermined low rotation speed (for example, 10 rpm).
ウエハWの回転速度が低回転速度になると、次に、硫酸バルブ22が開かれて、硫酸ノズル2から低速回転中のウエハWの表面の回転中心付近に向けて硫酸が吐出される(ステップS1)。ウエハWの表面に供給される硫酸は、ウエハWの表面上に拡がり、その表面張力でウエハWの表面上に液膜となって溜められていく。すなわち、ウエハWの表面上に硫酸が液盛りされて、ウエハWの表面上に硫酸の液膜が形成されていく。この液膜形成に先立って、ウエハWの表面全域が過酸化水素水で湿潤されているので、ウエハWの表面に供給される硫酸は、レジストの疎水性にかかわらず、また、ウエハWの表面にパターンが形成されていても、そのパターンの影響を受けずに、ウエハWの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡がる。これによって、ウエハWの表面上には、その全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。   When the rotation speed of the wafer W becomes a low rotation speed, the sulfuric acid valve 22 is then opened, and sulfuric acid is discharged from the sulfuric acid nozzle 2 toward the vicinity of the rotation center of the surface of the wafer W rotating at a low speed (step S1). ). The sulfuric acid supplied to the surface of the wafer W spreads on the surface of the wafer W and is stored as a liquid film on the surface of the wafer W by the surface tension. That is, sulfuric acid is accumulated on the surface of the wafer W, and a liquid film of sulfuric acid is formed on the surface of the wafer W. Prior to the formation of the liquid film, since the entire surface of the wafer W is wetted with hydrogen peroxide solution, the sulfuric acid supplied to the surface of the wafer W can be used regardless of the hydrophobicity of the resist. Even if a pattern is formed on the surface of the wafer W, the surface of the wafer W expands concentrically around the supply position without being affected by the pattern. As a result, a liquid film of sulfuric acid having a substantially uniform film thickness is uniformly formed on the entire surface of the wafer W.
硫酸の供給が所定の硫酸パドル時間にわたって行われると、硫酸バルブ22が閉じられて、硫酸ノズル2からウエハWの表面への硫酸の供給が停止される。そして、ウエハWの表面上に硫酸の液膜が形成されている状態で数秒間(たとえば、2〜3秒間)放置される。この放置後、過酸化水素水バルブ32が開かれて、過酸化水素水ノズル3から低速回転中のウエハWの表面に過酸化水素水が供給される(ステップS3)。過酸化水素水ノズル3からの過酸化水素水は、ウエハWの表面上に形成されている硫酸の液膜内に浸透する。これにより、ウエハWの表面上では、その全域で、硫酸と過酸化水素水との化学反応(H2SO4+H22→H2SO5+H2O)が生じて、強い酸化力を有するH2SO5を含むSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)が生成される。また、このとき化学反応による発熱(反応生成熱)を生じ、この反応生成熱によって、ウエハWの表面上に生成されるSPMは、ウエハWの表面に形成されているレジストを良好に剥離可能な約100℃以上の高温に達する。 When the supply of sulfuric acid is performed for a predetermined sulfuric acid paddle time, the sulfuric acid valve 22 is closed, and the supply of sulfuric acid from the sulfuric acid nozzle 2 to the surface of the wafer W is stopped. Then, the substrate is left for several seconds (for example, 2 to 3 seconds) in a state where a liquid film of sulfuric acid is formed on the surface of the wafer W. Thereafter, the hydrogen peroxide solution valve 32 is opened, and the hydrogen peroxide solution is supplied from the hydrogen peroxide solution nozzle 3 to the surface of the wafer W rotating at a low speed (step S3). The hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution nozzle 3 penetrates into the sulfuric acid liquid film formed on the surface of the wafer W. As a result, on the surface of the wafer W, a chemical reaction (H 2 SO 4 + H 2 O 2 → H 2 SO 5 + H 2 O) occurs between the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution over the entire area, thereby providing a strong oxidizing power. SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) containing H 2 SO 5 is generated. At this time, heat (reaction generation heat) is generated due to a chemical reaction, and the SPM generated on the surface of the wafer W by this reaction generation heat can satisfactorily peel off the resist formed on the surface of the wafer W. A high temperature of about 100 ° C. or higher is reached.
過酸化水素水の供給は、所定の過酸化水素水供給時間(たとえば、15秒間)にわたって行われる。そして、過酸化水素水の供給停止後は、そのままの状態(ウエハWが静止し、そのウエハWの表面上にSPMの液膜が形成されている状態)で、予め定める時間(たとえば、30〜120秒間)が経過するまで放置される。過酸化水素水が供給されている期間およびその後の放置されている期間に、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜が約100℃以上の高温に昇温したレジスト剥離液としてのSPMによる酸化を受け、ウエハWの表面から剥離されて除去されていく。   The hydrogen peroxide solution is supplied over a predetermined hydrogen peroxide solution supply time (for example, 15 seconds). Then, after the supply of hydrogen peroxide solution is stopped, the state is kept as it is (the wafer W is stationary and the liquid film of SPM is formed on the surface of the wafer W), and a predetermined time (for example, 30 to 30). 120 seconds). Oxidation by SPM as a resist stripping solution in which the resist film formed on the surface of the wafer W is heated to a high temperature of about 100 ° C. or higher during the period in which the hydrogen peroxide solution is supplied and the period in which the hydrogen peroxide solution is left. Is peeled off from the surface of the wafer W and removed.
その後は、スピンチャック1によるウエハWの回転速度が予め定めるリンス回転速度(たとえば、300〜1500rpm)まで上げられる。その後、DIWバルブ42が開かれて、DIWノズル4からウエハWの表面にDIWが供給される(ステップS4)。ウエハWの表面に供給されたDIWは、ウエハWの回転に伴って受ける遠心力により、その供給位置からウエハWの回転半径方向外方側へと導かれる。その供給位置からウエハWの周縁に向けて流れる。これによって、ウエハWの表面全域にDIWが行き渡り、ウエハWの表面に付着しているSPMがDIWによって洗い流される。   Thereafter, the rotation speed of the wafer W by the spin chuck 1 is increased to a predetermined rinse rotation speed (for example, 300 to 1500 rpm). Thereafter, the DIW valve 42 is opened, and DIW is supplied from the DIW nozzle 4 to the surface of the wafer W (step S4). The DIW supplied to the surface of the wafer W is guided from the supply position to the outer side in the rotational radial direction of the wafer W by the centrifugal force received as the wafer W rotates. It flows from the supply position toward the periphery of the wafer W. As a result, DIW spreads over the entire surface of the wafer W, and the SPM adhering to the surface of the wafer W is washed away by the DIW.
DIWの供給が所定のリンス時間(たとえば、30秒間)にわたって行われると、ウエハWの回転速度が予め定めるスピンドライ速度(たとえば、3000rpm)に上げられて、ウエハWに付着しているDIWを振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる(ステップS5)。このスピンドライ処理は、所定のスピンドライ時間(たとえば、30秒間)にわたって行われる。スピンドライ処理後は、ウエハWの回転速度が減速され、ウエハWが静止すると、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック1から処理後のウエハWが搬出されていく。   When the DIW is supplied for a predetermined rinse time (for example, 30 seconds), the rotation speed of the wafer W is increased to a predetermined spin dry speed (for example, 3000 rpm), and the DIW adhering to the wafer W is shaken off. A spin dry process for drying is performed (step S5). This spin dry process is performed over a predetermined spin dry time (for example, 30 seconds). After the spin dry process, the rotation speed of the wafer W is reduced, and when the wafer W is stationary, the processed wafer W is unloaded from the spin chuck 1 by a transfer robot (not shown).
以上のように、この実施形態によれば、ウエハWの表面に硫酸の液膜を形成する工程に先立って、ウエハWが高速回転されつつ、その高速回転しているウエハWの表面に過酸化水素水が供給されることにより、ウエハWの表面の全域が過酸化水素水によって湿潤した状態にされる。これにより、硫酸の液膜を形成する工程において、ウエハWの表面に供給される硫酸は、レジストの疎水性およびウエハWの表面に形成されているパターンの影響を受けずに、ウエハWの表面上をその供給位置を中心とする同心円状に拡がる。そのため、ウエハWの表面全域にほぼ均一な膜厚を有する硫酸の液膜がむらなく形成される。よって、硫酸の液膜の形成後、ウエハWの表面に過酸化水素水を供給することにより、ウエハWの表面上の全域でSPMを生成させることができ、そのSPMによってウエハWの表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。   As described above, according to this embodiment, prior to the step of forming the sulfuric acid liquid film on the surface of the wafer W, the wafer W is rotated at a high speed and the surface of the wafer W rotating at a high speed is oxidized. By supplying the hydrogen water, the entire surface of the wafer W is wetted by the hydrogen peroxide solution. Thus, in the step of forming the sulfuric acid liquid film, the sulfuric acid supplied to the surface of the wafer W is not affected by the hydrophobicity of the resist and the pattern formed on the surface of the wafer W. The top expands concentrically around the supply position. For this reason, a liquid film of sulfuric acid having a substantially uniform film thickness is uniformly formed over the entire surface of the wafer W. Therefore, by forming a sulfuric acid liquid film and supplying hydrogen peroxide to the surface of the wafer W, SPM can be generated over the entire surface of the wafer W, and the SPM forms on the surface of the wafer W. It can be removed cleanly without leaving the resist.
この発明の一実施形態の説明は以上の通りであるが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハWの表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する前に、ウエハWの表面を過酸化水素水で湿潤させる場合の例を挙げたが、ウエハWの表面の湿潤は、DIWノズル4からウエハWの表面へのDIWの供給によって達成されてもよい。すなわち、ウエハWの表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する前に、DIWノズル4からウエハWの表面にDIWが供給されて、ウエハWの表面がDIWによって湿潤されてもよい。   Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be implemented in other forms. For example, in the above embodiment, an example is given in which the surface of the wafer W is wetted with hydrogen peroxide before forming a liquid film of sulfuric acid on the surface of the wafer W. Wetting of the surface may be achieved by supplying DIW from the DIW nozzle 4 to the surface of the wafer W. In other words, before forming a liquid film with sulfuric acid on the surface of the wafer W, DIW may be supplied from the DIW nozzle 4 to the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W may be wetted by DIW.
また、上記の実施形態では、ウエハWの表面上に形成されている硫酸の液膜に対して過酸化水素水を供給して、ウエハWの表面上で硫酸と過酸化水素水とを反応させることによってSPM(レジスト剥離液)を生成する場合の例を上げたが、スピンチャック1の上方にSPMノズルを設けて、このSPMノズルからウエハWの表面中央部に、硫酸と過酸化水素水とを予め混合して生成されたSPMを供給するようにしてもよい。この場合、ウエハWの表面に硫酸、過酸化水素水またはDIWを供給するためのノズルを設けて、SPMの液膜の形成に先立ち、ウエハWの表面に硫酸、過酸化水素水およびDIWのいずれかの液体を供給して、その液体によってウエハWの表面を湿潤した状態にすることにより、SPMノズルからウエハWの表面に供給されるSPMを、ウエハWの表面全域にむらなく行き渡らせることができ、ウエハWの表面上の全域にほぼ均一な膜厚を有するレジスト剥離液の液膜を形成することができる。よって、ウエハWの表面に形成されているレジストを残すことなくきれいに剥離することができる。   Further, in the above embodiment, hydrogen peroxide solution is supplied to the sulfuric acid liquid film formed on the surface of the wafer W, and the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are reacted on the surface of the wafer W. In this example, the SPM (resist stripping solution) is generated. However, an SPM nozzle is provided above the spin chuck 1, and sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, and the like are provided from the SPM nozzle to the center of the surface of the wafer W. SPM generated by premixing may be supplied. In this case, a nozzle for supplying sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, or DIW is provided on the surface of the wafer W, and any of sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, and DIW is formed on the surface of the wafer W prior to the formation of the SPM liquid film. By supplying such a liquid and making the surface of the wafer W wet with the liquid, the SPM supplied from the SPM nozzle to the surface of the wafer W can be uniformly distributed over the entire surface of the wafer W. In addition, a resist remover liquid film having a substantially uniform film thickness can be formed over the entire surface of the wafer W. Therefore, it can be peeled cleanly without leaving the resist formed on the surface of the wafer W.
さらに、たとえば、処理対象となる基板の一例としてウエハWを取り上げたが、ウエハWに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気/光ディスク用基板などの他の種類の基板が処理の対象とされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Further, for example, the wafer W is taken up as an example of a substrate to be processed. However, the present invention is not limited to the wafer W, but a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, a glass substrate for a photomask, and a magnetic / optical disk. Other types of substrates, such as substrates, may be processed.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。1 is a diagram schematically showing a configuration of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. レジスト剥離処理について説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating a resist peeling process.
符号の説明Explanation of symbols
1 スピンチャック
2 硫酸ノズル
3 過酸化水素水ノズル
4 DIWノズル
5 制御部
14 回転駆動機構
22 硫酸バルブ
32 過酸化水素水バルブ
42 DIWバルブ
W 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 2 Sulfuric acid nozzle 3 Hydrogen peroxide water nozzle 4 DIW nozzle 5 Control part 14 Rotation drive mechanism 22 Sulfuric acid valve 32 Hydrogen peroxide water valve 42 DIW valve W Semiconductor wafer

Claims (6)

  1. 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、
    処理対象の基板の表面に硫酸を供給して、その基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、
    この液膜形成工程に引き続いて、硫酸の液盛りによる液膜が形成されている基板の表面に過酸化水素水を供給することにより、基板の表面上で硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成するレジスト剥離液生成工程と、
    上記液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に過酸化水素水または純水を供給して、過酸化水素水または純水によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
    A method for stripping a resist formed on the surface of a substrate using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water,
    A liquid film forming step of supplying sulfuric acid to the surface of the substrate to be processed, and forming a liquid film by accumulation of sulfuric acid on the surface of the substrate;
    Subsequent to this liquid film formation step, by supplying hydrogen peroxide solution to the surface of the substrate on which the liquid film is formed by the accumulation of sulfuric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed on the surface of the substrate. A resist stripping solution generating step for generating a resist stripping solution;
    Prior to the liquid film forming step, supplying a hydrogen peroxide solution or pure water to the surface of the substrate to be processed, and a wetting step of wetting the surface of the substrate with the hydrogen peroxide solution or pure water. A resist stripping method.
  2. 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するための方法であって、
    処理対象の基板の表面に上記レジスト剥離液を供給して、その基板の表面上にレジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成工程と、
    この液膜形成工程に先立って、処理対象の基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のうちのいずれか1種の液体を供給して、その液体によって当該基板の表面を湿潤させる湿潤工程とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
    A method for stripping a resist formed on the surface of a substrate using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water,
    A liquid film forming step of supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate to be processed, and forming a liquid film on the surface of the substrate by the liquid buildup of the resist stripping solution;
    Prior to this liquid film forming step, a wet liquid is supplied by supplying any one liquid of sulfuric acid, hydrogen peroxide water and pure water to the surface of the substrate to be processed, and wets the surface of the substrate with the liquid. And a step of removing the resist.
  3. 上記湿潤工程では、処理対象の基板がその表面に交差する軸線まわりに所定の高回転速度で回転されていることを特徴とする請求項1または2記載のレジスト剥離方法。   3. The resist stripping method according to claim 1, wherein, in the wetting step, the substrate to be processed is rotated at a predetermined high rotation speed around an axis intersecting the surface thereof.
  4. 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、
    基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段と、
    この基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸を供給するための硫酸供給手段と、
    上記基板保持手段に保持された基板の表面に過酸化水素水を供給するための過酸化水素水供給手段と、
    上記基板保持手段に保持された基板の表面に純水を供給するための純水供給手段と、
    上記過酸化水素水供給手段または純水供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を過酸化水素水または純水によって湿潤させる湿潤制御手段と、
    この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記硫酸供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に硫酸の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置。
    A resist stripping device for stripping a resist formed on the surface of a substrate using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water,
    Substrate holding means for holding the substrate in a posture with its surface facing upward;
    Sulfuric acid supply means for supplying sulfuric acid to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    Hydrogen peroxide solution supply means for supplying hydrogen peroxide solution to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    Pure water supply means for supplying pure water to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    Wetting control means for controlling the hydrogen peroxide water supply means or pure water supply means to wet the surface of the substrate held by the substrate holding means with hydrogen peroxide water or pure water;
    Subsequent to the control by the wetness control means, the sulfuric acid supply means is controlled to include a liquid film formation control means for forming a liquid film by accumulation of sulfuric acid on the surface of the substrate held by the substrate holding means. A resist stripping apparatus.
  5. 硫酸と過酸化水素水とを混合して生成されるレジスト剥離液を用いて、基板の表面に形成されているレジストを剥離するためのレジスト剥離装置であって、
    基板をその表面を上方に向けた姿勢で保持する基板保持手段と、
    この基板保持手段に保持された基板の表面に上記レジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段と、
    上記基板保持手段に保持された基板の表面に硫酸、過酸化水素水および純水のいずれか1種の液体を供給するための液体供給手段と、
    上記液体供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面を液体によって湿潤させる湿潤制御手段と、
    この湿潤制御手段による制御に引き続いて、上記レジスト剥離液供給手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板の表面上に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜を形成する液膜形成制御手段とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置。
    A resist stripping device for stripping a resist formed on the surface of a substrate using a resist stripping solution produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water,
    Substrate holding means for holding the substrate in a posture with its surface facing upward;
    A resist stripper supply means for supplying the resist stripper to the surface of the substrate held by the substrate holder;
    Liquid supply means for supplying any one liquid of sulfuric acid, hydrogen peroxide water and pure water to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    Wetting control means for controlling the liquid supply means to wet the surface of the substrate held by the substrate holding means with liquid;
    Subsequent to the control by the wetting control unit, the resist stripping solution supply unit is controlled to form a liquid film by depositing the resist stripping solution on the surface of the substrate held by the substrate holding unit. And a control means.
  6. 上記基板保持手段に保持された基板をその表面に交差する軸線まわりに回転させるための基板回転手段と、
    上記湿潤制御手段による制御時に、上記基板回転手段を制御して、上記基板保持手段に保持された基板を所定の高回転速度で回転させる高速回転制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項4または5記載のレジスト剥離装置。

    A substrate rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means about an axis intersecting the surface thereof;
    The high-speed rotation control means for controlling the substrate rotation means to rotate the substrate held by the substrate holding means at a predetermined high rotation speed at the time of control by the wetness control means. 4. The resist stripping apparatus according to 4 or 5.

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