KR100862912B1 - Device for processing substrate - Google Patents

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KR100862912B1 KR1020060074919A KR20060074919A KR100862912B1 KR 100862912 B1 KR100862912 B1 KR 100862912B1 KR 1020060074919 A KR1020060074919 A KR 1020060074919A KR 20060074919 A KR20060074919 A KR 20060074919A KR 100862912 B1 KR100862912 B1 KR 100862912B1
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Abstract

기판을 처리하는 장치로서, 패턴이 형성된 기판의 전면 및 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 모두 선택적으로 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 개시한다. 기판 처리 장치는 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉 가이드부, 비접촉 가이드부를 지지하고, 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부, 상부에 기판을 고정하고, 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부, 접촉 가이드부를 지지하고, 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비한다. 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 접촉 가이드부가 기판을 지지하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 비접촉 가이드부가 기판을 부양하도록 함으로써, 기판의 전면과 후면을 선택적으로 처리할 수 있다.As a device for processing a substrate, a substrate processing apparatus capable of selectively and uniformly treating both a front surface of a substrate on which a pattern is formed and a rear surface of a substrate on which a pattern is not formed is disclosed. The substrate processing apparatus blows gas toward the substrate, thereby supporting a non-contact guide portion for supporting the substrate by a predetermined interval, a lifting portion for supporting the non-contact guide portion, and raising and lowering the non-contact guide portion in a vertical direction; It has an annular shape surrounding the guide part, and includes a contact guide part positioned concentrically with the non-contact guide part, a rotation part supporting the contact guide part and rotating the contact guide part. When the non-contact guide portion is positioned lower than the contact guide portion, the contact guide portion supports the substrate, and when the non-contact guide portion is positioned higher than the contact guide portion, the non-contact guide portion supports the substrate so that the front and rear surfaces of the substrate can be selectively processed. have.

기판 처리 장치, 접촉식 척, 비접촉식 척, 승하강 부.Substrate processing apparatus, contact chuck, non-contact chuck, lifting unit.

Description

기판 처리 장치 {DEVICE FOR PROCESSING SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {DEVICE FOR PROCESSING SUBSTRATE}

도 1a 는 종래 기술에 따른 기판의 상부면과 하부면을 동시에 처리하는 기판 처리 장치의 단면도.1A is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus for simultaneously processing an upper surface and a lower surface of a substrate according to the prior art;

도 1b 는 도 1 에 도시된 기판 처리 장치의 척 (10) 의 평면도.1B is a plan view of the chuck 10 of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1.

도 2a 는 종래의 미케니컬 척 (mechanical chuck) 의 단면도.2A is a cross-sectional view of a conventional mechanical chuck.

도 2b 는 종래의 원심력 척의 단면도.2B is a cross-sectional view of a conventional centrifugal force chuck.

도 2c 는 종래의 자기력 척의 단면도.2C is a cross-sectional view of a conventional magnetic force chuck.

도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 단면도.3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

도 4a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 접촉 가이드부의 평면도.4A is a plan view of a contact guide portion according to an embodiment of the present invention.

도 4b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 비접촉 가이드부의 평면도.4B is a plan view of a non-contact guide unit according to an embodiment of the present invention.

도 5a 는 도 4a 의 접촉 가이드부의 구조를 설명하는 구조도.FIG. 5A is a structural diagram illustrating a structure of the contact guide part of FIG. 4A. FIG.

도 5b 는 도 4a 의 접촉 가이드부의 상부면을 도시하는 사시도.FIG. 5B is a perspective view illustrating an upper surface of the contact guide portion of FIG. 4A. FIG.

도 5c 는 도 4a 의 접촉 가이드부의 회전체와 하부체를 도시하는 사시도.FIG. 5C is a perspective view illustrating a rotating body and a lower body of the contact guide portion of FIG. 4A. FIG.

도 6a 는 도 4b 의 비접촉 가이드부의 상부면의 평면도.6A is a plan view of the upper surface of the non-contact guide portion of FIG. 4B.

도 6b 는 도 4b 의 비접촉 가이드부의 하부면의 평면도.6B is a plan view of the bottom surface of the non-contact guide portion of FIG. 4B.

도 6c 는 도 4b 의 다공성판이 배치된 비접촉 가이드부를 도시한 평면도.Figure 6c is a plan view showing a non-contact guide portion is disposed the porous plate of Figure 4b.

도 6d 는 도 6a 의 비접촉 가이드부의 유체 공급부의 사시도.6D is a perspective view of a fluid supply portion of the non-contact guide portion of FIG. 6A.

도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 승하강부와 회전부의 구조를 도시하는 단면도.7 is a cross-sectional view showing a structure of a lifting unit and a rotating unit according to an embodiment of the present invention.

도 8 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 회전부의 일부를 도시하는 사시도.8 is a perspective view showing a part of a rotating part according to an embodiment of the present invention.

도 9a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 전면 또는 전후 양면 처리시의 승하강부, 접촉 가이드부, 및 비접촉 가이드부의 이동을 설명한 설명도.9A is an explanatory diagram for explaining movement of the elevating portion, the contact guide portion, and the non-contact guide portion at the time of front-side or front-side double-side processing according to one embodiment of the present invention.

도 9b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 후면 처리시의 승하강부 및 비접촉 가이드부의 이동을 설명한 설명도.FIG. 9B is an explanatory diagram for explaining movement of the elevating portion and the non-contact guide portion during substrate backside treatment according to the embodiment of the present invention. FIG.

도 10a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 전면 또는 전후 양면 처리시의 기판 지지 방법을 도시한 단면도.10A is a cross-sectional view illustrating a substrate supporting method at the front or back side of a substrate according to one embodiment of the present invention.

도 10b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 후면 처리시의 기판 지지 방법을 도시한 단면도.Fig. 10B is a sectional view showing the substrate supporting method in the substrate backside treatment according to the embodiment of the present invention.

＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＊ Explanation of symbols on main parts of drawing

A 기판 111 샤프트A substrate 111 shaft

101 접촉식 척 112 회전 모터101 Contact Chuck 112 Rotary Motor

102 가이드 핀 113 승하강 실린더102 Guide pin 113 Lowering cylinder

103 서포트 핀 214a, 214b, 214c 원형판103 Support pins 214a, 214b, 214c round plate

104 유체 방출구 324 스핀들 하우징104 Fluid outlet 324 spindle housing

106 비접촉식 척 325 스핀들106 Non-contact Chuck 325 Spindle

109 승하강 기초판 109 Descent Base Board

본 발명은 웨이퍼, LCD, PDP 등의 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. 더 자세하게는, 본 발명은 승하강부를 이용하여 비접촉 가이드부를 승하강 시키고, 회전부를 이용하여 접촉 가이드부를 회전시킴으로써, 기판의 전면, 후면 양면을 선택적으로 모두 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing substrates such as wafers, LCDs, and PDPs. More specifically, the present invention relates to a substrate processing apparatus capable of selectively treating both front and rear surfaces of a substrate by raising and lowering the non-contact guide portion by using the elevating portion and rotating the contact guide portion by using the rotating portion.

반도체 소자 등을 제조하기 위해서는 기판상에 반도체 소자를 형성하기 위해 기판을 가공하는 공정이 필요하며, 이러한 공정에 있어서 증착 공정, 리소그래피 공정 등이 반복적으로 수행된다. 이러한 공정에 있어서 반도체 소자 생산의 높은 정확도와 수율을 위해서는, 기판의 식각 (에칭) 및 세정이 매우 중요하며, 이러한 공정을 수행하는데는 기판을 지지하는 장치가 필요하다.In order to manufacture a semiconductor device, a process of processing a substrate is required to form a semiconductor device on the substrate, and in this process, a deposition process, a lithography process, and the like are repeatedly performed. In order to achieve high accuracy and yield of semiconductor device production in such a process, etching (etching) and cleaning of the substrate are very important, and a device supporting the substrate is required to perform such a process.

종래의 세정 장치로서, 기판을 세정 물질이 들어 있는 욕조 속에 담금으로써 기판 상의 잔여물질 등을 화학적으로 세정하는 습식 스테이션 (wet station) 이 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 습식 스테이션의 경우 기판의 상호오염 문제가 발생하고, 기판의 양면이 모두 화학처리가 되며, 에칭의 균일성이 떨어지고, TAT (turn-around time; 턴-어라운드 타임) 가 크며, 처리할 면을 선택할 수 없다는 단점이 존재한다.As a conventional cleaning apparatus, a wet station has been used which chemically cleans the residual material on the substrate by immersing the substrate in a bath containing the cleaning material. However, such a wet station causes cross contamination of the substrate, chemically treats both surfaces of the substrate, inferior uniformity of etching, large turn-around time (TAT), and The disadvantage is that you cannot choose a face.

점차적으로 디바이스의 발전은 비용 감소를 위해 기판의 대구경화, 회로의 미세화 방향으로 진행되고 있으며 디바이스 성능을 향상시키기 위하여 새로운 물질 이 도입되고 있기 때문에 배치 (batch) 장비의 단점을 보완하기 위하여 싱글 웨이퍼 프로세서의 사용이 확대되고 있다. 싱글 웨이퍼 프로세서는 각 장비별로 기판의 처리면을 선택할 수 있는 장점은 있으나, 기판의 전면을 처리하는 프로세서와 후면을 처리하는 프로세서를 따로 구비해야 하는 단점이 여전히 존재한다.Increasingly, the development of devices is progressing toward larger diameters of circuits and smaller circuits to reduce costs, and new materials are introduced to improve device performance. The use of is expanding. Although a single wafer processor has an advantage of selecting a processing surface of a substrate for each device, there is still a disadvantage in that a processor for processing a front surface of a substrate and a processor for processing a rear surface of a single wafer processor are required.

도1a 와 1b 는 기판의 상면과 하면을 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 도시한다. 도 1a 에 도시된 바와 같이, 이 종래의 기판 처리 장치는 제 1 가스 (비활성 가스) 를 분사하는 복수의 홀 (32, 40, 42) 을 설치한 척 (10) 을 구비하고, 이 척상에 형성된 다수의 분사구로부터 제 1 가스를 분사하여 기판 (A) 을 척으로부터 부양시키는 동시에 회전 가능한 상태로 유지하면서, 회전하는 기판 (A) 의 상방으로부터 기판 처리액을 공급하여 기판의 상부면을 처리한다.1A and 1B show a substrate processing apparatus capable of processing the upper and lower surfaces of a substrate. As shown in Fig. 1A, this conventional substrate processing apparatus has a chuck 10 provided with a plurality of holes 32, 40, 42 for injecting a first gas (inert gas), and is formed on this chuck. The substrate gas is supplied from above the rotating substrate A to process the upper surface of the substrate, while the first gas is injected from the plurality of injection ports to lift the substrate A from the chuck and maintain it in a rotatable state.

도 1a 및 1b 에 도시된 종래의 기판 처리 장치는 불활성 기체로 기판을 부양시켜 전면, 후면 공정을 진행할 수 있지만, 기판의 양면 공정은 진행할 수 없다는 단점이 있다.The conventional substrate processing apparatus shown in FIGS. 1A and 1B may support the front and rear processes by supporting the substrate with an inert gas, but has a disadvantage in that both surfaces of the substrate cannot be processed.

한편, 종래의 베르누이척은 기판을 부양하기 위해 높은 압력의 가스를 분출하여야 하고, 이로 인해 높은 압력의 가스가 기판의 높은 액스팩트 패턴 (aspect pattern) 을 손상시키는 문제가 존재한다. 또한, 기판의 전체면에 걸쳐서 균일한 온도를 형성시킬 수 없어, 기판의 에지부가 기판의 중심부에 비해 낮은 온도를 갖는 에지 쿨링 이펙트 (edge cooling effect) 를 가지는 문제점이 존재한다.On the other hand, the conventional Bernoulli chuck has to eject a high pressure gas to support the substrate, which causes the high pressure gas to damage the high aspect pattern of the substrate. In addition, there is a problem that it is not possible to form a uniform temperature over the entire surface of the substrate, so that the edge portion of the substrate has an edge cooling effect having a lower temperature than the center of the substrate.

종래의 기판 처리 장치에 이용되어 왔던 미케니컬 척, 원심력 척, 자기력 척이 도 2a 내지 도 2c 에 각각 도시된다. 미케니컬 척은 그 상부에 형성된 하나 이상의 핀을 이용하여 기판을 지지한다. 원심력 척은 척의 내부에 S 자 형상의 홀더가 존재하고 그 홀더의 중심부를 고정하여 원심력에 의해 기판을 지지한다. 자기력 척은 원심력척과 동일한 형상의 홀더의 하부에 자석을 붙여 아래에서 위로 자석이 올라가면 원심력에 의하여 기판을 지지한다. 그러나, 이러한 척들을 이용한 기판 처리 장치로는 기판의 전면과 양면 공정은 가능하지만 기판의 후면 공정을 균일하게 진행할 수 없다.Mechanical chucks, centrifugal force chucks, and magnetic force chucks that have been used in conventional substrate processing apparatuses are shown in Figs. 2A to 2C, respectively. The mechanical chuck supports the substrate using one or more pins formed thereon. The centrifugal force chuck has an S-shaped holder inside the chuck and fixes the central portion of the holder to support the substrate by centrifugal force. The magnetic force chuck attaches a magnet to the lower part of the holder having the same shape as the centrifugal force chuck and supports the substrate by the centrifugal force when the magnet is raised from the bottom up. However, with the substrate processing apparatus using these chucks, the front and both sides of the substrate can be processed, but the back side of the substrate cannot be uniformly processed.

본 발명의 목적은 기판의 전면, 후면, 양면을 선택적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of selectively processing the front, rear, and both sides of the substrate.

본 발명의 다른 목적은 기판의 패턴 사이드 프로세스 중에 기판의 비패턴 사이드가 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing contamination of the non-pattern side of the substrate during the pattern side process of the substrate.

본 발명의 또 다른 목적은 기판의 비패턴 사이드 프로세스 중 기판을 부양시키는 가스의 밀도가 높을 필요가 없고, 에지 쿨링 이펙트를 가지지 않는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that does not have to have a high density of gas that supports the substrate during the non-pattern side process of the substrate and does not have edge cooling effects.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉 가이드부, 비접촉 가이드부를 지지하고, 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부, 상부에 기판을 고정하고, 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부, 접촉 가이드부를 지지하고, 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 접촉 가이드부가 기판을 지지하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 비접촉 가이드부가 기판을 부양하도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판의 전면, 전후 양면, 후면을 선택적으로 처리할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention ejects gas toward the substrate, thereby supporting a non-contact guide portion for supporting the substrate by a predetermined interval, a lifting portion for lifting up and down the non-contact guide portion in a vertical direction, and placing the substrate thereon. It is fixed and has a ring shape surrounding the non-contact guide portion, and provided with a contact guide portion located concentrically with the non-contact guide portion, a rotation portion for supporting the contact guide portion and rotating the contact guide portion, the non-contact guide portion is lower than the contact guide portion The contact guide portion supports the substrate when positioned and the non-contact guide portion supports the substrate when the non-contact guide portion is positioned higher than the contact guide portion. Thereby, the front, front, back, front, and back sides of the substrate can be selectively processed using one substrate processing apparatus.

또한, 접촉 가이드부는, 접촉 가이드부의 상부면에 환형으로 배치되고, 접촉 가이드부가 기판을 지지하는 경우 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 높이 위치되고, 비접촉 가이드부가 기판을 부양하는 경우 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 낮게 위치되는 복수의 서포트 핀, 및 접촉 가이드부의 상부면에서 복수의 서포트 핀의 바깥쪽에 배치되고, 기판의 측면상에 접촉하여 기판을 고정하는 복수의 가이드 핀을 구비하는 것을 특징으로 한다. 서포트 핀과 가이드 핀은 서로 분리되어 형성될 수도 있고, 일체로 형성될 수도 있다. Further, the contact guide portion is annularly disposed on the upper surface of the contact guide portion, positioned higher than the top end of the non-contact guide portion when the contact guide supports the substrate, and lower than the top end of the non-contact guide portion when the non-contact guide portion supports the substrate. And a plurality of support pins positioned at an outer side of the plurality of support pins on the upper surface of the contact guide portion, the plurality of guide pins contacting the side surfaces of the substrate to fix the substrate. The support pin and the guide pin may be formed separately from each other, or may be integrally formed.

본 발명의 다른 실시형태에서, 접촉 가이드부는 도 2b 에 도시된 바와 같은 원심력 척일 수도 있다. 이 접촉 가이드부는 중심부에 중공이 형성되어 있는 고리 형상의 지지대 및 지지대에 힌지 결합된 복수개의 홀더들을 포함한다. 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 접촉 가이드부가 회전될 때 원심력에 의해 홀더들의 하부가 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상부의 돌기가 기판의 가장자리에 밀착되어 기판을 홀딩한다.In another embodiment of the present invention, the contact guide portion may be a centrifugal force chuck as shown in FIG. 2B. The contact guide portion includes a ring-shaped support having a hollow formed at its center and a plurality of holders hinged to the support. Each of the holders has a ring at the top, and when the contact guide portion is rotated, the lower portion of the holders is inclined in the opposite direction to the center of the contact guide portion by centrifugal force, and at the same time, the upper protrusion is held against the edge of the substrate to hold the substrate.

본 발명의 또 다른 실시형태에서, 접촉 가이드부는 도 2c 에 도시된 바와 같은 자기력 척일 수도 있다. 이 접촉 가이드부는 중심부에 중공이 형성되어 있 는 고리 형상의 지지대, 지지대에 힌지 결합되고 하부에 자석을 포함하는 복수개의 홀더들, 홀더들의 하부에 대응되는 위치에 존재하도록 지지대 상에 위치되는 자석과 동일한 극성의 복수개의 자석, 및 이 복수개의 자석을 상하 이동을 할 수 있도록 결합되는 실린더를 포함한다. 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 아래에 위치한 자석이 상방향으로 이동함에 따라 자기력에 의해 홀더들의 하부가 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상부의 돌기가 기판의 가장자리에 밀착되어 기판을 홀딩한다.In another embodiment of the present invention, the contact guide portion may be a magnetic force chuck as shown in FIG. 2C. The contact guide part has a ring-shaped support having a hollow in the center, a plurality of holders hinged to the support and including a magnet at the bottom, and a magnet positioned on the support so as to exist at a position corresponding to the bottom of the holder. It includes a plurality of magnets of the same polarity, and the cylinder coupled to the vertical movement of the plurality of magnets. Each of the holders has a ring at the top, and as the magnet located below moves upward, the lower part of the holders is inclined in the opposite direction to the center of the contact guide part by magnetic force, and at the same time, the upper protrusion is pressed against the edge of the substrate. Hold the substrate.

한편, 비접촉 가이드부의 다공성 판은 서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는 하나 이상의 원형판들로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 하나 이상의 원형판들은 동일한 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있고, 각각 서로 다른 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있다. 이에 의해, 비접촉 가이드부는 낮은 압력의 비활성 기체로도 기판을 부양할 수 있으며, 기판의 후면 처리시 기판 전면에 형성된 높은 애스팩트의 패턴을 손상시키는 것을 방지할 수 있으며, 기판의 전면 처리시 기판의 후면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the porous plate of the non-contact guide portion is characterized by consisting of one or more circular plates having different diameters and located on concentric circles. One or more circular plates may have a plurality of holes of the same size, each may have a plurality of holes of different sizes. As a result, the non-contact guide portion can support the substrate even with a low pressure inert gas, and can prevent damage to the pattern of the high aspect formed on the front surface of the substrate during the backside treatment of the substrate, The rear surface can be prevented from being contaminated.

바람직하게는, 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 이다. 홀의 직경이 상술한 범위 내인 경우, 비접촉 가이드부는 비활성 기체 내의 불순물등을 트랩하는 필터링을 제공할 수 있다.Preferably, the plurality of holes have a diameter of 1 to 1000 µm. If the diameter of the hole is within the above-mentioned range, the non-contact guide portion may provide filtering to trap impurities and the like in the inert gas.

또한, 비접촉 가이드부는 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 하나 이상의 원형판들은 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러쌀 수도 있다. 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지고, 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함 하며, 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 기판의 전면 처리 중에 기판의 후면을 향하여 유체를 공급함으로써, 기판의 전후면을 동시에 처리할 수 있다.In addition, the non-contact guide portion further includes a fluid supply at the center, and one or more circular plates may surround at least a portion of the fluid supply. The fluid supply part has a cylindrical shape, and includes a plurality of pipes for supplying a fluid inside the fluid supply part, and the plurality of pipes are insulated by an insulating material. Thereby, the front and back surfaces of the substrate can be processed simultaneously by supplying fluid toward the rear surface of the substrate during the front surface treatment of the substrate.

비접촉 가이드부는 원의 형상을 가질 수도 있고, 다각형의 형상을 가질 수도 있다.The non-contact guide portion may have a circular shape or may have a polygonal shape.

또한, 이 기판 처리 장치는 동심원상에 배치되는 제 1 중공축 및 제 2 중공축을 구비하고, 제 1 중공축의 직경은 제 2 중공축의 직경보다 작고, 제 2 중공축의 중공 내에 수납되며, 제 1 중공축은 하단이 승하강부와 연결되고, 상단이 비접촉 가이드부를 지지하고, 승하강부에 의해 수직 방향으로 승하강되어 비접촉 가이드부를 승하강시키며, 제 2 중공축은 하단이 회전부와 연결되고, 상단이 접촉 가이드부를 지지하고, 회전부에 의해 수평방향으로 회전하여 접촉 가이드부를 회전시키는 것을 특징으로 한다. Further, the substrate processing apparatus has a first hollow shaft and a second hollow shaft disposed on a concentric circle, the diameter of the first hollow shaft is smaller than the diameter of the second hollow shaft, and is accommodated in the hollow of the second hollow shaft, and the first hollow shaft. The lower end of the shaft is connected with the elevating part, the upper end supports the non-contact guide part, and the elevating part is elevated in the vertical direction by the elevating part to raise and lower the non-contact guide part. It is characterized in that for supporting and rotating in the horizontal direction by the rotating portion to rotate the contact guide portion.

한편, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판 처리 장치는 상부면에 환형 노즐이 형성되어 있고, 환형 노즐을 통해 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 원형의 비접촉 가이드부, 비접촉 가이드부를 지지하고, 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부, 상부에 기판을 고정하고, 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부, 접촉 가이드부를 지지하고, 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 접촉 가이드부가 기판을 지지하고, 비접촉 가이드부가 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 비접촉 가이드부가 기판을 부양하도록 하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the annular nozzle is formed on the upper surface, the circular non-contact guide portion for supporting the substrate by a predetermined interval by blowing the gas toward the substrate through the annular nozzle, A lifting and lowering portion for supporting the non-contacting guide portion, and raising and lowering the non-contacting guide portion in a vertical direction; And a rotating part for supporting the part and rotating the contact guide part, wherein the contact guide part supports the substrate when the non-contact guide part is positioned lower than the contact guide part, and the non-contact guide part supports the substrate when the non-contact guide part is positioned higher than the contact guide part. It is characterized by that.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 비접촉 가이드부는 복수의 홀을 통해서 가스를 분출시킴으로써 기판을 소정의 간격만큼 부양시키고, 서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는 하나 이상의 원형판들로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 하나 이상의 원형판들은 동일한 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있고, 하나 이상의 원형판들은 각각 서로 다른 크기의 복수의 홀을 가질 수도 있다. 바람직하게는 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 이다. 비접촉식 척은 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 하나 이상의 원형판들은 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러쌀 수도 있다. 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지고, 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며, 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는 것을 특징으로 한다.In addition, according to one embodiment of the present invention, the non-contact guide portion to support the substrate by a predetermined interval by blowing gas through a plurality of holes, characterized in that consisting of one or more circular plates having different diameters and located on concentric circles It is done. One or more circular plates may have a plurality of holes of the same size, and one or more circular plates may each have a plurality of holes of different sizes. Preferably, the plurality of holes have a diameter of 1 to 1000 µm. The non-contact chuck further includes a fluid supply at the center, and one or more circular plates may surround at least a portion of the fluid supply. The fluid supply part has a cylindrical shape, and includes a plurality of pipes for supplying a fluid inside the fluid supply part, and the plurality of pipes are insulated by an insulating material.

본 발명의 이러한 작용 및 이점은 다음에 설명하는 실시 형태로부터 분명해진다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 처리 장치의 바람직한 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.These operations and advantages of the present invention will be apparent from the embodiments described below. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention is described, referring drawings.

먼저 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 처리 장치의 전체 구성에 대해서 도 3 을 참조하여 설명한다.First, the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated with reference to FIG.

도 3 에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 처리 장치는 복수의 홀을 갖는 하나 이상의 다공성 판을 통해 가스를 분출함으로써 기판을 부양시키는 비접촉식 척 (106), 비접촉식 척을 지지하고, 수직 방향으로 승하강 시키기 위한 승하강 실린더 (113), 기판을 고정하는 가이드 핀 (102) 과 서포트 핀 (103) 을 포함하는 접촉식 척 (101), 및 접촉식 척 (101) 을 회전시키는 회전 모터 (112) 를 포함하는 회전부를 구비한다.As shown in FIG. 3, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention supports a non-contact chuck 106, a non-contact chuck that supports a substrate by blowing gas through one or more porous plates having a plurality of holes. , Rotating the contacting chuck 101 including a lifting cylinder 113 for raising and lowering in the vertical direction, a guide pin 102 and a support pin 103 for fixing the substrate, and a contact chuck 101. A rotating part including the rotating motor 112 is provided.

이하에서는 본 발명의 기판 처리 장치의 구조를 더욱 자세히 설명한다. Hereinafter, the structure of the substrate processing apparatus of the present invention will be described in more detail.

도 4a 내지 6d 는 본 발명의 일 실시형태에 따르는 접촉식 척 (101) 과 비접촉식 척 (106) 의 구조를 도시한다.4A-6D show the structure of a contact chuck 101 and a contactless chuck 106 according to one embodiment of the invention.

도 4a 및 도 4b 에 도시된 바와 같이, 접촉식 척 (101) 은 중심축 부분에 공동이 형성된 고리 형상을 하고, 비접촉식 척 (106) 은 접촉식 척 (101) 의 내부 공동의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 원 형상을 가짐으로써, 비접촉식 척 (106) 이 접촉식 척 (101) 의 내부 공동을 통과할 수 있도록 형성된다.As shown in FIGS. 4A and 4B, the contact chuck 101 has a ring shape with a cavity formed in the central axis portion, and the contactless chuck 106 is smaller than the diameter of the inner cavity of the contact chuck 101. By having a circular shape with a diameter, the non-contact chuck 106 is formed to be able to pass through the internal cavity of the contact chuck 101.

도 5a 내지 도 5c 는 도 4a 의 접촉식 척 (101) 의 구조를 상세히 설명하는 구조도이다. 도 5a 및 도 5b 에 도시된 바와 같이, 접촉식 척 (101) 은 상부체 (201), 회전체 (202), 하부체 (203) 로 구성된다. 상부체 (201) 는 그 상부면에 복수의 서포트 핀 (103a, 103b, 103c) 을 일정한 직경의 원주를 따라 고정하고 있고, 서포트 핀이 고정된 원주보다 더 큰 직경의 원주를 따라 복수의 가이드 핀을 위한 복수의 홀을 형성하고 있다. 회전체 (202) 는 복수의 가이드 핀 (102a, 102b, 102c) 을 포함하고, 상부체의 복수의 홀을 관통하여 상방향으로 고정된다. 또한, 도 5c 에 도시된 바와 같이, 하부체 (203) 는 회전체 (202) 의 두께 이상의 높이를 가지는 원통형의 회전체 스토퍼 (205) 를 복수 개 포함하며, 일단은 하부체 (203) 에 고정되고 타단은 고리 (207) 를 포함하는 스프링 (204) 을 포함하고, 하부체 (203) 의 바깥쪽 원주면에서 안쪽 원주면을 향해 소정의 깊이를 가지고 스프 링의 길이보다 더 짧은 길이를 가지는 휘어진 직사각형 모양으로 패인 핀 클로즈 위치 슬롯 (206) 을 포함한다.5A to 5C are structural diagrams illustrating the structure of the contact chuck 101 of FIG. 4A in detail. As shown in FIGS. 5A and 5B, the contact chuck 101 is composed of an upper body 201, a rotating body 202, and a lower body 203. The upper body 201 fixes the plurality of support pins 103a, 103b, and 103c along a circumference of a constant diameter on its upper surface, and the plurality of guide pins along a circumference of a larger diameter than the circumference of which the support pin is fixed. It forms a plurality of holes for. The rotating body 202 includes a plurality of guide pins 102a, 102b, 102c and is fixed upward through a plurality of holes of the upper body. In addition, as shown in FIG. 5C, the lower body 203 includes a plurality of cylindrical rotor stoppers 205 having a height greater than or equal to the thickness of the rotating body 202, one end of which is fixed to the lower body 203. And the other end comprises a spring 204 comprising a ring 207, and having a predetermined depth from the outer circumferential surface of the lower body 203 toward the inner circumferential surface and having a length shorter than the length of the spring. A pin closed position slot 206 recessed in a rectangular shape.

도 5c 에 도시된 바와 같이, 회전체는 (202) 는 핀 클로즈 위치 슬롯 (206) 의 한쪽 변이 회전체 스토퍼 (205) 에 닿아 있을 때가 핀 초기 위치이다. 접촉식 척에 기판을 로딩시키기 위하여 가이드 핀 (102a) 은 디척킹 샤프트 (de-chucking shaft, 미도시)에 의하여 회전체 (202) 가 고정되고 접촉식 척(101)의 상부체 (201, 미도시) 와 하부체 (203) 가 소정의 각도로 반시계방향으로 회전하면서 가이드 핀(102)이 반시계 방향으로 회전을 하여 가이드 핀이 오픈되게 된다. 그리고 기판을 접촉식 척에 고정시키기 위하여 가이드 핀 (102) 은 접촉식 척의 상부체 (201, 미도시) 와 하부체 (203) 가 시계 방향으로 소정의 각도로 회전하면서, 가이드 핀 (102a) 은 시계방향으로 회전하며 가이드 핀 (102a) 의 상부가 기판과 접촉하게 되면서 잠기게 된다. 기판은 스프링 (204) 의 탄성력에 의하여 가이드 핀 (102) 에 구속되어진다.As shown in FIG. 5C, the rotor 202 is the initial position of the pin when one side of the pin close position slot 206 contacts the rotor stopper 205. In order to load the substrate into the contact chuck, the guide pin 102a is fixed to the rotor 202 by a de-chucking shaft (not shown) and the upper body 201 (not shown) of the contact chuck 101. C) and the lower body 203 rotate counterclockwise at a predetermined angle so that the guide pin 102 rotates counterclockwise to open the guide pin. In order to fix the substrate to the contact chuck, the guide pin 102 is rotated at a predetermined angle in the clockwise direction by the upper body 201 (not shown) and the lower body 203 of the contact chuck. The clockwise rotation is locked while the upper portion of the guide pin 102a comes into contact with the substrate. The substrate is constrained to the guide pin 102 by the elastic force of the spring 204.

본 발명의 일 실시형태에 따른 접촉식 척 (101) 은 중심축 부분에 공동이 형성된 고리 형상을 하고 있으므로, 스프링을 배치하기 위해 공동 부분에 활을 구비하는 기존의 접촉식 척에 비하여 질량이 작은 것이 특징이다. 이러한 특징으로 인해, 기존의 접촉식 척보다 관성이 감소함으로써, 기판의 회전 및 정지 가감속 시간을 단축할 수 있고, 이를 통해 턴-어라운드 타임 (TAT) 을 줄임으로써 기판 처리의 속도를 향상시킬 수 있고, 또한 접촉식 척을 회전시키기 위한 회전 모터의 사양을 감소시킴으로써 기판 처리 장치의 원가를 절감할 수 있는 효과를 가진다.Since the contact chuck 101 according to the embodiment of the present invention has a ring shape in which a cavity is formed in the central axis portion, the mass is smaller than that of the conventional contact chuck having a bow in the cavity portion for arranging the spring. Is characteristic. Due to this feature, the inertia is reduced compared to the conventional contact chuck, which can shorten the rotation and stop acceleration and deceleration time of the substrate, thereby increasing the speed of substrate processing by reducing the turn-around time (TAT). In addition, it has the effect of reducing the cost of the substrate processing apparatus by reducing the specification of the rotary motor for rotating the contact chuck.

도 6a 내지 6d 는 도 4b 에 도시된 비접촉식 척 (106) 을 도시하는 평면도이다. 비접촉식 척 (106) 의 상부면에는 기판의 양면을 처리하기 위해 이용되는 유체를 공급하는 유체 공급 포트 (212) 및 기판의 후면을 처리할 때 기판을 부양시키기 위한 다공성판이 형성된다. 또한, 도 6b 에 도시된 바와 같이 비접촉식 척 (106) 의 하부면에는 비활성 기체 공급 포트 (213) 가 형성된다. 6A-6D are plan views illustrating the contactless chuck 106 shown in FIG. 4B. The upper surface of the non-contact chuck 106 is formed with a fluid supply port 212 for supplying a fluid used to treat both sides of the substrate and a porous plate for supporting the substrate when treating the back side of the substrate. In addition, an inert gas supply port 213 is formed on the lower surface of the non-contact chuck 106 as shown in FIG. 6B.

도 6c 에 도시된 바와 같이 비접촉식 척 (106) 의 상부면에는 하나 이상의 원형판 (214a, 214b, 214c) 이 다공성판으로서 형성된다. 원형판 (214a, 214b, 214c) 은, 예를 들어, 내화학성이 우수하여 웨이퍼 처리시에 이용되는 케미컬과 반응하지 않고 불순물이 발생하지 않는, 사불화 폴리 에틸렌 (Poly Tetra Fluoro Ethylene; PTFE) 등으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 6C, at least one circular plate 214a, 214b, 214c is formed as a porous plate on the upper surface of the non-contact chuck 106. The circular plates 214a, 214b, and 214c are made of, for example, polytetra fluoro ethylene (PTFE), which is excellent in chemical resistance and does not react with chemicals used in wafer processing and does not generate impurities. Can be done.

홀의 크기가 다른 다공성판 (214a, 214b, 214c) 이 동심원으로 배열되어져 비접촉식 척 (106) 의 중심에서 가장자리 방향으로 홀 (215) 의 크기가 작은 것에서 큰 것으로 또는 큰 것에서 작은 것으로 구성되어져 기판의 회전시에 발생하는 원심력과 대응하게 구성될 수 있다.Porous plates 214a, 214b, and 214c of different sizes of holes are arranged concentrically so that the hole 215 is composed of small to large or large to small in the direction from the center of the non-contact chuck 106 to the rotation of the substrate. It may be configured to correspond to the centrifugal force generated in the city.

상술한 바와 같이, 기판이 비활성 기체에 의해 비접촉식 척 (106) 의 상부에 부양됨으로써, 패턴이 형성된 기판의 전면에 세정 등의 처리를 하는 경우 홀 (215) 을 통해 분사된 비활성 기체가 기판의 후면 방향으로 이물질이 흘러들어가는 것을 막아주므로 기판의 후면이 오염되는 것을 막을 수 있다. 또한, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면에 에칭이나 세정 등의 처리를 하는 경우에도 기판의 전면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the substrate is supported by the inert gas on the upper portion of the non-contact chuck 106 so that the inert gas injected through the hole 215 when the cleaning or the like is performed on the front surface of the substrate on which the pattern is formed is carried out. It prevents foreign matter from flowing in the direction, which can prevent the back surface of the substrate from being contaminated. In addition, even when the back surface of the substrate on which the pattern is not formed is etched or cleaned, the entire surface of the substrate can be prevented from being contaminated.

홀 (215) 의 크기 및 수량은 필요에 따라 조절가능하며, 바람직하게는 홀의 직경이 1~1000 ㎛ 이다. 홀의 직경이 1~1000 ㎛ 의 범위 내인 경우, 기판을 부양시키는 비활성 기체 내에 존재하는 비이상적인 불순물 등을 트랩하므로 기판 처리시 불순물 등에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하는 필터링 효과를 가진다. 또한, 불순물이 홀에 트랩되는 경우 압력차가 발생하므로, 이러한 압력차의 정도를 압력 게이지를 이용하여 측정함으로써 원형판 (214a, 214b, 214c) 의 교체주기를 알 수 있다.The size and quantity of the holes 215 can be adjusted as needed, and the diameter of the holes is preferably 1 to 1000 mu m. When the diameter of the hole is in the range of 1 to 1000 µm, it traps non-ideal impurities present in the inert gas that supports the substrate, and thus has a filtering effect to prevent the substrate from being contaminated by impurities or the like during substrate processing. In addition, a pressure difference occurs when impurities are trapped in the holes, and thus the replacement cycle of the circular plates 214a, 214b, and 214c can be known by measuring the degree of the pressure difference using a pressure gauge.

또한, 다공성 판은 적어도 기판 면적의 50% 이상을 커버하는 것이 바람직하다. 다공성 판의 면적이 상술한 범위를 가지는 경우, 다공성 판의 상부에 형성된 복수의 홀을 통해 분사되는 비활성 기체는 기판의 나머지 면적 영역, 즉 에지부로 흘러가게 된다. 따라서, 비활성 기체가 기판 전체면에 고루 분사되게 되므로 기판 전체면의 온도가 균일하게 변화하고, 따라서 기판의 에지부의 온도가 중심부의 온도보다 낮은 에지 쿨링 이펙트 (edge cooling effect) 를 방지할 수 있다.In addition, the porous plate preferably covers at least 50% of the substrate area. When the area of the porous plate has the above-mentioned range, the inert gas injected through the plurality of holes formed in the upper portion of the porous plate flows to the remaining area area of the substrate, that is, the edge portion. Therefore, since the inert gas is evenly sprayed on the entire surface of the substrate, the temperature of the entire surface of the substrate changes uniformly, and thus, an edge cooling effect in which the temperature of the edge portion of the substrate is lower than the temperature of the center portion can be prevented.

도 6d 는 비접촉식 척 (106) 의 중심부에 포함되는 유체 방출구 (104) 를 도시한다. 유체 방출구 (104) 는 원통의 형상을 가지고 내부에 다수의 관을 형성하고 있다. 본 실시형태에서는 특히 유체 방출구의 중심부에 존재하는 관은 가스 공급 포트 (211) 를 통해 기판에 건조 가스 (예를 들어, 건조한 N2) 를 공급할 수 있도록 형성되고, 중심부의 관의 주변을 둘러싸는 원주 상에 배치된 복수의 관은 유체 공급 포트 (212) 를 통해 각종 유체 (예를 들어, 기판 처리에 이용하는 케 미컬, 기판의 세정에 이용하는 초순수 (DIW) 등) 를 기판의 하부면에 공급할 수 있도록 형성된다. 또한, 유체 방출구 (104) 는 다수의 관 사이에 단열부 (223) 를 포함함으로써, 다수의 관이 서로 단열될 수 있도록 한다. 단열부 (223) 는 단열재를 사용하거나, 진공상태로 함으로써 형성될 수 있다.6D shows the fluid outlet 104 contained in the center of the contactless chuck 106. The fluid discharge port 104 has a cylindrical shape and forms a plurality of tubes therein. In the present embodiment, particularly, the tube existing at the center of the fluid discharge port is formed to supply dry gas (for example, dry N 2 ) to the substrate through the gas supply port 211, and surrounds the periphery of the tube at the center. The plurality of tubes arranged on the circumference may supply various fluids (for example, chemicals used for processing the substrate, ultrapure water (DIW) used for cleaning the substrate, etc.) to the lower surface of the substrate through the fluid supply port 212. So that it is formed. In addition, the fluid outlet 104 includes a heat insulating portion 223 between the plurality of tubes, so that the plurality of tubes can be insulated from each other. The heat insulation part 223 can be formed by using a heat insulating material, or making it into a vacuum state.

비접촉식 척 (106) 의 중심부에 유체 방출구 (104) 를 포함함으로써 기판의 후면에 대해 유체를 이용한 처리를 수행할 수 있다. 또한, 유체 방출구 (104) 내에 형성된 다수의 관들이 단열부 (223) 에 의해 서로 단열됨으로써, 유체간의 온도 간섭을 방지하여 각 관을 통해 공급되는 유체들을 초기에 설정된 온도대로 기판에 공급할 수 있으며, 유체간의 온도 간섭으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.The inclusion of the fluid outlet 104 in the center of the non-contact chuck 106 allows fluidized treatment to be performed on the backside of the substrate. In addition, the plurality of tubes formed in the fluid outlet 104 is insulated from each other by the heat insulating portion 223, it is possible to prevent the temperature interference between the fluid to supply the fluid supplied through each tube to the substrate at the initial set temperature and As a result, process defects due to temperature interference between fluids can be prevented.

도 7 및 8 을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따르는 승하강부 및 회전부를 설명한다.7 and 8, a lifting unit and a rotating unit according to an embodiment of the present invention will be described.

도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따르는 기판 처리 장치에 포함되는 승하강부와 회전부의 구조를 더욱 자세히 설명하는 사시도이고, 도 8 은 회전부의 일부를 도시하는 투시도이다.7 is a perspective view illustrating in more detail the structures of the lifting and lowering portions included in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a perspective view showing a part of the rotating portions.

먼저, 승하강부의 구조를 설명한다. 일 실시형태에서 승하강 모터는 기판 처리 장치의 후면에 배치될 수 있다. 승하강 모터는 타이밍 벨트를 통해 승하강 기초판 (109) 과 연결되고, 승하강 기초판 (109) 은 그 상부면 상에 샤프트 하우징을 고정시켜 승하강 기초판의 중심부에 샤프트 (111) 를 위치시키고 있으며, 샤프트는 두 개의 부쉬 (108) 에 의해 가이드 된다.First, the structure of the elevating portion will be described. In one embodiment, the elevating motor can be disposed on the backside of the substrate processing apparatus. The elevating motor is connected with the elevating base plate 109 through a timing belt, and the elevating base plate 109 fixes the shaft housing on its upper surface to position the shaft 111 at the center of the elevating base plate. The shaft is guided by two bushes 108.

샤프트 (111) 를 내부에 수납하는 샤프트 하우징과 승하강 실린더 (113) 는 승하강 기초판 (109) 에 고정되어 있다. 따라서, 승하강 기초판 (109) 의 상하 이동에 따라 샤프트 하우징과 승하강 실린더 (113) 도 함께 이동한다. 샤프트 하우징은 내부에 샤프트 (111) 의 상하 이동을 가이드하는 2 개의 부쉬 (108) 를 포함하며, 부쉬 (108) 의 바깥면에 형성되는 베어링 (321, 322) 은 스핀들 (325) 의 회전시에 부쉬 (108) 와 스핀들 (325) 간의 마찰력을 감소시킨다. 샤프트 (111) 는 스핀들 (325) 의 중공 내에 위치하지만, 스핀들 (325) 과 물리적으로 접촉하지는 않기 때문에, 스핀들 (325) 이 회전하더라도 샤프트 (111) 는 회전하지 않는다. The shaft housing and the elevating cylinder 113 for storing the shaft 111 therein are fixed to the elevating base plate 109. Therefore, the shaft housing and the elevating cylinder 113 also move together with the vertical movement of the elevating base plate 109. The shaft housing includes two bushes 108 for guiding the up and down movement of the shaft 111 therein, and bearings 321 and 322 formed on the outer surface of the bushes 108 are rotated when the spindle 325 rotates. Reduce friction between bush 108 and spindle 325. The shaft 111 is located in the hollow of the spindle 325, but because it is not in physical contact with the spindle 325, the shaft 111 does not rotate even if the spindle 325 rotates.

승하강 실린더 (113) 는 승하강 실린더 고정구 (328) 를 포함하며, 샤프트 (111) 는 승하강 실린더 고정구 (328) 에 의해 승하강 실린더 (113) 에 고정되므로, 승하강 실린더 (113) 의 상하 이동에 의해 샤프트 (111) 도 함께 상하 이동하게 된다. 또한, 샤프트 (111) 는 그 최상부에 비접촉식 척 (106) 을 지지하고 있으므로, 샤프트 (111) 의 상하 이동에 따라 비접촉식 척 (106) 도 상하 이동하게 된다.The elevating cylinder 113 includes a elevating cylinder fixture 328, and the shaft 111 is fixed to the elevating cylinder 113 by the elevating cylinder fixture 328, and thus the up and down of the elevating cylinder 113. By movement, the shaft 111 also moves up and down together. In addition, since the shaft 111 supports the non-contact chuck 106 at the top thereof, the non-contact chuck 106 also moves up and down with the vertical movement of the shaft 111.

다음으로, 회전부의 구조를 설명한다. 도 7 에 도시된 바와 같이, 스핀들 (325) 은 스핀들 하우징 (324) 의 내부에 수납된다. 또한, 그 중심축 부분에 중공이 형성되어 있어, 중공 내에 샤프트 (111) 를 포함한다. 스핀들 하우징 (324) 은 내부에 포함되는 베어링 (323, 326) 을 통해 스핀들 (325) 과의 마찰을 감소시킨다. 스핀들 하우징 (324) 은 승하강 기초판 (109) 상에 고정되고, 스핀들 하우징 (324) 의 내부에 수납된 스핀들 (325) 은 회전 휠 (107) 을 지지하 며, 회전 휠 (107) 은 접촉식 척 지지대 (105) 를 이용하여 접촉식 척 (101) 을 지지한다. 따라서, 승하강 기초판 (109) 의 상하 이동에 따라 스핀들 하우징 (324) 도 상하 이동하게 된다.Next, the structure of a rotating part is demonstrated. As shown in FIG. 7, the spindle 325 is housed inside the spindle housing 324. Moreover, a hollow is formed in the center-axis part, and includes the shaft 111 in a hollow. Spindle housing 324 reduces friction with spindle 325 through bearings 323 and 326 included therein. The spindle housing 324 is fixed on the elevating base plate 109, the spindle 325 housed inside the spindle housing 324 supports the rotating wheel 107, and the rotating wheel 107 contacts The contact chuck 101 is supported using the chuck support 105. Therefore, the spindle housing 324 also moves up and down in accordance with the vertical movement of the elevating base plate 109.

스핀들 (325) 의 최상부는 회전 휠 (107) 의 하부면에 고정되고, 회전 휠 (107) 의 상부면에 고정된 복수의 접촉식 척 지지대 (105) 는 접촉식 척 (101) 에 연결된다. 도 8 에 도시된 바와 같이, 스핀들 (325) 은 타이밍 벨트 (135) 를 통하여 회전 모터 (112) 의 회전력을 전달받아 회전한다. 스핀들 (325) 의 회전에 따라 스핀들 (325) 의 상부에 고정된 회전 휠 (107) 이 회전하게 되고, 이에 따라 접촉식 척 (101) 도 회전하게 된다. The top of the spindle 325 is fixed to the lower surface of the rotary wheel 107, and a plurality of contact chuck supports 105 fixed to the upper surface of the rotary wheel 107 are connected to the contact chuck 101. As shown in FIG. 8, the spindle 325 is rotated by receiving the rotational force of the rotary motor 112 through the timing belt 135. As the spindle 325 rotates, the rotating wheel 107 fixed to the upper portion of the spindle 325 rotates, and accordingly, the contact chuck 101 also rotates.

이하에서는, 도 9a 내지 10b 를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치에서 패턴이 형성되어 있는 기판의 전면과 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 처리하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of treating the front surface of the substrate on which the pattern is formed and the rear surface of the substrate on which the pattern is not formed in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9A to 10B.

도 9a 및 도 9b 는 승하강 모터와 승하강 실린더의 상하 이동에 따른 접촉식 척과 비접촉식 척의 상하 이동을 도시한다. 그 중, 도 9a 는 기판의 전면 또는 전후 양면 처리시의 접촉식 척과 비접촉식 척의 상하 이동을 도시한다. 도 9a 에 도시된 바와 같이, 승하강 모터 (미도시) 에 연결된 승하강 기초판 (109) 은 승하강 모터에 의해 C 만큼 상승하고, 승하강 기초판 (109) 에 의해 지지되는 접촉식 척 (101) 및 비접촉식 척 (106) 또한 C 만큼 상방향으로 이동하게 된다. 이 때, 승하강 실린더 (113) 와 승하강 실린더 고정구 (328) 의 높이차는 A 만큼이다. 이 때, 비접촉식 척 (106) 의 최상단은 접촉식 척 (101) 의 서포트 핀 (103a) 의 최상단보다 낮게 위치되므로, 기판은 서포트 핀에 의해 지지된다.9A and 9B show the vertical movement of the contact chuck and the non-contact chuck according to the vertical movement of the elevating motor and the elevating cylinder. Among them, Fig. 9A shows the vertical movement of the contact chuck and the non-contact chuck at the front or back side of the substrate. As shown in FIG. 9A, the elevating base plate 109 connected to the elevating motor (not shown) is lifted by C by the elevating motor, and is a contact chuck (supported by the elevating base plate 109). 101) and the contactless chuck 106 are also moved upward by C. At this time, the height difference between the elevating cylinder 113 and the elevating cylinder fixing tool 328 is A only. At this time, the top end of the non-contact chuck 106 is located lower than the top end of the support pin 103a of the contact chuck 101, so that the substrate is supported by the support pin.

다음으로, 도 9b 는 기판의 후면 처리시의 접촉식 척과 비접촉식 척의 상하 이동을 도시한다. 도 9a 의 경우와 마찬가지로, 승하강 기초판 (109) 은 승하강 모터에 의해 C 만큼 상승하게 되고, 이에 따라 접촉식 척 (101) 및 비접촉식 척 (106) 도 C 만큼 상승하게 된다. 그러나, 이 경우는 승하강 실린더 (113) 내에 포함된 실린더의 상방향 이동에 의해 승하강 실린더 고정구 (328) 가 추가적으로 A-B 만큼 상승하게 되고, 따라서, 승하강 실린더 (113) 와 승하강 실린더 고정구 (328) 간의 높이차는 B 가 된다. 이러한 승하강 실린더 고정구 (328) 의 추가적인 상승에 의해, 승하강 실린더 고정구 (328) 에 고정된 샤프트 (111) 와 샤프트의 최상부에 지지되어 있는 비접촉식 척 (106) 도 A-B 만큼 더 상승하게 된다. 이에 의해, 비접촉식 척 (106) 의 최상단이 접촉식 척 (101) 의 서포트 핀 (103a) 의 최상단보다 높게 위치되므로, 기판은 비접촉식 척 (106) 에 의해 부양되게 된다.Next, Fig. 9B shows the vertical movement of the contact chuck and the non-contact chuck during the backside treatment of the substrate. As in the case of Fig. 9A, the elevating base plate 109 is raised by the elevating motor by C, so that the contact chuck 101 and the non-contact chuck 106 are also raised by C. However, in this case, the elevating cylinder fixture 328 is further raised by AB by the upward movement of the cylinder included in the elevating cylinder 113, and thus the elevating cylinder 113 and the elevating cylinder fixture ( 328) is the difference in height B. By further raising the elevating cylinder fixture 328, the shaft 111 fixed to the elevating cylinder fixture 328 and the non-contact chuck 106 supported on the top of the shaft are further raised by A-B. As a result, the top end of the non-contact chuck 106 is positioned higher than the top end of the support pin 103a of the contact chuck 101, so that the substrate is supported by the non-contact chuck 106.

도 10a 및 도 10b 를 참조하여, 각각 도 9a 및 도 9b 에 도시된 접촉식 척과 비접촉식 척의 이동에 의한 기판 지지 방법의 차이를 설명한다.With reference to FIGS. 10A and 10B, the difference between the substrate supporting method by the movement of the contact chuck and the non-contact chuck shown in FIGS. 9A and 9B will be described, respectively.

도 10a 은 기판의 전면 또는 기판의 전후 양면을 처리하는 경우의 기판 지지 방법을 도시한다. 기판의 측면은 가이드 핀 (102a, 102b) 에 의해 고정되어 기판이 회전하는 경우에도 수평 방향으로 움직이는 것이 방지된다. 상술한 바와 같이, 비접촉식 척 (106) 의 최상단은 접촉식 척 (101) 의 상부에 형성되는 서포트 핀 (103a, 103b) 의 최상단보다 낮게 위치되고, 따라서, 기판 (A) 은 서포트 핀 (103a, 103b) 에 의해 지지된다. 따라서, 본 발명의 기판 처리 장치의 상부에 위치하는 기판 처리 장치 (미도시) 를 이용하여, 패턴이 형성된 기판의 전면에 대해 에칭 또는 세정 등의 공정을 수행할 수 있다. 또한, 이와 동시에 비접촉식 척 (106) 의 중심부에 위치한 유체 방출구 (104) 를 통해 유체 (예를 들어, 케미컬, 초순수 (DIW)) 를 공급함으로써, 패턴이 형성되지 않은 기판 (A) 의 후면을 처리할 수 있다. 이에 의해, 기판의 전면 처리 또는 전후 양면 처리가 가능하다.FIG. 10A shows a substrate supporting method in the case where the front surface of the substrate or front and rear surfaces of the substrate are processed. Side surfaces of the substrate are fixed by the guide pins 102a and 102b to prevent movement in the horizontal direction even when the substrate is rotated. As described above, the top end of the non-contact chuck 106 is positioned lower than the top end of the support pins 103a and 103b formed on the top of the contact chuck 101, so that the substrate A is supported by the support pins 103a,. 103b). Therefore, by using a substrate processing apparatus (not shown) positioned above the substrate processing apparatus of the present invention, a process such as etching or cleaning can be performed on the entire surface of the substrate on which the pattern is formed. At the same time, by supplying fluid (eg, chemical, ultrapure water (DIW)) through the fluid outlet 104 located at the center of the non-contact chuck 106, the rear surface of the substrate A without a pattern is formed. Can be processed. Thereby, the front surface process or the front-back side surface process of a board | substrate is possible.

도 10b 는 기판의 후면을 처리하는 경우의 기판 지지 방법을 도시한다. 비접촉식 척 (106) 의 최상단이 서포트 핀 (103a, 103b) 의 최상단보다 높게 위치되고, 따라서, 기판 (A) 는 비접촉식 척 (106) 의 다공성 판의 홀에서 분출된 비활성 가스에 의해 부양된다. 이 경우에도, 기판 (A) 는 가이드 핀 (102a, 102b) 에 의해 수평 방향으로의 움직임이 방지된다. 기판 (A) 은 비접촉식 척 (106) 에 의해 부양되며, 본 발명의 기판 처리 장치의 상부에 위치하는 기판 처리 장치 (미도시) 에 의해, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면에 대해 세정 등의 공정을 수행할 수 있다.10B shows a substrate supporting method in the case of treating the back side of the substrate. The uppermost end of the non-contact chuck 106 is positioned higher than the uppermost end of the support pins 103a and 103b, so that the substrate A is supported by the inert gas blown out of the hole of the porous plate of the non-contact chuck 106. Even in this case, the substrate A is prevented from moving in the horizontal direction by the guide pins 102a and 102b. The substrate A is supported by the non-contact chuck 106, and is subjected to a process such as cleaning with respect to the rear surface of the substrate on which the pattern is not formed by a substrate processing apparatus (not shown) positioned above the substrate processing apparatus of the present invention. Can be performed.

이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치는 접촉식 척 (101) 과 비접촉식 척 (106) 의 상대적 위치 차이를 이용하여, 기판의 패턴이 형성된 면과 기판의 패턴이 형성되지 않은 면을 하나의 장치로서 선택적으로 처리할 수 있다는 점에서, 기판을 선택적으로 처리 할 수 없기 때문에 접촉식 척과 비접촉식 척을 따로 구비해야 하는 종래의 기판 처리 장치에 비해 장치 활용도가 높다 또한, 기판의 전면을 처리하는 모드, 기판의 전후면을 처리하는 모드, 기판의 후면을 처리하는 모드를 모두 구현할 수 있다는 점에서, 역시 종래의 기판 처리 장치에 비해 장치 활용도가 높다.As described above, in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the surface on which the pattern of the substrate is formed and the surface on which the pattern of the substrate is not formed are utilized by using the relative position difference between the contact chuck 101 and the non-contact chuck 106. Can be selectively processed as a single device, and since the substrate cannot be selectively processed, the device utilization is higher than that of a conventional substrate processing apparatus which requires a contact chuck and a non-contact chuck separately. In addition, since the processing mode, the mode for processing the front and rear surfaces of the substrate, and the mode for processing the rear surface of the substrate can be implemented, the device utilization is also higher than that of the conventional substrate processing apparatus.

개시된 실시형태에 대한 상술한 설명은 당업자라면 누구나 본 발명을 이용할 수 있도록 제공된다. 이 실시형태들의 여러 변형은 당업자에게 명백할 것이며, 여기서 정의된 일반적 원리는 본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 다른 실시형태에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 여기서 개시된 실시형태들에 한정되지 않으며, 본 발명에는 여기서 개시된 원리 및 신규한 특징과 일치하는 최광의 범위가 부여된다.The foregoing description of the disclosed embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make use of the invention. Many variations of these embodiments will be apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other embodiments without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments disclosed herein, and the invention is given the broadest scope consistent with the principles and novel features disclosed herein.

본 발명은 비접촉식 척과 접촉식 척을 하나의 장치 내에 모두 포함하고, 승하강부를 이용하여 이들의 상대적 위치를 조절함으로써, 기존의 기판 처리 장치가 패턴이 형성된 기판의 전면 처리, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면 처리, 및 기판의 전후 양면 처리의 세가지 모드의 처리를 수행하기 위해 2 개 이상의 장치를 필요로 하였던 문제를 해결한다.The present invention includes both a non-contact chuck and a contact chuck in one apparatus, and by adjusting the relative position of them by using a lifting unit, the conventional substrate processing apparatus is a front surface treatment of the patterned substrate, the substrate is not formed pattern It solves the problem that required two or more devices to perform the three modes of processing, the backside processing of the substrate, and the front and rearside processing of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 접촉식 척을 사용하는 경우, 척의 질량 감소에 따른 생산 수율의 증가와 장치 원가의 절감 효과를 가져온다.In addition, in the case of using the contact chuck according to an embodiment of the present invention, the production yield is increased and the apparatus cost is reduced according to the mass reduction of the chuck.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 비접촉식 척을 사용하는 경우, 패턴이 형성된 기판의 전면을 처리하는 경우에 기판의 후면의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 처리하는 경우, 기판의 전체면에 대해 고른 온도 분포를 형성할 수 있고, 낮은 압력의 비활성 기체만으로도 기판을 부양 할 수 있으며, 패턴이 형성되지 않은 기판의 후면을 처리하는 경우에 높은 애스팩트 패턴을 갖는 기판의 전면이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In addition, when the non-contact chuck according to the embodiment of the present invention is used, contamination of the rear surface of the substrate can be prevented when the front surface of the substrate on which the pattern is formed is processed. In addition, when treating the rear surface of the substrate without a pattern, it is possible to form an even temperature distribution over the entire surface of the substrate, to support the substrate only with a low pressure inert gas, and to In the case of treating the back surface, it is possible to prevent the front surface of the substrate having the high aspect pattern from being damaged.

Claims (22)

기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 상기 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉 가이드부;A non-contact guide portion for supporting the substrate by a predetermined interval by blowing gas toward the substrate; 상기 비접촉 가이드부를 지지하고, 상기 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부;An elevating portion supporting the non-contact guide portion and elevating the non-contact guide portion in a vertical direction; 상부에 상기 기판을 고정하고, 상기 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 상기 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부;A contact guide part fixed to the substrate and having a ring shape surrounding the non-contact guide part, the contact guide part being located concentrically with the non-contact guide part; 상기 접촉 가이드부를 지지하고, 상기 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고,A rotation part supporting the contact guide part and rotating the contact guide part, 상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 상기 접촉 가이드부가 상기 기판을 지지한 상태로 상기 기판을 처리하고, When the non-contact guide portion is positioned lower than the contact guide portion, the contact guide portion is processing the substrate in a state supporting the substrate, 상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 상기 비접촉 가이드부가 상기 기판을 부양하며 상기 기판의 전면이 상기 비접촉 가이드부를 향하는 상태로 상기 기판의 후면을 처리하며,When the non-contact guide portion is positioned higher than the contact guide portion, the non-contact guide portion supports the substrate and the rear surface of the substrate is processed with the front surface of the substrate facing the non-contact guide portion, 상기 비접촉 가이드부는 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 상기 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며, 상기 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는, 기판 처리 장치.The non-contact guide portion further includes a fluid supply portion at a central portion, and includes a plurality of tubes for supplying a fluid inside the fluid supply portion, and the plurality of tubes are insulated by an insulating material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접촉 가이드부는,The contact guide portion, 상기 접촉 가이드부의 상부면에 환형으로 배치되고, 상기 접촉 가이드부가 상기 기판을 지지하는 경우 상기 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 높이 위치되고, 상기 비접촉 가이드부가 상기 기판을 부양하는 경우 상기 비접촉 가이드부의 최상단보다 더 낮게 위치되는 복수의 서포트 핀, 및It is disposed in an annular shape on the upper surface of the contact guide portion, the contact guide portion is positioned higher than the top end of the non-contact guide portion when supporting the substrate, and more than the top end of the non-contact guide portion when the non-contact guide portion supports the substrate A plurality of support pins lowered, and 상기 접촉 가이드부의 상부면에서 상기 복수의 서포트 핀의 바깥쪽에 배치되고, 기판의 측면상에 접촉하여 기판을 고정하는 복수의 가이드 핀을 구비하는, 기판 처리 장치.And a plurality of guide pins disposed outside the plurality of support pins on an upper surface of the contact guide portion, the plurality of guide pins contacting the side surfaces of the substrate to fix the substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 서포트 핀과 상기 가이드 핀은 서로 분리되어 있는, 기판 처리 장치.And the support pin and the guide pin are separated from each other. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 서포트 핀과 상기 가이드 핀은 일체로 형성되어 있는, 기판 처리 장치.The support pin and the guide pin are formed integrally. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접촉 가이드부는, 중심부에 중공이 형성되어 있는 고리 형상의 지지대 및 상기 지지대에 힌지 결합된 복수개의 홀더들을 포함하고,The contact guide portion includes a ring-shaped support having a hollow formed in the center and a plurality of holders hinged to the support, 상기 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 상기 접촉 가이드부가 회전될 때 원심력에 의해 홀더들의 하부가 상기 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상기 상부의 돌기가 상기 기판의 가장자리에 밀착되어 상기 기판을 홀딩하는, 기판 처리 장치.Each of the holders has a ring at the top, and when the contact guide is rotated, the lower parts of the holders are inclined in the opposite direction of the center of the contact guide by centrifugal force, and at the same time, the protrusions of the upper part are in close contact with the edge of the substrate. A substrate processing apparatus for holding the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접촉 가이드부는, The contact guide portion, 중심부에 중공이 형성되어 있는 고리 형상의 지지대; 상기 지지대에 힌지 결합되고 하부에 제 1 자석을 포함하는 복수개의 홀더들; 상기 홀더들의 하부에 대응되는 위치에 존재하도록 지지대 상에 위치되는, 상기 자석과 동일한 극성의 복수개의 제 2 자석; 및 상기 복수개의 제 2 자석을 상하 이동을 할 수 있도록 결합되는 실린더를 포함하며,Annular support is formed hollow in the center; A plurality of holders hinged to the support and including a first magnet at a lower portion thereof; A plurality of second magnets of the same polarity as the magnet, positioned on the support so as to be at a position corresponding to the lower portion of the holders; And a cylinder coupled to move the plurality of second magnets up and down, 상기 홀더들 각각은 상부에 고리를 가지고, 상기 제 2 자석이 상방향으로 이동함에 따라 자기력에 의해 상기 홀더들의 하부가 상기 접촉 가이드부의 중심부의 반대방향으로 기울어짐과 동시에 상기 상부의 돌기가 상기 기판의 가장자리에 밀착되어 상기 기판을 홀딩하는, 기판 처리 장치.Each of the holders has a ring at an upper portion thereof. As the second magnet moves upward, a lower portion of the holders is inclined in a direction opposite to the center of the contact guide portion by a magnetic force, and at the same time, the upper protrusion is formed on the substrate. A substrate processing apparatus for holding the substrate in close contact with an edge of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비접촉 가이드부의 다공성 판은 하나 이상의 원형판을 포함하고,The porous plate of the non-contact guide portion includes one or more circular plates, 둘 이상의 원형판들을 포함하는 경우에, 상기 둘 이상의 원형판들 각각은 서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되는, 기판 처리 장치.In the case of including two or more circular plates, each of the two or more circular plates has a different diameter and is located concentrically. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 하나 이상의 원형판은 동일한 크기의 복수의 홀을 갖는, 기판 처리 장치.And the at least one circular plate has a plurality of holes of the same size. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 둘 이상의 원형판들은, 각각, 서로 다른 크기의 복수의 홀을 갖는, 기판 처리 장치.And said at least two circular plates each have a plurality of holes of different sizes. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 인, 기판 처리 장치.The said plurality of holes are 1-1000 micrometers in diameter, The substrate processing apparatus. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 하나 이상의 원형판들은 상기 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러싸는, 기판 처리 장치.And the one or more circular plates enclose at least a portion of the fluid supply. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지는, 기판 처리 장치.And the fluid supply portion has a cylindrical shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 처리 장치는 동심원상에 배치되는 제 1 중공축 및 제 2 중공축을 구비하고,The substrate processing apparatus includes a first hollow shaft and a second hollow shaft disposed on concentric circles, 상기 제 1 중공축의 직경은 상기 제 2 중공축의 직경보다 작고, 상기 제 2 중공축의 중공 내에 수납되며,The diameter of the first hollow shaft is smaller than the diameter of the second hollow shaft, is accommodated in the hollow of the second hollow shaft, 상기 제 1 중공축은 하단이 상기 승하강부와 연결되고, 상단이 상기 비접촉 가이드부를 지지하고, 상기 승하강부에 의해 수직 방향으로 승하강되어 상기 비접촉 가이드부를 승하강시키며,The first hollow shaft has a lower end connected to the elevating portion, the upper end supports the non-contact guide portion, and is elevated in the vertical direction by the elevating portion to elevate the non-contact guide portion, 상기 제 2 중공축은 하단이 상기 회전부와 연결되고, 상단이 상기 접촉 가이드부를 지지하고, 회전부에 의해 수평방향으로 회전하여 상기 접촉 가이드부를 회전시키는, 기판 처리 장치.The second hollow shaft has a lower end connected to the rotating part, the upper end supports the contact guide part, and rotates in the horizontal direction by the rotating part to rotate the contact guide part. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 9, 상기 비접촉 가이드부는 원의 형상을 가지는, 기판 처리 장치.The said non-contact guide part has a circle shape, The substrate processing apparatus. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 9, 상기 비접촉 가이드부는 다각형의 형상을 가지는, 기판 처리 장치.And the non-contact guide portion has a polygonal shape. 상부면에 하나 이상의 서로 다른 환형 노즐이 동심원상으로 형성되어 있고, 상기 환형 노즐을 통해 기판을 향하여 기체를 분출시킴으로써, 상기 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 원형의 비접촉 가이드부;One or more different annular nozzles are formed concentrically on the upper surface, and circular non-contact guide portion for supporting the substrate by a predetermined interval by blowing gas toward the substrate through the annular nozzle; 상기 비접촉 가이드부를 지지하고, 상기 비접촉 가이드부를 수직방향으로 승하강시키는 승하강부;An elevating portion supporting the non-contact guide portion and elevating the non-contact guide portion in a vertical direction; 상부에 상기 기판을 고정하고, 상기 비접촉 가이드부를 둘러싸는 고리 형상을 가지며, 상기 비접촉 가이드부와 동심원상에 위치되는 접촉 가이드부;A contact guide part fixed to the substrate and having a ring shape surrounding the non-contact guide part, the contact guide part being located concentrically with the non-contact guide part; 상기 접촉 가이드부를 지지하고, 상기 접촉 가이드부를 회전시키는 회전부를 구비하고,A rotation part supporting the contact guide part and rotating the contact guide part, 상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 낮게 위치되는 경우 상기 접촉 가이드부가 상기 기판을 지지한 상태로 상기 기판을 처리하고,When the non-contact guide portion is positioned lower than the contact guide portion, the contact guide portion is processing the substrate in a state supporting the substrate, 상기 비접촉 가이드부가 상기 접촉 가이드부보다 높게 위치되는 경우 상기 비접촉 가이드부가 상기 기판을 부양하며 상기 기판의 전면이 상기 비접촉 가이드부를 향하는 상태로 상기 기판의 후면을 처리하며,When the non-contact guide portion is positioned higher than the contact guide portion, the non-contact guide portion supports the substrate and the rear surface of the substrate is processed with the front surface of the substrate facing the non-contact guide portion, 상기 비접촉 가이드부는 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 상기 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며, 상기 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는, 기판 처리 장치.The non-contact guide portion further includes a fluid supply portion at a central portion, and includes a plurality of tubes for supplying a fluid inside the fluid supply portion, and the plurality of tubes are insulated by an insulating material. 복수의 홀을 통해서 가스를 분출시킴으로써 기판을 소정의 간격만큼 부양시키는 비접촉식 척에 있어서,In the non-contact chuck to float the substrate by a predetermined interval by blowing gas through a plurality of holes, 상기 비접촉식 척은 하나 이상의 원형판을 포함하고, The contactless chuck comprises one or more circular plates, 둘 이상의 원형판들을 포함하는 경우, 상기 둘 이상의 원형판들 각각은 서로 다른 직경을 갖고 동심원상에 위치되고,In the case of including two or more circular plates, each of the two or more circular plates has a different diameter and is located concentrically, 상기 비접촉 척은 중심부에 유체 공급부를 더 구비하고, 상기 유체 공급부의 내부에는 유체를 공급하는 복수의 관을 포함하며, 상기 복수의 관은 절연재에 의해 절연되는, 비접촉식 척.The non-contact chuck further comprises a fluid supply at a central portion, the fluid supply includes a plurality of pipes for supplying a fluid, the plurality of pipes being insulated by an insulating material. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 하나 이상의 원형판은 동일한 크기의 복수의 홀을 갖는, 비접촉식 척.And the at least one circular plate has a plurality of holes of the same size. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 둘 이상의 원형판들은, 각각, 서로 다른 크기의 복수의 홀을 갖는, 비접촉식 척.Wherein said two or more circular plates each have a plurality of holes of different sizes. 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 17 to 19, 상기 복수의 홀은 직경이 1~1000 ㎛ 인, 비접촉식 척.And the plurality of holes are 1-1000 μm in diameter. 제 20 항에 있어서,The method of claim 20, 상기 하나 이상의 원형판들은 상기 유체 공급부의 적어도 일부를 둘러싸는, 비접촉식 척.And the one or more circular plates enclose at least a portion of the fluid supply. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 유체 공급부는 원통형의 형상을 가지는, 비접촉식 척.And the fluid supply portion has a cylindrical shape.
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